JP4533242B2

JP4533242B2 - Wafer transfer device and wafer grinding-etching system

Info

Publication number: JP4533242B2
Application number: JP2005152367A
Authority: JP
Inventors: 浩太郎西川
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2005-05-25
Filing date: 2005-05-25
Publication date: 2010-09-01
Anticipated expiration: 2025-05-25
Also published as: JP2006332242A

Description

本発明は、ウェーハの裏面を研削してからその裏面をプラズマエッチングする機能を有するウェーハの研削−エッチングシステム、及び、研削後のウェーハを研削装置からエッチング装置に搬送するウェーハ搬送装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer grinding-etching system having a function of grinding a back surface of a wafer and then plasma-etching the back surface, and a wafer transfer device for transferring a ground wafer from a grinding device to an etching device. .

表面に複数のデバイスが形成されたウェーハは、裏面が研削されて所望の厚さに形成された後にダイシングされて個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。 A wafer having a plurality of devices formed on the front surface is ground to have a desired thickness and then diced, divided into individual devices, and used in various electronic devices.

しかし、ウェーハの裏面を研削すると、当該裏面には研削歪みが残存するため、その状態でダイシングを行うと、各デバイスの抗折強度が低下するという問題がある。そこで、研削後のウェーハの裏面にプラズマエッチングを施して研削歪みを除去してデバイスの抗折強度を高める技術が提案されている。 However, when the back surface of the wafer is ground, grinding distortion remains on the back surface. Therefore, if dicing is performed in this state, the bending strength of each device is lowered. In view of this, a technique has been proposed in which plasma etching is performed on the back surface of the wafer after grinding to remove grinding distortion and increase the bending strength of the device.

ウェーハの裏面の研削及びプラズマエッチングにあたっては、回路を保護するための保護テープがウェーハの表面に貼着されるが、かかる保護テープは、プラズマエッチングの際に発生する１５０°Ｃ前後の熱によって捩れることがある。かかる問題を解決するために、保護テープに紫外線硬化型のものを使用し、プラズマエッチング前に当該紫外線硬化型の保護テープに紫外線を照射して硬化させ、捩れが生じないようにする技術も提案されている（例えば特許文献１参照）。 In grinding and plasma etching of the back surface of the wafer, a protective tape for protecting the circuit is attached to the front surface of the wafer. Such protective tape is twisted by heat of about 150 ° C. generated during plasma etching. May be. In order to solve this problem, we also propose a technology that uses UV curable protective tape and cures it by irradiating the UV curable protective tape with ultraviolet rays before plasma etching. (For example, refer to Patent Document 1).

特開２００４−２４７４４３号公報JP 2004-247443 A

しかし、特許文献１に開示された発明において、研削装置にてウェーハの裏面を研削した後、その裏面をエッチングする前に、ウェーハの表面に貼着された紫外線硬化型の保護テープに紫外線を照射するためには、紫外線照射器にウェーハを搬入してから保護テープに紫外線を照射し、照射後は紫外線照射器から搬出するという工程を別に設けなければならず、生産性が低下するという問題がある。 However, in the invention disclosed in Patent Document 1, after the back surface of the wafer is ground by a grinding apparatus, before the back surface is etched, the ultraviolet curable protective tape adhered to the front surface of the wafer is irradiated with ultraviolet rays. In order to do this, it is necessary to provide a separate process of irradiating the protective tape with ultraviolet rays after loading the wafer into the ultraviolet irradiator, and unloading from the ultraviolet irradiator after irradiation, which reduces the productivity. is there.

また、紫外線照射器のガラステーブル上にウェーハの保護テープ側を載置すると、ガラステーブルと保護テープとが密着し、ウェーハを搬出することが困難になるという問題がある。特に、紫外線照射器へのウェーハの搬入及び紫外線照射器からのウェーハの搬出を行う装置が、ベルヌーイパッドと呼ばれる非接触状態でウェーハを保持するタイプのものである場合は、実質的に紫外線照射器からウェーハを搬出してプラズマエッチング装置に搬送することが不可能となる。 Moreover, when the protective tape side of the wafer is placed on the glass table of the ultraviolet irradiator, the glass table and the protective tape are in close contact with each other, which makes it difficult to carry out the wafer. In particular, when the apparatus that carries the wafer into and out of the ultraviolet irradiator is a type that holds the wafer in a non-contact state called a Bernoulli pad, the ultraviolet irradiator is substantially used. It becomes impossible to unload the wafer from the wafer and transfer it to the plasma etching apparatus.

そこで、本発明が解決しようとする課題は、ウェーハの表面に貼着されている紫外線硬化型の保護テープに効率良く紫外線を照射できるようにすると共に、紫外線照射後のウェーハを確実にプラズマエッチング装置に搬送できるようにすることである。 Therefore, the problem to be solved by the present invention is to enable the ultraviolet curing type protective tape attached to the surface of the wafer to be efficiently irradiated with ultraviolet rays and to reliably etch the wafer after the ultraviolet irradiation. It is to be able to transport it.

本発明は、ウェーハの裏面を研削する研削装置と、研削装置によって研削されたウェーハの裏面をエッチングするプラズマエッチング装置と、裏面が研削されたウェーハを研削装置とプラズマエッチング装置との間で搬送する搬送装置とから構成されるウェーハの研削−エッチングシステムに関するもので、搬送装置は、ウェーハを保持する保持部と、保持部を支持して研削装置とプラズマエッチング装置との間で保持部を移動させる支持部とを備え、保持部の移動経路には、ウェーハのエッチングが実施される前に保持部が保持するウェーハに貼着された紫外線硬化型テープに対して紫外線を照射して紫外線硬化型テープを硬化させる紫外線照射部を設け、プラズマエッチング装置では、硬化した紫外線硬化型テープが表面に貼着されたウェーハの裏面をプラズマエッチングする。 The present invention relates to a grinding device for grinding the back surface of a wafer, a plasma etching device for etching the back surface of a wafer ground by the grinding device, and a wafer having the ground back surface conveyed between the grinding device and the plasma etching device. The present invention relates to a wafer grinding-etching system composed of a transfer device. The transfer device supports a holding unit that holds the wafer, and moves the holding unit between the grinding device and the plasma etching device while supporting the holding unit. An ultraviolet curable tape that irradiates the ultraviolet curable tape affixed to the wafer held by the holder before the wafer etching is performed on the moving path of the holder. the ultraviolet irradiation unit Ru is cured provided, in a plasma etching apparatus, the cured ultraviolet-curable tape is affixed to the front surface c The rear surface of the Doha plasma etching.

上記いずれの発明においても、ウェーハ搬送装置の紫外線照射部は、紫外線硬化型テープに対して非接触の状態で紫外線を照射するようにすることが好ましい。 In any of the above-described inventions, it is preferable that the ultraviolet irradiation unit of the wafer conveyance device irradiates ultraviolet rays in a non-contact state with respect to the ultraviolet curable tape.

本発明では、裏面が研削されたウェーハを搬送装置の保持部が保持した状態で、紫外線照射部から紫外線硬化型テープに紫外線を照射することができる。したがって、研削装置からプラズマエッチング装置への搬送過程において紫外線硬化型テープを硬化させることができ、効率的である。 In the present invention, the ultraviolet curable tape can be irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit in a state where the wafer whose back surface is ground is held by the holding unit of the transfer device. Therefore, the ultraviolet curable tape can be cured in the transport process from the grinding apparatus to the plasma etching apparatus, which is efficient.

また、紫外線硬化型テープに対して非接触の状態で紫外線を照射できるようにすると、従来のように紫外線硬化型テープが紫外線照射器のガラステーブルに密着して搬出できなくなくなるという問題が生じないため、ウェーハをプラズマエッチング装置に円滑に搬送することができる。 In addition, when ultraviolet rays can be irradiated in a non-contact state with respect to the ultraviolet curable tape, there is no problem that the ultraviolet curable tape cannot be brought into close contact with the glass table of the ultraviolet irradiator as in the past. Therefore, the wafer can be smoothly transferred to the plasma etching apparatus.

図１に示すウェーハの研削−エッチングシステムは、ウェーハの裏面を研削した後に、その裏面をエッチングして研削歪みを除去する機能を有するシステムであり、ウェーハの裏面を研削する研削装置２と、研削後の裏面をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置５と、裏面研削後のウェーハを研削装置２とプラズマエッチング装置５との間で搬送するウェーハ搬送装置４とから構成される。 The wafer grinding-etching system shown in FIG. 1 is a system having a function of removing the grinding distortion by grinding the back surface of the wafer after grinding the back surface of the wafer. It comprises a plasma etching apparatus 5 that plasma etches the rear surface of the rear surface and a wafer transfer device 4 that transfers the wafer after the back surface grinding between the grinding device 2 and the plasma etching apparatus 5.

研削装置２は、ウェーハを保持するチャックテーブル２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄと、これらのチャックテーブルに保持されたウェーハに対して研削を施す第一の研削手段２１及び第二の研削手段２２とを備えている。 The grinding apparatus 2 includes chuck tables 20a, 20b, 20c, and 20d that hold wafers, and a first grinding means 21 and a second grinding means 22 that grind the wafers held on these chuck tables. I have.

研削装置２には、加工前のウェーハを収容する第一のカセット２３ａ及び加工済みのウェーハを収容する第二のカセット２３ｂとを備えている。第一のカセット２３ａ及び第二のカセット２３ｂの近傍には、第一のカセット２３ａから加工前のウェーハを搬出すると共に、加工済みのウェーハを第二のカセット２３ｂに搬入する機能を有する搬出入手段２４が配設されている。搬出入手段２４は、屈曲自在なアーム部２４０の先端にウェーハを保持する保持部２４１が設けられた構成となっており、保持部２４１の可動域には、加工前のウェーハの位置合わせをする位置合わせ手段２５及び加工済みのウェーハを保持テーブル２６０において保持して洗浄する洗浄手段２６が配設されている。 The grinding apparatus 2 includes a first cassette 23a that stores a wafer before processing and a second cassette 23b that stores a processed wafer. In the vicinity of the first cassette 23a and the second cassette 23b, a loading / unloading unit having a function of unloading the unprocessed wafer from the first cassette 23a and loading the processed wafer into the second cassette 23b. 24 is arranged. The carry-in / out means 24 has a configuration in which a holding unit 241 for holding the wafer is provided at the tip of the bendable arm unit 240, and the wafer before processing is aligned with the movable range of the holding unit 241. The positioning means 25 and a cleaning means 26 for holding and cleaning the processed wafer on the holding table 260 are provided.

位置合わせ手段２５の近傍には第一の搬送手段２７ａが配設され、洗浄手段２６の近傍には第二の搬送手段２７ｂが配設されている。第一の搬送手段２７ａは、位置合わせ手段２５に載置された研削前のウェーハをいずれかのチャックテーブルに搬送する機能を有し、第二の搬送手段２７ｂは、いずれかのチャックテーブルに保持された研削済みのウェーハを洗浄手段２６に搬送する機能を有する。チャックテーブル２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄは、ターンテーブル２８によって自転及び公転可能可能に支持されており、ターンテーブル２８の回転によって、いずれかのチャックテーブルが第一の搬送手段２７ａ及び第二の搬送手段２７ｂの近傍に位置付けられる。 A first transport unit 27 a is disposed in the vicinity of the alignment unit 25, and a second transport unit 27 b is disposed in the vicinity of the cleaning unit 26. The first transport unit 27a has a function of transporting the unground wafer placed on the alignment unit 25 to one of the chuck tables, and the second transport unit 27b is held on any of the chuck tables. It has a function of transporting the ground wafer that has been ground to the cleaning means 26. The chuck tables 20a, 20b, 20c, and 20d are supported by the turntable 28 so as to be able to rotate and revolve. Any one of the chuck tables is rotated by the rotation of the turntable 28 so that the first transfer means 27a and the second transfer are performed. It is positioned in the vicinity of the means 27b.

第一の研削手段２１は、垂直方向の軸心を有するスピンドル２１０と、スピンドル２１０を回転可能に支持するハウジング２１１と、スピンドル２１０の一端に連結されたモータ２１２と、スピンドル２１０の他端に設けられたホイールマウント２１３と、ホイールマウント２１３に装着された研削ホイール２１４と、研削ホイール２１４の下面に固着された砥石２１５とから構成され、モータ２１２の駆動によりスピンドル２１０が回転し、それに伴い砥石２１５も回転する構成となっている。砥石２１５としては、例えば粗研削用の砥石が用いられる。 The first grinding means 21 is provided at a spindle 210 having a vertical axis, a housing 211 that rotatably supports the spindle 210, a motor 212 connected to one end of the spindle 210, and the other end of the spindle 210. The wheel mount 213, the grinding wheel 214 mounted on the wheel mount 213, and the grindstone 215 fixed to the lower surface of the grinding wheel 214, and the spindle 210 is rotated by the driving of the motor 212, and the grindstone 215 is accordingly accompanied. Is also configured to rotate. As the grindstone 215, for example, a grindstone for rough grinding is used.

第一の研削手段２１は、第一の研削送り手段２９によって垂直方向に移動可能となっている。第一の研削送り手段２９は、垂直方向に配設されたガイドレール２９０と、ガイドレール２９０に摺接する昇降板２９１と、昇降板２９１を昇降させるモータ２９２とから構成され、モータ２９２による駆動により昇降板２９１がガイドレール２９０にガイドされて昇降するのに伴い第一の研削手段２１も昇降する構成となっている。 The first grinding means 21 can be moved in the vertical direction by the first grinding feed means 29. The first grinding feed means 29 includes a guide rail 290 arranged in a vertical direction, a lifting plate 291 that slides on the guide rail 290, and a motor 292 that lifts and lowers the lifting plate 291, and is driven by the motor 292. As the elevating plate 291 is guided by the guide rail 290 and moved up and down, the first grinding means 21 is also moved up and down.

第二の研削手段２２は、垂直方向の軸心を有するスピンドル２２０と、スピンドル２２０を回転可能に支持するハウジング２２１と、スピンドル２２０の一端に連結されたモータ２２２と、スピンドル２２０の他端に設けられたホイールマウント２２３と、ホイールマウント２２３に装着された研削ホイール２２４と、研削ホイール２２４の下面に固着された砥石２２５とから構成され、モータ２２２の駆動によりスピンドル２２０が回転し、それに伴い砥石２２５も回転する構成となっている。砥石２２５としては、例えば仕上げ研削用の砥石が用いられる。 The second grinding means 22 is provided at a spindle 220 having a vertical axis, a housing 221 that rotatably supports the spindle 220, a motor 222 connected to one end of the spindle 220, and the other end of the spindle 220. The wheel mount 223, the grinding wheel 224 attached to the wheel mount 223, and the grindstone 225 fixed to the lower surface of the grinding wheel 224, and the spindle 220 is rotated by the drive of the motor 222. Is also configured to rotate. As the grindstone 225, for example, a grindstone for finish grinding is used.

第二の研削手段２２は、第二の研削送り手段３０によって垂直方向に移動可能となっている。第二の研削送り手段３０は、垂直方向に配設されたガイドレール３００と、ガイドレール３００に摺接する昇降板３０１と、昇降板３０１を昇降させるモータ３０２とから構成され、モータ３０２による駆動により昇降板３０１がガイドレール３００にガイドされて昇降するのに伴い第二の研削手段２２も昇降する構成となっている。 The second grinding means 22 can be moved in the vertical direction by the second grinding feed means 30. The second grinding feed means 30 includes a guide rail 300 disposed in the vertical direction, a lifting plate 301 that is slidably in contact with the guide rail 300, and a motor 302 that lifts and lowers the lifting plate 301, and is driven by the motor 302. As the elevating plate 301 is guided by the guide rail 300 and moves up and down, the second grinding means 22 is also moved up and down.

図２に示すように、研削対象のウェーハＷの表面Ｗ１には、縦横に設けられたストリートＳに区画されてデバイスＤが形成されている。そして、デバイスＤを保護するために、表面Ｗ１には、紫外線の照射を受けて硬化する紫外線硬化型テープＴが貼着され、その状態で、図１に示した第一のカセット２３ａにウェーハＷが収容されている。 As shown in FIG. 2, a device D is formed on a surface W1 of a wafer W to be ground, which is partitioned into streets S provided vertically and horizontally. In order to protect the device D, an ultraviolet curable tape T that is cured by being irradiated with ultraviolet rays is attached to the surface W1, and in this state, the wafer W is placed in the first cassette 23a shown in FIG. Is housed.

図１を参照して説明を続けると、表面に紫外線硬化型テープＴが貼着された状態で第一のカセット２３ａに収容されたウェーハＷは、搬出入手段２４によって位置合わせ２５に搬送され、ウェーハＷの中心が一定に位置に位置合わせされた後に、第一の搬送手段２７ａによってチャックテーブル２０ａに搬送される。チャックテーブル２０ａにおいては、紫外線硬化型テープＴが貼着された表面側が保持される。 Continuing the description with reference to FIG. 1, the wafer W accommodated in the first cassette 23 a in a state where the ultraviolet curable tape T is adhered to the surface is conveyed to the alignment 25 by the loading / unloading means 24, After the center of the wafer W is aligned at a certain position, the wafer W is transferred to the chuck table 20a by the first transfer means 27a. In the chuck table 20a, the surface side on which the ultraviolet curable tape T is adhered is held.

次に、ターンテーブル２８が反時計回りに所定角度（図示の例では９０度）回転することによってチャックテーブル２０ａが第一の研削手段２１の直下に移動する。そして、チャックテーブル２０ａの回転に伴ってウェーハＷが回転すると共に、スピンドル２１０の回転に伴って砥石２１５が回転しながら、第一の研削送り手段２９によって第一の切削手段２１が下方に研削送りされて下降する。そうすると、回転する砥石２１５がウェーハＷの裏面Ｗ２（図２参照）に接触して当該裏面が粗研削される。 Next, the turntable 28 rotates counterclockwise by a predetermined angle (90 degrees in the illustrated example), so that the chuck table 20 a is moved directly below the first grinding means 21. Then, the wafer W rotates with the rotation of the chuck table 20a, and the grindstone 215 rotates with the rotation of the spindle 210, and the first cutting means 21 feeds the ground downward by the first grinding feed means 29. And descend. Then, the rotating grindstone 215 contacts the back surface W2 (see FIG. 2) of the wafer W, and the back surface is roughly ground.

こうして粗研削が終了すると、チャックテーブル２０ａが反時計回りに所定角度回転することによって、ウェーハＷが第二の切削手段２２の直下に位置付けられる。そして、チャックテーブル２０ａの回転に伴ってウェーハＷが回転すると共に、スピンドル２２０の回転に伴って砥石２２５が回転しながら、第二の研削送り手段３０によって第二の切削手段２２が下方に研削送りされて下降する。そうすると、回転する砥石２２５がウェーハＷの裏面Ｗ２（図２参照）に接触して当該裏面が仕上げ研削される。 When the rough grinding is finished in this way, the chuck table 20a rotates counterclockwise by a predetermined angle, so that the wafer W is positioned directly below the second cutting means 22. Then, the wafer W rotates with the rotation of the chuck table 20a, and the grinding wheel 225 rotates with the rotation of the spindle 220, while the second cutting means 22 feeds the grinding by the second grinding feed means 30 downward. And descend. Then, the rotating grindstone 225 comes into contact with the back surface W2 (see FIG. 2) of the wafer W, and the back surface is finish ground.

仕上げ研削が終了すると、ターンテーブル２８が反時計回りに所定角度回転することにより、チャックテーブル２０ａが第二の搬送手段２７ｂの近傍に位置付けられる。そして、ウェーハＷが第二の搬送手段２７ｂによって保持されて洗浄手段２６に搬送される。洗浄手段２６では、保持テーブル２６０において裏面Ｗ２が露出した状態でウェーハＷが保持され、保持テーブル２６０が回転すると共に洗浄水が吹き付けられて、裏面Ｗ２に付着した研削屑が除去される。 When finish grinding is finished, the turntable 28 rotates counterclockwise by a predetermined angle, whereby the chuck table 20a is positioned in the vicinity of the second conveying means 27b. Then, the wafer W is held by the second transfer means 27b and transferred to the cleaning means 26. In the cleaning means 26, the wafer W is held in a state where the back surface W2 is exposed on the holding table 260, the holding table 260 is rotated, and cleaning water is sprayed to remove grinding dust adhering to the back surface W2.

洗浄手段２６の近傍にはウェーハ搬送装置４が配設されている。このウェーハ搬送装置４は、洗浄手段２６の保持テーブル２６０に保持されたウェーハＷを保持する保持部４０と、保持部４０を支持して移動する支持部４１と、支持部４１の移動をガイドするガイド溝４２とを備えている。支持部４１は、軸部４１０とアーム部４１１とを有しており、軸部４１０を中心としてアーム部４１１を旋回させることができる。 A wafer transfer device 4 is disposed in the vicinity of the cleaning means 26. The wafer transfer device 4 guides the movement of the holding unit 40 that holds the wafer W held on the holding table 260 of the cleaning unit 26, the support unit 41 that moves while supporting the holding unit 40, and the movement of the support unit 41. And a guide groove 42. The support portion 41 includes a shaft portion 410 and an arm portion 411, and the arm portion 411 can be turned around the shaft portion 410.

図３にも示すように、保持部４０の移動経路には、紫外線照射部４３が配設されている。図示の例では、アーム部４１１の旋回時における保持部４０の直下に紫外線照射部４３が位置するように構成されているが、紫外線照射部４３の位置は、保持部４０の移動経路にあればよく、必ずしも図示の位置には限定されない。 As shown in FIG. 3, an ultraviolet irradiation unit 43 is disposed on the moving path of the holding unit 40. In the illustrated example, the ultraviolet irradiation unit 43 is configured to be positioned immediately below the holding unit 40 when the arm unit 411 is turned. However, the position of the ultraviolet irradiation unit 43 is on the movement path of the holding unit 40. Well, it is not necessarily limited to the position shown.

図４に示すように、保持部４０の下面にはポーラスセラミックス等の孔質部材からなる吸着部４０１を備えており、この吸着部４０１は、支持部４１の内部を通る流路４１２を介して図示しない吸引源に連通しており、ウェーハＷは、吸着部４０１に作用する吸引力によって保持される。また、保持部４０とアーム部４１１との間にはバネ４０２が介在し、ウェーハを保持する際の衝撃を緩和するようにしている。 As shown in FIG. 4, the lower surface of the holding portion 40 is provided with an adsorption portion 401 made of a porous member such as porous ceramics, and the adsorption portion 401 is interposed via a flow path 412 that passes through the inside of the support portion 41. The wafer W communicates with a suction source (not shown), and the wafer W is held by a suction force acting on the suction unit 401. Further, a spring 402 is interposed between the holding part 40 and the arm part 411 so as to alleviate an impact when holding the wafer.

保持部４０の他の例としては、図５に示す保持部４４がある。この保持部４４はベルヌーイチャックと呼ばれるものであり、傘状に形成されたパッド４４０とその内部に形成されたガイド部４４１との間に流路４４２が形成され、パッド４４０の縁部にはゴム等の弾性部材４４３が固着されている。流路４４２は図示しないエアー供給源に連通しており、エアー供給源から出力されるエアーが流路４４２を通って放射状に噴出され、これに伴い生じる負圧によりウェーハＷが非接触状態で保持される。 Another example of the holding unit 40 is a holding unit 44 shown in FIG. The holding portion 44 is called a Bernoulli chuck, and a flow path 442 is formed between a pad 440 formed in an umbrella shape and a guide portion 441 formed in the pad 440, and a rubber is formed at an edge of the pad 440. An elastic member 443 such as is fixed. The flow path 442 communicates with an air supply source (not shown), and air output from the air supply source is ejected radially through the flow path 442, and the wafer W is held in a non-contact state by the negative pressure generated thereby. Is done.

図１を参照して説明を続けると、保持部４０が洗浄手段２６の保持テーブル２６０に保持されたウェーハＷの裏面Ｗ２を保持すると、支持部４１が洗浄手段２６から離れる方向に移動してウェーハＷを搬出する。そして、その移動を停止させた後に、アーム部４１１を旋回させると、図３に示すように、紫外線硬化型テープＴが紫外線照射器４３の直上を通り、このときに紫外線照射部４３から紫外線が照射され、紫外線硬化型テープＴが硬化する。アーム部４１１の旋回を止めて紫外線を十分に照射してもよいし、旋回を止めずにウェーハＷを移動させながら紫外線を照射してもよい。図示の例のように、紫外線照射部４３が、紫外線硬化型テープＴに対して非接触の状態で紫外線を照射するようにすると、従来のように紫外線硬化型テープＴが紫外線照射器のガラステーブルに密着して搬出できなくなるという問題が生じないため、ウェーハをプラズマエッチング装置５に円滑に搬送することができる。 1, when the holding unit 40 holds the back surface W2 of the wafer W held on the holding table 260 of the cleaning unit 26, the support unit 41 moves away from the cleaning unit 26 and moves to the wafer. Unload W. Then, after the movement is stopped, when the arm portion 411 is turned, the ultraviolet curable tape T passes immediately above the ultraviolet irradiator 43 as shown in FIG. Irradiation is performed to cure the ultraviolet curable tape T. The turning of the arm part 411 may be stopped to sufficiently irradiate the ultraviolet rays, or the ultraviolet rays may be irradiated while moving the wafer W without stopping the turning. As shown in the example, when the ultraviolet irradiation unit 43 irradiates ultraviolet rays in a non-contact state with respect to the ultraviolet curable tape T, the ultraviolet curable tape T becomes a glass table of the ultraviolet irradiator as in the prior art. Therefore, the wafer can be smoothly transferred to the plasma etching apparatus 5 without causing a problem that the wafer cannot be carried out in close contact with the wafer.

なお、図示の例における紫外線照射部４３は、ウェーハＷに貼着された紫外線硬化型テープＴの全面に紫外線を照射できる構成となっているが、ウェーハＷの直径を越える長さのスリット光を照射できるように構成し、アーム部４１１が移動しながら紫外線硬化型テープＴの全面に紫外線が照射されるようにしてもよい。 The ultraviolet irradiation unit 43 in the illustrated example is configured to be able to irradiate the entire surface of the ultraviolet curable tape T adhered to the wafer W with ultraviolet light, but slit light having a length exceeding the diameter of the wafer W is applied. It may be configured to be able to irradiate, and the entire surface of the ultraviolet curable tape T may be irradiated while the arm portion 411 moves.

こうして紫外線硬化型テープＴを硬化させた後は、更にアーム部４１１を旋回させると共に支持部４１を移動させ、紫外線硬化型テープＴが貼着されたウェーハＷを、図１に示したプラズマエッチング装置５に搬送する。 After the ultraviolet curable tape T is cured in this manner, the arm portion 411 is further swung and the support portion 41 is moved so that the wafer W to which the ultraviolet curable tape T is adhered is applied to the plasma etching apparatus shown in FIG. 5 to transport.

図１に示すように、プラズマエッチング装置５は、ガス供給部５１とエッチング処理部５２とを備えている。ガス供給部５１には、エッチング用のガスが蓄えられる。一方、エッチング処理部５２においては、ガス供給部５１から供給されるガスをプラズマ化してウェーハの裏面をエッチングする。 As shown in FIG. 1, the plasma etching apparatus 5 includes a gas supply unit 51 and an etching processing unit 52. The gas supply unit 51 stores an etching gas. On the other hand, in the etching processing unit 52, the gas supplied from the gas supply unit 51 is turned into plasma to etch the back surface of the wafer.

図６に示すように、エッチング処理部５２は、プラズマエッチングが行われるチャンバ５３の上部側からエッチングガス供給手段５４を収容すると共に、ウェーハを保持するチャックテーブル５５を下部側から収容した構成となっている。 As shown in FIG. 6, the etching processing section 52 has a configuration in which an etching gas supply means 54 is accommodated from the upper side of a chamber 53 where plasma etching is performed, and a chuck table 55 for holding a wafer is accommodated from the lower side. ing.

エッチングガス供給手段５４は、チャックテーブル５５に保持されたウェーハに対してエッチングガスを供給する機能を有し、軸部５４ａがチャンバ５３に対して軸受け５６を介して昇降自在に挿通しており、内部にはガス供給部５１に連通すると共にポーラス部材で形成された噴出部５７ａに連通するガス流通孔５７が形成されている。エッチングガス供給手段５４は、モータ５８に駆動されてボールネジ５９が回動し、ボールネジ５９に螺合したナットを有する昇降部６０が昇降するのに伴い昇降する構成となっている。 The etching gas supply means 54 has a function of supplying an etching gas to the wafer held on the chuck table 55, and a shaft portion 54a is inserted into the chamber 53 via a bearing 56 so as to be movable up and down. A gas flow hole 57 that communicates with the gas supply part 51 and communicates with the ejection part 57a formed of a porous member is formed inside. The etching gas supply means 54 is configured to move up and down as the ball screw 59 is rotated by being driven by a motor 58 and the elevating unit 60 having a nut screwed to the ball screw 59 is moved up and down.

一方、チャックテーブル５５は、軸部５５ａが軸受け６１を介して回動可能に挿通しており、内部には吸引源６２に連通する吸引路６３及び冷却部６４に連通する冷却路６５が形成されており、吸引路６３は上面の吸引部６３ａに連通している。 On the other hand, the chuck table 55 has a shaft portion 55a rotatably inserted through a bearing 61, and a suction passage 63 communicating with a suction source 62 and a cooling passage 65 communicating with a cooling portion 64 are formed therein. The suction path 63 communicates with the suction part 63a on the upper surface.

チャンバ５３の側部にはエッチングする板状物の搬出入口となる開口部６６が形成されており、開口部６６の外側には昇降により開口部６６を開閉するシャッター６７が配設されている。このシャッター６７は、シリンダ６８に駆動されて昇降するピストン６９によって昇降する。 An opening 66 serving as a carry-in / out port for the plate-like object to be etched is formed on the side of the chamber 53, and a shutter 67 that opens and closes the opening 66 by raising and lowering is disposed outside the opening 66. The shutter 67 is moved up and down by a piston 69 that is driven by a cylinder 68 to move up and down.

チャンバ５３の下部にはガス排出部７０に連通する排気口７１が形成されており、排気口７１から使用済みのガスを排出することができる。また、エッチングガス供給手段５４及びチャックテーブル５５には高周波電源７２が接続され、高周波電圧を供給し、エッチングガスをプラズマ化することができる。 An exhaust port 71 communicating with the gas discharge unit 70 is formed in the lower portion of the chamber 53, and used gas can be discharged from the exhaust port 71. Further, a high frequency power source 72 is connected to the etching gas supply means 54 and the chuck table 55, and a high frequency voltage can be supplied to turn the etching gas into plasma.

次に、図６に示したプラズマエッチング装置５を用いて、ウェーハＷの裏面のエッチングを行う際の動作について説明する。プラズマエッチング装置５においては、シャッター６７を下降させて開口部６６を開口させた状態で、ウェーハＷを保持した保持部４０（図１及び図３参照）を開口部６６からチャンバ５３の内部に進入させ、ウェーハＷをその裏面が上に向いた状態で吸引部６３ａに載置する。そして、ウェーハＷの載置後に保持部４０をチャンバ５３の外部に退避させ、シャッター６７を元の位置に戻して開口部６６を閉め、内部を減圧排気する。 Next, the operation when the back surface of the wafer W is etched using the plasma etching apparatus 5 shown in FIG. 6 will be described. In the plasma etching apparatus 5, the holding unit 40 (see FIGS. 1 and 3) holding the wafer W enters the inside of the chamber 53 from the opening 66 with the shutter 67 lowered and the opening 66 opened. Then, the wafer W is placed on the suction part 63a with the back surface thereof facing upward. After the wafer W is placed, the holding unit 40 is retracted to the outside of the chamber 53, the shutter 67 is returned to the original position, the opening 66 is closed, and the inside is evacuated under reduced pressure.

次に、エッチングガス供給手段５４を下降させ、その状態でガス供給部５１からガス流通孔５７に、例えば、圧力８０［Ｐａ］にて、ＳＦ_６ガスを７６ｍｌ／分、Ｈｅガスを１５ｍｌ／分、Ｏ_２ガスを２７ｍｌ／分の割合で１５秒ほど供給する。そうすると、エッチングガス供給手段５４の下面の噴出部５７ａからこれらのガスが噴出し、更に高周波電源７２からエッチングガス供給手段５４とチャックテーブル５５との間に例えば２０００［Ｗ］の高周波電圧を印加すると、エッチングガスがプラズマ化し、ウェーハＷの裏面に供給される。そうすると、プラズマのエッチング効果により、ウェーハＷの裏面がエッチングされ、研削により生じていた研削歪みが除去される。 Next, the etching gas supply means 54 is lowered, and in this state, SF ₆ gas is 76 ml / min and He gas is 15 ml / min at a pressure of 80 [Pa] from the gas supply unit 51. Then, O ₂ gas is supplied at a rate of 27 ml / min for about 15 seconds. Then, when these gases are ejected from the ejection portion 57a on the lower surface of the etching gas supply means 54, and a high frequency voltage of, for example, 2000 [W] is applied between the etching gas supply means 54 and the chuck table 55 from the high frequency power source 72. The etching gas is turned into plasma and supplied to the back surface of the wafer W. Then, the back surface of the wafer W is etched by the plasma etching effect, and the grinding distortion caused by grinding is removed.

プラズマエッチング時にはチャンバ５３の内部が例えば１５０°Ｃ前後の高温となるが、ウェーハＷの表面に貼着された紫外線硬化型テープＴは、プラズマエッチング装置５への搬送時に硬化しているため、かかる高温環境下においても捩れることがない。 During plasma etching, the inside of the chamber 53 becomes a high temperature of, for example, about 150 ° C., but the ultraviolet curable tape T attached to the surface of the wafer W is cured when it is transported to the plasma etching apparatus 5, so that It does not twist even in high temperature environments.

図１に基づいて説明を続けると、ウェーハＷの裏面のプラズマエッチング終了後は、シャッター６７を開けてウェーハ搬送装置４の保持部４０をチャンバ５３内に進入させ、保持部４０がウェーハＷを保持する。そしてその状態で保持部４０をチャンバ５３の外部に移動させてウェーハＷを搬出する。次に、アーム部４１１の旋回により、洗浄手段２６の保持テーブル２６０にウェーハＷが載置されて保持され、ウェーハＷの洗浄が行われる。そして、洗浄終了後は、搬出入手段２４によってウェーハＷが保持され、第二のカセット２３ｂに収容される。 The description will be continued based on FIG. 1. After the plasma etching of the back surface of the wafer W is completed, the shutter 67 is opened and the holding unit 40 of the wafer transfer device 4 enters the chamber 53, and the holding unit 40 holds the wafer W. To do. In this state, the holding unit 40 is moved to the outside of the chamber 53 to carry out the wafer W. Next, the wafer W is placed and held on the holding table 260 of the cleaning means 26 by the turning of the arm portion 411, and the wafer W is cleaned. After the cleaning is completed, the wafer W is held by the carry-in / out means 24 and accommodated in the second cassette 23b.

ウェーハの研削−エッチングシステムの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the grinding-etching system of a wafer. ウェーハ及び紫外線硬化型テープを示す斜視図である。It is a perspective view which shows a wafer and an ultraviolet curable tape. 搬送装置の一部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of conveying apparatus. 搬送装置を構成する保持部の第一の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st example of the holding part which comprises a conveying apparatus. 同保持部の第二の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd example of the holding | maintenance part. プラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a plasma etching apparatus.

１：ウェーハの研削−エッチングシステム
２：研削装置
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ：チャックテーブル
２１：第一の研削手段
２１０：スピンドル２１１：ハウジング２１２：モータ
２１３：ホイールマウント２１４：研削ホイール２１５：砥石
２２：第二の研削手段
２２０：スピンドル２２１：ハウジング２２２：モータ
２２３：ホイールマウント２２４：研削ホイール２２５：砥石
２３ａ：第一のカセット２３ｂ：第二のカセット
２４搬出入手段
２４０：アーム部２４１：保持部
２５：位置合わせ手段
２６：洗浄手段
２７ａ：第一の搬送手段２７ｂ：第二の搬送手段
２８：ターンテーブル
２９：第一の研削送り手段
２９０：ガイドレール２９１：昇降板２９２：モータ
３０：第二の研削送り手段
３００：ガイドレール３０１：昇降板３０２：モータ
４：ウェーハ搬送装置
４０：保持部
４０１：吸着部４０２：バネ
４１：支持部
４１０：軸部４１１：アーム部４１２：流路
４２：ガイド溝４３：紫外線照射部
４４：保持部
４４０：パッド４４１：ガイド部４４２：流路４４３：弾性部材
５：プラズマエッチング装置
５１：ガス供給部５２：エッチング処理部５３…チャンバ
５４：エッチングガス供給手段５５：チャックテーブル５６：軸受け
５７：ガス流通孔５７ａ：噴出部５８：モータ５９：ボールネジ
６０：昇降部６１：軸受け６２：吸引源６３：吸引路６４：冷却部
６５：冷却路６６：開口部６７：シャッター６８：シリンダ６９：ピストン
７０：ガス排出部７１：排気口７２：高周波電源
Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面
Ｄ：デバイスＳ：ストリート
Ｗ２：裏面
Ｔ：紫外線硬化型テープ 1: Wafer grinding-etching system 2: Grinding devices 20a, 20b, 20c, 20d: Chuck table 21: First grinding means 210: Spindle 211: Housing 212: Motor 213: Wheel mount 214: Grinding wheel 215: Grinding wheel 22 : Second grinding means 220: spindle 221: housing 222: motor 223: wheel mount 224: grinding wheel 225: grinding wheel 23 a: first cassette 23 b: second cassette 24 carry-in / out means 240: arm part 241: holding part 25: Positioning means 26: Cleaning means 27a: First conveying means 27b: Second conveying means 28: Turntable 29: First grinding feed means 290: Guide rail 291: Lift plate 292: Motor 30: Second Grinding feed means 300: Guide Rail 301: Elevating plate 302: Motor 4: Wafer transfer device 40: Holding unit 401: Suction unit 402: Spring 41: Support unit 410: Shaft unit 411: Arm unit 412: Channel 42: Guide groove 43: Ultraviolet irradiation unit 44 : Holding part 440: Pad 441: Guide part 442: Flow path 443: Elastic member 5: Plasma etching apparatus 51: Gas supply part 52: Etching process part 53... Chamber 54: Etching gas supply means 55: Chuck table 56: Bearing 57 : Gas flow hole 57a: Ejection part 58: Motor 59: Ball screw 60: Elevating part 61: Bearing 62: Suction source 63: Suction path 64: Cooling part 65: Cooling path 66: Opening part 67: Shutter 68: Cylinder 69: Piston 70: Gas discharge part 71: Exhaust port 72: High frequency power supply
W: Wafer W1: Front surface D: Device S: Street W2: Back surface T: UV curable tape

Claims

A grinding device for grinding the back surface of the wafer, a plasma etching device for etching the back surface of the wafer ground by the grinding device, and a wafer having the ground surface transferred between the grinding device and the plasma etching device A wafer grinding-etching system comprising:
The transfer apparatus includes a holding unit that holds a wafer, and a support unit that supports the holding unit and moves the holding unit between the grinding apparatus and the plasma etching apparatus.
The UV curable tape is cured by irradiating the UV curable tape affixed to the wafer held by the holder before the wafer etching is performed on the moving path of the holder. the provided ultraviolet irradiation unit Ru is,
In the plasma etching apparatus, a grinding-etching system that plasma-etches the back surface of the wafer having the cured ultraviolet curable tape attached to the front surface .

The wafer grinding-etching system according to claim 1 , wherein the ultraviolet irradiation unit irradiates ultraviolet rays in a non-contact state with respect to the ultraviolet curable tape.