JP4647386B2 - Method for producing plating material and method for forming electroless plating film - Google Patents

Method for producing plating material and method for forming electroless plating film Download PDF

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Description

本発明は、無電解めっきを施す際に好適に使用することができるめっき用材料の製造方法および、材料表面に無電解めっき皮膜を形成する方法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a plating material that can be suitably used when performing electroless plating, and a method for forming an electroless plating film on the surface of the material.

電気エネルギーを用いずに、金属塩の水溶液中に還元剤を入れておき、その分解による還元作用で金属を基材上に析出せしめる無電解めっきは、各種プラスチック、ガラス、セラミック、木材などの絶縁性材料表面の機能化のために広く適用されている技術であり、ABS樹脂やポリプロピレン樹脂に無電解めっきを施し、自動車のグリルやマーク類、家電製品のツマミ類などの部品とする装飾めっきや、プリント配線板のスルーホールめっきのような機能めっきへの適用例を挙げることができる。   Electroless plating, in which a reducing agent is placed in an aqueous solution of a metal salt without using electrical energy, and the metal is deposited on the substrate by the reducing action of its decomposition, is the insulation of various plastics, glass, ceramics, wood, etc. This technology is widely applied to functionalize the surface of conductive materials, such as decorative plating for parts such as automobile grills, marks, and household appliance knobs by applying electroless plating to ABS and polypropylene resins. Examples of application to functional plating such as through-hole plating of printed wiring boards can be given.

しかし、無電解めっきは上記各種材料表面との接着性が低い場合が多い。特に、上述したプリント配線板の製造に適用した場合、無電解めっき皮膜と絶縁材料との接着性は低いことが課題であった。   However, electroless plating often has low adhesion to the surfaces of the various materials. In particular, when applied to the production of the above-described printed wiring board, the problem is that the adhesion between the electroless plating film and the insulating material is low.

上記課題を解決するため、プリント配線板に用いられる絶縁性の樹脂材料は、様々な手法で表面を粗化させ、いわゆるアンカー効果によって無電解めっき皮膜との接着性を得ていた(例えば特許文献1参照)。しかし、この手法は近年の微細配線形成性の要求に応えられなくなってきている。というのも、この手法を用いて微細配線形成を行った場合、粗化表面の表面凹凸が大きいため配線が傾く、倒れるなどの問題を生じるからである。このことから分かるように、微細配線形成の要求に応えるためには表面平滑な樹脂面に金属めっきを強固に形成する技術が必要であった。   In order to solve the above problems, insulating resin materials used for printed wiring boards have roughened the surface by various methods, and have obtained adhesion to the electroless plating film by a so-called anchor effect (for example, Patent Documents) 1). However, this method cannot meet the recent demand for fine wiring formability. This is because, when fine wiring is formed using this technique, problems such as tilting or falling of the wiring occur due to the large surface roughness of the roughened surface. As can be seen from this, in order to meet the demand for fine wiring formation, a technique for strongly forming metal plating on a smooth resin surface is required.

一方、耐熱性樹脂フィルムの少なくとも片面にポリイミドシロキサン前駆体を塗布した上に金属めっき層を積層した樹脂付き金属箔、あるいは、耐熱性樹脂フィルムの少なくとも片面にポリイミドシロキサン前駆体を塗布し、イミド化された上に金属めっき層が形成された樹脂付き金属箔が開示されている(特許文献2参照)。しかし、今後、プリント配線板などの用途においては、ますます回路の細線化が進むと考えられ、さらに金属層との接着性に優れた材料が要求されると考えられる。特に、上述のような無電解めっき皮膜との接着性の改良技術に関してはまだまだ発展途上であり、平滑な表面を有する材料に、より強固に無電解めっき皮膜を形成しうる技術が求められる。
特開2000−198907 特開2002−264255
On the other hand, a metal foil with resin in which a polyimide siloxane precursor is applied on at least one side of a heat resistant resin film and a metal plating layer is laminated, or a polyimide siloxane precursor is applied on at least one side of a heat resistant resin film and imidized. A metal foil with a resin having a metal plating layer formed thereon is disclosed (see Patent Document 2). However, in the future, in applications such as printed wiring boards, it is considered that the circuit will become increasingly thin, and further, a material excellent in adhesiveness with the metal layer will be required. In particular, a technique for improving the adhesiveness with the electroless plating film as described above is still under development, and a technique capable of forming the electroless plating film more firmly on a material having a smooth surface is required.
JP2000-198907 JP 2002-264255 A

背景技術で説明したように、本発明では、表面平滑な樹脂面に金属めっきをより強固に形成することができるめっき用材料を製造する方法および、材料表面に無電解めっき皮膜を形成する方法を提供することを目的とする。   As described in the background art, in the present invention, a method for manufacturing a plating material capable of forming metal plating more firmly on a smooth resin surface and a method for forming an electroless plating film on the material surface are provided. The purpose is to provide.

従って、本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、無電解めっきを施す各種材料表面に形成することにより、無電解めっきと各種材料間との接着性を向上させ、且つ優れた耐熱性を有するめっき用材料を製造する方法を提供することにあり、各種プラスチック、ガラス、セラミック、木材などへの機能めっき、自動車のグリルやマーク類、家電製品のツマミ類などの部品への装飾めっき、特には各種プリント配線板の製造等に好適に用いることができ、さらには微細配線形成が要求されるフレキシブルプリント配線板、リジッドプリント配線板、多層フレキシブルプリント配線板、ビルドアップ配線板等のプリント配線板用の製造等に好適に用いることができるめっき用材料の製造方法方法および、材料表面に無電解めっき皮膜を形成する方法を提供することにある。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and the object thereof is to form the surface of various materials subjected to electroless plating so that between the electroless plating and various materials. The purpose is to provide a method for producing a plating material having improved adhesion and excellent heat resistance. Functional plating on various plastics, glass, ceramics, wood, etc., automotive grills and marks, home appliances It can be used suitably for decorative plating on parts such as knobs, especially for the production of various printed wiring boards, and also for flexible printed wiring boards, rigid printed wiring boards, and multilayer flexible printing that require fine wiring formation. A method for producing a plating material that can be suitably used for production of printed wiring boards such as wiring boards and build-up wiring boards, and To provide a method for forming an electroless plating film on the charge surface.

本発明者等は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、下記のめっき用材料の製造方法により、上記課題が解決しうることを見出した。すなわち、
1)無電解めっき層を形成するための層Aを有する無電解めっき用材料の製造方法であって、支持体上に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布する工程を有することを特徴とする無電解めっき用材料の製造方法。
2)シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布した後、さらに溶媒を乾燥する工程、支持体を除去する工程を含む1)記載の無電解めっき用材料の製造方法。
3)前記支持体が高分子であることを特徴とする1)または2)記載のめっき用材料の製造方法。
4)無電解めっき層を形成するための層Aを有する無電解めっき用材料の製造方法であって、高分子フィルム上に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布する工程を有することを特徴とする無電解めっき用材料の製造方法。
5)材料表面に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布することにより、無電解めっき層を形成するための層Aを形成する工程、該層A上に無電解めっきを施す工程を含むことを特徴とする、無電解めっき皮膜の形成方法。
6)支持体上に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布することにより、無電解めっき層を形成するための層Aを形成する工程、支持体を除去する工程、該層A上に無電解めっきを施す工程を含むことを特徴とする、無電解めっき皮膜の形成方法。
7)高分子フィルム上に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布することにより、無電解めっき層を形成するための層Aを形成する工程、該層A上に無電解めっきを施す工程を含むことを特徴とする無電解めっき皮膜の形成方法。
As a result of intensive studies in view of the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by the following method for producing a plating material. That is,
1) A method for producing an electroless plating material having a layer A for forming an electroless plating layer, comprising a step of applying a solution containing a polyimide resin a having a siloxane structure on a support. A method for producing an electroless plating material.
2) The method for producing an electroless plating material according to 1), further comprising a step of drying the solvent and a step of removing the support after applying a solution containing the polyimide resin a having a siloxane structure.
3) The method for producing a plating material according to 1) or 2), wherein the support is a polymer.
4) A method for producing an electroless plating material having a layer A for forming an electroless plating layer, comprising a step of applying a solution containing a polyimide resin a having a siloxane structure on a polymer film. A method for producing a material for electroless plating characterized by the following.
5) A step of forming a layer A for forming an electroless plating layer by applying a solution containing a polyimide resin a having a siloxane structure on the surface of the material, and a step of performing electroless plating on the layer A A method for forming an electroless plating film, comprising:
6) A step of forming a layer A for forming an electroless plating layer by applying a solution containing a polyimide resin a having a siloxane structure on the support, a step of removing the support, and on the layer A A method for forming an electroless plating film, comprising the step of applying electroless plating to the substrate.
7) A step of forming a layer A for forming an electroless plating layer by applying a solution containing a polyimide resin a having a siloxane structure on the polymer film, and performing electroless plating on the layer A A method for forming an electroless plating film, comprising a step.

本発明では、ポリイミド樹脂を含有する溶液を材料表面に塗布して製造することにより、平滑な表面を有するにもかかわらず、無電解めっきとの接着性に優れるめっき用材料を提供することが可能となる。よって、本発明の製造方法により製造されためっき用材料は、各種プラスチック、ガラス、セラミック、木材などへの機能めっき、自動車のグリルやマーク類、家電製品のツマミ類などの部品への装飾めっき、特には各種プリント配線板の製造等に好適に用いることができ、さらには微細配線形成が要求されるフレキシブルプリント配線板、リジッドプリント配線板、多層フレキシブルプリント配線板やビルドアップ配線板等のプリント配線板用の製造等に好適に用いることができるという効果も奏する。   In the present invention, it is possible to provide a plating material having excellent adhesion to electroless plating despite having a smooth surface by applying a solution containing a polyimide resin to the surface of the material. It becomes. Therefore, the plating material produced by the production method of the present invention includes functional plating on various plastics, glass, ceramics, wood, etc., decorative plating on parts such as automobile grills and marks, and household appliance knobs, In particular, it can be suitably used for the production of various printed wiring boards, and further, printed wiring such as flexible printed wiring boards, rigid printed wiring boards, multilayer flexible printed wiring boards and build-up wiring boards that require fine wiring formation. There is also an effect that it can be suitably used for manufacturing a plate.

本発明の実施の一形態について以下に詳細に説明するが、本発明は以下の記載に限定されるものではない。
[本発明のめっき用材料の製造方法]
本発明のめっき用材料の製造方法は、支持体上に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布することによって、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含む層を形成するものであり、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含む層が、この上に無電解めっきを施すための層(層A)としての役目を果たすこととなる。この場合、支持体が除去されて後、露出した層Aの表面に無電解めっきを形成することになり、支持体は層Aを形成するための基材としての役割を担うこととなる。
One embodiment of the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited to the following description.
[Production Method of Plating Material of the Present Invention]
In the method for producing a plating material of the present invention, a layer containing a polyimide resin having a siloxane structure is formed on a support by applying a solution containing the polyimide resin a having a siloxane structure. A layer containing a polyimide resin having a function as a layer (layer A) for performing electroless plating thereon. In this case, after the support is removed, electroless plating is formed on the exposed surface of the layer A, and the support serves as a base material for forming the layer A.

あるいは、高分子フィルム上に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布する工程を有することを特徴とする無電解めっき用材料の製造方法である。この高分子フィルムは、柔軟性や耐熱性、また低熱膨張性や高絶縁性を付与する、また絶縁層厚みの均一性を保つ等の役割を果たす。   Or it is a manufacturing method of the material for electroless-plating characterized by having the process of apply | coating the solution containing the polyimide resin a which has a siloxane structure on a polymer film. This polymer film plays a role such as imparting flexibility and heat resistance, low thermal expansion and high insulation, and maintaining uniformity of the insulating layer thickness.

そこで、本発明のめっき用材料の製造方法について、以下、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液の製造、支持体、高分子フィルム、層Aの形成方法、本発明の製造方法により得られるめっき用材料の構成、の順で説明する。   Then, about the manufacturing method of the material for plating of this invention, hereafter, the manufacturing of the solution containing the polyimide resin a which has a siloxane structure, a support body, a polymer film, the formation method of the layer A, the plating obtained by the manufacturing method of this invention The structure of the materials will be described in the order.

(ポリイミド樹脂aを含有する溶液の製造)
本発明では、溶液状態で安定なポリイミド樹脂aを含有する溶液を用いる。よって、ポリイミド樹脂aは可溶性であることが必須である。ここで、本発明でいう可溶性とは、ジオキソラン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン等から選択される少なくとも1種の溶媒に、室温〜100℃の温度範囲において1重量%以上溶解することをいう。
(Production of solution containing polyimide resin a)
In the present invention, a solution containing a polyimide resin a that is stable in a solution state is used. Therefore, it is essential that the polyimide resin a is soluble. Here, the term “soluble” as used in the present invention refers to at least one solvent selected from dioxolane, dioxane, tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, and the like. It means that 1% by weight or more dissolves in a temperature range of room temperature to 100 ° C.

本発明のポリイミド樹脂aは、シロキサン構造を有し、且つ可溶性であれば、いかなるポリイミド樹脂であっても良い。例えば、(1)シロキサン構造を有する酸二無水物成分あるいはシロキサン構造を有するジアミン成分を用いて、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸を製造し、これをイミド化してポリイミド樹脂を製造する方法、(2)官能基を有する酸二無水物成分あるいは官能基を有するジアミン成分を用いて官能基を有するポリアミド酸を製造し、この官能基と反応しうる官能基、及びシロキサン構造を有する化合物を反応させて、シロキサン構造が導入されたポリアミド酸を製造し、これをイミド化してポリイミド樹脂を製造する方法、(3)官能基を有する酸二無水物成分あるいは官能基を有するジアミン成分を用いて官能基を有するポリアミド酸を製造し、これをイミド化して官能基を有するポリイミドを製造し、この官能基と反応しうる官能基、及びシロキサン構造を有する化合物を反応させて、シロキサン構造が導入されたポリイミド樹脂を製造する方法、などが挙げられる。ここで、シロキサン構造を有するジアミンは比較的容易に入手することが可能であるため、上記の中でも、酸二無水物成分と、シロキサン構造を有するジアミンを反応させて目的とするポリイミド樹脂を製造することが好ましい。 シロキサン構造を有するジアミンとして、下記一般式(1)で表されるジアミンを用いることが好ましい。   The polyimide resin a of the present invention may be any polyimide resin as long as it has a siloxane structure and is soluble. For example, (1) using a dianhydride component having a siloxane structure or a diamine component having a siloxane structure, a polyamic acid that is a precursor of a polyimide resin is produced, and this is imidized to produce a polyimide resin; (2) A polyamic acid having a functional group is produced using an acid dianhydride component having a functional group or a diamine component having a functional group, and the functional group capable of reacting with the functional group and a compound having a siloxane structure are reacted. A polyamic acid having a siloxane structure introduced, and imidizing it to produce a polyimide resin; (3) functionalization using an acid dianhydride component having a functional group or a diamine component having a functional group; A polyamic acid having a functional group, imidized to produce a polyimide having a functional group, and reacting with the functional group. That functional group, and by reacting a compound having a siloxane structure, a method of producing a polyimide resin siloxane structure is introduced, and the like. Here, since the diamine having a siloxane structure can be obtained relatively easily, among them, the acid dianhydride component and the diamine having a siloxane structure are reacted to produce a target polyimide resin. It is preferable. As the diamine having a siloxane structure, it is preferable to use a diamine represented by the following general formula (1).

Figure 0004647386
(式中、gは1以上の整数を表す。また、R11及びR22は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。R33は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキル基、またはフェニル基、またはフェノキシ基、またはアルコキシ基を表す。好ましくは、gは1以上100以下である。またR11及びR22は、炭素数が1〜20のアルキレン基またはフェニレン基であることが好ましい。さらにR33は、炭素数1〜20のアルキル基、またはフェニル基、またはフェノキシ基、またはアルコキシ基であることが好ましい。)
前記ポリイミドは、対応する前駆体のポリアミド酸を脱水閉環して得られる。ポリアミド酸は、酸二無水物成分とジアミン成分とを実質的に等モル反応させて得られ、例えば以下のような方法で得ることができる。
1)芳香族ジアミンを有機極性溶媒中に溶解し、これと実質的に等モルの芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させて重合する方法。
2)芳香族テトラカルボン酸二無水物とこれに対し過小モル量の芳香族ジアミン化合物とを有機極性溶媒中で反応させ、両末端に酸無水物基を有するプレポリマーを得る。続いて、全工程において芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン化合物が実質的に等モルとなるように芳香族ジアミン化合物を用いて重合させる方法。
3)芳香族テトラカルボン酸二無水物とこれに対し過剰モル量の芳香族ジアミン化合物とを有機極性溶媒中で反応させ、両末端にアミノ基を有するプレポリマーを得る。続いてここに芳香族ジアミン化合物を追加添加後、全工程において芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン化合物が実質的に等モルとなるように芳香族テトラカルボン酸二無水物を用いて重合する方法。
4)芳香族テトラカルボン酸二無水物を有機極性溶媒中に溶解及び/または分散させた後、実質的に等モルとなるように芳香族ジアミン化合物を用いて重合させる方法。
5)実質的に等モルの芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンの混合物を有機極性溶媒中で反応させて重合する方法。
Figure 0004647386
(In the formula, g represents an integer of 1 or more. R11 and R22 may be the same or different, and each represents an alkylene group or a phenylene group. R33 may be the same or different, and alkyl. Represents a group, a phenyl group, a phenoxy group, or an alkoxy group, preferably g is 1 or more and 100 or less, and R11 and R22 are each an alkylene group or a phenylene group having 1 to 20 carbon atoms. R33 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, a phenoxy group, or an alkoxy group.
The polyimide is obtained by dehydrating and ring-closing the corresponding precursor polyamic acid. The polyamic acid is obtained by reacting an acid dianhydride component and a diamine component substantially in an equimolar amount, and can be obtained by, for example, the following method.
1) A method in which an aromatic diamine is dissolved in an organic polar solvent and this is reacted with a substantially equimolar amount of an aromatic tetracarboxylic dianhydride for polymerization.
2) An aromatic tetracarboxylic dianhydride is reacted with a small molar amount of an aromatic diamine compound in an organic polar solvent to obtain a prepolymer having acid anhydride groups at both ends. Then, the method of superposing | polymerizing using an aromatic diamine compound so that an aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine compound may become substantially equimolar in all the processes.
3) An aromatic tetracarboxylic dianhydride and an excess molar amount of the aromatic diamine compound are reacted in an organic polar solvent to obtain a prepolymer having amino groups at both ends. Subsequently, after adding an aromatic diamine compound here, using the aromatic tetracarboxylic dianhydride so that the aromatic tetracarboxylic dianhydride and the aromatic diamine compound are substantially equimolar in all steps. How to polymerize.
4) A method in which an aromatic tetracarboxylic dianhydride is dissolved and / or dispersed in an organic polar solvent and then polymerized using an aromatic diamine compound so as to be substantially equimolar.
5) A method of polymerizing by reacting a substantially equimolar mixture of aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine in an organic polar solvent.

反応時間、反応温度は、とくに限定されない。   The reaction time and reaction temperature are not particularly limited.

ポリアミド酸の重合反応に用いられる有機極性溶媒としては、たとえば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、o−、m−またはp−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトンなどをあげることができる。さらに必要に応じて、これらの有機極性溶媒とキシレンあるいはトルエンなどの芳香族炭化水素とを組み合わせて用いることもできる。   Examples of the organic polar solvent used in the polyamic acid polymerization reaction include sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide, formamide solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-diethylformamide, N, N- Acetamide solvents such as dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, pyrrolidone solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N-vinyl-2-pyrrolidone, phenol, o-, m- or p-cresol, xylenol, Examples thereof include phenol solvents such as halogenated phenols and catechols, hexamethylphosphoramide, and γ-butyrolactone. Further, if necessary, these organic polar solvents can be used in combination with an aromatic hydrocarbon such as xylene or toluene.

次にポリアミド酸の重合に用いられる酸二無水物成分について説明する。
酸二無水物成分としては特に限定はなく、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸無水物、3,3’,4,4’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−フランテトラカルボン酸二無水物、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルプロパン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、p−フェニレンジフタル酸無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、4,4’−オキシジフタル酸無水物、3,4’−オキシジフタル酸無水物、3,3’−オキシジフタル酸無水物、4,4’−(4,4’−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(無水フタル酸)、4,4’−ハイドロキノンビス(無水フタル酸)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンジベンゾエート−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、1,2−エチレンビス(トリメリット酸モノエステル無水物)、p−フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル無水物)等を挙げることができる。これらは1種のみで用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いることも可能である。ここで、可溶性のポリイミド樹脂aを得るという観点から、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、4,4’−オキシジフタル酸無水物、3,4’−オキシジフタル酸無水物、3,3’−オキシジフタル酸無水物、4,4’−(4,4’−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(無水フタル酸)、4,4’−ハイドロキノンビス(無水フタル酸)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンジベンゾエート−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、1,2−エチレンビス(トリメリット酸モノエステル無水物)、p−フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル無水物)から選ばれる酸無水物成分を、全酸二無水物成分中、50mol%〜100mol%含むことが好ましい。
Next, the acid dianhydride component used for the polymerization of polyamic acid will be described.
The acid dianhydride component is not particularly limited, and pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetra Carboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic anhydride, 3, 3 ′, 4,4′-dimethyldiphenylsilanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-furantetracarboxylic dianhydride, 4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenyl Propanic acid dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, p-phenylenediphthalic anhydride Aromatic tetraca Boronic acid dianhydride, 4,4′-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride, 4,4′-oxydiphthalic anhydride, 3,4′-oxydiphthalic anhydride, 3,3′-oxydiphthalic anhydride 4,4 ′-(4,4′-isopropylidenediphenoxy) bis (phthalic anhydride), 4,4′-hydroquinonebis (phthalic anhydride), 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propanedi Benzoate-3,3 ′, 4,4′-tetracarboxylic dianhydride, 1,2-ethylenebis (trimellitic acid monoester anhydride), p-phenylenebis (trimellitic acid monoester anhydride), etc. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. Here, from the viewpoint of obtaining a soluble polyimide resin a, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride 4,4′-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride, 4,4′-oxydiphthalic anhydride, 3,4′-oxydiphthalic anhydride, 3,3′-oxydiphthalic anhydride, 4,4 ′ -(4,4'-isopropylidenediphenoxy) bis (phthalic anhydride), 4,4'-hydroquinone bis (phthalic anhydride), 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propanedibenzoate-3,3 Choose from ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 1,2-ethylenebis (trimellitic acid monoester anhydride), p-phenylenebis (trimellitic acid monoester anhydride) It is preferable that the acid anhydride component to be included is contained in the total acid dianhydride component in an amount of 50 mol% to 100 mol%.

続いて、ジアミン成分について説明する。本発明においては、ジアミン成分として、下記一般式(1)で表されるジアミン成分を含むことが好ましい。   Subsequently, the diamine component will be described. In this invention, it is preferable that the diamine component represented by following General formula (1) is included as a diamine component.

Figure 0004647386
(式中、gは1以上の整数を表す。また、R11及びR22は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。R33は、それぞれ同一、または異なっていてよく、アルキル基、またはフェニル基、またはフェノキシ基、またはアルコキシ基を表す。好ましくは、gは1以上100以下である。またR11及びR22は、炭素数が1〜20のアルキレン基またはフェニレン基であることが好ましい。さらにR33は、炭素数1〜20のアルキル基、またはフェニル基、またはフェノキシ基、またはアルコキシ基であることが好ましい。)
一般式(1)で表されるジアミン成分を用いることにより、得られるポリイミド樹脂は、無電解めっき層と強固に接着するという特徴を有するようになる。
Figure 0004647386
(In the formula, g represents an integer of 1 or more. R11 and R22 may be the same or different, and each represents an alkylene group or a phenylene group. R33 may be the same or different, and alkyl. Represents a group, a phenyl group, a phenoxy group, or an alkoxy group, preferably g is 1 or more and 100 or less, and R11 and R22 are each an alkylene group or a phenylene group having 1 to 20 carbon atoms. R33 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, a phenoxy group, or an alkoxy group.
By using the diamine component represented by the general formula (1), the obtained polyimide resin has a characteristic of being firmly bonded to the electroless plating layer.

一般式(1)で表されるジアミンとしては、1,1,3,3,−テトラメチル−1,3−ビス(4−アミノフェニル)ジシロキサン、1,1,3,3,−テトラフェノキシ−1,3−ビス(4−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ビス(4−アミノフェニル)トリシロキサン、1,1,3,3,−テトラフェニル−1,3−ビス(2−アミノフェニル)ジシロキサン、1,1,3,3,−テトラフェニル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,5,5,−テトラフェニル−3,3−ジメチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,5,5,−テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(3−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5,−テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(3−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3,−テトラメチル−1,3−ビス(2−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3,−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3,−テトラメチル−1,3−ビス(4−アミノブチル)ジシロキサン、1,3−ジメチル−1,3−ジメトキシ−1,3−ビス(4−アミノブチル)ジシロキサン、1,1,5,5,−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(2−アミノエチル)トリシロキサン、1,1,5,5,−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(4−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5,−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(5−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサエチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサプロピル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、等が挙げられる。また、一般式(1)で表される、比較的入手しやすいジアミンとして、信越化学工業株式会社製のKF−8010、X−22−161A、X−22−161B、X−22−1660B―3、KF−8008、KF−8012、Xー22−9362、等を挙げることができる。上記ジアミンは単独で用いてもよく、2種以上を混合してもよい。   The diamine represented by the general formula (1) is 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (4-aminophenyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy. -1,3-bis (4-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-bis (4-aminophenyl) trisiloxane, 1,1,3,3 , -Tetraphenyl-1,3-bis (2-aminophenyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,5 , 5, -tetraphenyl-3,3-dimethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, 1,1,5,5, -tetraphenyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (3-Aminobutyl) trisiloxane, 1,1,5,5,- Traphenyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (3-aminopentyl) trisiloxane, 1,1,3,3, -tetramethyl-1,3-bis (2-aminoethyl) disiloxane, , 1,3,3-Tetramethyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (4-aminobutyl) disiloxane 1,3-dimethyl-1,3-dimethoxy-1,3-bis (4-aminobutyl) disiloxane, 1,1,5,5, -tetramethyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (2-Aminoethyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetramethyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (4-aminobutyl) trisiloxane, 1,1,5,5,- Tetramethyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (5- Aminopentyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5,5-hexaethyl-1, Examples include 5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5,5-hexapropyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, and the like. In addition, as relatively easily available diamines represented by the general formula (1), KF-8010, X-22-161A, X-22-161B, X-22-1660B-3 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. , KF-8008, KF-8012, X-22-9362, and the like. The said diamine may be used independently and may mix 2 or more types.

得られるポリイミド樹脂aの耐熱性向上や、可溶性のポリイミド樹脂aを得ること等を目的として、上述のジアミンと他のジアミンとを組み合わせて使用することも好ましく用いられる。他のジアミン成分としては、あらゆるジアミンを使用することが可能であり、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、m−アミノベンジルアミン、p−アミノベンジルアミン、ビス(3−アミノフェニル)スルフィド、(3−アミノフェニル)(4−アミノフェニル)スルフィド、ビス(4−アミノフェニル)スルフィド、ビス(3−アミノフェニル)スルホキシド、(3−アミノフェニル)(4−アミノフェニル)スルホキシド、ビス(3−アミノフェニル)スルホン、(3−アミノフェニル)(4−アミノフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェニル)スルホン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホキシド、ビス[4−(アミノフェノキシ)フェニル]スルホキシド、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルチオエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルチオエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルチオエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、3,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、3,4’−ジアミノベンズアニリド、3,3’−ジアミノベンズアニリド、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4−(4−アミノフェニキシ)フェニル]メタン、1,1−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、4,4’−ビス[3−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、ビス[4−{4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ}フェニル]スルホン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニルなどを挙げることができる。   For the purpose of improving the heat resistance of the obtained polyimide resin a, obtaining a soluble polyimide resin a, and the like, it is also preferable to use a combination of the above diamine and another diamine. As the other diamine component, any diamine can be used, and m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, p-phenylenediamine, m-aminobenzylamine, p-aminobenzylamine, bis (3-amino). Phenyl) sulfide, (3-aminophenyl) (4-aminophenyl) sulfide, bis (4-aminophenyl) sulfide, bis (3-aminophenyl) sulfoxide, (3-aminophenyl) (4-aminophenyl) sulfoxide, Bis (3-aminophenyl) sulfone, (3-aminophenyl) (4-aminophenyl) sulfone, bis (4-aminophenyl) sulfone, 3,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzophenone, 3, 3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-di Minodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, bis [4- (Aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylthioether, 3,4′-diamino Diphenylthioether, 3,3'-diaminodiphenylthioether, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfur 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminobenzanilide, 3,4'-diaminobenzanilide, 3,3'-diaminobenzanilide, 4, 4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane 1,1-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (3-aminophenoxy) ) Phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 2,2-bis [4- (3-aminophenyl) Enoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,2-bis [3- (3-Aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3 3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4′-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4, 4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3- Minophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (3-Aminophenoxy) benzoyl] benzene, 4,4′-bis [3- (4-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4′-bis [3- (3-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] ben Phenone, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] diphenylsulfone, bis [4- {4- (4-aminophenoxy) phenoxy} phenyl] sulfone, 1,4 -Bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 3,3′- Examples thereof include dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl.

一般式(1)で表されるジアミンは、全ジアミン成分に対して2〜100モル%が好ましく、より好ましくは5〜100モル%である。一般式(1)で表されるジアミンが、全ジアミン成分に対して2モル%より少ない場合、層Aと無電解めっき皮膜との接着強度が低くなったり、得られるポリイミド樹脂の可溶性が低下する場合がある。   2-100 mol% is preferable with respect to all the diamine components, and, as for the diamine represented by General formula (1), More preferably, it is 5-100 mol%. When the diamine represented by the general formula (1) is less than 2 mol% with respect to the total diamine component, the adhesive strength between the layer A and the electroless plating film is lowered, or the solubility of the resulting polyimide resin is lowered. There is a case.

このようにして得られたポリアミド酸溶液を、熱的または化学的方法により脱水閉環し、ポリイミドを得るが、ポリアミド酸溶液を熱処理して脱水する熱的方法、脱水剤を用いて脱水する化学的方法のいずれも用いることができる。また、減圧下で加熱してイミド化する方法も用いることができる。以下に各方法について説明する。   The polyamic acid solution thus obtained is subjected to dehydration and ring closure by a thermal or chemical method to obtain a polyimide. The polyamic acid solution is dehydrated by heat treatment, and the dehydrating agent is chemically dehydrated. Any of the methods can be used. Moreover, the method of imidating by heating under reduced pressure can also be used. Each method will be described below.

熱的に脱水閉環する方法として、前記ポリアミド酸溶液を加熱処理によりイミド化反応を進行させると同時に、溶媒を蒸発させる方法を例示することができる。この方法により、固形のポリイミド樹脂を得ることができる。加熱の条件はとくに限定されないが、200℃以下の温度で1秒〜200分の時間の範囲で行なうことが好ましい。   As a method of thermally dehydrating and cyclizing, a method of evaporating the solvent at the same time that the polyamic acid solution is subjected to an imidation reaction by heat treatment can be exemplified. By this method, a solid polyimide resin can be obtained. The heating conditions are not particularly limited, but it is preferably performed at a temperature of 200 ° C. or lower for a time range of 1 second to 200 minutes.

また、化学的に脱水閉環する方法として、前記ポリアミド酸溶液に化学量論以上の脱水剤と触媒を加えることにより、脱水反応を起こし、有機溶媒を蒸発させる方法を例示することができる。これにより、固形のポリイミド樹脂を得ることができる。脱水剤としては、たとえば、無水酢酸などの脂肪族酸無水物、無水安息香酸などの芳香族酸無水物などがあげられる。また、触媒としては、たとえば、トリエチルアミンなどの脂肪族第3級アミン類、ジメチルアニリンなどの芳香族第3級アミン類、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、イソキノリンなどの複素環式第3級アミン類などがあげられる。化学的に脱水閉環する際の条件は、100℃以下の温度が好ましく、有機溶媒の蒸発は、200℃以下の温度で約5分〜120分の時間の範囲で行なうことが好ましい。   Further, as a method of chemically dehydrating and cyclizing, a method of causing a dehydration reaction by adding a dehydrating agent and a catalyst having a stoichiometric amount or more to the polyamic acid solution and evaporating the organic solvent can be exemplified. Thereby, a solid polyimide resin can be obtained. Examples of the dehydrating agent include aliphatic acid anhydrides such as acetic anhydride and aromatic acid anhydrides such as benzoic anhydride. Examples of the catalyst include aliphatic tertiary amines such as triethylamine, aromatic tertiary amines such as dimethylaniline, and heterocyclic rings such as pyridine, α-picoline, β-picoline, γ-picoline, and isoquinoline. And tertiary amines of the formula. The conditions for chemically dehydrating and cyclizing are preferably 100 ° C. or less, and the organic solvent is preferably evaporated at a temperature of 200 ° C. or less for a period of about 5 minutes to 120 minutes.

また、ポリイミド樹脂を得るための別の方法として、前記の熱的または化学的に脱水閉環する方法において、溶媒の蒸発を行なわない方法もある。具体的には、熱的イミド化処理または脱水剤による化学的イミド化処理を行なって得られるポリイミド溶液を貧溶媒中に投入して、ポリイミド樹脂を析出させ、未反応モノマーを取り除いて精製、乾燥させ、固形のポリイミド樹脂を得る方法である。貧溶媒としては、溶媒とは良好に混合するがポリイミドは溶解しにくい性質のものを選択する。例示すると、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ベンゼン、メチルセロソルブ、メチルエチルケトンなどがあげられるが、これらに限定されない。   Further, as another method for obtaining a polyimide resin, there is a method in which the solvent is not evaporated in the thermal or chemical dehydration ring closure method. Specifically, a polyimide solution obtained by performing a thermal imidization treatment or a chemical imidization treatment with a dehydrating agent is put into a poor solvent, a polyimide resin is precipitated, and unreacted monomers are removed and purified and dried. And obtaining a solid polyimide resin. As the poor solvent, a solvent that is well mixed with the solvent but is difficult to dissolve polyimide is selected. Illustrative examples include, but are not limited to, acetone, methanol, ethanol, isopropanol, benzene, methyl cellosolve, methyl ethyl ketone, and the like.

つぎに、減圧下で加熱してイミド化する方法であるが、このイミド化の方法によれば、イミド化によって生成する水を積極的に系外に除去できるので、ポリアミド酸の加水分解を抑えることが可能であり、高分子量のポリイミドが得られる。また、この方法によれば、原料の酸二無水物中に不純物として存在する片側または両側開環物が再閉環するので、より一層の分子量の向上効果が期待できる。   Next, although it is the method of imidating by heating under reduced pressure, according to this imidization method, water generated by imidization can be actively removed out of the system, so that hydrolysis of polyamic acid is suppressed. And a high molecular weight polyimide is obtained. In addition, according to this method, one-sided or both-side ring-opened products existing as impurities in the raw acid dianhydride are closed again, so that a further improvement in molecular weight can be expected.

減圧下で加熱イミド化する方法の加熱条件は、80〜400℃が好ましいが、イミド化が効率よく行なわれ、しかも水が効率よく除かれる100℃以上がより好ましく、さらに好ましくは120℃以上である。最高温度は目的とするポリイミドの熱分解温度以下が好ましく、通常のイミド化の完結温度、すなわち250〜350℃程度が通常適用される。減圧する圧力の条件は、小さいほうが好ましいが、具体的には、9×104〜1×102Pa、好ましくは8×104〜1×102Pa、より好ましくは7×104〜1×102Paである。   The heating condition of the method of heating imidization under reduced pressure is preferably 80 to 400 ° C., more preferably 100 ° C. or more, more preferably 120 ° C. or more, in which imidization is efficiently performed and water is efficiently removed. is there. The maximum temperature is preferably equal to or lower than the thermal decomposition temperature of the target polyimide, and a normal imidation completion temperature, that is, about 250 to 350 ° C. is usually applied. The condition for the pressure to be reduced is preferably smaller, but specifically, 9 × 10 4 to 1 × 10 2 Pa, preferably 8 × 10 4 to 1 × 10 2 Pa, more preferably 7 × 10 4 to 1 × 10 2 Pa.

以上、層Aを構成するポリイミド樹脂aについて説明したが、市販のシロキサン構造を有するポリイミド樹脂も用いてもよい。層Aに用いることができる、比較的入手しやすいシロキサン構造を含むポリイミド樹脂の例として、信越化学工業株式会社製のXー22−8917、Xー22−8904、Xー22−8951、Xー22−8956、Xー22−8984、Xー22−8985、等を挙げることができる。尚、これらはポリイミド溶液であるので、ポリイミド樹脂aを含む溶液としてそのまま用いることもできる。   Although the polyimide resin a constituting the layer A has been described above, a commercially available polyimide resin having a siloxane structure may also be used. Examples of polyimide resins containing a relatively easily available siloxane structure that can be used for layer A include X-22-8915, X-22-8904, X-22-8951, and X-manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 22-8156, X-22-8984, X-22-8985, and the like. In addition, since these are polyimide solutions, they can be used as they are as a solution containing the polyimide resin a.

こうして得られたシロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを溶媒に溶解して、ポリイミド樹脂aを含む溶液とする。溶媒としては、樹脂成分を溶解するいかなる溶媒をも使用することができる。ここで溶解するとは、溶媒に対して樹脂成分が1重量%以上溶解することをいう。   The polyimide resin a having a siloxane structure thus obtained is dissolved in a solvent to obtain a solution containing the polyimide resin a. Any solvent that dissolves the resin component can be used as the solvent. Here, dissolving means that the resin component is dissolved by 1% by weight or more with respect to the solvent.

本発明のポリイミド樹脂aを含有する溶液に用いられる溶媒としては、乾燥時の発泡を抑えるという観点や、残溶媒を低減するという観点から、沸点が230℃以下であることが好ましい。その例としては、テトラヒドロフラン(以下、THFと略す。沸点66℃)、1,4−ジオキサン(以下、ジオキサンと略す。沸点103℃)、モノグライム(沸点84℃)、ジオキソラン(沸点76℃)、トルエン(沸点110℃)、テトラヒドロピラン(沸点88℃)、ジメトキシエタン(沸点85℃)、N,N−ジメチルホルムアミド(沸点153℃)、N−メチル−2−ピロリドン(沸点205℃)等を挙げることができる。以上例示した以外にも沸点が230℃以下である溶媒であれば、好ましく用いることが可能である。これらは、1種で使用しても良いし、2種以上組み合わせて用いることもできる。   The solvent used in the solution containing the polyimide resin a of the present invention preferably has a boiling point of 230 ° C. or less from the viewpoint of suppressing foaming during drying and reducing the residual solvent. Examples include tetrahydrofuran (hereinafter abbreviated as THF, boiling point 66 ° C.), 1,4-dioxane (hereinafter abbreviated as dioxane, boiling point 103 ° C.), monoglyme (boiling point 84 ° C.), dioxolane (boiling point 76 ° C.), toluene. (Boiling point 110 ° C), tetrahydropyran (boiling point 88 ° C), dimethoxyethane (boiling point 85 ° C), N, N-dimethylformamide (boiling point 153 ° C), N-methyl-2-pyrrolidone (boiling point 205 ° C), etc. Can do. In addition to those exemplified above, any solvent having a boiling point of 230 ° C. or lower can be preferably used. These may be used alone or in combination of two or more.

また、例えば、ポリアミド酸溶液を熱的若しくは化学的にイミド化し、その溶液を、ポリイミド樹脂aを含む溶液としてもよい。   Further, for example, the polyamic acid solution may be imidized thermally or chemically, and the solution may be a solution containing the polyimide resin a.

シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液には、得られる材料の耐熱性向上等の目的で、他の成分を含有させることも可能である。他の成分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などの樹脂を適宜使用することができる。熱可塑性樹脂としては、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂等を挙げることができ、これらを単独または適宜組み合わせて用いることができる。また、熱硬化性樹脂としては、ビスマレイミド樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、フェノール樹脂、シアナート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、トリアジン樹脂、ヒドロシリル硬化樹脂、アリル硬化樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などをあげることができ、これらを単独または適宜組み合わせて用いることができる。また、前記熱硬化性樹脂以外に、高分子鎖の側鎖または末端に、エポキシ基、アリル基、ビニル基、アルコキシシリル基、ヒドロシリル基などの反応性基を有する側鎖反応性基型熱硬化性高分子を使用することも可能である。   The solution containing the polyimide resin a having a siloxane structure may contain other components for the purpose of improving the heat resistance of the obtained material. As other components, resins such as thermoplastic resins and thermosetting resins can be used as appropriate. Examples of the thermoplastic resin include a polysulfone resin, a polyethersulfone resin, a polyphenylene ether resin, a phenoxy resin, and a thermoplastic polyimide resin, and these can be used alone or in appropriate combination. Thermosetting resins include bismaleimide resin, bisallyl nadiimide resin, phenol resin, cyanate resin, epoxy resin, acrylic resin, methacrylic resin, triazine resin, hydrosilyl cured resin, allyl cured resin, unsaturated polyester resin, etc. These can be used alone or in appropriate combination. In addition to the thermosetting resin, a side chain reactive group type thermosetting having a reactive group such as an epoxy group, an allyl group, a vinyl group, an alkoxysilyl group or a hydrosilyl group at the side chain or terminal of the polymer chain. It is also possible to use a functional polymer.

また、層Aと無電解めっき皮膜との接着性をより向上させる目的で、各種添加剤を高分子材料に添加、高分子材料表面に塗布等の方法で存在させることも可能である。具体的には有機チオール化合物などを挙げることができるが、これに限定されない。   In addition, for the purpose of further improving the adhesion between the layer A and the electroless plating film, various additives may be added to the polymer material and may be present on the surface of the polymer material by a method such as coating. Specific examples include organic thiol compounds, but are not limited thereto.

また、層Aを形成した場合に、微細配線形成を阻害しない程度の表面粗度を形成し、無電解めっき皮膜との接着性を高める目的で、各種有機フィラー、無機フィラーを添加することもできる。上述の他の成分は、微細配線形成に悪影響を及ぼす程に層Aの表面粗度を大きくしない、また、層Aと無電解めっき皮膜との接着性を低下させない範囲で組み合わせることが重要であり、この点には注意を要する。   In addition, when the layer A is formed, various organic fillers and inorganic fillers can be added for the purpose of forming a surface roughness that does not hinder the formation of fine wiring and enhancing adhesion to the electroless plating film. . It is important to combine the above-mentioned other components within a range that does not increase the surface roughness of the layer A to such an extent that the fine wiring formation is adversely affected, and does not reduce the adhesion between the layer A and the electroless plating film. This point needs attention.

層Aに含まれるシロキサン構造を有するポリイミド樹脂aの割合は、30重量%〜100重量%であることが、表面粗度と無電解めっき皮膜との接着性とのバランスが優れるという点から好ましい。   The ratio of the polyimide resin a having a siloxane structure contained in the layer A is preferably 30% by weight to 100% by weight from the viewpoint that the balance between the surface roughness and the adhesion with the electroless plating film is excellent.

(支持体)
本発明のめっき用材料に用いる支持体としては、各種高分子フィルムや、銅箔、アルミ箔などの金属箔などを用いることができる。本発明では、支持体が除去された表面に金属層を形成すればよいが、この製造方法の場合、支持体の表面状態が層Aに転写するので、支持体の表面粗度が充分小さいことが好ましい。ここで、本発明の層Aの表面粗度を充分小さく保つためには、支持体の表面粗度が、カットオフ値0.002mmで測定した算術平均粗さRaで0.5μm未満であることが好ましい。このため、本発明に用いる支持体としては高分子フィルムが好ましい。高分子フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素樹脂フィルム等が挙げられる。また、離形性を高める等の目的でこれら高分子フィルムに各種表面処理を施すことも好ましい。
(Support)
As the support used for the plating material of the present invention, various polymer films, metal foils such as copper foil and aluminum foil, and the like can be used. In the present invention, a metal layer may be formed on the surface from which the support has been removed, but in the case of this production method, since the surface state of the support is transferred to layer A, the surface roughness of the support is sufficiently small. Is preferred. Here, in order to keep the surface roughness of the layer A of the present invention sufficiently small, the surface roughness of the support is an arithmetic average roughness Ra measured at a cutoff value of 0.002 mm and less than 0.5 μm. Is preferred. For this reason, a polymer film is preferred as the support used in the present invention. Examples of the polymer film include a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, a polyethylene film, a polypropylene film, and a fluororesin film. It is also preferable to subject these polymer films to various surface treatments for the purpose of improving releasability.

(高分子フィルム)
この製造方法を好ましく適用できるめっき用材料として、層A/高分子フィルムとから構成される材料や、層A/高分子フィルム/層Aとから構成される材料、また、層A/高分子フィルム/層Bとから構成される材料等の、高分子フィルム直上に層Aが形成されているめっき用材料を挙げることができる。
(Polymer film)
As a plating material to which this production method can be preferably applied, a material composed of layer A / polymer film, a material composed of layer A / polymer film / layer A, and layer A / polymer film A material for plating in which the layer A is formed directly on the polymer film, such as a material composed of / layer B, can be mentioned.

ここで用いられる高分子フィルムは、上述の支持体とは異なり、除去されるものではなく、めっき用材料を構成する一部分として用いられるものであり、 フレキシブルプリント配線板用途においては、基材としての役割や、柔軟性や耐熱性を付与する等の役目を果たし、またビルドアップ配線板のような多層プリント配線板用途においては、低熱膨張性や高絶縁性、絶縁層厚みの均一性を保つ等の役割を果たす。高分子フィルムとしては特に限定はないが、耐熱性、低熱膨張性の観点から、非熱可塑性ポリイミドフィルムが好ましい。   Unlike the above-described support, the polymer film used here is not removed, but is used as a part of the plating material. In flexible printed wiring board applications, It plays a role such as role, flexibility and heat resistance, etc., and in multilayer printed wiring board applications such as build-up wiring boards, it maintains low thermal expansion, high insulation, uniformity of insulation layer thickness, etc. To play a role. The polymer film is not particularly limited, but a non-thermoplastic polyimide film is preferable from the viewpoint of heat resistance and low thermal expansion.

(層Aの形成方法)
ポリイミド樹脂aを含有する溶液は、無電解めっきを形成したい材料上に浸漬、スプレーによるコーティング、スピンコート等公知の方法により塗布することにより層Aを形成することができる。
(Formation method of layer A)
A layer A can be formed by applying a solution containing the polyimide resin a by a known method such as dipping, spray coating, or spin coating on a material for which electroless plating is to be formed.

あるいは、ポリイミド樹脂aを含有する溶液を上述の支持体上に塗布することにより層Aを形成することができる。この方法により、支持体/層A構成の、支持体付きめっき用材料を得ることができる。また、層A側にさらに層Bを形成することにより、支持体/層A/層B構成の支持体付きめっき用材料を得ることができる。層Bの形成方法としては、層Bを形成する溶液を、上記支持体付きめっき用材料の層A側に塗布、必要に応じて乾燥する方法を挙げることができる。また、予めフィルム状に形成された層Bと、上記支持体付きめっき用材料とを、層Aと層Bとが対向するように重ねて、プレス、ラミネート等の方法により圧着させることにより、上記支持体付きめっき用材料に層Bを形成することも可能である。   Or the layer A can be formed by apply | coating the solution containing the polyimide resin a on the above-mentioned support body. By this method, a support-equipped plating material having a support / layer A configuration can be obtained. Further, by further forming layer B on the layer A side, a plating material with a support having a structure of support / layer A / layer B can be obtained. Examples of the method for forming the layer B include a method in which the solution for forming the layer B is applied to the layer A side of the plating material with support and dried as necessary. Further, the layer B formed in advance in a film shape and the plating material with a support are overlapped so that the layer A and the layer B face each other, and are subjected to pressure bonding by a method such as pressing or laminating. It is also possible to form the layer B on the plating material with a support.

本発明のめっき用材料の製造方法の別の方法としては、高分子フィルム上にポリイミド樹脂aを含有する溶液を塗布して層Aを形成することを特徴とするめっき用材料の製造方法を挙げることができる。この製造方法を好ましく適用できるめっき用材料としては、層A/高分子フィルムとから構成される材料や、層A/高分子フィルム/層Aとから構成される材料、また、層A/高分子フィルム/層Bとから構成される材料等の、高分子フィルム直上に層Aが形成されているめっき用材料を挙げることができる。   Another method for producing the plating material according to the present invention is a method for producing a plating material characterized in that a layer A is formed by applying a solution containing a polyimide resin a onto a polymer film. be able to. Plating materials to which this production method can be preferably applied include materials composed of layer A / polymer film, materials composed of layer A / polymer film / layer A, and layer A / polymer. Examples thereof include a plating material in which the layer A is formed immediately above the polymer film, such as a material composed of the film / layer B.

ここで、高分子フィルムとしては特に限定はないが、耐熱性、低熱膨張性の観点から、非熱可塑性ポリイミドフィルムが好ましい。   Here, the polymer film is not particularly limited, but a non-thermoplastic polyimide film is preferable from the viewpoint of heat resistance and low thermal expansion.

高分子フィルム上に、ポリイミド樹脂aを含有する溶液を浸漬、スプレーによるコーティング、スピンコート等公知の方法により塗布、必要に応じて乾燥することにより、層A/高分子フィルム構成のめっき用材料を得ることができる。また、高分子フィルム側にさらに層Aや、層Bを形成することにより、層A/高分子フィルム/層A構成や、層A/高分子フィルム/層B構成のめっき用材料を得ることができる。   On the polymer film, a solution containing the polyimide resin a is applied by a known method such as dipping, spray coating, spin coating, etc., and dried as necessary to obtain a layer A / polymer film configuration plating material. Obtainable. Further, by further forming layer A or layer B on the polymer film side, a plating material having a layer A / polymer film / layer A configuration or a layer A / polymer film / layer B configuration can be obtained. it can.

本発明においては、層A上に無電解めっき皮膜を形成した場合の無電解めっき皮膜との接着をより強固なものにするために、溶液状態での安定性に欠けるポリアミド酸ではなく、溶液状態で安定であるポリイミド樹脂を含有するポリイミド樹脂溶液を塗布することが重要である。ポリイミド樹脂aに対応するポリアミド酸の溶液を、無電解めっきを形成したい材料、あるいは支持体上に塗布後、乾燥およびイミド化して形成されたポリイミド樹脂aを有する層の上に、無電解めっき皮膜を形成した場合に比較して、さらに優れた接着性を示す。   In the present invention, in order to make the adhesion with the electroless plating film stronger when the electroless plating film is formed on the layer A, it is not a polyamic acid lacking stability in a solution state but a solution state. It is important to apply a polyimide resin solution containing a stable and stable polyimide resin. An electroless plating film is formed on a layer having a polyimide resin a formed by applying a solution of polyamic acid corresponding to the polyimide resin a on a material on which an electroless plating is to be formed or a support and then drying and imidizing. Compared with the case of forming, the further excellent adhesion.

このようにして形成された無電解めっきを施すための層Aの「層」とは、1nm以上の厚みを有する層のことをいう。   The “layer” of the layer A for applying electroless plating thus formed refers to a layer having a thickness of 1 nm or more.

このように形成された層Aは、表面粗度が小さい場合でも無電解めっき層との接着強度が高いという利点を有する。ここで、本発明でいう表面粗度は、カットオフ値0.002mmで測定した算術平均粗さRaで表すことができる。算術平均粗さRaとは、JIS B 0601(平成6年2月1日改正版)に定義されている。特に本発明の算術平均粗さRaの数値は、光干渉式の表面構造解析装置で表面を観察により求められた数値を示す。本発明のカットオフ値とは、上記JIS B 0601に記載されているが、断面曲線(実測データ)から粗さ曲線を得る際に設定する波長を示す。即ち、カットオフ値が0.002mmで測定した値Raとは、実測データから0.002mmよりも長い波長を有する凹凸を除去した粗さ曲線から算出された算術平均粗さである。     The layer A thus formed has an advantage that the adhesive strength with the electroless plating layer is high even when the surface roughness is small. Here, the surface roughness referred to in the present invention can be represented by an arithmetic average roughness Ra measured at a cutoff value of 0.002 mm. Arithmetic mean roughness Ra is defined in JIS B 0601 (revised on February 1, 1994). In particular, the numerical value of the arithmetic average roughness Ra of the present invention is a numerical value obtained by observing the surface with an optical interference type surface structure analyzer. The cutoff value of the present invention is described in the above JIS B 0601, and indicates a wavelength set when a roughness curve is obtained from a cross-sectional curve (measured data). That is, the value Ra measured with a cut-off value of 0.002 mm is an arithmetic average roughness calculated from a roughness curve obtained by removing irregularities having a wavelength longer than 0.002 mm from measured data.

本発明の層Aの表面粗度は、カットオフ値0.002mmで測定した算術平均粗さRaで0.5μm未満であることが好ましい。この条件を満たす場合、特に本発明のめっき用材料をプリント配線板用途で使用する際には、良好な微細配線形成性を有する。このような表面を有する状態にするには、サンドブラスト等の物理的な表面粗化や、アルカリ可溶性成分を配合し、アルカリ溶液で処理する等の化学的な表面粗化を実施しないことが必要である。   The surface roughness of the layer A of the present invention is preferably less than 0.5 μm in arithmetic average roughness Ra measured at a cutoff value of 0.002 mm. When this condition is satisfied, particularly when the plating material of the present invention is used for printed wiring board applications, it has good fine wiring formability. In order to have such a surface, it is necessary not to perform physical surface roughening such as sandblasting or chemical surface roughening such as blending an alkali-soluble component and treating with an alkali solution. is there.

(本発明の製造方法により得られるめっき用材料の構成)
本発明の製造方法により得られるめっき用材料の構成について詳述すると、層Aを有しさえすればいかなる構成からなる材料であっても構わない。例えば、本発明のめっき用材料を、例えばビルドアップ配線板等に適用する場合、層Aを構成する材料のみからなるフィルム状材料であっても良いし、層Aと、形成された回路と対向させるための層Bとから構成される材料であっても良いし、層A/高分子フィルム/層Bとから構成される材料であっても良い。また、本発明のめっき用材料を、例えばフレキシブルプリント配線板に適用する場合、層A/高分子フィルムとから構成される材料であっても良いし、層A/高分子フィルム/層Aとから構成される材料であっても良い。
(Configuration of plating material obtained by the production method of the present invention)
The structure of the plating material obtained by the production method of the present invention will be described in detail. As long as the layer A is provided, any material may be used. For example, when the plating material of the present invention is applied to, for example, a build-up wiring board or the like, it may be a film material made only of the material constituting the layer A, or may be opposed to the layer A and the formed circuit. The material comprised from the layer B for making it may be sufficient, and the material comprised from layer A / polymer film / layer B may be sufficient. Further, when the plating material of the present invention is applied to, for example, a flexible printed wiring board, it may be a material composed of layer A / polymer film, or from layer A / polymer film / layer A. It may be a composed material.

層Bは、形成された回路を有する表面に対して積層する際、回路間に層Bが流動して、回路を埋め込むことができる、優れた加工性が必要である。一般に、熱硬化性樹脂は上記加工性に優れており、層Bには熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。この熱硬化性樹脂組成物としてはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、シアナートエステル樹脂、ヒドロシリル硬化樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、アリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂;高分子鎖の側鎖または末端にアリル基、ビニル基、アルコキシシリル基、ヒドロシリル基等の反応性基を有する側鎖反応性基型熱硬化性高分子を適切な熱硬化剤、硬化触媒と組み合わせた熱硬化性樹脂組成物として適用可能である。この中でも、優れた加工性を有する層Bが得られる点から、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。   When the layer B is laminated on the surface having the formed circuit, the layer B needs to have excellent workability so that the layer B flows between the circuits and the circuit can be embedded. In general, the thermosetting resin is excellent in the processability, and the layer B preferably contains a thermosetting resin. This thermosetting resin composition includes epoxy resin, phenol resin, thermosetting polyimide resin, cyanate ester resin, hydrosilyl cured resin, bismaleimide resin, bisallyl nadiimide resin, acrylic resin, methacrylic resin, allyl resin, Thermosetting resin such as saturated polyester resin; side chain reactive group type thermosetting polymer having reactive groups such as allyl group, vinyl group, alkoxysilyl group, hydrosilyl group at the side chain or terminal of polymer chain It can be applied as a thermosetting resin composition in combination with an appropriate thermosetting agent and a curing catalyst. Among these, it is preferable that an epoxy resin is included from the viewpoint of obtaining a layer B having excellent processability.

これらの熱硬化性樹脂組成物に更に熱可塑性樹脂を添加してもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂等を挙げることができ、これらを単独または適宜組み合わせて用いることができる。また、低熱膨張性発現のため、各種フィラーを組み合わせることも可能である。   A thermoplastic resin may be further added to these thermosetting resin compositions. Examples of the thermoplastic resin include a polysulfone resin, a polyethersulfone resin, a polyphenylene ether resin, a phenoxy resin, and a thermoplastic polyimide resin, and these can be used alone or in appropriate combination. In addition, various fillers can be combined for low thermal expansion.

高分子フィルムとしては、特に限定はなく、あらゆる高分子フィルムを使用することが可能であるが、耐熱性、低熱膨張性の観点から、非熱可塑性ポリイミドフィルムが好ましい。   The polymer film is not particularly limited, and any polymer film can be used, but a non-thermoplastic polyimide film is preferable from the viewpoints of heat resistance and low thermal expansion.

(本発明のめっき用材料の製造方法により得られるめっき用材料の利用)
本発明のめっき用材料の製造方法により得られるめっき用材料の利用方法として、無電解めっきの形成方法、本発明の製造方法により得られる無電解めっき用材料の代表的な用途であるプリント配線板の順で説明する。
(Utilization of plating material obtained by the method for manufacturing a plating material of the present invention)
As a method of using the plating material obtained by the method for producing a plating material of the present invention, a printed wiring board which is a typical use of the electroless plating material obtained by the production method of the present invention and the electroless plating method This will be explained in the order.

(無電解めっき)
本発明に係る無電解めっきとしては、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解金めっき、無電解銀めっき、無電解錫めっき、等を挙げる事ができ本発明に使用可能であるが、工業的観点、耐マイグレーション性等の電気特性の観点より、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきが好ましく、特に好ましくは無電解銅めっきである。本発明のめっき用材料に無電解めっきをする場合、本発明のめっき用材料に直接無電解めっきを施してもよいし、デスミア処理などの各種表面処理を施した後、無電解めっきを施してもよい。
(Electroless plating)
Examples of the electroless plating according to the present invention include electroless copper plating, electroless nickel plating, electroless gold plating, electroless silver plating, electroless tin plating, and the like. From the viewpoint of electrical characteristics such as industrial viewpoint and migration resistance, electroless copper plating and electroless nickel plating are preferable, and electroless copper plating is particularly preferable. When electroless plating is applied to the plating material of the present invention, the electroplating material of the present invention may be directly applied, or after various surface treatments such as desmear treatment, the electroless plating is performed. Also good.

<プリント配線板>
以下に本発明の製造方法により得ためっき用材料を用いたプリント配線板の製造方法を例示する。
<Printed wiring board>
Below, the manufacturing method of the printed wiring board using the material for plating obtained by the manufacturing method of this invention is illustrated.

まず本発明のめっき用材料の製造方法により得られるめっき用材料が、層Aを含むめっき用材料/支持体からなる構成の場合について述べる。この材料をフレキシブルプリント配線板等の用途に用いる場合、支持体を除去した後、層A上に無電解めっきを施し、配線パターン用の金属層を得た後に配線形成し、片面若しくは両面プリント配線板を得ることができる。層Aの支持体に接している側の面は埃等の付着が抑えられるため、この面に無電解めっきを施すことが好ましい。また、配線形成方法としては、セミアディティブ工法、サブトラクティブ工法のいずれの工法を適用しても良い。   First, the case where the plating material obtained by the method for producing a plating material of the present invention is composed of a plating material / support including the layer A will be described. When this material is used for applications such as flexible printed wiring boards, the support is removed, electroless plating is applied on layer A, a metal layer for a wiring pattern is obtained, wiring is formed, and single-sided or double-sided printed wiring A board can be obtained. Since the surface of the layer A that is in contact with the support is prevented from adhering dust and the like, it is preferable to apply electroless plating to this surface. Moreover, as a wiring formation method, any of a semi-additive method and a subtractive method may be applied.

また、上記材料をビルドアップ配線板等の多層配線板に用いる場合、順に、本発明のめっき用材料、回路パターンが形成された内層基板を積層し、その後支持体を除去し、露出する層A表面に対し無電解めっきを行い、配線パターン用の金属層を得た後に配線形成し、多層プリント配線板を得ることができる。積層に際しては、熱プレス処理、真空プレス処理、ラミネート処理(熱ラミネート処理)、真空ラミネート処理、熱ロールラミネート処理、真空熱ロールラミネート処理等の熱圧着処理を行うことができる。積層時においては、層A表面を汚染しないために、層A側の直上に各種樹脂フィルムを合紙として用いることが好ましいが、層Aを有するめっき用材料/支持体構成の場合、支持体から剥離せず、そのまま合紙として用いることができる。また、多層プリント配線板には垂直方向の電気的接続の為にヴィアの形成が必要であるが、本発明のプリント配線板においては、レーザー、メカニカルドリル、パンチング等の公知の方法でヴィアを形成した後に、無電解めっきで導電化することが可能であり、好ましく実施される。   Further, when the above material is used for a multilayer wiring board such as a build-up wiring board, the plating material of the present invention and the inner layer substrate on which the circuit pattern is formed are sequentially laminated, and then the support is removed and the exposed layer A Electroless plating is performed on the surface to obtain a metal layer for a wiring pattern, and then wiring is formed to obtain a multilayer printed wiring board. At the time of lamination, thermocompression treatment such as heat press treatment, vacuum press treatment, laminating treatment (heat laminating treatment), vacuum laminating treatment, hot roll laminating treatment, vacuum hot roll laminating treatment can be performed. At the time of lamination, in order not to contaminate the surface of the layer A, it is preferable to use various resin films as interleaving paper immediately above the layer A side. However, in the case of the plating material / support structure having the layer A, from the support It does not peel off and can be used as a slip sheet as it is. In addition, vias must be formed on the multilayer printed wiring board for vertical electrical connection. In the printed wiring board of the present invention, vias are formed by a known method such as laser, mechanical drilling or punching. After that, it is possible to conduct by electroless plating, which is preferably performed.

次に、本発明のめっき用材料の製造方法により得られるめっき用材料が、層Aを含むめっき用材料/高分子フィルムからなる構成の場合について述べる。この材料をフレキシブルプリント配線板等の用途に用いる場合、層A上に無電解めっきを施し、配線パターン用の金属層を得た後に配線形成し、片面若しくは両面プリント配線板を得ることができる。配線形成方法としては、セミアディティブ工法、サブトラクティブ工法のいずれの工法を適用しても良い。   Next, the case where the plating material obtained by the method for producing a plating material of the present invention is composed of a plating material / layer containing the layer A will be described. When this material is used for applications such as a flexible printed wiring board, electroless plating is performed on the layer A to obtain a metal layer for a wiring pattern, and then wiring is formed to obtain a single-sided or double-sided printed wiring board. As a wiring formation method, any of a semi-additive method and a subtractive method may be applied.

また、上記材料をビルドアップ配線板等の多層配線板に用いる場合、順に、本発明のめっき用材料、回路パターンが形成された内層基板を積層し、露出した層A表面に対し無電解めっきを行い、配線パターン用の金属層を得た後に配線形成し、多層プリント配線板を得ることができる。積層に際しては、熱プレス処理、真空プレス処理、ラミネート処理(熱ラミネート処理)、真空ラミネート処理、熱ロールラミネート処理、真空熱ロールラミネート処理等の熱圧着処理を行うことができる。積層時においては、層A表面を汚染しないために、層A側の直上に各種樹脂フィルムを合紙として用いることが好ましい。また、多層プリント配線板には垂直方向の電気的接続の為にヴィアの形成が必要であるが、本発明のプリント配線板においては、レーザー、メカニカルドリル、パンチング等の公知の方法でヴィアを形成した後に、無電解めっきで導電化することが可能であり、好ましく実施される。   In addition, when using the above material for a multilayer wiring board such as a build-up wiring board, the plating material of the present invention and the inner layer substrate on which the circuit pattern is formed are laminated in order, and electroless plating is performed on the exposed layer A surface. Then, after obtaining a metal layer for a wiring pattern, wiring is formed, and a multilayer printed wiring board can be obtained. At the time of lamination, thermocompression treatment such as heat press treatment, vacuum press treatment, laminating treatment (heat laminating treatment), vacuum laminating treatment, hot roll laminating treatment, vacuum hot roll laminating treatment can be performed. At the time of lamination, in order not to contaminate the surface of the layer A, it is preferable to use various resin films as interleaving paper immediately above the layer A side. In addition, vias must be formed on the multilayer printed wiring board for vertical electrical connection. In the printed wiring board of the present invention, vias are formed by a known method such as laser, mechanical drilling or punching. After that, it is possible to conduct by electroless plating, which is preferably performed.

上記のプリント配線板を製造する工程において、無電解めっきを施す前にデスミア処理等の処理を施すことも可能である。また、層Aと無電解めっき層との接着性を向上させる目的で、無電解めっき層を形成後に加熱処理を施すことも可能である。   In the process of manufacturing the printed wiring board, it is possible to perform a treatment such as a desmear treatment before the electroless plating. Moreover, it is also possible to heat-process after forming an electroless-plating layer in order to improve the adhesiveness of the layer A and an electroless-plating layer.

本発明について、実施例に基づいてより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。当業者は本発明の範囲を逸脱することなく、種々の変更、修正、および改変を行うことができる。なお、本発明にかかるめっき用材料の特性として、接着性、表面粗度及び微細配線形成性は以下のように評価した。
〔接着性〕
〔接着性評価〕
層Aを有するめっき用材料/支持体からなる支持体付きめっき用材料とガラスエポキシ基板FR−4(商品番号:MCL−E−67、日立化成工業(株)社製;銅箔の厚さ50μm、全体の厚さ1.2mm)とを対向させ、温度170℃、圧力1MPa、真空下の条件で6分の加熱加圧を行った後、支持体を引き剥がして、130℃で10分、150℃で10分、180℃で30分加熱して、表面Aを有するめっき用材料/FR―4からなる積層体を得た。その後、露出する表面Aに銅層の形成を行った。銅層の形成は、デスミアおよび無電解銅めっきを行なった後、無電解めっき銅上に厚さ18μmの電解めっき銅層を形成して行った。その後、180℃、30分の乾燥処理を行った後、JPCA−BU01−1998(社団法人日本プリント回路工業会発行)に従い、常態、及びプレッシャークッカー試験(PCT)後の接着強度を測定した。尚、デスミアおよび無電解銅めっきは以下の表1〜2に記載のプロセスで実施した。
常態接着強度:温度25℃、湿度50%の雰囲気下、24時間放置した後に測定した接着強度。
PCT後接着強度:温度121℃、湿度100%の雰囲気下、96時間放置した後に測定した接着強度。
The present invention will be described more specifically based on examples, but the present invention is not limited to this. Those skilled in the art can make various changes, modifications, and alterations without departing from the scope of the present invention. In addition, as a characteristic of the material for plating concerning this invention, adhesiveness, surface roughness, and fine wiring formation property were evaluated as follows.
〔Adhesiveness〕
[Adhesion evaluation]
Plating material having layer A / Plating material with support consisting of support and glass epoxy substrate FR-4 (product number: MCL-E-67, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .; copper foil thickness 50 μm And the whole thickness 1.2 mm), and after heating and pressurizing for 6 minutes under the conditions of a temperature of 170 ° C., a pressure of 1 MPa, and a vacuum, the support is peeled off, and then at 130 ° C. for 10 minutes. Heating was carried out at 150 ° C. for 10 minutes and at 180 ° C. for 30 minutes to obtain a laminate made of plating material / FR-4 having surface A. Thereafter, a copper layer was formed on the exposed surface A. The copper layer was formed by performing desmearing and electroless copper plating, and then forming an electroplated copper layer having a thickness of 18 μm on the electroless plated copper. Thereafter, after drying at 180 ° C. for 30 minutes, the adhesive strength after normal and pressure cooker tests (PCT) was measured according to JPCA-BU01-1998 (published by Japan Printed Circuit Industry Association). In addition, desmear and electroless copper plating were implemented by the process of the following Tables 1-2.
Normal adhesive strength: Adhesive strength measured after standing for 24 hours in an atmosphere at a temperature of 25 ° C. and a humidity of 50%.
Adhesive strength after PCT: Adhesive strength measured after standing for 96 hours in an atmosphere of a temperature of 121 ° C. and a humidity of 100%.

Figure 0004647386
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Figure 0004647386
〔表面粗度Ra測定〕
上記接着性測定項目のサンプル作製手順において、デスミアまで行った状態のサンプルを用い、表面Aの表面粗度Raの測定を行った。測定は、光波干渉式表面粗さ計(ZYGO社製NewView5030システム)を用いて下記の条件で表面Aの算術平均粗さを測定した。
Figure 0004647386
[Surface roughness Ra measurement]
In the sample preparation procedure of the adhesiveness measurement item, the surface roughness Ra of the surface A was measured using a sample in a state where desmearing was performed. In the measurement, the arithmetic average roughness of the surface A was measured under the following conditions using a light wave interference type surface roughness meter (NewView 5030 system manufactured by ZYGO).

(測定条件)
対物レンズ:50倍ミラウ イメージズーム:2
FDA Res:Normal
解析条件:
Remove:Cylinder
Filter:High Pass
Filter Low Waven:0.002mm
〔微細配線形成性〕
層Aを有するめっき用材料/支持体からなる支持体付きめっき用材料とガラスエポキシ基板FR−4(商品番号:MCL−E−67、日立化成工業(株)社製;銅箔の厚さ50μm、全体の厚さ1.2mm)とを対向させ、温度170℃、圧力1MPa、真空下の条件で6分の加熱加圧を行った後、支持体を引き剥がして、130℃で10分、150℃で10分、180℃で30分加熱して、表面Aを有するめっき用材料/FR―4からなる積層体を得た。その後、露出する表面Aに、上記表1〜2に記載の条件にてデスミア、及び無電解銅めっきを施した。その後、形成した銅めっき層上にレジストパターンを形成し、厚み10μmの電解銅めっきを施した後、レジストパターンを剥離し、さらに露出しためっき銅を硫酸/過酸化水素系エッチャントで除去して、L/S=10μm/10μmの配線を有するプリント配線板を作製した。該プリント配線板の配線が、断線や形状不良なく良好に作製できている場合を合格(○)とし、断線や形状不良を生じている場合を不合格(×)として評価を行った。
(Measurement condition)
Objective lens: 50x Mirau Image zoom: 2
FDA Res: Normal
Analysis conditions:
Remove: Cylinder
Filter: High Pass
Filter Low Wave: 0.002mm
[Fine wiring formability]
Plating material having layer A / Plating material with support consisting of support and glass epoxy substrate FR-4 (product number: MCL-E-67, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .; copper foil thickness 50 μm And the whole thickness 1.2 mm), and after heating and pressurizing for 6 minutes under the conditions of a temperature of 170 ° C., a pressure of 1 MPa, and a vacuum, the support is peeled off, and then at 130 ° C. for 10 minutes. Heating was carried out at 150 ° C. for 10 minutes and at 180 ° C. for 30 minutes to obtain a laminate made of plating material / FR-4 having surface A. Thereafter, the exposed surface A was subjected to desmearing and electroless copper plating under the conditions described in Tables 1 and 2 above. Thereafter, a resist pattern is formed on the formed copper plating layer, and after applying electrolytic copper plating with a thickness of 10 μm, the resist pattern is peeled off, and the exposed plated copper is removed with a sulfuric acid / hydrogen peroxide-based etchant, A printed wiring board having a wiring of L / S = 10 μm / 10 μm was produced. The case where the wiring of this printed wiring board was able to produce satisfactorily without a disconnection and a shape defect was evaluated as a pass ((circle)), and the case where the disconnection and the shape defect were produced was evaluated as a rejection (x).

〔ポリイミド樹脂の合成例〕
容量2000mlのガラス製フラスコに、信越化学工業株式会社製KF−8010を37g(0.045mol)と、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル21g(0.105mol)と、N,N−ジメチルホルムアミド(以下、DMFと呼ぶ)を投入し、撹拌しながら溶解させ、4,4’−(4,4’−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(無水フタル酸)78g(0.15mol)を添加、約1時間撹拌し、固形分濃度30重量%ポリアミド酸のDMF溶液Xを得た。上記ポリアミド酸溶液をテフロン(登録商標)コートしたバットにとり、真空オーブンで、200℃、120分、665Paで減圧加熱し、ポリイミド樹脂1を得た。
[Synthesis example of polyimide resin]
In a glass flask with a volume of 2000 ml, 37 g (0.045 mol) of KF-8010 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 21 g (0.105 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether, N, N-dimethylformamide (hereinafter, DMF) was added and dissolved while stirring, and 78 g (0.15 mol) of 4,4 ′-(4,4′-isopropylidenediphenoxy) bis (phthalic anhydride) was added and stirred for about 1 hour. A DMF solution X of polyamic acid having a solid content concentration of 30% by weight was obtained. The polyamic acid solution was placed in a Teflon (registered trademark) -coated vat and heated in a vacuum oven at 200 ° C. for 120 minutes under reduced pressure at 665 Pa to obtain polyimide resin 1.

〔表面Aを形成する溶液の調合例1〕
ポリイミド樹脂1をジオキソランに溶解させ、層Aを形成する溶液(a)を得た。固形分濃度は20重量%となるようにした。
〔表面Aを形成する溶液の調合例2〕
ポリイミド樹脂1をジオキソランに溶解させ、層Aを形成する溶液(b)を得た。固形分濃度は5重量%となるようにした。
〔表面Aを形成する溶液の調合例3〕
上記ポリイミド樹脂の合成例において、固形分濃度30重量%ポリアミド酸のDMF溶液Xを5重量%にDMFにて調整し、層Aを形成する溶液(c)を得た。
[Formulation Example 1 of solution for forming surface A]
The polyimide resin 1 was dissolved in dioxolane to obtain a solution (a) for forming the layer A. The solid content concentration was set to 20% by weight.
[Formulation Example 2 of solution for forming surface A]
Polyimide resin 1 was dissolved in dioxolane to obtain a solution (b) for forming layer A. The solid content concentration was adjusted to 5% by weight.
[Example 3 of preparation of solution for forming surface A]
In the above polyimide resin synthesis example, the DMF solution X having a solid content concentration of 30% by weight polyamic acid was adjusted to 5% by weight with DMF to obtain a solution (c) for forming the layer A.

〔層Bを形成する溶液の調合例〕
容量2000mlのガラス製フラスコに、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン41g(0.143mol)と、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル1.6g(0.007mol)と、DMFを投入し、撹拌しながら溶解させ、4,4’−(4,4’−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(無水フタル酸)78g(0.15mol)を添加、約1時間撹拌し、固形分濃度30%ポリアミド酸のDMF溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をテフロン(登録商標)コートしたバットにとり、真空オーブンで、200℃、180分、665Paで減圧加熱し、ポリイミド樹脂2を得た。
[Example of formulation of solution for forming layer B]
In a glass flask having a capacity of 2000 ml, 41 g (0.143 mol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 1.6 g (0.007 mol) of 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl were added. DMF was added and dissolved while stirring, and 78 g (0.15 mol) of 4,4 ′-(4,4′-isopropylidenediphenoxy) bis (phthalic anhydride) was added and stirred for about 1 hour. A DMF solution of polyamic acid with a solid content concentration of 30% was obtained. The polyamic acid solution was placed in a Teflon (registered trademark) -coated vat and heated in a vacuum oven at 200 ° C. for 180 minutes at 665 Pa to obtain polyimide resin 2.

ポリイミド樹脂2をジオキソランに溶解させ、固形分濃度25重量%の溶液(d)を得た。一方、ジャパンエポキシレジン(株)社製ビフェニル型エポキシ樹脂のYX4000H32.1g、和歌山精化工業(株)社製ジアミンのビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン17.9g、四国化成工業(株)社製のエポキシ硬化剤、2,4−ジアミノ−6−[2′−ウンデシルイミダゾリル−(1′)]ーエチル−s―トリアジン0.2gをジオキソランに溶解させ、固形分濃度50%の溶液(e)を得た。溶液(d)50gと溶液(e)25gを混合して層Bを形成する溶液(f)を得た。   Polyimide resin 2 was dissolved in dioxolane to obtain a solution (d) having a solid concentration of 25% by weight. On the other hand, YE4000H 32.1 g of biphenyl type epoxy resin manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd., 17.9 g of bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone diamine manufactured by Wakayama Seika Kogyo Co., Ltd., Shikoku Chemicals Epoxy curing agent, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 0.2 g, dissolved in dioxolane and having a solid content of 50% Solution (e) was obtained. 50 g of the solution (d) and 25 g of the solution (e) were mixed to obtain a solution (f) that forms the layer B.

〔実施例1〕
層Aを形成する溶液(a)を、支持体となるポリエチレンテレフタレートフィルム(商品名セラピールHP、東洋メタライジング社製)の表面上に流延塗布した。その後、熱風オーブンにて60℃、100℃、150℃で乾燥させ、厚み25μmの層A/支持体からなる支持体付きめっき用材料を得た。該支持体付きめっき用材料を用いて前述の各種評価項目の評価手順に従い評価した。評価結果を表3に示す。
[Example 1]
The solution (a) for forming the layer A was cast-coated on the surface of a polyethylene terephthalate film (trade name Therapy HP, manufactured by Toyo Metallizing Co., Ltd.) serving as a support. Then, it dried at 60 degreeC, 100 degreeC, and 150 degreeC with hot-air oven, and obtained the plating material with a support which consists of layer A / support whose thickness is 25 micrometers. Using the support-equipped plating material, the evaluation was performed according to the evaluation procedures for the various evaluation items described above. The evaluation results are shown in Table 3.

〔実施例2〕
層Aを形成する溶液(b)を、支持体となるポリエチレンテレフタレートフィルム(商品名セラピールHP、東洋メタライジング社製)の表面上に流延塗布した。その後、熱風オーブンにて60℃で乾燥させ、厚み2μmの層A/支持体からなる材料を得た。さらに、上記層A/支持体からなる材料の層A表面上に、層Bを形成する溶液(f)を流延塗布し、熱風オーブンにて60℃、100℃、150℃で乾燥させ、厚み38μmの層B/厚み2μmの層A/支持体からなる支持体付きめっき用材料を得た。該支持体付きめっき用材料を用いて前述の各種評価項目の評価手順に従い評価した。評価結果を表3に示す。
[Example 2]
The solution (b) for forming the layer A was cast-coated on the surface of a polyethylene terephthalate film (trade name Therapy HP, manufactured by Toyo Metallizing Co., Ltd.) serving as a support. Then, it dried at 60 degreeC with the hot-air oven, and obtained the material which consists of a 2 micrometer-thick layer A / support body. Further, the solution (f) for forming the layer B is cast on the surface of the layer A / the material comprising the layer A / support, and dried at 60 ° C., 100 ° C., 150 ° C. in a hot air oven, A plating material with a support composed of a layer B of 38 μm / layer A of 2 μm thickness / support was obtained. Using the support-equipped plating material, the evaluation was performed according to the evaluation procedures for the various evaluation items described above. The evaluation results are shown in Table 3.

〔実施例3〕
層Aを形成する溶液(b)を、非熱可塑性ポリイミドフィルム(商品名アピカルNPI、(株)カネカ製)の表面上に流延塗布した。その後、熱風オーブンにて60℃の温度で乾燥させ、厚み2μmの層A/ポリイミドフィルムからなる材料を得た。さらに、上記層A/高分子フィルムからなる材料のポリイミドフィルム表面上に、層Bを形成する溶液(f)を流延塗布し、60℃、100℃、120℃、150℃の温度で乾燥させ、厚み38μmの層B/ポリイミドフィルム/厚み2μmの層Aからなるめっき用材料を得た。該めっき用材料とガラスエポキシ基板FR−4(商品番号:MCL−E−67、日立化成工業(株)社製;銅箔の厚さ50μm、全体の厚さ1.2mm)とを対向させ、温度170℃、圧力1MPa、真空下の条件で6分の加熱加圧を行った後、130℃で10分、150℃で10分、180℃で30分加熱して、表面Aを有するめっき用材料/FR―4からなる積層体を得た。尚、加熱加圧時に、層A側直上には合紙としてポリエチレンテレフタレートフィルム(商品名セラピールHP、東洋メタライジング社製)を挟み、加熱加圧後にこのポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、その後の加熱を行った。このようにして積層体を得た後、前述の各種評価項目の評価手順に従い評価した。評価結果を表3に示す。
Example 3
The solution (b) forming the layer A was cast-coated on the surface of a non-thermoplastic polyimide film (trade name Apical NPI, manufactured by Kaneka Corporation). Then, it dried at the temperature of 60 degreeC with a hot air oven, and obtained the material which consists of a 2 micrometer-thick layer A / polyimide film. Further, the solution (f) for forming the layer B is cast on the surface of the polyimide film made of the layer A / polymer film and dried at a temperature of 60 ° C., 100 ° C., 120 ° C., and 150 ° C. Thus, a plating material comprising a layer B having a thickness of 38 μm / a polyimide film / a layer A having a thickness of 2 μm was obtained. The plating material and a glass epoxy substrate FR-4 (product number: MCL-E-67, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .; copper foil thickness 50 μm, overall thickness 1.2 mm) are opposed to each other, For plating with surface A after heating and pressurizing for 6 minutes under conditions of temperature 170 ° C, pressure 1 MPa, and vacuum, then heating at 130 ° C for 10 minutes, 150 ° C for 10 minutes, and 180 ° C for 30 minutes A laminate comprising material / FR-4 was obtained. In addition, at the time of heating and pressing, a polyethylene terephthalate film (trade name Therapy HP, manufactured by Toyo Metallizing Co., Ltd.) is sandwiched immediately above the layer A side, and after heating and pressing, the polyethylene terephthalate film is peeled off, and then the heating is performed. went. Thus, after obtaining the laminated body, it evaluated according to the evaluation procedure of the above-mentioned various evaluation items. The evaluation results are shown in Table 3.

〔比較例1〕
層Aを形成する溶液(c)を、支持体となるポリエチレンナフタレートフィルム(商品名テオネックスQ51、帝人デュポンフィルム社製)の表面上に流延塗布した。その後、熱風オーブンにて60℃、さらに250℃で5分加熱することで乾燥及びイミド化を行い、厚み2μmの層A/支持体からなる材料を得た。さらに、上記層A/支持体からなる材料の層A表面上に、層Bを形成する溶液(f)を流延塗布し、熱風オーブンにて60℃、100℃、150℃で乾燥させ、厚み38μmの層B/厚み2μmの層A/支持体からなる支持体付きめっき用材料を得た。該支持体付きめっき用材料を用いて前述の各種評価項目の評価手順に従い評価した。評価結果を表4に示す。
[Comparative Example 1]
The solution (c) for forming the layer A was cast-coated on the surface of a polyethylene naphthalate film (trade name: Teonex Q51, manufactured by Teijin DuPont Films Ltd.) serving as a support. Then, drying and imidation were performed by heating at 60 ° C. and 250 ° C. for 5 minutes in a hot air oven to obtain a material composed of layer A / support having a thickness of 2 μm. Further, the solution (f) for forming the layer B is cast-coated on the surface of the layer A / the material comprising the layer A / support, and dried at 60 ° C., 100 ° C. and 150 ° C. in a hot air oven to obtain a thickness. A plating material with a support composed of a layer B of 38 μm / layer A of 2 μm thickness / support was obtained. Using the support-equipped plating material, the evaluation was performed according to the evaluation procedures for the various evaluation items described above. The evaluation results are shown in Table 4.

表4から分かるように、比較例1では無電解めっき皮膜と層Aとの接着強度が低く、微細配線形成が良好にできなかった。   As can be seen from Table 4, in Comparative Example 1, the adhesive strength between the electroless plating film and layer A was low, and fine wiring could not be formed well.

Figure 0004647386
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なお本発明は、以上説示した各構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態や実施例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
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Note that the present invention is not limited to the configurations described above, and various modifications are possible within the scope of the claims, and technical means disclosed in different embodiments and examples respectively. Embodiments obtained by appropriate combinations are also included in the technical scope of the present invention.

本発明にかかるめっき用材料の製造方法は、平滑表面にもかかわらず、無電解めっき皮膜との接着性が高いめっき用材料を、物性の低下を引き起こすことなく定常的に生産することが可能である。よって、本発明の方法により製造されるめっき用材料は、特に微細配線形成が要求されるプリント配線板に好適に用いることができる。それゆえ、本発明は、樹脂組成物や接着剤等の素材加工産業や各種化学産業だけでなく、各種電子部品の産業分野に好適に用いることができる。   The method for producing a plating material according to the present invention is capable of constantly producing a plating material having high adhesion to an electroless plating film without causing a decrease in physical properties in spite of a smooth surface. is there. Therefore, the plating material produced by the method of the present invention can be suitably used for a printed wiring board that requires fine wiring formation. Therefore, the present invention can be suitably used not only in the material processing industry such as resin compositions and adhesives and various chemical industries, but also in the industrial field of various electronic components.

Claims (1)

支持体上に、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂aを含む溶液を塗布することにより、無電解めっき層を形成するための層Aを形成する工程、支持体を除去する工程、該層A上に無電解めっきを施す工程を含むことを特徴とする、無電解めっき皮膜の形成方法。A step of forming a layer A for forming an electroless plating layer by applying a solution containing a polyimide resin a having a siloxane structure on the support, a step of removing the support, and no application on the layer A A method of forming an electroless plating film, comprising a step of performing electrolytic plating.
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