JP4603624B1 - Organic electroluminescence device - Google Patents

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JP4603624B1 JP2010009791A JP2010009791A JP4603624B1 JP 4603624 B1 JP4603624 B1 JP 4603624B1 JP 2010009791 A JP2010009791 A JP 2010009791A JP 2010009791 A JP2010009791 A JP 2010009791A JP 4603624 B1 JP4603624 B1 JP 4603624B1
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Abstract

【課題】発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上し、素子劣化時の色度変化を抑制することができる有機電界発光素子の提供。
【解決手段】陽極2と陰極10の間に、少なくとも1層の発光層6と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層7と、を少なくとも含む有機層を有してなり、前記発光層が赤色燐光発光材料と、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも1種からなるホスト材料とを含有し、前記陰極側隣接層が、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも1種を含有する有機電界発光素子である。
【選択図】図1
The present invention provides an organic electroluminescence device capable of improving device performance such as luminous efficiency, driving voltage, and driving durability and suppressing chromaticity change at the time of device degradation.
An organic layer including at least one light-emitting layer 6 and a cathode-side adjacent layer 7 adjacent to the cathode side of the light-emitting layer is provided between an anode 2 and a cathode 10, The light emitting layer contains a red phosphorescent light emitting material and a host material composed of at least one of a compound having an anthracene derivative skeleton and a compound having a pyrene derivative skeleton, and the cathode side adjacent layer has a non-nitrogen containing anthracene derivative skeleton An organic electroluminescent device comprising at least one of a compound and a compound having a pyrene derivative skeleton.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、有機電界発光素子(以下、「有機エレクトロルミネッセンス素子」、「有機EL素子」と称することもある)に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent device (hereinafter also referred to as “organic electroluminescence device” or “organic EL device”).

有機電界発光素子は、自発光、高速応答などの特長を持ち、フラットパネルディスプレイなどへの適用が期待されており、特に、正孔輸送性の有機薄膜(正孔輸送層)と電子輸送性の有機薄膜(電子輸送層)とを積層した2層型(積層型)のものが報告されて以来、10V以下の低電圧で発光する大面積発光素子として関心を集めている。積層型の有機電界発光素子は、正極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/負極、を基本構成とし、このうち発光層は、前記2層型の場合のように、前記正孔輸送層又は前記電子輸送層にその機能を兼ねさせてもよい。   Organic electroluminescence devices have features such as self-emission and high-speed response, and are expected to be applied to flat panel displays. Especially, organic thin film (hole transport layer) and electron transport Since the report of a two-layer type (laminated type) in which an organic thin film (electron transport layer) is laminated, it has attracted attention as a large-area light-emitting element that emits light at a low voltage of 10 V or less. The stacked organic electroluminescent element has a basic structure of positive electrode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / negative electrode, and the light emitting layer includes the hole transport as in the case of the two-layer type. The layer or the electron transport layer may serve as its function.

このような有機電界発光素子において、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能の向上を図るため、種々の検討がなされている。
例えば特許文献1では、燐光発光性ドーパントと組み合わされて燐光発光材料を構成するホスト材料として、数多くのピレン骨格やアントラセン骨格を有する縮合芳香族環化合物が提案されている。この特許文献1の実施例86には、発光層のホスト材料としてアントラセン骨格を有する化合物が用いられ、発光層の陰極側隣接層に含窒素アントラセン化合物が用いられている。
また、特許文献2には、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた有機薄膜層とを備え、前記有機薄膜層は、置換又は無置換の多環式縮合芳香族骨格部を有する第一の多環式縮合芳香族化合物と、燐光発光を示す第一の燐光発光材料と、を有する発光層と、前記発光層の前記陰極側に、置換又は無置換の多環式縮合芳香族骨格部を有する第二の多環式縮合芳香族化合物を含有する有機層とを備えた有機電界発光素子が提案されている。
In such an organic electroluminescent device, various studies have been made in order to improve device performance such as luminous efficiency, driving voltage, and driving durability.
For example, Patent Document 1 proposes a condensed aromatic ring compound having a large number of pyrene skeletons and anthracene skeletons as a host material constituting a phosphorescent material in combination with a phosphorescent dopant. In Example 86 of Patent Document 1, a compound having an anthracene skeleton is used as the host material of the light emitting layer, and a nitrogen-containing anthracene compound is used in the cathode side adjacent layer of the light emitting layer.
Patent Document 2 includes an anode, a cathode, and an organic thin film layer provided between the anode and the cathode, and the organic thin film layer is a substituted or unsubstituted polycyclic condensed aromatic. A light-emitting layer having a first polycyclic fused aromatic compound having a skeleton and a first phosphorescent material that exhibits phosphorescence; a substituted or unsubstituted polycyclic ring on the cathode side of the light-emitting layer; An organic electroluminescent device comprising an organic layer containing a second polycyclic fused aromatic compound having a formula fused aromatic skeleton has been proposed.

しかしながら、これらの先行技術文献に記載の技術をそれぞれ単独で用いた場合には、発光層と陰極側隣接層の界面劣化が生じ、この界面劣化は、キャリアバランスを大きく変えるため発光分布が変わり、素子劣化時の色度変化が生じるという課題がある。したがって、素子劣化時の色度変化を抑制することができ、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能の向上を達成できる有機電界発光素子の速やかな提供が望まれているのが現状である。   However, when each of the techniques described in these prior art documents is used alone, the interface deterioration between the light emitting layer and the cathode side adjacent layer occurs, and this interface deterioration greatly changes the light emission distribution because the carrier balance is greatly changed. There is a problem that chromaticity change occurs when the element deteriorates. Accordingly, there is a demand for prompt provision of an organic electroluminescence device capable of suppressing changes in chromaticity at the time of device degradation and achieving improved device performance such as light emission efficiency, drive voltage, and drive durability. It is.

特開2009−16693号公報JP 2009-16669 A 特開2009−147324号公報JP 2009-147324 A

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上し、素子劣化時の色度変化を抑制することができる有機電界発光素子を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve the above-described problems and achieve the following objects. That is, an object of the present invention is to provide an organic electroluminescence device capable of improving device performance such as light emission efficiency, driving voltage, and driving durability and suppressing chromaticity change at the time of device deterioration.

前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物を、発光層のホスト材料及び発光層の陰極側隣接層材料の両方に用いることにより、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上すると共に、素子劣化時の色度変化を抑制することができることを知見した。   As a result of intensive studies by the present inventors in order to solve the above problems, a compound having an anthracene derivative skeleton and a compound having a pyrene derivative skeleton are used as both the host material of the light emitting layer and the cathode side adjacent layer material of the light emitting layer. It has been found that the use improves the device performance such as luminous efficiency, drive voltage, and drive durability, and can suppress the chromaticity change at the time of device deterioration.

本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
<1> 陽極と陰極の間に、少なくとも1層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層と、を少なくとも含む有機層を有してなり、
前記発光層が赤色燐光発光材料と、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも1種からなるホスト材料とを含有し、
前記陰極側隣接層が、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも1種を含有することを特徴とする有機電界発光素子である。
<2> 発光層及び陰極側隣接層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式(I)で表される前記<1>に記載の有機電界発光素子である。
ただし、前記一般式(I)中、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、1又は2以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
からRは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
<3> 発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式(II)で表される前記<1>から<2>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
ただし、前記一般式(II)中、Ar1a及びAr2aは、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族環基を表す。
Lは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
mは0〜2の整数、nbは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。
また、L又はAr1aは、ピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L又はAr2aは、ピレンの6〜10位のいずれかに結合する。
ただし、nb+tが偶数のとき、Ar1a、Ar2a、Lは下記(1)又は(2)を満たす。
(1)Ar1a≠Ar2a(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)
(2)Ar1a=Ar2aの時
(2−1)m≠s及び/又はnb≠t、又は
(2−2)m=sかつnb=tの時、
(2−2−1)L、又はピレンが、それぞれAr1a及びAr2a上の異なる結合位置に結合しているか、
(2−2−2)L、又はピレンが、Ar1a及びAr2a上の同じ結合位置に結合している場合、L、又はAr1a及びAr2aのピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2位と7位である場合はない。
<4> 発光層及び陰極側隣接層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物が無置換のアントラセン誘導体骨格を有する化合物であり、
発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が無置換のピレン誘導体骨格を有する化合物である前記<1>から<3>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<5> 陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しない非含窒素アントラセン誘導体化合物であり、陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しないピレン誘導体骨格を有する化合物である前記<1>から<4>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<6> 発光層におけるアントラセン誘導体骨格が、孤立電子対を有しない非含窒素アントラセン誘導体化合物であり、発光層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しないピレン誘導体骨格を有する化合物である前記<1>から<5>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<7> 赤色燐光発光材料が、中心金属がルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金の少なくともいずれかである有機金属錯体である前記<1>から<6>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<8> 陰極側隣接層の厚みが、1nm〜10nmである前記<1>から<7>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
The present invention is based on the above findings by the present inventors, and means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> An organic layer including at least one light-emitting layer and a cathode-side adjacent layer adjacent to the cathode side of the light-emitting layer between the anode and the cathode,
The light emitting layer contains a red phosphorescent light emitting material and a host material composed of at least one of a compound having an anthracene derivative skeleton and a compound having a pyrene derivative skeleton,
The organic electroluminescent device is characterized in that the cathode side adjacent layer contains at least one of a compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton and a compound having a pyrene derivative skeleton.
<2> The organic electroluminescence device according to <1>, wherein the compound having an anthracene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is represented by the following general formula (I).
However, in the general formula (I), Ar 1 and Ar 2 are each independently a group derived from a substituted or unsubstituted aromatic ring having 6 to 20 nuclear carbon atoms. The aromatic ring may be substituted with one or more substituents. The substituent is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, a substituted group. Or an unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted nucleus. It is selected from an arylthio group having 5 to 50 atoms, a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, and a hydroxy group. When the aromatic ring is substituted with two or more substituents, the substituents may be the same or different, and adjacent substituents are bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure. May be formed.
R 1 to R 8 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 50 alkyl groups, substituted or unsubstituted cycloalkyl groups having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy groups having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl groups having 6 to 50 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group Group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure.
<3> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <2>, wherein the compound having a pyrene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is represented by the following general formula (II).
However, in the general formula (II), Ar 1a and Ar 2a each represent a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a substituted or unsubstituted dibenzosilolylene group, respectively.
m is an integer of 0 to 2, nb is an integer of 1 to 4, s is an integer of 0 to 2, and t is an integer of 0 to 4.
L or Ar 1a is bonded to any one of positions 1 to 5 of pyrene, and L or Ar 2a is bonded to any of positions 6 to 10 of pyrene.
However, when nb + t is an even number, Ar 1a , Ar 2a , and L satisfy the following (1) or (2).
(1) Ar 1a ≠ Ar 2a (where ≠ indicates a group having a different structure)
(2) When Ar 1a = Ar 2a (2-1) When m ≠ s and / or nb ≠ t, or (2-2) When m = s and nb = t,
(2-2-1) L or pyrene are bonded to different bonding positions on Ar 1a and Ar 2a , respectively.
(2-2-2) L, or pyrene, Ar 1a and when attached to the same bonding position on Ar 2a, L, or a substituted position in the pyrene Ar 1a and Ar 2a is 1-position and 6-position, Or it is not the 2nd and 7th positions.
<4> The compound having an anthracene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is a compound having an unsubstituted anthracene derivative skeleton,
The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <3>, wherein the compound having a pyrene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is a compound having an unsubstituted pyrene derivative skeleton.
<5> The compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton in the cathode-side adjacent layer is a non-nitrogen-containing anthracene derivative compound having no lone electron pair, and the compound having a pyrene derivative skeleton in the cathode-side adjacent layer is a lone electron pair The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <4>, wherein the organic electroluminescence device is a compound having a pyrene derivative skeleton that does not contain any of.
<6> The anthracene derivative skeleton in the light emitting layer is a non-nitrogen-containing anthracene derivative compound having no lone electron pair, and the compound having a pyrene derivative skeleton in the light emitting layer is a compound having a pyrene derivative skeleton having no lone electron pair. The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <5>.
<7> Any one of <1> to <6>, wherein the red phosphorescent material is an organometallic complex in which the central metal is at least one of ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, and platinum. It is an organic electroluminescent element as described in above.
<8> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <7>, wherein the cathode side adjacent layer has a thickness of 1 nm to 10 nm.

通常、有機電界発光素子における素子劣化時の色度変化は、発光分布の変化によって引き起こされるが、本発明の有機電界発光素子においては、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物を、発光層のホスト材料及び発光層の陰極側隣接層材料の両方に用いることで、劣化前後による発光分布の変化が小さくなり、素子劣化時の色度変化を抑制できる。
劣化前後の発光分布変化の要因として、発光層と発光層の陰極側隣接層界面の劣化がある。界面劣化は、キャリアバランスを大きく変えるため発光分布が変わり、その結果、色度変化が引き起こされる。界面劣化の要因としては、燐光発光材料とホスト材料、陰極側隣接層材料との化学反応が指摘されている(Scholz et al 2007、Scholz et al 2009参照)。
本発明の有機電界発光素子においては、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物(特に窒素がなく、孤立電子対がなく、置換基もない化合物)を、発光層のホスト材料及び発光層の陰極側隣接層材料の両方に用いることで、燐光発光材料とホスト材料及び陰極側隣接層材料間の化学反応が起きにくく、界面劣化が抑制されたものと推測される。
Usually, a change in chromaticity at the time of device deterioration in an organic electroluminescent device is caused by a change in light emission distribution. In the organic electroluminescent device of the present invention, a compound having an anthracene derivative skeleton and a compound having a pyrene derivative skeleton are used. By using it as both the host material of the light emitting layer and the cathode side adjacent layer material of the light emitting layer, the change in the light emission distribution before and after the deterioration becomes small, and the change in chromaticity when the element deteriorates can be suppressed.
As a factor of the change in light emission distribution before and after the deterioration, there is deterioration of the interface between the light emitting layer and the cathode side adjacent layer of the light emitting layer. Interfacial deterioration greatly changes the carrier balance and changes the light emission distribution, resulting in a change in chromaticity. As a cause of interface deterioration, a chemical reaction between a phosphorescent material, a host material, and a cathode-side adjacent layer material has been pointed out (see Scholz et al 2007, Scholz et al 2009).
In the organic electroluminescence device of the present invention, a compound having an anthracene derivative skeleton and a compound having a pyrene derivative skeleton (particularly, a compound having no nitrogen, no lone pair, and no substituent) are used as a host material and a light emitting layer of the light emitting layer. By using it as both the cathode side adjacent layer material of the layer, it is presumed that the chemical reaction between the phosphorescent material, the host material and the cathode side adjacent layer material hardly occurs and the interface deterioration is suppressed.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上し、素子劣化時の色度変化を抑制することができる有機電界発光素子を提供することができる。   According to the present invention, there is provided an organic electroluminescent device capable of solving conventional problems, improving device performance such as light emission efficiency, drive voltage, and drive durability, and suppressing chromaticity change at the time of device deterioration. Can be provided.

図1は、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of the layer structure of the organic electroluminescent element of the present invention.

(有機電界発光素子)
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極の間に、少なくとも1層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層とを少なくとも含む有機層を有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
(Organic electroluminescent device)
The organic electroluminescent element of the present invention has an organic layer including at least one light emitting layer and at least a cathode side adjacent layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer between the anode and the cathode, and It has other layers as needed.

<発光層>
前記発光層は、その材料、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられ、また、その平面形状としては、四角形、円形などが挙げられ、前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられ、前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
<Light emitting layer>
The material, shape, structure, size, etc. of the light emitting layer are not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. Examples of the shape include a film shape, a sheet shape, In addition, examples of the planar shape include a quadrangle and a circle, and examples of the structure include a single layer structure and a laminated structure. The size can be appropriately selected depending on the application.

前記発光層は、赤色燐光発光材料と、ホスト材料とを含有する。   The light emitting layer contains a red phosphorescent light emitting material and a host material.

−赤色燐光発光材料−
前記赤色燐光発光材料としては、ピーク波長が、580nm〜640nmであるものが好ましい。
前記赤色燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば遷移金属原子、ランタノイド原子を含む錯体などが挙げられる。
前記遷移金属原子としては、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
-Red phosphorescent material-
The red phosphorescent material preferably has a peak wavelength of 580 nm to 640 nm.
The red phosphorescent material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include complexes containing transition metal atoms and lanthanoid atoms.
Examples of the transition metal atom include ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, and the like. Among these, rhenium, iridium, and platinum are preferable, and iridium and platinum are particularly preferable.

前記ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウム、などが挙げられる。これらの中でも、ネオジム、ユーロピウム、ガドリニウムが特に好ましい。
前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry,Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社、1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、芳香族炭素環配位子(例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオンなど)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、又はフェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、アルコラト配位子(例えば、フェノラト配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子が特に好ましい。
Examples of the lanthanoid atom include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these, neodymium, europium, and gadolinium are particularly preferable.
Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. Listed by Yersin, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds”, published by Springer-Verlag, 1987, Akio Yamamoto, “Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications,” published by Soukabo, 1982, etc. It is done.
Specific ligands include halogen ligands (preferably chlorine ligands), aromatic carbocyclic ligands (eg, cyclopentadienyl anion, benzene anion, naphthyl anion, etc.), nitrogen-containing hetero Ring ligands (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, or phenanthroline), diketone ligands (eg, acetylacetone, etc.), carboxylic acid ligands (eg, acetic acid ligands, etc.), alcoholates Examples include ligands (eg, phenolate ligands), carbon monoxide ligands, isonitrile ligands, cyano ligands, and the like. Among these, a nitrogen-containing heterocyclic ligand is particularly preferable.

前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を1つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
前記白金を含む錯体である燐光発光材料の具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.
Specific examples of the phosphorescent material that is a complex containing platinum include, but are not limited to, the following compounds.

前記イリジウムを含む錯体である燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記一般式(2)、(3)及び(4)のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
ただし、前記一般式(2)、(3)及び(4)中、nは、1〜3の整数を表す。X−Yは、二座配位子を表す。環Aは、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環構造を表す。R11は、置換基を表し、m1は、0〜6の整数を表す。m1が2以上の場合には隣接するR11どうしが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。R12は、置換基を表し、m2は、0〜4の整数を表す。m2が2以上の場合には隣接するR12どうしが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。なお、R11とR12とが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。
There is no restriction | limiting in particular as a phosphorescence-emitting material which is the said complex containing iridium, Although it can select suitably according to the objective, It represents with either of following General formula (2), (3) and (4) It is preferable that it is a compound.
However, in said general formula (2), (3) and (4), n represents the integer of 1-3. XY represents a bidentate ligand. Ring A represents a ring structure that may contain any of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom. R 11 represents a substituent, and m1 represents an integer of 0 to 6. When m1 is 2 or more, adjacent R 11 may be bonded to form a ring which may contain any of a nitrogen atom, a sulfur atom and an oxygen atom, and the ring is further substituted with a substituent. May be. R 12 represents a substituent, and m2 represents an integer of 0 to 4. When m2 is 2 or more, adjacent R 12 may be bonded to form a ring which may contain any of a nitrogen atom, a sulfur atom and an oxygen atom, and the ring is further substituted with a substituent. May be. R 11 and R 12 may combine to form a ring that may contain any of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom, and the ring may be further substituted with a substituent. .

前記環Aは、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環構造を表し、5員環、6員環などが好適に挙げられる。該環は置換基で置換されていてもよい。   The ring A represents a ring structure that may contain any of a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom, and preferred examples include a 5-membered ring and a 6-membered ring. The ring may be substituted with a substituent.

X−Yは、二座配位子を表し、二座のモノアニオン性配位子などが好適に挙げられる。
前記二座のモノアニオン性配位子としては、例えば、ピコリナート(pic)、アセチルアセトナート(acac)、ジピバロイルメタナート(t−ブチルacac)などが挙げられる。
上記以外の配位子としては、例えば、Lamanskyらの国際公開第2002/15645号パンフレットの第89頁〜第91頁に記載の配位子が挙げられる。
XY represents a bidentate ligand, and a bidentate monoanionic ligand is preferably exemplified.
Examples of the bidentate monoanionic ligand include picolinate (pic), acetylacetonate (acac), dipivaloylmethanate (t-butyl acac), and the like.
Examples of the ligand other than the above include the ligands described in pages 89 to 91 of International Publication No. 2002/15645 of Lamansky et al.

前記R11及びR12における置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、シクロアルキル基、窒素原子又は硫黄原子を含んでいてもよいアリール基、窒素原子又は硫黄原子を含んでいてもよいアリールオキシ基を表し、これらは更に置換されていてもよい。
前記R11及びR12は、互いに隣接するものどうしで結合して、窒素原子、硫黄原子又は酸素原子を含んでいてもよい環を形成してもよく、5員環、6員環などが好適に挙げられる。該環は更に置換基で置換されていてもよい。
The substituent for R 11 and R 12 is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, a halogen atom, an alkoxy group, an amino group, an alkyl group, a cycloalkyl group, a nitrogen atom or sulfur It represents an aryl group which may contain an atom, an aryloxy group which may contain a nitrogen atom or a sulfur atom, and these may be further substituted.
R 11 and R 12 may be bonded to each other adjacent to each other to form a ring that may contain a nitrogen atom, a sulfur atom, or an oxygen atom, and a 5-membered ring, a 6-membered ring, and the like are preferable. It is mentioned in. The ring may be further substituted with a substituent.

前記一般式(2)、(3)、及び(4)のいずれかで表される具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the compound represented by any one of the general formulas (2), (3), and (4) include, but are not limited to, the following compounds.

前記燐光発光材料のその他の例としては、以下のような化合物が挙げられる。
Other examples of the phosphorescent material include the following compounds.

前記赤色燐光発光材料の含有量は、発光層を形成する全化合物質量に対して、0.5質量%〜30質量%であることが好ましく、0.5質量%〜20質量%がより好ましく、3質量%〜10質量%が更に好ましい。
前記含有量が、0.5質量%未満であると、発光効率が小さくなることがあり、30質量%を超えると、燐光発光材料自身の会合により、発光効率が低下することがある。
The content of the red phosphorescent light emitting material is preferably 0.5% by mass to 30% by mass, more preferably 0.5% by mass to 20% by mass with respect to the total mass of the compound forming the light emitting layer. 3 mass%-10 mass% are still more preferable.
When the content is less than 0.5% by mass, the light emission efficiency may be reduced, and when it exceeds 30% by mass, the light emission efficiency may be reduced due to association of the phosphorescent material itself.

−ホスト材料−
前記ホスト材料としては、アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも1種からなる化合物が用いられる。
-Host material-
As the host material, a compound composed of at least one of a compound having an anthracene derivative skeleton and a compound having a pyrene derivative skeleton is used.

前記アントラセン誘導体骨格を有する化合物としては、下記一般式(I)で表されるアントラセン誘導体がある。
ただし、前記一般式(I)中、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、1又は2以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
からRは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Examples of the compound having an anthracene derivative skeleton include an anthracene derivative represented by the following general formula (I).
However, in the general formula (I), Ar 1 and Ar 2 are each independently a group derived from a substituted or unsubstituted aromatic ring having 6 to 20 nuclear carbon atoms. The aromatic ring may be substituted with one or more substituents. The substituent is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, a substituted group. Or an unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted nucleus. It is selected from an arylthio group having 5 to 50 atoms, a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, and a hydroxy group. When the aromatic ring is substituted with two or more substituents, the substituents may be the same or different, and adjacent substituents are bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure. May be formed.
R 1 to R 8 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 50 alkyl groups, substituted or unsubstituted cycloalkyl groups having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy groups having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl groups having 6 to 50 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group Group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure.

このようなアントラセン誘導体の具体例としては、下記式で表される化合物などが挙げられる。
Specific examples of such anthracene derivatives include compounds represented by the following formulas.

また、前記一般式(I)で表されるアントラセン誘導体は、例えば、下記一般式(3)で表される非対称型アントラセンであってもよい。   The anthracene derivative represented by the general formula (I) may be, for example, an asymmetric anthracene represented by the following general formula (3).

ただし、前記一般式(3)中、A及びAは、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基である。
からR10は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数5から50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基から選ばれる。
Ar、Ar、R及びR10は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、前記一般式(3)において、中心のアントラセンの9位及び10位に、前記アントラセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。
However, in the general formula (3), A 1 and A 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
R 1 to R 10 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted Selected from silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group.
Ar 1 , Ar 2 , R 9 and R 10 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure.
However, in the general formula (3), groups that are symmetrical with respect to the XY axis shown on the anthracene do not bind to the 9th and 10th positions of the central anthracene.

このような非対称型アントラセン誘導体として、例えば、下記のようなものが挙げられる。
Examples of such an asymmetric anthracene derivative include the following.

また、前記一般式(I)で表されるアントラセン誘導体は、下記一般式(4)で表されるビスアントラセン誘導体であってもよい。
ただし、前記一般式(4)中、Antは、アントラセン誘導体であり、置換されていてもよい。Rは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。Kは0から9の整数である。
The anthracene derivative represented by the general formula (I) may be a bisanthracene derivative represented by the following general formula (4).
However, in the general formula (4), Ant is an anthracene derivative and may be substituted. R represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms. Substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted nucleus Aryloxy group having 5 to 50 atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group, carboxyl group , A halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure. K is an integer from 0 to 9.

このようなビスアントラセン誘導体として、例えば、下記式のようなものが挙げられる。
Examples of such bisanthracene derivatives include the following formulas.

また、前記一般式(I)で表されるアントラセン誘導体として、下記一般式(5)で表されるベンズアントラセン誘導体であってもよい。
ただし、前記一般式(5)中、A及びAは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基である。
からR12は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数5から50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基から選ばれる。
Ar、Ar、R11及びR12は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Further, the anthracene derivative represented by the general formula (I) may be a benzanthracene derivative represented by the following general formula (5).
However, in the general formula (5), A 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
R 1 to R 12 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted Selected from silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group.
Ar 1 , Ar 2 , R 11, and R 12 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure.

前記発光層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物としては、無置換の(置換基を有さない)アントラセン誘導体骨格を有する化合物であることが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
前記発光層におけるアントラセン誘導体骨格を有する化合物としては、非含窒素であることが好ましく、孤立電子対を有しないことが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
The compound having an anthracene derivative skeleton in the light-emitting layer is particularly preferably a compound having an unsubstituted (no substituent) anthracene derivative skeleton from the viewpoint of suppressing a change in chromaticity before and after deterioration.
The compound having an anthracene derivative skeleton in the light-emitting layer is preferably non-nitrogen-containing, and it is particularly preferable that it does not have a lone electron pair from the viewpoint of suppressing chromaticity change before and after deterioration.

前記ピレン誘導体骨格を有する化合物としては、下記一般式(II)で表されるピレン誘導体が挙げられる。
ただし、前記一般式(II)中、Ar1a及びAr2aは、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族環基を表す。
Lは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
mは0〜2の整数、nbは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。
また、L又はAr1aは、ピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L又はAr2aは、ピレンの6〜10位のいずれかに結合する。
ただし、nb+tが偶数のとき、Ar1a、Ar2a、Lは下記(1)又は(2)を満たす。
(1)Ar1a≠Ar2a(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)
(2)Ar1a=Ar2aの時
(2−1)m≠s及び/又はnb≠t、又は
(2−2)m=sかつnb=tの時、
(2−2−1)L、又はピレンが、それぞれAr1a及びAr2a上の異なる結合位置に結合しているか、
(2−2−2)L、又はピレンが、Ar1a及びAr2a上の同じ結合位置に結合している場合、L、又はAr1a及びAr2aのピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2位と7位である場合はない。
Examples of the compound having a pyrene derivative skeleton include pyrene derivatives represented by the following general formula (II).
However, in the general formula (II), Ar 1a and Ar 2a each represent a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a substituted or unsubstituted dibenzosilolylene group, respectively.
m is an integer of 0 to 2, nb is an integer of 1 to 4, s is an integer of 0 to 2, and t is an integer of 0 to 4.
L or Ar 1a is bonded to any one of positions 1 to 5 of pyrene, and L or Ar 2a is bonded to any of positions 6 to 10 of pyrene.
However, when nb + t is an even number, Ar 1a , Ar 2a , and L satisfy the following (1) or (2).
(1) Ar 1a ≠ Ar 2a (where ≠ indicates a group having a different structure)
(2) When Ar 1a = Ar 2a (2-1) When m ≠ s and / or nb ≠ t, or (2-2) When m = s and nb = t,
(2-2-1) L or pyrene are bonded to different bonding positions on Ar 1a and Ar 2a , respectively.
(2-2-2) L, or pyrene, Ar 1a and when attached to the same bonding position on Ar 2a, L, or a substituted position in the pyrene Ar 1a and Ar 2a is 1-position and 6-position, Or it is not the 2nd and 7th positions.

このようなピレン誘導体化合物として、例えば、下記のようなものが挙げられる。
Examples of such pyrene derivative compounds include the following.

前記発光層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物としては、無置換の(置換基を有さない)ピレン誘導体骨格を有する化合物であることが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
前記発光層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物としては、孤立電子対を有しないことが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
The compound having a pyrene derivative skeleton in the light-emitting layer is particularly preferably a compound having an unsubstituted (no substituent) pyrene derivative skeleton from the viewpoint of suppressing a change in chromaticity before and after deterioration.
As the compound having a pyrene derivative skeleton in the light emitting layer, it is particularly preferable not to have a lone electron pair from the viewpoint of suppressing a change in chromaticity before and after deterioration.

前記ホスト材料の含有量は、前記発光層を形成する全化合物質量に対して、10質量%〜99.9質量%であることが好ましく、20質量%〜99.5質量%がより好ましく、30質量%〜99質量%が更に好ましい。   The content of the host material is preferably 10% by mass to 99.9% by mass, more preferably 20% by mass to 99.5% by mass with respect to the total mass of the compound forming the light emitting layer, and 30 A mass% to 99 mass% is more preferable.

前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記発光層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
The light-emitting layer receives holes from an anode, a hole injection layer, or a hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from a cathode, an electron injection layer, or an electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer having a function of providing a field to emit light.
The light emitting layer is not particularly limited and can be formed according to a known method. For example, by a dry film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, an ink jet method, or the like. It can form suitably.

前記発光層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、2nm〜500nmが好ましく、発光効率の観点から、3nm〜200nmがより好ましく、10nm〜200nmが更に好ましい。また、前記発光層は1層であっても2層以上であってもよい。   There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said light emitting layer, According to the objective, it can select suitably, 2 nm-500 nm are preferable, 3 nm-200 nm are more preferable from a viewpoint of luminous efficiency, and 10 nm-200 nm are still more preferable. The light emitting layer may be a single layer or two or more layers.

<陰極側隣接層>
前記陰極側隣接層は、発光層と陰極側で隣接する有機層である。
前記陰極側隣接層は、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物の少なくとも1種を含有することが好ましい。
前記ピレン誘導体骨格としては、前記発光層におけるホスト材料の上記一般式(II)で表されるピレン誘導体骨格を有する化合物を用いることができる。
前記非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物としては、前記発光層におけるホスト材料の上記一般式(I)で表される化合物のうち、非含窒素化合物を用いることができる。
陰極側隣接層の非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及び前記ピレン誘導体骨格を有する化合物は、無置換の(置換基を有さない)アントラセン誘導体骨格を有する化合物であることが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
陰極側隣接層の非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物及びピレン誘導体骨格を有する化合物は、孤立電子対を有しないことが、劣化前後の色度変化を抑制する点で特に好ましい。
<Cathode side adjacent layer>
The cathode side adjacent layer is an organic layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side.
The cathode-side adjacent layer preferably contains at least one of a compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton and a compound having a pyrene derivative skeleton.
As the pyrene derivative skeleton, a compound having a pyrene derivative skeleton represented by the general formula (II) of the host material in the light emitting layer can be used.
As the compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton, a non-nitrogen-containing compound among the compounds represented by the general formula (I) of the host material in the light emitting layer can be used.
The compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton and the compound having the pyrene derivative skeleton in the cathode side adjacent layer are compounds having an unsubstituted (no substituent) anthracene derivative skeleton. This is particularly preferable in terms of suppressing the degree change.
It is particularly preferable that the compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton and the compound having a pyrene derivative skeleton in the cathode side adjacent layer have no lone pair of electrons from the viewpoint of suppressing chromaticity change before and after deterioration.

ここで、前記陰極側隣接層に好適に用いられるピレン誘導体骨格を有する化合物の具体例について以下に挙げるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
Here, although the specific example of the compound which has a pyrene derivative frame | skeleton suitably used for the said cathode side adjacent layer is given below, this invention is not limited to these compounds.

ここで、前記陰極側隣接層に好適に用いられる非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物の具体例について以下に挙げるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
Specific examples of the compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton suitably used for the cathode-side adjacent layer will be described below, but the present invention is not limited to these compounds.

前記陰極側隣接層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記陰極側隣接層の厚みは、1nm〜10nmであることが好ましく、2nm〜5nmであることがより好ましい。前記厚みが、1nm未満であると、陰極側隣接層を形成できず、高効率化や高耐久性化の効果が十分ではないことがあり、10nmを超えると、陰極側隣接層の電子移動度が高い場合、有機電界発光素子として高電圧化してしまうことがある。
The cathode side adjacent layer is not particularly limited and can be formed according to a known method, for example, a dry film forming method such as a vapor deposition method and a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, an ink jet method, It can form suitably by.
The thickness of the cathode side adjacent layer is preferably 1 nm to 10 nm, and more preferably 2 nm to 5 nm. If the thickness is less than 1 nm, the cathode-side adjacent layer cannot be formed, and the effect of increasing efficiency and durability may not be sufficient. If the thickness exceeds 10 nm, the electron mobility of the cathode-side adjacent layer may be insufficient. Is high, the organic electroluminescent element may be increased in voltage.

<電子輸送層>
前記電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
<Electron transport layer>
The electron transport layer is a layer having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side.

前記電子輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、下記構造式で表される2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(バソクプロイン;BCP)、BCPにLiをドープしたもの、下記構造式で表されるトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)等の8−キノリノール又はその誘導体を配位子とする有機金属錯体、下記構造式で表されるBAlq(Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium (III))等のキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、などが挙げられる。   The material for the electron transport layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10- represented by the following structural formula is used. Phenanthroline (basocuproin; BCP), a BCP doped with Li, an organometallic complex having 8-quinolinol or a derivative thereof such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq) represented by the following structural formula as a ligand, Quinoline derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, such as BAlq (Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenyl-phenolate) -aluminum (III)) represented by the following structural formula, Perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, Nokisarin derivatives, diphenyl quinone derivative, a nitro-substituted fluorene derivatives, and the like.

前記電子輸送層は、例えば、蒸着法、湿式製膜法、電子ビーム法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、分子積層法、LB法、印刷法、転写法、などの上述した方法により好適に形成することができる。
前記電子輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、1nm〜500nmが好ましく、10nm〜50nmがより好ましい。
前記電子輸送層は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
The electron transport layer may be formed by, for example, vapor deposition, wet film formation, electron beam method, sputtering method, reactive sputtering method, MBE (molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method ( (High-frequency excited ion plating method), molecular lamination method, LB method, printing method, transfer method, etc.
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said electron carrying layer, According to the objective, it can select suitably, For example, 1 nm-500 nm are preferable, and 10 nm-50 nm are more preferable.
The electron transport layer may have a single layer structure or a laminated structure.

本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極の間に、少なくとも1層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層とを少なくとも含む有機層を有してなり、前記陰極側隣接層の陰極側に隣接する電子輸送層、更に必要に応じてその他の層を有していてもよい。
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば電子注入層、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、などが挙げられる。
The organic electroluminescent element of the present invention comprises an organic layer comprising at least one light emitting layer and at least a cathode side adjacent layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer between the anode and the cathode, It may have an electron transport layer adjacent to the cathode side of the cathode side adjacent layer and, if necessary, other layers.
There is no restriction | limiting in particular as said other layer, According to the objective, it can select suitably, For example, an electron injection layer, a positive hole injection layer, a positive hole transport layer, an electronic block layer, etc. are mentioned.

−電子注入層−
前記電子注入層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
前記電子注入層は、1種又は2種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記電子注入層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのが更に好ましい。
-Electron injection layer-
The electron injection layer is a layer having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side.
The electron injection layer may have a single layer structure made of one or more materials, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said electron injection layer, According to the objective, it can select suitably, It is preferable that it is 0.1 nm-200 nm, It is more preferable that it is 0.2 nm-100 nm. More preferably, it is 5 nm-50 nm.

−正孔注入層、正孔輸送層−
前記正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。該正孔注入層及び正孔輸送層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
これらの層に用いられる正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物でもよく、無機化合物あってもよい。
前記正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、三酸化モリブデンなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
-Hole injection layer, hole transport layer-
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single layer structure or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
The hole injection material or hole transport material used for these layers may be a low molecular compound, a high molecular compound, or an inorganic compound.
The hole injection material or hole transport material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, a pyrrole derivative, a carbazole derivative, a triazole derivative, an oxazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, Polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine Compounds, aromatic dimethylidin compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, thiophene derivatives, organic silane derivatives, carbon, molybdenum trioxide, and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

前記正孔注入層及び正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。
前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属;五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物、などが挙げられる。
前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物;キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記電子受容性ドーパントの使用量は、特に制限はなく、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料又は正孔注入材料に対して0.01質量%〜50質量%が好ましく、0.05質量%〜30質量%がより好ましく、0.1質量%〜30質量%が更に好ましい。
The hole injection layer and the hole transport layer may contain an electron accepting dopant.
As the electron-accepting dopant, an inorganic compound or an organic compound can be used as long as it has an electron-accepting property and oxidizes an organic compound.
The inorganic compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride; vanadium pentoxide, And metal oxides such as molybdenum trioxide.
The organic compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, a compound having a nitro group, a halogen, a cyano group, a trifluoromethyl group or the like as a substituent; a quinone compound, an acid anhydride Compounds, fullerenes, and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The amount of the electron-accepting dopant used is not particularly limited and varies depending on the type of material, but is preferably 0.01% by mass to 50% by mass with respect to the hole transport layer material or the hole injection material, 0.05 The mass% to 30 mass% is more preferable, and 0.1 mass% to 30 mass% is still more preferable.

前記正孔注入層及び正孔輸送層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記正孔注入層及び正孔輸送層の厚みは、1nm〜500nmが好ましく、5nm〜250nmがより好ましく、10nm〜200nmが更に好ましい。
The hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited and can be formed according to a known method. For example, a dry film forming method such as a vapor deposition method and a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, and a printing method. It can be suitably formed by a method, an ink jet method, or the like.
The thickness of the hole injection layer and the hole transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 250 nm, and still more preferably 10 nm to 200 nm.

−電子ブロック層−
前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。また、前記電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記電子ブロック層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。
前記電子ブロック層の厚みは、1nm〜200nmが好ましく、1nm〜50nmがより好ましく、3nm〜10nmが更に好ましい。
-Electronic block layer-
The electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing through to the anode side, and is usually provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the anode side.
As a compound which comprises the said electronic block layer, what was mentioned, for example as the above-mentioned hole transport material can be utilized. In addition, the electron blocking layer may have a single layer structure made of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure made of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
The electron blocking layer is not particularly limited and can be formed according to a known method. For example, a dry film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, an ink jet method, etc. It can form more suitably.
The thickness of the electron blocking layer is preferably 1 nm to 200 nm, more preferably 1 nm to 50 nm, and still more preferably 3 nm to 10 nm.

<電極>
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。
前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。
<Electrode>
The organic electroluminescent element of the present invention includes a pair of electrodes, that is, an anode and a cathode. In view of the nature of the organic electroluminescence device, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent. Usually, the anode only needs to have a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and the cathode only needs to have a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer.
There is no restriction | limiting in particular about the shape, a structure, a magnitude | size, etc. as said electrode, According to the use and objective of an organic electroluminescent element, it can select suitably from well-known electrode materials.
As a material which comprises the said electrode, a metal, an alloy, a metal oxide, a conductive compound, or a mixture thereof etc. are mentioned suitably, for example.

−陽極−
前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとITOとの積層物、などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが特に好ましい。
-Anode-
Examples of the material constituting the anode include tin oxide doped with antimony and fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Conductive metal oxides; metals such as gold, silver, chromium and nickel; mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides; inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide; polyaniline, polythiophene, Examples thereof include organic conductive materials such as polypyrrole, and laminates of these with ITO. Among these, a conductive metal oxide is preferable, and ITO is particularly preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

−陰極−
前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属(例えばLi、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属、アルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が特に好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)を意味する。
-Cathode-
Examples of the material constituting the cathode include alkali metals (eg, Li, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys, Examples thereof include lithium-aluminum alloys, magnesium-silver alloys, rare earth metals such as indium and ytterbium. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.
Among these, alkali metals and alkaline earth metals are preferable from the viewpoint of electron injecting properties, and materials mainly composed of aluminum are particularly preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum). Alloy).

前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば印刷方式、コーティング方式等の湿式方式;真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式;CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、などが挙げられる。これらの中でも、前記電極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料としてITOを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って形成することができる。陰極の材料として金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って形成することができる。   The method for forming the electrode is not particularly limited and can be performed according to a known method. For example, a wet method such as a printing method or a coating method; a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method; Chemical methods such as CVD and plasma CVD may be used. Among these, it can be formed on the substrate according to a method selected appropriately in consideration of suitability with the material constituting the electrode. For example, when ITO is selected as the anode material, it can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like. When a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be formed simultaneously or sequentially according to a sputtering method or the like.

なお、前記電極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。   In addition, when patterning is performed when forming the electrode, it may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching using a laser or the like. It may be performed by sputtering or the like, or may be performed by a lift-off method or a printing method.

<基板>
本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス(無アルカリガラス、ソーダライムガラス等)等の無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル;ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料、などが挙げられる。
<Board>
The organic electroluminescent element of the present invention is preferably provided on a substrate, and may be provided in such a manner that the electrode and the substrate are in direct contact with each other, or may be provided in an intermediate layer. .
The material for the substrate is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, inorganic materials such as yttria-stabilized zirconia (YSZ) and glass (such as alkali-free glass and soda lime glass); polyethylene terephthalate And polyesters such as polybutylene phthalate and polyethylene naphthalate; organic materials such as polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene).

前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。   There is no restriction | limiting in particular about the shape of the said board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The structure of the substrate may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members. The substrate may be transparent or opaque, and if transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent.

前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
The substrate may be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
Examples of the material of the moisture permeation preventive layer (gas barrier layer) include inorganic substances such as silicon nitride and silicon oxide.
The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.

−保護層−
有機電界発光素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
前記保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばIn、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属;MgO、SiO、SiO、Al、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe、Y、TiO等の金属酸化物;SiNx、SiNxOy等の金属窒化物;MgF、LiF、AlF、CaF等の金属フッ化物;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質、などが挙げられる。
-Protective layer-
The entire organic electroluminescent element may be protected by a protective layer.
The material contained in the protective layer is not particularly limited as long as it has a function of suppressing the entry of elements that promote element deterioration such as moisture and oxygen into the element. For example, metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, Ni; MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 Metal oxides such as O 3 , Y 2 O 3 and TiO 2 ; Metal nitrides such as SiNx and SiNxOy; Metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 and CaF 2 ; Polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide , Polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene A copolymer of dichlorodifluoroethylene, a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing tetrafluoroethylene and at least one comonomer, a fluorinated copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, water absorption Examples thereof include a water-absorbing substance having a rate of 1% or more, a moisture-proof substance having a water absorption rate of 0.1% or less, and the like.

前記保護層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a formation method of the said protective layer, According to the objective, it can select suitably, For example, a vacuum evaporation method, sputtering method, reactive sputtering method, MBE (molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam method , Ion plating method, plasma polymerization method (high frequency excitation ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method and the like.

−封止容器−
本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体が封止されていてもよい。更に、前記封止容器と有機電界発光素子の間の空間には、水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
前記水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム、などが挙げられる。
前記不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばパラフィン類、流動パラフィン類;パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤;塩素系溶剤、シリコーンオイル類、などが挙げられる。
-Sealing container-
As for the organic electroluminescent element of this invention, the whole element may be sealed using the sealing container. Furthermore, a moisture absorbent or an inert liquid may be sealed in the space between the sealing container and the organic electroluminescent element.
The moisture absorbent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, chloride Calcium, magnesium chloride, copper chloride, cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, magnesium oxide, and the like can be given.
The inert liquid is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include paraffins, liquid paraffins; fluorinated solvents such as perfluoroalkane, perfluoroamine, and perfluoroether; Examples include solvents and silicone oils.

−樹脂封止層−
本発明の有機電界発光素子は、大気からの酸素や水分による素子性能劣化を樹脂封止層により封止することで抑制することが好ましい。
前記樹脂封止層の樹脂素材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、エステル系樹脂、などが挙げられる。これらの中でも、水分防止機能の点からエポキシ樹脂が特に好ましい。前記エポキシ樹脂の中でも熱硬化型エポキシ樹脂、又は光硬化型エポキシ樹脂が好ましい。
-Resin sealing layer-
The organic electroluminescent device of the present invention is preferably suppressed by sealing the device performance deterioration due to oxygen and moisture from the atmosphere with a resin sealing layer.
The resin material for the resin sealing layer is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, acrylic resin, epoxy resin, fluorine resin, silicone resin, rubber resin, ester resin, Etc. Among these, an epoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of moisture prevention function. Among the epoxy resins, a thermosetting epoxy resin or a photocurable epoxy resin is preferable.

前記樹脂封止層の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着又は熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法、などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a preparation method of the said resin sealing layer, According to the objective, it can select suitably, For example, the method of apply | coating a resin solution, the method of crimping | bonding or thermocompressing a resin sheet, vapor deposition, sputtering, etc. And a dry polymerization method.

−封止接着剤−
前記封止接着剤は、端部よりの水分や酸素の侵入を防止する機能を有する。
前記封止接着剤の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。これらの中でも、水分の侵入防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、光硬化型接着剤あるいは熱硬化型接着剤が特に好ましい。
前記封止接着剤にフィラーを添加することも好ましい。前記フィラーとしては、例えばSiO、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)、SiN(窒化ケイ素)等の無機材料が好ましい。該フィラーの添加により、封止接着剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、及び耐湿性が向上する。
前記封止接着剤は、乾燥剤を含有してもよい。前記乾燥剤としては、例えば酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、などが挙げられる。前記乾燥剤の添加量は、前記封止接着剤に対し0.01質量%〜20質量%が好ましく、0.05質量%〜15質量%がより好ましい。前記添加量が、0.01質量%未満であると、乾燥剤の添加効果が薄れることになり、20質量%を超えると、封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になることがある。
本発明においては、前記乾燥剤の入った封止接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、塗布後第2基板を重ねて、硬化させることにより封止することができる。
-Sealing adhesive-
The sealing adhesive has a function of preventing intrusion of moisture and oxygen from the end portion.
As the material of the sealing adhesive, the same material as that used for the resin sealing layer can be used. Among these, an epoxy adhesive is preferable from the viewpoint of preventing moisture from entering, and a photocurable adhesive or a thermosetting adhesive is particularly preferable.
It is also preferable to add a filler to the sealing adhesive. As the filler, for example SiO 2, SiO (silicon oxide), SiON (silicon oxynitride), an inorganic material such as SiN (silicon nitride) are preferred. Addition of the filler increases the viscosity of the sealing adhesive, improves processing suitability, and improves moisture resistance.
The sealing adhesive may contain a desiccant. Examples of the desiccant include barium oxide, calcium oxide, and strontium oxide. The addition amount of the desiccant is preferably 0.01% by mass to 20% by mass and more preferably 0.05% by mass to 15% by mass with respect to the sealing adhesive. When the addition amount is less than 0.01% by mass, the effect of adding the desiccant is diminished, and when it exceeds 20% by mass, it is difficult to uniformly disperse the desiccant in the sealing adhesive. Sometimes.
In the present invention, the sealing adhesive containing the desiccant can be applied by applying an arbitrary amount with a dispenser or the like, and the second substrate can be overlaid after application and cured.

図1は、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。有機EL素子11は、ガラス基板1上に形成された陽極2(例えばITO電極)と、正孔注入層3と、正孔輸送層4と、電子ブロック層5と、発光層6と、陰極側隣接層(正孔ブロック層)7と、電子輸送層8と、電子注入層9と、陰極10(例えばAl−Li電極)とをこの順に積層してなる層構成を有する。なお、陽極2(例えばITO電極)と陰極10(例えばAl−Li電極)とは電源を介して互いに接続されている。   FIG. 1 is a schematic view showing an example of the layer structure of the organic electroluminescent element of the present invention. The organic EL element 11 includes an anode 2 (for example, an ITO electrode) formed on the glass substrate 1, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, an electron blocking layer 5, a light emitting layer 6, and a cathode side. It has a layer structure in which an adjacent layer (hole blocking layer) 7, an electron transport layer 8, an electron injection layer 9, and a cathode 10 (for example, an Al—Li electrode) are laminated in this order. The anode 2 (for example, ITO electrode) and the cathode 10 (for example, Al—Li electrode) are connected to each other via a power source.

−駆動−
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ(TFT)によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。
本発明の有機電界発光素子は、例えばWO2005/088726号パンフレット、特開2006−165529号公報、米国特許出願公開2008/0237598A1明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
-Drive-
The organic electroluminescence device of the present invention emits light by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Obtainable.
The organic electroluminescent element of the present invention can be applied to an active matrix by a thin film transistor (TFT). As the active layer of the thin film transistor, amorphous silicon, high temperature polysilicon, low temperature polysilicon, microcrystalline silicon, oxide semiconductor, organic semiconductor, carbon nanotube, or the like can be used.
For example, the thin film transistors described in WO2005 / 088826, JP-A-2006-165529, US Patent Application Publication No. 2008 / 0237598A1, and the like can be applied to the organic electroluminescent device of the present invention.

本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する(例えば微細な凹凸パターンを形成する)、基板、ITO層、有機層の屈折率を制御する、基板、ITO層、有機層の厚みを制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
There is no restriction | limiting in particular in the organic electroluminescent element of this invention, Light extraction efficiency can be improved by various well-known devices. For example, by processing the substrate surface shape (for example, forming a fine concavo-convex pattern), controlling the refractive index of the substrate, ITO layer, organic layer, controlling the thickness of the substrate, ITO layer, organic layer, etc. It is possible to improve the external quantum efficiency.
The light extraction method from the organic electroluminescence device of the present invention may be a top emission method or a bottom emission method.

本発明の有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第1の態様の場合の計算式は、特開平9−180883号公報に記載されている。第2の態様の場合の計算式は、特開2004−127795号公報に記載されている。
The organic electroluminescent element of the present invention may have a resonator structure. For example, a multilayer mirror made of a plurality of laminated films having different refractive indexes, a transparent or translucent electrode, a light emitting layer, and a metal electrode are superimposed on a transparent substrate. The light generated in the light emitting layer resonates repeatedly with the multilayer mirror and the metal electrode as a reflection plate.
In another preferred embodiment, a transparent or translucent electrode and a metal electrode each function as a reflecting plate on a transparent substrate, and light generated in the light emitting layer repeats reflection and resonates between them.
In order to form a resonant structure, the optical path length determined from the effective refractive index of the two reflectors and the refractive index and thickness of each layer between the reflectors is adjusted to an optimum value to obtain the desired resonant wavelength. Is done. The calculation formula in the case of the first aspect is described in JP-A-9-180883. The calculation formula in the case of the second aspect is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-127795.

−用途−
本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
前記有機ELディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、2000年9月号、33〜37ページに記載されているように、色の3原色(青色(B)、緑色(G)、赤色(R))に対応する光をそれぞれ発光する有機EL素子を基板上に配置する3色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して3原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を色素層を通して赤色(R)及び緑色(G)に変換する色変換法、などが知られている。また、上記方法により得られる異なる発光色の有機電界発光素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、などが挙げられる。
-Use-
The organic electroluminescent element of the present invention is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, the display element, display, backlight, electrophotography, illumination light source, recording light source, exposure light source, reading light source, label It can be suitably used for signboards, interiors, optical communications, and the like.
As a method for making the organic EL display of a full color type, as described in, for example, “Monthly Display”, September 2000, pages 33 to 37, the three primary colors (blue (B), green (G), red light (R)), a three-color light emitting method in which organic EL elements that respectively emit light corresponding to red (R) are arranged on a substrate, and white light emission by an organic electroluminescent element for white light emission is divided into three primary colors through a color filter. A white method, a color conversion method for converting blue light emission by a blue light emitting organic electroluminescent element into red (R) and green (G) through a dye layer, and the like are known. Moreover, the planar light source of a desired luminescent color can be obtained by using combining the organic electroluminescent element of the different luminescent color obtained by the said method. For example, a white light-emitting light source combining blue and yellow light-emitting elements, a white light-emitting light source combining blue, green, and red light-emitting elements can be used.

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

(比較例1−1)
−有機電界発光素子の作製−
0.5mm厚み、2.5cm角のガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を厚み70nmにスパッタ法により形成した。次に、このITO付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。
なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.1nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。
(Comparative Example 1-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of 70 nm was formed as a positive electrode on a 0.5 mm thick, 2.5 cm square glass substrate by sputtering. Next, this ITO-attached glass substrate was put into a cleaning container, subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes.
In addition, the vapor deposition rate in the following examples and comparative examples is 0.1 nm / second unless otherwise specified. The deposition rate was measured using a quartz resonator. The thickness of each layer below was measured using a quartz resonator.

まず、陽極(ITO)上に、下記構造式で表されるNPD(N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)に、MoOを30質量%ドープした正孔注入層を厚みが30nmになるように真空蒸着法により形成した。
First, NPD (N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine) represented by the following structural formula is formed on the anode (ITO). A hole injection layer doped with 30% by mass of MoO 3 was formed by vacuum deposition so that the thickness was 30 nm.

次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として上記構造式で表されるNPD(N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)を厚みが10nmとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、ホスト材料である下記構造式で表される化合物Jと、該化合物Jに対して下記構造式で表される赤色燐光発光材料1(ピーク波長628nm)を8質量%ドープした発光層を厚みが30nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, an NPD (N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4 represented by the above structural formula as a hole transport layer is formed on the hole injection layer. '-Diamine) was formed by vacuum deposition so that the thickness was 10 nm.
Next, a compound J represented by the following structural formula, which is a host material, and a light emitting layer doped with 8% by mass of the red phosphorescent light emitting material 1 (peak wavelength 628 nm) represented by the following structural formula with respect to the compound J It formed by the vacuum evaporation method so that thickness might be set to 30 nm.

次に、発光層上に、陰極側隣接層として下記構造式で表される化合物Fを、厚みが5nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, a compound F represented by the following structural formula was formed as a cathode side adjacent layer on the light emitting layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 5 nm.

次に、陰極側隣接層上に、電子輸送層として上記構造式で表される化合物Fを、厚みが45nmとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム(LiF)を、厚みが1nmとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、金属アルミニウムを厚み100nmとなるように真空蒸着法により形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製)を用いて封止した。以上により、比較例1−1の有機電界発光素子を作製した。
Next, a compound F represented by the above structural formula was formed as an electron transport layer on the cathode side adjacent layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 45 nm.
Next, lithium fluoride (LiF) was formed as an electron injection layer on the electron transport layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 1 nm.
Next, a patterned mask (mask with a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed on the electron injection layer as a cathode, and metal aluminum was formed by vacuum deposition so as to have a thickness of 100 nm.
The laminate produced as described above was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). The organic electroluminescent element of Comparative Example 1-1 was produced as described above.

(比較例1−2)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、下記構造式で表される化合物2a−1に代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例1−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 1-2)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, except that Compound F represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer was replaced with Compound 2a-1 represented by the following structural formula, the same as Comparative Example 1-1 The organic electroluminescent element of Comparative Example 1-2 was produced.

(比較例1−3)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物2a−1に代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例1−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 1-3)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, except that Compound J represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with Compound 2a-1 represented by the above structural formula, the same as Comparative Example 1-1 The organic electroluminescent element of Comparative Example 1-3 was produced.

(実施例1−1)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物2a−1に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、上記構造式で表される化合物2a−1に代えた以外は、比較例1−1と同様にして、実施例1−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 1-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer is replaced by the compound 2a-1 represented by the above structural formula, and represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer. The organic electroluminescent element of Example 1-1 was produced in the same manner as Comparative Example 1-1 except that Compound F was changed to Compound 2a-1 represented by the above structural formula.

(比較例2−1)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを下記構造式で表される化合物Kに代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例2−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 2-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, a comparison was made in the same manner as in Comparative Example 1-1 except that Compound J represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with Compound K represented by the following structural formula. The organic electroluminescent element of Example 2-1 was produced.

(比較例2−2)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物Kに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、下記構造式で表される化合物2a’−55に代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例2−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 2-2)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer is replaced with the compound K represented by the above structural formula, and the compound represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer An organic electroluminescent element of Comparative Example 2-2 was produced in the same manner as Comparative Example 1-1 except that F was replaced with Compound 2a′-55 represented by the following structural formula.

(比較例2−3)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物2a’−55に代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例2−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 2-3)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, the procedure was the same as Comparative Example 1-1 except that Compound J represented by the structural formula as a host material for the light-emitting layer was replaced with Compound 2a′-55 represented by the structural formula. Thus, an organic electroluminescent element of Comparative Example 2-3 was produced.

(実施例2−1)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物2a’−55に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、上記構造式で表される化合物2a’−55に代えた以外は、比較例1−1と同様にして、実施例2−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 2-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with the compound 2a′-55 represented by the above structural formula, and represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer. The organic electroluminescent element of Example 2-1 was produced in the same manner as in Comparative Example 1-1 except that the compound F to be used was changed to the compound 2a′-55 represented by the above structural formula.

(比較例3−1)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを下記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、下記構造式で表される化合物Iに代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例3−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 3-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the following structural formula. The organic electroluminescence of Comparative Example 3-1 was the same as Comparative Example 1-1 except that Compound F represented by the structural formula described above as the side adjacent layer was replaced with Compound I represented by the following structural formula. An element was produced.

(比較例3−2)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、下記構造式で表される化合物2a’−59に代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例3−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 3-2)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. Comparative Example 3-2 was carried out in the same manner as in Comparative Example 1-1 except that Compound F represented by the above structural formula as the side adjacent layer was replaced with Compound 2a′-59 represented by the following structural formula. An organic electroluminescent element was produced.

(比較例3−3)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物2a’−59に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、上記構造式で表される化合物Iに代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例3−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 3-3)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with the compound 2a′-59 represented by the above structural formula, and represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer. The organic electroluminescent element of Comparative Example 3-3 was produced in the same manner as Comparative Example 1-1 except that Compound F was replaced with Compound I represented by the above structural formula.

(実施例3−1)
−有機電界発光素子の作製−
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物2a’−59に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、上記構造式で表される化合物2a’−59に代えた以外は、比較例1−1と同様にして、実施例3−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 3-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with the compound 2a′-59 represented by the above structural formula, and represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer. The organic electroluminescent element of Example 3-1 was produced in the same manner as Comparative Example 1-1 except that the compound F to be used was changed to the compound 2a′-59 represented by the above structural formula.

(比較例4−1)
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、上記構造式で表される化合物Iに代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例4−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 4-1)
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. Organic electroluminescence of Comparative Example 4-1 is the same as Comparative Example 1-1 except that Compound F represented by the structural formula as a side adjacent layer is replaced with Compound I represented by the structural formula. An element was produced.

(比較例4−2)
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、下記構造式で表される化合物3aに代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例4−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 4-2)
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. Organic electroluminescence of Comparative Example 4-2 was performed in the same manner as Comparative Example 1-1 except that Compound F represented by the above structural formula as the side adjacent layer was replaced with Compound 3a represented by the following structural formula. An element was produced.

(比較例4−3)
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物3aに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、上記構造式で表される化合物Iに代えた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例4−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 4-3)
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the structural formula described above as the host material of the light-emitting layer is replaced with the compound 3a represented by the structural formula described above, and the compound represented by the structural formula described above as the cathode side adjacent layer An organic electroluminescent element of Comparative Example 4-3 was produced in the same manner as Comparative Example 1-1 except that F was replaced with Compound I represented by the above structural formula.

参考例4−1)
比較例1−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表される化合物Jを上記構造式で表される化合物3aに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物Fを、上記構造式で表される化合物3aに代えた以外は、比較例1−1と同様にして、参考例4−1の有機電界発光素子を作製した。
( Reference Example 4-1)
In Comparative Example 1-1, the compound J represented by the structural formula described above as the host material of the light-emitting layer is replaced with the compound 3a represented by the structural formula described above, and the compound represented by the structural formula described above as the cathode side adjacent layer An organic electroluminescent element of Reference Example 4-1 was produced in the same manner as in Comparative Example 1-1 except that F was replaced with the compound 3a represented by the above structural formula.

(比較例5−1)
−有機電界発光素子の作製−
0.5mm厚み、2.5cm角のガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を厚み70nmにスパッタ法により形成した。次に、このITO付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。
なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.1nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。
(Comparative Example 5-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of 70 nm was formed as a positive electrode on a 0.5 mm thick, 2.5 cm square glass substrate by sputtering. Next, this ITO-attached glass substrate was put into a cleaning container, subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes.
In addition, the vapor deposition rate in the following examples and comparative examples is 0.1 nm / second unless otherwise specified. The deposition rate was measured using a quartz resonator. The thickness of each layer below was measured using a quartz resonator.

まず、陽極(ITO)上に、下記構造式で表されるNPD(N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)に、MoOを30質量%ドープした正孔注入層を厚みが30nmになるように真空蒸着法により形成した。
First, NPD (N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine) represented by the following structural formula is formed on the anode (ITO). A hole injection layer doped with 30% by mass of MoO 3 was formed by vacuum deposition so that the thickness was 30 nm.

次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として上記構造式で表されるNPD(N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)を厚みが10nmとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、ホスト材料である下記構造式で表されるBAlq〔Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium(III)〕と、該BAlqに対して下記構造式で表される赤色燐光発光材料2(ピーク波長627nm)を8質量%ドープした発光層を厚みが30nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, an NPD (N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4 represented by the above structural formula as a hole transport layer is formed on the hole injection layer. '-Diamine) was formed by vacuum deposition so that the thickness was 10 nm.
Next, BAlq [Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenyl-phenolate) -aluminum (III)] represented by the following structural formula, which is a host material, and the following structure with respect to the BAlq A light emitting layer doped with 8% by mass of the red phosphorescent light emitting material 2 represented by the formula (peak wavelength: 627 nm) was formed by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 30 nm.

次に、発光層上に、陰極側隣接層として下記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、厚みが5nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, an aluminum quinoline complex (Alq) represented by the following structural formula was formed as a cathode-side adjacent layer on the light-emitting layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 5 nm.

次に、陰極側隣接層上に、電子輸送層として下記構造式で表される化合物Gを、厚みが45nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, a compound G represented by the following structural formula was formed as an electron transport layer on the cathode side adjacent layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 45 nm.

次に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム(LiF)を、厚みが1nmとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、金属アルミニウムを厚み100nmとなるように真空蒸着法により形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製)を用いて封止した。以上により、比較例5−1の有機電界発光素子を作製した。
Next, lithium fluoride (LiF) was formed as an electron injection layer on the electron transport layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 1 nm.
Next, a patterned mask (mask with a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed on the electron injection layer as a cathode, and metal aluminum was formed by vacuum deposition so as to have a thickness of 100 nm.
The laminate produced as described above was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). Thus, an organic electroluminescent element of Comparative Example 5-1 was produced.

(比較例5−2)
比較例5−1において、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるAlqを、下記構造式で表される化合物2a−1に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例5−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 5-2)
In Comparative Example 5-1, except that Alq represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer was replaced with Compound 2a-1 represented by the following structural formula, An organic electroluminescent element of Comparative Example 5-2 was produced.

(比較例5−3)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物2a−1に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例5−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 5-3)
In Comparative Example 5-1, the same procedure as in Comparative Example 5-1 was conducted, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with compound 2a-1 represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Comparative Example 5-3 was produced.

(実施例5−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物2a−1に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、上記構造式で表される化合物2a−1に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、実施例5−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 5-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer is replaced by the compound 2a-1 represented by the above structural formula, and represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer. The organic electroluminescent element of Example 5-1 was produced in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that the aluminum quinoline complex (Alq) was replaced with the compound 2a-1 represented by the above structural formula.

(比較例6−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、下記構造式で表される4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−ビフェニル(CBP)に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例6−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 6-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with 4,4′-bis (9-carbazolyl) -biphenyl (CBP) represented by the following structural formula. Except for the above, an organic electroluminescent element of Comparative Example 6-1 was produced in the same manner as Comparative Example 5-1.

(比較例6−2)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−ビフェニル(CBP)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、下記構造式で表される化合物2a’−55に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例6−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 6-2)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as a host material of the light emitting layer was replaced with 4,4′-bis (9-carbazolyl) -biphenyl (CBP) represented by the above structural formula, Comparison was made in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that the aluminum quinoline complex (Alq) represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer was replaced with the compound 2a′-55 represented by the following structural formula. The organic electroluminescent element of Example 6-2 was produced.

(比較例6−3)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物2a’−55に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例6−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 6-3)
In Comparative Example 5-1, the same procedure as in Comparative Example 5-1 was conducted, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with compound 2a′-55 represented by the above structural formula. Thus, an organic electroluminescent element of Comparative Example 6-3 was produced.

(実施例6−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物2a’−55に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、上記構造式で表される化合物2a’−55に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、実施例6−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 6-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced by Compound 2a′-55 represented by the above structural formula, and represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer. The organic electroluminescent element of Example 6-1 was prepared in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that the aluminum quinoline complex (Alq) was changed to the compound 2a′-55 represented by the above structural formula. did.

(比較例7−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−ビフェニル(CBP)に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例7−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 7-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with 4,4′-bis (9-carbazolyl) -biphenyl (CBP) represented by the above structural formula. Except that, an organic electroluminescent element of Comparative Example 7-1 was produced in the same manner as Comparative Example 5-1.

(比較例7−2)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−ビフェニル(CBP)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、下記構造式で表される化合物2a’−59に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例7−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 7-2)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as a host material of the light emitting layer was replaced with 4,4′-bis (9-carbazolyl) -biphenyl (CBP) represented by the above structural formula, Comparison was made in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that the aluminum quinoline complex (Alq) represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer was replaced with the compound 2a′-59 represented by the following structural formula. The organic electroluminescent element of Example 7-2 was produced.

(比較例7−3)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物2a’−59に代え以外は、比較例5−1と同様にして、比較例7−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 7-3)
In Comparative Example 5-1, the same procedure as in Comparative Example 5-1 was conducted, except that BAlq represented by the structural formula as a host material of the light-emitting layer was replaced with compound 2a′-59 represented by the structural formula. The organic electroluminescent element of Comparative Example 7-3 was produced.

(実施例7−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物2a’−59に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、上記構造式で表される化合物2a’−59に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、実施例7−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 7-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer is replaced by Compound 2a′-59 represented by the above structural formula, and represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer. The organic electroluminescent element of Example 7-1 was produced in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that the aluminum quinoline complex (Alq) was replaced with the compound 2a′-59 represented by the above structural formula. did.

(比較例8−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−ビフェニル(CBP)に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例8−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 8-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with 4,4′-bis (9-carbazolyl) -biphenyl (CBP) represented by the above structural formula. Except for the above, an organic electroluminescent element of Comparative Example 8-1 was produced in the same manner as Comparative Example 5-1.

(比較例8−2)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−ビフェニル(CBP)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、下記構造式で表される化合物3aに代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例8−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 8-2)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as a host material of the light emitting layer was replaced with 4,4′-bis (9-carbazolyl) -biphenyl (CBP) represented by the above structural formula, Comparative Example 8- in the same manner as Comparative Example 5-1, except that the aluminum quinoline complex (Alq) represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer was replaced with compound 3a represented by the following structural formula. 2 organic electroluminescent elements were produced.

(比較例8−3)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物3aに代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例8−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 8-3)
In Comparative Example 5-1, a comparison was made in the same manner as Comparative Example 5-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with compound 3a represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Example 8-3 was produced.

参考例8−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物3aに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、上記構造式で表される化合物3aに代えた以外は、比較例5−1と同様にして、参考例8−1の有機電界発光素子を作製した。
( Reference Example 8-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer is replaced with the compound 3a represented by the above structural formula, and aluminum represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer An organic electroluminescent element of Reference Example 8-1 was produced in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that the quinoline complex (Alq) was replaced with the compound 3a represented by the above structural formula.

(比較例9−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−ビフェニル(CBP)に代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例9−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 9-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with 4,4′-bis (9-carbazolyl) -biphenyl (CBP) represented by the above structural formula. Except for the above, an organic electroluminescent element of Comparative Example 9-1 was produced in the same manner as Comparative Example 5-1.

(比較例9−2)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−ビフェニル(CBP)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、下記構造式で表される化合物Aに代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例9−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 9-2)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as a host material of the light emitting layer was replaced with 4,4′-bis (9-carbazolyl) -biphenyl (CBP) represented by the above structural formula, Comparative Example 9- was performed in the same manner as Comparative Example 5-1, except that the aluminum quinoline complex (Alq) represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer was replaced with Compound A represented by the following structural formula. 2 organic electroluminescent elements were produced.

(比較例9−3)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Aに代えた以外は、比較例5−1と同様にして、比較例9−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 9-3)
In Comparative Example 5-1, a comparison was made in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with Compound A represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Example 9-3 was produced.

(実施例9−1)
比較例5−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Aに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるアルミニウムキノリン錯体(Alq)を、上記構造式で表される化合物Aに代えた以外は、比較例5−1と同様にして、実施例9−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 9-1)
In Comparative Example 5-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer is replaced with Compound A represented by the above structural formula, and aluminum represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer An organic electroluminescent element of Example 9-1 was produced in the same manner as in Comparative Example 5-1, except that the quinoline complex (Alq) was replaced with the compound A represented by the above structural formula.

(比較例10−1)
−有機電界発光素子の作製−
0.5mm厚み、2.5cm角のガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を厚み70nmにスパッタ法により形成した。次に、このITO付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。
なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.1nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。
(Comparative Example 10-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of 70 nm was formed as a positive electrode on a 0.5 mm thick, 2.5 cm square glass substrate by sputtering. Next, this ITO-attached glass substrate was put into a cleaning container, subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes.
In addition, the vapor deposition rate in the following examples and comparative examples is 0.1 nm / second unless otherwise specified. The deposition rate was measured using a quartz resonator. The thickness of each layer below was measured using a quartz resonator.

まず、陽極(ITO)上に、下記構造式で表される化合物Lに、MoOを30質量%ドープした正孔注入層を厚みが30nmになるように真空蒸着法により形成した。
First, on the anode (ITO), a hole injection layer in which 30% by mass of MoO 3 was doped into the compound L represented by the following structural formula was formed by vacuum deposition so that the thickness was 30 nm.

次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として下記構造式で表されるNPD(N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)を厚みが10nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, an NPD (N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4 represented by the following structural formula as a hole transport layer is formed on the hole injection layer. '-Diamine) was formed by vacuum deposition so that the thickness was 10 nm.

次に、ホスト材料である下記構造式で表されるBAlq〔Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium(III)〕と、該BAlqに対して下記構造式で表される赤色燐光発光材料3(ピーク波長620nm)を8質量%ドープした発光層を厚みが30nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, BAlq [Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenyl-phenolate) -aluminum (III)] represented by the following structural formula, which is a host material, and the following structure with respect to the BAlq A light emitting layer doped with 8% by mass of the red phosphorescent light emitting material 3 represented by the formula (peak wavelength: 620 nm) was formed by vacuum deposition so as to have a thickness of 30 nm.

次に、発光層上に、陰極側隣接層として上記構造式で表されるBAlqを、厚みが5nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, BAlq represented by the above structural formula as a cathode side adjacent layer was formed on the light emitting layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 5 nm.

次に、陰極側隣接層上に、電子輸送層として下記構造式で表される化合物Iを、厚みが45nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, Compound I represented by the following structural formula as an electron transport layer was formed on the cathode side adjacent layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 45 nm.

次に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム(LiF)を、厚みが1nmとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、金属アルミニウムを厚みが100nmとなるように真空蒸着法により形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製)を用いて封止した。以上により、比較例10−1の有機電界発光素子を作製した。
Next, lithium fluoride (LiF) was formed as an electron injection layer on the electron transport layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 1 nm.
Next, a mask patterned as a cathode (a mask having a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed on the electron injection layer, and metal aluminum was formed by vacuum deposition so that the thickness was 100 nm.
The laminate produced as described above was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). Thus, an organic electroluminescent element of Comparative Example 10-1 was produced.

(比較例10−2)
比較例10−1において、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、下記構造式で表される化合物Aに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例10−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 10-2)
Comparative Example 10-1 was the same as Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer was replaced with compound A represented by the following structural formula. 10-2 organic electroluminescent element was produced.

(比較例10−3)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Aに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例10−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 10-3)
In Comparative Example 10-1, a comparison was made in the same manner as in Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with Compound A represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Example 10-3 was produced.

(実施例10−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Aに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Aに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、実施例10−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 10-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer is replaced with Compound A represented by the above structural formula, and BAlq represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer. Was replaced with the compound A represented by the above structural formula, and an organic electroluminescent device of Example 10-1 was produced in the same manner as Comparative Example 10-1.

(比較例11−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、下記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、下記構造式で表される化合物Bに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例11−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 11-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the following structural formula. The organic electroluminescent element of Comparative Example 11-1 was the same as Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the side adjacent layer was replaced with Compound B represented by the following structural formula. Was made.

(比較例11−2)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例11−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 11-2)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. Produced the organic electroluminescent element of Comparative Example 11-2 in the same manner as Comparative Example 10-1.

(比較例11−3)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Bに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例11−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 11-3)
In Comparative Example 10-1, a comparison was made in the same manner as in Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with Compound B represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Example 11-3 was produced.

参考例11−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Bに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Bに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、参考例11−1の有機電界発光素子を作製した。
( Reference Example 11-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer is replaced with Compound B represented by the above structural formula, and BAlq represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer. The organic electroluminescent element of Reference Example 11-1 was produced in the same manner as Comparative Example 10-1, except that Compound B was replaced with Compound B represented by the above structural formula.

(比較例12−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、下記構造式で表される化合物Cに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例12−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 12-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Comparative Example 12-1 was the same as Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the side adjacent layer was replaced with Compound C represented by the following structural formula. Was made.

(比較例12−2)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例12−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 12-2)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. Produced the organic electroluminescent element of Comparative Example 12-2 in the same manner as Comparative Example 10-1.

(比較例12−3)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Cに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例12−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 12-3)
In Comparative Example 10-1, a comparison was made in the same manner as in Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with Compound C represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Example 12-3 was produced.

参考例12−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Cに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Cに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、参考例12−1の有機電界発光素子を作製した。
( Reference Example 12-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer is replaced with Compound C represented by the above structural formula, and BAlq represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer. Was replaced with the compound C represented by the above structural formula in the same manner as in Comparative Example 10-1, to prepare an organic electroluminescent element of Reference Example 12-1.

(比較例13−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、下記構造式で表される化合物Dに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例13−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 13-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Comparative Example 13-1 was the same as Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the side adjacent layer was replaced with Compound D represented by the following structural formula. Was made.

(比較例13−2)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例13−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 13-2)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. Produced the organic electroluminescent element of Comparative Example 13-2 in the same manner as Comparative Example 10-1.

(比較例13−3)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Dに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例13−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 13-3)
In Comparative Example 10-1, a comparison was made in the same manner as in Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with Compound D represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Example 13-3 was produced.

(実施例13−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Dに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Dに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、実施例13−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 13-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer is replaced with Compound D represented by the above structural formula, and BAlq represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer. Was replaced with the compound D represented by the above structural formula, and an organic electroluminescent element of Example 13-1 was produced in the same manner as Comparative Example 10-1.

(比較例14−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、下記構造式で表される化合物Eに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例14−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 14-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Comparative Example 14-1 was the same as Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the side adjacent layer was replaced with Compound E represented by the following structural formula. Was made.

(比較例14−2)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)に代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例14−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 14-2)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula. Produced the organic electroluminescent element of Comparative Example 14-2 in the same manner as Comparative Example 10-1.

(比較例14−3)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Eに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、比較例14−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 14-3)
In Comparative Example 10-1, a comparison was made in the same manner as in Comparative Example 10-1, except that BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light emitting layer was replaced with Compound E represented by the above structural formula. The organic electroluminescent element of Example 14-3 was produced.

(実施例14−1)
比較例10−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Eに代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表されるBAlqを、上記構造式で表される化合物Eに代えた以外は、比較例10−1と同様にして、実施例14−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 14-1)
In Comparative Example 10-1, BAlq represented by the above structural formula as the host material of the light-emitting layer is replaced with Compound E represented by the above structural formula, and BAlq represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer. Was replaced with the compound E represented by the above structural formula in the same manner as in Comparative Example 10-1, to prepare an organic electroluminescent element of Example 14-1.

(比較例15−1)
−有機電界発光素子の作製−
0.5mm厚み、2.5cm角のガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を厚み70nmにスパッタ法により形成した。次に、このITO付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。
なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.1nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。
(Comparative Example 15-1)
-Fabrication of organic electroluminescence device-
ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of 70 nm was formed as a positive electrode on a 0.5 mm thick, 2.5 cm square glass substrate by sputtering. Next, this ITO-attached glass substrate was put into a cleaning container, subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes.
In addition, the vapor deposition rate in the following examples and comparative examples is 0.1 nm / second unless otherwise specified. The deposition rate was measured using a quartz resonator. The thickness of each layer below was measured using a quartz resonator.

まず、陽極(ITO)上に、下記構造式で表される化合物Lに、MoOを30質量%ドープした正孔注入層を厚みが30nmになるように真空蒸着法により形成した。
First, on the anode (ITO), a hole injection layer in which 30% by mass of MoO 3 was doped into the compound L represented by the following structural formula was formed by vacuum deposition so that the thickness was 30 nm.

次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として下記構造式で表されるNPD(N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)を厚みが10nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, an NPD (N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4 represented by the following structural formula as a hole transport layer is formed on the hole injection layer. '-Diamine) was formed by vacuum deposition so that the thickness was 10 nm.

次に、ホスト材料である下記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)と、該mCPに対して下記構造式で表される赤色燐光発光材料4(ピーク波長618nm)を8質量%ドープした発光層を厚みが30nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the following structural formula, which is a host material, and red phosphorescent light-emitting material 4 (peak) represented by the following structural formula with respect to the mCP A light emitting layer doped with 8% by mass of a wavelength of 618 nm) was formed by a vacuum vapor deposition method so as to have a thickness of 30 nm.

次に、発光層上に、陰極側隣接層として下記構造式で表される化合物2a−48を、厚みが5nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, a compound 2a-48 represented by the following structural formula as a cathode side adjacent layer was formed on the light emitting layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 5 nm.

次に、陰極側隣接層上に、電子輸送層として下記構造式で表される化合物Iを、厚みが45nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, Compound I represented by the following structural formula as an electron transport layer was formed on the cathode side adjacent layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 45 nm.

次に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウム(LiF)を、厚みが1nmとなるように真空蒸着法により形成した。
次に、電子注入層上に、陰極としてパタ−ニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、金属アルミニウムを厚みが100nmとなるように真空蒸着法により形成した。
以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製)を用いて封止した。以上により、比較例15−1の有機電界発光素子を作製した。
Next, lithium fluoride (LiF) was formed as an electron injection layer on the electron transport layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 1 nm.
Next, a mask patterned as a cathode (a mask having a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed on the electron injection layer, and metal aluminum was formed by vacuum deposition so that the thickness was 100 nm.
The laminate produced as described above was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). Thus, an organic electroluminescent element of Comparative Example 15-1 was produced.

(比較例15−2)
比較例15−1において、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物2a−48を、下記構造式で表されるBAlq〔Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium(III)〕に代えた以外は、比較例15−1と同様にして、比較例15−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 15-2)
In Comparative Example 15-1, Compound 2a-48 represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer was converted to BAlq [Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- ( The organic electroluminescent element of Comparative Example 15-2 was produced in the same manner as Comparative Example 15-1, except that it was changed to (phenyl-phenolate) -aluminum (III)].

(比較例15−3)
比較例15−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)を、上記構造式で表される化合物2a−48に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物2a−48を、上記構造式で表されるBAlqに代えた以外は、比較例15−1と同様にして、比較例15−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 15-3)
In Comparative Example 15-1, mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula as a host material for the light-emitting layer was converted into Compound 2a-48 represented by the above structural formula. Instead, Comparative Example 15-3 was carried out in the same manner as Comparative Example 15-1, except that Compound 2a-48 represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer was replaced with BAlq represented by the above structural formula. An organic electroluminescent element was prepared.

(実施例15−1)
比較例15−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)を、上記構造式で表される化合物2a−48に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物2a−48を、下記構造式で表される化合物Eに代えた以外は、比較例15−1と同様にして、実施例15−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 15-1)
In Comparative Example 15-1, mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula as a host material for the light-emitting layer was converted into Compound 2a-48 represented by the above structural formula. Instead of Example 15- in the same manner as Comparative Example 15-1, except that Compound 2a-48 represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer was replaced with Compound E represented by the following structural formula. 1 organic electroluminescent element was produced.

(比較例16−1)
比較例15−1において、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物2a−48を、下記構造式で表される化合物2a’−60に代えた以外は、比較例15−1と同様にして、比較例16−1の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 16-1)
In Comparative Example 15-1, Comparative Example 15-1 except that Compound 2a-48 represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer was replaced by Compound 2a′-60 represented by the following structural formula Similarly, the organic electroluminescent element of Comparative Example 16-1 was produced.

(比較例16−2)
比較例15−1において、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物2a−48を、上記構造式で表されるBAlqに代えた以外は、比較例15−1と同様にして、比較例16−2の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 16-2)
In Comparative Example 15-1, except that Compound 2a-48 represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer was replaced with BAlq represented by the above structural formula, in the same manner as Comparative Example 15-1, An organic electroluminescent element of Comparative Example 16-2 was produced.

(比較例16−3)
比較例15−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)を、上記構造式で表される化合物2a’−60に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物2a−48を、上記構造式で表されるBAlqに代えた以外は、比較例15−1と同様にして、比較例16−3の有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 16-3)
In Comparative Example 15-1, mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula as a host material for the light-emitting layer was replaced by Compound 2a′-60 represented by the above structural formula. In the same manner as in Comparative Example 15-1, except that Compound 2a-48 represented by the above structural formula as the cathode-side adjacent layer was replaced with BAlq represented by the above structural formula, Comparative Example 16- 3 organic electroluminescent elements were produced.

(実施例16−1)
比較例15−1において、発光層のホスト材料としての上記構造式で表されるmCP(N,N’−dicarbazolyl−3,5−benzene)を、上記構造式で表される化合物2a’−60に代え、陰極側隣接層としての上記構造式で表される化合物2a−48を、上記構造式で表される化合物2a’−60に代えた以外は、比較例15−1と同様にして、実施例16−1の有機電界発光素子を作製した。
(Example 16-1)
In Comparative Example 15-1, mCP (N, N′-dicarbazolyl-3,5-benzene) represented by the above structural formula as a host material for the light-emitting layer was replaced by Compound 2a′-60 represented by the above structural formula. Instead of compound 2a-48 represented by the above structural formula as the cathode side adjacent layer in place of compound 2a′-60 represented by the above structural formula, in the same manner as in Comparative Example 15-1, The organic electroluminescent element of Example 16-1 was produced.

次に、作製した実施例及び比較例について、以下のようにして、素子性能、及び経時の色度変化を測定した。結果を表1、表2、表3、及び表4に示す。   Next, the device performance and the change in chromaticity over time were measured for the produced Examples and Comparative Examples as follows. The results are shown in Table 1, Table 2, Table 3, and Table 4.

<素子性能>
−駆動電圧(V)−
KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電流通電時の輝度が1,000cdでの駆動電圧を計測した。
<Element performance>
-Driving voltage (V)-
Using a source measure unit type 2400 manufactured by KEITHLEY, a driving voltage at a luminance of 1,000 cd when a direct current was applied was measured.

−外部量子効率(EQE)−
KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて、電流密度25mA/cmの直流電流を各素子に通電し、発光させた。1,000cdでの輝度と発光スペクトルを、トプコン社製輝度計SR−3を用いて測定した。これらの測定結果をもとに、外部量子効率を発光スペクトル換算法により算出した。
-External quantum efficiency (EQE)-
Using a source measure unit type 2400 manufactured by KEITHLEY, each element was supplied with a direct current having a current density of 25 mA / cm 2 to emit light. The luminance and emission spectrum at 1,000 cd were measured using a luminance meter SR-3 manufactured by Topcon Corporation. Based on these measurement results, the external quantum efficiency was calculated by an emission spectrum conversion method.

−駆動耐久性(輝度半減時間)−
各有機電界発光素子を、初期輝度5,000cd/mで輝度が半減するまで定電流駆動し、輝度半減期(t5000)を測定する。5,000cd/mの輝度半減期より、1.5乗則を仮定し、下記式より、1,000cd/mの輝度半減期を算出した。
1000=t5000×(5,000cd/1,000cd)1.5
-Drive durability (luminance half time)-
Each organic electroluminescent element is driven at a constant current until the luminance is halved at an initial luminance of 5,000 cd / m 2 , and the luminance half-life (t 5000 ) is measured. From the luminance half-life of 5,000 cd / m 2, a power law of 1.5 was assumed, and the luminance half-life of 1,000 cd / m 2 was calculated from the following formula.
t 1000 = t 5000 × ( 5,000 cd / 1,000 cd) 1.5

<経時の色度変化>
各有機電界発光素子を、初期輝度3,000cdで輝度が半減するまで定電流駆動し、初期と半減時の1,000cdでの色度変化(Δx及びΔy)をトプコン社製輝度計SR−3により測定した。なお、色度変化(Δx及びΔy)が小さいほど経時での色度変化が少ないことを意味する。
<Chromaticity change over time>
Each organic electroluminescent element is driven at a constant current until the luminance is reduced by half at an initial luminance of 3,000 cd, and the change in chromaticity (Δx and Δy) at 1,000 cd at the initial and half-time is measured by Topcon's luminance meter SR-3. It was measured by. Note that the smaller the chromaticity change (Δx and Δy), the smaller the chromaticity change over time.

本発明の有機電界発光素子は、発光効率、駆動電圧、駆動耐久性等の素子性能が向上し、素子劣化時の色度変化を抑制することができるので、例えば表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信などに好適に用いられる。   The organic electroluminescent device of the present invention has improved device performance such as luminous efficiency, driving voltage, and driving durability, and can suppress chromaticity change at the time of device degradation. For example, a display device, a display, a backlight, It is suitably used for electrophotography, illumination light source, recording light source, exposure light source, reading light source, sign, signboard, interior, optical communication and the like.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 電子ブロック層
6 発光層
7 陰極側隣接層
8 電子輸送層
9 電子注入層
10 陰極
11 有機電界発光素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Electron block layer 6 Light emitting layer 7 Cathode side adjacent layer 8 Electron transport layer 9 Electron injection layer 10 Cathode 11 Organic electroluminescent element

Claims (9)

陽極と陰極の間に、少なくとも1層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層と、を少なくとも含む有機層を有してなり、
前記発光層が赤色燐光発光材料と、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物からなるホスト材料とを含有し、
前記陰極側隣接層が、非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物を含有し、かつ前記陰極側隣接層の厚みが1nm〜10nmであり、
前記ホスト材料における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物と、前記陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物とが、同じ化合物であることを特徴とする有機電界発光素子。
An organic layer including at least one light emitting layer and a cathode side adjacent layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer between the anode and the cathode;
The light emitting layer contains a red phosphorescent material and a compound or Ranaru host material having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton,
The cathode side adjacent layer contains a compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton , and the cathode side adjacent layer has a thickness of 1 nm to 10 nm,
An organic electroluminescent device , wherein the compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton in the host material and the compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton in the cathode-side adjacent layer are the same compound .
陽極と陰極の間に、少なくとも1層の発光層と、該発光層の陰極側に隣接する陰極側隣接層と、を少なくとも含む有機層を有してなり、An organic layer including at least one light emitting layer and a cathode side adjacent layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer between the anode and the cathode;
前記発光層が赤色燐光発光材料と、ピレン誘導体骨格を有する化合物からなるホスト材料とを含有し、The light emitting layer contains a red phosphorescent light emitting material and a host material made of a compound having a pyrene derivative skeleton,
前記陰極側隣接層が、ピレン誘導体骨格を有する化合物を含有し、The cathode side adjacent layer contains a compound having a pyrene derivative skeleton,
前記ホスト材料におけるピレン誘導体骨格を有する化合物と、前記陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物とが、同じ化合物であることを特徴とする有機電界発光素子。An organic electroluminescent device, wherein the compound having a pyrene derivative skeleton in the host material and the compound having a pyrene derivative skeleton in the cathode-side adjacent layer are the same compound.
発光層及び陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式(I)で表される請求項1に記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is represented by the following general formula (I).
ただし、前記一般式(I)中、ArHowever, in the general formula (I), Ar 1 及びArAnd Ar 2 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、1又は2以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。Are each independently a group derived from a substituted or unsubstituted aromatic ring having 6 to 20 nuclear carbon atoms. The aromatic ring may be substituted with one or more substituents. The substituent is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, a substituted group. Or an unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted nucleus. It is selected from an arylthio group having 5 to 50 atoms, a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, and a hydroxy group. When the aromatic ring is substituted with two or more substituents, the substituents may be the same or different, and adjacent substituents are bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure. May be formed.
R 1 からRTo R 8 は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。Is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted nucleus atom An aryloxy group having 5 to 50 atoms, a substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, It is selected from a halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure.
発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、下記一般式(II)で表される請求項2に記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to claim 2, wherein the compound having a pyrene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is represented by the following general formula (II).
ただし、前記一般式(II)中、ArHowever, in the general formula (II), Ar 1a1a 及びArAnd Ar 2a2a は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族環基を表す。Each represents a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
Lは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a substituted or unsubstituted dibenzosilolylene group, respectively.
mは0〜2の整数、nbは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。m is an integer of 0 to 2, nb is an integer of 1 to 4, s is an integer of 0 to 2, and t is an integer of 0 to 4.
L又はArL or Ar 1a1a は、ピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L又はArIs bonded to any one of positions 1 to 5 of pyrene, and L or Ar 2a2a は、ピレンの6〜10位のいずれかに結合する。Binds to any of positions 6-10 of pyrene.
ただし、nb+tが偶数のとき、ArHowever, when nb + t is an even number, Ar 1a1a 、Ar, Ar 2a2a 、Lは下記(1)又は(2)を満たす。, L satisfies the following (1) or (2).
(1)Ar(1) Ar 1a1a ≠Ar≠ Ar 2a2a (ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)(Here, ≠ indicates a group having a different structure.)
(2)Ar(2) Ar 1a1a =Ar= Ar 2a2a の時time
(2−1)m≠s及び/又はnb≠t、又は(2-1) m ≠ s and / or nb ≠ t, or
(2−2)m=sかつnb=tの時、(2-2) When m = s and nb = t,
(2−2−1)L、又はピレンが、それぞれAr(2-2-1) L or pyrene is each Ar 1a1a 及びArAnd Ar 2a2a 上の異なる結合位置に結合しているか、Are connected to different bond positions above,
(2−2−2)L、又はピレンが、Ar(2-2-2) L or pyrene is Ar 1a1a 及びArAnd Ar 2a2a 上の同じ結合位置に結合している場合、L、又はArL or Ar when bonded to the same bond position above 1a1a 及びArAnd Ar 2a2a のピレンにおける置換位置が1位と6位、又は2位と7位である場合はない。There are no cases in which the substitution positions in the pyrene are 1-position and 6-position, or 2-position and 7-position.
発光層及び陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、一般式(I)において、RThe compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is represented by R in the general formula (I): 1 からRTo R 8 が水素原子であり、かつArIs a hydrogen atom and Ar 1 及びArAnd Ar 2 が無置換である化合物である請求項3に記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to claim 3, wherein is an unsubstituted compound. 発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、一般式(II)において、((L)m−ArThe compound having a pyrene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is represented by ((L) m-Ar 1a1a )nb及び((L)s−Ar) Nb and ((L) s-Ar 2a2a )tが結合していない位置が水素原子であり、かつ((L)m−Ar) The position where t is not bonded is a hydrogen atom, and ((L) m-Ar 1a1a )nb及び((L)s−Ar) Nb and ((L) s-Ar 2a2a )tが無置換である請求項4に記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent device according to claim 4, wherein t is unsubstituted. 発光層及び陰極側隣接層における非含窒素アントラセン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しない非含窒素アントラセン誘導体化合物である請求項3及び5のいずれかに記載の有機電界発光素子。6. The organic electroluminescence device according to claim 3, wherein the compound having a non-nitrogen-containing anthracene derivative skeleton in the light-emitting layer and the cathode-side adjacent layer is a non-nitrogen-containing anthracene derivative compound having no lone pair. 発光層及び陰極側隣接層におけるピレン誘導体骨格を有する化合物が、孤立電子対を有しないピレン誘導体骨格を有する化合物である請求項4及び6のいずれかに記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to claim 4, wherein the compound having a pyrene derivative skeleton in the light emitting layer and the cathode side adjacent layer is a compound having a pyrene derivative skeleton having no lone pair. 赤色燐光発光材料が、中心金属がルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金の少なくともいずれかである有機金属錯体である請求項1から8のいずれかに記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 8, wherein the red phosphorescent material is an organometallic complex whose central metal is at least one of ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium and platinum. element.
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