JP4682509B2 - Battery open voltage calculation method and charge amount calculation method - Google Patents

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Description

本発明はバッテリの内部抵抗演算方法、開放電圧演算方法および充電量演算方法に関する。 The present invention relates to a battery internal resistance calculation method, an open-circuit voltage calculation method, and a charge amount calculation method.

ハイブリッド車等におけるモータ駆動用二次電池(以下では、バッテリと称する)の充電量(SOC)算出方法の一つとして、充放電時の電流値Iと端子電圧Vと積算値や電流値Iを積算して得られるAh積算値と電池容量とに基づいて算出する方法がある。このような充電量算出方法では、電流・電圧検出誤差の累積により充電量の演算誤差が生じやすい。そこで、上記演算誤差が所定値に達した場合には、上記積算以外の方法で算出した補正用充電量を用いて充電量演算の補正を行う方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   As one method of calculating the amount of charge (SOC) of a secondary battery for driving a motor (hereinafter referred to as a battery) in a hybrid vehicle or the like, a current value I, a terminal voltage V, an integrated value, and a current value I at the time of charging / discharging are calculated. There is a method of calculating based on the Ah integrated value obtained by integration and the battery capacity. In such a charge amount calculation method, a charge amount calculation error is likely to occur due to accumulation of current / voltage detection errors. Therefore, a method has been proposed in which, when the calculation error reaches a predetermined value, the charge amount calculation is corrected using the correction charge amount calculated by a method other than the integration (see, for example, Patent Document 1). ).

補正用充電量の算出方法としては3種類あり、第1は無負荷時のバッテリの端子電圧に基づいて補正用充電量を算出するものである。第2は、充放電時のバッテリ端子電圧と電流値とに基づくパワー演算により開放電圧を算出して、その開放電圧に基づいて補正用充電量を算出するものである。第3は、充放電時のバッテリ端子電圧と電流値および内部抵抗値に基づいて開放電圧を算出し、その開放電圧に基づいて補正用充電量を算出するものである。短時間に充電と放電が切り替わるハイブリッド車における走行では、無負荷状態やパワー演算のタイミングが少ないため、第3の補正用充電量を用いた誤差補正が重要となる。   There are three methods for calculating the correction charge amount. The first is to calculate the correction charge amount based on the terminal voltage of the battery when there is no load. Second, the open circuit voltage is calculated by power calculation based on the battery terminal voltage and the current value at the time of charging / discharging, and the correction charge amount is calculated based on the open circuit voltage. Thirdly, an open circuit voltage is calculated based on the battery terminal voltage, current value, and internal resistance value during charging / discharging, and a correction charge amount is calculated based on the open circuit voltage. When traveling in a hybrid vehicle in which charging and discharging are switched in a short time, error correction using the third correction charging amount is important because there are few no-load conditions and power calculation timing.

特開2000−150003号公報JP 2000-150003 A

しかしながら、バッテリから短時間に大電流を取り出す高出力システムでは、放電電流の急増に伴って内部抵抗が大きくなる傾向があることが分かった。すなわち、高電流領域側においてIV特性に直線性がない領域が出てくる。このような直線性からのずれは、電流値が急増したり、SOCが低かったりという条件が重なると生じやすくなる。そのため、高電流域側になるにつれてIV特性に直線性がないため開放電圧が正確に算出できず、その結果、正確な充電量を求めることができないという問題があった。   However, it has been found that in a high-power system that extracts a large current from a battery in a short time, the internal resistance tends to increase as the discharge current increases rapidly. That is, a region having no linearity in IV characteristics appears on the high current region side. Such deviation from linearity is likely to occur when conditions such as a sudden increase in current value or a low SOC overlap. For this reason, there is a problem in that the open circuit voltage cannot be accurately calculated because the IV characteristics are not linear as the current reaches the high current region side, and as a result, an accurate charge amount cannot be obtained.

本発明は、バッテリ放電時の端子電圧および放電電流と、放電電流の電流域に応じた仮想内部抵抗とに基づいて開放電圧を算出するバッテリの開放電圧演算方法、又は、内部抵抗を演算するバッテリの内部抵抗演算方法に適用される。そして、バッテリの放電電流域を電流値の大きさに応じた少なくとも2つの電流域に分類し、複数の電流域の中で電流値の低い低電流域において同期検出された電流・電圧サンプリングデータと、放電電流が含まれる電流域において同期検出された電流・電圧サンプリングデータとに基づく直線回帰演算を行い、その直線回帰演算により得られるIV特性直線の傾きから算出することを特徴とする。
また、本発明による充電量演算方法では、バッテリの開放電圧と充電量との相関を表す開放電圧−充電量相関と、請求項1〜3のいずれかに記載の開放電圧演算方法により算出される開放電圧とに基づいてバッテリの充電量を算出することを特徴とする。
The present invention relates to a battery open-circuit voltage calculation method for calculating an open-circuit voltage based on a terminal voltage and a discharge current at the time of battery discharge and a virtual internal resistance corresponding to the current region of the discharge current , or a battery for calculating an internal resistance. This is applied to the internal resistance calculation method . The battery discharge current area is classified into at least two current areas according to the magnitude of the current value, and current / voltage sampling data synchronously detected in a low current area having a low current value among a plurality of current areas, and The linear regression calculation based on the current / voltage sampling data synchronously detected in the current region including the discharge current is performed, and calculation is performed from the slope of the IV characteristic line obtained by the linear regression calculation.
Moreover, in the charge amount calculation method by this invention, it calculates with the open circuit voltage-charge amount correlation showing the correlation with the open circuit voltage of a battery, and the charge amount, and the open circuit voltage calculation method in any one of Claims 1-3. The charge amount of the battery is calculated based on the open circuit voltage.

本発明によれば、電流域に応じた仮想内部抵抗とに基づいて開放電圧を算出しているので、IV特性に直線性がない場合であっても開放電圧を精度良く算出することができ、その開放電圧を用いて算出する充電量も精度向上を図ることができる。   According to the present invention, since the open circuit voltage is calculated based on the virtual internal resistance corresponding to the current region, the open circuit voltage can be accurately calculated even when the IV characteristic is not linear, The amount of charge calculated using the open circuit voltage can also improve accuracy.

以下、図を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
−第1の実施の形態−
図1は電気自動車(EV)やハイブリッド電気自動車(EHV)に用いられる電力駆動系を示すブロック図である。1は走行用バッテリであり、モータ駆動時にはバッテリ1から出力される直流電力がインバータ2によって交流電力に変換され、走行用モータ3に供給される。回生制御の際には、車両の走行エネルギーがモータ3およびインバータ2を介して電気エネルギーに逆変換され、バッテリ1が充電されるとともに車両に回生ブレーキがかかる。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
-First embodiment-
FIG. 1 is a block diagram showing a power drive system used in an electric vehicle (EV) and a hybrid electric vehicle (EHV). Reference numeral 1 denotes a travel battery. When the motor is driven, DC power output from the battery 1 is converted into AC power by the inverter 2 and supplied to the travel motor 3. In the regenerative control, the running energy of the vehicle is reversely converted into electric energy via the motor 3 and the inverter 2, and the battery 1 is charged and the vehicle is subjected to regenerative braking.

電圧センサ5はバッテリ1の両端電圧(総電圧)Vを検出し、電流センサ6はバッテリ1を流れる電流Iを検出する。7はバッテリ1の温度Tを検出する温度センサである。コントローラ4は、電圧センサ5および電流センサ6により検出された電圧値Vと電流値Iとに基づいてバッテリ1の電池状態を演算し、演算された電池状態に応じてインバータ2の出力制御や回生制御などを行なう。   The voltage sensor 5 detects the voltage (total voltage) V across the battery 1, and the current sensor 6 detects the current I flowing through the battery 1. A temperature sensor 7 detects the temperature T of the battery 1. The controller 4 calculates a battery state of the battery 1 based on the voltage value V and the current value I detected by the voltage sensor 5 and the current sensor 6, and performs output control and regeneration of the inverter 2 according to the calculated battery state. Control and so on.

次に、図1のコントローラ4で行われる充電量演算方法について説明する。図2は演算による充電量RSOCと真の充電量SOCとを比較して示した概念図である。充電量RSOCは、充放電時の電流値Iを積算して得られる電流積算値(以下ではAh積算値と記す)に基づいて、次式(1)により算出される。式(1)においてAhはAh積算値であり、Ah0はバッテリ1の電池容量である。電池容量Ah0としては、例えば、バッテリ1の定格容量が用いられる。
RSOC(%)=[1−Ah/Ah0]×100 …(1)
Next, a charge amount calculation method performed by the controller 4 in FIG. 1 will be described. FIG. 2 is a conceptual diagram showing a comparison between the calculated charge amount RSOC and the true charge amount SOC. The charge amount RSOC is calculated by the following equation (1) based on a current integrated value (hereinafter referred to as an Ah integrated value) obtained by integrating the current value I during charging / discharging. In the formula (1), Ah is an Ah integrated value, and Ah0 is a battery capacity of the battery 1. For example, the rated capacity of the battery 1 is used as the battery capacity Ah0.
RSOC (%) = [1-Ah / Ah0] × 100 (1)

式(1)に示す充電量RSOCでは、電流値に検出誤差があるとAh積算値にその誤差が累積される。そのため、図2に示すように演算開始時の充電量RSOCが真の充電量SOCと等しかったとしても、演算を行うにつれて真の充電量SOCに対する誤差が増大してしまう。ところで、バッテリ1として用いられるリチウムイオン電池等においては、バッテリ劣化やバッテリ温度にかかわらず開放電圧と充電量SOCとの間に一定の相関があり、再現性がとても良いことが知られている。そのため、図3の曲線L0で示すような開放電圧Eと充電量SOCとの相関を予めテーブルとして用意しておけば、算出された開放電圧E3から現時点の充電量SOCを求めることができる。   In the charge amount RSOC shown in Equation (1), if there is a detection error in the current value, the error is accumulated in the Ah integrated value. Therefore, as shown in FIG. 2, even if the charge amount RSOC at the start of the calculation is equal to the true charge amount SOC, the error with respect to the true charge amount SOC increases as the calculation is performed. By the way, in the lithium ion battery etc. which are used as the battery 1, it is known that there is a certain correlation between the open circuit voltage and the charge amount SOC regardless of the battery deterioration and the battery temperature, and the reproducibility is very good. Therefore, if the correlation between the open circuit voltage E and the charge amount SOC as shown by the curve L0 in FIG. 3 is prepared in advance as a table, the current charge amount SOC can be obtained from the calculated open circuit voltage E3.

上述したように、検出誤差の累積によるSOC演算ずれが大きくなった場合には、図3の相関に開放電圧E3を当てはめて得られる充電量を補正用充電量(CAPSOC)として用いて、充電量RSOCのリセットを行えば良い。本実施の形態では、補正用充電量(CAPSOC)の算出に用いる開放電圧E3の演算精度を高めることによって、充電量RSOCの演算精度を向上させるようにした。   As described above, when the SOC calculation deviation due to accumulation of detection errors becomes large, the charge amount obtained by applying the open circuit voltage E3 to the correlation of FIG. 3 is used as the correction charge amount (CAPSOC), and the charge amount The RSOC may be reset. In the present embodiment, the calculation accuracy of the charge amount RSOC is improved by increasing the calculation accuracy of the open circuit voltage E3 used for calculating the correction charge amount (CAPSOC).

次いで、開放電圧E3を利用した充電量の算出方法について説明する。以下では、開放電圧E3を算出する際に用いられる仮想内部抵抗劣化係数の算出方法を最初に説明し、その後に開放電圧E3の算出および充電量(CAPSOC)の算出について説明する。   Next, a charge amount calculation method using the open circuit voltage E3 will be described. Below, the calculation method of the virtual internal resistance deterioration coefficient used when calculating the open circuit voltage E3 will be described first, and then the calculation of the open circuit voltage E3 and the calculation of the charge amount (CAPSOC) will be described.

《仮想内部抵抗劣化係数γ1〜γ5の算出方法》
まず、図4に示すフローチャートを参照して、サンプリングデータに基づいた仮想内部抵抗劣化係数γ1〜γ5の算出手順を説明する。ステップS1では、電圧センサ5および電流センサ6により、放電中の電圧値Vと電流値Iとを同期してサンプリングする。このサンプリング処理は、ステップS3において放電電力量が所定値に達したと判定されるまで繰り返し行われることになる。ステップS2では、検出されたサンプリングデータを複数の電流域に分類してコントローラ4の記憶部(不図示)にストックする。
<< Calculation Method of Virtual Internal Resistance Degradation Coefficients γ1 to γ5 >>
First, the procedure for calculating the virtual internal resistance deterioration coefficients γ1 to γ5 based on the sampling data will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In step S1, the voltage value 5 and the current value I during discharging are sampled by the voltage sensor 5 and the current sensor 6 in synchronization. This sampling process is repeated until it is determined in step S3 that the discharge power amount has reached a predetermined value. In step S2, the detected sampling data is classified into a plurality of current regions and stocked in a storage unit (not shown) of the controller 4.

コントローラ4の記憶部には、放電電流値の電流域に応じて7つの格納部CL1〜CL3,CH1〜CH7が設けられている。図5に示すように、格納部CL1には電流値Iが電流域0<I≦Iに含まれるデータ(電流値I,電圧値V)がストックされ、格納部CL2には電流域I<I≦Iのデータが、格納部CL3には電流域I<I≦Iのデータがそれぞれストックされる。また、格納部CH1〜CH4のそれぞれには、順に、電流域I<I≦Iのデータ、電流域I<I≦Iのデータ、電流域I<I≦Iのデータ、電流域I<I≦Iのデータがそれぞれストックされる。 The storage unit of the controller 4 is provided with seven storage units CL1 to CL3 and CH1 to CH7 according to the current range of the discharge current value. As shown in FIG. 5, data (current value I, voltage value V) in which the current value I is included in the current range 0 <I ≦ I 1 is stocked in the storage unit CL1, and the current range I 1 is stored in the storage unit CL2. Data of <I ≦ I 2 is stored, and data of current region I 2 <I ≦ I 3 is stocked in the storage unit CL3. Further, in each of the storage units CH1 to CH4, data of current region I 3 <I ≦ I 4 , data of current region I 4 <I ≦ I 5 , data of current region I 5 <I ≦ I 6 , Data of current region I 6 <I ≦ I 7 is stocked.

本実施の形態では、格納部CL1〜CL3にストックされるデータの電流範囲0<I≦Iを低電流域と設定し、格納部CH1〜CH7ストックされるデータの電流範囲I<I≦Iを高電流域と設定する。図5に示す例では、各格納部CL1〜CL3,CH1〜CH7に記憶可能なストック数はそれぞれ3である。例えば、格納部CL2には3組のサンプリングデータがストックされており、さらに4番目のサンプリングデータ(i10,v10)が検出された場合には、一番古いデータ(i5,v5)を消去して最新データ(i10,v10)をストックする。 In the present embodiment, the current range 0 <I ≦ I 3 of the data stocked in the storage units CL1 to CL3 is set as the low current region, and the current range I 3 <I ≦ I of the stock data stored in the storage units CH1 to CH7. the I 7 to set up a high-current region. In the example shown in FIG. 5, the number of stocks that can be stored in each of the storage units CL1 to CL3 and CH1 to CH7 is 3, respectively. For example, three sets of sampling data are stocked in the storage unit CL2, and if the fourth sampling data (i10, v10) is detected, the oldest data (i5, v5) is deleted. Stock the latest data (i10, v10).

このように、各格納部CL1〜CL3,CH1〜CH7には、サンプリングデータ数が3を超えてストックされることはないので、ある特定電流領域に偏ってサンプリングデータがたくさんストックされるのを防止できる。そのため、コントローラ4に膨大なメモリ容量を確保する必要がなく、さらに、サンプリングデータに基づくIV特性直線の回帰演算の演算精度が高くなる。   In this way, the storage units CL1 to CL3 and CH1 to CH7 are not stocked with more than 3 sampling data, thus preventing a large amount of sampling data from being biased to a specific current region. it can. Therefore, it is not necessary to secure an enormous memory capacity in the controller 4, and the calculation accuracy of the IV characteristic line regression calculation based on the sampling data is increased.

ステップS3では、サンプリングを開始してから放電電力量が所定量に達したか否かを判定し、所定量に達していないと判定されるとステップS1へ戻ってサンプリングを継続する。一方、ステップS3で放電電力量が所定量に達したと判定されると、ステップS4へ進む。ステップS4では、格納部CL1〜CL3にストックされたデータが、ステップS5における低電流域での回帰演算に十分なデータ数で、かつ、データの分布に偏りがないか否かを判定する。   In step S3, it is determined whether or not the discharge power amount has reached a predetermined amount after starting sampling. If it is determined that the predetermined amount has not been reached, the process returns to step S1 and sampling is continued. On the other hand, if it is determined in step S3 that the discharge power amount has reached a predetermined amount, the process proceeds to step S4. In step S4, it is determined whether or not the data stocked in the storage units CL1 to CL3 has a sufficient number of data for the regression calculation in the low current region in step S5 and the data distribution is not biased.

ステップS4における判定条件の一例としては、格納部CL1〜CL3にストックされているデータ総数が回帰演算に十分な数であって、かつ、全ての格納部CL1〜CL3にデータがストックされていることを条件とする。なお、データ分布がばらついていることを決める条件としては、全ての格納部CL1〜CL3にデータがストックされているという上記条件に代えて、格納部CL2を挟んで両側にある格納部CL1,CL3にデータがストックされているという条件を用いても良い。このような条件で判定することにより、狭い電流範囲内のサンプリングデータだけで回帰演算されるのを防止することができ、IV特性の演算精度を向上させることができる。   As an example of the determination condition in step S4, the total number of data stored in the storage units CL1 to CL3 is sufficient for regression calculation, and the data is stored in all the storage units CL1 to CL3. As a condition. As a condition for determining that the data distribution varies, instead of the above condition that data is stocked in all the storage units CL1 to CL3, the storage units CL1 and CL3 on both sides of the storage unit CL2 are interposed. You may use the condition that data is stocked. By making the determination under such conditions, it is possible to prevent regression calculation using only sampling data within a narrow current range, and it is possible to improve the calculation accuracy of IV characteristics.

ステップS4でYESと判定されるとステップS5へ進み、NOと判定された場合、すなわち、データストック数が少ない場合またはデータ分布に偏りがある場合にはステップS7に進む。ステップS5では、格納部CL1〜CL3にストックされた低電流域のサンプリングデータに基づいてIV特性の直線回帰演算を行い、図5に示す回帰直線(IV特性直線)L1を求める。IV特性直線L1は式(2)のように表され、傾きの大きさが内部抵抗R1に、V切片が開放電圧E0に対応している。
V=E0−I×R1 …(2)
If YES is determined in step S4, the process proceeds to step S5. If NO is determined, that is, if the number of data stock is small or the data distribution is biased, the process proceeds to step S7. In step S5, a linear regression calculation of IV characteristics is performed based on the sampling data of the low current region stocked in the storage units CL1 to CL3 to obtain a regression line (IV characteristic line) L1 shown in FIG. The IV characteristic straight line L1 is expressed as shown in Expression (2), and the magnitude of the slope corresponds to the internal resistance R1, and the V intercept corresponds to the open circuit voltage E0.
V = E0−I × R1 (2)

IV特性直線L1は実測された電圧値および電流値に基づいて算出されたものであり、その傾きである内部抵抗R1はバッテリ1の状態(温度、劣化)を反映したものとなっている。ステップS5で算出された内部抵抗R1は、低電流域0<I≦Iのサンプリングデータのみに基づいて算出されたものであり、低電流域0<I≦Iにおける内部抵抗を表している。以下では、このような内部抵抗R1を仮想内部抵抗R1と称することにする。 The IV characteristic straight line L1 is calculated based on the actually measured voltage value and current value, and the internal resistance R1, which is the slope thereof, reflects the state (temperature, deterioration) of the battery 1. Internal resistance R1 calculated in step S5 has been calculated based only on the sampling data of the low current range 0 <I ≦ I 3, represents the internal resistance in the low current range 0 <I ≦ I 3 . Hereinafter, such an internal resistance R1 is referred to as a virtual internal resistance R1.

図7は電流域と仮想内部抵抗初期値との関係を示したものである。上述した仮想内部抵抗R1にはバッテリ1の状態(温度、劣化)が反映されたものであるが、図7に示した仮想抵抗初期値Rint1〜Rint5は劣化の無い初期状態のバッテリ1における基準温度(例えば常温)時の仮想内部抵抗を表している。これらの仮想内部抵抗初期値Rint1〜Rint5はコントローラ4の記憶部に予め記憶されている。   FIG. 7 shows the relationship between the current region and the virtual internal resistance initial value. The virtual internal resistance R1 described above reflects the state (temperature, deterioration) of the battery 1, but the virtual resistance initial values Rint1 to Rint5 shown in FIG. 7 are reference temperatures in the battery 1 in the initial state without deterioration. The virtual internal resistance at the time of (for example, normal temperature) is represented. These virtual internal resistance initial values Rint1 to Rint5 are stored in the storage unit of the controller 4 in advance.

図7に示す例では、5つの電流域毎に仮想内部抵抗初期値Rint1〜Rint5が設定されている。電流域の設定は、図6の電流値I〜Iに関して0<I≦I、0<I≦I、0<I≦I、0<I≦I、0<I≦Iの5つである。図6の下段の電流域ほど電流値が大きく、仮想内部抵抗初期値も下段になるほど大きくなっている。また、コントローラ4の記憶部には、図8に示すような電流域と後述する仮想内部抵抗劣化係数γとの相関も記憶されている。図7の場合と同様の各電流域に対して仮想内部抵抗劣化係数の設定値はγ1〜γ5となっている。 In the example shown in FIG. 7, virtual internal resistance initial values Rint1 to Rint5 are set for every five current regions. The setting of the current range is as follows: 0 <I ≦ I 3 , 0 <I ≦ I 4 , 0 <I ≦ I 5 , 0 <I ≦ I 6 , 0 <I ≦ I with respect to the current values I 1 to I 7 in FIG. 7 of 5. The current value is larger in the lower current region in FIG. 6, and the initial value of the virtual internal resistance is larger in the lower region. The storage unit of the controller 4 also stores a correlation between a current region as shown in FIG. 8 and a virtual internal resistance deterioration coefficient γ described later. The set values of the virtual internal resistance deterioration coefficients are γ1 to γ5 for each current region similar to the case of FIG.

ステップS6では、ステップS5で算出された仮想内部抵抗R1と図6の仮想内部抵抗初期値Rint1と温度劣化係数αとを用いて、次式(3)により仮想内部抵抗劣化係数γ1(new)を算出する。温度劣化係数αは温度変化による内部抵抗変化を表すパラメータであり、バッテリ温度により異なる値を有し、予めコントローラ4の記憶部にテーブルとして記憶されている。
γ1(new)=Rint1/(α×R1) …(3)
In step S6, using the virtual internal resistance R1 calculated in step S5, the virtual internal resistance initial value Rint1 in FIG. 6 and the temperature deterioration coefficient α, the virtual internal resistance deterioration coefficient γ1 (new) is calculated by the following equation (3). calculate. The temperature deterioration coefficient α is a parameter representing the internal resistance change due to the temperature change, has a different value depending on the battery temperature, and is stored in advance as a table in the storage unit of the controller 4.
γ1 (new) = Rint1 / (α × R1) (3)

さらに、算出された仮想内部抵抗劣化係数γ1(new)と既に記憶部に記憶されている同一電流域の仮想内部抵抗劣化係数γ1とを次式(4)のように加重平均して、仮想内部抵抗劣化係数γ1を算出する。そして、図8のγ1を式(4)で算出された仮想内部抵抗劣化係数γ1と置き換えて更新する。なお、式(4)では、既に記憶部に記憶されている現状の仮想内部抵抗劣化係数をγ1(old)と表記した。xは加重平均係数である。
γ1={(x−1)×γ1(old)+γ1(new)}/x …(4)
Further, the calculated virtual internal resistance deterioration coefficient γ1 (new) and the virtual internal resistance deterioration coefficient γ1 of the same current region already stored in the storage unit are weighted and averaged as shown in the following equation (4) to obtain the virtual internal resistance A resistance deterioration coefficient γ1 is calculated. Then, γ1 in FIG. 8 is updated by replacing it with the virtual internal resistance deterioration coefficient γ1 calculated by the equation (4). In Equation (4), the current virtual internal resistance deterioration coefficient already stored in the storage unit is expressed as γ1 (old). x is a weighted average coefficient.
γ1 = {(x−1) × γ1 (old) + γ1 (new)} / x (4)

ステップS7では、格納部CL1と各格納部CH1〜CH4とにストックされたデータを用いて回帰演算を行う場合に、格納部CL1および各格納部CH1〜CH4に回帰演算に十分なデータ数がストックされているか否かを判定する。後述するステップS8では格納部CL1のサンプリングデータと格納部CH1〜CH4のいずれか一つのサンプリングデータとを用いて回帰演算を行うが、ステップS7の判定処理を行うことにより、高負荷時の高電流域(CH1〜CH4)だけでなく無負荷に近い低電流域(CL1)にもデータがあることを条件とすることで演算精度を向上させることができる。   In step S7, when the regression calculation is performed using the data stored in the storage unit CL1 and each of the storage units CH1 to CH4, the storage unit CL1 and each of the storage units CH1 to CH4 have a sufficient number of data for the regression calculation. It is determined whether or not it has been done. In step S8, which will be described later, the regression calculation is performed using the sampling data of the storage unit CL1 and any one of the storage units CH1 to CH4. However, by performing the determination process of step S7, The calculation accuracy can be improved by assuming that there is data not only in the flow areas (CH1 to CH4) but also in the low current area (CL1) close to no load.

ステップS7でYESと判定されるとステップS8へ進み、NOと判定された場合、すなわち、データストック数が十分でない場合にはステップS10へ進む。ステップS8では、格納部CL1および格納部CH1にストックされているサンプリングデータを用いて、すなわち、低電流域0<I≦Iおよび高電流域I<I≦IのサンプリングデータによりIV特性の直線回帰演算を行い、図6に示すIV特性直線L2を求める。IV特性直線L2は式(5)ように表され、傾きの大きさが仮想内部抵抗R2に対応している。
V=E−I×R2 …(5)
If YES is determined in step S7, the process proceeds to step S8. If NO is determined, that is, if the number of data stock is not sufficient, the process proceeds to step S10. In step S8, using the sampling data stored in the storage unit CL1 and the storage unit CH1, that is, IV characteristics by sampling data of the low current region 0 <I ≦ I 1 and the high current region I 3 <I ≦ I 4 The IV regression line L2 shown in FIG. 6 is obtained. The IV characteristic straight line L2 is expressed as Equation (5), and the magnitude of the inclination corresponds to the virtual internal resistance R2.
V = E 0 −I × R 2 (5)

同様にして、格納部CL1および格納部CH2にストックされているサンプリングデータから直線回帰演算によりIV特性直線L3を算出し、格納部CL1および格納部CH3にストックされているサンプリングデータからIV特性直線L4を、格納部CL1および格納部CH4にストックされているサンプリングデータからIV特性直線L5をそれぞれ算出する。そして、各IV特性直線L3〜L5の傾きから、各電流域における仮想内部抵抗R3〜R5を求める。図6に各IV特性直線L3〜L5を示す。   Similarly, an IV characteristic line L3 is calculated from the sampling data stocked in the storage part CL1 and the storage part CH2 by linear regression, and the IV characteristic straight line L4 is obtained from the sampling data stocked in the storage part CL1 and the storage part CH3. Are calculated from the sampling data stocked in the storage part CL1 and the storage part CH4, respectively. And virtual internal resistance R3-R5 in each electric current area | region is calculated | required from the inclination of each IV characteristic straight line L3-L5. FIG. 6 shows the IV characteristic straight lines L3 to L5.

ステップS9では、ステップS8で算出した各仮想内部抵抗R2〜R5に基づいて、仮想内部抵抗劣化係数γ2〜γ5を算出し、図8の各仮想内部抵抗劣化係数γ2〜γ5を算出した仮想内部抵抗劣化係数γ2〜γ5でそれぞれ置き換える。算出方法は仮想内部抵抗R2〜R5のいずれの場合も同様であるので、以下では仮想内部抵抗劣化係数γ2の場合についてのみ説明する。   In step S9, based on the virtual internal resistances R2 to R5 calculated in step S8, virtual internal resistance deterioration coefficients γ2 to γ5 are calculated, and virtual internal resistance deterioration coefficients γ2 to γ5 of FIG. 8 are calculated. Replace with deterioration coefficients γ2 to γ5, respectively. Since the calculation method is the same for any of the virtual internal resistances R2 to R5, only the case of the virtual internal resistance deterioration coefficient γ2 will be described below.

まず、算出された仮想内部抵抗R2と、図7の同一電流域の仮想内部抵抗初期値Rint2と温度劣化係数αとから、次式(6)により最新の仮想内部抵抗劣化係数γ2(new)を算出する。
γ2(new)=Rint2/(α×R2) …(6)
First, from the calculated virtual internal resistance R2, the virtual internal resistance initial value Rint2 in the same current region of FIG. 7 and the temperature deterioration coefficient α, the latest virtual internal resistance deterioration coefficient γ2 (new) is obtained by the following equation (6). calculate.
γ2 (new) = Rint2 / (α × R2) (6)

次に、算出された仮想内部抵抗劣化係数γ2(new)と既に記憶部に記憶されている同一電流域の仮想内部抵抗劣化係数γ2とを次式(7)のように加重平均して、仮想内部抵抗劣化係数γ2を算出する。式(7)のγ2(old)は図8の記憶されている仮想内部抵抗劣化係数γ2を表している。また、xは加重平均係数である。そして、図8のγ2を式(7)で算出された仮想内部抵抗劣化係数γ2と置き換える。
γ2={(x−1)×γ2(old)+γ2(new)}/x …(7)
Next, the calculated virtual internal resistance degradation coefficient γ2 (new) and the virtual internal resistance degradation coefficient γ2 in the same current region already stored in the storage unit are weighted and averaged as in the following equation (7), and the virtual An internal resistance deterioration coefficient γ2 is calculated. In equation (7), γ2 (old) represents the stored virtual internal resistance deterioration coefficient γ2 in FIG. X is a weighted average coefficient. Then, γ2 in FIG. 8 is replaced with the virtual internal resistance deterioration coefficient γ2 calculated by Expression (7).
γ2 = {(x−1) × γ2 (old) + γ2 (new)} / x (7)

次いで、ステップS10では格納部CL1〜CL3,CH1〜CH4にストックしたサンプリングデータを全部消去し、その後、ステップS1へ戻る。このように、図4に示す一連の処理を行うことにより、各電流域における最新の仮想内部抵抗R1〜R5と仮想内部抵抗劣化係数γ1〜γ5が算出され、図8の各γ1〜γ5の値が更新される。   Next, in step S10, all the sampling data stocked in the storage units CL1 to CL3 and CH1 to CH4 are erased, and then the process returns to step S1. As described above, by performing the series of processes shown in FIG. 4, the latest virtual internal resistances R1 to R5 and virtual internal resistance deterioration coefficients γ1 to γ5 in each current region are calculated, and the values of γ1 to γ5 in FIG. Is updated.

上述した仮想内部抵抗劣化係数γ1〜γ5の演算および更新は、常時行っても良いし、所定時間間隔毎に行っても良い。このようにして、開放電圧演算に用いられる仮想内部抵抗係数γ1〜γ5が予め算出される。後述する開放電圧演算では、検出される電圧値Vおよび電流値Iと、予め求められた電流域毎の仮想内部抵抗係数γ1〜γ5および仮想部抵抗初期値Rint1〜Rint5のテーブル(図7,8)、すなわち仮想内部抵抗Rjとに基づいて開放電圧を算出する。   The calculation and update of the virtual internal resistance deterioration coefficients γ1 to γ5 described above may be performed all the time, or may be performed at predetermined time intervals. In this way, virtual internal resistance coefficients γ1 to γ5 used for open circuit voltage calculation are calculated in advance. In the open circuit voltage calculation to be described later, a table of detected voltage value V and current value I, virtual internal resistance coefficients γ1 to γ5 and virtual part resistance initial values Rint1 to Rint5 for each current region (see FIGS. 7 and 8). ), That is, the open circuit voltage is calculated based on the virtual internal resistance Rj.

《充電量算出方法》
次に、開放電圧E3および充電量の算出について、図8のフローチャートを参照して説明する。ステップS101では、電圧センサ5および電流センサ6による電圧値Vおよび電流値Iを検知し、放電中の電圧値Vおよび電流値Iを同期してサンプリングする。ステップS102では、ステップS101でサンプリングされた電圧値Vおよび電流値Iを用いて次式(8)により開放電圧E3を算出する。
E3=V+I×R …(8)
《Charging amount calculation method》
Next, calculation of the open circuit voltage E3 and the charge amount will be described with reference to the flowchart of FIG. In step S101, the voltage value V and the current value I detected by the voltage sensor 5 and the current sensor 6 are detected, and the voltage value V and the current value I being discharged are sampled synchronously. In step S102, the open circuit voltage E3 is calculated by the following equation (8) using the voltage value V and the current value I sampled in step S101.
E3 = V + I × R (8)

式(8)の内部抵抗Rは温度補正および劣化補正された後の内部抵抗であり、本実施の形態では電流値Iが含まれる電流域に応じた仮想内部抵抗Rj(j=1,2,3,4,5)を使用するものとする。すなわち、仮想内部抵抗Rjは内部抵抗初期値Rintを温度劣化係数αおよび内部抵抗劣化係数γで補正したものとして表されるが、その場合、電流値Iが図6のどの電流域に含まれるかを判定し、その電流域の仮想内部抵抗初期値Rintj、仮想内部抵抗劣化係数γjを用いて補正する。よって、開放電圧E3は次式(9)のように表される。
E3=V+I×Rintj/(α×γj) …(9)
The internal resistance R in the equation (8) is an internal resistance after the temperature correction and the deterioration correction, and in this embodiment, the virtual internal resistance Rj (j = 1, 2, 3, 4, 5) shall be used. That is, the virtual internal resistance Rj is expressed as the internal resistance initial value Rint corrected by the temperature deterioration coefficient α and the internal resistance deterioration coefficient γ. In this case, in which current region of FIG. 6 the current value I is included. Is corrected using the virtual internal resistance initial value Rintj and the virtual internal resistance deterioration coefficient γj in the current region. Therefore, the open circuit voltage E3 is expressed as the following equation (9).
E3 = V + I × Rintj / (α × γj) (9)

具体的には、電流値Iが電流域0<I≦Iに含まれる場合には、Rint1およびγ1が仮想内部抵抗初期値および仮想内部抵抗劣化係数として用いられ、電流値Iが電流域I<I≦Iに含まれる場合には、Rint2およびγ2が仮想内部抵抗初期値および仮想内部抵抗劣化係数として用いられる。同様に、電流値Iが電流域I<I≦I、I<I≦I、I<I≦Iに含まれる場合には、それぞれ仮想内部抵抗初期値および仮想内部抵抗劣化係数として(Rint3、γ3)、(Rint4、γ4)、(Rint5、γ5)の組み合わせが用いられる。 Specifically, when the current value I is included in the current region 0 <I ≦ I 3 , Rint1 and γ1 are used as the virtual internal resistance initial value and the virtual internal resistance deterioration coefficient, and the current value I is the current region I. 3 <if included in the I ≦ I 4 is, Rint2 and γ2 is used as a virtual internal resistance initial and virtual internal resistance deterioration coefficient. Similarly, when the current value I is included in the current regions I 4 <I ≦ I 5 , I 5 <I ≦ I 6 , and I 6 <I ≦ I 7 , the virtual internal resistance initial value and the virtual internal resistance degradation, respectively. A combination of (Rint3, γ3), (Rint4, γ4), (Rint5, γ5) is used as a coefficient.

図10は、ステップS101で検出されたデータ(Ia、Va)が電流域I<I≦Iに含まれる場合を示したものである。式(9)の内部抵抗初期値Rintjおよび内部抵抗劣化係数γjとしては図7および図8のRint4およびγ4が用いられ、開放電圧E3は次式(10)で算出される。
E3=Va+Ia×Rint4/(α×γ4) …(10)
続くステップS103では、図3に示した開放電圧−充電量特性を用いて、ステップS102で算出された開放電圧E3に対応する充電量(CAPSOC)を算出する。
FIG. 10 shows a case where the data (Ia, Va) detected in step S101 is included in the current region I 5 <I ≦ I 6 . As the internal resistance initial value Rintj and the internal resistance deterioration coefficient γj in equation (9), Rint4 and γ4 in FIGS. 7 and 8 are used, and the open circuit voltage E3 is calculated by the following equation (10).
E3 = Va + Ia × Rint4 / (α × γ4) (10)
In the subsequent step S103, the charge amount (CAPSOC) corresponding to the open circuit voltage E3 calculated in step S102 is calculated using the open circuit voltage-charge amount characteristic shown in FIG.

従来は、図11に示すように、開放電圧E3の演算に用いる電流値Iaの大きさに関わらず、全電流域のサンプリングデータを直線回帰演算して算出されたIV特性直線から内部抵抗Rを求め、その内部抵抗Rを用いて式(8)により開放電圧E3が算出されていた。しかし、実際のIV特性は、図11に示すように高電流域において直線性が崩れていて内部抵抗が大きめになる傾向がある。そのため、全電流域のサンプリングデータから直線回帰演算を行うと、高電流域のデータの影響により開放電圧E3(演算値)が真値よりも大きくなる方向に誤差が生じやすく、その誤差による充電量算出の精度低下が問題となっていた。   Conventionally, as shown in FIG. 11, regardless of the magnitude of the current value Ia used for the calculation of the open circuit voltage E3, the internal resistance R is calculated from the IV characteristic straight line calculated by linear regression calculation of sampling data in the entire current range. The open-circuit voltage E3 was calculated by the equation (8) using the obtained internal resistance R. However, as shown in FIG. 11, the actual IV characteristic has a tendency that the linearity is lost in the high current region and the internal resistance is increased. Therefore, when linear regression calculation is performed from sampling data in the entire current range, an error tends to occur in the direction in which the open circuit voltage E3 (calculated value) becomes larger than the true value due to the influence of the data in the high current range, and the charge amount due to the error A decrease in calculation accuracy has been a problem.

一方、本実施の形態では、電流域毎のサンプリングデータに基づいた仮想内部抵抗初期値Rintjおよび仮想内部抵抗劣化係数γjを算出しておき、開放電圧E3の演算に用いる電流値Iの電流域に応じた仮想内部抵抗初期値Rintjおよび仮想内部抵抗劣化係数γjを用いるようにした。そのため、図10に示すように、無負荷に近い低電流域のデータと実際の高電流域のデータを用いた回帰直線であるIV特性に基づいて開放電圧E3を算出しているので、真値に非常に近い開放電圧E3(演算値)を算出することができる。すなわち、電流域に応じて変化する内部抵抗が反映された精度良い開放電圧演算を行うことができ、充電量の算出精度の向上を図ることができる。   On the other hand, in the present embodiment, the virtual internal resistance initial value Rintj and the virtual internal resistance deterioration coefficient γj based on the sampling data for each current region are calculated, and the current value I used for the calculation of the open circuit voltage E3 is set in the current region. The corresponding virtual internal resistance initial value Rintj and virtual internal resistance deterioration coefficient γj are used. Therefore, as shown in FIG. 10, since the open circuit voltage E3 is calculated based on the IV characteristic which is a regression line using data in a low current region close to no load and data in an actual high current region, the true value is obtained. It is possible to calculate an open circuit voltage E3 (calculated value) that is very close to. That is, the open-circuit voltage calculation with high accuracy reflecting the internal resistance that changes in accordance with the current range can be performed, and the calculation accuracy of the charge amount can be improved.

−第2の実施の形態−
図12は第2の実施の形態における仮想内部抵抗演算処理を説明する図であり、上述した図4に代わるフローチャートを示したものである。図12のステップS201からステップS203までの処理は、図4のステップS1からステップS3までの処理と同様の処理である。すなわち、ステップS201で放電中の電圧値Vおよび電流値Iを同期してサンプリングし、ステップS202において図5に示すようにサンプリングデータをストックする。ステップS203ではサンプリング開始から所定電力の放電が完了したか否かを判定し、完了していないと判定されるとステップS201へ戻りサンプリングを継続し、完了したと判定されるとステップS204へ進む。
-Second Embodiment-
FIG. 12 is a diagram for explaining virtual internal resistance calculation processing in the second embodiment, and shows a flowchart in place of FIG. 4 described above. The processing from step S201 to step S203 in FIG. 12 is the same as the processing from step S1 to step S3 in FIG. That is, the voltage value V and the current value I being discharged are sampled synchronously in step S201, and sampling data is stocked as shown in FIG. 5 in step S202. In step S203, it is determined whether or not the discharge of the predetermined power has been completed since the start of sampling. If it is determined that the discharge has not been completed, the process returns to step S201 to continue sampling.

ステップS204では格納部CL1〜CL3,CH1〜CH4にストックされたダンプリングデータが、後述するステップS205での直線回帰演算が可能な程度ストックされているか否かを判定する。なお、ステップS205での直線回帰演算では、連続する3つの電流領域を合わせた領域のサンプリングデータを用いて直線回帰演算を行っている。そこで、ステップS204の判定では単にデータがストックされているか否かだけではなく、連続する3つの電流領域あるいは1領域を挟んだ2領域にデータがストックされているかも判定条件とする。その結果、狭い電流範囲のサンプリングデータによる直線回帰演算を防止でき、演算精度の向上を図ることができる。   In step S204, it is determined whether or not the dampling data stocked in the storage units CL1 to CL3 and CH1 to CH4 is stocked to such an extent that linear regression calculation in step S205 described later can be performed. In the linear regression calculation in step S205, linear regression calculation is performed using sampling data of a region obtained by combining three consecutive current regions. Therefore, in the determination in step S204, whether or not data is stocked is determined as a determination condition whether data is stocked in three consecutive current regions or two regions sandwiching one region. As a result, linear regression calculation using sampling data in a narrow current range can be prevented, and calculation accuracy can be improved.

ステップS204においてYESと判定されるとステップS205へ進み、NOと判定されるとステップS207へ進んでストックしたサンプリングデータを消去する。ステップS205では、電流域0<I≦Iのサンプリングデータに基づいて直線回帰演算を行い、IV特性直線L11を算出して仮想内部抵抗R11を算出する。同様に、電流域I<I≦I,I<I≦I,I<I≦I,I<I≦Iの各データを用いて直線回帰演算を各々行い、IV特性直線L12,L13,L14,L15および仮想内部抵抗R12,R13,R14,R15をそれぞれ算出する(図13参照)。 If YES is determined in the step S204, the process proceeds to a step S205. If NO is determined, the process proceeds to a step S207 to delete the stocked sampling data. In step S205, it performs a linear regression calculation based on the sampling data of the current range 0 <I ≦ I 3, and calculates a virtual internal resistance R11 to calculate the IV characteristic line L11. Similarly, linear regression calculation is performed using each data of current regions I 1 <I ≦ I 4 , I 2 <I ≦ I 5 , I 3 <I ≦ I 6 , I 4 <I ≦ I 7 , and IV Characteristic straight lines L12, L13, L14, L15 and virtual internal resistances R12, R13, R14, R15 are calculated (see FIG. 13).

ステップS206では、仮想内部抵抗R11〜R15において隣り合う仮想内部抵抗同士の変化幅を比較し、最も変化するところを探す。そして、最も変化した仮想内部抵抗をRbとした場合、その仮想内部抵抗Rbを算出した際の電流域にIV特性の変局があると判断できる。図14に示す例では、仮想内部抵抗R13の電流域I<I≦Iに変局があった場合であり、その変局領域の電流しきい値をIa、Ibとする。 In step S206, the virtual internal resistances R11 to R15 adjacent to each other are compared with each other in the virtual internal resistances R15 to R15 to find the place where the change is most significant. When the most changed virtual internal resistance is Rb, it can be determined that there is an IV characteristic shift in the current region when the virtual internal resistance Rb is calculated. In the example shown in FIG. 14, there is a change in the current region I 2 <I ≦ I 5 of the virtual internal resistance R13, and the current threshold values in the change region are Ia and Ib.

電流しきい値をIa、Ibの求め方としては、例えば、IV特性直線L13とIV特性直線L12との交点に近い電流域境界値を電流しきい値Iaとし、IV特性直線L13とIV特性直線L14との交点に近い電流域境界値を電流しきい値Ibとする。図4の場合、Ia=I、Ib=Iとなる。そして、電流域Ia<I≦Ibの仮想内部抵抗をRb、電流域0<I≦Iaの仮想内部抵抗をRa、電流域I>Ibの仮想内部抵抗をRcとする。図14では、Ra=R11、Rb=R13、Rc=R15とした。 As a method for obtaining the current threshold values Ia and Ib, for example, a current region boundary value close to the intersection of the IV characteristic line L13 and the IV characteristic line L12 is defined as the current threshold value Ia, and the IV characteristic line L13 and the IV characteristic line are obtained. A current region boundary value close to the intersection with L14 is defined as a current threshold value Ib. In FIG. 4, the Ia = I 3, Ib = I 5. The virtual internal resistance in the current region Ia <I ≦ Ib is Rb, the virtual internal resistance in the current region 0 <I ≦ Ia is Ra, and the virtual internal resistance in the current region I> Ib is Rc. In FIG. 14, Ra = R11, Rb = R13, and Rc = R15.

ステップS207では、格納部CL1〜CL3,CH1〜CH4にストックしたサンプリングデータを全て消去し、ステップS201へと戻る。このようにして算出された仮想内部抵抗Ra、Rb、Rcおよび電流しきい値Ia、Ibを用いて開放電圧E3を算出し、開放電圧−充電量SOCの相関から充電量(CAPSOC)を求める。   In step S207, all the sampling data stocked in the storage units CL1 to CL3 and CH1 to CH4 are deleted, and the process returns to step S201. The open circuit voltage E3 is calculated using the virtual internal resistances Ra, Rb, Rc and the current threshold values Ia, Ib thus calculated, and the charge amount (CAPSOC) is obtained from the correlation between the open circuit voltage and the charge amount SOC.

ここでは、図15〜17を参照して開放電圧E3の算出方法について説明する。まず、第1の実施の形態の場合と同様に、放電中の電圧値Vおよび電流値Iを同期してサンプリングする。そして、このデータを用いて開放電圧E3を算出する際に、電流値Iの大きさに応じて算出方法を変える。   Here, the calculation method of the open circuit voltage E3 is demonstrated with reference to FIGS. First, as in the case of the first embodiment, the voltage value V and the current value I during discharge are sampled in synchronization. And when calculating the open circuit voltage E3 using this data, a calculation method is changed according to the magnitude | size of the electric current value I. FIG.

《I≦Iaの場合》
図15に示すように電流値IがI≦Iaの場合には、電流域0<I≦Iaの仮想内部抵抗Raを用いて、次式(11)により開放電圧E3を算出する。
E3=V+I×Ra …(11)
<< If I≤Ia >>
As shown in FIG. 15, when the current value I is I ≦ Ia, the open circuit voltage E3 is calculated by the following equation (11) using the virtual internal resistance Ra in the current region 0 <I ≦ Ia.
E3 = V + I × Ra (11)

《Ia<I≦Ibの場合》
図16に示すように電流値IがIa<I≦Ibの場合には、IV特性直線L13は次式(12)のように表され、点P1(I,V)はこのIV特性直線L13上にある。なお、E’は直線L13のV切片である。また、IV特性直線L13において、電流値Iaのときの電圧値V’は次式(13)で表される。
V=E’−I×Rb …(12)
V’=E’−Ia×Rb
=V+(I−Ia)×Rb …(13)
<< If Ia <I≤Ib >>
As shown in FIG. 16, when the current value I is Ia <I ≦ Ib, the IV characteristic line L13 is expressed by the following equation (12), and the point P1 (I, V) is on the IV characteristic line L13. It is in. E ′ is the V intercept of the straight line L13. In the IV characteristic line L13, the voltage value V ′ at the current value Ia is expressed by the following equation (13).
V = E′−I × Rb (12)
V ′ = E′−Ia × Rb
= V + (I-Ia) * Rb (13)

一方、IV特性直線L11は次式(14)で表され、直線L11上の点P3の値(Ia、Ea)を用いると開放電圧E3は次式(15)で算出される。
V=E3−I×Ra …(14)
E3=Ea+Ia×Ra …(15)
On the other hand, the IV characteristic straight line L11 is expressed by the following formula (14), and the open circuit voltage E3 is calculated by the following formula (15) when the values (Ia, Ea) of the point P3 on the straight line L11 are used.
V = E3-I × Ra (14)
E3 = Ea + Ia × Ra (15)

IV特性直線L13上の点P2(Ia、V’)とIV特性直線L11上の点P3(Ia、Ea)は非常に接近しているので、ここではEaの値を次式(16)のようにV’と等しいとみなす。その結果、開放電圧E3は次式(17)で算出することができる。
Ea=V’
=V+(I−Ia)×Rb …(16)
E3=V+(I−Ia)×Rb+Ia×Ra …(17)
Since the point P2 (Ia, V ′) on the IV characteristic line L13 and the point P3 (Ia, Ea) on the IV characteristic line L11 are very close to each other, the value of Ea is expressed by the following equation (16). Is equal to V ′. As a result, the open circuit voltage E3 can be calculated by the following equation (17).
Ea = V '
= V + (I-Ia) * Rb (16)
E3 = V + (I-Ia) * Rb + Ia * Ra (17)

《Ib<Iの場合》
図17において、IV特性直線L15は次式(18)のように表されるので、点P4(Ib、V’)の電圧値V’は次式(19)で表される。なお、E’は直線L15のV切片である。
V=E’−I×Rc …(18)
V’=E’−Ib×Rc
=V+(I−Ib)×Rc …(19)
<< If Ib <I >>
In FIG. 17, the IV characteristic straight line L15 is represented by the following equation (18), and therefore the voltage value V ′ at the point P4 (Ib, V ′) is represented by the following equation (19). E ′ is the V intercept of the straight line L15.
V = E′−I × Rc (18)
V ′ = E′−Ib × Rc
= V + (I-Ib) * Rc (19)

IV特性直線L13上の点P5(Ib、Eb)は点P4と非常に接近しているので、ここでは電圧値Ebは電圧値E’と等しいとみなし、次式(20)が成り立つとする。このとき、点P3(Ia、Ea)の電圧値Eaは図16の場合と同様に求められ、次式(21)で算出することができる。
Eb=V+(I−Ib)×Rc …(20)
Ea=Eb+(I−Ia)×Rb …(21)
Since the point P5 (Ib, Eb) on the IV characteristic line L13 is very close to the point P4, it is assumed here that the voltage value Eb is equal to the voltage value E ′, and the following equation (20) holds. At this time, the voltage value Ea of the point P3 (Ia, Ea) is obtained in the same manner as in FIG. 16, and can be calculated by the following equation (21).
Eb = V + (I−Ib) × Rc (20)
Ea = Eb + (I-Ia) * Rb (21)

よって、式(20)、(21)から、開放電圧E3が次式(22)により算出されることがわかる。このようにして得られた開放電圧E3と図3に示す開放電圧−充電量SOCの相関から充電量(CAPSOC)が算出される。
E3=Ea+Ia×Ra
=Eb+(I−Ia)×Rb+Ia×Ra
=V+(I−Ib)×Rc+(I−Ia)×Rb+Ia×Ra …(22)
Therefore, it can be seen from the equations (20) and (21) that the open circuit voltage E3 is calculated by the following equation (22). The charge amount (CAPSOC) is calculated from the correlation between the open circuit voltage E3 thus obtained and the open circuit voltage-charge amount SOC shown in FIG.
E3 = Ea + Ia × Ra
= Eb + (I-Ia) * Rb + Ia * Ra
= V + (I-Ib) * Rc + (I-Ia) * Rb + Ia * Ra (22)

以上説明した実施の形態と特許請求の範囲の要素との対応において、電流しきい値Ia、Ibは変局領域の境界電流値を、仮想内部抵抗Rbは第1仮想内部抵抗を、仮想内部抵抗Raは第2仮想内部抵抗を、仮想内部抵抗Rcは第3仮想内部抵抗をそれぞれ構成する。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。   In the correspondence between the embodiment described above and the elements of the claims, the current thresholds Ia and Ib are the boundary current values of the local area, the virtual internal resistance Rb is the first virtual internal resistance, and the virtual internal resistance. Ra constitutes a second virtual internal resistance, and virtual internal resistance Rc constitutes a third virtual internal resistance. In addition, the present invention is not limited to the above embodiment as long as the characteristics of the present invention are not impaired.

電気自動車(EV)やハイブリッド電気自動車(EHV)に用いられる電力駆動系を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric power drive system used for an electric vehicle (EV) and a hybrid electric vehicle (EHV). 充電量RSOCと真の充電量SOCとを示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows charge amount RSOC and true charge amount SOC. 開放電圧Eと充電量SOCとの相関関係を示す図である。It is a figure which shows the correlation of the open circuit voltage E and charge amount SOC. 仮想内部抵抗劣化係数γ1〜γ5の算出方法を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the calculation method of virtual internal resistance degradation coefficient (gamma) 1- (gamma) 5. 格納部CL1〜CL3,CH1〜CH4を説明する図である。It is a figure explaining storage parts CL1-CL3, CH1-CH4. IV特性直線L1〜L5を示す図である。It is a figure which shows IV characteristic straight lines L1-L5. 電流域と仮想内部抵抗初期値との相関を示す図である。It is a figure which shows the correlation with an electric current area | region and virtual internal resistance initial value. 電流域と仮想内部抵抗劣化係数γとの相関を示す図である。It is a figure which shows the correlation with an electric current area | region and virtual internal resistance degradation coefficient (gamma). 開放電圧E3および充電量の算出手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the calculation procedure of the open circuit voltage E3 and charge amount. 第1の実施の形態の開放電圧E3の特徴を説明する図である。It is a figure explaining the characteristic of the open circuit voltage E3 of 1st Embodiment. 従来の開放電圧演算方法による開放電圧E3を説明する図である。It is a figure explaining the open circuit voltage E3 by the conventional open circuit voltage calculating method. 第2の実施の形態における仮想内部抵抗演算処理を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the virtual internal resistance calculation process in 2nd Embodiment. 第2の実施の形態におけるIV特性直線L1〜L5を示す図である。It is a figure which shows IV characteristic straight lines L1-L5 in 2nd Embodiment. 変局領域の電流しきい値をIa、Ibを説明する図である。It is a figure explaining the current threshold value Ia and Ib of a shift area. 電流値IがI≦Iaの場合の開放電圧E3の算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of the open circuit voltage E3 in case the electric current value I is I <= Ia. 電流値IがIa<I≦Ibの場合の開放電圧E3の算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of the open circuit voltage E3 in case the electric current value I is Ia <I <= Ib. 電流値IがIb<Iの場合の開放電圧E3の算出方法を説明する図である。It is a figure explaining the calculation method of the open circuit voltage E3 in case the electric current value I is Ib <I.

符号の説明Explanation of symbols

1 バッテリ
2 インバータ
3 モータ
4 コントローラ
5 電圧センサ
6 電流センサ
7 温度センサ
1 Battery 2 Inverter 3 Motor 4 Controller 5 Voltage Sensor 6 Current Sensor 7 Temperature Sensor

Claims (10)

バッテリの放電電流域を電流値の大きさに応じた少なくとも2つの電流域に分類する第1の工程と、
前記複数の電流域の中で所定の電流値より低い低電流域において同期検出された電流・電圧サンプリングデータに基づいて前記低電流域のIV特性直線を直線回帰演算する第2の工程と、
前記複数の電流域の中で前記所定の電流値より高い高電流域において同期検出された電流・電圧サンプリングデータ及び前記低電流域において同期検出された電流・電圧サンプリングデータに基づいて前記高電流域のIV特性直線を直線回帰演算する第3の工程と、
前記低電流域のIV特性直線の傾きから低電流域の仮想内部抵抗を算出する第4の工程と、
前記高電流域のIV特性直線の傾きから高電流域の仮想内部抵抗を算出する第5の工程とを有し、
前記バッテリ放電時の放電電流と対応する電流域の仮想内部抵抗を前記バッテリ放電時の内部抵抗とすることを特徴とするバッテリの内部抵抗演算方法。
A first step of classifying the discharge current region of the battery into at least two current regions according to the magnitude of the current value;
A second step of performing linear regression on the IV characteristic line of the low current region based on current / voltage sampling data synchronously detected in a low current region lower than a predetermined current value among the plurality of current regions;
The high current region based on the current / voltage sampling data synchronously detected in the high current region higher than the predetermined current value in the plurality of current regions and the current / voltage sampling data synchronously detected in the low current region A third step of linear regression calculation of the IV characteristic line of
A fourth step of calculating a virtual internal resistance in the low current region from the slope of the IV characteristic line in the low current region;
A fifth step of calculating a virtual internal resistance of the high current region from the slope of the IV characteristic straight line of the high current region,
A battery internal resistance calculation method, wherein a virtual internal resistance in a current region corresponding to a discharge current at the time of battery discharge is used as an internal resistance at the time of battery discharge.
請求項1に記載のバッテリの内部抵抗演算方法おいて、
前記第4工程は、
前記バッテリの温度に基づく温度劣化係数を用いて前記低電流域の仮想内部抵抗を補正する工程を含み、
前記第5工程は、
前記バッテリの温度に基づく温度劣化係数を用いて前記高電流域の仮想内部抵抗を補正する工程を含むことを特徴とするバッテリの内部抵抗演算方法。
In the battery internal resistance calculation method according to claim 1,
The fourth step includes
Correcting the virtual internal resistance of the low current region using a temperature degradation coefficient based on the temperature of the battery,
The fifth step includes
A method for calculating an internal resistance of a battery, comprising a step of correcting a virtual internal resistance in the high current region using a temperature degradation coefficient based on a temperature of the battery.
請求項1又は2に記載のバッテリの内部抵抗演算方法おいて、
前記第4工程は、
前記バッテリの劣化に基づく内部抵抗劣化係数を用いて前記低電流域の仮想内部抵抗を補正する工程を含み、
前記第5工程は、
前記バッテリの劣化に基づく内部抵抗劣化係数を用いて前記高電流域の仮想内部抵抗を補正する工程を含むことを特徴とするバッテリの内部抵抗演算方法。
In the battery internal resistance calculation method according to claim 1 or 2,
The fourth step includes
Correcting the virtual internal resistance of the low current region using an internal resistance deterioration coefficient based on the deterioration of the battery,
The fifth step includes
A method for calculating an internal resistance of a battery, comprising a step of correcting a virtual internal resistance in the high current region using an internal resistance deterioration coefficient based on the deterioration of the battery.
バッテリの放電電流域を電流値の大きさに応じた複数の電流域に分類する第1の工程と、
連続する所定数の前記電流域から成る電流域群毎に、その電流域群において同期検出された電流・電圧サンプリングデータに基づいてIV特性直線を直線回帰演算する第2の工程と、
前記電流域群毎に算出された複数のIV特性直線の傾きに基づいて、バッテリのIV特性が大きく変化する変局領域の第1仮想内部抵抗、前記変局領域よりも低電流域の第2仮想内部抵抗および前記変局領域よりも高電流域の第3仮想内部抵抗を算出する第3の工程とを有し、

前記バッテリ放電時の放電電流と対応する電流域の仮想内部抵抗を前記バッテリ放電時の内部抵抗とすることを特徴とするバッテリの内部抵抗演算方法。
A first step of classifying the discharge current region of the battery into a plurality of current regions according to the magnitude of the current value;
A second step of performing linear regression on an IV characteristic line based on current / voltage sampling data detected synchronously in the current region group for each current region group consisting of a predetermined number of the current regions;
Based on the slopes of the plurality of IV characteristic lines calculated for each current region group, the first virtual internal resistance of the shift region where the IV characteristics of the battery change greatly, the second current in the lower current region than the shift region. A third step of calculating a virtual internal resistance and a third virtual internal resistance in a higher current region than the transformation region,

A battery internal resistance calculation method, wherein a virtual internal resistance in a current region corresponding to a discharge current at the time of battery discharge is used as an internal resistance at the time of battery discharge.
バッテリ放電時の端子電圧および放電電流と、前記放電電流の電流域に応じた仮想内部抵抗とに基づいて開放電圧を算出するバッテリの開放電圧演算方法おいて、
バッテリの放電電流域を電流値の大きさに応じた少なくとも2つの電流域に分類する第1の工程と、
前記複数の電流域の中で所定の電流値より低い低電流域において同期検出された電流・電圧サンプリングデータに基づいて前記低電流域のIV特性直線を直線回帰演算する第2の工程と、
前記複数の電流域の中で前記所定の電流値より高い高電流域において同期検出された電流・電圧サンプリングデータ及び前記低電流域において同期検出された電流・電圧サンプリングデータに基づいて前記高電流域のIV特性直線を直線回帰演算する第3の工程と、
前記低電流域のIV特性直線の傾きから低電流域の仮想内部抵抗を算出する第4の工程と、
前記高電流域のIV特性直線の傾きから高電流域の仮想内部抵抗を算出する第5の工程と、
バッテリ放電時の端子電圧および放電電流と、前記バッテリ放電時の放電電流に対応する電流域の前記仮想内部抵抗とから、バッテリの開放電圧を算出する第6の工程とを有することを特徴とするバッテリの開放電圧演算方法。
In the battery open voltage calculation method for calculating the open voltage based on the terminal voltage and discharge current at the time of battery discharge, and the virtual internal resistance corresponding to the current region of the discharge current,
A first step of classifying the discharge current region of the battery into at least two current regions according to the magnitude of the current value;
A second step of performing linear regression on the IV characteristic line of the low current region based on current / voltage sampling data synchronously detected in a low current region lower than a predetermined current value among the plurality of current regions;
The high current region based on the current / voltage sampling data synchronously detected in the high current region higher than the predetermined current value in the plurality of current regions and the current / voltage sampling data synchronously detected in the low current region A third step of linear regression calculation of the IV characteristic line of
A fourth step of calculating a virtual internal resistance in the low current region from the slope of the IV characteristic line in the low current region;
A fifth step of calculating a virtual internal resistance of the high current region from the slope of the IV characteristic line of the high current region;
And a sixth step of calculating an open-circuit voltage of the battery from the terminal voltage and discharge current during battery discharge and the virtual internal resistance in a current region corresponding to the discharge current during battery discharge. Battery open voltage calculation method.
請求項5に記載のバッテリの開放電圧演算方法おいて、
前記低電流域の仮想内部抵抗及び前記高電流域の仮想内部抵抗を補正する工程をさらに有し、
前記第6の工程は、前記バッテリ放電時の放電電流に対応する電流域の補正された仮想内部抵抗を用いて、バッテリの開放電圧を算出することを特徴とする
ッテリの開放電圧演算方法。
In the battery open circuit voltage calculation method according to claim 5,
Correcting the virtual internal resistance of the low current region and the virtual internal resistance of the high current region,
In the sixth step, the open circuit voltage of the battery is calculated using a virtual internal resistance corrected in a current region corresponding to the discharge current at the time of battery discharge.
Open-circuit voltage calculation method of battery-.
請求項6に記載のバッテリの開放電圧演算方法おいて、
前記第6の工程は、
前記バッテリの温度に基づく温度劣化係数を用いて前記低電流域の仮想内部抵抗及び前記高電流域の仮想内部抵抗を補正することを特徴とする
バッテリの開放電圧演算方法。
The battery open circuit voltage calculation method according to claim 6,
The sixth step includes
A method for calculating an open-circuit voltage of a battery, wherein the virtual internal resistance in the low current region and the virtual internal resistance in the high current region are corrected using a temperature degradation coefficient based on the temperature of the battery.
請求項6に記載のバッテリの開放電圧演算方法おいて、
前記第6の工程は、
前記バッテリの劣化に基づく内部抵抗劣化係数を用いて前記低電流域の仮想内部抵抗及び前記高電流域の仮想内部抵抗を補正することを特徴とする
バッテリの開放電圧演算方法。
The battery open circuit voltage calculation method according to claim 6,
The sixth step includes
A method for calculating an open-circuit voltage of a battery, wherein the virtual internal resistance in the low current region and the virtual internal resistance in the high current region are corrected using an internal resistance deterioration coefficient based on the deterioration of the battery.
バッテリ放電時の端子電圧および放電電流と、前記放電電流の電流域に応じた仮想内部抵抗とに基づいて開放電圧を算出するバッテリの開放電圧演算方法おいて、
バッテリの放電電流域を電流値の大きさに応じた複数の電流域に分類する第1の工程と、
連続する所定数の前記電流域から成る電流域群毎に、その電流域群において同期検出された電流・電圧サンプリングデータに基づいてIV特性直線を直線回帰演算する第2の工程と、
前記電流域群毎に算出された複数のIV特性直線の傾きに基づいて、バッテリのIV特性が大きく変化する変局領域の境界電流値、前記変局領域の第1仮想内部抵抗、前記変局領域よりも低電流域の第2仮想内部抵抗および前記変局領域よりも高電流域の第3仮想内部抵抗を算出する第3の工程と、
前記境界電流値、第1仮想内部抵抗、第2仮想内部抵抗及び第3仮想内部抵抗を用いて、前記電流域群毎にIV特性直線関数を演算する第4の工程と、
バッテリ放電時の端子電圧および放電電流に対応する電流域の前記IV特性直線関数からバッテリの開放電圧を算出する第5の工程とを有することを特徴とするバッテリの開放電圧演算方法。
In the battery open voltage calculation method for calculating the open voltage based on the terminal voltage and discharge current at the time of battery discharge, and the virtual internal resistance corresponding to the current region of the discharge current,
A first step of classifying the discharge current region of the battery into a plurality of current regions according to the magnitude of the current value;
A second step of performing linear regression on an IV characteristic line based on current / voltage sampling data detected synchronously in the current region group for each current region group consisting of a predetermined number of the current regions;
Based on the slopes of a plurality of IV characteristic lines calculated for each of the current area groups, the boundary current value of the transformation area where the IV characteristics of the battery change greatly, the first virtual internal resistance of the transformation area, the transformation A third step of calculating a second virtual internal resistance in a lower current region than the region and a third virtual internal resistance in a higher current region than the transformation region;
A fourth step of calculating an IV characteristic linear function for each current region group using the boundary current value, the first virtual internal resistance, the second virtual internal resistance, and the third virtual internal resistance;
A battery open-circuit voltage calculation method comprising: a fifth step of calculating a battery open-circuit voltage from the IV characteristic linear function in a current region corresponding to a terminal voltage and a discharge current during battery discharge.
バッテリの開放電圧と充電量との相関を表す開放電圧−充電量相関と、請求項5〜9のいずれかに記載の開放電圧演算方法により算出される開放電圧とに基づいてバッテリの充電量を算出することを特徴とするバッテリの充電量演算方法。
The charge amount of the battery is calculated based on the open-circuit voltage-charge amount correlation representing the correlation between the open-circuit voltage of the battery and the charge amount, and the open-circuit voltage calculated by the open-circuit voltage calculation method according to claim 5. A method for calculating a charge amount of a battery, characterized in that:
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