JP4620018B2 - Antenna device - Google Patents

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Description

本発明は、チップアンテナ等のアンテナ装置に関し、詳しくは、高利得なチップアンテナ等を実現するための技術に関し、特に、能動デバイスとアンテナを一体化した所謂システムオンパッケージを実現する際に有効に高利得化を実現するアンテナ装置に関する。   The present invention relates to an antenna device such as a chip antenna, and more particularly to a technique for realizing a high-gain chip antenna or the like, and particularly effective in realizing a so-called system-on-package in which an active device and an antenna are integrated. The present invention relates to an antenna device that achieves high gain.

従来、給電線路を用いずにアレー構成を実現したアンテナ装置として、無給電素子アレーによる技術が提案されている(非特許文献1参照)。
図6に、上記従来技術によるアンテナ装置の構成を示す。同図において、20は給電用マイクロストリップアンテナ、30は無給電素子金属、40は地板、50はマイクロストリップ線路を示し、60は高周波信号源を示している。
Conventionally, a technique using a parasitic element array has been proposed as an antenna device that realizes an array configuration without using a feed line (see Non-Patent Document 1).
FIG. 6 shows the configuration of the antenna device according to the conventional technique. In the figure, 20 is a feeding microstrip antenna, 30 is a parasitic element metal, 40 is a ground plane, 50 is a microstrip line, and 60 is a high-frequency signal source.

この従来技術に係るアンテナ装置は、給電素子である1個の給電用マイクロストリップアンテナ20に対して4個の無給電素子金属30を磁気的に結合させることにより一種のアレーアンテナとして動作し、これにより高利得化を実現している。
H.Legay and L.Shafai, “New stacked microstrip antenna with large bandwidth and high gain,”IEE Proc. -Microw. Antennas Propag., Vol.141, No3, pp.199-204, June 1994.
This prior art antenna device operates as a kind of array antenna by magnetically coupling four parasitic element metals 30 to one feeding microstrip antenna 20 which is a feeding element. As a result, higher gain is achieved.
H.Legay and L.Shafai, “New stacked microstrip antenna with large bandwidth and high gain,” IEE Proc.-Microw. Antennas Propag., Vol.141, No3, pp.199-204, June 1994.

一般に、パッケージにアンテナ素子を配列してアレーアンテナを形成する場合、各アンテナ素子に給電するための給電用線路も形成する必要があり、その給電用線路の引き回しに起因して損失や不要輻射が増大するため、効果的に利得を増加できない。
このような問題について、上述の図6に示す無給電素子金属30を用いた従来技術に係るアンテナ装置によれば、無給電素子金属30は給電用マイクロストリップアンテナ20から磁気的に給電されるため、給電用線路を必要とせず、この給電用線路の引き回しに起因した上述の問題を回避することができる。
In general, when an array antenna is formed by arranging antenna elements in a package, it is necessary to form a feeding line for feeding power to each antenna element. Loss and unnecessary radiation are caused by the routing of the feeding line. Therefore, the gain cannot be increased effectively.
Regarding such a problem, according to the antenna device according to the related art using the parasitic element metal 30 shown in FIG. 6 described above, the parasitic element metal 30 is magnetically fed from the feeding microstrip antenna 20. The above-mentioned problem caused by the routing of the power supply line can be avoided without requiring a power supply line.

しかしながら、図6に示す従来技術に係るアンテナ装置によれば、給電用マイクロストリップアンテナ20に対して磁気的に結合可能な無給電素子金属30の配置位置が限られるため、無給電素子金属30の個数を有効に増やすことができず、従って有効に高利得化できないという問題がある。   However, according to the antenna device according to the prior art shown in FIG. 6, the arrangement position of the parasitic element metal 30 that can be magnetically coupled to the feeding microstrip antenna 20 is limited. There is a problem that the number cannot be increased effectively, and therefore the gain cannot be increased effectively.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、給電用線路の引き回しを必要とせず、損失を抑えながら、高利得化を有効に実現することができるアンテナ装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an antenna device that can effectively achieve high gain while suppressing loss without requiring the feeding line. And

本発明は、上記課題を解決するため、以下の構成を有する。
即ち、本発明は、複数の絶縁層を積層してなる多層基板(例えば図1に示す多層基板1に対応する要素)と、前記多層基板をなす絶縁層に配置され、高周波信号が給電された給電素子(例えば図1に示す給電素子2に対応する要素)と、前記多層基板をなす絶縁層に配置され、前記給電素子に対して従属的に磁気結合された複数の無給電素子(例えば図1に示す無給電素子311〜314,321〜324,331〜334,341〜344に対応する要素)とを備え、前記複数の無給電素子のうち隣り合う2つの無給電素子が互いに異なる2つの絶縁層に交互に配置されたことを特徴とするアンテナ装置の構成を有する。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.
That is, the present invention is arranged in a multilayer substrate (for example, an element corresponding to the multilayer substrate 1 shown in FIG. 1) formed by laminating a plurality of insulating layers and an insulating layer forming the multilayer substrate, and a high-frequency signal is fed. A plurality of parasitic elements (for example, FIG. 1) disposed on an insulating layer forming the multilayer substrate and a magnetic coupling subordinately to the feeding element (for example, an element corresponding to the feeding element 2 shown in FIG. 1). Elements corresponding to the parasitic elements 311 to 314, 321 to 324, 331 to 334, and 341 to 344 shown in Fig. 1 and two adjacent parasitic elements among the plurality of parasitic elements are different from each other . The antenna device has a structure in which the antenna devices are alternately arranged in the insulating layer.

この構成によれば、給電素子から放射されたエネルギーの一部が複数の無給電素子を励振させ、これら複数の無給電素子のそれぞれが電磁波を放射する。従って、給電素子に加えて複数の無給電素子から電磁波が放射されるため、実質的にアンテナの開口面積が拡大し、これにより高利得化される。また、複数の無給電素子が従属的に結合されているので、1個の給電素子に対して無給電素子の個数を有効に増加させることが可能になり、従って、アンテナの開口面積を増加し、効果的に高利得化を実現できる。   According to this configuration, part of the energy radiated from the feed element excites the plurality of parasitic elements, and each of the plurality of parasitic elements radiates electromagnetic waves. Accordingly, since electromagnetic waves are radiated from a plurality of parasitic elements in addition to the feeding elements, the aperture area of the antenna is substantially enlarged, thereby increasing the gain. In addition, since a plurality of parasitic elements are subordinately coupled, it is possible to effectively increase the number of parasitic elements with respect to one feeding element, thus increasing the aperture area of the antenna. High gain can be effectively realized.

上記アンテナ装置において、例えば、前記複数の無給電素子は、前記給電素子に関して点対称に配置されたことを特徴とする。
上記アンテナ装置において、例えば、前記複数の無給電素子は、前記給電素子を基点として列状に配置されたことを特徴とする。
上記アンテナ装置において、例えば、前記給電素子を基点として等距離に位置する一群の無給電素子を1単位としたときに、複数単位の無給電素子を備えたことを特徴とする。
上記アンテナ装置において、例えば、少なくとも5単位以上の無給電素子を備えたことを特徴とする。
上記アンテナ装置において、例えば、前記列状に配置された複数の無給電素子を1組としたときに、複数組の無給電素子を備えたことを特徴とする。
上記アンテナ装置において、例えば、前記隣り合う2つの無給電素子が、前記多層基板をなす絶縁層を介して重なり領域を形成したことを特徴とする。
In the antenna device, for example, the plurality of parasitic elements are arranged point-symmetrically with respect to the feeding element.
In the antenna device, for example, the plurality of parasitic elements are arranged in a line from the feeding element as a base point.
In the antenna device, for example, when a group of parasitic elements located at an equal distance from the feeding element as a base is defined as one unit, a plurality of units of parasitic elements are provided.
In the antenna device, for example, at least 5 units or more of parasitic elements are provided.
In the antenna device, for example, when a plurality of parasitic elements arranged in a row are set as one set, a plurality of sets of parasitic elements are provided.
In the antenna device, for example, the adjacent two parasitic elements may form an overlapping region through an insulating layer forming the multilayer substrate.

本発明によれば、給電素子に対し複数の無給電素子を従属的に電磁結合させたので、給電用線路の引き回しを必要とせず、損失を抑えながら、高利得化を有効に実現することができる。
また、本発明によれば、給電回路を用いることなく大面積のアレーアンテナを構成することができるため、ミリ波帯等においても低損失かつ高利得なアンテナを実現することができる。
According to the present invention, since a plurality of parasitic elements are electromagnetically coupled to the feeding element in a dependent manner, it is possible to effectively realize a high gain while suppressing a loss without requiring a feeding line. it can.
In addition, according to the present invention, an array antenna having a large area can be configured without using a feeding circuit, so that an antenna having a low loss and a high gain can be realized even in a millimeter wave band or the like.

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図1〜図5は、本発明の実施形態を説明するための図である。
ここで、図1及び図2は、本実施形態に係るアンテナ装置の構成を示す図であり、図1は上視図、図2(a)は、図1のA−B線における断面図であり、図2(b)は、図2(a)に示す構成の変形例を示す図である。図1及び図2(a)において、符号1は多層基板、符号2は方形の給電用マイクロストリップアンテナからなる給電素子、300番代の符号は方形の金属片からなる無給電素子を示す。符号4は地板、符号5は給電線を示す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1-5 is a figure for demonstrating embodiment of this invention.
Here, FIG. 1 and FIG. 2 are diagrams showing the configuration of the antenna device according to the present embodiment, FIG. 1 is a top view, and FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line AB in FIG. FIG. 2B is a diagram showing a modification of the configuration shown in FIG. 1 and 2A, reference numeral 1 denotes a multilayer substrate, reference numeral 2 denotes a feeding element made of a rectangular feeding microstrip antenna, and reference numeral 300 denotes a parasitic element made of a square metal piece. Reference numeral 4 denotes a ground plane, and reference numeral 5 denotes a feeder line.

図1及び図2(a)に示すように、多層基板1は、誘電体基板(絶縁層)1A,1Bを積層して構成され、この多層基板1の下層をなす誘電基板1A上には1個の給電素子2が配置される。多層基板1の上層をなす誘電体基板1B上には、複数の無給電素子311,312,313,314,331,332,333,334が配置され、給電素子2と同一面上の誘電体基板1A上には、複数の無給電素子321,322,323,324,341,342,343,344が配置される。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2A, the multilayer substrate 1 is configured by laminating dielectric substrates (insulating layers) 1A and 1B, and 1 is formed on the dielectric substrate 1A forming the lower layer of the multilayer substrate 1. One feeding element 2 is arranged. A plurality of parasitic elements 311, 312, 313, 314, 331, 332, 333, and 334 are arranged on the dielectric substrate 1 </ b> B that forms the upper layer of the multilayer substrate 1, and the dielectric substrate is on the same plane as the feeder element 2. A plurality of parasitic elements 321, 322, 323, 324, 341, 342, 343, and 344 are arranged on 1A.

給電線5は、誘電体基板1Aを貫通するように形成され、図示しない高周波信号源から給電線5を介して給電素子2に高周波信号が給電される。
なお、以下の説明では、複数の無給電素子311,312,313,314,321,322,323,324,331,332,333,334,341,342,343,344を総称するときは、無給電素子300と称する。
The feed line 5 is formed so as to penetrate the dielectric substrate 1 </ b> A, and a high-frequency signal is fed from the high-frequency signal source (not shown) to the feed element 2 through the feed line 5.
In the following description, when a plurality of parasitic elements 311, 312, 313, 314, 321, 322, 323, 324, 331, 332, 333, 334, 341, 342, 343, 344 are collectively referred to This is called a power feeding element 300.

ここで、複数の無給電素子300は、給電素子2に関して点対称に配置されると共に、給電素子2に対して従属的に磁気結合されている。
具体的に説明すると、無給電素子311,321,331,341は、給電素子2を基点として列状に配置されると共に、これら複数の無給電素子311,321,331,341のうち、隣り合う2つの無給電素子が互いに異なる誘電体基板に交互に配置された構造となっている。
Here, the plurality of parasitic elements 300 are arranged point-symmetrically with respect to the feeding element 2 and are magnetically coupled to the feeding element 2 in a dependent manner.
More specifically, the parasitic elements 311, 321, 331, 341 are arranged in a row with the feeding element 2 as a base point, and are adjacent to each other among the plurality of parasitic elements 311, 321, 331, 341. Two parasitic elements are alternately arranged on different dielectric substrates.

図1及び図2(a)に示す例では、隣り合う2つの無給電素子311と無給電素子321のうち、一方の無給電素子311が誘電体基板1B上に配置され、他方の無給電素子321が誘電体基板1A上に配置されており、これら隣り合う2つの無給電素子は、誘電体基板1Bを介して重なり領域を形成している。その他の隣り合う2つの無給電素子についても同様に重なり領域を形成している。この重なり領域の面積は、例えば、隣り合う無給電素子間で伝送すべき電磁波のエネルギー量に応じて適切に設定され、あるいは、各無給電素子から放射される電磁波の位相が合うように設定される。ただし、この例に限定されることなく、必要とするアンテナ性能に応じて重なり面積を適切に設定すればよい。   In the example shown in FIG. 1 and FIG. 2A, one parasitic element 311 is disposed on the dielectric substrate 1B among the two adjacent parasitic elements 311 and 321 and the other parasitic element. 321 is disposed on the dielectric substrate 1A, and these two adjacent parasitic elements form an overlapping region via the dielectric substrate 1B. The overlapping region is similarly formed for the other two parasitic elements. The area of this overlapping region is appropriately set according to the amount of electromagnetic wave energy to be transmitted between adjacent parasitic elements, or set so that the phase of the electromagnetic waves radiated from each parasitic element matches. The However, the present invention is not limited to this example, and the overlapping area may be appropriately set according to the required antenna performance.

なお、本実施形態では、「隣り合う2つの無給電素子」とは、磁気的結合関係が密接な2つの無給電素子を意味する。この点について、図1及び図2(a)に示す例では、厳密には、例えば無給電素子311と無給電素子331との間にも磁気的結合関係が存在するが、図1から理解されるように、上述の重なり領域を設けたことにより、無給電素子311と無給電素子331との間の対向面積に比べて、無給電素子311と無給電素子321との間の対向面積が圧倒的に大きくなるため、これら無給電素子311と無給電素子321との間の磁気的結合が密になる。従って無給電素子311に対しては無給電素子321が隣り合ったものとなる。他の隣り合う2つの無給電素子についても同様である。   In the present embodiment, “adjacent two parasitic elements” mean two parasitic elements having a close magnetic coupling relationship. In this respect, in the example shown in FIG. 1 and FIG. 2A, strictly speaking, for example, there is a magnetic coupling relationship between the parasitic element 311 and the parasitic element 331, which is understood from FIG. As described above, by providing the above overlapping region, the facing area between the parasitic element 311 and the parasitic element 321 is overwhelming compared to the facing area between the parasitic element 311 and the parasitic element 331. Therefore, the magnetic coupling between the parasitic element 311 and the parasitic element 321 becomes dense. Therefore, the parasitic element 321 is adjacent to the parasitic element 311. The same applies to the other two parasitic elements.

また、上記複数の無給電素子300のうち、無給電素子311,321,331,341は、給電素子2に対して従属的に磁気結合されている。即ち、給電素子2に対し無給電素子311が従属的に磁気結合され、この無給電素子311に対し無給電素子321が従属的に磁気結合され、この無給電素子321に対し無給電素子341が従属的に磁気結合されている。同様に、給電素子2に対し、無給電素子312,322,332,342と、無給電素子313,323,333,343と、無給電素子314,324,334,344とが、それぞれ給電素子2に対し従属的に磁気結合されている。   Of the plurality of parasitic elements 300, the parasitic elements 311, 321, 331, 341 are magnetically coupled to the feeder element 2 in a dependent manner. That is, the parasitic element 311 is magnetically coupled to the parasitic element 2, the parasitic element 321 is magnetically coupled to the parasitic element 311, and the parasitic element 341 is coupled to the parasitic element 321. Dependently magnetically coupled. Similarly, the parasitic elements 312, 322, 332, and 342, the parasitic elements 313, 323, 333, and 343, and the parasitic elements 314, 324, 334, and 344 are respectively provided with respect to the feeder element 2. Is magnetically coupled in a dependent manner.

ここで、上述の図1及び図2(a)に示す本アンテナ装置の構成は、給電素子2を基点として等距離にあり且つ点対称な位置に配置された一群の無給電素子を1単位とすれば、複数単位の無給電素子を備えたものと言える。この例では、給電素子2の中心を基点とした点対称な4箇所の位置に配置された合計4個の無給電素子が1単位と定義される。具体的には、給電素子2に磁気結合された4個の無給電素子311,312,313,314は給電素子2から最短の等距離にあり、これら4個の無給電素子が1単位分の無給電素子を構成する。同様に、4個の無給電素子321,322,323,324と、4個の無給電素子331,332,333,334と、4個の無給電素子341,342,343,344とが、それぞれ1単位分の無給電素子を構成する。従って、図1に示す本アンテナ装置は、合計4単位の無給電素子を備えた構成例である。   Here, in the configuration of the antenna apparatus shown in FIG. 1 and FIG. 2A described above, a group of parasitic elements that are equidistant from the feeding element 2 and arranged at point-symmetric positions are defined as one unit. In other words, it can be said that a plurality of parasitic elements are provided. In this example, a total of four parasitic elements arranged at four point-symmetric positions with respect to the center of the feeding element 2 are defined as one unit. Specifically, the four parasitic elements 311, 312, 313, and 314 magnetically coupled to the feeding element 2 are at the shortest equidistant distance from the feeding element 2, and these four parasitic elements are equivalent to one unit. A parasitic element is formed. Similarly, four parasitic elements 321, 322, 323, and 324, four parasitic elements 331, 332, 333, and 334, and four parasitic elements 341, 342, 343, and 344, respectively, A parasitic element for one unit is configured. Therefore, the antenna apparatus shown in FIG. 1 is a configuration example including a total of four units of parasitic elements.

また、上述の図1及び図2(a)に示す本アンテナ装置の構成は、次のように言い換えることができる。即ち、本アンテナ装置の構成は、給電素子2に対して従属的に磁気結合された1列分の複数の無給電素子311,321,331,341を1組とすれば、4組の無給電素子を備えたものであり、この4組の無給電素子が、前記給電素子に関して点対称に配置されたものと言える。   Further, the configuration of the antenna apparatus shown in FIGS. 1 and 2A can be paraphrased as follows. In other words, the configuration of this antenna apparatus is such that four pairs of parasitic elements are provided if a plurality of parasitic elements 311, 321, 331, and 341 for one column that are subordinately magnetically coupled to the feeder element 2 are taken as one set. It can be said that these four sets of parasitic elements are arranged symmetrically with respect to the feeding element.

この例では、4組の無給電素子が十字状に点対称に配置されているが、これに限定されることなく、1個の給電素子2に対して、1列分に相当する1組の無給電素子(例えば無給電素子311,321,331,341)のみを備えるものとしてもよく、また、4組に限定されることなく、必要とするアンテナ性能に応じて任意の複数組の無給電素子を備えるものとすることもできる。また、1組を構成する無給電素子の個数も、この例に限定されず、適切に設定すればよい。また、点対称性についても必要に応じて備えれば足り、必ずしも備える必要はない。   In this example, four sets of parasitic elements are arranged in a cross-shaped point symmetry, but the present invention is not limited to this, and one set corresponding to one row is provided for one feeding element 2. Only parasitic elements (for example, parasitic elements 311, 321, 331, 341) may be provided, and the number of parasitic groups is not limited to four, and any number of groups of parasitic elements may be used depending on the required antenna performance. An element can also be provided. Further, the number of parasitic elements constituting one set is not limited to this example, and may be set appropriately. Further, it is sufficient if the point symmetry is provided as necessary, and it is not always necessary.

なお、図2(a)に示す構成例では、給電素子2と無給電素子321,323,341,343(図1では、無給電素子321,322,323,324,341,342,343,344)を下層の誘電体基板1A上に配置し、無給電素子311,313,331,333(図1では、無給電素子311,312,313,314,331,332,333,334)を上層の誘電体基板1B上に配置したが、図2(b)に示すように、給電素子2と無給電素子321,323,341,343を上層の誘電体基板1B上に配置し、無給電素子311,313,331,333を下層の誘電体基板1A上に配置するものとしてもよい。   2A, the feed element 2 and the parasitic elements 321, 323, 341, and 343 (in FIG. 1, the parasitic elements 321, 322, 323, 324, 341, 342, 343, and 344). ) Is disposed on the lower dielectric substrate 1A, and parasitic elements 311, 313, 331, 333 (in FIG. 1, parasitic elements 311, 312, 313, 314, 331, 332, 333, 334) are disposed on the upper layer. Although arranged on the dielectric substrate 1B, as shown in FIG. 2B, the feeding element 2 and the parasitic elements 321, 323, 341, and 343 are arranged on the upper dielectric substrate 1B, and the parasitic element 311 is arranged. , 313, 331, 333 may be disposed on the lower dielectric substrate 1A.

次に、本実施形態の作用(動作)を説明する。
図示しない高周波信号源から給電線5を介して給電素子2が給電されると、この給電素子2がマイクロストリップアンテナとして機能して電磁波を放射する。給電素子2から放射された電磁波の一部は、給電素子2と磁気結合された1単位目の無給電素子311,312,313,314を励振させ、これら無給電素子に高周波電流が誘導される。これにより、無給電素子311,312,313,314のそれぞれが電磁波を放射する。
Next, the operation (operation) of this embodiment will be described.
When the feeding element 2 is fed from a high-frequency signal source (not shown) via the feeding line 5, the feeding element 2 functions as a microstrip antenna and radiates electromagnetic waves. Part of the electromagnetic waves radiated from the feed element 2 excites the first unit parasitic elements 311, 312, 313, and 314 magnetically coupled to the feed element 2, and a high-frequency current is induced in these parasitic elements. . Thereby, each of the parasitic elements 311, 312, 313, and 314 emits electromagnetic waves.

また、1単位目の無給電素子311,312,313,314から放射された電磁波の一部は、これら無給電素子と磁気結合された2単位目の無給電素子321,322,323,324を励振させ、これら無給電素子に高周波電流が誘導される。これにより、無給電素子321,322,323,324のそれぞれが電磁波を放射する。同様にして、2単位目の無給電素子から放射された電磁波の一部により3単位目の無給電素子331,332,333,334が励振されて電磁波を放射し、3単位目の無給電素子から放射された電磁波の一部により4単位目の無給電素子341,342,343,344が励振されて電磁波を放射する。   Further, a part of the electromagnetic waves radiated from the first unit parasitic elements 311, 312, 313, and 314 are transmitted to the second unit parasitic elements 321, 322, 323, and 324 that are magnetically coupled to these parasitic elements. High frequency current is induced in these parasitic elements by excitation. Thereby, each of the parasitic elements 321, 322, 323, and 324 emits electromagnetic waves. Similarly, the third unit parasitic elements 331, 332, 333, and 334 are excited by a part of the electromagnetic waves radiated from the second unit parasitic elements to emit electromagnetic waves, and the third unit parasitic elements are emitted. The parasitic elements 341, 342, 343, and 344 of the fourth unit are excited by a part of the electromagnetic waves radiated from radiate the electromagnetic waves.

よって、本実施形態によれば、給電素子2に対し複数単位の無給電素子300を従属的に磁気結合させたので、給電用線路を用いることなく、各無給電素子に給電することが可能になる。また、給電素子2と各無給電素子300がそれぞれ電磁波を放射するので、これら給電素子2と各無給電素子300が一種のアレーアンテナ素子として機能するようになる。従って、実質的にアンテナの開口面積が拡大することとなり、これによりアンテナを高利得化することが可能になる。   Therefore, according to the present embodiment, since a plurality of units of parasitic elements 300 are subordinately magnetically coupled to the feeding element 2, it is possible to feed power to each parasitic element without using a feeding line. Become. In addition, since the feed element 2 and each parasitic element 300 radiate electromagnetic waves, the feed element 2 and each parasitic element 300 function as a kind of array antenna element. Therefore, the aperture area of the antenna is substantially enlarged, and this makes it possible to increase the gain of the antenna.

また、本実施形態によれば、隣り合う2つの無給電素子を互いに異なる誘電体基板上に配置したので、前述の図6に示す従来技術に比較して、アレーアンテナ素子として機能する無給電素子の個数を飛躍的に増やすことが可能になる。よって、本実施形態によれば、アレーアンテナ素子として機能する複数の無給電素子300に対する給電用線路の引き回しを不要とし、損失を抑えながら、アンテナ装置の高利得化を有効に実現できる。
また、本実施形態によれば、複数の無給電素子300を点対称な位置に配置したので、前後方向および左右方向の各方向に対称な構造となり、そのため、水平偏波と垂直偏波の両偏波を同時に使用することが可能になる。
Further, according to the present embodiment, since two adjacent parasitic elements are arranged on different dielectric substrates, the parasitic elements functioning as array antenna elements as compared with the prior art shown in FIG. The number of can be increased dramatically. Therefore, according to the present embodiment, it is not necessary to route the feeding line with respect to the plurality of parasitic elements 300 that function as array antenna elements, and it is possible to effectively realize a high gain of the antenna device while suppressing loss.
In addition, according to the present embodiment, since the plurality of parasitic elements 300 are arranged at point-symmetrical positions, the structure is symmetric in each of the front-rear direction and the left-right direction. It becomes possible to use polarized waves simultaneously.

[実施例]
次に、本発明の実施例を説明する。
本実施例に係るアンテナ装置は、60GHz帯での適用を想定しており、誘電体基板1A,1Bとして、ミリ波帯パッケージを製造するのに適した低温焼成セラミック基板(比誘電率εr=7.7)を用いた。基板構成は、最下層に地板(グランド板)4を配置し、多層基板1の下層の誘電体基板1Aの厚さを0.1mmとし、上層の誘電体基板1Bの厚さを0.05mmとした。また、給電素子2としての給電用マイクロストリップアンテナの形状を、1辺が0.65mmの方形パッチ状とし、その給電個所(給電素子2と給電線5との接続箇所)を給電素子2の中央から0.22mmずらした点に設定した。これにより、給電素子2と給電線5との接続部におけるインピーダンスを整合させた。
[Example]
Next, examples of the present invention will be described.
The antenna device according to the present embodiment is assumed to be applied in the 60 GHz band, and the dielectric substrates 1A and 1B are low-temperature fired ceramic substrates (relative permittivity εr = 7) suitable for manufacturing a millimeter-wave band package. .7) was used. The substrate configuration is such that a ground plane (ground plate) 4 is arranged in the lowermost layer, the thickness of the lower dielectric substrate 1A of the multilayer substrate 1 is 0.1 mm, and the upper dielectric substrate 1B is 0.05 mm. did. In addition, the shape of the feeding microstrip antenna as the feeding element 2 is a rectangular patch with a side of 0.65 mm, and the feeding point (the place where the feeding element 2 and the feeding line 5 are connected) is the center of the feeding element 2. Was set to a point shifted by 0.22 mm. Thereby, the impedance in the connection part of the feed element 2 and the feed line 5 was matched.

また、給電素子2としての給電用マイクロストリップアンテナと同一面の誘電体基板1A上に配置される各無給電素子の形状を、一辺が0.70mmの方形パッチ状とし、給電素子2の上層(誘電体基板1B上)に配置する各無給電素子の形状を、一辺が0.73mmの方形パッチ状とした。これにより、誘電体基板との間で形成される共振回路の共振周波数を整合させた。ちなみに、この共振周波数が整合されていないと、電磁結合の度合いが減少し、このため、損失が増加する傾向を示す。
なお、給電素子2及び無給電素子300の形状は方形に限定されるものではなく、長方形、円形、楕円形など、他の形状を採用してもよい。
Further, each parasitic element arranged on the dielectric substrate 1A on the same plane as the feeding microstrip antenna as the feeding element 2 is formed in a rectangular patch shape with a side of 0.70 mm, and the upper layer of the feeding element 2 ( The shape of each parasitic element arranged on the dielectric substrate 1B) was a rectangular patch having a side of 0.73 mm. As a result, the resonance frequency of the resonance circuit formed with the dielectric substrate was matched. By the way, if this resonance frequency is not matched, the degree of electromagnetic coupling decreases, and therefore, the loss tends to increase.
The shapes of the feeding element 2 and the parasitic element 300 are not limited to squares, and other shapes such as a rectangle, a circle, and an ellipse may be adopted.

また、前述の図1に示すように、給電素子2の中心位置を原点としたxy座標系を設定し、各無給電素子の金属片の中心位置をy軸からの距離で示すと、1単位目の無給電素子の中心位置w1を0.60mmとし、2単位目の無給電素子の中心位置w2を1.05mmとし、3単位目の無給電素子の中心位置w3を1.50mmとし、4単位目の無給電素子の中心位置w4を2.10mmとし、5単位目の無給電素子の中心位置w5(図示なし)を2.75mmとした。このように給電素子2を基準として各無給電素子の中心位置を設定することにより、隣り合う無給電素子間の重なり領域の面積を調整した。   Further, as shown in FIG. 1 described above, when an xy coordinate system with the center position of the feed element 2 as an origin is set and the center position of the metal piece of each parasitic element is indicated by the distance from the y-axis, 1 unit The center position w1 of the parasitic element of the eye is 0.60 mm, the center position w2 of the parasitic element of the second unit is 1.05 mm, the center position w3 of the parasitic element of the third unit is 1.50 mm, 4 The center position w4 of the unit parasitic element was 2.10 mm, and the center position w5 (not shown) of the fifth unit parasitic element was 2.75 mm. Thus, the area of the overlapping region between adjacent parasitic elements was adjusted by setting the center position of each parasitic element with reference to the feeding element 2.

図3に、5単位分の無給電素子300を配置した場合のアンテナの指向特性の解析結果を示す。即ち、この解析例は、図1に示す構成において、4単位目の4個の無給電素子341,342,343,344のそれぞれに対して磁気結合された4個の無給電素子(図示なし)を更に備えた構成のものである。図3において、実線はH面の特性を示し、点線はE面の特性を示している。図3から理解されるように、本実施例によれば、3dBビーム幅は放射角度にしてH面およびE面共に40度以下であり、アンテナ利得は10.3dBiを実現している。   FIG. 3 shows the analysis result of the antenna directivity when five units of parasitic elements 300 are arranged. That is, in this analysis example, four parasitic elements (not shown) magnetically coupled to each of the four parasitic elements 341, 342, 343, and 344 of the fourth unit in the configuration shown in FIG. Is further provided. In FIG. 3, the solid line indicates the characteristics of the H plane, and the dotted line indicates the characteristics of the E plane. As can be seen from FIG. 3, according to this embodiment, the 3 dB beam width is 40 degrees or less for both the H plane and the E plane in terms of radiation angle, and the antenna gain is 10.3 dBi.

図4に、各アンテナ素子(給電素子2および無給電素子300)上の電流分布の解析結果を示す。同図から理解されるように、端部に位置する無給電素子まで電流が分布しており、本アンテナ装置がアレーアンテナを実現する上で有用であることがわかる。
図5は、無給電素子の単位数を変えた場合のアンテナ利得の変化を示す。同図から理解されるように、ミリ波帯において近距離通信に適用可能なアンテナ利得として10dBi以上の性能を満足するアンテナ装置を実現するためには、5単位以上の無給電素子を備えることが有効である。
FIG. 4 shows the analysis result of the current distribution on each antenna element (feeding element 2 and parasitic element 300). As understood from the figure, the current is distributed to the parasitic elements located at the end portions, and it can be seen that this antenna apparatus is useful for realizing the array antenna.
FIG. 5 shows changes in antenna gain when the number of parasitic element units is changed. As can be understood from the figure, in order to realize an antenna device satisfying a performance of 10 dBi or more as an antenna gain applicable to short-range communication in the millimeter wave band, it is necessary to provide a parasitic element of 5 units or more. It is valid.

以上、上述の実施形態によれば、下層に地板を有する誘電体基板上に高周波信号を給電された給電用マイクロストリップアンテナを有し、かつ少なくとも電磁的に結合させることにより励振される無給電素子金属を有するアンテナ装置において、上記給電用マイクロストリップアンテナの上層もしくは下層に少なくとも1層以上の誘電体層を介して無給電素子金属を配置し、上記無給電素子の金属片を少なくとも異なる2層の誘電体基板上に交互に配置し、電磁結合によりアレーアンテナを構成することにより、給電回路を要することなく、アレーアンテナを構成することができ、これにより、低損失なアンテナ装置を実現できる。よって、ミリ波帯等においても高利得なアンテナを提供できる。   As described above, according to the above-described embodiment, the parasitic element that has the feeding microstrip antenna fed with the high-frequency signal on the dielectric substrate having the ground plane in the lower layer and is excited by at least electromagnetic coupling. In the antenna device having a metal, a parasitic element metal is disposed on an upper layer or a lower layer of the feeding microstrip antenna via at least one dielectric layer, and the metal pieces of the parasitic element are separated into at least two different layers. By alternately arranging on the dielectric substrate and configuring the array antenna by electromagnetic coupling, it is possible to configure the array antenna without requiring a power feeding circuit, thereby realizing a low-loss antenna device. Therefore, a high gain antenna can be provided even in the millimeter wave band or the like.

また、上記誘電体基板にセラミック基板を用い、前記無給電素子金属を給電素子の点対称な位置4箇所に4個づつ配置することを1単位と定義した場合、少なくとも5単位以上の無給電素子を備えることにより、層数の少ない薄い基板のみでアンテナ装置を構成できる。よって、低コストで高利得を実現できるアンテナを提供できる。   Further, when a ceramic substrate is used as the dielectric substrate and four parasitic element metals are arranged at four points symmetrically on the feeder element as one unit, at least five units of parasitic elements are defined. By providing the antenna device, the antenna device can be configured with only a thin substrate having a small number of layers. Therefore, an antenna capable of realizing a high gain at a low cost can be provided.

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は本実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上述の実施形態では、絶縁層として誘電体基板1A,1Bを用いたが、これに限定されることなく、空気層により絶縁層を形成してもよい。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment, and includes design changes and the like within a scope not departing from the gist of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the dielectric substrates 1A and 1B are used as the insulating layer, but the insulating layer may be formed of an air layer without being limited thereto.

また、上述の実施形態では、誘電体基板1Aと誘電体基板1Bに無給電素子を交互に配置するものとしたが、これに限定されることなく、3層以上の誘電体基板に無給電素子を配置するものとしてもよく、隣り合う2つの無給電素子が互いに異なる誘電体基板に配置されることを限度として、どのよう基板構成してもよい。   In the above-described embodiment, parasitic elements are alternately arranged on the dielectric substrate 1A and the dielectric substrate 1B. However, the present invention is not limited to this. The substrate may be configured in any way as long as two adjacent parasitic elements are disposed on different dielectric substrates.

本発明の実施形態に係るアンテナ装置の構成を示す上視図である。It is an upper view which shows the structure of the antenna apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るアンテナ装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the antenna device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るアンテナ装置のアンテナ特性(指向特性)を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the antenna characteristic (directional characteristic) of the antenna apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るアンテナ装置における各素子上の電流分布を示す図である。It is a figure which shows the electric current distribution on each element in the antenna apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るアンテナ装置の無給電素子の単位数とアンテナ利得との関係を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the relationship between the unit number of the parasitic element of the antenna apparatus which concerns on embodiment of this invention, and antenna gain. 従来の無給電素子アレーの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional parasitic element array.

符号の説明Explanation of symbols

1…多層基板
1A,1B…誘電体基板(絶縁層)
2…給電素子
4…地板
5…給電線
311〜314,321〜324,331〜334,341〜344…無給電素子

1 ... Multilayer substrate 1A, 1B ... Dielectric substrate (insulating layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Feeding element 4 ... Ground plane 5 ... Feeding line 311 to 314, 321-324, 331-334, 341-344 ... Parasitic element

Claims (7)

複数の絶縁層を積層してなる多層基板と、
前記多層基板をなす絶縁層に配置され、高周波信号が給電された給電素子と、
前記多層基板をなす絶縁層に配置され、前記給電素子に対して従属的に磁気結合された複数の無給電素子とを備え、
前記複数の無給電素子のうち隣り合う2つの無給電素子が互いに異なる2つの絶縁層に交互に配置されたことを特徴とするアンテナ装置。
A multilayer substrate formed by laminating a plurality of insulating layers;
A feeding element that is disposed on an insulating layer forming the multilayer substrate and fed with a high-frequency signal; and
A plurality of parasitic elements that are arranged in an insulating layer that forms the multilayer substrate and are magnetically coupled to the feeder elements in a dependent manner;
Two antenna elements adjacent to each other among the plurality of parasitic elements are alternately arranged on two different insulating layers.
前記複数の無給電素子は、前記給電素子に関して点対称に配置されたことを特徴とする請求項1記載のアンテナ装置。   The antenna device according to claim 1, wherein the plurality of parasitic elements are arranged point-symmetrically with respect to the feeding element. 前記複数の無給電素子は、前記給電素子を基点として列状に配置されたことを特徴とする請求項1記載のアンテナ装置。   The antenna device according to claim 1, wherein the plurality of parasitic elements are arranged in a row with the feeding element as a base point. 前記給電素子を基点として等距離に位置する一群の無給電素子を1単位としたときに、複数単位の無給電素子を備えたことを特徴とする請求項1または2の何れか1項記載のアンテナ装置。   3. The device according to claim 1, further comprising a plurality of units of parasitic elements when a group of parasitic elements located at an equal distance from the feeding element as a base is defined as one unit. 4. Antenna device. 少なくとも5単位以上の無給電素子を備えたことを特徴とする請求項4記載のアンテナ装置。   5. The antenna device according to claim 4, further comprising at least 5 units of parasitic elements. 前記列状に配置された複数の無給電素子を1組としたときに、複数組の無給電素子を備えたことを特徴とする請求項3記載のアンテナ装置。   4. The antenna device according to claim 3, wherein a plurality of parasitic elements are provided when the plurality of parasitic elements arranged in a line form one set. 前記隣り合う2つの無給電素子が、前記多層基板をなす絶縁層を介して重なり領域を形成したことを特徴とする請求項1ないし6の何れか1項記載のアンテナ装置。

The antenna device according to claim 1, wherein the two adjacent parasitic elements form an overlapping region through an insulating layer forming the multilayer substrate.

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