JP4654731B2 - 集積回路装置および信号処理装置 - Google Patents
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Description
10 信号処理装置
21 プロセッシングエレメント(PE)、 29 内部回路
Claims (4)
- 異なる内部回路を具備する複数種類の処理エレメントと、それら複数種類の処理エレメントを可変接続する配線群とを備えた、再構成可能な回路区画を有し、
前記複数種類の処理エレメントは、データを格納するためのRAMエレメントを含み、
前記RAMエレメントは、第1のRAM回路と、第2のRAM回路と、
当該RAMエレメントに対する第1のエレメント入力データをラッチする第1の入力インターフェイスと、
当該RAMエレメントに対する第2のエレメント入力データをラッチする第2の入力インターフェイスと、
前記第1の入力インターフェイスにラッチされる前記第1のエレメント入力データ、および前記第1のRAM回路から読み出される第1のRAM出力データの中から前記第1のRAM回路にアクセスする第1のRAMアドレスを生成して第1のアドレスインターフェイスに供給する第1のセレクタ回路と、
前記第1の入力インターフェイスにラッチされる前記第1のエレメント入力データ、前記第2の入力インターフェイスにラッチされる前記第2のエレメント入力データ、および前記第2のRAM回路から読み出される第2のRAM出力データの中から前記第2のRAM回路にアクセスする第2のRAMアドレスを生成して第2のアドレスインターフェイスに供給する第2のセレクタ回路と、
前記第1のセレクタ回路および前記第2のセレクタ回路により、前記第1の入力インターフェイスおよび前記第2の入力インターフェイスと前記第1のRAM回路および前記第2のRAM回路との接続を制御する制御回路とを有し、
前記制御回路は、前記第1のエレメント入力データから前記第1のRAMアドレスおよび前記第2のRAMアドレスを生成し、前記第2のエレメント入力データを前記第1のRAM回路および前記第2のRAM回路へ書き込むRAMライトモードと、
前記第1のエレメント入力データから前記第1のRAMアドレスを生成し、前記第1のRAM回路から前記第1のRAM出力データを読み出し、前記第2のエレメント入力データから前記第2のRAMアドレスを生成し、前記第2のRAM回路から前記第2のRAM出力データを読み出すRAMリードモードと、
前記第1のRAM出力データの少なくとも一部をフィードバックして前記第1のRAMアドレスを生成し、前記第2のRAM出力データの少なくとも一部をフィードバックして前記第2のRAMアドレスを生成するフィードバックモードとを備えている、集積回路装置。 - 請求項1に記載の集積回路装置を有する信号処理装置。
- 請求項2において、前記複数種類の処理エレメントにより、入力信号を、符号多項式を用いた方法でエンコードする符号化データパスが構成されており、
前記符号多項式は前記フィードバックモードにセットされた前記RAMエレメントを用いて実装されている、信号処理装置。 - 請求項3において、前記符号化データパスは、複数の生成多項式を用いた再帰的畳み込み符号化を含むターボ符号化データパスを備えており、
前記ターボ符号化データパスに含まれる前記フィードバックモードの前記RAMエレメントの前記第1のRAM回路および前記第2のRAM回路に、前記入力信号を前記複数の生成多項式により符号化する符号化テーブルがセットされている、信号処理装置。
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