JP4691787B2

JP4691787B2 - SAW device

Info

Publication number: JP4691787B2
Application number: JP2001006032A
Authority: JP
Inventors: 邦博藤井; 和司東; 昭彦南波
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-01-15
Filing date: 2001-01-15
Publication date: 2011-06-01
Anticipated expiration: 2021-01-15
Also published as: JP2002217673A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は無線通信機器などに組込まれるＳＡＷデバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＳＡＷデバイスは、特開２０００−２６１２８４号公報に記載されたものが知られている。図１７は従来のＳＡＷデバイスの断面図である。
【０００３】
図１７において、１はタンタル酸リチウム等からなる圧電基板である。この圧電基板１の一面には、アルミニウム等からなるインターディジタルトランスデューサ電極２（以下ＩＤＴ電極とする）と、このＩＤＴ電極２に接続した入、出力電極３を有する。また圧電基板１上にはＩＤＴ電極２を被覆するように金属メッキにより形成したカバー４を有する。
【０００４】
さらに入、出力電極３上に金属メッキにより突起電極５を設け、この突起電極５の上端部のみが露出するようにカバー４、入、出力電極３及び突起電極５の外周部を被覆する熱硬化性樹脂などの絶縁体６を有する。さらに突起電極５の上端面を覆うように半田バンプ７を有する。
【０００５】
このＳＡＷデバイスは半田バンプ７を入、出力端子として外部回路基板に実装される。
【０００６】
以上のように構成されたＳＡＷデバイスについて、以下にその製造方法を説明する。
【０００７】
まず、大板状の圧電基板１の上に多数のＩＤＴ電極２及び入、出力電極３を形成する。
【０００８】
一方、カバー形成用基板の上に電解メッキにより多数のカバー４を形成する。
【０００９】
次に、カバー４でＩＤＴ電極２を覆うように圧電基板１にカバー形成用基板を装着し、カバー形成用基板を除去する。
【００１０】
次いで、圧電基板１上に突起電極５用のメッキ用ガイドを形成し、電解メッキにより突起電極５を形成する。
【００１１】
その後メッキ用ガイドを除去し、突起電極５の外周部を熱硬化性樹脂で被覆する。
【００１２】
次に突起電極５の上端面に半田バンプ７を形成し、一枚の圧電基板１に複数のＳＡＷデバイスが形成された状態となる。
【００１３】
次いでこの圧電基板１を切断することにより個々のＳＡＷデバイスとなる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
このＳＡＷデバイスにおいては、カバー４を堅固な構成とするため銅などの金属材料の電解メッキにより形成したものであった。
【００１５】
そのためカバー４を圧電基板１上に取付ける際などに金属屑がＩＤＴ電極２上に落下してショート不良を発生するという問題点を有していた。
【００１６】
そこで本発明は上記従来の問題点を解決するもので、カバーが原因によるショート不良の発生を防止したＳＡＷデバイスを提供することを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、以下の構成を有するものである。
【００１８】
本発明の請求項１に記載の発明は、圧電基板と、この圧電基板の一面上に設けたインターディジタルトランスデューサ電極と、このインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接続した入、出力電極と、少なくとも前記インターディジタルトランスデューサ電極と非接触でかつ前記インターディジタルトランスデューサ電極を覆うように設けた絶縁性のカバーと、前記入、出力電極上に設けた突起電極と、この突起電極の側面と前記絶縁性のカバーと前記入、出力電極の少なくとも一部を覆う第１の樹脂層と、前記突起電極の上端面に設けられ前記突起電極の上端面よりも面積の広い外部電極を備えたＳＡＷデバイスであって、このＳＡＷデバイスの占有面積は前記圧電基板の占有面積にほぼ等しく、上部の外形形状は前記第１の樹脂層と前記外部電極とにより規定され、前記絶縁性のカバーを構成する絶縁体のガラス転移温度を前記第１の樹脂層を構成する樹脂の硬化温度よりも高くしたものであり、ショート不良を防止できるという作用効果が得られる。また、第１の樹脂層形成時に絶縁性のカバーが変形するのを抑制できるという作用効果が得られる。
【００１９】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、第１の樹脂層と圧電基板とが同等の熱膨張係数を有するものであり、ＳＡＷデバイスを回路基板へ実装する際、リフローによる熱応力が圧電基板に加わるのを抑制するという作用効果が得られる。
【００２０】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、圧電基板の他面側に第２の樹脂層を設けたものであり、焦電性を有する圧電基板において温度変化によるＩＤＴ電極間の破壊を抑制し、耐熱衝撃性の向上という作用効果が得られる。
【００２１】
本発明の請求項４に記載の発明は、特に、第２の樹脂層の厚みを第１の樹脂層の最大厚みと同等にしたことにより、焦電性を有する圧電基板において温度変化によるＩＤＴ電極間の破壊を抑制し、耐熱衝撃性の向上という作用効果が得られる。
【００２２】
本発明の請求項５に記載の発明は、特に、第１の樹脂層を介して圧電基板の表面を認識できるようにすることにより、個々のＳＡＷデバイスに容易に分割できるという作用効果が得られる。
【００２３】
本発明の請求項６に記載の発明は、特に、第１の樹脂層の表面に研磨面を設けたものであり、外部電極の突起電極との接続を強固なものとすることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１について説明する。
【００２５】
図１は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの断面図である。
【００２６】
図１において、１１は圧電基板、１２は圧電基板１１の一面に設けたＩＤＴ電極、１３はＩＤＴ電極１２に電気的に接続するとともに圧電基板１１上に設けた入、出力電極、１４は圧電基板１１の一面にＩＤＴ電極１２と非接触でかつＩＤＴ電極１２を覆うように設けた第１の絶縁体であるカバー、１５は入、出力電極１３上に設けたパッド電極、１６はパッド電極１５の上に設けた突起電極、１７は圧電基板１１、突起電極１６及びカバー１４の表面を被覆するＳｉ系化合物で形成した第３の絶縁体である絶縁体層、１８は絶縁体層１７の上に熱硬化性樹脂などを用いて形成した第２の絶縁体である樹脂層、１９は樹脂層１８の外表面に露出させた突起電極１６の上端面に接続するように設けた下層外部電極、２０は下層外部電極１９の表面に設けた上層外部電極である。
【００２７】
以上のように構成されたＳＡＷデバイスの構成要素についてさらに詳しく説明する。
【００２８】
圧電基板１１はタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶など等からなる単結晶基板である。
【００２９】
ＩＤＴ電極１２および入、出力電極１３は、二層構造で圧電基板１１側の下層がアルミニウムあるいはアルミニウムを主成分とする金属で形成され、上層が下層よりも耐腐食性に優れた金属で形成されたものである。
【００３０】
パッド電極１５は、突起電極１６との密着力を向上させるためのものであり、下層がＴｉ、上層がＡｌあるいはＡｕの少なくとも二層構造をとる。
【００３１】
カバー１４はフィラーを分散させたフィルム状の絶縁樹脂シートを用いて、弾性表面波の振動を保護する空間を圧電基板１１上に形成したものである。
【００３２】
樹脂層１８を形成する物質の硬化温度よりもカバー１４を形成する物質のガラス転移温度が高いので、例えば樹脂層１８を熱硬化性樹脂で形成する時の加熱によりカバー１４の変形を防止できる。
【００３３】
突起電極１６はＳＡＷデバイスを実装する回路基板と入、出力電極１３とを電気的に接続するためのものであり、Ａｕ、Ｃｕ、半田などを用いて形成する。Ａｕの場合はボールボンディング法、Ｃｕの場合はメッキ法、半田の場合はスクリーン印刷法等により形成する。
【００３４】
絶縁体層１７は、カバー１４よりも耐湿性に優れた酸化物や窒化物等のＳｉ化合物を用いて形成し、カバー１４の表面を覆うことによりＩＤＴ電極１２を耐湿性を向上させることができる。また突起電極１６、入、出力電極１３、パッド電極１５、圧電基板１１の一面を被覆することにより、ＳＡＷデバイスの耐湿性をさらに向上させることができる。特に突起電極１６とパッド電極１５の接合面を保護することが有効である。
【００３５】
また樹脂層１８は圧電基板１１と同等の熱膨張係数を有するエポキシ樹脂などの樹脂を用いて、回路基板への実装時のリフローによる熱応力が圧電基板１１及び突起電極１６に加わるのを防止する。さらに絶縁体層１７を設けない場合は、膨潤しない樹脂を用いる。
【００３６】
さらにまた突起電極１６を露出させた後の樹脂層１８の上面を粗面とすることにより、下層外部電極１９と突起電極１６との密着性を向上させることができる。
【００３７】
また突起電極１６を露出させた後、樹脂層１８を上面から見た時に圧電基板１１の表面のパッド電極１５を認識できるような色の樹脂を用いることにより、個々のＳＡＷデバイスに分割する時のダイシングラインを確実に認識することができる。
【００３８】
下層外部電極１９は突起電極１６とＳＡＷデバイスを実装する回路基板と電気的接続を確実に取るためのものである。突起電極１６が軟らかいと樹脂層１８中に埋没しやすくなる。従ってこのような場合は下層外部電極１９を必ず設ける必要がある。
【００３９】
上層外部電極２０はＳＡＷデバイスとこれを実装する回路基板間に発生する熱応力を緩和することができる。
【００４０】
このＳＡＷデバイスの製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００４１】
図２〜図１０は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図である。
【００４２】
まず、図２に示すように圧電基板１１の一面上にフォトリソ法により二層構造のＩＤＴ電極１２及びこのＩＤＴ電極１２に電気的に接続した入、出力電極１３を形成する。
【００４３】
次に図３に示すようにフォトリソ法により圧電基板１１のパッド電極１５の形成領域以外をマスキングし、蒸着あるいはメッキ等により入、出力電極１３の上にパッド電極１５を形成する。
【００４４】
次いで図４に示すように、入、出力電極１３の上にその外周部を接着するようにフィルム状の絶縁樹脂シートを用いてフォトリソ法によりまずカバー１４の側壁を作製し、次いで上部壁面を形成する。このカバー１４は絶縁性を有するので圧電基板１１上に形成する際、例えそのダストがＩＤＴ電極１２上に落下したとしても従来のようにショート不良を発生したりする恐れが無い。
【００４５】
またカバー１４と入、出力電極１３との密着性を向上させるために、この間にシラン系カップリング層（図示せず）を設けるなどすると良い。
【００４６】
その後図５に示すようにパッド電極１５の上にＡｕバンプにより突起電極１６を形成する。この突起電極１６はカバー１４より高くかつ上部を後工程で研磨するため所望の高さよりも高く形成することが必要である。そのための一つの方法としてはＡｕバンプを複数個積層して高くするという方法がある。
【００４７】
次いで図６に示すように圧電基板１１、入、出力電極１３、カバー１４、パッド電極１５及び突起電極１６の表面を覆うように低温ＣＶＤ法によりＳｉを主成分とする絶縁体層１７を形成する。低温ＣＶＤ法は成膜性に優れているので、量産性を向上させることができる。さらに緻密な構造の絶縁体層１７を形成できるので、耐湿性を向上させることができる。
【００４８】
その後図７に示すように圧電基板１１上に突起電極１６が埋設されるようにエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂あるいはガラスを注入し、硬化させることにより樹脂層１８を形成する。
【００４９】
次に図８に示すように樹脂層１８及び突起電極１６の上部を研磨し、突起電極１６の上端面を露出させるとともに樹脂層１８の表面を粗面化する。
【００５０】
次いで図９に示すように突起電極１６の上端面を覆うように蒸着によりＴｉ，Ｃｒ等の下層外部電極１９を形成する。
【００５１】
その後図１０に示すように下層外部電極１９の上にＣｕ，Ａｇなどのペーストをスクリーン印刷により塗布後硬化させることにより上層外部電極２０を形成する。
【００５２】
最後に圧電基板１１を隣り合う突起電極１６間で切断することにより、図１に示すＳＡＷデバイスを複数得る。
【００５３】
このＳＡＷデバイスは、カバー１４を樹脂で形成しているので、従来のＳＡＷデバイスのようにカバー１４あるいはこの欠片が原因によるショート不良を防止できるものである。
【００５４】
以上本実施の形態１によると、ＩＤＴ電極１２を絶縁性樹脂シートを用いて形成したカバー１４で被覆することにより、カバー１４の形成時などにショート不良が発生するのを抑制することができる。
【００５５】
またカバー１４の表面及び入、出力電極１３とパッド電極１５の接合部及びパッド電極１５と突起電極１６との接合部を耐湿性に優れた絶縁体層１７で被覆することにより、耐湿性を向上させることができる。
【００５６】
さらに絶縁体層１７をＳｉ化合物で形成することにより、耐湿性に優れた絶縁体層１７を形成することができる。
【００５７】
さらにまたＩＤＴ電極１２は少なくとも二層構造で、下層をＡｌを主成分とする金属で、上層をＡｌよりも耐腐食性に優れた金属で形成することにより、耐湿性を向上させることができる。
【００５８】
またカバー１４中にフィラーを分散させることにより、機械的強度を向上させることができる。
【００５９】
カバー１４のガラス転移温度は樹脂層１８を形成する樹脂の硬化温度よりも高いので、樹脂層１８を形成するカバー１４が変形するのを防止できる。
【００６０】
樹脂層１８は圧電基板１１と同等の熱膨張係数を有するものであり、回路基板への実装時のリフローによる熱応力が圧電基板１１及びパッド電極１５と突起電極１６との接合部にかかるのを抑制できる。
【００６１】
また樹脂層１８から突起電極１６を露出させた後、上面から見た時に圧電基板１１の表面のパッド電極１５を認識できるような色の樹脂を用いて樹脂層１８を形成することにより、個々のＳＡＷデバイスに分割する時のダイシングラインを確実に認識することができる。
【００６２】
さらに、突起電極１６の上端面を完全に被覆するように下層外部電極１９を形成することにより、ＳＡＷデバイスを実装する回路基板との電気的接続を確実に取ることができるとともに、回路基板とＳＡＷデバイスの接合部にかかる機械的応力を緩和することができるという作用効果が得られる。
【００６３】
さらにまた、樹脂層１８の表面を粗面とすることにより、下層外部電極１９と突起電極１６との密着性を向上させることができる。
【００６４】
また、まず表面にＩＤＴ電極１２および入、出力電極１３を有する大板状の圧電基板１１上にＩＤＴ電極１２と非接触でかつこれを被覆するカバー１４を形成し、次にカバー１４及び突起電極１６を被覆する樹脂層１８を形成し、次いで突起電極１６の上端面と樹脂層１８の表面とが略同一平面となるように研磨した後、個々のＳＡＷデバイスに分割することにより、カバー１４の形成によるショート不良の発生を防止したＳＡＷデバイスを生産性良く得ることができる。
【００６５】
さらに突起電極１６はＡｕバンプを複数個積層することにより、所望の高さの突起電極１６を作製することができる。
【００６６】
さらにまた突起電極１６を形成後、カバー１４の表面を絶縁体層１７で被覆してから樹脂層１８を形成することにより、ＳＡＷデバイスの耐湿性を向上させることができる。
【００６７】
また樹脂層１８の表面を研磨後下層外部電極１９を形成することにより、突起電極１６と下層外部電極１９との接続強度を向上させることができると共にＳＡＷデバイスを回路基板へ容易に実装することができる。
【００６８】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２について説明する。
【００６９】
図１１は本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの断面図である。
【００７０】
図において、２１は圧電基板１１の他面に設けた樹脂層であり、樹脂層１８と同じ材料を用いて形成したものである。他の構成要素については図１に示すＳＡＷデバイスと同様であるので説明を省略する。
【００７１】
この樹脂層２１の形成によりＳＡＷデバイスの熱容量を向上させて、熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止することができる。
【００７２】
このＳＡＷデバイスの製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００７３】
図１２は本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明する断面図であり、実施の形態１と同要素については同番号を付して説明を省略する。
【００７４】
まず実施の形態１と同様にして図１０に示すような圧電基板１１を得る。
【００７５】
次いで図１２に示すように、圧電基板１１の他面に樹脂層１８と同じ種類の樹脂ペーストを塗布後硬化あるいは樹脂シートを貼り付けることにより形成する。
【００７６】
その後実施の形態１と同様にして圧電基板１１を切断して図１１に示すＳＡＷデバイスを得る。
【００７７】
本実施の形態２のＳＡＷデバイスは、実施の形態１のＳＡＷデバイスにおける効果に加えて、熱容量が大きいので熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止することができる。
【００７８】
なお、樹脂層２１は樹脂層１８の最大厚みと同等の厚みを有するようにすることが上記効果を高めるためにも好ましい。
【００７９】
以上本実施の形態２のＳＡＷデバイスは、圧電基板１１の他面にも樹脂層２１を有することにより、ＳＡＷデバイスの熱容量を向上させて、熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止することができる。
【００８０】
また個々のＳＡＷデバイスの切断前に樹脂層２１を形成することにより、切断時及び、ＳＡＷデバイスの回路基板への実装時の熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止できる。
【００８１】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３について説明する。
【００８２】
図１１は本発明の実施の形態３におけるＳＡＷデバイスの断面図であり、実施の形態２と同じ構成であるので説明を省略する。
【００８３】
実施の形態２と異なる点は、樹脂層２１の形成工程である。
【００８４】
本実施の形態３のＳＡＷデバイスの製造方法について説明する。
【００８５】
図１３は本実施の形態３におけるＳＡＷデバイスの製造方法を説明するための断面図であり、実施の形態１，２と同要素については同番号を付して説明を省略する。
【００８６】
まず実施の形態１と同様にして図６に示すような圧電基板１１を得る。
【００８７】
次いで図１３に示すように、圧電基板１１の一面には樹脂ペーストを注入して樹脂層１８を形成すると共に、他面には樹脂層１８と同じ種類の樹脂ペーストを塗布後硬化あるいは樹脂シートを貼り付けることにより樹脂層２１を形成する。
【００８８】
その後実施の形態１と同様にして圧電基板１１の両面を研磨し、突起電極１６の上端面を露出させると共に樹脂層１８の表面を粗面化する。
【００８９】
次いで突起電極１６の上端面を覆うように下層外部電極１９、上層外部電極２０を形成する。
【００９０】
最後に圧電基板１１を隣り合う突起電極１６間で切断することにより、図１１に示すＳＡＷデバイスを複数得る。
【００９１】
本実施の形態３のＳＡＷデバイスも実施の形態１のＳＡＷデバイスの効果に加えて、熱容量が大きいので熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止することができる。
【００９２】
なお、樹脂層２１は樹脂層１８の最大厚みと同等の厚みを有するようにすることが上記効果を高めるためにも好ましい。
【００９３】
以上本実施の形態におけるＳＡＷデバイスは、樹脂層１８と樹脂層２１とを続けて形成することにより、これ以降の工程においてＳＡＷデバイスにかかる熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止できる。
【００９４】
（実施の形態４）
以下、実施の形態４について説明する。図１４は本発明の実施の形態４における電子部品の断面図である。
【００９５】
図１４において、３０は内部に複数の電極(図示せず)を有するセラミック基板であり、内部に内部電極３１、裏面に内部電極３１に接続した外部電極３２を有する。
【００９６】
またセラミック基板３０の表面には、電気的に内部電極３１と接続される複数の接続電極３４を有すると共に、この接続電極３４上にＩＣ３５、抵抗器３６、インダクタ３７、コンデンサ３８、上記実施の形態１で説明したＳＡＷデバイス３９等を実装している。
【００９７】
さらにこれらの実装部品を埋設するようにセラミック基板３０の表面全体に樹脂層４０を有する。
【００９８】
この電子部品は、例えば携帯電話などにおいてアンテナ部分を構成するものであり、例えば図１５に示す回路構成をとる。
【００９９】
セラミック基板３０の曲げ応力は中央部分が最も大きくなる。また実装した各部品の中ではＳＡＷデバイス３９のセラミック基板３０の反りに対する機械的強度が弱い方である。従ってＳＡＷデバイス３９をセラミック基板３０の端部側に実装することにより、セラミック基板３０からの応力ができるだけ加わらないようにした。
【０１００】
この電子部品はセラミック基板３０の接続電極３４上に半田などの導電性接着剤を用いて実装後樹脂層４０を形成することにより製造する。この時ＳＡＷデバイス３９においては導電性接着剤の量をコントロールすることによりセラミック基板３０上に圧電基板１１が水平に実装されるようにすることが望ましい。
【０１０１】
なお本実施の形態４においては実施の形態１に示したＳＡＷデバイス３９を用いたが、実施の形態２あるいは３に示したＳＡＷデバイスを用いても構わない。
【０１０２】
（実施の形態５）
以下、実施の形態５について説明する。図１６は本発明の実施の形態５における電子部品の断面図であり、実施の形態３と同様の構成要素については同番号を付してその説明を省略する。
【０１０３】
図１６において、４１はセラミック基板３０上に実装した各部品を封止する金属製のカバーである。
【０１０４】
本実施の形態５の電子部品も実施の形態３の電子部品と同様に、例えば携帯電話などにおいてアンテナ部分を構成するものであり、例えば図１５に示す回路構成をとる。
【０１０５】
本実施の形態５の電子部品においてもセラミック基板３０の曲げ応力は中央部分が最も大きくなる。また実装した各部品の中ではＳＡＷデバイス３９のセラミック基板３０の反りに対する機械的強度が弱い方である。従ってＳＡＷデバイス３９をセラミック基板３０の端部側に実装することにより、セラミック基板３０からの応力ができるだけ加わらないようにした。
【０１０６】
なお本実施の形態５においては実施の形態１に示したＳＡＷデバイス３９を用いたが、実施の形態２，３に示したＳＡＷデバイスを用いても構わない。
【０１０７】
【発明の効果】
以上本発明によると、ＩＤＴ電極を封止するためのカバーを絶縁体で形成するため、その形成時あるいはその後において、このカバーが原因でショート不良を発生する恐れの無いものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図６】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図７】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図８】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図９】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図１１】本発明の実施の形態２，３におけるＳＡＷデバイスの断面図
【図１２】本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図１３】本発明の実施の形態３におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図
【図１４】本発明の実施の形態４における電子部品の断面図
【図１５】本発明の実施の形態４，５における電子部品の回路図
【図１６】本発明の実施の形態５における電子部品の断面図
【図１７】従来のＳＡＷデバイスの断面図
【符号の説明】
１１圧電基板
１２ＩＤＴ電極
１３入、出力電極
１４カバー
１５パッド電極
１６突起電極
１７絶縁体層
１８樹脂層
１９下層外部電極
２０上層外部電極
２１樹脂層
３０セラミック基板
３１内部電極
３２外部電極
３４接続電極
３５ＩＣ
３６抵抗器
３７インダクタ
３８コンデンサ
３９ＳＡＷデバイス
４０樹脂層
４１カバー[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a SAW device incorporated in a wireless communication device or the like.
[0002]
[Prior art]
As a conventional SAW device, one described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-261284 is known. FIG. 17 is a cross-sectional view of a conventional SAW device.
[0003]
In FIG. 17, reference numeral 1 denotes a piezoelectric substrate made of lithium tantalate or the like. One surface of the piezoelectric substrate 1 has an interdigital transducer electrode 2 (hereinafter referred to as an IDT electrode) made of aluminum or the like, and an input / output electrode 3 connected to the IDT electrode 2. On the piezoelectric substrate 1, a cover 4 formed by metal plating so as to cover the IDT electrode 2 is provided.
[0004]
Further, a protrusion electrode 5 is provided on the input / output electrode 3 by metal plating, and the cover 4, the input / output electrode 3, and the outer peripheral portion of the protrusion electrode 5 are coated so as to expose only the upper end portion of the protrusion electrode 5 An insulator 6 such as a conductive resin. Furthermore, a solder bump 7 is provided so as to cover the upper end surface of the protruding electrode 5.
[0005]
This SAW device has solder bumps 7 and is mounted on an external circuit board as an output terminal.
[0006]
A manufacturing method of the SAW device configured as described above will be described below.
[0007]
First, a large number of IDT electrodes 2 and input / output electrodes 3 are formed on a large plate-like piezoelectric substrate 1.
[0008]
On the other hand, a large number of covers 4 are formed on the cover forming substrate by electrolytic plating.
[0009]
Next, a cover forming substrate is mounted on the piezoelectric substrate 1 so as to cover the IDT electrode 2 with the cover 4, and the cover forming substrate is removed.
[0010]
Next, a plating guide for the protruding electrode 5 is formed on the piezoelectric substrate 1, and the protruding electrode 5 is formed by electrolytic plating.
[0011]
Thereafter, the plating guide is removed, and the outer peripheral portion of the protruding electrode 5 is covered with a thermosetting resin.
[0012]
Next, solder bumps 7 are formed on the upper end surface of the protruding electrode 5, and a plurality of SAW devices are formed on one piezoelectric substrate 1.
[0013]
Next, the piezoelectric substrate 1 is cut to form individual SAW devices.
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
In this SAW device, the cover 4 is formed by electrolytic plating of a metal material such as copper in order to have a firm structure.
[0015]
For this reason, when attaching the cover 4 to the piezoelectric substrate 1, there is a problem that metal scraps fall on the IDT electrode 2 to cause a short circuit defect.
[0016]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described conventional problems and to provide a SAW device that prevents the occurrence of a short circuit failure due to a cover.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.
[0018]
According to the first aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric substrate, an interdigital transducer electrode provided on one surface of the piezoelectric substrate, an input / output electrode electrically connected to the interdigital transducer electrode, and at least the aforementioned An insulating cover provided so as not to contact the interdigital transducer electrode and to cover the interdigital transducer electrode ; a protruding electrode provided on the input / output electrode; a side surface of the protruding electrode; and the insulating cover A SAW device comprising: a first resin layer covering at least a part of the input and output electrodes; and an external electrode provided on an upper end surface of the protruding electrode and having a larger area than the upper end surface of the protruding electrode, The area occupied by the SAW device is substantially equal to the area occupied by the piezoelectric substrate, and the outer shape of the upper portion is the first tree. Defined by said the layer external electrodes, which the glass transition temperature of the insulating material constituting the insulating cover is made higher than the curing temperature of the resin constituting the first resin layer, preventing short circuits The effect that it can be obtained. Moreover, the effect that it can suppress that an insulating cover deform | transforms at the time of 1st resin layer formation is acquired.
[0019]
In the invention according to claim 2 of the present invention, in particular, the first resin layer and the piezoelectric substrate have the same thermal expansion coefficient. When the SAW device is mounted on the circuit board, the thermal stress due to reflow is reduced. The effect of suppressing the addition to the piezoelectric substrate can be obtained.
[0020]
In the invention described in claim 3 of the present invention, in particular, the second resin layer is provided on the other surface side of the piezoelectric substrate. In the piezoelectric substrate having pyroelectricity, destruction between IDT electrodes due to temperature change is prevented. The effect of suppressing and improving the thermal shock resistance is obtained.
[0021]
The invention according to claim 4 of the present invention is the IDT electrode due to temperature change in the piezoelectric substrate having pyroelectricity, particularly by making the thickness of the second resin layer equal to the maximum thickness of the first resin layer. The effect of improving the thermal shock resistance can be obtained.
[0022]
The invention according to claim 5 of the present invention has an effect that it can be easily divided into individual SAW devices, particularly by enabling the surface of the piezoelectric substrate to be recognized through the first resin layer. .
[0023]
In the invention according to claim 6 of the present invention, in particular, the surface of the first resin layer is provided with a polishing surface, and the connection between the external electrode and the protruding electrode can be made strong.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(Embodiment 1)
The first embodiment will be described below.
[0025]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a SAW device according to Embodiment 1 of the present invention.
[0026]
In FIG. 1, 11 is a piezoelectric substrate, 12 is an IDT electrode provided on one surface of the piezoelectric substrate 11, 13 is an input / output electrode provided on the piezoelectric substrate 11 while being electrically connected to the IDT electrode 12, and 14 is a piezoelectric substrate. 11 is a cover that is a first insulator that is not in contact with the IDT electrode 12 and covers the IDT electrode 12 on one surface, 15 is a pad electrode provided on the output electrode 13, and 16 is a pad electrode 15. A bump electrode 17 is provided on the piezoelectric substrate 11, the bump electrode 16 and the cover 14. The insulator layer is a third insulator formed of a Si-based compound, and 18 is provided on the insulator layer 17. A resin layer, which is a second insulator formed using a thermosetting resin, 19 is a lower external electrode provided so as to be connected to the upper end surface of the protruding electrode 16 exposed on the outer surface of the resin layer 18; Is the surface of the lower external electrode 19 A upper external electrode provided on.
[0027]
The components of the SAW device configured as described above will be described in more detail.
[0028]
The piezoelectric substrate 11 is a single crystal substrate made of lithium tantalate, lithium niobate, crystal, or the like.
[0029]
The IDT electrode 12 and the input / output electrode 13 have a two-layer structure, the lower layer on the piezoelectric substrate 11 side is formed of aluminum or a metal mainly composed of aluminum, and the upper layer is formed of a metal having higher corrosion resistance than the lower layer. It is a thing.
[0030]
The pad electrode 15 is for improving the adhesive force with the protruding electrode 16, and has at least a two-layer structure in which the lower layer is Ti and the upper layer is Al or Au.
[0031]
The cover 14 is formed by forming a space on the piezoelectric substrate 11 to protect the vibration of the surface acoustic wave using a film-like insulating resin sheet in which a filler is dispersed.
[0032]
Since the glass transition temperature of the material forming the cover 14 is higher than the curing temperature of the material forming the resin layer 18, for example, the deformation of the cover 14 can be prevented by heating when the resin layer 18 is formed of a thermosetting resin.
[0033]
The protruding electrode 16 is used to electrically connect the circuit board on which the SAW device is mounted to the input / output electrode 13, and is formed using Au, Cu, solder, or the like. It is formed by a ball bonding method in the case of Au, a plating method in the case of Cu, or a screen printing method in the case of solder.
[0034]
The insulator layer 17 is formed using a Si compound such as an oxide or a nitride that has better moisture resistance than the cover 14, and covers the surface of the cover 14 to improve the moisture resistance of the IDT electrode 12. . Further, by covering one surface of the protruding electrode 16, the input / output electrode 13, the pad electrode 15, and the piezoelectric substrate 11, the moisture resistance of the SAW device can be further improved. In particular, it is effective to protect the joint surface between the protruding electrode 16 and the pad electrode 15.
[0035]
The resin layer 18 uses a resin such as an epoxy resin having a thermal expansion coefficient equivalent to that of the piezoelectric substrate 11 to prevent thermal stress due to reflow during mounting on the circuit substrate from being applied to the piezoelectric substrate 11 and the protruding electrodes 16. . Further, when the insulator layer 17 is not provided, a resin that does not swell is used.
[0036]
Furthermore, the adhesiveness between the lower external electrode 19 and the protruding electrode 16 can be improved by making the upper surface of the resin layer 18 after exposing the protruding electrode 16 rough.
[0037]
Further, after exposing the protruding electrodes 16, by using a resin of a color that can recognize the pad electrodes 15 on the surface of the piezoelectric substrate 11 when the resin layer 18 is viewed from the upper surface, when dividing into individual SAW devices. A dicing line can be recognized reliably.
[0038]
The lower external electrode 19 is used to ensure electrical connection between the bump electrode 16 and the circuit board on which the SAW device is mounted. If the protruding electrode 16 is soft, it is easily embedded in the resin layer 18. Therefore, in such a case, the lower external electrode 19 must be provided.
[0039]
The upper external electrode 20 can relieve the thermal stress generated between the SAW device and the circuit board on which the SAW device is mounted.
[0040]
A method for manufacturing the SAW device will be described with reference to the drawings.
[0041]
2 to 10 are cross-sectional views for explaining a SAW device manufacturing process according to the first embodiment of the present invention.
[0042]
First, as shown in FIG. 2, an IDT electrode 12 having a two-layer structure and an input / output electrode 13 electrically connected to the IDT electrode 12 are formed on one surface of the piezoelectric substrate 11 by photolithography.
[0043]
Next, as shown in FIG. 3, the area other than the formation area of the pad electrode 15 of the piezoelectric substrate 11 is masked by photolithography, and the pad electrode 15 is formed on the output electrode 13 by vapor deposition or plating.
[0044]
Next, as shown in FIG. 4, the side wall of the cover 14 is first formed by photolithography using a film-like insulating resin sheet so that the outer periphery of the input and output electrodes 13 is bonded, and then the upper wall surface is formed. To do. Since this cover 14 has an insulating property, when it is formed on the piezoelectric substrate 11, even if the dust falls on the IDT electrode 12, there is no possibility of causing a short circuit failure as in the conventional case.
[0045]
In order to improve the adhesion between the cover 14 and the input / output electrode 13, a silane coupling layer (not shown) may be provided between them.
[0046]
Thereafter, as shown in FIG. 5, a protruding electrode 16 is formed on the pad electrode 15 by Au bumps. The protruding electrode 16 is higher than the cover 14 and needs to be formed higher than a desired height in order to polish the upper part in a subsequent process. One method for this is to stack a plurality of Au bumps to increase the height.
[0047]
Next, as shown in FIG. 6, an insulating layer 17 containing Si as a main component is formed by low-temperature CVD so as to cover the surfaces of the piezoelectric substrate 11, the input, output electrode 13, cover 14, pad electrode 15 and protruding electrode 16. . Since the low temperature CVD method is excellent in film formability, mass productivity can be improved. Furthermore, since the insulator layer 17 having a dense structure can be formed, moisture resistance can be improved.
[0048]
Thereafter, as shown in FIG. 7, a thermosetting resin such as an epoxy resin or glass is injected and cured so that the protruding electrodes 16 are embedded on the piezoelectric substrate 11, and the resin layer 18 is formed.
[0049]
Next, as shown in FIG. 8, the upper part of the resin layer 18 and the protruding electrode 16 is polished to expose the upper end surface of the protruding electrode 16 and to roughen the surface of the resin layer 18.
[0050]
Next, as shown in FIG. 9, a lower external electrode 19 made of Ti, Cr or the like is formed by vapor deposition so as to cover the upper end surface of the protruding electrode 16.
[0051]
Thereafter, as shown in FIG. 10, an upper layer external electrode 20 is formed on the lower layer external electrode 19 by applying a paste such as Cu or Ag by screen printing and then curing.
[0052]
Finally, the piezoelectric substrate 11 is cut between adjacent protruding electrodes 16 to obtain a plurality of SAW devices shown in FIG.
[0053]
In this SAW device, since the cover 14 is made of resin, it is possible to prevent a short circuit failure caused by the cover 14 or this piece as in the conventional SAW device.
[0054]
As described above, according to the first embodiment, by covering the IDT electrode 12 with the cover 14 formed using the insulating resin sheet, it is possible to suppress the occurrence of short-circuit defects when the cover 14 is formed.
[0055]
Further, the moisture resistance is improved by covering the surface of the cover 14 and the input, the junction between the output electrode 13 and the pad electrode 15 and the junction between the pad electrode 15 and the protruding electrode 16 with an insulating layer 17 having excellent moisture resistance. Can be made.
[0056]
Furthermore, by forming the insulator layer 17 with a Si compound, the insulator layer 17 having excellent moisture resistance can be formed.
[0057]
Furthermore, the IDT electrode 12 has at least a two-layer structure, and the lower layer is made of a metal mainly composed of Al, and the upper layer is made of a metal having better corrosion resistance than Al, thereby improving the moisture resistance.
[0058]
Further, the mechanical strength can be improved by dispersing the filler in the cover 14.
[0059]
Since the glass transition temperature of the cover 14 is higher than the curing temperature of the resin forming the resin layer 18, it is possible to prevent the cover 14 forming the resin layer 18 from being deformed.
[0060]
The resin layer 18 has a thermal expansion coefficient equivalent to that of the piezoelectric substrate 11, and the thermal stress due to reflow during mounting on the circuit board is applied to the junction between the piezoelectric substrate 11, the pad electrode 15, and the protruding electrode 16. Can be suppressed.
[0061]
Further, after exposing the protruding electrodes 16 from the resin layer 18, the resin layers 18 are formed by using a resin having a color that can recognize the pad electrodes 15 on the surface of the piezoelectric substrate 11 when viewed from the upper surface. The dicing line when dividing into SAW devices can be reliably recognized.
[0062]
Furthermore, by forming the lower external electrode 19 so as to completely cover the upper end surface of the protruding electrode 16, electrical connection with the circuit board on which the SAW device is mounted can be ensured, and the circuit board and the SAW can be secured. The effect is obtained that the mechanical stress applied to the joint portion of the device can be relaxed.
[0063]
Furthermore, by making the surface of the resin layer 18 rough, the adhesion between the lower external electrode 19 and the protruding electrode 16 can be improved.
[0064]
First, a cover 14 is formed on a large plate-like piezoelectric substrate 11 having an IDT electrode 12 and an input and output electrode 13 on the surface, and is in non-contact with and covers the IDT electrode 12, and then the cover 14 and the protruding electrode 16 is formed, and then the upper end surface of the protruding electrode 16 and the surface of the resin layer 18 are polished so as to be substantially in the same plane, and then divided into individual SAW devices. A SAW device that prevents the occurrence of short-circuit defects due to formation can be obtained with high productivity.
[0065]
Further, the protruding electrode 16 can be formed in a desired height by stacking a plurality of Au bumps.
[0066]
Furthermore, the moisture resistance of the SAW device can be improved by forming the protruding electrode 16 and then forming the resin layer 18 after covering the surface of the cover 14 with the insulator layer 17.
[0067]
Further, by forming the lower external electrode 19 after polishing the surface of the resin layer 18, the connection strength between the protruding electrode 16 and the lower external electrode 19 can be improved, and the SAW device can be easily mounted on the circuit board. it can.
[0068]
(Embodiment 2)
The second embodiment will be described below.
[0069]
FIG. 11 is a cross-sectional view of the SAW device according to the second embodiment of the present invention.
[0070]
In the figure, reference numeral 21 denotes a resin layer provided on the other surface of the piezoelectric substrate 11, which is formed using the same material as the resin layer 18. Other components are the same as those of the SAW device shown in FIG.
[0071]
Formation of the resin layer 21 can improve the heat capacity of the SAW device, relieve thermal shock, and prevent pyroelectric breakdown.
[0072]
A method for manufacturing the SAW device will be described with reference to the drawings.
[0073]
FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a SAW device manufacturing process according to the second embodiment. The same elements as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0074]
First, a piezoelectric substrate 11 as shown in FIG. 10 is obtained in the same manner as in the first embodiment.
[0075]
Next, as shown in FIG. 12, a resin paste of the same type as that of the resin layer 18 is applied to the other surface of the piezoelectric substrate 11 and then cured or pasted with a resin sheet.
[0076]
Thereafter, the piezoelectric substrate 11 is cut in the same manner as in the first embodiment to obtain the SAW device shown in FIG.
[0077]
Since the SAW device according to the second embodiment has a large heat capacity in addition to the effects of the SAW device according to the first embodiment, the thermal shock can be reduced and pyroelectric breakdown can be prevented.
[0078]
The resin layer 21 preferably has a thickness equivalent to the maximum thickness of the resin layer 18 in order to enhance the above effect.
[0079]
As described above, the SAW device according to the second embodiment has the resin layer 21 on the other surface of the piezoelectric substrate 11, thereby improving the heat capacity of the SAW device, mitigating thermal shock, and preventing pyroelectric breakdown. it can.
[0080]
Further, by forming the resin layer 21 before cutting individual SAW devices, thermal shock during cutting and mounting of the SAW devices on the circuit board can be mitigated, and pyroelectric breakdown can be prevented.
[0081]
(Embodiment 3)
Hereinafter, the third embodiment will be described.
[0082]
FIG. 11 is a cross-sectional view of the SAW device according to the third embodiment of the present invention, and since it has the same configuration as that of the second embodiment, description thereof is omitted.
[0083]
The difference from the second embodiment is the process of forming the resin layer 21.
[0084]
A method for manufacturing the SAW device according to the third embodiment will be described.
[0085]
FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a SAW device according to the third embodiment. The same elements as those of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0086]
First, a piezoelectric substrate 11 as shown in FIG. 6 is obtained in the same manner as in the first embodiment.
[0087]
Next, as shown in FIG. 13, a resin paste is injected into one surface of the piezoelectric substrate 11 to form a resin layer 18, and the other surface is coated with the same type of resin paste as the resin layer 18 and then cured or a resin sheet is applied. The resin layer 21 is formed by pasting.
[0088]
Thereafter, in the same manner as in the first embodiment, both surfaces of the piezoelectric substrate 11 are polished to expose the upper end surfaces of the protruding electrodes 16 and roughen the surface of the resin layer 18.
[0089]
Next, the lower external electrode 19 and the upper external electrode 20 are formed so as to cover the upper end surface of the protruding electrode 16.
[0090]
Finally, the piezoelectric substrate 11 is cut between adjacent protruding electrodes 16 to obtain a plurality of SAW devices shown in FIG.
[0091]
In addition to the effects of the SAW device according to the first embodiment, the SAW device according to the third embodiment also has a large heat capacity, so that the thermal shock can be reduced and pyroelectric breakdown can be prevented.
[0092]
The resin layer 21 preferably has a thickness equivalent to the maximum thickness of the resin layer 18 in order to enhance the above effect.
[0093]
As described above, the SAW device according to the present embodiment can continuously form the resin layer 18 and the resin layer 21 to alleviate the thermal shock applied to the SAW device in the subsequent steps and prevent pyroelectric breakdown.
[0094]
(Embodiment 4)
Hereinafter, the fourth embodiment will be described. FIG. 14 is a cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 4 of the present invention.
[0095]
In FIG. 14, 30 is a ceramic substrate having a plurality of electrodes (not shown) therein, and has an internal electrode 31 inside and an external electrode 32 connected to the internal electrode 31 on the back surface.
[0096]
The surface of the ceramic substrate 30 has a plurality of connection electrodes 34 that are electrically connected to the internal electrodes 31, and an IC 35, a resistor 36, an inductor 37, a capacitor 38, and the above embodiment on the connection electrodes 34. The SAW device 39 described in 1 is mounted.
[0097]
Further, a resin layer 40 is provided on the entire surface of the ceramic substrate 30 so as to embed these mounting components.
[0098]
This electronic component constitutes an antenna portion in, for example, a mobile phone, and has a circuit configuration shown in FIG. 15, for example.
[0099]
The bending stress of the ceramic substrate 30 is greatest at the central portion. Among the mounted components, the mechanical strength against the warp of the ceramic substrate 30 of the SAW device 39 is weaker. Therefore, by mounting the SAW device 39 on the end side of the ceramic substrate 30, the stress from the ceramic substrate 30 is prevented from being applied as much as possible.
[0100]
This electronic component is manufactured by forming a resin layer 40 after mounting on the connection electrode 34 of the ceramic substrate 30 using a conductive adhesive such as solder. At this time, in the SAW device 39, it is desirable that the piezoelectric substrate 11 is mounted horizontally on the ceramic substrate 30 by controlling the amount of the conductive adhesive.
[0101]
Although the SAW device 39 shown in the first embodiment is used in the fourth embodiment, the SAW device shown in the second or third embodiment may be used.
[0102]
(Embodiment 5)
The fifth embodiment will be described below. FIG. 16 is a cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 5 of the present invention, and the same components as those in Embodiment 3 are given the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0103]
In FIG. 16, reference numeral 41 denotes a metal cover for sealing each component mounted on the ceramic substrate 30.
[0104]
Similarly to the electronic component of the third embodiment, the electronic component of the fifth embodiment also constitutes an antenna portion in, for example, a cellular phone, and has a circuit configuration shown in FIG. 15, for example.
[0105]
Also in the electronic component of the fifth embodiment, the bending stress of the ceramic substrate 30 is greatest at the central portion. Among the mounted components, the mechanical strength against the warp of the ceramic substrate 30 of the SAW device 39 is weaker. Therefore, by mounting the SAW device 39 on the end side of the ceramic substrate 30, the stress from the ceramic substrate 30 is prevented from being applied as much as possible.
[0106]
Although the SAW device 39 shown in the first embodiment is used in the fifth embodiment, the SAW device shown in the second and third embodiments may be used.
[0107]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since the cover for sealing the IDT electrode is formed of an insulator, there is no possibility of causing a short circuit defect due to the cover during or after the formation.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a SAW device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a SAW device manufacturing process according to Embodiment 1 of the present invention. Sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the SAW device in Embodiment 1 [FIG. 4] Sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the SAW device in Embodiment 1 of this invention [FIG. 5] Embodiment 1 of this invention Sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the SAW device in FIG. 6 [FIG. 6] Sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the SAW device in Embodiment 1 of this invention [FIG. 7] SAW in Embodiment 1 of this invention FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a device. FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a SAW device in the first embodiment of the present invention. Sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of SAW device in FIG. 10 [FIG. 10] Sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of SAW device in Embodiment 1 of this invention [FIG. 11] Embodiment 2, 3 of this invention FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a SAW device manufacturing process according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 13 is a cross-sectional view of a SAW device manufacturing process according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 14 is a cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 15 is a circuit diagram of an electronic component according to Embodiments 4 and 5. FIG. 16 is an embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view of an electronic component in FIG. 5. FIG. 17 is a cross-sectional view of a conventional SAW device.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Piezoelectric substrate 12 IDT electrode 13 Input / output electrode 14 Cover 15 Pad electrode 16 Projection electrode 17 Insulator layer 18 Resin layer 19 Lower layer external electrode 20 Upper layer external electrode 21 Resin layer 30 Ceramic substrate 31 Internal electrode 32 External electrode 34 Connection electrode 35 IC
36 Resistor 37 Inductor 38 Capacitor 39 SAW device 40 Resin layer 41 Cover

Claims

A piezoelectric substrate; an interdigital transducer electrode provided on one surface of the piezoelectric substrate; an input / output electrode electrically connected to the interdigital transducer electrode; and at least non-contact with the interdigital transducer electrode and the interdigital An insulating cover provided so as to cover the transducer electrode , a protruding electrode provided on the input / output electrode, a side surface of the protruding electrode, the insulating cover, and at least a part of the input / output electrode are covered. A SAW device including a first resin layer and an external electrode provided on an upper end surface of the protruding electrode and having an area larger than that of the upper end surface of the protruding electrode. The area occupied by the SAW device is occupied by the piezoelectric substrate. approximately equal to the area, the upper part of the outer shape of defined by said outer electrode and said first resin layer , SAW devices said glass transition temperature of the insulating material constituting the insulating cover higher than the curing temperature of the resin constituting the first resin layer.

The SAW device according to claim 1, wherein the first resin layer has a thermal expansion coefficient equivalent to that of the piezoelectric substrate .

The SAW device according to claim 1, wherein a second resin layer is provided on the other surface side of the piezoelectric substrate .

The SAW device according to claim 3, wherein the thickness of the second resin layer is equal to the maximum thickness of the first resin layer .

The SAW device according to claim 1, wherein the surface of the piezoelectric substrate can be recognized through the first resin layer .

The SAW device according to claim 1, wherein a polishing surface is provided on the surface of the first resin layer .