JP4680045B2 - Release film for forming photocuring substrate and method for producing photocuring substrate - Google Patents

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Description

本発明は、光硬化基材形成用の離型フィルムに関し、さらに詳しくは、光硬化基材を連続的に効率的に製造するための光硬化基材形成用の離型フィルム、及び光硬化基材の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a release film for forming a photocurable substrate, and more specifically, a release film for forming a photocurable substrate for continuously and efficiently producing a photocurable substrate, and a photocurable group. The present invention relates to a method for manufacturing a material.

本明細書において、配合を示す「比」、「部」、「%」などは特に断わらない限り質量基準であり、「/」印は一体的に積層されていることを示す。また、「CVD」は「化学気相成長法」、「PVD」は「物理気相成長法」、「PET」は「ポリエチレンテレフタレート」の略語、機能的表現、通称、又は業界用語である。なお、光硬化性樹脂を硬化(反応)させると光硬化樹脂となる。   In the present specification, “ratio”, “part”, “%” and the like indicating the composition are based on mass unless otherwise specified, and the “/” mark indicates that they are integrally laminated. “CVD” is an abbreviation, functional expression, common name, or industry term for “chemical vapor deposition”, “PVD” for “physical vapor deposition”, and “PET” for “polyethylene terephthalate”. In addition, when a photocurable resin is cured (reacted), it becomes a photocurable resin.

(背景技術)従来、レンズ、ディスプレイ基板、光導波路、太陽電池基板、光ディスク基板などの基材は、透明性、強度、耐久性などの面からガラス基材が多く使用されている。しかしながら、ガラス基材は構造上割れやすい、重いといった欠点があり、これら用途での、ガラス基材に代わるガラスに代替できる樹脂基材化が検討されている。
ガラス代替樹脂の中では、光硬化樹脂は成形性、生産性に優れている。しかしながら、光硬化樹脂の一般的な成形は一定の容積を有する型へ液状の光硬化性樹脂を注入し、硬化させるいわゆる注型法によるものが知られている。具体的には、2枚の板を一定の間隔を空けて向かい合わせに配置して形成される空間内へ光硬化性樹脂を注入し、エネルギー線照射により光硬化性樹脂を硬化させて、光硬化樹脂(光硬化基材として使用できる)とする方法がとられ、毎回操作を繰り返せなばならない、所謂バッチ式の製造方法であった。
また、ロール表面へ光硬化性樹脂を流下し塗布して、カバーフィルムで覆って、該カバーフィルムを透してエネルギー線照射により硬化させた後に、ロール表面から剥離する巻取り方式の方法もあるが、ロール表面から剥離する際に表面が荒れて平滑性が低下したり、周辺の塵埃などが付着したり、また、特殊で高価な製造設備を要する欠点がある。
このように、光硬化樹脂(光硬化基材)の製造法としては、注型法によらず、表面が平滑で、清潔で、好ましくは巻取り状で、しかも、連続的で効率よく、コストが著しく増加することなく、製造する手段は実質的になかった。
従って、光硬化基材の製造方法、及びこれに用いる光硬化基材形成用の離型フィルムは、ガラス基材に代わる光硬化樹脂を注型法によらず、表面が平滑で、塵埃などの付着がなく清潔で、巻取り状で、連続的で効率よく、コストが著しく増加することなく、製造できることが求められている。
(Background Art) Conventionally, a glass substrate is often used as a substrate such as a lens, a display substrate, an optical waveguide, a solar cell substrate, and an optical disk substrate in terms of transparency, strength, durability, and the like. However, the glass substrate has drawbacks such as being easily broken and heavy in structure, and the use of a resin substrate that can replace glass instead of the glass substrate in these applications has been studied.
Among the glass substitute resins, the photo-curing resin is excellent in moldability and productivity. However, general molding of a photo-curing resin is known by a so-called casting method in which a liquid photo-curing resin is injected into a mold having a certain volume and cured. Specifically, a photocurable resin is injected into a space formed by placing two plates facing each other with a certain distance between them, and the photocurable resin is cured by irradiation with energy rays, so that light is emitted. It was a so-called batch-type production method in which a method of using a curable resin (which can be used as a photo-curing substrate) was taken and the operation had to be repeated every time.
There is also a winding method in which a photocurable resin is flowed down and applied to the roll surface, covered with a cover film, cured through energy irradiation through the cover film, and then peeled off from the roll surface. However, when peeling from the roll surface, the surface is rough and the smoothness is lowered, the surrounding dust is attached, and there are disadvantages that require special and expensive production equipment.
As described above, the method for producing the photo-curing resin (photo-curing substrate) is not dependent on the casting method, and the surface is smooth, clean, preferably wound, and continuous and efficient. There was virtually no means to manufacture without a significant increase in.
Therefore, the method for producing a photo-curing substrate and the release film for forming the photo-curing substrate to be used in this method have a smooth surface, such as dust, without using a photo-curing resin instead of a glass substrate. There is a need for a clean, non-sticking, wound, continuous, efficient, manufacturable process that does not significantly increase costs.

(先行技術)従来、光ディスク用の基板を製造する方法が知られている(例えば、特許文献1〜2参照。)。しかしながら、この方法の欠点として樹脂が型にくっつき剥がれにくい、割れるなどのという問題点がある。
また、上記を解消するために、剥離層を形成したり、型の内面に金属や金属化合物の剥離しやすい蒸着膜を積層したものを使用するなど工夫されたものが知られている(例えば、特許文献3〜4参照。)。しかしながら、これらの改良にもかかわらず注型法はシート回収の際に成形物が割れやすいこと、さらにこれらの注型法の場合、型枠に粘性のある光硬化性樹脂を注入する際に時間がかかり、生産性が低く、大面積化は難しいという欠点がある。
(Prior Art) Conventionally, a method of manufacturing a substrate for an optical disk is known (for example, see Patent Documents 1 and 2). However, as a disadvantage of this method, there is a problem that the resin sticks to the mold and is not easily peeled off or cracked.
Moreover, in order to eliminate the above, what was devised such as forming a release layer or using a laminate of a metal or a metal compound that is easy to peel off on the inner surface of the mold is known (for example, (See Patent Documents 3 to 4.) However, in spite of these improvements, the casting method is prone to cracking the molded product during sheet recovery, and moreover, in these casting methods, it takes time to inject a viscous photocurable resin into the mold. Is disadvantageous in that the productivity is low and it is difficult to increase the area.

特開昭60−202557号公報JP-A-60-202557 特開平05−198018号公報Japanese Patent Laid-Open No. 05-198018 特開平09−277277号公報JP 09-277277 A 特開平09−278809号公報JP 09-278809 A

そこで、本発明はこのような問題点を解消するためになされたものである。その目的は、ガラス基材に代わる光硬化樹脂を注型法によらず、表面が平滑で、塵埃などの付着がなく清潔で、巻取り状で、連続的で効率よく、コストが著しく増加することなく、製造することのできる光硬化基材形成用の離型フィルム、及び光硬化基材の製造方法を提供することである。   Accordingly, the present invention has been made to solve such problems. Its purpose is to use a photo-curing resin instead of a glass substrate, without using a casting method, with a smooth surface, clean adhesion, dust, etc., rolled up, continuous, efficient, and a significant increase in cost. It is providing the release film for photocuring base material formation which can be manufactured, and the manufacturing method of a photocuring base material.

上記の課題を解決するために、発明に係わる光硬化基材形成用の離型フィルムは、帯状のフィルム基材と、該フィルム基材の少なくとも一方の面に、撥水性層及び親水性層が設けてなり、前記撥水性層は基材フィルムの両側端部に設け、前記親水性層は前記撥水性層を除く部分に設けてなるように、したものである。
発明に係わる光硬化基材形成用の離型フィルムは、上記撥水性層がプラズマCVD装置を用いて形成した酸化炭化珪素もしくは酸化炭化窒化珪素であるように、したものである。
発明に係わる光硬化基材形成用の離型フィルムは、上記撥水性層の膜厚が1〜100nmであり、水に対する接触角が80〜150°であるように、したものである。
発明に係わる光硬化基材形成用の離型フィルムは、上記親水性層が酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化マグネシウムのうちいずれか1種類あるいは2種類以上含有しているように、したものである。
発明に係わる光硬化基材形成用の離型フィルムは、上記親水性層の膜厚が10〜100nmであり、中心線平均粗さ(Ra)が30nm以下であり、水に対する接触角が10〜60°であるように、したものである。
発明に係わる光硬化基材の製造方法は、上述した光硬化基材形成用の離型フィルムの撥水性層及び親水性層を設けた面へ、光硬化性樹脂組成物を塗布し、該塗布面へ別の前記光硬化基材形成用の離型フィルムの撥水性層及び親水性層を設けた面を剥離可能に積層し、活性エネルギ線を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させた後に、少なくとも一方の前記光硬化基材形成用の離型フィルムを剥離するように、したものである。
In order to solve the above-described problems, a release film for forming a photocurable substrate according to the present invention includes a strip-shaped film substrate, and a water repellent layer and a hydrophilic layer on at least one surface of the film substrate. The water-repellent layer is provided at both end portions of the base film, and the hydrophilic layer is provided at a portion excluding the water-repellent layer.
The release film for forming a photocurable substrate according to the present invention is such that the water-repellent layer is silicon oxycarbide or silicon oxycarbonitride formed using a plasma CVD apparatus.
The release film for forming a photocurable substrate according to the present invention is such that the water-repellent layer has a thickness of 1 to 100 nm and a contact angle with water of 80 to 150 °.
In the release film for forming a photocurable substrate according to the present invention, the hydrophilic layer contains one or more of silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, indium oxide, and magnesium oxide. As it is.
In the release film for forming a photocurable substrate according to the present invention, the hydrophilic layer has a thickness of 10 to 100 nm, a center line average roughness (Ra) of 30 nm or less, and a contact angle with water of 10. It is done so that it is ˜60 °.
In the method for producing a photocurable substrate according to the present invention, a photocurable resin composition is applied to the surface provided with the water-repellent layer and the hydrophilic layer of the release film for forming the photocurable substrate described above , Separately peel off the surface of the release film for forming the photo-curing substrate on which the water-repellent layer and hydrophilic layer are provided, and irradiate with active energy rays to cure the photo-curable resin composition. Then, at least one of the release films for forming the photocurable substrate is peeled off.

本発明によれば、表面が平滑で、塵埃などの付着がなく清潔で、巻取り状で、連続的で効率よく、コストが著しく増加することなく、製造することのできる光硬化基材形成用の離型フィルムが提供される。
また本発明によれば、フィルム基材の端部に撥水性層を中央部に親水性層を形成することにより、光硬化性樹脂組成物を塗布し、別のもう1枚の離型フィルムを積層しても、(1)液ダレや膜厚ムラが抑えられ、(2)活性エネルギ線の照射で硬化させることで、離型フィルムの平滑な表面性が転写されるので、表面が平滑な光硬化基材、が得られ、(3)製造中は2枚の離型フィルムで覆われているので、周辺の塵埃などを吸着や付着せず、清潔な面質が得られ、(4)離型フィルムを剥離する際には、容易に剥離できので、表面が荒れず、平滑な表面性を保ったままの光硬化基材が得られる光硬化基材形成用の離型フィルムが提供される。
また本発明によれば、表面が平滑で、塵埃などの付着がなく清潔で、特別な設備を用いずにコストも著しく増加することなく、巻取り状で、連続的で効率よく製造できる光硬化基材の製造方法が提供される。
According to the present invention, the surface is smooth, clean with no adhesion of dust and the like, rolled up, continuous, efficient, and capable of being manufactured without significant increase in cost. A release film is provided.
According to the invention, the photocurable resin composition is applied by forming a water-repellent layer at the end of the film base and a hydrophilic layer at the center, and another release film is formed. Even if laminated, (1) liquid dripping and film thickness unevenness can be suppressed, and (2) smooth surface properties of the release film are transferred by curing by irradiation with active energy rays, so that the surface is smooth. (3) Since it is covered with two release films during production, a clean surface quality can be obtained without adsorbing or adhering dust around it, and (4) When the release film is peeled off, a release film for forming a photo-curing base material is provided that can be easily peeled off, so that a photo-curing base material can be obtained while maintaining a smooth surface property without roughening the surface. The
In addition, according to the present invention, the photocuring can be produced continuously and efficiently in a rolled form, with a smooth surface, no adhesion of dust, etc., and without using special equipment and without significantly increasing costs. A method of manufacturing a substrate is provided.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら、詳細に説明する。
図1は、本発明の光硬化基材成形用の離型フィルムの1実施例を示す斜視図である。
図2は、撥水性層及び親水性層を形成する低温CVD装置の要部の断面図である。
図3は、撥水性層及び親水性層の成膜ゾーンを説明する流れ方向の断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a release film for molding a photocurable substrate of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of a low temperature CVD apparatus for forming a water repellent layer and a hydrophilic layer.
FIG. 3 is a cross-sectional view in the flow direction for explaining the film formation zones of the water repellent layer and the hydrophilic layer.

(離型フィルム)本発明の光硬化基材形成用の離型フィルム10は、図1に示すように、帯状のフィルム基材1と、該フィルム基材1の少なくとも一方の面に撥水性層2及び親水性層3が設けてなり、前記撥水性層2は基材フィルムの両側端部に設け、前記親水性層3は前記撥水性層2を除く部分に設けてある。基材フィルムの両側端部に設けれた撥水性層2の幅は、図1では図示の都合上、幅広く見えるが、特に限定されるものではなく、途切れなければよい。また、撥水性層2と親水性層3とは、多少重なってもよく、撥水性層2が途切れなければよい。なお、撥水性層2のさらに外端部に基材フィルムが露出していても、効果に影響はないので、本発明の範囲内である。   (Release Film) As shown in FIG. 1, a release film 10 for forming a photocurable substrate of the present invention has a strip-shaped film substrate 1 and a water repellent layer on at least one surface of the film substrate 1. 2 and the hydrophilic layer 3 are provided, the water-repellent layer 2 is provided at both end portions of the base film, and the hydrophilic layer 3 is provided at a portion excluding the water-repellent layer 2. Although the width of the water-repellent layer 2 provided on both side ends of the base film looks wide in FIG. 1 for the convenience of illustration, it is not particularly limited and may be uninterrupted. Further, the water-repellent layer 2 and the hydrophilic layer 3 may be slightly overlapped, and the water-repellent layer 2 is not interrupted. In addition, even if the base film is exposed at the outer end portion of the water repellent layer 2, the effect is not affected, and is within the scope of the present invention.

(光硬化基材の製造方法)本発明の光硬化基材の製造方法は、(1)本発明の光硬化基材形成用の離型フィルム10の撥水性層2及び親水性層3を設けた面へ、光硬化性樹脂組成物を塗布し、(2)該塗布面へ別の前記光硬化基材形成用の離型フィルム10の撥水性層及び親水性層を設けた面を剥離可能に積層し、(3)活性エネルギ線を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させた後に、(4)少なくとも一方の前記光硬化基材形成用の離型フィルム10を剥離すればよい。必要に応じて、両方の光硬化基材形成用の離型フィルム10を剥離してもよく、中間製品への加工時や、最終製品への組立時まで、プロテクトフィルムとして用いていてもよい。   (Method for Producing Photocuring Substrate) The method for producing a photocurable substrate of the present invention is as follows: (1) The water-repellent layer 2 and the hydrophilic layer 3 of the release film 10 for forming the photocured substrate of the present invention are provided. (2) The surface provided with the water-repellent layer and the hydrophilic layer of another release film 10 for forming the photo-curing substrate can be peeled off on the coated surface. (3) After irradiating active energy rays to cure the photocurable resin composition, (4) at least one of the release films 10 for forming the photocurable substrate may be peeled off. If necessary, the release films 10 for forming both photocuring substrates may be peeled off, and may be used as a protective film until processing to an intermediate product or assembly to a final product.

(フィルム基材)次に、本発明において、上記の本発明にかかる光硬化基材形成用の離型フィルム10に使用する材料、その製造法等について説明する。
フィルム基材1としては、これが光硬化基材形成用の離型フィルム10を構成する基本素材となること、更に、これに撥水性層2及び親水性層3の連続薄膜層を設けることから、機械的、物理的、化学的、その他等において優れた性質を有し、特に、強度を有して強靱であり、かつ、耐熱性を有する樹脂のフィルムないしシートを使用することができる。
フィルム基材1としては、例えば、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリスチレン系樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、アクリロニトリルル−ブタジエン−スチレン共重合体(ABS樹脂)、ポリ塩化ビニル系樹脂、フッ素系樹脂、ポリ(メタ)アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、各種のナイロン等のポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリアリールフタレート系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アセタール系樹脂、セルロース系樹脂、その他等の各種の樹脂のフィルムないしシ−トを使用することができる。なお、本発明においては、特に、ポリプロピレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、または、ポリアミド系樹脂のフィルムないしシ−トを使用することが好ましい。 また各種の樹脂のフィルムないしシ−トの膜厚としては、50〜200μm位、より好ましくは、50〜100μm位が望ましい。
(Film Substrate) Next, in the present invention, the materials used for the release film 10 for forming the photocurable substrate according to the present invention, its production method, etc. will be described.
As the film substrate 1, this becomes a basic material constituting the release film 10 for forming the photocuring substrate, and further, a continuous thin film layer of the water repellent layer 2 and the hydrophilic layer 3 is provided on this, It is possible to use a resin film or sheet having excellent properties in mechanical, physical, chemical, etc., particularly having strength and toughness, and having heat resistance.
Examples of the film substrate 1 include polyethylene resin, polypropylene resin, cyclic polyolefin resin, fluorine resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene copolymer (AS resin), acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer. (ABS resin), polyvinyl chloride resin, fluorine resin, poly (meth) acrylic resin, polycarbonate resin, polyester resins such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyamide resins such as various nylons, polyimide resins Resin, Polyamideimide resin, Polyarylphthalate resin, Silicone resin, Polysulfone resin, Polyphenylene sulfide resin, Polyethersulfone resin, Polyurethane resin, Acetal resin, Cellulose Fat, film or sheet of various resins other like - can be used and. In the present invention, it is particularly preferable to use a polypropylene resin, polyester resin, or polyamide resin film or sheet. The film thickness of various resin films or sheets is preferably about 50 to 200 μm, more preferably about 50 to 100 μm.

また、上記の各種の樹脂のフィルムないしシ−トの表面には、撥水性層2及び親水性層3を構成する連続薄膜層との密着性等を向上させるために、必要に応じて、予め、所望の表面処理層を設けることができるものである。本発明において、上記の表面処理層としては、例えば、コロナ放電処理、オゾン処理、酸素ガス若しくは窒素ガス等を用いた低温プラズマ処理、グロー放電処理、化学薬品等を用いて処理する酸化処理、その他等の前処理を任意に施し、例えば、コロナ処理層、オゾン処理層、プラズマ処理層、酸化処理層、その他等を形成して設けることができる。また、密接着性等を改善するための方法として、その他、例えば、各種の樹脂のフィルムないしシ−トの表面に、予め、プライマーコート剤層、アンダーコート剤層、アンカーコート剤層、接着剤層、あるいは、蒸着アンカーコート剤層等を任意に形成して、表面処理層とすることもできる。上記の前処理のコート剤層としては、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリエチレンあるいはポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂あるいはその共重合体ないし変性樹脂、セルロース系樹脂、その他等をビヒクルの主成分とする樹脂組成物を使用することもできる。   Moreover, in order to improve the adhesiveness etc. with the continuous thin film layer which comprises the water-repellent layer 2 and the hydrophilic layer 3 on the surface of the above-mentioned various resin films or sheets, A desired surface treatment layer can be provided. In the present invention, examples of the surface treatment layer include corona discharge treatment, ozone treatment, low temperature plasma treatment using oxygen gas or nitrogen gas, glow discharge treatment, oxidation treatment using chemicals, etc. For example, a corona treatment layer, an ozone treatment layer, a plasma treatment layer, an oxidation treatment layer, or the like can be formed and provided. In addition, as a method for improving the tight adhesion and the like, in addition, for example, a primer coat layer, an undercoat layer, an anchor coat layer, an adhesive on the surface of various resin films or sheets in advance. A surface treatment layer can also be formed by arbitrarily forming a layer or a deposition anchor coating agent layer. Examples of the pretreatment coating agent layer include polyester resins, polyamide resins, polyurethane resins, epoxy resins, phenol resins, (meth) acrylic resins, polyvinyl acetate resins, polyethylene, and polypropylene. It is also possible to use a resin composition comprising a main component of a vehicle such as a polyolefin resin or a copolymer or modified resin thereof, a cellulose resin, or the like.

(離型フィルムの製造)本発明の光硬化基材形成用の離型フィルム10を製造する方法としては、真空成膜装置、例えば、フィルム基材1の一方の面に、少なくとも有機珪素化合物の蒸気と酸素ガスとを含有するガス組成物を使用し、これを、プラズマ発生装置を利用するプラズマ化学気相成長方式により化学気相成長させる際、3つの成膜機構を幅方向に設置しそれぞれ部屋をつくり遮断した構造をとることで両端部及び中央部に異なる成膜を形成することで、上記の基材の一方の面の両端部に撥水性層2を形成し、両端部に挟まれたフィルム基材1の部分に親水性層3を形成することにより、本発明の光硬化基材形成用の離型フィルム10を製造することができる。撥水性層2としては、少なくとも有機珪素化合物の蒸気と酸素ガスとを含有するガス組成物を使用して、好ましくは酸化炭化珪素もしくは酸化炭化窒化珪素を形成し、親水性層3としては、ガス組成物としては、少なくとも、有機珪素化合物の蒸気からなるモノマ−ガスを原料として含み、キャリヤ−ガスとして、アルゴンガスまたはヘリウムガスからなる不活性ガスを含み、更に、酸素供給ガスとして、酸素ガスを含む組成からなるガス組成物を使用して、金属酸化物の薄膜を形成すればよい。   (Manufacture of Release Film) As a method of manufacturing the release film 10 for forming the photocurable substrate of the present invention, a vacuum film forming apparatus, for example, at least one of the organosilicon compounds on one surface of the film substrate 1 is used. When a gas composition containing vapor and oxygen gas is used and this is subjected to chemical vapor deposition by a plasma chemical vapor deposition method using a plasma generator, three film forming mechanisms are installed in the width direction, respectively. By forming a room and blocking the structure, a different film is formed on both ends and the center, thereby forming the water-repellent layer 2 on both ends of one surface of the base material, and sandwiched between the both ends. By forming the hydrophilic layer 3 on the part of the film substrate 1, the release film 10 for forming the photocured substrate of the present invention can be produced. As the water repellent layer 2, a gas composition containing at least an organic silicon compound vapor and oxygen gas is preferably used to form silicon oxide carbide or silicon oxycarbonitride, and as the hydrophilic layer 3, gas The composition includes at least a monomer gas composed of a vapor of an organosilicon compound as a raw material, an inert gas composed of argon gas or helium gas as a carrier gas, and oxygen gas as an oxygen supply gas. What is necessary is just to form the metal oxide thin film using the gas composition which consists of a composition containing.

(プラズマCVD)真空成膜装置としては、具体的には、上記の低温プラズマ化学気相成長法による連続薄膜層の形成法について、その一例を例示して説明するが、該例示は、その一例を例示するものであり、これによって本発明は限定されるものではないことは言うまでもないことである。本発明に好ましく使用するプラズマ化学気相成長装置(プラズマCVD)装置11は、図2に示すように、真空チャンバ−12内に配置された巻き出しロール13からフィルム基材1を繰り出し、更に、該フィルム基材1を、補助ロールを介して所定の速度で冷却された電極ドラム15周面上に搬送し走行させる。ガス供給装置16、17および、原料揮発供給装置18等から酸素ガス、不活性ガス、有機珪素化合物等の蒸着用モノマ−ガス、その他等を供給し、それらからなる蒸着用混合ガス組成物を調整しながら、原料供給ノズル19を通して真空チャンバ−12内に該蒸着用混合ガス組成物を導入し、そして、上記の冷却・電極ドラム15周面上に搬送されたフィルム基材1の上に、グロー放電プラズマ20などによってプラズマを発生させ、これを照射して、連続薄膜層を成膜する。その際に、冷却・電極ドラム15は、真空チャンバ−12の外に配置されている電源21から所定の電力が印加されており、また、冷却・電極ドラム15の近傍には、マグネット22を配置してプラズマの発生が促進されている。次いで、連続薄膜層を形成したフィルム基材1は、補助ロ−ルを介して巻き取りロール24に巻き取ることで、連続的に光硬化基材形成用の離型フィルム10を製造できる。なお、図中、25は、真空ポンプを表す。   As a (plasma CVD) vacuum film-forming apparatus, specifically, an example of the method for forming a continuous thin film layer by the low-temperature plasma chemical vapor deposition method will be described. It goes without saying that the present invention is not limited by this. As shown in FIG. 2, a plasma chemical vapor deposition apparatus (plasma CVD) apparatus 11 preferably used in the present invention unwinds the film substrate 1 from an unwinding roll 13 disposed in a vacuum chamber 12, and further, The film substrate 1 is transported and run on the circumferential surface of the electrode drum 15 cooled at a predetermined speed via an auxiliary roll. Oxygen gas, inert gas, vapor deposition monomer gas such as organosilicon compound, etc. are supplied from gas supply devices 16, 17 and raw material volatilization supply device 18, etc., and a mixed gas composition for vapor deposition composed of these is prepared. The mixed gas composition for vapor deposition was introduced into the vacuum chamber 12 through the raw material supply nozzle 19, and the film was transferred onto the film substrate 1 conveyed on the peripheral surface of the cooling / electrode drum 15. Plasma is generated by the discharge plasma 20 or the like and irradiated to form a continuous thin film layer. At that time, a predetermined power is applied to the cooling / electrode drum 15 from a power source 21 disposed outside the vacuum chamber 12, and a magnet 22 is disposed in the vicinity of the cooling / electrode drum 15. Thus, the generation of plasma is promoted. Subsequently, the film base material 1 in which the continuous thin film layer is formed can be continuously wound around the take-up roll 24 via an auxiliary roll, whereby the release film 10 for forming a photo-curing base material can be continuously produced. In the figure, 25 represents a vacuum pump.

上記のプズマ発生装置としては、例えば、高周波プラズマ、パルス波プラズマ、または、マイクロ波プラズマ等の発生装置等を使用することができる。更に、上記において、プズマ化学気相成長方式(CVDという)としては、例えば、巻き取り式のプラズマ化学気相成長方式等を使用し、連続的に光硬化基材形成用の離型フィルム10を製造することもできるものである。   As the above-described plasma generator, for example, a generator such as high-frequency plasma, pulse wave plasma, or microwave plasma can be used. Further, in the above, as a Puma chemical vapor deposition method (referred to as CVD), for example, a winding type plasma chemical vapor deposition method or the like is used, and the release film 10 for photocuring substrate formation is continuously formed. It can also be manufactured.

(成膜ゾーン)プラズマを照射して連続薄膜層を成膜する際の、冷却・電極ドラム15部分について、直角方向からの断面図である図3に示すとおり、フィルム基材1の幅方向に対して成膜ゾーンを複数有する機構である。撥水性層2を形成するプラズマCVD機構を両端部に配置して撥水性層成膜ゾーン26とし、該撥水性層成膜ゾーン26に挟まれた部分に親水性層成膜ゾーン27として、それぞれの蒸着用混合ガス組成物を原料供給ノズル19を通して導入すれば、撥水性層成膜ゾーン26及び親水性層成膜ゾーン27では、別々の物質を成膜することができる。なお、成膜ゾーンにはPVD法、スパッタ法、CVD法、イオンプレーティング法などの成膜機構も有し、該成膜機構によって得る構造も有している。   (Film formation zone) As shown in FIG. 3 which is a cross-sectional view from the right angle direction, the cooling / electrode drum 15 portion is formed in the width direction of the film substrate 1 when the continuous thin film layer is formed by irradiation with plasma. In contrast, this mechanism has a plurality of film formation zones. A plasma CVD mechanism for forming the water-repellent layer 2 is disposed at both ends to form a water-repellent layer forming zone 26, and a portion sandwiched between the water-repellent layer forming zones 26 serves as a hydrophilic layer forming zone 27, respectively. When the vapor deposition mixed gas composition is introduced through the raw material supply nozzle 19, different substances can be formed in the water-repellent layer forming zone 26 and the hydrophilic layer forming zone 27. Note that the film formation zone also has a film formation mechanism such as a PVD method, a sputtering method, a CVD method, or an ion plating method, and also has a structure obtained by the film formation mechanism.

(撥水性層)撥水性層2としては、酸化炭化珪素の連続薄膜層を形成する有機珪素化合物等の蒸着用モノマ−ガスとしては、例えば、1.1.3.3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、その他等を使用することができる。本発明において、上記のような有機珪素化合物の中でも、1.1.3.3−テトラメチルジシロキサン、または、ヘキサメチルジシロキサンを原料として使用することが、その取り扱い性、形成された連続膜の特性等から、特に、好ましい原料である。また、酸化窒化炭化珪素を形成する際には、テトラメチルジシラザンなどを用いるとよい。上記において、不活性ガスとしては、例えば、アルゴンガス、ヘリウムガス等を使用することができる。形成方法は、プラズマCVD法が望ましい。   (Water-repellent layer) As the water-repellent layer 2, as a vapor deposition monomer gas such as an organosilicon compound forming a continuous thin film layer of silicon oxide carbide, for example, 1.1.3.3-tetramethyldisiloxane, Hexamethyldisiloxane, vinyltrimethylsilane, methyltrimethylsilane, hexamethyldisilane, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane, phenylsilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxy Silane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, and the like can be used. In the present invention, among the organic silicon compounds as described above, use of 1.1.3.3-tetramethyldisiloxane or hexamethyldisiloxane as a raw material is easy to handle and formed continuous film. In view of the above characteristics and the like, it is a particularly preferable raw material. Further, tetramethyldisilazane or the like is preferably used when forming silicon oxynitride carbide. In the above, as the inert gas, for example, argon gas, helium gas or the like can be used. The formation method is preferably a plasma CVD method.

(撥水性層の形成)次に、撥水性層2を形成する酸化炭化珪素もしくは酸化炭化窒化珪素の連続薄膜層について説明すると、かかる酸化炭化珪素もしくは酸化炭化窒化珪素の連続薄膜層としては、例えば、化学気相成長法等を用いて、酸化炭化珪素もしくは酸化炭化窒化珪素の連続薄膜層の1層からなる単層膜あるいは2層以上からなる多層膜等を形成して製造することができるものである。   (Formation of water-repellent layer) Next, a continuous thin film layer of silicon oxycarbide or silicon oxycarbonitride that forms the water-repellent layer 2 will be described. Can be manufactured by using a chemical vapor deposition method or the like to form a single layer film consisting of one continuous thin film layer of silicon oxide carbide or silicon oxycarbonitride or a multilayer film consisting of two or more layers It is.

上記の化学気相成長法による酸化炭化珪素の連続薄膜層について更に説明すると、かかる化学気相成長法による酸化炭化珪素の連続薄膜層としては、例えば、プラズマ化学気相成長法等の化学気相成長法(ChemicalVapor Deposition法、CVD法)等を用いて形成することができる。本発明においては、具体的には、基材の一方の面に、有機珪素化合物等の蒸着用モノマ−ガスを原料とし、キャリヤ−ガスとして、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスを使用し、更に、酸素供給ガスとして、酸素ガス等を使用してガス組成物を調製し、次いで、これを、低温プラズマ発生装置等を利用する低温プラズマ化学気相成長法を用いて酸化炭化珪素の連続薄膜層を形成することができる。上記において、低温プラズマ発生装置としては、例えば、高周波プラズマ、パルス波プラズマ、マイクロ波プラズマ等の発生装置を使用することがてき、而して、本発明においては、高活性の安定したプラズマを得るためには、高周波プラズマ方式による発生装置を使用することが望ましい。   The continuous thin film layer of silicon oxycarbide by the chemical vapor deposition method will be further described. As the continuous thin film layer of silicon oxycarbide by the chemical vapor deposition method, for example, a chemical vapor phase such as a plasma chemical vapor deposition method can be used. It can be formed using a growth method (Chemical Vapor Deposition method, CVD method) or the like. In the present invention, specifically, a vapor deposition monomer gas such as an organosilicon compound is used as a raw material on one surface of a substrate, and an inert gas such as argon gas or helium gas is used as a carrier gas. Further, a gas composition is prepared using oxygen gas or the like as an oxygen supply gas, and then this is continuously formed using a low-temperature plasma chemical vapor deposition method using a low-temperature plasma generator or the like. A thin film layer can be formed. In the above, for example, a high-frequency plasma, a pulse wave plasma, a microwave plasma, or the like can be used as the low-temperature plasma generator. Thus, in the present invention, a highly active and stable plasma is obtained. For this purpose, it is desirable to use a high-frequency plasma generator.

図示しないが、本発明においては、酸化炭化珪素の連続薄膜層としては、酸化炭化珪素の連続薄膜層の1層だけではなく、その2層あるいはそれ以上を積層した多層膜の状態でもよく、また、使用する材料も1種または2種以上の混合物で使用し、また、異種の材質で混合した珪素酸化物の連続薄膜層を構成することもできる。   Although not shown in the drawings, in the present invention, the continuous thin film layer of silicon oxycarbide is not limited to one layer of the continuous thin film layer of silicon oxycarbide, but may be a multilayer film in which two or more layers thereof are laminated, The materials used may be used alone or in a mixture of two or more, and a continuous thin film layer of silicon oxide mixed with different materials may be formed.

上記において、真空チャンバ−12内を真空ポンプ25により減圧し、真空度10〜1×10-6Pa位、好ましくは、真空度1×10-1〜1×10-5Pa位に調製することが望ましいものである。また、原料揮発供給装置18においては、原料である有機珪素化合物を揮発させ、ガス供給装置16、17から供給される酸素ガス、不活性ガス等と混合させ、この混合ガスを原料供給ノズル19を介して真空チャンバ−12内に導入されるものである。この場合、混合ガス中の有機珪素化合物、酸素ガス、および、不活性ガス等の含有量は、任意の組成で変更することが可能である。一方、冷却・電極ドラム15には、電源21から所定の電圧が印加されているため、真空チャンバ−12内の原料供給ノズル19の開口部と冷却・電極ドラム15との近傍でグロ−放電プラズマ20が生成され、このグロ−放電プラズマ20は、混合ガスなかの1つ以上のガス成分から導出されるものであり、この工程を2つの成膜機構で同時に行なう。この状態において、フィルム基材1を一定速度で搬送させ、グロ−放電プラブマ20によって、冷却・電極ドラム15周面上のフィルム基材1の端部に、酸化炭化珪素の連続薄膜層を形成することができるものである。なお、このときの真空チャンバ−内の真空度は、10〜1×10-2Pa位、好ましくは、真空度10〜1Pa位に調製することが望ましく、また、基材1の搬送速度は、10〜500m/分位、好ましくは、10〜350m/分位に調製することが望ましいものである。 In the above, the inside of the vacuum chamber-12 is decompressed by the vacuum pump 25, and it is desirable that the degree of vacuum is adjusted to about 10 to 1 × 10 −6 Pa, preferably about 1 × 10 −1 to 1 × 10 −5 Pa. Is. In the raw material volatilization supply device 18, the organic silicon compound as the raw material is volatilized and mixed with oxygen gas, inert gas, etc. supplied from the gas supply devices 16, 17, and this mixed gas is supplied to the raw material supply nozzle 19. And introduced into the vacuum chamber-12. In this case, the contents of the organosilicon compound, oxygen gas, inert gas, and the like in the mixed gas can be changed with any composition. On the other hand, since a predetermined voltage is applied to the cooling / electrode drum 15 from the power source 21, the glow discharge plasma is generated in the vicinity of the opening of the raw material supply nozzle 19 in the vacuum chamber 12 and the cooling / electrode drum 15. 20 is generated, and the glow discharge plasma 20 is derived from one or more gas components in the mixed gas, and this process is simultaneously performed by two film forming mechanisms. In this state, the film substrate 1 is conveyed at a constant speed, and a continuous thin film layer of silicon oxycarbide is formed on the edge of the film substrate 1 on the circumferential surface of the cooling / electrode drum 15 by the glow discharge probe 20. It is something that can be done. In addition, it is desirable to adjust the degree of vacuum in the vacuum chamber at this time to about 10 to 1 × 10 −2 Pa, preferably about 10 to 1 Pa, and the conveyance speed of the substrate 1 is It is desirable to prepare at 10 to 500 m / min, preferably 10 to 350 m / min.

また、上記のプラズマ化学気相成長装置11において、酸化炭化珪素の連続薄膜層の形成は、フィルム基材1の上に、プラズマ化した原料ガスを酸素ガスで酸化しながら式SiOxCzの形で薄膜状に形成されるので、当該形成される酸化炭化珪素の蒸着膜は、緻密で、隙間の少ない、可撓性に富む連続層となるものであり、従って、珪素酸化物の連続薄膜層は、基材との密接着性に優れ、更に、膜厚の均一性も高く、また、真空中で成膜化することからその表面に塵埃等の付着することはなく、均一な離型性を有する優れた特性を有する皮膜を形成し得るものである。   In the plasma chemical vapor deposition apparatus 11 described above, the continuous thin film layer of silicon oxycarbide is formed on the film base 1 in the form of the formula SiOxCz while oxidizing the plasma source gas with oxygen gas. Therefore, the formed silicon oxide carbide vapor-deposited film is a continuous layer that is dense, has few gaps, and is highly flexible. Therefore, the continuous thin film layer of silicon oxide is Excellent close adhesion to the base material, high uniformity of film thickness, and since it is formed into a film in a vacuum, there is no adhesion of dust etc. to the surface, and it has a uniform releasability. A film having excellent characteristics can be formed.

また、本発明においては、プラズマによりフィルム基材1の表面が、清浄化され、フィルム基材1の表面に、極性基やフリーラジカル等が発生するので、形成される酸化炭化珪素の連続薄膜層とフィルム基材1との密接着性が高いものとなるという利点を有するものである。更に、上記のように酸化炭化珪素の連続薄膜層の形成時の真空度は、10〜1×10-2Pa位、好ましくは、10〜1Pa位に調製することから、従来の真空蒸着法により酸化炭化珪素の蒸着膜を形成する時の真空度、1×10-2〜1×10-3Pa位に比較して低真空度であることから、基材1を原反交換時の真空状態設定時間を短くすることができ、真空度を安定しやすく成膜プロセスが安定するものである。 In the present invention, the surface of the film substrate 1 is cleaned by plasma, and polar groups, free radicals, and the like are generated on the surface of the film substrate 1, so that a continuous thin film layer of silicon oxide carbide is formed. And the film substrate 1 have an advantage of high close adhesion. Furthermore, the degree of vacuum during the formation of the continuous thin film layer of silicon oxide carbide as described above is adjusted to about 10 to 1 × 10 −2 Pa, preferably about 10 to 1 Pa. Since the degree of vacuum when forming a silicon oxide carbide vapor deposition film is lower than that of 1 × 10 −2 to 1 × 10 −3 Pa, the substrate 1 is in a vacuum state when the raw material is replaced. The set time can be shortened, the degree of vacuum is easily stabilized, and the film forming process is stabilized.

本発明において、有機珪素化合物等の蒸着モノマ−ガスを使用して形成される酸化炭化珪素の連続薄膜層は、有機珪素化合物等の蒸着モノマ−ガスと酸素ガス等とが化学反応し、その反応生成物が、基材の一方の面に密接着し、緻密な、柔軟性等に富む薄膜を形成するものであり、通常、一般式SiOxCz(ただし、xは、1〜2、zは、0〜1.5の数を表す)で表される酸化炭化珪素を主体とする連続状の薄膜である。而して、上記の酸化炭化珪素の連続薄膜層としては、透明性、離型性等の点から、一般式SiOxCz(ただし、xは、1〜2の数を表す。)で表される酸化炭化珪素の連続薄膜層を主体とする薄膜であることが好ましいものである。 In the present invention, a continuous thin film layer of silicon oxycarbide formed by using a vapor-deposited monomer gas such as an organosilicon compound causes a chemical reaction between the vapor-deposited monomer gas such as an organosilicon compound and oxygen gas. The product is intimately bonded to one surface of the substrate to form a dense thin film having high flexibility and the like. Usually, the general formula SiOxCz (where x is 1 to 2, z is 0) Is a continuous thin film mainly composed of silicon oxide carbide represented by Thus, the above-mentioned continuous thin film layer of silicon oxycarbide is an oxide represented by the general formula SiOxCz (where x represents a number of 1 to 2) in terms of transparency, releasability and the like. A thin film mainly composed of a continuous thin film layer of silicon carbide is preferable.

また、上記の酸化炭化珪素の連続薄膜層は、酸化炭化珪素を主体とし、これに、更に、炭素、水素、珪素または酸素の1種類、または、その2種類以上の元素からなる化合物を少なくとも1種類を化学結合等により含有する連続薄膜層からなることを特徴とするものである。例えば、C−H結合を有する化合物、Si−H結合を有する化合物、Si−C結合を有する化合物、または、炭素単位がグラファイト状、ダイヤモンド状、フラーレン状等になっている場合、更に、原料の有機珪素化合物やそれらの誘導体を化学結合等によって含有する場合があるものである。具体例を挙げると、CH3部位を持つハイドロカーボン、SiH3シリル、SiH2シリレン等のハイドロシリカ、SiH2OHシラノ−ル等の水酸基誘導体等を挙げることができる。上記以外でも、蒸着過程の条件等を変化させることにより、酸化炭化珪素の連続薄膜層中に含有される化合物の種類、量等を変化させることができる。 Further, the continuous thin film layer of oxide of silicon carbide above, the oxidation of silicon carbide as a main component, to which further comprises at least carbon, hydrogen, one of silicon or oxygen, or a compound consisting of two or more elements 1 It consists of a continuous thin film layer containing a kind by a chemical bond or the like. For example, when a compound having a C—H bond, a compound having a Si—H bond, a compound having a Si—C bond, or a carbon unit is in the form of graphite, diamond, fullerene, etc., An organosilicon compound or a derivative thereof may be contained by a chemical bond or the like. Specific examples include hydrocarbons having a CH 3 site, hydrosilica such as SiH 3 silyl, SiH 2 silylene, and hydroxyl derivatives such as SiH 2 OH silanol. In addition to the above, the type and amount of the compound contained in the continuous thin film layer of silicon oxide carbide can be changed by changing the conditions of the vapor deposition process.

而して、上記の化合物が、酸化炭化珪素の連続薄膜層に含有する含有量としては、0.1〜80%位、好ましくは、5〜60%位が望ましいものである。上記において、含有率が、0.1%未満であると、酸化炭化珪素の連続薄膜層の離型性が低下したり、あるいは、その耐衝撃性、延展性、柔軟性等が不十分となり、曲げ等により、擦り傷、クラック等が発生し易く、その安定性を維持することが困難になり、また、80%を越えると、離型性等が低下し、また、膜の密着性も低下して好ましくないものである。 Thus, the content of the above compound in the continuous thin film layer of silicon oxide carbide is preferably about 0.1 to 80%, preferably about 5 to 60%. In the above, if the content is less than 0.1%, the releasability of the continuous thin film layer of silicon oxide carbide decreases, or the impact resistance, spreadability, flexibility, etc. become insufficient, Bending, etc. is likely to cause scratches, cracks, etc., making it difficult to maintain the stability, and if it exceeds 80%, the releasability and the like are lowered, and the adhesion of the film is also lowered. This is undesirable.

更に、本発明においては、酸化炭化珪素の連続薄膜層において、上記の化合物の含有量が、酸化炭化珪素の連続薄膜層の表面から深さ方向に向かって減少させることが好ましく、これにより、酸化炭化珪素の連続薄膜層の表面においては、上記の化合物等により耐衝撃性等を高められ、他方、樹脂フィルムとの界面においては、上記の化合物の含有量が少ないために、フィルム基材と酸化炭化珪素の連続薄膜層との密接着性が強固なものとなるという利点を有するものである。また、本発明において、離型層を構成する酸化炭化珪素の連続薄膜層中に、上記の化合物が含有することにより、上記の酸化炭化珪素の連続薄膜層中に、炭素原子含有量が、5原子%以上、具体的には、5原子%〜70原子%位、好ましくは、10原子%〜50原子%位の範囲で含有していることが望ましいものである。上記において、炭素原子含有量が、5原子%未満、更には、10原子%未満であると、撥水性基であるメチル基(CH3 )の存在が少なくなり、剥離性等が低下するという理由により好ましくなく、また、炭素原子含有量が、50原子%を超えると、更には、70原子%を超えると、膜の硬度、強度等が低下し、剥がれ落ちる減少が生じるという理由により好ましくないものである。   Furthermore, in the present invention, in the continuous thin film layer of silicon oxycarbide, the content of the above compound is preferably decreased from the surface of the continuous thin film layer of silicon oxycarbide in the depth direction. On the surface of the continuous thin film layer of silicon carbide, the impact resistance and the like can be enhanced by the above compound and the like. On the other hand, at the interface with the resin film, the content of the above compound is small, so This has the advantage that the tight adhesion with the continuous thin film layer of silicon carbide becomes strong. Moreover, in this invention, when said compound contains in the continuous thin film layer of silicon oxycarbide which comprises a mold release layer, carbon atom content is 5 in said continuous thin film layer of silicon oxycarbide. It is desirable that it is contained in an atomic% or more, specifically in the range of 5 atomic% to 70 atomic%, preferably in the range of 10 atomic% to 50 atomic%. In the above, if the carbon atom content is less than 5 atomic%, and more preferably less than 10 atomic%, the presence of methyl groups (CH3), which are water repellent groups, decreases, and the peelability and the like deteriorate. It is not preferable, and if the carbon atom content exceeds 50 atomic%, and further exceeds 70 atomic%, it is not preferable because the hardness, strength, etc. of the film are reduced and peeling off occurs. is there.

而して、本発明において、上記の撥水性層2を構成する酸化炭化珪素の連続薄膜層について、例えば、X線光電子分光装置(Xray PhotoelectronSpectroscopy、XPS)、二次イオン質量分析装置(Secondary Ion Mass Spectroscopy、SIMS)等の表面分析装置を用い、深さ方向にイオンエッチングする等して分析する方法を利用して、酸化炭化珪素の連続薄膜層の元素分析を行うことより、上記のような物性を確認することができる。また、本発明において、上記の酸化炭化珪素の連続薄膜層の膜厚としては、膜厚20Å〜4000Å位であることが望ましく、具体的には、その膜厚としては、50〜1000Å位が望ましく、而して、上記において、1000Å、更には、4000Åより厚くなると、その膜にクラック等が発生し易くなるので好ましくなく、また、巻取り時に未成膜面とのギャップが生じシワなどが発生するため好ましくない。また、50Å、更には、20Å未満であると、離型性の効果を奏することが困難になることから好ましくないものである。   Thus, in the present invention, the silicon oxide carbide continuous thin film layer constituting the water-repellent layer 2 is, for example, an X-ray photoelectron spectrometer (Xray), a secondary ion mass spectrometer (Secondary Ion Mass Spectrometer). The above physical properties are obtained by conducting elemental analysis of a continuous thin film layer of silicon oxide carbide using a method of analyzing by ion etching in the depth direction using a surface analyzer such as Spectroscopy (SIMS). Can be confirmed. In the present invention, the film thickness of the above-mentioned continuous thin film layer of silicon oxycarbide is preferably about 20 to 4000 mm, and specifically about 50 to 1000 mm. Thus, in the above, if it is thicker than 1000 mm, and more than 4000 mm, it is not preferable because cracks and the like are likely to occur in the film, and a gap with a non-film-formed surface is generated during winding, and wrinkles are generated. Therefore, it is not preferable. On the other hand, if it is less than 50 mm, or less than 20 mm, it is not preferable because it is difficult to obtain the effect of releasability.

上記のおいて、その膜厚は、例えば、株式会社理学製の蛍光X線分析装置(機種名、RIX2000型)を用いて、測定することができる。また、上記において、上記の酸化炭化珪素の連続薄膜層の膜厚を変更する手段としては、連続薄膜層の体積速度を大きくすること、すなわち、モノマ−ガスと酸素ガス量を多くする方法や蒸着する速度を遅くする方法等によって行うことができる。   In the above, the film thickness can be measured using, for example, a fluorescent X-ray analyzer (model name, RIX2000 type) manufactured by Rigaku Corporation. Further, in the above, as means for changing the film thickness of the continuous thin film layer of silicon oxycarbide described above, the volume velocity of the continuous thin film layer is increased, that is, a method of increasing the amount of monomer gas and oxygen gas or vapor deposition It can be performed by a method of slowing down the speed of performing.

(親水性層)親水性層3としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化マグネシウムのうちいずれか1種類あるいは2種類以上含有し、その形成方法は、CVD、PVD、イオンプレーティング法、スパッタ法いずれでも用いることができるが、プラズマCVD法が望ましい。   (Hydrophilic layer) The hydrophilic layer 3 contains one or more of silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, indium oxide, and magnesium oxide. Any of the ion plating method and the sputtering method can be used, but the plasma CVD method is preferable.

(撥水性層の性質)撥水性層2は膜厚が1〜100nmであり、水に対する接触角が80〜150°であるようにする。膜厚が1nm未満であると均一な撥水性面が得られず、100nmを越えると成膜時間の増加を招き生産上好ましくない。また、接触角が80°未満では面内で均一な接触角が得られない、また、接触角が大きいほど親水面との接触角の差が充分に得られるため好ましいが、150°を越えると、光硬化性樹脂を均一に塗布できず好ましくない。   (Characteristics of water-repellent layer) The water-repellent layer 2 has a thickness of 1 to 100 nm and a contact angle with water of 80 to 150 °. If the film thickness is less than 1 nm, a uniform water-repellent surface cannot be obtained, and if it exceeds 100 nm, the film formation time increases, which is not preferable for production. Further, if the contact angle is less than 80 °, a uniform contact angle cannot be obtained in the plane, and a larger contact angle is preferable because a sufficient difference in contact angle with the hydrophilic surface can be obtained. The photocurable resin cannot be uniformly applied, which is not preferable.

(親水性層の性質)親水性層3は膜厚が10〜100nmであり、中心線平均粗さ(Ra)が30nm以下であり、水に対する接触角が10〜60°であるようにする。膜厚が10nm未満であると均一な親水性面が得られず、100nmを越えると成膜時間の増加を招き生産上好ましくない。また、接触角が10°未満では面内で均一な接触角が得られず、撥水性面との接触角の差が充分に得られるため好ましいが、60°を越えると、撥水性層との接触角の差が小さくなり好ましくない。   (Properties of hydrophilic layer) The hydrophilic layer 3 has a film thickness of 10 to 100 nm, a center line average roughness (Ra) of 30 nm or less, and a contact angle with water of 10 to 60 °. If the film thickness is less than 10 nm, a uniform hydrophilic surface cannot be obtained, and if it exceeds 100 nm, the film formation time increases, which is not preferable for production. Further, if the contact angle is less than 10 °, a uniform contact angle cannot be obtained in the plane, and a difference in contact angle with the water repellent surface can be sufficiently obtained. The difference in contact angle is not preferable.

また、フィルム基材1表面の親水性層3を介して、光硬化性樹脂を塗布し硬化させるので、該表面の平滑性が光硬化基材の表面へも転写されるために、その表面は平滑であることが望ましく、中心線平均粗さ(Ra)が30nm以下、より好ましくは10nm以下、さらに好ましくは5nm以下である。   In addition, since the photocurable resin is applied and cured through the hydrophilic layer 3 on the surface of the film substrate 1, the smoothness of the surface is also transferred to the surface of the photocurable substrate. Smoothness is desirable, and the center line average roughness (Ra) is 30 nm or less, more preferably 10 nm or less, and even more preferably 5 nm or less.

以上の説明で明らかなように、本発明は、有機珪素化合物の蒸気をプラズマ発生装置を利用するプラズマ化学気相成長方式により化学気相成長させるてなる酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素の連続薄膜に着目し膜厚の均一性に優れた撥水性層を形成することができ、その撥水性にむらがなく均一であり、また、真空中で成膜化することから、離型層の表面に塵埃等が付着するという問題もなく、表面が平滑で、塵埃などの付着がなく清潔で、巻取り状で、連続的で効率よく、コストが著しく増加することなく製造することができる極めて優れた特性を有する光硬化基材形成用の離型フィルム10が得られる   As is apparent from the above description, the present invention provides a continuous thin film of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide obtained by chemical vapor deposition of a vapor of an organosilicon compound by a plasma chemical vapor deposition method using a plasma generator. It is possible to form a water-repellent layer with excellent film thickness uniformity, uniform water repellency, and film formation in a vacuum. There is no problem of dust adhering, the surface is smooth, no dust adhering, clean, rolled up, continuous and efficient, and can be manufactured without significant cost increase A release film 10 for forming a photocuring substrate having characteristics can be obtained.

(光硬化基材の製造方法)以上説明してきたように、本発明の光硬化基材形成用の離型フィルムを用いて、まず、(1)該光硬化基材形成用の離型フィルム10の撥水性層2及び親水性層3を設けてなる面へ、光硬化性樹脂組成物を塗布する。
光硬化樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、硬化性樹脂組成物(前駆体ともいう)が紫外線(UV)などで硬化したもので、重合(硬化ともいう)反応する少なくとも1つの、官能基を有する硬化性成分を含有するが適用できる。該硬化性成分としては、ラジカル重合性不飽和二重結合を有する化合物が適用でき、1官能モノマー、2官能以上の多官能モノマー、官能オリゴマー、官能ポリマーなどがある。また、電離放射線で重合(硬化ともいう)する官能基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基、アリル基、またはエポキシ基である。また、硬化性樹脂組成物へ、少なくとも1種のモノマーを含ませたり、さらに、反応性希釈剤と呼ばれるモノマーを含ませても良い。さらに、モノマー、オリゴマーは重合反応の速度を向上させ、また、オリゴマー、ポリマーは、硬化後の架橋密度、凝集力などを調整することができる。さらに、硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、重合禁止剤、老化防止剤などの添加剤を加えてもよい。該硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、可塑剤、滑剤、染料や顔料などの着色剤、増量やブロッキング防止などの体質顔料や樹脂などの充填剤、界面活性剤、消泡剤、レベリング剤、チクソトロピー性付与剤等の添加剤を、適宜加えても良い。
(Method for Producing Photocuring Substrate) As described above, using the release film for forming a photocurable substrate of the present invention, first, (1) the release film 10 for forming the photocurable substrate. The photocurable resin composition is applied to the surface on which the water repellent layer 2 and the hydrophilic layer 3 are provided.
The photo-curing resin is not particularly limited. For example, the photo-curing resin is obtained by curing a curable resin composition (also referred to as a precursor) with ultraviolet rays (UV) or the like, and reacting with polymerization (also referred to as curing). , Containing a curable component having a functional group. As the curable component, a compound having a radical polymerizable unsaturated double bond can be applied, and examples thereof include a monofunctional monomer, a bifunctional or higher polyfunctional monomer, a functional oligomer, and a functional polymer. The functional group that is polymerized (also called cured) by ionizing radiation is an acryloyl group, a methacryloyl group, an allyl group, or an epoxy group. Further, the curable resin composition may contain at least one monomer, or may further contain a monomer called a reactive diluent. Furthermore, monomers and oligomers can increase the speed of the polymerization reaction, and oligomers and polymers can adjust the crosslinking density and cohesion after curing. Furthermore, you may add additives, such as a polymerization inhibitor and anti-aging agent, to a curable resin composition as needed. In the curable resin composition, if necessary, a plasticizer, a lubricant, a colorant such as a dye or a pigment, a filler such as an extender pigment or a resin for increasing weight or preventing blocking, a surfactant, an antifoaming agent, Additives such as leveling agents and thixotropic agents may be added as appropriate.

光硬化性樹脂組成物を光硬化基材形成用の離型フィルム10の撥水性層2及び親水性層3を設けてなる面の、全面へグラビアコート法、ロールコート法、コンマコート法、ナイフコート法、ダイコート法などの公知のコート法で塗布する。全面に塗布された液状の光硬化性樹脂組成物は、撥水性層2ではじかれて、中央部分の親水性層3の部分へ集まってくるので、基材フィルム1の両端部から液漏れや液垂れすることがなく、膜厚にムラが発生しにくく、均一な塗布膜となる。   A gravure coating method, a roll coating method, a comma coating method, a knife on the entire surface of the release film 10 for forming a photocurable base material on which the water repellent layer 2 and the hydrophilic layer 3 are provided. Coating is performed by a known coating method such as a coating method or a die coating method. Since the liquid photocurable resin composition applied to the entire surface is repelled by the water-repellent layer 2 and gathers to the hydrophilic layer 3 at the center, liquid leakage and There is no dripping, and the film thickness is less likely to be uneven, resulting in a uniform coating film.

次に、(2)該塗布面へ別の前記光硬化基材形成用の離型フィルム10の撥水性層及び親水性層を設けた面へ、加熱又は非加熱の2本のロール間で圧着して積層すればよく、所謂サンドイッチ状とする。該サンドイッチ状でも、フィルム基材の両端部の撥水性層ではじかれて、光硬化性樹脂組成物がフィルム基材で挟んだ後も端部へと流れないため、より膜厚にムラがなく、均一な塗布膜とできる。   Next, (2) pressure bonding between two heated or non-heated rolls to the surface provided with the water-repellent layer and hydrophilic layer of another release film 10 for forming the photocuring substrate on the coated surface Then, they may be laminated to form a so-called sandwich. Even in the sandwich shape, since the film is repelled by the water-repellent layers at both ends of the film base and does not flow to the end even after the photocurable resin composition is sandwiched between the film bases, the film thickness is more uniform. A uniform coating film can be obtained.

このサンドイッチ状態で、少なくとも片側から(3)活性エネルギ線を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させる。活性エネルギ線としては、紫外線(UV−A、UV−B、UV−C)、可視光線、ガンマー線、X線、電子線(EB)などが適用でき、取扱い性やコスト面からUVが好ましい。   In this sandwich state, the photocurable resin composition is cured by irradiating (3) active energy rays from at least one side. As the active energy rays, ultraviolet rays (UV-A, UV-B, UV-C), visible rays, gamma rays, X-rays, electron beams (EB) and the like can be applied, and UV is preferable from the viewpoint of handling and cost.

次いで、(4)少なくとも一方の前記光硬化基材形成用の離型フィルム10を剥離する。サンドしている両側の2枚の光硬化基材形成用の離型フィルム10を剥離すれば、光硬化基材が得られる。本発明の光硬化基材の製造方法よれば、表面が平滑で、塵埃などの付着がなく清潔で、特別な設備を用いずにコストも著しく増加することなく、巻取り状で、連続的で効率よく製造することができる。   Next, (4) the release film 10 for forming at least one of the photocuring substrates is peeled off. If the two release films 10 for forming a photocuring substrate on both sides of the sand are peeled off, a photocuring substrate can be obtained. According to the method for producing a photo-curing substrate of the present invention, the surface is smooth, clean with no adhesion of dust, etc., without using special equipment and without significant increase in cost, and in a wound form, continuous. It can be manufactured efficiently.

また、得られた光硬化基材は、膜厚ムラの極めてすくなく、均一な膜であり、製造中は2枚の光硬化基材形成用の離型フィルム10で覆われているので、周辺の塵埃などを吸着や付着せず、清潔な面質である。さらに、剥離する際には容易に剥離できるので、表面が荒れず、光硬化基材形成用の離型フィルム10の平滑な表面性が転写されるので、その表面の中心線平均粗さ(Ra)は30nm以下、より好ましくは10nm以下、さらに好ましくは5nm以下の平滑な光硬化基材、が得られる。   In addition, the obtained photocured substrate is very uniform with no film thickness unevenness, and is covered with two release films 10 for forming a photocured substrate during manufacture. Clean surface quality that does not adsorb or adhere dust. Furthermore, since it can be easily peeled when peeling, the surface is not rough, and the smooth surface property of the release film 10 for forming the photocuring substrate is transferred, so that the centerline average roughness (Ra ) Is 30 nm or less, more preferably 10 nm or less, and still more preferably 5 nm or less.

以下、実施例及び比較例により、本発明を更に詳細に説明するが、これに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, it is not limited to this.

(実施例1)フィルム基材として、幅640mmで厚さ50μmの二軸延伸PETフィルムを使用し、これを真空成膜装置の送り出しロールに装着し、次いで、下記に示す条件で、上記の二軸延伸PETフィルムの未処理面の両端部に略30mm幅で、厚さ500Åの酸化炭化珪素の連続薄膜層からなる撥水性層をプラズマCVD法によって形成し、同時に撥水性層に挟まれた中央部に、厚さ500Åの酸化インジウムの親水性層をプラズマ処理を行なった後に、圧力勾配型イオンプレーティング法によって形成し、実施例1の光硬化基材形成用の離型フィルムを得た。
・<撥水性層成膜条件、プラズマCVD法>
蒸着面;コロナ処理を実施
導入ガス量;ヘキサメチルジシロキサン:酸素:ヘリウム=10:1:10(slm)
パワ−;0.5kW
成膜速度;10m/min
成膜圧力;2Pa
・<親水性層成膜条件、イオンプレーティング法>
材料:酸化インジウム(スズドープ)
導入ガス量;アルゴン:酸素=20:20(sccm)
パワー;5.0kW
成膜速度;10m/min
成膜圧力;0.1Pa
電極ドラム温度;5℃
(Example 1) A biaxially stretched PET film having a width of 640 mm and a thickness of 50 µm was used as a film substrate, and this was mounted on a delivery roll of a vacuum film forming apparatus. A water repellent layer composed of a continuous thin film layer of silicon oxide carbide having a thickness of about 30 mm and a thickness of 500 mm is formed by plasma CVD at both ends of the untreated surface of the axially stretched PET film, and at the same time sandwiched between the water repellent layers A hydrophilic layer of indium oxide having a thickness of 500 mm was formed on the part by plasma treatment, and then formed by a pressure gradient ion plating method to obtain a release film for forming a photocuring substrate of Example 1.
・ <Water-repellent layer deposition conditions, plasma CVD method>
Vapor deposition surface; corona treatment carried out amount of introduced gas; hexamethyldisiloxane: oxygen: helium = 10: 1: 10 (slm)
Power: 0.5kW
Deposition rate: 10 m / min
Deposition pressure: 2Pa
・ <Hydrophilic layer deposition conditions, ion plating method>
Material: Indium oxide (tin-doped)
Amount of introduced gas; argon: oxygen = 20: 20 (sccm)
Power: 5.0kW
Deposition rate: 10 m / min
Deposition pressure: 0.1 Pa
Electrode drum temperature: 5 ° C

(実施例2)基材として、幅640mmで厚さ100μmの二軸延伸PETフィルムを使用し、これを真空成膜装置の送り出しロールに装着し、下記に示す条件で、上記の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面の両端面に略30mm幅で、プラズマCVD法を用いて、厚さ500Åの酸化炭化珪素の連続薄膜層からなる撥水性層を形成し、同時に撥水性層に挟まれた中央部に、プラズマCVD法を用いて、厚さ500Åの酸化珪素の親水性層をプラズマ処理を行なった後に成膜して、実施例2の光硬化基材形成用の離型フィルムを得た。
・<撥水性層成膜条件、プラズマCVD法>
蒸着面;コロナ処理を実施
導入ガス量;ヘキサメチルジシロキサン:酸素:ヘリウム=1:1:1(slm)
パワ−;0.5kW
成膜速度;10m/min
成膜圧力;30Pa
・<親水性層成膜条件、プラズマCVD法>
導入ガス量;テトラエトキシシラン:酸素:ヘリウム=1:20:10(slm)
パワ−;3.0kW
成膜速度;10m/min
成膜圧力;30Pa
(Example 2) A biaxially stretched PET film having a width of 640 mm and a thickness of 100 μm was used as a substrate, and this was mounted on a delivery roll of a vacuum film forming apparatus. A water-repellent layer composed of a continuous thin film layer of silicon oxide carbide having a thickness of about 500 mm was formed on both end surfaces of one surface of the terephthalate film using a plasma CVD method and was sandwiched between the water-repellent layers at the same time. Using a plasma CVD method, a silicon oxide hydrophilic layer having a thickness of 500 mm was formed in the center portion after plasma treatment to obtain a release film for forming a photocuring substrate of Example 2. .
・ <Water-repellent layer deposition conditions, plasma CVD method>
Vapor deposition surface; corona treatment introduced Gas amount introduced: hexamethyldisiloxane: oxygen: helium = 1: 1: 1 (slm)
Power: 0.5kW
Deposition rate: 10 m / min
Deposition pressure: 30 Pa
・ <Hydrophilic layer deposition conditions, plasma CVD method>
Introduction gas amount: tetraethoxysilane: oxygen: helium = 1: 20: 10 (slm)
Power: 3.0kW
Deposition rate: 10 m / min
Deposition pressure: 30 Pa

(実施例3)基材として、幅640mmで厚さ50μmの2軸延伸ポリプロピレンフィルムを使用し、これを真空成膜装置の送り出しロールに装着し、下記に示す条件で、上記の2軸延伸ポリプロピレンフィルムの未処理面の両端面に、略30mm幅で、プラズマCVD法を用いて厚さ500Åの酸化窒化炭化珪素の連続薄膜層からなる撥水性層を形成し、同時に撥水性層に挟まれた中央部に、PVD法を用いて厚さ500Åからなる酸化アルミニウムの親水性層をプラズマ処理を行なった後に成膜して、実施例3の光硬化基材形成用の離型フィルムを得た。
・<撥水性層成膜条件、プラズマCVD法>
蒸着面;コロナ処理を実施
導入ガス量;ヘキサメチルジシラザン:窒素:ヘリウム:アルゴン=1:5:1:0.1(slm)
パワ−;3.0kW
成膜速度;10m/min
成膜圧力;30Pa
・<親水性層成膜条件、PVD法>
成膜材料;Al
導入ガス量;酸素(0.05Paとなるように導入)
EBエミッション電流:1.0A
成膜速度;10m/min
(Example 3) A biaxially stretched polypropylene film having a width of 640 mm and a thickness of 50 μm was used as a base material, and this was mounted on a delivery roll of a vacuum film forming apparatus. A water repellent layer composed of a continuous thin film layer of silicon oxynitride carbide having a thickness of about 30 mm and a thickness of 500 mm was formed on both end faces of the untreated surface of the film by plasma CVD, and was sandwiched between the water repellent layers at the same time. In the center portion, a hydrophilic layer of aluminum oxide having a thickness of 500 mm was formed by plasma treatment using the PVD method, and a release film for forming a photocuring substrate of Example 3 was obtained.
・ <Water-repellent layer deposition conditions, plasma CVD method>
Vapor deposition surface; corona treatment carried out Amount of introduced gas; hexamethyldisilazane: nitrogen: helium: argon = 1: 5: 1: 0.1 (slm)
Power: 3.0kW
Deposition rate: 10 m / min
Deposition pressure: 30 Pa
・ <Hydrophilic layer deposition conditions, PVD method>
Film-forming material: Al
Introduced gas amount; oxygen (introduced to be 0.05 Pa)
EB emission current: 1.0A
Deposition rate: 10 m / min

(比較例1)基材として、幅640mmで厚さ25μmの二軸延伸PETフィルムを使用し、これを真空成膜装置の送り出しロ−ルに装着し、次いで、下記に示す条件で、上記の二軸延伸PETフィルムの未処理面に、厚さ500Åの珪素酸化物の連続薄膜層からなる撥水性層を両端部に、30mm幅で形成して、撥水性層に挟まれた中央部には親水性層を形成せずに、比較例1の光硬化基材形成用の離型フィルムを得た。
・<撥水性層蒸着条件、プラズマCVD)
蒸着面;コロナ処理を実施
導入ガス量;ヘキサメチルジシロキサン:酸素:ヘリウム=1:15:10(slm)
パワ−;0.5kW
成膜速度;10m/min
成膜圧力;2Pa
(Comparative Example 1) A biaxially stretched PET film having a width of 640 mm and a thickness of 25 μm was used as a base material, and this was mounted on a delivery roll of a vacuum film forming apparatus. Then, under the conditions shown below, On the untreated surface of the biaxially stretched PET film, a water-repellent layer composed of a continuous thin film layer of silicon oxide having a thickness of 500 mm is formed at both ends with a width of 30 mm, and in the central part sandwiched between the water-repellent layers A release film for forming a photocurable substrate of Comparative Example 1 was obtained without forming a hydrophilic layer.
・ <Water-repellent layer deposition conditions, plasma CVD)
Vapor deposition surface; corona treatment introduced Gas amount introduced; hexamethyldisiloxane: oxygen: helium = 1: 15: 10 (slm)
Power: 0.5kW
Deposition rate: 10 m / min
Deposition pressure: 2Pa

(比較例2)フィルム基材として、幅640mmで厚さ188μmの二軸延伸PETフィルムを使用し、蒸着面を未処理とした以外は、比較例1と同様の条件にて形成し、比較例2の光硬化基材形成用の離型フィルムを得た。   (Comparative Example 2) A biaxially stretched PET film having a width of 640 mm and a thickness of 188 μm was used as a film base material, and the film was formed under the same conditions as in Comparative Example 1 except that the vapor deposition surface was untreated. A release film for forming a photocurable substrate 2 was obtained.

(比較例3)フィルム基材として、幅640mmで厚さ100μmの二軸延伸PETフィルムを使用し、撥水性層および親水性層を設けない、比較例3の光硬化基材形成用の離型フィルムを得た。   (Comparative Example 3) A mold release material for forming a photocuring substrate of Comparative Example 3 using a biaxially stretched PET film having a width of 640 mm and a thickness of 100 μm as the film substrate, and having no water-repellent layer and hydrophilic layer. A film was obtained.

(評価)上記の実施例1〜3、および、比較例1〜3で製造した光硬化基材形成用の離型フィルム10の評価は、撥水性層の表面の接触角(水)、親水性層の表面の接触角(水)、親水性層の表面の表面粗さRa、及び、巻取りの外観を目視観察した。
なお、表面の表面接触角(水)の測定 は、接触角試験機(協和界面科学株式会社製、機種名、CA−DT型)を使用して測定した。
また、中心線表面粗さ(Ra)は、JIS−B−0601に準拠して、セイコーインスツルメント株式会社製の触針型顕微鏡Nanopics1000を用いて、100×100μmの測定範囲で面形状を測定した。その結果を表1に示す。
(Evaluation) The evaluation of the release film 10 for forming a photocurable substrate produced in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 described above is based on the contact angle (water) on the surface of the water repellent layer (water) and hydrophilicity. The contact angle (water) of the surface of the layer, the surface roughness Ra of the surface of the hydrophilic layer, and the appearance of winding were visually observed.
In addition, the surface contact angle (water) of the surface was measured using a contact angle tester (Kyowa Interface Science Co., Ltd., model name, CA-DT type).
The center line surface roughness (Ra) is measured in a measuring range of 100 × 100 μm using a stylus microscope Nanopics1000 manufactured by Seiko Instruments Inc. according to JIS-B-0601. did. The results are shown in Table 1.

Figure 0004680045
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(実施例4〜6)本発明の光硬化基材の製造方法で、光硬化基材を作製した。繰り出す第1離型フィルムとして、実施例1〜3で得た光硬化基材形成用の離型フィルムを使用し、その撥水性層及び親水性層の面側に、ヒドロキシメチルトリシクロデカンジメタクリレート94部、ヒドロキシメチルトリシクロデカンモノメタクリレート6部、β-チオプロピオネート6部、光開始剤(BASF社製「ルシリンTPO」)0.1部、ベンゾフェノン0.1部を均一に撹拌混合したアクリル系組成物からなる光硬化性樹脂組成物をナイフコート法にて膜厚100μmの厚さに調整してコーティングを行った。
該光硬化性樹脂組成物面に触れるように、貼り合わせる第2離型フィルムとして、第1と同じの離型フィルムを使用し、その撥水性層及び親水性層の面側を貼り合わせた。その後、20℃に調整した温調ドラム部へ送り出し無電極ランプを用いて紫外線を5.0J照射を行い硬化(該硬化樹脂が光硬化基材となる)させて巻き取った後に、第1及び第2の離型フィルムを剥離して、光硬化基材を得た。
なお、第1及び第2の離型フィルムとして、実施例1、2、3で得た光硬化基材形成用の離型フィルムを用い光硬化基材の製造方法で製造したものを、それぞれ実施例4、5、6の光硬化基材とした。
(Examples 4 to 6) Photocurable substrates were produced by the method for producing a photocurable substrate of the present invention. As the first release film to be fed, the release film for forming a photocurable substrate obtained in Examples 1 to 3 is used, and hydroxymethyltricyclodecane dimethacrylate is provided on the surface side of the water-repellent layer and the hydrophilic layer. 94 parts, 6 parts of hydroxymethyltricyclodecane monomethacrylate, 6 parts of β-thiopropionate, 0.1 part of photoinitiator ("Lucirin TPO" manufactured by BASF) and 0.1 part of benzophenone were uniformly mixed with stirring. Coating was carried out by adjusting a photocurable resin composition comprising an acrylic composition to a thickness of 100 μm by a knife coating method.
The same release film as the first release film was used as the second release film to be bonded so that the surface of the photocurable resin composition was touched, and the water repellent layer and the hydrophilic layer were bonded to each other. Then, after sending out to the temperature control drum section adjusted to 20 ° C. and irradiating with 5.0 J of ultraviolet rays using an electrodeless lamp and curing (the cured resin becomes a photo-curing substrate) and winding it, the first and The second release film was peeled off to obtain a photocured substrate.
In addition, what was manufactured with the manufacturing method of the photocuring base material using the release film for photocuring base material formation obtained in Example 1, 2, 3 as a 1st and 2nd release film was implemented, respectively. The photocured substrates of Examples 4, 5, and 6 were used.

(比較例4〜6)実施例4〜6と同様にして光硬化基材を作製した。第1及び第2の離型フィルムとして、比較例1、2、3で得た光硬化基材形成用の離型フィルムを使用したものを、それぞれ比較例4、5、6の光硬化基材を得ようとした。   (Comparative Examples 4-6) Photocured substrates were prepared in the same manner as in Examples 4-6. As the first and second release films, those using the release films for forming the photocurable substrate obtained in Comparative Examples 1, 2, and 3 were used as the photocurable substrates of Comparative Examples 4, 5, and 6, respectively. Tried to get.

(評価)硬化させた実施例4〜6、比較例4〜6の硬化樹脂(光硬化基材となる)から、それぞれの実施例1〜3、比較例1〜3の光硬化基材形成用の離型フィルムを剥離する際の剥離状態を目視確認した。実施例4〜6では、硬化樹脂(光硬化基材)から光硬化基材形成用の離型フィルムが容易に剥離可能の状態であり、表1へ「○印」で表す。しかしながら、比較例4〜6では、剥離できず、硬化樹脂(光硬化基材)のみを取り出すことが出来ず、「×印」で示す。   (Evaluation) From the cured resins of Examples 4 to 6 and Comparative Examples 4 to 6 (being photocured substrates), each of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 for forming a photocured substrate The release state when peeling the release film was visually confirmed. In Examples 4 to 6, the release film for forming the photocuring substrate is easily peelable from the cured resin (photocuring substrate), and is represented by “◯” in Table 1. However, in Comparative Examples 4 to 6, it cannot be peeled off, and only the cured resin (photocured substrate) cannot be taken out, and is indicated by “x”.

本発明の光硬化基材成形用の離型フィルムの1実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Example of the release film for photocuring base material shaping | molding of this invention. 撥水性層及び親水性層を形成する低温CVD装置の要部の断面図である。It is sectional drawing of the principal part of the low temperature CVD apparatus which forms a water repellent layer and a hydrophilic layer. 撥水性層及び親水性層の成膜ゾーンを説明する流れ方向の断面図である。It is sectional drawing of the flow direction explaining the film-forming zone of a water repellent layer and a hydrophilic layer.

符号の説明Explanation of symbols

1:基材
10:光硬化基材形成用の離型フィルム
11:プラズマ化学気層成長装置
12:真空チャンバー
13:巻出ロール
15:電極ドラム
16、17:ガス供給装置
18:原料揮発供給装置
19:原料供給ノズル
20:グロー放電プラズマ
21:電源
22:マグネット
24:巻取ロール
25:真空ポンプ
26:撥水性層成膜ゾーン
27:親水性層成膜ゾーン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Base material 10: Release film for photocuring base material formation 11: Plasma chemical vapor deposition apparatus 12: Vacuum chamber 13: Unwinding roll 15: Electrode drum 16, 17: Gas supply apparatus 18: Raw material volatilization supply apparatus 19: Raw material supply nozzle 20: Glow discharge plasma 21: Power supply 22: Magnet 24: Winding roll 25: Vacuum pump 26: Water repellent layer deposition zone 27: Hydrophilic layer deposition zone

Claims (4)

帯状のフィルム基材と、該フィルム基材の少なくとも一方の面に、撥水性層及び親水性層が設けてなり、前記撥水性層は基材フィルムの両側端部に設け、前記親水性層は前記撥水性層を除く部分に設けてなり、
前記撥水性層は、プラズマCVD装置を用いて形成した酸化炭化珪素もしくは酸化炭化窒化珪素であり、かつ水に対する接触角が80〜150°であり、
前記親液性層は、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化マグネシウムのうちいずれか1種類あるいは2種類以上含有しており、かつ、水に対する接触角が10〜60°であることを特徴とする光硬化基材形成用の離型フィルム。
A band-shaped film substrate and a water-repellent layer and a hydrophilic layer are provided on at least one surface of the film substrate, the water-repellent layer is provided on both side ends of the substrate film, and the hydrophilic layer is Ri Na provided in a portion except for the water-repellent layer,
The water repellent layer is silicon oxide carbide or silicon oxycarbonitride formed using a plasma CVD apparatus, and has a contact angle with water of 80 to 150 °,
The lyophilic layer contains one or more of silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, indium oxide, and magnesium oxide, and has a contact angle with water of 10 to 60 °. release film for photocurable base form, characterized in that it.
前記撥水性層の膜厚が1〜100nmであことを特徴とする請求項1に記載の光硬化基材形成用の離型フィルム。 Release film for photocurable base form of claim 1, the film thickness of the water repellent layer is equal to or Ru 1~100nm der. 前記親水性層の膜厚が10〜100nmであり、中心線平均粗さ(Ra)が30nm以下であことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光硬化基材形成用の離型フィルム。 The thickness of the hydrophilic layer is 10 to 100 nm, the center line average roughness (Ra) for photocuring substrate formed of claim 1 or claim 2, wherein the Ru Der below 30nm Release film. 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の光硬化基材形成用の離型フィルムの撥水性層及び親水性層を設けた面へ、光硬化性樹脂組成物を塗布し、該塗布面へ別の前記光硬化基材形成用の離型フィルムの撥水性層及び親水性層を設けた面を剥離可能に積層し、活性エネルギ線を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させた後に、少なくとも一方の前記光硬化基材形成用の離型フィルムを剥離することを特徴とする光硬化基材の製造方法。 A photocurable resin composition is applied to the surface provided with the water-repellent layer and the hydrophilic layer of the release film for forming a photocurable substrate according to any one of claims 1 to 3 , and the coating is applied. The surface provided with the water-repellent layer and the hydrophilic layer of another release film for forming the photo-curing substrate on the surface is peelably laminated, and the photo-curable resin composition is cured by irradiating active energy rays. And then peeling off at least one of the release films for forming the photocuring base material.
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