JP4639657B2 - Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は色素増感太陽電池などに用いるのに適した光電変換素子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion element suitable for use in a dye-sensitized solar cell and a method for producing the photoelectric conversion element.

1991年にグレッツェルらが提唱した色素増感太陽電池は、シリコン半導体のpn接合とは異なる機構により作動し、高い変換効率を示して注目を浴びてきた。色素増感太陽電池は、光を捕集した色素が生成する励起電子を半導体内に注入することで光電変換を実現している。従って、光捕集力を高めるために増感色素を半導体に多量に担持させること、さらに増感色素からできるだけ早く半導体へ電子を注入させることが重要である。グレッツェル・セルとも言われるこの新しい色素増感太陽電池は、超微粒子の酸化チタンからなる多孔質膜に増感色素であるルテニウム錯体を担持させることで、この課題を解決している(例えば、非特許文献1参照。)。   The dye-sensitized solar cell proposed by Gretzell et al. In 1991 has been attracting attention because it operates by a mechanism different from that of a silicon semiconductor pn junction and exhibits high conversion efficiency. The dye-sensitized solar cell realizes photoelectric conversion by injecting excited electrons generated by a dye that collects light into a semiconductor. Therefore, it is important to support a large amount of a sensitizing dye on a semiconductor in order to increase the light collecting ability, and to inject electrons from the sensitizing dye into the semiconductor as soon as possible. This new dye-sensitized solar cell, also referred to as a Gretzel cell, solves this problem by supporting a ruthenium complex, which is a sensitizing dye, on a porous film made of ultrafine titanium oxide (for example, non-particles). (See Patent Document 1).

このグレッツェル・セルは、酸化チタンの超微粒子を分散したペーストを透明電極に塗布して増感色素を担持させ、対電極との間に電解質を充填するだけで組み立てることができる。従って、従来の太陽電池と比べて、簡便な装置で製造が可能であり、次世代太陽電池の一つとして注目されている。   The Gretzel cell can be assembled by simply applying a paste in which ultrafine particles of titanium oxide are dispersed to a transparent electrode to carry a sensitizing dye and filling an electrolyte between the counter electrode. Therefore, compared with the conventional solar cell, it can be manufactured with a simple device, and is attracting attention as one of the next generation solar cells.

一対の電極基板を備えたセルに電解質を充填する製造方法は、セルの一辺に形成した開口部から液晶材料を注入する液晶表示装置の製造方法と類似している(例えば、特許文献1参照。)。このような公知の技術を応用してセルの開口部から電解質を充填する場合、単に両電極間に電解質を保持するだけではなく、物理的及び化学的な刺激をセルに加えても、電解質がセルから漏洩しないような封止技術を確立することが、色素増感太陽電池の長期信頼性及び安全性を確保するために必須である。   A manufacturing method of filling a cell including a pair of electrode substrates with an electrolyte is similar to a manufacturing method of a liquid crystal display device in which a liquid crystal material is injected from an opening formed on one side of the cell (see, for example, Patent Document 1). ). When the electrolyte is filled from the opening of the cell by applying such a known technique, the electrolyte does not simply hold the electrolyte between both electrodes, but is applied to the cell by applying physical and chemical stimuli. Establishing a sealing technique that does not leak from the cell is essential to ensure long-term reliability and safety of the dye-sensitized solar cell.

従来の封止技術に関する湿式太陽電池の製造方法では、セルに開口又は孔を形成する工程と、この開口又は孔から電解液を注入する工程と、この開口又は孔を封止する工程を有する製造方法が知られている(例えば、特許文献2参照。)。   In a conventional method for manufacturing a wet solar cell related to a sealing technique, a manufacturing method includes a step of forming an opening or a hole in a cell, a step of injecting an electrolyte from the opening or the hole, and a step of sealing the opening or the hole. A method is known (for example, refer to Patent Document 2).

また、上記開口又は孔(注入口)は電極基板部分に配設され、この注入口をポリイソブチレン系樹脂で封止することが知られている(例えば、特許文献3参照。)。   Further, it is known that the opening or hole (injection port) is disposed in the electrode substrate portion, and the injection port is sealed with a polyisobutylene resin (see, for example, Patent Document 3).

一方、一対の電極基板を備えたセルに電解液を含ませた状態で電解液を封止する場合、封止材の樹脂を厚く塗布して硬化させても、電解液の溶媒であるアセトニトリルなどが樹脂を溶かしてしまうため、長期間安定に封止することが困難であった。これを解決するために、ガラスやプラスチックなどを樹脂とともに封止用固形物として封止部に固定することで、電解液をセル内部に長期間安定して封入する方法が提案されている(例えば、特許文献4参照。)。   On the other hand, when sealing the electrolytic solution in a state where the electrolytic solution is contained in a cell having a pair of electrode substrates, acetonitrile or the like as a solvent of the electrolytic solution is used even if the sealing resin is thickly applied and cured. However, since it melts the resin, it was difficult to stably seal for a long time. In order to solve this, there has been proposed a method of stably encapsulating an electrolyte in a cell for a long period of time by fixing glass or plastic together with a resin as a solid for sealing in a sealing portion (for example, , See Patent Document 4).

また、色素増感太陽電池の本体内に封止されている電解液を完全に封止することが非常に難しいとの立場から、セルに開閉可能な液体の出し入れ口を少なくとも2ヶ所設けて、この出し入れ口から電解液貯蔵部に蓄えられた電解液を補充し、セルの長期信頼性を得る方法が提案されている(例えば、特許文献5参照。)。   In addition, from the standpoint that it is very difficult to completely seal the electrolyte solution sealed in the main body of the dye-sensitized solar cell, the cell is provided with at least two liquid outlets that can be opened and closed. A method has been proposed in which the electrolytic solution stored in the electrolytic solution storage unit is replenished from the inlet / outlet to obtain long-term reliability of the cell (for example, see Patent Document 5).

また、色素増感太陽電池の封止材の形成において、既に公知のエポキシ樹脂やシリコンゴムを用いるよりも、ガラス転移温度が80℃以上の樹脂組成物及び/又は耐溶剤性樹脂組成物を必須としてなる硬化型樹脂、或いは、芳香族環を有する樹脂を必須としてなる硬化型樹脂を使用する方が、電解質の漏洩を充分に防止できることが知られている(例えば、特許文献6参照。)。   Further, in the formation of a sealing material for a dye-sensitized solar cell, a resin composition having a glass transition temperature of 80 ° C. or higher and / or a solvent-resistant resin composition is essential rather than using a known epoxy resin or silicon rubber. It is known that leakage of the electrolyte can be sufficiently prevented by using a curable resin obtained as follows or a curable resin essentially comprising a resin having an aromatic ring (see, for example, Patent Document 6).

さらに、太陽電池セルから太陽電池モジュールを作製する目的で、2液混合硬化型樹脂により太陽電池セルの集合体の周囲を被覆することで、セルに機械的、熱的な負荷を与えずにセルの性能を損なうことなく、耐久性の高いシールを得る方法が提案されている(例えば、特許文献7参照。)。
グレッツェル(Gratzel)、外1名、「ネイチャー(Nature)」、(英国)、1991年10月24日、第353巻、p.737−740 特開平7−234412号公報 特開2000−30767号公報 特開2002−313443号公報(図1) 特開2000−173680号公報 特開2002−280085号公報 特開2003−223939号公報 特開2003−86822号公報
Furthermore, for the purpose of producing a solar cell module from solar cells, the periphery of the assembly of solar cells is covered with a two-component mixed curable resin, so that the cell is not subjected to mechanical or thermal load. There has been proposed a method for obtaining a highly durable seal without impairing the performance of (see, for example, Patent Document 7).
Gratzel, 1 other, “Nature” (UK), Oct. 24, 1991, volume 353, p. 737-740 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-234412 JP 2000-30767 A JP 2002-31443 A (FIG. 1) JP 2000-173680 A JP 2002-280085 A JP 2003-223939 A JP 2003-86822 A

色素増感太陽電池の製造方法において、液晶表示装置の製造方法を転用するだけでは、セル内に電解質を充填し、且つ長期に渡って漏洩を防止することは困難である。なぜならば、長期に渡りセルからの電解質の漏洩を防止するためには、封止部と電極支持体との接触界面が電解質に対して物理的及び化学的に充分な封止強度を有していることが必須であるからである。即ち、上記接触界面で充分な封止強度を得るためには、封止部に用いられる封止材を電極支持体に強固に接着又は融着、粘着させる必要がある。しかし、封止材に樹脂を使用する場合、樹脂が電極支持体に接着する過程で上記接触界面に電解質が存在していた場合、電解質の組成分による接着阻害を引き起こし、充分な封止強度を得ることができないおそれがある。例えば、電解質溶媒による樹脂の溶解や、電解物質の酸化還元対であるヨウ素による樹脂の硬化阻害などの懸念がある。   In the method for producing a dye-sensitized solar cell, it is difficult to fill the cell with an electrolyte and prevent leakage for a long period only by diverting the method for producing a liquid crystal display device. This is because the contact interface between the sealing portion and the electrode support has a sufficient physical and chemical sealing strength against the electrolyte in order to prevent electrolyte leakage from the cell over a long period of time. Because it is essential. That is, in order to obtain a sufficient sealing strength at the contact interface, it is necessary to firmly adhere, fuse, or stick the sealing material used for the sealing portion to the electrode support. However, when a resin is used as the sealing material, if an electrolyte is present at the contact interface in the process where the resin adheres to the electrode support, it causes adhesion inhibition due to the composition of the electrolyte, and sufficient sealing strength is achieved. There is a possibility that it cannot be obtained. For example, there are concerns such as dissolution of a resin by an electrolyte solvent and inhibition of resin curing by iodine which is a redox couple of an electrolytic substance.

従って、従来の電解質の封止方法は、特許文献2に記載のように、予め電解質をセルに充填するための孔を形成し、この孔以外の封止部を封止材で形成して充分な接着強度を確保した上で電解質を上記孔から充填し、最後に上記孔を封止する方法が採られている。この予め封止部を形成する封止材はメインシール材と呼ばれ、上記孔を封止する封止材はエンドシール材と呼ばれている。この封止方法ではメインシール材による充分な強度の封止が得られるが、エンドシール材による封止は上記孔近傍に存在する電解質の組成分による接着阻害で充分な封止強度を得ることができないおそれがある。従って、色素増感太陽電池を構成する封止部と電極支持体との接触界面の封止強度が充分であることが封止技術の要諦であり、特許文献3に記載のように、単に、電解質を注入する注入口を封止するエンドシール材に電解質に対する耐久性が高いポリイソブチレン系樹脂を使用したとしても、ポリイソブチレン系樹脂の硬化過程で電解質の組成分による硬化阻害のおそれがあり、上記硬化阻害に配慮した上記注入口の配設位置と封止方法を検討しなければ、封止材の最大の封止能力を発現することができず、長期信頼性を実現することが難しい。   Therefore, as described in Patent Document 2, the conventional method for sealing an electrolyte is sufficiently formed by previously forming a hole for filling the cell with the electrolyte and forming a sealing portion other than the hole with a sealing material. A method is adopted in which an electrolyte is filled from the hole after ensuring a sufficient adhesive strength, and finally the hole is sealed. The sealing material that forms the sealing portion in advance is called a main sealing material, and the sealing material that seals the hole is called an end sealing material. In this sealing method, a sufficient sealing strength can be obtained with the main sealing material. However, the sealing with the end sealing material can provide a sufficient sealing strength by inhibiting adhesion due to the composition of the electrolyte existing in the vicinity of the hole. It may not be possible. Therefore, it is the gist of the sealing technique that the sealing strength of the contact interface between the sealing part and the electrode support constituting the dye-sensitized solar cell is sufficient. As described in Patent Document 3, Even if a polyisobutylene resin with high durability against the electrolyte is used as an end seal material that seals the inlet for injecting the electrolyte, there is a risk of curing inhibition due to the composition of the electrolyte in the curing process of the polyisobutylene resin, Unless the placement position of the inlet and the sealing method in consideration of the inhibition of curing are not studied, the maximum sealing ability of the sealing material cannot be expressed, and it is difficult to realize long-term reliability.

また、特許文献4に記載のように、セル内に電解液を含ませた状態で電解液を封止しようとした場合、たとえ封止部の一部に封止用固形物を設置したとしても、上記接触界面で封止材樹脂と電解液が接触するので、樹脂の接着強度は従前の封止方法と同等の効果しか得られないおそれがある。   In addition, as described in Patent Document 4, when the electrolyte is sealed in a state where the electrolyte is contained in the cell, even if a sealing solid is installed in a part of the sealing portion. Since the sealing material resin and the electrolytic solution are in contact with each other at the contact interface, there is a possibility that the adhesive strength of the resin can only obtain the same effect as the conventional sealing method.

一方、特許文献5に記載のように、開閉可能な液体成分の出し入れ口を設けるセル構造は、エンドシール材による封止の困難さを回避する方法であるが、エンドシール材による封止自体の問題をなんら解決していない。   On the other hand, as described in Patent Document 5, the cell structure in which the opening / closing opening of the liquid component that can be opened and closed is a method that avoids the difficulty of sealing with the end seal material, It has not solved any problems.

また、特許文献6に記載のように、電解質に使用される溶剤に対して耐性のある硬化型樹脂が提供されるとしても、その耐溶剤性とは前駆樹脂を硬化させて得られた樹脂についての特性であり、上記硬化型樹脂をエンドシール材に適用する場合、上記前駆樹脂を硬化させる工程で、電解質の組成分が接着阻害因子となり、上記硬化型樹脂が充分な封止強度を有するに至らないおそれがある。   In addition, as described in Patent Document 6, even if a curable resin that is resistant to the solvent used in the electrolyte is provided, the solvent resistance is a resin obtained by curing the precursor resin. When the curable resin is applied to an end seal material, the composition of the electrolyte becomes an adhesion inhibiting factor in the step of curing the precursor resin, and the curable resin has sufficient sealing strength. May not reach.

さらに、色素増感太陽電池のモジュールの耐久性は、少なくとも、モジュールを構成する個々のセルの耐久性を集合させたものであり、特許文献7に記載のように、太陽電池セルの集合体の周囲に2液混合型硬化型樹脂を充填させる方法で長期の耐久性を得るためには、その前提として個々のセルが長期の耐久性を有している必要がある。しかし、特許文献7には色素増感太陽電池の個々のセルに電解質を充填し、封止する方法が記載されておらず、長期保存時において、個々のセルからの電解質漏洩の問題が解決されていない。   Furthermore, the durability of the module of the dye-sensitized solar cell is a collection of at least the durability of the individual cells constituting the module, and as described in Patent Document 7, In order to obtain long-term durability by a method of filling a two-component mixed curable resin around the periphery, it is necessary for each cell to have long-term durability. However, Patent Document 7 does not describe a method of filling and sealing individual cells of a dye-sensitized solar cell, and solves the problem of electrolyte leakage from individual cells during long-term storage. Not.

そこで、本発明は上記問題を解決するため、長期間電解質をセル内部に保存でき、安全性及び高耐久性を有する光電変換素子及びその製造方法を提供するものである。   Therefore, in order to solve the above problems, the present invention provides a photoelectric conversion element that can store an electrolyte in a cell for a long period of time, has safety and high durability, and a method for manufacturing the photoelectric conversion element.

本発明は、色素を担持した半導体層を有する第1の電極を備えた第1の基板と、前記第1の電極の半導体層と対峙する第2の電極を備えた第2の基板とを、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電解質を保持した状態で対向させてなる光電変換素子であって、前記電解質を前記第1の電極と前記第2の電極との間に保持するための封止部が、前記電解質の周囲に形成され、前記封止部は、封止材で封止された電解質注入部を備えている光電変換素子を提供する。   The present invention includes a first substrate having a first electrode having a semiconductor layer carrying a dye, and a second substrate having a second electrode facing the semiconductor layer of the first electrode. A photoelectric conversion element that is opposed to each other while holding an electrolyte between the first electrode and the second electrode, wherein the electrolyte is interposed between the first electrode and the second electrode. A sealing part for holding is formed around the electrolyte, and the sealing part provides a photoelectric conversion element including an electrolyte injection part sealed with a sealing material.

また、本発明は、(a)色素を担持した半導体層を有する第1の電極を形成してなる第1の基板と、第2の電極を形成してなる第2の基板とを、前記第1の電極の半導体層と前記第2の電極とが対峙するように対向させる工程と、(b)前記第1の基板と前記第2の基板とを封止材により接着して封止部を形成し、前記封止部の内側であって前記第1の電極と前記第2の電極との間に電解質保持部を形成し、かつ、前記封止部に電解質注入部を形成する工程と、(c)前記電解質注入部から、前記電解質保持部に電解質を注入する工程と、(d)前記電解質注入部を封止する工程とを含む光電変換素子の製造方法を提供する。   The present invention also provides (a) a first substrate formed with a first electrode having a semiconductor layer carrying a dye, and a second substrate formed with a second electrode. A step of making the semiconductor layer of one electrode and the second electrode face each other, and (b) bonding the first substrate and the second substrate with a sealing material to form a sealing portion Forming an electrolyte holding portion inside the sealing portion and between the first electrode and the second electrode, and forming an electrolyte injection portion in the sealing portion; (C) A method for manufacturing a photoelectric conversion element including a step of injecting an electrolyte from the electrolyte injection portion into the electrolyte holding portion and (d) a step of sealing the electrolyte injection portion is provided.

本発明は、高い電解質保持特性と発電特性とを有し、長期間電解質をセル内部に保持でき、安全性及び高耐久性を有する光電変換素子及びその製造方法を提供できる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can provide a photoelectric conversion element that has high electrolyte holding characteristics and power generation characteristics, can hold the electrolyte inside the cell for a long period of time, has safety and high durability, and a method for manufacturing the photoelectric conversion element.

<光電変換素子の実施の形態>
本発明者らは鋭意検討を行った結果、色素増感太陽電池を構成する一対の電極支持体間に保持された電解質の漏洩を防止し、長期耐久性を実現させるためには、封止部と電極支持体との接触界面の封止強度が充分であることが必須であり、特に、エンドシール材と電極支持体との接触界面における封止強度が充分であることが重要であることを見出した。さらに、電極支持体を穿孔して電解質注入部を配設した場合、高温貯蔵試験後のセルにおいて、電極支持体の穿孔部分を封止したエンドシール材のみが劣化し、メインシール材が何ら劣化しない現象を確認した。この現象が、電極支持体を構成する材料がガラスよりも樹脂フィルムの場合により顕著に確認されたことから、高温環境下でセルの内圧が上昇して電極支持体の穿孔部分に集中的に力学的ストレスがかかり、エンドシール材と電極支持体との接触界面に電解質の組成分が浸入し、そのためにエンドシール材が劣化したと考えた。そこで本発明者らは、電解質注入部が電極支持体に存在しないセル構造であれば、エンドシール材で電解質注入部を充分な封止強度で封止できることを見出し、上記問題を解決した。
<Embodiment of photoelectric conversion element>
As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have been able to prevent leakage of the electrolyte held between the pair of electrode supports constituting the dye-sensitized solar cell and realize long-term durability. It is essential that the sealing strength at the contact interface between the electrode support and the electrode support is sufficient. In particular, it is important that the sealing strength at the contact interface between the end seal material and the electrode support is sufficient. I found it. Furthermore, when the electrolyte support is provided by drilling the electrode support, only the end seal material that sealed the perforated part of the electrode support deteriorates in the cell after the high-temperature storage test, and the main seal material deteriorates at all. The phenomenon which does not do was confirmed. This phenomenon was confirmed more conspicuously when the material constituting the electrode support was a resin film rather than glass, so that the internal pressure of the cell increased in a high-temperature environment and concentrated mechanically in the perforated part of the electrode support. It was considered that the composition of the electrolyte entered the contact interface between the end seal material and the electrode support, and that the end seal material was deteriorated. Accordingly, the present inventors have found that the electrolyte injection part can be sealed with sufficient sealing strength with an end seal material if the cell structure has no electrolyte injection part on the electrode support.

即ち、本発明の光電変換素子の一例は、色素を担持した半導体層を有する第1の電極を備えた第1の基板と、上記第1の電極の半導体層と対峙する第2の電極を備えた第2の基板とを、上記第1の電極と上記第2の電極との間に電解質を保持した状態で対向させてなる光電変換素子である。また、上記電解質を上記第1の電極と上記第2の電極との間に保持するための封止部が、上記電解質の周囲に形成され、上記封止部は、封止材で封止された電解質注入部を備えている。さらに、上記封止部は、上記第1の電極と上記第2の電極との間に形成することができる。   That is, an example of the photoelectric conversion element of the present invention includes a first substrate provided with a first electrode having a semiconductor layer carrying a dye, and a second electrode facing the semiconductor layer of the first electrode. The second substrate is a photoelectric conversion element that is opposed to the first electrode and the second electrode while holding the electrolyte. In addition, a sealing portion for holding the electrolyte between the first electrode and the second electrode is formed around the electrolyte, and the sealing portion is sealed with a sealing material. An electrolyte injection part. Furthermore, the sealing portion can be formed between the first electrode and the second electrode.

上記電解質注入部を封止するための封止材(エンドシール材)としては、硬化型タイプの接着材であると、硬化過程で電解質の組成分による硬化阻害のおそれがあるため、ホットメルト樹脂が好ましい。また、ホットメルト樹脂の融着時間は硬化型タイプの硬化時間に比較して短時間であるため、電解質の組成分による封止阻害の影響を受けにくい利点がある。   As a sealing material (end seal material) for sealing the electrolyte injection part, if it is a curable adhesive, there is a risk of curing inhibition due to the composition of the electrolyte during the curing process. Is preferred. In addition, since the fusion time of the hot-melt resin is shorter than the curing time of the curable type, there is an advantage that the hot-melt resin is not easily affected by sealing inhibition due to the composition of the electrolyte.

また、上記ホットメルト樹脂の融点の温度範囲は、60℃以上200℃以下であると、ホットメルト樹脂が電極支持体に強固に融着して十分な封止強度が得られるので好ましい。   The temperature range of the melting point of the hot melt resin is preferably 60 ° C. or more and 200 ° C. or less because the hot melt resin is firmly fused to the electrode support and sufficient sealing strength is obtained.

さらに、上記電解質注入部以外を封止するための封止材(メインシール材)は、封止材の接着及び融着、粘着強度が充分に達成された後に電解質と接触するので、電解質の組成分による封止阻害のおそれが少ない。従って、メインシール材としては、必ずしもホットメルト樹脂を用いる必要はないが、ホットメルト樹脂を用いてもよい。   Further, the sealing material (main sealing material) for sealing other than the electrolyte injection part comes into contact with the electrolyte after the sealing material is sufficiently bonded and fused and the adhesive strength is sufficiently achieved. There is little risk of hindering sealing by minutes. Therefore, it is not always necessary to use hot melt resin as the main seal material, but hot melt resin may be used.

<光電変換素子の製造方法の実施の形態>
本発明の光電変換素子の製造方法の一例は、(a)色素を担持した半導体層を有する第1の電極を形成してなる第1の基板と、第2の電極を形成してなる第2の基板とを、上記第1の電極の半導体層と上記第2の電極とが対峙するように対向させる工程と、(b)上記第1の基板と上記第2の基板とを封止材により接着して封止部を形成し、上記封止部の内側であって上記第1の電極と上記第2の電極との間に電解質保持部を形成し、かつ、上記封止部に電解質注入部を形成する工程と、(c)上記電解質注入部から、上記電解質保持部に電解質を注入する工程と、(d)上記電解質注入部を封止する工程とを含むものである。また、上記工程(b)において、上記第1の基板の上記第1の電極と、上記第2の基板の上記第2の電極との間に封止部を形成することができる。
<Embodiment of manufacturing method of photoelectric conversion element>
An example of the method for producing a photoelectric conversion element of the present invention includes (a) a first substrate formed with a first electrode having a semiconductor layer carrying a dye, and a second substrate formed with a second electrode. And (b) the first substrate and the second substrate with a sealing material, the step of making the substrate opposite to each other so that the semiconductor layer of the first electrode and the second electrode face each other A sealing part is formed by bonding, an electrolyte holding part is formed between the first electrode and the second electrode inside the sealing part, and an electrolyte is injected into the sealing part A step of forming a portion, (c) a step of injecting an electrolyte from the electrolyte injection portion into the electrolyte holding portion, and (d) a step of sealing the electrolyte injection portion. In the step (b), a sealing portion can be formed between the first electrode of the first substrate and the second electrode of the second substrate.

上記工程(d)において、上記電解質注入部をホットメルト樹脂(エンドシール材)を用いて封止し、さらに上記電解質注入部を加熱することでホットメルト樹脂と電極支持体とを強固に融着させるとともに、さらに加圧を加えることでホットメルト樹脂を積極的に電極支持体に密着させて、より一層の封止強度を得ることができる。上記加熱と上記加圧とは、同時に行われることが好ましい。   In the step (d), the electrolyte injection portion is sealed with a hot melt resin (end seal material), and the electrolyte injection portion is further heated to firmly bond the hot melt resin and the electrode support. In addition, by applying further pressure, the hot-melt resin can be actively brought into close contact with the electrode support to obtain a further sealing strength. The heating and the pressurization are preferably performed simultaneously.

また、上記ホットメルト樹脂の融点は、60℃以上200℃以下であることが好ましい。さらに、上記加熱の温度は、60℃以上250℃以下が好ましく、上記加圧の圧力は、0.3MPa以上2.0MPa以下が好ましい。   Moreover, it is preferable that melting | fusing point of the said hot-melt resin is 60 degreeC or more and 200 degrees C or less. Furthermore, the heating temperature is preferably 60 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, and the pressurizing pressure is preferably 0.3 MPa or higher and 2.0 MPa or lower.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。図1は、本発明の光電変換素子の一例を示す概要断面図である。また、図2は、図1のI−I線の断面図である。図1、図2に示すように、本実施形態の光電変換素子1は、透明支持体2の一方の表面に形成された透明電極3(第1の電極)を有する。透明電極3の一方の表面には色素を担持した半導体層4が形成されている。透明支持体2、透明電極3及び半導体層4が一体となって基板(第1の基板)を構成している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the photoelectric conversion element of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the photoelectric conversion element 1 of this embodiment has a transparent electrode 3 (first electrode) formed on one surface of a transparent support 2. A semiconductor layer 4 carrying a pigment is formed on one surface of the transparent electrode 3. The transparent support 2, the transparent electrode 3, and the semiconductor layer 4 are integrated to form a substrate (first substrate).

また、この色素を担持した半導体層4に対峙して対電極7(第2の電極)が存在する。対電極7は別の支持体8の一方の表面に形成されている。対電極7及び支持体8が一体となって基板(第2の基板)を構成している。   Further, a counter electrode 7 (second electrode) is present opposite to the semiconductor layer 4 carrying the dye. The counter electrode 7 is formed on one surface of another support 8. The counter electrode 7 and the support 8 are integrated to form a substrate (second substrate).

半導体層4と対電極7との間には電解質層6aが存在する。また、メインシール材5とホットメルト樹脂からなるエンドシール材11とが、電解質層6aを半導体層4と対電極7との間に保持するように配置されている。メインシール材5とエンドシール材11により光電変換素子1の枠状の封止部が構成されている。なお、支持体8は、光透過性の素材で形成してもよく、光透過性を有しない素材で形成してもよい。また、9は入射光である。   An electrolyte layer 6 a exists between the semiconductor layer 4 and the counter electrode 7. A main seal material 5 and an end seal material 11 made of hot melt resin are arranged so as to hold the electrolyte layer 6 a between the semiconductor layer 4 and the counter electrode 7. The main sealing material 5 and the end sealing material 11 constitute a frame-shaped sealing portion of the photoelectric conversion element 1. In addition, the support body 8 may be formed with a light-transmitting material, or may be formed with a material that does not have light-transmitting properties. Reference numeral 9 denotes incident light.

図1から明らかなように、本実施形態の光電変換素子1は、少なくとも透明電極3及び対電極7には電解質注入部が形成されていない。   As is clear from FIG. 1, in the photoelectric conversion element 1 of this embodiment, the electrolyte injection part is not formed at least on the transparent electrode 3 and the counter electrode 7.

図3〜図6は、図1に示した光電変換素子の製造方法の一例を示す概要断面図である。本実施形態の製造方法は、先ず、色素を担持した半導体層4が被着された透明電極3を表面に備えた透明支持体2と、対電極7を表面に備えた支持体8と、コの字状のメインシール材5と、矩形状のエンドシール材11(ホットメルト樹脂)と、電解質注入部を形成するための離型性樹脂シート12とを準備する。次に、図3に示すように、透明支持体2と支持体8とをメインシール材5、エンドシール材11及び離型性樹脂シート12を介して積層し、透明電極3の半導体層4と対電極7とを対峙させる。   3 to 6 are schematic cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the photoelectric conversion element shown in FIG. In the manufacturing method of the present embodiment, first, a transparent support 2 having a transparent electrode 3 on which a semiconductor layer 4 carrying a pigment is deposited, a support 8 having a counter electrode 7 on the surface, A main seal material 5 having a square shape, a rectangular end seal material 11 (hot melt resin), and a releasable resin sheet 12 for forming an electrolyte injection portion are prepared. Next, as shown in FIG. 3, the transparent support 2 and the support 8 are laminated via the main seal material 5, the end seal material 11 and the releasable resin sheet 12, and the semiconductor layer 4 of the transparent electrode 3 The counter electrode 7 is opposed.

続いて、透明支持体2と支持体8の両側から加熱しながら加圧することにより、メインシール材5とエンドシール材11とを透明電極3と対電極7とに接着する。これにより、透明電極3の半導体層4と対電極7との間に電解質保持部6bが形成される。但し、この状態では、離型性樹脂シート12を配置した部分(電解質注入部となる部分)においては、エンドシール材11と対電極7とは接着していない。   Subsequently, the main seal material 5 and the end seal material 11 are bonded to the transparent electrode 3 and the counter electrode 7 by applying pressure while heating from both sides of the transparent support 2 and the support 8. Thereby, the electrolyte holding part 6 b is formed between the semiconductor layer 4 of the transparent electrode 3 and the counter electrode 7. However, in this state, the end seal material 11 and the counter electrode 7 are not bonded to each other in the portion where the releasable resin sheet 12 is disposed (the portion serving as the electrolyte injection portion).

次に、図4、図5に示すように、離型性樹脂シート12を除去することにより、エンドシール材11と対電極7との間に電解質注入部10を形成する。なお、図5は、図4のII−II線の断面図である。続いて、電解質注入部10から電解質保持部6bに電解質を注入する。その後、透明支持体2と支持体8の両側から加熱しながら加圧して、電解質注入部10を押しつぶすことにより封止する。これにより、電解質注入部10はエンドシール材11により封止され、図1に示す本実施形態の光電変換素子1が完成する。   Next, as shown in FIGS. 4 and 5, by removing the releasable resin sheet 12, the electrolyte injection portion 10 is formed between the end seal material 11 and the counter electrode 7. 5 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. Subsequently, an electrolyte is injected from the electrolyte injection unit 10 into the electrolyte holding unit 6b. Then, it pressurizes, heating from both sides of the transparent support body 2 and the support body 8, and seals by crushing the electrolyte injection part 10. FIG. Thereby, the electrolyte injection part 10 is sealed by the end seal material 11, and the photoelectric conversion element 1 of this embodiment shown in FIG. 1 is completed.

電解質注入部10の形成位置は、図4、図5に示した対電極7とエンドシール材11の界面側に限らず、透明電極3とエンドシール材11の界面側に形成してもよい。さらに、電解質注入部10は、図6に示すようにエンドシール材11(ホットメルト樹脂)の中央部に形成するのがより好ましい。その理由は、ホットメルト樹脂は融着で被着体と固着するため、凝集剥離よりも界面剥離の方が起こりやすく、界面剥離の可能性を低減させるためである。電解質注入部10をエンドシール材11(ホットメルト樹脂)の中央部に形成するには、エンドシール材11を予め透明電極3及び対電極7にそれぞれ配置し、そのエンドシール材11の間に離型性樹脂シート12を配設することにより行うことができる。但し、その場合でも前述と同様に電解質注入部10付近のエンドシール11と、透明電極3及び対電極7とは接着していない。   The formation position of the electrolyte injection part 10 is not limited to the interface side between the counter electrode 7 and the end seal material 11 shown in FIGS. 4 and 5, but may be formed on the interface side between the transparent electrode 3 and the end seal material 11. Furthermore, the electrolyte injection part 10 is more preferably formed in the center part of the end seal material 11 (hot melt resin) as shown in FIG. The reason is that the hot melt resin adheres to the adherend by fusion bonding, so that interfacial peeling is more likely to occur than cohesive peeling, and the possibility of interfacial peeling is reduced. In order to form the electrolyte injection portion 10 at the center of the end seal material 11 (hot melt resin), the end seal material 11 is previously disposed on the transparent electrode 3 and the counter electrode 7, and is separated between the end seal materials 11. This can be done by disposing the moldable resin sheet 12. However, even in that case, the end seal 11 near the electrolyte injection portion 10, the transparent electrode 3, and the counter electrode 7 are not bonded in the same manner as described above.

図7〜図10は、本発明の光電変換素子の製造方法の他の一例を示す概要断面図である。本実施形態の製造方法は、先ず、色素を担持した半導体層4が被着された透明電極3を表面に備えた透明支持体2と、対電極7を表面に備えた支持体8とを準備する。次に、図7に示すように、透明電極3の上に液状のメインシール材5を枠状に塗布する。但し、電解質注入部形成予定部10’にはメインシール材5は塗布しない。続いて、図8、図9、図10に示すように、透明支持体2と支持体8とをメインシール材5を介して積層し、透明電極3の半導体層4と対電極7とを対峙させる。なお、図9は、図8のIII−III線の断面図であり、図10は、図8のIV−IV線の断面図である。   7 to 10 are schematic cross-sectional views illustrating another example of the method for producing a photoelectric conversion element of the present invention. In the manufacturing method of the present embodiment, first, a transparent support 2 provided on the surface with a transparent electrode 3 on which a semiconductor layer 4 carrying a dye is deposited, and a support 8 provided with a counter electrode 7 on the surface are prepared. To do. Next, as shown in FIG. 7, a liquid main seal material 5 is applied on the transparent electrode 3 in a frame shape. However, the main sealing material 5 is not applied to the electrolyte injection portion formation scheduled portion 10 ′. Subsequently, as shown in FIGS. 8, 9, and 10, the transparent support 2 and the support 8 are laminated via the main seal material 5, and the semiconductor layer 4 and the counter electrode 7 of the transparent electrode 3 are opposed to each other. Let 9 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.

続いて、透明支持体2と支持体8の両側から加熱しながら加圧することにより、メインシール材5を透明電極3と対電極7とに接着する。これにより、透明電極3の半導体層4と対電極7との間に電解質保持部6b(図9)と電解質注入部10(図10)とが形成される。但し、この状態では、電解質注入部10においては、メインシール材5は透明電極3及び対電極7に接着していない。   Subsequently, the main sealing material 5 is bonded to the transparent electrode 3 and the counter electrode 7 by applying pressure while heating from both sides of the transparent support 2 and the support 8. Thereby, the electrolyte holding part 6b (FIG. 9) and the electrolyte injection part 10 (FIG. 10) are formed between the semiconductor layer 4 and the counter electrode 7 of the transparent electrode 3. However, in this state, the main sealing material 5 is not bonded to the transparent electrode 3 and the counter electrode 7 in the electrolyte injection part 10.

次に、電解質注入部10から電解質保持部6bに電解質を注入する。その後、電解質注入部10に加熱溶融したエンドシール材11を充填することにより、電解質注入部10を封止する。この際、透明支持体2及び支持体8を加熱及び加圧してもよい。これにより、図11に示す本実施形態の光電変換素子1が完成する。   Next, an electrolyte is injected from the electrolyte injection unit 10 into the electrolyte holding unit 6b. Then, the electrolyte injection part 10 is sealed by filling the electrolyte injection part 10 with the end seal material 11 heated and melted. At this time, the transparent support 2 and the support 8 may be heated and pressurized. Thereby, the photoelectric conversion element 1 of this embodiment shown in FIG. 11 is completed.

メインシール材5を構成する基材物質としては、例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン、ブチルゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン・α−オレフィン共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタアクリル酸共重合体、低密度ポリエチレン、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイソブチレン系樹脂、アイオノマー樹脂のほか、ポリスチレン系、ポリオレフィン系、ポリジエン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、フッ素樹脂系、ポリアミド系のエラストマーなどを用いることができるが、それらの中でもシリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、ポリオレフィン、ポリイソブチレン系樹脂、ブチルゴム、フッ素樹脂系エラストマーなどが好ましい。また、電解質溶媒としてニトリル系溶媒、カーボネート系溶媒を使用する場合には、それらの溶媒と相溶性の低い、シリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、ポリイソブチレン系樹脂、ポリオレフィン、熱硬化性オレフィン樹脂などから構成されるホットメルト樹脂が好ましい。また、メインシール材5には、それらの耐候性を向上させるために、架橋剤、紫外線吸収剤などを適宜混合することができる。   Examples of the base material constituting the main seal material 5 include silicone resin, polyolefin, butyl rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene / α-olefin copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene- Ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, low density polyethylene, acrylic resin, silicone resin, polyisobutylene resin, ionomer resin, polystyrene, polyolefin -Based, polydiene-based, polyester-based, polyurethane-based, fluororesin-based, and polyamide-based elastomers can be used. Among them, silicone resin, ionomer resin, polyolefin, polyisobutylene-based resin, butyl rubber, fluororesin-based elastomer Chromatography and the like are preferable. In addition, when using a nitrile solvent or a carbonate solvent as an electrolyte solvent, it is composed of a silicone resin, an ionomer resin, a polyisobutylene resin, a polyolefin, a thermosetting olefin resin, or the like that has low compatibility with those solvents. A hot melt resin is preferred. Moreover, in order to improve the weather resistance, the main sealing material 5 can be appropriately mixed with a crosslinking agent, an ultraviolet absorber and the like.

さらに、メインシール材5には、対電極7と透明電極3との接着力を高めるためにシランカップリング剤やチタネートカップリング剤などを添加してもよい。また、あらかじめ対電極7及び透明電極3に、ウエット洗浄、ケミカル洗浄、プラズマ処理、オゾン処理、紫外線照射処理、超音波処理、表面研磨処理などを行い、その表面の洗浄や表面の活性化を行ってもよい。   Furthermore, a silane coupling agent or a titanate coupling agent may be added to the main sealing material 5 in order to increase the adhesive force between the counter electrode 7 and the transparent electrode 3. In addition, wet cleaning, chemical cleaning, plasma processing, ozone processing, ultraviolet irradiation processing, ultrasonic processing, surface polishing processing, etc. are performed on the counter electrode 7 and the transparent electrode 3 in advance to clean the surface and activate the surface. May be.

エンドシール材11はホットメルト樹脂からなり、その基材物質としては、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン・α−オレフィン共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタアクリル酸共重合体、低密度ポリエチレン、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、アイオノマー樹脂のほか、ポリスチレン系、ポリオレフィン系、ポリジエン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、フッ素樹脂系及びポリアミド系のエラストマーなどを使用することができ、それらの中から被着面の材質に応じて適宜選択して使用することができる。   The end seal material 11 is made of a hot melt resin, and examples of the base material include ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene / α-olefin copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid. Ethyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, low density polyethylene, acrylic resin, silicone resin, ionomer resin, polystyrene, polyolefin, polydiene, polyester Polyurethane-based, fluororesin-based, and polyamide-based elastomers can be used, and can be appropriately selected from these according to the material of the adherend surface.

また、メインシール材5及びエンドシール材11の形態としては、シート状、液状、ゲル状などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Moreover, as a form of the main sealing material 5 and the end sealing material 11, a sheet form, a liquid form, a gel form etc. are mentioned, However, It is not limited to these.

メインシール材5にホットメルト樹脂を使用した場合、本実施形態の光電変換素子の封止部がホットメルト樹脂のみで構成されるので、電極支持体間にメインシール材5とエンドシール材11を別々に配置する必要がない。このため製造工程の簡略化を促進することができる。例えば、封止部の構造をパターニングしたトムソン刃などでシート状のホットメルト樹脂を連続的に打ち抜いて、大量に封止部材を生産することができる。   When a hot melt resin is used for the main seal material 5, the sealing portion of the photoelectric conversion element of the present embodiment is composed only of the hot melt resin, so that the main seal material 5 and the end seal material 11 are interposed between the electrode supports. There is no need to place them separately. For this reason, simplification of a manufacturing process can be promoted. For example, it is possible to produce a large number of sealing members by continuously punching sheet-like hot melt resin with a Thomson blade or the like having a patterned sealing portion structure.

また、メインシール材5とエンドシール材11の厚みは、透明電極3と対電極7との電極間距離を規定するので、0.001mm以上1mm以下であればよい。より好ましい厚みは、0.001mm以上0.5mm以下である。電極間距離が1mmを超えると、著しく光電変換特性が低下するおそれがある。また、0.001mm未満では、透明電極3の一部と対電極7の一部とが接触し、短絡する不都合がある。電極間距離を正確に規定する手段として、メインシール材5又はエンドシール材11の少なくともどちらか一方にスペーサを含ませることが好ましい。また、他の方法として、電解質層6にスペーサを配置してもよい。   Moreover, since the thickness of the main sealing material 5 and the end sealing material 11 prescribes | regulates the interelectrode distance of the transparent electrode 3 and the counter electrode 7, what is necessary is just 0.001 mm or more and 1 mm or less. A more preferable thickness is 0.001 mm or more and 0.5 mm or less. If the distance between the electrodes exceeds 1 mm, the photoelectric conversion characteristics may be significantly deteriorated. Moreover, if it is less than 0.001 mm, a part of the transparent electrode 3 and a part of the counter electrode 7 come into contact with each other, and there is a disadvantage that a short circuit occurs. As a means for accurately defining the distance between the electrodes, it is preferable to include a spacer in at least one of the main seal material 5 and the end seal material 11. As another method, a spacer may be disposed on the electrolyte layer 6.

透明電極3と対電極7との間に配設されたエンドシール材11に設けられた電解質注入部10を封止するために加熱と加圧を行う方法としては、特別な方法に限定にされることはない。また、加熱と加圧を同時に行う装置としては、ホットプレス機、加熱ローラー型半田こて、ラミネーターなどが使用でき、レーザーなどの熱源を備えたプレス装置を使用することもできる。   The method of heating and pressurizing to seal the electrolyte injection portion 10 provided in the end seal material 11 disposed between the transparent electrode 3 and the counter electrode 7 is limited to a special method. Never happen. Moreover, as an apparatus which performs heating and pressurization simultaneously, a hot press machine, a heating roller type soldering iron, a laminator, etc. can be used, and the press apparatus provided with heat sources, such as a laser, can also be used.

電解質注入部10から電解質保持部6bに電解質を注入する工程と、電解質注入部10を封止する工程とを行う環境は、常温常圧が好ましい。また、減圧下であれば、電解質保持部6bに気泡を挟むことなく封止することができるので、より好ましい。さらに、湿度2%以下でクラス1000以上のクリーンルームを使用すれば、長期耐久性を損なうおそれのある水分を電解質保持部6bへ混入することを低減でき、電解質注入部10での埃の噛み込みによる不充分な封止を防ぐことができるので、さらに好ましい。   The environment in which the step of injecting the electrolyte from the electrolyte injection unit 10 to the electrolyte holding unit 6b and the step of sealing the electrolyte injection unit 10 is preferably normal temperature and normal pressure. Moreover, if it is under pressure reduction, since it can seal without pinching a bubble in the electrolyte holding part 6b, it is more preferable. Furthermore, if a clean room with a humidity of 2% or less and a class 1000 or higher is used, it is possible to reduce the mixing of moisture that may impair long-term durability into the electrolyte holding unit 6b. It is more preferable because insufficient sealing can be prevented.

上記加熱の温度範囲は60℃以上250℃以下が好ましい。温度範囲の上限は、支持体に破損の生じない温度及び支持体とシール材の融点を考慮して適宜選定されるが、支持体が樹脂フィルムの場合、200℃以下が好ましく、支持体がガラスの場合、250℃以下が好ましい。この温度範囲を越えると、支持体の変形や、ホットメルト樹脂の寸法安定性を維持できなくなるおそれがある。また、60℃以下の加熱ではホットメルト樹脂と電極支持体との融着は不充分になるおそれがある。   The heating temperature range is preferably 60 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. The upper limit of the temperature range is appropriately selected in consideration of the temperature at which the support is not damaged and the melting point of the support and the sealing material. When the support is a resin film, it is preferably 200 ° C. or lower, and the support is made of glass. In this case, 250 ° C. or lower is preferable. When this temperature range is exceeded, there is a possibility that the support may be deformed or the dimensional stability of the hot melt resin cannot be maintained. Further, when the heating is performed at 60 ° C. or lower, the fusion between the hot melt resin and the electrode support may be insufficient.

上記加圧の圧力は、加圧部の支持体に破損が発生しない圧力を考慮して適宜選定されるが、好ましくは0.3MPa以上2.0MPa以下であり、より好ましくは0.3MPa以上1.0MPa以下であり、最も好ましくは0.3MPa以上0.5MPa以下である。0.3MPa未満の圧力では、電解質注入部10の封止が不充分となり、電解質保持部6bに電解質を保持することが困難となり、加圧中に電解質注入部10から電解質が漏液するおそれがある。また、2.0MPaを超える圧力になると、電極基板に余計な力が加わり、電極支持体の割れや変形のおそれがある。   The pressurizing pressure is appropriately selected in consideration of the pressure at which the support of the pressurizing part does not break, but is preferably 0.3 MPa to 2.0 MPa, more preferably 0.3 MPa to 1 MPa. 0.0 MPa or less, and most preferably 0.3 MPa or more and 0.5 MPa or less. If the pressure is less than 0.3 MPa, sealing of the electrolyte injection part 10 becomes insufficient, it becomes difficult to hold the electrolyte in the electrolyte holding part 6b, and the electrolyte may leak from the electrolyte injection part 10 during pressurization. is there. On the other hand, when the pressure exceeds 2.0 MPa, an extra force is applied to the electrode substrate, and the electrode support may be cracked or deformed.

上記加熱と上記加圧を行うタイミングは、透明電極3と対電極7との間に設置したエンドシール材11の融点を考慮して適宜選定されるが、加熱の後に加圧を行うのが好ましく、加熱と加圧を同時行うのが最も好ましい。また、上記加熱の加熱時間及び上記加圧の加圧時間は、セル内の電解質の揮発を考慮して3.0秒以下とするのが好ましい。   The timing for performing the heating and the pressurization is appropriately selected in consideration of the melting point of the end seal material 11 placed between the transparent electrode 3 and the counter electrode 7, but it is preferable to perform the pressurization after the heating. It is most preferable to perform heating and pressurization simultaneously. The heating time for the heating and the pressurizing time for the pressurization are preferably set to 3.0 seconds or less in consideration of the volatilization of the electrolyte in the cell.

電解質注入部10の数は、光電変換素子のセル1個当り少なくとも1箇所以上を設けるのが好ましい。   It is preferable to provide at least one electrolyte injection part 10 per one cell of the photoelectric conversion element.

電解質注入部10より電解質保持部6bに電解質を注入する方法としては、ガラスシリンジ又はプラスチックシリンジを用いて注入する方法が挙げられる。この場合、用いる針の外径は0.2mm以上で2.0mm以下が好ましい。また、減圧注入法で注入することもできる。即ち、光電変換素子1のセルを真空デシケーター内に入れ、セル内を減圧し、減圧状態から大気圧に戻すことで電解質注入部10の開口部から電解質をセル内に注入することができる。   Examples of the method for injecting the electrolyte from the electrolyte injection unit 10 to the electrolyte holding unit 6b include a method for injecting the electrolyte using a glass syringe or a plastic syringe. In this case, the outer diameter of the needle used is preferably 0.2 mm or more and 2.0 mm or less. Moreover, it can also inject | pour by a pressure reduction injection method. That is, the cell of the photoelectric conversion element 1 is placed in a vacuum desiccator, the inside of the cell is decompressed, and the pressure is returned to atmospheric pressure, whereby the electrolyte can be injected into the cell from the opening of the electrolyte injection unit 10.

透明支持体2の材質としては透光性を有する材料であれば特に限定されないが、通常、ガラスや透明樹脂フィルムが使用される。ホットメルト樹脂の融点温度を適切に選択することで、ホットメルト樹脂と強固に融着するからである。また、透明支持体2の光透過率は高い程よい。好ましい光透過率としては50%以上であり、より好ましくは80%以上である。   Although it will not specifically limit if it is a material which has translucency as a material of the transparent support body 2, Usually, glass and a transparent resin film are used. This is because by properly selecting the melting point temperature of the hot melt resin, the hot melt resin is firmly fused with the hot melt resin. Moreover, the higher the light transmittance of the transparent support 2, the better. A preferable light transmittance is 50% or more, and more preferably 80% or more.

支持体8は、透明支持体2と同じガラスや透明樹脂フィルムの他に、金属などを使用することができる。支持体8は不透明でもよいが、両側の基板から光を入射させることができる点で、透明であることが好ましい。   In addition to the same glass and transparent resin film as the transparent support 2, a metal or the like can be used for the support 8. The support 8 may be opaque, but is preferably transparent in that light can be incident from both substrates.

また、可撓性のある透明樹脂フィルムを支持体2、8に用いると、電極の大量生産が容易となり、製造コストの低減を図ることができる。   Moreover, when a flexible transparent resin film is used for the support bodies 2 and 8, mass production of an electrode becomes easy and manufacturing cost can be reduced.

透明支持体2及び支持体8に用いる透明樹脂フィルムとしては、例えば、再生セルロースフィルム、ジアセテートセルロースフィルム、トリアセテートセルロースフィルム、テトラアセチルセルロースフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリスルフォンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアリレートフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ノルボルネン樹脂フィルム、ポリスチレンフィルム、塩酸ゴムフィルム、ナイロンフィルム、ポリアクリレートフィルム、ポリフッ化ビニルフィルム、ポリ四フッ化エチレンフィルムなどが挙げられる。これらの中でも、特にポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアリレートフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ノルボルネン樹脂フィルムなどは、強靭で且つ耐熱性に優れていることから好ましい。なお、透明樹脂フィルムに代えて透明樹脂板を使用することもできる。   Examples of the transparent resin film used for the transparent support 2 and the support 8 include regenerated cellulose film, diacetate cellulose film, triacetate cellulose film, tetraacetyl cellulose film, polyethylene film, polypropylene film, polyvinyl chloride film, and polyvinylidene chloride. Film, polyvinyl alcohol film, polyethylene terephthalate film, polycarbonate film, polyethylene naphthalate film, polyethersulfone film, polyetheretherketone film, polysulfone film, polyetherimide film, polyimide film, polyarylate film, cycloolefin polymer film , Norbornene resin film, polystyrene film, hydrochloric acid Film, nylon film, a polyacrylate film, polyvinyl fluoride films, such as polytetrafluoroethylene film. Among these, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polyether sulfone film, a polyimide film, a polyarylate film, a cycloolefin polymer film, a norbornene resin film and the like are particularly preferable because they are tough and excellent in heat resistance. . In addition, it can replace with a transparent resin film and can also use a transparent resin board.

透明電極3は導電性とともに光透過性に優れていることが望ましく、その材質としては、例えば、酸化亜鉛、インジウム−錫複合酸化物(ITO)、ITOと銀とを積層した導電体層、アンチモンをドープした酸化錫、フッ素をドープした酸化錫などが挙げられる。中でもフッ素をドープした酸化錫が導電性と光透過性の観点から好ましい。   The transparent electrode 3 is desirably excellent in light transmission as well as conductivity. Examples of the material thereof include zinc oxide, indium-tin composite oxide (ITO), a conductor layer in which ITO and silver are laminated, and antimony. And tin oxide doped with fluorine and tin oxide doped with fluorine. Among these, tin oxide doped with fluorine is preferable from the viewpoint of conductivity and light transmittance.

透明電極3は、表面抵抗が低い程よい。好ましい表面抵抗の範囲としては50Ω/スクエア以下であり、より好ましくは30Ω/スクエア以下である。表面抵抗の下限に特に制限はないが、通常0.1Ω/スクエアである。   The transparent electrode 3 is better as the surface resistance is lower. The range of the surface resistance is preferably 50 Ω / square or less, more preferably 30 Ω / square or less. The lower limit of the surface resistance is not particularly limited, but is usually 0.1Ω / square.

透明電極3は、光透過率が高い程よい。好ましい光透過率としては50%以上であり、より好ましくは80%以上である。透明電極3の膜厚は、0.1〜10μmの範囲内であることが好ましい。この範囲内であれば、均一な膜厚の電極膜を形成することができ、また、光透過性が低下せず、十分な光を半導体層4に入射させることができるからである。この場合、光は色素が担持された半導体層4が被着される側の透明電極3から入射させることが好ましい。   The transparent electrode 3 is better as the light transmittance is higher. A preferable light transmittance is 50% or more, and more preferably 80% or more. The film thickness of the transparent electrode 3 is preferably in the range of 0.1 to 10 μm. This is because within this range, an electrode film having a uniform thickness can be formed, and light transmittance is not lowered, and sufficient light can be incident on the semiconductor layer 4. In this case, it is preferable that light is incident from the transparent electrode 3 on the side where the semiconductor layer 4 carrying the dye is deposited.

対電極7は光電変換素子1の正極として機能し、上記色素が担持された半導体層4が被着される側の透明電極3と同様に形成できる。さらに、対電極7としては、光電変換素子1の正極として効率よく作用するために、電解質の還元体に電子を与える触媒作用を有する素材で形成することが好ましい。このような素材は、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウムなどの金属、又はグラファイト、若しくはITO、フッ素をドープした酸化錫などの導電性の金属酸化物などである。これらのうち、白金やグラファイトなどが特に好ましい。対電極7が配設される側の支持体8は、対電極7の被着面側に透明導電膜(図示せず。)を有することもできる。この透明導電膜は、例えば上記の透明電極3と同じ材料から成膜することができる。この場合、対電極7も透明であることが好ましい。   The counter electrode 7 functions as a positive electrode of the photoelectric conversion element 1 and can be formed in the same manner as the transparent electrode 3 on the side where the semiconductor layer 4 carrying the dye is deposited. Furthermore, the counter electrode 7 is preferably formed of a material having a catalytic action to give electrons to the reductant of the electrolyte in order to function efficiently as the positive electrode of the photoelectric conversion element 1. Such a material is, for example, a metal such as platinum, gold, silver, copper, aluminum, rhodium, or indium, or a conductive metal oxide such as graphite or ITO or fluorine-doped tin oxide. Of these, platinum and graphite are particularly preferred. The support 8 on the side where the counter electrode 7 is disposed can also have a transparent conductive film (not shown) on the surface to which the counter electrode 7 is attached. This transparent conductive film can be formed, for example, from the same material as the transparent electrode 3 described above. In this case, the counter electrode 7 is also preferably transparent.

半導体層4の形成にあたっては、半導体粒子の分散塗料を、例えば、ドクターブレードやバーコータなどを使う塗布方法、スプレー法、ディップコーティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、スピンコート法、電着法などにより、透明電極3の表面に成膜し、その後、必要に応じて半導体層4の固定化処理を行うことが好ましい。その固定化処理としては、加熱処理や加圧処理などが挙げられる。加熱処理としては、電気炉やホットプレート、マイクロ波、電子線などによる加熱方式が好ましく、加熱温度は透明支持体2としてガラス基板を用いた場合は400〜600℃程度が好ましい。また、透明支持体2としてポリエチレンナフタレート(PEN)などの樹脂フィルムを用いた場合は上記範囲内の温度で半導体層4を加熱処理すると、樹脂フィルムの変形やITOなどの透明電極3が樹脂フィルムから剥離する場合がある。従って、樹脂フィルムを用いる場合は200℃以下の温度で加熱処理をしたり、半導体層4に圧力を加えたりして、半導体層4を形成することができる。半導体層4を加圧する方法としては、プレス機やカレンダなどを用いる方法が挙げられる。   In forming the semiconductor layer 4, a dispersion coating of semiconductor particles, for example, a coating method using a doctor blade or a bar coater, a spray method, a dip coating method, a screen printing method, a gravure printing method, a spin coating method, an electrodeposition method, etc. Thus, it is preferable to form a film on the surface of the transparent electrode 3, and then perform a fixing process of the semiconductor layer 4 as necessary. Examples of the immobilization treatment include heat treatment and pressure treatment. As the heat treatment, a heating method using an electric furnace, a hot plate, a microwave, an electron beam or the like is preferable, and the heating temperature is preferably about 400 to 600 ° C. when a glass substrate is used as the transparent support 2. When a resin film such as polyethylene naphthalate (PEN) is used as the transparent support 2, if the semiconductor layer 4 is heat-treated at a temperature within the above range, the resin film is deformed or the transparent electrode 3 such as ITO becomes a resin film. May peel off. Therefore, when the resin film is used, the semiconductor layer 4 can be formed by performing a heat treatment at a temperature of 200 ° C. or less or applying pressure to the semiconductor layer 4. Examples of the method for pressurizing the semiconductor layer 4 include a method using a press, a calendar, and the like.

半導体層4の厚みは0.1〜100μmの範囲内であることが好ましい。この範囲内であれば、充分な光電変換効果が得られ、また、可視光及び近赤外光に対する光透過性が悪化することもないからである。半導体層4の厚みのより好ましい範囲は1〜50μmであり、さらに好ましい範囲は5〜30μmであり、最も好ましい範囲は10〜20μmである。   The thickness of the semiconductor layer 4 is preferably in the range of 0.1 to 100 μm. This is because, within this range, a sufficient photoelectric conversion effect can be obtained, and the light transmittance with respect to visible light and near infrared light is not deteriorated. A more preferable range of the thickness of the semiconductor layer 4 is 1 to 50 μm, a further preferable range is 5 to 30 μm, and a most preferable range is 10 to 20 μm.

半導体層4の形成にあたって使用する半導体材料としては、例えば、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Bi、Cu、Hg、Ti、Ag、Mn、Fe、V、Sn、Zr、Sr、Ga、Si、Crなどの金属の酸化物、SrTiO3、CaTiO3などのペロブスカイト、又はCdS、ZnS、In23、PbS、Mo2S、WS2、Sb23、Bi23、ZnCdS2、Cu2Sなどの硫化物、CdSe、In2Se3、WSe2、HgS、PbSe、CdTeなどの金属カルコゲナイド、その他GaAs、Si、Se、Cd23、Zn23、InP、AgBr、PbI2、HgI2、BiI3など、又は上記半導体材料から選ばれる少なくとも1種類以上を含む複合体、例えば、CdS/TiO2、CdS/AgI、Ag2S/AgI、CdS/ZnO、CdS/HgS、CdS/PbS、ZnO/ZnS、ZnO/ZnSe、CdS/HgS、CdSx/CdSe1-x、CSx/Te1-x、CdSex /Te1-x、ZnS/CdSe、ZnSe/CdSe、CdS/ZnS、TiO2/Cd32、CdS/CdSeCdyZn1-yS、CdS/HgS/CdSなどが挙げられる。これらの中でも、TiO2が、グレッツェル・セルにおいて、電解質中への光溶解の回避と高い光電変換特性を実現できる点で好ましい。 Examples of semiconductor materials used for forming the semiconductor layer 4 include Cd, Zn, In, Pb, Mo, W, Sb, Bi, Cu, Hg, Ti, Ag, Mn, Fe, V, Sn, Zr, and Sr. Metal oxides such as Ga, Si and Cr, perovskites such as SrTiO 3 and CaTiO 3 , or CdS, ZnS, In 2 S 3 , PbS, Mo 2 S, WS 2 , Sb 2 S 3 , Bi 2 S 3 , Sulfides such as ZnCdS 2 , Cu 2 S, metal chalcogenides such as CdSe, In 2 Se 3 , WSe 2 , HgS, PbSe, CdTe, other GaAs, Si, Se, Cd 2 P 3 , Zn 2 P 3 , InP , AgBr, PbI 2 , HgI 2 , BiI 3 , or a composite containing at least one selected from the above semiconductor materials, for example, CdS / TiO 2 , CdS / AgI, Ag 2 S / AgI, CdS / ZnO, CdS / HgS, CdS / PbS, ZnO / ZnS, ZnO / ZnSe, CdS / HgS, CdS x / CdSe 1-x , CS x / Te 1-x , CdSe x / Te 1 -x, ZnS / CdSe, ZnSe / CdSe, CdS / ZnS, TiO 2 / Cd 3 P 2, CdS / CdSeCd y Zn 1-y S, such as CdS / HgS / CdS, and the like. Among these, TiO 2 is preferable in the Gretzel cell in terms of avoiding photodissolution in the electrolyte and realizing high photoelectric conversion characteristics.

上記半導体材料は通常粒子形状で用いるが、その際の半導体粒子の粒径は、一般的に5〜1000nmの範囲内であることが好ましい。この範囲内であれば、半導体層4の空孔径が適度になって電解質溶液中の酸化還元物質の移動がしやすくなり、光電流の低下が発生することがなく、また、半導体層4の表面積を大きくできるため、充分な色素の担持量を得ることができ、その結果、大きな光電流が得られるからである。半導体粒子の粒径の特に好ましい範囲は、10〜100nmである。   Although the said semiconductor material is normally used with a particle shape, it is preferable that the particle size of the semiconductor particle in that case is generally in the range of 5-1000 nm. Within this range, the pore size of the semiconductor layer 4 becomes appropriate, the redox substance in the electrolyte solution can be easily moved, the photocurrent does not decrease, and the surface area of the semiconductor layer 4 is reduced. This is because a sufficient amount of dye can be obtained, and as a result, a large photocurrent can be obtained. A particularly preferable range of the particle diameter of the semiconductor particles is 10 to 100 nm.

半導体層4の厚み又は半導体粒子の粒径を制御することにより、半導体層4の支持体面積に対する半導体層内部の実面積の割合であるラフネスファクターを決定することができる。ラフネスファクターは20以上であることが好ましく、150以上であることがより好ましい。この範囲内であれば、色素の担持量が充分となり、光電変換特性を向上させることができるからである。ラフネスファクターの上限値は一般に5000程度である。ラフネスファクターは半導体層4の厚みを厚くすると大きくなって、半導体層4の表面積が広がり、色素の担持量の増加が期待できる。しかし、厚みが厚くなりすぎると、半導体層4の光透過率及び抵抗損失への影響が現れ始める。   By controlling the thickness of the semiconductor layer 4 or the particle size of the semiconductor particles, the roughness factor that is the ratio of the actual area inside the semiconductor layer to the support area of the semiconductor layer 4 can be determined. The roughness factor is preferably 20 or more, more preferably 150 or more. This is because within this range, the amount of the dye supported becomes sufficient and the photoelectric conversion characteristics can be improved. The upper limit of the roughness factor is generally about 5000. The roughness factor increases as the thickness of the semiconductor layer 4 is increased, and the surface area of the semiconductor layer 4 is increased, and an increase in the amount of dye supported can be expected. However, when the thickness becomes too thick, an influence on the light transmittance and resistance loss of the semiconductor layer 4 starts to appear.

また、半導体層4の形成に界面活性剤やポリエチレングリコール、セルロース系材料などを添加し、半導体層4の加熱処理時にそれらを燃焼させることによって半導体層4を多孔質にしたり、半導体粒子の粒径を変更したりすることで半導体層4のポロシティーを高くすれば、厚みを厚くしなくてもラフネスファクターを大きくすることは可能である。しかし、ポロシティーが高くなりすぎると、半導体粒子間の接触面積が減少して抵抗損失への影響を考慮しなくてはならなくなる。このようなことから、半導体層4のポロシティーは50%以上が好ましく、その上限値は一般的に約80%程度である。半導体層4のポロシティーは液体窒素温度下で窒素ガス又はクリプトンガスの吸着−脱離等温曲線の測定結果から算出することができる。   Further, a surfactant, polyethylene glycol, cellulose-based material or the like is added to the formation of the semiconductor layer 4, and the semiconductor layer 4 is made porous by burning them during the heat treatment of the semiconductor layer 4, or the particle size of the semiconductor particles If the porosity of the semiconductor layer 4 is increased by changing the roughness, it is possible to increase the roughness factor without increasing the thickness. However, if the porosity becomes too high, the contact area between the semiconductor particles decreases, and the influence on the resistance loss must be taken into consideration. Therefore, the porosity of the semiconductor layer 4 is preferably 50% or more, and its upper limit is generally about 80%. The porosity of the semiconductor layer 4 can be calculated from the measurement result of the adsorption-desorption isotherm curve of nitrogen gas or krypton gas under liquid nitrogen temperature.

色素としては、従来の色素増感性光電変換素子で常用される増感色素であれば全て使用できる。このような色素は、Lを4,4’−ジカルボキシル−2,2’−ビピリジンとすると、例えば、RuL2(H2O)2タイプのルテニウム−シス−ジアクア−ビピリジル錯体又はルテニウム−トリス(RuL3)、ルテニウム−ビス(RuL2)、オスニウム−トリス(OsL3)、オスニウム−ビス(OsL2)タイプの遷移金属錯体、若しくは亜鉛−テトラ(4−カルボキシフェニル)ポルフィリン、鉄−ヘキサシアニド錯体、フタロシアニンなどが挙げられる。有機色素としては、9−フェニルキサンテン系色素、クマリン系色素、アクリジン系色素、トリフェニルメタン系色素、テトラフェニルメタン系色素、キノン系色素、アゾ系色素、インジゴ系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、キサンテン系色素などが挙げられる。この中でもルテニウム−ビス(RuL2)誘導体は、可視光域で広い吸収スペクトルを有するため、特に好ましい。 Any dye can be used as long as it is a sensitizing dye commonly used in conventional dye-sensitized photoelectric conversion elements. Such dyes are, for example, RuL 2 (H 2 O) 2 type ruthenium-cis-diaqua-bipyridyl complexes or ruthenium-tris (where L is 4,4′-dicarboxyl-2,2′-bipyridine). RuL 3 ), ruthenium-bis (RuL 2 ), osnium-tris (OsL 3 ), osnium-bis (OsL 2 ) type transition metal complex, or zinc-tetra (4-carboxyphenyl) porphyrin, iron-hexocyanide complex, Examples include phthalocyanine. As organic dyes, 9-phenylxanthene dyes, coumarin dyes, acridine dyes, triphenylmethane dyes, tetraphenylmethane dyes, quinone dyes, azo dyes, indigo dyes, cyanine dyes, merocyanine dyes Examples thereof include dyes and xanthene dyes. Among these, ruthenium-bis (RuL 2 ) derivatives are particularly preferable because they have a broad absorption spectrum in the visible light region.

半導体層4へ増感色素を担持させる方法は、例えば増感色素を溶かした溶液に、半導体層4を被着させた透明支持体2を浸漬させる方法が挙げられる。この溶液の溶媒としては、水、アルコール、トルエン、ジメチルホルムアミドなど増感色素を溶解可能なものであれば全て使用できる。また、浸漬方法として、増感色素溶液に半導体層4を被着させた透明支持体2を一定時間浸漬させている時に、加熱還流をしたり、超音波を印加したりすることもできる。半導体層4への色素担持後、担持せずに半導体層4に残ってしまった増感色素を取り除くために、アセトニトリルで洗浄することが好ましい。さらに、増感色素が担持されていない半導体粒子表面を被覆するために、溶媒としてアルコールを使用した場合、アルコール中にt−ブチルピリジンを溶解させておくことが好ましい。アルコール中にt−ブチルピリジンが存在すると、半導体粒子/電解質界面では、t−ブチルピリジンによって半導体粒子表面と電解質とをセパレートすることができ、漏れ電流を抑制することが可能となり、光電変換素子の特性を著しく向上させることができるからである。   Examples of the method of supporting the sensitizing dye on the semiconductor layer 4 include a method of immersing the transparent support 2 on which the semiconductor layer 4 is applied in a solution in which the sensitizing dye is dissolved. Any solvent can be used as the solvent for the solution as long as it can dissolve the sensitizing dye, such as water, alcohol, toluene, and dimethylformamide. Further, as a dipping method, when the transparent support 2 having the semiconductor layer 4 adhered to the sensitizing dye solution is dipped for a certain period of time, it can be heated to reflux or an ultrasonic wave can be applied. After the dye is supported on the semiconductor layer 4, it is preferable to wash with acetonitrile in order to remove the sensitizing dye remaining on the semiconductor layer 4 without being supported. Furthermore, when alcohol is used as a solvent to coat the surface of the semiconductor particles on which no sensitizing dye is supported, it is preferable to dissolve t-butylpyridine in the alcohol. When t-butylpyridine is present in the alcohol, the surface of the semiconductor particle and the electrolyte can be separated by t-butylpyridine at the semiconductor particle / electrolyte interface, and leakage current can be suppressed. This is because the characteristics can be remarkably improved.

半導体粒子への増感色素の担持量としては、1×10-8〜1×10-6mol/cm2の範囲にあればよく、特に0.1×10-7〜9.0×10-7mol/cm2が好ましい。この範囲内であれば、経済的且つ十分に光電変換効率向上の効果を得ることができるからである。 The amount of the sensitizing dye supported on the semiconductor particles may be in the range of 1 × 10 −8 to 1 × 10 −6 mol / cm 2 , particularly 0.1 × 10 −7 to 9.0 × 10 −. 7 mol / cm 2 is preferred. This is because within this range, the effect of improving the photoelectric conversion efficiency can be obtained economically and sufficiently.

電解質層6aを構成する電解物質としては、酸化体と還元体からなる一対の酸化還元系構成物質であれば特に限定されないが、酸化体と還元体とが同一電荷を持つ酸化還元系構成物質であることが好ましい。この明細書における酸化還元系構成物質とは、酸化還元反応において可逆的に酸化体及び還元体の形で存在する一対の物質を意味する。本実施形態で使用できる酸化還元系構成物質は、例えば、塩素化合物−塩素、ヨウ素化合物−ヨウ素、臭素化合物−臭素、タリウムイオン(III)−タリウムイオン(I)、水銀イオン(II)−水銀イオン(I)、ルテニウムイオン(III)−ルテニウムイオン(II)、銅イオン(II)−銅イオン(I)、鉄イオン(III)−鉄イオン(II)、バナジウムイオン(III)−バナジウムイオン(II)、マンガン酸イオン−過マンガン酸イオン、フェリシアン化物−フェロシアン化物、キノン−ヒドロキノン、フマル酸−コハク酸などが挙げられるが、これらに限定はされない。この中でも、ヨウ素化合物−ヨウ素が好ましく、ヨウ素化合物としては、ヨウ化リチウム、ヨウ化カリウムなどの金属ヨウ化物、テトラアルキルアンモニウムヨージド、ピリジニウムヨージドなどのヨウ化4級アンモニウム塩化合物、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウムなどのヨウ化ジイミダゾリウム化合物が特に好ましい。   The electrolytic substance constituting the electrolyte layer 6a is not particularly limited as long as it is a pair of redox constituents composed of an oxidant and a reductant. However, the oxidant and the reductant are redox constituents having the same charge. Preferably there is. In this specification, the redox-system constituent substance means a pair of substances that exist reversibly in the form of an oxidant and a reductant in a redox reaction. Examples of the redox-based constituent material that can be used in the present embodiment include chlorine compound-chlorine, iodine compound-iodine, bromine compound-bromine, thallium ion (III) -thallium ion (I), mercury ion (II) -mercury ion. (I), ruthenium ion (III) -ruthenium ion (II), copper ion (II) -copper ion (I), iron ion (III) -iron ion (II), vanadium ion (III) -vanadium ion (II ), Manganate ion-permanganate ion, ferricyanide-ferrocyanide, quinone-hydroquinone, fumaric acid-succinic acid and the like, but are not limited thereto. Among these, iodine compound-iodine is preferable, and examples of the iodine compound include metal iodides such as lithium iodide and potassium iodide, quaternary ammonium iodide compounds such as tetraalkylammonium iodide and pyridinium iodide, and dimethyl iodide. Particularly preferred are diimidazolium iodide compounds such as propylimidazolium.

上記電解物質を溶解するために使用される溶媒は、酸化還元系構成物質を溶解可能で、イオン伝導性に優れた化合物が好ましい。その溶媒としては水性溶媒及び有機溶媒の何れも使用できるが、酸化還元系構成物質をより安定さすため、有機溶媒が好ましい。この有機溶媒としては、例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、酢酸メチル、プロピオン酸メチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル化合物、ジエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、1,3−ジオキソシラン、テトラヒドロフラン、2−メチル−テトラヒドロフランなどのエーテル化合物、3−メチル−2−オキサゾジリノン、2−メチルピロリドンなどの複素環化合物、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル化合物、スルフォラン、ジジメチルスルフォキシド、ジメチルホルムアミドなどの非プロトン性極性化合物などが挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いることもできるし、また、2種類以上を混合して併用することもできる。これらの中でも、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、3−メチル−2−オキサゾジリノン、2−メチルピロリドンなどの複素環化合物、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル化合物が特に好ましい。   The solvent used for dissolving the electrolytic substance is preferably a compound that can dissolve the redox constituent and is excellent in ion conductivity. As the solvent, either an aqueous solvent or an organic solvent can be used, but an organic solvent is preferable in order to further stabilize the redox constituent. Examples of the organic solvent include carbonate compounds such as dimethyl carbonate, diethyl carbonate, methyl ethyl carbonate, ethylene carbonate, and propylene carbonate, ester compounds such as methyl acetate, methyl propionate, and γ-butyrolactone, diethyl ether, 1,2- Ether compounds such as dimethoxyethane, 1,3-dioxosilane, tetrahydrofuran and 2-methyl-tetrahydrofuran, heterocyclic compounds such as 3-methyl-2-oxazodilinone and 2-methylpyrrolidone, nitriles such as acetonitrile, methoxyacetonitrile and propionitrile Examples thereof include aprotic polar compounds such as compounds, sulfolane, didimethyl sulfoxide and dimethylformamide. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, carbonate compounds such as ethylene carbonate and propylene carbonate, heterocyclic compounds such as 3-methyl-2-oxazodilinone and 2-methylpyrrolidone, and nitrile compounds such as acetonitrile, methoxyacetonitrile and propionitrile are particularly preferable.

電解質は、液状のものに限られることなく、他の形態のものも用いることができる。例えば、液状の電解質を高分子マトリックスに保持させてゲル状にした状態で用いてもよい。そのような高分子マトリックスとしては、フッ化ビニリデン、ヘキサフロロプロピレン、テトラフロロエチレン、トリフロロエチレン、エチレン、プロピレン、アクリロニトリル、塩化ビニリデン、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレート、スチレンなどの重合性モノマーを単独で重合させた単独重合体又はそれらのモノマーを2種以上共重合させた共重合体を用いることができる。   The electrolyte is not limited to a liquid one, and other types can be used. For example, a liquid electrolyte may be held in a polymer matrix and used in a gel state. As such a polymer matrix, polymerizable monomers such as vinylidene fluoride, hexafluoropropylene, tetrafluoroethylene, trifluoroethylene, ethylene, propylene, acrylonitrile, vinylidene chloride, methyl acrylate, ethyl acrylate, methyl methacrylate, and styrene are used. A homopolymer obtained by polymerizing alone or a copolymer obtained by copolymerizing two or more of these monomers can be used.

本実施形態の光電変換素子1は、全体をフッ素樹脂で覆うことができる(図示せず。)。これにより、光電変換素子1の強度の向上及び耐衝撃性の向上を図ることができる。このフッ素樹脂は、光電変換素子1の最外層に使用することから、水蒸気などに対するガスバリヤー性、紫外線などに対する耐光性、透明性、強度、耐候性に優れていることが好ましい。   The photoelectric conversion element 1 of this embodiment can be entirely covered with a fluororesin (not shown). Thereby, the improvement of the intensity | strength and impact resistance of the photoelectric conversion element 1 can be aimed at. Since this fluororesin is used in the outermost layer of the photoelectric conversion element 1, it is preferable that it is excellent in gas barrier property against water vapor and the like, light resistance against ultraviolet rays, transparency, strength and weather resistance.

(実施例)
次に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
(Example)
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to only these examples.

三洋化成社製の界面活性剤“ノニポール100”(商品名)を0.01g/dm3含む水と、アセチルアセトンとの混合溶液(容量混合比:水/アセチルアセトン=20/1)中に、日本アエロジル社製の酸化チタン粒子“P25”(商品名、平均粒径20nm)を濃度2質量%となるように分散させてスラリー液を調製した。次に、フッ素がドープされたSnO2を表面にコーティングして導電性を付与した透明電極付きガラス基板である旭硝子社製の導電性ガラス“F−SnO2”(商品名、厚さ:1mm、表面抵抗:10Ω/スクエア)の透明電極の上に、このスラリー液を1cm×1cmの大きさに塗布して乾燥した。その後、得られた乾燥物を500℃、30分間空気中で焼成し、上記導電性ガラス上に厚さ7μmの酸化チタン膜を形成した。続いて、この基板を、[Ru(4,4’−ジカルボキシル−2,2’−ビピリジン)2(NCS)2]で表される増感色素を濃度3×10-4mol/dm3で含むエタノール溶液に浸漬して色素吸着処理を行って、ガラス基板付透明電極を作製した。 Nippon Aerosil Co., Ltd. in a mixed solution (volume mixing ratio: water / acetylacetone = 20/1) of water and acetylacetone containing 0.01 g / dm 3 of the surfactant “Nonipol 100” (trade name) manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd. Titanium oxide particles “P25” (trade name, average particle diameter of 20 nm) manufactured by the company were dispersed to a concentration of 2% by mass to prepare a slurry liquid. Next, conductive glass “F-SnO 2 ” (trade name, thickness: 1 mm, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a glass substrate with a transparent electrode that is coated with SnO 2 doped with fluorine to provide conductivity. The slurry solution was applied to a size of 1 cm × 1 cm on a transparent electrode having a surface resistance of 10Ω / square and dried. Thereafter, the obtained dried product was baked in air at 500 ° C. for 30 minutes to form a titanium oxide film having a thickness of 7 μm on the conductive glass. Subsequently, this substrate was coated with a sensitizing dye represented by [Ru (4,4′-dicarboxyl-2,2′-bipyridine) 2 (NCS) 2 ] at a concentration of 3 × 10 −4 mol / dm 3 . The transparent electrode with a glass substrate was produced by immersing in the ethanol solution contained and performing dye adsorption treatment.

また、ガラス基板付対電極としては、旭硝子社製の上記導電性ガラス“F−SnO2”に白金を20nmの厚さで蒸着したものを用いた。両電極間の距離は0.1mmとした。 As the attached glass substrate counter electrode used was deposited to a thickness of 20nm platinum on the conductive glass "F-SnO 2" of Asahi Glass Co., Ltd.. The distance between both electrodes was 0.1 mm.

上記透明電極と上記対電極との間に、上記酸化チタン膜の周囲を囲むように幅5mm、厚さ35μmの枠状のメインシール材を配設し、180℃、1.0MPaの条件でホットプレス機にて加熱と加圧を同時に行った。但し、電解質注入部を形成するために、幅2mm、厚さ50μmのフッ素樹脂シート(離型性樹脂シート)を、上記メインシール材と上記対電極との間に挟んだ。その後、フッ素樹脂シートを取り除いて電解質注入部を形成し、この電解質注入部より電解質溶液を減圧注入法で注液した。電解質注入部に付着した余分な電解質溶液を拭き取った後、この電解質注入部のみを上記と同条件にてホットプレス機で加熱と加圧を同時に行うことで封止し、光電変換素子を作製した。上記電解質溶液としては、0.5mol/dm3のテトラプロピルアンモニウムヨーダイドと0.04mol/dm3のヨウ素とを含むエチレンカーボネートとアセトニトリルとの混合溶液(容量混合比:エチレンカーボネート/アセトニトリル=80/20)を用いた。また、上記メインシール材としては、デュポン社製のホットメルト樹脂“Bynel”(商品名)を用いた。 A frame-shaped main sealing material having a width of 5 mm and a thickness of 35 μm is disposed between the transparent electrode and the counter electrode so as to surround the periphery of the titanium oxide film, and hot under conditions of 180 ° C. and 1.0 MPa. Heating and pressurization were simultaneously performed with a press. However, in order to form the electrolyte injection portion, a fluororesin sheet (release resin sheet) having a width of 2 mm and a thickness of 50 μm was sandwiched between the main seal material and the counter electrode. Thereafter, the fluororesin sheet was removed to form an electrolyte injection portion, and an electrolyte solution was injected from the electrolyte injection portion by a reduced pressure injection method. After wiping off the excess electrolyte solution adhering to the electrolyte injection part, only this electrolyte injection part was sealed by simultaneously performing heating and pressurization with a hot press machine under the same conditions as described above to produce a photoelectric conversion element. . As the electrolyte solution, a mixed solution of ethylene carbonate and acetonitrile containing 0.5 mol / dm 3 tetrapropylammonium iodide and 0.04 mol / dm 3 iodine (volume mixing ratio: ethylene carbonate / acetonitrile = 80 / 20) was used. As the main seal material, a hot-melt resin “Bynel” (trade name) manufactured by DuPont was used.

ハーキュレス社製のエチルセルロース“N300”(商品名)0.7質量%をエタノールに溶かしたバインダー溶液を調製した。このバインダー溶液23gに日本アエロジル社製の酸化チタン“P25”(商品名)7.5gを投入し、酸化チタンを分散させてスラリー液を調製した。このスラリー液中の酸化チタンの濃度は24質量%になるように調製した。次に、トービ社製のインジウム−錫複合酸化物(ITO)が被着されたポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(厚さ125μm、表面抵抗10Ω/スクエアのITO/PEN透明電極フィルム)の透明電極の上に、このスラリー液を塗布して乾燥させ、縦40mm、横15mm、厚さ50μmの酸化チタン膜からなる半導体層を形成した。次に、カレンダにて半導体層に1枚あたり80MPaの圧力を加えて、半導体層を構成する酸化チタン膜の厚みを10μmに圧縮した。   A binder solution was prepared by dissolving 0.7% by mass of ethyl cellulose “N300” (trade name) manufactured by Hercules Co. in ethanol. To 23 g of this binder solution, 7.5 g of titanium oxide “P25” (trade name) manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd. was added, and titanium oxide was dispersed to prepare a slurry liquid. The slurry was prepared so that the concentration of titanium oxide in the slurry was 24% by mass. Next, a transparent electrode of a polyethylene naphthalate (PEN) film (ITO / PEN transparent electrode film having a thickness of 125 μm and a surface resistance of 10Ω / square) coated with an indium-tin composite oxide (ITO) manufactured by Tobi Co., Ltd. On top of this, the slurry solution was applied and dried to form a semiconductor layer made of a titanium oxide film having a length of 40 mm, a width of 15 mm, and a thickness of 50 μm. Next, a pressure of 80 MPa was applied to each semiconductor layer with a calendar to compress the thickness of the titanium oxide film constituting the semiconductor layer to 10 μm.

この酸化チタン膜を備えたITO/PEN透明電極フィルムを、[Ru(4,4’−ジカルボキシル−2,2’−ビピリジン)2(NCS)2]で表される増感色素を濃度3×10-4mol/dm3で含むアセトニトリル/t−ブチルアルコール混合溶液(混合体積比=50/50)に浸漬して半導体層への色素担持処理を行って、フィルム付透明電極を作製した。次に、上記と同様のトービ社製のITO/PEN透明電極フィルムに膜厚20nmの白金を蒸着し、フィルム付対電極を作製した。 The ITO / PEN transparent electrode film provided with this titanium oxide film was coated with a sensitizing dye represented by [Ru (4,4′-dicarboxyl-2,2′-bipyridine) 2 (NCS) 2 ] at a concentration of 3 ×. The film was immersed in an acetonitrile / t-butyl alcohol mixed solution (mixing volume ratio = 50/50) containing 10 −4 mol / dm 3 to carry the pigment on the semiconductor layer, thereby producing a transparent electrode with a film. Next, platinum having a film thickness of 20 nm was vapor-deposited on the same ITO / PEN transparent electrode film manufactured by Tobi Co., Ltd. to prepare a counter electrode with a film.

デュポン社製のホットメルト樹脂“Himilan”(商品名)を、上記透明電極と上記対電極との間に上記酸化チタン膜を囲むように幅5mm、厚さ70μmの枠状のメインシール材として配設し、180℃、0.5MPaの条件にてラミネーターを用いて加熱と加圧を同時に行った。また、電解質注入部の形成は実施例1と同様の方法を用いた。その電解質注入部より電解質溶液を減圧注入法で注液した後、その電解質注入部のみを上記と同条件にてラミネーターで加熱と加圧を同時に行うことで封止し、光電変換素子を作製した。上記電解質溶液としては、0.5mol/dm3のテトラプロピルアンモニウムヨーダイドと0.5mol/dm3のt−ブチルピリジンと0.01mol/dm3のヨウ素とを含むγ−ブチルラクトンを用いた。 A hot melt resin “Himilan” (trade name) manufactured by DuPont is used as a frame-shaped main seal material having a width of 5 mm and a thickness of 70 μm so as to surround the titanium oxide film between the transparent electrode and the counter electrode. And heating and pressurization were simultaneously performed using a laminator under the conditions of 180 ° C. and 0.5 MPa. The electrolyte injection portion was formed using the same method as in Example 1. After injecting an electrolyte solution from the electrolyte injection part by a reduced pressure injection method, only the electrolyte injection part was sealed by simultaneously performing heating and pressurization with a laminator under the same conditions as described above to produce a photoelectric conversion element. . Examples of the electrolyte solution, with γ- butyrolactone containing iodine of tetrapropylammonium iodide and 0.5 mol / dm 3 of t- butylpyridine and 0.01 mol / dm 3 of 0.5 mol / dm 3.

実施例1と同様に作製したガラス基板付透明電極及びガラス基板付対電極を準備した。上記透明電極の表面に、メインシール材として積水化学工業社製の樹脂ボール“ミクロパール”(商品名、平均粒径:30μm)を1質量%添加した加熱硬化型樹脂であるスリーボンド社製の“Three Bond 1152”(商品名)を、前述した図7に示したように、幅3mm、厚さ80μmで自動ディスペンサーを用いて塗布した。上記透明電極及び上記対電極を貼合する際に幅2mm、厚さ50μmの電解質注入部を配設した。   A transparent electrode with a glass substrate and a counter electrode with a glass substrate prepared in the same manner as in Example 1 were prepared. “3” made by Sekisui Chemical Co., Ltd., a resin ball “Micropearl” (trade name, average particle size: 30 μm) added to the surface of the transparent electrode as a main sealing material. Three Bond 1152 ″ (trade name) was applied using an automatic dispenser with a width of 3 mm and a thickness of 80 μm as shown in FIG. 7 described above. When the transparent electrode and the counter electrode were bonded, an electrolyte injection part having a width of 2 mm and a thickness of 50 μm was disposed.

メインシール材の硬化は、100℃で60分間加熱することによって行った。この場合、上記透明電極及び上記対電極がずれないようにバチ型クリップを使い加圧静置した。また、上記電解質注入部より電解質溶液を減圧注入法で注液した後、電解質注入部に付着した余分な電解質溶液を拭き取った。その後、上記電解質注入部に220℃に加熱したホットプレート上で加熱溶融させたデュポン社製のホットメルト樹脂“Bynel”(エンドシール材)を約10秒間、0.4〜0.6MPaの圧力で押し付けることでエンドシール材を封入した後、自然冷却し、光電変換素子を作製した。上記電解質溶液としては、0.5mol/dm3のテトラプロピルアンモニウムヨーダイドと0.04mol/dm3のヨウ素とを含むγ−ブチロラクトンを用いた。 The main sealing material was cured by heating at 100 ° C. for 60 minutes. In this case, the transparent electrode and the counter electrode were left to pressurize using a bee-type clip so as not to shift. Moreover, after injecting the electrolyte solution from the electrolyte injection part by the reduced pressure injection method, the excess electrolyte solution adhering to the electrolyte injection part was wiped off. Thereafter, a hot melt resin “Bynel” (end seal material) manufactured by DuPont, which was heated and melted on a hot plate heated to 220 ° C. in the electrolyte injection portion, was applied at a pressure of 0.4 to 0.6 MPa for about 10 seconds. After sealing the end seal material by pressing, it was naturally cooled to produce a photoelectric conversion element. As the electrolyte solution, γ-butyrolactone containing 0.5 mol / dm 3 tetrapropylammonium iodide and 0.04 mol / dm 3 iodine was used.

メインシール材として東レ・ダウコーニング社製のシリコーン系縮合反応型樹脂“SE737"(商品名)を用い、また、そのメインシール材の硬化をガラス基板付透明電極及びガラス基板付対電極がずれないようにバチ型クリップを用い、常温常湿下で12時間加圧静置することによって行った以外は、実施例3と同様にして光電変換素子を構成した。   Silicone condensation reaction type resin “SE737” (trade name) manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. is used as the main sealing material, and the transparent electrode with the glass substrate and the counter electrode with the glass substrate do not shift when the main sealing material is cured. Thus, a photoelectric conversion element was configured in the same manner as in Example 3 except that it was performed by using a bee-type clip and allowing to stand under pressure and normal temperature for 12 hours.

(比較例1)
図12に示す従来構造の光電変換素子を下記のようにして作製した。図12において、図1と同一符号を付けた部分は、図1と同一の部分に該当するので説明は省略する。
(Comparative Example 1)
A photoelectric conversion element having a conventional structure shown in FIG. 12 was produced as follows. In FIG. 12, the parts denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 correspond to the same parts as in FIG.

先ず、実施例1と同様に作製したガラス基板付透明電極3及びガラス基板付対電極7を準備した。上記対電極7の図12に示す位置に電動ブラスターを用いて直径1.0mmの注液孔13を穿孔した。   First, the transparent electrode 3 with a glass substrate and the counter electrode 7 with a glass substrate prepared in the same manner as in Example 1 were prepared. An injection hole 13 having a diameter of 1.0 mm was drilled at the position shown in FIG. 12 of the counter electrode 7 using an electric blaster.

次に、上記透明電極3と上記対電極7とを、実施例1と同様にしてメインシール材5を介して180℃、1.0MPaの条件でホットプレス機を用いて加熱と加圧を同時に行った。続いて、電解質溶液を注液孔13より注液した後、注液孔13をエンドシール材14で封止し、さらにエンドシール材14の表面をコニシ社製の2液混合エポキシ樹脂“クイック5”(商品名)で被覆した。上記電解質溶液としては、0.5mol/dm3のテトラプロピルアンモニウムヨーダイドと0.04mol/dm3のヨウ素とを含むエチレンカーボネートとアセトニトリルとの混合溶液(容量混合比:エチレンカーボネート/アセトニトリル=80/20)を用いた。また、メインシール材5及びエンドシール材13としては、いずれもデュポン社製のホットメルト樹脂“Bynel”(商品名)を用いた。 Next, the transparent electrode 3 and the counter electrode 7 are simultaneously heated and pressurized using a hot press machine at 180 ° C. and 1.0 MPa through the main sealant 5 in the same manner as in Example 1. went. Subsequently, after the electrolyte solution is injected from the injection hole 13, the injection hole 13 is sealed with the end seal material 14, and the surface of the end seal material 14 is further mixed with a two-component mixed epoxy resin “Quick 5” manufactured by Konishi. ”(Trade name). As the electrolyte solution, a mixed solution of ethylene carbonate and acetonitrile containing 0.5 mol / dm 3 tetrapropylammonium iodide and 0.04 mol / dm 3 iodine (volume mixing ratio: ethylene carbonate / acetonitrile = 80 / 20) was used. Further, as the main seal material 5 and the end seal material 13, hot melt resin “Bynel” (trade name) manufactured by DuPont was used.

(比較例2)
比較例1とほぼ同様の構造の光電変換素子を下記のようにして作製した。先ず、実施例2と同様にしてフィルム付透明電極及びフィルム付対電極を作製した。上記対電極の比較例1と同じ位置に針を用いて直径1.0mmの注液孔を穿孔した。
(Comparative Example 2)
A photoelectric conversion element having substantially the same structure as that of Comparative Example 1 was produced as follows. First, a transparent electrode with a film and a counter electrode with a film were produced in the same manner as in Example 2. A liquid injection hole having a diameter of 1.0 mm was drilled at the same position as Comparative Example 1 of the counter electrode using a needle.

次に、上記透明電極と上記対電極とを、実施例2と同様にしてメインシール材を介して180℃、1.0MPaの条件でラミネーターを用いて加熱と加圧を同時に行った。続いて、電解質溶液を注液孔より注液した後、注液孔をシリコーン粘着テープで封止し、さらにシリコーン粘着テープの表面を積水化学工業社製の一液性紫外線硬化型樹脂“フォトレックA−780”(商品名)で被覆した。上記電解質溶液としては、0.5mol/dm3のテトラプロピルアンモニウムヨーダイドと0.5mol/dm3のt−ブチルピリジンと0.01mol/dm3のヨウ素とを含むγ−ブチルラクトンを用いた。また、メインシール材としては、デュポン社製のホットメルト樹脂“Himilan”(商品名)を用いた。 Next, the transparent electrode and the counter electrode were simultaneously heated and pressurized using a laminator through the main seal material at 180 ° C. and 1.0 MPa in the same manner as in Example 2. Subsequently, after pouring the electrolyte solution from the liquid injection hole, the liquid injection hole was sealed with a silicone adhesive tape, and the surface of the silicone adhesive tape was further coated with a one-component ultraviolet curable resin “PHOTOREC” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. Covered with A-780 "(trade name). Examples of the electrolyte solution, with γ- butyrolactone containing iodine of tetrapropylammonium iodide and 0.5 mol / dm 3 of t- butylpyridine and 0.01 mol / dm 3 of 0.5 mol / dm 3. As the main seal material, a hot-melt resin “Himilan” (trade name) manufactured by DuPont was used.

次に、実施例1〜4及び比較例1、2の光電変換素子を用いて電解質保持特性と発電特性とを評価した。   Next, electrolyte retention characteristics and power generation characteristics were evaluated using the photoelectric conversion elements of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2.

<電解質保持特性の評価>
上記各光電変換素子の一定条件下における質量減少割合を測定して電解質保持特性を評価した。測定条件は各光電変換素子を温度60℃、湿度2.0%で400時間保存し、保存前の光電変換素子の質量に対する保存後の質量の割合を質量維持率(%)として算出した。その結果を表1に示す。
<Evaluation of electrolyte retention characteristics>
The electrolyte retention characteristics were evaluated by measuring the mass reduction ratio of each of the photoelectric conversion elements under a certain condition. The measurement conditions were that each photoelectric conversion element was stored at a temperature of 60 ° C. and a humidity of 2.0% for 400 hours, and the ratio of the mass after storage to the mass of the photoelectric conversion element before storage was calculated as a mass retention rate (%). The results are shown in Table 1.

Figure 0004639657
Figure 0004639657

<発電特性の評価>
上記各光電変換素子の一定条件下におけるエネルギー変換効率を測定して発電特性を評価した。測定条件は各光電変換素子を温度60℃、湿度2.0%で400時間保存し、保存前の光電変換素子のエネルギー変換効率に対する保存後のエネルギー変換効率の割合を変換効率維持率(%)として算出した。
<Evaluation of power generation characteristics>
The power conversion characteristics were evaluated by measuring the energy conversion efficiency of each of the photoelectric conversion elements under a certain condition. The measurement conditions are that each photoelectric conversion element is stored at a temperature of 60 ° C. and a humidity of 2.0% for 400 hours, and the ratio of the energy conversion efficiency after storage to the energy conversion efficiency of the photoelectric conversion element before storage is the conversion efficiency maintenance ratio (%) Calculated as

光電流−電圧特性は、ソーラーシミュレータによる擬似太陽光(10mW/cm2、AM1.5)を用いて測定した。エネルギー変換効率(%)は、開放端光電圧(V)、短絡光電流密度(mA/cm2)、形状因子から下記式により算出した。 The photocurrent-voltage characteristic was measured using simulated sunlight (10 mW / cm 2 , AM1.5) by a solar simulator. The energy conversion efficiency (%) was calculated from the open-circuit photovoltage (V), the short-circuit photocurrent density (mA / cm 2 ), and the shape factor according to the following formula.

エネルギー変換効率(%)=開放端光電圧(V)×短絡光電流密度(mA/cm2)×形状因子/10(mW/cm2)×100
以上の結果を表2に示す。
Energy conversion efficiency (%) = open end photovoltage (V) × short circuit photocurrent density (mA / cm 2 ) × form factor / 10 (mW / cm 2 ) × 100
The results are shown in Table 2.

Figure 0004639657
Figure 0004639657

表1及び表2から、実施例1〜4は、比較例1、2に比べて、質量保持特性及び発電特性がともに高いことが分かる。   From Table 1 and Table 2, it can be seen that Examples 1 to 4 have higher mass retention characteristics and power generation characteristics than Comparative Examples 1 and 2.

以上説明したように本発明の光電変換素子は、高い電解質保持特性と発電特性とを有するため、長期間に渡って電解質の漏洩を防止でき、安全性及び高耐久性を有する光電変換素子を提供でき、色素増感太陽電池などの実用化に貢献できる。   As described above, since the photoelectric conversion element of the present invention has high electrolyte retention characteristics and power generation characteristics, it is possible to prevent leakage of the electrolyte over a long period of time, and provide a photoelectric conversion element having safety and high durability. Can contribute to the practical application of dye-sensitized solar cells.

本発明の光電変換素子の一例を示す概要断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the photoelectric conversion element of this invention. 図1のI−I線の断面図である。It is sectional drawing of the II line | wire of FIG. 本発明の光電変換素子の製造方法の一例を示す概要断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the photoelectric conversion element of this invention. 本発明の光電変換素子の製造方法の一例を示す概要断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the photoelectric conversion element of this invention. 図4のII−II線の断面図である。It is sectional drawing of the II-II line | wire of FIG. 本発明の光電変換素子の製造方法の一例を示す概要断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the photoelectric conversion element of this invention. 本発明の光電変換素子の製造方法の他の一例を示す概要平面図である。It is a schematic plan view which shows another example of the manufacturing method of the photoelectric conversion element of this invention. 本発明の光電変換素子の製造方法の他の一例を示す概要平面図である。It is a schematic plan view which shows another example of the manufacturing method of the photoelectric conversion element of this invention. 図8のIII−III線の断面図である。It is sectional drawing of the III-III line of FIG. 図8のIV−IV線の断面図である。It is sectional drawing of the IV-IV line of FIG. 本発明の光電変換素子の他の一例を示す概要断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another example of the photoelectric conversion element of this invention. 従来の光電変換素子の一例を示す概要断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the conventional photoelectric conversion element.

符号の説明Explanation of symbols

1 光電変換素子
2 透明支持体
3 透明電極(第1の電極)
4 半導体層
5 メインシール材
6a 電解質層
6b 電解質保持部
7 対電極(第2の電極)
8 支持体
9 入射光
10 電解質注入部
10’ 電解質注入部形成予定部
11 エンドシール材
12 離型性樹脂シート
13 注液孔
14 エンドシール材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photoelectric conversion element 2 Transparent support body 3 Transparent electrode (1st electrode)
4 Semiconductor Layer 5 Main Seal Material 6a Electrolyte Layer 6b Electrolyte Holding Part 7 Counter Electrode (Second Electrode)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 Support body 9 Incident light 10 Electrolyte injection part 10 'Electrolyte injection part formation scheduled part 11 End seal material 12 Releaseable resin sheet 13 Injection hole 14 End seal material

Claims (11)

色素を担持した半導体層を有する第1の電極を備えた第1の基板と、前記第1の電極の半導体層と対峙する第2の電極を備えた第2の基板とを、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電解質を保持した状態で対向させてなる光電変換素子であって、
前記電解質を前記第1の電極と前記第2の電極との間に保持するための封止部が、前記電解質の周囲に形成され、
前記第1の電極と前記第2の電極の両側から加熱及び加圧されることで前記封止部により封止され電解質注入部を当該封止部中に有することを特徴とする光電変換素子。
A first substrate having a first electrode having a semiconductor layer carrying a dye; and a second substrate having a second electrode facing the semiconductor layer of the first electrode. A photoelectric conversion element that is opposed to each other while holding an electrolyte between an electrode and the second electrode,
A sealing portion for holding the electrolyte between the first electrode and the second electrode is formed around the electrolyte;
The photoelectric conversion device characterized by having an electrolyte injecting section Ru sealed by the sealing portion by heat and pressure from both sides of the first electrode and the second electrode during the sealing portion .
前記封止部は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に形成されている請求項1に記載の光電変換素子。   The photoelectric conversion element according to claim 1, wherein the sealing portion is formed between the first electrode and the second electrode. 前記電解質注入部となる部分における前記封止は、ホットメルト樹脂である請求項1に記載の光電変換素子。 Wherein the sealing portion of the portion to be the electrolyte injection part, the photoelectric conversion element according to claim 1 is a hot melt resin. 前記ホットメルト樹脂の融点は、60℃以上200℃以下である請求項3に記載の光電変換素子。   The photoelectric conversion element according to claim 3, wherein the melting point of the hot melt resin is 60 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. (a)色素を担持した半導体層を有する第1の電極を形成してなる第1の基板と、第2の電極を形成してなる第2の基板とを、前記第1の電極の半導体層と前記第2の電極とが対峙するように対向させる工程と、
(b)前記第1の基板と前記第2の基板とを封止材により接着して封止部を形成し、前記封止部の内側であって前記第1の電極と前記第2の電極との間に電解質保持部を形成し、かつ、前記封止部に電解質注入部を形成する工程と、
(c)前記電解質注入部から、前記電解質保持部に電解質を注入する工程と、
(d)前記第1の電極と前記第2の電極の両側から加熱及び加圧して前記封止部により前記電解質注入部を封止する工程と、
を含むことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
(A) a first substrate formed with a first electrode having a semiconductor layer carrying a dye, and a second substrate formed with a second electrode, the semiconductor layer of the first electrode And facing the second electrode so as to face each other,
(B) The first substrate and the second substrate are bonded with a sealing material to form a sealing portion, and the first electrode and the second electrode are inside the sealing portion. Forming an electrolyte holding part between the two and forming an electrolyte injection part in the sealing part,
(C) injecting an electrolyte from the electrolyte injection part into the electrolyte holding part;
(D) heating and pressurizing from both sides of the first electrode and the second electrode to seal the electrolyte injection part with the sealing part;
The manufacturing method of the photoelectric conversion element characterized by including.
前記工程(b)において、前記第1の基板の前記第1の電極と、前記第2の基板の前記第2の電極との間に封止部を形成する請求項5に記載の光電変換素子の製造方法。   The photoelectric conversion element according to claim 5, wherein in the step (b), a sealing portion is formed between the first electrode of the first substrate and the second electrode of the second substrate. Manufacturing method. 前記工程(d)において、前記電解質注入部をホットメルト樹脂を用いて封止する請求項5に記載の光電変換素子の製造方法。   The method for manufacturing a photoelectric conversion element according to claim 5, wherein in the step (d), the electrolyte injection part is sealed with a hot melt resin. 前記ホットメルト樹脂の融点は、60℃以上200℃以下である請求項7に記載の光電変換素子の製造方法。   The method for producing a photoelectric conversion element according to claim 7, wherein the melting point of the hot melt resin is 60 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. 前記加熱と前記加圧とは、同時に行われる請求項に記載の光電変換素子の製造方法。 The said heating and the said pressurization are the manufacturing methods of the photoelectric conversion element of Claim 5 performed simultaneously. 前記加熱の温度は、60℃以上250℃以下である請求項5から9のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。 The method for manufacturing a photoelectric conversion element according to claim 5 , wherein the heating temperature is 60 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. 前記加圧の圧力は、0.3MPa以上2.0MPa以下である請求項5から9のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。 The method for producing a photoelectric conversion element according to claim 5 , wherein the pressure of the pressurization is 0.3 MPa or more and 2.0 MPa or less.
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