JP4704633B2

JP4704633B2 - Pattern forming method and pressure-sensitive adhesive sheet for metal film patterning

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Publication number: JP4704633B2
Application number: JP2001298331A
Authority: JP
Inventors: 市治近藤; 千景則武; 幹昌鈴木; 英志豊田
Original assignee: Denso Corp; Nitto Denko Corp
Current assignee: Denso Corp; Nitto Denko Corp
Priority date: 2001-09-27
Filing date: 2001-09-27
Publication date: 2011-06-15
Anticipated expiration: 2021-09-27
Also published as: JP2003100758A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はパターン形成方法に係り、詳しくは、基板上での所望の領域（例えばバンプ形成領域）に金属膜をパターニングする技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの金属電極形成方法として、ホトリソグラフィーを用いたパターン形成方法がよく知られており、これにより、所望の領域に電極を形成することができる。また、この他の手法としてフリップチップ工程Ｃｕバンプ用のアンダーバンプメタル（以下、ＵＢＭ膜という）の形成の際に、保護膜と下地電極との密着性の差を利用して粘着シートによりＵＢＭ膜を選択的にシートで除去する手法も提案されている（特開平１０−６４９１２号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前述のホトリソグラフィーを用いたパターン形成方法においては、ホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高いという問題がある。また、ＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に関しては、還元性の高い金属（付着力の強い金属）には適用が困難であることや、更に安定して剥離を行いたいという要求がある。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、剥離が容易で、かつ、低コストに金属膜をパターニングすることができるようにすることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明では、第１の材質およびそれとは異なる第２の材質が露出した下地の表面上に金属膜を成膜し、その後、上記第１の材質上に位置する該金属膜を残すとともに上記第２の材質上に位置する該金属膜を剥離して金属膜をパターニングするようにしたパターン形成方法として、上記第１の材質としてのアルミ薄膜と上記第２の材質としての絶縁膜が露出した状態で、チャンバー内にＣＦ系ガスと酸素の混合ガスを供給することにより発生させた反応性イオンもしくはラジカルを照射する表面改質工程を行い、当該工程の後に上記金属膜を成膜し、粘着シートを用いて上記金属膜の剥離を行うこととする。通常、第１の材質および第２の材質が露出した下地の表面上に金属膜が成膜されるとき、第１の材質と金属膜との間の密着力および第２の材質と金属膜との間の密着力が強く、第２の材質から金属膜を剥離することができない状態になっている。これに対し、上記請求項１に記載の発明では、金属膜の剥離に粘着シートを用い、かつ、第１の材質では金属膜の剥離を発生させず第２の材質の表面での剥離を容易にさせるための表面改質工程を付加することにより、第２の材質と金属膜との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。そして、第１の材質上に位置する金属膜が残されるとともに第２の材質上に位置する金属膜が剥離されて金属膜がパターニングされる。
【０００６】
その結果、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に安定して剥離することができるようになる。このようにして、剥離が容易で、かつ、低コストに金属膜をパターニングすることができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の作用・効果に加え、金属膜の上に、当該金属膜と下地の界面にかかる応力を調整するための応力調整膜が形成され、この応力調整膜により、第２の材質と金属膜との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。そして、第１の材質の上の金属膜を残し第２の材質の上の金属膜が剥離される。よって、剥離がより容易となる。このとき、請求項３に記載の発明によるように、上記金属膜として、チタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、上記応力調整膜として、ニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとよい。
【００１１】
特に、請求項４に記載のように、上記金属膜としてチタン薄膜を用いるとともに、上記応力調整膜としてニッケル薄膜を用い、それらチタン薄膜とニッケル薄膜の積層膜は、全応力が３０Ｎ／ｍ以上であるとよい。
【００１２】
また、粘着シートに関して、請求項５に記載のように、粘着シートの粘着剤の酸価が１０以上（特に、請求項６に記載のように、２０以上、５００以下、より好ましくは、請求項７に記載のように、５０以上、３００以下）であると、金属膜の第２の材質からの剥離性が向上し、確実にパターンを形成することができる。
【００１３】
この酸価の粘着剤を実現すべく、請求項８に記載のように、粘着シートの粘着剤が、カルボキシル基を有するモノマーユニットを２重量％以上（特に、請求項９に記載のように２重量％以上、５０重量％以下の範囲、より好ましくは請求項１０に記載のように２重量％以上、３０重量％以下の範囲で）含むベースポリマーを含有してなるものとするとよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１５】
図１，２には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。本実施形態においては、一般にパワー素子と呼ばれる半導体デバイスに具体化しており、かつ、図２（ｃ）に示すように、第１の材質３として金属（詳しくはアルミ薄膜）を用い、第２の材質４として絶縁物（詳しくはポリイミド膜）を用いている。
【００１６】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板であるシリコン基板１を用意する。そして、ウエハ状態のシリコン基板１に対し一般的な半導体デバイス製造技術を用いてトランジスタ素子（図示略）を形成する。さらに、シリコン基板１の上にＣＶＤ法などにより絶縁膜２を形成する。この絶縁膜２はＢＰＳＧ（Ｂoron−Ｐhosphorus Ｓilicate Ｇlass）膜やＰＳＧ（Ｐhosphorus Ｓilicate Ｇlass）膜などから成る。さらに、この絶縁膜２に対しシリコン基板内部（バルク部分）と導通を得るためにフォトリソグラフィー手法により開口部２ａを形成する。引き続き、開口部２ａを含めた絶縁膜２の上部に、スパッタリング法や蒸着法を用いてアルミ薄膜３を形成する。その後、フォトリソグラフィー手法により、このアルミ薄膜３の不要部分を除去する。このようにして残されたアルミ薄膜３はトランジスタ等の素子の電極部となる。
【００１７】
このようにして、シリコン基板１の上において、電極部（アルミ薄膜）３と絶縁膜２が露出した状態となる。さらに、熱処理を行って、シリコン基板１とアルミ薄膜３とを良好な導通を得られるようにする。なお、シリコン基板１と電極部（アルミ薄膜）３との間に、基板１とアルミ薄膜３の相互作用によるアロイスパイクを防止する目的で、バリアメタルと呼ばれる金属層を形成してもよい。
【００１８】
その後、図１（ｂ）に示すように、塗布などにより保護膜（絶縁膜）４を形成する。この保護膜４は、ポリイミド膜等から成る。さらに、この保護膜４に対し、アルミ薄膜３と導通を得るためにフォトリソグラフィー手法により開口部４ａを形成する。
【００１９】
引き続き、第１の材質３およびそれとは異なる第２の材質４が露出した状態での表面改質工程に移行する。詳しくは、図１（ｃ）に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１の上に、更にＣＦ4とＯ2の混合ガスを用いた反応性イオンもしくはラジカルの照射により保護膜（絶縁膜）４およびアルミ薄膜３の最表面をフッ素化（Ｆ化）する。なお、ガスはＣＦ4ではなく、ＣＨＦ3など他のＣＦ系ガスであってもよい。この表面改質処理を行う装置の概略的な構成を図３に示す。
【００２０】
図３において、表面改質処理が行われる反応室（チャンバー）９の内部において、ＣＦ系ガス（ＣＦ4等）と酸素の混合ガスが供給されるとともに高周波電源１０にて高周波電圧が印加され、プラズマとなり、このプラズマから反応性イオンもしくはラジカルが発生する。そして、この反応性イオンもしくはラジカルが電極１１上のシリコンウエハ１２に照射され、シリコンウエハ１２が表面改質される。
【００２１】
その結果、図１（ｃ）に示したように、アルミ薄膜３および保護膜４の最表面がフッ素化（Ｆ化）される。この表面改質により、以降の工程において保護膜４と後記する金属膜（図２（ａ）の符号５で示す部材）との間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて金属膜５を保護膜４から容易に剥離させることができるようになる。
【００２２】
パターンの形成工程の説明に戻り、引き続き、図２（ａ）に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１の上に、更に金属膜５，６，７を順に成膜する。この金属膜５，６，７を拡大したものを図４に示す。
【００２３】
図４において、第１の層である金属膜５は、アルミ薄膜３と良好な接合を形成するための膜であり、具体的には、チタン薄膜を用いている。なお、チタン薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えばバナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステンまたは、これらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金などを用いてもよい。また、アルミ薄膜３上には、通常、酸化膜が形成されるため、一般的にアルミ薄膜３上に他の金属膜を成膜する場合、前述の酸化膜を取り除く工程が必要となる。しかし、本実施形態のように第一層目の金属膜としてチタン薄膜を用いた場合、チタンが前述の酸化膜を還元し、自らを酸化することで、良好な界面が形成され、そのため、酸化膜除去工程は不要とすることができる。つまり、アルミ薄膜３と接するチタン薄膜５は、還元性の高い金属薄膜である。
【００２４】
図４において、第２の層である金属膜６は、金属膜５とその下地の基板１（保護膜４）との界面にかかる応力を調整するための膜であり、具体的にはニッケル薄膜を用いている。なお、ニッケル薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えば、銅、パラジウム、または、これらの金属を主成分とする合金などを用いてもよい。この金属膜６により、以降の工程において絶縁膜４と金属膜５との間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて金属膜５を絶縁膜４から容易に剥離させることができるようになる。ここで、金属膜５と、金属膜（応力調整膜）６の積層膜は全応力（Ｔotal Ｓtress）、つまり、膜厚と内部応力を乗算したもの（全応力＝膜厚×内部応力）が３０Ｎ／ｍ以上である。
【００２５】
図４において第３の層である金属膜７は、はんだ濡れ性の良好な膜であり、具体的には金（Ａｕ）を用いている。なお、金（Ａｕ）の代わりに前述の目的を達成する他の金属膜、例えば銅、銀、白金，鉄，錫、Ｃｕ−Ｓｎ合金などを用いてもよい。また、金属膜７は金属膜６にニッケルなど、はんだ濡れ性の良い金属を用いた場合は省略することも可能である。しかし、ニッケル表面が酸化するとはんだ濡れ性が劣化するため、金属膜７を用いることが望ましい。
【００２６】
上述の３つの金属膜５，６，７は、図５に示したような、大気に暴露することなく、真空中で連続成膜可能なスパッタリング装置により成膜する。つまり、真空チャンバー１５にはその一端部にウエハ投入口１６が、また、他端部にウエハ取り出し口１７が設けられ、さらに、同チャンバー１５には第１金属膜用ターゲット１８と第２金属膜用ターゲット１９と第３金属膜用ターゲット２０が配置されている。そして、真空チャンバー１５内においてウエハを搬送しつつ膜５、６、７を順に成膜することができるようになっている。また、真空チャンバー１５の近傍にはコントロールパネル２１が配置されている。この図５の装置を使用することにより金属膜間に酸化膜を形成することなく成膜でき、そのため、各金属膜間の密着力性を高め、積層した膜５，６，７は１つの金属膜のような振る舞いをすることとなる。
【００２７】
なお、図５の形状の装置でなくても、真空を破ること無く搬送することが可能であれば、異なるスパッタリング装置または蒸着装置においても実現可能である。
【００２８】
そして、上述の金属膜５，６，７の成膜後、図５のスパッタリング装置からウエハ状シリコン基板１を取り出し、真空チャック等でウエハ状シリコン基板１を固定し、図２（ｂ）に示すように、粘着シート（粘着フィルム）８を金属膜７上に貼り付ける。粘着シート８はシート基材（フィルム材）８ａと粘着剤（粘着層）８ｂからなる。
【００２９】
この粘着シート８に関し、本実施形態では具体的には次のものを使用している。粘着剤８ｂにおける組成物として、アクリル酸２−エチルヘキシル／アクリル酸＝９０／１０（重量比）の共重合体からなるアクリル系ポリマーＡ（重量平均分子量７０万、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）＝１８、酸価７０）の２７％酢酸エチル溶液１００ｇに、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本合成化学製；商品名：ＵＶ１７００Ｂ）３２ｇおよびポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業製：商品名：コロネートＬ）０．８ｇを配合した粘着剤組成物（酢酸エチル溶液）を用いている。この粘着剤組成物を、厚さが５０μｍのポリエステルフィルムからなる基材フィルム８ａ上に塗布し、乾燥オーブンにて１３０℃で３分間乾燥し、厚さが４０μｍの粘着剤８ｂを形成した。このようにして粘着シート８を作製した。この粘着剤組成物の酸価を測定したところ「３０」であった。
【００３０】
ここで、粘着シート８に必要な機能（組成等）について言及する。
粘着シート８の粘着剤８ｂは、カルボキシル基を多く含有している。具体的には、粘着剤８ｂの酸価が「１０」以上である。金属膜５との接着性に優れるためには、酸価は「２０」以上、さらには「５０」以上とするのが好ましい。これにより金属膜５の絶縁膜４からの剥離性が向上し、確実にパターンが形成される。一方、粘着剤８ｂの酸価が高すぎると、粘着シート８の粘着剤８ｂの一部が金属膜５上に残存するおそれがあるため、粘着剤８ｂの酸価は「５００」以下、さらには「３００」以下とするのが好ましい。
【００３１】
また、粘着テープ８の粘着剤８ｂは、カルボキシル基を有するモノマーユニットを２重量％以上含むベースポリマーを含有するのが好ましい。前記カルボキシル基を有するモノマーユニットは５重量％以上含むのがより好ましい。カルボキシル基を有するモノマーユニットを前記割合に調整したベースポリマーを含有することにより、前記酸価の粘着剤８ｂを実現できる。なお、カルボキシル基を有するモノマーユニットの割合が多くなると、粘着剤８ｂの酸価も高くなるため、カルボキシル基を有するモノマーユニットの割合は、５０重量％以下、さらには３０重量％以下とするのが好ましい。
【００３２】
このように、粘着シート８は、基材フィルム８ａ上に、前記特定の酸価を有する粘着剤８ｂを形成したものである。なお、粘着シート８はシート状、ロール状のいずれでもよい。
【００３３】
また、基材フィルム８ａとして、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、アセチルセルロースなどの一般的な粘着シート類に用いられるプラスチックフィルムが挙げられる。また、図２（ｂ）においてシート基材８ａの厚さｔ１は、特に限定されないが、１０〜１００μｍ程度である。一方、基材フィルム８ａの表面に形成される粘着剤８ｂの厚さｔ２は、１０〜１８０μｍ程度である。
【００３４】
また、粘着剤８ｂとしては一般的な感圧に適用されるベースポリマーが用いられる。かかるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーや、ゴム系材料等の公知の各種のものをいずれも使用できるが、特にアクリル系ポリマーを使用するのが好ましい。
【００３５】
アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステル｛なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルをいい、以下（メタ）とは同様の意味である｝を主モノマーとしている。アルキル基の炭素数は１〜１２程度である。（メタ）アクリル酸アルキルエステルの具体例としては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル等を例示でき、これらを単独もしくは組み合わせて使用できる。
【００３６】
得られるアクリル系ポリマーに酸価を付与するために用いるカルボキシル基を有するモノマーとしては、通常、（メタ）アクリル酸が用いられるが、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等を用いることもできる。
【００３７】
また、アクリル系ポリマーを構成するモノマーには、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等の水酸基等の官能基を有する架橋性モノマーを併用することもできる。さらには、（メタ）アクリル酸エステル共重合体の粘着特性を損なわない程度において（メタ）アクリロニトリル、酢酸ビニル、スチレン等のモノマーを併用することもできる。
【００３８】
アクリルポリマーの重量平均分子量は２０万〜３００万程度、分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は５〜１５程度である。
粘着シート８の粘着剤８ｂは、各種ベースポリマーに加え、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、石油系樹脂などの粘着付与剤や、各種架橋剤等を適宜に配合した粘着剤組成物とすることもできる。また、粘着剤８ｂは必要に応じて充填剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、着色剤等を適宜使用できる。また、粘着剤８ｂの形態は溶剤型、エマルジョン型のいずれの形態でもよい。さらに、前記粘着剤８ｂは熱硬化型または光硬化型の重合性化合物を併用することにより、熱硬化型または光硬化型粘着剤とすることもできる。
【００３９】
前記粘着付与剤、架橋剤、およびその他配合物等の配合割合は、特に制限されないが、粘着剤組成物としての酸価が「１０」以上となるように用いる。
粘着剤および粘着剤中の配合成分の酸価の測定は、ＪＩＳ規格Ｋ００７０に則り、試料をベンゼン：エチルアルコール＝２：１（重量比）混合液に溶解し、フェノールフタレインを指示薬として、０．１モル／リットル水酸化カリウム−エチルアルコール溶液により中和滴定し、算出した。
【００４０】
パターン形成工程の説明に戻り、粘着シート８を、図２（ｂ）に示す基板上の金属膜７に２０℃でロールによって貼付けた後、図６に示すように、ウエハ状基板１上から静かに剥ぎ取ると、図２（ｃ）に示すように、金属膜５，６，７の不要部分が半導体デバイスから除去される。つまり、図７に示すように、保護膜（絶縁膜）４上の金属膜５，６，７はウエハ状基板１上から除去（剥離）されるが、下地用パターン（アルミ薄膜）３上の金属膜５，６，７はウエハ状基板１に残存する。このようにして、粘着シート８が引き剥がされて、絶縁膜４上の金属膜５，６，７のみが、粘着シート８と共に剥離除去され、電極部３上にはバンプ金属パターン５，６，７が形成される。
【００４１】
なお、絶縁膜４上の金属膜５，６，７の剥離率は全体の約９０％であり、残りの部分については基板１を純水洗浄することにより、きれいに取り除くことができた。
【００４２】
図６では、粘着シート８は、ウエハ状のシリコン基板１と同一形状にカットされているが、これは、ウエハ状基板１の搬送や一時保管を容易にするためである。搬送や一時保管をする必要が無いときは、粘着シート８の形状は、ウエハ状基板１と同一形状である必要はなく、ウエハ状基板１より大きなサイズであって、かつ、円形でも、四角形でも問題はない。特に、一時保管をする必要がない場合は、ウエハ状基板１より大きなサイズである方が引き剥がし易く、むしろ好ましい。
【００４３】
引き剥がしの原理は、以下の通りである。
本実施形態の第１の金属膜５であるチタンはアルミニウムだけでなく保護膜４とも良好な接合を形成する。このため、通常、保護膜４とチタン薄膜５の間を剥がすことは困難である。しかし、表面のＦ化により絶縁膜４とチタン薄膜５の密着性を下げることができる。そして、さらに図４に示すように、チタン薄膜５の上にニッケル薄膜６を成膜すると、剛性率および成膜時の熱膨張率の差からニッケル薄膜６の内部に大きな膜応力（引張応力）が発生する。このとき、チタン薄膜５の膜厚を５００ｎｍ以下とし、上述のようにチタン薄膜５とニッケル薄膜６との間に酸化膜を形成することなく成膜すると、応力の影響はチタン薄膜５と保護膜４の界面まで及び、チタン薄膜５と保護膜４との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。
【００４４】
このように、下地材料の付着性（密着力）の差と、金属電極薄膜（５，６，７）の内部応力を用いることにより、所望の電極材料を安定して保護膜４上のみ剥離することができる。チタン薄膜５は、酸化物等からは剥離困難な金属であり、このような金属膜をシリコン酸化物等から剥離する方法として、他の膜の応力を利用している。
【００４５】
図８には、テープ剥離試験結果を示す。電極材料として多用されるチタン薄膜はポリイミド（保護膜４）との密着性が高いため、粘着テープによる剥離試験を行っても剥離は発生しなかった。しかしながら、表面改質によるＦ化およびポリイミドに３０Ｎ／ｍの全応力を付与すべくニッケル薄膜（６）を積層してＮｉ／Ｔｉ／ポリイミド構造とすることにより粘着テープでの剥離が可能となる。つまり、表面改質の効果に加え、スパッタＮｉ膜には引張応力が存在し、その応力によってチタン薄膜と下地界面に高い引張応力が発生するので、Ｔｉ／ポリイミド界面での剥離が可能になる。
【００４６】
また、図９，１０にＸＰＳ最表面分析の結果を示す。図９には表面改質前の分析結果を、また、図１０には表面改質後の分析結果を示す。この図９，１０から、表面改質によりＣのピークが高エネルギー側（図９，１０では左側）にシフトしたことからポリイミド表面がＦ化されたことが分かる。即ち、図９においてはＣまたはＣＨのピークをもち、図１０においてはＣＦ3やＣＦ2のピークをもっている。このようにポリイミド表面のＦ化により、チタン薄膜の剥離性が高くなる。
【００４７】
図１１に、チタン薄膜（５）を用いた場合における、全応力を変えたときの粘着テープでの剥離率の測定結果を示す。つまり、チタン薄膜５と保護膜（ポリイミド）４との間の付着力、および、チタン薄膜５とアルミ薄膜３との間の付着力をそれぞれ測定した結果を示す。なお、ここでの表面改質は、ＣＦ4 とＯ2 ガスによる表面改質を用いている。図１１から、ポリイミド膜上では３０Ｎ／ｍで剥離を生じさせることができることが分かる。これに対し、前処理（表面改質）無しのアルミ薄膜の表面では、１００Ｎ／ｍでも剥離は発生しないことが分かる。従って、例えば、１００Ｎ／ｍの全応力を用いれば、成膜後において粘着テープを用いた剥離を行えば、前処理無しのアルミ薄膜の表面に選択的にチタン薄膜を残すことができる。
【００４８】
このように、金属膜５と保護膜４間の付着力は、金属膜５とアルミ薄膜３間の付着力より小さく、全応力が３０Ｎ／ｍ以上で金属膜５を粘着シート８を用いて引き剥がすと、保護膜４上からは剥がれるが、アルミ薄膜３上には残存することとなる。
【００４９】
ここで、膜５と膜６の積層膜の全応力は、主にニッケル薄膜６の膜厚により制御可能である。全応力値は、高い方が保護膜４上を剥離する上で有利となる。しかし、１５００Ｎ／ｍ以上の応力となると、ウエハが反り、場合によっては（ウエハ厚が薄い場合など）、ウエハを破損する虞があるため、製造上では６０Ｎ／ｍ以上、１５００Ｎ／ｍ以下の範囲内で制御することが好ましい。このように、全応力を１５００Ｎ／ｍ以下に抑えることにより、成膜後のウエハの反りや破損などの不具合を未然に防止することができる。
【００５０】
ここで、比較例を挙げて本実施形態の有用性を説明する。比較例として、粘着剤８ｂのベースポリマーとして使用するアクリル系ポリマーＡを、アクリル酸２−エチルヘキシル／アクリル酸＝９９／１（重量比）の共重合体からなるアクリル系ポリマーＡ（重量平均分子量１００万、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）＝２２、酸価６）に変えた以外は、上記実施形態と同様にして粘着剤組成物を調整し、粘着シートを作製した。この粘着剤組成物の酸価は「３」であった。そして、この粘着シートを用いて、本実施形態と同様にして金属膜の剥離評価を行った。その結果、絶縁膜４上の金属膜はほとんど除去できなかった。このようにして、本実施形態の有用性を確認している。
【００５１】
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）パターン形成方法として、図１（ｂ）に示すように、第１の材質としてのアルミ薄膜（金属）３およびそれとは異なる第２の材質としてのポリイミド膜（絶縁物）４が露出した下地の表面上に、図２（ａ）に示すように、金属膜５を成膜し、その後、図２（ｃ）に示すように、アルミ薄膜３上に位置する金属膜５を残すとともにポリイミド膜４上に位置する金属膜５を剥離して金属膜５をパターニングする際に、図２（ｂ）に示すように、金属膜５の剥離に粘着シート８を用い、かつ、図１（ｃ）に示すようにアルミ薄膜３では金属膜５の剥離を発生させずポリイミド膜４の表面での剥離を容易にさせる工程として、アルミ薄膜３とポリイミド膜４が露出した状態で、反応性イオンもしくはラジカルを照射して表面改質を行って、その後に、所望の金属膜５を成膜し、粘着シート８を貼り付けた後、同シート８を剥がすようにした。
【００５２】
よって、下地の表面上に金属膜５が成膜されるとき、第１の材質３と金属膜５との間の密着力および第２の材質４と金属膜５との間の密着力が強く、第２の材質４から金属膜５を剥離することができない状態になっている状態に対し、金属膜５の剥離に粘着シート８を用い、かつ、第１の材質３では金属膜５の剥離を発生させず第２の材質４の表面での剥離を容易にさせる工程を付加することにより、第２の材質４と金属膜５との間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させる。そして、第１の材質３上に位置する金属膜５が残されるとともに第２の材質４上に位置する金属膜５が剥離されて金属膜５がパターニングされる。その結果、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に安定して剥離することができるようになる。このようにして、剥離が容易で、かつ、低コストに金属膜をパターニングすることができる。
（ロ）粘着シートに関して、粘着シート８の粘着剤８ｂの酸価が１０以上、特に、２０以上、５００以下、より好ましくは、５０以上、３００以下にすると、金属膜５の第２の材質４からの剥離性が向上し、確実にパターンを形成することができる。
【００５３】
また、この酸価の粘着剤を実現すべく、粘着シート８の粘着剤８ｂが、カルボキシル基を有するモノマーユニットを２重量％以上、特に、２重量％以上、５０重量％以下の範囲、より好ましくは２重量％以上、３０重量％以下の範囲で含むベースポリマーを含有してなるものとするとよい。
（第１の比較例）
次に、第１の比較例を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００５４】
図１２，１３には、本比較例におけるダイオードの製造工程を示す。本比較例では、図１３に示すように、第１の材質５１は不純物をドープした半導体であり、第２の材質２は絶縁物である。つまり、第１の実施形態では電極部（または配線部）を構成する金属膜３はアルミ薄膜であり、その上に金属膜５を形成する例を示したが、本比較例においては半導体基板であるシリコン基板５０での不純物拡散領域５１の上に金属膜６０を配置し、その上に金属膜５を形成している。
【００５５】
以下、詳しく説明する。
まず、図１２（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板５０に一般的な半導体デバイス製造技術を用いてＮ型不純物拡散領域５１を形成する。これにより、ＰＮ接合を有するダイオードが構成される。そして、第１の実施形態に示したものと同様の絶縁膜２を形成し、フォトリソグラフィー法により開口部５２を形成する。さらに、フッ酸等により開口部５２に形成される自然酸化膜を除去する。
【００５６】
その後、Ｎ型不純物拡散領域５１と絶縁膜２が露出した状態で、図１２（ｂ）に示すように、アルミ薄膜を形成しないで、金属膜６０，５，６，７を順に成膜する。第１の層である金属膜６０は、酸化しにくい金属膜であり、具体的には金（Ａｕ）を用いている。なお、金（Ａｕ）の代わりに前述の目的を達成する他の金属膜、例えば銀、白金などを用いてもよい。金属膜６０の膜厚は２〜５０ｎｍである。この金属膜６０の成膜にて、Ｎ型不純物拡散領域５１では金属膜５の剥離が発生せず絶縁膜２の表面での剥離が容易になる。また、金属膜６は第１の実施形態と同様に応力調整膜であり、金属膜５と応力調整膜６の積層膜は、全応力が３０Ｎ／ｍ以上である。
【００５７】
続いて、シリコン基板５０の裏面に電極５３を形成する。さらに、図１２（ｃ）に示すように、粘着シート８を貼り付ける。そして、図６，７に示した方法と同様な方法で粘着シート８をウエハ状基板５０より引き剥がす。すると、図１３（ａ）に示すように、絶縁膜２の開口部５２のみに金属膜６０，５，６，７を残すことができる。
【００５８】
そして、図１３（ｂ）に示すように、金属膜６０，５，６，７の部分の全面にはんだ付けを行い、はんだ５４を実装する。
ここで、本比較例での評価を行ったので説明する。第１の実施形態において説明したように粘着剤８ｂのベースポリマーとして使用するアクリル系ポリマーＡを、アクリル酸２−エチルヘキシル／アクリル酸＝９９／１（重量比）の共重合体からなるアクリル系ポリマーＡ（重量平均分子量１００万、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）＝２２、酸価６）４０ｇに、ロジン系粘着付与樹脂（荒川化学工業製；商品名：パインクリスタルＫＲ８５；酸価１７０）５０ｇおよびポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業製：商品名：コロネートＬ）０．８ｇを配合した粘着剤組成物に変えた以外は、第１の実施形態と同様にして粘着剤組成物を調整し、粘着シートを作製した。この粘着剤組成物の酸価を測定したところ「８５」であった。また、この粘着シートを用いて、第１の実施形態と同様にして金属膜の剥離評価を行った。その結果、絶縁膜２上の金属膜は１００％剥離除去され、電極部５１上に金属電極パターンが形成された。このようにして本比較例の有用性を確認することができた。
【００５９】
さらに、図１４を用いて説明を加える。図１４には、スクラッチ試験によるチタン薄膜５と絶縁膜２との付着力の測定結果を示す。図１４の横軸にはＡｕ膜厚（金属膜６０の膜厚）をとり、縦軸には剥離強度をとっており、横軸のＡｕ膜厚＝０の時のチタン薄膜５と絶縁膜（ＳｉＯ2）２との間の付着力、および、チタン薄膜５と絶縁膜２の間にＡｕ膜６０を挿入した場合の付着力をそれぞれ測定した結果を示す。シリコン酸化膜上（Ａｕ膜厚＝０）では、剥離強度は１００ｍＮ以上であったが、Ａｕ膜厚が２ｎｍで５０ｍＮ以下にすることができた。従って、Ａｕ膜６０を挿入することにより、粘着シート８を用いて引き剥がすと、絶縁膜２上からはチタン薄膜５を容易に剥離することができ、その他の下地用Ｎ型シリコン層５１上には残存させることができることとなる。
（第２の比較例）
次に、第２の比較例を、第１の比較例との相違点を中心に説明する。
【００６０】
図１５は、図１３（ｂ）に示す部位ではなく、その周辺でのシリコン基板１に複数の素子を形成した回路の部分を示す。本比較例においては、第１の材質７１は窒化物であり、第２の材質７０は金属である。
【００６１】
まず、図１５（ａ）に示すように、シリコン基板１上にアルミ電極（アルミ薄膜）７０を形成し、その上の所定領域に絶縁膜であるシリコンナイトライド（Ｓｉ3Ｎ4）膜７１を形成する。さらに、シリコンナイトライド膜７１とアルミ電極７０が露出した状態から、図１５（ｂ）に示すように、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜７２を成膜するとともにホトエッチ法にてアルミ電極７０上に位置するＴＥＯＳ膜７２を開口する。その後、図１５（ｃ）に示すように、金属膜５，６，７を成膜する。金属膜６は第１の実施形態と同様に応力調整膜であり、金属膜５と応力調整膜６の積層膜は、全応力が６０Ｎ／ｍ以上である。
【００６２】
さらに、粘着シート８（図１２（ｃ）参照）を金属膜７上に貼り付ける。そして、図６，７に示した方法と同様な方法で粘着シート８をウエハ状基板１より引き剥がす。すると、図１５（ｄ）に示すように、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜７２の開口部のみに金属膜５，６，７を残すことができる。
【００６３】
このように、アルミ電極（第２の材質）７０の表面での剥離を容易にさせるべく、シリコンナイトライド膜（第１の材質）７１とアルミ電極７０が露出した状態からアルミ電極７０上にシリコン酸化膜７２を成膜し、その後に、金属膜５を成膜し、粘着シートを貼り付けた後、同シートを剥がすようにしている。
【００６４】
図１６には、チタン薄膜５と絶縁膜（ＳｉＮ）７１との間の剥離性、および、チタン薄膜５と絶縁膜（ＴＥＯＳ−ＳｉＯ２）７２との剥離性を示す。チタン薄膜５とＳｉＮ膜７１との間の剥離率は０％であり、チタン薄膜５とＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜７２との剥離率は１００％であった。従って、ＳｉＮ膜７１上にＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜７２を形成することにより、粘着シート８を用いて引き剥がすと、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜７２上からはチタン薄膜５を容易に剥離することができ、ＳｉＮ膜７１上には残存することとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態におけるパターン形成工程を示す図。
【図２】第１の実施形態におけるパターン形成工程を示す図。
【図３】表面改質装置の概略を示す図。
【図４】Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ成膜後の拡大図。
【図５】スパッタリング装置の概略を示す図。
【図６】粘着シートの剥がし工程を説明するための斜視図。
【図７】粘着シートの剥がし工程を説明するための断面図。
【図８】表面改質の有無によるテープ剥離試験結果を示す図。
【図９】表面改質前におけるＸＰＳ分析の結果を示す図。
【図１０】表面改質後におけるＸＰＳ分析の結果を示す図。
【図１１】テープ試験での剥離測定結果を示す図。
【図１２】第１の比較例におけるパターン形成工程を示す図。
【図１３】第１の比較例におけるパターン形成工程を示す図。
【図１４】スクラッチ試験によるチタン薄膜と絶縁膜との付着力の測定結果を示す図。
【図１５】第２の比較例におけるパターン形成工程を示す図。
【図１６】テープ試験での剥離測定結果を示す図。
【符号の説明】
１…シリコン基板、２…絶縁膜、３…アルミ薄膜、４…保護膜、５…チタン薄膜、６…ニッケル薄膜、７…金薄膜、８…粘着シート、８ａ…シート基材、８ｂ…粘着剤、５０…Ｐ型シリコン基板、５１…Ｎ型不純物拡散領域、６０…金薄膜、７０…アルミ薄膜、７１…シリコンナイトライド膜、７２…ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a pattern forming method, and more particularly to a technique for patterning a metal film in a desired region (for example, a bump forming region) on a substrate.
[0002]
[Prior art]
As a method for forming a metal electrode of a semiconductor device, a pattern formation method using photolithography is well known, whereby an electrode can be formed in a desired region. As another method, when forming an under bump metal (hereinafter referred to as a UBM film) for a flip-chip process Cu bump, a UBM film is formed by an adhesive sheet using a difference in adhesion between a protective film and a base electrode. A method of selectively removing the toner with a sheet has also been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 10-64912).
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described pattern forming method using photolithography has a problem that the equipment and process costs in the photolithography and etching processes are very high. In addition, regarding the method of selectively removing the UBM film with an adhesive sheet, there is a demand that it is difficult to apply to a highly reducing metal (a metal having a strong adhesive force), and that it is desired to perform more stable peeling. is there.
[0004]
Accordingly, an object of the present invention is to enable easy patterning and patterning of a metal film at a low cost.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
  Claim 1In the present invention, a metal film is formed on the surface of the base on which the first material and a second material different from the first material are exposed, and then the metal film located on the first material is left and the second material is left. As a pattern forming method in which the metal film located on the material is peeled and the metal film is patterned, the aluminum thin film as the first material and the insulating film as the second material are exposed. Then, a surface modification process is performed in which reactive ions or radicals generated by supplying a mixed gas of CF-based gas and oxygen into the chamber are irradiated. After the process, the metal film is formed, and an adhesive sheet is formed. It is assumed that the metal film is peeled off. Normal,A metal film is formed on the surface of the base from which the first material and the second material are exposed.WhenThe adhesion between the first material and the metal film and the adhesion between the second material and the metal film are strong, and the metal film cannot be peeled off from the second material. . In contrast,In the invention according to the first aspect,An adhesive sheet is used for peeling of the metal film, and the first material does not cause peeling of the metal film and can be easily peeled off on the surface of the second material.Surface modification forBy adding a process, the adhesive force between the second material and the metal film is reduced to a range where peeling is possible. Then, the metal film located on the first material is left and the metal film located on the second material is peeled off and the metal film is patterned.
[0006]
As a result, it is avoided that the equipment and process costs in the photolithography and etching process are very high as in the conventional method using photolithography, and the conventional UBM film is selectively removed with an adhesive sheet. Compared to, it becomes possible to peel more stably. In this manner, the metal film can be patterned easily at a low cost.
[0010]
  Claim2According to the invention described in claim 1, in addition to the operation and effect of the invention described in claim 1, a stress adjustment film for adjusting the stress applied to the interface between the metal film and the base is formed on the metal film, By this stress adjusting film, the adhesive force between the second material and the metal film is reduced to a range where peeling is possible. Then, the metal film on the second material is peeled off while leaving the metal film on the first material. Therefore, peeling becomes easier.At this time, according to the invention described in claim 3, as the metal film, titanium, vanadium, chromium, cobalt, zirconium, aluminum, tantalum, tungsten, or a nitride of these metals or these metals as a main component. In addition, an alloy film containing nickel, copper, palladium, or an alloy containing these metals as a main component may be used as the stress adjusting film.
[0011]
  In particular, the claims4As described inthe aboveWith metal filmAnd using a titanium thin film,Stress adjustment filmAs the nickel thin film, these titanium thin film and nickel thin filmThe laminated film may have a total stress of 30 N / m or more..
[0012]
  In addition, regarding the adhesive sheet, the claim5The acid value of the pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive sheet is 10 or more (in particular,620 or more and 500 or less, more preferably, as described in7As described in (1), when it is 50 or more and 300 or less, the peelability of the metal film from the second material is improved, and a pattern can be reliably formed.
[0013]
  In order to realize this acid value adhesive,8The pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive sheet contains 2% by weight or more of monomer units having a carboxyl group (particularly,92 to 50% by weight, more preferably, as described in10The base polymer is preferably contained in the range of 2% by weight or more and 30% by weight or less as described in (1).
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0015]
1 and 2 show a manufacturing process of the semiconductor device according to this embodiment. In this embodiment, it is embodied in a semiconductor device generally called a power element, and as shown in FIG. 2C, a metal (specifically, an aluminum thin film) is used as the first material 3, and the second An insulator (specifically, a polyimide film) is used as the material 4.
[0016]
First, as shown in FIG. 1A, a silicon substrate 1 which is a semiconductor substrate is prepared. Then, transistor elements (not shown) are formed on the silicon substrate 1 in the wafer state by using a general semiconductor device manufacturing technique. Further, an insulating film 2 is formed on the silicon substrate 1 by a CVD method or the like. The insulating film 2 is made of a BPSG (Boron-Phosphorus Silicate Glass) film, a PSG (Phosphorus Silicate Glass) film, or the like. Further, an opening 2a is formed by photolithography in order to obtain electrical continuity with the insulating film 2 in the silicon substrate (bulk portion). Subsequently, an aluminum thin film 3 is formed on the insulating film 2 including the opening 2a by using a sputtering method or a vapor deposition method. Thereafter, unnecessary portions of the aluminum thin film 3 are removed by photolithography. The remaining aluminum thin film 3 becomes an electrode portion of an element such as a transistor.
[0017]
In this way, the electrode part (aluminum thin film) 3 and the insulating film 2 are exposed on the silicon substrate 1. Further, heat treatment is performed so that good conduction can be obtained between the silicon substrate 1 and the aluminum thin film 3. A metal layer called a barrier metal may be formed between the silicon substrate 1 and the electrode portion (aluminum thin film) 3 in order to prevent alloy spikes due to the interaction between the substrate 1 and the aluminum thin film 3.
[0018]
Thereafter, as shown in FIG. 1B, a protective film (insulating film) 4 is formed by coating or the like. The protective film 4 is made of a polyimide film or the like. Further, an opening 4a is formed in the protective film 4 by a photolithography technique in order to obtain electrical continuity with the aluminum thin film 3.
[0019]
Subsequently, the process proceeds to the surface modification process in a state where the first material 3 and the second material 4 different from the first material 3 are exposed. Specifically, as shown in FIG. 1C, a protective film (insulating film) 4 and aluminum are further irradiated on a silicon substrate 1 in a wafer state by irradiation with reactive ions or radicals using a mixed gas of CF4 and O2. The outermost surface of the thin film 3 is fluorinated (F). The gas may be other CF-based gas such as CHF3 instead of CF4. FIG. 3 shows a schematic configuration of an apparatus for performing the surface modification treatment.
[0020]
In FIG. 3, in a reaction chamber (chamber) 9 in which surface modification processing is performed, a mixed gas of CF-based gas (CF 4 or the like) and oxygen is supplied, and a high-frequency voltage is applied by a high-frequency power source 10 to generate plasma. Reactive ions or radicals are generated from this plasma. Then, the reactive ion or radical is irradiated onto the silicon wafer 12 on the electrode 11 to modify the surface of the silicon wafer 12.
[0021]
As a result, as shown in FIG. 1C, the outermost surfaces of the aluminum thin film 3 and the protective film 4 are fluorinated (F). By this surface modification, the adhesion force between the protective film 4 and a metal film described later (a member indicated by reference numeral 5 in FIG. 2A) is reduced to a peelable range in the subsequent steps, and the metal film 5 is formed. It can be easily peeled off from the protective film 4.
[0022]
Returning to the description of the pattern formation process, subsequently, as shown in FIG. 2A, metal films 5, 6, and 7 are further sequentially formed on the silicon substrate 1 in a wafer state. An enlarged view of the metal films 5, 6, and 7 is shown in FIG.
[0023]
In FIG. 4, a metal film 5 as a first layer is a film for forming a good bond with the aluminum thin film 3, and specifically, a titanium thin film is used. Instead of the titanium thin film, other metal films that achieve the above-mentioned object, such as vanadium, chromium, cobalt, zirconium, aluminum, tantalum, tungsten, or nitrides of these metals or these metals as a main component. An alloy or the like may be used. In addition, since an oxide film is usually formed on the aluminum thin film 3, generally, when another metal film is formed on the aluminum thin film 3, a step of removing the above-described oxide film is required. However, when a titanium thin film is used as the first-layer metal film as in this embodiment, titanium reduces the above-described oxide film and oxidizes itself, thereby forming a good interface. The film removal step can be omitted. That is, the titanium thin film 5 in contact with the aluminum thin film 3 is a highly thin metal film.
[0024]
In FIG. 4, a metal film 6 as a second layer is a film for adjusting the stress applied to the interface between the metal film 5 and the underlying substrate 1 (protective film 4), specifically a nickel thin film. Is used. In place of the nickel thin film, another metal film that achieves the above-described object, such as copper, palladium, or an alloy containing these metals as a main component may be used. With this metal film 6, it becomes possible to easily peel the metal film 5 from the insulating film 4 by reducing the adhesion between the insulating film 4 and the metal film 5 to a peelable range in the subsequent steps. . Here, the laminated film of the metal film 5 and the metal film (stress adjusting film) 6 has a total stress (total stress), that is, the product of the film thickness and the internal stress (total stress = film thickness × internal stress) is 30 N. / M or more.
[0025]
In FIG. 4, the metal film 7 as the third layer is a film having good solder wettability, and specifically, gold (Au) is used. Instead of gold (Au), another metal film that achieves the above-described object, such as copper, silver, platinum, iron, tin, or a Cu—Sn alloy may be used. The metal film 7 may be omitted when a metal having good solder wettability such as nickel is used for the metal film 6. However, since the solder wettability deteriorates when the nickel surface is oxidized, it is desirable to use the metal film 7.
[0026]
The above-described three metal films 5, 6, and 7 are formed by a sputtering apparatus that can be continuously formed in vacuum without being exposed to the atmosphere as shown in FIG. That is, the vacuum chamber 15 is provided with a wafer insertion port 16 at one end and a wafer take-out port 17 at the other end. Further, the chamber 15 is provided with a first metal film target 18 and a second metal film. Target 19 and third metal film target 20 are arranged. The films 5, 6, and 7 can be sequentially formed while the wafer is transferred in the vacuum chamber 15. A control panel 21 is disposed in the vicinity of the vacuum chamber 15. By using this apparatus of FIG. 5, it is possible to form a film without forming an oxide film between the metal films. For this reason, the adhesion between the metal films is improved, and the laminated films 5, 6, and 7 are formed of one metal. It will behave like a film.
[0027]
In addition, even if it is not the apparatus of the shape of FIG. 5, if it can convey without breaking a vacuum, it is realizable also in a different sputtering apparatus or vapor deposition apparatus.
[0028]
Then, after the metal films 5, 6, and 7 are formed, the wafer-like silicon substrate 1 is taken out from the sputtering apparatus shown in FIG. 5, and the wafer-like silicon substrate 1 is fixed with a vacuum chuck or the like, as shown in FIG. Thus, the adhesive sheet (adhesive film) 8 is stuck on the metal film 7. The pressure-sensitive adhesive sheet 8 includes a sheet base material (film material) 8a and a pressure-sensitive adhesive (adhesive layer) 8b.
[0029]
Regarding the pressure-sensitive adhesive sheet 8, specifically, the following is used in this embodiment. As composition in the pressure-sensitive adhesive 8b, acrylic polymer A (weight average molecular weight 700,000, weight average molecular weight (Mw) / number average) composed of a copolymer of 2-ethylhexyl acrylate / acrylic acid = 90/10 (weight ratio) To 100 g of a 27% ethyl acetate solution of molecular weight (Mn) = 18, acid value 70), 32 g of dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Nippon Synthetic Chemical; trade name: UV1700B) and a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Industry: trade name: A pressure-sensitive adhesive composition (ethyl acetate solution) containing 0.8 g of Coronate L) is used. This pressure-sensitive adhesive composition was applied onto a base film 8a made of a polyester film having a thickness of 50 μm and dried at 130 ° C. for 3 minutes in a drying oven to form a pressure-sensitive adhesive 8b having a thickness of 40 μm. In this way, an adhesive sheet 8 was produced. The acid value of this pressure-sensitive adhesive composition was measured and found to be “30”.
[0030]
Here, a function (composition etc.) required for the adhesive sheet 8 will be mentioned.
The adhesive 8b of the adhesive sheet 8 contains many carboxyl groups. Specifically, the acid value of the adhesive 8b is “10” or more. In order to be excellent in adhesion to the metal film 5, the acid value is preferably “20” or more, more preferably “50” or more. Thereby, the peelability of the metal film 5 from the insulating film 4 is improved, and a pattern is reliably formed. On the other hand, if the acid value of the pressure-sensitive adhesive 8b is too high, part of the pressure-sensitive adhesive 8b of the pressure-sensitive adhesive sheet 8 may remain on the metal film 5, so that the acid value of the pressure-sensitive adhesive 8b is "500" or less, “300” or less is preferable.
[0031]
Moreover, it is preferable that the adhesive 8b of the adhesive tape 8 contains the base polymer which contains the monomer unit which has a carboxyl group 2weight% or more. More preferably, the monomer unit having a carboxyl group contains 5% by weight or more. By containing the base polymer in which the monomer unit having a carboxyl group is adjusted to the above ratio, the acid value pressure-sensitive adhesive 8b can be realized. As the proportion of the monomer unit having a carboxyl group increases, the acid value of the pressure-sensitive adhesive 8b also increases. Therefore, the proportion of the monomer unit having a carboxyl group is 50% by weight or less, and further 30% by weight or less. preferable.
[0032]
Thus, the adhesive sheet 8 is obtained by forming the adhesive 8b having the specific acid value on the base film 8a. The pressure-sensitive adhesive sheet 8 may be either a sheet shape or a roll shape.
[0033]
Examples of the base film 8a include plastic films used for general pressure-sensitive adhesive sheets such as polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, and acetyl cellulose. In FIG. 2B, the thickness t1 of the sheet base material 8a is not particularly limited, but is about 10 to 100 μm. On the other hand, the thickness t2 of the pressure-sensitive adhesive 8b formed on the surface of the base film 8a is about 10 to 180 μm.
[0034]
As the adhesive 8b, a base polymer that is applied to general pressure sensitivity is used. As the base polymer, any of various known polymers such as acrylic polymers and rubber materials can be used, but it is particularly preferable to use acrylic polymers.
[0035]
Acrylic polymer is (meth) acrylic acid alkyl ester (note that (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and the same meaning as (meth) below). It is said. The alkyl group has about 1 to 12 carbon atoms. Specific examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, and the like. Can be used alone or in combination.
[0036]
As the monomer having a carboxyl group used for imparting an acid value to the resulting acrylic polymer, (meth) acrylic acid is usually used, but maleic acid, fumaric acid, itaconic acid and the like can also be used.
[0037]
In addition, a monomer constituting the acrylic polymer is used in combination with a crosslinkable monomer having a functional group such as a hydroxyl group such as glycidyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide, etc. You can also Furthermore, monomers such as (meth) acrylonitrile, vinyl acetate, and styrene can be used in combination as long as the adhesive properties of the (meth) acrylic acid ester copolymer are not impaired.
[0038]
The acrylic polymer has a weight average molecular weight of about 200,000 to 3,000,000 and a dispersity (weight average molecular weight / number average molecular weight) of about 5 to 15.
The pressure-sensitive adhesive 8b of the pressure-sensitive adhesive sheet 8 may be a pressure-sensitive adhesive composition in which, in addition to various base polymers, a tackifier such as rosin resin, terpene resin, and petroleum resin, and various cross-linking agents are appropriately blended. it can. Moreover, the adhesive 8b can use a filler, antioxidant, a ultraviolet absorber, a coloring agent, etc. suitably as needed. The form of the pressure-sensitive adhesive 8b may be either a solvent type or an emulsion type. Furthermore, the pressure-sensitive adhesive 8b can be made into a heat-curable or photo-curable pressure-sensitive adhesive by using a thermosetting or photo-curable polymerizable compound in combination.
[0039]
The mixing ratio of the tackifier, the crosslinking agent, and other compounds is not particularly limited, but is used so that the acid value as the pressure-sensitive adhesive composition is “10” or more.
The acid value of the pressure-sensitive adhesive and the compounding component in the pressure-sensitive adhesive was measured in accordance with JIS standard K0070 by dissolving the sample in a benzene: ethyl alcohol = 2: 1 (weight ratio) mixture and using phenolphthalein as an indicator. The solution was neutralized and titrated with a 1 mol / liter potassium hydroxide-ethyl alcohol solution.
[0040]
Returning to the description of the pattern forming process, the adhesive sheet 8 is attached to the metal film 7 on the substrate shown in FIG. 2B by a roll at 20 ° C., and then gently on the wafer-like substrate 1 as shown in FIG. As shown in FIG. 2C, unnecessary portions of the metal films 5, 6, and 7 are removed from the semiconductor device. That is, as shown in FIG. 7, the metal films 5, 6, and 7 on the protective film (insulating film) 4 are removed (peeled) from the wafer-like substrate 1, but on the base pattern (aluminum thin film) 3. The metal films 5, 6, and 7 remain on the wafer-like substrate 1. In this way, the pressure-sensitive adhesive sheet 8 is peeled off, and only the metal films 5, 6, and 7 on the insulating film 4 are peeled off together with the pressure-sensitive adhesive sheet 8, and the bump metal patterns 5, 6, and 7 are formed on the electrode portion 3. 7 is formed.
[0041]
The peeling rate of the metal films 5, 6 and 7 on the insulating film 4 was about 90% of the whole, and the remaining part could be removed cleanly by cleaning the substrate 1 with pure water.
[0042]
In FIG. 6, the pressure-sensitive adhesive sheet 8 is cut into the same shape as the wafer-like silicon substrate 1, which is for facilitating transport and temporary storage of the wafer-like substrate 1. When it is not necessary to transport or temporarily store, the shape of the pressure-sensitive adhesive sheet 8 does not have to be the same shape as the wafer-like substrate 1 and is larger than the wafer-like substrate 1 and may be circular or square. No problem. In particular, when there is no need for temporary storage, a size larger than that of the wafer-like substrate 1 is preferable because it is easier to peel off.
[0043]
The principle of peeling is as follows.
Titanium, which is the first metal film 5 of the present embodiment, forms a good bond not only with aluminum but also with the protective film 4. For this reason, it is usually difficult to peel off between the protective film 4 and the titanium thin film 5. However, the adhesion between the insulating film 4 and the titanium thin film 5 can be lowered by forming the surface F. Further, as shown in FIG. 4, when a nickel thin film 6 is formed on the titanium thin film 5, a large film stress (tensile stress) is generated inside the nickel thin film 6 due to a difference in rigidity and thermal expansion coefficient at the time of film formation. Will occur. At this time, when the film thickness of the titanium thin film 5 is set to 500 nm or less and the film is formed without forming an oxide film between the titanium thin film 5 and the nickel thin film 6 as described above, the influence of the stress affects the titanium thin film 5 and the protective film. 4 and the adhesive force between the titanium thin film 5 and the protective film 4 is reduced to a range where peeling is possible.
[0044]
Thus, by using the difference in adhesion (adhesive strength) of the base material and the internal stress of the metal electrode thin film (5, 6, 7), the desired electrode material is stably peeled only on the protective film 4. be able to. The titanium thin film 5 is a metal that is difficult to peel from an oxide or the like, and the stress of another film is used as a method for peeling such a metal film from a silicon oxide or the like.
[0045]
FIG. 8 shows the results of the tape peeling test. Since a titanium thin film frequently used as an electrode material has high adhesion to polyimide (protective film 4), no peeling occurred even when a peeling test using an adhesive tape was performed. However, peeling with an adhesive tape becomes possible by forming a Ni / Ti / polyimide structure by laminating a nickel thin film (6) to apply F by surface modification and to apply a total stress of 30 N / m to the polyimide. In other words, in addition to the effect of surface modification, there is a tensile stress in the sputtered Ni film, and a high tensile stress is generated at the titanium thin film and the base interface due to the stress, so that peeling at the Ti / polyimide interface becomes possible.
[0046]
9 and 10 show the results of XPS outermost surface analysis. FIG. 9 shows the analysis results before the surface modification, and FIG. 10 shows the analysis results after the surface modification. From FIGS. 9 and 10, it can be seen that the polyimide surface was converted to F because the C peak was shifted to the high energy side (left side in FIGS. 9 and 10) by the surface modification. That is, FIG. 9 has a C or CH peak, and FIG. 10 has a CF3 or CF2 peak. As described above, the release of the titanium thin film is enhanced by the formation of F on the polyimide surface.
[0047]
In FIG. 11, the measurement result of the peeling rate with an adhesive tape when changing a total stress in the case of using a titanium thin film (5) is shown. That is, the results of measuring the adhesion force between the titanium thin film 5 and the protective film (polyimide) 4 and the adhesion force between the titanium thin film 5 and the aluminum thin film 3 are shown. The surface modification here uses surface modification by CF4 and O2 gases. From FIG. 11, it can be seen that peeling can be caused at 30 N / m on the polyimide film. On the other hand, it can be seen that peeling does not occur even at 100 N / m on the surface of the aluminum thin film without pretreatment (surface modification). Therefore, for example, when a total stress of 100 N / m is used, a titanium thin film can be selectively left on the surface of an aluminum thin film without pretreatment by performing peeling using an adhesive tape after film formation.
[0048]
Thus, the adhesive force between the metal film 5 and the protective film 4 is smaller than the adhesive force between the metal film 5 and the aluminum thin film 3, and the metal film 5 is pulled using the adhesive sheet 8 when the total stress is 30 N / m or more. When peeled off, it peels off from the protective film 4 but remains on the aluminum thin film 3.
[0049]
Here, the total stress of the laminated film of the film 5 and the film 6 can be controlled mainly by the thickness of the nickel thin film 6. A higher total stress value is advantageous in peeling off the protective film 4. However, when the stress is 1500 N / m or more, the wafer warps, and in some cases (such as when the wafer thickness is thin), the wafer may be damaged. Therefore, the manufacturing range is 60 N / m or more and 1500 N / m or less. It is preferable to control within. As described above, by suppressing the total stress to 1500 N / m or less, problems such as warpage and breakage of the wafer after film formation can be prevented.
[0050]
Here, the usefulness of this embodiment will be described with reference to a comparative example. As a comparative example, the acrylic polymer A used as the base polymer of the pressure-sensitive adhesive 8b is an acrylic polymer A (weight average molecular weight 100) made of a copolymer of 2-ethylhexyl acrylate / acrylic acid = 99/1 (weight ratio). A pressure-sensitive adhesive composition was prepared in the same manner as in the above embodiment except that the pressure-sensitive adhesive composition was changed to 10000, weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn) = 22, acid value 6) to prepare a pressure-sensitive adhesive sheet. The acid value of this pressure-sensitive adhesive composition was “3”. And the peeling evaluation of a metal film was performed like this embodiment using this adhesive sheet. As a result, the metal film on the insulating film 4 could hardly be removed. Thus, the usefulness of this embodiment is confirmed.
[0051]
Thus, the present embodiment has the following features.
(A) As a pattern forming method, as shown in FIG. 1B, an aluminum thin film (metal) 3 as a first material and a polyimide film (insulator) 4 as a second material different from the first material are exposed. A metal film 5 is formed on the underlying surface as shown in FIG. 2A, and then the metal film 5 located on the aluminum thin film 3 is left and polyimide as shown in FIG. 2C. When the metal film 5 located on the film 4 is peeled and the metal film 5 is patterned, as shown in FIG. 2B, an adhesive sheet 8 is used for peeling the metal film 5, and FIG. As shown in FIG. 4B, in the aluminum thin film 3, as a process of facilitating the peeling on the surface of the polyimide film 4 without causing the metal film 5 to peel off, the reactive ion or the reactive ion or the aluminum thin film 3 and the polyimide film 4 are exposed. Surface modification by irradiation with radicals, In, forming a desired metal film 5, after attaching the adhesive sheet 8, and so peeled off the sheet 8.
[0052]
Therefore, when the metal film 5 is formed on the surface of the base, the adhesion between the first material 3 and the metal film 5 and the adhesion between the second material 4 and the metal film 5 are strong. In contrast to the state in which the metal film 5 cannot be peeled from the second material 4, the adhesive sheet 8 is used for peeling the metal film 5, and the metal film 5 is peeled in the first material 3. By adding the step of facilitating peeling on the surface of the second material 4 without generating, the adhesion between the second material 4 and the metal film 5 is reduced to a peelable range. Then, the metal film 5 located on the first material 3 is left and the metal film 5 located on the second material 4 is peeled off and the metal film 5 is patterned. As a result, it is avoided that the equipment and process costs in the photolithography and etching process are very high as in the conventional method using photolithography, and the conventional UBM film is selectively removed with an adhesive sheet. Compared to, it becomes possible to peel more stably. In this manner, the metal film can be patterned easily at a low cost.
(B) Regarding the adhesive sheet, when the acid value of the adhesive 8b of the adhesive sheet 8 is 10 or more, particularly 20 or more and 500 or less, more preferably 50 or more and 300 or less, the second material 4 of the metal film 5 is used. The peelability from the surface is improved, and a pattern can be reliably formed.
[0053]
  Further, in order to realize this acid value pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive 8b of the pressure-sensitive adhesive sheet 8 preferably has a monomer unit having a carboxyl group in a range of 2% by weight or more, particularly 2% by weight or more and 50% by weight or less. May contain a base polymer contained in the range of 2 wt% or more and 30 wt% or less.
(No.1ofComparative example)
  Next1ofComparative exampleWill be described with a focus on differences from the first embodiment.
[0054]
  12 and 13 show the bookComparative exampleThe manufacturing process of the diode in is shown. BookComparative exampleThen, as shown in FIG. 13, the first material 51 is a semiconductor doped with impurities, and the second material 2 is an insulator. That is, in the first embodiment, the metal film 3 constituting the electrode part (or the wiring part) is an aluminum thin film, and the example in which the metal film 5 is formed thereon is shown.Comparative exampleIn FIG. 1, a metal film 60 is disposed on an impurity diffusion region 51 in a silicon substrate 50 which is a semiconductor substrate, and a metal film 5 is formed thereon.
[0055]
This will be described in detail below.
First, as shown in FIG. 12A, an N-type impurity diffusion region 51 is formed on a P-type silicon substrate 50 using a general semiconductor device manufacturing technique. Thereby, a diode having a PN junction is formed. Then, an insulating film 2 similar to that shown in the first embodiment is formed, and an opening 52 is formed by photolithography. Further, the natural oxide film formed in the opening 52 is removed by hydrofluoric acid or the like.
[0056]
Thereafter, with the N-type impurity diffusion region 51 and the insulating film 2 exposed, the metal films 60, 5, 6, and 7 are sequentially formed without forming the aluminum thin film as shown in FIG. The metal film 60 as the first layer is a metal film that is difficult to oxidize, and specifically, gold (Au) is used. Instead of gold (Au), another metal film that achieves the above-described object, such as silver or platinum, may be used. The film thickness of the metal film 60 is 2 to 50 nm. In the formation of the metal film 60, the metal film 5 does not peel off in the N-type impurity diffusion region 51, and the peeling on the surface of the insulating film 2 becomes easy. The metal film 6 is a stress adjusting film as in the first embodiment, and the laminated film of the metal film 5 and the stress adjusting film 6 has a total stress of 30 N / m or more.
[0057]
Subsequently, an electrode 53 is formed on the back surface of the silicon substrate 50. Furthermore, as shown in FIG.12 (c), the adhesive sheet 8 is affixed. Then, the adhesive sheet 8 is peeled off from the wafer-like substrate 50 by a method similar to the method shown in FIGS. Then, as shown in FIG. 13A, the metal films 60, 5, 6, 7 can be left only in the opening 52 of the insulating film 2.
[0058]
  And as shown in FIG.13 (b), soldering is performed to the whole surface of the part of metal film 60,5,6,7, and the solder 54 is mounted.
  Where the bookComparative exampleI will explain because I evaluated it. As explained in the first embodiment, the acrylic polymer A used as the base polymer of the adhesive 8b is an acrylic polymer made of a copolymer of 2-ethylhexyl acrylate / acrylic acid = 99/1 (weight ratio). 40 g of A (weight average molecular weight 1 million, weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn) = 22, acid value 6), rosin-based tackifier resin (manufactured by Arakawa Chemical Industries; trade name: Pine Crystal KR85; acid) No. 170) The pressure-sensitive adhesive composition was changed in the same manner as in the first embodiment except that the pressure-sensitive adhesive composition was changed to 50 g and a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Industry: trade name: Coronate L) 0.8 g. The pressure-sensitive adhesive sheet was prepared by adjusting. The acid value of this pressure-sensitive adhesive composition was measured and found to be “85”. Moreover, peeling evaluation of a metal film was performed similarly to 1st Embodiment using this adhesive sheet. As a result, the metal film on the insulating film 2 was peeled and removed 100%, and a metal electrode pattern was formed on the electrode portion 51. Book in this wayComparative exampleWe were able to confirm the usefulness.
[0059]
  Further description will be given with reference to FIG. In FIG. 14, the measurement result of the adhesive force of the titanium thin film 5 and the insulating film 2 by a scratch test is shown. In FIG. 14, the horizontal axis represents the Au film thickness (the film thickness of the metal film 60), the vertical axis represents the peel strength, and the titanium thin film 5 and the insulating film (when the horizontal Au film thickness = 0) The results of measuring the adhesion between the SiO 2) 2 and the adhesion when the Au film 60 is inserted between the titanium thin film 5 and the insulating film 2 are shown. On the silicon oxide film (Au film thickness = 0), the peel strength was 100 mN or more, but the Au film thickness could be reduced to 50 mN or less at 2 nm. Therefore, when the Au film 60 is inserted and peeled off using the adhesive sheet 8, the titanium thin film 5 can be easily peeled off from the insulating film 2, and on the other N-type silicon layer 51 for the foundation. Can remain.
(No.2ofComparative example)
  Next2ofComparative exampleThe second1ofComparative exampleThe difference will be mainly described.
[0060]
  FIG. 15 shows not a portion shown in FIG. 13B but a circuit portion in which a plurality of elements are formed on the silicon substrate 1 around the portion. BookComparative exampleIn FIG. 1, the first material 71 is a nitride, and the second material 70 is a metal.
[0061]
First, as shown in FIG. 15A, an aluminum electrode (aluminum thin film) 70 is formed on a silicon substrate 1, and a silicon nitride (Si3N4) film 71 as an insulating film is formed in a predetermined region thereon. Further, from the state in which the silicon nitride film 71 and the aluminum electrode 70 are exposed, as shown in FIG. 15B, a TEOS-SiO 2 film 72 is formed and a TEOS film located on the aluminum electrode 70 by the photoetching method. 72 is opened. Thereafter, as shown in FIG. 15C, metal films 5, 6, and 7 are formed. The metal film 6 is a stress adjusting film as in the first embodiment, and the total stress of the laminated film of the metal film 5 and the stress adjusting film 6 is 60 N / m or more.
[0062]
Further, an adhesive sheet 8 (see FIG. 12C) is attached on the metal film 7. Then, the adhesive sheet 8 is peeled off from the wafer-like substrate 1 by the same method as shown in FIGS. Then, as shown in FIG. 15 (d), the metal films 5, 6, 7 can be left only in the opening of the TEOS-SiO 2 film 72.
[0063]
In this way, in order to facilitate the peeling on the surface of the aluminum electrode (second material) 70, silicon is deposited on the aluminum electrode 70 from the state in which the silicon nitride film (first material) 71 and the aluminum electrode 70 are exposed. An oxide film 72 is formed, then a metal film 5 is formed, an adhesive sheet is attached, and then the sheet is peeled off.
[0064]
FIG. 16 shows the peelability between the titanium thin film 5 and the insulating film (SiN) 71 and the peelability between the titanium thin film 5 and the insulating film (TEOS-SiO2) 72. The peeling rate between the titanium thin film 5 and the SiN film 71 was 0%, and the peeling rate between the titanium thin film 5 and the TEOS-SiO 2 film 72 was 100%. Therefore, when the TEOS-SiO2 film 72 is formed on the SiN film 71 and peeled off using the adhesive sheet 8, the titanium thin film 5 can be easily peeled off from the TEOS-SiO2 film 72. 71 will remain.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a pattern forming process in a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing a pattern forming process in the first embodiment.
FIG. 3 is a schematic diagram of a surface modification apparatus.
FIG. 4 is an enlarged view after Ti / Ni / Au film formation.
FIG. 5 is a diagram schematically showing a sputtering apparatus.
FIG. 6 is a perspective view for explaining an adhesive sheet peeling process.
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining an adhesive sheet peeling process.
FIG. 8 is a diagram showing the results of a tape peeling test with and without surface modification.
FIG. 9 is a diagram showing the results of XPS analysis before surface modification.
FIG. 10 is a diagram showing the results of XPS analysis after surface modification.
FIG. 11 is a diagram showing a peel measurement result in a tape test.
FIG. 121ofComparative exampleThe pattern formation process in FIG.
FIG. 131ofComparative exampleThe pattern formation process in FIG.
FIG. 14 is a diagram showing a measurement result of adhesion between a titanium thin film and an insulating film by a scratch test.
FIG. 152ofComparative exampleThe pattern formation process in FIG.
FIG. 16 is a diagram showing a peel measurement result in a tape test.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Silicon substrate, 2 ... Insulating film, 3 ... Aluminum thin film, 4 ... Protective film, 5 ... Titanium thin film, 6 ... Nickel thin film, 7 ... Gold thin film, 8 ... Adhesive sheet, 8a ... Sheet base material, 8b ... Adhesive 50 ... P-type silicon substrate, 51 ... N-type impurity diffusion region, 60 ... gold thin film, 70 ... aluminum thin film, 71 ... silicon nitride film, 72 ... TEOS-SiO2 film.

Claims

A metal film (5) is formed on the surface of the base on which the first material ( 3) and the second material ( 4 ) different from the first material ( 3 ) are exposed, and then positioned on the first material ( 3). In the pattern forming method of leaving the metal film (5) and peeling the metal film (5) located on the second material ( 4 ) to pattern the metal film (5),
By supplying a mixed gas of CF gas and oxygen into the chamber (9) with the aluminum thin film (3) as the first material and the insulating film (4) as the second material exposed. A surface modification step of irradiating the generated reactive ions or radicals is performed, the metal film (5) is formed after the step, and the metal film (5) is peeled off using an adhesive sheet (8). The pattern formation method characterized by performing .

In the pattern formation method of Claim 1 ,
On the said metal film (5), it is equipped with the process of forming the stress adjustment film | membrane (6) for adjusting the stress concerning the interface of the said metal film (5) and a foundation | substrate with a film thickness , Then, an adhesive sheet paste (8), a pattern forming method is characterized in that so as to peel off the same sheet (8).

In the pattern formation method of Claim 2,
As the metal film (5), titanium, vanadium, chromium, cobalt, zirconium, aluminum, tantalum, tungsten, or a nitride of these metals or an alloy mainly containing these metals is used, and the stress adjustment is performed. A pattern forming method characterized in that a film of nickel, copper, palladium, or an alloy containing these metals as a main component is used as the film (6).

In the pattern formation method of Claim 3 ,
With a titanium thin film as the above metal film (5), a nickel thin film as the stress adjusting film (6), the laminated films thereof titanium thin and nickel thin film, the total stress is 30 N / m or more A characteristic pattern forming method.

In the pattern formation method of any one of Claims 1-4 ,
The pressure-sensitive adhesive sheet (8) is characterized in that the pressure-sensitive adhesive (8b) has an acid value of 10 or more.

In the pattern formation method of Claim 5 ,
The said adhesive sheet (8) is the pattern formation method characterized by the acid value of an adhesive (8b) being 20-500.

In the pattern formation method of Claim 6 ,
The said adhesive sheet (8) is the pattern formation method characterized by the acid value of an adhesive (8b) being 50-300.

In the pattern formation method of any one of Claims 1-4 ,
The pattern forming method, wherein the pressure-sensitive adhesive (8b) of the pressure-sensitive adhesive sheet (8) contains a base polymer containing 2% by weight or more of a monomer unit having a carboxyl group.

In the pattern formation method of Claim 8 ,
The pattern forming method, wherein the pressure-sensitive adhesive (8b) of the pressure-sensitive adhesive sheet (8) contains a base polymer containing a monomer unit having a carboxyl group in a range of 2 wt% to 50 wt%.

In the pattern formation method of Claim 9 ,
The pattern forming method, wherein the pressure-sensitive adhesive (8b) of the pressure-sensitive adhesive sheet (8) contains a base polymer containing a monomer unit having a carboxyl group in a range of 2 wt% to 30 wt%.

It is an adhesive sheet (8) used for the pattern formation method of Claim 1, Comprising: The acid value of an adhesive (8b) is 10 or more, The adhesive sheet for metal film patterning characterized by the above-mentioned.

The said adhesive (8b) contains the base polymer which contains 2 weight% or more of monomer units which have a carboxyl group, The adhesive sheet for metal film patterning of Claim 11 characterized by the above-mentioned.