JP4641000B2 - Light receiving amplifier circuit and optical pickup - Google Patents

Light receiving amplifier circuit and optical pickup Download PDF

Info

Publication number
JP4641000B2
JP4641000B2 JP2006118509A JP2006118509A JP4641000B2 JP 4641000 B2 JP4641000 B2 JP 4641000B2 JP 2006118509 A JP2006118509 A JP 2006118509A JP 2006118509 A JP2006118509 A JP 2006118509A JP 4641000 B2 JP4641000 B2 JP 4641000B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
bias current
circuit
light receiving
offset voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006118509A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007293958A (en
Inventor
仁 木路
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2006118509A priority Critical patent/JP4641000B2/en
Publication of JP2007293958A publication Critical patent/JP2007293958A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4641000B2 publication Critical patent/JP4641000B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Description

本発明は、光ディスク再生/記録のために用いられる光ピックアップ装置に搭載される受光アンプ素子IC(OPIC:登録商標)に内蔵される受光アンプ回路に関し、特に光ディスクから反射した信号光を受光する受光アンプ素子の受光アンプ回路に関するものである。   The present invention relates to a light receiving amplifier circuit incorporated in a light receiving amplifier element IC (OPIC: registered trademark) mounted on an optical pickup device used for reproducing / recording an optical disk, and more particularly, to receive a signal light reflected from an optical disk. The present invention relates to a light receiving amplifier circuit of an amplifier element.

光ディスクを再生/記録する光ディスク装置は、再生/記録のためのレーザ光を光ディスクに照射したり、光ディスクからの反射光を受光したりする光ピックアップを備えている。光ピックアップには、上記の反射光を受光したり、レーザ光源から出射されたレーザ光をモニタして、電気信号に変換する受光素子と、変換された電気信号を増幅する受光アンプ回路とが設けられている。   An optical disc apparatus for reproducing / recording an optical disc includes an optical pickup that irradiates the optical disc with a laser beam for reproduction / recording and receives reflected light from the optical disc. The optical pickup is provided with a light receiving element that receives the reflected light or monitors the laser light emitted from the laser light source and converts it into an electric signal, and a light receiving amplifier circuit that amplifies the converted electric signal. It has been.

近年、CD−ROM,DVD−ROMなどの再生専用の光ディスクに加えて、CD−R/RW、DVD−R/RWなどの書き込み可能な光ディスクが用いられるようになり、光ディスク装置では、書き込み時には再生時に比べて大きな光量がディスクに照射されるので、書き込み/再生における光入力レベルの差が大きくなっている。また、光ディスクの種類による光ディスクごとの反射率の違いにも対応する必要がある。   In recent years, writable optical discs such as CD-R / RW and DVD-R / RW have been used in addition to read-only optical discs such as CD-ROM and DVD-ROM. Since the disk is irradiated with a larger amount of light than sometimes, the difference in the light input level in writing / reproducing is large. Also, it is necessary to cope with the difference in reflectivity for each optical disc depending on the type of the optical disc.

そこで、受光アンプ回路に、切り替えにより選択可能な複数の帰還回路を設け、アンプゲインを変化させる受光アンプ回路が提案されている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。   Therefore, a light receiving amplifier circuit is proposed in which a plurality of feedback circuits that can be selected by switching are provided in the light receiving amplifier circuit to change the amplifier gain (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

図34は、従来の受光アンプ回路91を示している。受光アンプ回路91は、特許文献1の受光アンプ回路における差動増幅器の正入力端子に、オフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnが設けられた受光アンプ回路であり、さらにスイッチ手段として各帰還回路C1〜Cnにトランジスタ(バイポーラトランジスタ)SW1〜SWnを設け、トランジスタSW1〜SWnの導通/非導通によってスイッチング制御する構成となっている。   FIG. 34 shows a conventional light receiving amplifier circuit 91. The light receiving amplifier circuit 91 is a light receiving amplifier circuit in which offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn are provided at the positive input terminal of the differential amplifier in the light receiving amplifier circuit of Patent Document 1. Further, the feedback circuits C1 to Cn are used as switch means. Are provided with transistors (bipolar transistors) SW1 to SWn, and switching control is performed by conduction / non-conduction of the transistors SW1 to SWn.

受光アンプ回路91では、光信号を受光する受光素子(フォトダイオード)PD1が差動増幅器Amp1の負入力端子に接続されており、光ディスクからの戻り光の光信号は受光素子PD1で電流IPD1に変換される。差動増幅器Amp1の負入力端子−出力端子間には、トランジスタSW1〜SWn(PNP型トランジスタ)と帰還抵抗FB1〜FBnとを備えた複数の帰還回路C1〜Cnが並列に接続されている。トランジスタSW1〜SWnのベース端子には電流源CS1〜CSnが接続されており、電流ISW1〜ISWnをON/OFFさせる事で、トランジスタSW1〜SWnの飽和/非飽和、即ち導通/非導通の制御を行う。   In the light receiving amplifier circuit 91, a light receiving element (photodiode) PD1 that receives an optical signal is connected to the negative input terminal of the differential amplifier Amp1, and the optical signal of the return light from the optical disk is converted into a current IPD1 by the light receiving element PD1. Is done. A plurality of feedback circuits C1 to Cn including transistors SW1 to SWn (PNP transistors) and feedback resistors FB1 to FBn are connected in parallel between the negative input terminal and the output terminal of the differential amplifier Amp1. Current sources CS1 to CSn are connected to the base terminals of the transistors SW1 to SWn, and the currents ISW1 to ISWn are turned on / off to control saturation / nonsaturation of the transistors SW1 to SWn, that is, conduction / nonconduction. Do.

帰還抵抗FB1〜FBnはそれぞれ異なったインピーダンスを持ち、電流IPD1の大きさに合わせて帰還回路C1〜Cnが選択される。帰還回路C1〜Cnの選択はトランジスタSW1〜SWnの導通/非導通の制御によって行われ、例えば、受光素子PD1からの電流IPD1が大きくなる書き込み時は、ゲインの低い帰還回路が選択され、電流IPD1が小さい再生時は、ゲインの高い帰還回路が選択される。   The feedback resistors FB1 to FBn have different impedances, and the feedback circuits C1 to Cn are selected according to the magnitude of the current IPD1. The selection of the feedback circuits C1 to Cn is performed by controlling the conduction / non-conduction of the transistors SW1 to SWn. For example, at the time of writing in which the current IPD1 from the light receiving element PD1 increases, a feedback circuit with a low gain is selected and the current IPD1 When reproduction is small, a feedback circuit with a high gain is selected.

またオフセット電圧(無入力時出力電圧と基準電圧との差)を低減するために、差動増幅器Amp1の正入力端子には、基準電圧源VS1が接続されており、差動増幅器Amp1の正入力端子と基準電圧源VS1との間には、トランジスタSWd1〜SWdnと抵抗FBd1〜FBdnとを備えた複数のオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnが並列に接続されている。トランジスタSWd1〜SWdnのベース端子にはそれぞれ電流源CSd1〜CSdnが接続されており、電流ISWd1〜ISWdnをON/OFFさせる事で、トランジスタSWd1〜SWdnの飽和/非飽和、即ち導通/非導通の制御を行う。   In addition, in order to reduce the offset voltage (difference between the output voltage and the reference voltage when there is no input), the reference voltage source VS1 is connected to the positive input terminal of the differential amplifier Amp1, and the positive input of the differential amplifier Amp1. A plurality of offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn having transistors SWd1 to SWdn and resistors FBd1 to FBdn are connected in parallel between the terminal and the reference voltage source VS1. Current sources CSd1 to CSdn are connected to the base terminals of the transistors SWd1 to SWdn, respectively, and saturation / nonsaturation of the transistors SWd1 to SWdn, that is, conduction / non-conduction is controlled by turning the currents ISWd1 to ISWdn on and off. I do.

抵抗FBd1〜FBdnもそれぞれ異なったインピーダンスを持ち、抵抗FBd1と帰還抵抗FB1の抵抗値は互いに等しく、抵抗FBdk(k=2〜n)と帰還抵抗FBk(k=2〜n)の抵抗値もそれぞれ互いに等しい。また、上記帰還回路C1が選択されると、オフセット電圧補正回路Cd1が選択され、同様に帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されるとオフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)が選択される。このように帰還回路C1〜Cnの選択に合わせて、それぞれオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnの選択が行われることにより、オフセット電圧を低減している。   The resistors FBd1 to FBdn have different impedances, the resistance values of the resistor FBd1 and the feedback resistor FB1 are equal to each other, and the resistance values of the resistor FBdk (k = 2 to n) and the feedback resistor FBk (k = 2 to n) are also respectively Equal to each other. When the feedback circuit C1 is selected, the offset voltage correction circuit Cd1 is selected. Similarly, when the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected, the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n). Is selected. As described above, the offset voltage is reduced by selecting the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn in accordance with the selection of the feedback circuits C1 to Cn.

図35は従来の他の受光アンプ回路92を示している。受光アンプ回路92は、特許文献2に開示の受光アンプ回路において、スイッチ回路の代わりに各帰還回路C1〜Cnにトランジスタを設け、トランジスタの導通/非導通によってスイッチング制御する構成である。   FIG. 35 shows another conventional light receiving amplifier circuit 92. The light receiving amplifier circuit 92 has a configuration in which, in the light receiving amplifier circuit disclosed in Patent Document 2, a transistor is provided in each of the feedback circuits C1 to Cn instead of the switch circuit, and switching control is performed by conduction / non-conduction of the transistor.

受光アンプ回路92は、増幅器Amp2とダミー増幅器Ampdとからなる初段増幅回路、および差動増幅器Amp3からなる後段増幅回路で構成されている。増幅器Amp2からの出力は、差動増幅器Amp3の非反転端子に入力され、ダミー増幅器Ampdからの出力電圧と比較増幅されて出力される。   The light receiving amplifier circuit 92 includes a first stage amplifier circuit including an amplifier Amp2 and a dummy amplifier Ampd, and a subsequent stage amplifier circuit including a differential amplifier Amp3. The output from the amplifier Amp2 is input to the non-inverting terminal of the differential amplifier Amp3, is compared with the output voltage from the dummy amplifier Ampd, and is output.

増幅器Amp2の入力端子には、光信号を電流IPD1に変換する受光素子PD1が接続されるとともに、帰還抵抗FB1〜FBnとトランジスタSW1〜SWnを備えた複数の帰還回路C1〜Cnが並列に設けられている。トランジスタSW1〜SWnのベース端子には電流源CS1〜CSnが接続されており、電流ISW1〜ISWnをON/OFFさせる事で、トランジスタSW1〜SWnの導通/非導通の制御を行う。帰還抵抗FB1〜FBnはそれぞれ異なったインピーダンスを持ち、電流IPD1の大きさに合わせて帰還回路C1〜Cnが選択される。例えば、受光素子PD1からの電流IPD1が大きくなる書き込み時は、インピーダンスの低い帰還抵抗が選択され、電流IPD1が小さい再生時は、インピーダンスの高い帰還抵抗が選択される。   A light receiving element PD1 for converting an optical signal into a current IPD1 is connected to an input terminal of the amplifier Amp2, and a plurality of feedback circuits C1 to Cn including feedback resistors FB1 to FBn and transistors SW1 to SWn are provided in parallel. ing. Current sources CS1 to CSn are connected to the base terminals of the transistors SW1 to SWn, and the conduction / non-conduction of the transistors SW1 to SWn is controlled by turning on / off the currents ISW1 to ISWn. The feedback resistors FB1 to FBn have different impedances, and the feedback circuits C1 to Cn are selected according to the magnitude of the current IPD1. For example, a feedback resistor having a low impedance is selected during writing when the current IPD1 from the light receiving element PD1 is large, and a feedback resistor having a high impedance is selected during reproduction when the current IPD1 is small.

またダミー増幅器Ampdにも、抵抗FBd1〜FBdnとトランジスタSWd1〜SWdnを備えた複数のオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnが並列に設けられている。トランジスタSWd1〜SWdnのベース端子には電流源CSd1〜CSdnが接続されており、電流ISWd1〜ISWdnをON/OFFさせる事で、トランジスタSWd1〜SWdnの導通/非導通の制御を行う。帰還抵抗FB1〜FBnもそれぞれ異なったインピーダンスを持ち、増幅器Amp2の帰還抵抗の選択に合わせて、ダミー増幅器Ampdのオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnが選択される。   The dummy amplifier Ampd is also provided with a plurality of offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn including resistors FBd1 to FBdn and transistors SWd1 to SWdn in parallel. Current sources CSd1 to CSdn are connected to the base terminals of the transistors SWd1 to SWdn, and the conduction / non-conduction of the transistors SWd1 to SWdn is controlled by turning the currents ISWd1 to ISWdn on and off. The feedback resistors FB1 to FBn also have different impedances, and the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn of the dummy amplifier Ampd are selected in accordance with the selection of the feedback resistor of the amplifier Amp2.

差動増幅器Amp3の2つの入力側には、それぞれ入力抵抗R1が設けられるとともに、差動増幅器Amp3の帰還回路には抵抗R2が設けられている。また差動増幅器Amp3の正入力端子と抵抗R1との間にも抵抗R2が接続されており、該抵抗R2はさらに基準電圧源VS2に接続されている。これにより差動増幅器Amp3のゲインは、R2/R1で固定される。   An input resistor R1 is provided on each of the two input sides of the differential amplifier Amp3, and a resistor R2 is provided on the feedback circuit of the differential amplifier Amp3. A resistor R2 is also connected between the positive input terminal of the differential amplifier Amp3 and the resistor R1, and the resistor R2 is further connected to the reference voltage source VS2. As a result, the gain of the differential amplifier Amp3 is fixed at R2 / R1.

上記2つの受光アンプ回路91および92の構成により、光ピックアップ装置は光入力の大きい高速書き込みモードに対応しつつ、低反射ディスクに対しても良好な再生特性を得ることができる。
特開2003−234623号公報(平成15年8月22日公開) 特開2003−187484号公報(平成15年7月4日公開)
With the configuration of the two light receiving amplifier circuits 91 and 92, the optical pickup device can obtain good reproduction characteristics even for a low reflection disk while supporting a high-speed writing mode with a large optical input.
JP 2003-234623 A (released on August 22, 2003) JP 2003-187484 A (published July 4, 2003)

しかしながら、上記従来の構成では、帰還回路選択のためにトランジスタを用いているので、受光素子からの入力電流と受光アンプ回路の出力電圧とが直線性を有さず、出力信号に誤差を生じてしまうという問題がある。   However, in the above conventional configuration, since a transistor is used for selecting a feedback circuit, the input current from the light receiving element and the output voltage of the light receiving amplifier circuit are not linear, and an error occurs in the output signal. There is a problem of end.

具体的には図34において、電流ISW1がON、即ちトランジスタSW1が導通して帰還抵抗FB1を備える帰還回路C1のみが選択されている時、Rf1を帰還抵抗FB1の抵抗値,ZSW1をトランジスタSW1のインピーダンスとして、出力電圧Vo1は、
Vo1=IPD1×(Rf1+ZSW1) …(1)
となる。ここで帰還抵抗値Rf1は電流IPD1によらず一定である。
In Figure 34 in particular, the current ISW1 is ON, i.e. when only the feedback circuit C1 to the transistor SW1 is provided with a feedback resistor FB1 conducting is selected, the resistance value of the feedback resistor FB1 the Rf1, the transistor SW1 ZSW1 As impedance, the output voltage Vo1 is
Vo1 = IPD1 × (Rf1 + ZSW1 ) ... (1)
It becomes. Here, the feedback resistance value Rf1 is constant regardless of the current IPD1.

一方、インピーダンスZSW1は以下のように求められる。一般にトランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧Vce(sat)は、
Vce(sat)=VT×ln((αF・(1−αR)・IC+IS(1−αF・αR)+αF・IB)/
(αR・(αF−1)・IC+IS(1−αF・αR)+αF・αR・IB))
=VT×ln(((1−αR)・IC+IB)/(αR・IB)) …(2)
となる。ここで、上式における各パラメータは、
IS:逆動作時飽和電流<IB,IC
IB:ベース電流
IC:コレクタ電流
IE:エミッタ電流
VT:熱電圧
αF:ベース接地での順方向電流増幅率(≒1)
αR:ベース接地での逆方向電流増幅率
β:順方向動作時電流利得(IC/IB)
rE:エミッタ抵抗
rC:コレクタ抵抗
であり、αR,β,rE,rCはトランジスタの固有値(定数)である。IB一定とすれば、飽和トランジスタのコレクタ−エミッタ間抵抗RonはICに対するVCE(sat)の変化で表せるので、VCE(sat)即ち式(2)をコレクタ電流ICで偏微分すると以下のようになる。
Ron=σVce(sat)/σIC
VT×(1−αR)/(IB+(1−αR)・IC) …(3)
(1)のZSW1はトランジスタSW1のコレクタ−エミッタ間抵抗、即ち式(3)に相当するので、IB=ISW1,IC=IPD1とし、差動増幅器の入力電流は十分小さいとして無視して、
ZSW1=VT×(1−αR)/(ISW1+(1−αR)・IPD1) …(4)
となり、インピーダンスZSW1は受光素子PD1からの電流IPD1の大きさによって変化することが分かる。
On the other hand, the impedance ZSW1 is obtained as follows. In general, the collector-emitter voltage Vce (sat) when a transistor is saturated is
Vce (sat) = VT x ln ((αF ・ (1−αR) ・ IC + IS (1−αF ・ αR) + αF ・ IB) /
(αR ・ (αF−1) ・ IC + IS (1−αF ・ αR) + αF ・ αR ・ IB))
= VT × ln (((1−αR) ・ IC + IB) / (αR ・ IB)) (2)
It becomes. Here, each parameter in the above equation is
IS: Saturation current during reverse operation <IB, IC
IB: Base current IC: Collector current IE: Emitter current VT: Thermal voltage
αF: Forward current gain at base ground (≈1)
αR: Reverse current gain at base ground β: Current gain during forward operation (IC / IB)
rE: emitter resistance rC: collector resistance, and αR, β, rE, rC are eigenvalues (constants) of the transistor. If IB is constant, the collector-emitter resistance Ron of the saturation transistor can be expressed by the change of VCE (sat) with respect to IC. Therefore, when VCE (sat), that is, equation (2) is partially differentiated by the collector current IC, .
Ron = σ Vce (sat) / σ IC
= VT × (1−αR) / (IB + (1−αR) · IC) (3)
Since ZSW1 in the equation (1) corresponds to the collector-emitter resistance of the transistor SW1 , that is, the equation (3) , it is assumed that IB = ISW1, IC = IPD1, and the input current of the differential amplifier is sufficiently small to be ignored.
ZSW1 = VT × (1−αR) / (ISW1 + (1−αR) ・ IPD1) (4)
Thus, it can be seen that the impedance ZSW1 changes depending on the magnitude of the current IPD1 from the light receiving element PD1.

式(4)より式(1)で示される出力電圧Vo1は、
Vo1=IPD1×(Rf1+ZSW1)
=IPD1×(Rf1+VT×(1−αR)/(ISW1+(1−αR)・IPD1)) …(5)
となり、受光アンプ回路のゲインをRaとすると、
Ra=Vo1/IPD1
=ZFB1+ZSW1
=Rf1+VT×(1−αR)/(ISW1+(1−αR)・IPD1) …(6)
となる。
From the expression (4), the output voltage Vo1 represented by the expression (1) is
Vo1 = IPD1 x (Rf1 + ZSW1)
= IPD1 x (Rf1 + VT x (1-αR) / (ISW1 + (1-αR) · IPD1) ) (5)
When the gain of the light receiving amplifier circuit is Ra,
Ra = Vo1 / IPD1
= ZFB1 + ZSW1
= Rf1 + VT × (1−αR) / (ISW1 + (1−αR) ・ IPD1) (6)
It becomes.

ここで、IPD1が0〜最大値の範囲で変化した場合の、インピーダンスZSW1の変化量をΔZSW1とすると、ゲインRaの変化量ΔRaは、帰還抵抗値Rf1が電流IPD1に関わらず変化しないため、
ΔRa=ΔZSW1 …(7)
となり、
ゲインRaの変化率ΔRa/Raは、
ΔRa/Ra=ΔZSW1/Ra
=ΔZSW1/(Rf1+ZSW1) …(8)
となる。
Here, if the amount of change in the impedance ZSW1 when ΔDSW changes in the range of 0 to the maximum value is ΔZSW1, the amount of change Ra of the gain Ra does not change regardless of the current resistance IPD1.
ΔRa = ΔZSW1 (7)
And
The change rate ΔRa / Ra of the gain Ra is
ΔRa / Ra = ΔZSW1 / Ra
= ΔZSW1 / (Rf1 + ZSW1) (8)
It becomes.

特に昨今では、光ディスクの記録速度向上に伴うレーザ出射光の増大により受光素子からの電流IPD1が大きくなるため、受光アンプ回路の出力飽和防止を目的に帰還抵抗値Rf1を小さくしている。それに伴い、ゲインの変化量が同一でもゲインの変化率が増大することとなる。   Particularly in recent years, the current IPD1 from the light receiving element increases due to an increase in the laser emission light accompanying an increase in the recording speed of the optical disc. Therefore, the feedback resistance value Rf1 is reduced for the purpose of preventing output saturation of the light receiving amplifier circuit. Accordingly, the gain change rate increases even if the gain change amount is the same.

すなわち、図36(a)に示すように、帰還抵抗値Rf1が大きい場合はゲインRaの変化率は小さく、受光素子PD1からの電流に対する出力電圧の誤差も小さかったが、図36(b)に示すように、帰還抵抗値Rf1が小さい場合はゲインRaの変化率が大きくなり、受光素子PD1からの電流に対する出力電圧の誤差が増大する。   That is, as shown in FIG. 36A, when the feedback resistance value Rf1 is large, the rate of change of the gain Ra is small, and the error of the output voltage with respect to the current from the light receiving element PD1 is also small. As shown, when the feedback resistance value Rf1 is small, the rate of change of the gain Ra is large, and the error of the output voltage with respect to the current from the light receiving element PD1 increases.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、帰還回路選択のためのスイッチング素子としてバイポーラトランジスタを用いることによりチップ面積、製造コストを抑えた受光アンプ回路において、上記出力電圧の誤差の少ない受光アンプ回路を実現することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light receiving amplifier circuit in which chip area and manufacturing cost are reduced by using a bipolar transistor as a switching element for selecting a feedback circuit. An object of the present invention is to realize a light receiving amplifier circuit with a small output voltage error.

本発明に係る受光アンプ回路は、上記課題を解決するために、受光素子と、受光素子で発生する電流を電圧に変換して増幅する増幅器と、第1抵抗と帰還回路をON/OFFする第1トランジスタとが直列接続された複数の帰還回路と、上記帰還回路の個々に対して上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路とを備え、上記受光素子は上記増幅器の第1入力端子に接続され、上記複数の帰還回路は、上記受光素子と上記第1入力端子との接続点と、上記増幅器の出力端子との間に並列接続され、上記第1抵抗のインピーダンスは、互いに異なっており、上記オフセット電圧補正回路は、上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されている受光アンプ回路において、上記第1トランジスタに流す第1バイアス電流を発生する第1バイアス電流源を備え、上記バイアス電流源は、上記受光素子および上記複数の帰還回路に接続され、導通している第1トランジスタには、上記受光素子で発生する電流と上記第1バイアス電流とを加算した電流が流れることを特徴としている。 In order to solve the above problems, a light receiving amplifier circuit according to the present invention includes a light receiving element, an amplifier that converts and amplifies a current generated in the light receiving element into a voltage, a first resistor and a feedback circuit that turns on and off the first resistor. comprising 1 a transistor and a plurality of feedback circuits connected in series, and a plurality of offset voltage correction circuit for correcting the output voltage at the time a current is not from the individual with respect to the light receiving element of the feedback circuit, the The light receiving element is connected to a first input terminal of the amplifier, and the plurality of feedback circuits are connected in parallel between a connection point between the light receiving element and the first input terminal and an output terminal of the amplifier, impedance of the first resistor are different from each other, the offset voltage correction circuit in the light receiving amplifier circuit are connected in parallel between the second input terminal and a reference voltage source of the amplifier, the upper Comprising a first bias current source for generating a first bias current supplied to the first transistor, the bias current source is connected to the light receiving element and the plurality of feedback circuits, the first transistor is conducting, the A current obtained by adding the current generated in the light receiving element and the first bias current flows .

上記の構成によれば、第1トランジスタがPNP型トランジスタである場合、第1トランジスタのコレクタ端子に流れる電流がバイアス電流分増加し、第1トランジスタがNPN型トランジスタである場合、第1トランジスタのエミッタ端子に流れる電流がバイアス電流分増加するため、受光素子の検出信号の変化に対する帰還回路のゲインの変化が少なくなる。よって従来の受光アンプ回路に比べて誤差の少ない出力電圧を得ることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, when the first transistor is a PNP transistor, the current flowing through the collector terminal of the first transistor is increased by the bias current, and when the first transistor is an NPN transistor, the emitter of the first transistor is Since the current flowing through the terminal increases by the bias current, the change in the gain of the feedback circuit with respect to the change in the detection signal of the light receiving element is reduced. Therefore, an effect is obtained that an output voltage with less error can be obtained as compared with the conventional light receiving amplifier circuit.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記第1バイアス電流源は、上記受光素子と上記増幅器との接続点を介して上記第1バイアス電流を流してもよい。   In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, the first bias current source may cause the first bias current to flow through a connection point between the light receiving element and the amplifier.

上記の構成によれば、帰還回路が選択されるのに伴って、第1トランジスタに第1バイアス電流を自動的に流すことができる。   According to the above configuration, the first bias current can be automatically supplied to the first transistor as the feedback circuit is selected.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記バイアス電流源を1つだけ備え、該第1バイアス電流源は、上記受光素子と上記接続点を介して上記第1バイアス電流を流すことを特徴としている。   In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, only one bias current source is provided, and the first bias current source causes the first bias current to flow through the light receiving element and the connection point.

上記の構成によれば、第1抵抗にもバイアス電流が流れるので受光アンプ回路のダイナミックレンジは減少するが、第1バイアス電流源を受光アンプ回路に1つだけ設けるだけで済むので、製造コストを抑えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, since the bias current also flows through the first resistor, the dynamic range of the light receiving amplifier circuit is reduced. However, since only one first bias current source is provided in the light receiving amplifier circuit, the manufacturing cost is reduced. There is an effect that it can be suppressed.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記第1バイアス電流源を上記帰還回路と個々に対応して備え、上記第1トランジスタが導通している時のみ該第1トランジスタが接続されている上記第1バイアス電流源を動作させる動作制御回路を備えていることを特徴としている。   In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, the first bias current source is provided corresponding to each of the feedback circuits, and the first transistor is connected only when the first transistor is conductive. An operation control circuit for operating the bias current source is provided.

上記の構成によれば、第1バイアス電流源を複数設ける必要があるものの、帰還回路の選択にあわせてバイアス電流値を切り替えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, although it is necessary to provide a plurality of first bias current sources, the bias current value can be switched according to the selection of the feedback circuit.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記第1バイアス電流源を上記帰還回路と個々に対応して備え、上記第1バイアス電流源は、上記各帰還回路における上記第1抵抗と上記第1トランジスタとの間に接続されていることを特徴としている。   In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, the first bias current source is provided corresponding to each of the feedback circuits, and the first bias current source includes the first resistor and the first transistor in each feedback circuit. It is characterized by being connected between.

上記の構成によれば、第1バイアス電流源を複数設ける必要があるものの、第1抵抗には第1バイアス電流は流れないので、第1バイアス電流源が受光素子と増幅器との接続点を介して上記第1バイアス電流を流す構成に比べ、ダイナミックレンジの減少を抑えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, although it is necessary to provide a plurality of first bias current sources, since the first bias current does not flow through the first resistor, the first bias current source passes through the connection point between the light receiving element and the amplifier. As a result, the decrease in the dynamic range can be suppressed as compared with the configuration in which the first bias current is supplied.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記第1トランジスタが導通している時のみ該第1トランジスタが接続されている上記第1バイアス電流源を動作させる動作制御回路を備えていることを特徴としている。   The light-receiving amplifier circuit according to the present invention includes an operation control circuit that operates the first bias current source to which the first transistor is connected only when the first transistor is conductive. .

上記の構成によれば、動作制御回路が第1トランジスタが導通しているときのみ、対応する第1バイアス電流源を動作させるので、帰還回路の選択にあわせてバイアス電流値を自動的に切り替えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, the operation control circuit operates the corresponding first bias current source only when the first transistor is conductive, so that the bias current value is automatically switched according to the selection of the feedback circuit. There is an effect that can be.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記動作制御回路は、定電流を発生する定電流源と、該定電流を流すダイオード接続された第2トランジスタと、該第2トランジスタとベースが共通接続されており、上記第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタとを含み上記第1バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第4トランジスタであることを特徴としている。   In the light-receiving amplifier circuit according to the present invention, the operation control circuit includes a constant current source that generates a constant current, a diode-connected second transistor that supplies the constant current, and a base that is commonly connected to the second transistor. The first bias current source including a third transistor that turns on / off the first transistor is a fourth transistor that forms a current mirror circuit with the second transistor.

上記の構成によれば、第3トランジスタのベースと第4トランジスタのベースとが、第2トランジスタのベースに共通に接続されているため、第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタと第1バイアス電流源である第4トランジスタとが連動する。したがって、帰還回路の選択に伴って、対応するバイアス電流源を簡単な構成で切り替えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, since the base of the third transistor and the base of the fourth transistor are connected in common to the base of the second transistor, the third transistor for turning ON / OFF the first transistor and the first bias The fourth transistor, which is a current source, is linked. Accordingly, there is an effect that the corresponding bias current source can be switched with a simple configuration as the feedback circuit is selected.

本発明に係る受光アンプ回路では、さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であることがさらに好ましい。   The light receiving amplifier circuit according to the present invention further includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting the output voltage when there is no current from the light receiving element for each of the feedback circuits, and the offset voltage correction circuit includes: A second resistor connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source; and a fifth transistor connected in series with the second resistor to turn on / off the offset voltage correction circuit; A second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor, the first bias current and the second bias current flowing simultaneously are equal in current value, and the feedback circuit and the offset voltage correction The corresponding circuits are selected one by one, and the first resistor in the selected feedback circuit and the selected offset voltage correction circuit are selected. That the second resistor, more preferably resistance to each other are the same.

上記の構成によれば、オフセット電圧補正回路を設けることで無信号時における出力電圧を抑えることができ、ダイナミックレンジの減少を抑制することができる。また、第1抵抗とそれに対応する第2抵抗の抵抗値が互いに等しく、同時に流される第1バイアス電流と第2バイアス電流とが互いに電流値が等しいので、オフセット電圧をさらに抑制することができるという効果を奏する。   According to said structure, by providing an offset voltage correction circuit, the output voltage at the time of no signal can be suppressed, and the reduction | decrease of a dynamic range can be suppressed. Further, since the resistance values of the first resistor and the corresponding second resistor are equal to each other, and the first bias current and the second bias current that are simultaneously supplied have the same current value, the offset voltage can be further suppressed. There is an effect.

本発明に係る受光アンプ回路では、記オフセット電圧補正回路は、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であることを特徴としている。 In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, the upper Symbol offset voltage correction circuit includes a second resistor, and a fifth transistor for ON / OFF the offset voltage correction circuit is connected to the second resistor in series, the fifth transistor A second bias current source that generates a second bias current to be supplied to the first bias current, and the first bias current and the second bias current that are simultaneously supplied have the same current value, and the feedback circuit and the offset voltage correction circuit correspond to each other. Each of them is selected one by one, and the first resistor in the selected feedback circuit and the second resistor in the selected offset voltage correction circuit have the same resistance value.

上記の構成によれば、オフセット電圧補正回路の選択に伴って、第5トランジスタに第2バイアス電流を自動的に流すことができるという効果を奏する。   According to said structure, there exists an effect that a 2nd bias current can be automatically sent through a 5th transistor with selection of an offset voltage correction circuit.

本発明に係る受光アンプ回路では、さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、上記第2バイアス電流源を1つ設け、該第2バイアス電流源が上記第2入力端子に接続され、上記第2バイアス電流源と上記第2入力端子との接続点を介して上記第2バイアス電流を流すことがさらに好ましい。   The light receiving amplifier circuit according to the present invention further includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting the output voltage when there is no current from the light receiving element for each of the feedback circuits, and the offset voltage correction circuit includes: A second resistor connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source; and a fifth transistor connected in series with the second resistor to turn on / off the offset voltage correction circuit; A second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor, the first bias current and the second bias current flowing simultaneously are equal in current value, and the feedback circuit and the offset voltage correction The corresponding circuits are selected one by one, and the first resistor in the selected feedback circuit and the selected offset voltage correction circuit are selected. And the second resistor having the same resistance value, the one second bias current source is provided, the second bias current source is connected to the second input terminal, and the second bias current source and the second resistor are connected to each other. More preferably, the second bias current flows through a connection point with the second input terminal.

上記の構成によれば、第1バイアス電流源と第2バイアス電流源がそれぞれ1つだけ設けるだけで済むので、製造コストを抑えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, since only one first bias current source and one second bias current source are provided, the manufacturing cost can be reduced.

本発明に係る受光アンプ回路では、さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、上記第2バイアス電流源は、上記オフセット電圧補正回路と個々に対応して設けられており、上記第2入力端子に接続され、上記第2バイアス電流源と上記第2入力端子との接続点を介して上記第2バイアス電流を流し、上記動作制御回路は、上記第5トランジスタが導通している時のみ該第5トランジスタが接続されている上記第2バイアス電流源をさらに動作させ、定電流を発生する定電流源と、該定電流を流すダイオード接続された第2トランジスタと、該第2トランジスタとベースが共通接続されており、上記第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタと、上記第5トランジスタをON/OFFする第6トランジスタとを含み、上記第1バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第4トランジスタであり、上記第2バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第7トランジスタであることがさらに好ましい。   The light receiving amplifier circuit according to the present invention further includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting the output voltage when there is no current from the light receiving element for each of the feedback circuits, and the offset voltage correction circuit includes: A second resistor connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source; and a fifth transistor connected in series with the second resistor to turn on / off the offset voltage correction circuit; A second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor, the first bias current and the second bias current flowing simultaneously are equal in current value, and the feedback circuit and the offset voltage correction The corresponding circuits are selected one by one, and the first resistor in the selected feedback circuit and the selected offset voltage correction circuit are selected. The second resistors have the same resistance value, and the second bias current source is provided corresponding to each of the offset voltage correction circuits, and is connected to the second input terminal. The second bias current is allowed to flow through a connection point between a two-bias current source and the second input terminal, and the operation control circuit connects the fifth transistor only when the fifth transistor is conductive. The second bias current source is further operated, a constant current source for generating a constant current, a diode-connected second transistor for supplying the constant current, and the base of the second transistor and the base are connected in common. A third transistor for turning on / off the first transistor; and a sixth transistor for turning on / off the fifth transistor. The first bias current source includes the second transistor. A fourth transistor constituting the register a current mirror circuit, said second bias current source is more preferably a seventh transistor constituting the second transistor and the current mirror circuit.

上記の構成によれば、第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタのベース、第1バイアス電流源である第4トランジスタのベース、第5トランジスタをON/OFFする第6トランジスタのベースおよび第2バイアス電流源である第7トランジスタのベースが、第2トランジスタのベースに共通に接続されている。よって、各トランジスタのON/OFFが連動していることにより、帰還回路の選択にあわせて、対応するオフセット電圧補正回路、第1バイアス電流および第2バイアス電流を切り替えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, the base of the third transistor that turns on / off the first transistor, the base of the fourth transistor that is the first bias current source, the base of the sixth transistor that turns on / off the fifth transistor, and the second The base of the seventh transistor, which is a bias current source, is commonly connected to the base of the second transistor. Therefore, since the ON / OFF of each transistor is interlocked, the corresponding offset voltage correction circuit, the first bias current, and the second bias current can be switched in accordance with the selection of the feedback circuit.

本発明に係る受光アンプ回路では、さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、上記第2バイアス電流源は、上記オフセット電圧補正回路と個々に対応して設けられており、上記各オフセット電圧補正回路における上記第2抵抗と上記第5トランジスタとの間に接続されていてもよい。   The light receiving amplifier circuit according to the present invention further includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting the output voltage when there is no current from the light receiving element for each of the feedback circuits, and the offset voltage correction circuit includes: A second resistor connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source; and a fifth transistor connected in series with the second resistor to turn on / off the offset voltage correction circuit; A second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor, the first bias current and the second bias current flowing simultaneously are equal in current value, and the feedback circuit and the offset voltage correction The corresponding circuits are selected one by one, and the first resistor in the selected feedback circuit and the selected offset voltage correction circuit are selected. The second resistors have the same resistance value, and the second bias current source is provided corresponding to each of the offset voltage correction circuits. And the fifth transistor may be connected.

上記の構成によれば、第1バイアス電流が帰還抵抗と第1トランジスタのコレクタ端子との間に帰還回路ごとに設けられている場合に、好適に無信号時における出力電圧を抑えることができる。また、第1バイアス電流源および第2バイアス電流源を複数設ける必要があるものの、第1抵抗には第1バイアス電流は流れないので、ダイナミックレンジの減少は少ないという効果を奏する。   According to said structure, when the 1st bias current is provided for every feedback circuit between the feedback resistance and the collector terminal of the 1st transistor, the output voltage at the time of no signal can be suppressed suitably. Further, although it is necessary to provide a plurality of first bias current sources and a plurality of second bias current sources, the first bias current does not flow through the first resistor, so that the dynamic range is hardly reduced.

本発明に係る受光アンプ回路では、さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、上記第2バイアス電流源は、上記オフセット電圧補正回路と個々に対応して設けられており、上記各オフセット電圧補正回路における上記第2抵抗と上記第5トランジスタとの間に接続され、上記動作制御回路は、上記第5トランジスタが導通している時のみ該第5トランジスタが接続されている上記第2バイアス電流源をさらに動作させ、定電流を発生する定電流源と、該定電流を流すダイオード接続された第2トランジスタと、該第2トランジスタとベースが共通接続されており、上記第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタと、上記第5トランジスタをON/OFFする第6トランジスタとを含み、上記第1バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第4トランジスタであり、上記第2バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第7トランジスタであることがさらに好ましい。   The light receiving amplifier circuit according to the present invention further includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting the output voltage when there is no current from the light receiving element for each of the feedback circuits, and the offset voltage correction circuit includes: A second resistor connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source; and a fifth transistor connected in series with the second resistor to turn on / off the offset voltage correction circuit; A second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor, the first bias current and the second bias current flowing simultaneously are equal in current value, and the feedback circuit and the offset voltage correction The corresponding circuits are selected one by one, and the first resistor in the selected feedback circuit and the selected offset voltage correction circuit are selected. The second resistors have the same resistance value, and the second bias current source is provided corresponding to each of the offset voltage correction circuits. And the operation control circuit further operates the second bias current source to which the fifth transistor is connected only when the fifth transistor is conducting, and A constant current source for generating a current; a diode-connected second transistor for supplying the constant current; a second transistor and a base connected in common; and a third transistor for turning on / off the first transistor; A sixth transistor for turning on / off the fifth transistor, and the first bias current source includes a current mirror circuit and the second transistor. A fourth transistor constituting the said second bias current source is more preferably a seventh transistor constituting the second transistor and the current mirror circuit.

上記の構成によれば、第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタのベース、第1バイアス電流源である第4トランジスタのベース、第5トランジスタをON/OFFする第6トランジスタのベースおよび第2バイアス電流源である第7トランジスタのベースが、第2トランジスタのベースに共通に接続されている。よって、各トランジスタのON/OFFが連動していることにより、帰還回路の選択にあわせて、対応するオフセット電圧補正回路、第1バイアス電流および第2バイアス電流を切り替えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, the base of the third transistor that turns on / off the first transistor, the base of the fourth transistor that is the first bias current source, the base of the sixth transistor that turns on / off the fifth transistor, and the second The base of the seventh transistor, which is a bias current source, is commonly connected to the base of the second transistor. Therefore, since the ON / OFF of each transistor is interlocked, the corresponding offset voltage correction circuit, the first bias current, and the second bias current can be switched in accordance with the selection of the feedback circuit.

本発明に係る受光アンプ回路では、受光アンプ回路に設けられている全てのトランジスタの特性が同一であり、上記帰還回路における上記各第1バイアス電流源の接続点と出力端子との間のインピーダンスを第1帰還回路インピーダンスとして、該第1帰還回路インピーダンスと上記第1バイアス電流との積が、上記受光アンプ回路に設けられているトランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧より大きいことがさらに好ましい。   In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, the characteristics of all the transistors provided in the light receiving amplifier circuit are the same, and the impedance between the connection point of each first bias current source in the feedback circuit and the output terminal is More preferably, as the first feedback circuit impedance, a product of the first feedback circuit impedance and the first bias current is larger than a collector-emitter voltage at the time of saturation of a transistor provided in the light receiving amplifier circuit.

上記の構成によれば、第3トランジスタのコレクタ−エミッタ間電圧が、トランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧より高いため、増幅器内に上記第3トランジスタのコレクタ−エミッタ間電圧の確保のためのトランジスタを設ける必要がないという効果を奏する。   According to the above configuration, since the collector-emitter voltage of the third transistor is higher than the collector-emitter voltage when the transistor is saturated, the transistor for securing the collector-emitter voltage of the third transistor in the amplifier. There is an effect that it is not necessary to provide.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記第1バイアス電流と上記第1帰還回路インピーダンスとの積が、上記受光アンプ回路に設けられているトランジスタのベース−エミッタ間電圧より小さいことがさらに好ましい。   In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, it is more preferable that a product of the first bias current and the first feedback circuit impedance is smaller than a base-emitter voltage of a transistor provided in the light receiving amplifier circuit.

上記の構成によれば、受光アンプ回路の無信号時出力電圧がバイアス電流を供給しない従来の受光アンプ回路の無信号時出力電圧よりも低いので、従来の受光アンプ回路よりも広いダイナミックレンジを確保できるという効果を奏する。   According to the above configuration, the no-signal output voltage of the photoreceiver amplifier circuit is lower than the no-signal output voltage of the conventional photoreceiver amplifier circuit that does not supply a bias current, thus ensuring a wider dynamic range than the conventional photoreceiver amplifier circuit. There is an effect that can be done.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記第1バイアス電流を上記帰還回路のON/OFFに応じてON/OFFさせ、各帰還回路における上記第1抵抗と第1トランジスタとのインピーダンスの和を第2帰還回路インピーダンスとして、選択された帰還回路の第2帰還回路インピーダンスが小さいほど、電流値の大きな第1バイアス電流源が選択され、選択された帰還回路の第2帰還回路インピーダンスが大きいほど、電流値の小さい第1バイアス電流源が選択されることがさらに好ましい。 In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, the first bias current is turned ON / OFF in accordance with the ON / OFF of the feedback circuit, the sum of the impedance between the first resistor and the first transistor in each feedback circuit first As the second feedback circuit impedance, the smaller the second feedback circuit impedance of the selected feedback circuit is, the larger the first bias current source is selected. The larger the second feedback circuit impedance of the selected feedback circuit is, the larger the current is More preferably, the first bias current source having a small value is selected.

上記の構成によれば、帰還回路のインピーダンスが大きい場合、ゲインの変化率は小さくなることから、バイアス電流を少なくすることができ、消費電力を抑制することができる。また、帰還回路のインピーダンスが小さいほど、ゲインの変化率は大きくなることから、バイアス電流を増やすことにより、ゲインの変化率を抑えることができるという効果を奏する。   According to the above configuration, when the impedance of the feedback circuit is large, the gain change rate is small, so that the bias current can be reduced and the power consumption can be suppressed. Further, since the gain change rate increases as the impedance of the feedback circuit decreases, the gain change rate can be suppressed by increasing the bias current.

本発明に係る受光アンプ回路では、上記第1バイアス電流は、上記受光素子からの電流の最大値と上記第2帰還回路インピーダンスとの積と、上記受光素子からの電流が無い時における上記増幅器の出力電圧との和が、上記増幅器の最大許容出力電圧よりも小さくなるように設定されていることがさらに好ましい。   In the light receiving amplifier circuit according to the present invention, the first bias current is obtained by multiplying the product of the maximum value of the current from the light receiving element and the second feedback circuit impedance and the current when there is no current from the light receiving element. More preferably, the sum with the output voltage is set to be smaller than the maximum allowable output voltage of the amplifier.

上記の構成によれば、受光素子から供給される電流が最大の場合であっても、出力電圧が受光アンプ回路の最大許容出力電圧を超えることがないので、出力信号のひずみが発生しないという効果を奏する。   According to the above configuration, even when the current supplied from the light receiving element is maximum, the output voltage does not exceed the maximum allowable output voltage of the light receiving amplifier circuit, so that the distortion of the output signal does not occur. Play.

本発明に係る光ピックアップは、上記受光アンプ回路を備えていることを特徴とする。   An optical pickup according to the present invention includes the light receiving amplifier circuit.

上記の構成によれば、レーザの反射光に対して誤差の少ない出力電圧が検出できる光ピックアップを実現することができる。   According to said structure, the optical pick-up which can detect the output voltage with few errors with respect to the reflected light of a laser is realizable.

本発明に係る受光アンプ回路は、以上のように、受光素子と、受光素子で発生する電流を電圧に変換して増幅する増幅器と、第1抵抗と帰還回路をON/OFFする第1トランジスタとが直列接続された複数の帰還回路と、上記帰還回路の個々に対して上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路とを備え、上記受光素子は上記増幅器の第1入力端子に接続され、上記複数の帰還回路は、上記受光素子と上記第1入力端子との接続点と、上記増幅器の出力端子との間に並列接続され、上記第1抵抗のインピーダンスは、互いに異なっており、上記オフセット電圧補正回路は、上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されている受光アンプ回路において、上記第1トランジスタに流す第1バイアス電流を発生する第1バイアス電流源を備え、上記バイアス電流源は、上記受光素子および上記複数の帰還回路に接続され、導通している第1トランジスタには、上記受光素子で発生する電流と上記第1バイアス電流とを加算した電流が流れる構成である。 As described above, the light receiving amplifier circuit according to the present invention includes a light receiving element, an amplifier that converts a current generated in the light receiving element into a voltage and amplifies the first resistor, and a first transistor that turns on and off a feedback circuit. includes but a plurality of feedback circuits connected in series, and a plurality of offset voltage correction circuit for correcting the output voltage at when the current from the light receiving element is not for individual the feedback circuit, the light receiving element The plurality of feedback circuits are connected in parallel between a connection point between the light receiving element and the first input terminal and an output terminal of the amplifier, and are connected to the first input terminal of the amplifier. the impedance are different from each other, the offset voltage correction circuit in the light receiving amplifier circuit are connected in parallel between the second input terminal and a reference voltage source of the amplifier, said first Trang Comprising a first bias current source for generating a first bias current applied to the static, the bias current source is connected to the light receiving element and the plurality of feedback circuits, the first transistor is conducting, the light receiving element In this configuration, a current obtained by adding the current generated in step 1 and the first bias current flows .

これにより、第1トランジスタに流れる電流がバイアス電流分増加するため、受光素子の検出信号の変化に対する帰還回路のゲインの変化が少なくなる。よって従来の受光アンプ回路に比べて誤差の少ない出力電圧を得ることができるという効果を奏する。   As a result, the current flowing through the first transistor increases by the bias current, so that the change in the gain of the feedback circuit with respect to the change in the detection signal of the light receiving element is reduced. Therefore, an effect is obtained that an output voltage with less error can be obtained as compared with the conventional light receiving amplifier circuit.

〔実施の形態1〕
本発明の一実施形態について図1ないし図19に基づいて説明すると以下の通りである。
[Embodiment 1]
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図1は本実施の形態に係る受光アンプ回路1の構成を示している。   FIG. 1 shows a configuration of a light receiving amplifier circuit 1 according to the present embodiment.

受光アンプ回路1は、図34に示す従来の受光アンプ回路91にバイアス電流源CSB1aを加えた構成となっている。バイアス電流源CSB1aは、受光素子PD1および各帰還抵抗FB1〜FBnに接続されており、バイアス電流IBIAS1aを発生する。   The light receiving amplifier circuit 1 has a configuration in which a bias current source CSB1a is added to the conventional light receiving amplifier circuit 91 shown in FIG. The bias current source CSB1a is connected to the light receiving element PD1 and the feedback resistors FB1 to FBn, and generates a bias current IBIAS1a.

例えば、電流源CS1のみがONでトランジスタSW1のみが導通している場合、帰還抵抗FB1を流れるトランジスタSW1のコレクタ電流はIPD1+IBIAS1aとなる。すなわち、受光アンプ回路1は、受光アンプ回路91に比べ、トランジスタSW1のコレクタ電流をバイアス電流IBIAS1aだけ増加させる。   For example, when only the current source CS1 is ON and only the transistor SW1 is conducting, the collector current of the transistor SW1 flowing through the feedback resistor FB1 is IPD1 + IBIAS1a. That is, the light receiving amplifier circuit 1 increases the collector current of the transistor SW1 by the bias current IBIAS1a as compared with the light receiving amplifier circuit 91.

ここで受光素子PD1からの電流が0〜IPD1maxの範囲で変化すると仮定する。このとき、受光アンプ回路91においてはトランジスタSW1のコレクタ電流も0〜IPD1maxの範囲で変化するので、電流ゲインの変化量ΔRaは式(4)および式(7)より、
ΔRa=ΔZSW1
VT×(1−αR)/(ISW1+(1−αR)・0)−
VT×(1−αR)/(ISW1+(1−αR)・IPD1max)
VT×(1−αR)・(1/ISW1−1/(ISW1+(1−αR)・IPD1max)
VT×(1−αR) 2 ・IPD1max /(ISW1・(ISW1+(1−αR)・IPD1max)) …(9)
となる。
Here, it is assumed that the current from the light receiving element PD1 changes in the range of 0 to IPD1max. At this time, in the light receiving amplifier circuit 91, the collector current of the transistor SW1 also changes in the range of 0 to IPD1max. Therefore, the change amount ΔRa of the current gain is obtained from the equations (4) and (7):
ΔRa = ΔZSW1
= VT × (1−αR) / (ISW1 + (1−αR) · 0) −
VT × (1−αR) / (ISW1 + (1−αR) ・ IPD1max)
VT × (1−αR) ・ (1 / ISW1−1 / (ISW1 + (1−αR) ・ IPD1max)
VT × (1−αR) 2 ・ IPD1max / (ISW1 ・ (ISW1 + (1−αR) ・ IPD1max)) (9)
It becomes.

一方、本実施形態の構成では、受光素子PD1からの電流IPD1が0〜IPD1maxの範囲で変化すると、トランジスタSW1のコレクタ電流はIBIAS1a〜IBIAS1a+IPD1maxの範囲で変化するので、ゲインの変化量ΔRaは式(4)および式(7)より、
ΔRa=ΔZSW1
VT×(1−αR)/(ISW1+(1−αR)・IBIAS1a)−
VT×(1−αR)/(ISW1+(1−αR)・(IBIAS1a+IPD1max))
VT×(1−αR)・(1/ISW1−1/(ISW1+(1−αR)・IPD1max))
VT×(1−αR) 2 ・IPD1max/
((ISW1+(1−αR)・IBIAS1a)・(ISW1+(1−αR)・(IBIAS1a+IPD1max)))
…(10)
となる。
On the other hand, in the configuration of this embodiment, when the current IPD1 from the light receiving element PD1 changes in the range of 0 to IPD1max, the collector current of the transistor SW1 changes in the range of IBIAS1a to IBIAS1a + IPD1max. From 4) and formula (7)
ΔRa = ΔZSW1
VT × (1−αR) / (ISW1 + (1−αR) ・ IBIAS1a) −
VT × (1−αR) / (ISW1 + (1−αR) ・ (IBIAS1a + IPD1max))
VT × (1−αR) ・ (1 / ISW1−1 / (ISW1 + (1−αR) ・ IPD1max))
VT × (1−αR) 2 ・ IPD1max /
((ISW1 + (1−αR) ・ IBIAS1a) ・ (ISW1 + (1−αR) ・ (IBIAS1a + IPD1max))))
... (10)
It becomes.

ここで式(9)と式(10)とを比較すると、分子は等しいが分母は式(10)のほうが大きいため、式(10)のほうが式(9)よりも小さい。よって、受光素子PD1からの電流IPD1の変化量に対し、受光アンプ回路1の構成のほうがゲインの変化量は少なくなる。   Here, when the formula (9) is compared with the formula (10), the numerator is equal, but the denominator is larger in the formula (10), so the formula (10) is smaller than the formula (9). Therefore, the amount of gain change is smaller in the configuration of the light receiving amplifier circuit 1 than the amount of change in the current IPD1 from the light receiving element PD1.

すなわち図3に示すように、トランジスタのインピーダンスはコレクタ電流が大きいほど変化量が少なくなるので、コレクタ電流をバイアス電流IBIAS1aで増大させることにより、受光素子PD1からの電流IPD1の変化に対してトランジスタのインピーダンスの変化が少なくなる。   That is, as shown in FIG. 3, the amount of change in the impedance of the transistor decreases as the collector current increases. Therefore, by increasing the collector current by the bias current IBIAS1a, the transistor impedance is changed with respect to the change in the current IPD1 from the light receiving element PD1. Less impedance change.

よって、本実施形態の構成のほうが従来の構成よりもゲインの変化量は少なく、受光素子PD1からの電流IPD1に対する出力電圧Vo1の誤差が改善される。   Therefore, the configuration of the present embodiment has a smaller amount of gain change than the conventional configuration, and the error of the output voltage Vo1 with respect to the current IPD1 from the light receiving element PD1 is improved.

なお、上記の場合トランジスタSW1はPNP型トランジスタであるが、トランジスタSW1がNPN型トランジスタの場合は、バイアス電流IBIAS1aはトランジスタISW1のエミッタ電流を増加させ、式(10)と同様の結果が得られる。   In the above case, the transistor SW1 is a PNP type transistor. However, when the transistor SW1 is an NPN type transistor, the bias current IBIAS1a increases the emitter current of the transistor ISW1, and the result similar to the expression (10) is obtained.

また図2は、本実施形態に係る受光アンプ回路2の構成を示している。   FIG. 2 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 2 according to the present embodiment.

受光アンプ回路2は、図35に示す従来の受光アンプ回路92にバイアス電流源CSB1aを加えた構成となっている。バイアス電流源CSB1aは、受光素子PD1および各帰還抵抗FB1〜FBnに接続されており、バイアス電流IBIAS1aを発生する。   The light receiving amplifier circuit 2 is configured by adding a bias current source CSB1a to the conventional light receiving amplifier circuit 92 shown in FIG. The bias current source CSB1a is connected to the light receiving element PD1 and the feedback resistors FB1 to FBn, and generates a bias current IBIAS1a.

受光アンプ回路2においても受光アンプ回路1と同様、例えば、電流源CS1のみがONでトランジスタSW1のみが導通している場合、帰還抵抗FB1を流れるトランジスタSW1のコレクタ電流はIPD1+IBIAS1aとなる。すなわち、受光アンプ回路2は、受光アンプ回路92に比べ、トランジスタSW1のコレクタ電流をバイアス電流IBIAS1aだけ増加させる。   Similarly to the light receiving amplifier circuit 1 in the light receiving amplifier circuit 2, for example, when only the current source CS1 is ON and only the transistor SW1 is conductive, the collector current of the transistor SW1 flowing through the feedback resistor FB1 is IPD1 + IBIAS1a. That is, the light receiving amplifier circuit 2 increases the collector current of the transistor SW1 by the bias current IBIAS1a as compared with the light receiving amplifier circuit 92.

受光素子PD1からの電流IPD1の変化に対する、帰還回路のゲインの変化量についても受光アンプ回路1と同様、式(9)(10)が成り立ち、受光アンプ回路2のほうが、受光アンプ回路92の場合よりもゲインの変化量が少なくなる。   Similarly to the light receiving amplifier circuit 1, the amount of change in the gain of the feedback circuit with respect to the change in the current IPD1 from the light receiving element PD1 is established as in equations (9) and (10). The amount of change in gain is less than that.

なお、受光アンプ回路1においては帰還回路C1が選択されるとオフセット電圧補正回路Cd1が選択され、同様に、帰還回路Cnが選択されるとオフセット電圧補正回路Cdnが選択されるようになっている。すなわち、帰還回路C1〜Cnの選択に合わせて、それぞれオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnの選択が行われることにより、オフセット電圧を低減している。   In the light receiving amplifier circuit 1, when the feedback circuit C1 is selected, the offset voltage correction circuit Cd1 is selected. Similarly, when the feedback circuit Cn is selected, the offset voltage correction circuit Cdn is selected. . That is, the offset voltage is reduced by selecting the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn in accordance with the selection of the feedback circuits C1 to Cn, respectively.

図4は、受光アンプ回路1における帰還回路選択に伴うオフセット電圧補正回路の切替手段の具体的な回路構成例を示している。   FIG. 4 shows a specific circuit configuration example of the switching means of the offset voltage correction circuit accompanying the feedback circuit selection in the light receiving amplifier circuit 1.

帰還回路C1のトランジスタSW1のベースにはトランジスタQSW1のコレクタが接続され、トランジスタQSW1のエミッタは接地されている。オフセット電圧補正回路Cd1においては、トランジスタSWd1のベースにはトランジスタQSWd1のコレクタが接続され、トランジスタQSWd1のエミッタは接地されている。トランジスタQSW1のベースとトランジスタQSWd1のベースはともに、トランジスタQCM1aのベースとコレクタに共通に接続されており、トランジスタQCM1aのエミッタは接地されている。トランジスタQCM1aのベースとコレクタは電流源CSCM1aとトランジスタSWCM1aのコレクタに接続されている。電流源CSCM1aは定電流ICM1aを発生し、トランジスタSWCM1aのベースは電源VS3aに接続されており、トランジスタSWCM1aのエミッタは接地されている。   The collector of the transistor QSW1 is connected to the base of the transistor SW1 of the feedback circuit C1, and the emitter of the transistor QSW1 is grounded. In the offset voltage correction circuit Cd1, the collector of the transistor QSWd1 is connected to the base of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QSWd1 is grounded. Both the base of the transistor QSW1 and the base of the transistor QSWd1 are commonly connected to the base and collector of the transistor QCM1a, and the emitter of the transistor QCM1a is grounded. The base and collector of the transistor QCM1a are connected to the current source CSCM1a and the collector of the transistor SWCM1a. The current source CSCM1a generates a constant current ICM1a, the base of the transistor SWCM1a is connected to the power supply VS3a, and the emitter of the transistor SWCM1a is grounded.

上記の構成においては、トランジスタSWCM1aのOFF/ONにより、トランジスタQCM1aがON/OFFし、トランジスタQSW1およびトランジスタQSWd1がON/OFFする。トランジスタQCM1aがONすることによって、定電流ISW1および定電流ISWd1が発生し、トランジスタSW1・トランジスタSWd1も連動してON/OFFする。ここで電流源CSCM1a、トランジスタQCM1a、トランジスタQSW1およびトランジスタQSWd1がカレントミラー回路を構成していることから、定電流ISW1および定電流ISWd1は互いに等しくなる。   In the above configuration, when the transistor SWCM1a is turned on / off, the transistor QCM1a is turned on / off, and the transistor QSW1 and the transistor QSWd1 are turned on / off. When the transistor QCM1a is turned on, a constant current ISW1 and a constant current ISWd1 are generated, and the transistors SW1 and SWd1 are also turned on / off in conjunction with each other. Here, since the current source CSCM1a, the transistor QCM1a, the transistor QSW1 and the transistor QSWd1 form a current mirror circuit, the constant current ISW1 and the constant current ISWd1 are equal to each other.

次に、帰還回路の選択に応じてバイアス電流が切り替わり、さらに受光素子からの電流の変化に応じてバイアス電流を変化させる構成を図5および6に示す。   Next, FIGS. 5 and 6 show a configuration in which the bias current is switched according to the selection of the feedback circuit and the bias current is changed according to the change in the current from the light receiving element.

図5は本実施形態に係る受光アンプ回路3の構成を示している。   FIG. 5 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 3 according to the present embodiment.

式(10)より、バイアス電流IBIAS1aが大きいほどゲインの変化量が少なくなる。よって帰還抵抗値Rfnが小さい場合、すなわちインピーダンスの小さい帰還回路が選択された場合には、式(8)におけるゲインの変化率を抑えるために、バイアス電流調整回路9は、バイアス電流IBIAS1aを大きくすることが望ましい。   From equation (10), the larger the bias current IBIAS 1a, the smaller the amount of gain change. Therefore, when the feedback resistance value Rfn is small, that is, when a feedback circuit having a low impedance is selected, the bias current adjustment circuit 9 increases the bias current IBIAS1a in order to suppress the gain change rate in the equation (8). It is desirable.

逆に、帰還抵抗値Rfnが大きい場合、すなわちインピーダンスの大きい帰還回路が選択された場合は、式(8)よりゲインの変化量が大きくてもゲインの変化率はあまり影響を受けないので、バイアス電流調整回路はバイアス電流IBIAS1aを少なくしてもよい。これにより消費電力を抑えることができる。   On the other hand, when the feedback resistance value Rfn is large, that is, when a feedback circuit having a large impedance is selected, the gain change rate is not significantly affected even if the gain change amount is large from the equation (8). The current adjustment circuit may reduce the bias current IBIAS1a. Thereby, power consumption can be suppressed.

そこで受光アンプ回路3では、受光アンプ回路1の構成において、単一のバイアス電流源CSB1aの代わりに複数のバイアス電流源CSB1a〜CSBnaが受光素子PD1および各帰還抵抗FB1〜FBnに並列に接続されており、それぞれバイアス電流IBIAS1a〜IBIASnaを発生する。バイアス電流IBIAS1a〜IBIASnaの大きさはそれぞれ異なっており、帰還回路C1〜Cnの選択に合わせてバイアス電流源CSB1a〜CSBnaが選択される構成となっている。   Therefore, in the light receiving amplifier circuit 3, in the configuration of the light receiving amplifier circuit 1, a plurality of bias current sources CSB1a to CSBna are connected in parallel to the light receiving element PD1 and the feedback resistors FB1 to FBn instead of the single bias current source CSB1a. The bias currents IBIAS1a to IBIASna are generated, respectively. The magnitudes of the bias currents IBIAS1a to IBIASna are different, and the bias current sources CSB1a to CSBna are selected in accordance with the selection of the feedback circuits C1 to Cn.

すなわち、電流源CS1のみがONでトランジスタSW1のみが導通している場合、それに伴いバイアス電流源CSB1aのみが選択され、トランジスタSW1のコレクタ電流をバイアス電流IBIAS1aだけ増加させる。同様に、電流源CSk(k=2〜n)のみがONでトランジスタSWk(k=2〜n)のみが導通している場合、それに伴いバイアス電流源CSBka(k=2〜n)のみが選択され、トランジスタSWk(k=2〜n)のコレクタ電流をバイアス電流IBIASka(k=2〜n)だけ増加させる。   That is, when only the current source CS1 is ON and only the transistor SW1 is conductive, only the bias current source CSB1a is selected accordingly, and the collector current of the transistor SW1 is increased by the bias current IBIAS1a. Similarly, when only the current source CSk (k = 2 to n) is ON and only the transistor SWk (k = 2 to n) is conductive, only the bias current source CSBka (k = 2 to n) is selected accordingly. The collector current of the transistor SWk (k = 2 to n) is increased by the bias current IBIASka (k = 2 to n).

このとき、バイアス電流IBIASnaの大きさは、選択される帰還回路Cnの帰還抵抗FBnの抵抗値と反比例の関係にある。例えば、帰還抵抗FB1〜FBnの帰還抵抗値Rf1〜Rfnの順で抵抗値が大きくなるとすると、それに対応するバイアス電流IBIAS1a〜IBIASnaはその順で電流値が小さくなる。   At this time, the magnitude of the bias current IBIASna is inversely proportional to the resistance value of the feedback resistor FBn of the selected feedback circuit Cn. For example, if the resistance values increase in the order of the feedback resistance values Rf1 to Rfn of the feedback resistors FB1 to FBn, the corresponding bias currents IBIAS1a to IBIASna decrease in current order.

さらに受光アンプ回路3には、出力電圧検出回路8(電流検出回路)およびバイアス電流調整回路9が設けられている。   Further, the light receiving amplifier circuit 3 is provided with an output voltage detection circuit 8 (current detection circuit) and a bias current adjustment circuit 9.

出力電圧検出回路8は、出力端子に接続されており、出力電圧Vo1を検出することにより間接的に電流IPD1の電流値を検出する。   The output voltage detection circuit 8 is connected to the output terminal, and indirectly detects the current value of the current IPD1 by detecting the output voltage Vo1.

バイアス電流調整回路9は、バイアス電流IBIAS1a〜IBIASnaの大きさを調整する回路であり、バイアス電流IBIAS1aを例にとると、以下のようにバイアス電流IBIAS1aを調整する。   The bias current adjusting circuit 9 is a circuit for adjusting the magnitudes of the bias currents IBIAS1a to IBIASna. Taking the bias current IBIAS1a as an example, the bias current adjusting circuit 9 adjusts the bias current IBIAS1a as follows.

まず、バイアス電流調整回路9は受光素子PD1からの電流IPD1の増加/減少に伴って、出力電圧検出回路8で検出された出力電圧Vo1が増加/減少すると、それに応じて、バイアス電流IBIAS1aを減少/増加させる働きを持つ。   First, when the output voltage Vo1 detected by the output voltage detection circuit 8 increases / decreases as the current IPD1 from the light receiving element PD1 increases / decreases, the bias current adjustment circuit 9 decreases the bias current IBIAS1a accordingly. / Has the ability to increase.

バイアス電流調整回路9は、さらに電流IPD1とバイアス電流IBIAS1aの和を一定に保つ働きを持つ。このようにバイアス電流IBIAS1aを調整すると、トランジスタSW1〜SWnのコレクタ電流が一定となり、トランジスタSW1〜SWnのインピーダンスが変化しない。したがって、電流IPD1に対する出力電圧Vo1の関係がより直線的になる。   The bias current adjusting circuit 9 further has a function of keeping the sum of the current IPD1 and the bias current IBIAS 1a constant. When the bias current IBIAS 1a is adjusted in this way, the collector currents of the transistors SW1 to SWn become constant, and the impedances of the transistors SW1 to SWn do not change. Therefore, the relationship of the output voltage Vo1 with respect to the current IPD1 becomes more linear.

またバイアス電流調整回路9は、出力電圧Vo1が受光アンプ回路3の最大出力電圧(Vo1max)を超えないように調整する働きを持つ。すなわち、バイアス電流調整回路9は以下のようにバイアス電流値を調整する。   The bias current adjusting circuit 9 has a function of adjusting the output voltage Vo1 so as not to exceed the maximum output voltage (Vo1max) of the light receiving amplifier circuit 3. That is, the bias current adjusting circuit 9 adjusts the bias current value as follows.

例えばトランジスタSW1のみがONであって、あらかじめ受光素子PD1からの電流の最大値(IPD1max)が分かっている場合は、オフセット電流をVodとして、
Volmax>(IPD1max×(Rf1+ZSW1)+IBIAS1×(Rf1+ZSW1)+Vod …(11)
となる。ここでIBIAS1×(Rf1+ZSW1)+Vodは、受光素子PD1からの信号が無い時(以下「無信号時」という)の受光アンプ回路1の出力電圧Vo1に相当する。無信号時における受光アンプ回路3の出力電圧Vo1をVo1minとすると、
Volmax−Volmin>IPD1max×(Rf1+ZSW1) …(12)
を満足すれば、出力波形がVo1maxを超えることはなく、ダイナミックレンジの減少による出力信号のひずみは発生しない。このように、バイアス電流調整回路9は、出力電圧検出回路8による出力電圧Vo1の検出値に基づき、式(12)を満たすようにバイアス電流を調整する。
For example, when only the transistor SW1 is ON and the maximum value (IPD1max) of the current from the light receiving element PD1 is known in advance, the offset current is Vod,
Volmax> (IPD1max × (Rf1 + ZSW1) + IBIAS1 × (Rf1 + ZSW1) + Vod (11)
It becomes. Here, IBIAS1 × (Rf1 + ZSW1) + Vod corresponds to the output voltage Vo1 of the light receiving amplifier circuit 1 when there is no signal from the light receiving element PD1 (hereinafter referred to as “no signal”). When the output voltage Vo1 of the light receiving amplifier circuit 3 at the time of no signal is Vo1min,
Volmax−Volmin> IPD1max × (Rf1 + ZSW1) (12)
If the condition is satisfied, the output waveform does not exceed Vo1max, and the distortion of the output signal due to the decrease of the dynamic range does not occur. As described above, the bias current adjustment circuit 9 adjusts the bias current so as to satisfy Expression (12) based on the detected value of the output voltage Vo1 by the output voltage detection circuit 8.

図6は、本実施形態に係る受光アンプ回路4の構成を示している。受光アンプ回路4は受光アンプ回路2の構成において、単一のバイアス電流源CSB1aの代わりに複数のバイアス電流源CSB1a〜CSBnaが受光素子PD1および各帰還抵抗FB1〜FBnに並列に接続されており、それぞれバイアス電流IBIAS1a〜IBIASnaを発生する。バイアス電流IBIAS1a〜IBIASnaの大きさはそれぞれ異なっており、帰還回路C1〜Cnの選択に合わせてバイアス電流源が選択される構成となっている。また受光アンプ回路3と同様、受光アンプ回路4にも、出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9が設けられている。   FIG. 6 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 4 according to the present embodiment. In the light receiving amplifier circuit 4, in the configuration of the light receiving amplifier circuit 2, a plurality of bias current sources CSB1a to CSBna are connected in parallel to the light receiving element PD1 and the feedback resistors FB1 to FBn instead of the single bias current source CSB1a. Bias currents IBIAS1a to IBIASna are generated, respectively. The magnitudes of the bias currents IBIAS1a to IBIASna are different, and the bias current source is selected in accordance with the selection of the feedback circuits C1 to Cn. Similarly to the light receiving amplifier circuit 3, the light receiving amplifier circuit 4 is provided with an output voltage detecting circuit 8 and a bias current adjusting circuit 9.

受光アンプ回路4において、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替、および出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9の働きは、受光アンプ回路3の場合と略同様である。   In the light receiving amplifier circuit 4, the switching of the bias current accompanying the selection of the feedback circuit and the functions of the output voltage detection circuit 8 and the bias current adjusting circuit 9 are substantially the same as those in the case of the light receiving amplifier circuit 3.

次に、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段、出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9の具体的な回路構成について図7〜図9を用いて説明する。   Next, specific circuit configurations of the bias current switching means, the output voltage detection circuit 8 and the bias current adjustment circuit 9 associated with the feedback circuit selection will be described with reference to FIGS.

図7は、受光アンプ回路3における、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段の具体的な回路構成を示している。ここでは、トランジスタSW1のみが導通し、バイアス電流IBIAS1aのみが選択されている場合を例にとって説明する。   FIG. 7 shows a specific circuit configuration of the bias current switching means associated with the feedback circuit selection in the light receiving amplifier circuit 3. Here, a case where only the transistor SW1 is turned on and only the bias current IBIAS1a is selected will be described as an example.

回路Aは、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段の具体的構成を示しており、受光素子PD1のカソードにトランジスタQBIAS1aのコレクタが接続され、トランジスタQBIAS1aのベースはトランジスタQCM1aのベースに接続されている。また、トランジスタQBIAS1aのエミッタは接地されている。   Circuit A shows a specific configuration of a bias current switching means associated with feedback circuit selection. The collector of transistor QBIAS1a is connected to the cathode of light receiving element PD1, and the base of transistor QBIAS1a is connected to the base of transistor QCM1a. Yes. The emitter of the transistor QBIAS 1a is grounded.

トランジスタQCM1aのベースとコレクタは互いに接続され、トランジスタQCM1aのエミッタは接地されている。またトランジスタQCM1aのコレクタは、電流源CSCM1aとトランジスタSWCM1aのコレクタに接続されており、トランジスタSWCM1aのエミッタは接地され、ベースは電源VS3aに接続されている。電流源CSCM1aは定電流ICM1aを発生させ、電流源CSCM1a、トランジスタQCM1aおよびトランジスタQBIAS1aがカレントミラー回路を構成することにより、バイアス電流IBIAS1aを発生する。   The base and collector of the transistor QCM1a are connected to each other, and the emitter of the transistor QCM1a is grounded. The collector of the transistor QCM1a is connected to the current source CSCM1a and the collector of the transistor SWCM1a, the emitter of the transistor SWCM1a is grounded, and the base is connected to the power supply VS3a. The current source CSCM1a generates a constant current ICM1a, and the current source CSCM1a, the transistor QCM1a, and the transistor QBIAS1a constitute a current mirror circuit, thereby generating a bias current IBIAS1a.

また、トランジスタQSW1のベースも、トランジスタQBIAS1aのベースと共通にトランジスタQCM1aのベースに接続されている。これによりトランジスタSWCM1aのOFF/ONに伴って、トランジスタQCM1aがON/OFFし、トランジスタQBIAS1aとトランジスタQSW1が連動してON/OFFする。これにより、帰還抵抗FB1を含む帰還回路C1が選択されると、それに伴ってバイアス電流IBIAS1aが選択されることとなる。   The base of the transistor QSW1 is also connected to the base of the transistor QCM1a in common with the base of the transistor QBIAS1a. As a result, the transistor QCM1a is turned on / off as the transistor SWCM1a is turned on / off, and the transistor QBIAS1a and the transistor QSW1 are turned on / off in conjunction with each other. Thus, when the feedback circuit C1 including the feedback resistor FB1 is selected, the bias current IBIAS1a is selected accordingly.

図7では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)とバイアス電流IBIASka(k=2〜n)についても、回路Aが接続されており、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、それに伴ってバイアス電流IBIASka(k=2〜n)がそれぞれ選択されるようになっている。   Although omitted in FIG. 7, the feedback circuit Ck (k = 2 to n) and the bias current IBIASka (k = 2 to n) are also connected to the circuit A, and the feedback circuit Ck (k = 2 to n). ) Is selected, the bias current IBIASka (k = 2 to n) is selected accordingly.

図8は、バイアス電流源が1つだけ設けられた受光アンプ回路1において、トランジスタSW1のみが導通し、出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9をさらに加えた回路構成を示している。   FIG. 8 shows a circuit configuration in which only the transistor SW1 is turned on in the light receiving amplifier circuit 1 provided with only one bias current source, and an output voltage detection circuit 8 and a bias current adjustment circuit 9 are further added.

回路Bは、出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9の具体的構成を示しており、トランジスタQBIAS1a・QB1a・QB1ab・QB1acと、抵抗RB1aとを有している。この回路において、前述のトランジスタQBIAS1aのベースが、トランジスタQB1aaのベースに接続されており、トランジスタQBIAS1aのエミッタは接地されている。また、トランジスタQB1aaのベースとコレクタは互いに接続されている。トランジスタQB1aaのエミッタは接地されており、トランジスタQB1aaのコレクタは、トランジスタQB1abのコレクタに接続されている。トランジスタQB1abのエミッタは電源Vccに接続されており、トランジスタQB1abのベースはトランジスタQB1acのベースに接続されている。トランジスタQB1acのベースとコレクタは互いに接続されており、トランジスタQB1acのエミッタはトランジスタQB1abのエミッタと同様、電源Vccに接続されている。トランジスタQB1acのコレクタは、抵抗RB1aの一端と接続されており、抵抗RB1aの他端は出力端子Vo1およびトランジスタSW1のエミッタに接続されている。上記回路において、抵抗RB1aが出力電圧検出回路8を構成し、トランジスタQB1aa〜QB1adがバイアス電流調整回路9を構成している。   The circuit B shows specific configurations of the output voltage detection circuit 8 and the bias current adjustment circuit 9, and includes transistors QBIAS1a, QB1a, QB1ab, and QB1ac, and a resistor RB1a. In this circuit, the base of the transistor QBIAS1a is connected to the base of the transistor QB1aa, and the emitter of the transistor QBIAS1a is grounded. The base and collector of the transistor QB1aa are connected to each other. The emitter of the transistor QB1aa is grounded, and the collector of the transistor QB1aa is connected to the collector of the transistor QB1ab. The emitter of the transistor QB1ab is connected to the power supply Vcc, and the base of the transistor QB1ab is connected to the base of the transistor QB1ac. The base and collector of the transistor QB1ac are connected to each other, and the emitter of the transistor QB1ac is connected to the power supply Vcc, like the emitter of the transistor QB1ab. The collector of the transistor QB1ac is connected to one end of the resistor RB1a, and the other end of the resistor RB1a is connected to the output terminal Vo1 and the emitter of the transistor SW1. In the above circuit, the resistor RB1a constitutes the output voltage detection circuit 8, and the transistors QB1aa to QB1ad constitute the bias current adjustment circuit 9.

上記構成では、抵抗RB1aにおいて出力電圧Vo1を検出する。トランジスタQB1acとトランジスタQB1ab、トランジスタQB1aaとトランジスタSWB1aがそれぞれカレントミラー回路を構成していることから、バイアス電流IBIAS1aの大きさは、抵抗RB1aの抵抗値をZRB1b、トランジスタQB1acのベース−エミッタ間電圧をVbeQB1acとすると、以下のようになる。   In the above configuration, the output voltage Vo1 is detected by the resistor RB1a. Since the transistors QB1ac and QB1ab and the transistors QB1aa and SWB1a constitute current mirror circuits, respectively, the magnitude of the bias current IBIAS1a is the resistance value of the resistor RB1a is ZRB1b, and the base-emitter voltage of the transistor QB1ac is VbeQB1ac. Then, it becomes as follows.

IBIAS1a=(Vcc−Vo1-VbeQB1ac)/ZRB1a …(13)
これにより出力電圧Vo1の増加/減少に伴い、バイアス電流IBIAS1aは減少/増加することになる。
IBIAS1a = (Vcc-Vo1-VbeQB1ac) / ZRB1a (13)
As a result, the bias current IBIAS1a decreases / increases as the output voltage Vo1 increases / decreases.

さらに図9は、受光アンプ回路3において、バイアス電流の調整と共に帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替も同時に実現させる構成を示している。ここでは、トランジスタSW1のみが導通し、バイアス電流IBIAS1aのみが選択されている場合を例にとって説明する。   Further, FIG. 9 shows a configuration in which, in the light receiving amplifier circuit 3, the bias current is adjusted simultaneously with the adjustment of the bias current as well as the selection of the feedback circuit. Here, a case where only the transistor SW1 is turned on and only the bias current IBIAS1a is selected will be described as an example.

回路Cでは、トランジスタQBIAS1aのベースが、トランジスタQB1aaのベースに接続されており、トランジスタQBIAS1aのエミッタは接地されている。トランジスタQSW1のベースもトランジスタQBIAS1aのベースと共通で、トランジスタQB1aaのベースに接続されており、トランジスタQSW1のコレクタはトランジスタSW1のベースに接続され、トランジスタQSW1のエミッタは接地されている。また、トランジスタQB1aaのベースとコレクタは互いに接続されている。トランジスタQB1aaのエミッタは接地されており、トランジスタQB1aaのコレクタは、トランジスタQB1adのコレクタとトランジスタQB1abのコレクタに接続されている。トランジスタQB1adのベースは電源VS4aに接続され、トランジスタQB1adのエミッタは接地されている。トランジスタQB1abのエミッタは電源Vccに接続されており、トランジスタQB1abのベースはトランジスタQB1acのベースに接続されている。トランジスタQB1acのベースとコレクタは互いに接続されており、トランジスタQB1acのエミッタはトランジスタQB1abのエミッタと同様、電源Vccに接続されている。トランジスタQB1acのコレクタは、抵抗RB1aの一端と接続されており、抵抗RB1bの他端は出力端子Vo1および各帰還回路C1〜CnのトランジスタSW1〜SWnのエミッタに接続されている。   In the circuit C, the base of the transistor QBIAS1a is connected to the base of the transistor QB1aa, and the emitter of the transistor QBIAS1a is grounded. The base of the transistor QSW1 is also common to the base of the transistor QBIAS1a, and is connected to the base of the transistor QB1aa. The collector of the transistor QSW1 is connected to the base of the transistor SW1, and the emitter of the transistor QSW1 is grounded. The base and collector of the transistor QB1aa are connected to each other. The emitter of the transistor QB1aa is grounded, and the collector of the transistor QB1aa is connected to the collector of the transistor QB1ad and the collector of the transistor QB1ab. The base of the transistor QB1ad is connected to the power supply VS4a, and the emitter of the transistor QB1ad is grounded. The emitter of the transistor QB1ab is connected to the power supply Vcc, and the base of the transistor QB1ab is connected to the base of the transistor QB1ac. The base and collector of the transistor QB1ac are connected to each other, and the emitter of the transistor QB1ac is connected to the power supply Vcc, like the emitter of the transistor QB1ab. The collector of the transistor QB1ac is connected to one end of the resistor RB1a, and the other end of the resistor RB1b is connected to the output terminal Vo1 and the emitters of the transistors SW1 to SWn of the feedback circuits C1 to Cn.

これにより、バイアス電流IBIAS1aの大きさは、上記式(13)を満たし、出力電圧Vo1の増加/減少に伴い、バイアス電流IBIAS1aは減少/増加することになる。   Thereby, the magnitude of the bias current IBIAS1a satisfies the above equation (13), and the bias current IBIAS1a decreases / increases as the output voltage Vo1 increases / decreases.

また、トランジスタQB1adのOFF/ONに伴ってトランジスタQB1aaがON/OFFし、トランジスタQBIAS1aとトランジスタQSW1のON/OFFが連動することにより、帰還回路C1の選択に伴ってバイアス電流IBIAS1aが選択される。   In addition, the transistor QB1aa is turned on / off with the turning off / on of the transistor QB1ad, and the ON / OFF of the transistor QBIAS1a and the transistor QSW1 is linked to select the bias current IBIAS1a with the selection of the feedback circuit C1.

なお図9では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)とバイアス電流IBIASka(k=2〜n)についても、抵抗RBka(k=2〜n)等を含む回路Cと同様の回路が接続されており、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、それに伴ってバイアス電流IBIASka(k=2〜n)が選択されるようになっている。   Although omitted in FIG. 9, the feedback circuit Ck (k = 2 to n) and the bias current IBIASka (k = 2 to n) are the same as those of the circuit C including the resistor RBka (k = 2 to n) and the like. When the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected, the bias current IBIASka (k = 2 to n) is selected accordingly.

図10は、本実施形態に係る受光アンプ回路5の構成を示しており、受光アンプ回路5は、受光アンプ回路1のオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnにバイアス電流源CSB1daを接続した構成である。   FIG. 10 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 5 according to the present embodiment. The light receiving amplifier circuit 5 has a configuration in which the bias current source CSB1da is connected to the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn of the light receiving amplifier circuit 1.

バイアス電流源CSB1daは、差動増幅器Amp1の正入力端子に接続されており、バイアス電流IBIAS1daを発生する。これにより選択されたオフセット電圧補正回路CdnにおけるトランジスタSWdnのコレクタ電流は、バイアス電流IBIASnda分だけ増加する。   The bias current source CSB1da is connected to the positive input terminal of the differential amplifier Amp1, and generates a bias current IBIAS1da. As a result, the collector current of the transistor SWdn in the selected offset voltage correction circuit Cdn increases by the bias current IBIASnda.

図11は、本実施形態に係る受光アンプ回路6の構成を示しており、受光アンプ回路6は、受光アンプ回路2のオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnにバイアス電流源CSB1daを接続した構成である。バイアス電流源CSB1daはダミー増幅器Ampdの入力端子に接続されており、バイアス電流IBIAS1daを発生する。これにより選択されたオフセット電圧補正回路CdnにおけるトランジスタSWdnのコレクタ電流は、バイアス電流IBIASnda分だけ増加する。   FIG. 11 shows the configuration of the light receiving amplifier circuit 6 according to the present embodiment. The light receiving amplifier circuit 6 has a configuration in which a bias current source CSB1da is connected to the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn of the light receiving amplifier circuit 2. The bias current source CSB1da is connected to the input terminal of the dummy amplifier Ampd and generates a bias current IBIAS1da. As a result, the collector current of the transistor SWdn in the selected offset voltage correction circuit Cdn increases by the bias current IBIASnda.

ここで、バイアス電流IBIAS1aとバイアス電流IBIAS1daとの関係について以下に説明する。   Here, the relationship between the bias current IBIAS 1a and the bias current IBIAS 1da will be described below.

図12は、受光アンプ回路5において帰還回路C1とオフセット電圧補正回路Cd1が選択されている場合の構成を示しており、簡略化のため選択されていない帰還回路およびオフセット電圧補正回路は図示していない。また、無信号時であり受光素子PD1からの電流IPD1=0とする。   FIG. 12 shows a configuration in the case where the feedback circuit C1 and the offset voltage correction circuit Cd1 are selected in the light receiving amplifier circuit 5, and the feedback circuit and the offset voltage correction circuit that are not selected are shown for simplicity. Absent. Further, it is assumed that there is no signal and the current IPD1 = 0 from the light receiving element PD1.

ここで、差動増幅器Amp1の正入力端子と基準電圧源VS1との電位差をVFBd1a、受光素子PD1と出力端子Vo1との電位差をVFB1a、差動増幅器Amp1の正入力端子への電流をIb2a、差動増幅器Amp1の負入力端子への電流をIb1a、差動増幅器Amp1の正入力端子と負入力端子との電位差をVoffAaとすると、差動増幅器のオフセット電圧Vodは以下のようになる。   Here, the potential difference between the positive input terminal of the differential amplifier Amp1 and the reference voltage source VS1 is VFBd1a, the potential difference between the light receiving element PD1 and the output terminal Vo1 is VFB1a, the current to the positive input terminal of the differential amplifier Amp1 is Ib2a, the difference When the current to the negative input terminal of the dynamic amplifier Amp1 is Ib1a and the potential difference between the positive input terminal and the negative input terminal of the differential amplifier Amp1 is VoffAa, the offset voltage Vod of the differential amplifier is as follows.

Vod=Vo1−VS1
=VS1−VFBd1a−VoffAa+VFB1a−VS1
=VFB1a−VFBd1a−VoffAa …(14)
バイアス電流源CSB1a,及びバイアス電流源CSB1daが接続されている場合、VoffAa=0とすると
Vod=VFB1a−VFBd1a−VoffAa
≒((ZFB1+ZSW1)×(Ib1a+IBIAS1a))−((ZFBd1+ZSWd1)×(Ib2a+IBIAS1da))
…(15)
ここでZFB1=ZFBd1,ZSW1=ZSWd1であり、更にIb1a=Ib2a=0とすると、
Vod=((ZFB1+ZSW1)×(IBIAS1a−IBIAS1da) …(16)
となる。このとき、
IBIAS1a=IBIAS1da …(17)
が成り立てば、Vod=0となり、オフセット電圧Vodを最小にすることができる。
Vod = Vo1-VS1
= VS1-VFBd1a-VoffAa + VFB1a-VS1
= VFB1a-VFBd1a-VoffAa (14)
When the bias current source CSB1a and the bias current source CSB1da are connected, VoffAa = 0
Vod = VFB1a−VFBd1a−VoffAa
≒ ((ZFB1 + ZSW1) x (Ib1a + IBIAS1a))-((ZFBd1 + ZSWd1) x (Ib2a + IBIAS1da))
... (15)
Here, if ZFB1 = ZFBd1, ZSW1 = ZSWd1, and Ib1a = Ib2a = 0, then
Vod = ((ZFB1 + ZSW1) × (IBIAS1a−IBIAS1da) (16)
It becomes. At this time,
IBIAS1a = IBIAS1da (17)
If Vod holds, Vod = 0 and the offset voltage Vod can be minimized.

同様にその他の帰還回路およびオフセット電圧補正回路が選択された場合も、
IBIASka=IBIASkda(k=2〜n) …(18)
が成り立てば、オフセット電圧Vodを最小にすることができる。
Similarly, when other feedback circuits and offset voltage correction circuits are selected,
IBIASka = IBIASkda (k = 2〜n ) … (18)
Is established, the offset voltage Vod can be minimized.

したがって、帰還回路に接続されるバイアス電流源と、それに対応して選択されるオフセット電圧補正回路に接続されるバイアス電流源とが発生するそれぞれのバイアス電流の大きさは互いに等しい。   Therefore, the magnitudes of the respective bias currents generated by the bias current source connected to the feedback circuit and the bias current source connected to the offset voltage correction circuit selected corresponding thereto are equal to each other.

図13は、本実施形態に係る受光アンプ回路7の構成を示している。受光アンプ回路7における差動増幅器Amp1の帰還回路は、図5の受光アンプ回路3と同様であり、さらにオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnにもそれぞれバイアス電流源CSB1da〜CSBndaを設けた構成である。   FIG. 13 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 7 according to the present embodiment. The feedback circuit of the differential amplifier Amp1 in the light receiving amplifier circuit 7 is the same as that of the light receiving amplifier circuit 3 in FIG. 5, and the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn are also provided with bias current sources CSB1da to CSBnda, respectively.

すなわち、複数のバイアス電流源CSB1da〜CSBndaが差動増幅器Amp1の正入力端子に並列に接続されており、それぞれバイアス電流IBIAS1da〜IBIASndaを発生する。ここで、オフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnとバイアス電流源CSB1da〜CSBndaは個々に連動している。すなわち、オフセット電圧補正回路Cd1が選択されるとバイアス電流源CSB1daが選択され、同様にオフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)が選択されるとバイアス電流源CSBkda(k=2〜n)が選択される。   That is, a plurality of bias current sources CSB1da to CSBnda are connected in parallel to the positive input terminal of the differential amplifier Amp1, and generate bias currents IBIAS1da to IBIASnda, respectively. Here, the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn and the bias current sources CSB1da to CSBnda are individually linked. That is, when the offset voltage correction circuit Cd1 is selected, the bias current source CSB1da is selected. Similarly, when the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n) is selected, the bias current source CSBkda (k = 2 to n) is selected. Is selected.

受光アンプ回路3の場合と同様に、バイアス電流IBIASka(k=2〜n)の大きさは、選択される帰還回路Ck(k=2〜n)の帰還抵抗FBk(k=2〜n)の抵抗値と反比例の関係にある。また式(17)および(18)に示すようにIBIAS1a〜IBIASnaとIBIAS1da〜IBIASndaについて、IBIAS1aとIBIAS1daは等しく、以下同様にIBIASka(k=2〜n)とIBIASkda(k=2〜n)も等しい。   As in the case of the light receiving amplifier circuit 3, the magnitude of the bias current IBIASka (k = 2 to n) is equal to that of the feedback resistor FBk (k = 2 to n) of the selected feedback circuit Ck (k = 2 to n). It is in inverse proportion to the resistance value. Also, as shown in equations (17) and (18), for IBIAS1a to IBIASna and IBIAS1da to IBIASnda, IBIAS1a and IBIAS1da are equal, and similarly, IBIASka (k = 2 to n) and IBIASkda (k = 2 to n) are also equal. .

また受光アンプ回路7には、出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9が設けられている。出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9は式(11)および(12)に示すように、バイアス電流IBIAS1a〜IBIASnaおよびバイアス電流IBIAS1da〜IBIASndaの大きさを調整する。   The light receiving amplifier circuit 7 is provided with an output voltage detection circuit 8 and a bias current adjustment circuit 9. The output voltage detection circuit 8 and the bias current adjustment circuit 9 adjust the magnitudes of the bias currents IBIAS1a to IBIASna and the bias currents IBIAS1da to IBIASnda as shown in the equations (11) and (12).

図14は、受光アンプ回路7において、オフセット電圧補正回路Cd1とバイアス電流源CSB1daとを連動させるための具体的回路構成を示している。図14に示すように、受光アンプ回路7は、図7の受光アンプ回路3に、バイアス電流源CSB1da、トランジスタQBIASd1aおよびトランジスタQSWd1をさらに備えた構成である。トランジスタQBIASd1aおよびトランジスタQSWd1のゲートはともに、トランジスタQCM1のゲートおよびコレクタと共通に接続されている。また、トランジスタQBIASd1aのコレクタは差動増幅器Amp1の正入力端子に接続され、QBIASd1aのエミッタは接地されている。トランジスタQSW1daのコレクタはトランジスタSWd1のベースに接続され、トランジスタQSW1daのエミッタは接地されている。   FIG. 14 shows a specific circuit configuration for linking the offset voltage correction circuit Cd1 and the bias current source CSB1da in the light receiving amplifier circuit 7. As shown in FIG. 14, the light receiving amplifier circuit 7 includes the light receiving amplifier circuit 3 of FIG. 7 further including a bias current source CSB1da, a transistor QBIASd1a, and a transistor QSWd1. The gates of transistor QBIASd1a and transistor QSWd1 are both connected in common to the gate and collector of transistor QCM1. The collector of the transistor QBIASd1a is connected to the positive input terminal of the differential amplifier Amp1, and the emitter of the QBIASd1a is grounded. The collector of the transistor QSW1da is connected to the base of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QSW1da is grounded.

これにより、トランジスタQBIASd1aおよびトランジスタQSW1daのON/OFFは連動し、同様にトランジスタQBIAS1aおよびトランジスタQSW1のON/OFFも連動する。したがって、帰還回路C1が選択されると、オフセット電圧補正回路Cd1、バイアス電流IBIAS1aおよびバイアス電流IBIAS1daが選択される。また、電流源CSCM1a、トランジスタQBIAS1aおよびトランジスタQBIASd1aがカレントミラー回路を構成していることによりバイアス電流IBIAS1aとバイアス電流IBIAS1daは互いに等しくなる。   Thereby, ON / OFF of the transistor QBIASd1a and the transistor QSW1da is interlocked, and similarly, ON / OFF of the transistor QBIAS1a and the transistor QSW1 is also interlocked. Therefore, when the feedback circuit C1 is selected, the offset voltage correction circuit Cd1, the bias current IBIAS1a, and the bias current IBIAS1da are selected. Further, since the current source CSCM1a, the transistor QBIAS1a, and the transistor QBIASd1a constitute a current mirror circuit, the bias current IBIAS1a and the bias current IBIAS1da are equal to each other.

なお図14では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)についても同様に、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)、バイアス電流IBIASka(k=2〜n)およびバイアス電流IBIASkda(k=2〜n)が選択されるようになっている。また、バイアス電流IBIASka(k=2〜n)とバイアス電流IBIASkda(k=2〜n)は互いに等しくなる。   Although omitted in FIG. 14, the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected similarly for the feedback circuit Ck (k = 2 to n) and the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n). Then, the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n), the bias current IBIASka (k = 2 to n), and the bias current IBIASkda (k = 2 to n) are selected. In addition, the bias current IBIASka (k = 2 to n) and the bias current IBIASkda (k = 2 to n) are equal to each other.

図15は、受光アンプ回路7において、トランジスタSW1のみが導通し、バイアス電流IBIAS1aのみが選択されている場合であって、出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9をさらに加えた回路構成を示している。   FIG. 15 shows a circuit configuration in which only the transistor SW1 is turned on and only the bias current IBIAS 1a is selected in the light receiving amplifier circuit 7, and the output voltage detection circuit 8 and the bias current adjustment circuit 9 are further added. ing.

回路Dは、出力電圧検出回路8およびバイアス電流調整回路9の具体的構成を示しており、図8の回路BにさらにトランジスタQBIAS1daを加えた構成である。トランジスタQBIAS1daのベースはトランジスタQBIAS1aのベースとともに、トランジスタQB1aaのベースとコレクタに共通に接続されている。トランジスタQBIAS1daのコレクタは差動増幅器Amp1の正入力端子に接続され、トランジスタQBIAS1daのエミッタは接地されている。トランジスタSWBd1、トランジスタSWB1aおよびトランジスタQB1aaはカレントミラー回路を構成している。これにより、バイアス電流IBIAS1aとバイアス電流IBIAS1daは互いに等しくなり、トランジスタSWBd1およびトランジスタSWB1aのON/OFFは連動する。   The circuit D shows a specific configuration of the output voltage detection circuit 8 and the bias current adjustment circuit 9, and is configured by adding a transistor QBIAS1da to the circuit B of FIG. The base of the transistor QBIAS1da is commonly connected to the base and collector of the transistor QB1aa together with the base of the transistor QBIAS1a. The collector of the transistor QBIAS1da is connected to the positive input terminal of the differential amplifier Amp1, and the emitter of the transistor QBIAS1da is grounded. Transistor SWBd1, transistor SWB1a and transistor QB1aa constitute a current mirror circuit. Thereby, the bias current IBIAS1a and the bias current IBIAS1da are equal to each other, and the ON / OFF of the transistor SWBd1 and the transistor SWB1a are interlocked.

トランジスタQB1ab、トランジスタQB1ac、抵抗RB1aおよび電源Vccの構成は図8と略同様であるので説明は省略する。   The configuration of transistor QB1ab, transistor QB1ac, resistor RB1a, and power supply Vcc is substantially the same as that in FIG.

さらに図16は、バイアス電流の調整と共に、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替も同時に実現させる構成を示している。   Further, FIG. 16 shows a configuration that simultaneously realizes switching of the bias current accompanying the feedback circuit selection as well as the adjustment of the bias current.

回路Eは、図9における回路Cに、さらにトランジスタQBIAS1daおよびトランジスタQSWd1を加えた構成である。トランジスタQBIAS1daのコレクタは差動増幅器Amp1の正入力端子に接続され、トランジスタQBIAS1daのエミッタは接地されている。トランジスタQSWd1のコレクタはトランジスタSWd1のベースに接続され、トランジスタQSWd1のエミッタは接地されている。トランジスタQSWd1のベース、トランジスタQBIAS1daのベース、トランジスタQBIAS1aのベース、トランジスタQSW1のベースは、それぞれ共通にトランジスタQB1aaのベースに接続されている。   The circuit E has a configuration in which a transistor QBIAS1da and a transistor QSWd1 are further added to the circuit C in FIG. The collector of the transistor QBIAS1da is connected to the positive input terminal of the differential amplifier Amp1, and the emitter of the transistor QBIAS1da is grounded. The collector of the transistor QSWd1 is connected to the base of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QSWd1 is grounded. The base of the transistor QSWd1, the base of the transistor QBIAS1da, the base of the transistor QBIAS1a, and the base of the transistor QSW1 are commonly connected to the base of the transistor QB1aa.

これにより、バイアス電流IBIAS1aは上記式(13)を満たし、バイアス電流IBIAS1aとバイアス電流IBIAS1daは上記式(17)を満たす。さらに、トランジスタQSW1とトランジスタQBIAS1aのON/OFFおよびトランジスタQSWd1とトランジスタQBIAS1daのON/OFFが連動し、帰還抵抗C1の選択に伴って,オフセット電圧補正回路Cd1、バイアス電流IBIAS1aおよびバイアス電流IBIAS1daが選択される。また、トランジスタQB1aa、トランジスタQBIAS1aおよびトランジスタQBIAS1daがカレントミラー回路を構成していることにより、バイアス電流IBIAS1aとバイアス電流IBIAS1daは互いに等しくなる。   Thereby, the bias current IBIAS1a satisfies the above equation (13), and the bias current IBIAS1a and the bias current IBIAS1da satisfy the above equation (17). Further, ON / OFF of the transistor QSW1 and the transistor QBIAS1a and ON / OFF of the transistor QSWd1 and the transistor QBIAS1da are interlocked, and the offset voltage correction circuit Cd1, the bias current IBIAS1a, and the bias current IBIAS1da are selected in accordance with the selection of the feedback resistor C1. The Further, since the transistor QB1aa, the transistor QBIAS1a, and the transistor QBIAS1da form a current mirror circuit, the bias current IBIAS1a and the bias current IBIAS1da are equal to each other.

なお図16では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)、トランジスタQBIASka(k=2〜n)およびトランジスタQBIASdka(k=2〜n)についても同様に、抵抗RBka(k=2〜n)等を含む回路Eと同様の回路が接続されており、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)、バイアス電流IBIASka(k=2〜n)およびバイアス電流IBIASkda(k=2〜n)が選択されるようになっている。また、バイアス電流IBIASka(k=2〜n)とバイアス電流IBIASkda(k=2〜n)は互いに等しくなる。   Although omitted in FIG. 16, the feedback circuit Ck (k = 2 to n), the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n), the transistor QBIASka (k = 2 to n), and the transistor QBIASdka (k = 2) ˜n) is also connected to a circuit similar to the circuit E including the resistor RBka (k = 2 to n) and the like, and when the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected, the offset voltage The correction circuit Cdk (k = 2 to n), the bias current IBIASka (k = 2 to n), and the bias current IBIASkda (k = 2 to n) are selected. In addition, the bias current IBIASka (k = 2 to n) and the bias current IBIASkda (k = 2 to n) are equal to each other.

図17は、図7における受光アンプ回路3において、差動増幅器Amp1の具体的構成を示した回路図である。差動増幅器Amp1はエミッタ接地増幅回路CC1(以下「増幅回路CC1」)とコレクタ接地増幅回路CC2(以下「増幅回路CC2」)とを有している。増幅回路CC1はトランジスタQ1および電流源I1、増幅回路CC2はトランジスタQ2および電流源I2を有している。増幅回路CC1の入力であるトランジスタQ1のベースには受光素子PD1が接続され、増幅回路CC1の出力であるトランジスタQ1のコレクタには増幅回路CC2の入力であるトランジスタQ2のベースが接続されている。増幅回路CC2の出力であるトランジスタQ2のエミッタは受光アンプ回路3の出力に相当する。   FIG. 17 is a circuit diagram showing a specific configuration of the differential amplifier Amp1 in the light receiving amplifier circuit 3 in FIG. The differential amplifier Amp1 includes a grounded emitter amplifier circuit CC1 (hereinafter “amplifier circuit CC1”) and a grounded collector amplifier circuit CC2 (hereinafter “amplifier circuit CC2”). The amplifier circuit CC1 has a transistor Q1 and a current source I1, and the amplifier circuit CC2 has a transistor Q2 and a current source I2. The light receiving element PD1 is connected to the base of the transistor Q1 that is the input of the amplifier circuit CC1, and the base of the transistor Q2 that is the input of the amplifier circuit CC2 is connected to the collector of the transistor Q1 that is the output of the amplifier circuit CC1. The emitter of the transistor Q2, which is the output of the amplifier circuit CC2, corresponds to the output of the light receiving amplifier circuit 3.

またトランジスタQ1のベースと受光アンプ回路3の出力との間には、トランジスタSW1〜SWnの導通/非導通により選択される帰還抵抗FB1〜FBnが並列に接続されており、例えばトランジスタSW1と帰還抵抗FB1とが接続された帰還回路C1においては、カレントミラー回路CM1aを含む電流源回路が設けられている。   Further, feedback resistors FB1 to FBn selected by conduction / non-conduction of the transistors SW1 to SWn are connected in parallel between the base of the transistor Q1 and the output of the light receiving amplifier circuit 3, for example, the transistor SW1 and the feedback resistor. In the feedback circuit C1 connected to FB1, a current source circuit including a current mirror circuit CM1a is provided.

ここで、図17の受光アンプ回路3が動作するためには、各電流源回路におけるカレントミラー回路CM1a〜CMnaのトランジスタQSW1〜QSWnのコレクタ−エミッタ間電圧が、トランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧Vce(sat)より高くなければならない。例えばQSW1のコレクタ−エミッタ間電圧をVceQSW1とすると、
VceQSW1=VbeQ1+((IPD1+Ib1+IBIAS1a)×Rf1)+((IPD1+Ib1+IBIAS1)×ZSW1)−VbeSW1
…(19)
となる。ここで、VbeQ1、VbeSW1はそれぞれトランジスタQ1、SW1のベース−エミッタ間電圧、Ib1はトランジスタQ1のベース電流である。
Here, in order for the light receiving amplifier circuit 3 of FIG. 17 to operate, the collector-emitter voltage of the transistors QSW1 to QSWn of the current mirror circuits CM1a to CMNA in each current source circuit is the collector-emitter voltage when the transistor is saturated. Must be higher than Vce (sat). For example, when the collector-emitter voltage of QSW1 is VceQSW1,
VceQSW1 = VbeQ1 + ((IPD1 + Ib1 + IBIAS1a) x Rf1) + ((IPD1 + Ib1 + IBIAS1) x ZSW1)-VbeSW1
... (19)
It becomes. Here, VbeQ1 and VbeSW1 are the base-emitter voltages of the transistors Q1 and SW1, respectively, and Ib1 is the base current of the transistor Q1.

IPD1=0の時、VceQSW1は最小となるので、各トランジスタの特性が同一として、VbeQ1=VbeSW1、Ib1が微小としてIb1=0と近似すると、VceQSW1の最小値VceQSW1minは、式(19)より、
VceQSW1min=IBIAS1×(Rf1+ZSW1) …(20)
となる。ここで、VceQSW1minがトランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧Vce(sat)より高ければ受光アンプ回路が動作するので、
IBIAS1×(Rf1+ZSW1)>Vce(sat) …(21)
を満たせば、受光アンプ回路は動作する。
When IPD1 = 0, VceQSW1 is minimum. Therefore, assuming that the characteristics of each transistor are the same, and VbeQ1 = VbeSW1, Ib1 is very small and approximates Ib1 = 0, the minimum value VceQSW1min of VceQSW1 is
VceQSW1min = IBIAS1 x (Rf1 + ZSW1) (20)
It becomes. Here, if VceQSW1min is higher than the collector-emitter voltage Vce (sat) when the transistor is saturated, the light receiving amplifier circuit operates.
IBIAS1 × (Rf1 + ZSW1)> Vce (sat) (21)
If this condition is satisfied, the light receiving amplifier circuit operates.

他の帰還回路が選択された場合についても同様に、
IBIASk×(Rfk+ZSWk)>Vce(sat)(k=2〜n) …(22)
すなわち、バイアス電流値と帰還回路選択スイッチであるトランジスタSWk(k=2〜n)のインピーダンスとの積が、トランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧より大きければよい。
Similarly, when another feedback circuit is selected,
IBIASk × (Rfk + ZSWk)> Vce (sat) (k = 2 to n) (22)
That is, it is sufficient that the product of the bias current value and the impedance of the transistor SWk (k = 2 to n) as the feedback circuit selection switch is larger than the collector-emitter voltage when the transistor is saturated.

式(21)を満たさない場合、すなわち、
IBIAS1×(Rf1+ZSW1)≦Vce(sat) …(23)
の場合は、図18に示すように、図17の構成に加えて、トランジスタQ1のエミッタに新たにトランジスタQ3を設けることによって、トランジスタQSWnのコレクタ−エミッタ間電圧がトランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧より大きくなるようにする必要がある。トランジスタQ3はベースとコレクタとが接続されることによってダイオードとして機能する。
When the formula (21) is not satisfied, that is,
IBIAS1 × (Rf1 + ZSW1) ≦ Vce (sat) (23)
In this case, as shown in FIG. 18, in addition to the configuration of FIG. 17, a transistor Q3 is newly provided at the emitter of the transistor Q1, so that the collector-emitter voltage of the transistor QSWn is between the collector and emitter when the transistor is saturated. It must be greater than the voltage. The transistor Q3 functions as a diode by connecting the base and the collector.

この場合、トランジスタQSW1のコレクタ−エミッタ間電圧は、
VceQSW1=VbeQ3+VbeQ1+((IPD1+Ib1+IBIAS1a)×Rf1)+((IPD1+Ib1+IBIAS1)×ZSW1) −VbeSW1 …(24)
であり、トランジスタQSW1のコレクタ−エミッタ間電圧の最小値は、式(20)の場合と同様、IPD1=0、Vbe1=VbeSW1、Ib1=0として
VceQSW1min=VbeQ3+(IBIAS1×(Rf1+ZSW1)) …(25)
となる。
In this case, the collector-emitter voltage of the transistor QSW1 is
VceQSW1 = VbeQ3 + VbeQ1 + ((IPD1 + Ib1 + IBIAS1a) x Rf1) + ((IPD1 + Ib1 + IBIAS1) x ZSW1)-VbeSW1 (24)
The minimum value of the collector-emitter voltage of the transistor QSW1 is IPD1 = 0, Vbe1 = VbeSW1, and Ib1 = 0 as in the case of the equation (20).
VceQSW1min = VbeQ3 + (IBIAS1 x (Rf1 + ZSW1)) (25)
It becomes.

よって、図18の構成においては、
VbeQ3+(IBIAS1×(Rf1+ZSW1))>Vce(sat) …(26)
を満たせば、受光アンプ回路は動作することになる。
Therefore, in the configuration of FIG.
VbeQ3 + (IBIAS1 × (Rf1 + ZSW1))> Vce (sat) (26)
If this condition is satisfied, the light receiving amplifier circuit operates.

なお図19はバイアス電流を供給しない比較例の構成を示しており、図18の構成からバイアス電流IBIAS1a〜IBIASna、スイッチングのためのトランジスタQBIAS1〜QBIASnを除いている。この場合の、トランジスタQSW1のコレクタ−エミッタ間電圧は、
VceQSW1=Vbe3+Vbe1+((IPD1+Ib1)×Rf1)+((IPD1+Ib1)×ZSW1)−VbeSW1…(27)
であり、QSW1のコレクタ−エミッタ間電圧の最小値は、IPD1=0、Vbe1=VbeSW1、Ib1=0として
VceQSW1min=VbeQ3 …(28)
となる。なお、図19の構成においては、
VbeQ3>Vce(sat) …(29)
を満たさなければ受光アンプ回路は動作しないので、トランジスタQ3によりトランジスタQSW1のコレクタ−エミッタ間電圧を確保していることになる。
FIG. 19 shows the configuration of a comparative example in which no bias current is supplied, and the bias currents IBIAS1a to IBIASna and the transistors QBIAS1 to QBIASn for switching are excluded from the configuration of FIG. In this case, the collector-emitter voltage of the transistor QSW1 is
VceQSW1 = Vbe3 + Vbe1 + ((IPD1 + Ib1) × Rf1) + ((IPD1 + Ib1) × ZSW1) −VbeSW1 (27)
The minimum value of the collector-emitter voltage of QSW1 is IPD1 = 0, Vbe1 = VbeSW1, and Ib1 = 0.
VceQSW1min = VbeQ3 (28)
It becomes. In the configuration of FIG.
VbeQ3> Vce (sat) (29)
Since the light receiving amplifier circuit does not operate unless the above condition is satisfied, the collector-emitter voltage of the transistor QSW1 is secured by the transistor Q3.

また、図18の受光アンプ回路および図19の受光アンプ回路の無信号時の出力電圧をそれぞれVOLmin18、VOLmin19とすると、
VOLmin18=Vbe1+(IBIAS1×(Rf1+ZSW1)) …(30)
VOLmin19=Vbe1+Vbe3 …(31)
となる。
Further, assuming that the output voltages at the time of no signal of the light receiving amplifier circuit of FIG. 18 and the light receiving amplifier circuit of FIG. 19 are VOLmin18 and VOLmin19, respectively.
VOLmin18 = Vbe1 + (IBIAS1 × (Rf1 + ZSW1)) (30)
VOLmin19 = Vbe1 + Vbe3 (31)
It becomes.

ここで、本実施の形態の受光アンプ回路のダイナミックレンジを従来の受光アンプ回路のダイナミックレンジよりも広く確保するためには、VOLmin18<VOLmin19となればいいので、
IBIAS1×(Rf1+ZSW1)<Vbe3 …(32)
を満たせばよい。すなわち、バイアス電流と帰還回路のインピーダンスとの積が、トランジスタのベース−エミッタ間電圧より低くなるようにバイアス電流を調整すればよい。
Here, in order to ensure the dynamic range of the photoreceiver amplifier circuit of the present embodiment wider than the dynamic range of the conventional photoreceiver amplifier circuit, VOLmin18 <VOLmin19 should be satisfied.
IBIAS1 × (Rf1 + ZSW1) <Vbe3 (32)
Should be satisfied. That is, the bias current may be adjusted so that the product of the bias current and the impedance of the feedback circuit is lower than the base-emitter voltage of the transistor.

〔実施の形態2〕
本発明の他の実施形態について図20ないし図32に基づいて説明すれば以下の通りである。
[Embodiment 2]
The following will describe another embodiment of the present invention with reference to FIGS.

図20は本実施の形態に係る受光アンプ回路11の構成を示している。   FIG. 20 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 11 according to the present embodiment.

受光アンプ回路11は、図34に示す従来の受光アンプ回路91にバイアス電流源CSB1b〜CSBnbを加えた構成となっており、バイアス電流源CSB1b〜CSBnbはそれぞれバイアス電流IBIAS1b〜IBIASnbを発生する。バイアス電流源CSB1b〜CSBnbは、帰還回路C1〜Cnごとに、帰還抵抗FB1〜FBnとトランジスタSW1〜SWnとの間に接続されている。すなわち、バイアス電流源CSB1bは帰還抵抗FB1とトランジスタSW1との間に、バイアス電流源CSBkb(k=2〜n)は帰還抵抗FBk(k=2〜n)とトランジスタSWk(k=2〜n)との間に、というように帰還回路C1〜Cnごとに接続されている。   The light receiving amplifier circuit 11 is configured by adding bias current sources CSB1b to CSBnb to the conventional light receiving amplifier circuit 91 shown in FIG. 34, and the bias current sources CSB1b to CSBnb generate bias currents IBIAS1b to IBIASnb, respectively. The bias current sources CSB1b to CSBnb are connected between the feedback resistors FB1 to FBn and the transistors SW1 to SWn for each of the feedback circuits C1 to Cn. That is, the bias current source CSB1b is between the feedback resistor FB1 and the transistor SW1, and the bias current source CSBkb (k = 2 to n) is the feedback resistor FBk (k = 2 to n) and the transistor SWk (k = 2 to n). Are connected to each of the feedback circuits C1 to Cn.

ここで実施の形態2と実施の形態1との違いを説明する。実施の形態1においては、バイアス電流IBIAS1aは帰還抵抗FB1〜FBnにも流れるため、帰還抵抗FB1〜FBnでの電圧上昇により受光アンプ回路1のダイナミックレンジが減少することになる。すなわち、図1でトランジスタSW1のみがONの時を例にとると、無信号時の受光アンプ回路の出力電圧Volminは、オフセット電圧をVodとして、
Volmin=Vod+(IBIAS×(ZFB1+ZSW1)) …(33)
となり、(IBIAS×(ZFB1+ZSW1))だけ、Volminが上昇してダイナミックレンジが減少する。
Here, the difference between the second embodiment and the first embodiment will be described. In the first embodiment, since the bias current IBIAS 1a also flows through the feedback resistors FB1 to FBn, the dynamic range of the light receiving amplifier circuit 1 decreases due to the voltage increase at the feedback resistors FB1 to FBn. That is, taking the case where only the transistor SW1 is ON in FIG. 1 as an example, the output voltage Volmin of the light receiving amplifier circuit when there is no signal is the offset voltage Vod.
Volmin = Vod + (IBIAS × (ZFB1 + ZSW1)) (33)
Thus, Volmin increases and the dynamic range decreases by (IBIAS × (ZFB1 + ZSW1)).

一方実施の形態2においては、バイアス電流源IBIAS1bは、帰還抵抗FB1とトランジスタSW1との間に接続されている。したがって、帰還抵抗FB1にはバイアス電流IBIAS1bは流れないため、無信号時は帰還抵抗FB1における電圧上昇は発生せず、実施の形態1の構成と比較して、ダイナミックレンジの減少が抑制される。   On the other hand, in the second embodiment, the bias current source IBIAS1b is connected between the feedback resistor FB1 and the transistor SW1. Therefore, since the bias current IBIAS1b does not flow through the feedback resistor FB1, a voltage rise in the feedback resistor FB1 does not occur when there is no signal, and a decrease in the dynamic range is suppressed as compared with the configuration of the first embodiment.

すなわち、図20でトランジスタSW1のみがONの時を例にとると、無信号時の出力電圧Volminは、
Volmin=Vod+(IBIAS×ZSW1) …(34)
となり、式(33)と比較すると、実施の形態2における構成のほうが無信号時の出力電圧は小さい。
That is, in the case where only the transistor SW1 is ON in FIG. 20, the output voltage Volmin when there is no signal is
Volmin = Vod + (IBIAS × ZSW1) (34)
Therefore, compared with the equation (33), the configuration in the second embodiment has a smaller output voltage when there is no signal.

また、バイアス電流源CSB1b〜CSBnbはそれぞれ、帰還回路C1〜Cnの選択に伴って選択される。例えば、トランジスタSW1のみが導通し帰還回路C1が選択されている場合、バイアス電流源CSB1bが選択され、同様に、トランジスタSWk(k=2〜n)のみが導通し帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されている場合、バイアス電流源CSBkb(k=2〜n)が選択される。   Further, the bias current sources CSB1b to CSBnb are selected in accordance with the selection of the feedback circuits C1 to Cn, respectively. For example, when only the transistor SW1 is turned on and the feedback circuit C1 is selected, the bias current source CSB1b is selected. Similarly, only the transistor SWk (k = 2 to n) is turned on and the feedback circuit Ck (k = 2 to 2) is selected. When n) is selected, the bias current source CSBkb (k = 2 to n) is selected.

さらに、受光アンプ回路11では、出力電圧検出回路18(電流検出回路)およびバイアス電流調整回路19が設けられている。出力電圧検出回路18は、出力端子に接続されており、出力電圧Vo1を検出することにより間接的に電流IPD1の電流値を検出する。   Further, the light receiving amplifier circuit 11 is provided with an output voltage detection circuit 18 (current detection circuit) and a bias current adjustment circuit 19. The output voltage detection circuit 18 is connected to the output terminal, and indirectly detects the current value of the current IPD1 by detecting the output voltage Vo1.

バイアス電流調整回路19は、バイアス電流IBIAS1b〜IBIASnbの大きさを調整する回路であり、バイアス電流IBIAS1bを例にとると、以下のようにバイアス電流IBIAS1bを調整する。   The bias current adjustment circuit 19 is a circuit that adjusts the magnitudes of the bias currents IBIAS1b to IBIASnb. Taking the bias current IBIAS1b as an example, the bias current IBIAS1b is adjusted as follows.

まず、バイアス電流調整回路19は受光素子PD1からの電流IPD1の増加/減少に伴って、出力電圧検出回路8で検出された出力電圧Vo1が増加/減少すると、それに応じて、バイアス電流IBIAS1bを減少/増加させる働きを持つ。   First, when the output voltage Vo1 detected by the output voltage detection circuit 8 increases / decreases as the current IPD1 from the light receiving element PD1 increases / decreases, the bias current adjustment circuit 19 decreases the bias current IBIAS1b accordingly. / Has the ability to increase.

バイアス電流調整回路19は、さらに電流IPD1とバイアス電流IBIAS1bの和を一定に保つ働きを持つ。このようにバイアス電流IBIAS1bを調整すると、トランジスタSW1〜SWnのコレクタ電流が一定となり、トランジスタSW1〜SWnのインピーダンスが変化しない。したがって、電流IPD1に対する出力電圧の関係がより直線的になる。   The bias current adjusting circuit 19 further has a function of keeping the sum of the current IPD1 and the bias current IBIAS1b constant. When the bias current IBIAS1b is adjusted in this way, the collector currents of the transistors SW1 to SWn become constant, and the impedances of the transistors SW1 to SWn do not change. Therefore, the relationship of the output voltage with respect to the current IPD1 becomes more linear.

またバイアス電流調整回路19は、出力電圧Vo1が受光アンプ回路11の最大出力電圧(Vo1max)を超えないように調整する働きを持つ。すなわち、バイアス電流調整回路19は以下のようにバイアス電流値を調整する。   The bias current adjusting circuit 19 has a function of adjusting the output voltage Vo1 so as not to exceed the maximum output voltage (Vo1max) of the light receiving amplifier circuit 11. That is, the bias current adjustment circuit 19 adjusts the bias current value as follows.

例えばトランジスタSW1のみがONであって、あらかじめ受光素子PD1からの電流の最大値(IPD1max)が分かっている場合は、オフセット電流をVodとして、
Volmax>(IPD1max×(Rf1+ZSW1)+IBIAS1×ZSW1+Vod …(35)
となる。ここでIBIAS1×ZSW1+Vodは、受光素子PD1からの信号が無い時(以下「無信号時」という)の受光アンプ回路11の出力電圧Vo1に相当する。無信号時における受光アンプ回路11の出力電圧Vo1をVo1minとすると、
Volmax−Volmin>IPD1max×(Rf1+ZSW1) …(36)
を満足すれば、出力波形がVo1maxを超えることはなく、ダイナミックレンジの減少による出力信号のひずみは発生しない。このように、バイアス電流調整回路19は、出力電圧検出回路18による出力電圧Vo1の検出値に基づき、式(36)を満たすようにバイアス電流を調整する。
For example, when only the transistor SW1 is ON and the maximum value (IPD1max) of the current from the light receiving element PD1 is known in advance, the offset current is Vod,
Volmax> (IPD1max x (Rf1 + ZSW1) + IBIAS1 x ZSW1 + Vod (35)
It becomes. Here, IBIAS1 × ZSW1 + Vod corresponds to the output voltage Vo1 of the light receiving amplifier circuit 11 when there is no signal from the light receiving element PD1 (hereinafter referred to as “no signal”). When the output voltage Vo1 of the light receiving amplifier circuit 11 at the time of no signal is Vo1min,
Volmax−Volmin> IPD1max × (Rf1 + ZSW1) (36)
If the condition is satisfied, the output waveform does not exceed Vo1max, and the distortion of the output signal due to the decrease of the dynamic range does not occur. As described above, the bias current adjusting circuit 19 adjusts the bias current so as to satisfy Expression (36) based on the detected value of the output voltage Vo1 by the output voltage detecting circuit 18.

また、図21に示す受光アンプ回路12は、図35に示す従来の受光アンプ回路92にバイアス電流源CSB1b〜CSBnbを加えた構成であり、バイアス電流源CSB1b〜CSBnbは、それぞれバイアス電流IBIAS1b〜IBIASnbを発生する。バイアス電流源CSB1b〜CSBnbは、帰還回路C1〜Cnごとに、帰還抵抗FB1〜FBnとトランジスタSW1〜SWnとの間に接続されている。すなわち、バイアス電流源CSB1bは帰還抵抗FB1とトランジスタSW1との間に、バイアス電流源CSBkb(k=2〜n)は帰還抵抗FBk(k=2〜n)とトランジスタSWk(k=2〜n)との間に、というように帰還回路C1〜Cnごとに接続されている。   21 has a configuration in which bias current sources CSB1b to CSBnb are added to the conventional light receiving amplifier circuit 92 shown in FIG. 35. The bias current sources CSB1b to CSBnb are bias currents IBIAS1b to IBIASnb, respectively. Is generated. The bias current sources CSB1b to CSBnb are connected between the feedback resistors FB1 to FBn and the transistors SW1 to SWn for each of the feedback circuits C1 to Cn. That is, the bias current source CSB1b is between the feedback resistor FB1 and the transistor SW1, and the bias current source CSBkb (k = 2 to n) is the feedback resistor FBk (k = 2 to n) and the transistor SWk (k = 2 to n). Are connected to each of the feedback circuits C1 to Cn.

この場合も、例えばトランジスタSW1のみ導通しているとして、バイアス電流IBIAS1bはトランジスタSW1のコレクタには流れるが、帰還抵抗FB1には流れない。よって受光アンプ回路12における無信号時の出力電圧は、図2に示す受光アンプ回路2の場合に比べ、ダイナミックレンジの減少が抑制される。   Also in this case, for example, assuming that only the transistor SW1 is conductive, the bias current IBIAS1b flows through the collector of the transistor SW1, but does not flow through the feedback resistor FB1. Therefore, the decrease in the dynamic range of the output voltage when there is no signal in the light receiving amplifier circuit 12 is suppressed as compared with the case of the light receiving amplifier circuit 2 shown in FIG.

また、バイアス電流源CSB1b〜CSBnbはそれぞれ、帰還回路C1〜Cnの選択に伴って選択される。例えば、トランジスタSW1のみが導通し帰還回路C1が選択されている場合、バイアス電流源CSB1bが選択され、同様に、トランジスタSWk(k=2〜n)のみが導通し帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されている場合、バイアス電流源CSBkb(k=2〜n)が選択される。   Further, the bias current sources CSB1b to CSBnb are selected in accordance with the selection of the feedback circuits C1 to Cn, respectively. For example, when only the transistor SW1 is turned on and the feedback circuit C1 is selected, the bias current source CSB1b is selected. Similarly, only the transistor SWk (k = 2 to n) is turned on and the feedback circuit Ck (k = 2 to 2) is selected. When n) is selected, the bias current source CSBkb (k = 2 to n) is selected.

さらに、受光アンプ回路12においても、出力電圧検出回路18およびバイアス電流調整回路19が設けられている。バイアス電流調整回路19は、バイアス電流IBIAS1bの大きさを調整する回路であり、上記式(35)および(36)のようにバイアス電流IBIAS1bを調整する。   Further, the light receiving amplifier circuit 12 is also provided with an output voltage detection circuit 18 and a bias current adjustment circuit 19. The bias current adjustment circuit 19 is a circuit that adjusts the magnitude of the bias current IBIAS1b, and adjusts the bias current IBIAS1b as in the above equations (35) and (36).

次に、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段、出力電圧検出回路18およびバイアス電流調整回路19の具体的な回路構成について図22〜図24を用いて説明する。   Next, specific circuit configurations of the bias current switching means, the output voltage detection circuit 18 and the bias current adjustment circuit 19 associated with the feedback circuit selection will be described with reference to FIGS.

図22は、受光アンプ回路11において、トランジスタSW1のみが導通し、バイアス電流IBIAS1aのみが選択されている場合であって、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段をさらに加えた回路構成を示している。   FIG. 22 shows a circuit configuration in which only the transistor SW1 is turned on and only the bias current IBIAS 1a is selected in the light receiving amplifier circuit 11, and further a bias current switching means associated with the feedback circuit selection is added. Yes.

回路Fは、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段の具体的構成を示しており、帰還抵抗FB1とトランジスタSW1のコレクタとの間にトランジスタQBIAS1bのコレクタが接続され、トランジスタQBIAS1bのベースはトランジスタQCM1bのベースに接続されている。また、トランジスタQBIAS1bのエミッタは接地されている。   The circuit F shows a specific configuration of the bias current switching means associated with the feedback circuit selection. The collector of the transistor QBIAS1b is connected between the feedback resistor FB1 and the collector of the transistor SW1, and the base of the transistor QBIAS1b is the transistor QCM1b. Connected to the base. The emitter of the transistor QBIAS 1b is grounded.

トランジスタQCM1bのベースとコレクタは互いに接続され、トランジスタQCM1bのエミッタは接地されている。またトランジスタQCM1bのコレクタは、電流源CSCM1bとトランジスタSWCM1bのコレクタに接続されており、トランジスタSWCM1bのエミッタは接地され、ベースは電源VS3bに接続されている。電流源CSCM1bは定電流ICM1bを発生させ、電流源CSCM1b・トランジスタQCM1b・トランジスタQBIAS1bとでカレントミラー回路を構成することにより、バイアス電流IBIAS1bを発生する。   The base and collector of the transistor QCM1b are connected to each other, and the emitter of the transistor QCM1b is grounded. The collector of the transistor QCM1b is connected to the current source CSCM1b and the collector of the transistor SWCM1b, the emitter of the transistor SWCM1b is grounded, and the base is connected to the power supply VS3b. The current source CSCM1b generates a constant current ICM1b, and the current source CSCM1b, the transistor QCM1b, and the transistor QBIAS1b constitute a current mirror circuit, thereby generating a bias current IBIAS1b.

また、トランジスタQSW1のベースも、トランジスタQBIAS1bのベースと共通にトランジスタQCM1bのベースに接続されている。これによりトランジスタSWCM1aのOFF/ONに伴って、トランジスタQCM1bがON/OFFし、トランジスタQBIAS1bとトランジスタQSW1が連動してON/OFFする。これにより、帰還回路C1が選択されると、それに伴ってバイアス電流IBIAS1bが選択されることとなる。   The base of the transistor QSW1 is also connected to the base of the transistor QCM1b in common with the base of the transistor QBIAS1b. As a result, the transistor QCM1b is turned on / off as the transistor SWCM1a is turned on / off, and the transistor QBIAS1b and the transistor QSW1 are turned on / off in conjunction with each other. Thus, when the feedback circuit C1 is selected, the bias current IBIAS1b is selected accordingly.

図22では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)についても、回路Fと同様の回路が接続されており、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、それに伴ってバイアス電流IBIASkb(k=2〜n)が選択されるようになっている。   Although omitted in FIG. 22, the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is also connected to a circuit similar to the circuit F, and when the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected, Accordingly, the bias current IBIASkb (k = 2 to n) is selected.

図23は、受光アンプ回路12において、トランジスタSW1のみが導通し、バイアス電流IBIAS1aのみが選択されている場合であって、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段をさらに加えた構成である。   FIG. 23 shows a case where only the transistor SW1 is turned on and only the bias current IBIAS 1a is selected in the light receiving amplifier circuit 12, and a bias current switching means is added to the feedback circuit selection.

回路Gは、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段の具体的構成を示しており、帰還抵抗FB1とトランジスタSW1のコレクタとの間にトランジスタQBIAS1bのコレクタが接続され、トランジスタQBIAS1bのベースはトランジスタQCM1bのベースに接続されている。また、トランジスタQBIAS1bのエミッタは接地されている。   The circuit G shows a specific configuration of the bias current switching means associated with the feedback circuit selection. The collector of the transistor QBIAS1b is connected between the feedback resistor FB1 and the collector of the transistor SW1, and the base of the transistor QBIAS1b is the transistor QCM1b. Connected to the base. The emitter of the transistor QBIAS 1b is grounded.

トランジスタQCM1bのベースとコレクタは互いに接続され、トランジスタQCM1bのエミッタは接地されている。またトランジスタQCM1bのコレクタは、電流源CSCM1bとトランジスタSWCM1bのコレクタに接続されており、トランジスタSWCM1bのエミッタは接地され、ベースは電源VS3bに接続されている。電流源CSCM1bは定電流ICM1bを発生させ、電流源CSCM1b・トランジスタQCM1b・トランジスタQBIAS1bとでカレントミラー回路を構成することにより、バイアス電流IBIAS1bを発生する。   The base and collector of the transistor QCM1b are connected to each other, and the emitter of the transistor QCM1b is grounded. The collector of the transistor QCM1b is connected to the current source CSCM1b and the collector of the transistor SWCM1b, the emitter of the transistor SWCM1b is grounded, and the base is connected to the power supply VS3b. The current source CSCM1b generates a constant current ICM1b, and the current source CSCM1b, the transistor QCM1b, and the transistor QBIAS1b constitute a current mirror circuit, thereby generating a bias current IBIAS1b.

また、トランジスタQSW1のベースも、トランジスタQBIAS1bのベースと共通にトランジスタQCM1bのベースに接続されている。これによりトランジスタSWCM1bのOFF/ONに伴って、トランジスタQCM1bがON/OFFし、トランジスタQBIAS1bとトランジスタQSW1が連動してON/OFFする。これにより、帰還回路C1が選択されると、それに伴ってバイアス電流IBIAS1bが選択されることとなる。   The base of the transistor QSW1 is also connected to the base of the transistor QCM1b in common with the base of the transistor QBIAS1b. As a result, the transistor QCM1b is turned on / off as the transistor SWCM1b is turned on / off, and the transistor QBIAS1b and the transistor QSW1 are turned on / off in conjunction with each other. Thus, when the feedback circuit C1 is selected, the bias current IBIAS1b is selected accordingly.

図23では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)についても、回路Gと同様の回路が接続されており、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、それに伴ってバイアス電流IBIASkb(k=2〜n)が選択されるようになっている。   Although omitted in FIG. 23, a circuit similar to the circuit G is also connected to the feedback circuit Ck (k = 2 to n), and when the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected, Accordingly, the bias current IBIASkb (k = 2 to n) is selected.

図24は、受光アンプ回路11において、トランジスタSW1のみが導通し、バイアス電流IBIAS1bのみが選択されている場合であって、出力電圧検出回路18およびバイアス電流調整回路19をさらに加えた回路構成を示している。さらに、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替も同時に実現させる構成となっている。   FIG. 24 shows a circuit configuration in which only the transistor SW1 is turned on and only the bias current IBIAS1b is selected in the light receiving amplifier circuit 11, and the output voltage detection circuit 18 and the bias current adjustment circuit 19 are further added. ing. Further, the bias current is switched at the same time as the feedback circuit is selected.

回路Hは、出力電圧検出回路18、バイアス電流調整回路19および帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替手段の具体的構成を示している。前述のトランジスタQBIAS1bのベースが、トランジスタQSW1のベースと共通にトランジスタQB1baのベースに接続されており、トランジスタQBIAS1bのエミッタは接地されている。トランジスタQSW1のコレクタはトランジスタSW1のベースに接続され、トランジスタQSW1のエミッタは接地されている。また、トランジスタQB1baのベースとコレクタは互いに接続されている。トランジスタQB1baのエミッタは接地されており、トランジスタQB1baのコレクタは、トランジスタQB1bdのコレクタとトランジスタQB1bbのコレクタに接続されている。トランジスタQB1bdのベースは電源VS4bに接続され、トランジスタQB1bdのエミッタは接地されている。トランジスタQB1bbのエミッタは電源Vccに接続されており、トランジスタQB1bbのベースはトランジスタQB1bcのベースに接続されている。トランジスタQB1bcのベースとコレクタは互いに接続されており、トランジスタQB1bcのエミッタはトランジスタQB1bbのエミッタと同様、電源Vccに接続されている。トランジスタQB1bcのコレクタは、抵抗RB1bの一端と接続されており、抵抗RB1bの他端は出力端子Vo1および各帰還回路C1〜CnのトランジスタSW1〜SWnのエミッタに接続されている。上記回路において、抵抗RB1bが出力電圧検出回路18を構成し、トランジスタQB1ba〜QB1adがバイアス電流調整回路19を構成している。   The circuit H shows a specific configuration of the output voltage detection circuit 18, the bias current adjustment circuit 19, and the bias current switching means associated with the feedback circuit selection. The base of the transistor QBIAS1b is connected to the base of the transistor QB1ba in common with the base of the transistor QSW1, and the emitter of the transistor QBIAS1b is grounded. The collector of the transistor QSW1 is connected to the base of the transistor SW1, and the emitter of the transistor QSW1 is grounded. The base and collector of the transistor QB1ba are connected to each other. The emitter of the transistor QB1ba is grounded, and the collector of the transistor QB1ba is connected to the collector of the transistor QB1bd and the collector of the transistor QB1bb. The base of the transistor QB1bd is connected to the power supply VS4b, and the emitter of the transistor QB1bd is grounded. The emitter of the transistor QB1bb is connected to the power supply Vcc, and the base of the transistor QB1bb is connected to the base of the transistor QB1bc. The base and collector of the transistor QB1bc are connected to each other, and the emitter of the transistor QB1bc is connected to the power supply Vcc, like the emitter of the transistor QB1bb. The collector of the transistor QB1bc is connected to one end of the resistor RB1b, and the other end of the resistor RB1b is connected to the output terminal Vo1 and the emitters of the transistors SW1 to SWn of the feedback circuits C1 to Cn. In the above circuit, the resistor RB1b constitutes the output voltage detection circuit 18, and the transistors QB1ba to QB1ad constitute the bias current adjustment circuit 19.

上記構成では、抵抗RB1bにおいて出力電圧Vo1を検出する。トランジスタQB1bcとトランジスタQB1bb、トランジスタQB1baとトランジスタQBIAS1bがそれぞれカレントミラー回路を構成していることから、バイアス電流IBIAS1bの大きさは、抵抗RB1bの抵抗値をZRB1b、トランジスタQB1bcのベース−エミッタ間電圧をVbeQB1bcとすると、以下のようになる。   In the above configuration, the output voltage Vo1 is detected by the resistor RB1b. Since the transistors QB1bc and QB1bb, and the transistors QB1ba and QBIAS1b constitute current mirror circuits, respectively, the magnitude of the bias current IBIAS1b is the resistance value of the resistor RB1b is ZRB1b, and the base-emitter voltage of the transistor QB1bc is VbeQB1bc. Then, it becomes as follows.

IBIAS1b=(Vcc−Vo1−VbeQB1bc)/ZRB1b …(37)
これにより出力電圧Vo1の増加/減少に伴い、バイアス電流IBIAS1bは減少/増加することになる。
IBIAS1b = (Vcc−Vo1−VbeQB1bc) / ZRB1b (37)
As a result, the bias current IBIAS1b decreases / increases as the output voltage Vo1 increases / decreases.

さらに抵抗RB1bの抵抗値ZRB1bと、抵抗FB1の抵抗値Rf1が等しい場合、トランジスタSW1のコレクタ電流IPD1+IBIAS1bは、以下のようになる。   Further, when the resistance value ZRB1b of the resistor RB1b is equal to the resistance value Rf1 of the resistor FB1, the collector current IPD1 + IBIAS1b of the transistor SW1 is as follows.

式(37)より
IBIAS1b=(Vcc−Vo1−VbeQB1bc)/ZRB1b
=(Vcc−VbeQB1bc−((IPD1×(Rf1+ZSW1))+(IBIAS1b×ZSW1)))/ZRB1b …(38)
整理すると、
(1+(ZSW1/ZRB1b))×IBIAS1b=((ZRB1b+ZSW1)/ZRB1b)×IBIAS1b
=(Vcc−VbeQB1bc−(IPD1×(Rf1+ZSW1)))/ZRB1b…(39)
よって、
IBIAS1b=((Vcc−VbeQB1bc−(IPD1×(Rf1+ZSW1)))/ZRB1b)×(ZRB1b/(ZRB1b+ZSW1))
=(Vcc−VbeQB1bc−(IPD1×(Rf1+ZSW1)))/(ZRB1b+ZSW1) …(40)
よってトランジスタSW1のコレクタ電流IPD1+IBIAS1bは、
IPD1+IBIAS1b=IPD1+((Vcc−VbeQB1bc−(IPD1×(Rf1+ZSW1)))/(ZRB1b+ZSW1))
=(IPD1×(ZRB1b+ZSW1)−IPD1×(Rf1+ZSW1)+Vcc−VbeQB1bc)/(ZRB1b+ZSW1)
=(IPD1×(ZRB1b−Rf1))/(ZRB1b+ZSW1)+(Vcc−VbeQB1bc)/(ZRB1b+ZSW1)
…(41)
ここで両辺をIPD1で微分すると、
d(IPD1+IBIAS1b)/dIPD1=(ZRB1b−Rf1)/(ZRB1b+ZSW1) …(42)
上記より、ZRB1b=Rf1であれば、
d(IPD1+IBIAS1b)/dIPD1=0 …(43)
よって、
IPD1+IBIAS1b=const. …(44)
すなわち、トランジスタSW1のコレクタ電流IPD1+IBIAS1bは、電流IPD1によらず一定となり、電流IPD1が変化してもトランジスタSW1のインピーダンスは変化しない。よって、帰還回路のゲインが変化せず、より正確な出力電圧を検出することができる。
From equation (37)
IBIAS1b = (Vcc−Vo1−VbeQB1bc) / ZRB1b
= (Vcc−VbeQB1bc − ((IPD1 × (Rf1 + ZSW1)) + (IBIAS1b × ZSW1))) / ZRB1b (38)
Organize
(1+ (ZSW1 / ZRB1b)) × IBIAS1b = ((ZRB1b + ZSW1) / ZRB1b) × IBIAS1b
= (Vcc−VbeQB1bc− (IPD1 × (Rf1 + ZSW1))) / ZRB1b (39)
Therefore,
IBIAS1b = ((Vcc−VbeQB1bc− (IPD1 × (Rf1 + ZSW1))) / ZRB1b) × (ZRB1b / (ZRB1b + ZSW1))
= (Vcc−VbeQB1bc− (IPD1 × (Rf1 + ZSW1))) / (ZRB1b + ZSW1) (40)
Therefore, the collector current IPD1 + IBIAS1b of the transistor SW1 is
IPD1 + IBIAS1b = IPD1 + ((Vcc−VbeQB1bc− (IPD1 × (Rf1 + ZSW1))) / (ZRB1b + ZSW1))
= (IPD1 x (ZRB1b + ZSW1)-IPD1 x (Rf1 + ZSW1) + Vcc-VbeQB1bc) / (ZRB1b + ZSW1)
= (IPD1 × (ZRB1b-Rf1)) / (ZRB1b + ZSW1) + (Vcc-VbeQB1bc) / (ZRB1b + ZSW1)
... (41)
Here, when both sides are differentiated by IPD1,
d (IPD1 + IBIAS1b) / dIPD1 = (ZRB1b-Rf1) / (ZRB1b + ZSW1) (42)
From the above, if ZRB1b = Rf1,
d (IPD1 + IBIAS1b) / dIPD1 = 0 (43)
Therefore,
IPD1 + IBIAS1b = const. (44)
That is, the collector current IPD1 + IBIAS1b of the transistor SW1 is constant regardless of the current IPD1, and the impedance of the transistor SW1 does not change even if the current IPD1 changes. Therefore, the gain of the feedback circuit does not change and a more accurate output voltage can be detected.

さらに、トランジスタQBIAS1bとトランジスタQSW1のON/OFFが連動し、帰還回路C1の選択に伴ってバイアス電流IBIAS1bが選択される。   Further, ON / OFF of the transistor QBIAS1b and the transistor QSW1 is interlocked, and the bias current IBIAS1b is selected along with the selection of the feedback circuit C1.

なお図24では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)についても同様に、抵抗RBkb(k=2〜n)等を含む回路Hと同様の回路が接続されており、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されるとバイアス電流IBIASkb(k=2〜n)が選択されるようになっている。   Although omitted in FIG. 24, the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is similarly connected to a circuit similar to the circuit H including the resistor RBkb (k = 2 to n) and the like. When the circuit Ck (k = 2 to n) is selected, the bias current IBIASkb (k = 2 to n) is selected.

同様にZRBkb=Rfk(k=2〜n)であれば、
IPD1+IBIASkb=const.(k=2〜n) …(45)
が成立する。よって、トランジスタSWn(k=2〜n)のコレクタ電流IPD1+IBIASkb(k=2〜n)は、電流IPD1によらず一定となり、電流IPD1が変化してもトランジスタSWn(k=2〜n)のインピーダンスは変化しない。
Similarly, if ZRBkb = Rfk (k = 2 to n),
IPD1 + IBIASkb = const. (K = 2 to n) (45)
Is established. Therefore, the collector current IPD1 + IBIASKkb (k = 2 to n) of the transistor SWn (k = 2 to n) is constant regardless of the current IPD1, and the impedance of the transistor SWn (k = 2 to n) even if the current IPD1 changes. Does not change.

図25は、本実施形態に係る受光アンプ回路13の構成を示しており、受光アンプ回路13は、受光アンプ回路11のオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnにバイアス電流源CSB1db〜CSBndbを接続した構成である。バイアス電流源CSB1dbは、オフセット電圧補正回路Cd1の抵抗FBd1とトランジスタSWd1のコレクタとの間に接続されており、バイアス電流IBIAS1dbを発生する。同様に、バイアス電流源CSBkdb(k=2〜n)は、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)の抵抗FBdk(k=2〜n)とトランジスタSWdk(k=2〜n)のコレクタとの間に接続されており、バイアス電流源CSBkda(k=2〜n)はバイアス電流IBIASkda(k=2〜n)を発生する。これにより選択されたオフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)におけるトランジスタSWdk(k=2〜n)のコレクタ電流は、バイアス電流IBIASkdb(k=2〜n)分だけ増加し、オフセット電圧Vodが低減される。   FIG. 25 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 13 according to the present embodiment. The light receiving amplifier circuit 13 is configured by connecting bias current sources CSB1db to CSBndb to the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn of the light receiving amplifier circuit 11. is there. The bias current source CSB1db is connected between the resistor FBd1 of the offset voltage correction circuit Cd1 and the collector of the transistor SWd1, and generates a bias current IBIAS1db. Similarly, the bias current source CSBkdb (k = 2 to n) includes the resistor FBdk (k = 2 to n) of the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n) and the collector of the transistor SWdk (k = 2 to n). The bias current source CSBkda (k = 2 to n) generates a bias current IBIASkda (k = 2 to n). Thus, the collector current of the transistor SWdk (k = 2 to n) in the selected offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n) increases by the bias current IBIASkdb (k = 2 to n), and the offset voltage Vod Is reduced.

図26は、本実施形態に係る受光アンプ回路14の構成を示しており、受光アンプ回路14は、受光アンプ回路12のオフセット電圧補正回路Cd1〜Cdnにバイアス電流源CSB1db〜CSB1dbを接続した構成である。バイアス電流源CSB1dbは、オフセット電圧補正回路Cd1の抵抗FBd1とトランジスタSWd1のコレクタとの間に接続されており、バイアス電流IBIAS1daを発生する。同様に、バイアス電流源CSBkdb(k=2〜n)は、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)の抵抗FBdk(k=2〜n)とトランジスタSWdk(k=2〜n)のコレクタとの間に接続されており、バイアス電流源CSBk(k=2〜n)daはバイアス電流IBIASkda(k=2〜n)を発生する。これにより選択されたオフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)におけるトランジスタSWdk(k=2〜n)のコレクタ電流は、バイアス電流IBIASkdb(k=2〜n)分だけ増加し、オフセット電圧Vodが低減される。   FIG. 26 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 14 according to the present embodiment. The light receiving amplifier circuit 14 has a configuration in which the bias current sources CSB1db to CSB1db are connected to the offset voltage correction circuits Cd1 to Cdn of the light receiving amplifier circuit 12. is there. The bias current source CSB1db is connected between the resistor FBd1 of the offset voltage correction circuit Cd1 and the collector of the transistor SWd1, and generates a bias current IBIAS1da. Similarly, the bias current source CSBkdb (k = 2 to n) includes the resistor FBdk (k = 2 to n) of the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n) and the collector of the transistor SWdk (k = 2 to n). The bias current source CSBk (k = 2 to n) da generates a bias current IBIASkda (k = 2 to n). Thus, the collector current of the transistor SWdk (k = 2 to n) in the selected offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n) increases by the bias current IBIASkdb (k = 2 to n), and the offset voltage Vod Is reduced.

ここで、バイアス電流IBIAS1bとバイアス電流IBIAS1dbとの関係について以下に説明する。   Here, the relationship between the bias current IBIAS1b and the bias current IBIAS1db will be described below.

図27は、受光アンプ回路13において帰還回路C1とオフセット電圧補正回路Cd1が選択されている場合の構成を示しており、簡略化のため選択されていない帰還回路およびオフセット電圧補正回路は図示していない。また、無信号時であり受光素子PD1からの電流IPD1=0とする。   FIG. 27 shows a configuration when the feedback circuit C1 and the offset voltage correction circuit Cd1 are selected in the light receiving amplifier circuit 13, and the feedback circuit and the offset voltage correction circuit that are not selected are shown for the sake of simplicity. Absent. Further, it is assumed that there is no signal and the current IPD1 = 0 from the light receiving element PD1.

ここで、差動増幅器Amp1の正入力端子と基準電圧源VS1との電位差をVFBd1b、受光素子PD1と出力端子Vo1との電位差をVFB1b、差動増幅器Amp1の正入力端子への電流をIb2b、差動増幅器Amp1の負入力端子への電流をIb1b、差動増幅器Amp1の正入力端子と負入力端子との電位差をVoffAbとすると、差動増幅器のオフセット電圧Vodは以下のようになる。   Here, the potential difference between the positive input terminal of the differential amplifier Amp1 and the reference voltage source VS1 is VFBd1b, the potential difference between the light receiving element PD1 and the output terminal Vo1 is VFB1b, and the current to the positive input terminal of the differential amplifier Amp1 is Ib2b. When the current to the negative input terminal of the dynamic amplifier Amp1 is Ib1b and the potential difference between the positive input terminal and the negative input terminal of the differential amplifier Amp1 is VoffAb, the offset voltage Vod of the differential amplifier is as follows.

Vod=Vo1−VS1
=VS1−VFBd1b−VoffAb+VFB1b−VS1
=VFB1b−VFBd1b−VoffAb …(46)
バイアス電流源CSB1b,及びバイアス電流源CSB1dbが接続されている場合、VoffAb=0とすると
Vod=VFB1b−VFBd1b−VoffAb
≒(ZFB1×Ib1b)+((ZSW1×(Ib1b+IBIAS1b))-((ZFBd1×Ib2b)+((ZSWd1×(Ib2b+IBIAS1b)))
…(47)
ここでZFB1=ZFBd1,ZSW1=ZSWd1であり、更にIb1b=Ib2b=0とすると、
Vod=((ZSW1×IBIAS1b)-(ZSWd1×IBIAS1b)
=ZSW1×(IBIAS1b-IBIAS1b) …(48)
となる。このとき、
IBIAS1b=IBIAS1db …(49)
が成り立てば、Vod=0となり、オフセット電圧Vodを最小にすることができる。
Vod = Vo1-VS1
= VS1−VFBd1b−VoffAb + VFB1b−VS1
= VFB1b-VFBd1b-VoffAb (46)
When the bias current source CSB1b and the bias current source CSB1db are connected, VoffAb = 0
Vod = VFB1b−VFBd1b−VoffAb
≒ (ZFB1 x Ib1b) + ((ZSW1 x (Ib1b + IBIAS1b))-((ZFBd1 x Ib2b) + ((ZSWd1 x (Ib2b + IBIAS1b)))
... (47)
Here, if ZFB1 = ZFBd1, ZSW1 = ZSWd1, and Ib1b = Ib2b = 0, then
Vod = ((ZSW1 × IBIAS1b)-(ZSWd1 × IBIAS1b)
= ZSW1 × (IBIAS1b-IBIAS1b) (48)
It becomes. At this time,
IBIAS1b = IBIAS1db (49)
If Vod holds, Vod = 0 and the offset voltage Vod can be minimized.

同様にその他の帰還回路およびオフセット電圧補正回路が選択された場合も、
IBIASkb=IBIASkdb(k=2〜n) …(50)
が成り立てば、オフセット電圧Vodを最小にすることができる。
Similarly, when other feedback circuits and offset voltage correction circuits are selected,
IBIASkb = IBIASkdb (k = 2 to n) (50)
Is established, the offset voltage Vod can be minimized.

したがって、帰還回路に接続されるバイアス電流源と、それに対応して選択されるオフセット電圧補正回路に接続されるバイアス電流源とが発生するそれぞれのバイアス電流の大きさは互いに等しい。   Therefore, the magnitudes of the respective bias currents generated by the bias current source connected to the feedback circuit and the bias current source connected to the offset voltage correction circuit selected corresponding thereto are equal to each other.

図28は、受光アンプ回路13において、オフセット電圧補正回路Cd1とバイアス電流源CSB1dbとを連動させるための具体的回路構成を示している。回路Iは、図22の回路Fに、トランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSWd1をさらに備えた構成である。トランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSW1dのベースはともに、トランジスタQCM1のベースと共通に接続されている。またトランジスタQBIASd1bのコレクタは、オフセット電圧補正回路Cd1の抵抗FBd1とトランジスタSWd1のコレクタとの間に接続され、トランジスタQBIASd1bのエミッタは接地されている。トランジスタQSWd1のコレクタはトランジスタSWd1のベースに接続され、トランジスタQSW1dのエミッタは接地されている。   FIG. 28 shows a specific circuit configuration for linking the offset voltage correction circuit Cd1 and the bias current source CSB1db in the light receiving amplifier circuit 13. The circuit I has a configuration in which a transistor QBIASd1b and a transistor QSWd1 are further provided in the circuit F of FIG. The bases of the transistors QBIASd1b and QSW1d are both connected in common with the base of the transistor QCM1. The collector of the transistor QBIASd1b is connected between the resistor FBd1 of the offset voltage correction circuit Cd1 and the collector of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QBIASd1b is grounded. The collector of the transistor QSWd1 is connected to the base of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QSW1d is grounded.

これにより、トランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSWd1のON/OFFは連動し、同様にトランジスタQBIAS1bおよびトランジスタQSW1のON/OFFも連動する。電流源CSCM1b、トランジスタQBIAS1b、トランジスタQSW1、トランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSWd1がカレントミラー回路を構成していることによりバイアス電流IBIAS1bとバイアス電流IBIAS1dbは互いに等しくなる。   Thereby, ON / OFF of the transistor QBIASd1b and the transistor QSWd1 is interlocked, and similarly, ON / OFF of the transistor QBIAS1b and the transistor QSW1 is also interlocked. Since current source CSCM1b, transistor QBIAS1b, transistor QSW1, transistor QBIASd1b, and transistor QSWd1 form a current mirror circuit, bias current IBIAS1b and bias current IBIAS1db are equal to each other.

なお図28では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)についても同様に、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)、バイアス電流IBIASkb(k=2〜n)およびバイアス電流IBIASkdb(k=2〜n)が選択されるようになっている。また、バイアス電流IBIASkb(k=2〜n)とバイアス電流IBIASkdb(k=2〜n)は互いに等しくなる。   Although omitted in FIG. 28, the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected similarly for the feedback circuit Ck (k = 2 to n) and the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n). Then, the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n), the bias current IBIASkb (k = 2 to n), and the bias current IBIASkdb (k = 2 to n) are selected. Also, the bias current IBIASkb (k = 2 to n) and the bias current IBIASkdb (k = 2 to n) are equal to each other.

図29は、受光アンプ回路14において、オフセット電圧補正回路Cd1とバイアス電流源CSB1dbとを連動させるための具体的回路構成を示している。回路Jは、図24の回路Hに、トランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSWd1をさらに備えた構成であり、トランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSW1dのベースはともに、トランジスタQCM1のベースと共通に接続されている。またトランジスタQBIASd1bのコレクタは、オフセット電圧補正回路Cd1の抵抗FBd1とトランジスタSWd1のコレクタとの間に接続され、トランジスタQBIASd1bのエミッタは接地されている。トランジスタQSW1dのコレクタはトランジスタSWd1のベースに接続され、トランジスタQSWd1のエミッタは接地されている。   FIG. 29 shows a specific circuit configuration for linking the offset voltage correction circuit Cd1 and the bias current source CSB1db in the light receiving amplifier circuit 14. The circuit J has a configuration in which the transistor QBIASd1b and the transistor QSWd1 are further added to the circuit H in FIG. 24, and the bases of the transistor QBIASd1b and the transistor QSW1d are both connected in common to the base of the transistor QCM1. The collector of the transistor QBIASd1b is connected between the resistor FBd1 of the offset voltage correction circuit Cd1 and the collector of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QBIASd1b is grounded. The collector of the transistor QSW1d is connected to the base of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QSWd1 is grounded.

これにより、トランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSWd1のON/OFFは連動し、同様にトランジスタQBIAS1bおよびトランジスタQSW1のON/OFFも連動する。電流源CSCM1b、トランジスタQBIAS1b、トランジスタQSW1、トランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSWd1がカレントミラー回路を構成していることによりバイアス電流IBIAS1bとバイアス電流IBIAS1dbは互いに等しくなる。   Thereby, ON / OFF of the transistor QBIASd1b and the transistor QSWd1 is interlocked, and similarly, ON / OFF of the transistor QBIAS1b and the transistor QSW1 is also interlocked. Since current source CSCM1b, transistor QBIAS1b, transistor QSW1, transistor QBIASd1b, and transistor QSWd1 form a current mirror circuit, bias current IBIAS1b and bias current IBIAS1db are equal to each other.

なお図29では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)についても同様に、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)、バイアス電流IBIASkb(k=2〜n)およびバイアス電流IBIASkdb(k=2〜n)が選択されるようになっている。また、バイアス電流IBIASkb(k=2〜n)とバイアス電流IBIASkdb(k=2〜n)は互いに等しくなる。   Although omitted in FIG. 29, the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected similarly for the feedback circuit Ck (k = 2 to n) and the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n). Then, the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n), the bias current IBIASkb (k = 2 to n), and the bias current IBIASkdb (k = 2 to n) are selected. Also, the bias current IBIASkb (k = 2 to n) and the bias current IBIASkdb (k = 2 to n) are equal to each other.

図30はバイアス電流の調整と共に、帰還回路選択に伴うバイアス電流の切替も同時に実現させる構成を示している。回路Kは、図24における回路Hに、さらにトランジスタQBIASd1bおよびトランジスタQSWd1を加えた構成である。トランジスタQBIASd1bのコレクタは、オフセット電圧補正回路Cd1の抵抗FBd1とトランジスタSWd1のコレクタとの間に接続され、トランジスタQBIASd1bのエミッタは接地されている。   FIG. 30 shows a configuration that simultaneously realizes switching of the bias current accompanying the selection of the feedback circuit along with adjustment of the bias current. The circuit K has a configuration in which a transistor QBIASd1b and a transistor QSWd1 are further added to the circuit H in FIG. The collector of the transistor QBIASd1b is connected between the resistor FBd1 of the offset voltage correction circuit Cd1 and the collector of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QBIASd1b is grounded.

トランジスタQSWd1のコレクタはトランジスタSWd1のベースに接続され、トランジスタQSWd1のエミッタは接地されている。トランジスタQBIASd1bのベースとトランジスタQSWd1のベースは、トランジスタQBIAS1bのベースとトランジスタQSW1のベースとともに、トランジスタQB1baのベースに共通に接続されている。   The collector of the transistor QSWd1 is connected to the base of the transistor SWd1, and the emitter of the transistor QSWd1 is grounded. The base of the transistor QBIASd1b and the base of the transistor QSWd1 are commonly connected to the base of the transistor QB1ba together with the base of the transistor QBIAS1b and the base of the transistor QSW1.

これにより、バイアス電流IBIAS1bは上記式(37)を満たし、バイアス電流IBIAS1bとバイアス電流IBIAS1dbとは上記式(49)を満たす。さらに、トランジスタQSW1とトランジスタQBIAS1bのON/OFFおよびトランジスタQSWd1とトランジスタQBIASd1bのON/OFFが連動し、抵抗RB1を含む帰還回路C1の選択に伴ってバイアス電流IBIAS1bが選択されるとともに、抵抗FBd1を含むオフセット電圧補正回路Cd1の選択に伴ってバイアス電流IBIAS1dbが選択される。   Thereby, the bias current IBIAS1b satisfies the above formula (37), and the bias current IBIAS1b and the bias current IBIAS1db satisfy the above formula (49). Further, ON / OFF of the transistor QSW1 and the transistor QBIAS1b and ON / OFF of the transistor QSWd1 and the transistor QBIASd1b are linked, and the bias current IBIAS1b is selected along with the selection of the feedback circuit C1 including the resistor RB1, and the resistor FBd1 is included. With the selection of the offset voltage correction circuit Cd1, the bias current IBIAS1db is selected.

また、抵抗RB1bの抵抗値ZRB1bと帰還抵抗FB1の抵抗値Rf1とが等しい場合、トランジスタSW1のコレクタ電流IPD1+IBIAS1bは上記式(44)を満たし、電流IPD1が変化してもトランジスタSW1のインピーダンスは変化しない。よって、帰還回路のゲインが変化せず、より正確な出力電圧を検出することができる。   Further, when the resistance value ZRB1b of the resistor RB1b and the resistance value Rf1 of the feedback resistor FB1 are equal, the collector current IPD1 + IBIAS1b of the transistor SW1 satisfies the above equation (44), and the impedance of the transistor SW1 does not change even when the current IPD1 changes. . Therefore, the gain of the feedback circuit does not change and a more accurate output voltage can be detected.

なお図30では省略されているが、帰還回路Ck(k=2〜n)、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)についても同様に、抵抗RBkb(k=2〜n)等を含む回路Eと同様の回路が接続されており、帰還回路Ck(k=2〜n)が選択されると、オフセット電圧補正回路Cdk(k=2〜n)、バイアス電流IBIASkb(k=2〜n)およびバイアス電流IBIASkdb(k=2〜n)が選択されるようになっている。   Although omitted in FIG. 30, the feedback circuit Ck (k = 2 to n) and the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n) similarly include a resistor RBkb (k = 2 to n). When a circuit similar to the circuit E is connected and the feedback circuit Ck (k = 2 to n) is selected, the offset voltage correction circuit Cdk (k = 2 to n), the bias current IBIASkb (k = 2 to n) ) And a bias current IBIASkdb (k = 2 to n) are selected.

また式(50)から、バイアス電流IBIASkb(k=2〜n)とバイアス電流IBIASkdb(k=2〜n)は互いに等しくなり、さらに抵抗RBkb(k=2〜n)の抵抗値ZRBkb(k=2〜n)と帰還抵抗FBk(k=2〜n)の抵抗値Rfk(k=2〜n)とが等しい場合、トランジスタSWk(k=2〜n)のコレクタ電流IPD1+IBIASkbは(k=2〜n)は上記式(45)を満たす。   Further, from the equation (50), the bias current IBIASkb (k = 2 to n) and the bias current IBIASkdb (k = 2 to n) are equal to each other, and the resistance value ZRBkb (k = k = 2 to n) of the resistor RBkb (k = 2 to n). 2 to n) and the resistance value Rfk (k = 2 to n) of the feedback resistor FBk (k = 2 to n) are equal, the collector current IPD1 + IBIASK of the transistor SWk (k = 2 to n) is (k = 2 to 2). n) satisfies the above formula (45).

図31は、図24の受光アンプ回路11において、差動増幅器Amp1の具体的構成を示した回路図である。差動増幅器Amp1はエミッタ接地増幅回路CC1(以下「増幅回路CC1」)とコレクタ接地増幅回路CC2(以下「増幅回路CC2」)とを有している。増幅回路CC1はトランジスタQ1および電流源I1、増幅回路CC2はトランジスタQ2および電流源I2を有している。増幅回路CC1の入力であるトランジスタQ1のベースには受光素子PD1のカソードが接続され、増幅回路CC1の出力であるトランジスタQ1のコレクタには増幅回路CC2の入力であるトランジスタQ2のベースが接続されている。増幅回路CC2の出力であるトランジスタQ2のエミッタは受光アンプ回路11の出力に相当する。   FIG. 31 is a circuit diagram showing a specific configuration of the differential amplifier Amp1 in the light receiving amplifier circuit 11 of FIG. The differential amplifier Amp1 includes a grounded emitter amplifier circuit CC1 (hereinafter “amplifier circuit CC1”) and a grounded collector amplifier circuit CC2 (hereinafter “amplifier circuit CC2”). The amplifier circuit CC1 has a transistor Q1 and a current source I1, and the amplifier circuit CC2 has a transistor Q2 and a current source I2. The cathode of the light receiving element PD1 is connected to the base of the transistor Q1 which is the input of the amplifier circuit CC1, and the base of the transistor Q2 which is the input of the amplifier circuit CC2 is connected to the collector of the transistor Q1 which is the output of the amplifier circuit CC1. Yes. The emitter of the transistor Q2, which is the output of the amplifier circuit CC2, corresponds to the output of the light receiving amplifier circuit 11.

またトランジスタQ1のベースと受光アンプ回路11の出力との間には、トランジスタSW1〜SWnの導通/非導通により選択される帰還抵抗FB1〜FBnが並列に接続されており、例えばトランジスタSW1と帰還抵抗FB1とが接続された帰還回路においては、カレントミラー回路CM1bを含む電流源回路が設けられている。   Further, feedback resistors FB1 to FBn selected by conduction / non-conduction of the transistors SW1 to SWn are connected in parallel between the base of the transistor Q1 and the output of the light receiving amplifier circuit 11, for example, the transistor SW1 and the feedback resistor. In the feedback circuit connected to FB1, a current source circuit including a current mirror circuit CM1b is provided.

ここで、図31の受光アンプ回路が動作するためには、各電流源回路におけるカレントミラー回路CM1b〜CMnbのトランジスタQSW1〜QSWnのコレクタ−エミッタ間電圧が、トランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧Vce(sat)より高くなければならない。例えばQSW1のコレクタ−エミッタ間電圧をVceQSW1とすると、
VceQSW1=VbeQ1+((IPD1+Ib1)×Rf1)+((IPD1+Ib1+IBIAS1)×ZSW1)−VbeSW1
…(51)
となる。ここで、VbeQ1、VbeSW1はそれぞれトランジスタQ1、SW1のベース−エミッタ間電圧、Ib1はトランジスタQ1のベース電流である。
Here, in order for the light receiving amplifier circuit of FIG. 31 to operate, the collector-emitter voltage of the transistors QSW1 to QSWn of the current mirror circuits CM1b to CMnb in each current source circuit is equal to the collector-emitter voltage Vce when the transistor is saturated. Must be higher than (sat). For example, when the collector-emitter voltage of QSW1 is VceQSW1,
VceQSW1 = VbeQ1 + ((IPD1 + Ib1) x Rf1) + ((IPD1 + Ib1 + IBIAS1) x ZSW1)-VbeSW1
... (51)
It becomes. Here, VbeQ1 and VbeSW1 are the base-emitter voltages of the transistors Q1 and SW1, respectively, and Ib1 is the base current of the transistor Q1.

IPD1=0の時、VceQSW1は最小となるので、各トランジスタの特性が同一として、VbeQ1=VbeSW1、Ib1が微小としてIb1=0と近似すると、VceQSW1の最小値VceQSW1minは、式(15)より、
VceQSW1min=IBIAS1×ZSW1 …(52)
となる。ここで、VceQSW1minがトランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧Vce(sat)より高ければ受光アンプ回路が動作するので、
IBIAS1×ZSW1>Vce(sat) …(53)
を満たせば、受光アンプ回路は動作する。
Since VceQSW1 is minimum when IPD1 = 0, assuming that the characteristics of each transistor are the same, VbeQ1 = VbeSW1, Ib1 is very small, and Ib1 = 0 is approximated, the minimum value VceQSW1min of VceQSW1 is
VceQSW1min = IBIAS1 × ZSW1 (52)
It becomes. Here, if VceQSW1min is higher than the collector-emitter voltage Vce (sat) when the transistor is saturated, the light receiving amplifier circuit operates.
IBIAS1 × ZSW1> Vce (sat) (53)
If this condition is satisfied, the light receiving amplifier circuit operates.

他の帰還回路が選択された場合についても同様に、
IBIASk×ZSWk>Vce(sat)(k=2〜n) …(54)
すなわち、バイアス電流値と帰還回路選択スイッチであるトランジスタSWk(k=2〜n)のインピーダンスとの積が、トランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧より大きければよい。
Similarly, when another feedback circuit is selected,
IBIASk × ZSWk> Vce (sat) (k = 2 to n) (54)
That is, it is sufficient that the product of the bias current value and the impedance of the transistor SWk (k = 2 to n) as the feedback circuit selection switch is larger than the collector-emitter voltage when the transistor is saturated.

式(53)を満たさない場合、すなわち、
IBIASk×ZSWk≦Vce(sat)(k=2〜n) …(55)
の場合は、図32に示すように、図31の構成に加えて、トランジスタQ1のエミッタに新たにトランジスタQ3を設けることによって、トランジスタQSWk(k=2〜n)のコレクタ−エミッタ間電圧がトランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧より大きくなるようにする必要がある。トランジスタQ3はベースとコレクタとが接続されることによってダイオードとして機能する。
When the expression (53) is not satisfied, that is,
IBIASk × ZSWk ≦ Vce (sat) (k = 2 to n) (55)
In this case, as shown in FIG. 32, in addition to the configuration of FIG. 31, a transistor Q3 is newly provided at the emitter of the transistor Q1, so that the collector-emitter voltage of the transistor QSWk (k = 2 to n) It is necessary to make it larger than the collector-emitter voltage at the time of saturation. The transistor Q3 functions as a diode by connecting the base and the collector.

この場合、トランジスタQSW1のコレクタ−エミッタ間電圧は、
VceQSW1=VbeQ3+VbeQ1+((IPD1+Ib1)×Rf1)+((IPD1+Ib1+IBIAS1)×ZSW1)−VbeSW1
…(56)
であり、トランジスタQSW1のコレクタ−エミッタ間電圧の最小値は、式(15)の場合と同様、IPD1=0、Vbe1=VbeSW1、Ib1=0として
VceQSW1min=VbeQ3+(IBIAS1×ZSW1) …(57)
となる。
In this case, the collector-emitter voltage of the transistor QSW1 is
VceQSW1 = VbeQ3 + VbeQ1 + ((IPD1 + Ib1) x Rf1) + ((IPD1 + Ib1 + IBIAS1) x ZSW1)-VbeSW1
... (56)
The minimum value of the collector-emitter voltage of the transistor QSW1 is IPD1 = 0, Vbe1 = VbeSW1, and Ib1 = 0 as in the case of the equation (15).
VceQSW1min = VbeQ3 + (IBIAS1 × ZSW1) (57)
It becomes.

よって、図32の構成においては、
VbeQ3+(IBIAS1×ZSW1)>Vce(sat) …(58)
を満たせば、受光アンプ回路は動作することになる。
Therefore, in the configuration of FIG.
VbeQ3 + (IBIAS1 × ZSW1)> Vce (sat) (58)
If this condition is satisfied, the light receiving amplifier circuit operates.

また、図31の受光アンプ回路の無信号時の出力電圧をVOLmin31とすると、
VOLmin31=Vbe1+(IBIAS1×ZSWn) …(59)
となる。
If the output voltage of the light receiving amplifier circuit of FIG.
VOLmin31 = Vbe1 + (IBIAS1 × ZSWn) (59)
It becomes.

ここで、本実施の形態の受光アンプ回路のダイナミックレンジを比較例の受光アンプ回路のダイナミックレンジよりも広く確保するためには、図19の受光アンプ回路の無信号時の出力電圧をVOLmin19とすると、VOLmin31<VOLmin19となればいいので、式(31)から、
IBIAS1×ZSWn<Vbe3 …(60)
を満たせばよい。すなわち、バイアス電流と帰還回路のインピーダンスとの積が、トランジスタのベース−エミッタ間電圧より低くなるようにバイアス電流を調整すればよい。
Here, in order to ensure a wider dynamic range of the light receiving amplifier circuit of the present embodiment than that of the light receiving amplifier circuit of the comparative example, the output voltage of the light receiving amplifier circuit of FIG. 19 when there is no signal is VOLmin19. VOLmin31 <VOLmin19, so from equation (31)
IBIAS1 × ZSWn <Vbe3 (60)
Should be satisfied. That is, the bias current may be adjusted so that the product of the bias current and the impedance of the feedback circuit is lower than the base-emitter voltage of the transistor.

〔実施の形態3〕
本発明の他の実施形態について図33に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施形態においても、前述の実施の形態1および2における構成要素と同等の機能を有する構成要素については同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Embodiment 3]
Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Also in the present embodiment, the same reference numerals are given to components having the same functions as the components in the first and second embodiments, and the description thereof is omitted.

図33は、本実施の形態に係る光ピックアップ101の構成を示している。   FIG. 33 shows the configuration of the optical pickup 101 according to the present embodiment.

図33に示すように、本光ピックアップ101は、レーザダイオード111、レーザパワーモニタ用受光IC112,113、信号用受光IC114、コリメータレンズ115、スポットレンズ116、ビームスプリッタ117、コリメータレンズ118および対物レンズ119を備えている。   As shown in FIG. 33, the optical pickup 101 includes a laser diode 111, light receiving ICs 112 and 113 for laser power monitoring, a signal light receiving IC 114, a collimator lens 115, a spot lens 116, a beam splitter 117, a collimator lens 118, and an objective lens 119. It has.

レーザ光源としてのレーザダイオード111は、CD用の780nmのレーザビームとDVD用の650nmのレーザビームの2種類のレーザビームを発する。レーザダイオード111に供給される駆動電流は、図示しないレーザドライバにより生成される。   A laser diode 111 as a laser light source emits two types of laser beams, a 780 nm laser beam for CD and a 650 nm laser beam for DVD. The drive current supplied to the laser diode 111 is generated by a laser driver (not shown).

レーザパワーモニタ用受光IC112,113は、前述の実施の実施の形態1または2の受光アンプ回路1〜7および受光アンプ回路11〜14のいずれかを内蔵しており、受光面に受光素子(フォトダイオード)PD1を配している。レーザパワーモニタ用受光IC112,113は、レーザダイオード111から出射されるレーザビームの一部を受光して、検出信号として電気信号に変換するためのICであり、いずれか一方があればよい。また、レーザパワーモニタ用受光ICの位置は、レーザビームを検出に必要な量を受けることができる位置であれば、図示された位置に限定されない。   The laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 incorporate any of the light receiving amplifier circuits 1 to 7 and the light receiving amplifier circuits 11 to 14 of the above-described first or second embodiment. Diode) PD1 is arranged. The light receiving ICs 112 and 113 for laser power monitoring are ICs for receiving a part of the laser beam emitted from the laser diode 111 and converting it into an electric signal as a detection signal. The position of the light receiving IC for laser power monitoring is not limited to the illustrated position as long as it can receive an amount necessary for detecting the laser beam.

上記のように構成される光ピックアップ101においては、レーザダイオード111から出射されたレーザビームは、コリメータレンズ115によって平行光束に変換され、ビームスプリッタ117により偏向する。ビームスプリッタ117からのレーザビームは、さらにコリメータレンズ118を経て、対物レンズ119によって光ディスク120に集束される。光ディスク120から反射したレーザビームは、対物レンズ119およびコリメータレンズ118を経て、ビームスプリッタ117を透過した後、スポットレンズ116によって信号用受光IC114に集束される。信号用受光IC114では、レーザビームが電気信号に変換され、この電気信号からRF信号、トラッキングエラー信号などが生成される。   In the optical pickup 101 configured as described above, the laser beam emitted from the laser diode 111 is converted into a parallel light beam by the collimator lens 115 and deflected by the beam splitter 117. The laser beam from the beam splitter 117 is further focused on the optical disk 120 by the objective lens 119 through the collimator lens 118. The laser beam reflected from the optical disk 120 passes through the objective lens 119 and the collimator lens 118, passes through the beam splitter 117, and is then focused on the signal light receiving IC 114 by the spot lens 116. In the signal light receiving IC 114, the laser beam is converted into an electric signal, and an RF signal, a tracking error signal, and the like are generated from the electric signal.

一方、レーザパワーモニタ用受光IC112,113は、レーザダイオード111から出射されたレーザビームを受け、内蔵する受光アンプ回路1〜7および受光アンプ回路11〜14のいずれかの受光アンプ回路によって、レーザビームを出力電圧Vo1(検出信号)として検出する。この検出信号は、図示しないレーザドライバに与えられる。レーザドライバは、レーザパワーモニタ用受光IC112,113からの検出信号をモニタしながら、レーザビームのパワーが所定値になるようにレーザダイオードの駆動電流を制御する。   On the other hand, the laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 receive the laser beam emitted from the laser diode 111, and the laser beam is received by any one of the built-in light receiving amplifier circuits 1 to 7 and light receiving amplifier circuits 11 to 14. Is detected as an output voltage Vo1 (detection signal). This detection signal is given to a laser driver (not shown). The laser driver controls the drive current of the laser diode so that the power of the laser beam becomes a predetermined value while monitoring the detection signals from the light receiving ICs 112 and 113 for monitoring the laser power.

このように、光ピックアップ101においては、レーザパワーモニタ用受光IC112,113が受光アンプ回路1〜7および受光アンプ回路11〜14のいずれかを内蔵していることにより、レーザパワーモニタ用受光ICが受けたレーザビームに対する検出信号がレーザビームの強さに対して誤差が少ないので、レーザパワーの制御を高精度に行うことができる。   As described above, in the optical pickup 101, the laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 incorporate any one of the light receiving amplifier circuits 1 to 7 and the light receiving amplifier circuits 11 to 14, so that the laser power monitoring light receiving IC is provided. Since the detection signal for the received laser beam has little error with respect to the intensity of the laser beam, the laser power can be controlled with high accuracy.

なお、本実施の形態では、レーザパワーモニタ用受光IC112,113が受光アンプ回路1〜7および受光アンプ回路11〜14のいずれかを内蔵することについて説明したが、信号用受光IC114が受光アンプ回路1〜7および受光アンプ回路11〜14のいずれかを内蔵していてもよい。   In the present embodiment, it has been described that the laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 include any one of the light receiving amplifier circuits 1 to 7 and the light receiving amplifier circuits 11 to 14, but the signal light receiving IC 114 is the light receiving amplifier circuit. Any one of 1 to 7 and the light receiving amplifier circuits 11 to 14 may be incorporated.

本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and the embodiments can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. The form is also included in the technical scope of the present invention.

本発明に係る受光アンプ回路は、受光素子からの入力信号に対して誤差の少ない正確な電流電圧変換が可能な光ディスク装置に好適に適用できる。   The light receiving amplifier circuit according to the present invention can be suitably applied to an optical disc apparatus capable of accurate current-voltage conversion with little error with respect to an input signal from a light receiving element.

本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路1の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 1. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路2の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 2. FIG. 受光アンプ回路のゲインと帰還回路に設けられたトランジスタのコレクタ電流との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the gain of a light reception amplifier circuit, and the collector current of the transistor provided in the feedback circuit. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路1の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 1. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路3の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 3. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路4の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 4. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路3の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 3. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路1の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 1. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路3の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 3. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路5の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 5. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路6の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 6. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路5の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 5. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路7の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 7. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路7の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 7. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路7の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 7. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路7の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 7. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路3の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 3. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路3の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 3. FIG. 本発明に対する比較例に係る受光アンプ回路の電気的構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the electrical constitution of the light reception amplifier circuit which concerns on the comparative example with respect to this invention. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路11の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 11. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路12の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 12. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路11の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 11. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路12の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 12. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路11の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 11. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路13の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 13. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路14の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 14. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路13の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 13. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路13の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 13. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路14の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 14. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路13の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 13. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路11の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 11. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、受光アンプ回路11の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 11. FIG. 本発明の実施形態を示すものであり、光ピックアップ101の電気的構成を示す回路図である。1, showing an embodiment of the present invention, is a circuit diagram showing an electrical configuration of an optical pickup 101. FIG. 従来技術を示すものであり、受光アンプ回路91の電気的構成を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a conventional technique and showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 91; 従来技術を示すものであり、受光アンプ回路92の電気的構成を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a conventional technique and showing an electrical configuration of a light receiving amplifier circuit 92; 受光アンプ回路のゲインと帰還回路に設けられたトランジスタのコレクタ電流との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the gain of a light reception amplifier circuit, and the collector current of the transistor provided in the feedback circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1〜6、11〜14 受光アンプ回路
8,18 出力電圧検出回路(電流検出回路)
9,19 バイアス電流調整回路
101 光ピックアップ
111 レーザダイオード(レーザ光源)
112、113 レーザパワーモニタ用受光IC
114 信号用受光IC
Amp1、3 差動増幅器
Amp2 増幅器
Ampd ダミー増幅器
C1〜Cn 帰還回路
Cd1〜Cdn オフセット電圧補正回路
CM1a カレントミラー回路
CM1b カレントミラー回路
FB1〜FBn 帰還抵抗(第1抵抗)
FBd1〜FBdn 抵抗(第2抵抗)
CSB1a〜CSBna バイアス電流源(第1バイアス電流源)
CSB1da〜CSBnda バイアス電流源(第2バイアス電流源)
CSB1b〜CSBnb バイアス電流源(第1バイアス電流源)
CSB1da〜CSBnda バイアス電流源(第2バイアス電流源)
IBIAS1a〜IBIASna バイアス電流(第1バイアス電流)
IBIAS1da〜IBIASnda バイアス電流(第2バイアス電流)
IBIAS1b〜IBIASnb バイアス電流(第1バイアス電流)
IBIAS1db〜IBIASndb バイアス電流(第2バイアス電流)
PD1 受光素子(フォトダイオード)
SW1〜SWn トランジスタ(第1トランジスタ)
QCM1a〜QCMna トランジスタ(第2トランジスタ)
QCM1b〜QCMnb トランジスタ(第2トランジスタ)
QSW1〜QSWn トランジスタ(第3トランジスタ)
QBIAS1a〜QBIASna トランジスタ(第4トランジスタ)
QBIAS1b〜QBIASnb トランジスタ(第4トランジスタ)
SWd1〜SWdn トランジスタ(第5トランジスタ)
QSWd1〜QSWdn トランジスタ(第6トランジスタ)
QBIAS1da〜QBIASnda トランジスタ(第7トランジスタ)
QBIAS1db〜QBIASndb トランジスタ(第7トランジスタ)
1 to 6, 11 to 14 Light receiving amplifier circuit 8, 18 Output voltage detection circuit (current detection circuit)
9, 19 Bias current adjustment circuit 101 Optical pickup 111 Laser diode (laser light source)
112, 113 Light receiving IC for laser power monitor
114 Light receiving IC for signal
Amp1, 3 Differential amplifier Amp2 Amplifier Ampd Dummy amplifier C1-Cn Feedback circuit Cd1-Cdn Offset voltage correction circuit CM1a Current mirror circuit CM1b Current mirror circuit FB1-FBn Feedback resistor (first resistor)
FBd1 to FBdn resistance (second resistance)
CSB1a to CSBna Bias current source (first bias current source)
CSB1da to CSBnda Bias current source (second bias current source)
CSB1b to CSBnb Bias current source (first bias current source)
CSB1da to CSBnda Bias current source (second bias current source)
IBIAS1a to IBIASna Bias current (first bias current)
IBIAS1da to IBIASnda Bias current (second bias current)
IBIAS1b to IBIASnb Bias current (first bias current)
IBIAS1db to IBIASndb Bias current (second bias current)
PD1 Light receiving element (photodiode)
SW1 to SWn transistors (first transistor)
QCM1a to QCMna transistor (second transistor)
QCM1b to QCMnb transistors (second transistors)
QSW1 to QSWn transistors (third transistor)
QBIAS1a to QBIASna transistors (4th transistor)
QBIAS1b to QBIASnb transistors (4th transistor)
SWd1 to SWdn transistors (5th transistor)
QSWd1 to QSWdn transistors (6th transistor)
QBIAS1da to QBIASnda transistors (seventh transistor)
QBIAS1db to QBIASndb transistors (seventh transistor)

Claims (18)

受光素子と、受光素子で発生する電流を電圧に変換して増幅する増幅器と、第1抵抗と帰還回路をON/OFFする第1トランジスタとが直列接続された複数の帰還回路と、上記帰還回路の個々に対して上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路とを備え、
上記受光素子は上記増幅器の第1入力端子に接続され、
上記複数の帰還回路は、上記受光素子と上記第1入力端子との接続点と、上記増幅器の出力端子との間に並列接続され、
上記第1抵抗のインピーダンスは、互いに異なっており、
上記オフセット電圧補正回路は、上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されている受光アンプ回路において、
上記第1トランジスタに流す第1バイアス電流を発生する第1バイアス電流源を備え
上記バイアス電流源は、上記受光素子および上記複数の帰還回路に接続され、
導通している第1トランジスタには、上記受光素子で発生する電流と上記第1バイアス電流とを加算した電流が流れることを特徴とする受光アンプ回路。
A plurality of feedback circuits in which a light-receiving element, an amplifier that converts a current generated in the light-receiving element into a voltage and amplifies, a first resistor and a first transistor that turns on and off the feedback circuit, and the feedback circuit; A plurality of offset voltage correction circuits for correcting the output voltage when there is no current from the light receiving element for each of the,
The light receiving element is connected to a first input terminal of the amplifier;
The plurality of feedback circuits are connected in parallel between a connection point between the light receiving element and the first input terminal, and an output terminal of the amplifier,
The impedances of the first resistors are different from each other,
The offset voltage correction circuit is a photoreceiver amplifier circuit connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source ,
A first bias current source for generating a first bias current flowing through the first transistor ;
The bias current source is connected to the light receiving element and the plurality of feedback circuits,
A light receiving amplifier circuit, wherein a current obtained by adding the current generated in the light receiving element and the first bias current flows through the first transistor that is conducting .
上記第1バイアス電流源は、上記受光素子と上記増幅器との接続点を介して上記第1バイアス電流を流すことを特徴とする請求項1に記載の受光アンプ回路。   2. The light receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein the first bias current source causes the first bias current to flow through a connection point between the light receiving element and the amplifier. 上記バイアス電流源を1つだけ備え、該第1バイアス電流源は、上記受光素子と上記接続点を介して上記第1バイアス電流を流すことを特徴とする請求項2に記載の受光アンプ回路。   3. The light receiving amplifier circuit according to claim 2, wherein only one bias current source is provided, and the first bias current source causes the first bias current to flow through the light receiving element and the connection point. 上記第1バイアス電流源を上記帰還回路と個々に対応して備え、上記第1トランジスタが導通している時のみ該第1トランジスタが接続されている上記第1バイアス電流源を動作させる動作制御回路を備えていることを特徴とする請求項2に記載の受光アンプ回路。   An operation control circuit comprising the first bias current source corresponding to each of the feedback circuits and operating the first bias current source to which the first transistor is connected only when the first transistor is conductive. The light receiving amplifier circuit according to claim 2, further comprising: 上記第1バイアス電流源を上記帰還回路と個々に対応して備え、上記第1バイアス電流源は、上記各帰還回路における上記第1抵抗と上記第1トランジスタとの間に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の受光アンプ回路。   The first bias current source is provided individually corresponding to the feedback circuit, and the first bias current source is connected between the first resistor and the first transistor in each feedback circuit. The light receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein: 上記第1トランジスタが導通している時のみ該第1トランジスタが接続されている上記第1バイアス電流源を動作させる動作制御回路を備えていることを特徴とする請求項5に記載の受光アンプ回路。   6. The light receiving amplifier circuit according to claim 5, further comprising an operation control circuit that operates the first bias current source to which the first transistor is connected only when the first transistor is conductive. . 上記動作制御回路は、定電流を発生する定電流源と、該定電流を流すダイオード接続された第2トランジスタと、該第2トランジスタとベースが共通接続されており、上記第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタとを含み
上記第1バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第4トランジスタであることを特徴とする請求項4または6に記載の受光アンプ回路。
The operation control circuit includes a constant current source that generates a constant current, a diode-connected second transistor that supplies the constant current, a base connected to the second transistor, and a base connected to the first transistor. The light-receiving amplifier circuit according to claim 4, wherein the first bias current source includes a fourth transistor that forms a current mirror circuit with the second transistor.
記オフセット電圧補正回路は、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、
同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、
上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であることを特徴とする請求項1に記載の受光アンプ回路。
Upper Symbol offset voltage correction circuit generates a second resistor, and a fifth transistor for ON / OFF the offset voltage correction circuit is connected to the second resistor in series with a second bias current supplied to the fifth transistor A second bias current source;
The first bias current and the second bias current that flow simultaneously are equal in current value,
The feedback circuit and the offset voltage correction circuit corresponding to each other are selected one by one, and the first resistance in the selected feedback circuit and the second resistance in the selected offset voltage correction circuit have the same resistance value. The light receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein:
さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、
上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、
同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、
上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、
上記第2バイアス電流源は上記第2入力端子に接続され、上記第2バイアス電流源と上記第2入力端子との接続点を介して上記第2バイアス電流を流すことを特徴とする請求項2に記載の受光アンプ回路。
Further, each of the feedback circuits includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting an output voltage when there is no current from the light receiving element.
The offset voltage correction circuit is connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source. The offset voltage correction circuit is turned on / off by connecting a second resistor and the second resistor in series. And a second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor,
The first bias current and the second bias current that flow simultaneously are equal in current value,
The feedback circuit and the offset voltage correction circuit corresponding to each other are selected one by one, and the first resistance in the selected feedback circuit and the second resistance in the selected offset voltage correction circuit have the same resistance value. And
3. The second bias current source is connected to the second input terminal, and the second bias current flows through a connection point between the second bias current source and the second input terminal. The light receiving amplifier circuit described in 1.
さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、
上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、
同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、
上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、
上記第2バイアス電流源を1つ設け、該第2バイアス電流源が上記第2入力端子に接続され、上記第2バイアス電流源と上記第2入力端子との接続点を介して上記第2バイアス電流を流すことを特徴とする請求項3に記載の受光アンプ回路。
Further, each of the feedback circuits includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting an output voltage when there is no current from the light receiving element.
The offset voltage correction circuit is connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source. The offset voltage correction circuit is turned on / off by connecting a second resistor and the second resistor in series. And a second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor,
The first bias current and the second bias current that flow simultaneously are equal in current value,
The feedback circuit and the offset voltage correction circuit corresponding to each other are selected one by one, and the first resistance in the selected feedback circuit and the second resistance in the selected offset voltage correction circuit have the same resistance value. And
One second bias current source is provided, the second bias current source is connected to the second input terminal, and the second bias current source is connected to the second bias current source via a connection point between the second bias current source and the second input terminal. The light receiving amplifier circuit according to claim 3, wherein a current flows.
さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、
上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、
同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、
上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、
上記第2バイアス電流源は、上記オフセット電圧補正回路と個々に対応して設けられており、上記第2入力端子に接続され、上記第2バイアス電流源と上記第2入力端子との接続点を介して上記第2バイアス電流を流し、
上記動作制御回路は、上記第5トランジスタが導通している時のみ該第5トランジスタが接続されている上記第2バイアス電流源をさらに動作させ、
定電流を発生する定電流源と、該定電流を流すダイオード接続された第2トランジスタと、該第2トランジスタとベースが共通接続されており、上記第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタと、上記第5トランジスタをON/OFFする第6トランジスタとを含み、
上記第1バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第4トランジスタであり、
上記第2バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第7トランジスタであることを特徴とする請求項4に記載の受光アンプ回路。
Further, each of the feedback circuits includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting an output voltage when there is no current from the light receiving element.
The offset voltage correction circuit is connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source. The offset voltage correction circuit is turned on / off by connecting a second resistor and the second resistor in series. And a second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor,
The first bias current and the second bias current that flow simultaneously are equal in current value,
The feedback circuit and the offset voltage correction circuit corresponding to each other are selected one by one, and the first resistance in the selected feedback circuit and the second resistance in the selected offset voltage correction circuit have the same resistance value. And
The second bias current source is provided corresponding to each of the offset voltage correction circuits, is connected to the second input terminal, and has a connection point between the second bias current source and the second input terminal. And passing the second bias current through
The operation control circuit further operates the second bias current source to which the fifth transistor is connected only when the fifth transistor is conductive.
A constant current source for generating a constant current; a diode-connected second transistor for supplying the constant current; a third transistor for commonly turning on and off the first transistor; A sixth transistor for turning on / off the fifth transistor,
The first bias current source is a fourth transistor that forms a current mirror circuit with the second transistor,
5. The light receiving amplifier circuit according to claim 4, wherein the second bias current source is a seventh transistor constituting a current mirror circuit with the second transistor.
さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、
上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、
同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、
上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、
上記第2バイアス電流源は、上記オフセット電圧補正回路と個々に対応して設けられており、上記各オフセット電圧補正回路における上記第2抵抗と上記第5トランジスタとの間に接続されていることを特徴とする請求項5に記載の受光アンプ回路。
Further, each of the feedback circuits includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting an output voltage when there is no current from the light receiving element.
The offset voltage correction circuit is connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source. The offset voltage correction circuit is turned on / off by connecting a second resistor and the second resistor in series. And a second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor,
The first bias current and the second bias current that flow simultaneously are equal in current value,
The feedback circuit and the offset voltage correction circuit corresponding to each other are selected one by one, and the first resistance in the selected feedback circuit and the second resistance in the selected offset voltage correction circuit have the same resistance value. And
The second bias current source is provided corresponding to each of the offset voltage correction circuits, and is connected between the second resistor and the fifth transistor in each offset voltage correction circuit. The light receiving amplifier circuit according to claim 5, wherein:
さらに上記受光素子からの電流が無い時における出力電圧を補正するための複数のオフセット電圧補正回路を上記帰還回路の個々に対して備え、
上記オフセット電圧補正回路は上記増幅器の第2入力端子と基準電圧源との間に並列接続されており、第2抵抗と、該第2抵抗と直列に接続されてオフセット電圧補正回路をON/OFFする第5トランジスタと、上記第5トランジスタに流す第2バイアス電流を発生する第2バイアス電流源とを備え、
同時に流される上記第1バイアス電流と第2バイアス電流とは互いに電流値が等しく、
上記帰還回路とオフセット電圧補正回路は対応するもの同士がそれぞれ1つずつ選択され、選択された帰還回路における第1抵抗と選択されたオフセット電圧補正回路における第2抵抗とは、互いに抵抗値が同一であり、
上記第2バイアス電流源は、上記オフセット電圧補正回路と個々に対応して設けられており、上記各オフセット電圧補正回路における上記第2抵抗と上記第5トランジスタとの間に接続され、
上記動作制御回路は、上記第5トランジスタが導通している時のみ該第5トランジスタが接続されている上記第2バイアス電流源をさらに動作させ、
定電流を発生する定電流源と、該定電流を流すダイオード接続された第2トランジスタと、該第2トランジスタとベースが共通接続されており、上記第1トランジスタをON/OFFする第3トランジスタと、上記第5トランジスタをON/OFFする第6トランジスタとを含み、
上記第1バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第4トランジスタであり、
上記第2バイアス電流源は、上記第2トランジスタとカレントミラー回路を構成する第7トランジスタであることを特徴とする請求項6に記載の受光アンプ回路。
Further, each of the feedback circuits includes a plurality of offset voltage correction circuits for correcting an output voltage when there is no current from the light receiving element.
The offset voltage correction circuit is connected in parallel between the second input terminal of the amplifier and a reference voltage source. The offset voltage correction circuit is turned on / off by connecting a second resistor and the second resistor in series. And a second bias current source for generating a second bias current flowing through the fifth transistor,
The first bias current and the second bias current that flow simultaneously are equal in current value,
The feedback circuit and the offset voltage correction circuit corresponding to each other are selected one by one, and the first resistance in the selected feedback circuit and the second resistance in the selected offset voltage correction circuit have the same resistance value. And
The second bias current source is provided individually corresponding to the offset voltage correction circuit, and is connected between the second resistor and the fifth transistor in each offset voltage correction circuit,
The operation control circuit further operates the second bias current source to which the fifth transistor is connected only when the fifth transistor is conductive.
A constant current source for generating a constant current; a diode-connected second transistor for supplying the constant current; a third transistor for commonly turning on and off the first transistor; A sixth transistor for turning on / off the fifth transistor,
The first bias current source is a fourth transistor that forms a current mirror circuit with the second transistor,
The light receiving amplifier circuit according to claim 6, wherein the second bias current source is a seventh transistor that forms a current mirror circuit with the second transistor.
上記帰還回路における上記各第1バイアス電流源の接続点と出力端子との間のインピーダンスを第1帰還回路インピーダンスとして、
該第1帰還回路インピーダンスと上記第1バイアス電流との積が、上記受光アンプ回路に設けられているトランジスタの飽和時コレクタ−エミッタ間電圧より大きいことを特徴とする請求項7または11または13に記載の受光アンプ回路。
The impedance between the connection point of each first bias current source in the feedback circuit and the output terminal is defined as a first feedback circuit impedance.
14. The product of the first feedback circuit impedance and the first bias current is larger than a collector-emitter voltage at the time of saturation of a transistor provided in the light receiving amplifier circuit. The light receiving amplifier circuit described.
上記第1バイアス電流と上記第1帰還回路インピーダンスとの積が、上記受光アンプ回路に設けられているトランジスタのベース−エミッタ間電圧より小さいことを特徴とする請求項14に記載の受光アンプ回路。   15. The light receiving amplifier circuit according to claim 14, wherein a product of the first bias current and the first feedback circuit impedance is smaller than a base-emitter voltage of a transistor provided in the light receiving amplifier circuit. 上記第1バイアス電流を上記帰還回路のON/OFFに応じてON/OFFさせ、各帰還回路における上記第1抵抗と第1トランジスタとのインピーダンスの和を第2帰還回路インピーダンスとして、
選択された帰還回路の第2帰還回路インピーダンスが小さいほど、電流値の大きな第1バイアス電流源が選択され、選択された帰還回路の第2帰還回路インピーダンスが大きいほど、電流値の小さい第1バイアス電流源が選択されることを特徴とする請求項4ないし9および11ないし15のいずれか1項に記載の受光アンプ回路。
The first bias current is turned ON / OFF in accordance with the ON / OFF of the feedback circuit, the sum of the impedance between the first resistor and the first transistor as the second feedback circuit impedance at each feedback circuit,
The smaller the second feedback circuit impedance of the selected feedback circuit is, the larger the first bias current source is selected. The larger the second feedback circuit impedance of the selected feedback circuit is, the smaller the first bias is. 16. The light receiving amplifier circuit according to claim 4, wherein a current source is selected.
上記第1バイアス電流は、上記受光素子からの電流の最大値と上記第2帰還回路インピーダンスとの積と、上記受光素子からの電流が無い時における上記増幅器の出力電圧との和が、上記増幅器の最大許容出力電圧よりも小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項16に記載の受光アンプ回路。 The first bias current is the sum of the product of the maximum value of the current from the light receiving element and the second feedback circuit impedance and the output voltage of the amplifier when there is no current from the light receiving element. The light receiving amplifier circuit according to claim 16, wherein the light receiving amplifier circuit is set to be smaller than a maximum allowable output voltage. 請求項1ないし17のいずれか1項に記載の受光アンプ回路を備えていることを特徴とする光ピックアップ。 Claims 1 to an optical pickup, characterized in that a light receiving amplifier circuit according to any one of 17.
JP2006118509A 2006-04-21 2006-04-21 Light receiving amplifier circuit and optical pickup Expired - Fee Related JP4641000B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006118509A JP4641000B2 (en) 2006-04-21 2006-04-21 Light receiving amplifier circuit and optical pickup

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006118509A JP4641000B2 (en) 2006-04-21 2006-04-21 Light receiving amplifier circuit and optical pickup

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007293958A JP2007293958A (en) 2007-11-08
JP4641000B2 true JP4641000B2 (en) 2011-03-02

Family

ID=38764436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006118509A Expired - Fee Related JP4641000B2 (en) 2006-04-21 2006-04-21 Light receiving amplifier circuit and optical pickup

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4641000B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003022537A (en) * 2001-07-05 2003-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Amplifier circuit for optical disk drive device
JP2005268960A (en) * 2004-03-16 2005-09-29 Sharp Corp Light-receiving amplifier element, optical pickup device, and optical disk apparatus
JP2005303684A (en) * 2004-04-12 2005-10-27 Sharp Corp Gain variable amplifier circuit and optical pickup device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3339928B2 (en) * 1993-08-24 2002-10-28 シャープ株式会社 Light receiving amplifier
JP3606353B2 (en) * 1997-12-18 2005-01-05 シャープ株式会社 Current-voltage conversion circuit
JPH11213427A (en) * 1998-01-29 1999-08-06 Sony Corp Current-voltage conversion circuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003022537A (en) * 2001-07-05 2003-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Amplifier circuit for optical disk drive device
JP2005268960A (en) * 2004-03-16 2005-09-29 Sharp Corp Light-receiving amplifier element, optical pickup device, and optical disk apparatus
JP2005303684A (en) * 2004-04-12 2005-10-27 Sharp Corp Gain variable amplifier circuit and optical pickup device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007293958A (en) 2007-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7868702B2 (en) Photoreceiver/amplifier circuit, optical pickup device, and optical disk device
JP4397841B2 (en) Light receiving amplifier circuit and optical pickup device having the same
JP4646772B2 (en) Photocurrent amplifier circuit and optical pickup device
US7263046B2 (en) Photo-detector amplifier circuit for optical disk device
US7514665B2 (en) Differential amplifier circuit with rectifier for optical pick-up device
JP2003006905A (en) Laser diode driving circuit of optical disk recording/ reproducing device, and fpd amplifier circuit
US20010020670A1 (en) Automatic power control circuit
KR19980018205A (en) The optical recording /
JP2007110021A (en) Light receiving circuit
US7408141B2 (en) Light-receiving amplifier circuit and optical pick-up device using the same
JP4732243B2 (en) Laser drive circuit, optical pickup and recording / reproducing apparatus
US20040184387A1 (en) Photoreceptive amplifier circuit and optical pickup element including the same
US20110227650A1 (en) Received-light amplifying circuit and optical disc apparatus
JP4641000B2 (en) Light receiving amplifier circuit and optical pickup
JP4080403B2 (en) Light receiving amplifier circuit and optical pickup
US7466204B2 (en) Differential amplifier circuit, operational amplifier circuit, light-receiving amplifier circuit using the same, function selection circuit, and light-receiving circuit using the same
US20060291348A1 (en) Signal drive apparatus and optical pickup apparatus using the same
JP4702921B2 (en) Amplifier circuit for optical disk device
JP2004032003A (en) Amplifier
JP2006025377A (en) Light receiving amplifier circuit and optical pickup
US7859342B2 (en) Differential amplifier circuit, operational amplifier circuit, light-receiving amplifier circuit using the same, function selection circuit, and light-receiving circuit using the same
JP2008306673A (en) Amplification circuit
JP4680118B2 (en) Light receiving amplification circuit and optical pickup
JP2004288801A (en) Light emitting element driving device
JP2008061155A (en) Gain regulator circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080806

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100831

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101022

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101124

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees