JP4556814B2 - Device, device driving method, and electronic apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、装置、装置の駆動方法、及び電子機器に関する。 The present invention relates to an apparatus, a driving method of the apparatus, and an electronic apparatus.
有機エレクトロルミネッセンス(OEL)素子は、アノード層とカソード層に挟まれた発光物質層を備えている。この素子は、電気的には、ダイオードのように動作する。この素子は、光学的には、順バイアス時に発光し、順バイアス電流の増加にともなってその発光強度が増加する。少なくとも1つの透明電極層を有しつつ透明基板上に作りこまれた有機エレクトロルミネッセンス素子のマトリクスを用いて、ディスプレイパネルを構築することが可能である。低温ポリシリコン薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタ)技術を用いることにより、このパネル上に、駆動回路をも一体的に設けることができる。 An organic electroluminescence (OEL) element includes a light emitting material layer sandwiched between an anode layer and a cathode layer. This element operates electrically like a diode. Optically, this element emits light at the time of forward bias, and the light emission intensity increases as the forward bias current increases. A display panel can be constructed using a matrix of organic electroluminescent elements built on a transparent substrate with at least one transparent electrode layer. By using a low-temperature polysilicon thin film transistor (thin film transistor) technology, a driving circuit can be integrally provided on the panel.
アクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ用の基本的なアナログ駆動方式(例えば、特許文献1)では、原理的に、1画素につき少なくとも2つのトランジスタが必要である(図1)。T1は画素を選択し、T2は、データ電圧信号を、有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)を指定の輝度で発光させるための駆動電流に変換する。前記データ信号は、画素が選択されていないときには、蓄積容量素子(storage capacitor)Cstorageに保存される。各図には、Pチャンネル型の薄膜トランジスタが示されているが、Nチャンネル型薄膜トランジスタを用いた回路にも同じ原理が適用できる。 In a basic analog driving system for an active matrix organic electroluminescence display (for example, Patent Document 1), in principle, at least two transistors are required per pixel (FIG. 1). T1 selects a pixel, and T2 converts the data voltage signal into a drive current for causing the organic electroluminescence element (OELD) to emit light with a specified luminance. The data signal is stored in a storage capacitor Cstorage when no pixel is selected. Each figure shows a P-channel thin film transistor, but the same principle can be applied to a circuit using an N-channel thin film transistor.
薄膜トランジスタアナログ回路には問題があり、また、有機エレクトロルミネッセンス素子はダイオードと全く同じように振る舞う訳ではない。しかし、発光物質は、比較的均一な特性を有する。薄膜トランジスタ製造法に由来して、パネル全体には、薄膜トランジスタの特性に関する空間的なばらつきが生ずる。薄膜トランジスタアナログ回路において最も重要な考慮すべき点の一つは、デバイス間におけるしきい値電圧△Vtのばらつきである。完全にダイオード的な振る舞いを示さないことに起因する、このような有機エレクトロルミネッセンスディスプレイのばらつきの結果、ディスプレイパネル全体で画素の輝度が不均一になる。これは著しく画像の品質を損なう。このため、トランジスタ特性のばらつきを補償するための組み込み回路が必要とされている。 There are problems with thin film transistor analog circuits, and organic electroluminescent devices do not behave exactly like diodes. However, the luminescent material has relatively uniform characteristics. Due to the thin film transistor manufacturing method, there is a spatial variation in the characteristics of the thin film transistor throughout the panel. One of the most important considerations in thin film transistor analog circuits is the variation in threshold voltage ΔVt between devices. As a result of such variations in organic electroluminescent displays resulting from not exhibiting a complete diode behavior, the brightness of the pixels across the display panel is non-uniform. This significantly impairs image quality. For this reason, a built-in circuit for compensating for variations in transistor characteristics is required.
図2に示す回路(例えば、特許文献2)は、トランジスタ特性のばらつきを補償するための組み込み回路の1つとして挙げられる。この回路において、T1は画素を選択するためのものである。T2はアナログ電流制御として機能し、駆動電流を供給する。T3は、T2のドレイン及びゲート間を接続し、T2を、ダイオード又は飽和の状態に切り替える。T4はスイッチとして動作する。T1とT4は、どの時点においても、どちらか一方のみがオンとなる。初期状態では、T1及びT3がオフで、T4がオンである。T4をオフにしたとき、T1及びT3がオンとなり、所定の(known)値の電流がT2を介して有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)に流れ込むようにできる。T2のしきい値電圧がそのT2がダイオードとして動作している(T3がオン)状態で測定され、このときプログラミング電流がT1及びT2を介して有機エレクトロルミネッセンス素子に流れ込むことができる。これがプログラミングステージ(programming stage)である。T3は、T2のドレイン及びゲート間を短絡し、T2をダイオードの状態へと切り替える。T2で検出されるしきい値電圧は、T3及びT1がオフのとき、T2のゲート及びソース端子間に接続された容量素子C1に蓄積される。T4がオンになると、今度はVDDにより電流が供給される。出力特性の勾配(slope)が平坦であれば、T2の検出されるしきい値電圧がどのような値であっても、リプロダクション電流(reproduced current)はプログラム電流と等しくなるであろう。T4をオンにすることにより、T2のドレイン−ソース間の電圧は引き上げられ、その結果、出力特性の平坦性によりリプロダクション電流がプログラム電流と等しく保たれる。図2に示された△VT2 は、仮想的であって、現実のものではない点に注意してほしい。 The circuit shown in FIG. 2 (for example, Patent Document 2) is cited as one of built-in circuits for compensating for variations in transistor characteristics. In this circuit, T1 is for selecting a pixel. T2 functions as analog current control and supplies drive current. T3 connects the drain and gate of T2 and switches T2 to a diode or saturated state. T4 operates as a switch. Only one of T1 and T4 is turned on at any time. In the initial state, T1 and T3 are off and T4 is on. When T4 is turned off, T1 and T3 are turned on, and a current with a predetermined value can flow into the organic electroluminescence device (OELD) through T2. The threshold voltage of T2 is measured with T2 operating as a diode (T3 is on), at which time programming current can flow into the organic electroluminescent device via T1 and T2. This is the programming stage. T3 short-circuits between the drain and gate of T2, and switches T2 to the diode state. The threshold voltage detected at T2 is stored in the capacitive element C1 connected between the gate and source terminals of T2 when T3 and T1 are off. When T4 is turned on, current is now supplied by VDD. If the slope of the output characteristic is flat, the regenerated current will be equal to the programmed current whatever the threshold voltage detected for T2. By turning on T4, the drain-source voltage of T2 is raised, and as a result, the re-production current is kept equal to the program current due to the flatness of the output characteristics. Note that ΔVT2 shown in FIG. 2 is virtual and not real.
図2のタイミングチャートでt2からt5の範囲で示されるアクティブプログラミングステージにおいては、理論上、一定値の電流が供給される。リプロダクションステージ(reproduction stage)はt6において開始する。 In the active programming stage shown in the timing chart of FIG. 2 in the range from t2 to t5, a constant current is theoretically supplied. The production stage begins at t6.
図2の回路は効果的であるが、依然として、電力消費の低減というニーズがある。特に、図2の回路において電流源を提供するには、供給電圧VDDに加えてバイアス電圧VBIASが必要である。供給電圧VDDを、必要なバイアス電圧VBIASの分まで大きくすることもできる。そうすれば構成要素の数を低減させる効果はあるが、いかなる値のデータ電流(IDAT)をプログラムする場合でも、システム全体の電力消費はやはり、増加してしまう。 While the circuit of FIG. 2 is effective, there is still a need for reduced power consumption. In particular, providing a current source in the circuit of FIG. 2 requires a bias voltage VBIAS in addition to the supply voltage VDD. The supply voltage VDD can be increased to the required bias voltage VBIAS. This has the effect of reducing the number of components, but the power consumption of the entire system is still increased when programming any value of data current (IDAT).
本発明では、図2の回路を通過する全ての電流が有機エレクトロルミネッセンス素子を通過するという事実に注目する。このことが本発明にとっていかに重要であるかは、以下の説明によって明らかになるであろう。 In the present invention, attention is paid to the fact that all current passing through the circuit of FIG. 2 passes through the organic electroluminescent element. How important this is to the present invention will become apparent from the following description.
本発明に係る第1の装置は、駆動回路と、データ電流を供給するためのデータ線と、を含み、前記駆動回路は、電流駆動素子に供給される駆動電流の電流値を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを前記データ線を介して電流シンクに接続する第1のスイッチングトランジスタと、を含むことを特徴とする。 A first device according to the present invention includes a drive circuit and a data line for supplying a data current, and the drive circuit controls a current value of a drive current supplied to a current drive element. And a first switching transistor that connects the driving transistor to a current sink through the data line.
本発明に係る第2の装置は、データ線と、駆動回路と、データ電流を供給するためのデータ線と、前記データ線に接続された電流シンクと、を含み、前記駆動回路は、電流駆動素子に供給される駆動電流の電流値を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子と、前記容量素子と前記データ線との導通を制御する第1のスイッチングトランジスタと、を含み、前記容量素子は、データ電流に応じた電荷を蓄積することを特徴とする。 A second device according to the present invention includes a data line, a drive circuit, a data line for supplying a data current, and a current sink connected to the data line, wherein the drive circuit is current driven A driving transistor that controls a current value of a driving current supplied to the element; a capacitive element connected to a gate of the driving transistor; a first switching transistor that controls conduction between the capacitive element and the data line; The capacitor element stores charges according to a data current.
本発明に係る第3の装置は、データ線と、駆動回路と、データ電流を供給するためのデータ線と、を含み、前記駆動回路は、電流駆動素子に供給される駆動電流の電流値を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子と、前記容量素子と前記データ線との導通を制御する第1のスイッチングトランジスタと、を含み、前記駆動トランジスタの動作電圧は、電源電圧から前記データ線及び前記第1のスイッチングトランジスタを介して流れるデータ電流により設定されることを特徴とする。 A third device according to the present invention includes a data line, a drive circuit, and a data line for supplying a data current, and the drive circuit determines a current value of the drive current supplied to the current drive element. A drive transistor to be controlled; a capacitive element connected to a gate of the drive transistor; and a first switching transistor that controls conduction between the capacitive element and the data line, and an operating voltage of the drive transistor is: It is set by a data current flowing from the power supply voltage through the data line and the first switching transistor.
上記の装置において、前記データ電流は、プログラムステージ中、前記駆動トランジスタを通過することが好ましい。 In the above apparatus, it is preferable that the data current passes through the driving transistor during a program stage.
上記の装置において、前記駆動回路は、さらに前記電流駆動素子と前記駆動トランジスタとの導通を制御する第2のスイッチングトランジスタを含むことが好ましい。 In the above apparatus, it is preferable that the driving circuit further includes a second switching transistor that controls conduction between the current driving element and the driving transistor.
上記の装置において、前記第1のスイッチングトランジスタ及び前記第2のスイッチングトランジスタは、それぞれ互いに独立した制御信号により制御されていることが好ましい。 In the above apparatus, it is preferable that the first switching transistor and the second switching transistor are controlled by control signals independent of each other.
上記の装置において、リプロダクションステージ中に、前記駆動電流が前記電流駆動素子に供給されることが好ましい。 In the above apparatus, it is preferable that the drive current is supplied to the current drive element during a re-production stage.
上記の装置において、前記第1のスイッチングトランジスタはマルチゲート構造を有していてもよい。 In the above device, the first switching transistor may have a multi-gate structure.
上記の装置において、前記第1のスイッチングトランジスタはLDD構造を有していてもよい。 In the above device, the first switching transistor may have an LDD structure.
上記の装置において、前記駆動回路は、前記駆動トランジスタのドレインと前記駆動トランジスタのゲートとの導通を制御する第3のスイッチングトランジスタをさらに含んでいてもよい。 In the above apparatus, the drive circuit may further include a third switching transistor that controls conduction between the drain of the drive transistor and the gate of the drive transistor.
上記の装置において、前記電流シンクは、接地あるいは基準電圧に接続されていることが好ましい。 In the above device, the current sink is preferably connected to ground or a reference voltage.
上記装置において、前記電流駆動素子は、エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。 In the above device, the current driving element may be an electroluminescence element.
上記の装置において、前記データ電流は、前記電流駆動素子を流れないようにしてもよい。 In the above apparatus, the data current may not flow through the current driving element.
本発明に係る装置の駆動方法は、駆動回路とデータ線とを備え、前記駆動回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲートに接続された容量素子と、を含む装置の駆動方法であって、データ電流を電源電圧から前記第2のトランジスタ及び前記データ線を介して電流シンクに流すことにより、前記容量素子に前記データ電流に対応する電荷を蓄積し、電流駆動素子に前記容量素子に蓄積された前記電荷に対応する電流値を有する駆動電流を供給することを特徴とする。
上記の装置によりで電子機器を構成することができる。
A driving method of a device according to the present invention includes a driving circuit and a data line, and the driving circuit includes a first transistor, a second transistor, and a capacitive element connected to a gate of the first transistor. , And storing a charge corresponding to the data current in the capacitive element by flowing a data current from a power supply voltage to a current sink via the second transistor and the data line. The driving current having a current value corresponding to the charge accumulated in the capacitor element is supplied to the current driving element.
An electronic apparatus can be configured using the above-described apparatus.
本発明の第1の様態によれば、プログラミングステージ及びリプロダクションステージを有するステージにおいて動作する駆動回路であって、前記回路は、それぞれが前記回路を通過する複数の電流経路と、電流駆動素子と、前記素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、プログラミングステージ中に前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、前記電流経路を制御するスイッチ手段とを有し、この回路構成(the arrangement)では、前記電流経路の1つが前記素子を含まないこととする駆動回路が提供される。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a drive circuit that operates in a stage having a programming stage and a reproduction stage, the circuit comprising a plurality of current paths each passing through the circuit, a current drive element, A transistor connected to operate for controlling the current supplied to the element, a capacitive element connected to store an operating voltage of the transistor during a programming stage, and a switch means for controlling the current path In this arrangement, a drive circuit is provided in which one of the current paths does not include the element.
本発明の第2の様態によれば、EL(エレクトロルミネッセンス)装置の画素を駆動するための駆動回路であって、前記画素はエレクトロルミネッセンス素子を有し、前記回路は、前記エレクトロルミネッセンス素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、プログラミングステージ中に、前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、前記プログラミングステージ中の動作時に、前記トランジスタを通過する電流経路を生じさせる第1のスイッチ手段と、リプロダクションステージ中の動作時に、前記トランジスタ及び前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を生じさせる第2のスイッチ手段とを有し、前記第1スイッチ手段は、前記プログラミングステージ中の電流経路が前記エレクトロルミネッセンス素子を通過しないように接続されていることとする駆動回路が提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a driving circuit for driving a pixel of an EL (electroluminescence) device, wherein the pixel has an electroluminescence element, and the circuit supplies the electroluminescence element. A transistor connected to operate to control the current being passed, a capacitive element connected to store the operating voltage of the transistor during a programming stage, and passing through the transistor during operation during the programming stage First switch means for generating a current path for generating current, and second switch means for generating a current path for passing through the transistor and the electroluminescent element during operation in a reproduction stage. Means are current paths in the programming stage Driving circuit is provided to be connected so as not to pass through the electroluminescent element.
本発明の第3の様態によれば、エレクトロルミネッセンス装置の画素を駆動するための駆動回路であって、前記画素はエレクトロルミネッセンス素子を有し、前記回路は、前記エレクトロルミネッセンス素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、プログラミングステージ中に、前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、前記プログラミングステージ中の動作時に、前記トランジスタを通過する電流経路を生じさせる第1のスイッチ手段と、リプロダクションステージ中の動作時に、前記トランジスタ及び前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を生じさせる第2のスイッチ手段と、電流シンク(current sink)とを有し、前記第1のスイッチ手段は、前記プログラミングステージ中の電流経路が前記トランジスタを介して前期電流シンクへと通じるように接続されていることを特徴とする駆動回路が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a driving circuit for driving a pixel of an electroluminescence device, wherein the pixel has an electroluminescence element, and the circuit includes a current supplied to the electroluminescence element. A transistor connected to operate for control, a capacitive element connected to store an operating voltage of the transistor during a programming stage, and a current path through the transistor during operation during the programming stage A first switch means for generating a current path; a second switch means for generating a current path through the transistor and the electroluminescent element during operation during the re-production stage; and a current sink. , The first switch means is the programming Driving circuit is provided that the current path in the stage is characterized in that it is connected so as to communicate with the previous period current sink through the transistor.
本発明の第4の様態によれば、エレクトロルミネッセンス素子への電流供給を制御する方法であって、プログラミングステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過しない電流経路を提供するステップと、リプロダクションステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を提供するステップとを有する方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for controlling current supply to an electroluminescent device, the method comprising: providing a current path that does not pass through the electroluminescent device during a programming stage; Providing a current path through the electroluminescent device.
本発明の第5の様態によれば、エレクトロルミネッセンス素子への電流供給を制御する方法であって、プログラミングステージ中に、電流シンクへと接続された電流経路を提供するステップと、リプロダクションステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を提供するステップとを有する方法が提供される。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for controlling current supply to an electroluminescent device, comprising providing a current path connected to a current sink during a programming stage, and during a reproduction stage. Providing a current path through the electroluminescent device.
本発明の第6の様態によれば、前記本発明の第1から第3の様態のいずれかに係る駆動回路を1つ又は2つ以上備えたエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置が提供される。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an electroluminescence display device comprising one or more drive circuits according to any one of the first to third aspects of the present invention.
本発明の第7の様態によれば、本発明の前記第6の様態に係るエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置を用いた電子機器が提供される。 According to the seventh aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus using the electroluminescence display device according to the sixth aspect of the present invention.
本発明の第8の様態によれば、電流駆動素子を有する回路であって、この回路は、前記電流駆動素子を含む第1の電流経路と、前記電流駆動素子を含まない第2の電流経路とを有する回路が提供される。 According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a circuit having a current driving element, the circuit including a first current path including the current driving element and a second current path not including the current driving element. Is provided.
本発明の第9の様態によれば、電流駆動素子を有する回路であって、この回路は、前記電流駆動素子を通過する電流を流す第1の電流経路と、前記電流駆動素子を通過する電流を流さない第2の電流経路とを有する回路が提供される。
本発明の第10の様態によれば、電流駆動素子と、前記電流駆動素子への電流供給を制御するトランジスタとを備えた回路を駆動する方法であって、所定の電流に基づいて前記トランジスタのゲート電圧を決定するステップを有する方法が提供される。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a circuit having a current driving element, the circuit including a first current path for passing a current passing through the current driving element, and a current passing through the current driving element. And a second current path that does not conduct current.
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of driving a circuit comprising a current driving element and a transistor for controlling current supply to the current driving element, wherein the transistor is driven based on a predetermined current. A method is provided that includes determining a gate voltage.
本発明によれば、プログラミングステージ中は、電流制御トランジスタによる、電流駆動素子への電流供給はないということに気づくであろう。本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、このエレクトロルミネッセンス装置によって表示される画像の質を損なうことなく、画素駆動回路を実現することができる。本発明では、プログラミングステージ及びリプロダクションステージにおいて、等しい電流が流されて従来技術に比べ、トータルな電力消費を低減させる効果をも有する。さらに、従来技術は高バイアスの電圧を必要としたのに対して、本発明の回路は、通常の供給電圧により動作させることができる。実際、本発明ではプログラミング電流の経路とリプロダクション電流の経路とを分けることができる。これにより、多くの効果が得られる。例えば、プログラミングステージにおいて、有機エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流が無ければ、プログラミングステージをより高速に動作させることができる。なぜならば、このような構成では、有機エレクトロルミネッセンス素子の寄生容量(parasitic capacitance)により引き起こされる低速化を防止することができるからである。 It will be noted that according to the present invention, during the programming stage, there is no current supply to the current drive element by the current control transistor. In the electroluminescence device of the present invention, a pixel driving circuit can be realized without deteriorating the quality of an image displayed by the electroluminescence device. In the present invention, in the programming stage and the re-production stage, an equal current is supplied, and there is an effect of reducing the total power consumption as compared with the prior art. Furthermore, while the prior art required a high bias voltage, the circuit of the present invention can be operated with a normal supply voltage. In fact, the present invention allows the programming current path and the re-production current path to be separated. Thereby, many effects can be obtained. For example, if there is no current passing through the organic electroluminescence element in the programming stage, the programming stage can be operated at a higher speed. This is because such a configuration can prevent the speed reduction caused by the parasitic capacitance of the organic electroluminescence element.
本発明の実施形態について、さらに実例によって、添付の図面を参照しつつ説明する。これらはあくまでも例示に過ぎない。 Embodiments of the present invention will be further described by way of example with reference to the accompanying drawings. These are merely examples.
本発明の第1の実施形態に係る画素駆動回路を図3に示す。トランジスタT2は、有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)への駆動電流を供給するアナログ電流コントローラとして動作する。また、蓄積容量素子(ストレージキャパシタ)C1は、トランジスタT2のゲート及びソースの間に接続されている。図2の回路においては、プログラミングステージ中に、電流源がトランジスタT1を経由してトランジスタT2のソースに接続され、そのため、有機エレクトロルミネッセンス素子に電流が供給される。本発明に係る本実施形態では、トランジスタT1は、プログラミングステージ中にトランジスタT2を電流シンクへと接続する。つまり、本発明では、プログラミングステージ中にT2を介して有機エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流はゼロである。図3の回路において、トランジスタT2のドレインは、トランジスタT3のソース−ドレイン経路を介して、トランジスタT1のソースに接続されている。トランジスタT1のソースはトランジスタT2のゲートに接続され、トランジスタT1とT3のゲートは互いに接続されている。T1とT3のゲートには、プログラミング電圧Vpが印加される。プログラミングステージ中オフにされるトランジスタT4は、T2のドレインとT3のソースを有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)に接続している。プログラミングステージ中、トランジスタT1は、トランジスタT2を、接地もしくは基準電圧に接続された電流シンクに接続する。 A pixel drive circuit according to the first embodiment of the present invention is shown in FIG. The transistor T2 operates as an analog current controller that supplies a drive current to the organic electroluminescence element (OELD). The storage capacitor element (storage capacitor) C1 is connected between the gate and source of the transistor T2. In the circuit of FIG. 2, during the programming stage, a current source is connected to the source of the transistor T2 via the transistor T1, so that current is supplied to the organic electroluminescent element. In this embodiment according to the invention, transistor T1 connects transistor T2 to the current sink during the programming stage. That is, in the present invention, the current flowing through the organic electroluminescence element via T2 during the programming stage is zero. In the circuit of FIG. 3, the drain of the transistor T2 is connected to the source of the transistor T1 via the source-drain path of the transistor T3. The source of the transistor T1 is connected to the gate of the transistor T2, and the gates of the transistors T1 and T3 are connected to each other. A programming voltage Vp is applied to the gates of T1 and T3. Transistor T4, which is turned off during the programming stage, connects the drain of T2 and the source of T3 to an organic electroluminescent device (OELD). During the programming stage, transistor T1 connects transistor T2 to a current sink connected to ground or a reference voltage.
図3の回路は、プログラミングステージ中、T4がオフで、T1及びT3がオンの状態で動作する。オンの状態のT3は、T2をダイオードとして動作させる効果を有する。また、T1は、このダイオードをデータ電流シンクへと接続する。その結果、容量素子C1は蓄電(電荷の蓄積)する(又は、前フレーム中に蓄積された電圧に依存して放電する)。容量素子C1は、トランジスタT2のゲート−ソース間電圧に応じて蓄電し、その結果、リプロダクションステージ中に有機エレクトロルミネッセンス素子への電流供給を制御することになる電圧(VGS2、データ電流IDATに対応)を蓄積する。プログラミングステージの終了時に、T1及びT3はオフとなる。このフレームの残りの期間のために、電圧VGS2がC1に蓄積される。回路図及びこの説明から容易に理解されるように、本発明によれば、電流源を提供するためのバイアス電圧は特に必要ない。つまり、図3における供給電圧(VDD)は、T2及び有機エレクトロルミネッセンス素子により決定され、電流源の電力用の高電圧は特に必要ない。この回路に必要となる電圧は最大でも、明らかに、図2の回路において必要となる大きさよりも小さい。 The circuit of FIG. 3 operates during the programming stage with T4 off and T1 and T3 on. The on state T3 has the effect of operating T2 as a diode. T1 also connects this diode to the data current sink. As a result, the capacitive element C1 accumulates (accumulates charges) (or discharges depending on the voltage accumulated during the previous frame). The capacitive element C1 stores electricity according to the gate-source voltage of the transistor T2, and as a result, corresponds to the voltage (VGS2, data current IDAT) that controls the current supply to the organic electroluminescence element during the reproduction stage. ). At the end of the programming stage, T1 and T3 are off. For the remaining period of this frame, voltage VGS2 is stored in C1. As can be readily understood from the circuit diagram and this description, according to the present invention, no bias voltage is particularly required to provide a current source. That is, the supply voltage (VDD) in FIG. 3 is determined by T2 and the organic electroluminescence element, and a high voltage for the power of the current source is not particularly required. The voltage required for this circuit is at most clearly smaller than that required for the circuit of FIG.
T4がオフの状態にあるプログラミングステージ開始時には、デバイスを通じて放電される寄生容量現象を有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)が示す。C1の蓄電速度は、プログラミングステージにかかる時間を決定する。本発明の実施形態の回路においては、C1の容量は比較的小さくすることができ、そのため蓄電は非常に高速に行われる。その結果、T2から有機エレクトロルミネッセンス素子に電流が全く供給されない期間は、フレーム全体と較べると非常に短い。これらのことと人間の眼の残像効果とから、表示される画像には、認識可能な劣化は生じない。 At the start of the programming stage when T4 is off, the organic electroluminescent element (OELD) exhibits a parasitic capacitance phenomenon that is discharged through the device. The storage speed of C1 determines the time taken for the programming stage. In the circuit according to the embodiment of the present invention, the capacity of C1 can be made relatively small, so that power storage is performed at a very high speed. As a result, the period during which no current is supplied from the T2 to the organic electroluminescence element is very short compared to the entire frame. From these and the afterimage effect of the human eye, no recognizable deterioration occurs in the displayed image.
C1が蓄電されてT3がオフになった後、T3のオフ抵抗は、このフレームの残り期間中、C1に印加された電圧に影響を与え得るので、T3のオフ抵抗が重要になることがある。そのため、T3のゲート−ソース間容量は、C1に比較して小さいことが望ましい。 After C1 is charged and T3 is turned off, the off-resistance of T3 can be important because the off-resistance of T3 can affect the voltage applied to C1 for the remainder of this frame. . Therefore, it is desirable that the gate-source capacitance of T3 is smaller than that of C1.
リプロダクション電圧VRは、トランジスタT4のゲートに印加される。図3の回路における、リプロダクションステージの開始時には、T4はオンであり、T1及びT3はオフのままである。その結果、T2は、C1によりバイアスされたVGS2により電流源として動作し、電流を有機エレクトロルミネッセンス素子に供給する。リプロダクションステージの終了時には、T4はオフにされ、T1及びT3はオフのままとどまる。これにより1つのサイクルが終了する。この駆動波形は、図3に示されている。 Reproduction voltage VR is applied to the gate of transistor T4. At the beginning of the re-production stage in the circuit of FIG. 3, T4 is on and T1 and T3 remain off. As a result, T2 operates as a current source by VGS2 biased by C1, and supplies current to the organic electroluminescence element. At the end of the re-production stage, T4 is turned off and T1 and T3 remain off. This ends one cycle. This drive waveform is shown in FIG.
図4は、本発明に係る第2の実施形態を示している。図4の回路は、トランジスタT3の接続形態が図3の回路と異なっている。図4の回路では、T1はT3のドレイン−ソース経路を経由してC1に接続されている。図4の回路は、プログラミングステージ中にT3が電流経路上に位置していないという点で図3の回路よりも好ましい。それ以外の動作及び効果の点では、第2の実施形態は第1の実施形態と同じである。 FIG. 4 shows a second embodiment according to the present invention. The circuit of FIG. 4 is different from the circuit of FIG. 3 in the connection form of the transistor T3. In the circuit of FIG. 4, T1 is connected to C1 via the drain-source path of T3. The circuit of FIG. 4 is preferred over the circuit of FIG. 3 in that T3 is not on the current path during the programming stage. In other operations and effects, the second embodiment is the same as the first embodiment.
図5は、アクティブマトリックスディスプレイにおける多数の画素を示す回路図である。各画素は、図4に示された回路に合わせて実現されている。図示を簡単にするために、モノクロのディスプレイ装置が示されている。この回路はアクティブマトリクス型のものなので、同じ行(row)の画素は、同時に選択される。トランジスタT3が、画素の選択を担っている。そのため、T3のソース端子は画素の列(column)によって共有される電流データ線に接続されている。このため、T3の漏れ電流は最小に抑える必要がある。T1にマルチゲートストラクチャ(multi−gate structure)を使用することにより、確実に漏れ電流を最小化することができる。マルチゲートストラクチャに加えて、LDD構造を使用することにより、さらに漏れ電流を減少させることができる。 FIG. 5 is a circuit diagram showing a number of pixels in an active matrix display. Each pixel is realized in accordance with the circuit shown in FIG. For simplicity of illustration, a monochrome display device is shown. Since this circuit is of an active matrix type, pixels in the same row are selected simultaneously. Transistor T3 is responsible for pixel selection. Therefore, the source terminal of T3 is connected to a current data line shared by the pixel columns. For this reason, it is necessary to minimize the leakage current of T3. By using a multi-gate structure for T1, leakage current can be reliably minimized. In addition to the multi-gate structure, the leakage current can be further reduced by using the LDD structure.
図6は、ある有機エレクトロルミネッセンス素子装置における画素駆動回路の実装状態を表す模式的断面図である。図6において、符号132は正孔注入層を示し、符号133は有機エレクトロルミネッセンス層を示し、符号151は抵抗もしくは分離体を示す。スイッチング薄膜トランジスタ121及びnチャンネル型の電流薄膜トランジスタ(current thin film transistor)122には、例えば公知の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置などにおいて使用されるような、トップゲートストラクチャ(top-gate structure)や最高温度が摂氏600度以下の製造方法などの、低温ポリシリコン薄膜トランジスタに通常使用される構造及び方法を採用する。しかし、その他の構造や方法なども使用可能である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a mounted state of a pixel driving circuit in a certain organic electroluminescence element device. In FIG. 6,
正置(forward oriented)有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ素子131は、アルミニウム製画素電極115、ITO製の対向する電極116、正孔注入層132、及び有機エレクトロルミネッセンス層133から構成される。正置有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ素子131において、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の電流の向きは、ITO製の対向する電極116からアルミニウム製画素電極115への向きに設定することができる。
The forward oriented organic
正孔注入層132及び有機エレクトロルミネッセンス層は、抵抗151を画素間の分離構造体として利用しつつ、インクジェット式印字方法により形成することができる。ITO製の対向する電極116は、スパッタリングにより形成することができる。しかし、これらの構成要素すべてを形成するために、これ以外の方法を用いることも可能である。
The
本発明を用いたディスプレイパネル全体の典型的なレイアウトを図7に模式的に示す。このパネルは、アナログ電流プログラム式画素を有するアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス素子200、レベルシフタを有する一体化(integrated)薄膜トランジスタ走査ドライバ210、フレキシブルTABテープ220、及び一体化RAM/コントローラ(integrated RAM/controller)付き外部アナログドライバLSI230から構成される。もちろんこれは、本発明を利用して実現可能なパネル構成の一例に過ぎない。
A typical layout of the entire display panel using the present invention is schematically shown in FIG. The panel includes an active matrix
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の構造は、上記のものに限定されるものではない。その他の構造も適用可能である。 The structure of the organic electroluminescence display device is not limited to the above. Other structures are also applicable.
例えば図3の回路を参照すると、本発明ではデータ電流源を(この例では有機エレクトロルミネッセンス素子に)提供していることが解る。この回路は、容易に、増幅された及び/又は複数レベルの(電流)出力を提供するように拡張することができる。そのような回路の原理は、図8を参照しつつ理解することができる。図8の回路は、図3の回路に加えて、追加の駆動トランジスタT5及び追加のスイッチングトランジスタT6を有する。T5のソースは、VDDに接続されており、そのゲートには、トランジスタT2のゲートと同じ駆動電圧信号が印加される。トランジスタT5のドレインはトランジスタT6のドレインと直列に接続されており、T6のソースはトランジスタT2、T3、及びT4の共通接続箇所に接続されている。トランジスタT6のゲートはトランジスタT4のゲートに接続されている。トランジスタT2の特性がW/Lであり、トランジスタT5の特性が(N−1)W/Lとなるように選択されると仮定される場合は、以下のような電流の増幅が得られる。 For example, referring to the circuit of FIG. 3, it can be seen that the present invention provides a data current source (in this example for an organic electroluminescent device). This circuit can easily be expanded to provide an amplified and / or multi-level (current) output. The principle of such a circuit can be understood with reference to FIG. The circuit of FIG. 8 includes an additional driving transistor T5 and an additional switching transistor T6 in addition to the circuit of FIG. The source of T5 is connected to VDD, and the same drive voltage signal as that of the gate of the transistor T2 is applied to its gate. The drain of the transistor T5 is connected in series with the drain of the transistor T6, and the source of T6 is connected to the common connection point of the transistors T2, T3, and T4. The gate of the transistor T6 is connected to the gate of the transistor T4. When it is assumed that the characteristic of the transistor T2 is W / L and the characteristic of the transistor T5 is selected to be (N−1) W / L, the following current amplification is obtained.
Iout=Iin×NIinは電流シンクを流れる電流、すなわち図3及び図4におけるIDATである。Ioutは有機エレクトロルミネッセンス素子を流れる電流である。そのため、図8の回路を使用すると、図3及び図4の回路と比較して、有機エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流は等しく保ちつつ、IDATの値を低減させることができる。IDATの値を低減させることにより、回路の動作速度を増加させる効果を奏する。また、IDATの値を低減させることにより、画素マトリクスを通過する間に発生する伝送損失を低減させるという効果も奏する。この効果は、大型ディスプレイパネルに関しては特に重要である。 Iout = Iin × NIin is the current flowing through the current sink, that is, the IDAT in FIGS. Iout is a current flowing through the organic electroluminescence element. Therefore, when the circuit of FIG. 8 is used, the value of IDAT can be reduced while keeping the current passing through the organic electroluminescence element equal as compared with the circuits of FIGS. By reducing the value of IDAT, there is an effect of increasing the operation speed of the circuit. Further, by reducing the IDAT value, there is an effect of reducing transmission loss that occurs while passing through the pixel matrix. This effect is particularly important for large display panels.
もちろん、追加のトランジスタT5及びT6からなる回路の段をさらに追加することもできる。図9に(A、Bなどで)示すように、直列接続され、それぞれ個別のゲート駆動信号を受信するスイッチングトランジスタT6によって、有機エレクトロルミネッセンス素子を通過する様々な電流値を選択することができる。その結果、出力光の輝度を様々に指定することができる。 Of course, additional circuit stages comprising additional transistors T5 and T6 can be added. As shown in FIG. 9 (A, B, etc.), various current values passing through the organic electroluminescent element can be selected by a switching transistor T6 connected in series and receiving individual gate drive signals. As a result, the brightness of the output light can be specified in various ways.
図3乃至図9に示した回路は、薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタ)技術を用いて実現することが好ましく、最も好ましくはポリシリコン薄膜トランジスタである。 The circuits shown in FIGS. 3 to 9 are preferably realized by using a thin film transistor (thin film transistor) technique, and most preferably a polysilicon thin film transistor.
本発明は、携帯電話、コンピュータ、CDプレーヤー、DVDプレーヤーなどの小型の、携帯電子機器に対して特に有効である。もちろんこれらに限られるものではない。 The present invention is particularly effective for small portable electronic devices such as mobile phones, computers, CD players, and DVD players. Of course, it is not limited to these.
上述の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置を使用した電子機器について幾つか以下に説明する。 Several electronic devices using the above-described organic electroluminescence display device will be described below.
<1:モバイルコンピュータ>
上述の実施形態のうちの1つによるディスプレイ装置を適用したモバイルパーソナルコンピュータの例について次に説明する。
<1: Mobile computer>
An example of a mobile personal computer to which a display device according to one of the above embodiments is applied will now be described.
図10は、このパーソナルコンピュータの構成を表す等角投影図である。図中、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を含む本体1104、及びディスプレイユニット1106を備える。このディスプレイユニット1106は、本発明により製造されたディスプレイパネルを用いて上述の様に実現されている。
FIG. 10 is an isometric view showing the configuration of this personal computer. In the figure, a
<2:携帯電話>
次に、携帯電話のディスプレイ部分に本発明のディスプレイ装置を適用した例について説明する。図11は、この携帯電話の構成を表す等角投影図である。図中、携帯電話1200は、複数の操作キー1202、スピーカ1204、マイク1206、及びディスプレイパネル100を備える。このディスプレイパネル100は、本発明により製造されたディスプレイパネルを用いて上述の様に実現されている。
<2: Mobile phone>
Next, an example in which the display device of the present invention is applied to a display portion of a mobile phone will be described. FIG. 11 is an isometric view showing the configuration of the mobile phone. In the figure, the
<3:デジタルスチルカメラ>
次に、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置をファインダーとして用いたデジタルスチルカメラについて説明する。図12はこのデジタルスチルカメラの構成、及び外部装置への接続の概要を表す等角投影図である。
<3: Digital still camera>
Next, a digital still camera using an organic electroluminescence display device as a viewfinder will be described. FIG. 12 is an isometric view showing an outline of the configuration of the digital still camera and connection to an external device.
通常のカメラは、被写体の光学画像をフィルムに感光させるが、デジタルスチルカメラ1300は、例えば、電荷結合素子(CCD)を用いて光電変換により、被写体の光学画像から画像信号を生成する。このデジタルスチルカメラ1300は、ケース1302の後面に、CCDからの画像信号に基づき表示を行う有機エレクトロルミネッセンス素子100を備える。そのため、このディスプレイパネル100は、被写体を表示するファインダーとして機能する。光学レンズ及びCCDを有する受光ユニット(photo acceptance unit)1304が、ケース1302の前面(図の後方)に備わっている。
A normal camera sensitizes an optical image of a subject to film, but the
撮影者が有機エレクトロルミネッセンス素子パネル100に表示された被写体画像を決定し、シャッターを開放するとCCDからの画像信号が伝送され、回路基板1308内のメモリに保存される。このデジタルスチルカメラ1300では、ケース1302の側面にビデオ信号出力端子1312及びデータ通信用入出力端子1314が設けられている。図に示されているように、必要に応じて、TVモニタ1430及びパーソナルコンピュータ1440を、それぞれ、ビデオ信号端子1312及び入出力端子1314に接続する。所定の操作により、回路基板1308のメモリに保存された画像信号が、TVモニタ1430及びパーソナルコンピュータ1440への出力となる。
When the photographer determines the subject image displayed on the organic
図10に示したパーソナルコンピュータ、図11の携帯電話、及び図12のデジタルスチルカメラ以外の電子機器の例としては、有機エレクトロルミネッセンス素子TVセット、ビューファインダー式及びモニタリング式のビデオテープ録画器、カーナビゲーションシステム、ポケットベル、電子ノート、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、TV電話、POSシステム端末、及びタッチパネル付きデバイス等が挙げられる。無論、上述の有機エレクトロルミネッセンス装置はこれらの電子機器のディスプレイ部分に適用可能である。 Examples of electronic devices other than the personal computer shown in FIG. 10, the mobile phone shown in FIG. 11, and the digital still camera shown in FIG. 12 include organic electroluminescence element TV set, viewfinder type and monitoring type video tape recorder, car A navigation system, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a TV phone, a POS system terminal, a device with a touch panel, and the like. Of course, the organic electroluminescence device described above can be applied to the display portion of these electronic devices.
本発明の駆動回路は、ディスプレイユニットの画素内に配置するのみならず、ディスプレイユニット外に配置することも可能である。 The drive circuit of the present invention can be arranged not only in the pixels of the display unit but also outside the display unit.
前述の説明では、本発明の駆動回路は種々のディスプレイ装置を例として説明した。本発明の駆動回路の用途は、ディスプレイ装置にとどまらず、例えば、磁気抵抗RAM、容量センサ(capacitance sensor)、電荷センサ(charge sensor)、DNAセンサ、暗視カメラ、及びその他多くの装置なども含まれる。 In the above description, the driving circuit of the present invention has been described using various display devices as examples. Applications of the drive circuit of the present invention are not limited to display devices, but include, for example, magnetoresistive RAMs, capacitance sensors, charge sensors, DNA sensors, night vision cameras, and many other devices. It is.
図13は、本発明の駆動回路の磁気RAMへの応用を示している。図13では、磁気ヘッドを符号MHで示している。 FIG. 13 shows the application of the drive circuit of the present invention to a magnetic RAM. In FIG. 13, the magnetic head is indicated by reference numeral MH.
図14は、本発明の駆動回路の磁気抵抗素子への応用を示している。図14では、磁気ヘッドを符号MHで、磁気レジスタを符号MRで示している。 FIG. 14 shows application of the drive circuit of the present invention to a magnetoresistive element. In FIG. 14, the magnetic head is indicated by reference numeral MH, and the magnetic register is indicated by reference numeral MR.
図15は、本発明の駆動回路の容量センサ、又は電荷センサへの応用を示している。図15では、センス容量素子(sense capacitor)を符号Csenseで示している。図15の回路は、指紋センサやDNAなどこの他の用途にも応用可能である。 FIG. 15 shows application of the drive circuit of the present invention to a capacitive sensor or a charge sensor. In FIG. 15, a sense capacitor element (sense capacitor) is indicated by a symbol Csense. The circuit of FIG. 15 can be applied to other uses such as a fingerprint sensor and DNA.
図16は、本発明の駆動回路の暗視カメラへの応用を示している。図16では、光伝導体を符号Rで示している。 FIG. 16 shows the application of the drive circuit of the present invention to a night vision camera. In FIG. 16, the photoconductor is denoted by the symbol R.
上述の特定された説明において示された実施形態では、各トランジスタはpチャンネル型トランジスタとして示された。このことは本発明の限定的要素ではない。例えば、図17は、図4の回路の変形例の簡単な概要を示したものである。図17の回路では、駆動トランジスタをpチャンネル型のままとした以外、nチャンネル型のトランジスタを使用している。 In the embodiment shown in the specific description above, each transistor has been shown as a p-channel transistor. This is not a limiting element of the invention. For example, FIG. 17 shows a simple outline of a modification of the circuit of FIG. In the circuit of FIG. 17, an n-channel type transistor is used except that the driving transistor is left as a p-channel type.
図3から図16までに関して説明された構成には、本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変更や改良が可能であることが当業者には明らかであろう。 It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and improvements can be made to the configuration described with respect to FIGS. 3 to 16 without departing from the scope of the present invention.
T1、T2、T3、T4 トランジスタ
C1 蓄積容量
VP プログラム電圧
VDD 供給電圧
IDD データ電流
VR リプロダクション電圧
132 正孔注入層
133 有機エレクトロルミネッセンス層
151 抵抗
121 スイッチング薄膜トランジスタ
122 nチャンネル型電流薄膜トランジスタ
131 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
115、116 画素電極
200 アクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス素子
210 薄膜トランジスタスキャンニングドライバ
220 フレキシブルTABテープ
230 外部アナログドライバ
1100 パーソナルコンピュータ
1200 携帯電話
1300 デジタルスチルカメラ
T1, T2, T3, T4 Transistor C1 Storage capacity VP Program voltage VDD Supply voltage IDD Data current
Claims (9)
データ電流を供給するためのデータ線と、を含み、
前記画素駆動回路は、
電流駆動素子に供給される駆動電流の電流値を制御する駆動トランジスタと、
一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続されるとともに、他端が電源電圧に接続された容量素子と、
前記容量素子の一端と前記データ線との導通を制御する第1のスイッチングトランジスタと、
前記電流駆動素子と前記駆動トランジスタとの導通を制御する第2のスイッチングトラ
ンジスタと、
前記駆動トランジスタのドレインと前記駆動トランジスタのゲートとの導通を制御する第3のスイッチングトランジスタと、を含み、
前記駆動トランジスタのゲート電圧は、前記電源電圧から、前記駆動トランジスタ、前記第1のスイッチングトランジスタ及び前記データ線を介して流れるデータ電流により設定され、
前記第1のスイッチングトランジスタ及び前記第2のスイッチングトランジスタはそれ
ぞれ、互いに独立した制御信号により制御されること、
を特徴とする装置。 A pixel drive circuit;
A data line for supplying a data current,
The pixel driving circuit includes:
A drive transistor for controlling the current value of the drive current supplied to the current drive element;
A capacitive element having one end Rutotomoni connected to the gate of the driving transistor and the other end connected to a power supply voltage,
A first switching transistor for controlling conduction between one end of the capacitive element and the data line;
A second switching transistor for controlling conduction between the current driving element and the driving transistor;
A third switching transistor for controlling conduction between the drain of the driving transistor and the gate of the driving transistor ;
The gate voltage of the driving transistor from the supply voltage, the driving transistor is set by the first switching transistor and the data current flowing through the data line,
Each of said first switching transistor and the second switching transistor, that that are controlled by mutually independent control signals,
A device characterized by.
リプロダクションステージ中に、前記駆動電流が前記電流駆動素子に供給されること、
を特徴とする装置。 The apparatus of claim 1 , wherein
The drive current is supplied to the current drive element during a re-production stage;
A device characterized by.
前記第1のスイッチングトランジスタはマルチゲート構造を有していること、
を特徴とする装置。 The apparatus according to claim 1 or 2 ,
The first switching transistor has a multi-gate structure;
A device characterized by.
前記第1のスイッチングトランジスタはLDD構造を有していること、
を特徴とする装置。 The apparatus according to any one of claims 1 to 3 ,
The first switching transistor has an LDD structure;
A device characterized by.
前記データ電流を生成するための電流シンクを有し、前記電流シンクは、接地あるいは
基準電圧に接続されていること、
を特徴とする装置。 The apparatus according to any one of claims 1 to 4 ,
Having a current sink for generating the data current, the current sink being connected to ground or a reference voltage;
A device characterized by.
前記電流駆動素子は、エレクトロルミネッセンス素子であること、
を特徴とする装置。 The apparatus according to any one of claims 1 to 5 ,
The current driving element is an electroluminescence element;
A device characterized by.
前記データ電流は、前記電流駆動素子を流れないこと、
を特徴とする装置。 The apparatus of claim 1.
The data current does not flow through the current driving element;
A device characterized by.
画素駆動回路は、電流駆動素子に供給される駆動電流の電流値を制御する駆動トランジス
タと、一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続されるとともに、他端が電源電圧に接続された容量素子と、を備える装置の駆動方法であって、
第1のスイッチングトランジスタによって前記容量素子の一端と前記データ線とを導通させ、第2のスイッチングトランジスタによって、前記電流駆動素子と前記駆動トランジスタとを非導通とし、第3のスイッチングトランジスタによって、前記駆動トランジスタのドレインと前記駆動トランジスタのゲートとを導通させた状態で、前記電源電圧から、前記駆動トランジスタ、前記第1のスイッチングトランジスタ及び前記データ線を介してデータ電流を流すことで、前記駆動トランジスタのゲート電圧を設定し、
前記第2のスイッチングトランジスタによって、前記電流駆動素子と前記駆動トランジスタとを導通させて、前記電流駆動素子に前記駆動電流を供給し、
前記第1のスイッチングトランジスタ及び前記第2のスイッチングトランジスタをそれ
ぞれ、互いに独立した制御信号により制御すること、
を特徴とする装置の駆動方法。 And a data line for supplying a data current. The pixel drive circuit includes a drive transistor for controlling a current value of a drive current supplied to the current drive element, and one end of the pixel drive circuit. the Rutotomoni connected to the gate of the driving transistor, a driving method of a device comprising a capacitor element and the other end is connected to the power supply voltage, and
One end of the capacitive element and the data line are made conductive by a first switching transistor, the current driving element and the driving transistor are made non-conductive by a second switching transistor, and the driving is made by a third switching transistor. in a state where conduction between the gate of the drain and the drive transistor of the transistor, from the source voltage, the driving transistor via the first switching transistor and the data line by flowing the data current, the driving transistor Set the gate voltage
By said second switching transistor, said by conducting a current driven element and the driving transistor, and supplying the driving current to the current driven element,
Controlling each of the first switching transistor and the second switching transistor by a control signal independent of each other;
A method for driving an apparatus.
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