JP5607847B1 - Semiconductor processing adhesive tape - Google Patents

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Abstract

【課題】サポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備するとともに、サポート部材を半導体ウエハに貼合していた接着剤残渣を洗浄するための洗浄液が粘着剤にかかった場合においても、粘着剤が溶解して半導体素子を汚染することがなく、且つ、ステルスダイシングに必要なレーザーを透過して、半導体ウエハにレーザー光を入射させて改質層を形成させ、半導体ウエハを半導体チップへと個片化することができる半導体加工用粘着テープを提供する。 A well as comprising a strong adhesion is required when the physical and mechanical separation of the support member, the cleaning liquid for cleaning the adhesive residue that was stuck to the support member to the semiconductor wafer the adhesive even when applied to the agent, without contaminating the semiconductor device by dissolving the adhesive agent, and passes through the laser necessary for the stealth dicing, form a modified layer by the incidence of the laser beam to a semiconductor wafer it is allowed to provide a semiconductor processing adhesive tape which can be singulated semiconductor wafer into semiconductor chips.
【解決手段】本発明の半導体加工用粘着テープは、基材樹脂フィルムの少なくとも一方の面に放射線硬化性の粘着剤層が形成された半導体加工用粘着テープであって、前記粘着剤層の放射線照射前におけるメチルイソブチルケトンに対する接触角が25.1°〜60°であり、前記基材樹脂フィルム側から入射した波長1064nmの光線の平行光線透過率が88%以上100%未満である。 A semiconductor processing adhesive tape of the present invention is a semiconductor processing adhesive tape radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is formed on at least one surface of the base resin film, the radiation of the pressure-sensitive adhesive layer a contact angle of 25.1 ° to 60 ° to methyl isobutyl ketone before irradiation, parallel light transmittance of light of wavelength 1064nm incident from the substrate resin film side is less than 100% or more 88%.
【選択図】なし .BACKGROUND

Description

本発明は、半導体デバイスを製造する工程における半導体ウエハのダイシングに用いる半導体加工用粘着テープに関する。 The present invention relates to a semiconductor processing adhesive tape used in the dicing of a semiconductor wafer in a process of manufacturing a semiconductor device. さらに詳しくは、化学薬品を用いた半導体素子表面の洗浄工程を含む半導体素子の製造に用いる半導体加工用粘着テープに関する。 More particularly, the adhesive tape about a semiconductor processing used for manufacturing the semiconductor device including a cleaning process of a semiconductor device surface with chemicals.

配線パターンが形成された半導体ウエハの裏面を薄型加工するにあたっては、半導体ウエハのパターン面の保護と半導体ウエハ自体の固定を行うために、パターン面に保護シートを貼り付けた後に、裏面に研磨、研削等の薄型加工を施すのが一般的である。 When the back surface of the semiconductor wafer on which a wiring pattern is formed to thin processing, in order to protect the semiconductor wafer itself fixed pattern surface of the semiconductor wafer, after laminating the protective sheet on the pattern surface, polishing the back surface, subjected to a thin machining grinding or the like is generally used. このような保護シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等が塗布されてなるものが一般的に用いられている。 As such protective sheet, which acrylic pressure-sensitive adhesive or the like on a substrate made of plastic film is formed by coating it is generally used. しかし、近年、ICカードや携帯電話の薄型化、小型化により、半導体チップの厚さも50μm以下のレベルが要求されてきており、従来の保護シートを用いた工程では、保護シートのみでは半導体ウエハを支えることができず、研削後における半導体ウエハの反りや、ウエハカセットへの収納時おける撓み等により、半導体ウエハの取り扱いが難しくなりハンドリングや搬送の自動化を困難にしていた。 However, in recent years, thinning of IC cards and cellular phones, the miniaturization, the thickness of the semiconductor chip has also been required following levels 50 [mu] m, in the process using the conventional protective sheet, a semiconductor wafer with only protective sheet can not be supported, and warping of the semiconductor wafer after grinding by such deflection definitive when storing into the wafer cassette, handling of the semiconductor wafer is it difficult to automate difficult becomes handling and transport.

この問題に対し、半導体ウエハにガラス基板、セラミック基板やシリコンウエハ基板等を、接着剤を介して貼り合わせ、半導体ウエハにサポート性を付与する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 For this problem, a glass substrate in a semiconductor wafer, a ceramic substrate or a silicon wafer substrate or the like, bonded with an adhesive, imparting supportability to the semiconductor wafer has been proposed (e.g., see Patent Document 1) . このように保護シートに代わりガラス基板、セラミック基板やシリコンウエハ基板等のサポート部材を用いることにより、半導体ウエハのハンドリング性は大きく向上し、搬送の自動化が可能となる。 Such alternative glass substrate in the protective sheet, by using a support member such as a ceramic substrate or a silicon wafer substrate, the handling of the semiconductor wafer is greatly improved, it is possible to automate the conveyance.

サポート部材を用いて半導体ウエハをハンドリングした場合、半導体ウエハの裏面研削の後に、半導体ウエハからサポート部材を剥離する工程が必要となる。 If you handling semiconductor wafers using a support member, after the back grinding of semiconductor wafers, the step of separating the support member from the semiconductor wafer is required. サポート部材の剥離は、(1)サポート部材と半導体ウエハとの間の接着剤を化学薬品にて溶解または分解する、(2)サポート部材と半導体ウエハとの間の接着剤にレーザー光を照射し光分解する等の方法で行われることが一般的である。 Separation of the support member, (1) dissolving or decomposing at chemical adhesive between the support member and the semiconductor wafer is irradiated with laser light to the adhesive between the (2) support member and the semiconductor wafer it is generally performed by a method such as an optical decompose. しかしながら、(1)の方法では、接着剤中に化学薬品を拡散させるのに長時間の処理が必要とされ、また(2)の方法では、レーザーのスキャンに長時間の処理が必要であるという問題があった。 However, as in the method (1), prolonged treatment to diffuse the chemical in the adhesive is required, in the method also (2) calls for long treatment for scanning laser there was a problem. また、いずれの方法も、サポート部材として特殊な基板を用意する必要があるといった問題があった。 Also, both methods, there is a problem it is necessary to prepare a special substrate as the support member.

このため、サポート部材の剥離に際し、剥離の切っ掛けを形成した後、物理的・機械的に剥離させる方法が提案されている(例えば、特許文献2、3参照)。 Therefore, upon peeling the support member, after forming the starting point of peeling, physical and mechanical methods of separation have been proposed (e.g., see Patent Documents 2 and 3). この方法は、従来の接着剤の化学薬品による溶解または分解やレーザースキャンによる光分解で必要とされていた長時間の処理が不要となり、短時間での処理が可能となる。 This method is long process which is required in optical degradation by dissolution or decomposition and a laser scanning by chemicals conventional adhesive is not required, it is possible to process in a short time. 半導体ウエハからサポート部材を剥離した後、サポート部材の剥離の際に生じた半導体ウエハ上の接着剤の残渣は、その後、化学薬品にて洗浄される。 After peeling the support member from the semiconductor wafer, the residue of the adhesive on the semiconductor wafer generated during the separation of the support member is then washed with chemicals.

裏面が研削された半導体ウエハは、その後、ダイシング工程に移され、個々のチップに切断されるが、上述のように、半導体チップの厚さが50μm以下となると、半導体ウエハ単独では、研削後における半導体ウエハの反りや、ウエハカセットへの収納時おける撓み等により、半導体ウエハの取り扱いが非常に困難となることから、半導体ウエハの裏面研削直後にサポート部材の剥離に先んじて、半導体ウエハの研削面にダイシングテープが貼り合わされ、リングフレームに支持固定されるのが通例である。 Semiconductor wafer back surface is ground is then transferred to a dicing process, but is cut into individual chips, as described above, when the thickness of the semiconductor chip becomes 50μm or less, the semiconductor wafer alone, after grinding warping and the semiconductor wafer, by such deflection definitive stowed to the wafer cassette, since the handling of the semiconductor wafer becomes very difficult, ahead peeling support member immediately after back grinding the semiconductor wafer, grinding surface of a semiconductor wafer the dicing tape is adhered, it is customary and is supported fixed to the ring frame. 従って、サポート部材の剥離の際に生じた半導体ウエハ上の接着剤残渣の化学薬品よる洗浄は、ダイシングテープに半導体ウエハが貼られた状態で行われることとなり、ダイシングテープには高い耐溶剤性が求められる。 Therefore, chemicals by cleaning the adhesive residue on the semiconductor wafer generated during the separation of the support member comprises a be performed in a state where the semiconductor wafer is adhered to the dicing tape, high solvent resistance to the dicing tape Desired.

高い耐溶剤性を有するダイシングテープとしては、粘着剤層にエネルギー線硬化型アクリル樹脂組成物を含み、かつゲル分率を70%以上とすることが提案されている(例えば、特許文献4参照)。 The dicing tape having a high solvent resistance, comprising an energy ray-curable acrylic resin composition in the adhesive layer, and the gel fraction be 70% or more has been proposed (e.g., see Patent Document 4) .

一方、半導体チップの薄膜化に伴い、ダイシング工程においては切削抵抗によって半導体チップには微小な欠けが発生するチッピングと呼ばれる現象がますます問題視されるようになってきている。 On the other hand, with the thinning of the semiconductor chip, a phenomenon that fine lacking in the semiconductor chip is referred to as chipping to occur has come to be increasingly problematic by the cutting resistance in the dicing process. このチッピングを解決する方法としてレーザーにより半導体ウエハを切断する方式が、種々提案されている。 Method of cutting a semiconductor wafer by a laser as a method of solving this chipping, have been proposed. 例えば、裏面にダイシングテープが貼り付けられた半導体ウエハの内部に集光点を合わせて、ダイシングテープに対して透過性を有するレーザー光を、ダイシングテープを介して半導体ウエハの裏面から入射させ、半導体ウエハの切断予定ラインに沿って半導体ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域を起点として切断予定ラインに沿って半導体ウエハを割ることにより半導体ウエハを切断するステルスダイシングと呼ばれる方法を提案されている(例えば、特許文献5参照)。 For example, while locating a converging point within the semiconductor wafer attached dicing tape is stuck to the back surface, a laser beam capable of passing through the dicing tape, to be incident from the back surface of the semiconductor wafer through the dicing tape, the semiconductor stealth dicing along the wafer cut lines to form a modified region due to multiphoton absorption within the semiconductor wafer to cut the semiconductor wafer by dividing the semiconductor wafer along the modified region to cut line as a starting point has been proposed a method called (for example, see Patent Document 5). この方法に因れば、比較的小さな力で基板を切断することができるので、基板の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れ、すなわちチッピングを発生させることなく半導体ウエハの切断が可能となる。 According to this method, it is possible to cut the substrate with a relatively small force, unnecessary fractures deviating from the line to cut the surface of the substrate, i.e., possible cutting of the semiconductor wafer without generating chipping Become.

このようなステルスダイシングに用いられるダイシングテープとして、23℃におけるヤング率が30〜600MPaであり、波長1064nmにおける平行光線透過率が80%以上であり、波長1064nmにおける位相差が100nm以下であるダイシングテープが提案されている(特許文献6参照)。 As a dicing tape used in such a stealth dicing, Young's modulus at 23 ° C. is 30 to 600 MPa, and the parallel light transmittance at a wavelength of 1064nm is 80% or more, the dicing tape retardation at a wavelength of 1064nm is 100nm or less There has been proposed (see Patent Document 6).

特開2006−135272号公報 JP 2006-135272 JP 特表2011−510518号公報 JP-T 2011-510518 JP 米国特許出願公開第2011/0272092号明細書 U.S. Patent Application Publication No. 2011/0272092 Pat 特開2009−224621号公報 JP 2009-224621 JP 特開2002−192367号公報 JP 2002-192367 JP 特開2011−139042号公報 JP 2011-139042 JP

しかしながら、特許文献4に記載の半導体加工用粘着テープは、前述した特許文献2,3に示されるようなサポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備しておらず、半導体ウエハからサポート部材を剥離する際に、半導体加工用粘着テープから半導体ウエハが剥離してしまうという問題があった。 However, adhesive tapes for semiconductor processing described in Patent Document 4, comprises a strong adhesion is required when the physical and mechanical separation of the support member as described in Patent Documents 2 and 3 mentioned above and not without, upon the release of the support member from the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is disadvantageously peeled off from the semiconductor processing adhesive tape. また、特許文献4に記載の半導体加工用粘着テープは、特許文献5に示されるようなステルスダイシングに必要とされるレーザー透過性を具備しておらず、ステルスダイシングに使用できないという問題があった。 In addition, the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing described in Patent Document 4 is not provided with a laser-transparent required for stealth dicing as described in Patent Document 5, there is a problem that can not be used in the stealth dicing .

また、特許文献6に記載のダイシングテープも、前述した特許文献2,3に示されるようなサポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備しておらず、半導体ウエハからサポート部材が剥離される代わりに、半導体加工用粘着テープから半導体ウエハが剥離してしまうという問題があった。 Also, the dicing tape described in Patent Document 6 also does not include a strong adhesion is required when the physical and mechanical separation of the support member as described in Patent Documents 2 and 3 mentioned above instead of support member is peeled off from the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is disadvantageously peeled off from the semiconductor processing adhesive tape. また、特許文献6に記載のダイシングテープは、特許文献1〜3に示される工程において必要とされる耐溶剤性を具備していない、という問題があった。 Also, the dicing tape described in Patent Document 6 is not provided with the required solvent resistance, which is in the process described in Patent Documents 1 to 3, there is a problem that.

そこで、本発明は、サポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備するとともに、サポート部材を用いた半導体素子の製造工程において、サポート部材を半導体ウエハに貼合していた接着剤残渣を洗浄するための洗浄液が粘着剤にかかった場合においても、粘着剤が溶解して半導体素子を汚染することがなく、且つ、ステルスダイシングに必要なレーザーを透過して、半導体ウエハにレーザー光を入射させて改質層を形成させ、半導体ウエハを半導体チップへと個片化することができる半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention is bonded with comprises a physical-mechanical firm adhesion that is required at the time of peeling the support member, in the manufacturing process of a semiconductor device using the support member, the support member to the semiconductor wafer in the case where the washing liquid for washing the combined have adhesive residue is applied to the pressure-sensitive adhesive also without contaminating the semiconductor device by dissolving the adhesive agent, and passes through the laser necessary for the stealth dicing , by the incidence of the laser beam to the semiconductor wafer to form a modified layer, and to provide a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing that can be singulated semiconductor wafer into semiconductor chips.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、基材樹脂フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体加工用粘着テープであって、粘着剤層に対するメチルイソブチルケトンの接触角を特定の値とすることで、粘着剤に洗浄液がかかった場合にも粘着剤が溶解して半導体素子を汚染することがなく、また、基材樹脂フィルム側から入射した波長1064nmの光線の平行光線透過率を特定の値とすることで、半導体テープ越しに入射されたレーザー光線が拡散されることなく、半導体ウエハへと到達し、レーザーによる加工が可能となることを見出した。 The present inventors have made intensive studies in order to achieve the above object, a semiconductor processing adhesive tape comprising a pressure-sensitive adhesive layer on a base resin film, methyl isobutyl ketone for the adhesive layer the contact angle by a specific value, without contaminating the semiconductor device also dissolved adhesive when the cleaning liquid is applied to the adhesive, also of wavelength 1064nm incident from the substrate resin film side with particular value parallel light transmittance of light, without the laser beam is incident on the semiconductor tape over is diffused, and reaches the semiconductor wafer, we have found that it is possible to work with a laser. 本発明はこの知見に基づきなされたものである。 The present invention has been accomplished based on this finding.

すなわち、本願発明による半導体加工用粘着テープは、基材樹脂フィルムの少なくとも一方の面に放射線硬化性の粘着剤層が形成された半導体加工用粘着テープであって、前記粘着剤層の放射線照射前におけるメチルイソブチルケトンに対する接触角が25.1°〜60°であり、基材樹脂フィルム側から入射した波長1064nmの光線の平行光線透過率が88%以上100%未満であることを特徴とする。 That is, the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention is a semiconductor processing adhesive tape radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is formed on at least one surface of the base resin film, prior to irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer contact angle with methyl isobutyl ketone is 25.1 ° to 60 °, parallel light transmittance of light of wavelength 1064nm incident from the substrate resin film side is equal to or less than 100% or more 88% in.

前記粘着剤層は、シリコンアクリレートまたは含フッ素オリゴマーを含有し、前記シリコンアクリレートまたは含フッ素オリゴマーの含有量が、前記粘着剤層の全固形分に対して0質量%よりも多く5質量%よりも少ないことが好ましい。 The pressure-sensitive adhesive layer contains a silicone acrylate or a fluorine-containing oligomer, the content of the silicon acrylate or a fluorine-containing oligomer, the even more 5% by weight than 0% by weight based on the total solids of the pressure-sensitive adhesive layer less it is preferable.

上記半導体加工用粘着テープは、前記粘着剤層の放射線照射前における前記メチルイソブチルケトンに対するゲル分率が、65%以上100%以下であることが好ましい。 The semiconductor processing adhesive tape has a gel fraction for the methyl isobutyl ketone before irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 100% or less than 65%.

上記半導体加工用粘着テープは、前記放射線硬化性粘着剤層の紫外線照射前におけるプローブタック試験のピーク値が、200〜600kPaであることが好ましい。 The semiconductor processing adhesive tape, the peak value of the probe tack test before the ultraviolet irradiation of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is preferably a 200~600KPa.

本発明によれば、サポート部材の物理的・機械的剥離の際に必要とされる強固な接着性を具備するとともに、サポート部材を用いた半導体素子の製造工程において、サポート部材を半導体ウエハに貼合していた接着剤残渣を洗浄するための洗浄液が粘着剤にかかった場合においても、粘着剤が溶解して半導体素子を汚染することがなく、且つ、ステルスダイシングに必要なレーザーを透過して、半導体ウエハにレーザー光を入射させて改質層を形成させ、半導体ウエハを半導体チップへと個片化することができる。 According to the present invention, bonded together comprises a physical-mechanical firm adhesion that is required at the time of peeling the support member, in the manufacturing process of a semiconductor device using the support member, the support member to the semiconductor wafer in the case where the washing liquid for washing the combined have adhesive residue is applied to the pressure-sensitive adhesive also without contaminating the semiconductor device by dissolving the adhesive agent, and passes through the laser necessary for the stealth dicing , by the incidence of the laser beam to the semiconductor wafer to form a modified layer can be a dicing a semiconductor wafer into semiconductor chips.

以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 The following describes in detail embodiments of the present invention.

本発明の実施形態に係る半導体加工用粘着テープは、基材樹脂フィルムの少なくとも片側に、少なくとも1層の粘着剤層が形成されている。 Semiconductor processing adhesive tape according to an embodiment of the present invention, on at least one side of the base resin film, the adhesive layer of at least one layer is formed.

本発明の実施形態に係る半導体加工用粘着テープは、粘着剤層のメチルイソブチルケトンに対する接触角が、25°以上、好ましくは28°以上、さらに好ましくは30°以上である。 Semiconductor processing adhesive tape according to an embodiment of the present invention, the contact angle with respect to methyl isobutyl ketone of the pressure-sensitive adhesive layer, 25 ° or more, preferably 28 ° or more, more preferably 30 ° or more. 通例、サポート部材の剥離の際に生じた半導体ウエハ上の接着剤残渣の化学薬品よる洗浄は、ダイシングテープを介してリングフレームに貼着された半導体ウエハをスピン回転しながら、半導体ウエハの上方から化学薬品をシャワー状に吹き付けることによって行われ、化学薬品の液滴は回転する半導体ウエハの中央部から遠心力によって放射状に排出される。 Typically, chemicals by cleaning the adhesive residue on the semiconductor wafer generated during the separation of the support member, a semiconductor wafer is adhered to a ring frame via the dicing tape while spinning, from the upper side of the semiconductor wafer done by blowing chemicals like a shower, the droplets of chemicals is discharged radially by centrifugal force from the central portion of the semiconductor wafer rotates. この時、粘着剤層のメチルイソブチルケトンに対する接触角が、25°以上であれば、粘着剤層に対するメチルイソブチルケトンの濡れ性が低く、粘着剤層とメチルイソブチルケトンの接触面積が小さくなり、化学薬品の液滴の排出が効率よく行うことができるため、粘着剤層がメチルイソブチルケトンから受ける溶解作用が小さくなり、半導体加工用粘着テープがメチルイソブチルケトンおよびその誘導体などの薬品にさらされる可能性のある半導体素子の製造工程においては、上記薬品によって粘着剤が溶融して半導体チップを汚染することがない。 At this time, the contact angle with respect to methyl isobutyl ketone of the pressure-sensitive adhesive layer, 25 if ° or more, a low wettability of methyl isobutyl ketone for the adhesive layer, the contact area of ​​the adhesive layer and the methyl isobutyl ketone is reduced, chemical since the discharge of chemicals droplets can be carried out efficiently, possibly the pressure-sensitive adhesive layer is reduced dissolution action received from methyl isobutyl ketone, semiconductor processing adhesive tape is exposed to chemicals such as methyl isobutyl ketone and its derivatives in the manufacturing process of a semiconductor device with, never contaminate the semiconductor chip adhesive by the drug is melted. 一方、接触角が25°より小さいと、粘着剤層に対するメチルイソブチルケトンの濡れ性が高く、粘着剤層とメチルイソブチルケトンの接触面積が大きくなり、粘着剤層がメチルイソブチルケトンから受ける溶解作用が大きくなり、半導体加工用粘着テープがメチルイソブチルケトンおよびその誘導体などの薬品にさらされる可能性のある半導体素子の製造工程においては、上記薬品によって溶融した粘着剤が半導体チップを汚染してしまう。 On the other hand, the contact angle and the 25 ° less, is high wettability methyl isobutyl ketone for the adhesive layer, the contact area of ​​the adhesive layer and the methyl isobutyl ketone is increased, the dissolution effect of the adhesive layer receives from the methyl isobutyl ketone It increases, in a manufacturing process of a semiconductor device in which a semiconductor processing adhesive tape that may be exposed to chemicals such as methyl isobutyl ketone and derivatives thereof, adhesive melted by the chemicals contaminate the semiconductor chip.

なお、本発明において、粘着剤層表面のメチルイソブチルケトンに対する接触角とは、粘着剤層表面とメチルイソブチルケトンとの接触直後の接触角を意味する。 In the present invention, the contact angle with methyl isobutyl ketone of the pressure-sensitive adhesive layer surface, means the contact angle immediately after contact with the surface of the adhesive layer and methyl isobutyl ketone. この接触角は、温度23℃、湿度50%で測定した値である。 The contact angle, temperature 23 ° C., a value measured at a humidity of 50%. 測定は市販の接触角測定装置を用いて行うことができる。 Measurements can be performed using a commercially available contact angle measuring apparatus. なお、本発明における粘着剤層表面のメチルイソブチルケトンに対する接触角とは、放射線照射前の粘着剤層について測定されたものとする。 Note that the contact angle with methyl isobutyl ketone of the adhesive layer surface in the present invention is that measured for the adhesive layer before irradiation.

また、本発明の実施形態に係る半導体加工用粘着テープは、基材樹脂フィルム側から入射した波長1064nmの光線の平行光線透過率が88%以上100%未満である。 The semiconductor processing adhesive tape according to an embodiment of the present invention, parallel light transmittance of light of wavelength 1064nm incident from the substrate resin film side is less than 100% or more 88%. 基材樹脂フィルム側から入射した波長1064nmの光線の平行光線透過率が88%未満の場合、半導体加工用粘着テープを半導体ウエハに貼り合わせた後、半導体ウエハに半導体加工用粘着テープ越しにレーザー光を入射した際に、レーザー光が半導体ウエハに到達する前に減衰もしくは拡散し、半導体ウエハ内部に改質層を形成することができず、半導体ウエハを半導体チップへと個片化することができない。 If parallel light transmittance of light of wavelength 1064nm incident from the substrate resin film side is less than 88%, after attaching the adhesive tape for semiconductor processing in the semiconductor wafer, the laser beam to the semiconductor processing adhesive tape over the semiconductor wafer upon incidence of a, attenuated or diffuse before laser light reaches the semiconductor wafer, in the semiconductor wafer can not be formed modified layer can not be singulated semiconductor wafer into semiconductor chips .

粘着剤層の放射線照射前におけるメチルイソブチルケトンに対するゲル分率が、65%以上100%以下であることが好ましい。 Gel fraction to methyl isobutyl ketone before irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 100% or less than 65%. 粘着剤層のメチルイソブチルケトンに対する接触角が25°以上であり、かつゲル分率が65%以上100%以下であることにより、サポート部材の剥離の際に生じた半導体ウエハ上の接着剤残渣の化学薬品よる洗浄の際、万が一、装置故障等の不具合が発生し、ダイシングテープの粘着剤が長時間化学薬品に晒されるような事態が生じた場合においても、上記薬品によって粘着剤が溶融して半導体チップを汚染することがない。 And a contact angle with methyl isobutyl ketone of the pressure-sensitive adhesive layer is 25 ° or more, and the gel fraction is less than 100% 65% or more, on the semiconductor wafer generated during the separation of the support member of the adhesive residue during chemicals by washing, by any chance, device malfunction occurs, such as a failure, even when a situation such as dicing tape adhesive is prolonged exposure to chemicals occurs, the pressure-sensitive adhesive by the above chemicals to melt there is no possibility of contaminating the semiconductor chip.

本発明においてゲル分率とは、粘着剤層中の被架橋成分を除く架橋した粘着剤成分の比率を意味する。 The gel fraction in the present invention means the ratio of the crosslinked pressure-sensitive adhesive components excluding the crosslinking component in the adhesive layer. ゲル分率の算出には、以下に説明する手法を用いた。 The calculation of the gel fraction, using techniques described below. なお、本発明において、ゲル分率は、粘着剤層形成直後に、セパレータ等で粘着剤層表面を保護した状態であって、エネルギー線照射前の粘着剤層について測定されたものとする。 In the present invention, the gel fraction, immediately after the pressure-sensitive adhesive layer formed, a state in which protects a pressure-sensitive adhesive layer surface with a separator or the like, and that measured for the energy ray irradiation before the adhesive layer.

(ゲル分率の算出) (Calculation of the gel fraction)
50mm×50mmの大きさにカットした半導体加工用粘着テープから、セパレータを除去し、その質量Aを秤量した。 Semiconductor processing adhesive tape which was cut to a size of 50 mm × 50 mm, to remove the separator was weighed and its mass A. 次にこの秤量した半導体加工用粘着テープのサンプルを例えばメチルイソブチルケトン(MIBK)100g中に浸漬した状態で48時間放置した後、50℃の恒温層で乾燥し、その質量Bを秤量した。 Then after allowing to stand for 48 hours while immersed samples of the semiconductor processing adhesive tape this weighed example in methyl isobutyl ketone (MIBK) 100 g, it was dried in a thermostatic layer of 50 ° C., and weighed and its mass B. 更に100gの酢酸エチルを用いてサンプルの粘着剤層を拭き取り除去した後、サンプルの質量Cを秤量し、下記式(1)によりゲル分率を算出した。 After further removing wiping the adhesive layer of the sample using ethyl acetate 100 g, was weighed mass C of the sample was calculated gel fraction by the following formula (1).
ゲル分率(%)=(B−C)/(A−C) (1) Gel fraction (%) = (B-C) / (A-C) (1)

また、粘着剤層の放射線照射前におけるプローブタック試験のピーク値が200〜600kPaであることが好ましい。 Further, it is preferable that the peak value of the probe tack test before irradiation of the adhesive layer is 200~600KPa. プローブタック試験のピーク値が小さすぎると、粘着剤層の被着体に対する密着性が不十分であり、半導体ウエハにサポート性を付与するために半導体ウエハに接着剤を介して接着されたサポート部材を剥離する際に、半導体ウエハと粘着テープとの間で剥離してしまい、半導体ウエハからサポート部材を剥離するのが困難となる。 If the peak value of the probe tack test is too small, a sufficient adhesion to an adherend of the adhesive layer, a support member that is adhered via an adhesive to the semiconductor wafer in order to impart supportability the semiconductor wafer upon the release of the, it will be peeled off between the semiconductor wafer and the adhesive tape, it becomes difficult to peel the support member from the semiconductor wafer. プローブタック試験のピーク値が大きすぎると、半導体ウエハを分割してピックアップしたチップに粘着剤層の残渣が付着する糊残りや、チップをピックアップする際にチップとチップが接触してチッピングが発生し易くとなる。 If the peak value of the probe tack test is too large, adhesive residue and adhering residues of the pressure-sensitive adhesive layer to the chip picked up by dividing the semiconductor wafer, chipping occurs in contact with the chip and the chip during the pick tip It becomes easier. プローブタックの測定には以下に説明する手法を用いる。 The measurement of the probe tack using the technique described below.

(プローブタックの測定) (Measurement of the probe tack)
プローブタックの測定は、例えば株式会社レスカのタッキング試験機TAC−IIを用いて行う。 Measurements of probe tack is carried out using a tacking tester TAC-II of example Corporation Rhesca. 測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続ける”Constant Load”を用いる。 Measurement mode, push the probe to pressurizing value set, using the "by Constant Load" continues to control so as to hold the pressurizing value until the elapse of the time set. セパレータを剥離した後、粘着テープの粘着剤層を上にし、上側より直径3.0mmのSUS304製のプローブを接触させる。 After peeling the separator on top of the adhesive layer of the adhesive tape, contacting a SUS304-made probe diameter than the upper 3.0 mm. プローブを測定試料に接触させる時のスピードは30mm/minであり、接触荷重は0.98Nであり、接触時間は1秒である。 Speed ​​when contacting the probe to the sample was 30 mm / min, the contact load is 0.98N, the contact time is one second. その後、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定する。 Thereafter, peeled upward probe a peel rate of 600 mm / min, to measure the force required to peel. プローブ温度は23℃であり、プレート温度は23℃とする。 Probe temperature was 23 ° C., the plate temperature is set to 23 ° C..

以下、本実施形態の半導体加工用粘着テープの各構成要素について詳細に説明する。 A semiconductor components of the processing adhesive tape of the present embodiment will be described in detail.

(基材樹脂フィルム) (Base resin film)
基材樹脂フィルムは、半導体加工用粘着テープ越しにレーザーを入射させることにより半導体ウエハに改質領域を形成させるためには、光透過性であることが必要である。 Base resin film, in order to form a reformed region in the semiconductor wafer by incident laser semiconductor processing adhesive tape over is required to be light-transmissive. 半導体加工用粘着テープ越しにレーザーを入射させるためには、半導体加工用粘着テープの平行光線透過率が88%以上、100%未満である必要があるが、粘着剤層塗布により拡散光を低減することができるため、基材樹脂フィルム単独では拡散光を考慮する必要はなく、基材樹脂フィルムの平行光線透過率は必ずしも88%以上、100%未満である必要はない。 To incident laser for semiconductor processing adhesive tape over, parallel light transmittance of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing 88% or more, it needs to be less than 100%, to reduce the diffused light by an adhesive layer applied it is possible, it is not necessary to consider the diffused light in the base resin film alone, parallel light transmittance of the base resin film necessarily 88% or more, need not be less than 100%.

基材樹脂フィルムを構成する材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体およびエチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。 The material constituting the base resin film, polyethylene, polypropylene, ethylene - propylene copolymer, and polyolefins such as polybutene, ethylene - vinyl acetate copolymer, ethylene - (meth) acrylic acid copolymer and ethylene - (meth) ethylene copolymers such as acrylic acid ester copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, engineering plastics such as polymethyl methacrylate, soft polyvinyl chloride, semi-hard polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, a polymer material such as polyimide natural rubber and synthetic rubber is preferred. またこれらの群から選ばれる2種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層との接着性によって任意に選択することができる。 Also it may be those that are intended or multi-layered two or more are mixed selected from these groups can be arbitrarily selected by adhesion to the adhesive layer. 基材樹脂フィルムとしては、エチレン−アクリル酸共重合体のアイオノマーを用いてなるフィルムであることがさらに好ましい。 As the base resin film, an ethylene - more preferably a film formed by using the ionomer of acrylic acid copolymer.

基材樹脂フィルムの厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは10〜500μmであり、より好ましくは40〜400μm、特に好ましくは70〜250μmである。 The thickness of the substrate resin film is not particularly limited, preferably 10 to 500 [mu] m, more preferably 40~400Myuemu, particularly preferably 70~250Myuemu.

基材樹脂フィルムの粘着剤が接する面とは反対側の面の表面粗さ(算術平均粗さRa)は0.1〜0.3μmであることが好ましく、0.12〜0.18μmであることがより好まい。 Preferably the surface where the adhesive contacts the base resin film surface roughness of the surface on the opposite side (the arithmetic average roughness Ra) is 0.1 to 0.3 [mu] m, is 0.12~0.18μm it is Mai more favorable. 基材樹脂フィルムの粘着剤が接する面とは反対側の面の表面粗さは、Tダイ法、カレンダー法の場合はフィルム押し出し時の冷却ロールの表面粗さを調節によって、溶液流延法の場合はドラムやベルトの表面粗さを調節することによって制御することができる。 Surface roughness of the opposite surface to the surface where the adhesive of the base resin film is in contact is, T-die method, by adjusting the surface roughness of the cooling roll during film extrusion in the case of calendering, the solution casting method If it can be controlled by adjusting the surface roughness of the drum or belt. また、任意の表面粗さを有するフィルムに各種樹脂をコーティングすることでも制御可能である。 It is also possible to control by coating various resin films having any surface roughness. 基材樹脂フィルムの粘着剤が接する面とは反対側の面の表面粗さが0.3μmより大きいと、半導体加工用粘着テープの平行光線透過率が低下し、半導体加工用粘着テープ越しにレーザーを入射させることにより半導体ウエハに改質領域を形成させることが困難となる。 And 0.3μm greater surface roughness of the surface opposite to the surface where the adhesive contacts the base resin film, parallel light transmittance of the adhesive tape is decreased for semiconductor processing, laser semiconductor processing adhesive tape over it is difficult to form a reformed region in the semiconductor wafer by incident. 基材樹脂フィルムの粘着剤が接する面とは反対側の面の表面粗さが0.1μmより小さいと、基材樹脂フィルムの粘着剤が接する面とは反対側の面の滑り性が極度に悪化し、各種装置における搬送工程において不具合が生じる。 And 0.1μm smaller than the surface roughness of the surface opposite to the adhesive contact surface of the base resin film, the extreme slip property of the surface opposite to the surface where the adhesive contacts the base resin film deteriorated, problems will be caused in the transport process in the various devices.

基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する面には密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。 For the surface contacting the adhesive layer of the base resin film to improve adhesion, or subjected to a corona treatment may be subjected to a treatment of the primer or the like.

(粘着剤層) (Pressure-sensitive adhesive layer)
粘着剤層を構成する粘着剤は、紫外線硬化型粘着剤であり、粘着剤層表面の紫外線照射前におけるメチルイソブチルケトンに対する接触角が25.1°〜60°であり、波長1064nmにおける全光透過率が88%以上100%よりも小さい限りは特に制限はなく、従来公知の粘着剤の中から適宜選択して用いることができる。 Adhesive constituting the adhesive layer is an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive, the contact angle with respect to methyl isobutyl ketone before UV irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer surface is that 25.1 ° to 60 °, the total light transmittance at a wavelength of 1064nm rate is not particularly limited as long as less than 100% over 88%, it can be appropriately selected from known adhesives. 例えば天然ゴムや合成ゴム等を用いたゴム系粘着剤、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステルや(メタ)アクリル酸アルキルエステルと他のモノマーとの共重合体等を用いたアクリル系粘着剤、その他ポリウレタン系粘着剤やポリエステル系粘着剤やポリカーボネート系粘着剤などの一般的な粘着剤を用いることができ、これら一般的な粘着剤に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の紫外線硬化樹脂を配合した紫外線硬化型粘着剤の他、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有する炭素−炭素二重結合導入型アクリル系ポリマーを用いる紫外線硬化型粘着剤が例示できる。 Such as natural rubber or synthetic rubber such as a rubber-based adhesive was used, poly (meth) acrylic acid alkyl ester and (meth) acrylic pressure sensitive adhesive using the copolymers of acrylic acid alkyl ester and another monomer, other can be an ordinary adhesive agent such as polyurethane adhesives and polyester-based adhesives, polycarbonate-based adhesives, compounding an ultraviolet curable monomer component or an ultraviolet curable resin oligomer component or the like to these general adhesive other ultraviolet ray-curable pressure-sensitive adhesive, as a base polymer, carbon - ultraviolet curable using carbon double-bond-containing acrylic polymer adhesive - carbon carbon double bond in the polymer side chain or main chain or main chain end agent can be exemplified. ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有する炭素−炭素二重結合導入型アクリル系ポリマーを用いた場合は、必ずしも、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の紫外線硬化樹脂を配合する必要はない。 As the base polymer, carbon - carbon carbon double bond in the polymer side chain or main chain or main chain end - in the case of using carbon double-bond-containing acrylic polymer, necessarily, Ya monomer component of the ultraviolet curable it is not necessary to blend an ultraviolet curable resin such as oligomer components.

粘着剤層を構成する粘着剤としては、ポリ(メタ)アクリル酸エステルや(メタ)アクリル酸エステルと他のモノマーとの共重合体等(以後、総称してアクリルポリマーと記す)を用いたアクリル系粘着剤が好ましい。 As the adhesive constituting the adhesive layer, a poly (meth) copolymers of acrylic acid esters or (meth) acrylic acid ester and other monomers (hereinafter referred to as acrylic polymers generically) using acrylic system adhesives are preferred.

前記アクリルポリマーの構成成分として、(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸s−ブチル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メ As a constituent of the acrylic polymer, (meth) acrylic acid esters, e.g., methyl (meth) acrylate, (meth) acrylate, (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) butyl acrylate, isobutyl (meth) acrylate, butyl (meth) s- acrylate, butyl (meth) t- acrylate, (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) isodecyl acrylate , (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (main )アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル;(メタ)アクリル酸シクロヘキシル等の(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル;(メタ)アクリル酸フェニル等の(メタ)アクリル酸アリールエステルなどが挙げられる。 ) Acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) and octadecyl acrylate (meth) acrylic acid alkyl ester; ( and the like (meth) acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth) acrylic acid; meth) (meth) acrylic acid cycloalkyl esters of cyclohexyl acrylate. (メタ)アクリル酸エステルは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 (Meth) acrylic acid esters can be used alone or in combination of two or more.

前記アクリルポリマーを製造する方法としては、特に制限されないが、架橋剤により重量平均分子量を高めたり、縮合反応または付加反応により紫外線硬化性炭素−炭素二重結合を導入したりするために、水酸基やカルボキシル基、グリシジル基などの官能基を有することが好ましい。 As a method for producing the acrylic polymer is not particularly limited, and increasing the weight average molecular weight by crosslinking agents, UV-curable carbon by a condensation reaction or addition reaction - to or introduce a carbon-carbon double bond, hydroxyl group Ya carboxyl group preferably has a functional group such as glycidyl group.

アクリルポリマーへの紫外線硬化性炭素−炭素二重結合の導入は、アクリルポリマーの構成成分と、官能基を有するモノマーを用いて共重合して、官能基を有するアクリルポリマーを調製した後、官能基を有するアクリルポリマー中の官能基と反応し得る官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物を、官能基を有するアクリルポリマーに、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性(紫外線重合性)を維持した状態で、縮合反応又は付加反応させることにより、調製することができる。 UV-curable carbon into the acrylic polymer - the introduction of carbon-carbon double bond, and components of the acrylic polymer, by copolymerizing with a monomer having a functional group, after the preparation of the acrylic polymer having a functional group, the functional group a compound having a carbon double bond, to an acrylic polymer having a functional group, a carbon - - functional group and a carbon capable of reacting with the functional groups in the acrylic polymer having an ultraviolet ray-curable carbon-carbon double bond (polymerizable by UV) while maintaining the, by condensation reaction or addition reaction, it can be prepared.

官能基を有するアクリルポリマーは、構成成分の(メタ)アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基、カルボキシル基、グリシジル基などの官能基を有するモノマー(共重合性モノマー)を共重合することによって得ることができる。 The acrylic polymer having a functional group, is capable of copolymerization of the (meth) acrylic acid ester component, and a hydroxyl group, a carboxyl group, a co-monomer (copolymerizable monomer) having a functional group such as glycidyl group it can be obtained by polymerizing. (メタ)アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基を有するモノマーとしては、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリルレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリルレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリルレート、6−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリルレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、グリセリンモノ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 (Meth) are possible copolymerization of the acrylic acid ester, and the monomer having a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth ) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate. (メタ)アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつカルボキシル基を有するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸(アクリル酸、メタクリル酸)、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸等が挙げられる。 (Meth) are possible copolymerization of the acrylic acid ester, and the monomer having a carboxyl group, (meth) acrylic acid (acrylic acid, methacrylic acid), itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, isocrotonic acid, and the like. (メタ)アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつグリシジル基を有するモノマーとしては、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。 (Meth) are possible copolymerization of the acrylic acid ester, and the monomer having a glycidyl group include glycidyl (meth) acrylate.

官能基と反応し得る官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物としては、縮合反応または付加反応の対象となる官能基が水酸基である場合には、2−イソシアナトエチル(メタ)アクリレート、1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネートなどが挙げられる。 Functional group and a carbon capable of reacting with the functional groups - The compound having a carbon double bond, and the functional group to be a condensation reaction or addition reaction is a hydroxyl group are 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate and 1,1- (bis acryloyloxymethyl) ethyl isocyanate. 縮合反応または付加反応の対象となる官能基がカルボキシル基である場合には、グリシジルメタクリレートやアリルグリシジルエーテル等が挙げられる。 When the functional group to be a condensation reaction or addition reaction is a carboxyl group, and the like glycidyl methacrylate and allyl glycidyl ether. 縮合反応または付加反応の対象となる官能基がグリシジル基である場合には、(メタ)アクリル酸などの不飽和カルボン酸等が挙げられる。 When the functional group to be a condensation reaction or addition reaction is glycidyl group, and the like unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid.

アクリルポリマーは、半導体デバイス等の被加工物の汚染防止などの観点から、低分子量物の含有量が少ないものが好ましい。 Acrylic polymer, from the viewpoint of contamination prevention of the workpiece such as a semiconductor device, those content of low molecular weight substances is small is preferred. この観点から、アクリルポリマーの重量平均分子量としては、10万以上であることが好ましく、さらには20万〜200万であることが好適である。 From this viewpoint, the weight average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 100,000 or more, more is suitably a 200,000 to 2,000,000. アクリルポリマーの重量平均分子量が、小さすぎると、半導体デバイスなどの被加工物に対する汚染防止性が低下し、大きすぎると粘着剤層5を形成するための粘着剤組成物の粘度が極めて高くなり、半導体加工用粘着テープの製造が困難となる。 The weight average molecular weight of the acrylic polymer is too small, reduces the pollution with respect to a workpiece such as a semiconductor device, the viscosity of the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 5 is too large, extremely high, manufacturing of semiconductor processing adhesive tape becomes difficult.

また、アクリルポリマーは粘着性発現の観点から、ガラス転移点が−70℃〜0℃であることが好ましく、更に好ましくは、−65℃〜−20℃である。 Further, from the viewpoint of an acrylic polymer adhesive expression, preferably has a glass transition point of -70 ° C. ~0 ° C., and more preferably from -65 ℃ ~-20 ℃. ガラス転移点が低すぎると、ポリマーの粘度が低くなり、安定した塗膜形成が困難となり、ガラス転移点が高すぎると、粘着剤が硬くなり、被着体に対する濡れ性が悪化する。 If the glass transition point is too low, the viscosity of the polymer is lowered, a stable film forming is difficult and, if the glass transition point is too high, the adhesive is hardened, wettability to an adherend is deteriorated.

前記アクリルポリマーは単独で用いても良いし、相溶性の許す限り2種以上のアクリルポリマーを混合して用いても良い。 The acrylic polymer may be used alone or may be used in combination of two or more acrylic polymers as permitted compatibility.

一般的な粘着剤に配合して粘着剤層に用いる紫外線硬化型樹脂は特に限定されるものではないが、例として、ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ポリエーテル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸オリゴマーおよびイタコン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの官能基を有するオリゴマーを挙げることができる。 Is not particularly limited ultraviolet curable resin used formulated into general pressure-sensitive adhesive in the adhesive layer, as an example, a urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylates, polyester (meth) acrylates, poly ether (meth) acrylate, and the oligomer having a (meth) functional groups such as hydroxyl group or carboxyl group as acrylic acid oligomers and itaconic acid oligomers.

また本発明に用いられる粘着剤中に光重合開始剤を配合することができる。 Also it is a photopolymerization initiator in the adhesive used in the present invention. 光重合開始剤としては、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフエノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタノール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン、2−ヒドロキシメチルフエニルプロパン等をあげることができる。 Examples of the photopolymerization initiator include isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, diethyl thioxanthone, benzyl dimethyl digits Nord, alpha-hydroxycyclohexyl phenylalanine ketone, 2-hydroxymethyl-off it is possible to increase the enyl propane. これらの内の少なくとも1種を粘着剤中に添加することによって、粘着剤層5の硬化反応を効率良く進行させることができ、それによって半導体デバイスの固定粘着力を適度に低下させることができる。 By adding at least one of these in the adhesive, the curing reaction of the adhesive layer 5 can be efficiently proceed, thereby appropriately reducing the fixed adhesion of the semiconductor device.

光重合開始剤の添加量は、前記紫外線硬化型樹脂100質量部に対して0.5〜10質量部とするのが良い。 The addition amount of the photopolymerization initiator is good to 0.5 to 10 parts by mass relative to the ultraviolet curable resin 100 parts by mass. ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有する炭素−炭素二重結合導入型アクリル系ポリマーを用いた場合は、炭素−炭素二重結合導入型アクリル系ポリマー100質量部に対して0.5〜10質量部とするのが良い。 As the base polymer, carbon - in the case of using the carbon double-bond-containing acrylic polymer, carbon - - carbon carbon double bond in the polymer side chain or main chain or main chain terminal carbon-carbon double bond-containing acrylic amount may be 0.5 to 10 parts by mass relative to the system polymer 100 parts by weight.

さらに本発明に用いられる粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。 Further tackifiers If necessary, the adhesive used in the present invention, the pressure-sensitive modifier, can be blended such as a surfactant, or other modifiers, and the like. また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。 The inorganic compound filler may be added as appropriate.

粘着剤層の粘着性は、粘着材料の架橋密度を制御することにより適宜制御可能である。 Tackiness of the pressure-sensitive adhesive layer can be suitably controlled by controlling the crosslink density of the adhesive material. 粘着材料の架橋密度の制御は、例えば多官能イソシアネート系化合物やエポキシ系化合物、メラミン系化合物や金属塩系化合物、金属キレート系化合物やアミノ樹脂系化合物や過酸化物などの適宜な架橋剤を介して架橋処理する方式、炭素−炭素二重結合を2個以上有する化合物を混合し、エネルギー線の照射等により架橋処理する方式などの適宜な方式で行うことができる。 Control of crosslinking density of the adhesive material, for example a polyfunctional isocyanate compound or epoxy compound, melamine compound, metal salt compound, via an appropriate cross-linking agents such as metal chelate compounds and amino resin compounds and peroxides method of crosslinking Te, carbon - can be carried out in an appropriate manner, such as a method in a mixture of compounds having two or more carbon-carbon double bonds, cross-linking treatment with irradiation, or the like energy rays.

粘着剤層の紫外線照射前の粘着剤層表面のメチルイソブチルケトンに対する接触角は、アクリルポリマーのコモノマー比率を調整する他、添加剤としてシリコーン樹脂、フッ素樹脂等を配合することにより調整可能である。 Contact angle before UV irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer to methyl isobutyl ketone of the pressure-sensitive adhesive layer surface, in addition to adjusting the comonomer ratios of the acrylic polymer can be adjusted by blending the silicone resin, a fluorine resin or the like as an additive. また、これらに紫外線硬化樹脂の数平均分子量による調整を組み合わせることによっても可能である。 Further, it is also possible by combining the adjustment by number average molecular weight of the ultraviolet curable resin. アクリルポリマーのコモノマー比率による調整では、アルキル鎖の炭素数が4以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステル、より好ましくは、アルキル鎖の炭素数が8以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステルを用いるのが効果的であり、アルキル鎖の炭素数が4以上、より好ましくは、アルキル鎖の炭素数が8以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステルがコモノマー全体の50質量%以上含むことが望ましい。 The adjustment by the comonomer ratio of the acrylic polymer, carbon atoms in the alkyl chain is 4 or more (meth) acrylic acid alkyl ester, more preferably, carbon atoms in the alkyl chain is 8 or more (meth) acrylic acid alkyl ester used the it is effective, the number of carbon atoms in the alkyl chain of 4 or more, more preferably, the carbon number of the alkyl chain is 8 or more (meth) acrylic acid alkyl ester may be desirable to include more than 50 wt% of the total comonomer. 添加剤として用いるシリコーン樹脂としては、シリコン変性アクリレート、フッ素樹脂としては含フッ素オリゴマーを使用可能であり、特にシリコン変性アクリレートを好適に用いることができる。 As the silicone resin used as an additive, silicone-modified acrylate, a fluorine resin may be used a fluorine-containing oligomer, can be used particularly suitably silicone modified acrylates. 中でも、シリコンアクリレートまたは含フッ素オリゴマーを含有することが好ましく、その含有量は、粘着剤層の全固形分に対して0質量%よりも多く5質量%よりも少ないことが好ましい。 Among them, it is preferable to contain silicon acrylate or a fluorine-containing oligomer, the content thereof is preferably less than 5 wt% more than 0% by weight relative to the total solid content of the adhesive layer.

粘着剤層の厚さは好ましくは5μm以上70μm以下、より好ましくは8μm以上50μm以下、更に好ましくは10μm以上30μm以下である。 The thickness of the adhesive layer is preferably 5μm or 70μm or less, more preferably 8μm above 50μm or less, more preferably 10μm or more 30μm or less. 粘着剤層が薄すぎると電極の凹凸に追従できず、ダイシング加工の際に切削水や切削屑が浸入してしまうという問題が生じ、逆に厚すぎるとダイシング加工時においてチッピングが大きくなり、半導体素子の品質が低下する。 When the adhesive layer is too thin can not follow the unevenness of the electrode, it enters the cutting water and cutting chips during dicing will arise a problem that, when too thick conversely chipping increases during dicing, the semiconductor the quality of the device is reduced.

半導体加工用粘着テープの波長1064nmにおける平行光線透過率を88%以上100%未満とするには、粘着剤層に用いる材料の波長1064nmにおける全光透過率が88%以上100%未満であると共に、粘着剤層表面の表面粗さ(算術平均粗さRa)が0.3μm以下であることが好ましい。 Together with the semiconductor processing adhesive tape parallel light transmittance at a wavelength 1064nm To less than 88% or more 100%, the total light transmittance at a wavelength 1064nm materials used for the adhesive layer is less than 100% or more 88%, it is preferable that the surface roughness of the pressure-sensitive adhesive layer surface (the arithmetic average roughness Ra) of 0.3μm or less.

本発明において、粘着剤層を硬化させるエネルギー線としては、放射線が好ましく、放射線としては、紫外線(UV)などの光線、電子線などが挙げられる。 In the present invention, the energy beam to cure the adhesive layer, radiation is preferred, as the radiation rays such as ultraviolet (UV), and electron beams.

基材樹脂フィルム上に粘着剤層を形成する方法は特に限定はなく、例えば、上記のアクリル樹脂組成物を通常用いられる塗布方法によって基材樹脂フィルム上に塗布、乾燥させて形成す他、セパレータ上に塗布した粘着剤層を基材樹脂フィルムと貼り合わせることで基材樹脂フィルムに転写することで作製することができる。 A method of forming a PSA layer on the substrate resin film is not particularly limited, for example, applied to the substrate resin film by conventional coating methods for using the acrylic resin composition, other to form dried, separator it can be prepared by transferring the adhesive layer applied on the substrate resin film by bonding the base resin film.

また、必要に応じて、実用に供するまでの間、粘着剤層を保護するため通常セパレータとして用いられる合成樹脂フィルムを粘着剤層側に貼付しておいても良い。 If necessary, until it is practically used, a synthetic resin film used as an ordinary separator may be previously stuck to the adhesive layer side to protect the adhesive layer. 合成樹脂フィルムの構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。 Examples of the material of the synthetic resin film, polyethylene, polypropylene, a synthetic resin film or paper such as polyethylene terephthalate. 合成樹脂フィルムの表面には、粘着剤層3からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。 On the surface of the synthetic resin film, for enhancing the releasability from the pressure-sensitive adhesive layer 3, a silicone treatment, if necessary, a long-chain alkyl treatment, release treatment of the fluorine treatment and the like may be subjected. 合成樹脂フィルムの厚みは、通常10〜100μm、好ましくは25〜50μm程度である。 The thickness of the synthetic resin film is usually 10 to 100 [mu] m, preferably about 25 to 50 m.

次いで、サポート部材について説明する。 Next, the support member will be described.

(サポート部材) (Support member)
サポート部材は、ケイ素、サファイヤ、水晶、金属(例えば、アルミニウム、銅、鋼)、種々のガラスおよびセラミックスから成る群から選択された素材から構成される。 Support member are silicon, sapphire, quartz, metals (e.g., aluminum, copper, steel), and a material selected from the group consisting of various glasses and ceramics. このサポート部材の接着剤を貼り付ける面には堆積された他の素材を含むこともできる。 The surface paste adhesive of the support member may also include other materials deposited. 例えば、シリコンウエハ上に窒化ケイ素を蒸着することも可能で、これにより接合特性を変えることができる。 For example, it is also possible to deposit silicon nitride on a silicon wafer, it can be changed thereby bonding characteristics.

(サポート部材の貼り付け) (Paste support member)
前記サポート部材を貼り付けるにあたっては、半導体ウエハの回路形成面に後述する接着剤の接着剤液を塗布した後、塗布した接着剤をオーブンまたはホットプレートで乾燥させる。 Said support when paste is member, after applying the adhesive solution of the adhesive to be described later on the circuit forming surface of the semiconductor wafer, thereby the applied adhesive is dried in an oven or a hot plate. また、接着剤(接着剤層)の必要な厚さを得るために、接着剤液の塗布と予備乾燥を複数回繰り返してもよい。 Further, in order to obtain the necessary thickness of the adhesive (adhesive layer) may be repeated a plurality of times coating and pre-drying of the adhesive solution.

また、半導体ウエハの回路形成面に接着剤の接着剤液を塗布するにあたっては、接着剤の接着剤液の塗布を行う前に、特表2009−528688号公報で示されるように、半導体ウエハの回路面にプラズマポリマー分離層を堆積させることで、サポート部材の剥離の際に、半導体ウエハの回路形成面とプラズマポリマー分離層の間で剥離せしめる場合がある。 Further, when applying the adhesive solution of the adhesive to the circuit forming surface of the semiconductor wafer, before applying the adhesive solution of the adhesive, as shown in JP-T-2009-528688, a semiconductor wafer by depositing a plasma polymer separating layer on the circuit surface, upon separation of the support member and may allowed to delamination between the circuit forming surface of the semiconductor wafer and the plasma polymer separating layer.

また、半導体ウエハの回路形成面に接着剤液をスピンコータで塗布すると周縁部に一段高くなったビード部ができる場合がある。 Further, in some cases it can bead portion one step higher in the peripheral portion when applied with a spin coater on a circuit forming surface adhesive solution of the semiconductor wafer. この場合には、当該接着剤液を予備乾燥する前に、ビード部を溶剤によって除去することが好ましい。 In this case, prior to pre-drying the adhesive solution, it is preferable to remove the solvent bead portion.

(接着剤) (adhesive)
接着剤としては、本発明においては市販のものを使用することができる。 As the adhesive, it may be commercially available ones in the present invention. 例えば、ブリューワーサイエンス社(ミズーリ州ローラ)から販売されているWaferBONDTM材料(スライドボンディングプロセス用のWaferBONDTM HT 10.10、ケミカルボンディングプロセス用のWaferBONDTM CR200)や、WACKER社製のバーグハウゼンの材料であるELASTOSIL LR 3070等が挙げられる。 For example, Brewer Science, Inc. (WaferBONDTM HT 10.10 for slide bonding process, WaferBONDTM CR200 for chemical bonding process) WaferBONDTM material sold by (MO roller) and a material for the WACKER Co. Berg Hausen ELASTOSIL LR 3070, and the like.

また、半導体素材、ガラスまたは金属に対し高い接着力を示す樹脂もしくはポリマー類も好ましく、特に好ましくは、例えば、(イ)高固形分で、反応性エポキシ類およびアクリル類のようなUV硬化樹脂、(ロ)2液性エポキシまたはシリコン接着剤のような同族の熱硬化樹脂、(ハ)熱可塑性のアクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ハロゲン化ビニル(フッ素系不含)樹脂またはビニルエステルのポリマー類やコポリマー類を、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリスルホン類、ポリエーテルスルホン類またはポリウレタン類で、溶融状態または溶液塗膜として塗布し、塗工の後で焼くことにより乾燥してサポート部材と半導体ウエハを一層緻密にする、さらに、(ニ)環状オレフィン類、ポリオレフィンゴム類(例えばポリイソブチレン) Also, the semiconductor material, a resin or polymers exhibit high adhesion to glass or metal is also preferable, particularly preferably, for example, (i) at high solids, UV curable resins, such as reactive epoxies and acrylics, (b) 2-component epoxy or homologs of thermosetting resin such as silicone adhesives, (c) a thermoplastic acrylic resin, styrene resin, a vinyl halide (fluorine-based free) polymers of resin or vinyl ester the or copolymers, polyamides, polyimides, polysulfones, polyether sulfones, or polyurethanes, and applied as a melt or solution coating, the support member and the semiconductor wafer is dried by baking after coating made more dense, further (d) cyclic olefins, polyolefin rubbers (e.g. polyisobutylene) たは(ホ)炭化水素をベースとした粘着付与樹脂類が挙げられる。 Others include tackifying resins which is based on (e) hydrocarbons.

接着剤としては、研磨時に水を使用するので非水溶性の高分子化合物が好ましく、また軟化点が高いことが望ましい。 As the adhesive, because it uses water-soluble polymer compound is preferably at the time of polishing, also it is desirable that a high softening point. このような高分子化合物としては、ノボラック樹脂,エポキシ樹脂、アミド樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリスチレン、ポリビニルエーテル、ポリ酢酸ビニルおよびその変性物またはそれらの混合物を溶剤に溶解したものが挙げられる。 Examples of such a polymer compound, a novolak resin, epoxy resins, amide resins, silicone resins, acrylic resins, urethane resins, polystyrene, polyvinyl ether, polyvinyl acetate and a modified product thereof or a mixture thereof that is dissolved in a solvent and the like. 中でもアクリル系樹脂材料は200℃以上の耐熱性があり、発生するガスも少なく、クラックが発生し難いので好ましい。 Among them, acrylic resin material has 200 ° C. or higher heat resistance, gas generated even less preferred because cracks are unlikely to occur. またノボラック樹脂もスカムがなく、耐熱性、発生ガス量及びクラックの発生についてはアクリル系樹脂材料に劣るが実用的な範囲であり、軟化点が高く、接着後の剥離についても溶剤剥離が容易な点で好ましい。 The novolak resin also no scum, heat resistance, for the generation of the generated gas amount and cracks are but practical range inferior to an acrylic resin material, a high softening point, is easy solvent peeling the peeling after adhesion in a preferred point. これに加えて成膜時のクラック防止に可塑剤を混合してもよい。 In addition to preventing cracks at the time of film formation may be mixed plasticizer.

また、溶剤としては上記の樹脂を溶解でき、また均一にウエハに成膜できるものが望ましく、ケトン類(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、メチルイソブチルケトン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノン等)、多価アルコール類もしくはその誘導体(例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテートあるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等)、環式エーテル類(例えば、ジオキサン)、エステル類(例えば、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピル As the solvent can dissolve the resin, also is desirable that can be deposited uniformly wafer, ketones (e.g., acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, methyl isobutyl ketone, methyl isoamyl ketone, 2-heptanone), multi valence alcohols or their derivatives (e.g., ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, or their monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether etc.), cyclic ethers (e.g., dioxane), esters (e.g., ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, pills ン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等)または芳香族炭化水素類(例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等)を挙げることができる。 Methyl phosphate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, etc.) or aromatic hydrocarbons (e.g., benzene, toluene, xylene, etc.). これらのなかでも、特に上記のケトン類もしくはその誘導体が好ましい。 Among these, ketones or their derivatives of the above are preferred.

これらは単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。 These may be used alone or may be used as a mixture of two or more. また膜厚の均一性を向上させるためにこれらに活性剤を添加してもよい。 Or it may be added to these active agents in order to improve the uniformity of the film thickness.

(接着剤残渣の洗浄液) (Wash adhesive residue)
半導体ウエハから接着剤とサポート部材を剥離した後に、半導体ウエハ上に残存する接着剤残渣を取り除くための洗浄液としては、上記の接着剤に使用される有機溶剤に加え、一価アルコール類(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等)、ラクトン類(例えば、γ−ブチロラクトン等)、ラクタム類(例えば、γ−ブチロラクタム等)、エーテル類(例えば、ジエチルエーテルやアニソール等)、アルデヒド類(例えば、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルアセトアルデヒド等)を使用してもよい。 After peeling the adhesive and the support member from the semiconductor wafer, as the cleaning liquid for removing the adhesive residue remaining on a semiconductor wafer, in addition to the organic solvent used in the above adhesive, monohydric alcohols (e.g., methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, etc.), lactones (e.g., .gamma.-butyrolactone, etc.), lactams (e.g., .gamma.-butyrolactam, etc.), ethers (e.g., diethyl ether or anisole), aldehydes (e.g. , dimethylformamide, dimethyl acetaldehyde) may also be used. これらのなかでも、特に前述のケトン類もしくはその誘導体が好ましい。 Among these, ketones or their derivatives of the foregoing preferred.

これらは単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。 These may be used alone or may be used as a mixture of two or more. また接着剤残渣の洗浄を効率よく行うために、これらに活性剤を添加してもよい。 In order to clean the glue residue efficiently, it may be added to these active agents.

次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。 Next will be described in more detail based on the present invention embodiment. 以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Hereinafter will be described by the present invention through examples, but the present invention is not limited to these examples.

(実施例1) (Example 1)
アクリル酸メチル、アクリル酸2−エチルヘキシルおよび2−ヒドロキシエチルアクリレートを5:14:1の割合で、酢酸エチル中で常法により共重合させて、アクリル系ポリマーを含む溶液を得た。 Methyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate 5:14: 1 ratio, in ethyl acetate were copolymerized by a conventional method, to obtain a solution containing an acrylic polymer. 続いて、前記アクリル系ポリマーを含む溶液に、紫外線硬化性化合物として、ペンタエリスリトールトリアクリレートおよびジイソシアネートを反応させて得た紫外線硬化性オリゴマー50質量部と、光重合開始剤としてイルガキュア651(商品名、BASF社製)2.5質量部と、ポリイソシアネート系化合物としてトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネートを1.0質量部、更にシリコン変性アクリレートを0.15質量部加えて、放射線硬化性粘着剤である樹脂組成物を調製した。 Subsequently, the solution containing the acrylic polymer, as an ultraviolet curable compound and a UV curable oligomer 50 parts by weight obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate, Irgacure 651 (trade name, photopolymerization initiator, and manufactured by BASF) 2.5 parts by weight, 1.0 part by weight of trimethylolpropane-modified tolylene diisocyanate as a polyisocyanate compound, in addition further 0.15 parts by weight of silicone-modified acrylate, radiation-curable pressure-sensitive adhesive the resin composition was prepared. この樹脂組成物を、予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、乾燥後の粘着層の厚みが10μmとなるように塗工し、80℃で10分間乾燥させた後、予め粘着剤層が張り合わされる表面にコロナ処理が施され、その反対側の面の表面粗さが0.12となるように調製されたエチレン−アクリル酸共重合体のアイオノマーフィルム(基材樹脂フィルム)のコロナ処理面と貼り合わせて基材樹脂フィルムに粘着剤を転写させることで半導体加工用粘着テープを作製した。 The resin composition, onto a release treated surface of the pre-release polyethylene terephthalate separator subjected to the process, the thickness of the adhesive layer after drying was coated so that the 10 [mu] m, dried for 10 minutes at 80 ° C. after corona treatment is applied to the surface in advance the adhesive layer is glued, ethylene surface roughness of the surface on the opposite side were prepared with 0.12 - ionomer film (group of the acrylic acid copolymer to prepare a semiconductor processing adhesive tape by transferring the adhesive to the base resin film is pasted to a corona-treated surface of the wood resin film).

(実施例2) (Example 2)
シリコン変性アクリレートを0.77質量部配合した以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that the silicone-modified acrylate and 0.77 parts by mass, the same procedure as in Example 1 to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(実施例3) (Example 3)
シリコン変性アクリレートを8.08質量部配合した以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that the silicone-modified acrylate were blended 8.08 parts by mass, in the same manner as in Example 1 to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(実施例4) (Example 4)
2−エチルヘキシルアクリレート(70mol%)、メタクリル酸(1mol%)、2−ヒドロキシプロピルアクリレート(29mol%)の共重合体の3−ヒドロキシプロピルアクリレート側鎖末端OH基に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートのNCO基を付加反応させた光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリル系化合物(A1:分子量700000)を得た。 2-ethylhexyl acrylate (70 mol%), methacrylic acid (1 mol%), 3-hydroxypropyl acrylate side chain terminal OH groups of the copolymer of 2-hydroxypropyl acrylate (29 mol%), the photopolymerizable carbon - carbon double as a compound having a bond and functional groups, 2-methacryloyloxyethyl photopolymerizable carbon and the NCO groups of the isocyanate by addition reaction - acrylic compound having a carbon double bond: to give the (A1 molecular weight 700,000). この化合物(A1)100質量部に対して、ポリイソシアネートとしてトリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネートを1質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(商品名、BASF社製)を5.0質量部加えて、放射線硬化性粘着剤である樹脂組成物を調製した。 Relative to the compound (A1) 100 parts by weight of 1 part by weight of trimethylolpropane-modified hexamethylene diisocyanate as the polyisocyanate, Irgacure 184 (trade name, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator was added to 5.0 parts by weight the resin composition was prepared is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. この樹脂組成物を、予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、乾燥後の粘着層の厚みが10μmとなるように塗工し、80℃で10分間乾燥させた後、予め粘着剤層が張り合わされる表面にコロナ処理が施され、その反対側の面の表面粗さが0.18μmとなるように調製された低密度ポリエチレン(基材樹脂フィルム)のコロナ処理面と貼り合わせて基材樹脂フィルムに粘着剤を転写させることで半導体加工用粘着テープを作製した。 The resin composition, onto a release treated surface of the pre-release polyethylene terephthalate separator subjected to the process, the thickness of the adhesive layer after drying was coated so that the 10 [mu] m, dried for 10 minutes at 80 ° C. after corona treatment is applied to the surface in advance the adhesive layer is bonded together, the corona treatment on the opposite side of the surface roughness is low density polyethylene were prepared with 0.18 .mu.m (base resin film) to prepare a semiconductor processing adhesive tape by transferring the pressure-sensitive adhesive surface and laminated with the base resin film.

(実施例5) (Example 5)
シリコン変性アクリレートを0.11質量部配合した以外は、実施例4と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that the silicone-modified acrylate and 0.11 parts by mass, the same procedure as in Example 4, to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(実施例6) (Example 6)
シリコン変性アクリレートを0.53質量部配合した以外は、実施例4と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that the silicone-modified acrylate and 0.53 parts by mass, the same procedure as in Example 4, to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(実施例7) (Example 7)
シリコン変性アクリレートを5.58質量部配合した以外は、実施例4と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that the silicone-modified acrylate were blended 5.58 parts by mass, in the same manner as in Example 4, to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(実施例8) (Example 8)
含フッ素オリゴマーを0.15質量部配合した以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 The except blended 0.15 parts by weight fluorinated oligomers, in the same manner as in Example 1 to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(実施例9) (Example 9)
アクリル酸エチル、アクリル酸ブチルおよび2−ヒドロキシエチルアクリレートを10:9:1の割合で、酢酸エチル中で常法により共重合させて、アクリル系ポリマーを含む溶液を得た。 Ethyl acrylate, butyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate 10: 9: 1 ratio, in ethyl acetate were copolymerized by a conventional method, to obtain a solution containing an acrylic polymer. 続いて、前記アクリル系ポリマーを含む溶液に、紫外線硬化性化合物として、ペンタエリスリトールトリアクリレートおよびジイソシアネートを反応させて得た紫外線硬化性オリゴマー50質量部と、光重合開始剤としてイルガキュア651(商品名、BASF社製)2.5質量部と、ポリイソシアネート系化合物としてトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネートを1.0質量部、更にシリコン変性アクリレートを0.31質量部加えて、放射線硬化性粘着剤である樹脂組成物を調製した。 Subsequently, the solution containing the acrylic polymer, as an ultraviolet curable compound and a UV curable oligomer 50 parts by weight obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate, Irgacure 651 (trade name, photopolymerization initiator, and manufactured by BASF) 2.5 parts by weight, 1.0 part by weight of trimethylolpropane-modified tolylene diisocyanate as a polyisocyanate compound, in addition further 0.31 parts by weight of silicone-modified acrylate, radiation-curable pressure-sensitive adhesive the resin composition was prepared. この樹脂組成物を、予め離型処理の施されたポリエチレンテレフタレートセパレータの離型処理面上に、乾燥後の粘着層の厚みが10μmとなるように塗工し、80℃で10分間乾燥させた後、予め粘着剤層が張り合わされる表面にコロナ処理が施され、その反対側の面の表面粗さが0.3となるように調製されたエチレン-メタクリル酸共重合体(基材樹脂フィルム)のコロナ処理面と貼り合わせて基材樹脂フィルムに粘着剤を転写させることで半導体加工用粘着テープを作製した。 The resin composition, onto a release treated surface of the pre-release polyethylene terephthalate separator subjected to the process, the thickness of the adhesive layer after drying was coated so that the 10 [mu] m, dried for 10 minutes at 80 ° C. after corona treatment is applied to the surface in advance the adhesive layer is bonded together, the opposite side of the surface roughness were prepared with 0.3 ethylene surfaces thereof - methacrylic acid copolymer (base resin film ) is pasted to a corona-treated surface to prepare a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing by transferring the adhesive to the base resin film.

(実施例10) (Example 10)
シリコン変性アクリレートを0.77質量部配合した以外は、実施例9と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that the silicone-modified acrylate and 0.77 parts by mass, the same procedure as in Example 9, to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(実施例11) (Example 11)
ポリイソシアネートとしてトリメチロールプロパン変性ヘキサメチレンジイソシアネートを0.1質量部配合した以外は、実施例4と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that and 0.1 part by weight of trimethylolpropane-modified hexamethylene diisocyanate as a polyisocyanate, in the same manner as in Example 4, to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(実施例12) (Example 12)
ペンタエリスリトールトリアクリレートおよびジイソシアネートを反応させて得た紫外線硬化性オリゴマーを30質量部とした以外は実施例2と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that the ultraviolet-curable oligomer obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate and 30 parts by weight in the same manner as in Example 2, was manufactured semiconductor processing adhesive tape.

(比較例1) (Comparative Example 1)
シリコン変性アクリレートを配合しなかった以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except for not blending the silicone-modified acrylates, in the same manner as in Example 1 to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

(比較例2) (Comparative Example 2)
シリコン変性アクリレートを0.15質量部配合した以外は、実施例9と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Except that the silicone-modified acrylate were blended 0.15 parts by mass, in the same manner as in Example 9, to prepare a semiconductor processing adhesive tape.
(比較例3) (Comparative Example 3)
基材樹脂フィルムの、粘着剤層が張り合わされる表面とは反対側の面の表面粗さを1.1μmとした以外は、実施例1と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。 Of the base resin film, except that the surface of the adhesive layer is bonded together was 1.1μm the surface roughness of the surface opposite, in the same manner as in Example 1 to prepare a semiconductor processing adhesive tape.

実施例1〜11および比較例1〜3の各サンプルについて接触角、プローブタック、ゲル分率、耐溶剤性、サポート部材の剥離性について、評価試験を以下のように行った。 The contact angle for each sample of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3, the probe tack, gel fraction, solvent resistance, the peeling of the support member, evaluation tests were carried out as follows. 得られた結果をまとめて下記表1および2に示す。 It summarizes the results obtained are shown in Table 1 and 2.

<粘着剤層表面の接触角> <Contact angle of the surface of the adhesive layer>
平らな面で測定を行う必要があるため、基材樹脂フィルムの粘着剤層が設けられていない方の面を、両面テープを用いて表面が平らなガラス板に固定した。 It is necessary to perform measurements on a level surface, the surface towards the adhesive layer of the base resin film is not provided, the surface using double-sided tape was fixed to a flat glass plate. セパレータを剥離した後、メチルエチルケトンを滴下し、接触角θを協和化学株式会社製FACE接触角計CA−S150型を用いて測定した。 After peeling the separator, it was added dropwise methyl ethyl ketone, the contact angle was measured θ with Kyowa Chemical FACE contact angle meter CA-S150 Model KK. 測定温度は23℃、測定湿度は50%である。 Measurement temperature 23 ° C., measured humidity is 50%. 粘着剤層表面の接触角の測定は粘着テープへの紫外線照射を行う前の状態で行った。 Measurement of the contact angle of the surface of the adhesive layer was performed in the state before the ultraviolet irradiation of the adhesive tape.

<プローブタック> <Probe tack>
株式会社レスカのタッキング試験機TAC−IIを用いて行った。 It was carried out using a tacking tester TAC-II of Rhesca Corporation. 測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続ける”Constant Load”を用いた。 Measurement mode, push the probe to pressurizing value set, using the "by Constant Load" continues to control so as to hold the pressurizing value until the elapse of the time set. セパレータを剥離した後、半導体加工用粘着テープの粘着剤層を上にし、上側より直径3.0mmのSUS304製のプローブを接触させた。 After peeling the separator on top of the semiconductor processing adhesive tape of the adhesive layer was brought into contact with SUS304-made probe diameter than the upper 3.0 mm. プローブを測定試料に接触させる時のスピードは30mm/minであり、接触荷重は0.98Nであり、接触時間は1秒である。 Speed ​​when contacting the probe to the sample was 30 mm / min, the contact load is 0.98N, the contact time is one second. その後、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定し、そのピーク値を読み取った。 Thereafter, peeled upward probe a peel rate of 600 mm / min, to measure the force required to peel, read the peak value. プローブ温度は23℃であり、プレート温度は23℃とした。 Probe temperature was 23 ° C., the plate temperature was 23 ° C..

<ゲル分率> <Gel fraction>
50mm×50mmの大きさにカットした半導体加工用粘着テープから、セパレータを除去し、その質量Aを秤量した。 Semiconductor processing adhesive tape which was cut to a size of 50 mm × 50 mm, to remove the separator was weighed and its mass A. 次にこの秤量した半導体加工用ダイシングテープのサンプルを100gのメチルイソブチルケトン(MIBK)中に浸漬した状態で48時間放置した後、50℃の恒温層で乾燥し、その質量Bを秤量した。 Then after allowing to stand for 48 hours while immersed samples of weighed semiconductor processing dicing tape in methyl isobutyl ketone 100 g (MIBK), dried in a thermostatic layer of 50 ° C., and weighed and its mass B. 更に100gの酢酸エチルを用いてサンプルの粘着剤層を拭き取り除去した後、サンプルの質量Cを秤量し、下記式(1)によりゲル分率を算出した。 After further removing wiping the adhesive layer of the sample using ethyl acetate 100 g, was weighed mass C of the sample was calculated gel fraction by the following formula (1).
ゲル分率(%)=(B−C)/(A−C) (1) Gel fraction (%) = (B-C) / (A-C) (1)

<表面粗さRa> <Surface roughness Ra>
実施例、比較例で得られた半導体加工用粘着テープの、粘着剤が塗工される面側を平滑なミラーウエハに貼合することで固定し、粘着剤の塗工されない面側の算術表面粗さRaを表面粗さ測定器(株式会社ミツトヨ社製、商品名:サーフテストSJ−301)を使用して基材樹脂フィルムの押し出し方向(MD方向)に任意の5箇所で測定し平均値を求めた。 Example, a semiconductor processing adhesive tape obtained in Comparative Example, the surface on which the adhesive is applied and fixed by laminating a smooth mirror wafers not coated pressure-sensitive adhesive side arithmetic surface of the roughness Ra surface roughness measuring instrument (Mitutoyo Corp., trade name: Surftest SJ-301) using the measured at arbitrary five points in the extrusion direction (MD direction) of the base resin film average I was asked.

<平行光線透過率> <Parallel light transmittance>
実施例、比較例で得られた半導体加工用粘着テープの粘着剤の塗工されない面側から波長1064nmでの平行光線透過率を透過率測定器(株式会社島津製作所製、商品名:UV3101PC&MPC−3100)を使用して任意の5箇所で測定し平均値を求めた。 Example transmittance meter parallel light transmittance from coated are not surface side of the semiconductor processing adhesive tape of the adhesive obtained in the wavelength 1064nm in Comparative Example (Shimadzu Corporation, trade name: UV3101PC & MPC-3100 ) using the average value was determined as measured by any five locations. この装置は積分球方式の受光部を有する全光線透過率測定が可能な装置となっているが、サンプルの固定位置を積分球入射窓から70mm引き離すことで、平行光線透過率を測定した。 This device has a total light transmittance measurable capable device having a light receiving portion of the integrating sphere method, by separating 70mm the fixing position of the sample from the integrating sphere entrance window, to measure the parallel light transmittance.

<耐溶剤性1> <Solvent Resistance 1>
8インチの半導体ウエハに、実施例、比較例で得られた半導体加工用粘着テープを貼り合せ、リングフレームに固定した後、半導体ウエハ側から有機溶剤としてメチルイソブチルケトン(MIBK)を吹きつけながら、20rpmで回転させスピン洗浄を施した。 An 8-inch semiconductor wafer, embodiments, bonding the semiconductor processing adhesive tape obtained in Comparative Example, was fixed to a ring frame while blowing methyl isobutyl ketone (MIBK) as the organic solvent from the semiconductor wafer side, It was subjected to spin cleaning was rotated at 20 rpm. 洗浄・乾燥終了後に半導体加工用ダイシングテープの半導体ウエハが貼られていない領域の粘着剤層を観察し、粘着剤の溶解または膨潤が見られなかったものを○、一部粘着剤の膨潤が見られたものの実用上問題のない軽微なものを△とし合格と判定、粘着剤の溶解が見られたもの、実用上問題となるレベルの重度の膨潤が見られたものを×とし不合格とした。 Observing the pressure-sensitive adhesive layer of the cleaning and drying after completion of the semiconductor processing dicing tape of the semiconductor wafer is not attached regions, ○ those observed dissolution or swelling of the adhesive, the swelling of some adhesive see determination was although practical problem without minor ones △ and evaluated as acceptable, that dissolution of the adhesive was observed, and × what severe swelling of a practically problematic level was observed was rejected .
<耐溶剤性2> <Solvent Resistance 2>
8インチの半導体ウエハに、実施例、比較例で得られた半導体加工用粘着テープを貼り合せ、リングフレームに固定した後、メチルイソブチルケトン(MIBK)中に1時間浸漬した。 An 8-inch semiconductor wafer, embodiments, bonding the semiconductor processing adhesive tape obtained in Comparative Example, after fixing the ring frame, was immersed for 1 hour in methyl isobutyl ketone (MIBK). その後、20rpmで回転させスピン乾燥を施した後に半導体加工用ダイシングテープの半導体ウエハが貼られていない領域の粘着剤層を観察し、粘着剤の溶解または膨潤が見られなかったものを○、一部粘着剤の膨潤が見られたものの実用上問題のない軽微なものを△とし合格と判定、粘着剤の溶解が見られたもの、実用上問題となるレベルの重度の膨潤が見られたものを×とし不合格とした。 Thereafter, ○ those observing the pressure-sensitive adhesive layer in the region where semiconductor processing dicing tape of the semiconductor wafer is not stuck after performing spin drying was rotated at 20 rpm, was observed dissolution or swelling of the adhesive, single part determination adhesive swelling is seen but what no practical problem minor △ and evaluated as acceptable, that dissolution of the adhesive was observed, which severe swelling of a practically problematic level was observed It was rejected as ×.

<サポート部材剥離性> <Support member peelable>
米国特許出願公開第2011/0272092号明細書に開示される方法を用いることにより、厚さ約700μmの6インチのシリコンウエハ上に、プラズマポリマー分離層、シリコーンゴム接着剤層、サポート部材として厚さ2.5mmのガラス板が、順に積層された構造体を得た。 By using the method disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2011/0272092, on a 6-inch silicon wafer having a thickness of about 700 .mu.m, the plasma polymer separating layer, a silicone rubber adhesive layer, the thickness as a support member of glass plate 2.5mm is to obtain a structure which are sequentially stacked. 上記のようにして得られた構造体のウエハ背面(プラズマポリマー分離層等が積層されていない面)に実施例、比較例で得られた半導体加工用粘着テープを貼り合せ、リングフレーム上に固定した後、Suss社製De−Bonder DB12Tに供することにより、サポート部材の剥離性を評価した。 Wafer back surface of the the thus obtained structure examples (plasma polymer separating layer or the like is not stacked surface), bonding the semiconductor processing adhesive tape obtained in Comparative Example, fixed on the ring frame after, by subjecting the Suss Co. De-Bonder DB12T, it was evaluated for peeling property from support member. サポート部材のプラズマポリマー分離層とウエハ表面の間で剥離し、サポート部材をウエハ表面から除去できたものを○、一部でウエハ背面と半導体加工用粘着テープの間での剥離が発生したものの、サポート部材をウエハ表面から除去することができ、実用上許容できるものを△とし、合格と判定、サポート部材のプラズマポリマー分離層とウエハ表面の間で剥離せず、ウエハ背面と半導体加工用粘着テープの間で剥離し、サポート部材をウエハ表面から除去できなかったものを×とし不合格とした。 Peeling between the plasma polymer separating layer and wafer surface support member, those can be removed support member from the wafer surface ○, although some delamination between the wafer backside and semiconductor processing adhesive tape occurs in, support member can be removed from the wafer surface, practically allowable as a △ and then, passing the decision, without delamination between the support member plasma polymer separating layer and the wafer surface, the wafer back surface and semiconductor processing adhesive tape peeling between the support member and × those that could not be removed from the wafer surface was rejected.

<チップ分割率> <Chip division ratio>
100μm厚の8インチの半導体ウエハに、実施例、比較例で得られた半導体加工用粘着テープを貼り合せ、リングフレームに固定した後、下記に示すステルスダイシング条件で、半導体加工用粘着テープ越しにレーザーを照射して半導体ウエハの内部に改質領域を形成した後、エキスパンド装置(株式会社ディスコ製、DDS2300)を用いて、300mm/秒、10mm引き落としの条件で半導体加工用粘着テープをエキスパンドし、ウエハをチップ単位に分割した。 100μm an 8-inch semiconductor wafer having a thickness, embodiments, bonding the semiconductor processing adhesive tape obtained in Comparative Example, was fixed to a ring frame, stealth dicing under the following conditions, the semiconductor processing adhesive tape over after forming the modified region within the semiconductor wafer is irradiated with laser, expanding apparatus (DISCO Corporation Ltd., DDS2300) using, 300 mm / sec, and expanding the semiconductor processing adhesive tape under conditions of 10mm withdrawal, the wafer was divided into chip units. その後、目視にて完全に個片化されたチップの数を数え、全体の98%以上が分割されていたものを○、90%以上98%未満のものを実用上許容できる△とし、合格と判定、90%未満のものを×として不合格とした。 Then, completely counts the number of singulated chips visually, and those more than 98% of the total had been divided ○, and △ practically acceptable ones of less than 98% 90% and pass determination was rejected as × those less than 90%.
<ステルスダイシング条件> <Stealth dicing conditions>
・装置 :Nd−YAGレーザー・波長 :1064nm · Apparatus: Nd-YAG laser Wavelength: 1064 nm
・繰り返し周波数 :100kHz - repetition frequency: 100kHz
・パルス幅 :30ns Pulse Width: 30ns
・カット速度 :100mm/秒・カットチップサイズ :5mm×5mm Cut speed: 100mm / sec cut chip size: 5mm × 5mm

表1、2に示されるように、粘着剤層の紫外線照射前におけるメチルイソブチルケトンに対する接触角が25.1°以上であり60°以下である実施例1〜12は耐溶剤性の評価項目において合格判定であり、化学薬品を用いた半導体素子表面の洗浄工程を含む半導体素子の製造において実用上問題なく用いることができる。 As shown in Table 1, Examples 1 to 12 the contact angle with respect to methyl isobutyl ketone is below there 60 ° at 25.1 ° or more before the ultraviolet irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer in the evaluation items of solvent resistance a pass decision, can be used without any practical problem in the production of semiconductor elements, including a washing step of a semiconductor device surface with chemicals. また、同じく実施例1〜12では、半導体加工用粘着テープの波長1064nmにおける平行光線透過率が88%以上100%未満であり、良好なチップ分割性能を示した。 Further, in the same Examples 1 to 12, a parallel light transmittance at a wavelength of 1064nm semiconductor processing adhesive tape is less than 88% than 100%, showing excellent chip division performance.
実施例1および実施例8と比較例1との比較では、粘着剤層が、シリコンアクリレートもしくは含フッ素オリゴマーを含有することで耐溶剤性を向上させることができた。 In comparison between Example 1 and Comparative Example 1 and Example 8, the adhesive layer, it was possible to improve the solvent resistance by containing silicon acrylate or a fluorinated oligomer. 特にタック力が200〜600kPaである実施例1、実施例2、実施例4〜実施例6、実施例8〜実施例12ではサポート部材の剥離試験において更に優れた結果であった。 Especially Example 1 tack force is 200~600KPa, Example 2, Examples 4 to 6 was a better result in the peeling test of the support member in Example 8 to Example 12. また、ゲル分率が65%以上である実施例4〜実施例7、実施例11、実施例12では、メチルイソブチルケトン(MIBK)中に1時間浸漬した場合の耐溶剤性(耐溶剤性2)にも優れていることがわかった。 Also, Examples 4 to 7 a gel fraction of 65% or more, Example 11, Example 12, solvent resistance when immersed for 1 hour in methyl isobutyl ketone (MIBK) (Solvent resistance 2 it was also found to be superior to).

一方、粘着剤層の紫外線照射前におけるメチルイソブチルケトンに対する接触角が25.1°未満である比較例1、比較例2ではいずれの耐溶剤性試験において粘着剤の溶解または重度の膨潤が見られ、化学薬品を用いた半導体素子表面の洗浄工程を含む半導体素子の製造には適さないことが示された。 On the other hand, Comparative Example 1 Contact angle to methyl isobutyl ketone is smaller than 25.1 °, dissolution or severe swelling of the adhesive in any of the solvent resistance test in Comparative Example 2 observed before UV irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer It was shown to be unsuitable for the production of a semiconductor device including a cleaning process of a semiconductor device surface with chemicals. また、ダイシングテープの波長1064nmにおける平行光線透過率が88%未満である比較例3では十分なチップ分割性能を得ることができなかった。 Moreover, it was not possible to parallel light transmittance at a wavelength of 1064nm of the dicing tape to obtain sufficient chip separation performance in Comparative Example 3 is less than 88%.

Claims (3)

  1. 基材樹脂フィルムの少なくとも一方の面に放射線硬化性の粘着剤層が形成された半導体加工用粘着テープであって、 A semiconductor processing adhesive tape radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is formed on at least one surface of the base resin film,
    前記粘着剤層が、シリコンアクリレートまたは含フッ素オリゴマーを含有し、前記シリコンアクリレートまたは含フッ素オリゴマーの含有量が、前記粘着剤層の全固形分に対して0質量%よりも多く5質量%よりも少なく、 The pressure-sensitive adhesive layer contains a silicone acrylate or a fluorine-containing oligomer, the content of the silicon acrylate or a fluorine-containing oligomer, the even more 5% by weight than 0% by weight based on the total solids of the pressure-sensitive adhesive layer at least,
    前記粘着剤層の放射線照射前におけるメチルイソブチルケトンに対する接触角が25.1°〜60°であり、 Contact angle with methyl isobutyl ketone before irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer is 25.1 ° to 60 °,
    前記基材樹脂フィルム側から入射した波長1064nmの光線の平行光線透過率が88%以上100%未満であることを特徴とする半導体加工用粘着テープ。 Semiconductor processing adhesive tape, wherein the parallel light transmittance of light of wavelength 1064nm incident from the substrate resin film side is less than 100% or more 88%.
  2. 前記粘着剤層の放射線照射前における前記メチルイソブチルケトンに対するゲル分率が、65%以上100%以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体加工用粘着テープ。 Wherein said methyl Gel fraction for isobutyl ketone, semiconductor processing adhesive tape according to claim 1, characterized in that 100% or less than 65% before irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer.
  3. 前記粘着剤層の放射線照射前におけるプローブタック試験のピーク値が、200〜600kPaであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体加工用粘着テープ。 The peak value of the probe tack test before irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer, a semiconductor processing adhesive tape according to claim 1 or claim 2 characterized in that it is a 200~600KPa.
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