JP4080403B2 - Light receiving amplifier circuit and optical pickup - Google Patents

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本発明は、光ディスク再生/記録のために用いられる光ピックアップに搭載される回路内蔵の受光素子に関し、特にレーザパワーをモニタ/制御するための信号を出力するフロントモニタ用素子に用いると好適な受光アンプ回路および光ピックアップに関するものである。   BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light receiving element with a built-in circuit mounted on an optical pickup used for reproducing / recording an optical disk, and particularly suitable for use in a front monitor element that outputs a signal for monitoring / controlling laser power. The present invention relates to an amplifier circuit and an optical pickup.

光ディスクを再生/記録する光ディスク装置は、再生/記録のためのレーザ光を光ディスクに照射したり、光ディスクからの反射光を受光したりする光ピックアップを備えている。光ピックアップには、上記の反射光を受光したり、レーザ光源から出射されたレーザ光をモニタしたりして、電気信号に変換する受光素子と、変換された電気信号を増幅する受光アンプ回路設とが設けられている。また、近年、小型で光ピックアップの設計を容易にできることから、受光素子と受光アンプ回路とを1チップに集積化したICが光ピックアップに用いられる。   An optical disc apparatus for reproducing / recording an optical disc includes an optical pickup that irradiates the optical disc with a laser beam for reproduction / recording and receives reflected light from the optical disc. The optical pickup receives the reflected light and monitors the laser light emitted from the laser light source to convert it into an electric signal and a light receiving amplifier circuit for amplifying the converted electric signal. And are provided. In recent years, since the optical pickup can be easily designed in a small size, an IC in which a light receiving element and a light receiving amplifier circuit are integrated on one chip is used for the optical pickup.

図12は、従来の差動増幅回路を含む受光アンプ回路を示している。この受光アンプ回路においては、フォトダイオードPD21で受光された光が光電流に変換され、フォトダイオードPD21から出力される光電流が差動増幅回路に帰還抵抗R22が接続されてなる反転増幅器(電流−電圧変換回路)で電圧に変換され、光電流に比例した出力電圧Voが得られる。この受光アンプ回路における差動増幅回路は、トランジスタQ21〜25と、定電流源CS21,CS22とを有している。   FIG. 12 shows a light receiving amplifier circuit including a conventional differential amplifier circuit. In this light receiving amplifier circuit, the light received by the photodiode PD21 is converted into a photocurrent, and the photocurrent output from the photodiode PD21 is an inverting amplifier (current −) in which a feedback resistor R22 is connected to a differential amplifier circuit. The voltage is converted into a voltage by a voltage conversion circuit), and an output voltage Vo proportional to the photocurrent is obtained. The differential amplifier circuit in the light receiving amplifier circuit includes transistors Q21 to Q25 and constant current sources CS21 and CS22.

NPN型のトランジスタQ21,Q22は差動トランジスタ対をなしており、トランジスタQ21,Q22にそれぞれコレクタ電流を供給するPNP型のトランジスタ23,24はカレントミラー回路を構成している。トランジスタQ21のベース(差動増幅回路の非反転入力端子)には、入力抵抗R21を介して入力電圧Vsが基準電圧として入力されている。フォトダイオードPD21の光電流は、Q25のエミッタより抵抗R22を介して供給される。また、定電流源CS21は、トランジスタQ21,Q22のエミッタ電流の和が一定となるように定電流を流す。出力トランジスタとしてのNPN型のトランジスタQ25は、エミッタフォロワ回路を形成しており、トランジスタQ24のコレクタから出力電圧Voを出力する。定電流源CS22は、トランジスタ25に定電流を流す。   The NPN transistors Q21 and Q22 form a differential transistor pair, and the PNP transistors 23 and 24 that supply collector currents to the transistors Q21 and Q22, respectively, constitute a current mirror circuit. The input voltage Vs is input as a reference voltage to the base of the transistor Q21 (non-inverting input terminal of the differential amplifier circuit) via the input resistor R21. The photocurrent of the photodiode PD21 is supplied from the emitter of Q25 via the resistor R22. The constant current source CS21 supplies a constant current so that the sum of the emitter currents of the transistors Q21 and Q22 is constant. The NPN transistor Q25 as an output transistor forms an emitter follower circuit, and outputs an output voltage Vo from the collector of the transistor Q24. The constant current source CS22 supplies a constant current to the transistor 25.

上記のように構成される差動増幅回路のオフセット電圧について説明する。なお、以下の説明では、各NPNトランジスタの特性は共通であり、各PNPトランジスタの特性も共通であって、各トランジスタ間でのバラツキは考慮しないものとする。図12に示す差動増幅回路において、入力がない時の出力電圧Voは、
Vo=Vs−(Ibn1×Rf)−Vben1+Vben2+(Ibn2×Rf)
=Vs−(Rf×Icn1/hFEn)−VT×ln(Icn1/Is)+VT×ln(Icn2/Is)+(Rf×Icn2/hFEn)
=Vs+((Icn2−Icn1)×Rf/hFEn)+VT×ln(Icn2/Icn1) …(1)
ここで、上式における各パラメータは次のように示される。
hFEn:NPNトランジスタの電流増幅率
VT:kT/q(kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子荷)で表される熱起電力
Ibn1:トランジスタQ21のベース電流
Ibn2:トランジスタQ22のベース電流
Vben1 :トランジスタQ21のベース−エミッタ間電圧
Vben2 :トランジスタQ22のベース−エミッタ間電圧
Icn1:トランジスタQ21のコレクタ電流
Icn2:トランジスタQ22のコレクタ電流
Icp1:トランジスタQ23のコレクタ電流
Icp2:トランジスタQ24のコレクタ電流
Ibp1:トランジスタQ23のベース電流
Ibp2:トランジスタQ24のベース電流
Ibp3:トランジスタQ25のベース電流
Rf:抵抗R21,R22の抵抗値
よって、出力電圧Voと基準電圧Vsの差電圧、即ちオフセット電圧Voffは、次式で表される。
The offset voltage of the differential amplifier circuit configured as described above will be described. In the following description, the characteristics of the NPN transistors are common, the characteristics of the PNP transistors are also common, and variations between the transistors are not considered. In the differential amplifier circuit shown in FIG. 12, the output voltage Vo when there is no input is
Vo = Vs-(Ibn1 x Rf)-Vben1 + Vben2 + (Ibn2 x Rf)
= Vs− (Rf × Icn1 / hFEn) −VT × ln (Icn1 / Is) + VT × ln (Icn2 / Is) + (Rf × Icn2 / hFEn)
= Vs + ((Icn2-Icn1) x Rf / hFEn) + VT x ln (Icn2 / Icn1) (1)
Here, each parameter in the above equation is shown as follows.
hFEn: NPN transistor current gain
VT: Thermoelectromotive force represented by kT / q (k is Boltzmann constant, T is absolute temperature, and q is electronic charge)
Ibn1: Base current of transistor Q21
Ibn2: Base current of transistor Q22
Vben1: Base-emitter voltage of transistor Q21
Vben2: Base-emitter voltage of transistor Q22
Icn1: collector current of transistor Q21
Icn2: collector current of transistor Q22
Icp1: Collector current of transistor Q23
Icp2: Collector current of transistor Q24
Ibp1: Base current of transistor Q23
Ibp2: Base current of transistor Q24
Ibp3: Base current of transistor Q25
Rf: Resistance values of the resistors R21 and R22 Therefore, the difference voltage between the output voltage Vo and the reference voltage Vs, that is, the offset voltage Voff is expressed by the following equation.

Voff=Vo−Vs=((Icn2−Icn1)×Rf/hFEn)+VT×ln(Icn2/Icn1) …(2)
この式より、Icn1とIcn2の差がオフセット電圧の原因となることが分かる。逆に、Icn1=Icn2であれば、Voff=0 となり、オフセット電圧は発生しない。
Voff = Vo-Vs = ((Icn2-Icn1) * Rf / hFEn) + VT * ln (Icn2 / Icn1) (2)
From this equation, it can be seen that the difference between Icn1 and Icn2 causes the offset voltage. Conversely, if Icn1 = Icn2, Voff = 0 and no offset voltage is generated.

Icn1とIcn2との差が生じる主な原因として、トランジスタQ23,Q23で構成された、能動負荷として用いられるカレントミラー回路のベース電流(Ibp1,Ibp2)がある。図12の回路において、
Icn1=Icp1+Ibp1+Ibp2 …(3)
Icn2=Icp2−Ibn3 …(4)
の関係が成り立つ。また、カレントミラー回路の特性として、Icp=Icp1=Icp2,Ibp=Ibp1=Ibp2 であるので、Icn1とIcn2との差は
Icn1−Icn2=2×Ibp+Ibn3 …(5)
と表され、オフセット電圧の原因となる。式(5)の右辺における第1項は能動負荷として用いられるカレントミラー回路のベース電流誤差(ベース電流の和)であり、第2項は出力回路として用いられるエミッタフォロワ回路のベース電流である。
The main cause of the difference between Icn1 and Icn2 is the base current (Ibp1, Ibp2) of the current mirror circuit, which is composed of transistors Q23 and Q23 and is used as an active load. In the circuit of FIG.
Icn1 = Icp1 + Ibp1 + Ibp2 (3)
Icn2 = Icp2-Ibn3 (4)
The relationship holds. Also, as the characteristics of the current mirror circuit, since Icp = Icp1 = Icp2 and Ibp = Ibp1 = Ibp2, the difference between Icn1 and Icn2 is
Icn1−Icn2 = 2 × Ibp + Ibn3 (5)
And causes an offset voltage. The first term on the right side of Equation (5) is the base current error (sum of base currents) of the current mirror circuit used as an active load, and the second term is the base current of the emitter follower circuit used as the output circuit.

この誤差を補償するために、従来、図13の回路が用いられてきた。この回路は、図12の回路にNPN型のトランジスタQ26、PNP型のトランジスタQ27および定電流源CS23,CS24が付加されている。電源電圧Vcc とグランドラインとの間に、トランジスタQ26と定電流源CS23とが直列に接続され、同様にトランジスタQ27と定電流源CS24とが直列に接続されている。トランジスタQ26,27のベースは、ともにトランジスタQ23のコレクタに接続されている。このように構成される図13の回路において、Ibn4,Ibn5をそれぞれトランジスタQ26,Q27のベース電流とすれば、Icn1、Icn2およびこれらの差は次式で表される。   Conventionally, the circuit of FIG. 13 has been used to compensate for this error. In this circuit, an NPN transistor Q26, a PNP transistor Q27, and constant current sources CS23 and CS24 are added to the circuit of FIG. A transistor Q26 and a constant current source CS23 are connected in series between the power supply voltage Vcc and the ground line, and similarly, a transistor Q27 and a constant current source CS24 are connected in series. The bases of the transistors Q26 and 27 are both connected to the collector of the transistor Q23. In the circuit of FIG. 13 configured as described above, if Ibn4 and Ibn5 are the base currents of the transistors Q26 and Q27, respectively, Icn1, Icn2 and their difference are expressed by the following equations.

Icn1=Icp1+Ibp1+Ibp2−Ibn4−Ibn5 …(6)
Icn2=Icp2−Ibn3 …(7)
Icn1−Icn2=2×Ibp+Ibn3−Ibn4−Ibn5 …(8)
ただし、Ibp=Ibp1=Ibp2、Icn3=Icn4(トランジスタQ26のコレクタ電流)とすれば、Ibn3=Icn3/hFEn=Icn4/hFEn=Ibn4となるので、定電流源CS21を流れる電流IEEをIEE=2×Icpと近似すると、式(8)は次式のように表される。
Icn1 = Icp1 + Ibp1 + Ibp2-Ibn4-Ibn5 (6)
Icn2 = Icp2-Ibn3 (7)
Icn1-Icn2 = 2 × Ibp + Ibn3-Ibn4-Ibn5 (8)
However, if Ibp = Ibp1 = Ibp2 and Icn3 = Icn4 (collector current of the transistor Q26), then Ibn3 = Icn3 / hFEn = Icn4 / hFEn = Ibn4, so that the current IEE flowing through the constant current source CS21 is IEE = 2 × When approximated with Icp, equation (8) is expressed as the following equation.

Icn1−Icn2=2×Ibp−Ibn5
=2×(Icp/hFEp)−(Icn5/hFEn)
=(IEE/hFEp)−(Icn5/hFEn) …(9)
ここで、hFEpはPNPトランジスタの電流増幅率である。
Icn1−Icn2 = 2 × Ibp−Ibn5
= 2 × (Icp / hFEp) − (Icn5 / hFEn)
= (IEE / hFEp)-(Icn5 / hFEn) (9)
Here, hFEp is a current amplification factor of the PNP transistor.

ここで、(IEE/hFEp)=(Icn5/hFEn)となるようにトランジスタQ28のコレクタ電流であるIcn5を調整すれば、Icn1=Icn2となり、オフセット電圧は発生しない。   Here, if Icn5 which is the collector current of the transistor Q28 is adjusted so that (IEE / hFEp) = (Icn5 / hFEn), Icn1 = Icn2 and no offset voltage is generated.

あるいは、Icn1およびIcn2の誤差を補償するために、従来、図14の回路も用いられてきた。この回路は、図13の回路からトランジスタQ27と定電流源CS24を削除し、PNP型のトランジスタQ28および定電流源CS25を備えた構成である。電源電圧Vcc とグランドラインとの間に、定電流源25とトランジスタQ28とが直列に接続されている。トランジスタQ28のベースは、トランジスタQ24のコレクタに接続されている。このように構成される回路において、Icn1、Icn2およびこれらの差は次式で表される。   Alternatively, the circuit of FIG. 14 has been conventionally used to compensate for the errors of Icn1 and Icn2. In this circuit, the transistor Q27 and the constant current source CS24 are deleted from the circuit of FIG. 13, and a PNP transistor Q28 and a constant current source CS25 are provided. A constant current source 25 and a transistor Q28 are connected in series between the power supply voltage Vcc and the ground line. The base of the transistor Q28 is connected to the collector of the transistor Q24. In the circuit configured as described above, Icn1, Icn2 and a difference between them are expressed by the following equations.

Icn1=Icp1+Ibp1+Ibp2−Ibn4 …(10)
Icn2=Icp2−Ibn3+Ibp3 …(11)
Icn1−Icn2=2×Ibp+Ibn3−Ibn4−Ibp3 …(12)
ただし、Ibp =Ibp1=Ibp2,Icn3=Icn4とすれば、Ibn3=Icn3/hFEn=Icn4/hFEn=Ibn4となるので、定電流源CS21を流れる電流IEEをIEE=2×Icpと8近似すると、式(12)は次式のように表される。
Icn1 = Icp1 + Ibp1 + Ibp2-Ibn4 (10)
Icn2 = Icp2-Ibn3 + Ibp3 (11)
Icn1−Icn2 = 2 × Ibp + Ibn3-Ibn4-Ibp3 (12)
However, if Ibp = Ibp1 = Ibp2 and Icn3 = Icn4, then Ibn3 = Icn3 / hFEn = Icn4 / hFEn = Ibn4. Therefore, when the current IEE flowing through the constant current source CS21 is approximated to 8 by IEE = 2 × Icp, (12) is expressed by the following equation.

Icn1−Icn2=2×Ibp−Ibp3
=2×(Icp/hFEp)−(Icp3/hFE1)
=(IEE/hFEp)−(Icp3/hFEp) …(13)
ここで、定電流源CS25を流れる電流Icp3をIcp3=IEEとすれば、
Icn1−Icn2=(IEE/hFEp)−(IEE/hFEp)=0 …(14)
となり、Icn1=Icp1となり、オフセット電圧は補償される。
Icn1−Icn2 = 2 × Ibp−Ibp3
= 2 × (Icp / hFEp) − (Icp3 / hFE1)
= (IEE / hFEp)-(Icp3 / hFEp) (13)
Here, if the current Icp3 flowing through the constant current source CS25 is Icp3 = IEE,
Icn1−Icn2 = (IEE / hFEp) − (IEE / hFEp) = 0 (14)
Thus, Icn1 = Icp1, and the offset voltage is compensated.

なお、図14の回路と構成は異なるが機能的に同等の回路を開示した先行技術文献としては、特許文献1(図1)および2が挙げられる。特許文献1に開示された差動増幅回路では、式(13)によるベース電流の補正を行うトランジスタと出力トランジスタとが共通のトランジスタである。また、特許文献2の回路では、カレントミラー回路を構成するトランジスタと出力トランジスタとがともにNPN型のトランジスタであるため、ベース電流の上記の補正が1つのNPN型のトランジスタで行われる。
特開2000−114888号公報(2000年4月21日公開) 特開平8−130421号公報(1996年5月21日公開)
Note that Patent Documents 1 (FIG. 1) and 2 are cited as prior art documents disclosing a functionally equivalent circuit that is different in configuration from the circuit of FIG. In the differential amplifier circuit disclosed in Patent Document 1, the transistor for correcting the base current according to Equation (13) and the output transistor are common transistors. Further, in the circuit of Patent Document 2, since the transistor and the output transistor constituting the current mirror circuit are both NPN type transistors, the above correction of the base current is performed by one NPN type transistor.
JP 2000-114888 A (released on April 21, 2000) JP-A-8-130421 (published on May 21, 1996)

光ピックアップにおけるフロントモニタ素子は、レーザビームを受けてその光量に応じたモニタ電圧を出力するレーザ光量モニタ用の素子である。レーザドライバは、フロントモニタ素子からフィードバックされたモニタ電圧に基づいて、レーザビームが所定のレーザパワー値になるようにレーザ光源の駆動電流を制御する。   The front monitor element in the optical pickup is a laser light quantity monitoring element that receives a laser beam and outputs a monitor voltage corresponding to the light quantity. The laser driver controls the drive current of the laser light source based on the monitor voltage fed back from the front monitor element so that the laser beam has a predetermined laser power value.

昨今、光ディスクの記録速度の高速化に伴い、記録時のレーザパワーは増加している。ところが、フロントモニタ素子の出力電圧範囲は限られており、例えば、電源電圧=5V、基準電圧=2.5Vの場合、2.5V未満の出力電圧範囲しか確保できない。このため、レーザパワーの増大により入射光量が増えると、それに応じてフロントモニタ素子の感度を下げないと、入射光に応じた電圧を出力できない。一方で、再生時のレーザパワーは記録時のように増大させなくてもよいため、記録時のレーザパワーに合わせてフロントモニタ素子の感度を下げると、再生時の出力信号が小さくなってしまう。このため、特に再生時にはレーザパワーに応じた電圧を正確に出力するために、出力電圧の誤差、すなわちオフセット電圧およびオフセット電圧温度特性を小さくすることが必要になる。   In recent years, with the increase in the recording speed of optical disks, the laser power during recording has increased. However, the output voltage range of the front monitor element is limited. For example, when the power supply voltage = 5V and the reference voltage = 2.5V, only an output voltage range of less than 2.5V can be secured. For this reason, if the amount of incident light increases due to an increase in laser power, the voltage corresponding to the incident light cannot be output unless the sensitivity of the front monitor element is lowered accordingly. On the other hand, since it is not necessary to increase the laser power during reproduction as in recording, if the sensitivity of the front monitor element is lowered in accordance with the laser power during recording, the output signal during reproduction will be small. For this reason, it is necessary to reduce the error of the output voltage, that is, the offset voltage and the offset voltage temperature characteristic, in order to accurately output a voltage corresponding to the laser power particularly during reproduction.

ここで、集積回路においてはhFEpとhFEnは通常独立にばらつくので、オフセット電圧を補償するために、PNPトランジスタのベース電流IbpをNPNトランジスタのベース電流Ibn5で補償している図13の回路では、hFEpとhFEnとがばらついた場合、式(9)は零でなくなりオフセット電圧が発生する。また、従来、hFEnとhFEpとは異なる温度特性を有しており、独立に変化することから、オフセット電圧は温度により変動し、その温度特性は大きくなる。この点、図14の回路ではPNPトランジスタのベース電流Ibpを同じPNPトランジスタのベース電流Ibp3で補償しているため、IbpとIbp3とは同じ温度特性と同じバラツキをもつため、常に零となる。   Here, in the integrated circuit, hFEp and hFEn usually vary independently. Therefore, in order to compensate for the offset voltage, the base current Ibp of the PNP transistor is compensated by the base current Ibn5 of the NPN transistor. And hFEn vary, equation (9) is not zero and an offset voltage is generated. Conventionally, hFEn and hFEp have different temperature characteristics and change independently. Therefore, the offset voltage varies with temperature, and the temperature characteristics increase. In this regard, in the circuit of FIG. 14, since the base current Ibp of the PNP transistor is compensated by the base current Ibp3 of the same PNP transistor, Ibp and Ibp3 always have zero because they have the same temperature characteristics and the same variation.

ただし、図14の回路では、Vcc−Vsの値が小さい等の理由で、トランジスタQ24のコレクタの電圧Vaが高い場合、特に、Vcc−Va<Vbep3+Vicp3の条件では、トランジスタQ28はOFFし、Icp3およびIbp3が零となるため、Ibpは補正されなくなる。なお、トランジスタQ28のVbep3はトランジスタQ28の動作に必要なベース−エミッタ間電圧であり、Vicp3は電流源CS25の動作に必要な電圧である。   However, in the circuit of FIG. 14, when the voltage Va of the collector of the transistor Q24 is high because the value of Vcc−Vs is small, the transistor Q28 is turned off, particularly under the condition of Vcc−Va <Vbep3 + Vicp3. Since Ibp3 becomes zero, Ibp is not corrected. Note that Vbep3 of the transistor Q28 is a base-emitter voltage necessary for the operation of the transistor Q28, and Vicp3 is a voltage necessary for the operation of the current source CS25.

したがって、式(13)は次の式のように表される。   Therefore, Expression (13) is expressed as the following expression.

Icn1−Icn2=2×Ibp−Ibp3
=(IEE/hFEp)−(Icp3/hFEp)
=(IEE/hFEp) …(15)
このため、Icn1=Icn2とはならないので、オフセット電圧を零にすることはできない。
Icn1−Icn2 = 2 × Ibp−Ibp3
= (IEE / hFEp)-(Icp3 / hFEp)
= (IEE / hFEp) (15)
For this reason, since Icn1 = Icn2 does not hold, the offset voltage cannot be made zero.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、オフセット電圧およびオフセット電圧温度特性を補償し、フロントモニタ素子が正確にレーザパワーに応じた電圧を出力できるようにした差動増幅回路を有する受光アンプ回路を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to compensate for the offset voltage and the offset voltage temperature characteristic so that the front monitor element can accurately output a voltage corresponding to the laser power. An object of the present invention is to provide a light receiving amplifier circuit having a differential amplifier circuit.

本発明の受光アンプ回路は、差動トランジスタ対および該差動トランジスタ対の能動負荷となる第1カレントミラー回路を有し、受光素子の出力電流に応じた電圧を出力する差動増幅回路を含む受光アンプ回路において、上記課題を解決するために、前記第1カレントミラー回路を構成するトランジスタ対のベース電流の和にて表される前記差動トランジスタ対に流れる電流の差から、前記トランジスタ対のベース電流の和と同一値、同一温度特性および同一バラツキを有する補正電流を減じる補正手段を備えていることを特徴としている。   The light-receiving amplifier circuit of the present invention includes a differential amplifier circuit that includes a differential transistor pair and a first current mirror circuit serving as an active load of the differential transistor pair, and outputs a voltage corresponding to the output current of the light-receiving element. In the light receiving amplifier circuit, in order to solve the above problem, the difference between the currents flowing through the differential transistor pair represented by the sum of the base currents of the transistor pairs constituting the first current mirror circuit is calculated. A correction means for reducing a correction current having the same value, the same temperature characteristic, and the same variation as the sum of the base currents is provided.

前記受光アンプ回路において、前記補正手段は、前記第1カレントミラー回路と同一構成をなす第2カレントミラー回路と、該第2カレントミラー回路の主トランジスタのコレクタ電流と主および副トランジスタのベース電流とを引き抜く第1定電流回路と、前記第2のカレントミラー回路の副トランジスタのコレクタ電流を引き抜くとともに、第1カレントミラー回路の主トランジスタのコレクタ電流および両トランジスタのベース電流から前記補正電流を引き抜く第2定電流回路とを有していることが好ましい。   In the light receiving amplifier circuit, the correction means includes a second current mirror circuit having the same configuration as the first current mirror circuit, a collector current of the main transistor of the second current mirror circuit, and base currents of the main and sub transistors. The first constant current circuit for extracting the first current mirror and the second current mirror circuit for extracting the correction current from the collector current of the sub transistor of the second current mirror circuit and the correction current from the collector current of the main transistor of the first current mirror circuit and the base current of both transistors. It is preferable to have two constant current circuits.

前記受光アンプ回路において、前記差動増幅回路と前記補正手段との間に設けられ、前記補正電流を調整する補正電流調整手段を備えていることが好ましい。   The light receiving amplifier circuit preferably includes a correction current adjusting unit that is provided between the differential amplifier circuit and the correction unit and adjusts the correction current.

この受光アンプ回路において、前記補正電流調整手段は、前記第2定電流回路と前記第2カレントミラー回路の副トランジスタとの接続点の電圧を可変にすることにより前記補正電流を調整することが好ましい。   In the light receiving amplifier circuit, it is preferable that the correction current adjusting unit adjusts the correction current by changing a voltage at a connection point between the second constant current circuit and a sub-transistor of the second current mirror circuit. .

この受光アンプ回路において、前記補正電流調整手段は、前記第2定電流回路と前記第2カレントミラー回路との接続点および前記第1カレントミラー回路の前記補正電流を引き抜く点の間に接続された回路間トランジスタを有しており、該回路間トランジスタのベース電圧を可変にすることにより、前記接続点電圧を可変にすることが好ましい。   In this light receiving amplifier circuit, the correction current adjusting means is connected between a connection point between the second constant current circuit and the second current mirror circuit and a point at which the correction current of the first current mirror circuit is drawn. It is preferable that an inter-circuit transistor is provided, and that the connection point voltage is made variable by making the base voltage of the inter-circuit transistor variable.

この受光アンプ回路において、前記補正電流調整手段は、前記回路間トランジスタに可変のベース電圧を与える可変電圧発生手段を有していることが好ましい。具体的には、可変電圧発生手段は、次の(1)ないし(3)のように構成される。   In the light receiving amplifier circuit, it is preferable that the correction current adjusting unit includes a variable voltage generating unit that applies a variable base voltage to the inter-circuit transistor. Specifically, the variable voltage generating means is configured as the following (1) to (3).

(1)可変電圧発生手段は可変電圧源である。   (1) The variable voltage generating means is a variable voltage source.

(2)可変電圧発生手段は、接続数が可変の直列接続された複数のダイオードと、該ダイオードに電流を流す電流源とを有している。   (2) The variable voltage generating means includes a plurality of diodes connected in series with a variable number of connections, and a current source for supplying current to the diodes.

(3)可変電圧発生手段は、接続数が可変の直列接続された複数の抵抗と、該抵抗に電流を流す電流源とを有している。   (3) The variable voltage generating means includes a plurality of series-connected resistors having a variable number of connections, and a current source for supplying a current to the resistors.

第1および第2定電流回路を有する前記受光アンプ回路において、前記補正手段は、前記第1定電流回路の電流値と前記第2定電流回路の電流値とを調整する電流値調整手段を備えていることが好ましい。この電流値調整手段は、具体的には、ダイオード接続された第1トランジスタと、該第1トランジスタのエミッタ抵抗を可変にする第1可変抵抗と、前記第1トランジスタに電流を流す定電流源とを有し、前記第1定電流回路は、前記第1トランジスタとベースが共通接続された第2トランジスタと、該第2トランジスタのエミッタ抵抗を可変にする第2可変抵抗とを有し、前記第2定電流回路は、前記第1トランジスタとベースが共通接続された第3トランジスタと、該第3トランジスタのエミッタ抵抗を可変にする第3可変抵抗とを有している。   In the light receiving amplifier circuit having the first and second constant current circuits, the correction means includes a current value adjusting means for adjusting a current value of the first constant current circuit and a current value of the second constant current circuit. It is preferable. Specifically, the current value adjusting means includes a diode-connected first transistor, a first variable resistor that makes the emitter resistance of the first transistor variable, and a constant current source that supplies current to the first transistor. And the first constant current circuit includes a second transistor having a base commonly connected to the first transistor, and a second variable resistor that makes the emitter resistance of the second transistor variable. The two constant current circuit includes a third transistor having a base commonly connected to the first transistor, and a third variable resistor that makes the emitter resistance of the third transistor variable.

本発明の光ピックアップは、前記のいずれか1つの受光アンプ回路を備えていることを特徴としている。特に、前記受光アンプ回路は、レーザ光源から出射されるレーザビームの光量を検出するために用いられることが好ましい。   An optical pickup according to the present invention includes any one of the light receiving amplifier circuits described above. In particular, the light receiving amplifier circuit is preferably used for detecting the amount of laser beam emitted from a laser light source.

差動トランジスタ対と、その能動負荷となるカレントミラー回路(第1カレントミラー回路)とを有する差動増幅回路においては、前述のように(式(5))、差動増幅回路のオフセット電圧が、差動トランジスタ対の個々のトランジスタに流れる電流の差に依り、また、その電流差がカレントミラーを構成するトランジスタ対のベース電流の和によって近似的に表される。そこで、本発明の受光アンプ回路では、差動増幅回路に生じているベース電流の和から、上記のベース電流の和と同一値、同一温度特性および同一バラツキを有する補正電流を補正手段により減じることにより、温度に関わりなくオフセット電圧を実質的に相殺することができる。   In a differential amplifier circuit having a differential transistor pair and a current mirror circuit (first current mirror circuit) serving as an active load, as described above (Equation (5)), the offset voltage of the differential amplifier circuit is , Depending on the difference in current flowing through the individual transistors of the differential transistor pair, and the current difference is approximately expressed by the sum of the base currents of the transistor pairs constituting the current mirror. Therefore, in the light receiving amplifier circuit according to the present invention, the correction current having the same value, the same temperature characteristic, and the same variation as the sum of the base currents is subtracted by the correction means from the sum of the base currents generated in the differential amplifier circuit. Thus, the offset voltage can be substantially canceled regardless of the temperature.

補正手段は、具体的には前述のように、第2カレントミラー回路と、第1および第2定電流回路とを有することにより実現される。この構成では、第1定電流回路により、第2カレントミラー回路の主トランジスタのコレクタ電流と主および副トランジスタのベース電流とが引き抜かれると、第2カレントミラー回路の副トランジスタに上記のコレクタ電流と同じコレクタ電流が流れる。このコレクタ電流は、第2定電流回路により引き抜かれるが、このとき、併せて第1カレントミラー回路の一方のトランジスタのコレクタ電流および両トランジスタのベース電流から補正電流が引き抜かれる。   Specifically, as described above, the correcting means is realized by including the second current mirror circuit and the first and second constant current circuits. In this configuration, when the collector current of the main transistor of the second current mirror circuit and the base currents of the main and sub-transistors are extracted by the first constant current circuit, the collector current described above is supplied to the sub-transistor of the second current mirror circuit. The same collector current flows. The collector current is extracted by the second constant current circuit. At this time, the correction current is extracted from the collector current of one transistor of the first current mirror circuit and the base current of both transistors.

上記の構成により、オフセット電圧は理想的には零になるが、実際にはチップの温度勾配や第1カレントミラー回路(能動負荷)と第2カレントミラー回路との素子配置の差異によって、ベース電流の和と補正電流とに傾向的な差異が生じることが考えられる。このその差異をなくすため、前述のように、補正電流調整手段を設けることにより、補正電流を調整する。   With the above configuration, the offset voltage is ideally zero, but actually, the base current depends on the temperature gradient of the chip and the difference in element arrangement between the first current mirror circuit (active load) and the second current mirror circuit. It is conceivable that a gradual difference occurs between the sum of the two and the correction current. In order to eliminate this difference, the correction current is adjusted by providing the correction current adjusting means as described above.

補正電流調整手段は、具体的には、第2カレントミラー回路の主トランジスタにおけるベース−エミッタ間電圧とコレクタ−エミッタ間電圧が等しく固定であることから、前述のように、第1定電流回路と第2カレントミラー回路の副トランジスタ(のコレクタ)との接続点の電圧を、例えば可変電圧発生手段により可変にすることにより補正電流を調整する。   Specifically, since the base-emitter voltage and the collector-emitter voltage in the main transistor of the second current mirror circuit are equally fixed, the correction current adjusting means, as described above, The correction current is adjusted by making the voltage at the connection point with the sub-transistor (the collector thereof) of the second current mirror circuit variable by, for example, variable voltage generating means.

上記の可変電圧発生手段としては、具体的には、前述の(1)ないし(3)のような各手段が用いられるが、可変電圧を発生できれば、それらの手段に限定されない。   Specifically, as the variable voltage generating means, the means as described in the above (1) to (3) are used, but the variable voltage generating means is not limited to these means as long as the variable voltage can be generated.

また、第1および第2定電流回路を有する前記受光アンプ回路においては、前述のように、前記補正手段が電流値調整手段を備えることによって、補正電流を調整することができる。前述の電流値調整手段は、
具体的には、ダイオード接続された第1トランジスタのベースと、第2定電流回路の第2トランジスタおよび第3定電流回路の第3トランジスタのベースとが共通接続されることにより、第1ないし第3トランジスタがカレントミラー回路を形成する。それゆえ、第1ないし第3可変抵抗でそれぞれの抵抗値を調整することにより、第2定電流回路に引き込まれる補正電流を調整することができる。
In the light receiving amplifier circuit having the first and second constant current circuits, the correction current can be adjusted by providing the correction means with the current value adjustment means as described above. The current value adjusting means described above is
Specifically, the base of the first transistor that is diode-connected and the base of the second transistor of the second constant current circuit and the base of the third transistor of the third constant current circuit are connected in common, so Three transistors form a current mirror circuit. Therefore, the correction current drawn into the second constant current circuit can be adjusted by adjusting the resistance values of the first to third variable resistors.

本発明の光ピックアップは、前述のように構成される各受光アンプ回路を備えることにより、受光アンプ回路における差動増幅回路のオフセット電圧が補償される。それゆえ、特に、受光アンプ回路がレーザ光源から出射されるレーザビームの光量を検出するためのフロントモニタ素子として用いられれば、受光アンプ回路は、正確にレーザパワーに応じた電圧を光量検出のために出力できる。   The optical pickup of the present invention includes each light receiving amplifier circuit configured as described above, thereby compensating for the offset voltage of the differential amplifier circuit in the light receiving amplifier circuit. Therefore, in particular, when the light receiving amplifier circuit is used as a front monitor element for detecting the light amount of the laser beam emitted from the laser light source, the light receiving amplifier circuit accurately detects a voltage corresponding to the laser power for light amount detection. Can be output.

〔実施の形態1〕
本発明の受光アンプ回路に関する実施の一形態について図1および図2に基づいて説明すれば以下の通りである。
[Embodiment 1]
One embodiment of the light receiving amplifier circuit according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

図1は、本実施の形態に係る受光アンプ回路1の構成を示している。   FIG. 1 shows a configuration of a light receiving amplifier circuit 1 according to the present embodiment.

受光アンプ回路1は、トランジスタQ1〜Q6、定電流源CS1〜CS3および補正電流生成回路11を有する差動増幅回路と、入力抵抗R1と、帰還抵抗R2とを備えている。   The light receiving amplifier circuit 1 includes transistors Q1 to Q6, a differential amplifier circuit having constant current sources CS1 to CS3 and a correction current generation circuit 11, an input resistor R1, and a feedback resistor R2.

PNP型のトランジスタQ1,Q2は、差動増幅回路における差動トランジスタ対をなしており、エミッタがともに定電流源CS1に接続されている。定電流源CS1は、トランジスタQ1に流れる電流Icn1とトランジスタQ2に流れる電流Icn2との和の電流IEEを一定値に保つ回路である。基準電圧入力端子T1には基準電圧Vsが印加されており、その基準電圧入力端子T1と差動増幅回路1の非反転入力端子となるトランジスタQ1のベースとの間には入力抵抗R1が接続されている。一方、差動増幅回路1の反転入力端子となるトランジスタQ2ベースに受光素子としてのフォトダイオードPD1のカソードが接続されている。フォトダイオードPD1のアノードは、グランドラインに接続されている。また、トランジスタQ2のベースは、帰還抵抗R2を介して受光アンプ回路1の出力端子T2に接続されている。   The PNP transistors Q1 and Q2 form a differential transistor pair in the differential amplifier circuit, and both emitters are connected to the constant current source CS1. The constant current source CS1 is a circuit that maintains a constant current IEE of the current Icn1 flowing through the transistor Q1 and the current Icn2 flowing through the transistor Q2 at a constant value. A reference voltage Vs is applied to the reference voltage input terminal T1, and an input resistor R1 is connected between the reference voltage input terminal T1 and the base of the transistor Q1 serving as a non-inverting input terminal of the differential amplifier circuit 1. ing. On the other hand, the cathode of the photodiode PD1 as a light receiving element is connected to the base of the transistor Q2 serving as the inverting input terminal of the differential amplifier circuit 1. The anode of the photodiode PD1 is connected to the ground line. The base of the transistor Q2 is connected to the output terminal T2 of the light receiving amplifier circuit 1 via the feedback resistor R2.

PNP型のトランジスタQ3,Q4は、能動負荷としてカレントミラー回路を構成している。トランジスタQ3,Q4のエミッタは、電源電圧Vcc が印加される電源ラインに接続されている。また、トランジスタQ3,Q4のベースは、互いに接続されるとともに、トランジスタQ3のコレクタに接続されている。トランジスタQ3のコレクタは、トランジスタQ1のコレクタおよびトランジスタQ5のベースに接続されるとともに、補正電流生成回路11に接続されている。   The PNP transistors Q3 and Q4 constitute a current mirror circuit as an active load. The emitters of the transistors Q3 and Q4 are connected to a power supply line to which the power supply voltage Vcc is applied. The bases of the transistors Q3 and Q4 are connected to each other and to the collector of the transistor Q3. The collector of the transistor Q3 is connected to the collector of the transistor Q1 and the base of the transistor Q5, and is also connected to the correction current generation circuit 11.

NPN型のトランジスタQ5のコレクタには、前記の電源ラインが接続されている。トランジスタQ5のエミッタとグランドラインとの間には定電流源CS2が接続されている。一方、トランジスタQ4のコレクタには、トランジスタQ6のベースが接続されている。NPN型のトランジスタQ6のコレクタは、前記の電源ラインが接続されている。トランジスタQ6のエミッタとグランドラインとの間には、定電流源CS3が接続されている。トランジスタQ6は、エミッタフォロワ回路からなる出力回路を構成しており、エミッタから出力端子定2に出力電圧Voを出力する。   The power supply line is connected to the collector of the NPN transistor Q5. A constant current source CS2 is connected between the emitter of the transistor Q5 and the ground line. On the other hand, the base of the transistor Q6 is connected to the collector of the transistor Q4. The power supply line is connected to the collector of the NPN transistor Q6. A constant current source CS3 is connected between the emitter of the transistor Q6 and the ground line. The transistor Q6 constitutes an output circuit composed of an emitter follower circuit, and outputs an output voltage Vo from the emitter to the output terminal constant 2.

補正電流生成回路11は、トランジスタQ3のコレクタおよびトランジスタQ3,Q4のベースから引き抜く補正電流Ioffsetを生成する回路である。補正電流Ioffsetは、トランジスタQ3,Q4のベース電流の和と同一の値、同一の温度特性および同一のバラツキを有する。   The correction current generation circuit 11 is a circuit that generates a correction current Ioffset drawn from the collector of the transistor Q3 and the bases of the transistors Q3 and Q4. The correction current Ioffset has the same value, the same temperature characteristic, and the same variation as the sum of the base currents of the transistors Q3 and Q4.

差動増幅回路は、出力端子T2と非反転入力端子(トランジスタQ2のベース)との間に帰還抵抗R2が接続されることにより、電流−電圧変換回路として機能する反転増幅器を構成する。上記のように構成される受光アンプ回路1において、フォトダイオードPD1で受光された光が光電流に変換され、フォトダイオードPD1から出力される光電流が上記の反転増幅器で電圧に変換され、光電流に比例した出力電圧Voが得られる。   The differential amplifier circuit constitutes an inverting amplifier that functions as a current-voltage conversion circuit by connecting a feedback resistor R2 between the output terminal T2 and a non-inverting input terminal (base of the transistor Q2). In the light receiving amplifier circuit 1 configured as described above, the light received by the photodiode PD1 is converted into a photocurrent, and the photocurrent output from the photodiode PD1 is converted into a voltage by the inverting amplifier. An output voltage Vo proportional to is obtained.

ここで、上記の受光アンプ回路1における差動増幅回路のオフセット電圧について説明する。   Here, the offset voltage of the differential amplifier circuit in the light receiving amplifier circuit 1 will be described.

以下の説明で使用する各式における各パラメータは次のように示される。
hFEn:NPNトランジスタの電流増幅率
hFEp:PNPトランジスタの電流増幅率
Icn1:トランジスタQ1のコレクタ電流
Icn2:トランジスタQ2のコレクタ電流
Icn3:トランジスタQ5のコレクタ電流
Icn4:トランジスタQ6のコレクタ電流
Icp1:トランジスタQ3のコレクタ電流
Icp2:トランジスタQ4のコレクタ電流
Ibp1:トランジスタQ3のベース電流
Ibp2:トランジスタQ4のベース電流
Ibp3:トランジスタQ5のベース電流
IEE:定電流源CS1に流れる電流
まず、Icn1,Icn2は次式のように表される。
Each parameter in each equation used in the following description is shown as follows.
hFEn: NPN transistor current gain hFEp: PNP transistor current gain
Icn1: Collector current of transistor Q1
Icn2: collector current of transistor Q2
Icn3: collector current of transistor Q5
Icn4: Collector current of transistor Q6
Icp1: Collector current of transistor Q3
Icp2: Collector current of transistor Q4
Ibp1: Base current of transistor Q3
Ibp2: Base current of transistor Q4
Ibp3: Base current of transistor Q5
IEE: Current flowing through the constant current source CS1 First, Icn1 and Icn2 are expressed by the following equations.

Icn1=Icp1+Ibp1+Ibp2−Ibn4−Ioffset …(15)
Icn2=Icp2−Ibn3 …(16)
トランジスタQ3,Q4のカレントミラー回路の特性としてIcp1=Icp2であるので、Icn1,Icn2の差は次式のように表される。
Icn1 = Icp1 + Ibp1 + Ibp2-Ibn4-Ioffset (15)
Icn2 = Icp2-Ibn3 (16)
Since Icp1 = Icp2 as a characteristic of the current mirror circuit of the transistors Q3 and Q4, the difference between Icn1 and Icn2 is expressed by the following equation.

Icn1−Icn2=Ibp1+Ibp2+Ibn3−Ibn4−Ioffset …(17)
ただし、Ibp=Ibp1=Ibp2,Icn3=Icn4とすれば、Ibn3=Icn3/hFEn=Icn4/hFEn=Ibn4となるので、IEE=2×Icp=Icp1+Icp2と近似すれば、式(17)は次式のように表される。
Icn1-Icn2 = Ibp1 + Ibp2 + Ibn3-Ibn4-Ioffset (17)
However, if Ibp = Ibp1 = Ibp2 and Icn3 = Icn4, then Ibn3 = Icn3 / hFEn = Icn4 / hFEn = Ibn4. Therefore, by approximating IEE = 2 × Icp = Icp1 + Icp2, equation (17) is It is expressed as follows.

Icn1−Icn2=2×Ibp−Ioffset
=2×(Icp/hFEp)−Ioffset
=(IEE/hFEp)−Ioffset …(18)
したがって、IEE/hFEp=Ioffsetとし、なおかつIEE/hFEpと同じ温度特性、同じバラツキをもつように補正電流生成回路11で補正電流Ioffsetを生成すれば、オフセット電圧は温度/hFEpのバラツキに関わらず常に零となる。
Icn1−Icn2 = 2 × Ibp−Ioffset
= 2 × (Icp / hFEp) −Ioffset
= (IEE / hFEp) -Ioffset (18)
Therefore, if the correction current Ioffset is generated by the correction current generation circuit 11 so that IEE / hFEp = Ioffset and the same temperature characteristic and the same variation as IEE / hFEp, the offset voltage is always irrespective of the temperature / hFEp variation. It becomes zero.

続いて、上記の補正電流生成回路11による補正電流Ioffsetを生成するための具体的な回路について説明する。図2は、そのような回路を含む受光アンプ回路1の構成を示している。   Next, a specific circuit for generating the correction current Ioffset by the correction current generation circuit 11 will be described. FIG. 2 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 1 including such a circuit.

図2に示すように、受光アンプ回路1は、カレントミラー回路12,13を備えている。   As shown in FIG. 2, the light receiving amplifier circuit 1 includes current mirror circuits 12 and 13.

第1カレントミラー回路としてのカレントミラー回路12は、前述のトランジスタQ3(主トランジスタ)のベースとトランジスタQ4(副トランジスタ)のベースとが互いに接続され、トランジスタQ3のベースとコレクタとが接続される回路である。第2カレントミラー回路としてのカレントミラー回路13は、PNP型のトランジスタQ7(主トランジスタ)のベースとトランジスタQ8(副トランジスタ)のベースとが互いに接続され、トランジスタQ7のベースとコレクタとが接続される回路である。カレントミラー回路13がカレントミラー回路12と同一構成となるように、トランジスタQ7,Q8はトランジスタQ3,Q4とそれぞれ同じ特性を有する。   The current mirror circuit 12 as the first current mirror circuit is a circuit in which the base of the transistor Q3 (main transistor) and the base of the transistor Q4 (subtransistor) are connected to each other, and the base and collector of the transistor Q3 are connected. It is. In the current mirror circuit 13 as the second current mirror circuit, the base of the PNP transistor Q7 (main transistor) and the base of the transistor Q8 (subtransistor) are connected to each other, and the base and collector of the transistor Q7 are connected. Circuit. Transistors Q7 and Q8 have the same characteristics as transistors Q3 and Q4, respectively, so that current mirror circuit 13 has the same configuration as current mirror circuit 12.

トランジスタQ7,Q8のエミッタは、電源ラインに接続されている。また、受光アンプ回路1は、定電流源CS4,CS5を備えている。定電流源CS4は、トランジスタQ7のコレクタとグランドラインとの間に接続され、定電流源CS5は、トランジスタQ8のコレクタとグランドラインとの間に接続されている。受光アンプ回路1において、カレントミラー回路13および定電流源CS4,CS5によって補正電流生成回路11が構成されている。   The emitters of the transistors Q7 and Q8 are connected to the power supply line. The light receiving amplifier circuit 1 includes constant current sources CS4 and CS5. The constant current source CS4 is connected between the collector of the transistor Q7 and the ground line, and the constant current source CS5 is connected between the collector of the transistor Q8 and the ground line. In the light receiving amplifier circuit 1, a correction current generation circuit 11 is configured by the current mirror circuit 13 and the constant current sources CS4 and CS5.

上記の受光アンプ回路1では、定電流源CS4により、カレントミラー回路13のトランジスタQ7のコレクタ電流とトランジスタQ7,Q8のベース電流とが引き抜かれると、カレントミラー回路13のトランジスタQ8にトランジスタQ7のコレクタ電流と同じコレクタ電流が流れる。このコレクタ電流は、定電流源CS5により引き抜かれるが、このとき、併せてカレントミラー回路12のトランジスタQ3のコレクタ電流およびトランジスタQ3,Q4のベース電流から補正電流が引き抜かれる。   In the light receiving amplifier circuit 1 described above, when the collector current of the transistor Q7 of the current mirror circuit 13 and the base currents of the transistors Q7 and Q8 are extracted by the constant current source CS4, the collector of the transistor Q7 is connected to the transistor Q8 of the current mirror circuit 13. The same collector current as the current flows. The collector current is extracted by the constant current source CS5. At this time, the correction current is also extracted from the collector current of the transistor Q3 of the current mirror circuit 12 and the base currents of the transistors Q3 and Q4.

ここで、上記のように構成される補正電流生成回路11によるオフセット電圧補正について説明する。   Here, offset voltage correction by the correction current generation circuit 11 configured as described above will be described.

以下の説明で使用する各式における各パラメータは次のように示される。
Vbep1:トランジスタQ1のベース−エミッタ間電圧
Vcep4:トランジスタQ8のコレクタ−エミッタ間電圧
Icp3:トランジスタQ7のコレクタ電流
Icp4:トランジスタQ8のコレクタ電流
Ibp3:トランジスタQ7のベース電流
Ibp4:トランジスタQ8のベース電流
IEE/2:定電流源CS4,CS5に流れる電流
前述のようにIbp=Ibp1=Ibp2であり、IEE をIEE=2×Icp=Icp1+Icp2と近似すれば、トランジスタQ7,Q8のコレクタ電流は、次式のようにら表される。
Each parameter in each equation used in the following description is shown as follows.
Vbep1: Base-emitter voltage of transistor Q1
Vcep4: Collector-emitter voltage of transistor Q8
Icp3: Collector current of transistor Q7
Icp4: Collector current of transistor Q8
Ibp3: Base current of transistor Q7
Ibp4: Base current of transistor Q8
IEE / 2: Current flowing in constant current sources CS4 and CS5 As described above, if Ibp = Ibp1 = Ibp2 and IEE is approximated as IEE = 2 × Icp = Icp1 + Icp2, the collector currents of transistors Q7 and Q8 are given by It is expressed as follows.

Icp3=(IEE/2)−(Ibp3+Ibp4) …(19)
Icp4=Icp3 …(20)
IEE/2=Icp4+Ioffset …(21)
よって、これらの式より、補正電流は以下のようにして定まる。ただし、式(22)は、IEE/2をIEE/2=Icp3=Icp4と近似することにより求められる。
Icp3 = (IEE / 2)-(Ibp3 + Ibp4) (19)
Icp4 = Icp3 (20)
IEE / 2 = Icp4 + Ioffset (21)
Therefore, from these equations, the correction current is determined as follows. However, Formula (22) is calculated | required by approximating IEE / 2 with IEE / 2 = Icp3 = Icp4.

Ioffset =(IEE/2)−Icp4
=(IEE/2)−Icp3
=(IEE/2)−((IEE/2)−(Ibp3+Ibp4))
= Ibp3+Ibp4
=(Icp3/hFEp)+(Icp4/hFEp)
=(Icp3+Icp4)/hFEp
= IEE/hFEp …(22)
これより、前記の式(18)は、以下のように表される。
Ioffset = (IEE / 2)-Icp4
= (IEE / 2)-Icp3
= (IEE / 2)-((IEE / 2)-(Ibp3 + Ibp4))
= Ibp3 + Ibp4
= (Icp3 / hFEp) + (Icp4 / hFEp)
= (Icp3 + Icp4) / hFEp
= IEE / hFEp (22)
Thus, the above equation (18) is expressed as follows.

Icn1−Icn2=(IEE/hFEp)−Ioffset
=(IEE/hFEp)−(IEE/hFEp)
=0 …(23)
上式より、能動負荷としてのカレントミラー回路12のベース電流誤差(IEE/hFEp)は、完全に同一特性の補正電流によってキャンセルされる。これは、カレントミラー回路12,13が同一構成であることによる。これにより、素子の特性バラツキ(同一素子の面内バラツキは除く)や温度に関わらず、オフセット電圧は常に零になる。また、本受光アンプ回路1においては、トランジスタQ3のベースとコレクタとが接続されているため、トランジスタQ3においてはベース−エミッタ間電圧とコレクタ−エミッタ間電圧とが等しくなることから、トランジスタQ3,Q8との間でVbep1=Vcep4が成り立つ。これにより、トランジスタQ8が動作しなくなる程にVcep4が低下することはないため、本受光アンプ回路1においては、図14に示す従来例の受光アンプ回路のようにオフセット補正のための回路が動作しなくなることはない。
Icn1−Icn2 = (IEE / hFEp) −Ioffset
= (IEE / hFEp)-(IEE / hFEp)
= 0 (23)
From the above equation, the base current error (IEE / hFEp) of the current mirror circuit 12 as the active load is canceled by the correction current having the completely same characteristic. This is because the current mirror circuits 12 and 13 have the same configuration. As a result, the offset voltage is always zero regardless of element characteristic variations (excluding in-plane variations of the same element) and temperature. In the light receiving amplifier circuit 1, since the base and collector of the transistor Q3 are connected, the base-emitter voltage and the collector-emitter voltage are equal in the transistor Q3. Vbep1 = Vcep4 holds. As a result, Vcep4 does not decrease to such an extent that the transistor Q8 does not operate. Therefore, in this photoreceiver amplifier circuit 1, a circuit for offset correction operates like the conventional photoreceiver amplifier circuit shown in FIG. It will not disappear.

〔実施の形態2〕
本発明の受光アンプ回路に関する実施の他の形態について図3ないし図8に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態において、前述の実施の形態2における構成要素と同等の機能を有する構成要素については同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
Another embodiment of the light receiving amplifier circuit according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, components having the same functions as those in the above-described second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図3は、本実施の形態に係る受光アンプ回路2の構成を示している。   FIG. 3 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 2 according to the present embodiment.

受光アンプ回路2は、図1に示す受光アンプ回路1と同様、トランジスタQ1〜Q6、定電流源CS1〜CS3、入力抵抗R1および帰還抵抗R2を備えるとともに、補正電流生成回路11としてトランジスタQ7,Q8および定電流源CS4,CS5を備えている。さらに、受光アンプ回路2は、補正電流調整回路21を備えている。この補正電流調整回路21は、補正電流生成回路11により生成された補正電流を適正値となるように微調整する回路であり、トランジスタQ3のコレクタとトランジスタQ8のコレクタとの間に設けられている。   Similar to the light receiving amplifier circuit 1 shown in FIG. 1, the light receiving amplifier circuit 2 includes transistors Q1 to Q6, constant current sources CS1 to CS3, an input resistor R1 and a feedback resistor R2, and transistors Q7 and Q8 as the correction current generation circuit 11. And constant current sources CS4 and CS5. Further, the light receiving amplifier circuit 2 includes a correction current adjustment circuit 21. The correction current adjustment circuit 21 is a circuit that finely adjusts the correction current generated by the correction current generation circuit 11 to an appropriate value, and is provided between the collector of the transistor Q3 and the collector of the transistor Q8. .

前述の図2に示す受光アンプ回路1により、オフセット電圧は理想的に零になるが、実際には受光アンプ回路1が集積されたチップの温度勾配やカレントミラー回路12(能動負荷)とカレントミラー回路13との素子配置の差異によって、式(23)の(IEE/hFEp)とIoffsetとに傾向的な差異が生じることが考えられる。これを補正するため、上記の補正電流調整回路21を設け、チップ試作後に実際のチップの特性を基に、補正電流調整回路21を用いて補正電流Ioffsetを調整することにより、オフセット電圧を零に調整することができる。   Although the offset voltage is ideally zero by the light receiving amplifier circuit 1 shown in FIG. 2, the temperature gradient of the chip in which the light receiving amplifier circuit 1 is integrated, the current mirror circuit 12 (active load) and the current mirror are actually used. It is conceivable that there is a tendency difference between (IEE / hFEp) and Ioffset in Expression (23) due to the difference in the element arrangement with the circuit 13. In order to correct this, the correction current adjustment circuit 21 described above is provided, and the offset voltage is reduced to zero by adjusting the correction current Ioffset using the correction current adjustment circuit 21 based on the actual chip characteristics after the trial manufacture of the chip. Can be adjusted.

ここで、受光アンプ回路2における補正電流の調整について図4に基づいて説明する。   Here, adjustment of the correction current in the light receiving amplifier circuit 2 will be described with reference to FIG.

以下の説明で使用する各式における各パラメータは次のように示される。なお、実施の形態1ですでに使用したパラメータについてはここでの記載を省略する。
Vbep3:トランジスタQ7のベース−エミッタ間電圧
Vbep4:トランジスタQ8のベース−エミッタ間電圧
Vcep3:トランジスタQ7のコレクタ−エミッタ間電圧
VT:kT/q(kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子荷)で表される熱起電力
Is:逆方向飽和電流
VA:アーリー電圧
本受光アンプ回路2においても、前述の受光アンプ回路1(図2参照)と同様に式(22)が成立する。式(22)にいては、IEE/2をIEE/2=Icp3=Icp4と近似している。しかしながら、実際には、カレントミラー回路13の各トランジスタQ7,Q8のコレクタ電流Icp3,Icp4は、それらのコレクタ−エミッタ間電圧(Vcep3,Vcep4)によって、次式に示すような誤差を生じる。
Each parameter in each equation used in the following description is shown as follows. Note that description of parameters already used in the first embodiment is omitted here.
Vbep3: Base-emitter voltage of transistor Q7
Vbep4: Base-emitter voltage of transistor Q8
Vcep3: Collector-emitter voltage of transistor Q7
VT: Thermoelectromotive force represented by kT / q (k is Boltzmann constant, T is absolute temperature, and q is electronic charge)
Is: Reverse saturation current
VA: Early voltage Also in the light receiving amplifier circuit 2, the equation (22) is established in the same manner as the light receiving amplifier circuit 1 (see FIG. 2). In the equation (22), IEE / 2 is approximated as IEE / 2 = Icp3 = Icp4. However, in reality, the collector currents Icp3 and Icp4 of the transistors Q7 and Q8 of the current mirror circuit 13 cause an error as shown in the following equation due to the collector-emitter voltages (Vcep3 and Vcep4).

Icp3=Is×(1+Vcep3/VA)×exp(Vbep3/VT) …(24)
Icp4=Is×(1+Vcep4/VA)×exp(Vbep4/VT) …(25)
したがって、Vbep3=Vbep4=Vbepとし、IEE/2 をIcp3=IEE/2 と近似すると、両コレクタ電流の和は次式のように表される。
Icp3 = Is x (1 + Vcep3 / VA) x exp (Vbep3 / VT) (24)
Icp4 = Is x (1 + Vcep4 / VA) x exp (Vbep4 / VT) (25)
Therefore, when Vbep3 = Vbep4 = Vbep and IEE / 2 is approximated as Icp3 = IEE / 2, the sum of both collector currents is expressed by the following equation.

Icp3+Icp4=Is×exp(Vbep/VT)×(2+(Vcep3+Vcep4)/VA)
=2×Is×exp(Vbep/VT)×(1+Vcep3/VA)
+Is×exp(Vbep/VT)×(Vcep4−Vcep3)/VA
=2×Icp3 +Is×exp(Vbep/VT)×(Vcep4−Vcep3)/VA
=IEE+Is×exp(Vbep/VT)×(Vcep4−Vcep3)/VA …(26)
よって、式(22)は次のように表される。
Icp3 + Icp4 = Is x exp (Vbep / VT) x (2+ (Vcep3 + Vcep4) / VA)
= 2 x Is x exp (Vbep / VT) x (1 + Vcep3 / VA)
+ Is x exp (Vbep / VT) x (Vcep4-Vcep3) / VA
= 2 x Icp3 + Is x exp (Vbep / VT) x (Vcep4-Vcep3) / VA
= IEE + Is x exp (Vbep / VT) x (Vcep4-Vcep3) / VA (26)
Therefore, Formula (22) is expressed as follows.

Ioffset=(Icp3+Icp4)/hFEp
=(IEE+Is×exp(Vbep/VT)×(Vcep4−Vcep3)/VA)/hFEp
= IEE/hFEp+ΔIoffset …(27)
上式において、ΔIoffsetは次式で表される補正電流の調整量である。
Ioffset = (Icp3 + Icp4) / hFEp
= (IEE + Is x exp (Vbep / VT) x (Vcep4-Vcep3) / VA) / hFEp
= IEE / hFEp + ΔIoffset (27)
In the above equation, ΔIoffset is an adjustment amount of the correction current expressed by the following equation.

ΔIoffset=(Is×exp(Vbep/VT)×(Vcep4−Vcep3)/VA)/hFEp
ここで、図4に示すように、トランジスタQ7のコレクタ−エミッタ間電圧およびベース−エミッタ間電圧は、互いに等しく(Vcep3=Vbep3)、かつ固定であることは明らかである。このため、ΔIoffsetはVcep4によって決定される。よって、補正電流調整回路21によってVcep4を変化させてIoffsetを調整することにより、オフセット電圧を調整することが可能となる。
ΔIoffset = (Is × exp (Vbep / VT) × (Vcep4−Vcep3) / VA) / hFEp
Here, as shown in FIG. 4, it is clear that the collector-emitter voltage and the base-emitter voltage of the transistor Q7 are equal to each other (Vcep3 = Vbep3) and fixed. For this reason, ΔIoffset is determined by Vcep4. Therefore, the offset voltage can be adjusted by adjusting Ioffset by changing Vcep4 by the correction current adjusting circuit 21.

図5ないし図8は、Vcep4を可変にするための補正電流調整回路21の具体的構成を含む受光アンプ回路2を示している。以降に、これらの図に基づいて、各補正電流調整回路21について説明する。   5 to 8 show the light receiving amplifier circuit 2 including a specific configuration of the correction current adjusting circuit 21 for making Vcep4 variable. Hereinafter, each correction current adjustment circuit 21 will be described with reference to these drawings.

まず、図5に示す受光アンプ回路2においては、補正電流調整回路21として、NPN型のトランジスタQ9を備えている。このトランジスタQ9のコレクタは、補正電流を引き抜く点である、トランジスタQ3のコレクタ(トランジスタQ3,Q4のベース)に接続され、トランジスタQ9のエミッタはトランジスタQ8のコレクタに接続されている。また、トランジスタQ9のベースには、補正電流の調整のためのベース電圧VbAが印加される。トランジスタQ8のコレクタ電圧Vc4は、上記のベース電圧VbAより、トランジスタQ9のベース−エミッタ間電圧VbenA低い電圧になるため、ベース電圧VbAを変化させることにより、Vc4およびVcep4を変更することができる。   First, the light receiving amplifier circuit 2 shown in FIG. 5 includes an NPN transistor Q9 as the correction current adjusting circuit 21. The collector of the transistor Q9 is connected to the collector of the transistor Q3 (the bases of the transistors Q3 and Q4), which is a point for drawing out the correction current, and the emitter of the transistor Q9 is connected to the collector of the transistor Q8. A base voltage VbA for adjusting the correction current is applied to the base of the transistor Q9. Since the collector voltage Vc4 of the transistor Q8 is lower than the base-emitter voltage VbenA of the transistor Q9 than the base voltage VbA, Vc4 and Vcep4 can be changed by changing the base voltage VbA.

ベース電圧VbAを可変にするには、図6ないし図8に示すように構成してもよい。   In order to make the base voltage VbA variable, it may be configured as shown in FIGS.

図6に示す構成では、トランジスタQ9のベースに接続される可変電圧源21aが設けられている。   In the configuration shown in FIG. 6, a variable voltage source 21a connected to the base of the transistor Q9 is provided.

図7に示す構成は、直列接続されたダイオードD1〜D3と、電流源CS6とを備えている。ダイオードD1のアノードはトランジスタQ9のベースに接続され、ダイオードD3のカソードはグランドラインに接続されている。このような構成では、定電流源CS6からダイオードD1〜D3に電流を流したときに生じるダイオードD1〜D3の順方向電圧(Vf)によりベース電圧VbA(=Vcc−Vf)が決定される。この構成では、ダイオードD1〜D3の直列接続数を変えることにより、ベース電圧VbAを変更することができる。これには、例えば、ダイオードD2,D3の接続点とグランドラインとを短絡すれば、直列接続されるのはダイオードD1,D2となる。   The configuration shown in FIG. 7 includes diodes D1 to D3 connected in series and a current source CS6. The anode of the diode D1 is connected to the base of the transistor Q9, and the cathode of the diode D3 is connected to the ground line. In such a configuration, the base voltage VbA (= Vcc−Vf) is determined by the forward voltages (Vf) of the diodes D1 to D3 generated when current is supplied from the constant current source CS6 to the diodes D1 to D3. In this configuration, the base voltage VbA can be changed by changing the number of diodes D1 to D3 connected in series. For example, if the connection point of the diodes D2 and D3 and the ground line are short-circuited, the diodes D1 and D2 are connected in series.

図8に示す構成は、直列接続された抵抗R3〜R5と、電流源CS7とを備えている。抵抗R3〜R5および電流源CS7は、電源ラインとグランドラインとの間に直列に接続されており、抵抗R5と電流源CS7との接続点がトランジスタQ9のベースに接続されている。この構成では、抵抗R3〜R5によってベース電圧VbAが決定される。ベース電圧VbAは、電流源CS7の電流値を変えたり、抵抗R3〜R5の抵抗値を変えることによって変更することができる。抵抗R3〜R5の抵抗値を変えるには、例えば、電源ラインと抵抗R3,R4の接続点とを短絡することにより、電源ラインに電気的に接続されるのは抵抗R4,R5のみとなる。   The configuration shown in FIG. 8 includes resistors R3 to R5 connected in series and a current source CS7. The resistors R3 to R5 and the current source CS7 are connected in series between the power supply line and the ground line, and the connection point between the resistor R5 and the current source CS7 is connected to the base of the transistor Q9. In this configuration, the base voltage VbA is determined by the resistors R3 to R5. The base voltage VbA can be changed by changing the current value of the current source CS7 or changing the resistance values of the resistors R3 to R5. In order to change the resistance values of the resistors R3 to R5, for example, only the resistors R4 and R5 are electrically connected to the power supply line by short-circuiting the connection point between the power supply line and the resistors R3 and R4.

このように、図6ないし図8に示すいずれの構成であっても、実際の試作の評価結果より、オフセット電圧の傾向的な誤差を容易に調節することが可能となる。また、トランジスタQ9のベース電圧VbAを変更する構成は、他にも考えられ、上記の構成に限らないのは勿論である。   As described above, in any of the configurations shown in FIGS. 6 to 8, it is possible to easily adjust the tendency error of the offset voltage from the evaluation result of the actual trial manufacture. Also, other configurations for changing the base voltage VbA of the transistor Q9 are conceivable and are not limited to the above configuration.

〔実施の形態3〕
本発明の受光アンプ回路に関する実施のさらに他の形態について図9および図10に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態においても、前述の実施の形態1および2における構成要素と同等の機能を有する構成要素については同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Embodiment 3]
Still another embodiment of the light receiving amplifier circuit according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Also in the present embodiment, components having the same functions as those in the first and second embodiments described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図9は、本実施の形態に係る受光アンプ回路3の構成を示している。   FIG. 9 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 3 according to the present embodiment.

受光アンプ回路3は、図2に示す受光アンプ回路1と同様、トランジスタQ1〜Q6、定電流源CS1〜CS3、入力抵抗R1および帰還抵抗R2を備えるとともに、補正電流生成回路11としてトランジスタQ7,Q8および定電流源CS4,CS5を備えている。さらに、受光アンプ回路3は、定電流源CS4,CS5の電流値を調整する電流値調整回路31を備えている。この電流値調整回路31は、補正電流を調整するために定電流源CS4,CS5の電流値を調整する。   Similar to the light receiving amplifier circuit 1 shown in FIG. 2, the light receiving amplifier circuit 3 includes transistors Q1 to Q6, constant current sources CS1 to CS3, an input resistor R1 and a feedback resistor R2, and transistors Q7 and Q8 as the correction current generating circuit 11. And constant current sources CS4 and CS5. Further, the light receiving amplifier circuit 3 includes a current value adjustment circuit 31 that adjusts the current values of the constant current sources CS4 and CS5. The current value adjustment circuit 31 adjusts the current values of the constant current sources CS4 and CS5 in order to adjust the correction current.

ここで、電流値調整回路31による電流値調整について説明する。   Here, the current value adjustment by the current value adjustment circuit 31 will be described.

以下の説明で使用する各式における各パラメータは次のように示される。なお、実施の形態1,2ですでに使用したパラメータについてはここでの記載を省略する。
I1:定電流源CS4に流れる電流
I2:定電流源CS5に流れる電流
ΔI1:電流値調整回路31によるI1の調整分
ΔI2:電流値調整回路31によるI2の調整分
補正電流Ioffsetは、以下のようにして表される。
Each parameter in each equation used in the following description is shown as follows. Note that description of parameters already used in the first and second embodiments is omitted here.
I1: Current flowing through constant current source CS4
I2: Current flowing through the constant current source CS5 ΔI1: Adjustment of I1 by the current value adjustment circuit 31 ΔI2: Adjustment of I2 by the current value adjustment circuit 31 The correction current Ioffset is expressed as follows.

Icp3=I1−(Ibp3+Ibp4) …(28)
Icp4=Icp3 …(29)
I2=Icp4+Ioffset …(30)
Ioffset=I2−Icp4
=I2−Icp3
=I2−I1+(Ibp3+Ibp4)
=I2−I1+(Icp3+Icp4)/hFEp
=(I2−I1)+(I1+I2)/hFEp
=((IEE/2+ΔI1)−(IEE/2+ΔI2))+((IEE/2+ΔI1)+(IEE/2+ΔI2))/hFEp
=(ΔI1−ΔI2)+(IEE+ΔI1+ΔI2)/hFEp
=IEE/hFEp+ΔIoffset
ただし 、上式におけるΔIoffsetを次式のように表すものとする。
Icp3 = I1− (Ibp3 + Ibp4) (28)
Icp4 = Icp3 (29)
I2 = Icp4 + Ioffset (30)
Ioffset = I2-Icp4
= I2-Icp3
= I2−I1 + (Ibp3 + Ibp4)
= I2-I1 + (Icp3 + Icp4) / hFEp
= (I2-I1) + (I1 + I2) / hFEp
= ((IEE / 2 + ΔI1) − (IEE / 2 + ΔI2)) + ((IEE / 2 + ΔI1) + (IEE / 2 + ΔI2))) / hFEp
= (ΔI1−ΔI2) + (IEE + ΔI1 + ΔI2) / hFEp
= IEE / hFEp + ΔIoffset
However, ΔIoffset in the above equation is expressed as the following equation.

ΔIoffset=(ΔI1−ΔI2)+(ΔI1+ΔI2)/hFEp …(31)
このように、電流値調整回路31によって定電流源CS4,CS5の電流値を調整することで、補正電流Ioffsetを調整することが可能となる。これにより、実施の形態1の受光アンプ回路1に比べて、より高精度にオフセット電圧を補償することができる。
ΔIoffset = (ΔI1−ΔI2) + (ΔI1 + ΔI2) / hFEp (31)
In this manner, the correction current Ioffset can be adjusted by adjusting the current values of the constant current sources CS4 and CS5 by the current value adjusting circuit 31. Thereby, the offset voltage can be compensated with higher accuracy than the light receiving amplifier circuit 1 of the first embodiment.

続いて、上記の電流値調整回路31による補正電流Ioffsetの調整のための具体的な回路について説明する。図10は、そのような回路を含む受光アンプ回路3の構成を示している。   Next, a specific circuit for adjusting the correction current Ioffset by the current value adjustment circuit 31 will be described. FIG. 10 shows a configuration of the light receiving amplifier circuit 3 including such a circuit.

図10に示すように、受光アンプ回路3は、電流値調整回路31として、定電流源CS8と、NPN型のトランジスタQ11と、可変抵抗R11とを備えている。   As shown in FIG. 10, the light receiving amplifier circuit 3 includes a constant current source CS8, an NPN transistor Q11, and a variable resistor R11 as the current value adjusting circuit 31.

トランジスタQ11のコレクタとベースとが接続され、エミッタが可変抵抗R11を介してグランドラインに接続されている。また、トランジスタQ11のコレクタと電源ラインとの間には、定電流源CS8が接続されている。   The collector and base of the transistor Q11 are connected, and the emitter is connected to the ground line via the variable resistor R11. A constant current source CS8 is connected between the collector of the transistor Q11 and the power supply line.

一方、定電流源CS4は、NPN型のトランジスタQ12と可変抵抗R12とによって構成され、定電流源CS5は、NPN型のトランジスタQ13と可変抵抗R13とによって構成されている。トランジスタQ12のコレクタはトランジスタQ7のコレクタに接続され、エミッタは可変抵抗R12を介してグランドラインに接続されている。トランジスタQ13のコレクタはトランジスタQ8のコレクタに接続され、エミッタは可変抵抗R13を介してグランドラインに接続されている。トランジスタQ11〜Q13のベースは、互いに接続されている。これにより、トランジスタQ11〜Q13および可変抵抗R11〜R13からなる回路は、第3カレントミラー回路としてのカレントミラー回路32を構成している。   On the other hand, the constant current source CS4 includes an NPN transistor Q12 and a variable resistor R12, and the constant current source CS5 includes an NPN transistor Q13 and a variable resistor R13. The collector of the transistor Q12 is connected to the collector of the transistor Q7, and the emitter is connected to the ground line via the variable resistor R12. The collector of the transistor Q13 is connected to the collector of the transistor Q8, and the emitter is connected to the ground line via the variable resistor R13. The bases of the transistors Q11 to Q13 are connected to each other. Thereby, the circuit composed of the transistors Q11 to Q13 and the variable resistors R11 to R13 constitutes a current mirror circuit 32 as a third current mirror circuit.

上記のように構成される受光アンプ回路3では、カレントミラー回路32において、トランジスタQ11〜Q13のエミッタ抵抗は、可変抵抗R11〜R13によって変化する。これにより、定電流源CS4を流れる電流I1と定電流源CS5を流れる電流I2とを基準の電流値IEE/2から変化させて、補正電流Ioffsetを調整することができる。   In the light receiving amplifier circuit 3 configured as described above, in the current mirror circuit 32, the emitter resistances of the transistors Q11 to Q13 are changed by the variable resistors R11 to R13. Accordingly, the correction current Ioffset can be adjusted by changing the current I1 flowing through the constant current source CS4 and the current I2 flowing through the constant current source CS5 from the reference current value IEE / 2.

〔実施の形態4〕
本発明の受光アンプ回路を備えた光ピックアップに関する実施の形態について図11に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態においても、前述の実施の形態1ないし3における構成要素と同等の機能を有する構成要素については同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Embodiment 4]
An embodiment relating to an optical pickup including the light receiving amplifier circuit of the present invention will be described with reference to FIG. Also in the present embodiment, the same reference numerals are given to components having the same functions as the components in the first to third embodiments, and the description thereof is omitted.

図11は、本実施の形態に係る光ピックアップの構成を示している。   FIG. 11 shows a configuration of the optical pickup according to the present embodiment.

図11に示すように、本光ピックアップは、レーザダイオード111、レーザパワーモニタ用受光IC112,113、信号用受光IC114、コリメータレンズ115、スポットレンズ116、ビームスプリッタ117、コリメータレンズ118および対物レンズ119を備えている。   As shown in FIG. 11, this optical pickup includes a laser diode 111, light receiving ICs 112 and 113 for laser power monitoring, a signal light receiving IC 114, a collimator lens 115, a spot lens 116, a beam splitter 117, a collimator lens 118, and an objective lens 119. I have.

レーザ光源としてのレーザダイオード111は、CD用の780nmのレーザビームとDVD用の659nmのレーザビームの2種類のレーザビームを発する。レーザダイオード111に供給される駆動電流は、図示しないレーザドライバにより生成される。   A laser diode 111 as a laser light source emits two types of laser beams, a 780 nm laser beam for CD and a 659 nm laser beam for DVD. The drive current supplied to the laser diode 111 is generated by a laser driver (not shown).

レーザパワーモニタ用受光IC112,113は、前述の実施の形態1ないし3の受光アンプ回路1〜3のいずれかを内蔵しており、受光面にフォトダイオードPD1を配している。レーザパワーモニタ用受光IC112,113は、レーザダイオード111から出射されるレーザビームの一部を受光して、検出信号として電気信号に変換するためのICであり、いずれか一方があればよい。また、レーザパワーモニタ用受光ICの位置は、レーザビームを検出に必要な量を受けることができる位置であれば、図示された位置に限定されない。   The laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 incorporate any of the light receiving amplifier circuits 1 to 3 of the first to third embodiments described above, and a photodiode PD1 is disposed on the light receiving surface. The light receiving ICs 112 and 113 for laser power monitoring are ICs for receiving a part of the laser beam emitted from the laser diode 111 and converting it into an electric signal as a detection signal. The position of the light receiving IC for laser power monitoring is not limited to the illustrated position as long as it can receive an amount necessary for detecting the laser beam.

上記のように構成される光ピックアップにおいては、レーザダイオード111から出射されたレーザビームは、コリメータレンズ115によって平行光束に変換され、ビームスプリッタ117により偏向する。ビームスプリッタ117からのレーザビームは、さらにコリメータレンズ118を経て、対物レンズ119によって光ディスク120に集束される。光ディスク120から反射したレーザビームは、対物レンズ119およびコリメータレンズ117を経て、ビームスプリッタ117を透過した後、スポットレンズ116によって信号用受光IC114に集束される。信号用受光IC114では、レーザビームが電気信号に変換され、この電気信号からRF信号、トラッキングエラー信号などが生成される。をに変換して52によって偏向されて、受光フォトダイオードPDに受光される。   In the optical pickup configured as described above, the laser beam emitted from the laser diode 111 is converted into a parallel light beam by the collimator lens 115 and deflected by the beam splitter 117. The laser beam from the beam splitter 117 is further focused on the optical disk 120 by the objective lens 119 through the collimator lens 118. The laser beam reflected from the optical disk 120 passes through the objective lens 119 and the collimator lens 117, passes through the beam splitter 117, and is then focused on the signal light receiving IC 114 by the spot lens 116. In the signal light receiving IC 114, the laser beam is converted into an electric signal, and an RF signal, a tracking error signal, and the like are generated from the electric signal. And is deflected by 52 and received by the light receiving photodiode PD.

一方、レーザパワーモニタ用受光IC112,113は、レーザダイオード111から出射されたレーザビームを受け、内蔵する受光アンプ回路1〜3のいずれかによって、レーザビームを出力電圧Vo(検出信号)として検出する。この検出信号は、図示しないレーザドライバに与えられる。レーザドライバは、レーザパワーモニタ用受光IC112,113からの検出信号をモニタしながら、レーザビームのパワーが所定値になるようにレーザダイオードの駆動電流を制御する。   On the other hand, the laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 receive the laser beam emitted from the laser diode 111 and detect the laser beam as an output voltage Vo (detection signal) by any of the built-in light receiving amplifier circuits 1 to 3. . This detection signal is given to a laser driver (not shown). The laser driver controls the drive current of the laser diode so that the power of the laser beam becomes a predetermined value while monitoring the detection signals from the light receiving ICs 112 and 113 for monitoring the laser power.

このように、光ピックアップにおいては、レーザパワーモニタ用受光IC112,113が受光アンプ回路1〜3のいずれかを内蔵していることにより、トランジスタなどの素子の特性バラツキや温度に影響されることなく差動増幅回路のオフセット電圧を常に零にすることができる。これにより、記録時より低下した再生時のレーザパワーに合わせてレーザパワーモニタ用受光IC112,113の感度を低下させても、オフセット電圧の影響を受けることなく、正確にレーザビーム(レーザパワー)を正確に検出することができる。それゆえ、レーザパワーの制御を高精度に行うことができる。   As described above, in the optical pickup, the laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 incorporate any one of the light receiving amplifier circuits 1 to 3, so that they are not affected by variations in characteristics of elements such as transistors and temperature. The offset voltage of the differential amplifier circuit can always be zero. As a result, even if the sensitivity of the laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 is lowered in accordance with the laser power at the time of reproduction which is lower than that at the time of recording, the laser beam (laser power) can be accurately emitted without being affected by the offset voltage It can be detected accurately. Therefore, the laser power can be controlled with high accuracy.

なお、本実施の形態では、レーザパワーモニタ用受光IC112,113が受光アンプ回路1〜3のいずれかを内蔵することについて説明したが、信号用受光IC114が受光アンプ回路1〜3のいずれかを内蔵していてもよい。信号用受光IC114には、レーザパワーモニタ用受光IC112,113のように厳格にオフセット電圧を低減させることは要求されないが、差動増幅回路を構成するNPNトランジスタとPNPトランジスタとの特性が大きく異なるプロセスを要するために、オフセット電圧が仕様値を満たさない場合は、受光アンプ1〜3を用いることにより、オフセット電圧を低下させることができ、有効である。   In the present embodiment, it has been described that the laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113 include any one of the light receiving amplifier circuits 1 to 3. However, the signal light receiving IC 114 includes any one of the light receiving amplifier circuits 1 to 3. It may be built in. The signal light receiving IC 114 is not required to strictly reduce the offset voltage unlike the laser power monitoring light receiving ICs 112 and 113, but a process in which the characteristics of the NPN transistor and the PNP transistor constituting the differential amplifier circuit are greatly different. Therefore, when the offset voltage does not satisfy the specification value, the offset voltage can be lowered by using the light receiving amplifiers 1 to 3, which is effective.

本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and the embodiments can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. The form is also included in the technical scope of the present invention.

受光アンプ回路における差動増幅回路の能動負荷であるカレントミラー回路のベース電流誤差を、同構成のカレントミラー回路のベース電流誤差を利用して補正することにより、オフセット電圧、オフセット電圧温度特性を改善する。これにより、受光アンプ回路を、光ピックアップにおいてレーザパワーに応じた電圧を正確に出力できるフロントモニタ素子に適用することができる。   Offset voltage and offset voltage temperature characteristics are improved by correcting the base current error of the current mirror circuit, which is the active load of the differential amplifier circuit in the light receiving amplifier circuit, using the base current error of the current mirror circuit of the same configuration. To do. Accordingly, the light receiving amplifier circuit can be applied to a front monitor element that can accurately output a voltage corresponding to the laser power in the optical pickup.

本発明の実施の形態1に係る受光アンプ回路の構成を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a configuration of a light receiving amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention. 図1の受光アンプ回路において補正電流生成回路の構成を詳細に示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating in detail a configuration of a correction current generation circuit in the light receiving amplifier circuit of FIG. 1. 本発明の実施の形態2に係る受光アンプ回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the light reception amplifier circuit which concerns on Embodiment 2 of this invention. 図2の受光アンプ回路における補正電流調整の動作を説明するための回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram for explaining an operation of adjusting a correction current in the light receiving amplifier circuit of FIG. 2. 図3の受光アンプ回路において補正電流調整回路の構成を詳細に示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating in detail a configuration of a correction current adjustment circuit in the light receiving amplifier circuit of FIG. 3. 図3の受光アンプ回路において補正電流調整回路のトランジスタにベース電圧を印加する構成を詳細に示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating in detail a configuration in which a base voltage is applied to a transistor of a correction current adjustment circuit in the light receiving amplifier circuit of FIG. 3. 図3の受光アンプ回路において補正電流調整回路のトランジスタにベース電圧を印加する他の構成を詳細に示す回路図である。4 is a circuit diagram showing in detail another configuration for applying a base voltage to a transistor of a correction current adjustment circuit in the light receiving amplifier circuit of FIG. 図3の受光アンプ回路において補正電流調整回路のトランジスタにベース電圧を印加するさらに他の構成を詳細に示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing in detail another configuration for applying a base voltage to a transistor of a correction current adjusting circuit in the light receiving amplifier circuit of FIG. 3. 本発明の実施の形態3に係る受光アンプ回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the light reception amplifier circuit which concerns on Embodiment 3 of this invention. 図8の受光アンプ回路において電流値流調整回路の構成を詳細に示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram illustrating in detail a configuration of a current value flow adjustment circuit in the light receiving amplifier circuit of FIG. 8. 本発明の実施の形態4に係る光ピックアップの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the optical pick-up concerning Embodiment 4 of this invention. 従来の受光アンプ回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the conventional light receiving amplifier circuit. 従来の他の受光アンプ回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other conventional light receiving amplifier circuit. 従来のさらに他の受光アンプ回路を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing still another conventional light receiving amplifier circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1〜3 受光アンプ回路
11 補正電流生成回路
12 カレントミラー回路(第1カレントミラー回路)
13 カレントミラー回路(第2カレントミラー回路)
21 補正電流調整回路(補正電流調整手段)
21a 可変電圧源(可変電圧発生手段)
31 電流値調整回路(電流値調整手段)
32 カレントミラー回路(第3カレントミラー回路)
111 レーザダイオード(レーザ光源)
112,113 レーザパワーモニタ用受光IC
CS1〜CS3 定電流源
CS4 定電流源(第1定電流回路)
CS5 定電流源(第2定電流回路)
CS6,CS7 電流源
CS8 定電流源
D1〜D3 ダイオード
PD1 フォトダイオード(受光素子)
R3〜R5 抵抗
R11 可変抵抗(第1可変抵抗)
R12 可変抵抗(第2可変抵抗)
R13 可変抵抗(第3可変抵抗)
Q1,Q2 トランジスタ(差動トランジスタ対)
Q3,Q7 トランジスタ(主トランジスタ)
Q4,Q8 トランジスタ(副トランジスタ)
Q9 トランジスタ(回路間トランジスタ)
Q11 トランジスタ(第1トランジスタ)
Q12 トランジスタ(第2トランジスタ)
Q13 トランジスタ(第3トランジスタ)
1-3 Photosensitive amplifier circuit 11 Correction current generation circuit 12 Current mirror circuit (first current mirror circuit)
13 Current mirror circuit (second current mirror circuit)
21 Correction current adjustment circuit (correction current adjustment means)
21a Variable voltage source (variable voltage generating means)
31 Current value adjustment circuit (current value adjustment means)
32 Current mirror circuit (third current mirror circuit)
111 Laser diode (laser light source)
112, 113 Light receiving IC for laser power monitor
CS1 to CS3 constant current source CS4 constant current source (first constant current circuit)
CS5 constant current source (second constant current circuit)
CS6, CS7 Current source CS8 Constant current source D1-D3 Diode PD1 Photodiode (light receiving element)
R3 to R5 Resistor R11 Variable resistor (first variable resistor)
R12 variable resistor (second variable resistor)
R13 Variable resistor (third variable resistor)
Q1, Q2 transistors (differential transistor pair)
Q3, Q7 transistor (main transistor)
Q4, Q8 transistors (sub-transistors)
Q9 Transistor (transistor between circuits)
Q11 transistor (first transistor)
Q12 transistor (second transistor)
Q13 Transistor (third transistor)

Claims (12)

差動トランジスタ対および該差動トランジスタ対の能動負荷となる第1カレントミラー回路を有し、受光素子の出力電流に応じた電圧を出力する差動増幅回路を含む受光アンプ回路において、
前記第1カレントミラー回路を構成するトランジスタ対のベース電流の和にて表される前記差動トランジスタ対に流れる電流の差から、前記トランジスタ対のベース電流の和と同一値、同一温度特性および同一バラツキを有する補正電流を減じる補正手段を備え
前記補正手段は、前記第1カレントミラー回路と同一構成をなす第2カレントミラー回路と、該第2カレントミラー回路の主トランジスタのコレクタ電流と主および副トランジスタのベース電流とを引き抜く第1定電流回路と、前記第2のカレントミラー回路の副トランジスタのコレクタ電流を引き抜くとともに、第1カレントミラー回路の主トランジスタのコレクタ電流および両トランジスタのベース電流から前記補正電流を引き抜く第2定電流回路とを有していることを特徴とする受光アンプ回路。
In a light receiving amplifier circuit including a differential amplifier pair and a differential amplifier circuit that has a first current mirror circuit serving as an active load of the differential transistor pair and outputs a voltage corresponding to the output current of the light receiving element.
From the difference between the currents flowing through the differential transistor pair represented by the sum of the base currents of the transistor pairs constituting the first current mirror circuit, the same value, the same temperature characteristics and the same as the sum of the base currents of the transistor pairs A correction means for reducing the correction current having variation is provided ,
The correcting means includes a second current mirror circuit having the same configuration as the first current mirror circuit, and a first constant current for extracting a collector current of a main transistor and base currents of a main transistor and a sub transistor of the second current mirror circuit. And a second constant current circuit that extracts the collector current of the sub-transistor of the second current mirror circuit and extracts the correction current from the collector current of the main transistor of the first current mirror circuit and the base current of both transistors. receiving amplifier circuit, characterized in that it has.
前記差動増幅回路と前記補正手段との間に設けられ、前記補正電流を調整する補正電流調整手段を備えていることを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。 Wherein provided between the differential amplifier circuit and the correcting means, the light receiving amplifier circuit according to claim 1, characterized in that it comprises a correction current adjusting means for adjusting the correction current. 前記補正電流調整手段は、前記第2定電流回路と前記第2カレントミラー回路の副トランジスタとの接続点の電圧を可変にすることにより前記補正電流を調整することを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。 The correction current adjusting means to claim 2, characterized by adjusting the correction current by the voltage at the node between the secondary transistor of the second constant current circuit and the second current mirror circuit to the variable The light receiving amplifier circuit described. 前記補正電流調整手段は、前記第2定電流回路と前記第2カレントミラー回路の副トランジスタとの接続点および前記第1カレントミラー回路の前記補正電流を引き抜く点の間に接続された回路間トランジスタを有しており、該回路間トランジスタのベース電圧を可変にすることにより、前記接続点電圧を可変にすることを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。 The correction current adjusting means includes an inter-circuit transistor connected between a connection point between the second constant current circuit and a sub-transistor of the second current mirror circuit and a point at which the correction current of the first current mirror circuit is drawn. The light receiving amplifier circuit according to claim 3 , wherein the connection point voltage is made variable by changing a base voltage of the inter-circuit transistor. 前記補正電流調整手段は、前記回路間トランジスタに可変のベース電圧を与える可変電圧発生手段を有していることを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。 5. The light receiving amplifier circuit according to claim 4 , wherein the correction current adjusting means includes variable voltage generating means for applying a variable base voltage to the inter-circuit transistor. 前記可変電圧発生手段は可変電圧源であることを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。 6. The light receiving amplifier circuit according to claim 5 , wherein the variable voltage generating means is a variable voltage source. 前記可変電圧発生手段は、接続数が可変の直列接続された複数のダイオードと、該ダイオードに電流を流す電流源とを有していることを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。 6. The light receiving amplifier circuit according to claim 5 , wherein the variable voltage generating means includes a plurality of diodes connected in series with a variable number of connections, and a current source for supplying a current to the diodes. 前記可変電圧発生手段は、接続数が可変の直列接続された複数の抵抗と、該抵抗に電流を流す電流源とを有していることを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。 6. The light receiving amplifier circuit according to claim 5 , wherein the variable voltage generating means includes a plurality of series-connected resistors having a variable number of connections, and a current source for supplying a current to the resistors. 前記補正手段は、前記第1定電流回路の電流値と前記第2定電流回路の電流値とを調整する電流値調整手段を備えていることを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。 It said correcting means, the light receiving amplifier circuit according to claim 1, characterized in that it comprises a current value adjustment means for adjusting the current value of the current value and the second constant current circuit of the first constant current circuit . 前記電流値調整手段は、ダイオード接続された第1トランジスタと、該第1トランジスタのエミッタ抵抗を可変にする第1可変抵抗と、前記第1トランジスタに電流を流す定電流源とを有し、
前記第1定電流回路は、前記第1トランジスタとベースが共通接続された第2トランジスタと、該第2トランジスタのエミッタ抵抗を可変にする第2可変抵抗とを有し、
前記第2定電流回路は、前記第1トランジスタとベースが共通接続された第3トランジスタと、該第3トランジスタのエミッタ抵抗を可変にする第3可変抵抗とを有していることを特徴とする請求項に記載の受光アンプ回路。
The current value adjusting means includes a diode-connected first transistor, a first variable resistor that makes the emitter resistance of the first transistor variable, and a constant current source that supplies current to the first transistor,
The first constant current circuit includes a second transistor having a base commonly connected to the first transistor, and a second variable resistor that makes the emitter resistance of the second transistor variable,
The second constant current circuit includes a third transistor having a base commonly connected to the first transistor, and a third variable resistor that makes the emitter resistance of the third transistor variable. The light receiving amplifier circuit according to claim 9 .
請求項1ないし10のいずれか1項に記載の受光アンプ回路を備えていることを特徴とする光ピックアップ。 Claims 1 to an optical pickup, characterized in that a light receiving amplifier circuit according to any one of 10. 前記受光アンプ回路は、レーザ光源から出射されるレーザビームの光量を検出するために用いられることを特徴とする請求項11に記載の光ピックアップ。 The optical pickup according to claim 11 , wherein the light receiving amplifier circuit is used for detecting a light amount of a laser beam emitted from a laser light source.
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