JP4593212B2 - 薄膜トランジスタの作製方法、及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
特に{100}結晶面に揃えることにより、nチャネル型の薄膜トランジスタの移動度が向上する。そのため、nチャネル型の薄膜トランジスタが有する結晶性半導体膜は、{100}結晶面に強く配向させ、pチャネル型の薄膜トランジスタが有する結晶性半導体膜は{110}結晶面、及び{111}結晶面を相対的に多く配向させることにより、半導体装置の性能、特に移動度等の電気特性を向上させることができる。
本実施の形態では、結晶の配向性が制御された結晶性半導体膜の作製方法について説明する。
る場合、デバイスの電気特性やコンタクト抵抗の増加等により半導体膜の膜厚を薄くして
結晶性半導体膜を形成する工程は必要とされていなかった。一般に、半導体膜を成膜する
場合、成膜室を安定な状態に保持した後、成膜を開始している。薄い半導体膜を形成する
場合、成膜条件、特に上記のような成膜時間が極端に短くなってしまう。以上を踏まえる
と、薄い薄膜トランジスタを形成するため、成膜時間を極端に短くすることは工程上不
都合なことが多く、必要とされなかった。またさらに一般的な半導体膜の膜厚は、薄膜ト
ランジスタの電気特性からみて最適化されてきたものであり、半導体膜を薄膜化する必要
がなかった。
本実施の形態では、{100}結晶面に強く配向させる結晶性半導体膜と、その他の結晶面、具体的には{110}や{111}結晶面に強く配向させる結晶性半導体膜とを作り分ける作製方法について説明する。なお本実施の形態も実施の形態1と同様に、非晶質半導体膜に非晶質珪素膜を用い、金属元素としてNiを用いる場合で説明する。
本実施の形態では、結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法について説明する。なお、上述したように30nm以下、特に{100}結晶面を強く配向させるためには14nm以下の膜厚を有する非晶質半導体膜を特徴とするが、薄膜トランジスタの作製条件やデバイスの電気特性からみて、半導体膜の膜厚を高すると好ましい。そのため本実施の形態では、非晶質半導体膜(第1の非晶質半導体膜)上にさらに非晶質半導体膜(第2の非晶質半導体膜)を積層する場合を説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる工程により、結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタを作製する方法について説明する。
本実施の形態では、結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタを有する発光装置の断面図を示す。
本実施例では、上記実施の形態により得られる結晶性珪素膜の配向性をEBSP測定により求めた結果を示す。EBSP測定は、走査型電子顕微鏡(SEM)に専用の検出器を設け、電子ビームを結晶面に照射してその菊池線からの結晶方位同定をコンピューターで画像認識させることによって、そのミクロな結晶性を表面配向のみならず、結晶の全方向に関して測定するものである。そしてEBSP測定においては、許容ずれ角(許容角度)を定めて結晶粒の配向性の割合を表示することができる。ここで許容角度とは、膜表面における垂線に対するずれ角である。
本実施例では、10nmの非晶質珪素膜にNi添加後加熱処理を行い、第2の非晶質珪素膜を積層後に加熱処理を行い、更にレーザー照射を行った試料のSEM写真を図7に示す。
本実施例では、実施例1とは異なる方法により得られた結晶性珪素膜の配向性をEBSP測定により求めた結果を示す。
本実施例では、結晶性珪素膜を用いて形成された薄膜トランジスタの電気特性を示す。なお、薄膜トランジスタのチャネル長(L)は50μm、チャネル幅(W)は50μmとなるように設計した薄膜トランジスタを用いて測定した。
nチャネル型薄膜トランジスタの場合、試料Aの電界効果移動度は、267cm2/Vsであり、試料Dの電界効果移動度は、291cm2/Vsであり、10%高まったことがわかった。なお、電界効果移動度の最大値でみると、試料Aは286cm2/Vsであり、試料Dは344cm2/Vssであり、20%近く高まることがわかった。
Claims (4)
- 選択的に14nm以下の非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質珪素膜を加熱することにより、{100}結晶面が{110}結晶面及び{111}結晶面より多く配向した結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜にn型の不純物元素を添加する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の領域及び第2の領域に14nm以下の第1の非晶質珪素膜を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第1の非晶質珪素膜を加熱することにより、{100}結晶面が{110}結晶面及び{111}結晶面より多く配向した第1の結晶性珪素膜を形成し、
前記第2の領域に形成された前記第1の結晶性珪素膜を選択的に除去し、
前記第1の領域及び前記第2の領域に14nmより大きく30nm以下の第2の非晶質珪素膜を形成し、
少なくとも前記第2の領域に形成された前記第2の非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第1の結晶性珪素膜及び前記第2の非晶質珪素膜を加熱することにより前記第1の領域に{100}結晶面が{110}結晶面及び{111}結晶面より多く配向した第2の結晶性珪素膜を形成し、前記第2の領域に{110}結晶面及び{111}結晶面のいずれかが{100}結晶面より多く配向した第2の結晶性珪素膜を形成し、
前記第1及び第2の結晶性珪素膜に不純物元素を添加し、
前記第1の領域にnチャネル型の薄膜トランジスタを形成し、前記第2の領域にpチャネル型の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の領域に14nm以下の第1の非晶質珪素膜を形成し、第2の領域に14nmより大きく30nm以下の第2の非晶質珪素膜を形成し、
前記第1及び第2の非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第1及び第2の非晶質珪素膜を加熱することにより、前記第1の領域に{100}結晶面が{110}結晶面及び{111}結晶面より多く配向した第1の結晶性珪素膜を形成し、前記第2の領域に{110}結晶面及び{111}結晶面のいずれかが{100}結晶面より多く配向した第2の結晶性珪素膜を形成し、
前記第1及び第2の結晶性珪素膜に不純物元素を添加して前記第1の領域にnチャネル型の薄膜トランジスタを形成し、前記第2の領域にpチャネル型の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 同一基板上の第1の領域及び第2の領域に14nm以下の第1の非晶質珪素膜を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第1の非晶質珪素膜を加熱することにより、{100}結晶面が{110}結晶面及び{111}結晶面より多く配向した第1の結晶性珪素膜を形成し、
前記第2の領域に形成された前記第1の結晶性珪素膜を選択的に除去し、
前記第1の領域及び前記第2の領域に14nmより大きく30nm以下の第2の非晶質珪素膜を形成し、
少なくとも前記第2の領域に形成された前記第2の非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第1の結晶性珪素膜及び前記第2の非晶質珪素膜を加熱することにより前記第1の領域に{100}結晶面が{110}結晶面及び{111}結晶面より多く配向した第2の結晶性珪素膜を形成し、前記第2の領域に{110}結晶面及び{111}結晶面のいずれかが{100}結晶面より多く配向した第2の結晶性珪素膜を形成し、
前記第1及び第2の結晶性珪素膜に不純物元素を添加し、
前記第1の領域にnチャネル型の薄膜トランジスタを形成し、前記第2の領域にpチャネル型の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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