JP4505098B2 - Deposition method and film forming apparatus of the insulating film - Google Patents

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【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
この発明は、薄く、絶縁性の高い高性能な絶縁膜の成膜方法及びそのための成膜装置に関するものである。 The present invention is thin, it relates to film-forming apparatus of a film forming method and for its high insulating property performance insulating film. この成膜方法及び成膜装置は、半導体用ゲート絶縁膜、キャパシター膜、磁気ヘッド用ギャップ層、トンネルGMR(TMR)やSQUID用絶縁層等の分野で利用できる。 The film forming method and film forming apparatus, a semiconductor gate insulating film, capacitor film, the gap layer for a magnetic head, can be used in fields such as tunnel GMR (TMR) or SQUID insulating layer.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
従来の半導体用ゲート絶縁膜、キャパシター膜、磁気ヘッド用ギャップ層、トンネルGMRやSQUID用絶縁層等は、もっぱらスパッタ、熱若しくはプラズマCVD、又は金属層成膜後の自然若しくは加熱による酸化性雰囲気(O 2 、H 2 O、空気等)での反応により形成されていた。 Conventional semiconductor gate insulating film, capacitor film, the gap layer for a magnetic head, a tunnel GMR and SQUID insulating layer or the like, exclusively sputtering, thermal or plasma CVD, or oxidizing atmosphere by natural or heating after the metal layer deposition ( O 2, H 2 O, has been formed by the reaction of air or the like).
【0003】 [0003]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
上記成膜分野では、高性能化が進み、現在では20Å程度の極めて薄く、高性能な絶縁膜が必要とされてきている。 In the film forming art and proceeds higher performance, very thin of about 20Å is now, high performance insulation films have been required. しかし、従来の成膜方法の中では、金属層の酸化性雰囲気における自然酸化又は加熱酸化により良質の極薄絶縁膜が提供できるものの、反応に必要な時間が24時間前後と長く、全く量産に適さないという問題があった。 However, in the conventional film formation method, although good ultrathin insulating film by natural oxidation or thermal oxidation in an oxidizing atmosphere of the metal layer can be provided, the time required for the reaction is as long as 24 hours before and after the completely mass there is a problem that is not suitable is.
【0004】 [0004]
この発明は、量産に適すると共に、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜を成膜する方法及びそのための成膜装置を提供することを目的とする。 The invention, together with suitable for mass production, low contamination, is composition control, a dense, defect, very few grain boundaries, are structured controlled in the depth direction, an insulating film having good insulating properties and to provide a method and film forming apparatus therefor.
【0005】 [0005]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明者らは、上記問題を解決するために、絶縁膜を構成する2種以上の元素の各元素を、少なくとも1種のそれら元素を含む気体状分子を交互に基板表面に吸着せしめることによって、交互に原子層レベルで積層させ、次いで反応させて所望の絶縁膜を成膜せしめることに成功し、本発明を完成させるに至ったのである。 The present inventors have found that in order to solve the above problems, the respective elements of two or more elements constituting the insulating film, by allowed to adsorb on the substrate surface alternatively gaseous molecules containing at least one of them elements , alternately are stacked at an atomic layer level, then reacted successfully allowed to deposit a desired insulating film, it was accomplished the present invention. これはいわゆる分子層エピタキシーに関するものである。 This relates to a so-called molecular layer epitaxy.
【0006】 [0006]
この発明の絶縁膜の成膜方法は、次の3つの主な工程より成る。 Method for forming the insulating film of the present invention consists of three major steps.
【0007】 [0007]
第1の工程は、Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子を基板表面に供給し、これを吸着させた後、余った分子を排気するものである。 The first step is to Al, supplying Si, Ta, or a gaseous molecule containing Ti on the substrate surface, after adsorption of this, to evacuate the excess molecules.
【0008】 [0008]
第2の工程は、O 含む気体状分子基板表面に供給し、これを先の第1の工程で吸着していた分子の上に吸着させた後、余った分子を排気するものである。 The second step is a gaseous molecule containing O is supplied to the substrate surface, this was allowed to adsorb onto the first step molecules adsorbed in the preceding, in which exhausts the extra molecule .
第3の工程は、上記の2つの工程後、Arを導入して排気するものである。 The third step, after the above two steps, is to exhaust by introducing Ar.
【0009】 [0009]
上記の第1及び第2の工程で吸着した分子間で化学反応が生じ、AlO xy 、SiO xy 、SiO xz 、SiO xyz 、TaO xy 、TiO xy (0≦x、y、z≦2.5)等が生成される。 A chemical reaction occurs between molecules adsorbed in the first and second steps of the, AlO x N y, SiO x N y, SiO x F z, SiO x N y F z, TaO x N y, TiO x N y (0 ≦ x, y, z ≦ 2.5) or the like is generated.
【0012】 [0012]
前記Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子は、この金属の水素化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、アルコキシド、又はアルキル金属のような金属化合物等であることが望ましい。 The Al, Si, Ta, or gaseous molecules containing Ti, the metal hydrides, fluorides, chlorides, bromides, iodides, alkoxides, or a metal compound such as a metal alkyl is preferable. また、前記O 含む気体状分子は、O 2 、O 3 、H 2 O、H 22 又はN 2 であることが望ましい。 Also, gaseous molecules containing the O is, O 2, O 3, H 2 O, it is desirable that the H 2 O 2 or N 2 O.
【0013】 [0013]
第1、第2及び第3の工程を1サイクルとして、これをくり返すことにより、これらの膜が成長し、そのくり返し回数により所望の膜厚の絶縁膜を得ることができる。 First, second and third steps as one cycle, by repeating this, these films are grown, it is possible to obtain a desired film thickness of the insulating film by the repetition number.
【0014】 [0014]
必要に応じて、各工程の間又は各サイクルの間に、不活性ガスや環元性ガスを導入した後排気する、いわゆるパージにより、原料活性ガスの排気をより確実なものとするとともに、表面を清浄化することが可能となる。 If necessary, during or between each cycle of the process, the exhaust after introducing the inert gas and the ring source gases, so-called purging, as well as the evacuation of the material active gas and more reliable, the surface it is possible to clean the. 気体状分子の排気時に、パージガスとして用いる不活性ガス又は還元性ガスについては、例えば、不活性ガスとしてHe、Ne、Ar、Xe、Kr、又はN 2ガス等があり、還元ガスとしてH 2等がある。 When the exhaust of the gaseous molecules, for inert gas or reducing gas is used as the purge gas, e.g., He as an inert gas, Ne, Ar, Xe, Kr, or there are N 2 gas or the like, H 2 or the like as a reducing gas there is.
【0015】 [0015]
また、基板温度により前記原料ガスの吸着量が変化するので、得られた絶縁膜の組成・構造が変化する。 Further, since the adsorption amount of the raw material gas by the substrate temperature changes, the composition and structure of the obtained insulating film changes. 従って、目的とする膜の種類により、適切な基板温度範囲を選択すれば、高い絶縁性を有する所望の絶縁膜が得られる。 Thus, the type of membrane of interest, by selecting the appropriate range of the substrate temperature, the desired insulating film having a high insulation property is obtained. 例えば、Alを含む気体状分子として、Al(CH 33 、Oを含む分子としてH 2 Oを用いた場合は、実施例及び参考例に示す如く、基板温度を室温〜300℃、好ましくは室温〜240℃の範囲内に保つことにより良好な絶縁性を得ることができる。 For example, the gaseous molecules containing Al, if using H 2 O as a molecule containing Al (CH 3) 3, O , as shown in Examples and Reference Examples, the substrate temperature at room temperature to 300 ° C., preferably it is possible to obtain good insulating properties by keeping within the range of room temperature to 240 ° C..
【0016】 [0016]
本発明の絶縁膜成膜装置は、成膜を行うプロセス室と、該プロセス室内の下方に設けられた基板と、基板温度を調節するための加熱手段と、該プロセス室内に原料ガスを導入するためのガス導入系と、該プロセス室を排気するための高真空排気用ポンプ及び低真空排気用ポンプ並びに排気用リザーバータンクを有する排気系とを有する成膜装置であって、Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子を該ガス導入系を用いて基板表面に供給し、吸着させた後、該排気系を用いて排気する第1の工程の後に 、O 含む気体状分子該ガス導入系を用いて該基板表面に供給し、吸着させた後、該排気系を用いて排気する第2の工程を行いその後に該ガス導入系を用いて前記プロセス室内にArを導入した後、該排気系を用いて排気する第3の Insulating film deposition apparatus of the present invention introduces a process chamber for forming a film, and a substrate provided below of the process chamber, and heating means for adjusting the substrate temperature, the raw material gas into the process chamber a gas introduction system for, a film forming apparatus having an exhaust system having a high-vacuum exhaust pump and low vacuum exhaust pump and exhaust reservoir tank for exhausting the process chamber, Al, Si, Ta or gaseous molecules containing Ti is supplied to the substrate surface by using the gas introduction system, can be adsorbed, after the first step of evacuated with the exhaust system, the gaseous molecules containing O supplied to the substrate surface using a gas introduction system, after adsorption, performing a second step of evacuated with the exhaust system, and introducing Ar into the processing chamber with subsequent to the gas introduction system after, the third to be evacuated with the exhaust system of を行い、前記第1〜第3の工程を1つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことによって上記絶縁膜の成膜方法を実施するためのものである。 Perform degree, as the first to third steps one cycle, it is used to implement the method of forming the insulating film by performing this cycle a plurality of times.
【0017】 [0017]
【実施例】 【Example】
次ぎに、 本発明の実施例及び本発明の工程からArを導入して排気する工程を除いた参考例を説明するが、本発明はこれらの実施例及び参考例により制限されるものではない。 Next, although a description will be given of an embodiment and the reference example except evacuating while introducing Ar from the process of the invention of the present invention, the present invention is not intended to be limited by these Examples and Reference Examples.
【0018】 [0018]
図1に、以下の実施例及び参考例で絶縁膜を成膜するために用いる成膜装置を示す。 Figure 1 shows a deposition apparatus used for forming an insulating film in the following Examples and Reference Examples. 図1において、1は成膜を行なうプロセス室、2はプロセス室中に設けられた成膜される基板、3は基板2の温度を調節するための加熱手段であるホットプレートである。 In Figure 1, 1 is a process chamber for performing deposition, 2 denotes a substrate to be deposited is provided in the process chamber, 3 is a hot plate which is heating means for adjusting the temperature of the substrate 2. バルブ又はマスフローコントローラー4、リザーバータンク5及びマスフローコントローラー6からなるガス導入系を適切に制御することにより、プロセス室1内の圧力を短時間で所定の圧力まで上昇させることが可能である。 Valve or mass flow controller 4, by properly controlling the gas supply system consisting of a reservoir tank 5 and a mass flow controller 6, it is possible to increase the pressure in the process chamber 1 in a short time to a predetermined pressure. プロセス室1には基板搬送室7が連結されており、ロボットによりプロセス室1への基板2の出し入れを行なう。 The process chamber 1 is connected substrate transfer chamber 7, performs the loading and unloading of the substrate 2 to the process chamber 1 by the robot. また、排気用のリザーバータンク8をプロセス室1に連結して設けてあり、このタンク8を用いることにより高速排気が可能となる。 Further, it is provided with by connecting a reservoir tank 8 for exhaust the process chamber 1, thereby enabling fast evacuation by using the tank 8. リザーバータンク8内には、コールドトラップを設置してもよい。 In the reservoir tank 8, it may be installed a cold trap. プロセス室1内の排気は、リザーバータンク8、高真空排気用のポンプ9、低真空用ポンプ10からなる排気系により行われる。 Exhaust process chamber 1, a reservoir tank 8, a pump 9 for high vacuum evacuation is performed by an exhaust system comprising a pump 10 for a low vacuum. 図1では、使用ガスの除害設備11が低真空用ポンプ10に接続されているが、この設備は使用する供給ガスの種類によっては不要となる。 In Figure 1, the abatement 11 used gas is connected to the pump 10 for a low vacuum, this facility is not required depending on the type of feed gas used.
【0019】 [0019]
参考例1 Reference Example 1
Alを含むガスとしてAl(CH 33 、Oを含むガスとしてH 2 Oを用いて絶縁膜を形成する例を示す。 As the gas containing Al (CH 3) 3, O as the gas containing Al using of H 2 O An example of forming the insulating film. その成膜手順は、図2のフローシート中の「成膜プロセス1」に示すようにして行った。 Its deposition procedure was carried out as shown in "film forming process 1" in the flow sheet of FIG.
【0020】 [0020]
すなわち、図2に示すように、前処理として、基板についてのクリーニング、ベーキング等を行った後、基板搬送室7から基板2をプロセス室1へローディングし、ホットプレート3により基板温度を120℃に温調した後、成膜を開始した。 That is, as shown in FIG. 2, as a pretreatment, cleaning the substrate, after baking, etc., loaded from the substrate transfer chamber 7 of the substrate 2 to the process chamber 1, the hot plate 3 at a substrate temperature of 120 ° C. after adjusting the temperature, it started the deposition. ガス導入前のプロセス室1内の圧力は1×10 -3 Torrであった。 Pressure in the process chamber 1 before the gas introduction was 1 × 10 -3 Torr.
【0021】 [0021]
まず、第1の工程として、プロセス室1内にAl(CH 33を導入し、基板2の表面に吸着させた。 As a first step, introduced Al (CH 3) 3 in the process chamber 1, is adsorbed on the surface of the substrate 2. 導入圧力及び時間は、それぞれ1×10 -1 Torr、2sec. Introducing pressure and time, respectively 1 × 10 -1 Torr, 2sec. であった。 Met. ガスの導入・吸着後、余ったAl(CH 33をリザーバータンク8を通してポンプ10で低真空排気した後、ポンプ9で高真空排気し、約10sec. After the introduction and adsorption of gas, after the excess Al (CH 3) 3 and lower evacuated by pump 10 through a reservoir tank 8, and a high vacuum pumped 9, about 10 sec. で5×10 -3 Torrまで排気した。 It was evacuated in to 5 × 10 -3 Torr. 排気速度が速ければ、リザーバータンク8は不要となる。 If the exhaust speed high, the reservoir tank 8 is not required.
【0022】 [0022]
次に、第2の工程として、H 2 Oを1×10 -1 Torrで2sec. Next, as a second step, a time of 2 sec of H 2 O at 1 × 10 -1 Torr. 間導入し、第1の工程で吸着した分子の上に吸着させた後、上記の場合と同様にして排気した。 Introduced while, after allowed to adsorb onto the molecules adsorbed in the first step, was evacuated in the same manner as described above. 約50sec. About 50sec. で5×10 -3 Torrまで排気出来た。 I was able to exhaust in up to 5 × 10 -3 Torr.
【0023】 [0023]
以上の工程を100回くり返した後、基板2を取り出し、形成された膜の断面をSEM観察したところ、図3に示す如く、約400Åまで成長しているのがわかった。 After Repeat 100 times the above steps, the substrate 2 is taken out, when the formed film cross-section was observed by SEM, as shown in FIG. 3, it was found that growing up to approximately 400 Å. 図3に示されたように、基板の段差部分のヒフク性、いわゆるステップカバレージは、極めて優れているのがわかる。 As shown in FIG. 3, coverage, so-called step coverage of the stepped portion of the substrate, it can be seen that very excellent. また、得られた膜をオージェ電子分光分析(AES)により分析したところ、組成はAlO x (x=1.4〜1.6)であり、ほぼストイキオメトリーな膜となっており、C等の不純物は検出限界以下であった。 Further, when the resulting film was analyzed by Auger electron spectroscopy (AES), the composition is AlO x (x = 1.4~1.6), has a substantially stoichiometric film, C, etc. the impurities was below the detection limit.
【0024】 [0024]
次ぎに、形成される膜の絶縁特性を評価するため、上記第1及び第2の工程を50回くり返して、導電性を有するSi基板上に、約200Åの絶縁膜を形成し、この上に、Al電極を1mmφ×5000Å蒸着して、試料を作成した。 The next, to evaluate the insulation characteristics of the film formed by returning the first and second steps 50 times repeated, the Si substrate having conductivity, an insulating film of about 200 Å, on the , and 1 mm in diameter × 5000 Å depositing Al electrodes to prepare a sample. これについて、V−I特性を評価し、図4にその結果を示す。 For this, to evaluate the V-I characteristic, the results are shown in Figure 4. 図4から明らかなように、10 -6 A/cm 2に達する電界強度で絶縁耐圧を表わすとすると、この場合は5MV/cmとなり、良好な絶縁特性を示していることがわかる。 As apparent from FIG. 4, when representing the breakdown voltage in the electric field intensity reaching 10 -6 A / cm 2, in this case, it can be seen that shows 5 MV / cm, and the good insulation properties.
【0025】 [0025]
また、基板温度を室温から300℃まで変化させ、室温、70℃、120℃、180℃、240℃及び300℃の各温度において、上記工程を50回くり返し、成膜した膜について、上記と同様に絶縁耐圧の評価をした。 Further, the substrate temperature was changed from 300 ° C. from room temperature, room temperature, 70 ° C., 120 ° C., 180 ° C., at each temperature of 240 ° C. and 300 ° C., repeated 50 times the above-described steps, the formed film, as described above and the evaluation of dielectric breakdown voltage to. その結果を、基板温度と絶縁耐性との関係について図5に、また、基板温度とこの時の膜厚との関係について図6に示す。 The results, in Figure 5 the relationship between the substrate temperature and the dielectric strength, also shown in FIG. 6 the relationship between the film thickness at this time the substrate temperature. 絶縁性については、基板温度が室温〜240℃の間で3MV/cm以上の良好な特性が得られた。 For insulating property, 3 MV / cm or more favorable characteristics were obtained between the substrate temperature is room temperature to 240 ° C.. また、膜厚は、室温〜180℃の間でほぼ一定(150Å以上225Å以下)であるが、室温未満では急激に低下し、180℃より高温では、逆に急激に上昇した。 The thickness is substantially constant at between room temperature to 180 ° C. (150 Å or more 225Å or less), and drops abruptly at below room temperature, at higher temperatures than 180 ° C., rose sharply reversed.
【0026】 [0026]
実施例 Example
2 O導入、吸着、排気の工程の後にArを導入して排気する工程を入れた点を除いて、 参考例1の工程をくり返した。 H 2 O introduced, adsorption, except containing the evacuating while introducing Ar after the evacuation step was repeated for Example 1 step. すなわち、図2のフローシート中の「成膜プロセス2」に示す手順に従って成膜した。 That was deposited in accordance with the procedure shown in "deposition process 2" in the flowsheet of Figure 2.
【0027】 [0027]
この方法によると、H 2 O排気時間を短縮することが可能となった。 According to this method, it becomes possible to shorten of H 2 O evacuation time. 2 Oを1×10 -1 Torrで2sec. 2sec of H 2 O at 1 × 10 -1 Torr. 間導入し、吸着させた後、10sec. Introduced while, After adsorption, 10 sec. 間排気したところ、5×10 -2 Torrまで排気できた。 It was between evacuated, was evacuated to 5 × 10 -2 Torr. 次いで、Arを1×10 -1 Torrで2sec. Then, a time of 2 sec to Ar at 1 × 10 -1 Torr. 間導入し、排気したところ、10sec. When introduced between, it was evacuated, 10sec. 間で5×10 -3 Torrまで排気できた。 It was evacuated to 5 × 10 -3 Torr between. 従って、Arを用いることにより、排気時間を約1/2以下にできた。 Therefore, by using Ar, it was the evacuation time to about 1/2 or less. 図5から明らかなように、絶縁特性は参考例1の場合と同じであった。 As apparent from FIG. 5, the insulating properties were the same as in Example 1.
【0028】 [0028]
参考例2 Reference Example 2
参考例1において用いたH 2 Oの代りにO 3を導入して、 参考例1の工程をくり返して、 参考例1と同様に成膜した。 By introducing O 3 instead of H 2 O was used in Reference Example 1, by repeating the Example 1 process, it was formed in the same manner as in Reference Example 1. 図5から明らかなように、絶縁特性は参考例1の場合と同じであった。 As apparent from FIG. 5, the insulating properties were the same as in Example 1.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】この発明の成膜装置の実施例及び参考例の模式的側面図。 Figure 1 is a schematic side view of the Examples and Reference Examples of the film formation apparatus of the present invention.
【図2】この発明の成膜方法の実施例及び参考例を説明するためのフローシート。 [2] Flow sheet for explaining the embodiments and reference examples of the film forming method of the present invention.
【図3】この発明の参考例に基づいて得られた絶縁膜の成膜状態を示す断面図。 3 is a cross-sectional view showing a film formation state of the obtained insulating film on the basis of a reference example of the present invention.
【図4】この発明の参考例に基づいて得られた絶縁膜について、V−I特性を示すグラフ。 [4] The insulating film obtained based on the reference example of the present invention, a graph showing the V-I characteristic.
【図5】この発明の実施例及び参考例に基づいて得られた絶縁膜について、絶縁耐圧の基板温度依存性を示すグラフ。 [5] For the examples and the insulating film obtained on the basis of the reference example of the present invention, a graph showing the substrate temperature dependence of the breakdown voltage.
【図6】この発明の参考例に基づいて得られた絶縁膜について、基板温度と膜厚との関係を示すグラフ。 [6] The insulating film obtained on the basis of the reference example of the present invention, a graph showing the relationship between the substrate temperatures and the film thickness.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1 プロセス室 2 基板 3 ホットプレート 4、5、6 ガス供給系 7 基板搬送室 8 リザーバータンク 9 高真空ポンプ 10 低真空ポンプ11 除害装置 1 process chamber 2 substrate 3 hotplate 4,5,6 gas supply system 7 substrate transfer chamber 8 the reservoir tank 9 high vacuum pump 10 and the low vacuum pump 11 abatement device

Claims (7)

  1. Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第1の工程の後に、Oを含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第2の工程を行い、その後にArを導入した後排気する第3の工程を行い、前記第1〜第3の工程を1つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする絶縁膜の成膜方法。 Al, Si, and supplies Ta, or a gaseous molecule containing Ti on the substrate surface, after the first step of exhausting After adsorption, supplying gaseous molecules containing O to the substrate surface, adsorbed performing a second step of post-exhaust, then performs a third step of exhausting after the introduction of Ar, said first to third steps as one cycle, and characterized by performing this cycle a plurality of times method of forming the insulating film.
  2. 前記Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子が、この金属の水素化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、アルコキシド、又はアルキル金属である請求項1記載の絶縁膜の成膜方法。 The Al, Si, Ta, or gaseous molecules containing Ti, the metal hydride, fluoride, chloride, bromide, deposition of iodide, alkoxide, or an insulating film of claim 1 wherein the alkali metal Method.
  3. 前記Oを含む気体状分子が、O 2 、O 3 、H 2 O、H 22又はN 2 Oである請求項1又は2記載の絶縁膜の成膜方法。 The gaseous molecules containing O is, O 2, O 3, H 2 O, H 2 O 2 or N 2 O film forming method according to claim 1 or 2, wherein the insulating film is.
  4. 前記基板の温度を室温〜300℃の範囲内に保つことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の絶縁膜の成膜方法。 Method for forming the insulating film according to claim 1, characterized in that to keep the temperature of the substrate within the range of room temperature to 300 ° C..
  5. 前記気体状分子の排気時に、パージガスとして不活性ガス又は還元性ガスを用いることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の絶縁膜の成膜方法。 When the exhaust of the gaseous molecules, method for forming the insulating film according to any one of claims 1 to 4, characterized in that an inert gas or reducing gas as a purge gas.
  6. 前記不活性ガスがHe、Ne、Ar、Xe、Kr、又はN 2であり、前記還元性ガスがH 2である請求項5記載の絶縁膜の成膜方法。 Wherein the inert gas is He, Ne, Ar, Xe, Kr, or a N 2, deposition method of the insulating film of the reducing gas according to claim 5 wherein the H 2.
  7. 成膜を行うプロセス室と、該プロセス室内の下方に設けられた基板と、基板温度を調節するための加熱手段と、該プロセス室内に原料ガスを導入するためのガス導入系と、該プロセス室を排気するための高真空排気用ポンプ及び低真空排気用ポンプ並びに排気用リザーバータンクを有する排気系とを有する絶縁膜の成膜装置であって、Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子を該ガス導入系を用いて基板表面に供給し、吸着させた後、該排気系を用いて排気する第1の工程の後に、Oを含む気体状分子を該ガス導入系を用いて該基板表面に供給し、吸着させた後、該排気系を用いて排気する第2の工程を行い、その後に該ガス導入系を用いて前記プロセス室内にArを導入した後、該排気系を用いて排気する第3の工程を行い、前記第 And process chamber for forming a film, and a substrate provided below of the process chamber, and heating means for adjusting the substrate temperature, a gas introduction system for introducing a source gas into the process chamber, the process chamber a film formation apparatus of the insulating film having an exhaust system having a high-vacuum exhaust pump and low vacuum exhaust pump and exhaust reservoir tank for discharging, Al, Si, Ta, or gaseous containing Ti the molecules were delivered to the substrate surface using the gas introduction system, can be adsorbed, after the first step of evacuated with the exhaust system, the gaseous molecules containing O by using the gas supply system the is supplied to the substrate surface, after adsorption, performing a second step of evacuated with the exhaust system, then after introducing Ar into the processing chamber with the gas introduction system, using the exhaust system perform a third step of exhausting Te, the second 〜第3の工程を1つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことによって請求項1〜6のいずれかに記載の絶縁膜の成膜方法を実施するための成膜装置。 The ~ third step as one cycle, a film forming apparatus for performing the method for forming the insulating film according to claim 1 by performing this cycle a plurality of times.
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