JP4542556B2 - 半導体記憶システム - Google Patents
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他方、第2の半導体記憶素子92は、CPU99とのインターフェース用端子として、チップセレクト信号入力“CE#”と、アウトプットイネーブル信号入力“OE#”と、ライトイネーブル信号入力“WE#”と、リードプロテクト信号入力RP#と、ライトプロテクト信号入力WP#と、アドレス入力“A0〜An”と、データ入出力“DQ0〜DQ15”とを有しており、かかる第2の半導体記憶素子92では、アドレス入力又はデータ入出力からコマンドを送って、データの読出し/書込みが行なわれる。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体記憶システムとそれに接続するCPUとを示すブロック図である。この半導体記憶システム1は、第1及び第2の半導体記憶素子3,4を有するもので、各半導体記憶素子3,4におけるデータの読出し/書込みは、外部に設けられたCPU10からのコマンドに従って実行される。また、半導体記憶システム1は、外部のCPU10と第1及び第2の半導体記憶素子3,4との間に介在させられるコントローラ2を有し、このコントローラ2により、CPU10からのコマンドに応じて各半導体記憶素子3,4が制御される。
実施の形態2.
図5は、本発明の実施の形態2に係る半導体記憶システムとそれに接続するCPUとを示すブロック図である。半導体記憶システム20は、上記実施の形態1における場合とほぼ同じ構成を有するもので、この実施の形態2では、コントローラ22が、第1及び第2の半導体記憶素子3,4毎に、アドレス出力“MAAD1〜MAADx”,“MBAD1〜MBADx”を有しており、これらのアドレス出力は、それぞれ、アドレスバス27A,27Bを介して、第1及び第2の半導体記憶素子のアドレス入力“A0〜An”,“A0〜Am”に接続されている。
図7は、本発明の実施の形態3に係る半導体記憶システムとそれに接続するCPUとを示すブロック図である。半導体記憶システム30は、上記実施の形態1における場合とほぼ同じ構成を備えており、この実施の形態3では、その構成に加え、コントローラ32が、外部に設けられたCPU31とのインターフェース用端子として、チップセレクト信号入力“CCS1”を有している。また、これに対応して、CPU31は、“CCS1”にコントロールバス35を介して接続するチップセレクト信号出力“/CSm”を有している。
図8は、本発明の実施の形態4に係る半導体記憶システムとそれに接続するCPUとを示すブロック図である。半導体記憶システム40は、第1の半導体記憶素子として、前述した実施の形態1〜3において説明した第1の半導体記憶素子3の代わりに、コマンド制御で読出し/書込み動作を行なう半導体記憶素子43を有している。この第1の半導体記憶素子43は、コントローラ42とのインターフェース用端子として、チップセレクト信号入力“CE#”と、アウトプットイネーブル信号入力“OE#”と、ライトイネーブル信号入力“WE#”と、ライトプロテクト信号入力“WP#”と、リセット信号入力“RESET#”と、READY/BUSYステータス信号出力“RY/BY#”とを有している。
図11は、本発明の実施の形態5に係る半導体記憶システムとそれに接続するCPUとを示すブロック図である。半導体記憶システム50は、上記実施の形態2における場合とほぼ同じ構成を有するものであり、この実施の形態5では、更に、電圧検出回路57が設けられるとともに、コントローラ52には、第1及び第2の半導体記憶素子3,4とのインターフェース用端子として、第1及び第2の半導体記憶素子3,4毎に、データ出力“MAI/O0〜MAI/O15”,“MBI/O0〜MBI/O15”が設けられている。また、更に、この実施の形態5では、特に、第1の半導体記憶素子3が揮発性メモリであり、また、第2の半導体記憶素子4が不揮発性メモリである。
まず、電源が投入されると、電圧検出回路57はそれを検出し、リセット信号を発生する。リセット信号が解除された次のサイクルから第2の半導体記憶素子4は予め決められたアドレスに基づく範囲のデータを読み出す読出し動作に入る。また、それと同時に、その読み出した同じデータを、第1の半導体記憶素子3の予め決められた所定のアドレスに書き込めるように、アドレスバス,コントロールバス及びデータバスを動作させる。
本発明の実施の形態6に係る半導体記憶システムは、上記実施の形態5における場合と同じ構成を有しており、以下では、図11を参照して説明する。図13は、データ転送時の半導体記憶システム50の内部波形をあらわしている。また、図14は、半導体記憶システム50のメモリ領域をあらわす図である。図14において、第2の半導体記憶素子4によるメモリ領域18内の転送元アドレスAAAAAAhに存在するデータ量CCCCバイト(図中CCCCbytes)のデータが、第1の半導体記憶素子3によるメモリ領域16内の転送先アドレスBBBBBBhに転送される。
なお、この実施の形態6では、図3に示す制御レジスタ群の一構成である転送元アドレスレジスタ12f,転送先アドレスレジスタ12g,転送データ量レジスタ12h,データ転送制御レジスタ12iを用いる。
本発明の実施の形態7に係る半導体記憶システムは、上記実施の形態5における場合と同じ構成を有しており、以下では、図11を参照して説明する。図15は、半導体記憶システム50のデータ読出し時の内部及び外部波形である。
なお、この実施の形態7では、図3に示す制御レジスタ群の一構成である同時読出し/書込み制御レジスタ12jおよび書込みアドレスレジスタ12kを用いる。
本発明の実施の形態8に係る半導体記憶システムは、上記実施の形態5における場合と同じ構成を有しており、以下では、図11を参照して説明する。図16は、半導体記憶システム50のメモリ領域の一部である、バックアップに関連したメモリ領域を概念的に示す図である。この図16に示すように、第1の半導体記憶素子3による領域には、バックアップを行なう揮発性のメモリ領域61が含まれ、また、一方、第2の半導体記憶素子4による領域には、バックアップを格納する不揮発性のメモリ領域62が含まれる。
本発明の実施の形態9に係る半導体記憶システムは、上記実施の形態5における場合と同じ構成を有しており、以下では、図11を参照して説明する。図18は、半導体記憶システム50のメモリ領域にて行なわれる比較更新処理を概念的に示す図である。また、図19は、半導体記憶システム50における内部波形をあらわしている。なお、この実施の形態9では、図3に示す制御レジスタ群の一構成である比較更新制御レジスタ17mを用いる。
本発明の実施の形態10に係る半導体記憶システムは、上記実施の形態5における場合と同じ構成を有しており、以下では、図11を参照して説明する。図20は、揮発性の半導体記憶素子3のメモリ領域を分割して管理する態様を概念的に示す図である。また、図21は、分割されたメモリ領域に対する更新フラグレジスタ(ZZZZZZ+20)hをあらわす図である。なお、実施の形態8について参照した図17には、更に、半導体記憶システム50における更新時の内部波形があらわされている。
Claims (1)
- 複数の半導体記憶素子を有し、該半導体記憶素子の読出し/書込み動作が外部に設けられたCPUからのコマンドに応じて制御される半導体記憶システムにおいて、
チップセレクト信号入力とアウトプットイネーブル信号入力とライトイネーブル信号入力とアドレス入力とデータ入出力とを有し、該アドレス入力及びデータ入出力に接続するバス経由のインターフェースでデータの高速読出し/書込みを行なう半導体記憶素子と、
チップセレクト信号入力とアウトプットイネーブル信号入力とライトイネーブル信号入力とアドレス入力とデータ入出力とを有し、該データ入出力からコマンドを送ってデータの読出し/書込みを行なう半導体記憶素子と、
各半導体記憶素子の読出し/書込み動作を制御するコントローラとを有しており、
上記コントローラに対して所定のモードが設定された場合に、該コントローラをパスして各半導体記憶素子に直接アクセス可能であることを特徴とする半導体記憶システム。
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