JP4639452B2 - Substrate cleaning method and apparatus - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板洗浄方法およびその装置に関し、さらに詳細にいえば、氷粒を用いて基板を1枚づつ洗浄するための方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、基板の表面に氷粒を供給することにより、基板を1枚づつ洗浄するようにした基板洗浄装置が提案されている(特開昭63−29515号公報、特開平11−151467号公報参照)。
【0003】
このような基板洗浄装置を採用した場合には、氷粒の使用に伴って基板の良好な洗浄を達成することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の基板洗浄装置においては、氷粒を生成するために、液体窒素などの低温流体を用いて純水を冷却するようにしているので、大量の低温流体が必要になり、ランニングコストが嵩んでしまう。
【0005】
【発明の目的】
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、品質の安定した清浄な氷粒を低コストで生成し、この氷を用いて基板の表面を洗浄することができる基板洗浄方法およびその装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1の基板洗浄方法は、純水を過冷却状態にまで冷却し、衝撃を与えて過冷却状態を解除することにより多数の氷粒を生成し、生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給する方法である。ここで、「衝撃」は、機械的な衝撃のみならず、氷粒の各となる微少な氷を投入することなど、過冷却状態を解除できる全てのことを総称する用語として使用される。
【0007】
請求項2の基板洗浄方法は、過冷却状態にまで冷却されるべき純水を連続的に供給し、多数の氷粒を連続的に生成する方法である。
【0008】
請求項3の基板洗浄方法は、生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給すべく一時的に保持し、一時的に保持されている純水中の氷充填率を高めるべく、一時的に保持されている純水を冷却工程に再び供給する方法である。
【0009】
請求項4の基板洗浄方法は、一時的に保持されている純水中の氷充填率を、所定の洗浄能力を達成できる氷充填率に制御する方法である。
【0010】
請求項5の基板洗浄方法は、氷粒を含む純水と外部からの純水とを混合し、混合前後の流量、温度から氷充填率を検出する方法である。
【0011】
請求項6の基板洗浄方法は、純水の過冷却温度によって氷粒の生成量を制御する方法である。
【0012】
請求項7の基板洗浄方法は、純水の循環流量によって氷粒の生成量を制御する方法である。
【0013】
請求項8の基板洗浄方法は、外部から供給する純水の温度によって一時的に保持されている純水中の氷充填率を制御する方法である。
【0014】
請求項9の基板洗浄方法は、一時的に保持されている、氷粒を含む純水を攪拌する方法である。
【0015】
請求項10の基板洗浄方法は、回転翼手段に過冷却水を当てて過冷却状態を解除する方法である。
【0016】
請求項11の基板洗浄装置は、純水を過冷却状態にまで冷却する過冷却手段と、衝撃を与えて過冷却状態を解除することにより多数の氷粒を生成する氷粒生成手段と、生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給する氷粒供給手段とを含むものである。
【0017】
請求項12の基板洗浄装置は、過冷却状態にまで冷却されるべき純水を連続的に供給する純水連続供給手段をさらに含み、前記氷粒生成手段として、多数の氷粒を連続的に生成するものを採用するものである。
【0018】
請求項13の基板洗浄装置は、生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給すべく一時的に保持する一時保持手段と、一時保持手段に一時的に保持されている純水中の氷充填率を高めるべく、一時的に保持されている純水を冷却工程に再び供給する循環手段とをさらに含むものである。
【0019】
請求項14の基板洗浄装置は、一時保持手段に一時的に保持されている純水中の氷充填率を、所定の洗浄能力を達成できる氷充填率に制御する氷充填率制御手段をさらに含むものである。
【0020】
請求項15の基板洗浄装置は、氷粒と純水とを混合し、混合前後の流量、温度から氷充填率を検出する氷充填率検出手段をさらに含むものである。
【0021】
請求項16の基板洗浄装置は、前記氷充填率制御手段として、純水の過冷却温度によって氷粒の生成量を制御するものを採用するものである。
【0022】
請求項17の基板洗浄装置は、前記氷充填率制御手段として、純水の循環流量によって氷粒の生成量を制御するものを採用するものである。
【0023】
請求項18の基板洗浄装置は、前記氷充填率制御手段として、外部から供給する純水の温度によって一時的に保持されている純水中の氷充填率を制御するものを採用するものである。
【0024】
請求項19の基板洗浄装置は、一時的に保持されている、氷粒を含む純水を攪拌する攪拌手段をさらに含むものである。
【0025】
請求項20の基板洗浄装置は、前記氷粒生成手段として、回転翼手段に過冷却水を当てて過冷却状態を解除するものを採用するものである。
【0026】
請求項21の基板洗浄装置は、前記回転翼手段として、窒素パージ付きの軸封構造を有するものを採用するものである。
【0027】
【作用】
請求項1の基板洗浄方法であれば、純水を過冷却状態にまで冷却し、衝撃を与えて過冷却状態を解除することにより多数の氷粒を生成し、生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給するのであるから、品質の安定した清浄な氷粒を低コストで生成し、この氷を用いて基板の表面を高品質に洗浄することができる。
【0028】
請求項2の基板洗浄方法であれば、過冷却状態にまで冷却されるべき純水を連続的に供給し、多数の氷粒を連続的に生成するのであるから、品質の安定した清浄な氷粒を十分な量だけ供給することがでいるほか、請求項1と同様の作用を達成することができる。
【0029】
請求項3の基板洗浄方法であれば、生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給すべく一時的に保持し、一時的に保持されている純水中の氷充填率を高めるべく、一時的に保持されている純水を冷却工程に再び供給するのであるから、純水中の氷充填率を高めることができるほか、請求項1または請求項2と同様の作用を達成することができる。
【0030】
請求項4の基板洗浄方法であれば、一時的に保持されている純水中の氷充填率を、所定の洗浄能力を達成できる氷充填率に制御するのであるから、氷充填率に見合った基板の洗浄を達成することができるほか、請求項3と同様の作用を達成することができる。
【0031】
請求項5の基板洗浄方法であれば、氷粒を含む純水と外部からの純水とを混合し、混合前後の流量、温度から氷充填率を検出するのであるから、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項4と同様の作用を達成することができる。
【0032】
請求項6の基板洗浄方法であれば、純水の過冷却温度によって氷粒の生成量を制御するのであるから、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項4と同様の作用を達成することができる。
【0033】
請求項7の基板洗浄方法であれば、純水の循環流量によって氷粒の生成量を制御するのであるから、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項4と同様の作用を達成することができる。
【0034】
請求項8の基板洗浄方法であれば、外部から供給する純水の温度によって一時的に保持されている純水中の氷充填率を制御するのであるから、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項4と同様の作用を達成することができる。
【0035】
請求項9の基板洗浄方法であれば、一時的に保持されている、氷粒を含む純水を攪拌するのであるから、氷粒どうしが結合して大きな塊になることを防止し、もしくは抑制することができるほか、請求項3から請求項8の何れかと同様の作用を達成することができる。
【0036】
請求項10の基板洗浄方法であれば、回転翼手段に過冷却水を当てて過冷却状態を解除するのであるから、短時間に過冷却状態を解除することができるほか、請求項1から請求項9の何れかと同様の作用を達成することができる。
【0037】
請求項11の基板洗浄装置であれば、過冷却手段によって、純水を過冷却状態にまで冷却し、氷粒生成手段によって、過冷却状態の純水に衝撃を与えて過冷却状態を解除することにより多数の氷粒を生成し、氷粒供給手段によって、生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給し、基板の表面を洗浄することができる。
【0038】
したがって、品質の安定した清浄な氷粒を低コストで生成し、この氷を用いて基板の表面を高品質に洗浄することができる。
【0039】
請求項12の基板洗浄装置であれば、過冷却状態にまで冷却されるべき純水を連続的に供給する純水連続供給手段をさらに含み、前記氷粒生成手段として、多数の氷粒を連続的に生成するものを採用するのであるから、品質の安定した清浄な氷粒を十分な量だけ供給することができるほか、請求項11と同様の作用を達成することができる。
【0040】
請求項13の基板洗浄装置であれば、生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給すべく一時的に保持する一時保持手段と、一時保持手段に一時的に保持されている純水中の氷充填率を高めるべく、一時的に保持されている純水を冷却工程に再び供給する循環手段とをさらに含むのであるから、純水中の氷充填率を高めることができるほか、請求項11または請求項12と同様の作用を達成することができる。
【0041】
請求項14の基板洗浄装置であれば、一時保持手段に一時的に保持されている純水中の氷充填率を、所定の洗浄能力を達成できる氷充填率に制御する氷充填率制御手段をさらに含むのであるから、氷充填率に見合った基板の洗浄を達成することができるほか、請求項13と同様の作用を達成することができる。
【0042】
請求項15の基板洗浄装置であれば、氷粒と純水とを混合し、混合前後の流量、温度から氷充填率を検出する氷充填率検出手段をさらに含むのであるから、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項14と同様の作用を達成することができる。
【0043】
請求項16の基板洗浄装置であれば、前記氷充填率制御手段として、純水の過冷却温度によって氷粒の生成量を制御するものを採用するのであるから、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項14と同様の作用を達成することができる。
【0044】
請求項17の基板洗浄装置であれば、前記氷充填率制御手段として、純水の循環流量によって氷粒の生成量を制御するものを採用するのであるから、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項14と同様の作用を達成することができる。
【0045】
請求項18の基板洗浄装置であれば、前記氷充填率制御手段として、外部から供給する純水の温度によって一時的に保持されている純水中の氷充填率を制御するものを採用するのであるから、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項14と同様の作用を達成することができる。
【0046】
請求項19の基板洗浄装置であれば、一時的に保持されている、氷粒を含む純水を攪拌する攪拌手段をさらに含むのであるから、氷粒どうしが結合して大きな塊になることを防止し、もしくは抑制することができるほか、請求項13から請求項18の何れかと同様の作用を達成することができる。
【0047】
請求項20の基板洗浄装置であれば、前記氷粒生成手段として、回転翼手段に過冷却水を当てて過冷却状態を解除するものを採用するのであるから、短時間に過冷却状態を解除することができるほか、請求項11から請求項19の何れかと同様の作用を達成することができる。
【0048】
請求項21の基板洗浄装置であれば、前記回転翼手段として、窒素パージ付きの軸封構造を有するものを採用するのであるから、軸受けの摩耗粉、潤滑剤などが侵入することを防止することができるほか、請求項20と同様の作用を達成することができる。
【0049】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、この発明の基板洗浄方法およびその装置の実施の態様を詳細に説明する。
【0050】
図1はこの発明の基板洗浄装置の一実施態様を含む基板処理装置を示す概略図である。
【0051】
この基板処理装置は、氷粒生成部1と、基板洗浄部2と、基板乾燥部3とを有している。
【0052】
前記氷粒生成部1は、純水タンク11と、純水タンク11内の純水を熱交換器12を通して循環させる純水用循環流路13と、純水用循環流路13のうち、熱交換器12よりも上流側の所定位置に設けたポンプ13aおよびヒータ(氷粒が熱交換器12に導かれることを防止するためのヒータ)13bと、循環流路13を通して環流する純水が当たるように純水タンク11に設けられたプロペラ14と、ブライン用循環流路15aを通して熱交換器12との間でブラインを循環させるブラインタンク15と、ブラインタンク15内のブラインを冷却する冷凍機16と、純水タンク11から氷粒を導出する導出部17とを氷粒生成室内に有している。なお、15bはブラインを循環させるためのポンプである。また、導出部17は、氷粒の導出を許容する状態と許容しない状態とを選択できる選択部(図1中に2つの三角形でしめされた部分)を有している。さらに、純水タンク11の内部にはスターラー18を有している。さらにまた、純水タンク11の内部には、氷粒が純水用循環流路13に導出されることを防止する隔壁部材11aが設けられている。
【0053】
前記基板洗浄部2は、円板状の基板4を起立状態で支承するとともに、所定速度で自転させる基板保持部21と、基板4の表面に近接させて氷粒を一方向に案内する案内部22と、前記導出部17からの氷粒を基板4と案内部22との間隙に導く導入路23とを基板洗浄室内に有している。
【0054】
前記基板乾燥部3は、窒素などの乾燥用流体を供給する乾燥用流体供給ノズル31を基板乾燥室内に有している。なお、前記基板保持部21を、基板洗浄室と基板乾燥室と図示しない搬入出部との間において往復動させる搬送機構5を有している。
【0055】
上記の構成の基板処理装置の作用は次のとおりである。
【0056】
氷粒生成部1においては、冷凍機16によってブラインタンク15内のブラインを冷却し、ポンプ15bによって、冷却されたブラインをブライン用循環流路15aを通して熱交換器12との間で循環させる。
【0057】
また、純水タンク11内の純水をポンプ13aによって、ヒータ13bを設けた純水用循環流路13通して熱交換器12に供給し、純水を氷点よりも低い温度にまで冷却する(過冷却する)。そして、過冷却された純水を純水用循環流路13を通して純水タンク11に環流させ、プロペラ14に当てて純水に衝撃を与えるので、短時間で過冷却状態を解除して氷粒を生成することができる。
【0058】
上記のように純水を循環させることにより、氷粒の生成量を増加させ、しかも、スターラー18を動作させることにより、純水タンク11内における氷粒が大きな塊になることを防止する。なお、氷粒を導出部17を通して導出することにより純水タンク11内の純水量が減少した場合には、図示しない供給路をとおして純水を補給する。
【0059】
基板洗浄部2においては、基板保持部21により1枚の基板4が保持され、かつ搬送機構5により基板保持部21が洗浄用の所定位置まで搬送された状態において、純水タンク11から導出部17を通して導出される氷粒を基板4の表面と案内部22との間隙に導くことによって、基板4の表面を洗浄することができる。
【0060】
基板乾燥部3においては、洗浄後の基板4が基板保持部21と共に乾燥用の所定位置まで搬送された状態において、乾燥用流体供給ノズル31を通して乾燥用流体吐出することにより、基板4の表面を乾燥することができる。
【0061】
したがって、品質の安定した清浄な氷粒を低コストで製造することができるとともに、純水タンク11内における氷充填率を十分に高めることができ、ひいては基板4の表面を十分に清浄化することができる。もちろん、氷粒を生成するために液体窒素などの低温流体を用いる必要がなく、冷凍機によって過冷却状態を発生させるのであるから、ランニングコストを大幅に低減することができる。
【0062】
また、不凍液などの薬品を用いないので、洗浄後の廃液処理を不要にすることができる。
【0063】
図2は氷粒生成部1の構成を詳細に示す図である。
【0064】
この氷粒生成部1は、純水タンク11と、純水タンク11内の純水を熱交換器12を通して循環させる純水用循環流路13と、純水用循環流路13のうち、熱交換器12よりも上流側の所定位置に設けたフィルタ13c、ポンプ(ノンパーティクル循環ポンプ)13aおよびヒータ(氷粒が熱交換器12に導かれることを防止するためのヒータ)13bと、循環流路13を通して環流する純水が当たるように純水タンク11に設けられたプロペラ14と、ブライン用循環流路15aを通して熱交換器12との間でブラインを循環させるブラインタンク15と、ブラインタンク15内のブラインを冷却する冷凍機16と、純水タンク11から氷粒を導出する導出部17とを有している。
【0065】
そして、外部から純水タンク11に純水を補給する補給流路41の所定位置に温度調節部41a、流量制御部41b、およびバルブ41cを設けている。
【0066】
また、外部からバルブ42aおよび流量制御部42bを通して供給される純水と純水タンク11からバルブ42cを通して導出される純水とを混合し、流量制御部42dおよびバルブ42eを通してドレインタンクに導いている。
【0067】
さらに、T0、T1、T21、T22、Tm1、Tm2は各部における純水の温度を検出するための温度センサである。そして、氷粒を完全に融解させることが必要な部分においては、十分な流路長を確保している。また、氷充填率(IPF)を算出するIPF算出部43を有している。さらに、Q01、Qm1、Qm2は各部の流量を表している。
【0068】
なお、15bはブラインを循環させるためのポンプである。また、導出部17は、氷粒の導出を許容する状態と許容しない状態とを選択できる選択部(図1中に2つの三角形でしめされた部分)を有している。さらに、純水タンク11の内部にはスターラー18を有している。さらにまた、純水タンク11の内部には、氷粒が純水用循環流路13に導出されることを防止する隔壁部材11aが設けられ、純水タンク11の外部には、純水の量を検出する純水レベル検出部(例えば、純水タンク11と連通された補助管および補助管内の液位を検出する光学センサ、超音波センサなど)11bが設けられ、純水タンク11の上壁の所定位置には窒素排気部11cが設けられている。
【0069】
前記プロペラ14の軸封機構として、窒素パージ付き軸封機構14aを採用し、軸受けの摩耗粉、潤滑剤が純水タンク11内に侵入することを防止している。
【0070】
上記の構成の氷粒生成部1を採用した場合には、図1の氷粒生成部と同様にして氷粒を生成することができる。そして、隔壁部材11a、フィルタ13cを設けるとともに、ヒータ13bと熱交換器12との間の流路長を氷粒の融解に十分な長さに設定しているので、氷粒が熱交換器12に侵入することを確実に防止し、熱交換器12の破損を未然に防止することができる。
【0071】
ただし、図2の氷粒生成部1においては、IPF算出部43によって、(Qm1×4.2×Tm1−Qm2×4.2×Tm2)/(Qm2−Qm1)×333の演算を行ってIPFを算出することができる(すなわち、純水タンク11内の純水と外部からの純水とを混合し、混合前後の流量、および温度からIPFを算出することができる)ので、IPFが基板の洗浄に好適な値(例えば、5〜20%)であるか否かを判定することができる。
【0072】
そして、算出されたIPFが基板の洗浄に好適な値でない場合には、純水用循環流路13を通して純水を循環させるとともに、算出されたIPFと目標とするIPFとの差に応じて過冷却温度、循環流量、外部から供給される純水の温度の少なくとも1つを制御することによって、IPFを基板の洗浄に好適な値にすることができ、ひいては基板の表面の洗浄を良好に行うことができる。これは、単位時間製氷量が循環流量×液体比熱×(液体凝固温度−過冷却温度)/氷潜熱の演算により算出できることから、容易に理解することができる。ただし、外部から供給される純水の温度は、製氷のためではなく、氷を融解させるためであるから、IPFを低下させる場合に適用される。
【0073】
具体的には、循環流量を20kg/minに設定した状態における単位時間製氷量(kg/min)−過冷却温度(℃)特性が図3に示すように与えられるので、過冷却温度を制御することにより、単位時間当たりの製氷量を制御でき、ひいては純水タンク11内におけるIPFを制御することができる。
【0074】
また、過冷却温度を−1℃に設定した状態における単位時間製氷量(kg/min)−循環流量(kg/min)特性が図4に示すように与えられるので、循環流量を制御することにより、単位時間当たりの製氷量を制御でき、ひいては純水タンク11内におけるIPFを制御することができる。
【0075】
さらに、外部からの純水の給水量を1kg/minに設定した状態における単位時間氷融解量(kg/min)−純水供給温度(℃)特性が図5に示すように与えられるので、純水供給温度を制御することにより、単位時間当たりの氷融解量を制御でき、ひいては純水タンク11内におけるIPFを制御する(減少させる)ことができる。
【0076】
そして、このようにIPFが設定された状態において、純水タンク11から氷粒を含む純水を基板の表面に供給することによって、基板の表面の良好な洗浄を達成することができる。
【0077】
【発明の効果】
請求項1の発明は、品質の安定した清浄な氷粒を低コストで生成し、この氷を用いて基板の表面を高品質に洗浄することができるという特有の効果を奏する。
【0078】
請求項2の発明は、品質の安定した清浄な氷粒を十分な量だけ供給することがでいるほか、請求項1と同様の効果を奏する。
【0079】
請求項3の発明は、純水中の氷充填率を高めることができるほか、請求項1または請求項2と同様の効果を奏する。
【0080】
請求項4の発明は、氷充填率に見合った基板の洗浄を達成することができるほか、請求項3と同様の効果を奏する。
【0081】
請求項5の発明は、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項4と同様の効果を奏する。
【0082】
請求項6の発明は、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項4と同様の効果を奏する。
【0083】
請求項7の発明は、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項4と同様の効果を奏する。
【0084】
請求項8の発明は、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項4と同様の効果を奏する。
【0085】
請求項9の発明は、氷粒どうしが結合して大きな塊になることを防止し、もしくは抑制することができるほか、請求項3から請求項8の何れかと同様の効果を奏する。
【0086】
請求項10の発明は、品質の安定した清浄な氷粒を低コストで生成し、この氷を用いて基板の表面を高品質に洗浄することができるという特有の効果を奏する。
【0087】
請求項12の発明は、品質の安定した清浄な氷粒を十分な量だけ供給することがでいるほか、請求項11と同様の効果を奏する。
【0088】
請求項13の発明は、純水中の氷充填率を高めることができるほか、請求項11または請求項12と同様の効果を奏する。
【0089】
請求項14の発明は、氷充填率に見合った基板の洗浄を達成することができるほか、請求項13と同様の効果を奏する。
【0090】
請求項15の発明は、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項14と同様の効果を奏する。
【0091】
請求項16の発明は、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項14と同様の効果を奏する。
【0092】
請求項17の発明は、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項14と同様の効果を奏する。
【0093】
請求項18の発明は、正確に所望の氷充填率を達成することができるほか、請求項14と同様の効果を奏する。
【0094】
請求項19の発明は、氷粒どうしが結合して大きな塊になることを防止し、もしくは抑制することができるほか、請求項13から請求項18の何れかと同様の効果を奏する。
【0095】
請求項20の発明は、短時間に過冷却状態を解除することができるほか、請求項11から請求項19の何れかと同様の効果を奏する。
【0096】
請求項21の発明は、軸受けの摩耗粉、潤滑剤などが侵入することを防止することができるほか、請求項20と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の基板洗浄装置の一実施態様を含む基板処理装置を示す概略図である。
【図2】氷粒生成部の構成を詳細に示す図である。
【図3】単位時間製氷量(kg/min)−過冷却温度(℃)特性の一例を示す図である。
【図4】単位時間製氷量(kg/min)−循環流量(kg/min)特性の一例を示す図である。
【図5】単位時間氷融解量(kg/min)−純水供給温度(℃)特性の一例を示す図である。
【符号の説明】
11 純水タンク 12 熱交換器
13 循環流路 14 プロペラ
17 導出部 18 スターラー
23 導入路 41 補給流路
43 IPF算出部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate cleaning method and apparatus, and more particularly to a method and apparatus for cleaning substrates one by one using ice particles.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, there has been proposed a substrate cleaning apparatus that cleans substrates one by one by supplying ice particles to the surface of the substrate (Japanese Patent Laid-Open Nos. 63-29515 and 11-151467). reference).
[0003]
When such a substrate cleaning apparatus is employed, good cleaning of the substrate can be achieved with the use of ice particles.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the above conventional substrate cleaning apparatus, pure water is cooled using a low temperature fluid such as liquid nitrogen in order to generate ice particles, so that a large amount of low temperature fluid is required and the running cost is increased. I'll be stuck.
[0005]
OBJECT OF THE INVENTION
The present invention has been made in view of the above problems, and a substrate cleaning method capable of generating clean ice particles with stable quality at low cost and cleaning the surface of the substrate using the ice, and its The object is to provide a device.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The substrate cleaning method according to
[0007]
The substrate cleaning method according to
[0008]
In the substrate cleaning method according to
[0009]
A substrate cleaning method according to a fourth aspect of the present invention is a method of controlling the ice filling rate in the pure water temporarily held to an ice filling rate capable of achieving a predetermined cleaning ability.
[0010]
The substrate cleaning method according to
[0011]
A substrate cleaning method according to a sixth aspect of the present invention is a method of controlling the amount of ice particles generated by the supercooling temperature of pure water.
[0012]
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning method for controlling a generation amount of ice particles by a circulating flow rate of pure water.
[0013]
The substrate cleaning method according to an eighth aspect of the present invention is a method for controlling the ice filling rate in pure water temporarily held by the temperature of pure water supplied from the outside.
[0014]
The substrate cleaning method according to claim 9 is a method of stirring pure water containing ice particles, which is temporarily held.
[0015]
The substrate cleaning method according to
[0016]
The substrate cleaning apparatus according to claim 11 includes: a supercooling unit that cools pure water to a supercooled state; an ice particle generating unit that generates a large number of ice particles by releasing the supercooled state by applying an impact; And ice particle supply means for supplying pure water containing the ice particles to the surface of the substrate to be cleaned.
[0017]
The substrate cleaning apparatus according to
[0018]
The substrate cleaning apparatus according to
[0019]
The substrate cleaning apparatus according to claim 14 further includes ice filling rate control means for controlling the ice filling rate in the pure water temporarily held in the temporary holding means to an ice filling rate capable of achieving a predetermined cleaning ability. It is a waste.
[0020]
The substrate cleaning apparatus according to a fifteenth aspect of the invention further includes ice filling rate detection means for mixing ice particles and pure water and detecting the ice filling rate from the flow rate and temperature before and after mixing.
[0021]
According to a sixteenth aspect of the present invention, there is adopted a substrate cleaning apparatus that controls the generation amount of ice particles by the supercooling temperature of pure water as the ice filling rate control means.
[0022]
The substrate cleaning apparatus according to claim 17 employs, as the ice filling rate control means, one that controls the amount of ice particles generated by the circulation flow rate of pure water.
[0023]
The substrate cleaning apparatus according to claim 18 employs, as the ice filling rate control means, a device that controls the ice filling rate in pure water temporarily held by the temperature of pure water supplied from the outside. .
[0024]
The substrate cleaning apparatus according to a nineteenth aspect of the present invention further includes a stirring means for stirring pure water containing ice particles that is temporarily held.
[0025]
A substrate cleaning apparatus according to a twentieth aspect employs, as the ice particle generating means, a device that releases supercooled state by applying supercooled water to the rotor blade means.
[0026]
A substrate cleaning apparatus according to a twenty-first aspect employs a shaft sealing structure with a nitrogen purge as the rotary blade means.
[0027]
[Action]
According to the substrate cleaning method of
[0028]
According to the substrate cleaning method of
[0029]
According to the substrate cleaning method of
[0030]
According to the substrate cleaning method of
[0031]
According to the substrate cleaning method of
[0032]
According to the substrate cleaning method of claim 6, since the amount of ice particles generated is controlled by the supercooling temperature of pure water, the desired ice filling rate can be achieved accurately and the same as in
[0033]
According to the substrate cleaning method of claim 7, since the amount of ice particles generated is controlled by the circulating flow rate of pure water, the desired ice filling rate can be achieved accurately, and the same method as in
[0034]
According to the substrate cleaning method of claim 8, since the ice filling rate in pure water temporarily held is controlled by the temperature of pure water supplied from the outside, the desired ice filling rate is achieved accurately. In addition, the same effect as in the fourth aspect can be achieved.
[0035]
According to the substrate cleaning method of claim 9, since the pure water containing ice particles that is temporarily held is agitated, the ice particles are prevented from being combined to form a large lump or suppressed. In addition, it is possible to achieve the same effect as any one of the third to eighth aspects.
[0036]
According to the substrate cleaning method of
[0037]
In the substrate cleaning apparatus according to claim 11, the pure water is cooled to the supercooled state by the supercooling unit, and the supercooled pure water is shocked by the ice particle generating unit to release the supercooled state. Thus, a large number of ice particles can be generated, and pure water containing the generated ice particles can be supplied to the surface of the substrate to be cleaned by the ice particle supplying means, thereby cleaning the surface of the substrate.
[0038]
Therefore, clean ice particles with stable quality can be generated at low cost, and the surface of the substrate can be cleaned with high quality using this ice.
[0039]
The substrate cleaning apparatus according to
[0040]
According to the substrate cleaning apparatus of the thirteenth aspect, the temporary holding means for temporarily holding the pure water containing the generated ice particles to be supplied to the surface of the substrate to be cleaned, and the temporary holding means are temporarily held. In order to increase the ice filling rate in the pure water, it further includes a circulation means for supplying the temporarily held pure water to the cooling process again, so that the ice filling rate in the pure water can be increased. The effect similar to that of claim 11 or
[0041]
According to the substrate cleaning apparatus of claim 14, the ice filling rate control means for controlling the ice filling rate in the pure water temporarily held in the temporary holding means to an ice filling rate capable of achieving a predetermined cleaning ability. In addition, since the substrate can be cleaned in accordance with the ice filling rate, the same effect as that of the thirteenth aspect can be achieved.
[0042]
The substrate cleaning apparatus according to claim 15 further includes ice filling rate detecting means for mixing ice particles and pure water and detecting the ice filling rate from the flow rate and temperature before and after mixing, so that the desired amount can be accurately obtained. In addition to being able to achieve an ice filling rate, the same effect as in claim 14 can be achieved.
[0043]
In the substrate cleaning apparatus according to
[0044]
In the substrate cleaning apparatus according to claim 17, since the ice filling rate control means that controls the generation amount of ice particles by the circulation flow rate of pure water is used, the desired ice filling rate is achieved accurately. In addition, the same effect as that of the fourteenth aspect can be achieved.
[0045]
In the substrate cleaning apparatus according to claim 18, the ice filling rate control means that controls the ice filling rate in pure water temporarily held by the temperature of pure water supplied from outside is adopted. Therefore, the desired ice filling rate can be achieved accurately, and the same effect as that of claim 14 can be achieved.
[0046]
The substrate cleaning apparatus according to claim 19 further includes a stirring means for stirring pure water containing ice particles that is temporarily held, so that the ice particles are combined to form a large lump. In addition to being able to be prevented or suppressed, the same action as in any one of
[0047]
In the substrate cleaning apparatus according to
[0048]
According to the substrate cleaning apparatus of
[0049]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the substrate cleaning method and apparatus of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
[0050]
FIG. 1 is a schematic view showing a substrate processing apparatus including an embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention.
[0051]
The substrate processing apparatus includes an ice
[0052]
The ice
[0053]
The
[0054]
The
[0055]
The operation of the substrate processing apparatus having the above-described configuration is as follows.
[0056]
In the ice
[0057]
Further, pure water in the pure water tank 11 is supplied to the
[0058]
By circulating pure water as described above, the generation amount of ice particles is increased, and the stirrer 18 is operated to prevent the ice particles in the pure water tank 11 from becoming a large lump. In addition, when the amount of pure water in the pure water tank 11 is reduced by deriving the ice particles through the deriving unit 17, pure water is replenished through a supply path (not shown).
[0059]
In the
[0060]
In the
[0061]
Accordingly, clean ice particles with stable quality can be produced at low cost, the ice filling rate in the pure water tank 11 can be sufficiently increased, and the surface of the
[0062]
Moreover, since no chemicals such as antifreeze are used, it is possible to eliminate the waste liquid treatment after cleaning.
[0063]
FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the
[0064]
The ice
[0065]
And the
[0066]
Further, pure water supplied from the outside through the
[0067]
Further, T0, T1, T21, T22, Tm1, and Tm2 are temperature sensors for detecting the temperature of pure water in each part. A sufficient flow path length is secured in a portion where it is necessary to completely melt the ice particles. Moreover, it has the IPF calculation part 43 which calculates an ice filling rate (IPF). Further, Q01, Qm1, and Qm2 represent the flow rate of each part.
[0068]
[0069]
As the shaft seal mechanism of the propeller 14, a
[0070]
When the
[0071]
However, in the ice
[0072]
If the calculated IPF is not a value suitable for substrate cleaning, pure water is circulated through the pure
[0073]
Specifically, since the unit time ice making amount (kg / min) -supercooling temperature (° C.) characteristic in the state where the circulation flow rate is set to 20 kg / min is given as shown in FIG. 3, the supercooling temperature is controlled. As a result, the amount of ice making per unit time can be controlled, and consequently the IPF in the pure water tank 11 can be controlled.
[0074]
Moreover, since the unit time ice making amount (kg / min) -circulation flow rate (kg / min) characteristic in the state where the supercooling temperature is set to -1 ° C. is given as shown in FIG. 4, by controlling the circulation flow rate Thus, the ice making amount per unit time can be controlled, and consequently the IPF in the pure water tank 11 can be controlled.
[0075]
Further, since the unit time ice melting amount (kg / min) -pure water supply temperature (° C.) characteristic in the state where the amount of pure water supplied from the outside is set to 1 kg / min is given as shown in FIG. By controlling the water supply temperature, the amount of ice melt per unit time can be controlled, and consequently the IPF in the pure water tank 11 can be controlled (reduced).
[0076]
In the state where the IPF is set as described above, by supplying pure water containing ice particles from the pure water tank 11 to the surface of the substrate, it is possible to achieve good cleaning of the surface of the substrate.
[0077]
【The invention's effect】
The invention of
[0078]
The invention of
[0079]
The invention of
[0080]
The invention of
[0081]
The invention according to
[0082]
The invention of claim 6 can achieve the desired ice filling rate accurately and has the same effect as that of
[0083]
The invention according to claim 7 can achieve the desired ice filling rate accurately, and has the same effect as that of
[0084]
The invention according to claim 8 can achieve the desired ice filling rate accurately and has the same effect as that of
[0085]
The invention of claim 9 can prevent or suppress the formation of a large lump by combining ice particles, and has the same effect as any one of
[0086]
The invention of
[0087]
The invention of
[0088]
The invention of
[0089]
According to the fourteenth aspect of the present invention, it is possible to achieve the substrate cleaning corresponding to the ice filling rate, and the same effect as the thirteenth aspect is achieved.
[0090]
The invention of
[0091]
The invention of
[0092]
The invention of claim 17 can achieve a desired ice filling rate accurately, and has the same effect as that of claim 14.
[0093]
The invention of claim 18 can achieve a desired ice filling rate accurately, and has the same effect as that of claim 14.
[0094]
According to the nineteenth aspect of the invention, it is possible to prevent or suppress the ice particles from being combined into a large lump, and the same effects as in any of the thirteenth to eighteenth aspects are achieved.
[0095]
The invention of
[0096]
The invention of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view showing a substrate processing apparatus including an embodiment of a substrate cleaning apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing in detail a configuration of an ice grain generation unit.
FIG. 3 is a diagram showing an example of a unit time ice making amount (kg / min) -supercooling temperature (° C.) characteristic;
FIG. 4 is a diagram showing an example of a unit time ice making amount (kg / min) -circulation flow rate (kg / min) characteristic;
FIG. 5 is a diagram showing an example of a unit time ice melting amount (kg / min) -pure water supply temperature (° C.) characteristic.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11
Claims (21)
衝撃を与えて過冷却状態を解除することにより多数の氷粒を生成し、
生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給する
ことを特徴とする基板洗浄方法。Cool pure water to a supercooled state,
A lot of ice particles are generated by releasing the supercooled state by giving an impact,
A substrate cleaning method comprising supplying pure water containing generated ice particles to a surface of a substrate to be cleaned.
衝撃を与えて過冷却状態を解除することにより多数の氷粒を生成する氷粒生成手段(13)(14)と、
生成した氷粒を含む純水を洗浄対象基板の表面に供給する氷粒供給手段(17)(23)と
を含むことを特徴とする基板洗浄装置。Supercooling means (12) for cooling pure water to a supercooled state;
Ice particle generating means (13) (14) for generating a large number of ice particles by releasing a supercooled state by applying an impact;
A substrate cleaning apparatus comprising: ice particle supply means (17) (23) for supplying pure water including generated ice particles to the surface of the substrate to be cleaned.
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