JP4540250B2

JP4540250B2 - Electrode plate for plasma device

Info

Publication number: JP4540250B2
Application number: JP2001127277A
Authority: JP
Inventors: 圭一後藤; 信川合
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2001-04-25
Filing date: 2001-04-25
Publication date: 2010-09-08
Anticipated expiration: 2021-04-25
Also published as: JP2002324781A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばプラズマドライエッチング装置等に使用される電極板であって、その中心部に反応ガス通気用の小径穴が多数設けられているプラズマ装置用電極板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体ウエーハ等のドライエッチングを行う際には高周波を印加するプラズマドライエッチング装置が用いられている。
この様なプラズマドライエッチング装置は、例えば図３に示すように、チャンバ２１内に設けられた平面電極２２とこれに対向する対向電極２３とから構成されるものである。
【０００３】
この平面電極２２には、不図示の高周波電源が接続されており、また半導体ウエーハ等の被処理物２４を載置・固定するための固定部２５が設けられている。一方、この平面電極２２に対向する対向電極２３は、電極部２６とプラズマ装置用電極板２７とからなるものである。電極部２６内にはガス溜まり部２８が設けられており、またこの電極部２６の下側のプラズマ装置用電極板２７と接触する部分は、ガス溜まり部２８と連通する多数の導入孔２９が設けられた拡散板部３０とされている。このガス溜まり部２８は不図示の反応ガス供給系に接続されている。
【０００４】
プラズマ装置用電極板２７は、その中央部に多数の小径穴３２が設けられており、この小径穴３２と上記拡散板部３０の導入孔２９との位置が合うように電極部２６にボルト３１により取り付けられている。
なお、この拡散板部３０は、この例に示すようにガス溜まり部２８と一体となって電極部２６を形成しているものの他に、別に拡散板として形成されたものをボルトや固定リング等で固定したものもある。
【０００５】
このプラズマドライエッチング装置を用いてエッチングを行う場合は、まず、チャンバ２１に設けられた真空排気装置３３により、チャンバ２１内を真空に引く。これと同時に反応ガス３４は、ガス溜まり部２８から導入孔２９および小径穴３２を通ることにより整流されてチャンバ２１内に導入される。そして、この状態で不図示の高周波電源により高周波を印加することにより平面電極２２と対向電極２３との間にプラズマが発生し、平面電極２２上に載置・固定された半導体ウエーハ等の被処理物２４の表面をエッチングするのである。
【０００６】
この様なプラズマドライエッチング装置においては、上述したようにプラズマ装置用電極板２７を拡散板部３０にボルト３１により固定する場合に、導入孔２９と小径穴３２との位置が一致して反応ガス３４が通気できるようにする必要がある。しかしながら、従来のプラズマ装置用電極板２７では、導入孔２９と小径穴３２とに位置ずれが生じ、反応ガスが流れなくなるという問題があった。
【０００７】
この点について、プラズマ装置用電極板を示す図２も用いて説明する。
図２（ａ）は、図３のプラズマ装置用電極板２７の表面側（本発明において、プラズマ装置用電極板の表面側とは、チャンバ２１内に面し、拡散板部３０に接触しない側の面をいう）を示すものである。この電極板２７の中央部には、多数の小径穴３２が設けられたほぼ円形の小径穴エリア３５が形成されており、またその外周部には、外周に沿って等間隔に設けられた取り付け用ボルト穴３６が１２個形成されている。また、このボルト穴３６の周囲には、ボルト３１の頭部がプラズマ装置用電極板の表面から突出しないようにザグリ３７が設けられている。
【０００８】
上記小径穴３２は、通常縦方向および横方向共に等間隔となるような位置に設けられているものであり、かつ所定の間隔を有することから小径穴エリア３５は完全な円形状とはなり得ないものである。また図３に示す拡散板部３０の導入孔２９が設けられている領域もこの小径穴３２と対応するように設けられていることから、同様に完全な円形状とはなり得ない。従って、このプラズマ装置用電極板２７を拡散板部３０に取り付ける場合は、所定のボルト穴３６を拡散板部３０の所定の穴に位置決めをして取り付けなければ、小径穴３２と導入孔２９が一致せず、反応ガス３４をチャンバ２１内にうまく導入することができないという問題が生じる。
【０００９】
これを解決するために実用新案第３０５０４９８号では、図２（ｂ）の取り付け穴断面図に示したように表面側の少なくとも一つのボルト穴３６の周囲に位置決め用溝部３８を設けたプラズマ装置用電極板２７が開示されている。この電極板を用いれば、電極板２７を拡散板部３０に取り付ける際に位置決め用の溝部により所定の位置への取り付けが容易に行えるようになり、作業性、生産性の向上を図ることができるとしている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らの調査、検討によれば、この位置決め用溝部の深さが上記実用新案のように１ｍｍ以上、電極板の厚みの５／６以下の範囲というように電極板の厚みに対して深過ぎると電極板の強度が不足し、ボルトによる取り付け時や実プロセスにおけるウエーハのプラズマ処理時に、プラズマ装置用電極板にクラックや割れが発生してしまい、そのため装置を停止し、メンテナンスを行う必要が生じるのみでなく、処理したウエーハも使用できなくなり大幅な損失を来すことが確認された。
【００１１】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたもので、プラズマ装置用電極板をプラズマドライエッチング装置等の拡散板部に取り付けるに際して、容易に位置決めが可能で、かつボルトによる取り付け時および実プロセスにおいて、クラックや割れが発生しないプラズマ装置用電極板を提供することを主目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、本発明に係るプラズマ装置用電極板は、中央部には反応ガスを通気させるための多数の小径穴が設けられた小径穴エリアを有し、外周部に取り付け用のボルト穴が設けられ、その表面側の少なくとも一つのボルト穴周囲に位置決め用溝部が形成されたプラズマ装置用電極板において、プラズマ装置用電極板の板厚をｔとすると、前記位置決め用溝部の深さがｔ／５０以上ｔ／５以下（深さが１ｍｍ以上の場合を除く）の範囲内であることを特徴としている（請求項１）。
【００１３】
このように、プラズマ装置用電極板の表面側の少なくとも一つのボルト穴周囲に位置決め用溝部を設けることにより、プラズマ装置用電極板を拡散板部に取り付ける際に容易に位置決めを行うことが可能となり、かつプラズマ装置用電極板の板厚をｔとすると、位置決め用溝部の深さがｔ／５０以上、ｔ／５以下（深さが１ｍｍ以上の場合を除く）の範囲内とすることで機械的、熱的強度にも優れた安定した性能を発揮するプラズマ装置用電極板を提供することができる。溝部の深さがｔ／５を越える深いものとすると、ボルトでの取り付け時および実プロセス時において、クラックの発生や割れが生じ、メンテナンスや操業停止による生産性の低下とともにデバイス製造歩留りを大幅に低下させてしまうことになる。また溝部の深さがｔ／５０未満であると、位置決め用溝部の目視による判別が困難になり、作業性が低下する。
【００１４】
この場合、位置決め用溝部が、取り付け用のボルト穴の径より大きい幅を有し、ボルト穴周囲から前記プラズマ装置用電極板の外周まで伸びる形状に形成されていることが好ましい（請求項２）。
このような形状とすることにより、位置決め用溝部の特定が瞬時に可能となり電極板取り付け位置の特定が可能となる。さらに、簡単な形状であることから加工が容易であり、コスト的にも有利なものとすることができる。
【００１５】
本発明のプラズマ装置用電極板の厚みは、３ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲内で寿命とコストを勘案して定められ（請求項３）、またその外径は、２５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下の範囲内でエッチング処理される被処理物の外径に対応して選択される（請求項４）。
【００１６】
また本発明においては、小径穴の直径が０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり、またその数が２００個以上２０００個以下であり、さらに小径穴エリアの最大幅が１５０ｍｍ以上４６０ｍｍ以下であることが好ましい（請求項５）。
このように小径穴の直径が小さく、かつ数が多い場合に特に本発明の位置合わせを容易とするという効果が有効に発揮されるからであり、またこの様な範囲とすることにより反応ガスの流量等の調整が容易となりまたエッチングの均一性が良好となるからである。
【００１７】
さらに本発明において、ボルト穴の数はプラズマ装置用電極板の外径により適宜決定されるものであるが、８個以上２０個以下であることが好ましい（請求項６）。
【００１８】
また、プラズマ装置用電極板の材質が、０．００１Ω・ｃｍ以上５０Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する単結晶シリコンであることが好ましい（請求項７）。
プラズマ装置の被処理物である半導体ウエーハは、通常単結晶シリコンのウエーハであるため、これと同一の材質で同程度の比抵抗を有するものを使用してプラズマ装置用電極板を形成することにより、パーティクルの発生や異常放電等のトラブルを防止することができるからである。
【００１９】
本発明においては、位置決め用溝部が少なくとも２箇所以上のボルト穴の周囲に設けられている場合、その内の一つの溝部が他の溝部の深さと異なる深さで形成されていることが好ましい（請求項８）。
このように、複数の位置決め用溝部が設けられた場合、その内の一つの深さを変えて取り付け位置をさらに特定することにより、さらに取り付け位置の特定および取り付け作業が容易となるからである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１（ａ）は、本発明のプラズマ装置用電極板１の表面側を示すものである。ここで、表面側とは、プラズマ装置用電極板１のチャンバ内に面する側の面であり、プラズマドライエッチング装置の拡散板部に密着しない側の面である。また、図１（ｂ）には、取り付け穴部の断面図を示す。
【００２１】
このプラズマ装置用電極板１は、特に限定されるものではないが、シリコン、カーボン、アルミニウム、または炭化珪素のいずれかの材料で形成されたものであることが好ましく、特に好ましくは単結晶シリコンにより形成されたものであり、中でも比抵抗が０．００１Ω・ｃｍ以上５０Ω・ｃｍ以下の単結晶シリコンにより形成されたものが好ましい。
被処理物は通常単結晶シリコンのウエーハであることから、これと同材質で同程度の比抵抗を有する単結晶シリコンにより形成されたプラズマ装置用電極板を用いれば、パーティクルの発生、異常放電等のトラブルもなく好ましいからである。
【００２２】
また、このプラズマ装置用電極板１は、特に限定されるものではないが、図１に示す例のように円形であることが好ましい。また、その外径は処理される半導体ウエーハ等の被処理物の外径に対応して決定されるものであり、被処理物の外径よりやや径の大きいもの、具体的には２５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下の範囲内のものを用いることが好ましい。この範囲内であれば、エッチング処理の均一性を向上させることができるからである。
【００２３】
さらに、このプラズマ装置用電極板１の厚みも特に限定されるものではないが、３ｍｍ以上２０ｍｍ以内の範囲内で適宜選択され用いることができる。
プラズマ装置用電極板１は、使用されるにつれて被処理物である半導体ウエーハ等と同様にエッチングされ、序々に薄くなるものであり、所定の厚みとなると寿命として新品と交換される。一方、厚みの大きいものに小径穴等を加工する場合はコストが高くなる。したがって、このプラズマ装置用電極板１の最適厚みは、寿命面とコスト面を勘案して適宜決定されるものであり、通常上記範囲内で決定されるものである。
【００２４】
本発明のプラズマ装置用電極板１には、その外周部に外周に沿うように取付用のボルト穴２が形成されている。
このボルト穴２の数は、プラズマ装置用電極板１の外径に応じて適宜選択されるものであるが、多過ぎると取り付け時の手間が多くなり、また少な過ぎると拡散板部との密着性に問題が生じる。従って径の大きさにもよるが、本発明においては、８個以上２０個以下の範囲内で適宜選択することができる。
また、このボルト穴２の配置は、所定の間隔をおいて等間隔に配置されることが好ましい。締め付け時の応力が均等となり、拡散板部との密着性が良好となるからである。
【００２５】
さらに、このボルト穴２の径は、使用するボルトの最外径よりやや大きめとすることが好ましい。
通常、プラズマドライエッチング装置の使用時にはプラズマ装置用電極板１に熱が生じ、これに伴い熱膨張が生じる。この熱膨張した際にボルトとボルト穴２とが接触すると割れが生じることがあるという問題があるからである。
具体的には、直径３ｍｍのボルト（通称Ｍ３）を用いる場合は、ボルト穴２の内径を３．３ｍｍ程度とすればよい。
【００２６】
さらに、熱膨張による割れをより確実に防止するために、ボルト穴２の形状をプラズマ装置用電極板１の直径方向の径を、円周方向の径に比較して長い径とした楕円形状とすることが好ましい。このような形状とすることにより、熱膨張時に特に問題となる直径方向の膨張を吸収することができるからである。
具体的には、上述した直径３ｍｍのＭ３ボルトを用いた場合は、円周方向の径（短い方の径）が約３．３ｍｍ、直径方向の径（長い方の径）が約３．６ｍｍの楕円形状とすればよい。
【００２７】
本発明のプラズマ装置用電極板１の表面側においては、このように形成されたボルト穴２の周囲にボルトの頭部を収納するためのザグリ３が形成されていることが好ましい。
これは、ザグリ３が形成されていないとプラズマ装置用電極板１をボルトにより拡散板部に取りつけた場合に、このボルトの頭部がプラズマ装置用電極板から飛び出すことになり、異常放電の原因となるという問題が生じるからである。
【００２８】
本発明のプラズマ装置用電極板１は、少なくとも一か所のボルト穴２の周囲に位置決め用溝部４が設けられ、かつこの位置決め用溝部４の深さを、プラズマ装置用電極板の板厚をｔとした場合に、ｔ／５０以上ｔ／５以下（深さが１ｍｍ以上の場合を除く）の範囲内とするところに特徴を有するものである。
【００２９】
このように、プラズマ装置用電極板の表面側の少なくとも一つのボルト穴周囲に位置決め用溝部を設けることにより、プラズマ装置用電極板を拡散板部に取り付ける際に、取り付け位置の特定が容易となり、導入孔と小径穴との位置ずれという問題が生じることがない。また、容易に位置決めが可能となるため位置決めに際しての時間を短縮することができることから、取り付け作業が容易となり、結果として効率的にエッチングを行うことができる。
【００３０】
そして例えば電極板の板厚ｔを１０ｍｍとすれば、位置決め用溝部の深さを０．２ｍｍから２ｍｍの範囲内に加工することが必要となる。このようにすれば、機械的、熱的強度において安定な性能を発揮し、ボルトでの取り付け時および実プロセス時において、クラックの発生や割れが生じることのないプラズマ装置用電極板を提供することができる。
【００３１】
溝部の深さがｔ／５を越える深いものとすると、電極板の強度が不足したものとなり、ボルトでの取り付け時および実プロセス時において、クラックの発生や割れが生じ、操業停止やメンテナンスによる生産性の低下とともにデバイス製造歩留りを大幅に低下させてしまうことになる。また溝部の深さがｔ／５０未満であると、位置決め用溝部の目視による判別が困難になり、取り付け時の位置決めの作業性が低下する。
【００３２】
本発明において、位置決め用溝部４の深さは、電極板の強度を確保するため上記数値限度内であればザグリ３と同じ深さであってもよく、またザグリとは異なる深さに形成されたものであってもよい。ザグリと同じ深さに形成するのであれば、ボルトの頭部の厚さに応じて決定すればよく、またザグリと別個、もしくはザグリと一体であっても同じ深さとしない場合は、目視で確認できる上記ｔ／５０以上とする必要がある。
【００３３】
上記のように本発明の位置決め用溝部４は、図１の例に示すようにザグリ３と一体に形成されたものであってもよく、またザグリ３とは別個に形成されたものであってもよい。また、位置決め用溝部４の溝形状は、例えば、ザグリ３の径を他のものより大きくしたもの等、目視で特定できる形状であれば特に限定されるものではない。本発明においては、図１の例に示すように、この位置決め用溝部４が、ザグリ３と一体に形成され、ザグリ３の深さより浅く、ボルト穴２の径より大きい幅を有し、ボルト穴２の周囲からプラズマ装置用電極板の外周まで伸びる形状とされたものであることが好ましい。
【００３４】
このような形状とすることにより、他のザグリ３とは形状が大きく異なるものとなり、特定し易いことから位置決めが容易となるからである。また、深さが浅いので電極板の強度が確保され、外周まで伸びていることから側面側からも取り付け位置の確認が可能となり、さらには、形状が簡単であることから加工が容易であり、コスト的にも有利なものとすることができる。
【００３５】
この場合の位置決め用溝部４の幅は、ボルト穴２の径より大きく、ボルトの頭部が収まる幅であればよく、図１に示すようにザグリ３の径と同じ幅であることが好ましい。また、位置決め用溝部４の長さは、ボルト穴２からプラズマ装置用電極板１の外周までの長さとすることが好ましい。
【００３６】
本発明の位置決め用溝部は、少なくとも１か所のボルト穴の周囲に設けられていればよい。少なくとも１か所のボルト穴周囲に設けられていれば、取り付け位置の特定ができるからである。
【００３７】
また、本発明においては、２か所以上のボルト穴の周囲に位置決め用溝部が設けられていてもよく、この場合、位置決め用溝部の配置等を工夫することにより取り付け位置の特定を行うことも可能であるが、一か所の位置決め用溝部の深さを他の位置決め用溝部の深さと異なる深さに形成することにより、取り付け位置の特定を行うことが好ましい。これは、加工が容易であり、目視による取り付け位置の特定が可能であり、また側面からも取り付け位置の特定を行うことができるからである。
例えば、全てのボルト穴２の周囲に位置決め用溝部４を形成した場合は、その内の一つの位置決め用溝部の深さを浅くすることにより、取り付け位置の特定を容易に行うことができる。
【００３８】
本発明のプラズマ装置用電極板１には、図１に示すようにその中央部に反応ガスを通気させる小径穴５が多数設けられている小径穴エリア６が形成されている。
上記小径穴５の直径は、特に限定されるものではないが、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。小径穴５の直径をこの範囲内とすることにより、反応ガスの流量、圧力等の制御が容易に行えるようになるからである。
【００３９】
また、この小径穴５の数は、被処理物である半導体ウエーハ等の径に依存するものであり、例えば５インチや６インチの径の比較的小さな被処理物を処理する場合は、少ない数の穴が採用され、また８インチ、１０インチ、もしくは１２インチ等の径の大きな被処理物を処理する場合は小径穴５の数を多くする必要がある。本発明においては、被処理物の径にもよるが、小径穴５の数が２００個以上２０００個以下の範囲内であることが好ましい。小径穴５の数をこの範囲内とすることにより、例えば半導体ウエーハ等の被処理物のエッチングレート等の処理の均一性が良好となるからである。
【００４０】
さらに、小径穴エリア６の最大幅は、被処理物である半導体ウエーハ等の直径と、処理の均一性等を考慮して決定されるものであり、本発明においては１５０ｍｍ以上４６０ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。具体的には、小径の被処理物を処理する場合は上記範囲内の１５０ｍｍに近い径を採用し、大径の被処理物を処理する場合は上記範囲内の４６０ｍｍに近い径を採用することにより良好な処理が可能となる。
【００４１】
また、この小径穴エリア６の形状は、処理の均一性を考慮した場合、円形に近い形状であることが好ましい。
このような小径穴５の数と小径穴エリア６の最大幅により、小径穴５の間隔であるピッチが決定される。本発明においては、処理の均一性から小径穴５のピッチを等間隔とすることが好ましい。
本発明は、このように小径穴５の径が小さく、その数が多数であり、小径穴エリアの最大幅が比較的大きい場合に生じる位置決めの困難性を回避することを目的とするものである。したがって、それぞれが上記範囲内である場合に、本発明の位置決めが容易となるという効果がより有効に発揮されるものであり、この面からも上記範囲内とすることが好ましい。
【００４２】
【実施例】
以下、本発明の実施例と比較例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４３】
（実施例１）
直径３００ｍｍ、比抵抗が２Ω・ｃｍの単結晶インゴットをスライス加工し、板厚（ｔ）５ｍｍの円板を得た。この円板の外周を加工することにより、直径２９０ｍｍのプラズマ装置用電極板素材とした。
マシニングセンタにダイヤモンドツールを取り付け、直径０．５ｍｍの小径穴６５０個を直径２２０ｍｍの範囲内に穿設した。
次いで、外周部には直径３．４ｍｍのボルト穴を１２個、等間隔に形成し、このうち１１個については直径８ｍｍで深さが２．２ｍｍのザグリを設け、残りの１個については前記同様にザグリを設けた後に、幅８ｍｍで長さがボルト穴周囲から外周まであり、深さがｔ／５０（＝０．１ｍｍ）の位置決め用溝部を設けプラズマ装置用電極板とした。
【００４４】
（実施例２）
位置決め用溝部の深さのみｔ／１０（＝０．５ｍｍ）とした以外は、実施例１と同様の条件で加工し、プラズマ装置用電極板を作製した。
【００４６】
（比較例）
位置決め用溝部の深さのみｔ／３．３（＝１．５ｍｍ）とした以外は、実施例１と同様の条件で加工し、プラズマ装置用電極板を作製した。
【００４７】
この様に作製したプラズマ装置用電極板を、図３に示すようなプラズマドライエッチング装置の拡散板部３０に位置決めしてボルトで取り付け、プラズマドライエッチングを行った。実施例１〜２および比較例は電極板を各々３枚づつ作製し、エッチングテストを行った。
取り付け時および実プロセスにおけるエッチングテストの結果、クラック、割れの発生状況を表１にまとめて示した。
【００４８】
【表１】

【００４９】
プラズマ装置用電極板の取り付けに関しては、位置決め用溝部により容易に位置を特定することができ、作業時間を短縮することができた。
しかしながら、比較例のように位置決め用溝部の深さがｔ／３．３（＝１．５ｍｍ）と深い場合には、ボルトによる取り付け時にクラックが発生したり、実プロセスでの熱応力により割れが発生することがあった。それに対し実施例１〜２ではそのような問題点は解消され、機械的、熱的強度は共に安定した性能を示した。また、取り付け位置の間違いによりプラズマドライエッチング中に反応ガスが導入されないといった問題も生じなかった。
【００５０】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５１】
【発明の効果】
本発明は、中央部に反応ガスを通気させるため多数の小径穴が設けられた小径穴エリアを有し、外周部には外周に沿って取付用のボルト穴が設けられたプラズマ装置用電極板において、その表面側の少なくとも一つのボルト穴周囲に位置決め用溝部が設けらた電極板であるので、この電極板をプラズマドライエッチング装置に取り付ける際に、作業者が容易に電極板の位置決めを行うことができると共に、位置決め用溝部の深さを浅く適切な深さとしたので、電極板の機械的、熱的強度を十分に確保することができ、ボルトによる取り付け時および実プロセスにおいて、クラックや割れが発生しないプラズマ装置用電極板を提供することができる。
【００５２】
また、取り付けの作業時間を短縮することができ、位置決めが容易となるので、取り付け位置を間違えることにより生じる反応ガスが流れなくなるというトラブルを防止するという効果も奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ装置用電極板の一例を示す図である。
（ａ）平面図、（ｂ）取り付け穴部断面図。
【図２】従来のプラズマ装置用電極板の一例を示す図である。
（ａ）平面図、（ｂ）取り付け穴部断面図。
【図３】プラズマドライエッチング装置を示す説明図である。
【符号の説明】
１…プラズマ装置用電極板、２…ボルト穴、３…ザグリ、
４…位置決め用溝部、５…小径穴、６…小径穴エリア、
２１…チャンバ、２２…平面電極、２３…対向電極、
２４…被処理物、２５…固定部、２６…電極部、
２７…プラズマ装置用電極板、２８…ガス溜り部、２９…導入孔、
３０…拡散板部、３１…ボルト、３２…小径穴、３３…真空排気装置、
３４…反応ガス、３５…小径穴エリア、３６…ボルト穴、
３７…ザグリ、３８…位置決め用溝部、
ｔ…電極板板厚。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrode plate for use in, for example, a plasma dry etching apparatus, and the like, and relates to an electrode plate for a plasma apparatus in which a large number of small-diameter holes for reaction gas ventilation are provided in the center.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a plasma dry etching apparatus that applies a high frequency when dry etching of a semiconductor wafer or the like has been used.
Such a plasma dry etching apparatus includes, for example, a planar electrode 22 provided in a chamber 21 and a counter electrode 23 facing the planar electrode 22 as shown in FIG.
[0003]
The planar electrode 22 is connected to a high-frequency power source (not shown), and is provided with a fixing portion 25 for mounting and fixing a workpiece 24 such as a semiconductor wafer. On the other hand, the counter electrode 23 facing the planar electrode 22 is composed of an electrode portion 26 and a plasma device electrode plate 27. A gas reservoir portion 28 is provided in the electrode portion 26, and a plurality of introduction holes 29 communicating with the gas reservoir portion 28 are formed in a portion in contact with the plasma device electrode plate 27 below the electrode portion 26. The diffusion plate portion 30 is provided. The gas reservoir 28 is connected to a reaction gas supply system (not shown).
[0004]
The electrode plate 27 for plasma apparatus is provided with a large number of small-diameter holes 32 in the center thereof, and bolts 31 are provided in the electrode portion 26 so that the small-diameter holes 32 and the introduction holes 29 of the diffusion plate portion 30 are aligned. It is attached by.
As shown in this example, the diffuser plate portion 30 is formed integrally with the gas reservoir portion 28 to form the electrode portion 26. In addition to the diffuser plate portion 30 formed as a diffuser plate, a bolt, a fixing ring, etc. Some are fixed with.
[0005]
When etching is performed using this plasma dry etching apparatus, first, the inside of the chamber 21 is evacuated by the evacuation apparatus 33 provided in the chamber 21. At the same time, the reaction gas 34 is rectified by passing through the introduction hole 29 and the small diameter hole 32 from the gas reservoir 28 and introduced into the chamber 21. In this state, plasma is generated between the planar electrode 22 and the counter electrode 23 by applying a high frequency from a high frequency power supply (not shown), and a semiconductor wafer or the like to be processed placed and fixed on the planar electrode 22 is processed. The surface of the object 24 is etched.
[0006]
In such a plasma dry etching apparatus, when the plasma apparatus electrode plate 27 is fixed to the diffusion plate portion 30 with the bolt 31 as described above, the positions of the introduction hole 29 and the small-diameter hole 32 coincide with each other to react gas. 34 needs to be ventilated. However, the conventional electrode plate 27 for a plasma apparatus has a problem that the introduction hole 29 and the small diameter hole 32 are displaced from each other, and the reaction gas does not flow.
[0007]
This point will be described with reference to FIG. 2 showing an electrode plate for a plasma device.
2A shows the surface side of the plasma device electrode plate 27 of FIG. 3 (in the present invention, the surface side of the plasma device electrode plate faces the inside of the chamber 21 and does not contact the diffusion plate portion 30). This means that the A substantially circular small-diameter hole area 35 provided with a large number of small-diameter holes 32 is formed in the central portion of the electrode plate 27, and the outer peripheral portion is attached at regular intervals along the outer periphery. Twelve bolt holes 36 are formed. A counterbore 37 is provided around the bolt hole 36 so that the head of the bolt 31 does not protrude from the surface of the electrode plate for the plasma device.
[0008]
The small-diameter holes 32 are normally provided at positions that are equally spaced in both the vertical and horizontal directions, and have a predetermined interval, so that the small-diameter hole area 35 can be a perfect circle. There is nothing. In addition, since the region where the introduction hole 29 of the diffusion plate portion 30 shown in FIG. 3 is also provided so as to correspond to the small diameter hole 32, it cannot be a perfect circular shape as well. Therefore, when the plasma apparatus electrode plate 27 is attached to the diffusion plate portion 30, the small diameter hole 32 and the introduction hole 29 are not provided unless the predetermined bolt hole 36 is positioned and attached to the predetermined hole of the diffusion plate portion 30. There is a problem that the reaction gas 34 cannot be successfully introduced into the chamber 21 due to the mismatch.
[0009]
In order to solve this problem, in the utility model No. 3050498, as shown in the sectional view of the mounting hole in FIG. 2B, for the plasma apparatus in which the positioning groove 38 is provided around the at least one bolt hole 36 on the surface side. An electrode plate 27 is disclosed. When this electrode plate is used, when the electrode plate 27 is attached to the diffusing plate portion 30, it becomes possible to easily attach the electrode plate 27 to a predetermined position by the positioning groove portion, and workability and productivity can be improved. It is said.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to investigations and examinations by the present inventors, the depth of the positioning groove is 1 mm or more as in the above-mentioned utility model, and the thickness of the electrode plate is within 5/6 or less of the thickness of the electrode plate. On the other hand, if it is too deep, the strength of the electrode plate will be insufficient, and cracks and cracks will occur in the electrode plate for the plasma device when mounting with bolts or during plasma processing of the wafer in the actual process. It was confirmed that not only did it need to be done, but also the treated wafer could not be used, resulting in significant losses.
[0011]
The present invention has been made in view of such problems, and can be easily positioned when attaching an electrode plate for a plasma apparatus to a diffusion plate portion of a plasma dry etching apparatus or the like, and at the time of attachment with a bolt and in an actual process. The main object of the present invention is to provide an electrode plate for a plasma device in which cracks and cracks do not occur.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made to solve the above problems, and the electrode plate for a plasma apparatus according to the present invention has a small-diameter hole area in which a large number of small-diameter holes for allowing reaction gas to flow are provided in the center. In the plasma device electrode plate in which a bolt hole for attachment is provided on the outer peripheral portion and a positioning groove is formed around at least one bolt hole on the surface side, the thickness of the electrode plate for the plasma device is t Then, the depth of the positioning groove is in a range of t / 50 or more and t / 5 or less (except when the depth is 1 mm or more) (Claim 1).
[0013]
Thus, by providing a positioning groove around at least one bolt hole on the surface side of the electrode plate for the plasma device, it becomes possible to easily perform positioning when attaching the electrode plate for the plasma device to the diffusion plate portion. When the thickness of the electrode plate for the plasma apparatus is t, the depth of the positioning groove is t / 50 or more and t / 5 or less (except when the depth is 1 mm or more). It is possible to provide an electrode plate for a plasma device that exhibits stable performance with excellent mechanical and thermal strength. If the depth of the groove exceeds t / 5, cracks and cracks will occur during bolt installation and actual process, resulting in a significant decrease in device manufacturing yield as well as a drop in productivity due to maintenance and shutdown. It will be reduced. If the depth of the groove is less than t / 50, it is difficult to visually determine the positioning groove, and workability is reduced.
[0014]
In this case, it is preferable that the positioning groove has a width larger than the diameter of the bolt hole for attachment and is formed in a shape extending from the periphery of the bolt hole to the outer periphery of the electrode plate for the plasma device. .
By adopting such a shape, the positioning groove can be instantly specified, and the electrode plate mounting position can be specified. Furthermore, since it is a simple shape, it can be easily processed and can be advantageous in terms of cost.
[0015]
The thickness of the electrode plate for a plasma device of the present invention is determined in consideration of the life and cost within the range of 3 mm to 20 mm (Claim 3), and the outer diameter is etched within the range of 250 mm to 500 mm. It is selected according to the outer diameter of the workpiece to be processed.
[0016]
In the present invention, the diameter of the small hole is 0.3 mm or more and 1.0 mm or less, the number thereof is 200 or more and 2000 or less, and the maximum width of the small hole area is 150 mm or more and 460 mm or less. (Claim 5).
This is because the effect of facilitating the alignment of the present invention is effectively exhibited particularly when the diameter of the small-diameter hole is small and the number is large. This is because the flow rate and the like can be easily adjusted and the etching uniformity is improved.
[0017]
Further, in the present invention, the number of bolt holes is appropriately determined depending on the outer diameter of the electrode plate for plasma device, but is preferably 8 or more and 20 or less (Claim 6).
[0018]
Moreover, it is preferable that the material of the electrode plate for a plasma apparatus is single crystal silicon having a specific resistance of 0.001 Ω · cm to 50 Ω · cm.
A semiconductor wafer, which is an object to be processed in a plasma apparatus, is usually a single crystal silicon wafer. Therefore, by using an electrode plate for a plasma apparatus that is made of the same material and has a specific resistance of the same level, This is because troubles such as generation of particles and abnormal discharge can be prevented.
[0019]
In the present invention, when the positioning groove is provided around at least two bolt holes, it is preferable that one of the grooves is formed with a depth different from the depth of the other groove ( Claim 8).
As described above, when a plurality of positioning grooves are provided, the mounting position is further specified by changing one of the depths, thereby further facilitating the specification and mounting work of the mounting position.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
Fig.1 (a) shows the surface side of the electrode plate 1 for plasma apparatuses of this invention. Here, the surface side is the surface of the plasma device electrode plate 1 that faces the inside of the chamber, and is the surface that does not adhere to the diffusion plate portion of the plasma dry etching apparatus. FIG. 1B shows a cross-sectional view of the mounting hole.
[0021]
The electrode plate 1 for plasma device is not particularly limited, but is preferably formed of any material of silicon, carbon, aluminum, or silicon carbide, and particularly preferably made of single crystal silicon. Among them, those formed of single crystal silicon having a specific resistance of 0.001 Ω · cm to 50 Ω · cm are preferable.
Since the object to be processed is usually a single crystal silicon wafer, if an electrode plate for a plasma device made of the same material and having the same specific resistance is used, generation of particles, abnormal discharge, etc. This is because there is no trouble.
[0022]
Further, the electrode plate 1 for a plasma apparatus is not particularly limited, but is preferably circular as in the example shown in FIG. Further, the outer diameter is determined in accordance with the outer diameter of the object to be processed such as a semiconductor wafer to be processed, and is slightly larger than the outer diameter of the object to be processed, specifically 250 mm to 500 mm. Those within the following ranges are preferably used. This is because the uniformity of the etching process can be improved within this range.
[0023]
Further, the thickness of the electrode plate 1 for plasma apparatus is not particularly limited, but can be appropriately selected and used within a range of 3 mm or more and 20 mm or less.
The electrode plate 1 for a plasma apparatus is etched in the same manner as a semiconductor wafer or the like to be processed as it is used, and gradually becomes thinner. When a predetermined thickness is reached, the electrode plate 1 is replaced with a new one as a lifetime. On the other hand, when a small-diameter hole or the like is processed into a large thickness, the cost is high. Therefore, the optimum thickness of the electrode plate for plasma device 1 is appropriately determined in consideration of the life and cost, and is usually determined within the above range.
[0024]
The electrode plate 1 for plasma apparatus of the present invention has mounting bolt holes 2 formed along the outer periphery of the electrode plate 1.
The number of the bolt holes 2 is appropriately selected according to the outer diameter of the electrode plate 1 for a plasma device. However, if it is too much, it takes a lot of trouble at the time of attachment, and if it is too little, it is in close contact with the diffusion plate portion. There is a problem with sex. Therefore, although it depends on the size of the diameter, in the present invention, it can be appropriately selected within the range of 8 or more and 20 or less.
Further, the bolt holes 2 are preferably arranged at equal intervals with a predetermined interval. This is because the stress at the time of tightening becomes uniform and the adhesion with the diffusion plate portion becomes good.
[0025]
Furthermore, it is preferable that the diameter of the bolt hole 2 is slightly larger than the outermost diameter of the bolt to be used.
Usually, when the plasma dry etching apparatus is used, heat is generated in the electrode plate 1 for the plasma apparatus, and thermal expansion occurs accordingly. This is because there is a problem that cracks may occur when the bolt and the bolt hole 2 come into contact with each other during this thermal expansion.
Specifically, when a 3 mm diameter bolt (commonly called M3) is used, the inner diameter of the bolt hole 2 may be about 3.3 mm.
[0026]
Furthermore, in order to more reliably prevent cracking due to thermal expansion, the shape of the bolt hole 2 is an elliptical shape in which the diameter in the diameter direction of the electrode plate for plasma device 1 is longer than the diameter in the circumferential direction; It is preferable to do. This is because by adopting such a shape, it is possible to absorb the expansion in the diametrical direction, which is particularly problematic during thermal expansion.
Specifically, when the above-described M3 bolt having a diameter of 3 mm is used, the circumferential diameter (shorter diameter) is about 3.3 mm and the diameterwise diameter (longer diameter) is about 3.6 mm. The oval shape may be used.
[0027]
On the surface side of the electrode plate for plasma device 1 of the present invention, it is preferable that a counterbore 3 for accommodating the head of the bolt is formed around the bolt hole 2 formed in this way.
This is because, when the counterbore 3 is not formed, when the plasma device electrode plate 1 is attached to the diffusion plate portion with a bolt, the head portion of the bolt protrudes from the plasma device electrode plate, causing abnormal discharge. This is because the problem of
[0028]
The electrode plate for plasma device 1 of the present invention is provided with a positioning groove portion 4 around at least one bolt hole 2, and the depth of the positioning groove portion 4 is set to the thickness of the electrode plate for plasma device. When t, it is characterized in that it falls within the range of t / 50 or more and t / 5 or less (except when the depth is 1 mm or more) .
[0029]
Thus, by providing the positioning groove around at least one bolt hole on the surface side of the electrode plate for the plasma device, it is easy to specify the mounting position when attaching the electrode plate for the plasma device to the diffusion plate portion, The problem of misalignment between the introduction hole and the small diameter hole does not occur. Further, since positioning can be performed easily, the time for positioning can be shortened, so that the mounting operation is facilitated, and as a result, etching can be performed efficiently.
[0030]
For example, if the plate thickness t of the electrode plate is 10 mm, it is necessary to process the depth of the positioning groove within the range of 0.2 mm to 2 mm. In this way, it is possible to provide an electrode plate for a plasma device that exhibits stable performance in mechanical and thermal strength, and that does not generate cracks or cracks when installed with bolts or during actual processes. Can do.
[0031]
If the depth of the groove is deeper than t / 5, the strength of the electrode plate will be insufficient, causing cracks and cracks when mounting with bolts and during the actual process. As a result, the device manufacturing yield is significantly reduced. If the depth of the groove is less than t / 50, it is difficult to visually determine the positioning groove, and the positioning workability at the time of attachment is lowered.
[0032]
In the present invention, the depth of the positioning groove 4 may be the same depth as the counterbore 3 as long as it is within the above numerical limit in order to ensure the strength of the electrode plate, and is formed at a depth different from the counterbore. It may be. If it is formed to the same depth as the counterbore, it can be determined according to the thickness of the head of the bolt, and if it is not the same depth separately from the counterbore or integrated with the counterbore, check visually It is necessary to make the above t / 50 or more possible.
[0033]
As described above, the positioning groove portion 4 of the present invention may be formed integrally with the counterbore 3 as shown in the example of FIG. 1, or may be formed separately from the counterbore 3. Also good. The groove shape of the positioning groove portion 4 is not particularly limited as long as it is a shape that can be visually identified, such as a shape in which the diameter of the counterbore 3 is larger than the other ones. In the present invention, as shown in the example of FIG. 1, the positioning groove 4 is formed integrally with the counterbore 3, has a width smaller than the depth of the counterbore 3 and larger than the diameter of the bolt hole 2, and the bolt hole Preferably, the shape extends from the periphery of 2 to the outer periphery of the electrode plate for a plasma device.
[0034]
By adopting such a shape, the shape of the counterbore 3 is greatly different from that of the other counterbore 3 and positioning is facilitated because it is easy to specify. In addition, since the depth is shallow, the strength of the electrode plate is ensured, and since it extends to the outer periphery, it is possible to check the mounting position from the side surface, and furthermore, since the shape is simple, processing is easy, It can also be advantageous in terms of cost.
[0035]
The width of the positioning groove 4 in this case is larger than the diameter of the bolt hole 2 and may be a width that can accommodate the head of the bolt, and is preferably the same width as the counterbore 3 as shown in FIG. The length of the positioning groove 4 is preferably the length from the bolt hole 2 to the outer periphery of the plasma device electrode plate 1.
[0036]
The positioning groove of the present invention may be provided around at least one bolt hole. This is because the mounting position can be specified if it is provided around at least one bolt hole.
[0037]
In the present invention, positioning groove portions may be provided around two or more bolt holes. In this case, the mounting position may be specified by devising the arrangement of the positioning groove portions. Although it is possible, it is preferable to specify the mounting position by forming the depth of one positioning groove to be different from the depth of other positioning grooves. This is because processing is easy, the attachment position can be identified by visual observation, and the attachment position can also be identified from the side surface.
For example, when the positioning groove portions 4 are formed around all the bolt holes 2, the mounting position can be easily specified by reducing the depth of one of the positioning groove portions.
[0038]
As shown in FIG. 1, the plasma apparatus electrode plate 1 of the present invention is formed with a small-diameter hole area 6 provided with a large number of small-diameter holes 5 through which a reaction gas is passed.
Although the diameter of the said small diameter hole 5 is not specifically limited, It is preferable to exist in the range of 0.3 mm or more and 1.0 mm or less. This is because by setting the diameter of the small-diameter hole 5 within this range, it becomes possible to easily control the flow rate, pressure, and the like of the reaction gas.
[0039]
Further, the number of the small-diameter holes 5 depends on the diameter of a semiconductor wafer or the like that is the object to be processed. For example, when processing an object having a relatively small diameter of 5 inches or 6 inches, the number is small. In the case of processing a workpiece having a large diameter such as 8 inches, 10 inches, or 12 inches, it is necessary to increase the number of small diameter holes 5. In the present invention, although depending on the diameter of the workpiece, the number of small-diameter holes 5 is preferably in the range of 200 to 2000. This is because by setting the number of the small-diameter holes 5 within this range, for example, the uniformity of processing such as the etching rate of an object to be processed such as a semiconductor wafer is improved.
[0040]
Further, the maximum width of the small-diameter hole area 6 is determined in consideration of the diameter of a semiconductor wafer or the like to be processed, the uniformity of processing, and the like in the present invention within the range of 150 mm to 460 mm. It is preferable that Specifically, when processing a workpiece having a small diameter, a diameter close to 150 mm within the above range is adopted, and when processing a workpiece having a large diameter, a diameter close to 460 mm within the above range is adopted. Better processing is possible.
[0041]
In addition, the shape of the small-diameter hole area 6 is preferably a shape close to a circle when processing uniformity is taken into consideration.
The pitch as the interval between the small diameter holes 5 is determined by the number of the small diameter holes 5 and the maximum width of the small diameter hole area 6. In the present invention, it is preferable that the pitches of the small-diameter holes 5 are set at equal intervals from the uniformity of processing.
The object of the present invention is to avoid the positioning difficulty that occurs when the diameter of the small-diameter holes 5 is small and the number thereof is large and the maximum width of the small-diameter hole area is relatively large. . Therefore, when each is within the above range, the effect of facilitating the positioning of the present invention is more effectively exhibited, and from this aspect, it is preferable to be within the above range.
[0042]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and comparative example of this invention are given and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited to these.
[0043]
Example 1
A single crystal ingot having a diameter of 300 mm and a specific resistance of 2 Ω · cm was sliced to obtain a disk having a thickness (t) of 5 mm. By processing the outer periphery of the disk, an electrode plate material for a plasma device having a diameter of 290 mm was obtained.
A diamond tool was attached to the machining center, and 650 small-diameter holes with a diameter of 0.5 mm were drilled within a range of 220 mm in diameter.
Next, twelve bolt holes with a diameter of 3.4 mm are formed at equal intervals on the outer peripheral portion, of which eleven are provided with counterbores having a diameter of 8 mm and a depth of 2.2 mm, and the remaining one is the aforementioned Similarly, after the counterbore was provided, a positioning groove having a width of 8 mm, a length from the periphery of the bolt hole to the outer periphery, and a depth of t / 50 (= 0.1 mm) was provided as an electrode plate for a plasma apparatus.
[0044]
(Example 2)
A plasma device electrode plate was fabricated by processing under the same conditions as in Example 1 except that only the depth of the positioning groove was t / 10 (= 0.5 mm).
[0046]
(Comparative example)
A plasma device electrode plate was fabricated by processing under the same conditions as in Example 1 except that only the depth of the positioning groove was t / 3.3 (= 1.5 mm).
[0047]
The plasma apparatus electrode plate thus produced was positioned on a diffusion plate portion 30 of a plasma dry etching apparatus as shown in FIG. 3 and attached with bolts, and plasma dry etching was performed. In Examples 1 and 2 and the comparative example, three electrode plates were prepared and an etching test was performed.
Table 1 summarizes the occurrence of cracks and cracks as a result of etching tests during installation and in the actual process.
[0048]
[Table 1]

[0049]
Regarding the attachment of the electrode plate for the plasma device, the position could be easily specified by the positioning groove, and the working time could be shortened.
However, when the depth of the positioning groove is as deep as t / 3.3 (= 1.5 mm) as in the comparative example, cracks may occur when mounting with bolts, or cracks may occur due to thermal stress in the actual process. It sometimes occurred. On the other hand, in Examples 1 and 2 , such a problem was solved, and both mechanical and thermal strength showed stable performance. In addition, there was no problem that the reaction gas was not introduced during the plasma dry etching due to an incorrect mounting position.
[0050]
The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has the same configuration as the technical idea described in the scope of claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. Are included in the technical scope.
[0051]
【The invention's effect】
The present invention has an electrode plate for a plasma device having a small-diameter hole area provided with a large number of small-diameter holes in order to allow a reactive gas to flow in the central portion, and an outer peripheral portion having mounting bolt holes along the outer periphery. In this case, the electrode plate is provided with a positioning groove around at least one bolt hole on the surface side thereof. Therefore, when the electrode plate is attached to the plasma dry etching apparatus, the operator easily positions the electrode plate. In addition, the positioning groove has a shallow and appropriate depth, so that the mechanical and thermal strength of the electrode plate can be sufficiently secured. It is possible to provide an electrode plate for a plasma device that does not generate the problem.
[0052]
In addition, since the mounting work time can be shortened and positioning becomes easy, there is also an effect of preventing a trouble that the reaction gas generated due to a wrong mounting position does not flow.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing an example of an electrode plate for a plasma apparatus of the present invention.
(A) Top view, (b) Sectional view of mounting hole.
FIG. 2 is a view showing an example of a conventional electrode plate for a plasma device.
(A) Top view, (b) Sectional view of mounting hole.
FIG. 3 is an explanatory view showing a plasma dry etching apparatus.
[Explanation of symbols]
1 ... Electrode plate for plasma device, 2 ... Bolt hole, 3 ... Counterbore,
4 ... positioning groove, 5 ... small diameter hole, 6 ... small diameter hole area,
21 ... Chamber, 22 ... Planar electrode, 23 ... Counter electrode,
24 ... object to be treated, 25 ... fixing part, 26 ... electrode part,
27 ... Electrode plate for plasma device, 28 ... Gas reservoir, 29 ... Introduction hole,
30 ... diffusion plate part, 31 ... bolt, 32 ... small diameter hole, 33 ... vacuum exhaust device,
34 ... reactive gas, 35 ... small diameter hole area, 36 ... bolt hole,
37 ... Counterbore, 38 ... Positioning groove,
t: electrode plate thickness.

Claims

It has a small-diameter hole area with a large number of small-diameter holes for venting reactive gas in the center, and a bolt hole for mounting is provided on the outer periphery, and it is positioned around at least one bolt hole on the surface side. In the plasma device electrode plate in which the groove portion for plasma is formed, when the plate thickness of the electrode plate for plasma device is t, the depth of the groove portion for positioning is t / 50 or more and t / 5 or less (when the depth is 1 mm or more) The electrode plate for a plasma device, wherein the electrode plate is within the range of

The said positioning groove part has a width larger than the diameter of the bolt hole for attachment, and is formed in the shape extended from the circumference | surroundings of a bolt hole to the outer periphery of the said electrode plate for plasma apparatuses. Electrode plate for plasma device.

The thickness of the said electrode plate for plasma apparatuses is 3 mm or more and 20 mm or less, The electrode plate for plasma apparatuses of Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned.

4. The electrode plate for a plasma device according to claim 1, wherein an outer diameter of the electrode plate for the plasma device is 250 mm or more and 500 mm or less.

The diameter of the small diameter hole is 0.3 mm or more and 1.0 mm or less, the number thereof is 200 or more and 2000 or less, and the maximum width of the small diameter hole area is 150 mm or more and 460 mm or less. The electrode plate for a plasma device according to any one of claims 1 to 4.

6. The electrode plate for a plasma device according to claim 1, wherein the number of the mounting bolt holes is 8 or more and 20 or less.

The material of the said electrode plate for plasma apparatuses is a single crystal silicon which has a specific resistance of 0.001 ohm * cm or more and 50 ohm * cm or less, The any one of Claim 1 thru | or 6 characterized by the above-mentioned. Electrode plate for plasma device.

8. The positioning groove portion is provided around at least two bolt holes, and one groove portion is formed with a depth different from the depth of the other groove portion. The electrode plate for a plasma device according to any one of the above.