JP4697404B2 - Optical recording medium protecting film forming sputtering target for - Google Patents

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この発明は、レーザー光により情報の記録、再生、記録および再生、並びに消去を行う光記録媒体の保護膜を形成するための異常放電発生の少ないスパッタリングターゲット(以下、ターゲットと云う)に関するものであり、そのターゲットを用いてAgまたはAg合金反射膜を硫化し変色し反射率を低下させることの少ない光記録媒体の保護膜を提供するものである。 This invention relates to a recording of information by a laser beam, reproduction, recording and reproduction, as well as abnormal discharge occurs less sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium to erase relates (hereinafter referred to as the target) , there is provided a protective layer of small optical recording medium of reducing the sulfiding Ag or Ag alloy reflective film discolored reflectance using the target.

一般に、上記の光ディスクなどの光記録媒体を構成する保護膜(下部保護膜および上部保護膜を含む。以下、同じ)はスパッタリングにより形成することが知られており、例えば、特許文献1には、質量%で、二酸化けい素(SiO 2 ):4〜20%、酸化亜鉛(ZnO):20〜35%を含有し、さらに必要に応じて、Al 23 、Ga 23 、TiO 2 、MgO、およびNb 2のうちの1種または2種以上:0.5〜5%を含有し、残部が硫化亜鉛(ZnS)からなるホットプレス焼結体で構成した光記録媒体保護層形成用ターゲットが知られている。 In general, the protective film constituting the optical recording medium such as the above optical disc (including a lower protective layer and upper protective layer. Hereinafter, the same) are known to be formed by sputtering, for example, Patent Document 1, by mass%, silicon dioxide (SiO 2): 4~20%, zinc oxide (ZnO): containing 20 to 35%, if necessary, Al 2 O 3, Ga 2 O 3, TiO 2, MgO, and Nb 2 O 5 1 or two or more of: containing 0.5% to 5%, the optical recording medium protective layer was composed of a hot press sintered body balance of zinc sulfide (ZnS) formed use the target is known. この光記録媒体保護層形成用ターゲットは、高出力スパッタ条件でスパッタリングを行っても割れが発生することがない優れた耐割損性を有するターゲットであるとされている。 The optical recording medium protective layer forming target is a even if the sputtering at high power sputtering conditions cracking is a target having an excellent anti-crack loss resistance does not occur.

さらに特許文献2には、硫化亜鉛を主成分とし、さらに酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛から選択した1種以上の導電性酸化物:1〜50モル%、さらに酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ジルコニウム、酸化ゲルマニウム、酸化アンチモン、酸化ニオブから選択した1種以上の酸化物を導電性酸化物に対して質量換算で0.01〜20%含有し、さらに酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化燐、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物の内の1種以上を二酸化珪素に対する質量比で0.1%以上含有する二酸化珪素を主成分としたガラス形成酸化物:1〜30モル%含有したターゲットが記載されている。 Further, Patent Document 2, a main component zinc sulfide, further indium oxide, tin oxide, one or more electrically conductive oxide selected from zinc oxide: 50 mol%, further aluminum oxide, gallium oxide, zirconium oxide , germanium oxide, antimony oxide, one or more oxides selected from niobium oxide containing 0.01% to 20% by mass in terms to the conductive oxide, further aluminum oxide, boron oxide, phosphorus oxide, an alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides of one or more glass forming oxides mainly containing silicon dioxide containing more than 0.1% by mass ratio of silicon dioxide of the: containing the target 1 to 30 mol% Have been described. ここで二酸化珪素をガラス形成酸化物として添加する理由は、二酸化珪素を単独で添加すると異常放電の起点となり易いが、二酸化珪素をガラス形成酸化物として含有させると異常放電がなくなるからであるとされている。 Here reason of adding silicon dioxide as a glass forming oxide is liable to become a starting point of abnormal discharge the addition of silicon dioxide alone is a silicon dioxide is because abnormal the inclusion as a glass forming oxide discharge is eliminated ing.
特開2001−98361号公報 JP 2001-98361 JP 特開2003−242684号公報 JP 2003-242684 JP

近年の光記録媒体の高速記録化に伴い、光記録媒体の反射膜として熱伝導率が高くかつ反射率が高い特性を必要とすることから、Ag膜が使用されてきている。 With the high-speed recording in recent years optical recording medium, since the heat conductivity is high and the reflectance requires high properties as a reflective film for an optical recording medium, Ag film have been used. しかし、Agは硫黄による酸化(硫化)により変色しやすく、そのために反射率が低下しやすい特性を有しており、ZnSを主成分とする保護膜がAg反射膜に接して形成されている光記録媒体は高温高湿環境下に置かれるとAg反射膜は硫黄により腐食され、Ag反射膜の反射率が低下する。 However, Ag is formed in contact easily discolored by oxidation (sulphide) with sulfur, the reflectance due to have a likely property deterioration, the protective film is Ag reflective film mainly composed of ZnS light recording medium when placed under high-temperature and high-humidity environment Ag reflective layer is corroded by sulfur, the reflectivity of the Ag reflective layer is lowered. かかるAg反射膜の硫化による変色とそれに伴う反射率の低下を防止すべく反射膜を耐硫化性に優れた各種Ag合金膜からなる反射膜が提案されているが、十分に満足できるものではなかった。 The reflection film made of various Ag alloy film reflective film in order to prevent a decrease in reflectance excellent sulfidation resistance caused discoloration and therewith by sulfurization of such Ag reflective film have been proposed, not been completely satisfactory It was.

さらに、従来の二酸化珪素を主成分としたガラス形成酸化物粉末を添加した混合粉末をホットプレスしてターゲットを作製すると、二酸化珪素を主成分としたガラス形成酸化物粉末は軟化し易いから、特に密度を高める目的で高温高圧でホットプレスすると、ガラス形成酸化物は軟化してターゲットの断面組織において扁平状に変形し、スパッタ中にターゲットに割れが発生したり、異常放電を発生したりする。 Furthermore, a conventional powder mixture with added glass-forming oxide powder and silicon dioxide as a main component the hot pressed to produce a target, because glass forming oxide powder composed mainly of silicon dioxide is likely to soften, particularly When pressed at high temperature and pressure in order to increase the density, glass-forming oxide is deformed into a flat shape in softened to target cross-sectional structure, cracks in the target may occur during the sputtering, or cause abnormal discharge.

そこで、本発明者らは上述の観点から高温高湿環境下に置かれてもAgまたはAg合金からなる反射膜が硫化して反射率が低下するのを防止すべく、さらにスパッタ中にターゲットの割れが発生したり異常放電が発生したりすることのない光記録媒体保護膜形成用のターゲットを得るべく研究を行った。 Therefore, the inventors in order to prevent the reflectance and sulphide reflective film made of a high temperature and high humidity Ag or Ag alloy be placed under environmental view of the above is decreased, further the target during sputtering cracks are or abnormal discharge generated was studied to obtain the target optical recording medium for forming a protective film that will not or generated. その結果、 as a result,
(イ)前記硫化に伴うAgまたはAg合金反射膜の反射率の低下は、スパッタ中にZnSが一部乖離して硫黄(S)が遊離することが原因であり、こうした遊離したSによる硫化を防止するには、酸化亜鉛:10〜30%と、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%を共に含むことが有効であること、 (B) reduction of the reflectance of Ag or Ag alloy reflective film due to the sulfide, ZnS during sputtering deviate part is caused by the sulfur (S) is liberated, the sulfide by such liberated S to prevent the zinc oxide: 10 to 30% gallium oxide: 1 to 15% indium oxide: it is possible to include both 1% to 15% is valid,
(ロ)前記スパッタ中にターゲットの割れが発生したり異常放電が発生したりすること防止するためには、二酸化珪素は、ガラス形成酸化物として含まれるよりも、微細な二酸化ケイ素粉末として含まれる方が異常放電の発生が少ないこと、その微細な二酸化ケイ素粉末の含有量は従来の含有量よりも少量の1〜5モル%であること、その粒径は最大粒径:15μm以下でかつ平均粒径:0.5〜3μmの範囲内にあることが好ましい、などの研究結果が得られたのである。 For (b) abnormal discharge cracking of the target during sputtering may occur to prevent or to occur, silicon dioxide is included as a silicon dioxide powder is also fine than included as a glass forming oxide it is abnormal discharge that occurs is small, that the content of fine silicon dioxide powder is from 1 to 5 mol% small than conventional content, the particle size is the maximum particle size: and an average is 15μm or less particle size: is preferably in the range of 0.5 to 3 [mu] m, is the study results, such as are obtained.

この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、 This invention, which was made on the basis of the research results,
(1)モル%で、酸化亜鉛:10〜30%、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%、二酸化珪素:1〜5%を含有し、残部:硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成を有する、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット、 (1) in mole%, zinc oxide: 10% to 30%, gallium oxide: 1 to 15%, indium oxide: 1 to 15%, silicon dioxide: contains 1-5%, balance: zinc sulfide and unavoidable impurities It made having the composition, silver or protective film forming sputtering target for an optical recording medium having a silver alloy reflection film,
(2)モル%で、酸化亜鉛:10〜30%、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%、二酸化珪素:1〜5%を含有し、残部:硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに二酸化珪素は最大粒径:15μm以下でかつ平均粒径:0.5〜3μmの範囲内にある微細粒子として素地中に分散している組織を有する、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。 (2) in mol%, zinc oxide: 10% to 30%, gallium oxide: 1 to 15%, indium oxide: 1 to 15%, silicon dioxide: contains 1-5%, balance: zinc sulfide and unavoidable impurities a composition, as well as silicon dioxide maximum particle diameter: and the average particle size is 15μm or less: having dispersed tissue in the matrix as fine particles that are within the scope of 0.5 to 3 [mu] m, the silver or silver alloy reflective film protective film forming sputtering target for an optical recording medium having, and it has the characteristics to.
本発明者らはさらに研究を行った結果、前記(1)または(2)記載の光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲットにさらに酸化アルミニウムを0.05〜2モル%含有させることによりターゲット自体の導電性をさらに高め、特に直流スパッタに際して異常放電の抑制効果をさらに発揮すること、この酸化アルミニウムは酸化亜鉛に固溶した導電性酸化物の状態でターゲットに含まれることが一層好ましいこと、などの研究結果が得られたのである。 The inventors have found that further research, the (1) or (2) the target by further aluminum oxide containing 0.05 to 2 mol% in the protective film forming sputtering target for an optical recording medium according itself conductive further enhanced, especially to further exhibit the effect of suppressing abnormal discharge during DC sputtering, the aluminum oxide that it is more preferably contained in the target in the form of a conductive oxide solid solution in the zinc oxide, etc. it is the research results were obtained.
この発明は、かかる研究結果に基づいてなされたものであって、 The present invention was made on the basis of the research results,
(3)モル%で、酸化亜鉛:10〜30%、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%、二酸化珪素:1〜5%、酸化アルミニウム:0.05〜2%を含有し、残部:硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成を有する、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット、 (3) in mol%, zinc oxide: containing 0.05 to 2%: 10-30%, gallium oxide: 1 to 15%, indium oxide: 1 to 15%, silicon dioxide: 1 to 5% of aluminum oxide and, the balance has a composition consisting of zinc sulfide and unavoidable impurities, the protective film forming sputtering target for an optical recording medium having a silver or silver alloy reflective film,
(4)モル%で、酸化亜鉛:10〜30%、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%、二酸化珪素:1〜5%、酸化アルミニウム:0.05〜2%を含有し、残部:硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに酸化アルミニウムは酸化亜鉛に固溶した状態で含まれており、さらに二酸化珪素は最大粒径:15μm以下でかつ平均粒径:0.5〜3μmの範囲内にある微細粒子として素地中に分散している組織を有する、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。 (4) in mol%, zinc oxide: containing 0.05 to 2%: 10-30%, gallium oxide: 1 to 15%, indium oxide: 1 to 15%, silicon dioxide: 1 to 5% of aluminum oxide and the balance: composition consisting of zinc sulfide and unavoidable impurities, and aluminum oxide is contained in a state of solid solution in the zinc oxide, further silicon dioxide maximum particle diameter: and the average particle size is 15μm or less: 0.5 having tissue dispersed in the matrix as fine particles in the range of 3 [mu] m, in which the protective film forming sputtering target for an optical recording medium having a silver or silver alloy reflective film, a has a feature.

前記(1)〜(2)記載の光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、原料粉末として、平均粒径:1〜3μmの酸化亜鉛粉末、平均粒径:1〜3μmの酸化ガリウム粉末、平均粒径:1〜3μmの酸化インジウム粉末、最大粒径:15μm以下かつ平均粒径:0.5〜3μmの範囲内にある二酸化珪素粉末、平均粒径:3〜8μmの硫化亜鉛粉末を用意し、これら原料粉末を、モル%で、酸化亜鉛粉末:10〜30%、酸化ガリウム粉末:1〜15%、酸化インジウム粉末:1〜15%、二酸化珪素粉末:1〜5%を含有し、残部:硫化亜鉛粉末からなる配合組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスすることにより製造することができる。 Wherein (1) - (2) In order to produce the protective film forming sputtering target for an optical recording medium according as the raw material powder having an average particle diameter of zinc oxide powder 1 to 3 [mu] m, average particle size: 1 to 3 [mu] m of gallium oxide powder, average particle size: indium oxide powder of 1 to 3 [mu] m, maximum particle diameter: 15 [mu] m or less and an average particle diameter of the silicon dioxide powder which is in the range of 0.5 to 3 [mu] m, average particle size: 3 to 8 [mu] m sulphide providing a zinc powder, these raw material powders, in mol%, zinc oxide powder: 10-30%, gallium oxide powder: 1 to 15%, indium oxide powder: 1 to 15%, silicon dioxide powder: 1-5% containing the balance: it is possible to prepare a mixed powder compounded mixture serves as blend composition consisting of zinc sulfide powder is prepared by hot pressing a mixed powder.

前記(3)〜(4)記載の光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、原料粉末として、モル%で、酸化アルミニウムを0.5〜2%を含有する平均粒径:0.2〜1μmの導電性酸化亜鉛粉末、平均粒径:1〜3μmの酸化ガリウム粉末、平均粒径:2〜3μmの酸化インジウム粉末、最大粒径:15μm以下かつ平均粒径:0.5〜3μmの範囲内にある二酸化珪素粉末、平均粒径:3〜5μmの硫化亜鉛粉末を用意し、これら原料粉末を、モル%で、導電性酸化亜鉛粉末:10〜30%、酸化ガリウム粉末:1〜15%、酸化インジウム粉末:1〜15%、二酸化珪素粉末:1〜5%を含有し、残部:硫化亜鉛粉末からなる配合組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスする The (3) - (4) In order to produce the protective film forming sputtering target for an optical recording medium according as raw material powder, in mol%, average particle size, containing 0.5 to 2% aluminum oxide: conductive zinc oxide powder of 0.2 to 1 [mu] m, average particle size: gallium oxide powder 1 to 3 [mu] m, average particle size: indium oxide powder of 2 to 3 [mu] m, maximum particle diameter: 15 [mu] m or less and the average particle size: 0.5 silicon dioxide powder is in the range of ~3Myuemu, average particle size: preparing zinc sulfide powder of 3 to 5 [mu] m, these raw material powders, in mol%, electroconductive zinc oxide powder: 10-30%, gallium oxide powder: 1% to 15%, indium oxide powder: 1 to 15% silicon dioxide powder: containing 1-5%, balance: to prepare a mixed powder compounded mixture serves as blend composition consisting of zinc sulfide powder, the mixed powder to hot press ことにより製造することができる。 It can be produced by.

この発明の、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用ターゲットの成分組成を上記の通りに限定した理由を説明する。 Of the present invention, the composition of the protective film forming target of an optical recording medium having a silver or silver alloy reflective film for explaining the reasons for limiting as described above.


(a)酸化亜鉛 酸化亜鉛は、硫化亜鉛とともにスパッタされ混合膜となると、スパッタ中にZnSの乖離から発生する遊離したSの拡散を抑制し、SとAgとの反応を抑制してAgまたはAg合金反射膜の硫化を抑制する作用を有し、さらに酸化亜鉛は真空または還元性雰囲気において容易に酸素欠損を生じ、電子を放出することにより導電性を付与する役割があり、高周波スパッタのみならず直流スパッタにも適用することを可能とし、さらにスパッタ中の成膜速度を高くすることができる作用を有するが、その含有量が10モル%未満では前記Sの拡散防止効果および導電性の付与効果がなく、一方、30モル%を越えて含有すると酸素欠損のムラが生じ、直流スパッタにおいて異常放電が生じ易くなるので好ましくない。 (A) zinc oxide, zinc oxide, when a mixed film is sputtered with zinc sulfide, and suppress the diffusion of free S generated from deviation of ZnS in sputtering, by suppressing the reaction between S and Ag Ag or Ag has action to inhibit sulfurization of the alloy reflective film, further zinc oxide is produced easily oxygen deficiency in a vacuum or reducing atmosphere, is responsible for imparting conductivity by emitting electrons, not only the high-frequency sputtering it possible to be applied to a DC sputtering, further has an effect capable of increasing the deposition rate in the sputtering, diffusion prevention effect and conductivity-imparting effect of the content of the S is less than 10 mol% without, while undesirable cause unevenness of oxygen deficiency when the content exceeds 30 mol%, the abnormal discharge is likely to occur in a DC sputtering. したがって、酸化亜鉛の含有量を10〜30モル%に定めた。 Thus, defining the content of zinc oxide in 10 to 30 mol%. 酸化亜鉛の含有量の一層好ましい範囲は20〜25モル%である。 A more preferred range of the content of zinc oxide is 20 to 25 mol%.

(b)酸化インジウム 酸化インジウムは、酸化亜鉛とともに含有させると、スパッタ中にZnSの乖離から発生する遊離したSの拡散をより抑制し、SとAgとの反応をより抑制することによりAgまたはAg合金反射膜の硫化をより抑制するとともに、保護膜のアモルファス安定性に効果があるが、その含有量が1モル%未満では前記の効果が得られず、一方、15モル%を越えて含有すると密度ムラが生じ易くなるので好ましくない。 (B) indium oxide, indium oxide, the inclusion together with zinc oxide, the diffusion of free S generated from deviation of ZnS in sputtered suppressed, Ag or Ag by further suppressing the reaction between S and Ag with further inhibit sulfide alloy reflective film has an effect in the amorphous stability of the protective film, the content can not be obtained the effect of the is less than 1 mol%, whereas, when the content exceeds 15 mol% undesirable density unevenness is likely to occur. したがって、酸化インジウムの含有量を1〜15モル%に定めた。 Thus, defining the content of indium oxide in 15 mole%. 酸化インジウムの含有量の一層好ましい範囲は4〜8モル%である。 A more preferred range of the content of the indium oxide is 4-8 mol%.

(b)酸化ガリウム酸化ガリウムは酸化インジウムと同様に酸化亜鉛とともに含有させることでスパッタ中にZnSの乖離から発生する遊離したSの拡散を抑制し、SとAgとの反応を抑制することによりAgまたはAg合金反射膜の硫化を抑制し、さらに酸化亜鉛との界面にて固溶体を形成してターゲットの耐スパッタ割れ性を向上させる作用を有するが、その含有量が1モル%未満では前記のいずれの効果も発揮できず、一方、15モル%を越えて含有すると密度ムラが生じ易くなるので好ましくない。 (B) Gallium oxide Gallium oxide to suppress the diffusion of free S generated from deviation of ZnS in sputtering by the inclusion with similarly zinc oxide and indium oxide, Ag by suppressing the reaction between S and Ag or suppressing the sulphide of Ag alloy reflective film, any further has an effect of forming a solid solution to improve the resistance to sputtering cracking of the target at the interface between the zinc oxide, the content is above is less than 1 mol% also can not be exerted effects, whereas, undesirable when the content density unevenness is likely to occur than 15 mol%. したがって、酸化ガリウムの含有量を1〜15モル%に定めた。 Thus, defining the content of gallium oxide 1-15 mole%. 酸化ガリウムの含有量の一層好ましい範囲は4〜8モル%である。 A more preferred range of the content of gallium oxide is 4-8 mol%.

(c)二酸化珪素二酸化珪素は、硫化亜鉛との混合膜となることにより保護膜のアモルファス安定性を向上させる作用があるが、その含有量が1モル%未満では前記のいずれの効果も発揮できず、一方、5モル%を越えて含有するとスパッタ中の異常放電が多くなり易くなるので好ましくない。 (C) silicon dioxide, silicon dioxide, although an effect of improving the amorphous stability of the protective film by a mixed film of zinc sulfide, can also exert any effect of the content of the is less than 1 mol% It not, on the other hand, unfavorably easily becomes many abnormal discharge during sputtering when the content exceeds 5 mol%. したがって、二酸化ケイ素の含有量を1〜5モル%に定めた。 Thus, defining the content of silicon dioxide in 1-5 mol%. 二酸化ケイ素の含有量の一層好ましい範囲は2.0〜3.5モル%である。 A more preferred range of the content of silicon dioxide is 2.0 to 3.5 mol%.

また、二酸化珪素は、ターゲットの組織においてその粒径が異常放電に大きく影響を及ぼし、素地中に均一分散している二酸化ケイ素粒は微細であるほど異常放電の発生が少なくなる。 Further, silicon dioxide, the particle size in the target tissue exerts a great influence on the abnormal discharge, silicon dioxide particles are uniformly dispersed in the matrix is ​​less generated enough are fine abnormal discharge. したがって、素地中に均一分散している二酸化ケイ素粒は最大粒径が15μm以下でかつ平均粒径が0.5〜3μmの範囲内にあることが好ましい。 Therefore, silicon dioxide particles are uniformly dispersed in the matrix is ​​the maximum particle size and the average particle is 15μm or less diameter is preferably in the range of 0.5 to 3 [mu] m. その理由は、ターゲット素地中に15μmを越える大きな二酸化珪素粒があると異常放電が発生し易くなるので好ましくなく、また、素地中に均一分散している二酸化珪素粒の平均粒径が0.5μm未満のターゲットを作製しようとすると原料粉末として0.5μm未満の微細な二酸化珪素粉末を使用する必要があり、かかる微細な二酸化珪素粉末を使用してターゲットを製造しようとすると、その製造時に粉末同士が凝集し、大きな凝集塊となってターゲット素地中に分散するようになり、この大きな凝集塊が素地中に分散しているターゲットはスパッタに際してかえって異常放電が発生し易くなるからである。 The reason is not preferable since abnormal discharge when there is a large silicon dioxide particles exceeding 15μm to the target in the matrix is ​​liable to occur, The average particle size of the silicon dioxide particles are uniformly dispersed in the matrix is ​​0.5μm than when you try to prepare a target must use a fine silicon dioxide powder of less than 0.5μm as raw material powder, an attempt to produce a target using such a fine silicon dioxide powder, the powder between the time of its production There aggregate, now dispersed in the target matrix is ​​a major aggregates, target this large agglomerates are dispersed in the matrix is ​​because rather abnormal discharge during sputtering is likely to occur. また、素地中に均一分散している二酸化珪素粒の平均粒径が3μmを越えるようになると、微小なノジュールが発生し易くなり、異常放電の起点となりやすいので好ましくないからである。 When the average particle diameter of the silicon dioxide particles are uniformly dispersed in the matrix is ​​exceeding 3 [mu] m, easily small nodules occur, is not preferable because the easily become a starting point of abnormal discharge.

(d)酸化アルミニウム酸化アルミニウムは、ターゲット自身の導電性を高め、特に直流スパッタに際して異常放電の抑制効果をさらに発揮するので必要に応じて添加するが、その含有量は0.05モル%未満では十分な異常放電抑制効果を発揮することができず、一方、2モル%を越えて含有すると、保護膜の光学特性が損なわれるようになるので好ましくない。 (D) aluminum oxide aluminum oxide increases the conductivity of the target itself, in particular but optionally added because further exhibit the effect of suppressing abnormal discharge during DC sputtering, the content thereof is less than 0.05 mol% It can not exhibit sufficient abnormal discharge suppressing effect, whereas, when the content exceeds 2 mol%, the optical properties of the protective film comes to be impaired undesirably. したがって、酸化アルミニウムの含有量は0.05〜2モル%に定めた。 Therefore, the content of aluminum oxide was set to 0.05 to 2 mol%.
なお、酸化アルミニウムは、酸化亜鉛に固溶することにより導電性酸化物となることから、酸化アルミニウムは酸化亜鉛に固溶した導電性酸化物の状態でターゲットに含有されていることが特に直流スパッタに際して一層好ましい。 Incidentally, aluminum oxide, since the conductive oxide by solid solution of zinc oxide, aluminum oxide is particularly DC sputtering contained in the target in the form of a conductive oxide solid solution in the zinc oxide more preferred when.

この発明の光記録媒体保護膜形成用のターゲットは、スパッタに際したスパッタ中にターゲットが割れたり異常放電が発生したりすることのないので効率的に光記録媒体保護膜を作製することができ、また得られた光記録媒体保護膜はAgまたはAg合金からなる反射膜が硫化して反射率が低下するのを防止することができるなど優れた効果を奏するものである。 The target of the optical recording medium for forming a protective film of the invention, since without the target is cracked or abnormal discharge or generated can be efficiently manufacture an optical recording medium protecting film during the sputtering was Saishi to sputtering, the obtained optical recording medium protecting film are those excellent effects such as it is possible to prevent the reflectance and sulphide reflective film made of Ag or an Ag alloy is reduced.

発明を実施するための最良の態様 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

つぎに、この発明の光記録媒体保護膜形成用ターゲットを実施例により具体的に説明する。 It will now be specifically illustrated by the examples an optical recording medium protecting film formation target of the present invention.

原料粉末として、平均粒径:4.5μmを有する純度:99.99%以上のZnS粉末、平均粒径:1.1μmを有する純度:99.99%以上のZnO粉末、平均粒径:1.5μmを有する純度:99.9%以上のGa 23粉末、平均粒径:0.83μmを有する純度:99.9%以上のIn 23粉末を用意し、さらに最大粒径および平均粒径の異なる純度:99.99%以上のSiO 2粉末を用意した。 As the raw material powder, average particle size: purity having 4.5 [mu] m: 99.99% or more ZnS powder, the average particle diameter: purity having 1.1 .mu.m: 99.99% or more ZnO powder, average particle size: 1. purity having a 5 [mu] m: 99.9% or more Ga 2 O 3 powder having an average particle diameter purity having 0.83 .mu.m: 99.9% or more of the in 2 O 3 powder was prepared, further maximum particle diameter and average particle diameter different purity was prepared of 99.99% or more SiO 2 powder.

さらにZnOにAl 23が0.5モル%、1.0モル%および5モル%固溶した平均粒径がそれぞれ0.73μm、0.70μmおよび0.65μmを有する導電性酸化亜鉛粉末を用意した。 Furthermore Al 2 O 3 is 0.5 mol% to ZnO, 1.0 mol% and 5 mol% solid solution average particle diameter of each of 0.73 .mu.m, the electroconductive zinc oxide powder having 0.70μm and 0.65μm It was prepared.
実施例1 Example 1
これら原料粉末を表1〜2に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末を黒鉛型に充填した状態で、ホットプレス装置に装入し、雰囲気:1×10 -2 Torrの真空雰囲気、温度:1100℃、圧力:30MPa、保持時間:3時間の条件で焼結してホットプレスすることにより、いずれも直径:154mm×厚さ:6mmの寸法をもった表1〜2の配合組成と同じ成分組成を有する本発明ターゲット1〜16および比較ターゲット1〜10を作製し、これら本発明ターゲット1〜16および比較ターゲット1〜10の素地中に分散しているSiO 2粒の最大粒径および平均粒径を測定し、その結果を表1〜2に示した。 These after raw material powders were uniformly mixed by weighed Henschel mixer so that the blending composition shown in Table 1-2, in a state filled with the mixed powder into a graphite mold, was charged into a hot press apparatus, Atmosphere: a vacuum atmosphere of 1 × 10 -2 Torr, temperature: 1100 ° C., pressure: 30 MPa, retention time: by hot pressing and sintering under the conditions of 3 hours, both the diameter: 154 mm × thickness: the dimension of 6mm You have to prepare a present invention targets 1-16 and comparative target 10 having the same component composition as the blended composition shown in Table 1-2, dispersed in the matrix thereof present invention targets 1-16 and comparative target 10 and it is to measure the maximum particle diameter and average particle diameter of SiO 2 grains, and the results are shown in Table 1-2.

本発明ターゲット1〜16および比較ターゲット1〜10の素地中に分散しているSiO 2粒の最大粒径はターゲットの任意の1個所から10mm角程度に切り出してサンプルを作製し、サンプルの断面を研磨したのち、走査型電子顕微鏡にて倍率:1000倍で観察することにより視野内のSiO 2粒の最大長さを実測し、その最大長さを最大粒径と定義して測定することにより求め、さらに本発明ターゲット1〜16および比較ターゲット1〜10の素地中に分散しているSiO 2粒の平均粒径は、焼結前後において体積変化がないことから、原料としてのSiO 2粉末の平均粒径をレーザー回折・散乱法にて測定することにより求めた。 Maximum particle size of the SiO 2 grains dispersed in the in the matrix present invention targets 1-16 and comparative target 10 to form the samples cut out from any one point of the target to about 10mm square, a sample of the cross-section After polishing, the magnification by a scanning electron microscope: determined by actually measuring the maximum length SiO 2 grain of in the field of view by observation at 1000 times, measured by defining the maximum particle size and the maximum length further the average particle size of the SiO 2 grains dispersed in the in the matrix present invention targets 1-16 and comparative target 10, since there is no volume change before and after sintering, the average of the SiO 2 powder as the raw material the particle size was determined by measuring by a laser diffraction and scattering method.

得られた本発明ターゲット1〜16および比較ターゲット1〜10を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて1×10 -6 Torr以下に排気したのち、Arガスを導入して装置内雰囲気を1.5×10 -3 Torrのスパッタガス圧とした。 The present invention targets 1-16 and comparative target 10 obtained in a state of being soldered to a water-cooled backing plate made of oxygen-free copper, attached to a DC magnetron sputtering apparatus, 1 × 10 first the inside of the apparatus by a vacuum evacuation device -6 Torr After evacuated to below, and the apparatus atmosphere by introducing Ar gas was 1.5 × 10 -3 Torr of sputtering gas pressure. また、厚さ:0.6mmのポリカーボネート基板をターゲットの間隔:70mmにて配置した。 The thickness: 0.6 mm polycarbonate substrate of the target interval: were placed at 70 mm.

かかる状態で本発明ターゲット1〜16および比較ターゲット1〜10を用い、直流電源にてスパッタ電力:1kWを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ:50nmを有する光記録媒体保護膜を形成した保護膜成膜サンプルを作製した。 The present invention targets 1-16 and comparative target 10 used in such a state, a sputtering power in the DC power supply: thickness on the polycarbonate substrate surface by applying a 1kW of: forming an optical recording medium protecting film with 50nm to prepare a protective film deposition sample. この保護膜成膜サンプルの光記録媒体保護膜について、分光エリプソメーターを使用して波長:650nmにおける屈折率を測定し、この測定結果を表1〜2に示すことにより光記録媒体保護膜の基本特性である屈折率を評価した。 An optical recording medium protecting film of the protective film deposition sample, the wavelength using a spectroscopic ellipsometer: the refractive index at 650nm was measured and the basic optical recording medium protecting film by measurement results are shown in Table 1-2 were evaluated refractive index is characteristic.

また、スパッタ中の放電の安定性を評価するために、前記光記録媒体保護膜の形成条件にて5時間連続スパッタし、スパッタ中の異常放電回数を測定し、その結果を表1〜2に示した。 In order to evaluate the stability of discharge during sputtering, and 5 hours of continuous sputtering at formation conditions of the optical recording medium protecting film, to measure the abnormal number of discharges during sputtering, the results are given in Table 1-2 Indicated.

次に、Nd:0.9質量%、Cu:1質量%、残部AgからなるAg合金ターゲットを用い、前記保護膜成膜サンプルの光記録媒体保護膜の上に膜厚:200nmのAg合金反射膜を成膜することにより保護膜−反射膜成膜サンプルを作製し、この保護膜−反射膜成膜サンプルを温度:80℃、湿度:85%の高温高湿槽に300時間保管し、ポリカーボネート基板側からAg合金反射膜の変色状態を目視にて観察し、変色がない場合を〇、一部変色がある場合を△、変色ありの場合を×として、その結果を表1〜2に示した。 Next, Nd: 0.9 mass%, Cu: 1 mass%, an Ag alloy target and the balance Ag, thickness on the optical recording medium protecting film of the protective film forming samples: 200 nm of Ag alloy reflective to produce a reflective film deposition sample, the protective film - - film protective film by depositing a reflective film deposition sample temperature: 80 ° C., humidity: store 300 hours in a high-temperature high-humidity bath of 85%, polycarbonate observing the color change of the Ag alloy reflective film from the substrate side was visually 〇 a case where there is no color change, a case where there is some discoloration △, as × a case where there is discoloration, and the results are shown in tables 1 and 2 It was.
従来例1 Conventional Example 1
原料粉末として、珪酸ガラス(SiO 2 −0.2%Al O 3 −0.12%Na 2 O)粉末を用意し、SiO 2粉末の代りに珪酸ガラス粉末を使用する以外は実施例1と同様にして従来ターゲット1を作製し、従来ターゲット1を使用して実施例1と同じ条件で従来光記録媒体保護膜を前記ポリカーボネート基板表面に形成することにより保護膜成膜サンプルを作製した。 As raw material powders, silicate glass (SiO 2 -0.2% Al 2 O 3 -0.12% Na 2 O) powder was prepared, except for using silicate glass powder in place of the SiO 2 powder is conventionally in the same manner as in Example 1 to prepare a target 1, to prepare a protective film deposited sample by forming a conventional optical recording medium protecting film on the polycarbonate substrate surface using a conventional target 1 under the same conditions as in example 1.

この保護膜成膜サンプルの光記録媒体保護膜について、分光エリプソメーターを使用して波長:650nmにおける屈折率を測定し、この測定結果を表2に示すことにより光記録媒体保護膜の基本特性である屈折率を評価した。 An optical recording medium protecting film of the protective film deposition sample, the wavelength using a spectroscopic ellipsometer: the refractive index at 650nm was measured and the measurement result in basic characteristics of the optical recording medium protecting film by indicating in Table 2 It was assessed a certain refractive index.

また、スパッタ中の放電の安定性を評価するために、前記光記録媒体保護膜の形成条件にて5時間連続スパッタし、スパッタ中の異常放電回数を測定し、その結果を表2に示した。 In order to evaluate the stability of discharge during sputtering, and 5 hours of continuous sputtering at formation conditions of the optical recording medium protecting film, an abnormal number of discharges during sputtering was measured. The results are shown in Table 2 .

次に、Nd:0.9質量%、Cu:1質量%、残部AgからなるAg合金ターゲットを用い、前記保護膜成膜サンプルの保護膜の上に膜厚:200nmのAg合金反射膜を成膜することにより保護膜−反射膜成膜サンプルを作製し、この保護膜−反射膜成膜サンプルを温度:80℃、湿度:85%の高温高湿槽に300時間保管し、ポリカーボネート基板側からAg合金反射膜の変色状態を目視にて観察し、変色がない場合を〇、一部変色がある場合を△、変色ありの場合を×として、その結果を表2に示した。 Next, Nd: 0.9 mass%, Cu: 1 mass%, an Ag alloy target and the balance Ag, thickness on the protective layer of the protective film forming sample: the Ag alloy reflective film of 200nm formed protective film by film - to produce a reflective film deposition sample, the protective film - the reflection film deposition sample temperature: 80 ° C., humidity: store 300 hours in a high-temperature high-humidity bath of 85%, from the polycarbonate substrate side the color change of the Ag alloy reflective film was visually observed, 〇 a case where there is no color change, a case where there is some discoloration △, as × a case where there is discoloration, and the results are shown in Table 2.

表1〜2に示される結果から、本発明ターゲット1〜16で形成された保護膜は従来ターゲット1で形成した保護膜に比べてAg合金反射膜を変色させることが少ないこと、さらに本発明ターゲット1〜16は従来ターゲット1に比べてスパッタ中の異常放電回数が格段に少ないことから、本発明ターゲット1〜16は従来ターゲット1に比べてパーティクル発生数が少なく、優れた保護膜を歩留良く形成することができることなどが解る。 From the results shown in Tables 1-2, the protective film formed by the present invention the target 1 to 16, it is less possible to discolor the Ag alloy reflective film in comparison with the protective film formed by the conventional target 1, further invention targets 1-16 from that is much less abnormal discharge count during sputtering as compared with the conventional target 1, the present invention targets 1-16 small number of particles generated as compared with the conventional target 1 may yield superior protection film it is seen like can be formed.
実施例2 Example 2
先に用意したZnOにAl 23が0.5モル%、1.0モル%および5モル%固溶した平均粒径:1μmを有する導電性酸化亜鉛粉末を表3に示される配合組成となるように配合し、混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を実施例1と同じ条件で焼結してホットプレスすることにより表4に示される本発明ターゲット17〜20を作製し、本発明ターゲット17〜20をを使用して実施例1と同じ条件でポリカーボネート基板表面に形成することにより保護膜成膜サンプルを作製した。 A ZnO previously prepared Al 2 O 3 is 0.5 mol%, average particle diameter was dissolved 1.0 mole% and 5 mole%: conductive zinc oxide powder having a 1μm and compounding compositions shown in Table 3 become so blended and mixed to prepare a mixed powder, to prepare a present invention targets 17 to 20 shown in Table 4 by hot pressing and sintering the mixed powder under the same conditions as in example 1, to prepare a protective film deposited sample by forming a polycarbonate substrate surface under the same conditions as in example 1 using the present invention targets 17-20.

この保護膜成膜サンプルを用い、分光エリプソメーターを使用して波長:650nmにおける屈折率を測定し、この測定結果を表4に示すことにより光記録媒体保護膜の基本特性である屈折率を評価した。 Using this protective film forming sample wavelength using a spectroscopic ellipsometer: the refractive index at 650nm was measured and evaluated refractive index which is a basic characteristic of an optical recording medium protecting film by measurement results are shown in Table 4 did.

その保護膜成膜サンプル作製のためのスパッタリング中に発生した異常放電回数を測定し、その結果を表4に示した。 Abnormal discharge number that occurred during the sputtering for the protective film forming samples produced was measured, and the results are shown in Table 4.

次に、Nd:0.9質量%、Cu:1質量%、残部AgからなるAg合金ターゲットを用い、前記保護膜成膜サンプルの保護膜の上に膜厚:200nmのAg合金反射膜を成膜することにより保護膜−反射膜成膜サンプルを作製し、この保護膜−反射膜成膜サンプルを温度:80℃、湿度:85%の高温高湿槽に300時間保管し、ポリカーボネート基板側からAg合金反射膜の変色状態を目視にて観察し、変色がない場合を〇、一部変色がある場合を△、変色ありの場合を×として、その結果を表4に示した。 Next, Nd: 0.9 mass%, Cu: 1 mass%, an Ag alloy target and the balance Ag, thickness on the protective layer of the protective film forming sample: the Ag alloy reflective film of 200nm formed protective film by film - to produce a reflective film deposition sample, the protective film - the reflection film deposition sample temperature: 80 ° C., humidity: store 300 hours in a high-temperature high-humidity bath of 85%, from the polycarbonate substrate side the color change of the Ag alloy reflective film was visually observed, 〇 a case where there is no color change, a case where there is some discoloration △, as × a case where there is discoloration, and the results are shown in Table 4.

表3〜4に示される結果から、さらにAl 23をZnOに固溶した状態で含む本発明ターゲット17〜20は、一層異常放電回数が少なくなることがわかる。 From the results shown in Table 3-4, the present invention targets 17-20 including a state where further solid solution Al 2 O 3 to ZnO, it is understood that less is more abnormal discharge number.

Claims (4)

  1. モル%で、酸化亜鉛:10〜30%、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%、二酸化珪素:1〜5%を含有し、残部:硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。 In mole%, zinc oxide: 10% to 30%, gallium oxide: 1 to 15%, indium oxide: 1 to 15%, silicon dioxide: contains 1-5%, balance: a composition consisting of zinc sulfide and unavoidable impurities characterized that, the protective film forming sputtering target for an optical recording medium having a silver or silver alloy reflective film to have.
  2. モル%で、酸化亜鉛:10〜30%、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%、二酸化珪素:1〜5%を含有し、残部:硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに二酸化珪素は最大粒径:15μm以下でかつ平均粒径:0.5〜3μmの範囲内にある微細粒子として素地中に分散している組織を有することを特徴とする、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。 In mole%, zinc oxide: 10% to 30%, gallium oxide: 1 to 15%, indium oxide: 1 to 15%, silicon dioxide: contains 1-5%, balance: composition consisting of zinc sulfide and unavoidable impurities, and silicon dioxide maximum particle size: 15 [mu] m or less and an average particle diameter and having a dispersed tissue in the matrix as fine particles that are within the scope of 0.5 to 3 [mu] m, a silver or silver alloy reflective protective film forming sputtering target for an optical recording medium having a membrane.
  3. モル%で、酸化亜鉛:10〜30%、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%、二酸化珪素:1〜5%、酸化アルミニウム:0.05〜2%を含有し、残部:硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。 In mole%, zinc oxide: 10% to 30%, gallium oxide: 1 to 15%, indium oxide: 1 to 15%, silicon dioxide: 1-5%, aluminum oxide: containing 0.05 to 2%, the balance : characterized by having a composition consisting of zinc sulfide and unavoidable impurities, the protective film forming sputtering target for an optical recording medium having a silver or silver alloy reflective film.
  4. モル%で、酸化亜鉛:10〜30%、酸化ガリウム:1〜15%、酸化インジウム:1〜15%、二酸化珪素:1〜5%、酸化アルミニウム:0.05〜2%を含有し、残部:硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに酸化アルミニウムは酸化亜鉛に固溶した状態で含まれており、さらに二酸化珪素は最大粒径:15μm以下でかつ平均粒径:0.5〜3μmの範囲内にある微細粒子として素地中に分散している組織を有することを特徴とする、銀または銀合金反射膜を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。 In mole%, zinc oxide: 10% to 30%, gallium oxide: 1 to 15%, indium oxide: 1 to 15%, silicon dioxide: 1-5%, aluminum oxide: containing 0.05 to 2%, the balance : composition of zinc sulphide and unavoidable impurities, and aluminum oxide is contained in a state of solid solution in the zinc oxide, further silicon dioxide maximum particle size: 15 [mu] m or less and an average particle diameter range of 0.5~3μm fine and having a dispersed tissue in the matrix as particles, a protective film forming sputtering target for an optical recording medium having a silver or silver alloy reflective film is within.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8384077B2 (en) * 2007-12-13 2013-02-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd Field effect transistor using oxide semicondutor and method for manufacturing the same
WO2009081885A1 (en) * 2007-12-25 2009-07-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same
CN101676436B (en) * 2008-09-19 2012-08-22 深圳富泰宏精密工业有限公司 Surface treatment method
JP6134368B2 (en) * 2015-10-19 2017-05-24 Jx金属株式会社 Thin film formed using the sputtering target and the sputtering target made of a sintered body and the sintered body

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238857A (en) * 1992-02-27 1993-09-17 Kawasaki Steel Corp Method for metallizing substrate of aluminum nitride
JPH10228675A (en) * 1997-02-07 1998-08-25 Hitachi Maxell Ltd Optical recording medium and its production
JP2000064035A (en) * 1998-08-21 2000-02-29 Tdk Corp Sputtering target for interference film of optical recording medium and its production
JP2000297363A (en) * 1999-04-13 2000-10-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Sputtering target for forming optical recording protective film and its production
JP2001098361A (en) * 1999-09-28 2001-04-10 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target material for forming optical recording medium protective layer exhibiting excellent cracking resistance under high output sputtering condition
JP2001355065A (en) * 2000-06-13 2001-12-25 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target for depositing optical recording medium protective film exhibiting excellent cracking-off resistance under direct current sputtering condition
JP2002161359A (en) * 2000-11-22 2002-06-04 Mitsubishi Materials Corp Sintered sputtering target material for forming protective layer of light media, showing superior fracture resistance under high-power sputtering condition
JP2003099995A (en) * 2001-09-26 2003-04-04 Ulvac Japan Ltd Dielectrics target for optical disk and method for forming film
WO2004079037A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-16 Nikko Materials Co., Ltd. Sputtering target and process for producing the same, thin film for optical information recording medium and process for producing the same
WO2004079038A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-16 Nikko Materials Co., Ltd. Sputtering target, thin film for optical information recording medium and process for producing the same

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238857A (en) * 1992-02-27 1993-09-17 Kawasaki Steel Corp Method for metallizing substrate of aluminum nitride
JPH10228675A (en) * 1997-02-07 1998-08-25 Hitachi Maxell Ltd Optical recording medium and its production
JP2000064035A (en) * 1998-08-21 2000-02-29 Tdk Corp Sputtering target for interference film of optical recording medium and its production
JP2000297363A (en) * 1999-04-13 2000-10-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Sputtering target for forming optical recording protective film and its production
JP2001098361A (en) * 1999-09-28 2001-04-10 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target material for forming optical recording medium protective layer exhibiting excellent cracking resistance under high output sputtering condition
JP2001355065A (en) * 2000-06-13 2001-12-25 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target for depositing optical recording medium protective film exhibiting excellent cracking-off resistance under direct current sputtering condition
JP2002161359A (en) * 2000-11-22 2002-06-04 Mitsubishi Materials Corp Sintered sputtering target material for forming protective layer of light media, showing superior fracture resistance under high-power sputtering condition
JP2003099995A (en) * 2001-09-26 2003-04-04 Ulvac Japan Ltd Dielectrics target for optical disk and method for forming film
WO2004079037A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-16 Nikko Materials Co., Ltd. Sputtering target and process for producing the same, thin film for optical information recording medium and process for producing the same
WO2004079038A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-16 Nikko Materials Co., Ltd. Sputtering target, thin film for optical information recording medium and process for producing the same

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