JP4548114B2

JP4548114B2 - ヘッドスペース・ガスサンプラ装置

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Publication number: JP4548114B2
Application number: JP2004374089A
Authority: JP
Inventors: 博文竺原; 浩彰中田; 泰史小川; 益三藤原
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2004-12-24
Filing date: 2004-12-24
Publication date: 2010-09-22
Anticipated expiration: 2024-12-24
Also published as: JP2006177900A

Description

本発明は、ヘッドスペース・ガスサンプラ装置に関し、更に詳しくは、２種類以上の成分を有する試料液を揮発させて試料ガスを生成し、ガスクロマト装置に試料ガスを供給するヘッドスペース・ガスサンプラ装置に関する。

ヘッドスペース・ガスクロマトグラフ（ＧＣ）法は、２種類以上の成分を含む試料液を揮発させ、その揮発させたガス中の各成分の濃度を測定するガスクロマトグラフィーである。ヘッドスペースＧＣ法は、少量の試料液を利用して気相の各成分濃度が検出できること、ガスサンプラ装置の構成が簡素であり且つその操作手順が簡単であること、取扱いが比較的容易であるなどの利点を有しており、工業的な蒸留条件の決定や蒸留装置の設計などに利用されている。従来のヘッドスペース・ガスサンプラ装置（以下、単にガスサンプラ装置と呼ぶ）は、例えば特許文献１及び２に記載されている。

図１１は、特許文献１に記載のガスサンプラ装置の構成を示している。ガスサンプラ装置５０は、２種類以上の成分を有する試料液が導入され、試料液を沸点以下の温度で揮発させて試料ガスを生成する試料容器（バイアル）５１と、試料容器５１に接続され試料ガスを抜き出すサンプル管５２と、サンプル管５２を経由して試料ガスを所定量サンプルする計量管５３と、引出し管５８に接続され、試料容器５１からサンプル管５２を経由して計量管５３に向けて試料ガスを引き出す、ポンプ機能を有するシリンジ装置５４と、引出し管５８を経由してサンプル管５２及び計量管５３に不活性ガスを供給するパージライン５５と、計量管５３に向けて試料ガスを引き出す試料ガス引出しモードと計量管５３からガスクロマトグラフ装置６０に向けて不活性ガスを供給する試料ガス供給モードとの間で切り替えるサンプル切替え弁５６と、試料供給側のラインを試料ガス供給モードとパージモードとの間で切り替える供給切替弁５７とを有する。計量管５３によって計量された所定量の試料ガスは、キャリアガスと共にガスクロマトグラフ装置のカラム６０に供給され、そこで各成分の濃度が検出される。
特開平２−９１５６４号公報（第１図）特開平３−１１３３６４号公報（第１図）

従来のヘッドスペースＧＣ法で用いられるガスサンプラ装置は、揮発温度が高い成分や凝固点の高い成分を有する試料液の場合には、一旦揮発させたガス成分が温度の低い配管や装置内で再び凝縮し配管等を閉塞させる可能性がある。また、ガスサンプラ装置を用いない手動法で実施する場合は、取り扱いの安全性、凝縮の問題から揮発温度が１５０℃程度の成分を含む試料液の濃度測定が限度である。しかし、従来から、例えば合成樹脂などの試料溶液では、２００℃程度までの揮発温度を有する成分を含む試料液の気相における成分濃度を検出したいという要望があった。

また、上記凝縮の問題にも関連して、ヘッドスペースＧＣ法では、成分濃度の検出に際してその再現性が低いという問題があり、測定精度は例えば１０％程度と低いものであった。更に、試料ガスの高温や漏れ出る有害なガスやなどのため、装置の取扱いに際して危険が伴うという問題もあった。

本発明は、上記に鑑み、サンプル可能な成分の揮発温度が高いため、従来はヘッドスペースＧＣ法による測定に対して有効なサンプルができなかった試料液のサンプルが可能であり、ヘッドスペースＧＣ装置での測定精度を高めることができ、且つ、取扱いも容易なガスサンプラ装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明のヘッドスペース・ガスサンプラ装置は、２種類以上の成分を有する試料液が導入され該試料液を揮発させて試料ガスを生成する試料容器と、該試料容器から試料ガスを抜き出すサンプル管と、該サンプル管を経由して前記試料ガスを所定量サンプルする計量管と、前記サンプル管及び計量管を経由して前記試料容器と接続される引出し管と、該引出し管に接続され前記サンプル管、計量管及び引出し管を経由して前記試料容器から試料ガスを抜き出すシリンジ装置と、前記引出し管を経由して前記サンプル管及び計量管にパージガスを供給するパージ管、および前記試料ガスを前記計量管からガスクロマトグラフ装置に向けて供給するためのキャリアガスを導入するキャリアガス供給管とを備え、前記計量管で計測された所定量の試料ガスをガスクロマトグラフ装置に向けて供給するヘッドスペース・ガスサンプラ装置において、前記試料容器、サンプル管、及び、計量管を一体的に収容するオーブンと、前記オーブンの内部加熱する第１ヒータと、前記引出し管を加熱する第２ヒータとを備えることを特徴とする。

本発明のヘッドスペース・ガスサンプラ装置は、オーブンの内部に、試料容器、サンプル管、及び計量管を一体的に収容したことにより、ガス供給ラインでの高温や漏出する危険ガスにも拘わらず装置取り扱いの安全度が高まる。また。オーブンの内部を第１ヒータで加熱することにより、高い沸点を持つ成分を有する試料液についても、装置内でガス成分の凝縮が発生し難いので、測定精度を低下させることなく成分濃度の検出が可能である。更に、試料容器から計量管に向けて試料ガスを抜き出すための引出し管を加熱する第２ヒータを備えることにより、試料容器から引き出されて引出し管内に滞留する試料ガスの成分、特に高い沸点を有する成分が配管内に凝縮した場合も、該凝縮物を高温に過熱して再蒸発させ除去することができるため、ガスサンプラ装置の安定な運転が可能となる。

本発明のガスサンプラ装置の好ましい態様では、前記第２ヒータの少なくとも一部は、前記引き出し管がオーブンの壁を貫通する位置に配置される。この場合、第２ヒータは、引出し管内で試料ガスが特に凝縮しや易い位置で引出し管を加熱するので、試料ガス中の成分が凝縮した場合にも、凝縮物を効果的に除去することができる。

また、前記第２ヒータは、第１ヒータの最高加熱温度よりも高い最高加熱温度を有することも本発明の好ましい態様である。引出し管は、試料ガスが特に滞留しやすい場所であり、第２ヒータによる加熱温度を高めることで、特に効果的に凝縮成分の除去ができる。

以下、図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態のガスサンプラ装置を含むヘッドスペースＧＣ装置の構成を示すブロック図である。ヘッドスペースＧＣ装置１００は、試料液を揮発させた気相の試料（試料ガス）を供給するガスサンプラ装置１０と、ガスサンプラ装置１０から供給された試料ガス中の各成分の濃度を測定するガスクロマトグラフ装置４０と、ガスサンプラ装置１０からガスクロマトグラフ装置に試料ガスを供給する試料ガス供給ライン３４とから構成される。

ガスサンプラ装置１０は、同図の例では第１及び第2系統のガスサンプラと、各系統毎に配設されたシリンジユニット１５、２５と、各系統のガスサンプラと対応するシリンジユニット１５、２５とを接続する引出し管１６、２６と、双方の系統に共通のキャリアガス供給管３２とを含み、双方の系統の試料容器１１、２１で試料液１及び試料液２をそれぞれ揮発させ、キャリアガスを利用して、交互にまたは個別に、試料ガス供給ライン３３を経由してガスクロマトグラフ装置４０のカラム４１に供給する。

各系統のガスサンプラは、試料液を揮発させる試料容器（バイアル）１１、２１と、試料液をそれぞれ一定量づつサンプリングする計量管（サンプルループ）１２、２２と、試料容器１１、２１と計量管１２、２２とを接続するサンプル管１３、２３と、シリンジ１４、２４、引出し管１６、２６の一部及び電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ６を含み、所定量の試料ガスを採取するために、試料容器１１、２１から、サンプル管１３、２３を経由して計量管１２、２２に向けて試料ガスをサンプリングする、ポンプ機能を有するシリンジユニット１５、２５と、試料ガスの計量管１２、２２へのサンプリングモードと計量管１２、２２からガスクロマトグラフ装置４０への試料ガスの供給モードとの間で切替えるサンプル切替弁１７、２７とを有する。

ガスサンプラ装置１０は、更に、引出し管１６、２６の一部と、ガスクロマトグラフ装置４０への試料ガス供給ライン３３を、試料ガス供給モードと液体試料供給モードとの間で切り替える供給切替弁３１と、引出し管１６、２６を経由して窒素ガスまたはヘリウムから成る不活性ガス（パージガス）を供給するパージライン１８、２８と、試料ガスを計量管１２、２２からガスクロマトグラフ装置４０に向けて供給するためのキャリアガスを導入するキャリアガス供給管３２を有する。

各試料容器１１、２１には、攪拌機（ＳＴＲ）１９、２９が付属しており、攪拌機１９、２９は、試料容器１１、２１内の試料液の各成分の揮発を促す。

ガスクロマトグラフ装置４０は、試料ガスを受け入れるカラム４１と、カラム４１に受け入れた試料ガスの各成分濃度を測定する濃度検出装置（ＦＩＤ）４２と、キャリアガス供給管４４、試料ガス供給ライン３３、及び、供給切替弁３１を経由し、カラム４１に向けて液体試料の注入を行う注入装置４３と、注入された液体試料を気化する気化室４５とから成る。注入装置４３は、本クロマトグラフ装置４０を、試料液の成分濃度を気相で検出するヘッドスペースＧＣ装置として利用する他に、試料液のままで注入し成分濃度を検出するガスクロマトグラフ装置として利用するために、試料液をそのまま注入する機能を有している。

試料容器１１、２１と、サンプル管１２、２２と、サンプル切替弁１７、２７と、供給切替弁３１と、引出し管１６、２６及びキャリアガス供給管３２の一部とは、恒温槽（サブオーブン）２０内に収容されている。恒温槽２０には、槽内正面の送風機７１奥に第１ヒータ７０が配設されており、送風機７１により槽内の風を循環して恒温槽２０の内部を一様に加熱している。第１ヒータによって加熱される恒温槽２０内部の最高温度は例えば２００℃である。恒温槽２０には、更に、第２ヒータ３０が配設され、第２ヒータ３０は、引出し管１６、２６が恒温槽２０から引き出される部分の壁内に埋め込まれている。恒温槽２０には、恒温槽２０内部の可燃性ガスを検出するために、ガス検知器３４が警報の目的で配設されている。

シリンジユニット１５、２５と、パージライン１８、２８と、引出し管１６、２６、及び、キャリアガス供給管３２の一部とが、恒温槽２０の外部に配設されている。第２ヒータ３０は、引出し管１６、２６を加熱する。第２ヒータによる最高加熱温度は、引き出し管内に凝縮物が発生した場合に、これを良好に蒸発させるため、例えば２５０℃程度まで昇温可能とされている。

上記ガスクロマトグラフ装置１００は、制御コンピュータを含む制御装置によって、以下のように制御される。まず、図２に示すように、第１系統のサンプル切替弁１７のポート２と３、ポート４と５、ポート１と６をそれぞれ接続し、供給弁３１のポートを全て接続し、また、第１系統の引出し管１６の電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３は、シリンジ１４と引出し管１６とが導通状態とされている。次いで、シリンジ１４を操作してガス吸入を行い、第１系統の試料容器１１から、サンプル管１３、サンプル切替弁１７のポート１及び６、計量管１２、サンプル切替弁１７のポート３及び２、引出し管１６を経由して、試料容器１１内の試料液の気相分である試料ガスを計量管１２内にサンプリングする。

一方、ガスクロマトグラフ装置４０にはガスサンプラ装置１０付属のキャリアガス供給管３２から、第１系統のサンプル切替弁１７のポート４及び５、第２系統のサンプル切替弁２７のポート４及び５、供給切替弁３１のポート４及び３、試料ガス供給ライン３３を経由して、キャリアガスが常に流されており、ガスクロマトグラフ装置４０へのサンプル供給に先立って、安定した状態（定常状態）が保たれている。また、ガスクロマトグラフ装置４０付属のキャリアガス供給管４４からのキャリアガスにより、供給切替弁３１のポート２及び１の経路はガス封されている。これらのガスには、ヘリウム又は窒素ガスなどの不活性ガスが用いられる。

次いで、図３に示すように、第１系統のサンプル切替弁１７を切り替えて、ポート３と４、ポート５と６をそれぞれ接続し、キャリアガス供給管３２からキャリアガスを注入し、計量管１２内に蓄積された所定量の試料ガスを、計量管１２からサンプル切替弁２７、供給切替弁３１、及び、試料ガス供給ライン３３を経由してガスクロマトグラフ装置４０に注入する。ガスクロマトグラム装置４０は、受け入れた試料ガスの各成分濃度を測定する。キャリアガス供給管３２からのキャリアガスの供給はそのまま継続する。また、第１系統のシリンジ１４に導入された試料ガスを排出するため、電磁弁ＳＶ２をベント側に切り替えシリンジユニット１５と引出し管１６とを切り離し、シリンジ１４をポンピングして、シリンジユニット１５をクリーニングする。

ガスクロマトグラフ装置４０による試料ガスの成分濃度の測定中に、図４に示すように、第１系統のサンプル切替弁１７を切り替え、ポート４を５に接続して、計量管１２を流路から外し、試料ガス供給ライン３３及びカラム４１を定常状態とする。また、電磁弁ＳＶ３、ＳＶ２を切り替えパージライン１８によりＳＶ３とＳＶ２間の配管をパージする。

測定終了後、図５に示すように、キャリアガス供給管３２から、キャリアガスの供給を継続して、引き続き試料ガス供給ライン３３及びカラム４１の定常状態を保つ。同時に、第２ヒータ３０をオンとし、第１系統のガスパージライン１８から不活性ガスを導入し、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３、第１系統のサンプル切替弁１７のポート２及び３、計量管１２、ポート６及び１、試料容器１１の上部空間を経由して、引出し管１６及びサンプル管１３のガス洗浄を行う。この加熱、不活性ガス洗浄を実施することによって、引出し管１６内に凝縮物が発生した場合にも、その凝縮物を効果的に除去することができる。

上記サンプリングは、試料容器１１と試料容器２１に収容された試料液について交互に又は個別に行われる。それぞれの試料液の気相の成分濃度が平衡に達するまで、計測は繰り返し行われる。各繰り返しの計測において、先の計測値と今回の計測値とを比較し、計測値が平衡に達したと判定されると、ヘッドスペースＧＣ装置１００は、当該試料液についての測定を終了する。試料容器２１に収容された試料液についてのサンプル手順は、試料容器１１に収容された試料液についてのサンプル手順と同様である。

図６は、引出し管１６及びサンプル管１３のガス洗浄が終了した際の処理の様子を示している。試料容器１１内の試料液についての計算値が平衡に達したと判定され、成分濃度の計測が終了した後は、図５に示す、引出し管１６及びサンプル管１３の不活性ガス洗浄の終了を待って、図６に示すように、第１系統の電磁弁ＳＶ１の引出し管１６側のポートをベント側となるように切り替えて、第１系統のサンプル管１３及び引出し管１６を開放とした後に、試料容器１１を取り外す。第２系統のガスサンプラも上記と同様に操作される。

図７は、上記ガスクロマトグラフ装置４０で液体試料の分析をする際の制御の様子を示している。液体試料は、ガスクロマトグラフ装置４０付属の注入装置４３から、供給切替弁３１のポート２及び３、試料ガス供給ライン３３を経由して直後にガスクロマトグラフ装置４０のカラム４１に供給される。この状態では、キャリアガス供給管３２から、第１系統のサンプル切替弁１７のポート４及び５、第２系統のサンプル切替弁２７のポート４及び５、供給切替弁３１のポート４及び１の経路はガス封されている。

上記実施形態のガスサンプラ装置１０では、試料容器１１、２１、計量管１２、２２、及び、切替え弁１７、２７を含むガスサンプルライン及びガス供給ラインを、同一の恒温槽２０内に設置したことにより、試料液から揮発して得られた試料ガスの系内での凝縮を防止し、これによって、ヘッドスペースＧＣ装置１００における成分濃度の測定精度を高めている。

また、恒温槽２０に付属の第１ヒータとは別に、シリンジユニット１５、２５に連結された引出し管１６、２６に導入された試料ガスを加熱する第２ヒータ３０を設けたことにより、比較的高い沸点を有する成分が系内で凝縮した場合でも、効果的に除去することができ、引き出し管１６、２６における管の閉塞を防止でき、信頼性が高いガスサンプラ装置１０が得られる。

更に、試料容器１１、２１を恒温槽２０内に収容した後は、自動的にガスクロマトグラフ装置４０に試料ガスを供給し、ガスクロマトグラフ装置４０で測定された成分濃度が平衡に達した後は、当該試料液についての測定を自動的に停止させるので、高い温度による人体への危険が回避でき、測定精度及び測定効率に加えて、安全性が向上する利点がある。

上記実施形態のヘッドスペースＧＣ装置１００を製作し、その性能を検証した。製作したヘッドスペースＧＣ装置１００は、ガスサンプラを収容する恒温槽２０と、ガスクロマトグラフ装置４０を収容する筐体とを併置し、双方のライン間などを金属チューブで接続した。恒温槽２０内の最高温度を約２００℃とした。シリンジ１４及び電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ６を含むシリンジユニット１５、２５は、恒温槽２０の外壁に取り付けたボックス内に収容した。ボックスから恒温槽２０内に貫通する引出し管１６、２６の周囲に第２ヒータ３０を設置し、各引出し管１６、２６を個別に加熱した。第２ヒータ３０によって引出し管１６、２６の最高温度を約２５０℃とした。

ガラス製の試料容器１１、２１には、その内部に回転攪拌機１９、２９を設置し、試料容器１１、２１全体を更に金属性ホルダーで囲んで、その内部温度を均一に保った。ガスサンプラ装置１０内のラインは、全て金属チューブで接続した。

上記ガスサンプラ装置によって、ＡＴ（アセトン）／ＭｅＯＨ（メタノール）の２成分を有する試料液を分析することにより装置の性能検証を行った。第１の検証では、試料液としては、ＡＴ／ＭｅＯＨの重量比が５０℃で０．５／０．５である試料液１と、重量比が５０℃で０．９／０．１である試料液２とを用意した。試料液１を第１の系統のガスサンプラで、試料液２を第２の系統のガスサンプラでサンプリングした。

予め作成したプログラムにより、試料液１は、試料液の加熱を開始してから、１０分、３０分、５０分、．．．後の成分濃度を測定し、試料液２は、加熱を開始してから、２０、４０分、６０分、．．．後の成分濃度を測定するというように、双方の成分濃度を交互に測定することとした。それぞれの成分濃度の測定値が平衡に達したか否かを、前回からの測定値の変化率で判定し、平衡に達したと判定したときに測定を終了することとした。なお、判定の基準として、測定値の変化率が０．９９９以上であることとした。

図８（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第１の検証における、試料液１及び試料液２の測定結果をグラフで示している。２種類の試料液の成分濃度が効率的に得られたこと、各成分濃度の測定値が高い精度で得られた旨が理解できる。

第２の性能検証は、本装置で測定されたｙ−ｘ線図及びα−ｘ線図の正確さによって行った。ｙ−ｘ線図は、試料液の液相における成分濃度（ｘ）と気相における成分濃度（ｙ）との関係を示す線図であり、α−ｘ線図は、一方の成分の液相中の成分濃度（ｘ）とα値との関係を示す線図である。α値は、例えばＡＴ／ＭｅＯＨの試料液では、Ｋ（ＡＴ）を、試料液の気相中のＡＴ成分の濃度／試料液中におけるＡＴ成分の濃度の比とし、Ｋ（ＭｅＯＨ）を、試料液の気相中のＭｅＯＨ成分の濃度／試料液中におけるＭｅＯＨ成分の濃度の比とすると、α＝Ｋ（ＡＴ）／Ｋ（ＭｅＯＨ）で示される。図９（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、ＡＴ／ＭｅＯＨの試料液中におけるＡＴの組成とその試料液の気相におけるＡＴの組成との関係を示すｙ−ｘ線図、及び、ＡＴ／ＭｅＯＨの試料液におけるＡＴの組成とα値との関係を示すα−ｘ線図である。

図９には、本ヘッドスペースＧＣ装置で得られた恒温槽２０内での温度４０℃、４５℃、及び、５０℃での実測値（ＨＳＧＣ実測値）に基づくｙ−ｘ線図及びα−ｘ線図と、ドルトムントデータバンクに示された同温度での文献値（ＤＤＢ文献値）とを対比して示した。なお、同図（ａ）では、横軸（ｘ）に試料液でのＡＴのモル分率を、縦軸（ｙ）に気相でのＡＴのモル分率を示し、同図（ｂ）では、横軸（ｘ）に試料液でのＡＴのモル分率を縦軸にα値を示している。

図９（ａ）及び（ｂ）には、本実施形態のガスサンプラ装置を用いることにより、文献値と極めて良く整合したデータが得られた旨が示されており、本ヘッドスペースＧＣ装置の測定精度が高い旨が理解できる。

第３の性能検証は、成分濃度測定値の再現性について行った。図１０は、本ヘッドスペースＧＣ装置で同じ試料液を複数回測定したときに同じデータが得られるかについて調べた結果を示している。表は、左から、計測回数（ｎ）、計測されたＭｅＯＨのＡｒｅａ値（測定値の積分値）、計測されたＡＴのＡｒｅａ値、試料液の作成時のＡＴのモル分率、計測値から得られた気相におけるＡＴのモル分率、α値、第１系統又は第２系統の別、液相でクロマトグラフ装置によって計測されたＭｅＯＨのＡｒｅａ値、及び、同ＡＴのＡｒｅａ値である。同図から理解できるように、測定回数ｎが６の場合において、再現精度（Ｒ．Ｓ．Ｄ）が目標値の５％を大幅にクリアしている。特に、α値のＲ．Ｓ．Ｄは０．３５％であった。また、液相での測定についても、良好な再現性が得られた。

本発明のガスサンプラ装置の測定結果は、試料液の蒸留条件の判断や、蒸留塔の設計の際に、特に好適に使用できる。

以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明のガスサンプラ装置は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

本発明の一実施形態のガスサンプラ装置を含むヘッドスペースＧＣ装置の構成を示す系統図。図１のヘッドスペースＧＣ装置における、一ステップにおけるガスの流れを示す系統図。図１のヘッドスペースＧＣ装置における、一ステップにおけるガスの流れを示す系統図。図１のヘッドスペースＧＣ装置における、一ステップにおけるガスの流れを示す系統図。図１のヘッドスペースＧＣ装置における、一ステップにおけるガスの流れを示す系統図。図１のヘッドスペースＧＣ装置における、一ステップにおけるガスの流れを示す系統図。図１のヘッドスペースＧＣ装置における、一ステップにおけるガスの流れを示す系統図。図１のヘッドスペースＧＣ装置による成分濃度の検出性能を示すグラフ。図１のヘッドスペースＧＣ装置による成分濃度の検出性能を示すグラフ。図１のヘッドスペースＧＣ装置による成分濃度の検出性能を示す表。従来のヘッドスペースＧＣ装置の構成を示す系統図。

符号の説明

１００：ヘッドスペースＧＣ装置
１０：ガスサンプラ装置
１１、２１：試料容器
１２、２２：計量管
１３、２３：サンプル管
１４、２４：シリンジ
１５、２５：シリンジユニット
１６、２６：引出し管
１７、２７：サンプル切替弁
１８、２８：パージライン
１９、２９：回転攪拌機
２０：恒温槽
３０：第２ヒータ
３１：供給切替弁
３２：キャリアガス供給管
３３：試料ガス供給ライン
３４：ガス検知器
４０：ガスクロマトグラフ装置
４１：カラム
４２：濃度測定装置
４３：注入装置
４４：キャリアガス供給管

Claims

２種類以上の成分を有する試料液が導入され該試料液を揮発させて試料ガスを生成する試料容器と、該試料容器から試料ガスを抜き出すサンプル管と、該サンプル管を経由して前記試料ガスを所定量サンプルする計量管と、前記サンプル管及び計量管を経由して前記試料容器と接続される引出し管と、該引出し管に接続され前記サンプル管、計量管及び引出し管を経由して前記試料容器から試料ガスを抜き出すシリンジ装置と、前記引出し管を経由して前記サンプル管及び計量管にパージガスを供給する配管、および前記試料ガスを前記計量管からガスクロマトグラフ装置に向けて供給するためのキャリアガスを導入するキャリアガス供給管とを備え、前記計量管で計測された所定量の試料ガスをガスクロマトグラフ装置に向けて供給するヘッドスペース・ガスサンプラ装置において、前記試料容器、サンプル管、及び、計量管を一体的に内部に収容するオーブンと、前記オーブンの内部を加熱する第１ヒータと、前記引出し管を加熱する第２ヒータとを備えることを特徴とするヘッドスペース・ガスサンプラ装置。
前記第２ヒータの少なくとも一部は、前記引出し管が前記オーブンの壁を貫通する位置に配設される、請求項１に記載のヘッドスペース・ガスサンプラ装置。
前記第２ヒータは、前記第１ヒータの最高加熱温度よりも高い最高加熱温度を有する、請求項１に記載のヘッドスペース・ガスサンプラ装置。