JP4703391B2 - High frequency power amplifier - Google Patents

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Description

本発明は、例えばマイクロ波等の高周波信号の送出に使用される高周波電力増幅器に関する。   The present invention relates to a high frequency power amplifier used for transmitting a high frequency signal such as a microwave.

レーダ装置の送信機に使用されるマイクロ波電力増幅器では、送信信号を分配器によって複数系統に分配し、各系統の信号をそれぞれ単位増幅器で電力増幅した後、合成器で合成することで所望の出力電力を得ている(例えば非特許文献1参照)。このため、分配器と合成器との間に複数系統の単位増幅器が近接配置されている。この場合、個々の単位増幅器は、不要伝播モードの抑圧、互いの干渉を防ぐためにシールドが必要であることから、それぞれシールドケースに収容されている。その結果、各単位増幅器のケースに、信号の入出力端に同軸ケーブル接続用のコネクタを装備し、分配器、合成器それぞれとの間を同軸ケーブルによって接続するようになされている。   In a microwave power amplifier used in a transmitter of a radar apparatus, a transmission signal is distributed to a plurality of systems by a distributor, and each system signal is amplified by a unit amplifier and then synthesized by a combiner. Output power is obtained (see, for example, Non-Patent Document 1). For this reason, a plurality of system unit amplifiers are arranged close to each other between the distributor and the combiner. In this case, each unit amplifier is accommodated in a shield case because a shield is necessary to suppress unwanted propagation modes and prevent mutual interference. As a result, the case of each unit amplifier is equipped with a connector for connecting a coaxial cable at the input / output end of the signal, and the distributor and the combiner are connected by a coaxial cable.

ところで、近年の半導体集積回路の実装技術の向上により、上記分配器、単位増幅器、合成器は、いずれもマイクロストリップ線路による集積回路化が実現され、装置全体の小型化が図られている。ここで、単位増幅器は、上記のように個別にシールドケースに収容され、信号の入出力に同軸ケーブルによる伝送が余儀なくされている。このため、ケーブルの引き回しによってスペース効率が低下している。また、マイクロストリップ線路出力をいったん同軸コネクタに変換する必要があることから、この部分で多大な電力損失が生じている。
社団法人電子情報通信学会発行、株式会社コロナ社出版、「改訂レーダ技術」第165頁
By the way, with the recent improvement in semiconductor integrated circuit mounting technology, the distributor, unit amplifier, and synthesizer are all integrated into a microstrip line, and the entire device is downsized. Here, the unit amplifiers are individually housed in the shield case as described above, and transmission by a coaxial cable is inevitable for signal input and output. For this reason, the space efficiency is reduced by the routing of the cable. In addition, since it is necessary to convert the microstrip line output into a coaxial connector once, a large power loss occurs in this portion.
Published by The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Corona Publishing Co., Ltd., “Revised Radar Technology”, page 165

以上述べたように、従来の分配・合成型の高周波電力増幅器では、複数系統の単位増幅器が個別にシールドケースに収容され、信号の入出力に同軸ケーブルによる伝送が余儀なくされているため、ケーブルの引き回しによってスペース効率が低下し、また、マイクロストリップ線路出力をいったん同軸コネクタに変換する必要があることから、この部分で多大な電力損失が生じる点が問題となっている。   As described above, in the conventional distribution / synthesis type high frequency power amplifier, a plurality of system unit amplifiers are individually housed in a shield case, and transmission and reception of signals using a coaxial cable is unavoidable. The space efficiency is reduced by the routing, and the microstrip line output needs to be converted into a coaxial connector once. Therefore, there is a problem in that a large power loss occurs in this portion.

本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、単位増幅器それぞれのシールドを確保しつつ、分配器、単位増幅器、合成器それぞれを同軸ケーブルを使用せずに直接的に接続可能とし、これによって装置の小型化及び電力損失の低減を同時に実現することのできる高周波電力増幅器を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and enables a distributor, a unit amplifier, and a combiner to be directly connected without using a coaxial cable while securing a shield for each unit amplifier. Thus, an object of the present invention is to provide a high-frequency power amplifier that can simultaneously reduce the size of the device and reduce power loss.

上記問題を解決するために、本発明に係る高周波電力増幅器は、高周波信号を複数系統に分配するもので、各系統の分配出力端子をマイクロストリップ線路で形成してなる分配器と、前記複数系統それぞれに設けられ、入力端子及び出力端子がマイクロストリップ線路で形成され、前記入力端子に供給される高周波信号を電力増幅して前記出力端子から出力する複数の単位増幅器と、前記複数系統分の入力端子がマイクロストリップ線路で形成され、前記入力端子に供給される高周波信号を合成して出力する合成器と、前記分配器、複数の単位増幅器、合成器が載置固定されるベースプレートと、前記分配器で分配された高周波信号を前記複数の単位増幅器に入力して電力増幅し、各系統の増幅信号を合成器で合成するように、前記分配器、単位増幅器、合成器それぞれの対応する端子同士を接合する端子接合手段と、前記単位増幅器に対し、前記分配器の出力側及び前記合成器の入力側の面にシールド材料によるブロックを接合し、前記分配器及び合成器間の側面及び上面をそれぞれシールド材料によるプレート及びカバーで覆うシールド手段とを具備することを特徴とするものである。   In order to solve the above problems, a high-frequency power amplifier according to the present invention distributes a high-frequency signal to a plurality of systems, a distributor formed by forming a distribution output terminal of each system with a microstrip line, and the plurality of systems A plurality of unit amplifiers, each of which is provided with an input terminal and an output terminal formed of a microstrip line, amplifies a high frequency signal supplied to the input terminal and outputs the amplified signal from the output terminal; A synthesizer that has a terminal formed of a microstrip line, synthesizes and outputs a high-frequency signal supplied to the input terminal, a distributor, a plurality of unit amplifiers, a base plate on which a synthesizer is mounted and fixed, and the distributor The distributor is configured to input the high-frequency signals distributed by the amplifier to the plurality of unit amplifiers to amplify the power, and to synthesize the amplified signals of each system by the combiner, A terminal junction means for joining corresponding terminals of each of the level amplifier and the combiner, and a block made of a shielding material on the output side of the distributor and the input side of the combiner for the unit amplifier, Shielding means for covering a side surface and an upper surface between the distributor and the combiner with a plate made of a shielding material and a cover, respectively, is provided.

このように、本発明では、分配器、単位増幅器、合成器それぞれの端子をマイクロストリップ線路で形成し、端子間を銅箔等で接合することで、分配器、単位増幅器、合成器それぞれを同軸ケーブルを使用せずに直接的に接続し、接合処理後に単位増幅器全体をシールド材料で覆うことで、各単位増幅器のシールドを確保する。   As described above, in the present invention, the terminals of the distributor, unit amplifier, and synthesizer are formed by microstrip lines, and the terminals are joined by copper foil or the like, so that the distributor, unit amplifier, and synthesizer are coaxially connected. By directly connecting without using a cable and covering the entire unit amplifier with a shielding material after the joining process, the shield of each unit amplifier is secured.

本発明によれば、単位増幅器それぞれのシールドを確保しつつ、分配器、単位増幅器、合成器それぞれを同軸ケーブルを使用せずに直接的に接続可能とし、これによって装置の小型化及び電力損失の低減を同時に実現することのできる高周波電力増幅器を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to directly connect a distributor, a unit amplifier, and a combiner without using a coaxial cable while securing a shield of each unit amplifier, thereby reducing the size of the apparatus and reducing power loss. It is possible to provide a high-frequency power amplifier that can simultaneously realize reduction.

本発明に係る実施の形態を説明するに先立ち、従来のレーダ装置に採用されるマイクロ波電力増幅器の構造を図2に示して簡単に説明する。   Prior to describing the embodiment of the present invention, the structure of a microwave power amplifier employed in a conventional radar apparatus will be briefly described with reference to FIG.

図2において、(a)は上面図、(b)波側面図である。11はヒートシンクとして機能するベースプレートであり、このベースプレート11上に2系統分配器12、2系統の単位増幅器13a,13b、2系統合成器14が載置固定される。各系統の単位増幅器13a,13bは、いずれも不要伝播モードの抑圧、互いの干渉を防ぐために、シールドケースに収容され、シールドカバーで開口面が覆われている。また、信号入出力端にはそれぞれ同軸コネクタが装備されており、分配器12の信号出力端及び合成器14の信号入力端それぞれに設けられる同軸コネクタとの間は同軸ケーブルで接続される。   2A is a top view and FIG. 2B is a wave side view. Reference numeral 11 denotes a base plate that functions as a heat sink. On the base plate 11, a two-system distributor 12, two unit amplifiers 13a and 13b, and a two-system synthesizer 14 are mounted and fixed. The unit amplifiers 13a and 13b of each system are both housed in a shield case and covered with a shield cover in order to suppress unnecessary propagation modes and prevent mutual interference. The signal input / output terminals are each equipped with a coaxial connector, and the coaxial connectors provided at the signal output terminal of the distributor 12 and the signal input terminals of the combiner 14 are connected by a coaxial cable.

すなわち、上記構造による電力増幅器では、分配器12にて入力マイクロ波信号を2系統に分配し、それぞれ同軸ケーブルを介して単位増幅器13a,13bに供給して並列的に電力増幅させ、その増幅出力を同軸ケーブルにより合成器14に送るようになされている。この構造では、前述のように、単位増幅器13a,13bが個別にシールドケースに収容され、信号の入出力に同軸ケーブルが使用されているため、ケーブルの引き回しによってスペース効率が低下している。また、分配器12、単位増幅器13a,13b、合成器14がいずれもマイクロストリップ線路による集積回路構造となっていても、マイクロストリップ線路出力をいったん同軸コネクタに変換する必要があることから、この部分で多大な電力損失が生じている。   That is, in the power amplifier having the above structure, the input microwave signal is distributed to the two systems by the distributor 12, supplied to the unit amplifiers 13a and 13b via the coaxial cables, and amplified in parallel, and the amplified output thereof. Is sent to the combiner 14 by a coaxial cable. In this structure, as described above, the unit amplifiers 13a and 13b are individually accommodated in the shield case, and the coaxial cable is used for signal input / output, so that the space efficiency is lowered by the cable routing. Even if the distributor 12, the unit amplifiers 13a and 13b, and the combiner 14 all have an integrated circuit structure using a microstrip line, it is necessary to convert the microstrip line output into a coaxial connector. There is a great power loss.

上記問題を解決する本発明の実施形態について、以下、図1を参照して説明する。   An embodiment of the present invention that solves the above problem will be described below with reference to FIG.

図1は本発明の一実施形態として、上記のマイクロ波電力増幅器に本発明を適用した場合の構造を示すもので、(a)は上面図、(b)は側面図を示している。   FIG. 1 shows a structure in the case where the present invention is applied to the above-described microwave power amplifier as one embodiment of the present invention, where (a) shows a top view and (b) shows a side view.

図1において、21はヒートシンクとして機能するベースプレートであり、このベースプレート21上の中央部には単位増幅器(シールドされていない基板自体)23a,23bが並べて固定され、その両側に2系統分配器22、2系統合成器24が配置固定される。   In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a base plate that functions as a heat sink. Unit amplifiers (unshielded substrates themselves) 23 a and 23 b are fixed side by side at the center on the base plate 21. The two-system synthesizer 24 is fixed.

上記分配器22の分配出力側には、ベースプレート21との接合側に縁部221が本体部と一体形成されており、2系統出力端として内部回路基板(図示せず)からマイクロストリップ線路による出力端子222a,222bが縁部221上に形成されている。同様に、上記合成器24の合成入力側には、ベースプレート21との接合側に縁部241が本体部と一体形成されており、2系統入力端として内部回路基板(図示せず)からマイクロストリップ線路による入力端子242a,242bが縁部241上に形成されている。   On the distribution output side of the distributor 22, an edge 221 is formed integrally with the main body on the joint side with the base plate 21, and output from an internal circuit board (not shown) as a two-system output end by a microstrip line. Terminals 222 a and 222 b are formed on the edge 221. Similarly, on the synthesis input side of the synthesizer 24, an edge 241 is integrally formed with the main body on the side joined to the base plate 21, and a microstrip is formed from an internal circuit board (not shown) as a two-system input end. Input terminals 242a and 242b by lines are formed on the edge 241.

一方、単位増幅器23a,23bには、分配器22のマイクロストリップ線路による出力端子222a,222b、合成器24のマイクロストリップ線路による入力端子242a,242bと対向する位置に、マイクロストリップ線路による入力端子23a1,23b1、出力端子23a2,23b2がそれぞれ形成されている。そして、それぞれの対向端子間を銅箔にて結合することで、分配器、単位増幅器、合成器間のマイクロストリップ線路による伝送を可能とする。   On the other hand, in the unit amplifiers 23a and 23b, the microstrip line input terminals 23a1 and 242b are opposed to the microstrip line output terminals 222a and 222b of the distributor 22 and the microstrip line input terminals 242a and 242b of the combiner 24, respectively. , 23b1 and output terminals 23a2 and 23b2. Then, by connecting the respective opposing terminals with copper foil, transmission by a microstrip line between the distributor, the unit amplifier, and the combiner is made possible.

上記単位増幅器23aのシールドは、以下のような構造によって実現される。尚、23bのシールド構造については23aの場合と同様であるので、その説明及び図面上の符号は省略する。   The shield of the unit amplifier 23a is realized by the following structure. Since the shield structure of 23b is the same as that of 23a, its description and reference numerals on the drawings are omitted.

まず、ベースプレート21には、シールド効果を奏する金属材料を使用する。分配器22及び合成器24の縁部221,241の上部には、シールド材による逆L字型ブロックA1,A2を載置する。これらのブロックA1,A2の側面は、分配器22及び合成器24の縁部221,241それぞれの端面と同一面となる寸法とする。また、これらのブロックA1,A2の上側に形成される縁部には、分配器22、合成器24それぞれのケース上面と当接する部分に溝部を形成し、ここにシールド効果を奏するチューブ状の導電性緩衝材A3,A4を嵌入しておく。また、詳細は図示しないが、上記ブロックA1,A2には、単位増幅器23aと分配器22、合成器24との銅箔による端子間接合部分に接触しないように切り欠き部を形成しておく。   First, a metal material having a shielding effect is used for the base plate 21. On the upper portions of the edge portions 221 and 241 of the distributor 22 and the combiner 24, inverted L-shaped blocks A1 and A2 made of a shielding material are placed. The side surfaces of these blocks A1 and A2 have dimensions that are flush with the end surfaces of the edge portions 221 and 241 of the distributor 22 and the combiner 24, respectively. Further, at the edge formed on the upper side of these blocks A1 and A2, a groove portion is formed in a portion contacting the upper surface of the case of each of the distributor 22 and the combiner 24, and a tube-like conductive material having a shielding effect is formed here. The cushioning materials A3 and A4 are inserted. Although not shown in detail, notches are formed in the blocks A1 and A2 so as not to contact the inter-terminal junctions of the unit amplifier 23a, the distributor 22, and the synthesizer 24 made of copper foil.

上記単位増幅器23aの側面には、分配器22及び合成器24の間(ブロックA1,A2の間)を閉塞するようにプレートA5,A6を装着する。この際、プレートA5,A6とベースプレート21との接合面、ブロックA1,A2との接合面には、それぞれシート状の導電性緩衝材A7,A8を介在させて隙間を埋めておく。上記ブロックA1,A2とプレートA5,A6はそれぞれの上面が同一面となる寸法であり、これらの部材の上面にはシールド材によるカバーA8を乗せ、要所(図では6カ所)で上からベースプレート21まで貫通するように螺子止めする。   Plates A5 and A6 are mounted on the side surface of the unit amplifier 23a so as to close the space between the distributor 22 and the combiner 24 (between the blocks A1 and A2). At this time, gaps are filled in the joint surfaces of the plates A5 and A6 and the base plate 21 and the joint surfaces of the blocks A1 and A2 with sheet-like conductive cushioning materials A7 and A8, respectively. The blocks A1 and A2 and the plates A5 and A6 have the same upper surface, and a cover A8 made of a shielding material is placed on the upper surface of these members, and the base plate is viewed from above at the main points (six locations in the figure). Screw it to 21.

上記の構造によれば、単位増幅器23aの底面はベースプレート21によってシールドされ、その側面はブロックA1,A2とプレートA5,A6によってシールドされ、その上面はカバーA8によってシールドされる。さらに、螺子止めによってブロックA1,A2が分配器22、合成器24の上面に圧接されるため、その間に介在される導電性緩衝材A3,A4も各接触面に密着され、よりいっそうのシールド効果を得ることができる。   According to the above structure, the bottom surface of the unit amplifier 23a is shielded by the base plate 21, its side surface is shielded by the blocks A1, A2 and the plates A5, A6, and its top surface is shielded by the cover A8. Furthermore, since the blocks A1 and A2 are pressed against the upper surfaces of the distributor 22 and the synthesizer 24 by screwing, the conductive cushioning materials A3 and A4 interposed between the blocks A1 and A2 are also brought into close contact with each contact surface, thereby further improving the shielding effect. Can be obtained.

したがって、上記構成による高周波電力増幅器では、分配器22の出力端子と合成器24の入力端子をそれぞれマイクロストリップ線路で構成し、単位増幅器23a,23bを基板のままベースプレート(ヒートシンク)21上に直接実装するようにするようにしている。このとき、単位増幅器23a,23bは、マイクロストリップ線路で構成されているために、そのまま銅箔等で分配器22と合成器24の出力端子、入力端子に接続できる。また、単位増幅器23a,23bは、ブロックA1,A2、プレートA5,A6、カバーA8によって、分配器22と合成器24の接続部分を含めて同時にシールドされる。この際、ブロックA1,A2とプレートA5,A6との間に導電性緩衝材A7を介在させている。これにより、分配器22、合成器24と単位増幅器23a,23bの間の寸法誤差によってシールドの隙間を生じさせないようにすることができる。   Therefore, in the high frequency power amplifier having the above configuration, the output terminal of the distributor 22 and the input terminal of the synthesizer 24 are each configured by a microstrip line, and the unit amplifiers 23a and 23b are directly mounted on the base plate (heat sink) 21 while being a substrate. I try to do that. At this time, since the unit amplifiers 23a and 23b are constituted by microstrip lines, they can be directly connected to the output terminals and input terminals of the distributor 22 and the combiner 24 with copper foil or the like. The unit amplifiers 23a and 23b are simultaneously shielded by the blocks A1 and A2, the plates A5 and A6, and the cover A8, including the connecting portion between the distributor 22 and the combiner 24. At this time, the conductive cushioning material A7 is interposed between the blocks A1 and A2 and the plates A5 and A6. Thereby, it is possible to prevent a shield gap from being generated due to a dimensional error between the distributor 22, the combiner 24, and the unit amplifiers 23a and 23b.

尚、上記実施形態で用いた導電性緩衝材A3,A4,A7は電波を反射することでシールド効果を得るものであるが、これに代わって電波を吸収する電波吸収体を用いても同様のシールド効果を得ることができる。   The conductive buffer materials A3, A4, and A7 used in the above embodiment obtain a shielding effect by reflecting radio waves. However, the same effect can be obtained by using a radio wave absorber that absorbs radio waves instead. A shielding effect can be obtained.

また、特に、上記の手法では、従来使用していた単位増幅器のケースを無くすことができるため、コストの高い部品を減らすことができる。また、分配器や合成器と接続する手法として、マイクロストリップ線路のまま接合するため、従来のように同軸線路に変換してケーブルで配線する必要がなくなり、これによってマイクロ波の電力損失を減らすことができ、機器の性能を向上することができる。   In particular, in the above method, the case of the unit amplifier that has been used conventionally can be eliminated, so that costly parts can be reduced. In addition, as a method of connecting to a distributor or synthesizer, since the microstrip line is joined as it is, there is no need to convert to a coaxial line and wire with a cable as in the past, thereby reducing microwave power loss. And the performance of the device can be improved.

尚、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

本発明に係る高周波電力増幅器の一実施形態の構造を示す上面図及び側面図。The top view and side view which show the structure of one Embodiment of the high frequency power amplifier based on this invention. 従来の高周波電力増幅器の構造を示す上面図及び側面図。The top view and side view which show the structure of the conventional high frequency power amplifier.

符号の説明Explanation of symbols

11…ベースプレート、12…2系統分配器、13a,13b…単位増幅器、14…2系統合成器、21…ベースプレート、22…2系統分配器、221…縁部、222a,222b…出力端子、23a,23b…単位増幅器、24…2系統合成器、241…縁部、242a,242b…入力端子、23a1,23b1…入力端子、23a2,23b2…出力端子、A1,A2…逆L字型ブロック、A3,A4…導電性緩衝材(電波吸収体)、A5,A6…プレート、A7…導電性緩衝材(電波吸収体)、A8…カバー。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Base plate, 12 ... Two system divider | distributor, 13a, 13b ... Unit amplifier, 14 ... Two system synthesizer, 21 ... Base plate, 22 ... Two system divider | distributor, 221 ... Edge, 222a, 222b ... Output terminal, 23a, 23b, unit amplifier, 24, two-line synthesizer, 241, edge, 242a, 242b, input terminal, 23a1, 23b1, input terminal, 23a2, 23b2, output terminal, A1, A2, inverted L-shaped block, A3 A4 ... conductive buffer material (radio wave absorber), A5, A6 ... plate, A7 ... conductive buffer material (radio wave absorber), A8 ... cover.

Claims (3)

シールド材料によるベースプレートと、
前記ベースプレートの中央に同一方向に並べて固定され、それぞれ電力増幅基板の両側に入力端子及び出力端子がマイクロストリップ線路で形成される複数の単位増幅器と、
前記ベースプレートの前記複数の単位増幅器それぞれの入力端子側に配置され、本体部の幅が前記複数の単位増幅器の配置幅より広く、前記ベースプレートとの接合側に縁部が前記本体部と一体形成され、内部回路基板からマイクロストリップ線路による複数の出力端子が、前記複数の単位増幅器の入力端子と対向するように前記縁部上に形成され、高周波信号を入力して前記複数の出力端子に分配供給する分配器と、
前記ベースプレートの前記複数の単位増幅器それぞれの出力端子側に配置され、本体部の幅が前記複数の単位増幅器の配置幅より広く、前記ベースプレートとの接合側に縁部が前記本体部と一体形成され、内部回路基板からマイクロストリップ線路による複数の入力端子が、前記複数の単位増幅器の出力端子と対向するように縁部上に形成され、前記複数の入力端子に供給される高周波信号を合成して出力する合成器と、
前記分配器の複数の出力端子と前記複数の単位増幅器それぞれの入力端子との間、及び前記複数の単位増幅器それぞれの出力端子と前記合成器の複数の入力端子との間をそれぞれ接合する端子接合手段と、
前記複数の単位増幅器をシールドするシールド手段と
を具備し、
前記シールド手段は、
前記分配器及び合成器それぞれの縁部の上部に接合され、側面が縁部の端面と同一面となる寸法で少なくとも前記本体部と同等以上の高さとなるようにシールド材料で形成され、かつ前記端子間接合部分に接触しないように切り欠き部が形成される第1及び第2のブロックと、
前記第1及び第2のブロックが縁部に載置された前記分配器及び合成器の間の、前記複数の単位増幅器が配置された両側を閉塞するように接合され、前記第1及び第2のブロックと同じ高さとなるようにシールド材料で形成される第1及び第2のプレートと、
前記第1及び第2のブロックの上面間、前記第1及び第2のプレートの上面間を覆うように接合されるシールド材料によるカバーと
備えることを特徴とする高周波電力増幅器。
A base plate made of shielding material,
A plurality of unit amplifiers that are fixed in the same direction in the center of the base plate, each having input terminals and output terminals formed by microstrip lines on both sides of the power amplification substrate,
The base plate is arranged on the input terminal side of each of the plurality of unit amplifiers, the width of the main body is wider than the arrangement width of the plurality of unit amplifiers, and the edge is integrally formed with the main body on the joint side with the base plate. A plurality of output terminals by microstrip lines from the internal circuit board are formed on the edge so as to face the input terminals of the plurality of unit amplifiers, and a high frequency signal is input and distributed to the plurality of output terminals. A distributor to
The base plate is arranged on the output terminal side of each of the plurality of unit amplifiers, the width of the main body is wider than the arrangement width of the plurality of unit amplifiers, and the edge is integrally formed with the main body on the joint side with the base plate. A plurality of input terminals by microstrip lines from the internal circuit board are formed on the edge so as to face the output terminals of the plurality of unit amplifiers, and a high frequency signal supplied to the plurality of input terminals is synthesized. An output synthesizer;
A terminal junction that joins between a plurality of output terminals of the distributor and input terminals of the plurality of unit amplifiers, and between an output terminal of each of the plurality of unit amplifiers and a plurality of input terminals of the combiner. Means,
Shielding means for shielding the plurality of unit amplifiers;
Comprising
The shielding means includes
It is joined to the upper part of the edge of each of the distributor and the combiner, is formed of a shielding material so that the side surface is flush with the end surface of the edge, and is at least as high as the main body, and First and second blocks in which notches are formed so as not to contact the inter-terminal joints;
The first and second blocks are joined so as to close both sides where the plurality of unit amplifiers are arranged between the distributor and the combiner mounted on the edge, and the first and second blocks First and second plates formed of a shielding material so as to be the same height as the block of
Wherein between the upper surface of the first and second blocks, said first and second plates of the high-frequency power amplifier, characterized in that it comprises a cover with <br/> by shielding material which is bonded to cover the inter-top.
前記シールド手段は、前記プレートの接合に導電性緩衝材または電波吸収体を介在させることを特徴とする請求項1記載の高周波電力増幅器。   2. The high frequency power amplifier according to claim 1, wherein the shield means interposes a conductive buffer material or a radio wave absorber in the joining of the plates. 前記シールド手段は、前記ブロックに前記分配器、合成器それぞれの上面と対向する縁部を形成し、その縁部と対向面との間に導電性緩衝材または電波吸収体を介在させることを特徴とする請求項1記載の高周波電力増幅器。   The shield means forms an edge portion facing the upper surface of each of the distributor and the combiner in the block, and a conductive buffer material or a radio wave absorber is interposed between the edge portion and the facing surface. The high frequency power amplifier according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9312817B2 (en) 2012-07-20 2016-04-12 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package design providing reduced electromagnetic coupling between circuit components
US9401342B2 (en) * 2013-06-27 2016-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package having wire bond wall to reduce coupling
US9240390B2 (en) 2013-06-27 2016-01-19 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor packages having wire bond wall to reduce coupling
EP3346607B1 (en) 2015-09-01 2021-03-17 Nec Corporation Power amplification apparatus and television signal transmission system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60214103A (en) * 1984-04-09 1985-10-26 Fujitsu Ltd Connecting terminal of microwave module
JPS6298303U (en) * 1985-12-09 1987-06-23
JPH02295203A (en) * 1989-05-10 1990-12-06 Toshiba Corp Microwave integrated circuit device
JP2000286614A (en) * 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd Connecting structure for microstrip line
JP2001244711A (en) * 2000-02-28 2001-09-07 Nec Corp Connection method for circuit board and microwave power combining amplifier using the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60214103A (en) * 1984-04-09 1985-10-26 Fujitsu Ltd Connecting terminal of microwave module
JPS6298303U (en) * 1985-12-09 1987-06-23
JPH02295203A (en) * 1989-05-10 1990-12-06 Toshiba Corp Microwave integrated circuit device
JP2000286614A (en) * 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd Connecting structure for microstrip line
JP2001244711A (en) * 2000-02-28 2001-09-07 Nec Corp Connection method for circuit board and microwave power combining amplifier using the same

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