JP4653930B2 - エネルギーのバランスを取ったインクジェットプリントヘッド - Google Patents

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Description

【0001】
[発明の背景]
本発明は、一般的にインクジェットプリントに関し、より詳細には、グラウンドバスに沿った寄生電力損失(parasitic power dissipation)を補償するように構成されたFET駆動回路を有している薄膜インクジェットプリントヘッドに関する。
【0002】
インクジェットプリントの技術は、比較的よく開発されている。コンピュータのプリンタ、グラフィックプロッタ、およびファクシミリなどの市販製品は、プリントした媒体を生成するインクジェット技術により実施されている。インクジェット技術に対するヒューレット・パッカード社の貢献については、例えば、すべてその参照によって本明細書に援用される、Hewlett-Packard Journal, Vol. 36, No.5 (May 1985)、Vol. 39, No.5 (October 1988)、Vol. 43, No.4 (August 1992)、Vol. 43, No.6 (December 1992)、およびVol. 45, No.1 (February 1994)におけるさまざまな論文において説明されている。
【0003】
通常、インクジェット画像は、インクジェットプリントヘッドとして知られているインク滴発生装置が放出するインク滴をプリント媒体上に正確に配置することにしたがって形成される。通常、インクジェットプリントヘッドは、プリント媒体表面の上方を横切る可動プリントキャリッジ上に支持され、マイクロコンピュータまたはその他コントローラのコマンドにしたがって適当な時点においてインク滴を噴出するように制御される。この場合、インク滴を施すタイミングは、プリントしている画像の画素のパターンに対応するように意図される。
【0004】
典型的なヒューレット・パッカードのインクジェットプリントヘッドは、インクバリアー層に取り付けたオリフィス板に正確に形成した、ノズルのアレイを含む。インクバリアー層は、インク発射ヒータ抵抗器と該抵抗器を作動させる(enabling)装置とを満たす薄膜下部構造(substructure)に取り付けられている。インクバリアー層は、インクチャネルを画定し、該インクチャネルは、連動する(associated)インク発射抵抗器の上方に配置したインクチャンバを含む。オリフィス板のノズルは、連動するインクチャンバと位置合わせがされている。インクチャンバと、薄膜下部構造およびオリフィス板のうちのインクチャンバに隣接する部分とによって、インク滴発生器領域が形成される。
【0005】
薄膜下部構造は、通常、シリコンなどの基板から構成されている。この基板上には、薄膜インク発射抵抗器、該抵抗器を作動させる装置、および、プリントヘッドへの外部電気接続のために設けるボンディングパッドへの相互接続、を形成するさまざまな薄膜層が形成される。インクバリアー層は、通常、ドライフィルムとして薄膜下部構造に貼り合わされ、光によって規定可能で(photodefinable)紫外線および熱によっても硬化可能なように考えられたポリマー材料である。スロット供給設計(slot feed design)のインクジェットプリントヘッドにおいては、1つまたはそれよりも多いインク槽から、基板に形成した1つまたはそれよりも多いインク供給スロットを通じて、さまざまなインクチャンバにインクが供給される。
【0006】
オリフィス板、インクバリアー層、および薄膜下部構造の物理的な配置例としては、上記で引用した、Hewlett-Packard JournalのFebruary 1994の44ページに説明されている。インクジェットプリントヘッドのさらなる例については、ともにその参照によって本明細書に援用される、本発明の譲受人に譲渡されている米国特許番号第4,719,477号および第5,317,346号において記載されている。
【0007】
薄膜インクジェットプリントヘッドで考慮すべき事柄としては、それぞれのヒータ抵抗器が選択されると、確実にインク滴を発射する必要性があることが挙げられる。ヒータ抵抗器と、電源およびグラウンド(power and ground)の接触パッドとの間に通じている(leading)導電トレースが与える電力を損失する寄生抵抗がばらつくために、ヒータ抵抗器に供給されるインク発射信号は、通常、ある量の過剰エネルギー(over-energy)を含む。これは、結局はインク滴を発射するのに十分なエネルギーよりも多くを受け取る抵抗器もあれば、インク滴を発射するのに十分なだけのエネルギーを受け取る抵抗器もあるということを意味する。過大なエネルギーは、抵抗器の短寿命化、インクチャンバ内のパッシベーション層に頑固に付着したインク成分の蓄積である「コゲーション(kogation)」、およびプリントヘッドの信頼性の低下等、さまざまな悪影響がある。また、異なる抵抗器に異なるエネルギーを供給すると、気泡の核生成および滴形成に一貫性がなくなる結果になってしまう。
【0008】
トレースの幅を変化させることは、エネルギーのバランスを取る技術として既知であるが、そのような技術を用いると、プリントヘッドの薄膜下部構造の幅を狭くすることが困難となる。
【0009】
したがって、ヒータ抵抗器により均一に通電される、改良したインクジェットプリントヘッドが必要とされている。
【0010】
[発明の概要]
本発明は、電源トレースの寄生抵抗のばらつきを補償して、プリントヘッドのヒータ抵抗器に供給されるエネルギーのばらつきを少なくするように構成されている、ヒータ抵抗器に通電するFET駆動回路を有するインクジェットプリントヘッドに関する。
【0011】
当業者であれば、以下の詳細な説明を図面とともに読めば、開示する本発明の利点および特徴を容易に理解しよう。
【0012】
以下の詳細な説明およびいくつかの図面において、同じ要素は同じ参照番号で識別する。
【0013】
図1および図2には、本発明に用いることができるインクジェットプリントヘッドが正確な縮尺率で描かれていない(unscaled)概略斜視図が概略的に示されている。インクジェットプリントヘッドは、一般的に、(a)シリコンなどの基板を含み、その上にさまざまな薄膜層を形成した薄膜下部構造すなわちダイ11と、(b)薄膜下部構造11上に配置したインクバリアー層12と、(c)インクバリアー層12の表面に薄層状に取り付けたオリフィスすなわちノズル板13とを含む。
【0014】
薄膜下部構造11は、従来の集積回路技術にしたがって形成され、薄膜ヒータ抵抗器56が中に形成されている。インクバリアー層12は、熱および圧力によって薄膜下部構造11に貼り合わされたドライフィルムで形成されており、光によって規定されてインクチャンバ19とインクチャネル29とが形成されている。インクチャンバ19とインクチャネル29は、ヒータ抵抗器が形成されている抵抗器領域の上方に配置されている。薄膜下部構造11の長手方向に間隔を置いて配置した向かい合う両端には、外部と電気接続するために係合可能な金のボンディングパッド74が配置されており、ボンディングパッド74はインクバリアー層12によって覆われていない。説明に役立つ例として、バリアー層の材料は、デラウェア州ウィルミントン市のE.I.dupont de Nemours and Companyから入手可能な「パラド(Parad)」ブランドのフォトポリマーのドライフィルムなど、アクリレート(acrylate)をベースにしたフォトポリマーのドライフィルムを含む。同様のドライフィルムとしては、「リストン(Riston)」ブランドのドライフィルムなど、デュポンのその他の製品や、他の化学製品供給者が製造するドライフィルムがある。オリフィス板13は、例えば、ポリマー材料から構成され、例えば、その参照によって本明細書に援用される本発明の譲受人に譲渡されている米国特許番号第5,469,199号において開示されているように、レーザー・アブレーションでオリフィスを形成した平らな基板を含む。このオリフィス板は、また、ニッケルなどのめっきをした金属を含んでもよい。
【0015】
図3に示すように、インクバリアー層12内のインクチャンバ19は、より詳細には、それぞれのインク発射抵抗器56の上方に配置されており、それぞれのインクチャンバ19は、バリアー層12に形成したチャンバ開口部の相互に接続された縁すなわち壁によって画定されている。インクチャネル29は、バリアー層12に形成したさらなる開口部によって画定され、それぞれのインク発射チャンバ19と一体的に接続されている。図1、2、および3は、例として、スロットによって供給されるインクジェットプリントヘッドを示す。このインクジェットプリントヘッドは、薄膜下部構造のインク供給スロットが形成される縁に向かってインクチャネルを開いており、それによって、インク供給スロットの縁が供給縁を形成している。
【0016】
オリフィス板13は、オリフィスすなわちノズル21を含む。オリフィスすなわちノズル21は、それぞれのインクチャンバ19の上方に配置され、それぞれのインク発射抵抗器56、連動するインクチャンバ19、および連動するオリフィス21が位置合わせされてインク滴発生器40を形成するようになっている。
【0017】
開示するプリントヘッドを、バリアー層と、別個のオリフィス板とを有するものとして説明したが、本発明は、多数の露光プロセスで露光され、次に現像される単一のフォトポリマー層を用いて製造することができる一体的なバリアー/オリフィス構造を有するプリントヘッドにおいて実施することができるということが理解されるべきである。
【0018】
インク滴発生器40は、3列のアレイすなわち群61、62、63に配置されている。これらは、基準軸Lを横切る方向に、互いから間隔を置いて配置されている。それぞれのインク滴発生器の群のヒータ抵抗器56は、参照する基準軸Lに合わせてほぼ一列に配列されており、基準軸Lに沿った所定の中心同士の間隔すなわちノズルピッチPを有している。説明に役立つ例として、薄膜下部構造は長方形であり、その向かい合う縁51、52は、長さ寸法の長手方向の縁であり、長手方向に間隔を置いて配置された向かい合う縁53、54は、プリントヘッドの長さ寸法よりも短い幅寸法のものである。薄膜下部構造の長手方向の長さは、基準軸Lに平行であってもよい縁51、52に沿っている。使用中、基準軸Lは、一般的に媒体前進軸(media advance axis)と呼ばれているものと位置合わせされてもよい。
【0019】
それぞれのインク滴発生器の群のインク滴発生器40を略同一直線上にあるものとして示すが、インク滴発生器の群のいくつかのインク滴発生器40には、例えば発射遅延を補償するために、列の中心線からわずかに外れてもよいものもあるということが理解されるべきである。
【0020】
それぞれのインク滴発生器40がヒータ抵抗器56を含む限り、ヒータ抵抗器は、それに応じて、インク滴発生器に対応する群すなわちアレイになるように配置される。便宜上、ヒータ抵抗器のアレイすなわち群を、同じ参照番号61、62、63で参照する。
【0021】
図1、2、および3のプリントヘッドの薄膜下部構造11は、より詳細には、基準軸Lに対して位置合わせされ、基準軸Lに関して横切る方向に互いから間隔を置いて配置されている、インク供給スロット71、72、73を含む。インク供給スロット71、72、73は、それぞれインク滴発生器の群61、62、63に供給を行う。説明に役立つ例として、それぞれが供給を行うインク滴発生器の群の同じ側に配置されている。説明に役立つ例として、インク供給スロットは、それぞれシアン、イエロー、およびマゼンタなど、異なるカラーのインクを供給する。
【0022】
薄膜下部構造11は、さらに、駆動トランジスタ回路アレイ81、82、83を含み、この駆動トランジスタ回路アレイ81、82、83は、薄膜下部構造11に形成される。それぞれのインク滴発生器の群(61、62、63)に隣接して配置された、。それぞれの駆動回路アレイ(81、82、83)は、それぞれのヒータ抵抗器56に接続された複数のFET駆動回路85を含む。それぞれの駆動回路アレイ(81、82、83)には、グラウンドバス(181、182、183)が連動しており、グラウンドバス(181、182、183)には、隣接する駆動回路アレイ(81、82、83)のすべてのFET駆動回路85のソース端子が電気接続されている。それぞれのグラウンドバス(181、182、183)は、プリントヘッド構造の一端の少なくとも1つのボンディングパッド74と、プリントヘッド構造の他端の少なくとも1つの接触パッド74とに電気的に相互接続される。
【0023】
図5に概略的に示すように、それぞれのFET回路85のドレイン端子は、隣接するヒータ抵抗器56の1つの端子に電気接続されている。隣接するヒータ抵抗器56は、他方の端子において、導電トレース86を経由して適当なインク発射基本(primitive)選択信号PSを受け取る。導電トレース86は、プリントヘッド構造の一端の接触パッド74にルーティングされている。導電トレース86は、例えば、グラウンドバス181、182、183が形成される金属化層と分離して絶縁される金の金属化層のトレースを含む。導電トレース86は、グラウンドバス181、182、183と同じ金属化層に形成した導電バイアおよび金属トレース57(図6)によってヒータ抵抗器56に電気接続されている。また、特定のヒータ抵抗器の導電トレース86は、ヒータ抵抗器に最も近い端のボンディングパッド74に略ルーティングされていてもよい。実施態様によっては、特定のインク滴発生器の群(61、62、63)のヒータ抵抗器56は、複数の基本群になるように配置してもよく、その場合、例えばその参照によって本明細書に援用される、本発明の譲受人に譲渡されている米国特許番号第5,604,519号、第5,638,101号、および第3,568,171号において開示されているように、特定の基本要素(primitive)の各インク滴発生器は、平行して同じインク発射基本選択信号と切り替え可能に結合する。それぞれのFET駆動回路のソース端子は、隣接して連動するグラウンドバス(181、182、183)に電気接続されている。
【0024】
言及しやすくするために、ヒータ抵抗器56と、連動するFET駆動回路85をボンディングパッド74に電気接続する導電トレース86を含む導電トレース、およびグラウンドバスを総称して電源トレース(power traces)と呼ぶ。これもまた言及しやすくするために、導電トレース86は、ハイ側(high side)、または非接地の電源トレースと呼んでもよい。
【0025】
通常、それぞれのFET駆動回路85の寄生抵抗(parasitic resistance)(すなわち、オン抵抗)は、電源トレースが形成する寄生経路(parasitic path)によって、異なるFET駆動回路85に与える(presented)寄生抵抗のばらつきを補償して、ヒータ抵抗器に供給されるエネルギーのばらつきを少なくすように構成されている。特に、電源トレースは、寄生経路を形成し、この寄生経路は、路上の位置によって変化する寄生抵抗をFET回路に与えており、それぞれのFET駆動回路85の寄生抵抗は、それぞれのFET駆動回路85の寄生抵抗と、FET駆動回路に与えられる電源トレースの寄生抵抗の組み合わせが、インク滴発生器同士の間でわずかしかばらつかないように選択される。したがって、ヒータ抵抗器56の抵抗が略同じである限り、それぞれのFET駆動回路85の寄生抵抗は、異なるFET駆動回路85に与えられる連動する電源トレースの寄生抵抗のばらつきを補償するように構成されている。このようにして、電源トレースに接続されているボンディングパッドに略等しいエネルギーが供給される限り、異なるヒータ抵抗器56に略等しいエネルギーを供給することができる。
【0026】
より詳細に図6および7を参照すると、それぞれのFET駆動回路85は、シリコン基板111に形成したドレイン領域フィンガー(fingers)89の上方に配置され、複数が電気的に相互接続されたドレイン電極フィンガー87と、ドレイン電極87と互いにかみ合い、すなわち交互に配置され、シリコン基板111に形成したソース領域フィンガー99の上方に配置され、複数が電気的に相互接続されたソース電極フィンガー97とを含む。それぞれの端において相互接続されたポリシリコンのゲートフィンガー91が、シリコン基板111上に形成した薄いゲート酸化物層93上に配置されている。りんけい酸ガラス層(phosphosilicate glass layer)95が、ドレイン電極87およびソース電極97をシリコン基板111から分離している。複数の導電ドレイン接点88がドレイン電極87をドレイン領域89に電気接続し、複数の導電ソース接点98がソース電極97をソース領域99に電気接続する。
説明に役立つ例として、ドレイン電極87、ドレイン領域89、ソース電極97、ソース領域99、およびポリシリコンのゲートフィンガー91は、基準軸Lと略直交して、すなわち横切って延びており、そして、グラウンドバス181、182、183の長手方向の長さまで延びている。また、それぞれのFET回路85について、図6に示すように、ドレイン領域89およびソース領域99が基準軸Lを横切る方向の長さは、ゲートフィンガーが基準軸Lを横切る方向の長さと同じであり、これによって、基準軸Lを横切る方向の動作領域の範囲が画定される。参照しやすくするために、ドレイン電極フィンガー87、ドレイン領域フィンガー89、ソース電極フィンガー97、ソース領域フィンガー99、およびポリシリコンのゲートフィンガー91の長さ(extent)は、これらの素子が、ストリップ状またはフィンガー状の態様(manner)であって、長く、幅が狭いものである限り、このような素子の長手方向の長さ(longitudinal extent)と呼ぶことができる。
【0027】
説明に役立つ例として、それぞれのFET回路85のオン抵抗は、ドレイン領域フィンガーが連続して接触していない部分の長手方向の範囲すなわち長さを制御することによって個々に構成されている。連続して接触していない部分には、電気接点88がない。例えば、ドレイン領域フィンガーの連続して接触していない部分は、ヒータ抵抗器56から最も遠いドレイン領域87の端で始まってもよい。特定のFET回路85のオン抵抗は、ドレイン領域フィンガーの連続して接触していない部分の長さが長くなるにつれて大きくなり、この長さは、特定のFET回路のオン抵抗を決定するように選択される。
【0028】
他の例として、それぞれのFET回路85のオン抵抗は、FET回路の大きさを選択することによって構成してもよい。例えば、FET回路の基準軸Lを横切る長さを、オン抵抗を規定するように選択してもよい。
【0029】
典型的な実施において、特定のFET回路85についての電源トレースが、合理的にまっすぐな(direct)経路によってプリントヘッド構造の長手方向に離れた端のうちの最も近い端のボンディングパッド74へとルーティングされている場合には、プリントヘッドの最も近い端からの距離とともに寄生抵抗が大きくなり、FET駆動回路85のオン抵抗は、そのような最も近い端からの距離とともに小さくすることで(FET回路がより効率的になる)、電源トレースの寄生抵抗の増大を相殺するようになっている。具体例として、ヒータ抵抗器56から最も遠いドレイン領域フィンガーの端で始まるそれぞれのFET駆動回路85のドレインフィンガーの連続して接触していない部分に関して、そのような部分の長さは、プリントヘッド構造の長手方向に離れた端のうちの最も近い端からの距離とともに短くなる。
【0030】
それぞれのグラウンドバス(181、182、183)は、FET回路85のドレイン電極87およびソース電極97と同じ薄膜導電層で形成されている。ソース領域99およびドレイン領域89と、ポリシリコンのゲート91から構成されているそれぞれのFET回路の動作領域は、好都合なことに(advantageously)、連動するグラウンドバス(181、182、183)の下に延びている。これによって、グラウンドバスおよびFET回路アレイが占める領域をより狭くすることができ、それによって、薄膜下部構造をより狭く、したがってより安価にすることができる。
【0031】
また、実施態様において、ドレイン領域フィンガーの連続して接触していない部分が、ヒータ抵抗器56から最も遠いドレイン領域フィンガーの端で始まる場合には、それぞれのグラウンドバス(181、182、183)が基準軸Lを横切って(transversely or laterally)連動するヒータ抵抗器56に向かう長さは、ドレインフィンガーの連続して接触していない部分の長さが長くなるにつれて長くなり得る。ドレイン電極は、ドレインフィンガーのそのような連続して接触していない部分の上方に延びる必要がないからである。言い換えれば、ドレイン領域の連続して接触していない部分の長さに応じて、グラウンドバスがFET駆動回路85の動作領域の上にある量を多くすることによって、グラウンドバス(181、182、183)の幅Wを広くすることができる。これは、グラウンドバス(181、182、183)およびその連動するFET駆動回路アレイ(81、82、83)が占める領域の幅を広くすることなく行われる。グラウンドバスとFET駆動回路85の動作領域との重なりの量を多くすることによって広くするからである。効果的には、いかなる特定のFET回路85においても、ドレイン領域の非接触の部分と略等しい長さだけ、基準軸Lを横切ってグラウンドバスが動作領域に重なり得る。
【0032】
特定の例において、ドレイン領域の連続して接触していない部分がヒータ抵抗器56から最も遠いドレイン領域フィンガーの端で始まり、プリントヘッド構造の最も近い端からの距離とともにドレイン領域のそのような連続して接触していない部分の長さが短くなる場合には、ドレイン領域の連続して接触していない部分の長さの変化に伴ってグラウンドバス(181、182、183)の幅の調節すなわち変化により、図8に示すように、グラウンドバスの幅Wを、プリントヘッド構造の最も近い端に近づくにつれて広くしている。ボンディングパッド74に近づくにつれて、共有電流(shared currents)の量は多くなるので、このような形状にすることによって、好都合なことに、グラウンドバスの抵抗が小さくなる。
【0033】
前述の事項は、インク供給スロットを3つ有し、インク滴発生器がインク供給スロットの片側のみに沿って配置されたプリントヘッドに関するものである。開示するFET駆動回路アレイおよびグラウンドバス構造は、さまざまなスロット供給、縁供給、またはスロット供給と縁供給を組み合わせた構成において実施することができるということが理解されるべきである。また、インク滴発生器は、インク供給スロットの片側または両側に配置することができる。
【0034】
図9は、上述のプリントヘッドを用いることができるインクジェットプリント装置110の例の概略斜視図が示されている。図9のインクジェットプリント装置110は、シャシ122を含む。シャシ122は、通常、成形プラスチック材料でできたハウジングすなわちエンクロージャ124で取り囲まれている。シャシ122は、例えばシートメタルで形成されており、垂直パネル122aを含む。適合(adaptive)プリント媒体取扱システム126によって、プリント媒体のシートがプリントゾーン125を通って個別に供給される。プリント媒体取扱システム126は、プリント前のプリント媒体を保管する供給トレイ128を含む。プリント媒体は、紙、厚紙、透明シート、マイラーなどいかなるタイプの好適なプリント可能なシート材料であってもよいが、便宜上、図示の実施形態は、プリント媒体として紙を用いるものについて説明する。ステップモータによって駆動される駆動ローラ129を含む、一連の従来のモータによって駆動されるローラを用いて、プリント媒体を供給トレイ128からプリントゾーン125内に動かしてもよい。プリント後、駆動ローラ129は、プリントされたシートを、1対の伸縮式(retractable)出力乾燥ウイング部材130上に動かす。ウイング部材130は、伸張されて、プリントしたシートを受け取る状態で示す。ウイング部材130は、新しくプリントしたシートを、出力トレイ132内でまだ乾燥途中である以前にプリントされたすべてのシートの上方で、短時間保持し、その後、曲線の矢印133で示すように、枢転的に(pivotally)両側に引っ込み、新しくプリントされたシートを出力トレイ132内に落とす。プリント媒体取扱システムは、摺動長さ調節アーム134や封筒供給スロット135など、レター、規定サイズ、A4、封筒などを含むさまざまな大きさのプリント媒体に対応する一連の調節機構を含んでもよい。
【0035】
図9のプリンタは、さらに、プリンタコントローラ136を含む。プリンタコントローラ136は、マイクロプロセッサとして概略的に示され、シャシの垂直パネル122aの後ろ側に支持されたプリント回路基板139上に配置されている。プリンタコントローラ136は、パーソナルコンピュータなどのホスト装置(図示せず)から命令を受け取り、プリントゾーン125を通るプリント媒体の前進、プリントキャリッジ140の動き、およびインク滴発生器40への信号印加を含むプリンタの動作の制御を行う。
【0036】
キャリッジ走査軸と平行な長手方向の軸を有するプリントキャリッジ摺動(slider)ロッド138は、シャシ122に支持されて、プリントキャリッジ140をかなり大きく(sizeably)支持し、キャリッジ走査軸に沿って横移動すなわち走査を往復して行うようにする。プリントキャリッジ140は、第1および第2の可動インクジェットプリントヘッドカートリッジ150、152(それぞれ「ペン」、「プリントカートリッジ」、または「カートリッジ」と呼ぶことがある)を支持する。プリントカートリッジ150、152は、それぞれプリントヘッド154、156を含む。プリントヘッド154、156は、それぞれプリント媒体のうちのプリントゾーン125内にある部分の上に略下向きにインクを噴出する略下向きのノズルを有する。プリントカートリッジ150、152は、より詳細には、クランプレバー(clamping levers)、ラッチ部材、または蓋170、172を含むラッチ機構によって、プリントキャリッジ140内にクランプ締めされている。
【0037】
その参照によって本明細書に援用される、本発明の譲受人に譲渡されている1996年11月26日付け出願のHarmon他への代理人整理番号第10941036号の米国特許出願番号第08/757,009号において、好適なプリントキャリッジの説明的な例が開示されている。
【0038】
参考として、プリント媒体は、カートリッジ150、152のノズルの下方でノズルが横切るプリント媒体の部分の接線に平行な媒体軸に沿って、プリントゾーン125を通って前進する。図9に示すように、媒体軸とキャリッジ軸とが同一平面上にある場合には、この2つは互いに垂直である。
【0039】
プリントキャリッジの裏面の回転防止機構が、例えば、シャシ122の垂直パネル122aと一体的に形成された、水平に配置した枢転防止バー185と係合して、プリントキャリッジ140が摺動ロッド138を中心として前方に枢転しないようにする。
【0040】
説明に役立つ例として、プリントカートリッジ150はモノクロのプリントカートリッジであり、プリントカートリッジ152は、本明細書における教示にしたがったプリントヘッドを用いる3色のプリントカートリッジである。
【0041】
プリントキャリッジ140は、従来の方法で駆動することができるエンドレスベルト158によって摺動ロッド138に沿って駆動される。直線状のエンコーダストリップ159を利用して、例えば従来の技術にしたがって、キャリッジ走査軸に沿ったプリントキャリッジ140の位置を検知する。
【0042】
前述の事項は、本発明の具体的な実施形態の説明および例示であったが、当業者であれば、併記の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲および精神から逸脱することなく、本発明のさまざまな変形および変更を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を用いるインクジェットプリントヘッドのレイアウトを示しており、正確な縮尺率で描かれていない概略平面図である。
【図2】 図1のインクジェットプリントヘッドの一部切欠き概略斜視図である。
【図3】 図1のインクジェットプリントヘッドの、正確な縮尺率で描かれていない概略部分平面図である。
【図4】 図1のプリントヘッドのFET駆動回路アレイと連動するグラウンドバスのレイアウトを概略的に示す部分平面図である。
【図5】 図1のプリントヘッドのヒータ抵抗器とFET駆動回路との電気接続を示す概略電気回路図である。
【図6】 図1のプリントヘッドの代表的なFET駆動回路と連動するグラウンドバスとの平面図である。
【図7】 図1のプリントヘッドの代表的なFET駆動回路の立面断面図である。
【図8】 図1のプリントヘッドのFET駆動回路アレイと連動するグラウンドバスとの例示的実施態様を示す平面図である。
【図9】 本発明のプリントヘッドを用いることができるプリンタであって、正確な縮尺率で描かれていない概略斜視図である。
【符号の説明】
11、12、13 プリントヘッド構造
40 インク滴発生器
61 インク滴発生器の長手方向のアレイ
74 ボンディングパッド
81 FET回路の長手方向のアレイ
85 FET回路
86、181 電源トレース
87 ドレイン電極
88 ドレイン接点
89 ドレイン領域
97 ソース電極
98 ソース接点
99 ソース領域

Claims (10)

  1. 基板と複数の薄膜層とで形成されたプリントヘッド構造部と、
    前記プリントヘッド構造内に画定され、前記プリントヘッド構造部の長手方向整列された、複数のインク滴発生器
    前記プリントヘッド構造部の長手方向端部に配設された複数のボンディングパッドと、
    前記複数のインク滴発生器の電流を個別に制御するための複数のFET回路であって、前記各インク滴発生器に隣接し、前記プリントヘッド構造部の長手方向整列され、前記プリントヘッド構造内に形成された、複数のFET回路
    前記複数のボンディングパッドと前記複数のインク滴発生器および前記複数のFET回路とをそれぞれ電気的に直列接続する複数の電源トレースと
    を備え、
    前記複数のFET回路のそれぞれのオン抵抗は、前記複数の電源トレースが与える寄生抵抗のばらつきを補償すべく、前記長手方向端部からの距離が大きくなるにつれて小さくなるように選定されている、インクジェットプリントヘッド。
  2. 前記複数のFET回路のそれぞれの大きさは、前記オン抵抗を設定すべく、前記長手方向端部からの距離に応じて選定されている、請求項に記載のインクジェットプリントヘッド。
  3. 前記複数のFET回路は、それぞれ、複数のドレイン電極と、複数のドレイン領域と、前記各ドレイン電極を対応する前記ドレイン領域に電気的に接続する複数のドレイン接点と、複数のソース電極と、複数のソース領域と、前記各ソース電極を対応する前記ソース領域に電気的に接続する複数のソース接点とを含み、
    前記各ドレイン領域は、前記複数のFET回路のそれぞれのオン抵抗を設定するように構成されている、請求項に記載のインクジェットプリントヘッド。
  4. 前記各ドレイン領域は、複数の細長いドレイン領域を含み、前記各細長いドレイン領域が、前記各ドレイン接点の連続した非存在部分であって、前記各オン抵抗を設定するように選定された長さを有する非存在部分を含む、請求項3に記載のインクジェットプリントヘッド。
  5. 前記各電源トレースは、前記各FET回路のソース電極に電気的に接続されたグラウンドバスを含み、該グラウンドバスは、前記プリントヘッド構造の長手方向に沿って延び、かつ、前記プリントヘッド構造の長手方向を横切る幅を有しており、該幅は、前記プリントヘッド構造の長手方向に離れた両端のうちの最も近い端からの距離が大きくなるにつれて狭くなっている、請求項1からのいずれかに記載のインクジェットプリントヘッド。
  6. 複数の薄膜層を含む基板と、
    前記基板内に基準軸方向に整列されて画成された複数のインク滴発生器と、
    前記基板内に前記基準軸方向に整列されて形成され、前記複数のインク滴発生器の電流を個別に制御するために、前記複数のインク滴発生器にそれぞれ接続された複数のFET回路と、
    前記基準軸方向の端部に配設された複数のボンディングパッドと、
    前記複数のボンディングパッドと前記複数のインク滴発生器および前記複数のFET回路とをそれぞれ電気的に直列接続する複数の電源トレースと
    を備え、
    前記複数のFET回路のそれぞれのオン抵抗は、前記複数の電源トレースが与える寄生抵抗のばらつきを補償すべく、前記基準軸方向の端部からの距離が大きくなるにつれて小さくなるように選定されている、液滴射出装置。
  7. 前記複数のFET回路のそれぞれの大きさは、前記オン抵抗を設定すべく、前記基準軸方向の端部からの距離に応じて選定されている、請求項に記載の液滴射出装置。
  8. 前記複数のFET回路は、それぞれ、複数のドレイン電極と、複数のドレイン領域と、前記各ドレイン電極を対応する前記ドレイン領域に電気的に接続する複数のドレイン接点と、複数のソース電極と、複数のソース領域と、前記各ソース電極を対応する前記ソース領域に電気的に接続する複数のソース接点と、を含み、
    前記各ドレイン領域は、前記複数のFET回路のそれぞれのオン抵抗を設定するように構成されている、請求項に記載の液滴射出装置。
  9. 前記各ドレイン領域は、複数の細長いドレイン領域を含み、前記各細長いドレイン領域が、前記各オン抵抗を設定するように選定された長さを有する前記各ドレイン接点の連続した非存在部分を含む、請求項に記載の液滴射出装置。
  10. 前記各FET回路は、それぞれ、前記基準軸を横切る方向に配向され、かつ、前記基準軸方向の寸法が等しく形成されており、前記各FET回路の前記基準軸を横切る方向の長さは、前記オン抵抗を設定すべく、前記基準軸方向の端部からの距離が大きくなるにつれて大きくなるように選定されている、請求項6に記載の液滴射出装置。
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