JP2009016693A - Host material, and organic el element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクロトロルミネッセンス素子(EL素子)に関する。特に、赤色に発光する発光層を備えた有機EL素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element (EL element). In particular, the present invention relates to an organic EL element including a light emitting layer that emits red light.
陽極と陰極との間に有機発光層を備え、有機発光層に注入された正孔と電子との再結合によって生じる励起子(エキシトン)エネルギーから発光を得る有機エレクトロルミネセンス素子(有機EL素子)が知られている。
このような有機EL素子は、自発光型素子としての利点を活かし、発光効率、画質、消費電力さらには薄型のデザイン性に優れた発光素子として期待されている。
An organic electroluminescent device (organic EL device) that has an organic light emitting layer between an anode and a cathode, and emits light from exciton energy generated by recombination of holes and electrons injected into the organic light emitting layer It has been known.
Such an organic EL element is expected as a light emitting element excellent in luminous efficiency, image quality, power consumption, and thin design, taking advantage of the self-luminous element.
有機EL素子の更なる改善点として発光効率の点があり、この点、内部量子効率を高めるため、3重項励起子から発光を得る燐光材料の開発が進められ、最近では燐光発光を利用した有機EL素子が報告されている。
このような燐光材料を用いることにより75%以上、理論上100%近い値の内部量子効率を実現でき、高効率、低消費電力の有機EL素子が得られる。
As a further improvement of organic EL devices, there is a point of luminous efficiency. In order to increase the internal quantum efficiency, phosphorescent materials that emit light from triplet excitons have been developed, and recently phosphorescent light emission has been used. Organic EL devices have been reported.
By using such a phosphorescent material, an internal quantum efficiency of 75% or more and theoretically close to 100% can be realized, and an organic EL element with high efficiency and low power consumption can be obtained.
また、発光材料を有機EL素子のなかで利用するにあたっては、ホスト材料にドーパント材料をドーピングするドーピング法が知られている。
そして、注入されたエネルギーから効率よく励起子を生成するとともに励起子エネルギーを効率よく発光に繋げるため、ホストで生成された励起子エネルギーをドーパントに移動させ、ドーパントから発光が得られる構成が採用される。
In addition, when using a light emitting material in an organic EL element, a doping method is known in which a host material is doped with a dopant material.
In order to efficiently generate excitons from the injected energy and efficiently link the exciton energy to light emission, a configuration is adopted in which the exciton energy generated in the host is transferred to the dopant and light emission is obtained from the dopant. The
ここで、ホストからドーパントに分子間エネルギー移動を行うためには、ホストのエネルギーギャップEgHがドーパントのエネルギーギャップEgDよりも大きいことが必要である。
3重項エネルギーギャップが有効に大きい材料としては、CBP(4,4’-bis(N-carbazolyl)biphenyl)が代表的に知られている。
このCBPをホストとすれば、所定の発光波長(例えば、緑、赤)を示す燐光材料に3重項励起子間でエネルギー移動させて高効率の発光素子を得ることができる。
Here, in order to perform intermolecular energy transfer from the host to the dopant, the energy gap Eg H of the host needs to be larger than the energy gap Eg D of the dopant.
As a material having a large triplet energy gap, CBP (4,4′-bis (N-carbazolyl) biphenyl) is typically known.
When this CBP is used as a host, a highly efficient light-emitting element can be obtained by transferring energy between triplet excitons in a phosphorescent material exhibiting a predetermined emission wavelength (for example, green and red).
しかしながら、CBPをホストとして使用すると、素子寿命が短く、実用に適さないという問題があった。(例えば、1000nitで半減寿命2000時間)
これは、CBPの分子構造上の安定性が高くないため、電流にさらされた際に生じる分子の劣化が激しいためと考えられる。
However, when CBP is used as a host, there is a problem that the device life is short and not suitable for practical use. (For example, 1000 nit and half-life 2000 hours)
This is presumably because the molecular structure of CBP is not very stable and the deterioration of the molecule that occurs when exposed to electric current is severe.
さらに、近年では、各種アプリケーションへの応用から色純度を高める必要がある。
特に深い赤色に発光する発光層を備えた有機EL素子が求められており、赤色燐光材料として、例えば、白金(II)(2−(2‘−(4’,5‘―ベンゾチエニル)ピリジナートN,C3’)(アセチルアセトネート)(btp(Pt)acac)が開示されている(特許文献1)。
CBPはEg(T)が大きいものの、Eg(S)も大きく、電荷の注入に大きな電圧が必要となる。このため電流効率は高いが、電力効率は低い。また、Eg(S)が周辺材料に対して大きいため電荷の閉じ込めが困難であり、周辺材への電荷のもれ、エネルギー移動が起こり、効率の低下と周辺材の劣化による寿命低下がおこる。
また、非効率なエネルギー効率のもとで発光輝度を上げるために駆動電圧を高くすると、エネルギー効率も良くないうえに、素子の劣化速度も速くなるという問題が生じる。
Furthermore, in recent years, it is necessary to increase color purity from application to various applications.
In particular, there is a demand for an organic EL device having a light emitting layer that emits deep red light. As a red phosphorescent material, for example, platinum (II) (2- (2 ′-(4 ′, 5′-benzothienyl) pyridinate N , C 3 ′) (acetylacetonate) (btp (Pt) acac) is disclosed (Patent Document 1).
Although CBP has a large Eg (T), Eg (S) is also large, and a large voltage is required for charge injection. Therefore, current efficiency is high, but power efficiency is low. In addition, since Eg (S) is larger than the surrounding material, it is difficult to confine the charge, the charge leaks to the surrounding material, energy transfer occurs, the efficiency is lowered, and the life is shortened due to the deterioration of the surrounding material.
Further, when the drive voltage is increased to increase the light emission luminance under inefficient energy efficiency, there are problems that the energy efficiency is not good and the deterioration rate of the element is increased.
そこで、上記問題を解消するため、長波長発光の燐光材料のホストとしてはCBPではなく、例えば、Balq(ビス−(2−メチルー8−キノリノレート)−4−(フェニルフェノレート)アルミニウム)やalq(トリス(8−キノリノール)アルミニウム)を用いることにより性能が向上した有機EL素子が提供されることが開示されている(例えば、特許文献2)。 Therefore, in order to solve the above problems, the host of the phosphorescent material having a long wavelength emission is not CBP, for example, Balq (bis- (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolate) aluminum) or alq ( It is disclosed that an organic EL element with improved performance is provided by using tris (8-quinolinol) aluminum (for example, Patent Document 2).
しかしながら、Balqやalqは代表的な電子輸送性材料であるため、発光層のホスト材料として使用した場合の性能には限界があり、具体的には、駆動電圧の上昇および素子寿命の劣化という問題が生じる。
すなわち、発光層において励起子生成を行うにあたり、電子注入および電子輸送は容易である一方、Balqやalqに正孔を注入することには困難がある。無理に正孔を注入するためには、印加電圧を高くしなければならず、駆動電圧の上昇という問題が生じる。
また、これら材料はホール耐性が弱いことから正孔にさらされた際の分子劣化が激しく、素子寿命の劣化に繋がるという問題がある。
However, since Balq and alq are typical electron transporting materials, there is a limit to the performance when used as a host material of the light emitting layer. Specifically, there is a problem of an increase in driving voltage and deterioration of element lifetime. Occurs.
That is, when exciton generation is performed in the light emitting layer, electron injection and electron transport are easy, but it is difficult to inject holes into Balq or alq. In order to forcibly inject holes, the applied voltage must be increased, causing a problem of an increase in driving voltage.
In addition, since these materials have low hole resistance, there is a problem that molecular deterioration is severe when exposed to holes, leading to deterioration of device lifetime.
本発明の目的は、高性能な燐光用ホスト材料を提供することにある。
特に、赤色の燐光発光層を構成するにあたり好適なホスト材料を提供することにある。
さらに、このホスト材料を用い、高性能な有機EL素子を提供する。
An object of the present invention is to provide a high-performance phosphorescent host material.
In particular, an object of the present invention is to provide a host material suitable for constituting a red phosphorescent light emitting layer.
Furthermore, a high performance organic EL element is provided using this host material.
本発明のホスト材料は、燐光発光性ドーパントと組み合わされて燐光材料を構成するホスト材料であって、金属錯体に配位しない置換または無置換の多環式縮合芳香族骨格部を有し、この多環式縮合芳香族骨格部の核原子数は14から30であって、前記ホスト材料の最低励起3重項エネルギーギャップが1.71eV以上2.09eV以下であることを特徴とする。
このため、本発明のホスト材料は、3重項エネルギーギャップEg(T)が1.71eV以上2.09eV以下であるので、ホスト材料で生成された3重項励起子エネルギーは燐光発光性ドーパントに分子間エネルギー移動が可能である。
その結果、効率よく励起子生成できるとともに、燐光発光性ドーパントを効率よく発光させて、赤色の燐光発光を得ることができる。
The host material of the present invention is a host material that forms a phosphorescent material in combination with a phosphorescent dopant, and has a substituted or unsubstituted polycyclic fused aromatic skeleton that does not coordinate to a metal complex. The polycyclic fused aromatic skeleton has 14 to 30 nuclear atoms, and the host material has a lowest excited triplet energy gap of 1.71 eV to 2.09 eV.
For this reason, since the triplet energy gap Eg (T) of the host material of the present invention is 1.71 eV or more and 2.09 eV or less, the triplet exciton energy generated in the host material is a phosphorescent dopant. Intermolecular energy transfer is possible.
As a result, excitons can be generated efficiently, and a phosphorescent dopant can be efficiently emitted to obtain red phosphorescence.
従来は、燐光発光層のホスト材料としては3重項エネルギーギャップが大きいことからCBPが代表的に用いられていたが、寿命が短い欠点が致命的であった。
この点、本発明のホスト材料は、分子の安定性が高く、長寿命のホスト材料とできる。
そして、本発明のホスト材料の3重項エネルギーギャップは1.71eV以上2.09eV以下であることからCBPのように緑から赤色まで短波長の燐光発光材料のホストまで共通に使えるものではないが、むしろ、赤色の燐光錯体のEg(T)に非常にマッチングしており、効率のよい分子間エネルギー移動に格段に高効率な赤色発光層を構成することが可能となる。
このように本発明のホスト材料によれば、従来に比べて長寿命かつ高効率な赤色燐光発光層を構成することができる。
Conventionally, CBP has been typically used as a host material for a phosphorescent light-emitting layer because of its large triplet energy gap, but the short-lived defect has been fatal.
In this respect, the host material of the present invention can be a host material with high molecular stability and a long lifetime.
And since the triplet energy gap of the host material of the present invention is 1.71 eV or more and 2.09 eV or less, it cannot be commonly used for a host of phosphorescent material having a short wavelength from green to red like CBP. Rather, it is very matched with Eg (T) of the red phosphorescent complex, and it becomes possible to construct a red light emitting layer with extremely high efficiency for efficient intermolecular energy transfer.
As described above, according to the host material of the present invention, a red phosphorescent light emitting layer having a longer life and higher efficiency than the conventional one can be formed.
ここで、ホスト材料の三重項エネルギーギャップEgは、燐光発光スペクトルに基づいて規定することが例として挙げられ、例えば、本発明にあっては以下のように規定することが例として挙げられる。
すなわち、各材料をEPA溶媒(容積比でジエチルエーテル:イソペンタン:エタノール=5:5:2)に10μmol/Lで溶解し、燐光測定用試料とする。
そして、燐光測定用試料を石英セルに入れ、77Kに冷却し、励起光を照射し、放射される燐光を波長に対して測定する。
得られた燐光スペクトルの短波長側の立ちあがりに対して接線を引き、該波長値をエネルギーに換算した値を三重項エネルギーギャップEgとする。
なお、測定には市販の測定装置F−4500(日立製)を用いることができる。
ただし、このような規定によらず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で3重項エネルギーギャップとして定義できる値であればよい。
Here, the triplet energy gap Eg of the host material is defined as an example based on the phosphorescence emission spectrum. For example, in the present invention, the triplet energy gap Eg is defined as follows.
That is, each material is dissolved at 10 μmol / L in an EPA solvent (diethyl ether: isopentane: ethanol = 5: 5: 2 by volume ratio) to obtain a sample for phosphorescence measurement.
Then, the phosphorescence measurement sample is put in a quartz cell, cooled to 77K, irradiated with excitation light, and the emitted phosphorescence is measured with respect to wavelength.
A triplet energy gap Eg is defined as a value obtained by drawing a tangent line to the short-wavelength rise of the obtained phosphorescence spectrum and converting the wavelength value into energy.
In addition, a commercially available measuring apparatus F-4500 (made by Hitachi) can be used for the measurement.
However, any value that can be defined as a triplet energy gap without departing from the gist of the present invention is acceptable, regardless of such rules.
また、本発明のホスト材料は、前記ホストは、下記式(1)で表されるアントラセン誘導体または下記式(2)で表されるピレン誘導体であることが好ましい。 In the host material of the present invention, the host is preferably an anthracene derivative represented by the following formula (1) or a pyrene derivative represented by the following formula (2).
(式(1)中、Ar1およびAr2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6から20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、1または2以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていても良く、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。
R1からR8は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。)
(In the formula (1), Ar 1 and Ar 2 are each independently a group derived from a substituted or unsubstituted aromatic ring having 6 to 20 nuclear carbon atoms. The aromatic ring is 1 or 2 The substituent may be substituted with the above-mentioned substituents: substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted A cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted nuclear atom number of 5 50 aryloxy groups, substituted or unsubstituted arylthio groups having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl groups having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl groups Selected from a group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxy group, and when the aromatic ring is substituted with two or more substituents, the substituents may be the same or different. Alternatively, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure.
R 1 to R 8 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 50 alkyl groups, substituted or unsubstituted cycloalkyl groups having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy groups having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl groups having 6 to 50 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group Group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure. )
(式(2)中、Ar1aおよびAr2aは、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基である。
Lは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基または置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
mは0から2の整数、nbは1から4の整数、sは0から2の整数、tは0から4の整数である。
また、LまたはAr1aは、ピレンの1から5位のいずれかに結合し、LまたはAr2aは、ピレンの6から10位のいずれかに結合する。
ただし、nb+tが偶数のとき、Ar1a、Ar2a、Lは下記(1)又は(2)を満たす。
(1)Ar1a≠Ar2a(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)
(2)Ar1a=Ar2aの時
(2-1)m≠sおよび/またはnb≠t、又は
(2-2)m=sかつnb=tの時、
(2-2-1)L、またはピレンが、それぞれAr1aおよびAr2a上の異なる結合位置に結合しているか、
(2-2-2) L、またはピレンが、Ar1aおよびAr2a上の同じ結合位置に結合している場合、
L、またはAr1aおよびAr2aのピレンにおける置換位置が1位と6位、または2位と7位である場合はない。)
(In Formula (2), Ar 1a and Ar 2a are each a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a substituted or unsubstituted dibenzosilolylene group, respectively.
m is an integer from 0 to 2, nb is an integer from 1 to 4, s is an integer from 0 to 2, and t is an integer from 0 to 4.
L or Ar 1a is bonded to any of the 1 to 5 positions of pyrene, and L or Ar 2a is bonded to any of the 6 to 10 positions of pyrene.
However, when nb + t is an even number, Ar 1a , Ar 2a , and L satisfy the following (1) or (2).
(1) Ar 1a ≠ Ar 2a (where ≠ indicates a group having a different structure)
(2) When Ar 1a = Ar 2a
(2-1) m ≠ s and / or nb ≠ t, or
(2-2) When m = s and nb = t,
(2-2-1) L or pyrene are bonded to different bonding positions on Ar 1a and Ar 2a , respectively.
(2-2-2) When L or pyrene are bonded to the same bonding position on Ar 1a and Ar 2a,
There is no case where the substitution positions of L or Ar 1a and Ar 2a in pyrene are the 1st and 6th positions, or the 2nd and 7th positions. )
本発明において、アントラセン誘導体またはピレン誘導体を波長領域623nm以上720nm以下の燐光発光材料のホストとして使用する。
本発明のアントラセン誘導体およびピレン誘導体は、分子の安定性が高く、長寿命のホスト材料とできる。
また、アントラセン誘導体またはピレン誘導体は正孔および電子に対して十分な移動度を示すため、電荷注入が効率よく行われ、ホスト材料として励起子生成を効率よく行うことができる。
In the present invention, an anthracene derivative or a pyrene derivative is used as a host of a phosphorescent material having a wavelength region of 623 nm to 720 nm.
The anthracene derivative and pyrene derivative of the present invention have high molecular stability and can be a long-life host material.
In addition, since an anthracene derivative or a pyrene derivative exhibits sufficient mobility for holes and electrons, charge injection is efficiently performed, and exciton generation can be efficiently performed as a host material.
本発明では、前記アントラセン誘導体は、下記式(3)で表される非対称型アントラセン誘導体であることが好ましい。
(式(3)中、A1及びA2は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基である。
R1からR10は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数5から50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはヒドロキシル基から選ばれる。
Ar1、Ar2、R9およびR10は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、式(3)において、中心のアントラセンの9位および10位に、前記アントラセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。)
(In Formula (3), A 1 and A 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
R 1 to R 10 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted Selected from silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group.
Ar 1 , Ar 2 , R 9 and R 10 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure.
However, in Formula (3), there is no case where a group that is symmetrical with respect to the XY axis shown on the anthracene is bonded to the 9th and 10th positions of the central anthracene. )
本発明では、前記アントラセン誘導体は、下記式(4)で表されるビスアントラセン誘導体であることが好ましい。
(式(4)中、Antは、アントラセン誘導体であり、置換されていてもよい。
Rは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Kは0から9の整数である。)
(In the formula (4), Ant is an anthracene derivative and may be substituted.
R represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms. Substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted nucleus Aryloxy group having 5 to 50 atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group, carboxyl group , A halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure.
K is an integer from 0 to 9. )
本発明では、前記アントラセン誘導体は、下記式(5)で表されるベンズアントラセン誘導体であることが好ましい。
(式(5)中、A1及びA2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基である。
R1からR12は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数5から50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはヒドロキシル基から選ばれる。)
Ar1、Ar2、R11およびR12は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。)
(In Formula (5), A 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
R 1 to R 12 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted Selected from silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group. )
Ar 1 , Ar 2 , R 11, and R 12 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure. )
本発明の有機EL素子は、燐光発光性ドーパントと上述したホスト材料とを含有する発光層を備える有機EL素子であって、前記燐光発光性ドーパントは、中心金属がイリジウム、白金、オスミウム、ルテニウム、レニウムの少なくともいずれか一種の有機金属錯体であることを特徴とする。
燐光発光性ドーパントは、一種類であることが通常であるが、燐光発光性ドーパントが複数添加されてもよい。
The organic EL device of the present invention is an organic EL device including a light emitting layer containing a phosphorescent dopant and the above-described host material, and the phosphorescent dopant has a central metal of iridium, platinum, osmium, ruthenium, It is an organometallic complex of at least one of rhenium.
The phosphorescent dopant is usually one type, but a plurality of phosphorescent dopants may be added.
また、本発明の有機EL素子は、上述の発光層である第1発光層と、第2ホスト材料を含有する第2発光層と、を備え、前記第2発光層は、前記ホスト材料と、前記燐光性ドーパントとは異なる波長で発光するドーパントを含有することが好ましい。 蛍光性発光ドーパントは、アミンドーパントまたはフルオランテンドーパントとすることが例として挙げられる。 Moreover, the organic EL device of the present invention includes a first light-emitting layer that is the above-described light-emitting layer, and a second light-emitting layer containing a second host material, and the second light-emitting layer includes the host material, It is preferable to contain a dopant that emits light at a wavelength different from that of the phosphorescent dopant. Examples of the fluorescent light-emitting dopant include an amine dopant or a fluoranthene dopant.
さらに、本発明の有機EL素子は、上述のホスト材料と上述の燐光発光性ドーパントとを有する発光層を備え、前記発光層は、さらに前記燐光発光性ドーパントとは異なる波長で発光するドーパントを含有していることが好ましい。
すなわち、一の発光層中に二以上のドーパントが含有されている。発光層に含有されているドーパントは、一または二以上の燐光発光性ドーパントと一または二以上の蛍光発光性ドーパントとがドープされていてもよい。
このような構成において、上述したホスト材料は、一重項エネルギーギャップEg(S)が十分に広く、蛍光発光性ドーパントのホスト材料としても好適である。
特に、青色発光ドーパントのホストとして好適である
ここで、蛍光発光性ドーパントがドープされる場合には、蛍光発光性ドーパントを青色にすると、全体として白色になる。
つまり、白色素子を簡便に製造することができる。
Furthermore, the organic EL device of the present invention includes a light emitting layer having the above host material and the above phosphorescent dopant, and the light emitting layer further contains a dopant that emits light at a wavelength different from that of the phosphorescent dopant. It is preferable.
That is, two or more dopants are contained in one light emitting layer. The dopant contained in the light emitting layer may be doped with one or more phosphorescent dopants and one or two or more fluorescent dopants.
In such a configuration, the above-described host material has a sufficiently wide singlet energy gap Eg (S) and is also suitable as a host material for a fluorescent light-emitting dopant.
Particularly, it is suitable as a host of a blue light emitting dopant. Here, when the fluorescent light emitting dopant is doped, when the fluorescent light emitting dopant is blue, the whole becomes white.
That is, a white element can be easily manufactured.
そして、本発明の有機EL素子では、前記燐光発光性ドーパントとは異なる波長で発光するドーパントは、前記燐光発光性ドーパントよりも短波長で発光することが好ましい。
燐光発光性ドーパントとは異なる波長で発光するドーパントは、蛍光発光性ドーパントでも燐光発光性ドーパントでもよい。
And in the organic EL element of this invention, it is preferable that the dopant light-emitted with a wavelength different from the said phosphorescent dopant light-emits with a shorter wavelength than the said phosphorescent dopant.
The dopant that emits light at a wavelength different from that of the phosphorescent dopant may be a fluorescent or a phosphorescent dopant.
以下、本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
(有機EL素子の構成)
以下、有機EL素子の素子構成について説明する。
(1)有機EL素子の構成
本実施形態の有機EL素子は、図1に示すように、透光性の基板上に設けられた陽極と、正孔注入層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層、陰極とをこの順で備えた構成を示すがこれに限られない。例えば
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5) 陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極
(7) 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極
(8) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極(9) 陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
などの構造を挙げることができる。
(Configuration of organic EL element)
Hereinafter, the element configuration of the organic EL element will be described.
(1) Configuration of Organic EL Element As shown in FIG. 1, the organic EL element of the present embodiment includes an anode provided on a light-transmitting substrate, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. A configuration in which the electron injection layer and the cathode are provided in this order is not limited thereto. For example
(1) Anode / light emitting layer / cathode
(2) Anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode
(3) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode
(4) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode
(5) Anode / organic semiconductor layer / light emitting layer / cathode
(6) Anode / organic semiconductor layer / electron barrier layer / light emitting layer / cathode
(7) Anode / organic semiconductor layer / light emitting layer / adhesion improving layer / cathode
(8) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode (9) Anode / insulating layer / light emitting layer / insulating layer / cathode
(10) Anode / inorganic semiconductor layer / insulating layer / light emitting layer / insulating layer / cathode
(11) Anode / organic semiconductor layer / insulating layer / light emitting layer / insulating layer / cathode
(12) Anode / insulating layer / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer / cathode
(13) Structures such as anode / insulating layer / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode can be mentioned.
図1は、本発明における一実施の形態にかかる有機EL素子の概略構成を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an organic EL element according to an embodiment of the present invention.
図1において、有機EL素子10は透光性の基板11上に設けられた陽極12と、正孔注入層13と、発光層14と、電子輸送層15と、電子注入層16と、陰極17とを備える。
In FIG. 1, the
(2)透光性基板11
有機EL素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。
またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
(2)
The organic EL element is manufactured on a light-transmitting substrate. Here, the translucent substrate is a substrate that supports the organic EL element, and is preferably a smooth substrate having a light transmittance in the visible region of 400 to 700 nm of 50% or more.
Specifically, a glass plate, a polymer plate, etc. are mentioned.
Examples of the glass plate include soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
(3)陽極12
陽極12としては、仕事関数の大きい(例えば、4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的には、インジウムチンオキサイド(ITO)、インジウムジンクオキサイド、スズ、酸化亜鉛、金、白金、パラジウム等の1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
また、陽極12の厚さも特に制限されるものではないが、10〜1,000nmの範囲内の値とするのが好ましく、10〜200nmの範囲内の値とするのがより好ましい。
(3)
As the
Further, the thickness of the
(4)発光層14
有機EL素子の発光層は以下の機能を併せ持つものである。
すなわち、
(1)注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又
は電子注入層より電子を注入することができる機能、
(2)輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能、
(3)発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能、
がある。
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、少なくともどちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、LB法等の公知の方法を適用することができる。
発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは5〜50nm、より好ましくは6〜50nmである。5nm未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、50nmを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。
発光層14は、ホスト材料と燐光発光用ドーパントとを含有した燐光発光層である。
(4)
The light emitting layer of the organic EL element has the following functions.
That is,
(1) Injection function; function that can inject holes from the anode or hole injection layer when an electric field is applied, and can inject electrons from the cathode or electron injection layer,
(2) Transport function: Function to move injected charges (electrons and holes) by the force of electric field,
(3) Light emission function: A function to provide a field for recombination of electrons and holes and connect it to light emission,
There is.
However, there may be a difference between the ease of hole injection and the ease of electron injection, and the transport capability represented by the mobility of holes and electrons may be large or small. It is preferable to move one charge.
As a method for forming the light emitting layer, for example, a known method such as an evaporation method, a spin coating method, or an LB method can be applied.
The light emitting layer is particularly preferably a molecular deposited film.
Here, the molecular deposition film is a thin film formed by deposition from a material compound in a gas phase state or a film formed by solidification from a material compound in a solution state or a liquid phase state. Can be classified from a thin film (accumulated film) formed by the LB method according to a difference in an agglomerated structure and a higher-order structure and a functional difference resulting therefrom.
Further, as disclosed in JP-A-57-51781, a binder such as a resin and a material compound are dissolved in a solvent to form a solution, and then this is thinned by a spin coating method or the like. In addition, a light emitting layer can be formed.
Furthermore, the thickness of the light emitting layer is preferably 5 to 50 nm, more preferably 6 to 50 nm. If the thickness is less than 5 nm, it is difficult to form a light emitting layer, and it may be difficult to adjust the chromaticity. If the thickness exceeds 50 nm, the driving voltage may increase.
The
赤色燐光用ドーパントの具体例としては、例えば、PQIr(iridium(III) bis(2-phenyl quinolyl-N,C2’) acetylacetonate)の他、下記の化合物が挙げられる。 Specific examples of the dopant for red phosphorescence include the following compounds in addition to PQIr (iridium (III) bis (2-phenylquinolyl-N, C 2 ′ ) acetylacetonate).
緑色燐光用ドーパントの具体例としては、例えば、Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine) iridium)、の他、下記の化合物が挙げられる。 Specific examples of the dopant for green phosphorescence include, for example, Ir (ppy) 3 (fac-tris (2-phenylpyridine) iridium) and the following compounds.
本実施形態のホスト材料は、Eg(T)が1.71eV以上2.09eV以下、波長領域が623nm以上720nm以下であり、ドーパントと組み合わされる。このようなホスト材料として、例えば、下記式(1)で表されるアントラセン誘導体がある。 The host material of this embodiment has Eg (T) of 1.71 eV to 2.09 eV and a wavelength region of 623 nm to 720 nm, and is combined with a dopant. Examples of such a host material include an anthracene derivative represented by the following formula (1).
(式(1)中、Ar1およびAr2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6から20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は、1または2以上の置換基で置換されていてもよい。前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても、異なっていても良く、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。
R1からR8は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。)
(In the formula (1), Ar 1 and Ar 2 are each independently a group derived from a substituted or unsubstituted aromatic ring having 6 to 20 nuclear carbon atoms. The aromatic ring is 1 or 2 The substituent may be substituted with the above-mentioned substituents: substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted A cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted nuclear atom number of 5 50 aryloxy groups, substituted or unsubstituted arylthio groups having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl groups having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl groups Selected from a group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxy group, and when the aromatic ring is substituted with two or more substituents, the substituents may be the same or different. Alternatively, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure.
R 1 to R 8 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 50 alkyl groups, substituted or unsubstituted cycloalkyl groups having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy groups having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl groups having 6 to 50 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group Group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure. )
このようなアントラセン誘導体の具体例として下記の化7および化8の2a−49から2a−51が挙げられる。 Specific examples of such anthracene derivatives include 2a-49 to 2a-51 of the following chemical formulas 7 and 8.
また、式(1)で表されるアントラセン誘導体は、例えば、下記式(3)で表される非対称型アントラセンであってもよい。 Further, the anthracene derivative represented by the formula (1) may be, for example, an asymmetric anthracene represented by the following formula (3).
(式(3)中、A1及びA2は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基である。
R1からR10は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数5から50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはヒドロキシル基から選ばれる。
Ar1、Ar2、R9およびR10は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、式(2)において、中心のアントラセンの9位および10位に、前記アントラセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。)
(In Formula (3), A 1 and A 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
R 1 to R 10 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted Selected from silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group.
Ar 1 , Ar 2 , R 9 and R 10 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure.
However, in the formula (2), groups that are symmetrical with respect to the XY axis shown on the anthracene do not bond to the 9th and 10th positions of the central anthracene. )
このような非対称型アントラセン誘導体として、例えば、下記のようなものが挙げられる。 Examples of such an asymmetric anthracene derivative include the following.
また、式(1)で表されるアントラセン誘導体は、下記式(4)で表されるビスアントラセン誘導体であってもよい。
(式中、Antは、アントラセン誘導体であり、置換されていてもよい。
Rは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Kは0から9の整数である。)
(In the formula, Ant is an anthracene derivative and may be substituted.
R represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms. Substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted nucleus Aryloxy group having 5 to 50 atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group, carboxyl group , A halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure.
K is an integer from 0 to 9. )
このようなビスアントラセン誘導体として、例えば、下記のようなものが挙げられる。具体的には、化8の2a−41から2a−48および化17、化18に示すものである。
Examples of such bisanthracene derivatives include the following. Specifically, those represented by Chemical formulas 2a-41 to 2a-48,
また、式(1)で表されるアントラセン誘導体として、下記式(5)で表されるベンズアントラセン誘導体であってもよい。
(式中、A1及びA2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基である。
R1からR12は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数5から50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはヒドロキシル基から選ばれる。)
Ar1、Ar2、R11およびR12は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。)
(In the formula, A 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
R 1 to R 12 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted Selected from silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group. )
Ar 1 , Ar 2 , R 11, and R 12 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure. )
このようなベンズアントラセン誘導体として、例えば、下記のようなものが挙げられる。 Examples of such benzanthracene derivatives include the following.
また、ホスト材料は下記式(2)で表されるピレン誘導体であってもよい。
(式中、Ar1aおよびAr2aは、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基である。
Lは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基または置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
mは0から2の整数、nbは1から4の整数、sは0から2の整数、tは0から4の整数である。
また、LまたはAr1aは、ピレンの1から5位のいずれかに結合し、LまたはAr2aは、ピレンの6から10位のいずれかに結合する。
ただし、nb+tが偶数のとき、Ar1a、Ar2a、Lは下記(1)又は(2)を満たす。
(1)Ar1a≠Ar2a(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)
(2)Ar1a=Ar2aの時
(2-1)m≠sおよび/またはnb≠t、又は
(2-2)m=sかつnb=tの時、
(2-2-1)L、またはピレンが、それぞれAr1aおよびAr2a上の異なる結合位置に結合しているか、
(2-2-2)L、またはピレンが、Ar1aおよびAr2a上の同じ結合位置に結合している場合、
L、またはAr1aおよびAr2aのピレンにおける置換位置が1位と6位、または2位と7位である場合はない。)
(In the formula, Ar 1a and Ar 2a are each a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a substituted or unsubstituted dibenzosilolylene group, respectively.
m is an integer from 0 to 2, nb is an integer from 1 to 4, s is an integer from 0 to 2, and t is an integer from 0 to 4.
L or Ar 1a is bonded to any of the 1 to 5 positions of pyrene, and L or Ar 2a is bonded to any of the 6 to 10 positions of pyrene.
However, when nb + t is an even number, Ar 1a , Ar 2a , and L satisfy the following (1) or (2).
(1) Ar 1a ≠ Ar 2a (where ≠ indicates a group having a different structure)
(2) When Ar 1a = Ar 2a
(2-1) m ≠ s and / or nb ≠ t, or
(2-2) When m = s and nb = t,
(2-2-1) or L or pyrene, has bonded to different bonding positions on Ar 1a and Ar 2a each,
(2-2-2) When L or pyrene is bonded to the same bonding position on Ar 1a and Ar 2a ,
There is no case where the substitution positions of L or Ar 1a and Ar 2a in pyrene are the 1st and 6th positions, or the 2nd and 7th positions. )
このようなピレン誘導体として、例えば、下記のようなものが挙げられる。 Examples of such pyrene derivatives include the following.
上記アントラセン誘導体、ベンズアントラセン誘導体、ピレン誘導体のうち少なくともいずれか1種を有するホスト材料に組み合わされる燐光発光性ドーパントは、中心金属がイリジウム、白金、オスミウム、ルテニウム、レニウムの少なくともいずれか一種の有機金属錯体である。
このような有機金属錯体として、例えば、下記のようなものが挙げられる。
The phosphorescent dopant combined with the host material having at least one of the anthracene derivatives, benzanthracene derivatives, and pyrene derivatives is an organic metal whose central metal is at least one of iridium, platinum, osmium, ruthenium, and rhenium It is a complex.
Examples of such organometallic complexes include the following.
(5)正孔注入層13
陽極12と発光層14の間には、正孔注入層13が設けられている。
また、正孔注入層13の他に正孔輸送層又は有機半導体層等を設けることができる。正孔注入層13又は正孔輸送層は、発光層14への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。正孔注入層13はエネルギーレベルの急な変化を緩和する等、エネルギーレベルを調整するために設ける。このような正孔注入層13又は正孔輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層14に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104 〜106 V/cmの電界印加時に、少なくとも10−6 cm2 /V・秒であるものが好ましい。
ここで、正孔の移動度の測定方法について具体例を示す。
25mm×75mm×1.1mmのITO透明電極付きガラス基板(アサヒガラス製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分行った後、UVオゾン洗浄を30分間行う。
洗浄後のガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダに装着し、まず、ITO透明基板電極上に測定材料を3〜5μm、抵抗加熱蒸着により成膜する。
続いて、この膜上に金属Alを10nm蒸着させ、半透明電極を形成する。 このように作成した素子により、104〜106V/cmの電界強度におけるキャリア(正孔、)移動度を(株)オプテル製のタイムオブフライト測定装置TOF−401で測定する。
ここで、励起光は337nmの窒素レーザーによる光を用いる。
光電流(I)−時間(t)曲線を両対数でプロットし、得られた屈曲点をtrとして、移動度μは、移動度μ=L2/(tr×V)として求めることができる。ここで、Lは試料膜厚であり、Vは印加電圧である。
なお、同様の方法により電子の移動度を測定することもできる。
(5)
A
In addition to the
Here, a specific example of a method for measuring hole mobility will be described.
A 25 mm × 75 mm × 1.1 mm glass substrate with an ITO transparent electrode (Asahi Glass) is subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then UV ozone cleaning is performed for 30 minutes.
The glass substrate after washing is mounted on a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus, and first, a measurement material is formed on the ITO transparent substrate electrode by 3 to 5 μm by resistance heating evaporation.
Subsequently, 10 nm of metal Al is deposited on this film to form a translucent electrode. The carrier (hole,) mobility in the electric field strength of 10 4 to 10 6 V / cm is measured by a time-of-flight measuring device TOF-401 manufactured by Optel Co., Ltd. with the element thus prepared.
Here, light from a nitrogen laser of 337 nm is used as excitation light.
The photocurrent (I) -time (t) curve is plotted in logarithm, and the obtained inflection point is tr, and the mobility μ can be obtained as mobility μ = L 2 / (tr × V). Here, L is the sample film thickness, and V is the applied voltage.
Note that the mobility of electrons can also be measured by a similar method.
正孔注入層13又は正孔輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
The material for forming the
このような正孔注入層又は正孔輸送層の形成材料としては、具体的には、例えばトリアゾール誘導体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭45−555号公報、同51−10983号公報、特開昭51−93224号公報、同55−17105号公報、同56−4148号公報、同55−108667号公報、同55−156953号公報、同56−36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−88064号公報、同55−88065号公報、同49−105537号公報、同55−51086号公報、同56−80051号公報、同56−88141号公報、同57−45545号公報、同54−112637号公報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51−10105号公報、同46−3712号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53435号公報、同54−110536号公報、同54−119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,180,703号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−35702号公報、同39−27577号公報、特開昭55−144250号公報、同56−119132号公報、同56−22437号公報、西独特許第1,110,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54−59143号公報、同55−52063号公報、同55−52064号公報、同55−46760号公報、同55−85495号公報、同57−11350号公報、同57−148749号公報、特開平2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号公報、同第61−228451号公報、同61−14642号公報、同61−72255号公報、同62−47646号公報、同62−36674号公報、同62−10652号公報、同62−30255号公報、同60−93455号公報、同60−94462号公報、同60−174749号公報、同60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−211399号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等を挙げることができる。 Specific examples of the material for forming such a hole injection layer or a hole transport layer include, for example, triazole derivatives (see US Pat. No. 3,112,197, etc.), oxadiazole derivatives (US Pat. No. 3, 189,447, etc.), imidazole derivatives (see JP-B-37-16096, etc.), polyarylalkane derivatives (US Pat. Nos. 3,615,402, 3,820,989) No. 3,542,544, JP-B-45-555, JP-A-51-10983, JP-A-51-93224, JP-A-55-17105, JP-A-56-4148, No. 55-108667, No. 55-156953, No. 56-36656, etc.), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (US Pat. No. 3, 80,729, 4,278,746, JP-A-55-88064, 55-88065, 49-105537, 55-51086, 56 No.-80051, No. 56-88141, No. 57-45545, No. 54-112737, No. 55-74546, etc.), Phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404) , Japanese Patent Publication No. 51-10105, No. 46-3712, No. 47-25336, Japanese Unexamined Patent Publication No. 54-53435, No. 54-110536, No. 54-1119925, etc.) Arylamine derivatives (US Pat. Nos. 3,567,450, 3,180,703, 3,240,597) 3,658,520, 4,232,103, 4,175,961, 4,012,376, JP-B-49-35702 No. 39-27577, JP-A-55-144250, JP-A-56-119132, JP-A-56-22437, West German Patent No. 1,110,518, etc.), amino-substituted chalcone Derivatives (see US Pat. No. 3,526,501, etc.), oxazole derivatives (disclosed in US Pat. No. 3,257,203, etc.), styrylanthracene derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 56-46234) ), Fluorenone derivatives (see Japanese Patent Laid-Open No. 54-110837), hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,717,462, Japanese Patent Laid-Open No. 54-59143). No. 55-52063, No. 55-52064, No. 55-46760, No. 55-85495, No. 57-11350, No. 57-148799, JP-A-2-311591. Stilbene derivatives (Japanese Patent Laid-Open Nos. 61-210363, 61-228451, 61-14642, 61-72255, 62-47646, 62- 36674, 62-10652, 62-30255, 60-93455, 60-94462, 60-174749, 60-175052, etc.), silazane Derivatives (U.S. Pat. No. 4,950,950), polysilanes (JP-A-2-204996), aniline Copolymer (JP-A-2-282263), an electroconductive oligomer (particularly a thiophene oligomer) disclosed in JP-A-1-211399 and the like.
正孔注入層13又は正孔輸送層の材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物(特開昭63−295695号公報等に開示のもの)、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53−27033号公報、同54−58445号公報、同54−149634号公報、同54−64299号公報、同55−79450号公報、同55−144250号公報、同56−119132号公報、同61−295558号公報、同61−98353号公報、同63−295695号公報等参照)、芳香族第三級アミン化合物を用いることもできる。また米国特許第5,061,569号に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル、また特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4"−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン等を挙げることができる。
また、特許公報第3614405号、3571977号または米国特許4,780,536に記載されているヘキサアザトリフェニレン誘導体等も正孔注入性の材料として好適に用いることができる。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層13又は正孔輸送層の材料として使用することができる。
この正孔注入層13又は正孔輸送層は、上述した材料の1種または2種以上からなる一層で構成されてもよいし、また、正孔注入層13又は正孔輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入層又は正孔輸送層を積層したものであってもよい。正孔注入層13又は正孔輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは、20〜200nmである。
有機半導体層は、発光層14への正孔注入または電子注入を助ける層であって、10-10 S/cm以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平8−193191号公報に記載の含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。有機半導体層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは、10〜1,000nmである。
As the material for the
Further, hexaazatriphenylene derivatives described in Japanese Patent Publication Nos. 3614405, 3571977 or US Pat. No. 4,780,536 can also be suitably used as the hole injecting material.
Furthermore, in addition to the above-mentioned aromatic dimethylidin compounds shown as the material for the light emitting layer, inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the material for the
The
The organic semiconductor layer is a layer that assists hole injection or electron injection into the
(6)電子輸送層15および電子注入層16
陰極17と発光層14との間に、電子注入層15および電子輸送層16等が設けられている。電子注入層15および電子輸送層16は、発光層14への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きい。電子注入層15はエネルギーレベルの急な変化を緩和する等、エネルギーレベルを調整するために設ける。電子注入層15および電子輸送層16に用いられる材料としては、8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウムを用いることができる。そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記一般式[6]〜[8]
(6)
An
(式(6)から(8)中、Ar17、Ar18、Ar19、Ar21、Ar22及びAr25は、それぞれ置換基を有する若しくは有しないアリール基を示し、Ar17とAr18、Ar19とAr21、Ar22とAr25は、たがいに同一でも異なっていてもよい。Ar20、Ar23及びAr24は、それぞれ置換基を有する若しくは有しないアリーレン基を示し、Ar23とAr24は、たがいに同一でも異なっていてもよい。)で表される電子伝達化合物が挙げられる。これら一般式(6)から(8)におけるアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基などが挙げられる。また、アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。そして、これらへの置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。そして、これら電子伝達性化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。 (In the formulas (6) to (8), Ar 17 , Ar 18 , Ar 19 , Ar 21 , Ar 22 and Ar 25 each represent an aryl group having or not having a substituent, and Ar 17 , Ar 18 , Ar 19 and Ar 21 , Ar 22 and Ar 25 may be the same or different, Ar 20, Ar 23 and Ar 24 each represent an arylene group with or without a substituent, and Ar 23 and Ar 24 are , Which may be the same or different from each other). Examples of the aryl group in the general formulas (6) to (8) include a phenyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a perylenyl group, and a pyrenyl group. Examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthranylene group, a peryleneylene group, and a pyrenylene group. And as a substituent to these, a C1-C10 alkyl group, a C1-C10 alkoxy group, a cyano group, etc. are mentioned. As this electron transfer compound, those having good thin film forming properties are preferably used. Specific examples of these electron transfer compounds include the following.
(式中、Xは炭素原子もしくは窒素原子を表す。Z1ならびにZ2は、それぞれ独立に含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。) (In the formula, X represents a carbon atom or a nitrogen atom. Z 1 and Z 2 each independently represents an atomic group capable of forming a nitrogen-containing heterocycle.)
含窒素複素環誘導体は、好ましくは、5員環もしくは6員環からなる含窒素芳香多環族を有し、窒素原子複数個の場合は隣接しない結合位に有する骨格を有する有機化合物である。さらには、このような複数窒素原子を有する含窒素芳香多環族の場合は、上記(9)と(10)もしくは(9)と(11)を組み合わせた骨格を有する含窒素芳香多環有機化合物でもよい。 The nitrogen-containing heterocyclic derivative is preferably an organic compound having a nitrogen-containing aromatic polycyclic group consisting of a 5-membered ring or a 6-membered ring, and having a skeleton at a bonding position that is not adjacent when there are a plurality of nitrogen atoms. Furthermore, in the case of such a nitrogen-containing aromatic polycyclic group having a plurality of nitrogen atoms, the nitrogen-containing aromatic polycyclic organic compound having a skeleton obtained by combining the above (9) and (10) or (9) and (11) But you can.
式(9)から(11)に表される化合物の含窒素基は、例えば以下の一般式(12)から(34)
(式(12)から(34)中、Rは、炭素数6〜40のアリール基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数1〜20のアルコキシ基であり、nは0〜5の整数であり、nが2以上の整数であるとき、複数のRは互いに同一又は異なっていてもよい。)で表される含窒素複素環基から選択される含窒素複素環誘導体である。 (In the formulas (12) to (34), R is an aryl group having 6 to 40 carbon atoms, a heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms. N is an integer of 0 to 5, and when n is an integer of 2 or more, a plurality of Rs may be the same or different from each other. It is a nitrogen-containing heterocyclic derivative.
さらに、好ましい具体的な化合物として、下記一般式(35)で表される含窒素複素環誘導体である。 Furthermore, a preferred specific compound is a nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by the following general formula (35).
(式(35)中、HArは、置換基を有していても良い炭素数3〜40の含窒素複素環であり、Lは単結合、置換基を有していてもよい炭素数6〜40のアリーレン基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜40のヘテロアリーレン基であり、Ar1は置換基を有していても良い炭素数6〜40の2価の芳香族炭化水素基であり、Ar2は置換基を有していても良い炭素数6〜40のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜40のヘテロアリール基である。) (In Formula (35), HAr is a nitrogen-containing heterocycle having 3 to 40 carbon atoms which may have a substituent, and L is a single bond or 6 to 6 carbon atoms which may have a substituent. 40 arylene group or heteroarylene group having 3 to 40 carbon atoms which may have a substituent, Ar 1 is a divalent aromatic carbon atom having 6 to 40 carbon atoms which may have a substituent It is a hydrogen group, and Ar 2 is an aryl group having 6 to 40 carbon atoms which may have a substituent or a heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms which may have a substituent.
HArは、
からなる群から選択される含窒素複素環誘導体である。 A nitrogen-containing heterocyclic derivative selected from the group consisting of
Lは、
からなる群から選択される含窒素複素環誘導体である。 A nitrogen-containing heterocyclic derivative selected from the group consisting of
Ar2は、
からなる群から選択される含窒素複素環誘導体である。 A nitrogen-containing heterocyclic derivative selected from the group consisting of
Ar1は、一般式(36)又は(37)
(式(36)(37)中、R1〜R14は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜40のアリール基又は炭素数3〜40のヘテロアリール基であり、Ar3は、置換基を有していてもよい炭素数6〜40のアリール基又は炭素数3〜40のヘテロアリール基である)で表されるアリールアントラニル基を有する含窒素複素環誘導体である。 (In formulas (36) and (37), R 1 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 40 aryloxy group, an aryl group having 6 to 40 carbon atoms which may have a substituent or a heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms, and Ar 3 is a carbon which may have a substituent. It is a nitrogen-containing heterocyclic derivative having an arylanthranyl group represented by an aryl group having 6 to 40 carbon atoms or a heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms.
また、Ar1において、R1〜R8が、いずれも水素原子である含窒素複素環誘導体でもよい。 Further, in Ar 1 , a nitrogen-containing heterocyclic derivative in which R 1 to R 8 are all hydrogen atoms may be used.
この他、特開平9-3448記載の
(式中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族基、置換もしくは未置換の脂肪族式環基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基、置換もしくは未置換の複素環基を表し、X1 、X2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子もしくはジシアノメチレン基を表す。)や、特開2000-173774記載の Wherein R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aliphatic group, a substituted or unsubstituted aliphatic cyclic group, a substituted or unsubstituted carbocyclic aromatic ring group Represents a substituted or unsubstituted heterocyclic group, and X 1 and X 2 each independently represents an oxygen atom, a sulfur atom or a dicyanomethylene group), or JP-A-2000-173774
〔但し、前記一般式(38)において、R1、R2、R3及びR4は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式(39)で表わされるアリール基である [In the general formula (38), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different groups, and are aryl groups represented by the following general formula (39).
(但し、前記一般式(39)において、R5、R6、R7、R8及びR9は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、或いはそれらの少なくとも1つが飽和または不飽和アルコキシル基、アルキル基、アミノ基又はアルキルアミノ基である。)〕
等で、前記素子構成条件を満たす有機化合物が挙げられる。
(However, in the general formula (39), R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are the same or different from each other, and a hydrogen atom or at least one of them is saturated or unsaturated alkoxyl. A group, an alkyl group, an amino group or an alkylamino group.)]
And the like, and organic compounds that satisfy the above-mentioned element constituent conditions.
さらに、該含窒素複素環基もしくは含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。
電子注入層16又は電子輸送層15の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは、1〜100nmである。
陽極12に最も近い有機層である発光層又は第一の有機層が、酸化剤を含有していることが好ましい。発光層又は正孔注入層に含有される好ましい酸化剤は、電子吸引性又は電子アクセプターである。好ましくはルイス酸、各種キノン誘導体、ジシアノキノジメタン誘導体、芳香族アミンとルイス酸で形成された塩類である。特に好ましいルイス酸は、塩化鉄、塩化アンチモン、塩化アルミニウム等である。
陰極17に最も近い有機層である発光層又は第二の有機層が、還元剤を含有していることが好ましい。好ましい還元剤は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類酸化物、希土類酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類ハロゲン化物、希土類ハロゲン化物、アルカリ金属と芳香族化合物で形成される錯体である。特に好ましいアルカリ金属はCs、Li、Na、Kである。
Further, it may be a polymer compound containing the nitrogen-containing heterocyclic group or nitrogen-containing heterocyclic derivative.
Although the film thickness of the
It is preferable that the light emitting layer or the first organic layer which is the organic layer closest to the
It is preferable that the light emitting layer or the second organic layer which is the organic layer closest to the
(7)無機化合物層
陽極12及び/又は陰極17に接してさらに無機化合物層を有していてもよい。無機化合物層は、付着改善層として機能する。無機化合物層に使用される好ましい無機化合物としては、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類酸化物、希土類酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類ハロゲン化物、希土類ハロゲン化物、SiOX 、AlOX 、SiNX 、SiON、AlON、GeOX 、LiOX 、LiON、TiOX 、TiON、TaOX 、TaON、TaNX 、C等各種酸化物、窒化物、酸化窒化物である。特に陽極に接する層の成分としては、SiOX 、AlOX 、SiNX 、SiON、AlON、GeOX 、Cが安定な注入界面層を形成して好ましい。また、特に陰極に接する層の成分としては、LiF、MgF2 、CaF2 、MgF2 、NaFが好ましい。無機化合物層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは、0.1nm〜100nmである。
(7) Inorganic compound layer An inorganic compound layer may be further provided in contact with the
発光層を含む各有機層及び無機化合物層を形成する方法は、特に限定されないが、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法を適用することができる。また、得られる有機EL素子の特性が均一となり、また、製造時間が短縮できることから、電子注入層と発光層とは同一方法で形成することが好ましく、例えば、電子注入層を蒸着法で製膜する場合には、発光層も蒸着法で製膜することが好ましい。 The method for forming each organic layer and inorganic compound layer including the light-emitting layer is not particularly limited, and known methods such as a vapor deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method can be applied. In addition, since the characteristics of the obtained organic EL element become uniform and the manufacturing time can be shortened, the electron injection layer and the light emitting layer are preferably formed by the same method. For example, the electron injection layer is formed by vapor deposition. In this case, it is preferable to form the light emitting layer by vapor deposition.
(8)陰極17
陰極17には、仕事関数の小さい(例えば、4.0eV未満)金属、合金、電気電導性化合物又はこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的には、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、銀等の1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また陰極17の厚さも特に制限されるものではないが、10〜1000nmの範囲内の値とするのが好ましく、10〜200nmの範囲内の値とするのがより好ましい。陽極12又は陰極17の少なくとも一方は、発光層14から放射された光を外部に有効に取り出すことが出来るように、実質的に透明、より具体的には、光透過率が10%以上の値であることが好ましい。陽極12又は陰極17は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、CVD法、MOCVD法、プラズマCVD法等により製造できる。
(8)
For the
[実施形態の変形例]
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは、本発明に含まれるものである。
[Modification of Embodiment]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
本実施形態において、ホスト材料は、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ベンズアントラセン誘導体のうち少なくともいずれか一種であるとしたが、これに限らない。例えば、フェナントレン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペリレン誘導体などでもよい。 In the present embodiment, the host material is at least one of anthracene derivatives, pyrene derivatives, and benzanthracene derivatives, but is not limited thereto. For example, a phenanthrene derivative, a triphenylene derivative, a perylene derivative, or the like may be used.
また、本実施形態では、有機EL素子10は、ホスト材料と赤色の燐光発光性ドーパントとを有する発光層14を示したがこれに限られない。例えば、発光層14の他に第2ホスト材料と蛍光発光性ドーパントとを有する第2発光層をさらに設けても良い。
この場合、蛍光発光性ドーパントは、下記式(40)で表されるアミンドーパントが例として挙げられる。
In the present embodiment, the
In this case, an example of the fluorescent dopant is an amine dopant represented by the following formula (40).
式(40)中、Pは、置換もしくは無置換の核炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の核原子数3〜40の複素環基、又は置換もしくは無置換のスチリル基である。kは、1〜3の整数である。
Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜40の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の核原子数3〜40の複素環基であり、sは、0〜4の整数である。
Ar1、Ar2、Pの中の任意に選ばれる2つの隣接する置換基同士は互いに結合して環を形成してもよい。kが2以上のときは、Pは同一でも異なっていてもよい。
In the formula (40), P represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 40 nuclear atoms, or substituted or unsubstituted styryl. It is a group. k is an integer of 1 to 3.
Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 nuclear carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 40 nuclear atoms, and s is It is an integer of 0-4.
Two adjacent substituents arbitrarily selected from Ar 1 , Ar 2 , and P may be bonded to each other to form a ring. When k is 2 or more, P may be the same or different.
Pの芳香族炭化水素基及び複素環基の例としては、それぞれ、置換もしくは無置換の核炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の核原子数3〜40の複素環基、が挙げられ、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、フェナントレン、フルオランテン、アントラセン、ピレン、ペリレン、コロネン、クリセン、ピセン、ジナフチル、トリナフチル、フェニルアントラセン、ジフェニルアントラセン、フルオレン、トリフェニレン、ルビセン、ベンツアントラセン、ジベンツアントラセン、アセナフトフルオランテン、トリベンゾペンタフェン、フルオランテノフルオランテン、ベンゾジフルオランテン、ベンゾフルオランテン、ジインデノペリレンの残基が挙げられ、特に、ナフタレン、フェナントレン、フルオランテン、アントラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、フェニルアントラセン、ジフェニルアントラセンの残基及びこれらを複数組み合わせた残基が好ましい。 Examples of the aromatic hydrocarbon group and heterocyclic group of P include a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 nuclear carbon atoms and a substituted or unsubstituted heterocyclic ring having 3 to 40 nuclear atoms, respectively. Groups such as benzene, biphenyl, terphenyl, naphthalene, phenanthrene, fluoranthene, anthracene, pyrene, perylene, coronene, chrysene, picene, dinaphthyl, trinaphthyl, phenylanthracene, diphenylanthracene, fluorene, triphenylene, rubicene, benz Examples include anthracene, dibenzanthracene, acenaphthofluoranthene, tribenzopentaphene, fluoranthenofluoranthene, benzodifluoranthene, benzofluoranthene, and diindenoperylene, especially naphthalene, phenanthrene. Fluoranthene, anthracene, pyrene, perylene, chrysene, phenylanthracene, residues and residues that combines several of these diphenyl anthracene are preferable.
式(20)において、Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜40の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の核原子数3〜40の複素環基であり、sは、0〜4の整数である。
Ar1〜Ar4の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が挙げられる。
In the formula (20), Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 40 nuclear carbon atoms or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 3 to 40 nuclear atoms. S is an integer of 0-4.
Examples of the aromatic hydrocarbon group of Ar 1 to Ar 4 include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, a 2-anthryl group, a 9-anthryl group, a 1-phenanthryl group, 2 -Phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2 -Biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-ter Phenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, pt-butyl Enyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl group, 4 "-T-butyl-p-terphenyl-4-yl group and the like.
Ar1〜Ar4の複素環基の例としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。 Examples of the heterocyclic group represented by Ar 1 to Ar 4 include 1-pyrrolyl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, and 1-indolyl group. Group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group Group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group, 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group Group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuran group Group, 5-isobenzofuranyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8-quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6-quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl group, 2-phenanthridinyl group 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group, 8-phena Thridinyl group, 9-phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group, 1,7-phenanth Lorin-2-yl group, 1,7-phenanthrolin-3-yl group, 1,7-phenanthrolin-4-yl group, 1,7-phenanthrolin-5-yl group, 1,7- Phenanthrolin-6-yl group, 1,7-phenanthrolin-8-yl group, 1,7-phenanthrolin-9-yl group, 1,7-phenanthrolin-10-yl group, 1, 8-phenanthrolin-2-yl group, 1,8-phenanthrolin-3-yl group, 1,8-phenanthrolin-4-yl group, 1,8-phenanthrolin-5-yl group, 1,8-phenanthrolin-6-yl group, 1 , 8-phenanthroline-7-yl group, 1,8-phenanthrolin-9-yl group, 1,8-phenanthrolin-10-yl group, 1,9-phenanthrolin-2-yl group 1,9-phenanthroline-3-yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group, 1,9-phenanthrolin-5-yl group, 1,9-phenanthrolin-6- Yl group, 1,9-phenanthroline-7-yl group, 1,9-phenanthrolin-8-yl group, 1,9-phenanthrolin-10-yl group, 1,10-phenanthroline- 2-yl group, 1,10-phenanthrolin-3-yl group, 1,10-phenanthrolin-4-yl group, 1,10-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenance Lorin-1-yl group, 2,9-phenanthrolin-3-yl group, 2,9-fur Nansulolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-6-yl group, 2,9-phenanthrolin-7-yl group, 2,9- Phenanthrolin-8-yl group, 2,9-phenanthrolin-10-yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group, 2,8-phenanthrolin-3-yl group, 2, 8-phenanthroline-4-yl group, 2,8-phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group, 2,8-phenanthrolin-7-yl group, 2,8-phenanthroline-9-yl group, 2,8-phenanthrolin-10-yl group, 2,7-phenanthrolin-1-yl group, 2,7-phenanthrolin-3-yl Group, 2,7-phenanthrolin-4-yl group, 2,7-phenanthroline- -Yl group, 2,7-phenanthroline-6-yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group, 2,7-phenanthrolin-9-yl group, 2,7-phenanthroline -10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 10-phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 10-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-flazanyl group 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrol-3-yl Group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl Group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl-1-indolyl group, 4- Methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group, 2-t-butyl 1-indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group, 2-t-butyl 3-indolyl group, 4-t-butyl 3-indolyl group and the like can be mentioned.
以下に、式(20)で表されるアミン化合物の具体例として、縮合芳香族アミン、スチリルアミン、ベンジジン等を示すが、これらに限定されるものではない。なお、Meはメチル基を示す。 Specific examples of the amine compound represented by the formula (20) are condensed aromatic amine, styrylamine, benzidine and the like, but are not limited thereto. Me represents a methyl group.
また、以下のようなカルバゾール基を含む化合物であってもよい。 Moreover, the compound containing the following carbazole groups may be sufficient.
また、蛍光発光性ドーパントは、下記式(41)〜(44)のいずれかで表されるフルオランテン誘導体であってもよい。 Moreover, the fluorescent substance dopant may be a fluoranthene derivative represented by any of the following formulas (41) to (44).
式(41)〜(44)において、X1〜X52は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数1〜30のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数2〜30のアルケニルオキシ基、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数2〜30のアルケニルチオ基、置換もしくは無置換の炭素原子数7〜30のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数7〜30のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換の炭素原子数7〜30のアラルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素原子数6〜20のアリール基、置換もしくは無置換の炭素原子数6〜20のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素原子数6〜20のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素原子数2〜30のアミノ基、シアノ基、シリル基、水酸基、−COOR1e基(基中、R1eは水素原子、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素原子数7〜30のアラルキル基、または、置換もしくは無置換の炭素原子数6〜30のアリール基を表す)、−COR2e基(基中、R2eは水素原子、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素原子数7〜30のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数6〜30のアリール基、または、アミノ基を表す)、−OCOR3e基(基中、R3eは置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の直鎖、分岐もしくは環状の炭素原子数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素原子数7〜30のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素原子数6〜30のアリール基を表す)を表し、さらに、X1〜X52のうち、隣接する基及び各基の置換基は、互いに結合して、置換もしくは無置換の炭素環を形成していてもよい。 In formulas (41) to (44), X 1 to X 52 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted group Or an unsubstituted straight chain, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted straight chain, branched or cyclic alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted straight chain Branched or cyclic alkenyl groups having 2 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted straight chain, branched or cyclic alkenyloxy groups having 2 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted straight chain, branched or cyclic An alkenylthio group having 2 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms A ruoxy group, a substituted or unsubstituted aralkylthio group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, A substituted or unsubstituted arylthio group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted amino group having 2 to 30 carbon atoms, a cyano group, a silyl group, a hydroxyl group, a —COOR 1e group (wherein R 1e is a hydrogen atom) Atom, substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted an aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms), and - in COR 2e group (group, R 2e is Elementary atom, substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted Represents a substituted aralkyl group having 7 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or an amino group, and a -OCOR 3e group (wherein R 3e is substituted or unsubstituted) A linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 7 to 7 carbon atoms 30 represents an aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms), and among X 1 to X 52 , an adjacent group and a substituent of each group are To form a substituted or unsubstituted carbocycle.
このようなフルオランテン誘導体としては、例えば、以下のものが挙げられる。 As such a fluoranthene derivative, the following are mentioned, for example.
また、蛍光発光性ドーパントは、下記式(45)で表されるホウ素化合物であってもよい。 Further, the fluorescent light-emitting dopant may be a boron compound represented by the following formula (45).
式中、AおよびA’は、1個以上の窒素を含有する6員芳香族環に対応する独立アジン環系を表し、XaおよびXbは、各々独立に選ばれた置換基であって、その二つが結合してA またはA’に対する縮合環を形成することができるもの、を表し、mおよびn は、各々独立に0 〜 4 を表し、ZaおよびZbは、各々独立に選ばれた置換基であり、そして1、2、3、4、1’、2’、3’および4’は、炭素原子または窒素原子のいずれかとして独立に選ばれる。アジン環は、1、2、3、4、1’、2’、3’および4’がすべて炭素原子であり、mおよびnが2以上であり、かつ、XaおよびXbが、芳香族環を形成するため結合する2以上の炭素置換基を表すような、キノリニル環またはイソキノリニル環であることが望ましい。ZaおよびZbは、フッ素原子であることが望ましい。 Wherein A and A ′ represent an independent azine ring system corresponding to a 6-membered aromatic ring containing one or more nitrogen, wherein Xa and Xb are each independently selected substituents, The two can combine to form a fused ring for A or A ′, m and n each independently represent 0 to 4 and Z a and Z b are each independently selected; And 1, 2, 3, 4, 1 ′, 2 ′, 3 ′ and 4 ′ are independently selected as either a carbon atom or a nitrogen atom. In the azine ring, 1, 2, 3, 4, 1 ′, 2 ′, 3 ′ and 4 ′ are all carbon atoms, m and n are 2 or more, and X a and X b are aromatic It is preferably a quinolinyl or isoquinolinyl ring that represents two or more carbon substituents that are joined to form a ring. Z a and Z b are preferably fluorine atoms.
好適な態様として、2つの縮合環系がキノリンまたはイソキノリン系であり、アリールまたはヘテロアリール置換基がフェニル基であり、6−6縮合環を形成するため結合する2個のXa基および2個のXb基が少なくとも存在し、縮合環系が、それぞれ1−2位、3−4位、1’−2’位または3’−4’位で縮合し、縮合環の一方または両方がフェニル基で置換されている下記式14、15または16で表されるようなホウ素化合物がさらに挙げられる。
In a preferred embodiment, the two fused ring systems are quinoline or isoquinoline systems, the aryl or heteroaryl substituent is a phenyl group, two X a groups and two bonded to form a 6-6 fused ring At least X b groups are present, and the fused ring system is fused at the 1-2, 3-4, 1'-2 'or 3'-4' position, respectively, and one or both of the fused rings are phenyl Further included are boron compounds represented by the following
上式(46)から(48)中Xc、Xd、Xe、Xf、XgおよびXhは、水素または独立に選ばれた置換基であるが、そのうちの一つはアリール基またはヘテロアリール基でなければならない。 In the above formulas (46) to (48), X c , X d , X e , X f , X g and X h are hydrogen or an independently selected substituent, one of which is an aryl group or Must be a heteroaryl group.
該アジン環は、1、2、3、4、1’、2’、3’および4’がすべて炭素原子であり、mおよびnが2以上であり、XaおよびXbが、芳香族環を形成するため結合する2以上の炭素置換基を表し、かつ、一つがアリールまたは置換アリール基であるような、キノリニル環またはイソキノリニル環であることが望ましい。ZaおよびZbは、フッ素原子であることが望ましい。 In the azine ring, 1, 2, 3, 4, 1 ′, 2 ′, 3 ′ and 4 ′ are all carbon atoms, m and n are 2 or more, and X a and X b are aromatic rings Preferably it is a quinolinyl ring or an isoquinolinyl ring, which represents two or more carbon substituents that are bonded to form, and one is an aryl or substituted aryl group. Z a and Z b are preferably fluorine atoms.
以下、脱プロトン化ビス(アジニル)アミンリガンドの2つの環窒素で錯体化されたホウ素化合物であって、その2つの環窒素が、異なる6,6縮合環系であってその少なくとも一方の系がアリールまたはヘテロアリール置換基を含有するものの部員である、ホウ素化合物を例示する。 A boron compound complexed with two ring nitrogens of a deprotonated bis (azinyl) amine ligand, the two ring nitrogens being different 6,6 condensed ring systems, at least one of which is Illustrate boron compounds that are members of those containing aryl or heteroaryl substituents.
また、本実施形態の発光層14のホスト材料と第2発光層の第2ホスト材料は同じでも異なってもよい。
そして、発光層を複数に分ける場合、各発光層には一のドーパントが含有されていてもよく、複数のドーパントが含有されてもよい。複数のドーパントが設けられる例として、青色ドーパント/緑色ドーパントや赤色ドーパント/青色ドーパントや緑色ドーパント/赤色ドーパントなど様々な組み合わせが考えられる。
In addition, the host material of the
And when dividing a light emitting layer into plurality, each dopant may contain one dopant and a plurality of dopants may be contained. As an example in which a plurality of dopants are provided, various combinations such as a blue dopant / green dopant, a red dopant / blue dopant, and a green dopant / red dopant can be considered.
また、本実施形態では、発光層14は、ホスト材料と燐光発光性ドーパントとを含む構成を示したが、これに限られない。
例えば、発光層14は、さらに蛍光発光性ドーパントを含有していても良い。
すなわち、一の発光層14中に二以上のドーパントが含有される。発光層14には、一または二以上の燐光発光性ドーパントと一または二以上の蛍光発光性ドーパントとがドープされていてもよい。蛍光発光性ドーパントがドープされる場合には、蛍光発光性ドーパントを青色にすると全体として、白色になる。
Moreover, although the
For example, the
That is, two or more dopants are contained in one
ここで、燐光発光性ドーパントを含有する燐光発光層と蛍光発光性ドーパントを含有する蛍光発光層とを用いて高効率に白色発光を得るための構成について説明する。
燐光発光層によって電荷がトラップされ、蛍光発光層への電荷注入量が減少することを防止するため、燐光発光性ドーパントは、燐光発光性ホストに対して質量比で10%以下であることが好ましく、5%以下であることがより好ましい。同一層に複数の燐光発光性ドーパントが存在する場合でも、全体として10%以下、好ましくは5%以下のドープ濃度にすることが好ましい。
Here, a configuration for obtaining white light emission with high efficiency using a phosphorescent light emitting layer containing a phosphorescent dopant and a fluorescent light emitting layer containing a fluorescent light emitting dopant will be described.
In order to prevent charges from being trapped by the phosphorescent layer and reducing the amount of charge injected into the fluorescent layer, the phosphorescent dopant is preferably 10% or less by mass with respect to the phosphorescent host. More preferably, it is 5% or less. Even when a plurality of phosphorescent dopants are present in the same layer, the doping concentration is preferably 10% or less, preferably 5% or less as a whole.
そして、蛍光発光層に対して燐光発光層が陽極側に配設されている場合には、燐光ホスト材料の正孔移動度が大きいことが好ましい。これにより燐光発光層を抜けて励起子生成層である蛍光発光層への正孔注入を容易にでき、電荷の再結合確率を高めることができる。この場合、燐光ホスト材料の正孔移動度は1.0×104〜1.0×106V/cmの電界中において1×10−5cm2/Vs以上であることが好ましい。さらには、10−4cm2/Vs以上であることが好ましく、10−3cm2/Vs以上であることがより好ましい。
また、蛍光発光層に対して燐光発光層が陰極側に配設されている場合には、燐光ホスト材料の電子移動度が大きいことが好ましい。これにより燐光発光層を抜けて励起子生成層である蛍光発光層への電子注入を容易にでき、電荷の再結合確率を高めることができる。この場合、燐光ホスト材料の電子移動度は1.0×104〜1.0×106V/cmの電界中において1×10−5cm2/Vs以上であることが好ましい。さらには、10−4cm2/Vs以上であることが好ましく、10−3cm2/Vs以上であることがより好ましい。
When the phosphorescent light emitting layer is disposed on the anode side with respect to the fluorescent light emitting layer, it is preferable that the hole mobility of the phosphorescent host material is large. Thereby, it is possible to easily inject holes into the fluorescent light emitting layer which is an exciton generation layer through the phosphorescent light emitting layer, and to increase the probability of charge recombination. In this case, the hole mobility of the phosphorescent host material is preferably 1 × 10 −5 cm 2 / Vs or more in an electric field of 1.0 × 10 4 to 1.0 × 10 6 V / cm. Furthermore, it is preferably 10 −4 cm 2 / Vs or more, and more preferably 10 −3 cm 2 / Vs or more.
When the phosphorescent light emitting layer is disposed on the cathode side with respect to the fluorescent light emitting layer, it is preferable that the electron mobility of the phosphorescent host material is large. Thus, electrons can be easily injected into the fluorescent light emitting layer that is the exciton generation layer through the phosphorescent light emitting layer, and the recombination probability of charges can be increased. In this case, the electron mobility of the phosphorescent host material is preferably 1 × 10 −5 cm 2 / Vs or more in an electric field of 1.0 × 10 4 to 1.0 × 10 6 V / cm. Furthermore, it is preferably 10 −4 cm 2 / Vs or more, and more preferably 10 −3 cm 2 / Vs or more.
蛍光発光層と燐光発光層とを備えており、蛍光発光層も燐光発光層も電荷注入による電荷の再結合エネルギーで発光する場合には、蛍光発光層は層の厚さが燐光発光層よりも厚いことが好ましい。
蛍光発光は燐光発光に比べて量子効率で劣るため、全体の色度のバランスをとるためには蛍光発光層を厚くし、燐光発光層を薄くすることが好ましい。
その一方、蛍光発光層と燐光発光層とを備え、蛍光発光層にて生成された励起子エネルギー(三重項励起子エネルギー)を燐光発光層にエネルギー移動させて燐光発光層を発光させる場合には、蛍光発光層を薄くして燐光発光層を厚くすることが好ましい。
これは、蛍光発光層のホストで生成された3重項励起子を燐光発光層に移動させるために蛍光発光層が薄いことが好ましく、その一方、燐光発光層は蛍光発光層から拡散してくる3重項エネルギーを受け止める必要があるため厚みをもっていることが好ましいからである。また、蛍光発光層を薄くすることにより蛍光発光層での電荷の再結合確率を高くすることができる。
このとき、さらに、蛍光発光層での励起子生成確率を高めるため、蛍光発光層にキャリアを閉じ込めるための中間層が蛍光発光層に隣接して配置されていてもよい。
そして、蛍光発光層に対して中間層が陽極側に配設されている場合には、中間層が電子ブロック層として機能するために中間層のアフィニティ準位が小さいことが好ましく、例えば、2.7eVより小さいことが好ましく、さらには2.5eVより小さいことがより好ましい。
When a fluorescent light emitting layer and a phosphorescent light emitting layer are provided, and both the fluorescent light emitting layer and the phosphorescent light emitting layer emit light with charge recombination energy by charge injection, the thickness of the fluorescent light emitting layer is larger than that of the phosphorescent light emitting layer. Thickness is preferred.
Since fluorescence emission is inferior in quantum efficiency compared to phosphorescence emission, it is preferable to make the fluorescence emission layer thicker and the phosphorescence emission layer thinner in order to balance the overall chromaticity.
On the other hand, in the case where the phosphorescent light emitting layer and the phosphorescent light emitting layer are provided, and the exciton energy (triplet exciton energy) generated in the fluorescent light emitting layer is transferred to the phosphorescent light emitting layer to cause the phosphorescent light emitting layer to emit light. It is preferable to make the phosphorescent light emitting layer thicker by making the fluorescent light emitting layer thinner.
This is because the fluorescent light-emitting layer is preferably thin in order to move triplet excitons generated by the host of the fluorescent light-emitting layer to the phosphorescent light-emitting layer, while the phosphorescent light-emitting layer diffuses from the fluorescent light-emitting layer. This is because it is preferable to have a thickness because it is necessary to receive triplet energy. Further, by reducing the thickness of the fluorescent light emitting layer, the charge recombination probability in the fluorescent light emitting layer can be increased.
At this time, in order to further increase the exciton generation probability in the fluorescent light emitting layer, an intermediate layer for confining carriers in the fluorescent light emitting layer may be disposed adjacent to the fluorescent light emitting layer.
When the intermediate layer is disposed on the anode side with respect to the fluorescent light emitting layer, it is preferable that the affinity level of the intermediate layer is small because the intermediate layer functions as an electron blocking layer. It is preferably less than 7 eV, more preferably less than 2.5 eV.
さらに、蛍光発光層に対して中間層が陽極側に配設されている場合には中間層がホールトラップにならないことが蛍光発光層へのキャリア(正孔)注入の観点から好ましく、そのため、中間層の正孔移動度が大きいことが好ましい。これにより中間層を抜けて励起子生成層である蛍光発光層への正孔注入を容易にでき、電荷の再結合確率を高めることができる。この場合、中間層の正孔移動度は1.0×104〜1.0×106V/cmの電界中において1×10−5cm2/Vs以上であることが好ましい。さらには、10−4cm2/Vs以上であることが好ましく、10−3cm2/Vs以上であることがより好ましい。
同様に、蛍光発光層に対して中間層が陰極側に配設されている場合には、中間層が正孔ブロック層として機能するために中間層のイオン化ポテンシャルが大きいことが好ましく、例えば、5.6eVより大きいことが好ましく、さらには5.8eVより大きいことがより好ましい。
Further, when the intermediate layer is disposed on the anode side with respect to the fluorescent light emitting layer, it is preferable from the viewpoint of carrier (hole) injection into the fluorescent light emitting layer that the intermediate layer does not become a hole trap. It is preferable that the hole mobility of the layer is large. As a result, it is possible to easily inject holes into the fluorescent light-emitting layer that is the exciton generation layer through the intermediate layer, and the charge recombination probability can be increased. In this case, the hole mobility of the intermediate layer is preferably 1 × 10 −5 cm 2 / Vs or more in an electric field of 1.0 × 10 4 to 1.0 × 10 6 V / cm. Furthermore, it is preferably 10 −4 cm 2 / Vs or more, and more preferably 10 −3 cm 2 / Vs or more.
Similarly, when the intermediate layer is disposed on the cathode side with respect to the fluorescent light emitting layer, it is preferable that the intermediate layer has a high ionization potential in order to function as a hole blocking layer. It is preferably greater than .6 eV, more preferably greater than 5.8 eV.
さらに、蛍光発光層に対して中間層が陰極側に配設されている場合には中間層が電子トラップにならないことが蛍光発光層へのキャリア(電子)注入の観点から好ましく、そのため、中間層の電子移動度が大きいことが好ましい。これにより中間層を抜けて励起子生成層である蛍光発光層への電子注入を容易にでき、電荷の再結合確率を高めることができる。この場合、中間層の電子移動度は1.0×104〜1.0×106V/cmの電界中において1×10−5cm2/Vs以上であることが好ましい。さらには、10−4cm2/Vs以上であることが好ましく、10−3cm2/Vs以上であることがより好ましい。
また、燐光発光性ドーパントと蛍光発光性ドーパントとが同一の発光層に含有されている場合では、この発光層に電荷注入を行って励起子生成を促すことが好ましいため、発光層を厚くすることができる。すると、発光ドーパントの量を多くできるため、発光ドーパント一分子あたりにかかる負荷が小さくなり、結果として、高輝度、長寿命の発光素子とできる。
Furthermore, when the intermediate layer is disposed on the cathode side with respect to the fluorescent light emitting layer, it is preferable from the viewpoint of carrier (electron) injection into the fluorescent light emitting layer that the intermediate layer does not become an electron trap. The electron mobility is preferably large. As a result, it is possible to easily inject electrons into the fluorescent light-emitting layer that is the exciton generation layer through the intermediate layer, and to increase the probability of charge recombination. In this case, the electron mobility of the intermediate layer is preferably 1 × 10 −5 cm 2 / Vs or more in an electric field of 1.0 × 10 4 to 1.0 × 10 6 V / cm. Furthermore, it is preferably 10 −4 cm 2 / Vs or more, and more preferably 10 −3 cm 2 / Vs or more.
In addition, when the phosphorescent dopant and the fluorescent dopant are contained in the same light emitting layer, it is preferable to inject charges into this light emitting layer to promote exciton generation. Can do. Then, since the amount of the luminescent dopant can be increased, the load applied to one molecule of the luminescent dopant is reduced, and as a result, a light-emitting element with high luminance and a long lifetime can be obtained.
その他、本発明の実施における具体的な材料および処理などは、本発明の目的を達成できる範囲で他の材料および処理などとしてもよい。 In addition, specific materials and treatments in the implementation of the present invention may be other materials and treatments as long as the object of the present invention can be achieved.
実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。なお、本発明はこれらの実施例の記載内容に何ら制限されるものではない。 The present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. In addition, this invention is not restrict | limited to the description content of these Examples at all.
[実施例1]
実施例1では、有機EL素子は、陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極をこの順で備える。
具体的には、25mm×75mm×1.1mmのITO透明電極付きガラス基板(ジオマティック社製)に、イソプロピルアルコール中で5分間の超音波洗浄を施し、さらに、30分間のUVオゾン洗浄を施した。
このようにして洗浄した透明電極付きガラス基板を、真空蒸着装置の基板ホルダに装着し、まず、ガラス基板の透明電極ラインが形成されている側の面上に、透明電極を覆うようにして、NPDを厚さ600nmで蒸着し、正孔注入層を得た。
この正孔輸送層上に、赤色燐光用ホストである2a−1と赤色燐光用ドーパントであり化25に示すPtTPPとを厚さ250nmで共蒸着し、発光層を得た。PtTPPの濃度は、4質量%であった。
[Example 1]
In Example 1, the organic EL device includes anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode in this order.
Specifically, a glass substrate with a transparent electrode of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm (manufactured by Geomatic) was subjected to ultrasonic cleaning for 5 minutes in isopropyl alcohol, and further subjected to UV ozone cleaning for 30 minutes. did.
The glass substrate with the transparent electrode thus washed is attached to the substrate holder of the vacuum evaporation apparatus, and first, on the surface of the glass substrate on which the transparent electrode line is formed, the transparent electrode is covered, NPD was vapor-deposited with a thickness of 600 nm to obtain a hole injection layer.
On this hole transport layer, 2a-1 which is a host for red phosphorescence and PtTPP which is a dopant for red phosphorescence and represented by Chemical Formula 25 were co-evaporated at a thickness of 250 nm to obtain a light emitting layer. The concentration of PtTPP was 4% by mass.
次に、この赤色燐光発光層上にAlqを厚さ350nmで蒸着し、電子輸送層を得た。
この電子輸送層上に、厚さ1nmのLiF、厚さ100nmの金属Alを順次積層し、陰極を得た。
陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極の蒸着レートはそれぞれ1/1.04/1/1/5である。
Next, Alq was vapor-deposited with a thickness of 350 nm on this red phosphorescent light emitting layer to obtain an electron transport layer.
On this electron transport layer, 1 nm thick LiF and 100 nm thick metal Al were sequentially laminated to obtain a cathode.
The deposition rates of anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode are 1 / 1.04 / 1/1/5, respectively.
[実施例2から実施例13]
実施例2から実施例13では、表1に示すホストを使用した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
なお、実施例9のTPPyは、テトラフェニルピレンの略記である。
[Example 2 to Example 13]
In Examples 2 to 13, organic EL elements were produced in the same manner as in Example 1 except that the host shown in Table 1 was used.
Note that TPPy in Example 9 is an abbreviation for tetraphenylpyrene.
[比較例1から比較例4]
比較例1から比較例4では、表1に示すホストを使用した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。なお、比較例4で用いたTDbNの構造を下記に示す。
[Comparative Example 1 to Comparative Example 4]
In Comparative Examples 1 to 4, organic EL elements were produced in the same manner as in Example 1 except that the host shown in Table 1 was used. The structure of TDbN used in Comparative Example 4 is shown below.
[実施例14から実施例26]
実施例14から実施例26では、ドーパントとして、化28に示したPtTaNPを使用し、ホストとして表2に示すものを使用した以外は、実施例1から実施例13と同様にして有機EL素子を作製した。
[Example 14 to Example 26]
In Examples 14 to 26, organic EL elements were prepared in the same manner as in Examples 1 to 13, except that PtTaNP shown in Chemical formula 28 was used as the dopant and that shown in Table 2 was used as the host. Produced.
[実施例27から実施例39]
実施例27から実施例39では、ドーパントとして化28に示したPtTNPを使用し、ホストとして表3に示すものを使用した以外は、実施例1から実施例13と同様にして有機EL素子を作製した。
なお、PtTNPは、3重項エネルギーギャップが1.77eVであり、700nmに発光波長を有する。
[Example 27 to Example 39]
In Examples 27 to 39, organic EL elements were produced in the same manner as in Examples 1 to 13, except that PtTNP shown in Chemical formula 28 was used as the dopant and that shown in Table 3 was used as the host. did.
PtTNP has a triplet energy gap of 1.77 eV and an emission wavelength of 700 nm.
[実施例40から実施例52]
実施例40から実施例52では、ドーパントとして化28に示したNiq2Ir(acac).(化合物名をご教示下さい)を使用し、ホストとして表4に示すものを使用した以外は、実施例1から実施例13と同様にして有機EL素子を作製した。
[Example 40 to Example 52]
In Example 40 to Example 52, Niq2Ir (acac). Organic EL devices were prepared in the same manner as in Examples 1 to 13 except that (Please tell us the compound name) and the host shown in Table 4 was used.
[実施例53から実施例65]
実施例53から実施例65では、ドーパントとして化28に示したPtOEtを使用し、ホストとして表5に示すものを使用した以外は、実施例1から実施例13と同様にして有機EL素子を作製した。
[Example 53 to Example 65]
In Examples 53 to 65, organic EL elements were produced in the same manner as in Examples 1 to 13, except that PtOEt shown in Chemical formula 28 was used as the dopant and that shown in Table 5 was used as the host. did.
[実施例66から実施例78]
実施例66から実施例78では、ドーパントとして化28に示したPtTPBPを使用し、ホストとして表6に示すものを使用した以外は、実施例1から実施例13と同様にして有機EL素子を作製した。
[Example 66 to Example 78]
In Examples 66 to 78, organic EL elements were produced in the same manner as in Examples 1 to 13, except that PtTPBP shown in Chemical formula 28 was used as the dopant and that shown in Table 6 was used as the host. did.
[実施例79から実施例82]
実施例79から実施例82では、ドーパントとして化28に示したIr(PQ)2acacを使用し、ホストとして表7に示すものを使用した以外は、実施例1、7,9,12と同様にして有機EL素子を作製した。
なお、Ir(PQ)2acacは、3重項エネルギーギャップが2.08eVであり、595nmに発光波長を有する。
[Example 79 to Example 82]
Examples 79 to 82 are the same as Examples 1, 7, 9, and 12 except that Ir (PQ) 2acac shown in Chemical formula 28 is used as the dopant and that shown in Table 7 is used as the host. Thus, an organic EL element was produced.
Ir (PQ) 2acac has a triplet energy gap of 2.08 eV and an emission wavelength of 595 nm.
[実施例83]
実施例83では、発光層と電子注入層との間に正孔阻止層を設けた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
具体的には、実施例83の有機EL素子は、陽極/正孔注入層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極をこの順で備える。
陽極/正孔注入層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極の組成はそれぞれ、ITO/NPD/ドーパントとしてのPtTPPを4質量%含むホストとしての2a−1/2,9−ジメチルー4,7−ジフェニルー1,10−フェナンスロリン(以下「BCP」と略記する)/Alq/LiF/Alである。また、膜厚はそれぞれ600Å/250Å/100Å/250Å/1Å/100Åである。そして、蒸着レートはそれぞれ1/1.04/1/1/1/5である。
[Example 83]
In Example 83, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that a hole blocking layer was provided between the light emitting layer and the electron injection layer.
Specifically, the organic EL device of Example 83 includes an anode / hole injection layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode in this order.
The composition of the anode / hole injection layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode is 2a-1 / 2 as a host containing 4% by mass of ITO / NPD / PtTPP as a dopant. , 9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (hereinafter abbreviated as “BCP”) / Alq / LiF / Al. The film thicknesses are 600 mm / 250 mm / 100 mm / 250 mm / 1 mm / 100 mm, respectively. The vapor deposition rates are 1 / 1.04 / 1/1/1/5, respectively.
[実施例84]
実施例84では、電子輸送発光層を正孔阻止層に代えた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
具体的には、実施例84の有機EL素子は、陽極/正孔注入層/発光層/正孔阻止層/電子注入層/陰極をこの順で備える。
陽極/正孔注入層/発光層/正孔阻止層/電子注入層/陰極の組成はそれぞれ、ITO/NPD/ドーパントとしてのPtTPPを4質量%含むホストとしての2a−1/Balq/LiF/Alである。また、膜厚はそれぞれ600Å/250Å/350Å/1Å/100Åである。そして、蒸着レートはそれぞれ1/1.04/1/1/5である。
[Example 84]
In Example 84, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the electron transporting light emitting layer was replaced with a hole blocking layer.
Specifically, the organic EL device of Example 84 includes an anode / a hole injection layer / a light emitting layer / a hole blocking layer / an electron injection layer / a cathode in this order.
The composition of the anode / hole injection layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection layer / cathode is 2a-1 / Balq / LiF / Al as a host containing 4% by mass of ITO / NPD / PtTPP as a dopant. It is. The film thicknesses are 600 mm / 250 mm / 350 mm / 1 mm / 100 mm, respectively. The deposition rate is 1 / 1.04 / 1/1/5, respectively.
[実施例85]
実施例85では、正孔注入層と発光層との間に電子阻止層を設けた以外は、実施例84と同様にして有機EL素子を作製した。
具体的には、実施例84の有機EL素子は、陽極/正孔注入層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子注入層/陰極をこの順で備える。
陽極/正孔注入層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子注入層/陰極の組成はそれぞれ、ITO/NPD/fac―トリス―(1−フェニルピラゾレート,N,C2‘)イリジウム(III)(Irppz)/ドーパントとしての化26PtTPPを4質量%含むホストとしての2a−1/Balq/LiF/Alである。また、膜厚はそれぞれ550Å/50Å/250Å/350Å/10Å/1500Åである。そして、蒸着レートはそれぞれ1/1/1.04/1/1/5である。
[Example 85]
In Example 85, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 84 except that an electron blocking layer was provided between the hole injection layer and the light emitting layer.
Specifically, the organic EL device of Example 84 includes anode / hole injection layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection layer / cathode in this order.
The composition of the anode / hole injection layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection layer / cathode was ITO / NPD / fac-tris- (1-phenylpyrazolate, N, C2 ′) iridium ( III) (Irppz) / 2a-1 / Balq / LiF / Al as a host containing 4 mass% of 26PtTPP as a dopant. The film thicknesses are 550 mm / 50 mm / 250 mm / 350 mm / 10 mm / 1500 mm, respectively. The deposition rates are 1/1 / 1.04 / 1/1/5, respectively.
[実施例86]
実施例86では、電子輸送層を設けず、発光層に複数のドーパントを用い、電子注入層には表9に示す化合物Jを用いた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
発光層は、表9に示すホスト材料としての2a’−59と、表9に示す青ドーパントと、表9に示す赤ドーパントとを含有する。青ドーパントおよび赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比でそれぞれ 2%、0.1%である。
また、膜厚は、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極がそれぞれ550Å/400Å/200Å/10Å/1500Åである。そして、蒸着レートはそれぞれ1/1/1.02/ 1/3 である。
[Example 86]
In Example 86, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the electron transport layer was not provided, a plurality of dopants were used for the light emitting layer, and the compound J shown in Table 9 was used for the electron injection layer. did.
The light emitting layer contains 2a′-59 as a host material shown in Table 9, a blue dopant shown in Table 9, and a red dopant shown in Table 9. Blue dopant and red dopant are 2% and 0.1%, respectively, by mass ratio with respect to 2a′-59.
The film thicknesses of anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 400 mm / 200 mm / 10 mm / 1500 mm, respectively. The deposition rates are 1/1 / 1.02 / 1/3, respectively.
[実施例87]
実施例87では、実施例86の青ドーパントおよび赤ドーパントの代わりに表8に示す青ドーパントBを用いた以外は、実施例86と同様にして有機EL素子を作製した。
青ドーパントBは、2a’−59に対して質量比で2%含まれる。
また、膜厚は、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極がそれぞれ550Å/400Å/200Å/10Å/1500Åである。そして、蒸着レートはそれぞれ1/1/1.03/1/3である。
[Example 87]
In Example 87, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 86 except that the blue dopant B shown in Table 8 was used instead of the blue dopant and red dopant of Example 86.
Blue dopant B is contained in a mass ratio of 2% with respect to 2a′-59.
The thicknesses of the anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 400 mm / 200 mm / 10 mm / 1500 mm, respectively. The deposition rates are 1/1 / 1.03 / 1/3, respectively.
[実施例88]
実施例88では、正孔注入層と電子注入層との間に複数の発光層を設けた以外は、実施例86と同様にして有機EL素子を作製した。
有機EL素子は、正孔注入層/第1発光層/第2発光層/電子注入層をこの順で備える。第1発光層は、ホスト材料としての2a’−59と、表9に示す青ドーパントとを含有する。青ドーパントは、2a’−59に対して質量比で2%である。
第2発光層は、ホスト材料としての2a’−59と、表9に示す赤ドーパントとを含有する。赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比で2%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/100Å/300Å/200Å/10Å/1500Åである。
[Example 88]
In Example 88, an organic EL element was produced in the same manner as in Example 86, except that a plurality of light emitting layers were provided between the hole injection layer and the electron injection layer.
The organic EL element includes a hole injection layer / first light emitting layer / second light emitting layer / electron injection layer in this order. The first light emitting layer contains 2a′-59 as a host material and a blue dopant shown in Table 9. The blue dopant is 2% by mass with respect to 2a′-59.
The second light emitting layer contains 2a′-59 as a host material and a red dopant shown in Table 9. The red dopant is 2% by mass with respect to 2a′-59.
The thicknesses of the anode / hole injection layer / first light emitting layer / second light emitting layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 100 mm / 300 mm / 200 mm / 10 mm / 1500 mm, respectively.
[実施例89]
実施例89では、実施例88の第2発光層における赤ドーパントの代わりに青ドーパントを用い、電子輸送層における化合物Jの代わりにAlq3を用いた以外は実施例88と同様にして有機EL素子を作製した。
第2発光層では、青ドーパントは、2a’−59に対して質量比で2%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/100Å/300Å/200Å/10Å/1500Åである。
[Example 89]
In Example 89, an organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 88 except that a blue dopant was used instead of the red dopant in the second light emitting layer of Example 88, and Alq3 was used instead of compound J in the electron transport layer. Produced.
In the second light emitting layer, the blue dopant is 2% by mass with respect to 2a′-59.
The thicknesses of the anode / hole injection layer / first light emitting layer / second light emitting layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 100 mm / 300 mm / 200 mm / 10 mm / 1500 mm, respectively.
[実施例90]
実施例90では、実施例86の正孔注入層と電子注入層との間に複数の発光層を設けた以外は、実施例86と同様にして有機EL素子を作製した。
有機EL素子は、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層としての中間層/第3発光層/電子輸送層をこの順で備える。第1発光層は、ホスト材料としての2a’−59と、表9に示す青ドーパントとを含有する。青ドーパントは、2a’−59に対して質量比で 2%である。中間層は、2a’−59を含有する。第3発光層は、ホスト材料としての2a’−59と、表9に示す赤ドーパントとを含有する。赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比で1%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/中間層/第3発光層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/100Å/50Å/300Å/200Å/10Å/1500Åである。
[Example 90]
In Example 90, an organic EL element was produced in the same manner as in Example 86, except that a plurality of light emitting layers were provided between the hole injection layer and the electron injection layer in Example 86.
The organic EL element includes an anode / a hole injection layer / a first light emitting layer / an intermediate layer as a second light emitting layer / a third light emitting layer / an electron transport layer in this order. The first light emitting layer contains 2a′-59 as a host material and a blue dopant shown in Table 9. The blue dopant is 2% by mass with respect to 2a′-59. The intermediate layer contains 2a′-59. The third light emitting layer contains 2a′-59 as a host material and a red dopant shown in Table 9. The red dopant is 1% by mass with respect to 2a′-59.
The thicknesses of the anode / hole injection layer / first light emitting layer / intermediate layer / third light emitting layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 100 mm / 50 mm / 300 mm / 200 mm / 10 mm / 1500 mm.
[実施例91]
実施例91では、実施例90の第1発光層における青ドーパントの代わりに赤ドーパントを用い、中間層における2a’−59の代わりに2b−9と青ドーパントとを用い、第3発光層における2a’−59および赤ドーパントの代わりに2b−9と緑ドーパントとを用いた以外は、実施例90と同様にして有機EL素子を作製した。
第1発光層では、赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比で1%である。中間層では、青ドーパントは、2b−9に対して質量比で 2%である。第3発光層では、緑ドーパントは、2b−9に対して質量比で3%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/中間層/第3発光層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/50Å/100Å/100Å/200Å/10Å/1500Åである。
[Example 91]
In Example 91, red dopant is used in place of the blue dopant in the first light emitting layer of Example 90, 2b-9 and blue dopant are used in place of 2a′-59 in the intermediate layer, and 2a in the third light emitting layer is used. An organic EL device was produced in the same manner as in Example 90 except that 2b-9 and a green dopant were used in place of '-59 and the red dopant.
In the first light emitting layer, the red dopant is 1% by mass with respect to 2a′-59. In the intermediate layer, the blue dopant is 2% by mass with respect to 2b-9. In the third light emitting layer, the green dopant is 3% by mass with respect to 2b-9.
The thicknesses of the anode / hole injection layer / first light emitting layer / intermediate layer / third light emitting layer / electron injection layer / cathode are 550/50 mm / 100 mm / 100 mm / 200 mm / 10 mm / 1500 mm.
[実施例92]
実施例92では、実施例88の第1発光層における青ドーパントの代わりに赤ドーパントを用い、第2発光層における2a’−59および赤ドーパントの代わりに2b−9と青ドーパントと緑ドーパントとを用いた以外は、実施例88と同様にして有機EL素子を作製した。
第1発光層では、赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比で1%である。第2発光層では、青ドーパントおよび緑ドーパントは、2a’−59に対して質量比でそれぞれ2%、0.5%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/50Å/100Å/200Å/10Å/1500Åである。
[Example 92]
In Example 92, a red dopant was used instead of the blue dopant in the first light emitting layer of Example 88, and 2a′-59 and 2b-9 instead of the red dopant in the second light emitting layer were combined with the blue dopant and the green dopant. An organic EL device was produced in the same manner as in Example 88 except that it was used.
In the first light emitting layer, the red dopant is 1% by mass with respect to 2a′-59. In the second light emitting layer, the blue dopant and the green dopant are 2% and 0.5%, respectively, by mass ratio with respect to 2a′-59.
The thicknesses of the anode / hole injection layer / first light emitting layer / second light emitting layer / electron injection layer / cathode are 550/50 mm / 100 mm / 200 mm / 10 mm / 1500 mm, respectively.
[実施例93]
実施例93では、実施例86の発光層にさらに緑ドーパントを用いた以外は、実施例86と同様にして有機EL素子を作製した。
発光層では、青ドーパント、緑ドーパント、および赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比でそれぞれ2%、0.5%、0.1%である。
また、膜厚は、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極がそれぞれ550Å/400Å/200Å/10Å/1500Åである。
[Example 93]
In Example 93, an organic EL element was produced in the same manner as in Example 86 except that a green dopant was further used in the light emitting layer of Example 86.
In a light emitting layer, a blue dopant, a green dopant, and a red dopant are 2%, 0.5%, and 0.1% by mass ratio with respect to 2a'-59, respectively.
The thicknesses of the anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 400 mm / 200 mm / 10 mm / 1500 mm, respectively.
[実施例94]
実施例94では、実施例88の第1発光層にさらに赤ドーパントを用い、第2発光層における2a’−59および赤ドーパントの代わりにCBPおよび緑ドーパントBを用い、さらに第2発光層と電子注入層との間に電子輸送層として化合物Iを用いた以外は、実施例88と同様にして有機EL素子を作製した。
第1発光層では、青ドーパントおよび赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比でそれぞれ2%、0.1%である。第2発光層では、緑ドーパントBは、CBPに対して質量比で 5%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/300Å/100Å/200Å/100Å/10Å/1500Åである。
[Example 94]
In Example 94, a red dopant was further used for the first light-emitting layer of Example 88, CBP and green dopant B were used in place of 2a′-59 and the red dopant in the second light-emitting layer, and the second light-emitting layer and the electrons were used. An organic EL device was produced in the same manner as in Example 88 except that Compound I was used as an electron transport layer between the injection layer and the injection layer.
In the first light emitting layer, the blue dopant and the red dopant are 2% and 0.1%, respectively, by mass ratio with respect to 2a′-59. In the second light emitting layer, the green dopant B is 5% by mass with respect to CBP.
The thicknesses of anode / hole injection layer / first light emitting layer / second light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 300 mm / 100 mm / 200 mm / 100 mm / 10 mm / 1500 mm, respectively.
[実施例95]
実施例95では、実施例90の第2発光層にさらに青ドーパントを用い、第3発光層における2a’−59および緑ドーパントの代わりにCBPと緑ドーパントBとを用い、さらに第3発光層と電子注入層との間に電子輸送層として化合物Iを用いた以外は、実施例90と同様にして有機EL素子を作製した。
第1発光層では、赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比で1%である。第2発光層では、青ドーパントは、2a’−59に対して質量比で2%である。第3発光層では、緑ドーパントBは、CBPに対して質量比で5%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層/第3発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/50Å/100Å/100Å/ 200Å/100Å/10Å/1500Åである。
[Example 95]
In Example 95, a blue dopant is further used in the second light emitting layer of Example 90, CBP and green dopant B are used in place of 2a′-59 and the green dopant in the third light emitting layer, and the third light emitting layer An organic EL device was produced in the same manner as in Example 90 except that Compound I was used as an electron transport layer between the electron injection layer and the electron injection layer.
In the first light emitting layer, the red dopant is 1% by mass with respect to 2a′-59. In the second light emitting layer, the blue dopant is 2% by mass with respect to 2a′-59. In the third light emitting layer, the green dopant B is 5% by mass with respect to CBP.
Regarding the film thickness, the anode / hole injection layer / first emission layer / second emission layer / third emission layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 50 mm / 100 mm / 100 mm / 200 mm / 100 mm, respectively. / 10cm / 1500mm.
[実施例96]
実施例96では、実施例95の第2発光層において2a’−59の代わりに2b−9を用いた以外は、実施例95と同様にして有機EL素子を作製した。
第1発光層では、赤ドーパントは、2a’−59に対して質量比で1%である。第2発光層では、青ドーパントは、2b−9に対して質量比で2%である。第3発光層では、緑ドーパントは、CBPに対して質量比で5%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層/第3発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/50Å/100Å/100Å/ 200Å/100Å/10Å/1500Åである。
[Example 96]
In Example 96, an organic EL element was produced in the same manner as in Example 95, except that 2b-9 was used instead of 2a′-59 in the second light emitting layer of Example 95.
In the first light emitting layer, the red dopant is 1% by mass with respect to 2a′-59. In the second light emitting layer, the blue dopant is 2% by mass with respect to 2b-9. In the third light emitting layer, the green dopant is 5% by mass with respect to CBP.
Regarding the film thickness, the anode / hole injection layer / first emission layer / second emission layer / third emission layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode are 550 mm / 50 mm / 100 mm / 100 mm / 200 mm / 100 mm, respectively. / 10cm / 1500mm.
[実施例97]
実施例97では、実施例88の第1発光層において青ドーパントの代わりに赤ドーパントを用い、第2発光層において2a’−59および赤ドーパントの代わりに4,4’-ビス(9-カルバゾリル)-2,2’-ジメチル-ビフェニル(以下「CDBP」と略記する)および、ビス{2-[3,5-ビス(トリフルオロメチル)フェニル]-ピリジネート-N,C2’}イリジウム(III)ピコリネート[(CF3ppy)2Ir(pic)](以下「FIrpic」と略記する)を用い、さらに第2発光層と電子注入層との間に電子輸送層として化合物Iを用いた以外は、実施例89と同様にして有機EL素子を作製した。
第2発光層では、CDBPは、FIrpicに対して質量比で8%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/100Å/300Å/200Å/100Å/10 Å/1500Åである。
[Example 97]
Example 97 uses red dopant instead of blue dopant in the first light-emitting layer of Example 88, and 4a'-bis (9-carbazolyl) instead of 2a′-59 and red dopant in the second light-emitting layer. -2,2'-dimethyl-biphenyl (hereinafter abbreviated as "CDBP") and bis {2- [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] -pyridinate-N, C2 '} iridium (III) picolinate Example 89 except that [(CF3ppy) 2Ir (pic)] (hereinafter abbreviated as “FIrpic”) was used and Compound I was used as an electron transport layer between the second light-emitting layer and the electron injection layer. Similarly, an organic EL device was produced.
In the second light emitting layer, CDBP is 8% by mass with respect to FIrpic.
The thickness of the anode / hole injection layer / first light emitting layer / second light emitting layer / electron transporting layer / electron injection layer / cathode is 550 mm / 100 mm / 300 mm / 200 mm / 100 mm / 10 mm / 1500 mm. .
[実施例98]
実施例98では、実施例95の第2発光層における2a’−59および青ドーパントの代わりにCBPおよび緑ドーパントBを用い、第3発光層におけるCBPおよび緑ドーパントの代わりにCDBPとFIrpicを用いた以外は、実施例95と同様にして有機EL素子を作製した。
第2発光層では、緑ドーパントBは、CBPに対して質量比で5%である。第3発光層では、FIrpicは、CDBPに対して質量比で8%である。
また、膜厚について、陽極/正孔注入層/第1発光層/第2発光層/第3発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極はそれぞれ550Å/100Å/50Å/300Å/200Å/100/10Å/1500Åである。
[Example 98]
In Example 98, CBP and green dopant B were used instead of 2a′-59 and blue dopant in the second light emitting layer of Example 95, and CDBP and FIrpic were used instead of CBP and green dopant in the third light emitting layer. Except for the above, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 95.
In the second light emitting layer, the green dopant B is 5% by mass with respect to CBP. In the third light emitting layer, FIrpic is 8% by mass with respect to CDBP.
As for film thickness, anode / hole injection layer / first light emitting layer / second light emitting layer / third light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode are 550Å / 100Å / 50Å / 300Å / 200Å / 100 respectively. / 10cm / 1500mm.
[有機EL素子の評価]
実施例1から85および比較例1から4において作製した各々の有機EL素子を、1mA/cm2の直流電流により発光させ、引加電圧である電圧(V)と、色度(CIE)(x,y)と、外部量子効率(%)と、半減寿命(L50@1000mit)とを測定した。その結果を表1から表7、および表9に示す。
また、実施例86から98において作製した各々の有機EL素子を、1mA/cm2の直流電流により発光させ、外部量子効率(%)と、半減寿命(L50@1000mit)とを測定した。その結果を表10に示す。
[Evaluation of organic EL elements]
Each of the organic EL devices fabricated in Examples 1 to 85 and Comparative Examples 1 to 4 was caused to emit light by a direct current of 1 mA / cm 2 , and an applied voltage (V) and chromaticity (CIE) (x , Y), external quantum efficiency (%), and half-life (L50 @ 1000 mit) were measured. The results are shown in Tables 1 to 7 and Table 9.
Moreover, each organic EL element produced in Examples 86 to 98 was made to emit light by a direct current of 1 mA / cm 2 , and the external quantum efficiency (%) and the half life (L50 @ 1000 mit) were measured. The results are shown in Table 10.
表1から明らかなように、実施例1および実施例2では、対称型アントラセン誘導体を備えた有機EL素子は、比較例1から比較例4におけるBalq、Alq,CBP、TDbNを備えた場合よりも電圧が低く、外部量子効率が良好で、半減寿命も長くなった。
また、ビスアントラセン誘導体を用いた実施例3から実施例5では、実施例1および実施例2の場合よりも半減寿命が長くなった。
そして、非対称型アントラセン誘導体を用いた実施例6から実施例8では、実施例1および実施例2の場合よりも外部量子効率が向上し、半減寿命が長くなった。
さらに、ピレン誘導体を用いた実施例9から実施例11では、実施例1および実施例2の場合よりも外部量子効率が向上し、半減寿命が長くなった。
また、ベンズアントラセン誘導体を用いた実施例12および実施例13では、実施例1および実施例2の場合よりも外部量子効率がさらに向上し、半減寿命がさらに長くなった。
なお、実施例1から13の場合では、PtTPPは、3重項エネルギーギャップが1.85eVであり、670nmに発光波長を有し、色度座標(CIE系表色系)(x、y)=(0.718,0.283)の赤色発光を呈した。
また、比較例4では、色度座標は、(x、y)=(0.580,0.440)であり、PtTPPの発光ではない。
As can be seen from Table 1, in Example 1 and Example 2, the organic EL device provided with the symmetric anthracene derivative was more than the case where Balq, Alq, CBP, and TDbN were provided in Comparative Example 1 to Comparative Example 4. Low voltage, good external quantum efficiency and long half-life.
Further, in Examples 3 to 5 using the bisanthracene derivative, the half-life was longer than that in Examples 1 and 2.
In Examples 6 to 8 using the asymmetric anthracene derivative, the external quantum efficiency was improved and the half life was longer than those in Examples 1 and 2.
Furthermore, in Examples 9 to 11 using a pyrene derivative, the external quantum efficiency was improved and the half-life was longer than those in Examples 1 and 2.
Moreover, in Example 12 and Example 13 using a benzanthracene derivative, the external quantum efficiency was further improved and the half-life was further increased as compared with Examples 1 and 2.
In Examples 1 to 13, PtTPP has a triplet energy gap of 1.85 eV, an emission wavelength of 670 nm, and chromaticity coordinates (CIE color system) (x, y) = It exhibited red light emission of (0.718, 0.283).
In Comparative Example 4, the chromaticity coordinates are (x, y) = (0.580, 0.440) and are not PtTPP light emission.
実施例14から実施例26では、表2に示すように、燐光ドーパントとしてPtTaNPを用いた場合でも、良好な外部量子効率および長寿命を示した。
実施例14から26の場合では、PtTaNPは、3重項エネルギーギャップが1.82eVであり、680nmに発光波長を有し、色度座標(x、y)=(0.723,0.277)の赤色発光を呈した。
そして、表3に示すように、特に実施例32から実施例34では、燐光ドーパントとしてPtTNPを用いた場合でも、良好な外部量子効率および長寿命を示した。
実施例27から39の場合、PtTNPは、3重項エネルギーギャップが1.77eVであり、700nmに発光波長を有し、色度座標(x、y)=(0.728,0.272)の赤色発光を呈した。
さらに、表4に示すように、特に実施例49から実施例52では、燐光ドーパントとしてNiq2Ir(acac).を用いた場合でも、良好な外部量子効率および長寿命を示した。
実施例40から52の場合、Niq2Ir(acac).は、3重項エネルギーギャップが1.91eVであり、650nmに発光波長を有し、色度座標(x、y)=(0.6835,0.3155)の赤色発光を呈した。
In Example 14 to Example 26, as shown in Table 2, even when PtTaNP was used as the phosphorescent dopant, good external quantum efficiency and long lifetime were exhibited.
In the case of Examples 14 to 26, PtTaNP has a triplet energy gap of 1.82 eV, an emission wavelength of 680 nm, and chromaticity coordinates (x, y) = (0.723, 0.277). A red luminescence was exhibited.
As shown in Table 3, particularly in Examples 32 to 34, even when PtTNP was used as the phosphorescent dopant, good external quantum efficiency and long lifetime were exhibited.
In Examples 27 to 39, PtTNP has a triplet energy gap of 1.77 eV, an emission wavelength of 700 nm, and chromaticity coordinates (x, y) = (0.728, 0.272). A red light was emitted.
Furthermore, as shown in Table 4, in Example 49 to Example 52, Niq2Ir (acac). Even when was used, good external quantum efficiency and long lifetime were exhibited.
In the case of Examples 40 to 52, Niq2Ir (acac). Had a triplet energy gap of 1.91 eV, an emission wavelength of 650 nm, and red emission of chromaticity coordinates (x, y) = (0.6835, 0.3155).
また、表5に示すように、実施例53から実施例65では、燐光ドーパントとしてPtOEtを用いた場合でも長寿命であった。
実施例53から65の場合、PtOEtは、3重項エネルギーギャップが1.91eVであり、650nmに発光波長を有し、色度座標(x、y)=(0.6735,0.3055)の赤色発光を呈した。
そして、表6および表7に示すように、実施例66から実施例82では、燐光ドーパントとしてPtTPBP、Ir(PQ)2acacを用いた場合では、良好な外部量子効率が得られず、寿命も短かった。
実施例66から78の場合、PtTPBPは、3重項エネルギーギャップが1.61eVであり、770nmに発光波長を有した。
また、実施例79から82の場合、Ir(PQ)2acacは、3重項エネルギーギャップが2.08eVであり、595nmに発光波長を有した。
Further, as shown in Table 5, in Examples 53 to 65, even when PtOEt was used as the phosphorescent dopant, the lifetime was long.
In Examples 53 to 65, PtOEt has a triplet energy gap of 1.91 eV, an emission wavelength of 650 nm, and chromaticity coordinates (x, y) = (0.6735, 0.3055). A red light was emitted.
As shown in Tables 6 and 7, in Examples 66 to 82, when PtTPBP and Ir (PQ) 2acac were used as the phosphorescent dopant, good external quantum efficiency was not obtained and the lifetime was short. It was.
In Examples 66 to 78, PtTPBP had a triplet energy gap of 1.61 eV and an emission wavelength of 770 nm.
In Examples 79 to 82, Ir (PQ) 2acac had a triplet energy gap of 2.08 eV and an emission wavelength of 595 nm.
そして、表8に示すように、実施例83では、発光層と電子輸送層との間にBCPを有する正孔阻止層を設けることにより、良好な外部量子効率が得られ、寿命も長くなった。
また、実施例84では、Alqの代わりのBalqを有する電子輸送層を設けることにより、良好な外部量子効率が得られ、寿命も長くなった。
そして、実施例85では、正孔注入層と発光層との間に、Irppzを有する電子阻止層を設けるとともに、発光層と電子注入層との間にBalqを有する電子輸送層を設けた。これにより、外部量子効率が向上し寿命は長くなった。
As shown in Table 8, in Example 83, by providing a hole blocking layer having BCP between the light emitting layer and the electron transporting layer, good external quantum efficiency was obtained, and the lifetime was also extended. .
Further, in Example 84, by providing an electron transport layer having Balq instead of Alq, good external quantum efficiency was obtained and the lifetime was extended.
In Example 85, an electron blocking layer having Irppz was provided between the hole injection layer and the light emitting layer, and an electron transport layer having Balq was provided between the light emitting layer and the electron injection layer. As a result, the external quantum efficiency was improved and the lifetime was extended.
アントラセン誘導体およびピレン誘導体は、燐光ドーパント用のホストとして用いた場合、CBPなどと比較して、外部量子効率が向上し、寿命が長くなることが分かった。
また、正孔阻止層および電子阻止層を備えた構成では、外部量子効率がさらに向上することが分かった。
When anthracene derivatives and pyrene derivatives are used as hosts for phosphorescent dopants, it has been found that the external quantum efficiency is improved and the lifetime is increased as compared with CBP and the like.
Further, it was found that the external quantum efficiency is further improved in the configuration including the hole blocking layer and the electron blocking layer.
実施例86では、実施例7と比較すると、発光層にさらに青ドーパントを含むとともに、電子輸送層においてAlqの代わりに化合物Jを用いることにより、有機EL素子は、半減寿命がさらに長くなることが分かった。
実施例87では、2a‘−59は青ドーパントBと組み合わせることができ、有機EL素子の半減寿命がさらに長くなることが分かった。
実施例88では、複数の発光層を設けることにより、有機EL素子の外部量子効率が向上し、半減寿命がさらに長くなることが分かった。
In Example 86, as compared with Example 7, the organic EL device may further have a half-life by including a blue dopant in the light emitting layer and using Compound J instead of Alq in the electron transport layer. I understood.
In Example 87, it was found that 2a′-59 can be combined with blue dopant B, and the half-life of the organic EL device is further increased.
In Example 88, it was found that by providing a plurality of light emitting layers, the external quantum efficiency of the organic EL element was improved and the half-life was further increased.
実施例89では、実施例88と比較すると、実施例89の第1発光層の構成材料が実施例88の第2発光層の構成材料と同じであり、実施例89の第2発光層の構成材料が実施例88の第1発光層の構成材料と同じである。すなわち、実施例89と実施例88とでは、第1発光層と第2発光層と順序が逆の関係にある。また、電子輸送層も異なる。
その結果、実施例89では、実施例88の場合よりも外部量子効率が低下するが、半減寿命は長くなることが分かった。
In Example 89, compared with Example 88, the constituent material of the first light emitting layer of Example 89 is the same as the constituent material of the second light emitting layer of Example 88, and the configuration of the second light emitting layer of Example 89 is the same. The material is the same as the constituent material of the first light emitting layer of Example 88. That is, in Example 89 and Example 88, the order of the first light emitting layer and the second light emitting layer is reversed. Also, the electron transport layer is different.
As a result, in Example 89, it was found that the external quantum efficiency was lower than that in Example 88, but the half-life was increased.
実施例90では、第1発光層、第2発光層、および第3発光層を備えており、実施例88と比較すると、実施例88の第1発光層と、第2発光層との間に2a‘−59を備えた発光層を設けた構成になっている。このような構成の違いがあっても、外部量子効率および半減寿命については、ほとんど異ならないことが分かった。 Example 90 includes a first light-emitting layer, a second light-emitting layer, and a third light-emitting layer. Compared to Example 88, the first light-emitting layer of Example 88 and the second light-emitting layer are interposed between them. The light emitting layer provided with 2a′-59 is provided. It was found that even with such a difference in configuration, the external quantum efficiency and the half-life are hardly different.
実施例91では、発光層が3つ設けられており、発光層が1つ設けられた場合や発光層が2つ設けられた場合と比較して、外部量子効率が大幅に向上することが分かった。
実施例92では、実施例89と比較すると、第2発光層にさらに緑ドーパントを含有し、電子輸送層にAlq3の代わりに化合物Jを用いることにより、外部量子効率が向上した。
In Example 91, three light emitting layers are provided, and it can be seen that the external quantum efficiency is significantly improved as compared with the case where one light emitting layer is provided or two light emitting layers are provided. It was.
In Example 92, compared with Example 89, the external light emission efficiency was improved by further containing a green dopant in the second light emitting layer and using compound J in place of Alq3 in the electron transport layer.
実施例93では、実施例86と比較すると、発光層にさらに緑ドーパントを含有することにより、半減寿命が長くなった。
実施例94では、実施例86と比較すると、CBPおよび緑ドーパントBを含有する発光層と、化合物Iを含有する電子輸送層とさらに備えることにより、外部量子効率が大幅に向上した。
実施例95では、実施例89と比較すると、電子輸送層においてAlq3の代わりに化合物Jを用い、CBPおよび緑ドーパントBを含有する発光層と、化合物Iを含有する電子輸送層とさらに備えることにより、外部量子効率が大幅に向上した。
実施例96では、実施例95と比較すると、第2発光層のホスト材料が2a‘―59と2b−9とで異なっていても、外部量子効率および半減寿命に大きな差は見られなかった。
In Example 93, as compared with Example 86, the half-life was increased by further containing a green dopant in the light emitting layer.
In Example 94, as compared with Example 86, the external quantum efficiency was greatly improved by further including a light-emitting layer containing CBP and green dopant B and an electron transport layer containing Compound I.
In Example 95, as compared with Example 89, the compound J was used in place of Alq3 in the electron transport layer, and a light emitting layer containing CBP and green dopant B and an electron transport layer containing compound I were further provided. The external quantum efficiency has been greatly improved.
In Example 96, compared with Example 95, even if the host material of the second light-emitting layer was different between 2a′-59 and 2b-9, there was no significant difference in external quantum efficiency and half life.
実施例97では、実施例1と比較すると、CDBPおよびFIrpicを有する発光層と、化合物Iを含有する電子輸送層とをさらに備えることにより、外部量子効率が大幅に向上した。
実施例98では、実施例97と比較すると、実施例97の第1発光層と第2発光層との間に、CBPおよび緑ドーパントBを有する発光層をさらに設けることにより、半減寿命が長くなることが分かった。
In Example 97, compared with Example 1, the external quantum efficiency was significantly improved by further including a light emitting layer having CDBP and FIrpic and an electron transporting layer containing Compound I.
In Example 98, as compared with Example 97, a half-life is increased by further providing a light-emitting layer having CBP and green dopant B between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer of Example 97. I understood that.
複数のドーパントを有する発光層を備えた有機EL素子は、1つのドーパントを有する発光層の場合よりも、半減寿命が長くなることが分かった。
また、発光層が複数設けられた有機EL素子は、発光層が1つからなる場合よりも、外部量子効率が大幅に向上することが分かった。
It has been found that the organic EL device having a light emitting layer having a plurality of dopants has a longer half-life than that of a light emitting layer having one dopant.
Moreover, it turned out that the external quantum efficiency improves significantly in the organic EL element provided with two or more light emitting layers compared with the case where a light emitting layer consists of one.
本発明は、例えば、薄型表示装置に用いる有機EL素子として利用することができる。 The present invention can be used, for example, as an organic EL element used in a thin display device.
10・・・有機EL素子
12・・・陽極
14・・・発光層
17・・・陰極
DESCRIPTION OF
Claims (9)
金属錯体に配位しない置換または無置換の多環式縮合芳香族骨格部を有し、この多環式縮合芳香族骨格部の核原子数は14から30であり、
前記ホスト材料の最低励起3重項エネルギーギャップが1.71eV以上2.09eV以下であり、
ことを特徴とするホスト材料。 A host material comprising a phosphorescent material in combination with a phosphorescent dopant,
Having a substituted or unsubstituted polycyclic fused aromatic skeleton that is not coordinated to the metal complex, the number of nuclear atoms of the polycyclic fused aromatic skeleton is 14 to 30;
The lowest excited triplet energy gap of the host material is 1.71 eV or more and 2.09 eV or less,
A host material characterized by that.
前記ホスト材料は、下記式(1)で表されるアントラセン誘導体または下記式(2)で表されるピレン誘導体である
ことを特徴とするホスト材料。
R1からR8は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。)
Lは、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基または置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
mは0から2の整数、nbは1から4の整数、sは0から2の整数、tは0から4の整数である。
また、LまたはAr1aは、ピレンの1から5位のいずれかに結合し、LまたはAr2aは、ピレンの6から10位のいずれかに結合する。
ただし、nb+tが偶数のとき、Ar1a、Ar2a、Lは下記(1)又は(2)を満たす。
(1)Ar1a≠Ar2a(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。)
(2)Ar1a=Ar2aの時
(2-1)m≠sおよび/またはnb≠t、又は
(2-2)m=sかつnb=tの時、
(2-2-1)L、またはピレンが、それぞれAr1aおよびAr2a上の異なる結合位置に結合しているか、
(2-2-2)L、またはピレンが、Ar1aおよびAr2a上の同じ結合位置に結合している場合、
L、またはAr1aおよびAr2aのピレンにおける置換位置が1位と6位、または2位と7位である場合はない。) The host material according to claim 1, wherein the host material is an anthracene derivative represented by the following formula (1) or a pyrene derivative represented by the following formula (2).
R 1 to R 8 are each a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 50 alkyl groups, substituted or unsubstituted cycloalkyl groups having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy groups having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl groups having 6 to 50 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group Group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure. )
L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a substituted or unsubstituted dibenzosilolylene group, respectively.
m is an integer from 0 to 2, nb is an integer from 1 to 4, s is an integer from 0 to 2, and t is an integer from 0 to 4.
L or Ar 1a is bonded to any of the 1 to 5 positions of pyrene, and L or Ar 2a is bonded to any of the 6 to 10 positions of pyrene.
However, when nb + t is an even number, Ar 1a , Ar 2a , and L satisfy the following (1) or (2).
(1) Ar 1a ≠ Ar 2a (where ≠ indicates a group having a different structure)
(2) When Ar 1a = Ar 2a
(2-1) m ≠ s and / or nb ≠ t, or
(2-2) When m = s and nb = t,
(2-2-1) L or pyrene are bonded to different bonding positions on Ar 1a and Ar 2a , respectively.
(2-2-2) When L or pyrene is bonded to the same bonding position on Ar 1a and Ar 2a ,
There is no case where the substitution positions of L or Ar 1a and Ar 2a in pyrene are the 1st and 6th positions, or the 2nd and 7th positions. )
前記アントラセン誘導体は、下記式(3)で表される非対称型アントラセン誘導体である
ことを特徴とするホスト材料。
R1からR10は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数5から50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはヒドロキシル基から選ばれる。
Ar1、Ar2、R9およびR10は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、式(3)において、中心のアントラセンの9位および10位に、前記アントラセン上に示すX−Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。) The host material according to claim 1,
The anthracene derivative is an asymmetric anthracene derivative represented by the following formula (3).
R 1 to R 10 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted Selected from silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group.
Ar 1 , Ar 2 , R 9 and R 10 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure.
However, in Formula (3), there is no case where a group that is symmetrical with respect to the XY axis shown on the anthracene is bonded to the 9th and 10th positions of the central anthracene. )
前記アントラセン誘導体は、下記式(4)で表されるビスアントラセン誘導体である
ことを特徴とするホスト材料。
Rは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3から50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基およびヒドロキシ基から選ばれる。また、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和または不飽和の環状構造を形成していてもよい。
Kは0から9の整数である。) The host material according to claim 1,
The anthracene derivative is a bisanthracene derivative represented by the following formula (4).
R represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms. Substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted nucleus Aryloxy group having 5 to 50 atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group, carboxyl group , A halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxy group. Further, adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure.
K is an integer from 0 to 9. )
前記アントラセン誘導体は、下記式(5)で表されるベンズアントラセン誘導体である
ことを特徴とするホスト材料。
R1からR12は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6から50の芳香族環基、置換もしくは無置換の核炭素数5から50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6から50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5から50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1から50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはヒドロキシル基から選ばれる。)
Ar1、Ar2、R11およびR12は、それぞれ複数であっても良く、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。) The host material according to claim 1,
The anthracene derivative is a benzanthracene derivative represented by the following formula (5).
R 1 to R 12 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted Selected from silyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group. )
Ar 1 , Ar 2 , R 11, and R 12 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure. )
前記燐光発光性ドーパントは、中心金属がイリジウム、白金、オスミウム、ルテニウム、レニウムの少なくともいずれかの有機金属錯体である
ことを特徴とする有機EL素子。 An organic EL device comprising a light-emitting layer containing a phosphorescent dopant and the host material according to any one of claims 1 to 5,
The organic EL device, wherein the phosphorescent dopant is an organometallic complex whose central metal is at least one of iridium, platinum, osmium, ruthenium, and rhenium.
第2ホスト材料を含有する第2発光層と、を備え
前記第2発光層は、前記ホスト材料と、前記燐光性ドーパントとは異なる波長で発光するドーパントを含有する
ことを特徴とする有機EL素子。 A first light emitting layer which is the light emitting layer according to claim 6;
A second light emitting layer containing a second host material, wherein the second light emitting layer contains a dopant that emits light at a wavelength different from that of the host material and the phosphorescent dopant. .
前記発光層は、さらに前記燐光発光性ドーパントとは異なる波長で発光するドーパントを含有する
ことを特徴とする有機EL素子。 A light emitting layer comprising the host material according to any one of claims 1 to 5 and the phosphorescent dopant according to claim 6,
The light emitting layer further contains a dopant that emits light at a wavelength different from that of the phosphorescent dopant.
前記燐光発光性ドーパントとは異なる波長で発光するドーパントは、前記燐光発光性ドーパントよりも短波長で発光する
ことを特徴とする有機EL素子。 In the organic EL device according to claim 7 or 8,
The organic EL device, wherein the dopant that emits light at a wavelength different from that of the phosphorescent dopant emits light at a shorter wavelength than the phosphorescent dopant.
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