JP4692076B2 - Method for producing semiconductive roll - Google Patents

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Description

本発明は、電子写真複写機、レーザープリンター、ファクシミリ、これら複合OA機器などの電子写真方式を利用した画像形成装置の帯電ロールに用いられる半導電性ロールの製造方法に関する。 The present invention is an electrophotographic copying machine, laser printer, facsimile, relates to the production how semiconductive roll used in the charging roller in the image forming apparatus utilizing an electrophotographic system, such as those composite OA equipment.

従来、電子写真方式の画像形成装置の多くは、有害とされているオゾンの発生が非常に少ない接触帯電および接触転写方式を採用しており、なかでもロール状態での耐摩耗性や転写部での転写材搬送性に優れたロール状の部材が主流となっている。この部材の多くは、弾性を有する材料が用いられ像担持体である感光体や中間転写体に対して確実にニップの形成を可能としている。
これらのロールは一般的に、ステンレス(SUS)、Fe、Alの金属もしくは合金等の芯金上に、カーボンブラック、イオン導電性剤を加えることによりその抵抗を1×105〜1×1012[Ω]程度にしたゴムや樹脂を形成した、半導電性の弾性ロールが用いられている。
Conventionally, many electrophotographic image forming apparatuses employ a contact charging and contact transfer system that generates very little harmful ozone, especially in terms of wear resistance in the roll state and transfer area. A roll-shaped member having excellent transfer material transportability is mainly used. Many of these members are made of an elastic material, and can reliably form a nip with respect to a photoreceptor or an intermediate transfer member as an image carrier.
These rolls generally have a resistance of 1 × 10 5 to 1 × 10 12 by adding carbon black or an ion conductive agent on a metal core such as stainless steel (SUS), Fe, Al metal or alloy. A semiconductive elastic roll in which rubber or resin having a [Ω] degree is formed is used.

帯電ロールを例に挙げて説明する。近年高画質化の要求から、トナーの小粒子化が図られている。このトナーの小粒子径化によって、その粒子形状がほぼ球形であるため、次の様なデメリットがあることが知られている。すなわち、転写後に、クリーナーレスの画像形成装置において像担持体表面に残留しているトナー、あるいは、クリーニング工程を有する画像形成装置においてクリーニング工程を通過後に像担持体表面に残留しているトナーが、接触帯電器と像担持体との当接部を通過した際に、このトナーが変形して像担体表面に付着する。この際このような付着が繰りかえされることにより、像担持体表面にトナーが異物として固着するトナーフィルミングが発生する課題がある。 The charging roll will be described as an example. In recent years, with the demand for higher image quality, toner particles have been reduced. It is known that due to the reduction in the particle size of the toner, the particle shape is almost spherical, and therefore, there are the following disadvantages. That is, after transfer, the toner remaining on the surface of the image carrier in the cleanerless image forming apparatus, or the toner remaining on the surface of the image carrier after passing through the cleaning process in the image forming apparatus having a cleaning process, When the toner passes through the contact portion between the contact charger and the image carrier, the toner is deformed and adheres to the surface of the image carrier. At this time, there is a problem that toner filming occurs in which the toner adheres to the surface of the image carrier as a foreign substance by repeating such adhesion.

これらの課題に対し、帯電器の発泡層を有する帯電器を用いる等の提案がなされているなど、近年、帯電器の低硬度化が進んでいる。具体的には、金属シャフトの外周に、3次元網目構造からなる導電性弾性層が形成され、さらに該導電性弾性層の外周に、半導電性弾性層が形成されてなることを特徴とする電子写真用ロールが提案されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に提案されている電子写真用ロールは、金属シャフトに接着された3次元網目構造を有する導電性発泡層と半導電性弾性シームレスチューブで構成されているので、半導電性ロールとして機能させるためには、この導電層発泡層と半導電シームレスチューブを組み合わせる必要がある。通常これら半導電性ロールは何らかの部材に接触した状態で回転しながら使用される。 In response to these problems, the use of a charger having a foaming layer of a charger has been proposed. In recent years, the hardness of chargers has been reduced. Specifically, a conductive elastic layer having a three-dimensional network structure is formed on the outer periphery of the metal shaft, and a semiconductive elastic layer is formed on the outer periphery of the conductive elastic layer. An electrophotographic roll has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Since the roll for electrophotography proposed in Patent Document 1 is composed of a conductive foam layer having a three-dimensional network structure bonded to a metal shaft and a semiconductive elastic seamless tube, it functions as a semiconductive roll. In order to achieve this, it is necessary to combine the foamed conductive layer and the semiconductive seamless tube. Usually, these semiconductive rolls are used while rotating while in contact with any member.

このため前記発泡層とチューブが固定されていない場合、回転によりチューブの位置がずれる問題が生じるため、通常は前記発泡層と弾性層チューブを接着などの手段により固定することが一般的である。しかしながらここで使用されるチューブは前記発明においては100μm以上とあるが、チューブ加工性と性能との関係から500μm〜1000μm程度の厚さのものが使用されるが、この程度の厚さではチューブ単体でその形状を保持することか難しく、かつ発泡層にチューブを外挿した際の歪が接着によって固定されるためにより振れ、真円度といった形状精度を確保することが難しい。この結果所望の精度を有する半導電性ロールを確保することが難しく、結果、製造不良率が高く、非常にロールとしてコストが高いといった課題を有していた。

特開2003−162105号公報
For this reason, when the foam layer and the tube are not fixed, there is a problem that the position of the tube is shifted due to rotation. Therefore, the foam layer and the elastic layer tube are generally fixed by means such as adhesion. However, although the tube used here is 100 μm or more in the above invention, a tube having a thickness of about 500 μm to 1000 μm is used because of the relationship between tube processability and performance. Therefore, it is difficult to maintain the shape, and the distortion when the tube is extrapolated to the foamed layer is fixed by adhesion, so it is difficult to ensure shape accuracy such as deflection and roundness. As a result, it is difficult to secure a semiconductive roll having a desired accuracy, and as a result, there is a problem that the manufacturing defect rate is high and the cost as a roll is very high.

JP 2003-162105 A

本発明は、前記課題を解決することを目的とする。即ち、本発明は、振れ精度、真円度が向上し、均一帯電が可能な半導電性ロールを低い製造不良率で製造する半導電性ロールの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention aims to solve the above-mentioned problems. That is, the present invention aims at providing runout accuracy, the roundness is improved and manufacturing how the semiconductive roller for producing a semiconductive roll which can be uniformly charged at a low manufacturing defect rate .

前記課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討の結果、下記の本発明が前記課題を解決することを見出し本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、
<1> 芯金の外周に発泡層を形成し、外周に該発泡層が形成された該芯金を接着剤を介してチューブに挿入し、接着剤を硬化させることにより該芯金の外周に形成している発泡層とチューブとを接着させる半導電性ロールの製造方法であって、
前記接着剤の硬化前に、前記芯金を挿入したチューブの形状を、前記芯金を挿入したチューブを円筒形状のロールに当接させ、該芯金の回転軸と該円筒形状のロールの回転軸とを、平行にして一定の距離に保ちながら、前記円筒形状のロールを該円筒形状のロールの回転軸を中心に回転させることにより、又は前記芯金を挿入したチューブを平滑な平面に当接させ、該チューブを芯金の回転軸を中心に回転させることにより矯正することを特徴とする半導電性ロールの製造方法である。
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have intensively studied and found that the present invention described below solves the above-mentioned problems and have completed the present invention.
That is, the present invention
<1> A foam layer is formed on the outer periphery of the core metal, the core metal having the foam layer formed on the outer periphery is inserted into a tube through an adhesive, and the adhesive is cured to form an outer periphery of the core metal. A method for producing a semiconductive roll in which a foam layer and a tube that are formed are bonded,
Before the adhesive is cured, the tube into which the metal core is inserted is brought into contact with the cylindrical roll, and the rotation axis of the metal core and the rotation of the cylindrical roll are brought into contact with the cylindrical roller. While rotating the cylindrical roll around the axis of rotation of the cylindrical roll while keeping the shaft parallel and at a constant distance, the tube with the cored bar applied to a smooth plane A method for producing a semiconductive roll , wherein the tube is corrected by rotating the tube around a rotation axis of a cored bar .

本発明は、振れ精度、真円度が向上し、均一帯電が可能な半導電性ロールを低い製造不良率で製造する半導電性ロールの製造方法を提供することができる。 The present invention can provide deflection accuracy, improved roundness, producing how the semiconductive roller for producing a semiconductive roll which can be uniformly charged at a low manufacturing defect rate.

本発明の半導電性ロールの製造方法は、図1に示すように、芯金2の外周に発泡層4を形成し、該外周に発泡層4を形成した芯金2をチューブ6に、発泡層4の外周とチューブ6の内周とが接着剤を介して接するように挿入し、発泡層4とチューブ6とを接着剤を硬化させることにより接着させる半導電性ロールの製造方法であって、前記接着剤の硬化前に、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6の形状を矯正することを特徴とする。このように前記接着剤の硬化前に、チューブ6の形状を矯正することにより、チューブ6の挿入時に生じた歪を除去するため、振れ精度、真円度が向上した半導電性ロールが得られる。   As shown in FIG. 1, the method for producing a semiconductive roll of the present invention forms a foam layer 4 on the outer periphery of a core metal 2, and foams the core metal 2 having the foam layer 4 formed on the outer periphery into a tube 6. A method for producing a semiconductive roll, in which the outer periphery of the layer 4 and the inner periphery of the tube 6 are inserted so as to contact each other via an adhesive, and the foamed layer 4 and the tube 6 are bonded by curing the adhesive. The shape of the tube 6 into which the cored bar 2 with the foam layer 4 is inserted is corrected before the adhesive is cured. In this way, by correcting the shape of the tube 6 before the adhesive is cured, the strain generated when the tube 6 is inserted is removed, so that a semiconductive roll with improved runout accuracy and roundness can be obtained. .

芯金2は、例えば、アルミニウム、銅合金、ステンレス鋼等の金属または合金の材質、または、導電性の樹脂などの導電性の材質等が挙げられる。   Examples of the metal core 2 include a metal or alloy material such as aluminum, copper alloy, and stainless steel, or a conductive material such as a conductive resin.

次に、発泡層4について説明する。本発明において、発泡層とは、「3次元網目構造」を有する層である。ここで「3次元網目構造」とは、3次元に網目が形成された骨格と、その骨格相互間に存在する空間とからなり、空間が前記骨格により仕切られること無く、相互に連通した状態となっているものをいう。したがって、構造体内部に多数の気泡を有する、所謂発泡体は、一般に個々の気泡が独立しており、膜により気泡相互が仕切られ連通した状態とはなっていないので、本発明に言う「3次元網目構造」の概念には含まれない。   Next, the foam layer 4 will be described. In the present invention, the foam layer is a layer having a “three-dimensional network structure”. Here, the “three-dimensional network structure” is composed of a skeleton in which a three-dimensional network is formed and a space existing between the skeletons, and the space is in communication with each other without being partitioned by the skeleton. It means what is. Therefore, in the so-called foam having a large number of bubbles inside the structure, the individual bubbles are generally independent, and the bubbles are not partitioned and communicated with each other by the film. It is not included in the concept of “dimensional network structure”.

本発明において、3次元網目構造としては、骨格間の最短距離が200μm以上であることが好ましく、300〜700μmの間であることがより好ましい。また、前記骨格の太さとしては、1000μm以下であることが好ましく、50〜300μmの間であることがより好ましい。このような構造とすることにより、従来のスポンジ等の発泡体では発現出来なかった超低硬度の導電性弾性層を実現することができる。   In the present invention, as the three-dimensional network structure, the shortest distance between the skeletons is preferably 200 μm or more, and more preferably 300 to 700 μm. Further, the thickness of the skeleton is preferably 1000 μm or less, and more preferably between 50 and 300 μm. By adopting such a structure, it is possible to realize an ultra-low hardness conductive elastic layer that could not be expressed by conventional foams such as sponges.

発泡層4における3次元網目構造の骨格間の最短距離が200μmを下回ると、発泡層4が硬くなり、目的とする超低硬度が発現出来なくなる場合がある。また、発泡層4における3次元網目構造の骨格の太さが1000μmを上回っても、発泡層4が硬くなり、目的とする超低硬度が発現出来なくなる場合がある。   When the shortest distance between the skeletons of the three-dimensional network structure in the foamed layer 4 is less than 200 μm, the foamed layer 4 becomes hard and the intended ultra-low hardness may not be expressed. Moreover, even if the thickness of the skeleton of the three-dimensional network structure in the foam layer 4 exceeds 1000 μm, the foam layer 4 may become hard and the intended ultra-low hardness may not be expressed.

なお、ここで言う「骨格間の最短距離」とは、2以上の分岐点を介して繋がる2つの骨格であって対向する骨格同士、あるいは、直接的に繋がりを持たない独立した骨格同士、における最短距離を意味するものとする。また、骨格は、分岐点周辺では太くなっている場合があるが、前記「骨格の太さ」とは、分岐点周辺以外の平均的な太さの部分について論じたものである。   Note that the “shortest distance between skeletons” referred to here is two skeletons connected via two or more branch points and facing skeletons, or independent skeletons not directly connected to each other. It means the shortest distance. The skeleton may be thicker around the branch point, but the “skeleton thickness” is a discussion of the average thickness portion other than the vicinity of the branch point.

発泡層4を形成する導電性または半導電性のバインダー材料としては、SBR(スチレンブタジエンゴム)、BR(ポリブタジエンゴム)、ハイスチレンゴム(Hi styrene resin masterbactch),IR(イソプレンゴム)、IIR(ブチルゴム)、ハロゲン化ブチルゴム(Halogenated butylrubber),NBR(ニトリルブタジエンゴム)、水添加NBR(H−NBR)、EPDM(エチレンープロピレンージエン3元共重合ゴム)、EPM(エチレンプロピレンゴム),NBRとEPDMとをブレンドしたゴム、CR(クロロプレンゴム)、ACM(アクリルゴム)、CO(ヒドリンゴム),ECO(エピクロルヒドリンゴム)、塩素化ポリエチレン(Chlorinated−PE),VAMAC(エチレン・アクリルゴム)、VMQ(シリコーンゴム)、AU(ウレタンゴム)、FKM(フッ素ゴム)、NR(天然ゴム)、CSM(クロロスルホン化ポリエチレンゴム)等のゴム材料が挙げられる。前記バインダー材料としては、上記例示に制限されるものではない。   Examples of the conductive or semiconductive binder material forming the foam layer 4 include SBR (styrene butadiene rubber), BR (polybutadiene rubber), high styrene rubber (Hi styrene resin masterbacch), IR (isoprene rubber), IIR (butyl rubber). ), Halogenated butyl rubber (Halogenated butyrubber), NBR (nitrile butadiene rubber), water-added NBR (H-NBR), EPDM (ethylene-propylene-diene terpolymer rubber), EPM (ethylene-propylene rubber), NBR and EPDM Blended rubber, CR (chloroprene rubber), ACM (acrylic rubber), CO (hydrin rubber), ECO (epichlorohydrin rubber), chlorinated polyethylene (Chlorinated-PE) , VAMAC (ethylene acrylic rubber), VMQ (silicone rubber), AU (urethane rubber), FKM (fluorine rubber), NR (natural rubber), CSM (chlorosulfonated polyethylene rubber) rubber material and the like. The binder material is not limited to the above examples.

発泡層4は、前記材料群から選ばれたバインダー材料を用い、以下に示す何れかの方法を選択することで、3次元網目構造からなる層を成形することが出来る。
・前記バインダー材料を適当な溶剤に溶かした後、攪拌機により泡立ててから所定の形状に成形する方法。
・前記バインダー材料に発泡剤を練り込んだ後、所定の形状に成形し加熱発泡させる方法。
・前記バインダー材料を特定の溶剤にのみ溶ける成分と共に混練し、所定の形状に成形した後に前記特定の溶剤に浸漬して前記成分を溶解させ、溶解しなかった前記バインダー材料の部分のみを残す方法。
The foamed layer 4 can form a layer having a three-dimensional network structure by using a binder material selected from the above material group and selecting one of the following methods.
A method in which the binder material is dissolved in an appropriate solvent and then foamed with a stirrer and then molded into a predetermined shape.
A method in which a foaming agent is kneaded into the binder material, and then molded into a predetermined shape and heated and foamed.
A method in which the binder material is kneaded with a component that can only be dissolved in a specific solvent, molded into a predetermined shape, and then immersed in the specific solvent to dissolve the component, leaving only the portion of the binder material that has not been dissolved. .

この際、3次元網目構造体からなる層に導電性を付与するには、(1)当該層を成形するに際し、各材料(溶液、混練物等)に導電性材料を予め混合しておくことで導電性を付与する方法、(2)所定の形状に成形した後、これを導電性材料を分散および/または溶解した導電性塗料あるいは導電性接着剤に浸漬させたり、あるいは該導電性塗料を噴霧したりすることによって、事後的に導電性を付与する方法、等が挙げられ、本発明においては、何れの方法により導電性を発現させてもよい。   At this time, in order to impart conductivity to a layer made of a three-dimensional network structure, (1) when forming the layer, a conductive material is mixed in advance with each material (solution, kneaded product, etc.). (2) After forming into a predetermined shape, this is immersed in a conductive paint or conductive adhesive in which a conductive material is dispersed and / or dissolved, or the conductive paint is The method of giving electroconductivity afterwards by spraying etc. is mentioned, In this invention, you may express electroconductivity by any method.

チューブ6は、半導電性部材性弾性層を形成するもので、その構成材料としては、SBR(スチレンブタジエンゴム)、BR(ポリブタジエンゴム)、ハイスチレンゴム(Hi Styrene esin masterbatch)、IR(イソプレンゴム)、IIR(ブチルゴム)、ハロゲン化ブチルゴム(Halogenated butylrubber)、NBR(ニトリルブタジエンゴム)、水添化NBR(H−NBR)、EPDM、EPM(エチレンプロピレンゴム)、NBR/EPDMブレンド、CR(クロロプレンゴム)、ACM(アクリルゴム)、CO(ヒドリンゴム)、ECO(エピクロルヒドリンゴム)、塩素化ポリエチレン(Chlorinated−PE)、VAMAC(エチレン−アクリルゴム)、VMQ(シリコーンゴム)、U(ウレタンゴム)、FKM(フッ素ゴム)、NR(天然ゴム)、CSM(クロロスルフォン化ポリエチレンゴム)等のゴム材料;PVC(ポリ塩化ビニル)、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ナイロン、エチレン酢酸ビニル、エチレンエチルアクリレート、エチレンアクリル酸メチル、スチレンブタジエン、ポリアリレート、ポリカーボネート、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸樹脂、ロジン、変性ロジン、テルペン樹脂、フェノール樹脂などの樹脂材料から選ばれる。この中でもゴム材料であることが好ましい。   The tube 6 forms a semiconductive elastic material layer, and the constituent materials thereof include SBR (styrene butadiene rubber), BR (polybutadiene rubber), high styrene rubber (Hi Styrene elastomer), IR (isoprene rubber). ), IIR (butyl rubber), halogenated butyl rubber (Halogenated butyrubber), NBR (nitrile butadiene rubber), hydrogenated NBR (H-NBR), EPDM, EPM (ethylene propylene rubber), NBR / EPDM blend, CR (chloroprene rubber) ), ACM (acrylic rubber), CO (hydrin rubber), ECO (epichlorohydrin rubber), chlorinated polyethylene (Chlorinated-PE), VAMAC (ethylene-acrylic rubber), VMQ (Si Rubber materials such as corn rubber), U (urethane rubber), FKM (fluoro rubber), NR (natural rubber), CSM (chlorosulfonated polyethylene rubber); PVC (polyvinyl chloride), polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyester, polyurethane , Polyamide, polyimide, nylon, ethylene vinyl acetate, ethylene ethyl acrylate, ethylene methyl acrylate, styrene butadiene, polyarylate, polycarbonate, fluororesin, silicone resin, polymethacrylate, polybutyl methacrylate, polyvinyl acetate, polyvinyl butyral, polyacryl It is selected from resin materials such as acid resin, rosin, modified rosin, terpene resin and phenol resin. Among these, a rubber material is preferable.

また、チューブ6の内周と発泡層4の外周とを接着させる接着剤としては、ウレタン、ポリエステル、ナイロン、エポキシ等の樹脂バインダーに導電剤、例えば、導電性カーボンや金属粉末を分散し、溶剤に溶解した導電性接着塗料等が挙げられる。前記接着剤の塗布方法としては、噴霧、スプレー塗布、浸漬塗布、刷毛塗り等の何れでも構わない。
このように接着剤を塗布して形成された導電性接着層の厚みとしては、特に制限はないが、1〜20μm程度が好ましい。また、導電性接着層における100V印加時の電気抵抗としては、103Ω以下であることが好ましい。
Further, as an adhesive for adhering the inner periphery of the tube 6 and the outer periphery of the foam layer 4, a conductive agent such as conductive carbon or metal powder is dispersed in a resin binder such as urethane, polyester, nylon, epoxy, etc. For example, a conductive adhesive paint dissolved in The adhesive may be applied by any of spraying, spray coating, dip coating, and brush coating.
The thickness of the conductive adhesive layer formed by applying the adhesive in this way is not particularly limited, but is preferably about 1 to 20 μm. Further, the electrical resistance when 100 V is applied in the conductive adhesive layer is preferably 10 3 Ω or less.

本発明の半導電性ロールの製造方法は、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6の形状を、前記接着剤の硬化前に矯正することを特徴とする。この矯正を行うことにより、後述する本発明の半導電性ロールにおける振れ精度を0.35mm以下とすることができる。
ここで、矯正するとは、外的力を加えて、半導電性ロールの振れ精度、及び真円度を矯正することをいう。
The method for producing a semiconductive roll according to the present invention is characterized in that the shape of the tube 6 into which the cored bar 2 having the foamed layer 4 is inserted is corrected before the adhesive is cured. By performing this correction, the runout accuracy in the semiconductive roll of the present invention described later can be set to 0.35 mm or less.
Here, “correcting” means correcting the runout accuracy and roundness of the semiconductive roll by applying an external force.

前記矯正する方法としては、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を二本の当接させた円筒形状のロール上に載置し、該二本の当接させた円筒形状のロールをそれぞれ回転軸を中心に回転させる方法(第一の方法)が挙げられる。該円筒形状のロールとしては、アルミ製のパイプが挙げられるが、平滑性が得られるものであれば特に制限はない。また、中空パイプでも中実のものでも構わない。円筒形状のロールの外径、回転数、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6との距離は、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6の半径により異なるので、汎用性を持たせるため、可変設定可能であることが好ましい。一方、載置時間としては、0.5〜30secが好ましく、3〜10secがより好ましい。   As the correction method, a tube 6 into which a core metal 2 having a foam layer 4 is inserted is placed on two abutted cylindrical rolls, and the two abutted cylindrical shapes are placed. There is a method (first method) in which the rolls are rotated about the rotation axis. Examples of the cylindrical roll include an aluminum pipe, but there is no particular limitation as long as smoothness is obtained. Further, a hollow pipe or a solid pipe may be used. Since the outer diameter of the cylindrical roll, the number of revolutions, and the distance from the tube 6 into which the core metal 2 with the foam layer 4 is inserted differ depending on the radius of the tube 6 with the core metal 2 with the foam layer 4 inserted therein. In order to provide versatility, it is preferable that the variable setting is possible. On the other hand, the loading time is preferably 0.5 to 30 seconds, and more preferably 3 to 10 seconds.

また、前記矯正する方法として、図2に示すように、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を円筒形状のロール8に当接させ、円筒形状のロール8を回転軸を中心に回転させる方法(第二の方法)が挙げられる。円筒形状のロール8としては、前記第一の方法における円筒形状のロールが好ましく用いられる。円筒形状のロール8の外径、回転数、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6との距離は特に限定されない。
前記第二の方法においては、芯金2の回転軸と該円筒形状のロール8の回転軸とを平行にして、一定の距離(図2における距離51)に保ちながら、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を円筒形状のロール8に当接させ、円筒形状のロール8を回転軸を中心に回転させることが好ましい。
この方法における発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6と円筒形状のロール8との食い込み量としては、0.1〜0.5mmが好ましく、0.2〜0.3mmがより好ましい。また、当接時間としては、0.5〜30secが好ましく、3〜10secがより好ましい。
In addition, as shown in FIG. 2, the straightening method is such that a tube 6 into which a core metal 2 having a foam layer 4 is inserted is brought into contact with a cylindrical roll 8, and the cylindrical roll 8 is centered on the rotation axis. (A second method). As the cylindrical roll 8, the cylindrical roll in the first method is preferably used. The outer diameter of the cylindrical roll 8, the number of revolutions, and the distance from the tube 6 into which the cored bar 2 on which the foam layer 4 is formed are not particularly limited.
In the second method, the foamed layer 4 was formed while keeping the rotation axis of the core metal 2 and the rotation axis of the cylindrical roll 8 parallel to each other and maintaining a constant distance (distance 51 in FIG. 2). It is preferable that the tube 6 into which the core metal 2 is inserted is brought into contact with the cylindrical roll 8 and the cylindrical roll 8 is rotated about the rotation axis.
The amount of biting between the tube 6 into which the core metal 2 having the foam layer 4 formed in this method is inserted and the cylindrical roll 8 is preferably 0.1 to 0.5 mm, more preferably 0.2 to 0.3 mm. . Further, the contact time is preferably 0.5 to 30 sec, and more preferably 3 to 10 sec.

更に、前記矯正する方法として、図3に示すように、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を平滑な平面9に当接させ、芯金2の回転軸を中心に回転させる方法(第三の方法)が挙げられる。このとき、芯金2の回転軸と平滑な平面とを平行にして一定の距離(図3における距離54)に保ちながら、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を芯金2の回転軸を中心に回転させることが好ましい。
この方法における発泡層4を形成した芯金2を挿入した平滑な平面9との食い込み量としては、0.1〜0.5mmが好ましく、0.2〜0.3mmがより好ましい。また、当接時間としては、0.5〜30secが好ましく、3〜10secがより好ましい。更に、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6の回転数としては、15〜300rpmが好ましく、30〜240rpmがより好ましい。
Further, as a method for correcting, as shown in FIG. 3, the tube 6 into which the core metal 2 having the foam layer 4 is inserted is brought into contact with the smooth flat surface 9 and rotated around the rotation axis of the core metal 2. A method (third method) may be mentioned. At this time, the tube 6 into which the cored bar 2 on which the foam layer 4 is formed is inserted into the cored bar 2 while keeping the rotation axis of the cored bar 2 and a smooth plane parallel to each other and maintaining a constant distance (distance 54 in FIG. 3). It is preferable to rotate around the rotation axis.
The amount of biting with the smooth flat surface 9 into which the cored bar 2 on which the foam layer 4 is formed in this method is preferably 0.1 to 0.5 mm, and more preferably 0.2 to 0.3 mm. Further, the contact time is preferably 0.5 to 30 sec, and more preferably 3 to 10 sec. Furthermore, as the rotation speed of the tube 6 into which the cored bar 2 on which the foam layer 4 is formed is inserted, 15 to 300 rpm is preferable, and 30 to 240 rpm is more preferable.

第一の本発明の半導電性ロールは、既述の本発明の半導電性ロールの製造方法により製造された半導電性ロールであって、発泡層4のアスカーF硬度計による硬度が30〜80°であり、前記半導電性ロールの振れ精度が0.35mm以下であることを特徴とする半導電性ロールである。尚、本発明における振れ精度は、JIS B0021に定義されている「円周振れ」を意味するものである。
ここで、アスカーF硬度計による硬度は、高分子計器(株)製アスカーゴム硬度計F型を使用し、25℃55%RHで測定することにより測定した値である。
一方、振れ精度は、アサカ理研工業株式会社ロール径測定システムROLL2000を使用することにより測定した値である。具体的には、測定しようとする半導電性ロールを、円周振れの測定基準面となる両端部を支持するように、アサカ理研工業株式会社ロール径測定システムROLL2000にセットし、帯電ロールの回転数60rpm、回転時間5secの条件下で、被測定物である半導電性ロールと、この半導電性ロール並行に設置されたナイフエッジとの距離を測定し、この5sec間における距離の変動幅から円周振れを求めた。上記の測定を半導電性ロールの両端部から5mmの位置、および、軸方向中央部分の3箇所について測定し、その平均を本発明における振れ精度(円周振れ)とした。
The semiconductive roll of the first aspect of the present invention is a semiconductive roll manufactured by the method for manufacturing a semiconductive roll of the present invention described above, and the hardness of the foamed layer 4 measured by the Asker F hardness meter is 30 to 30. The semiconductive roll is 80 °, and the runout accuracy of the semiconductive roll is 0.35 mm or less. The runout accuracy in the present invention means “circumferential runout” defined in JIS B0021.
Here, the hardness by the Asker F hardness meter is a value measured by using an Asker rubber hardness meter F type manufactured by Kobunshi Keiki Co., Ltd. and measuring at 25 ° C. and 55% RH.
On the other hand, the runout accuracy is a value measured by using a roll diameter measurement system ROLL2000, Asaka Riken Kogyo Co., Ltd. Specifically, the semiconductive roll to be measured is set on the roll diameter measuring system ROLL2000 of Asaka Riken Kogyo Co., Ltd. so as to support both ends which are the measurement reference surfaces of the circumferential runout, and the rotation of the charging roll Under a condition of several 60 rpm and a rotation time of 5 sec, the distance between the semiconductive roll as the object to be measured and the knife edge installed in parallel with the semiconductive roll is measured, and from the fluctuation range of the distance during this 5 sec. Circumferential run-out was obtained. The above-mentioned measurement was measured at a position 5 mm from both ends of the semiconductive roll and at three positions in the axial central portion, and the average was taken as the runout accuracy (circumferential runout) in the present invention.

上述のように、第一の本発明の半導電性ロールにおける発泡層のアスカーF硬度計による硬度は、30〜80°であることを必須とし、30〜50°であることが好ましく、30〜40°であることがより好ましい。前記スカーF硬度計による硬度が30°未満であると、チューブに発泡層を形成した芯金を挿入した後のロール形状を維持できない場合があり、80°を超えると、帯電器としてロールを使用した際、感光体と帯電器間での当接圧が高くなり、不具合を引き起こす場合がある。   As mentioned above, the hardness by the Asker F hardness meter of the foam layer in the semiconductive roll of the first present invention must be 30 to 80 °, preferably 30 to 50 °, preferably 30 to 30 °. More preferably, it is 40 °. If the hardness by the Scar F hardness tester is less than 30 °, the roll shape may not be maintained after the core metal having a foam layer formed on the tube is inserted. If the hardness exceeds 80 °, the roll is used as a charger. In this case, the contact pressure between the photosensitive member and the charger increases, which may cause a problem.

また、第一の本発明の半導電性ロールの振れ精度は、0.35mm以下であることを必須とし、0.2mm以下であることが好ましい。前記振れ精度が0.35mmを超えると、半導電ロールを帯電器として使用した場合、感光体に接触しない部分が生じ、帯電不良等の不具合が生じる場合がある。   Further, the runout accuracy of the semiconductive roll of the first aspect of the present invention is required to be 0.35 mm or less, and preferably 0.2 mm or less. When the runout accuracy exceeds 0.35 mm, when a semiconductive roll is used as a charger, a portion that does not come into contact with the photoconductor is generated, which may cause problems such as charging failure.

第一の本発明の半導電性ロールにおける発泡層4の厚みとしては、チューブを挿入した後、弾性層として充分機能させ、かつ寸法精度が安定化する点で、0.5〜10.0mmであることが好ましく、1.0〜5.0mmであることがより好ましい。
また、チューブ6により形成された半導電性弾性層の厚みとしては、加工性、形状維持性、電気的特性の安定性の点で、0.1〜2.0mmであることが好ましく、0.5〜1.0mmであることがより好ましい。
The thickness of the foamed layer 4 in the semiconductive roll of the first aspect of the present invention is 0.5 to 10.0 mm in terms of sufficiently functioning as an elastic layer and stabilizing the dimensional accuracy after inserting the tube. It is preferable that it is 1.0 to 5.0 mm.
Further, the thickness of the semiconductive elastic layer formed by the tube 6 is preferably 0.1 to 2.0 mm from the viewpoint of workability, shape maintenance, and stability of electrical characteristics, More preferably, it is 5-1.0 mm.

一方、第二の本発明の半導電性ロールは、芯金の外周に発泡層が形成され、更に該発泡層の外周にゴムチューブからなる半導電性弾性層が形成された半導電性ロールであって、前記発泡層のアスカーF硬度計による硬度が30〜80°であり、前記半導電性ロールの振れ精度が0.35mm以下であることを特徴とする。   On the other hand, the semiconductive roll of the second aspect of the present invention is a semiconductive roll in which a foam layer is formed on the outer periphery of the core metal, and a semiconductive elastic layer made of a rubber tube is formed on the outer periphery of the foam layer. And the hardness by the Asker F hardness meter of the said foaming layer is 30-80 degrees, and the runout precision of the said semiconductive roll is 0.35 mm or less, It is characterized by the above-mentioned.

第二の本発明の半導電性ロールにおけるチューブは、その材料がゴム材料に限定されるが、物性、寸法等の好ましい態様は、第一の本発明の半導電性ロールにおけるチューブと同様である。
また、第二の本発明の半導電性ロールにおける芯金、発泡層の好ましい態様は、第一の本発明の半導電性ロールにおける芯金、発泡層の好ましい態様と同様である。
The tube in the semiconductive roll of the second aspect of the present invention is limited to a rubber material, but preferred aspects such as physical properties and dimensions are the same as those of the tube in the semiconductive roll of the first aspect of the present invention. .
Moreover, the preferable aspect of the core metal and the foam layer in the semiconductive roll of the second aspect of the present invention is the same as the preferable aspect of the core metal and the foam layer of the semiconductive roll of the first aspect of the present invention.

本発明の画像形成装置は、少なくとも、像担持体と、これに接触する帯電部材とを備え、静電潜像を形成するに先立ち、前記帯電部材に電圧を印加させつつ、前記帯電部材と前記像担持体とをそれぞれ周動回転させることにより、前記像担持体表面を帯電する構成を含む画像形成装置であって、前記帯電部材が既述の第一の本発明の半導電性ロール又は第二の本発明の半導電性ロール(以下、併せて「本発明の半導電性ロール」という場合がある。)に記載の半導電性ロールであることを特徴とする。   The image forming apparatus of the present invention includes at least an image carrier and a charging member in contact with the image bearing member. Prior to forming an electrostatic latent image, the charging member and the charging member are applied with a voltage applied to the charging member. An image forming apparatus including a configuration for charging the surface of the image carrier by rotating the image carrier around the image carrier, wherein the charging member is the semiconductive roll according to the first aspect of the invention described above. It is a semiconductive roll described in the second semiconductive roll of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “the semiconductive roll of the present invention”).

以下、本発明の画像形成装置の一例を図4を用いて説明する。図4は、本発明の半導電性ロールを用いた画像形成装置10の一例を示す概略構成図である。なお、図4中の矢印は、各回転部材の回転方向を示している。また、既述の本発明の半導電性ロールは、像担持体を帯電させるための帯電ロールとして用いている。
図4に示すように、画像形成装置10は、Y(イエロー)、M(マゼンタ)、C(シアン)、K(ブラック)の各色の画像を形成する画像形成ユニット12Y、12M、12C、12Kが、所定の間隔をおいて並列状に配置されている。なお、ここでは、画像形成ユニット12Y、12M、12C、12Kはほぼ同構成とされているので、イエロー色に対応する画像形成ユニット12Yを例にとって説明する。
Hereinafter, an example of the image forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic configuration diagram illustrating an example of the image forming apparatus 10 using the semiconductive roll of the present invention. In addition, the arrow in FIG. 4 has shown the rotation direction of each rotation member. The above-described semiconductive roll of the present invention is used as a charging roll for charging the image carrier.
As shown in FIG. 4, the image forming apparatus 10 includes image forming units 12Y, 12M, 12C, and 12K that form images of colors of Y (yellow), M (magenta), C (cyan), and K (black). Are arranged in parallel at a predetermined interval. Here, since the image forming units 12Y, 12M, 12C, and 12K have substantially the same configuration, the image forming unit 12Y corresponding to yellow will be described as an example.

画像形成ユニット12Yは、感光体ドラム(像担持体)14Yを備えており、感光体ドラム14Yは矢印Aの方向に図示しない駆動手段によって所定のスピードで回転駆動されるようになっている。
感光体ドラム14Yには、後述する帯電装置の帯電ロール16Yが接触するように配置されており、感光体ドラム14Yの表面を帯電させる。
感光体ドラム14Yの図中左側には、図示しない光走査装置が配置されており、感光体ドラム14Yにレーザ光18Yを照射する。これによって、感光体ドラム14Yの表面に静電潜像が形成される。
The image forming unit 12Y includes a photosensitive drum (image carrier) 14Y. The photosensitive drum 14Y is rotated in a direction indicated by an arrow A by a driving unit (not shown) at a predetermined speed.
A charging roll 16Y of a charging device, which will be described later, is disposed on the photosensitive drum 14Y, and charges the surface of the photosensitive drum 14Y.
An optical scanning device (not shown) is arranged on the left side of the photosensitive drum 14Y in the drawing, and irradiates the photosensitive drum 14Y with laser light 18Y. As a result, an electrostatic latent image is formed on the surface of the photosensitive drum 14Y.

また、レーザ光の照射位置よりも感光体ドラム14Yの回転方向下流側には、現像器20Yが配置されている。この現像器20Yは、感光体ドラム14Yの表面に形成された静電潜像を、イエロー色のトナーによって顕像化して、表面にトナー像を形成する。
感光体ドラム14Yのトナー像は、第1の一次中間転写ドラム22へ一次転写され、イエロー色とマゼンダ色のカラー像となり、二次中間転写ドラム26へ二次転写されることで、第2の二次中間転写ドラム24から転写されたシアン色、ブラック色のトナー像と重なり、イエロー色、マゼンダ色、シアン色、ブラック色のフルカラートナー像となる。
Further, a developing device 20Y is disposed on the downstream side in the rotation direction of the photosensitive drum 14Y from the irradiation position of the laser beam. The developing device 20Y visualizes the electrostatic latent image formed on the surface of the photosensitive drum 14Y with yellow toner, and forms a toner image on the surface.
The toner image on the photoconductor drum 14Y is primarily transferred to the first primary intermediate transfer drum 22, becomes a yellow and magenta color image, and is secondarily transferred to the secondary intermediate transfer drum 26. It overlaps with the cyan and black toner images transferred from the secondary intermediate transfer drum 24 and becomes a full color toner image of yellow, magenta, cyan and black.

ここで、図示しない用紙カセットから、記録紙Pが用紙搬送ロール30を経て、二次中間転写ドラム26と転写ロール28のニップ部に送り込まれ、記録紙Pの表面に、フルカラートナー像が静電転写される。このフルカラートナー像が転写した記録紙Pは、定着器32で加熱加圧されることによりトナー像が定着する。以上が、画像形成プロセスである。   Here, the recording paper P is fed from a paper cassette (not shown) through the paper conveyance roll 30 to the nip portion between the secondary intermediate transfer drum 26 and the transfer roll 28, and a full color toner image is electrostatically formed on the surface of the recording paper P. Transcribed. The recording paper P onto which the full-color toner image has been transferred is heated and pressed by the fixing device 32 to fix the toner image. The above is the image forming process.

本発明の半導電性ロールは、前記発泡層のアスカーF硬度計による硬度が30〜80°と軟らかいため、帯電部材として用いると、感光体ドラム(像担持体)上に残留するトナー等を吸収するため、感光体ドラムに傷をつけることがない。また、振れ精度が0.35mm以下と良好であるため、均一な帯電性が得られる。   Since the semiconductive roll of the present invention has a softness of 30 to 80 ° as measured by the Asker F hardness meter of the foam layer, when used as a charging member, it absorbs toner remaining on the photosensitive drum (image carrier). Therefore, the photosensitive drum is not damaged. Further, since the runout accuracy is as good as 0.35 mm or less, uniform chargeability can be obtained.

<実施例1>
図4における帯電ロール16を以下のように作製した。
ポリエーテルとイソシアネートとを混合し、攪拌機を用いて十分泡立てた。得られたウレタン樹脂を加熱硬化させ、3次元網目構造からなるウレタン材料を作製した。得られた3次元網目構造のウレタン材料の構造を顕微鏡で観察したところ、骨格間の最短距離は300μm以上(平均500μm)であり、且つ該骨格の太さは800μm以下(平均250μm)であった。得られた3次元網目構造からなるウレタン材料を、一辺が10mmで長さが320mmの角柱として切り出し、その中心に5mmφで長手方向に貫通する穴を設けた。次いで、外周にポリエステル系導電性接着剤を5μmの厚さでコーティングした。6mmφの硫黄快削鋼にニッケルメッキを施した(SUM−Ni)金属シャフトを、前記3次元網目構造からなるウレタン材料に設けられた穴に挿し込み、両者を一体化した。
このときのアスカーF硬度計による硬度は30°であった。
<Example 1>
The charging roll 16 in FIG. 4 was produced as follows.
Polyether and isocyanate were mixed and sufficiently bubbled using a stirrer. The obtained urethane resin was heated and cured to produce a urethane material having a three-dimensional network structure. When the structure of the obtained urethane material having a three-dimensional network structure was observed with a microscope, the shortest distance between the skeletons was 300 μm or more (average 500 μm), and the thickness of the skeleton was 800 μm or less (average 250 μm). . The obtained urethane material having a three-dimensional network structure was cut out as a prism having a side of 10 mm and a length of 320 mm, and a hole penetrating in the longitudinal direction at 5 mmφ was provided at the center. Next, a polyester conductive adhesive was coated on the outer periphery with a thickness of 5 μm. A 6 mmφ sulfur free-cutting steel nickel-plated (SUM-Ni) metal shaft was inserted into a hole provided in the urethane material having the three-dimensional network structure, and both were integrated.
The hardness by the Asker F hardness meter at this time was 30 °.

その後、この金属シャフトを高速で回転させ外周の3次元網目構造からなるウレタン材料を研磨して、外径Φ8.5mmの3次元網目構造のウレタンからなる弾性層を備えたロールを作製した。さらに得られたロールをポリエステル系導電性接着剤に浸漬し、3次元網目構造のウレタンからなる弾性層の導電化処理を施して、導電性弾性層(発泡層)を形成した。これとは別に、エピクロルヒドリンゴム100質量部にイオン導電剤PEL−100(日本カーリット社製)3質量部を添加して十分混練した後、これを押し出し機を用いて成形後、研磨によって所望の外径に加工を行い、外径Φ10.0mm、肉厚750μmで長さ230mmの半導電性弾性層となるエピクロルヒドリンゴム製のチューブを作製した。そしてこの半導電性弾性層となるゴム製のチューブの内及び外周面に浸漬コーティング方法によってフッ素系樹脂を、膜厚5μmでコーティングした。一方、前記金属シャフトを挿し込んだウレタン樹脂の外周に、前記ポリエステル系導電性接着剤を5μm塗布し、チューブに対し圧入することにより前記ゴム製のチューブに挿入した。このときの前記金属シャフトを挿し込んだウレタン樹脂を挿入したゴム製のチューブの振れ精度(矯正前の振れ精度)を測定した。   Thereafter, the metal shaft was rotated at a high speed to polish the urethane material having a three-dimensional network structure on the outer periphery, thereby producing a roll having an elastic layer made of urethane having a three-dimensional network structure having an outer diameter of Φ8.5 mm. Further, the obtained roll was immersed in a polyester-based conductive adhesive, and a conductive treatment of an elastic layer made of urethane having a three-dimensional network structure was performed to form a conductive elastic layer (foamed layer). Separately, after adding 3 parts by mass of ionic conductive agent PEL-100 (manufactured by Nippon Carlit Co., Ltd.) to 100 parts by mass of epichlorohydrin rubber, this is molded using an extruder, and then polished to a desired outer surface. A tube made of epichlorohydrin rubber to be a semiconductive elastic layer having an outer diameter of Φ10.0 mm, a wall thickness of 750 μm and a length of 230 mm was prepared. The inner and outer peripheral surfaces of the rubber tube serving as the semiconductive elastic layer were coated with a fluorine resin with a film thickness of 5 μm by a dip coating method. On the other hand, 5 μm of the polyester-based conductive adhesive was applied to the outer periphery of the urethane resin into which the metal shaft was inserted, and was inserted into the rubber tube by press-fitting into the tube. At this time, the runout accuracy (runout accuracy before correction) of the rubber tube into which the urethane resin into which the metal shaft was inserted was inserted was measured.

また、以下の発泡層を形成した芯金をゴム製のチューブに挿入する際に発生するゴム製のチューブの歪を、前記第二の方法(発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を円筒形状のロール8に当接させ、円筒形状のロール8を回転軸を中心に回転させる方法)により矯正するための矯正装置を作製した。
具体的には、長さ250mm、Φ20mmで全振れ精度が20μmのアルミパイプを用意し、このアルミパイプ(Φ20mm)と半導電性ロール(Φ10mm)の中心軸間距離を14.7mm(食い込み量0.3mm)となるように、アルミパイプと半導電性ロールの位置を固定でき、アルミパイプを回転駆動可能な装置を製作した。
In addition, the distortion of the rubber tube generated when the core metal having the foam layer formed below is inserted into the rubber tube is reduced by the second method (the tube into which the core metal 2 having the foam layer 4 is inserted). 6 was brought into contact with the cylindrical roll 8, and a correction device for correcting the cylindrical roll 8 by rotating the cylindrical roll 8 around the rotation axis was produced.
Specifically, an aluminum pipe having a length of 250 mm, Φ20 mm, and a total runout accuracy of 20 μm is prepared, and the distance between the central axes of the aluminum pipe (Φ20 mm) and the semiconductive roll (Φ10 mm) is 14.7 mm (the amount of biting is 0). 3 mm), a device capable of fixing the position of the aluminum pipe and the semiconductive roll and capable of rotating the aluminum pipe was manufactured.

前記金属シャフトを挿し込んだウレタン樹脂を挿入したゴム製のチューブを、前記矯正装置を用い、アルミパイプの回転数45rpm、回転時間10secの条件で、半導電性ロールに生じた歪を除去した。得られた半導電性ロールの振れ精度(矯正後の振れ精度)を測定した。   The rubber tube into which the urethane resin into which the metal shaft had been inserted was inserted into the semiconductive roll under the conditions that the aluminum pipe was rotated at 45 rpm and the rotation time was 10 sec. The runout accuracy (runout accuracy after correction) of the obtained semiconductive roll was measured.

以上の条件で、半導電性ロールを96本作製し、それぞれの半導電性ロールに対して、矯正前の振れ精度及び矯正後の振れ精度を測定した。その結果を図5に示す。図5は、矯正前の振れ精度及び矯正後の振れ精度の結果を棒グラフとして表した図である。
図5に示す振れ精度の分布より、発泡層を形成した芯金を挿入したチューブの形状を矯正することにより、振れ精度として約1割の精度向上を果たすことができた。
また、前記矯正により、良好な振れ精度の指針である振れ精度0.2mm以下の半導電性ロールの比率が87%から97%へ改善された。
Under the above conditions, 96 semiconductive rolls were produced, and the shake accuracy before correction and the shake accuracy after correction were measured for each semiconductive roll. The result is shown in FIG. FIG. 5 is a graph showing the results of the shake accuracy before correction and the shake accuracy after correction as a bar graph.
From the distribution of runout accuracy shown in FIG. 5, by correcting the shape of the tube into which the cored bar with the foam layer was inserted, the runout accuracy could be improved by about 10%.
In addition, the correction improved the ratio of semiconductive rolls with a runout accuracy of 0.2 mm or less, which is a guideline for good runout accuracy, from 87% to 97%.

尚、実施例1では、前記第二の方法(発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を円筒形状のロール8に当接させ、円筒形状のロール8を回転軸を中心に回転させる方法)により、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6の形状の矯正を行ったが、前記第一の方法(泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を二本の当接させた円筒形状のロール上に載置し、該二本の当接させた円筒形状のロールをそれぞれ回転軸を中心に回転させる方法)、及び前記第三の方法(発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6を平滑な平面9に当接させ、芯金2の回転軸を中心に回転させる方法)によって、発泡層4を形成した芯金2を挿入したチューブ6の形状の矯正を行っても、実施例1と同様の効果があげられる。   In Example 1, the second method (the tube 6 into which the core 2 having the foam layer 4 formed is inserted is brought into contact with the cylindrical roll 8, and the cylindrical roll 8 is rotated around the rotation axis. The shape of the tube 6 into which the cored bar 2 with the foam layer 4 is inserted was corrected by the above-described method. A method in which the two abutted cylindrical rolls are respectively rotated about a rotation axis) and the third method (foam layer 4). The tube 6 in which the cored bar 2 in which the foamed layer 4 is formed is inserted by a method in which the tube 6 in which the cored bar 2 with the core is inserted is brought into contact with a smooth flat surface 9 and rotated around the rotation axis of the cored bar 2 Even if the shape is corrected, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

本発明の半導電性ロールを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the semiconductive roll of this invention. 芯金を挿入したチューブの形状を矯正する方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the method of correcting the shape of the tube which inserted the metal core. 芯金を挿入したチューブの形状を矯正する方法の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the method of correcting the shape of the tube which inserted the metal core. 本発明の画像形成装置の一例の概略図である。1 is a schematic view of an example of an image forming apparatus of the present invention. 矯正前の振れ精度及び矯正後の振れ精度の結果を棒グラフとして表した図である。It is the figure which represented as a bar graph the result of the shake accuracy before correction, and the shake accuracy after correction.

符号の説明Explanation of symbols

2 芯金
4 発泡層
6 チューブ
8 円筒形状のロール
9 平滑な平面
10 画像形成装置
14 感光体ドラム(像担持体)
16 帯電ロール
20 現像装置
22、24 1次中間転写ドラム
26 2次中間転写ドラム
28 転写ロール
30 用紙搬送ロール
32 定着装置
40 導電性シャフト
42 導電性発泡弾性層
44 半導電シームレスチューブ
51、54 距離
2 Core metal 4 Foam layer 6 Tube 8 Cylindrical roll 9 Smooth flat surface 10 Image forming apparatus 14 Photosensitive drum (image carrier)
16 Charging roll 20 Developing device 22, 24 Primary intermediate transfer drum 26 Secondary intermediate transfer drum 28 Transfer roll 30 Paper transport roll 32 Fixing device 40 Conductive shaft 42 Conductive foamed elastic layer 44 Semiconductive seamless tubes 51, 54 Distance

Claims (1)

芯金の外周に発泡層を形成し、外周に該発泡層が形成された該芯金を接着剤を介してチューブに挿入し、接着剤を硬化させることにより該芯金の外周に形成している発泡層とチューブとを接着させる半導電性ロールの製造方法であって、
前記接着剤の硬化前に、前記芯金を挿入したチューブの形状を、前記芯金を挿入したチューブを円筒形状のロールに当接させ、該芯金の回転軸と該円筒形状のロールの回転軸とを、平行にして一定の距離に保ちながら、前記円筒形状のロールを該円筒形状のロールの回転軸を中心に回転させることにより、又は前記芯金を挿入したチューブを平滑な平面に当接させ、該チューブを芯金の回転軸を中心に回転させることにより矯正することを特徴とする半導電性ロールの製造方法。
A foam layer is formed on the outer periphery of the core metal, the core metal with the foam layer formed on the outer periphery is inserted into the tube through an adhesive, and the adhesive is cured to form on the outer periphery of the core metal. A method for producing a semiconductive roll for bonding a foam layer and a tube,
Before the adhesive is cured, the tube into which the metal core is inserted is brought into contact with the cylindrical roll, and the rotation axis of the metal core and the rotation of the cylindrical roll are brought into contact with the cylindrical roller. While rotating the cylindrical roll around the axis of rotation of the cylindrical roll while keeping the shaft parallel and at a constant distance, the tube with the cored bar applied to a smooth plane A method for producing a semiconductive roll , wherein the tube is corrected by rotating the tube around a rotation axis of a cored bar .
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