JP4648232B2 - Failure analysis method and failure analysis system - Google Patents
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Description
本発明は、電子部品等の不良解析を行う不良解析技術に関する。 The present invention relates to a failure analysis technique for performing failure analysis of electronic components and the like.
ダイナミックランダムアクセスメモリ(Dynamic Random Access Memory、DRAM)に代表される半導体メモリやマイクロプロセッサ、半導体レーザなど半導体デバイス、および磁気ヘッドなど電子部品の製造においては、高歩留り製造が求められる。 High-yield manufacturing is required in the manufacture of electronic devices such as semiconductor devices such as semiconductor memories, microprocessors, semiconductor lasers, and magnetic heads typified by dynamic random access memory (DRAM).
すなわち、不良発生による製品歩留りの低下は、採算の悪化を招く。このため、不良の原因となる欠陥や異物、加工不良の早期発見および早期対策が大きな課題となる。例えば、半導体デバイスの製造現場では、入念な検査による不良発見、およびその発生原因の解析に注力されている。ウェーハを用いた実際の電子部品製造工程では、工程途中のウェーハを検査して、回路パターンの欠陥や異物など異常箇所の原因を追及して対策方法が検討される。 That is, a decrease in product yield due to the occurrence of defects causes a deterioration in profitability. For this reason, the early detection and early countermeasures of the defect, foreign material, and processing defect which cause a defect become a big subject. For example, in the manufacturing field of semiconductor devices, efforts are focused on finding defects by careful inspection and analyzing the cause of occurrence. In an actual electronic component manufacturing process using a wafer, the wafer in the middle of the process is inspected, and a countermeasure method is investigated by pursuing the cause of an abnormal portion such as a defect in a circuit pattern or a foreign substance.
通常、試料の微細構造観察には高分解能の走査型電子顕微鏡(以下、SEMと略記)が用いられるが、半導体の高集積化に伴い、対象物がSEMの分解能では観察できなくなっており、SEMに代ってさらに観察分解能が高い透過型電子顕微鏡(以下、TEMと略記)が用いられる。 Usually, a high-resolution scanning electron microscope (hereinafter abbreviated as SEM) is used for observing the microstructure of a sample. However, as the integration of semiconductors increases, the object cannot be observed at the SEM resolution. Instead, a transmission electron microscope (hereinafter abbreviated as TEM) having higher observation resolution is used.
従来のTEM試料作製には劈開や切断などで試料基板を小片にする作業が伴い、試料基板がウェーハの場合は、ほとんどの場合にはウェーハを割断せざるを得なかった。 Conventional TEM sample preparation involves a work of making a sample substrate into small pieces by cleavage or cutting, and when the sample substrate is a wafer, in most cases, the wafer has to be cleaved.
最近では、イオンビームを試料基板に照射し、スパッタ作用によって試料基板を構成する粒子が試料基板から放出される作用を応用した微小領域の加工方法、すなわち集束イオンビーム(以下、FIBと略記)加工を利用する例がある。 Recently, an ion beam is irradiated onto a sample substrate, and a micro-region processing method that applies an action in which particles constituting the sample substrate are emitted from the sample substrate by sputtering, that is, focused ion beam (hereinafter abbreviated as FIB) processing. There is an example of using.
これは、まずダイシング装置等を用いてウェーハ等の試料基板から観察すべき領域を含む厚さサブミリメートルの短冊状ペレットに切り出す。次に、この短冊状ペレットの一部をFIBによって薄壁状に加工してTEM試料とする。ここでFIB加工されたTEM観察用の試料の特徴は、試験片の一部がTEM観察用に、厚さが約100nmの薄膜に加工してあることにある。この方法によって、所望の観察部をマイクロメートルレベルの精度で位置出しして観察することが可能になったが、やはりウェーハを割断しなければならない。 First, using a dicing apparatus or the like, a strip-shaped pellet having a thickness of submillimeter including a region to be observed is cut out from a sample substrate such as a wafer. Next, a part of the strip-shaped pellet is processed into a thin wall shape by FIB to obtain a TEM sample. Here, the FIB-processed sample for TEM observation is characterized in that a part of the test piece is processed into a thin film having a thickness of about 100 nm for TEM observation. Although this method makes it possible to locate and observe a desired observation portion with micrometer level accuracy, the wafer must still be cleaved.
このように、半導体デバイス等の製造途中で、ある工程の結果を監視することは、歩留まり管理上、その利点は大きいが、既に述べたような試料作製ではウェーハは割断され、ウェーハの破片は次のプロセスに進むことなく廃棄される。特に近年では、ウェーハは、半導体デバイスの製造単価を下げるため大口径化が進んでいる。すなわち、1枚のウェーハで製造できる半導体デバイスの個数を増やして、単価を低減する。しかし、逆にウェーハそのものの価格が高価となり、また、製造工程が進むに従い付加価値が増し、さらには、ウェーハの破棄によって失われる半導体デバイスの個数も増大する。従って、従来のウェーハの割断を伴うような検査方法は非常に不経済であった。 As described above, monitoring the results of a certain process during the manufacture of semiconductor devices and the like has a great advantage in terms of yield management. However, in sample preparation as described above, the wafer is cleaved and the wafer fragments are the next. It is discarded without proceeding to the process. In particular, in recent years, the diameter of wafers has been increasing in order to reduce the manufacturing cost of semiconductor devices. That is, the number of semiconductor devices that can be manufactured with one wafer is increased to reduce the unit price. However, on the contrary, the price of the wafer itself becomes expensive, the added value increases as the manufacturing process progresses, and the number of semiconductor devices lost due to the destruction of the wafer also increases. Therefore, a conventional inspection method that involves cleaving a wafer is very uneconomical.
これに対して、ウェーハを割断することなく試料作製できる方法がある。この方法は、特開平05−52721号公報(従来例1)に開示されている。 On the other hand, there is a method capable of producing a sample without cleaving the wafer. This method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 05-52721 (Conventional Example 1).
この方法は、図2(a)〜(g)に示されるように、まず、試料基板202の表面に対しFIB201が直角に照射するように試料基板202の姿勢を保ち、試料基板上でFIB201を矩形に走査させ、試料表面に所要の深さの角穴207を形成する(図2(a))。次に、試料基板202を傾斜させ、底穴208を形成する。試料基板202の傾斜角の変更は、試料ステージ(図示せず)によって行われる(図2(b))。試料基板202の姿勢を変更し、試料基板202の表面がFIB201に対して再び垂直になるように試料基板202を設置し、切り欠き溝209を形成する(図2(c))。マニピュレータ(図示せず)を駆動し、マニピュレータ先端のプローブ203の先端を、試料基板202を分離する部分に接触させる(図2(d))。次に、ガスノズル210から堆積性ガス205を供給し、 FIB201をプローブ203の先端部を含む領域に局所的に照射し、イオンビームアシストデポジション膜204を形成する。接触状態にある試料基板202の分離部分とプローブ203の先端はイオンビームアシストデポジション膜204で接続される(図2(e))。FIB201で残りの部分を切り欠き加工し(図2(f))、試料基板202から分離試料である微小試料206を切り出す。切り出された微小試料206は、接続されたプローブ203で支持された状態になる(図2(g))。
In this method, as shown in FIGS. 2A to 2G, first, the posture of the
この微小試料206を、FIB201で加工し、観察しようとする領域を薄膜加工するとTEM試料(図示せず)となる。この方法で分離した微小試料を各種解析装置に導入することで解析することができる。
When the
また、以上は試料作製装置で微小試料を取り出す方法を採用した例であるが、試料作製装置で、断面試料薄膜の形状を加工し、試料作製装置から試料基板を取り出して、大気中で別の機構で断面試料薄膜を取り出す方法もある。例えば、「Material Research Society、Symposium Proceedings、vol.480、1997、pp.19-27」(従来例2)の文献に記載されている。また、同様に「Proceedings of the 22nd International Symposium for Testing and Failure Analysis、18-22 November 1996、pp.199-205」(従来例3)の文献に記載されている。 In addition, the above is an example of adopting a method of taking out a micro sample with a sample preparation device. However, with the sample preparation device, the shape of the cross-section sample thin film is processed, the sample substrate is taken out from the sample preparation device, There is also a method of taking out a cross-sectional sample thin film by a mechanism. For example, it is described in the document “Material Research Society, Symposium Proceedings, vol. 480, 1997, pp. 19-27” (conventional example 2). Similarly, it is described in the document “Proceedings of the 22nd International Symposium for Testing and Failure Analysis, 18-22 November 1996, pp.199-205” (conventional example 3).
これは、図3の(a)に示すように、ウェーハ308上の目標位置の両側を階段状にFIB301で加工して断面試料薄膜307を作製し、次に試料ステージを傾斜することによって、FIB301と試料表面とのなす角度を変えて、試料基板に照射し、図3の(b)に示すようにFIB301で試料薄膜周辺を切り、試料薄膜307をウェーハと分離する。そして、FIB装置からウェーハを取りだし、大気中でガラス棒を加工部分に接近させ、静電気を利用して試料薄膜307をガラス棒に吸着させてウェーハから取り出し、このガラス棒をメッシュ309に移動させ、メッシュ上に静電吸着させるか、透明接着物に加工面を面するように設置する。このように、加工を施した断面試料薄膜を装置内で取り出さなくとも、断面試料薄膜の外形のほとんどをイオンビームによって加工しても、分離した断面試料薄膜をTEMに導入することで解析することができる。
As shown in FIG. 3A, both sides of the target position on the
また、従来例1と類似の手法をプロセス管理に利用したデバイス製造方法としては、例えば、特開2000−156393号公報(従来例4)に記載されている。 A device manufacturing method using a method similar to that in Conventional Example 1 for process management is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-156393 (Conventional Example 4).
この方法では、図4に示すようなフローによりプロセス管理を行う。プロセスm1に投入されたロット401はプロセスm1の完了後、ロット401のうち所定の枚数を検査用試料402として選別し、残された試料403は待機する。選別した検査用試料402検査すべき箇所404を微小試料405として摘出する。微小試料405を摘出された検査用試料402は再び上記残された試料403に組み込まれ、ロット401Aとして次のプロセスm2に投入する。ここで、微小試料405は各種解析装置406に対応できるように加工を施し、経路fを通って解析装置406に送り、微小試料405の注目する部分を解析する。解析結果は計算処理機407に送りデータベースとして保存する。蓄えられたデータベースは必要に応じて通信経路hを通ってプロセスm1もしくはプロセスm2に伝達し、プロセス条件の変更等の指示を行う。
In this method, process management is performed according to the flow shown in FIG. After the completion of the process m1, the
このように、プロセスm1からプロセスm2に至る間に、ウェーハは経路a、b、c、dを経て、その間、解析すべき微小試料が摘出されることが大きな特徴である。また、検査によって試料基板が減少することはなく、プロセスm1に投入するロット401とプロセスm2に投入するロット401の試料基板数は同じである。従って、これまでのようにウェーハの分断によって失われる半導体デバイスはなくなり、トータルの半導体デバイスの製造歩留りを高め、製造コストを低減することができる。
As described above, a major feature is that during the process from the process m1 to the process m2, the wafer passes through the paths a, b, c, and d, and the minute sample to be analyzed is extracted during that time. In addition, the number of sample substrates is not reduced by the inspection, and the number of sample substrates in the
不良解析では、別の検査装置、例えばプローブ検査やEBテスタ等で、不良モードが発見された場合に、その原因プロセスを究明する。ここで、本発明での不良解析は、ウェーハ内の特異的な位置にのみ存在する不良ではなく、加工プロセスを根本原因としてウェーハ全面、または、ある範囲の領域に広がって存在する不良を主なターゲットとしている。 In the failure analysis, when a failure mode is found by another inspection device such as a probe inspection or an EB tester, the cause process is investigated. Here, the failure analysis in the present invention is not mainly a failure that exists only at a specific position in the wafer, but mainly a failure that spreads over the entire surface of the wafer or a certain range due to the processing process. Targeted.
不良解析手順として、検査で不良が発見された後に所望領域を決定してから、従来例1、従来例2、従来例3のような手段を用いて、観察、分析試料を作製する場合には、以下のような課題が残される。 As a defect analysis procedure, when a desired region is determined after a defect is found in an inspection, and a sample such as Conventional Example 1, Conventional Example 2, or Conventional Example 3 is used to produce an observation and analysis sample The following issues remain.
デバイス形成後に作製した観察試料で異常部が発見できたとしても、場合によってはその原因プロセスが究明できないことがある。この例について、図5(a)〜(d)を用いて説明する。 Even if an abnormal part can be found in an observation sample produced after device formation, the cause process may not be determined in some cases. This example will be described with reference to FIGS.
図5(a)は、ある配線プロセスを終了したデバイスの断面を示している。この例では、デュアルダマシンプロセスでの金属配線形成を示しており、絶縁層502に形成された配線用穴領域に金属配線501が形成される。この時点では、金属配線501は正常に形成されている。次に形成される配線キャップ層503の形成プロセスでは、300〜400℃程度の熱工程が入る。これにより、図5(b)に示すように、金属配線501の接続孔部分に空隙不良部504が形成される場合がある。もしくは、図5(b)で不良が発生しなかった場合でも、図5(c)に示す絶縁層505形成時の400〜500℃の熱工程により、やはり空隙不良部504が発生する場合もある。
FIG. 5A shows a cross section of a device after a certain wiring process. In this example, metal wiring formation in a dual damascene process is shown, and a
しかし、最終工程まで終了した後に、例えば、プローブ検査により断線や高抵抗部が判明してから観察すべき場所を決定し、従来例1〜3のような方法で断面を形成して配線工程を調べる場合には、図5(d)のような空隙不良部504が観察はされても、どのプロセスが直接空隙形成の原因となったかを判明させるのは大変困難である。このため、後のプロセスよる影響の無い情報からの原因究明が重要となる。
However, after completion of the final process, for example, a place to be observed is determined after a disconnection or a high resistance portion is found by probe inspection, and a wiring process is performed by forming a cross-section by a method as in the conventional examples 1 to 3. When investigating, it is very difficult to determine which process directly caused void formation even if the
先述の従来例4は、予めモニタすべき領域が決定されており、その領域を観察用の薄膜や断面に加工すれば良い加工プロセスモニタには大変有効である。しかし、不良解析として使用するためには以下のような課題が残されていた。 The above-mentioned conventional example 4 is very effective for monitoring a processing process in which a region to be monitored is determined in advance and the region may be processed into an observation thin film or a cross section. However, the following problems remain to be used for defect analysis.
不良解析では、観察、分析すべき場所は予め特定できない。このため、各プロセス、または複数のプロセス終了時に微小試料を摘出し、TEM試料等に予め加工してしまうと、後の検査で観察したい領域が決定され、その領域が作製したTEM試料位置と異なる場合には、その所望位置はすでに加工で消滅している可能性が大きく、観察できない。また、不良解析の場合には位置のみならず、観察したい面の方向も重要である。例えば、DRAMの場合、ワード線に平行な断面、垂直な断面、また、試料表面に平行な面等の方向が有り得る。これらの位置や方向の組合せを考えると、予め作製したTEM薄膜位置(または他の観察、分析用の断面位置)が不良解析の所望領域と一致する可能性はかなり低い。このため、不良解析では、観察、分析用の試料加工は検査後の不良データに基づき決定された位置の加工が必要である。 In the defect analysis, the place to be observed and analyzed cannot be specified in advance. For this reason, if a micro sample is extracted at the end of each process or a plurality of processes and processed into a TEM sample or the like in advance, a region to be observed in a subsequent inspection is determined, and the region is different from the position of the TEM sample produced. In some cases, it is highly possible that the desired position has already disappeared by processing, and cannot be observed. In the case of defect analysis, not only the position but also the direction of the surface to be observed is important. For example, in the case of a DRAM, there may be a direction such as a cross section parallel to the word line, a vertical cross section, or a plane parallel to the sample surface. Considering a combination of these positions and directions, the possibility that the TEM thin film position (or other observation or analysis cross-sectional position) prepared in advance coincides with a desired region for defect analysis is very low. For this reason, in defect analysis, sample processing for observation and analysis requires processing at a position determined based on defect data after inspection.
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、デバイス等の不良解析において、後になって検査により確定される任意の観察所望場所に対応可能な観察試料を確保できる不良解析技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and in failure analysis of a device or the like, a failure analysis technique capable of ensuring an observation sample that can correspond to any desired observation location that is later determined by inspection. The purpose is to provide.
上記目的を達成するために、本発明では、所定の処理プロセス終了毎に微小試料(または、試料)を摘出、保管し、後の不良データに基づいて決定された観察、分析位置に微小試料の追加工を行う。すなわち、基板に所望とするパターンを形成するための任意の処理プロセス終了毎に、加工ビームを用いて前記基板からその一部を試料として摘出する微小試料摘出装置(または、試料摘出装置)と、摘出した前記試料を保管する微小試料保管装置(または、試料保管装置)と、前記試料に関する管理情報をデータベースとして統括する保管試料データ記録装置と、不良解析要求に従い保管していた前記試料を解析可能な形態に加工する微小試料追加工装置(または、試料追加工装置)と、加工された前記試料を解析する不良解析装置とを具備することを基本的な構成とする。 In order to achieve the above object, in the present invention, a micro sample (or sample) is extracted and stored at the end of a predetermined processing process, and the micro sample is placed at the observation and analysis position determined based on the defect data later. Perform additional machining. That is, a micro sample extraction device (or a sample extraction device) that extracts a part of the substrate as a sample using a processing beam at the end of any processing process for forming a desired pattern on the substrate; Micro sample storage device (or sample storage device) that stores the extracted sample, storage sample data recording device that manages management information related to the sample as a database, and analysis of the sample stored according to the defect analysis request The basic configuration includes a micro sample additional processing apparatus (or a sample additional processing apparatus) that processes the sample and a defect analysis apparatus that analyzes the processed sample.
以下、本発明による不良解析システムの代表的な構成例を列挙する。 Hereinafter, typical configuration examples of the failure analysis system according to the present invention will be listed.
(1)基板に所望とするパターンを形成するための任意の処理プロセス終了毎に、イオンビーム加工により前記基板からその一部を試料として摘出し、前記試料を保管する試料保管具(または、微小試料保管具)に搬送する試料摘出装置と、前記基板の少なくとも製品名、基板名、処理プロセス名と前記試料の保管位置とを対応させたデータベースを構築する保管試料データ記録装置と、前記試料保管具を前記保管試料データ記録装置のデータベースに対応して保管する試料保管装置と、選別された前記試料を前記試料保管具から取り出して追加工情報に基づき追加工を行う試料追加工装置と、追加工された前記試料を解析する不良解析装置とを具備するよう構成する。 (1) A sample storage tool (or a micro-sample) for extracting a part of a sample from the substrate by ion beam processing and storing the sample at the end of any processing process for forming a desired pattern on the substrate. A sample extraction device to be transported to a sample storage tool, a storage sample data recording device for constructing a database in which at least a product name, a substrate name, a process name of the substrate and a storage position of the sample are associated with each other, and the sample storage A sample storage device for storing the tool corresponding to the database of the storage sample data recording device, a sample additional processing device for taking out the selected sample from the sample storage tool and performing additional processing based on additional processing information, and an additional And a failure analysis device for analyzing the processed sample.
これにより、後工程で判明した不良に対して工程を遡って不良原因を特定することができるため、原因究明が効率的になる。
(2)基板に所望の回路パターンを形成するための異なる2つ以上の処理プロセスのそれぞれの後に、イオンビーム加工により前記基板からそれぞれその一部を試料として摘出し、前記試料を保管する試料保管具に搬送する試料摘出装置と、前記基板の少なくとも製品名、基板名、処理プロセス名と前記試料の保管位置とを対応させたデータベースを構築する保管試料データ記録装置と、前記試料保管具を前記保管試料データ記録装置のデータベースに対応して保管し、前記試料の製品完成後の任意の製品指定に対応する前記試料を選別する試料保管装置と、不良解析要求に従い選別された前記試料を取り出して追加工情報に基づき追加工を行う試料追加工装置と、追加工された前記試料を解析する不良解析装置とを具備するよう構成する。
As a result, the cause of the defect can be identified retroactively with respect to the defect found in the subsequent process, so that the cause investigation becomes efficient.
(2) Sample storage in which a part is extracted from the substrate as a sample by ion beam processing after each of two or more different processing processes for forming a desired circuit pattern on the substrate, and the sample is stored. A sample extraction device to be transported to a tool, a storage sample data recording device for constructing a database in which at least a product name, a substrate name, a process name of the substrate and a storage position of the sample are associated with each other, and the sample storage device Storage corresponding to the database of the storage sample data recording device, the sample storage device for selecting the sample corresponding to any product designation after completion of the product of the sample, and taking out the sample selected according to the defect analysis request A sample additional processing apparatus that performs additional processing based on the additional processing information and a failure analysis apparatus that analyzes the additional processed sample are configured.
これにより、製品出荷後に判明した不良デバイスに対して不良原因を特定することができ、顧客に対する説明に有効である。 As a result, the cause of the defect can be identified for the defective device found after the product shipment, which is effective for explanation to the customer.
(3)前記構成の不良解析システムにおいて、前記試料保管装置が、前記試料保管具を前記保管試料データ記録装置のデータベースに対応して保管し、かつ、少なくとも2つの処理プロセスを経た後の不良検査において予め設定した閾値から不良と判断された前記基板に対応する前記試料を選別するよう構成されていることを特徴とする。さらに、前記不良解析装置から得られる前記試料の構造観察もしくは分析データを、前記処理プロセスのプロセスパラメータと対応させて不良試料データとして記録する不良データベース記録装置を有することを特徴とする。 (3) In the defect analysis system having the above-described configuration, the sample storage device stores the sample storage tool corresponding to the database of the stored sample data recording device, and performs defect inspection after at least two processing processes. The method is characterized in that the sample corresponding to the substrate determined to be defective based on a preset threshold value is selected. Further, the present invention has a defect database recording device for recording the structure observation or analysis data of the sample obtained from the defect analysis device as defective sample data in correspondence with the process parameters of the processing process.
これにより、不良が生じやすいプロセスパラメータを特定しやすくなるため、先端プロセス制御でパラメータを振るべき方向が限定でき、効率化に繋がる。 As a result, it becomes easy to specify process parameters that are likely to cause defects, so that the direction in which parameters should be assigned in advanced process control can be limited, leading to efficiency.
(4)前記構成の不良解析システムにおいて、前記イオンビーム加工を制御するイオンビーム制御系を有し、かつ、前記イオンビーム制御系は、摘出する前記試料の大きさを、前記基板上に形成された回路パターンの繰返し間隔よりも大きく設定するよう構成されていることを特徴とする。 (4) The defect analysis system having the above configuration includes an ion beam control system for controlling the ion beam processing, and the ion beam control system is formed on the substrate with the size of the sample to be extracted. The circuit pattern is set to be larger than the repetition interval of the circuit pattern.
これにより、後の追加工により1デバイスパターン内の任意位置での不良解析が可能となる。 As a result, it is possible to analyze a defect at an arbitrary position in one device pattern by a subsequent additional process.
(5)前記構成の不良解析システムにおいて、前記試料保管具が、前記基板の少なくとも製品名、基板名、処理プロセス名と前記試料の保管位置とを対応させたデータベースを格納した読み書き可能なICメモリを有することを特徴とする。 (5) In the defect analysis system having the above configuration, the sample storage device stores a database in which at least a product name, a substrate name, a process name, and a storage position of the sample are associated with each other. It is characterized by having.
これにより、プロセス履歴と微小試料位置を容易に対応付けすることができる。 Thereby, a process history and a micro sample position can be matched easily.
(6)前記構成の不良解析システムにおいて、前記試料保管具が、前記基板の少なくとも製品名、基板名、処理プロセス名と前記試料の保管位置とを対応させたデータベースと、前記試料とを1対1で対応可能な数値を格納した非接触ICチップを有することを特徴とする。 (6) In the defect analysis system having the above-described configuration, the sample storage tool includes a database in which at least a product name, a substrate name, a process name, and a storage position of the sample are associated with each other. It has a non-contact IC chip that stores numerical values that can be handled by 1.
これにより、プロセス履歴と微小試料を1対1で容易に対応付けすることができる。 Thereby, a process history and a micro sample can be easily matched on a one-to-one basis.
(7)前記構成の不良解析システムにおいて、前記試料摘出装置と前記試料保管装置、または前記試料保管装置と前記試料追加工装置とが、大気に暴露することなく前記試料保管具を授受できるように接続可能に構成されていることを特徴とする。 (7) In the defect analysis system having the above-described configuration, the sample storage device and the sample storage device, or the sample storage device and the sample additional processing device can exchange the sample storage device without being exposed to the atmosphere. It is configured to be connectable.
これにより、微小試料の汚染が抑制され、不良解析の信頼性が向上する。 Thereby, the contamination of a micro sample is suppressed and the reliability of failure analysis is improved.
(8)前記構成の不良解析システムにおいて、前記試料保管具の形成材料が、シリコンであることを特徴とする。 (8) In the defect analysis system having the above configuration, the material for forming the sample storage device is silicon.
これにより、基板がシリコンのデバイスにおいて微小試料の汚染が抑制され、不良解析の信頼性が向上する。 This suppresses contamination of a micro sample in a device having a silicon substrate and improves the reliability of failure analysis.
(9)前記構成の不良解析システムにおいて、前記試料加工装置が、前記試料の摘出前に摘出座標を顕在化するためのマークを前記試料に加工するためのイオンビームマーク加工機能を有することを特徴とする。 (9) In the defect analysis system having the above-described configuration, the sample processing apparatus has an ion beam mark processing function for processing a mark for revealing extracted coordinates into the sample before extracting the sample. And
これにより、摘出後の微小試料の元基板に対応する座標を容易に識別することができる。 Thereby, the coordinate corresponding to the original board | substrate of the micro sample after extraction can be identified easily.
本発明によれば、デバイス等の不良解析において、後になって検査により確定される任意の観察所望場所に対応可能な観察試料を確保できる不良解析技術を実現できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the defect analysis technique which can ensure the observation sample which can respond | correspond to the arbitrary observation desired places decided later by a test | inspection in defect analysis of a device etc. is realizable.
以下に、本発明の実施例について、図面を用いて詳述する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明による不良解析システムの一実施例の構成を示す。この不良解析システム101は、数ミクロンから数十ミクロン程度のサイズの微小試料を、ウェーハを割断せずに直接摘出可能な微小試料摘出装置102と、摘出した微小試料を保管する微小試料保管装置103と、微小試料の管理データを統括する保管試料データ記録装置104と、不良解析要求に従い保管しておいた微小試料を解析可能な形態に加工する微小試料追加工装置105と、加工された微小試料を解析する不良解析装置106から構成される。
FIG. 1 shows the configuration of an embodiment of a failure analysis system according to the present invention. The
以下、不良解析システムの概要について説明する。まず始めに、デバイス製造プロセスの中で、不良解析が後に必要となる可能性があると予想されるプロセスを選択する。 Hereinafter, an outline of the failure analysis system will be described. First, a process is selected in the device manufacturing process that is expected to require a failure analysis later.
図6に示す601〜607は、デバイス製造の各プロセスであり、例えば、露光やドライエッチングやCVD(化学気相成長)やウェットエッチングやCMP(化学機械研磨)等に相当するものである。その中で、例えば、プロセス602とプロセス605を微小試料摘出プロセスとして選択したとすると、摘出スケジュールと摘出位置の情報119として予め保管試料データ記録装置104に入力しておく。
図1において、例えば、プロセス602を処理する装置がプロセス装置107であるとすると、この情報に従い、プロセス装置107でプロセスが終了したウェーハ108は不良解析システム101内の微小試料摘出装置102に導入される。このとき、保管試料データ記録装置104は、プロセス装置107(もしくはプロセス装置107のプロセス条件を管理するデータベース)からプロセス情報114を受け取り、微小試料摘出装置102にウェーハ内の微小試料を摘出すべき位置と、微小試料を保管すべき微小試料保管具の位置等の情報115を送信する。この摘出位置情報と保管位置情報を元に、微小試料摘出装置102はウェーハ108から微小試料110を摘出し、微小試料保管具109の指定位置に保管する。ここで、微小試料保管装置103が微小試料摘出装置102に接続され、微小試料保管具109は微小試料保管装置103に保管される。この微小試料保管装置103内の保管位置情報116は保管試料データ記録装置104に送られる。
In FIG. 1, for example, if the apparatus that processes the
こうして、微小試料はデータとして保管試料データ記録装置104で管理され、ハードとして微小試料保管装置103に保管される。微小試料110を摘出されたウェーハ108は、図6に示すように、その後のプロセス603にまわされ、次は、プロセス605が終了したウェーハが不良解析システム101内の微小試料摘出装置102に導入されて微小試料を摘出されることになる。このようにしてプロセスの要所要所で、同様に微小試料が微小試料保管装置103に保管される。
In this way, the micro sample is managed as data by the storage sample
この微小試料摘出時点(微小試料が微小試料保管具に収まっている時点)で保管試料データ記録装置104に記録されている情報の例としては、プロセスフロー、各プロセス条件(温度、時間等)、プロセス日時、ウェーハロットナンバー、微小試料摘出プロセス、微小試料摘出ロット、微小試料摘出ウェーハ、微小試料摘出チップ、微小試料摘出ビットアドレス、微小試料摘出方向、微小試料保管具ナンバー、微小試料保管穴ナンバー等である。
Examples of information recorded in the storage sample
その後、例えば、検査工程後に、不良解析すべきプロセスと不良解析内容が決定されると、その不良解析要求120が保管試料データ記録装置104に入力される。保管試料データ記録装置104はデータベースから対応する微小試料110の保管位置を検索する。微小試料保管装置103は、この保管位置情報を受け取り、接続された微小試料追加工装置105に対応する微小試料保管具109を導入する。微小試料追加工装置105は保管試料データ記録装置104から微小試料保管具109内の微小試料110の保管位置と追加工位置の情報117を受け取り、対応する微小試料110を取出し、試料ホルダ上に載せ替え、薄膜加工等の追加工(例えばゲート垂直断面等)を行う。こうして追加工された不良解析試料113は、不良解析装置106に導入されて不良解析され、解析情報118が保管試料データ記録装置104に送信されて保存され、プロセス情報等と結合した不良解析情報121として出力される。このようにして、不良解析要求に対して不良解析データ(画像データを含む)が出力される。
Thereafter, for example, after the inspection process, when the process to be analyzed for failure and the content of the failure analysis are determined, the
このようなシステムとすることで、任意のプロセス直後の微小試料を保管しておくことができるため、後になって判明する不良解析要求に対して、不良を直接解析することが可能となり、効率のよい解析が実現できる。 By using such a system, it is possible to store a minute sample immediately after an arbitrary process, so that it is possible to directly analyze a failure in response to a failure analysis request that will be clarified later. Good analysis can be realized.
次に、本発明の不良解析システムを構成する装置の中で、キー装置となる微小試料摘出装置の具体的構成について、図7を用いて説明する。 Next, a specific configuration of a micro sample extraction device serving as a key device among the devices constituting the failure analysis system of the present invention will be described with reference to FIG.
微小試料摘出装置102は、半導体ウェーハ108等の試料基板を載置する可動の試料台702と、ウェーハ108の観察、加工位置を特定するため試料台702の位置を制御する試料位置制御装置703と、ウェーハ108にイオンビーム704を照射して加工を行うイオンビーム光学系705と、ウェーハ108の近傍を観察するための電子ビーム706を照射する電子ビーム光学系707と、ウェーハ108からの2次電子を検出する2次電子検出器708を有する。
The micro
イオンビーム光学系705の構成は以下の通りである。イオンを発生するイオン源715は、加速電源716により接地電位に対して加速電圧が印加される。イオン源715のイオン放出が不安定な場合には、通電加熱電源717により通電加熱を行い、イオン源715の状態改善をする。イオンの引出し電界を形成する引き出し電極718は、引き出し電源719によりイオン源715に対して引出し電圧が印加される。これにより引き出されたイオンビームは、アパーチャ720によりビーム広がりが制限される。このアパーチャ720は、引き出し電極718と同電位である。このアパーチャ720を通過したイオンビームは、集束電源721により集束電圧を印加された集束レンズ722により集束される。集束されたイオンビームは、偏向電源723が印加される偏向器724により、走査、偏向が行われる。偏向されたイオンビームは、対物電源725により対物電圧を印加された対物レンズ726によりウェーハ108表面上に集束される。上記の加速電源716、引き出し電源719、集束電源721、偏向電源723、対物電源725は、イオンビーム光学系制御装置727により制御される。
The configuration of the ion beam
イオンビーム704により加工されたウェーハ108内の微小試料を摘出するプローブ728は、プローブ位置制御装置730で制御されるプローブ駆動装置729で駆動される。プローブ728と微小試料の固定等に使用されるイオンビームアシストデポジション膜を形成するためのデポジションガスを供給するデポジションガス源731はデポジションガス源制御装置732により、その位置、ヒータ温度、バルブ開閉等を制御される。摘出された微小試料を保管する穴を複数個有する微小試料保管具109は、試料台702の脇に配置されている。
A
電子ビーム光学系707は、電子ビーム光学系制御装置733により電子ビーム照射条件、位置等を制御される。イオンビーム光学系制御装置727、試料位置制御装置703、プローブ位置制御装置730、二次電子検出器708の検出情報を表示する表示装置734等は、中央処理装置735により制御される。試料台702、微小試料保管具109、イオンビーム光学系705、電子ビーム光学系707、二次電子検出器708、プローブ728等は、真空容器737内に配置される。中央処理装置735は、保管試料データ記録装置104と微小試料の摘出位置情報や保管位置情報のやり取りを行う。
The electron beam
ここで、具体的な微小試料の微小試料保管具109への保管法について、図8(a)〜(i)を用いて説明する。ここでは、あるデバイスプロセス終了後にウェーハ108が、図7に示す微小試料摘出装置102に導入された状態から説明する。
Here, a specific method for storing a micro sample in the micro
始めに、微小試料摘出予定部の両外側に矩形穴801、802をイオンビーム704によりウェーハ108に形成する(図8(a))。次にイオンビーム704により矩形溝806を形成する(図8(b))。次に、試料台702を傾けてイオンビーム704を試料表面に斜めから照射することにより、斜溝808を形成し、ウェーハ108と一部の支持部805のみで接続された微小試料110を形成する。(図8(c))。試料台傾斜を戻し、プローブ駆動装置729をプローブ位置制御装置730により制御し、プローブ728を微小試料110の一部に接触させる。接触させたプローブ728と微小試料110をイオンビームアシストデポジションを用いて固定する(図8(d))。イオンビームアシストデポジション膜809が形成された後、支持部805をイオンビーム704で切断する(図8(e))。
First,
こうして、微小試料110を切り出し、プローブ728をプローブ駆動装置729によって上昇させ摘出する(図8(f))。次に、この切り出された微小試料110を微小試料保管具109内の保管穴811へ挿入する(図8(g))。こうして挿入した後、イオンビーム704によりプローブ728先端を切断し微小試料110を分離する(図8(h))。こうして、微小試料保管具109に微小試料110が保管される。(図8(i))。そのプロセスから複数箇所の微小試料を摘出する場合にはこの工程を繰返し、別の保管穴812へ保管する。
In this way, the
以上の微小試料摘出は、試料台702が傾斜する、図7のような微小試料摘出装置で説明した。しかし、図15に示すように、試料台1501が非傾斜で、イオンビーム光学系1502が試料面に対して傾斜して配置された装置構成において、試料台1501の試料表面法線を回転軸とする回転制御により、上述のような微小試料摘出加工を実現することが可能である。
The above micro sample extraction has been described with a micro sample extraction device as shown in FIG. 7 in which the
ちなみに、図15を構成する機構等は、上述の傾斜配置構成を除いて、図1に示すものと同様であり、また、図15では、図示の関係上、プローブ関係機構とデポジションガス源関係機構等は省略しているが、実際は存在している。 Incidentally, the mechanism constituting FIG. 15 is the same as that shown in FIG. 1 except for the above-described inclined arrangement, and in FIG. 15, the probe-related mechanism and the deposition gas source relation in relation to the illustration. Although the mechanism is omitted, it actually exists.
ここで、ウェーハ108は、微小試料摘出装置102から取り出され、次のデバイスプロセス(図6の場合では、プロセス603)へと回される。ただし、ウェーハ108は、このままでは微小試料摘出用の加工穴が空いた状態であり、この後のプロセスにおいてこの加工穴がプロセス不良の原因となる可能性がある。このため、この加工穴を埋め戻すことが望まれる。図9(a)〜(c)に埋め戻し手法の一例を示す。
Here, the
図9(a)は、ウェーハ108から、微小試料110をプローブ728により摘出したところを示しており、加工穴901が空いた状態である。この加工穴901に対して、図9(b)に示すように、デポジションガス源731からデポジションガス902(例えば、フェナントレンやタングステンヘキサカルボニルやテトラエトキシシラン等)を供給しながらイオンビーム704を走査することで、図9(c)に示すように、堆積物903により穴埋めを行うことができる。こうして埋め戻されたウェーハ108を次のプロセスに戻すことで、加工穴に起因するプロセス不良を抑制することができる。
FIG. 9A shows a state in which the
一方、摘出した微小試料110を保管する微小試料保管具109は、複数の微小試料保管具を保管可能な微小試料保管装置103に保管される。微小試料保管装置103は、例えば、図10のような構成をしており、任意の微小試料保管具109をロード、アンロード可能なロード/アンロード機構1001を有し、装置接続部1002で微小試料摘出装置102や微小試料追加工装置105に接続可能であり、微小試料保管具109は大気に暴露されることなくロード、アンロードが可能である。
On the other hand, the micro
このようにして保管されている微小試料に対して、ウェーハ108の後工程での検査等で観察、分析すべき箇所が決定される。例えば、プローブ検査では、ショート、断線、書き込み、読み出し等の不良情報等が得られる。この不良情報を元に、観察すべき場所、例えば、金属配線断線が多発している場合は金属配線形成プロセス後の数プロセス分の断面観察を、また、例えば、プラグ、コンタクト等の高抵抗の場合には、プラグ用エッチング穴の残膜やプラグ断面、または接続部の平面観察等を、というように実際観察すべきプロセスと領域、方向等が決定される。
In this way, the location to be observed and analyzed for the minute sample stored in the post-process inspection of the
こうして決定された情報に基づき、対応するウェーハロット、ウェーハ、プロセス、チップが決定され、その微小試料保管具109が微小試料追加工装置105に導入され、対応する保管穴から微小試料(例えば、ここでは微小試料110)を取り出す。この取り出しについては、図11(a)〜(e)により説明する。
Based on the information thus determined, the corresponding wafer lot, wafer, process, and chip are determined, the micro
図11(a)に示すように、微小試料110をプローブ1105を用いて取り出す。ここで、図では手前側に保管穴811等が露出しているように描写されているが、実際は側面には露出していない孤立した穴である。この取り出し方は、前述したイオンビームアシストでポジション膜を使用する固定でも良いし、後述するピンセット形でも良い。
As shown in FIG. 11A, a
検査結果から決定された観察、分析(以後、記述を簡易化するために観察とのみ表記)領域が、例えば、元ウェーハ108の試料表面に垂直な断面の場合には、その観察断面が、図11(b)に示すように、観察装置に導入するための微小試料ホルダ1101の微小試料固定面1102の長手方向1103に平行で、且つ微小試料固定面1102に垂直になるような姿勢になるように固定する。この固定は、例えばイオンビームアシストデポジション膜1104等により行う。この後、プローブ1105を除去し(例えば、プローブ1105固定にイオンビームアシストでポジションを使用した場合には、イオンビーム1106によるプローブ1105先端の切断等を利用)、その後、目標位置を断面加工、または厚さ100nm程度の薄膜加工することで、図11(c)に示すように、所望位置のSEMやTEMの断面観察が可能となる。
In the case where the observation and analysis determined from the inspection result (hereinafter referred to as observation only for the sake of simplification) is, for example, a cross section perpendicular to the sample surface of the
検査結果から決定された観察領域が、元ウェーハ108の試料表面に平行な面の場合には、その観察平面が、図11(d)に示すように、微小試料ホルダ1101の微小試料固定面1102の長手方向1103に平行で、且つ微小試料固定面1102に垂直になるような姿勢になるように固定する。この図11(d)に示すような固定は、プローブ1105が回転機構を有し、微小試料110の姿勢を取り出し時から90°回転できる場合に可能である。もし、プローブ1105に回転機構がない場合には、図11(d')に示すように、予め微小試料ホルダ1101の方を90°傾斜させておき、それに対して微小試料110を固定する。その後、プローブ1105を垂直断面の場合と同様に除去し、図11(d')の場合は姿勢を90°戻す。そして、目標平面位置を断面加工、または薄膜加工することで、図11(e)に示すように、所望位置の平面観察が可能となる。
When the observation region determined from the inspection result is a plane parallel to the sample surface of the
ここでは、微小試料摘出装置102と微小試料追加工装置105は別装置として説明したが、同一の装置を微小試料摘出と追加工に使用しても問題ない。
Here, although the micro
ここで、摘出すべき微小試料110のサイズについて説明する。本発明で目的としているのは、デバイス検査後に決定された任意の観察面を提供できることであるから、デバイスの最低繰返しパターンを確保する必要がある。当然大きな周期の繰返しパターンも存在するが、ここではプロセスに影響無く、且つイオンビーム加工により現実的時間で加工可能な100μm程度以下のサイズの繰返しパターンを対象とする。
Here, the size of the
例えば、図12(a)に示すようなデバイスパターン1201、1202、1203、1204が繰返しパターンになっているとすると、その中で、最低でも1パターン1201が含まれるようなサイズ微小試料110を摘出するようにする。ここで、この繰返しパターンは、試料表面は当然のこと、試料内部(深さ方向)に関しても、1パターンを含むようにする。
For example, assuming that the
図12(a)では、例えば、DRAMのような1パターンにトランジスタやキャパシタが1個ずつあるような単純構成の場合を説明したが、例えば、SRAM(Static Random Access Memory)の場合は、1パターンに6トランジスタが存在する場合もあり、このような時はこれらを全て含むサイズを摘出する必要がある。 In FIG. 12A, for example, a simple configuration in which there are one transistor and one capacitor in one pattern such as a DRAM has been described, but in the case of an SRAM (Static Random Access Memory), for example, one pattern In such a case, it is necessary to extract a size including all of them.
図12(b)は、あるSRAMの配線工程後の表面を示した例であるが、その中で1ビット記憶に相当する繰返しパターンは、図12(c)に示すもの(図12(b)では点線で境界を示している。)である。このため、例えばこれを摘出するイオンビーム加工としては、図12(d)中の1205で示すような領域を取る必要がある。摘出する微小試料のサイズを以上のように確保することで、パターン中の任意の場所の追加工が可能となる。 FIG. 12B is an example showing the surface of a certain SRAM after the wiring process. Among them, the repetitive pattern corresponding to 1-bit storage is the one shown in FIG. 12C (FIG. 12B). Shows the boundary with a dotted line.) For this reason, for example, as ion beam processing for extracting this, it is necessary to take a region as indicated by 1205 in FIG. By securing the size of the micro sample to be extracted as described above, it is possible to perform additional processing at an arbitrary place in the pattern.
次に、ウェーハ108内での微小試料を摘出する座標について説明する。本システムで解析対象としているのは、特異点的に存在する異常よりも、プロセス自身の問題による異常である。プロセス自身の異常は、ウェーハの中心や周辺等の位置で異なる場合が多いため、1つのプロセスにつきウェーハ108面内で、図13(a)に示す点1302や1303のような9点を保管することが望ましい。
Next, coordinates for extracting a micro sample in the
このため、次の微小試料摘出プロセスでは、やはり同様に9点摘出するのであるが、図13(b)に示す点1304や1305のように前回の摘出位置(点1302、1303等)と異なる位置を選択する。これ以降の摘出も同様に摘出位置をずらして設定する。図13(c)は、例えば、4種類のプロセス後に解析すべき点(点1306、1307、1308、1309等)を示したものである。この図では、見易くするためにウェーハサイズに対して解析すべき位置の表示を大きく描写しているが、実際は解析すべき領域は充分に小さい。このため、例えば、図13(d)のように、全ての解析すべき点が一つのチップ1310に収まる場合が多く、不良解析のために犠牲となるチップは少量で済むので効率的である。ただし、摘出部(前述の加工穴の埋め戻し加工を含む)の極近傍では、摘出加工部の変質に伴う影響を受けた異常が発生している可能性があるので、プロセス毎の解析点はあまり近づけ過ぎないようにする必要もある。
For this reason, in the next micro sample extraction process, nine points are similarly extracted, but positions different from the previous extraction positions (
また、微小試料として一旦ウェーハから摘出すると、元ウェーハ内での座標と微小試料内の座標を一致させることが難しくなる。この座標を一致させるためには、以下に説明するようなマーキングが有効である。 Moreover, once extracted from the wafer as a micro sample, it becomes difficult to make the coordinates in the original wafer coincide with the coordinates in the micro sample. In order to make these coordinates coincide, marking as described below is effective.
ウェーハ108内の座標系を、図14(a)に示すように、ノッチ1402を下にして、その外周接線の交点を座標原点1403とする。このため、解析位置1401の座標は、横(X)方向座標1404、縦(Y)方向座標1405で表現される。この解析位置1401は図示の関係上Xで描写しているが、実際はこのような目印は存在しない。このため、この解析位置1401を識別するために、図14(b)で示すように、マーク1407、1408をイオンビーム加工で形成する。
As shown in FIG. 14A, the coordinate system in the
ここで、内側の四角枠が摘出する微小試料の領域1409であり、2つの四角に囲まれた領域がイオンビーム加工予定領域1406である。このため、マーク1407、1408は少なくとも領域1409内にかかるように形成する。ただし、摘出位置の目印をウェーハ108にも残すという意味では、加工予定領域1406の外側にまで残るようにマーク1407、1408を形成することが望ましい。図14(c)は、摘出用のイオンビーム加工後を表しており、イオンビーム加工領域1410で切断され、図14(d)に示すように摘出されても、マーク1408、1407位置により解析位置1401が識別が可能である。
Here, an inner square frame is a
以上のように、本発明の微小試料を任意のプロセス毎に摘出し保管する不良解析システムにより、以前に終了してしまったプロセスに対し、その場の試料を確保しておくことができるため、その後のプロセス影響を受けない目的位置の観察像の取得が可能であり、不良原因究明の効率化が可能な不良解析システムが実現できる。 As described above, because the defect analysis system for extracting and storing the micro sample of the present invention for each arbitrary process, it is possible to secure a sample on the spot for the process that has been completed previously, It is possible to acquire an observation image of a target position that is not affected by the subsequent process, and to realize a defect analysis system that can efficiently investigate the cause of the defect.
次に、本発明における試料保管具の形状例について、図16により説明する。 Next, an example of the shape of the sample storage device in the present invention will be described with reference to FIG.
図16(a)は、ウェーハ108を載置する試料台102に対し、スライド式に脱着可能な微小試料保管具109を示す例である。図16(b)は、この微小試料保管具109を拡大した図である。保管穴811、812等の複数の穴を有する。ここでは図の記載の関係上、保管穴811のサイズをかなり大きめに図示しているが、実際には微小試料保管具109のサイズが数mmから数cmに対して、保管穴811は数10μm程度の大きさである。ここで、溝1602でスライド式に試料台102に装着される。微小試料保管具のみの形状は、図16(c)に示す。この微小試料保管具は、ウェーハ108の取り出しと同時、または引き続いて取り出すことが可能である。そして、次の別のウェーハに対しては、新たな微小試料保管具を導入する。
FIG. 16A shows an example of a micro
さらに、保管穴の形状としては、図11に示した保管穴811で示した摘出微小試料110の楔型形状に対応した形状が理想ではあるが、このような形状はイオンビームやレーザビーム等の加工に頼らざるを得ない可能性が高く、大量に作製するためには効率的でない。このため、ホトリソとエッチング等を利用して形成可能な形状が望ましい。
Furthermore, as the shape of the storage hole, a shape corresponding to the wedge-shaped shape of the extracted microsample 110 shown by the
この保管穴の断面形状の例を、図17に示す。図17(a)は、矩形穴形状の保管穴1701の例である。この場合、微小試料110の再取り出しを考慮し、深さは微小試料110よりも少し浅めに形成されている。こうすることで、微小試料110の姿勢を保つことができる。また、微小試料の垂直面でなく面積の大きい傾斜面を接触面とし、より安定な保管を可能にするのが、図17(b)に示すような平行四辺形型の保管穴1702である。この場合も保管穴1702の深さは、微小試料110よりも浅くして、姿勢を保持できるようにしている。また、微小試料110の最上面が微小試料保管具109の面よりも飛び出しており、危険な場合には、図17(c)のように微小試料110の最上面よりも上を保護する形で、ガード部1703が存在することが望ましい。こうすることで、容易に安全な微小試料保管具を形成することができる。
An example of the cross-sectional shape of the storage hole is shown in FIG. FIG. 17A shows an example of a
この微小試料保管具の材質としては、微小試料を汚染しないものが望ましい。このため、例えば試料基板がシリコンウェーハであれば、微小試料保持具もシリコンで作製すれば、汚染を抑制することができる。またシリコンはホトリソとエッチングによる微細加工にも適するため、上記のような保管穴の形成にも最適である。 As a material of the micro sample storage device, a material that does not contaminate the micro sample is desirable. For this reason, for example, if the sample substrate is a silicon wafer, contamination can be suppressed if the minute sample holder is also made of silicon. Further, since silicon is suitable for microfabrication by photolithography and etching, it is optimal for forming the storage hole as described above.
この微小試料保管具109(微小試料110)は、1枚のウェーハ(もしくは1つのロット)に対して同一微小試料保管具で管理する方が効率的であることから、プロセス装置間を移動する元ウェーハと同一管理されることが望ましい。この一形態としてウェーハケース(カセット)に付属して管理する形態例を、図18により説明する。 The micro sample storage device 109 (micro sample 110) is more efficiently managed with the same micro sample storage device for one wafer (or one lot). It is desirable to manage the same as the wafer. As an example of this, an example of management attached to the wafer case (cassette) will be described with reference to FIG.
ウェーハカセット1802は、同一ロットでプロセス処理するウェーハ群1801を保管、移動するためのものである。この側面に微小試料保管具109を設置可能な保管具固定部1803を有する構成とする。このようにすることで、ウェーハプロセスと微小試料の対応付けが容易となる。
The
また、微小試料110(微小試料保管具)を元ウェーハと同一管理する別の方法として、図19に示すウェーハ型の試料保管具について説明する。 Further, as another method for managing the micro sample 110 (micro sample storage device) in the same manner as the original wafer, a wafer type sample storage device shown in FIG. 19 will be described.
図19(a)は、ウェーハ108から微小試料110をプローブ728により摘出したところを示す。ウェーハ108には微小試料を取り出した加工痕1902が存在する。このウェーハ108をウェーハカセット1802に戻すわけであるが、このウェーハカセット1802の中の一つは、ウェーハではなく、ウェーハと同形状をした微小試料保管具1901である。ウェーハ108が戻った後、次に試料台702には、この微小試料保管具1901が導入される。
FIG. 19A shows a state in which the
この微小試料保管具1901には、微小試料の保管穴1903等が形成されている。この穴のサイズについては、図16に示した場合と同様で、図示の関係上、大きなサイズで描写しているが、実際は、ウェーハサイズ、例えば200mmや300mmに対して数10μmである。図19(b)に示すように、この保管穴1903に微小試料110を保管する。この後、微小試料保管具1901は、図19(c)に示すように、ウェーハカセット1802の所定の位置に戻される。もちろん、プロセス装置にセットする場合、この微小試料保管具1901は間違ってプロセス装置に導入されないように管理する。
The micro
このウェーハ型の微小試料保管具は、1ウェーハからあるプロセス後に数箇所から微小試料を摘出する場合には、摘出毎にウェーハのロード、アンロードを介するため、時間的に不利であるが、1箇所のみ摘出する場合にはウェーハと同一に管理しやすいという点で有効である。 This wafer-type micro sample storage tool is disadvantageous in terms of time because when a micro sample is extracted from several places after a certain process from one wafer, the wafer is loaded and unloaded every time it is extracted. When extracting only a part, it is effective at the point that it is easy to manage in the same way as a wafer.
以上のように、穴形状の選択により微小試料保管具の量産性が向上し、また、ウェーハと同一に微小試料保管具を搬送できる形態とすることで、管理が容易となる。 As described above, mass productivity of the micro sample storage tool is improved by selecting the hole shape, and management is facilitated by adopting a configuration in which the micro sample storage tool can be transported in the same manner as the wafer.
次に、本発明による不良解析システムでのプロセス、微小試料データの管理法について説明する。 Next, a process in the defect analysis system according to the present invention and a method for managing minute sample data will be described.
先述した実施例でも説明したように、微小試料を識別するために微小試料保管具109にナンバーを振るわけであるが、これは、例えば、図20のように微小試料保管具109の表面に、対応ウェーハロットナンバー2001、例えば「Lot#0123」を刻印されていても良いし、独自のナンバーを振っていても良い。また、保管穴毎に、例えば、保管穴811に微小試料保管穴ナンバー2002として「01」等を刻印していると管理しやすい。
As described in the above-described embodiment, a number is assigned to the micro
また、微小試料保管具109のデータ管理法としては、図21に示すような方法もある。図21(a)は、微小試料保管具109自身にプロセス情報と何処で微小試料を摘出すべきか等を記載したプロセスタグ2101をとりつけるプロセスタグ保持具2102を有する形態としたものである。これにより、どのプロセス後に微小試料を摘出すべきかがプロセスオペレータに一目で分かるようにできる。
Further, as a data management method of the minute
また、微小試料保管具109に直接でなく、図21(b)のように、保管具固定部1803にプロセスタグ保持具2103を有する形態にすると、直接真空に入らない領域であり、汚染の面で安全となる。また、微小試料保管具をウェーハカセットと同一管理できる場合には、図21(c)に示すように、このプロセスタグ2101はウェーハカセット1802にプロセスタグ保持具2104で固定できるようにしても良い。
Further, as shown in FIG. 21B, when the
また、プロセスタグの代わりにフラッシュメモリのようなメモリカードにプロセスタグに相当する情報を書き込み、図21(a)、(b)、(c)の形態にそれぞれ対応する図22(a)、(b)、(c)のメモリカード2201を保持するメモリカード保持具2202、2203、2204を有する形態としても良い。この場合、メモリカード2201のプロセス情報等の読み書きが可能なリーダ、ライタ等の端末をプロセスオペレータがアクセス可能なところに用意しておく。
Also, information corresponding to the process tag is written in a memory card such as a flash memory instead of the process tag, and FIGS. 22 (a), (c) corresponding to the forms of FIGS. 21 (a), (b), and (c), respectively. It is good also as a form which has the
また同様に、図21(a)、(b)、(c)の形態にそれぞれ対応して、図23(a)、(b)、(c)の非接触ICチップ2301を使用する方法もある。この非接触ICチップは0.4mm程度のサイズで高周波アナログ回路とメモリを集積されたチップである。この非接触ICチップには単一の(重複の無い)数値が記録されており、この数値と微小試料情報(プロセスフロー、各プロセス条件(温度、時間等)、プロセス日時、ウェーハロットナンバー、微小試料摘出プロセス、微小試料摘出ロット、微小試料摘出ウェーハ、微小試料摘出チップ、微小試料摘出ビットアドレス、微小試料摘出方向、微小試料保管具ナンバー、微小試料保管穴ナンバー等)を保管試料データ記録装置104で対応したデータベースを構築しておく。こうすることで、非接触ICチップに書き込まれている数値を読み出すだけで、微小試料の情報を即座に取り出すことができる。
Similarly, there is a method of using the
この非接触型ICは、小さく、安価であるため、図24に示すように1つの微小試料保管具2403に対して1つではなく、各微小試料(例えば110)に対して微小試料保管部(例えば2401)を設け、この微小試料保管部毎に非接触ICチップ(例えば2402)が付属した形態にすることも可能である。この場合は、微小試料と保管データがハードとデータとして1対1で対応するため、管理が確実となる。
Since this non-contact type IC is small and inexpensive, as shown in FIG. 24, the micro sample storage unit (for example, 110) is not provided for one micro
以上のように、ウェーハプロセス情報と微小試料摘出情報を管理し、検査情報による観察位置を決定して、観察試料を作製することで、不良解析データ管理の確実性が増し、不良原因究明が容易となる。 As described above, by managing wafer process information and micro sample extraction information, determining the observation position based on inspection information, and preparing an observation sample, the reliability of defect analysis data management is increased, and the cause of the defect can be easily identified. It becomes.
次に、本発明による不良解析システムにおいて、微小試料を搬送するプローブの効率的形状について説明する。 Next, the efficient shape of the probe that transports the micro sample in the defect analysis system according to the present invention will be described.
先述した例では、プローブと微小試料の固定にイオンビームアシストデポジションを利用した場合について説明したが、この場合、分離時にイオンビームスパッタによりプローブが損傷する。これに対し、非破壊で、より効率的なプローブ形態として図25のピンセット型プローブ2501がある。このプローブは先端が分かれた形態をしており、この弾性変形により微小試料を挟むものである。
In the example described above, the case where ion beam assisted deposition is used for fixing the probe and the minute sample has been described. In this case, the probe is damaged by ion beam sputtering during separation. On the other hand, there is a
こうして、図25(a)に示すように摘出された微小試料110は、図25(b)に示す微小試料保管具109に搬送され、保管穴811に挿入される。ここでこのピンセット型プローブ2501を矢印2502の方向に引き抜くことにより分離し、微小試料110は保管穴811に残る。微小試料110を再度取り出しするときには、再度ピンセット型プローブ2501の先端の弾性変形で保持し、微小試料ホルダへ搬送する。
Thus, the
このようにピンセット型プローブを利用することで、プローブも非破壊で効率良く微小試料の保管、再取り出しが可能となる。 By using the tweezers type probe in this way, it is possible to store and re-extract a micro sample efficiently with a non-destructive probe.
以下、本発明による不良解析システムを、製品履歴調査に適用する手順について説明する。 Hereinafter, a procedure for applying the failure analysis system according to the present invention to the product history survey will be described.
図26に、不良解析システムの構成と情報の流れを示す。構成は図1と同じであるが、本例の場合は製品出荷後の不良を対象としているため、微小試料保管装置103には製品として既に出荷したチップの元ウェーハから摘出した微小試料も全て保管しておく。この製品デバイスにおいて出荷後に不良が判明した場合、製品不良情報2602が製品データベース2601に入力されると、対応する製品とウェーハ名、更に不良原因の可能性が高いプロセスと観察位置(例えば、配線工程プロセス後のゲート垂直断面等)が決定され、この選別情報2603を保管試料データ記録装置104に入力する。保管試料データ記録装置104は微小試料データベースから対応する微小試料の保管位置を割出す。
FIG. 26 shows the configuration of the failure analysis system and the information flow. Although the configuration is the same as in FIG. 1, in this example, since defects after product shipment are targeted, the micro
こうして、本発明による実施例と同様に不良解析され、不良原因特定が行われる。この解析情報(画像等も含む)も保管試料データ記録装置104に送信され、保存される。この解析情報2604は、製品データベース2601に送信され、始めの製品不良情報2602と結合されて管理される。このようにして特定された不良原因を製品顧客への説明に使用する。
Thus, the failure analysis is performed and the cause of the failure is identified in the same manner as in the embodiment according to the present invention. This analysis information (including images and the like) is also transmitted to the stored sample
このように、本不良解析システムにより、製品出荷後でも対応するプロセスの不良原因究明が可能であり、顧客への状況説明に有効である。 As described above, the failure analysis system can investigate the cause of failure of the corresponding process even after product shipment, and is effective for explaining the situation to the customer.
次に、本発明による不良解析システムを、先端プロセス制御のサポートデータ取得に適用する手順について説明する。 Next, a procedure for applying the failure analysis system according to the present invention to support data acquisition for advanced process control will be described.
先端プロセス制御(APC、Advanced Process Control)は、多変数のプロセスパラメータを振ることにより歩留り変化を管理し、歩留りが向上するプロセス条件を予測して最適化を行う方法である。この場合、パラメータの振り方によっては、最適条件から大幅に外れて、有効な先端プロセス制御に到達しない可能性がある。このため、プロセスパラメータの振るべき方向や範囲を限定するために、本不良解析システムにより、以下に説明する通りサポートデータを取得する。 Advanced process control (APC, Advanced Process Control) is a method for managing yield changes by waving multi-variable process parameters and predicting and optimizing process conditions that improve yields. In this case, depending on how the parameters are assigned, there is a possibility that the optimum process control will not be achieved due to a significant deviation from the optimum condition. For this reason, in order to limit the direction and range of the process parameter to be assigned, support data is acquired by the failure analysis system as described below.
図27に、不良解析システムの構成と情報の流れを示す。微小試料の保管までの流れは、先述した実施例と同様である。その後、ウェーハは検査装置2701で検査され、予め設定された閾値から不良と判定されたウェーハ、プロセスと更に不良が観察される可能性が高い観察位置が決定され、この選別情報2703を保管試料データ記録装置104に入力する。保管試料データ記録装置104はデータベースから対応する微小試料の保管位置を割出す。
FIG. 27 shows the configuration of the failure analysis system and the information flow. The flow up to the storage of the micro sample is the same as in the above-described embodiment. Thereafter, the wafer is inspected by an
こうして、先述した実施例と同様に不良解析され、不良原因特定が行われる。この解析情報(画像等も含む)も保管試料データ記録装置104に送信され、保存される。この解析情報2704は不良試料のプロセス情報114、検査情報2705と共に不良データベース記録装置2702に送信され、保存される。この不良データベース2702から不良が生じやすいプロセスパラメータを特定が容易となる。
In this way, the failure analysis is performed and the cause of the failure is identified in the same manner as in the previous embodiment. This analysis information (including images and the like) is also transmitted to the stored sample
このように、本不良解析システムにより、不良が生じやすいプロセスパラメータを特定しやすくなるため、先端プロセス制御でパラメータを振るべき方向が限定でき、効率化に繋がる。 As described above, the present failure analysis system makes it easy to specify process parameters that are likely to cause defects, so that the direction in which the parameters should be assigned in advanced process control can be limited, leading to efficiency.
次に、初期的なウェーハ検査により異常部と判明した位置が、その後のプロセスで不良原因となる経緯をモニタするための不良解析システムの例について説明する。 Next, an example of a failure analysis system for monitoring the circumstances at which a position that is found to be an abnormal part by an initial wafer inspection causes a failure in a subsequent process will be described.
図28に、不良解析システムの構成と情報の流れを示す。先述した実施例では、微小試料の摘出位置は、図13で説明したように予め適当な位置を設定しておくわけであるが、本例の場合は摘出位置を検査装置2805の検査結果から決定する。
FIG. 28 shows the configuration of the failure analysis system and the information flow. In the embodiment described above, the extraction position of the micro sample is set in advance as described with reference to FIG. 13. In this example, the extraction position is determined from the inspection result of the
この位置決定については、図29で説明する。例えば、図29(a)はウェーハの異物検査結果であり、点2901、2902等のX印は異物が観察された位置である。ここでは、特に形状、サイズ等の観点から同様のものと考えられる異物に絞っている。これらの位置をその後の選択プロセス後に微小試料を摘出する位置として、情報119を保管試料データ記録装置104に入力しておく。この情報に従い、例えば、あるプロセス後のウェーハからは、図29(b)に示すように、点2901を含む領域2903を摘出する。次の選択プロセス後のウェーハからは、図29(c)に示すように、点2902を含む領域2904を摘出する。こうして、順次微小試料を保管しておく。その後、不良解析要求2801に従い、微小試料の選別情報2803を保管試料データ記録装置104に入力する。保管試料データ記録装置104は、データベースから対応する微小試料の保管位置を割出す。
This position determination will be described with reference to FIG. For example, FIG. 29A shows the result of wafer foreign matter inspection, and X marks such as
こうして、先述した実施例と同様に不良解析され、不良原因特定が行われる。この解析情報(画像等も含む)も保管試料データ記録装置104に送信され、保存される。この解析情報2804は、不良データベース記録装置2802に送信され、保存される。この不良データベース2802から初期検査の異常部が対応プロセスにおいてどのような不良を引き起こすかの情報を得ることができる。
In this way, the failure analysis is performed and the cause of the failure is identified in the same manner as in the previous embodiment. This analysis information (including images and the like) is also transmitted to the stored sample
このように、本不良解析システムにより、初期異常部を注目した不良発生原因の特定が可能となるため、プロセス管理条件の把握が容易となる。 As described above, the failure analysis system can identify the cause of the failure with attention to the initial abnormal portion, so that the process management conditions can be easily grasped.
以上、詳述したように、本発明は、以前に終了してしまったプロセスに対し、その場の試料を確保しておくことができるため、その後のプロセスの影響を受けない目的位置の観察像の取得が可能であり、不良原因究明の効率化が可能である。 As described above in detail, the present invention can secure an in-situ sample for a process that has been completed previously, so that an observation image of a target position that is not affected by the subsequent process. Can be obtained, and the cause of the defect can be investigated more efficiently.
101…不良解析システム、102…微小試料摘出装置、103…微小試料保管装置、104…保管試料データ記録装置、105…微小試料追加工装置、106…不良解析装置、107…プロセス装置、108…ウェーハ、109…微小試料保管具、110…微小試料、113…不良解析試料、114…プロセス情報、115…情報、116…保管位置情報、117…情報、118…解析情報、119…情報、120…不良解析要求、121…不良解析情報、201…FIB、202…試料基板、203…プローブ、204…イオンビームアシストデポジション膜、205…堆積性ガス、206…微小試料、207…角穴、208…底穴、209…切り欠き溝、210…ガスノズル、301…FIB、307…試料薄膜、308…ウェーハ、309…メッシュ、401…ロット、402…検査用試料、403…残された試料、404…検査すべき場所、405…微小試料、406…各種解析装置、407…計算処理機、501…金属配線、502…絶縁層、503…キャップ層、504…空隙不良部、505…絶縁層、601〜607…プロセス、702…試料台、703…試料位置制御装置、704…イオンビーム、705…イオンビーム光学系、706…電子ビーム、707…電子ビーム光学系、708…二次電子検出器、715…イオン源、716…加速電源、717…通電加熱電源、718…引き出し電極、719…引き出し電源、720…アパーチャ、721…集束電源、722…集束レンズ、723…偏向電源、724…偏向器、725…対物電源、726…対物レンズ、727…イオンビーム光学系制御装置、728…プローブ、729…プローブ駆動装置、730…プローブ位置制御装置、731…デポジションガス源、732…デポジションガス源制御装置、733…電子ビーム光学系制御装置、734…表示装置、735…中央処理装置、737…真空容器、801、802…矩形穴、805…支持部、806…矩形溝、808…斜溝、809…イオンビームアシストデポジション膜、811、812…保管穴、901…加工穴、902…デポジションガス、903…堆積物、1001…ロード/アンロード機構、1002…装置接続部、1101…微小試料ホルダ、1102…微小試料固定面、1103…長手方向、1104…イオンビームアシストデポジション膜、1105…プローブ、1106…イオンビーム、1201、1202、1203、1204…デバイスパターン、1205…イオンビーム加工領域、1302〜1309…点、1310…チップ、1401…解析位置、1402…ノッチ、1403…座標原点、1404…横方向座標、1405…縦方向座標、1406…加工予定領域、1407、1408…マーク、1409…領域、1410…イオンビーム加工領域、1501…試料台、1502…イオンビーム光学系、1602…溝、1701、1702…保管穴、1703…ガード部、1801…ウェーハ群、1802…ウェーハカセット、1803…保管具固定部、1901…微小試料保管具、1902…加工痕、1903…保管穴、2001…ウェーハロットナンバー、2002…微小試料保管穴ナンバー、2101…プロセスタグ、2102、2103、2104…プロセスタグ保持具、2201…メモリカード、2202、2203、2204…メモリカード保持具、2301…非接触ICチップ、2401…微小試料保管部、2402…非接触ICチップ、2403…微小試料保管具、2501…ピンセット型プローブ、2502…矢印、2601…製品データベース、2602…製品不良情報、2603…選別情報、2604…解析情報、2701…検査装置、2702…不良データベース記録装置、2703…選別情報、2704…解析情報、2705…検査情報、2801…不良解析要求、2802…不良データベース記録装置、2803…選別情報、2804…解析情報、2805…検査装置、2901、2902…点、2903、2904…領域。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
して摘出する試料摘出装置と、
前記試料に追加工を行うための前記試料の管理データを記録する保管試料データ記録装
置と、
前記追加工の前に前記摘出した試料を保管する試料保管具と、
前記追加工の前に前記試料保管具を保管し、不良解析要求が入力されると、前記管理データに基づいて前記不良解析要求に対応する前記試料保管具を選別し取り出す試料保管装置と、
前記不良解析要求が入力されると、前記選別し取り出された前記試料保管具から、当該不良解析要求及び前記管理データに基づいて前記試料を取り出し追加工を行う試料追加工装置と、
前記追加工が行われた試料を解析する不良解析装置と、を備えることを特徴とする不良
解析システム。 A sample extraction device for extracting a part of the substrate as a sample by ion beam processing after completion of an arbitrary processing process on the substrate;
A storage sample data recording device for recording management data of the sample for performing additional processing on the sample;
A sample storage tool for storing the extracted sample before the additional machining;
The sample storage device is stored before the additional processing, and when a failure analysis request is input, a sample storage device that selects and takes out the sample storage device corresponding to the failure analysis request based on the management data ;
When the failure analysis request is input from the screened retrieved the sample storage device, and a sample additional processing device performs additional processing removed before Symbol sample based on the failure analysis request and the management data,
A failure analysis system comprising: a failure analysis device that analyzes the sample subjected to the additional machining.
ム加工により前記基板からその一部を試料として摘出し、前記試料を保管する試料保管具
に搬送する試料摘出装置と、
前記基板の少なくとも製品名、基板名、処理プロセス名と前記試料の保管位置とを対応
させたデータベースを構築する保管試料データ記録装置と、
前記試料保管具を前記保管試料データ記録装置のデータベースに対応して保管し、前記保管試料データ記録装置から送信される不良解析対象の前記試料の保管位置に対応する前記試料保管具を選別し取り出す試料保管装置と、
選別された前記試料を前記試料保管具から取り出して追加工情報に基づき追加工を行う試料追加工装置と、
追加工された前記試料を解析する不良解析装置とを具備してなることを特徴とする不良
解析システム。 A sample extracting device for extracting a part of the substrate from the substrate as a sample by ion beam processing each time an arbitrary processing process for forming a desired pattern on the substrate is completed and transporting the sample to a sample storage device; ,
A storage sample data recording device for constructing a database that associates at least the product name, substrate name, processing process name of the substrate with the storage position of the sample;
The sample storage tool is stored in correspondence with the database of the storage sample data recording device, and the sample storage tool corresponding to the storage position of the sample to be analyzed for failure transmitted from the storage sample data recording device is selected and taken out. A sample storage device;
A sample additional processing device for taking out the selected sample from the sample storage tool and performing additional processing based on additional processing information;
A failure analysis system comprising: a failure analysis device for analyzing the additionally processed sample.
オンビームを照射して当該基板からその一部を試料として摘出する試料摘出装置と、
摘出された前記試料を保管する試料保管装置と、
前記試料の管理データを記録する保管試料データ記録装置と、
前記一の処理プロセス終了後の検査プロセスにおいて得られた不良情報に基づき、前記
試料保管装置から選別し取り出された前記試料に対して前記不良情報に対応した所望の形状に追加工を行う試料追加工装置とを備えることを特徴とする不良解析システム。 A sample extraction device for irradiating the substrate with an ion beam and extracting a part of the substrate as a sample at the end of one processing process for forming a desired pattern on the substrate;
A sample storage device for storing the extracted sample;
A storage sample data recording device for recording management data of the sample;
Sample addition for performing additional processing to a desired shape corresponding to the defect information on the sample selected and taken out from the sample storage device based on the defect information obtained in the inspection process after the end of the one processing process A failure analysis system comprising a processing device.
前記保管試料データ記録装置は、前記管理データとして前記基板から摘出された前記試
料の情報または/及び前記試料保管装置内の前記試料の位置情報を記憶することを特徴と
する不良解析システム。 In the failure analysis system according to claim 1 or 3,
The storage sample data recording device stores information on the sample extracted from the substrate and / or position information on the sample in the sample storage device as the management data.
前記試料摘出装置は、前記基板から前記試料を摘出するためのプローブと、
摘出された前記試料を載せる試料ホルダとを備えることを特徴とする不良解析システム
。 In the failure analysis system according to any one of claims 1 to 3,
The sample extraction device includes a probe for extracting the sample from the substrate;
A failure analysis system comprising: a sample holder on which the extracted sample is placed.
前記試料摘出装置と前記試料追加工装置は、同一装置であることを特徴とする不良解析
システム。 In the failure analysis system according to any one of claims 1 to 3,
The defect extraction system, wherein the sample extraction device and the sample additional processing device are the same device.
前記基板は、半導体ウェハであることを特徴とする不良解析システム。 In the failure analysis system according to any one of claims 1 to 3,
The defect analysis system, wherein the substrate is a semiconductor wafer.
前記試料ホルダまたは/及び前記プローブを回転させる手段を備えることを特徴とする
不良解析システム。 In the failure analysis system according to claim 5,
A failure analysis system comprising means for rotating the sample holder and / or the probe.
前記試料の情報は、プロセスタグまたはICチップにより管理されていることを特徴と
する不良解析システム。 The defect analysis system according to claim 4,
The defect analysis system characterized in that the sample information is managed by a process tag or an IC chip.
前記任意の処理プロセス終了後の検査プロセスにおいて、不良解析すべきプロセス及び
不良解析内容が決定された後、前記不良解析要求が入力されることを特徴とする不良解析
システム。 The failure analysis system according to claim 1,
In the inspection process after completion of the arbitrary processing process, the defect analysis request is input after the process to be analyzed for failure and the content of failure analysis are determined.
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