JP4653815B2 - 可変光学パワーリミッタ - Google Patents
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Description
特許文献1 米国特許第3899430号明細書
特許文献2 米国特許出願公開第2001/0044731号明細書
特許文献3 米国特許出願公開第2003/0043975号明細書
特許文献4 米国特許出願公開第2003/0053785号明細書
特許文献5 米国特許出願公開第2003/0184758号明細書
特許文献6 米国特許出願公開第2004/0160658号明細書
特許文献7 米国特許出願公開第2004/0203942号明細書
特許文献8 欧州特許第0565993号明細書
特許文献9 独国特許発明第2376082号明細書
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非特許文献2 SUN, W. et al., "Optical limiting performances of asymmetric pentaazadentate porphyrin-like cadmium complexes, " Vol. 73, No. 9. APPLEID PHYSICS LETTERS
非特許文献3 GUO, J. et al., "Light-controlled electro-optic power limiter with a Bi 12 SiO 20 crystal, " Vol. 24, No. 14, OPTICS LETTERS
非特許文献4 "Optical Power Limiter - Series 86580," KiloLambda Limited
非特許文献5 SIMPSON, A., "Windows(登録商標) XP Bible," Hungry Minds. pgs. 9-11, 23, 74, 113, 235, 438, 445, 462, 487 and 488
Claims (18)
- 半導体物質の中に配置された光学導波路であって、光学ビームが前記光学導波路を通るように導かれ、前記光学ビームが前記光学ビームの入力パワーレベルに応じた2光子吸収により前記光学導波路において自由キャリアを生成する、光学導波路と、
前記光学導波路に配置されたダイオード構造体と、を備え、
前記ダイオード構造体は、
前記光学導波路の側面に配置されたP領域と、
前記光学導波路の反対の側面に配置されたN領域と、を有し、
前記光学導波路において前記光学ビームに応じて前記2光子吸収が発生したのに応じ前記光学導波路から生成された前記自由キャリアを一掃することにより、前記光学導波路における前記自由キャリアの自由キャリア・ライフタイムを制御すべく、前記P領域と前記N領域とに接続された電圧源により変更可能に逆バイアスされて接続されており、前記光学ビームの出力パワーを前記ダイオード構造体の前記逆バイアスに応じてクランプされた出力パワーレベルに制限する、
装置。 - 前記電圧源を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記電圧源は前記クランプされた出力パワーレベルを変更するための可変電圧源である、請求項2に記載の装置。
- 前記ダイオード構造体は、前記光学導波路内に配置されたPINダイオードを備える、請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の装置。
- 前記半導体物質はシリコンを備える、請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の装置。
- 前記光学導波路は前記半導体物質の中に配置されたシリコン・リブ導波路を備える、請求項1から請求項5のいずれか1つに記載の装置。
- 前記シリコン・リブ導波路は、シリコンを含むスラブ領域およびリブ領域を備え、
前記リブ領域のシリコンは、前記スラブ領域のシリコン上に直接配置され、
前記光学ビームは前記リブ領域のシリコンを通って伝播することで前記光学導波路を通る、請求項6に記載の装置。 - 前記シリコン・リブ導波路は、前記リブ領域のシリコンを通って伝播する前記光学ビームのほうが前記スラブ領域のシリコンを通って伝播する前記光学ビームより多くなるような前記光学ビームの光学モードの強度分布となるように構成される
請求項7に記載の装置。 - 前記入力パワーレベルが前記クランプされた出力パワーレベルより低い場合に全ての前記光学ビームは前記光学導波路を通って伝播するとともに、前記入力パワーレベルが前記クランプされた出力パワーレベルより高い場合に前記光学ビームの出力パワーは前記クランプされた出力パワーレベルにクランプされる
請求項1から請求項8のいずれか1つに記載の装置。 - 半導体物質において規定された光学導波路の中に光学ビームを導くことと、
前記光学導波路の中に導かれた前記光学ビームの入力パワーレベルに応じ前記光学導波路において発生する2光子吸収により前記光学導波路の中で自由キャリアを生成することと、
前記光学導波路に配置されたダイオード構造体であって、前記光学導波路の側面に配置されたP領域と前記光学導波路の反対の側面に配置されたN領域と有するダイオード構造体を、前記P領域と前記N領域との間に接続された電圧源により変更可能に逆バイアスさせることで、前記光学導波路からの前記自由キャリアを一掃することにより、前記光学導波路において発生する前記2光子吸収によって前記光学導波路において生成される前記自由キャリアの自由キャリア・ライフタイムを制御することで、前記光学ビームの出力光学パワーをクランプされた出力パワーレベルに制限すること
を備える方法。 - 前記入力パワーレベルが前記クランプされた出力パワーレベルよりも低い場合に全ての前記光学ビームを前記光学導波路を通って伝播させることを可能にすること、を更に備える請求項10に記載の方法。
- 前記光学ビームの出力光学パワーをクランプすることで前記光学ビームからのノイズを取り除くこと、を更に備える請求項10または請求項11に記載の方法。
- 前記光学導波路において生成される前記自由キャリアの前記自由キャリア・ライフタイムを変更することで、前記出力パワーレベルを変更すること、を更に備える、請求項10から請求項12のいずれか1つに記載の方法。
- 前記半導体物質の中に規定され、前記P領域と前記N領域との間に配置された第2の光学導波路の中に向けて第2の光学ビームを導くことと、
前記第2の光学導波路の中に導かれた前記第2の光学ビームの入力パワーレベルに応じて前記第2の光学導波路において発生する2光子吸収により、前記第2の光学導波路において自由キャリアを生成することと、
前記ダイオード構造体を、前記電圧源により変更可能に逆バイアスさせることで、前記第2の光学導波路からの前記自由キャリアを一掃することにより、前記第2の光学導波路において発生する前記2光子吸収により前記第2の光学導波路において生成される前記自由キャリアの自由キャリア・ライフタイムを制御することで、前記第2の光学ビームの出力光学パワーを前記出力パワーレベルにクランプすることと
を更に備える、請求項10から請求項13のいずれか1つに記載の方法。 - 半導体物質の中に配置された光学導波路であって、光学ビームが前記光学導波路を通るように導かれ、前記光学ビームが前記光学ビームの入力パワーレベルに応じた2光子吸収により前記光学導波路において自由キャリアを生成する、光学導波路と、
前記光学導波路に配置されたダイオード構造体と、
前記光学導波路から前記光学ビームを受信するように光学的に接続された光学ファイバと、
前記光学導波路から前記光学ファイバを介して前記光学ビームを受信するように光学的に接続された光学受信部と
を備え、
前記ダイオード構造体は、
前記光学導波路の側面に配置されたP領域と、
前記光学導波路の反対の側面に配置されたN領域と、を有し、
前記光学導波路において前記光学ビームに応じて前記2光子吸収が発生したのに応じ前記光学導波路から生成された前記自由キャリアを一掃することにより、前記光学導波路における前記自由キャリアの自由キャリア・ライフタイムを制御すべく、前記P領域と前記N領域との間に接続された電圧源により変更可能に逆バイアスされて接続されており、前記光学ビームの出力パワーを前記ダイオード構造体の前記逆バイアスに応じてクランプされた出力パワーレベルに制限する、
システム。 - 前記クランプされた出力パワーレベルを変更するために前記ダイオード構造体の逆バイアスを制御するための前記ダイオード構造体に接続された、可変の電圧源を更に備える、請求項15に記載のシステム。
- 前記光学ビームは、複数の光学ビームのうちの1つであり、そして、前記光学受信部は複数の光学受信部のうちの1つであり、そのそれぞれは、前記複数の光学ビームのうちの1つをそれぞれ受信するように光学的に接続され、前記光学受信部により受信された前記複数の光学ビームのそれぞれは前記クランプされた出力パワーレベルに均一化されたパワーレベルを有する、請求項15または請求項16に記載のシステム。
- 前記複数の光学ビームのそれぞれは光学通信システムの固有のチャネルに対応する、請求項17に記載のシステム。
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