JP4483264B2 - Display device and electronic device - Google Patents

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  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Description

本発明は、表示装置及び電子機器に関する。
The present invention relates to a display device and an electronic apparatus.

バックライトなどを必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称す)素子を備えたEL表示装置が注目されている。EL表示装置は、EL層(発光層)を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、アクティブマトリクス型の表示装置では、一方の電極を基板上に個別に設け、他方の電極をベタ状の共通電極とした構成が一般的である。この種のEL表示装置は、供給された電流値に応じてEL層が発光するようになっているため、基板と電極との間の抵抗を原因とする電流量の低下が生じると、EL層の発光輝度が低下し、その結果表示特性が劣化するという問題を有している。このような表示劣化は、特にベタ状に形成される共通電極の抵抗による電圧降下を原因として生じやすい。例えば画面サイズが対角20インチ以上の大型のEL表示装置の場合、共通電極の抵抗による電圧降下が顕著となる。また、一般に、従来のEL表示装置は、光透過性を有する基板上に形成された有機EL素子から前記基板を通して下方に光を放つボトムエミッション構造と、基板上に形成された有機EL素子から上方に光を放つトップエミッション構造とに分類できる。特にトップエミッション構造のEL表示装置では共通電極として透明導電材料を用いるため、光透過性を有さない金属電極と比較して抵抗が大きくなり共通電極の電圧降下が顕著となる。
そこで、このような電圧降下を防止するために、画素境界領域に上部電極とコンタクトするリブを設け、補助配線として用いる構成が提案されている(例えば特許文献1参照)。
特開2002−318556号公報
In recent years, attention has been paid to an EL display device including an electroluminescence (hereinafter referred to as EL) element as a display device including a self-luminous element that does not require a backlight or the like. An EL display device has a structure in which a plurality of light emitting elements each having an EL layer (light emitting layer) sandwiched between a pair of electrodes are provided in a substrate surface. In an active matrix display device, one electrode is placed on a substrate. Generally, a configuration is provided in which the other electrode is a solid common electrode. In this type of EL display device, since the EL layer emits light according to the supplied current value, when the amount of current decreases due to the resistance between the substrate and the electrode, the EL layer Has a problem in that the display luminance is reduced, and as a result, the display characteristics are deteriorated. Such display deterioration is likely to occur particularly due to a voltage drop due to the resistance of the common electrode formed in a solid shape. For example, in the case of a large EL display device having a screen size of 20 inches diagonal or more, a voltage drop due to the resistance of the common electrode becomes significant. In general, a conventional EL display device has a bottom emission structure that emits light downward through an organic EL element formed on a light-transmitting substrate and an organic EL element formed on the substrate. It can be classified as a top emission structure that emits light. In particular, in an EL display device having a top emission structure, a transparent conductive material is used as a common electrode. Therefore, the resistance is increased and a voltage drop of the common electrode becomes remarkable as compared with a metal electrode that does not have optical transparency.
In order to prevent such a voltage drop, a configuration has been proposed in which a rib that contacts the upper electrode is provided in the pixel boundary region and used as an auxiliary wiring (see, for example, Patent Document 1).
JP 2002-318556 A

上記文献に記載の技術によれば、確かに上部電極の抵抗による電圧降下は低減することができ、係る電圧降下に起因する表示むらは低減するが根本的に解消できないと考えられる。また、この種の表示装置にて生じる表示むらは、上記電圧降下を原因とするものに限られず、例えば画素を構成する発光素子毎のばらつきによっても生じる表示むらもある。特に、各発光素子をTFT(薄膜トランジスタ)素子等のスイッチング素子により駆動するアクティブマトリクス型の表示装置では、スイッチング素子の特性ばらつきにより発光素子の輝度が大きく変化し、表示むらを生じる場合がある。   According to the technique described in the above document, the voltage drop due to the resistance of the upper electrode can surely be reduced, and the display unevenness due to the voltage drop is reduced, but it is considered that it cannot be fundamentally solved. Further, the display unevenness that occurs in this type of display device is not limited to that caused by the voltage drop, and there is also display unevenness that occurs due to, for example, variations among light emitting elements that constitute pixels. In particular, in an active matrix display device in which each light-emitting element is driven by a switching element such as a TFT (thin film transistor) element, luminance of the light-emitting element may change greatly due to variation in characteristics of the switching element, resulting in display unevenness.

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、発光素子の電極の抵抗、及び発光素子の特性ばらつきに起因する表示むらが低減され、表示面内で均一な表示輝度を得ることができる表示装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, in which the display unevenness due to the resistance of the electrode of the light emitting element and the variation in characteristics of the light emitting element is reduced, and the display brightness is uniform within the display surface. It is an object to provide a display device capable of obtaining the above.

本発明は、上記課題を解決するために、基板上に第1の電極と、発光層を含む機能層と、第2の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置であって、前記表示領域内に、前記第2の電極の電位を制御する電位制御部が複数設けられていることを特徴とする表示装置を提供する。
この構成によれば、発光素子の第2の電極に接続された複数の電位制御部を設けたことで、前記第2の電極の電位を、複数箇所において制御することが可能になり、第2の電極を高抵抗の透明導電材料で形成した場合にも、表示領域内で電圧降下が生じるのを効果的に防止できる。また第2の電極を任意の電位に保持することができるため、発光素子の特性ばらつきに起因して生じる輝度むらを緩和するべく発光素子に印加する電圧を調整することが可能になり、表示むらが低減された高画質の表示を得ることができる。
In order to solve the above-described problems, the present invention provides a display region in which a plurality of light-emitting elements each including a first electrode, a functional layer including a light-emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate. The display device includes a plurality of potential control units that control the potential of the second electrode in the display region.
According to this configuration, by providing a plurality of potential control units connected to the second electrode of the light emitting element, the potential of the second electrode can be controlled at a plurality of locations. Even when the electrode is made of a transparent conductive material having high resistance, it is possible to effectively prevent a voltage drop from occurring in the display region. In addition, since the second electrode can be held at an arbitrary potential, the voltage applied to the light-emitting element can be adjusted so as to alleviate luminance unevenness caused by variation in characteristics of the light-emitting element. It is possible to obtain a high-quality display with reduced image quality.

本発明の表示装置では、前記表示領域内に複数の前記第2の電極が設けられるとともに、各々の前記第2の電極に対応して前記電位制御部が設けられている構成とすることができる。この構成によれば、表示領域内に複数設けられた第2の電極について互いに独立に電位を設定することが可能であり、より効果的に発光素子の特性ばらつきに起因する輝度むらを防止することができる。   In the display device of the present invention, a plurality of the second electrodes may be provided in the display area, and the potential control unit may be provided corresponding to each of the second electrodes. . According to this configuration, a plurality of second electrodes provided in the display region can be set to potentials independently of each other, and uneven luminance due to variation in characteristics of light emitting elements can be more effectively prevented. Can do.

本発明の表示装置では、前記第2の電極は、当該表示装置の1表示単位を構成する複数の前記発光素子に跨って形成されている構成とすることができる。係る構成としては、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の発光素子により1表示単位を構成しており、上記第2の電極は、これら3色の発光素子に跨って形成されている構成を例示できる。この構成によれば、1表示単位毎に輝度を調整でき、表示領域内で均一な表示輝度を得ることができる。   In the display device of the present invention, the second electrode may be formed across a plurality of the light emitting elements constituting one display unit of the display device. As such a configuration, one display unit is composed of light emitting elements of three colors of R (red), G (green), and B (blue), and the second electrode straddles the light emitting elements of these three colors. The structure formed in this way can be illustrated. According to this configuration, the luminance can be adjusted for each display unit, and uniform display luminance can be obtained within the display area.

本発明の表示装置では、前記第2の電極は、前記発光素子毎に設けられており、各々の前記第2の電極に対応して前記電位制御部が設けられている構成とすることができる。この構成では、表示の最小単位を構成する発光素子毎に上記第2の電極の電位を制御することが可能になっている。従って本構成の表示装置によれば、極めて高度に発光素子毎の輝度が制御され、表示輝度の均一性に特に優れた表示装置を提供することができる。   In the display device of the present invention, the second electrode may be provided for each of the light emitting elements, and the potential control unit may be provided corresponding to each of the second electrodes. . In this configuration, the potential of the second electrode can be controlled for each light emitting element constituting the minimum unit of display. Therefore, according to the display device of this configuration, it is possible to provide a display device in which the luminance of each light emitting element is controlled extremely highly and the display luminance is particularly excellent in uniformity.

本発明の表示装置では、前記電位制御部は、前記第2の電極と接続されて可変抵抗素子として機能する電位制御素子を含んでいる構成であっても良い。あるいは、本発明の表示装置では、前記電位制御部は、キャパシタを介して前記第2の電極に接続された電位制御素子を備えている構成であってもよい。
これらいずれの構成においても、良好な電位制御性を得ることができ、表示輝度の均一性向上を達成できる。上記電位制御素子には、1又は複数の電圧制御回路を追加することができる。
In the display device of the present invention, the potential control section may include a potential control element that functions as a variable resistance element connected to the second electrode. Alternatively, in the display device of the present invention, the potential control unit may include a potential control element connected to the second electrode through a capacitor.
In any of these configurations, good potential controllability can be obtained, and improvement in display luminance uniformity can be achieved. One or a plurality of voltage control circuits can be added to the potential control element.

本発明の表示装置では、前記複数の発光素子に対応して設けられ、前記第1の電極と導電接続された画素駆動用スイッチング素子をさらに備えており、前記画素駆動用スイッチング素子と、前記電位制御素子とは、略同一の構成である構成とすることができる。この構成によれば、前記電位制御素子と画素駆動用スイッチング素子とは同工程にて同時に形成することが可能であり、電位制御部を備えたことによる大幅な工程変更や工数の増加を生じることがなく、効率的に製造を行うことができる。
さらには、発光素子の電流制御を行うためにその画素駆動回路に実装される場合がある、カレントミラー回路や電流プログラム回路、電圧プログラム回路を、電位制御部について設けることもできる。この場合、これらのプログラム回路も含めて発光素子と電位制御部とを略同一構成とすることができるため、工数等の増加を抑えつつ、電位制御部による電位制御性の向上効果を得られる。
The display device of the present invention further includes a pixel driving switching element provided corresponding to the plurality of light emitting elements and conductively connected to the first electrode, the pixel driving switching element, and the potential The control element can be configured to have substantially the same configuration. According to this configuration, the potential control element and the pixel driving switching element can be formed at the same time in the same process, resulting in a significant process change and an increase in man-hours due to the provision of the potential control unit. There is no, and it can manufacture efficiently.
Furthermore, a current mirror circuit, a current program circuit, and a voltage program circuit, which may be mounted on the pixel driving circuit in order to control the current of the light emitting element, can be provided for the potential control unit. In this case, since the light emitting element and the potential control unit including these program circuits can have substantially the same configuration, an effect of improving the potential controllability by the potential control unit can be obtained while suppressing an increase in man-hours.

本発明の表示装置では、前記電位制御素子は、前記第1の電極と同層に設けられた同一材質の電極部材を介して前記第2の電極と導電接続されている構成とすることができる。このような構成とすれば、電位制御部は、製造上第1の電極と第2の電極とを積層した構造となるので、発光素子と電位制御部とが類似の構造となり、製造の容易性を高めることができる。   In the display device of the present invention, the potential control element may be configured to be conductively connected to the second electrode through an electrode member made of the same material provided in the same layer as the first electrode. . With such a configuration, the potential control unit has a structure in which the first electrode and the second electrode are laminated in manufacturing, and therefore, the light emitting element and the potential control unit have a similar structure, and the manufacturing is easy. Can be increased.

本発明の表示装置では、前記複数の電位制御部に接続された電圧補正手段をさらに備え、前記電圧補正手段は、前記複数の発光素子の発光特性に基づき算出された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされている構成であっても良い。すなわち、発光素子の光学的/電気回路的ばらつきに基づき算出した電圧補正情報を用いて前記第2の電極に印加することができるため、高度に印加電圧を制御しつつ発光素子の駆動を行えるようになる。これにより、輝度の均一性に優れた表示装置を得ることができる。   The display device of the present invention further includes voltage correction means connected to the plurality of potential control sections, and the voltage correction means uses the potential control to calculate voltage correction information calculated based on light emission characteristics of the plurality of light emitting elements. The structure which can be supplied with respect to a part may be sufficient. That is, since the voltage correction information calculated based on the optical / electrical circuit variation of the light emitting element can be applied to the second electrode, the light emitting element can be driven while highly controlling the applied voltage. become. Thereby, a display device excellent in luminance uniformity can be obtained.

本発明の表示装置では、前記電圧補正手段は、前記各第1の電極に印加された電圧値を保持する電圧値保持手段と、該電圧値保持手段に保持された電圧値に基づき電圧補正情報を算出する補正情報算出手段とを備えている構成としても良い。この構成によれば、発光素子に印加した電圧値に基づき発光特性のばらつきを見積もり、発光素子への印加電圧を補正することができる。   In the display device according to the aspect of the invention, the voltage correction unit includes a voltage value holding unit that holds a voltage value applied to each first electrode, and voltage correction information based on the voltage value held in the voltage value holding unit. It is good also as a structure provided with the correction information calculation means to calculate. According to this configuration, it is possible to estimate the variation in the light emission characteristics based on the voltage value applied to the light emitting element, and to correct the applied voltage to the light emitting element.

本発明の表示装置では、前記補正情報算出手段は、前記第1の電極の電圧値と、前記電位制御部に出力する電圧補正情報と関連づけたルックアップテーブルを備えている構成とすることが好ましい。このようなルックアップテーブル参照方式とすることで、正確な電圧補正情報を簡素な回路にて高速に得ることができ、表示装置の小型化、低消費電力化、高速化の点で有効である。   In the display device according to the aspect of the invention, it is preferable that the correction information calculation unit includes a lookup table that associates the voltage value of the first electrode with the voltage correction information output to the potential control unit. . By using such a lookup table reference method, accurate voltage correction information can be obtained at high speed with a simple circuit, which is effective in reducing the size, power consumption, and speed of the display device. .

本発明の表示装置では、前記表示領域の輝度分布に基づき設定された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされている構成とすることもできる。この構成によれば、前記表示領域における輝度ばらつきを補正するべく前記第2の電極に電圧を印加することができ、表示輝度が高度に均一化された表示装置を得ることができる。   The display device of the present invention may be configured such that voltage correction information set based on the luminance distribution of the display area can be supplied to the potential control unit. According to this configuration, a voltage can be applied to the second electrode in order to correct the luminance variation in the display area, and a display device with highly uniform display luminance can be obtained.

本発明の表示装置では、前記画素駆動用スイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子であり、前記電圧補正手段は、前記各薄膜トランジスタ素子の閾値又は移動度に基づき設定された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされている構成とすることもできる。この構成によっても、前記表示領域における輝度ばらつきを補正するべく前記第2の電極に電圧を印加することができ、表示輝度が高度に均一化された表示装置を得ることができる。
In the display device according to the aspect of the invention, the pixel driving switching element is a thin film transistor element, and the voltage correction unit supplies voltage correction information set based on a threshold value or mobility of each thin film transistor element to the potential control unit. It is also possible to adopt a configuration that can be supplied. Also with this configuration, it is possible to apply a voltage to the second electrode in order to correct the luminance variation in the display region, and a display device in which display luminance is highly uniformed can be obtained.

本発明の表示装置では、前記電圧補正手段は、前記表示領域の輝度分布と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを備えている構成とすることができる。この構成によれば、簡素な回路にて高速に電圧補正情報を取得可能になる。
また本発明の表示装置では、前記電圧補正手段は、前記各画素駆動用スイッチング素子の素子特性と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを備えている構成とすることもできる。
In the display device according to the aspect of the invention, the voltage correction unit may include a look-up table that associates the luminance distribution of the display area with the voltage correction information. According to this configuration, voltage correction information can be acquired at high speed with a simple circuit.
In the display device according to the aspect of the invention, the voltage correction unit may include a lookup table in which element characteristics of the pixel driving switching elements are associated with the voltage correction information.

次に本発明は、上記課題を解決するために、基板上に第1の電極と、発光層を含む機能層と、第2の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置の駆動方法であって、前記表示領域内の複数箇所において前記第2の電極の電位を制御しつつ表示を行うことを特徴とする表示装置の駆動方法を提供する。
この駆動方法によれば、前記第2の電極の電位を複数箇所にて制御することで、第2の電極自体の抵抗による電圧降下に起因する発光素子の輝度ばらつきのみならず、発光素子の特性ばらつきに起因する輝度ばらつきも低減することができる。これにより、表示輝度の均一性に優れた表示を提供することができる。
Next, in order to solve the above-described problems, the present invention includes a plurality of light-emitting elements in which a first electrode, a functional layer including a light-emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate. There is provided a driving method of a display device including a display region, wherein display is performed while controlling the potential of the second electrode at a plurality of locations in the display region.
According to this driving method, by controlling the potential of the second electrode at a plurality of locations, not only the luminance variation of the light emitting element due to the voltage drop due to the resistance of the second electrode itself but also the characteristics of the light emitting element. Luminance variations caused by variations can also be reduced. Thereby, the display excellent in the uniformity of display luminance can be provided.

本発明の表示装置の駆動方法では、前記第2の電極が複数設けられた表示装置において、前記複数の第2の電極毎に電位を制御することもできる。この構成によれば、前記第2の電極を複数の領域に分割するとともに、各々の電位を独立に制御できるため、より精密に発光素子の電圧調整を行うことができる。これによりさらに輝度均一性に優れた表示を提供可能になる。   In the display device driving method of the present invention, in the display device provided with a plurality of the second electrodes, the potential can be controlled for each of the plurality of second electrodes. According to this configuration, since the second electrode is divided into a plurality of regions and each potential can be controlled independently, the voltage of the light emitting element can be adjusted more precisely. As a result, it is possible to provide a display with further excellent luminance uniformity.

本発明の表示装置の駆動方法では、前記第2の電極が1表示単位を構成する複数の発光素子に跨って形成された表示装置において、前記第2の電極の電位を、前記表示単位毎に制御することもできる。この構成では、表示領域にて画像等を形成する1表示単位毎に輝度のばらつき調整を行うので、表示輝度の均一性をさらに高めることができる。   In the display device driving method of the present invention, in the display device in which the second electrode is formed across a plurality of light emitting elements constituting one display unit, the potential of the second electrode is set for each display unit. It can also be controlled. In this configuration, since the variation in luminance is adjusted for each display unit that forms an image or the like in the display area, the uniformity of display luminance can be further improved.

本発明の表示装置の駆動方法では、前記第2の電極が前記各発光素子毎に設けられた表示装置において、前記第2の電極の電位を、前記各発光素子毎に制御することもできる。この構成によれば、表示領域の最小の表示単位を構成する発光素子毎に電圧制御を行い、精密に輝度を調整するので、極めて均一性に優れた表示を提供することができる。   In the display device driving method of the present invention, in the display device in which the second electrode is provided for each light emitting element, the potential of the second electrode can be controlled for each light emitting element. According to this configuration, voltage control is performed for each light emitting element that constitutes the minimum display unit of the display area, and the brightness is precisely adjusted. Therefore, it is possible to provide a display with extremely excellent uniformity.

本発明の表示装置の駆動方法では、前記第2の電極の電位を制御するに際して、前記複数の発光素子の発光特性に基づき設定された電圧補正情報を用いて、前記第2の電極に印加する電圧を補正することができる。この駆動方法によれば、前記発光素子の光学的/電気回路的特性に基づきばらつきを補正するべく第2の電極に電圧を印加するので、正確な輝度補正が可能であり、表示輝度の均一性を高めることができる。   In the display device driving method of the present invention, when the potential of the second electrode is controlled, voltage correction information set based on the light emission characteristics of the plurality of light emitting elements is applied to the second electrode. The voltage can be corrected. According to this driving method, the voltage is applied to the second electrode to correct the variation based on the optical / electrical circuit characteristics of the light emitting element, so that accurate luminance correction is possible and display luminance is uniform. Can be increased.

本発明の表示装置の駆動方法では、前記第2の電極の電位を制御するに際して、前記複数の発光素子の第1の電極に印加された電圧値に基づき算出した電圧補正情報を用いて、前記第2の電極に印加する電圧を補正することができる。この駆動方法によれば、発光素子に印加された電圧値に基づき、輝度補正を行うための電圧補正情報を算出することができ、正確な輝度補正が可能になる。   In the display device driving method of the present invention, when controlling the potential of the second electrode, the voltage correction information calculated based on the voltage values applied to the first electrodes of the plurality of light emitting elements is used. The voltage applied to the second electrode can be corrected. According to this driving method, voltage correction information for performing luminance correction can be calculated based on the voltage value applied to the light emitting element, and accurate luminance correction becomes possible.

本発明の表示装置の駆動方法では、前記第2の電極への印加電圧を補正するに際して、前記第1の電極に印加された電圧値と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを参照して前記電圧補正情報を得ることもできる。この駆動方法によれば、発光素子の輝度補正を行うための電圧補正情報を、簡易な回路にて高速に取得することができる。   In the driving method of the display device of the present invention, when correcting the voltage applied to the second electrode, a lookup table that associates the voltage value applied to the first electrode with the voltage correction information is referred to. Thus, the voltage correction information can be obtained. According to this driving method, the voltage correction information for correcting the luminance of the light emitting element can be acquired at high speed with a simple circuit.

本発明の表示装置の駆動方法では、前記第2の電極の電位を制御するに際して、前記表示領域の輝度分布に基づく電圧補正情報を用いて、前記第2の電極に印加する電圧を補正することもできる。この駆動方法によれば、表示領域全体の輝度分布から算出される電圧補正情報を用いて発光素子の輝度補正を行うため、全体的な輝度補正が正確に成された均一な表示を得ることができる。
あるいは、第2の電極の電位を制御するに際して、前記発光素子に備えられたスイッチング素子の素子特性(閾値又は易導度(移動度))に基づき設定した電圧補正情報を用いることもできる。
In the driving method of the display device of the present invention, when the potential of the second electrode is controlled, the voltage applied to the second electrode is corrected using voltage correction information based on the luminance distribution of the display region. You can also. According to this driving method, since the luminance correction of the light emitting element is performed using the voltage correction information calculated from the luminance distribution of the entire display area, it is possible to obtain a uniform display in which the overall luminance correction is accurately performed. it can.
Alternatively, when the potential of the second electrode is controlled, voltage correction information set based on element characteristics (threshold value or easy conductivity (mobility) ) of the switching element provided in the light emitting element can be used.

本発明の表示装置の駆動方法では、前記第2の電極への印加電圧を補正するに際して、前記表示領域の輝度分布と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを参照して前記電圧補正情報を得ることもできる。あるいは、前記画素駆動用スイッチング素子の素子特性と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを参照して前記電圧補正情報を得ることもできる。   In the display device driving method of the present invention, when correcting the voltage applied to the second electrode, the voltage correction is performed by referring to a look-up table that associates the luminance distribution of the display area with the voltage correction information. You can also get information. Alternatively, the voltage correction information can be obtained by referring to a lookup table in which element characteristics of the pixel driving switching element are associated with the voltage correction information.

次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の表示装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示領域内で発光素子の発光強度が均一で、高輝度、高画質の表示が可能な表示部を備えた電子機器を提供することができる。   Next, an electronic apparatus according to the present invention includes the display device according to the present invention described above. According to this configuration, it is possible to provide an electronic device including a display unit that has a uniform light emission intensity in the display region and can display with high luminance and high image quality.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。尚、以下で参照する各図面については、各要素を見易くするために寸法や膜厚等を適宜異ならせて表示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments. In addition, about each drawing referred below, in order to make each element easy to see, dimensions, film thicknesses, and the like are appropriately changed and displayed.

(第1の実施形態)
<有機EL表示装置>
図1は、本発明の表示装置の一例である有機EL表示装置の全体構成を示す平面構成図、図2は、同装置に設けられた1画素の回路構成図、図3は、1画素の断面構成図である。本実施形態の有機EL表示装置は、基板上に配列形成された発光素子の上面側から表示光を取り出すトップエミッション型の有機EL表示装置であって、各発光素子に対応してスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス方式の表示装置である。
(First embodiment)
<Organic EL display device>
FIG. 1 is a plan configuration diagram showing the overall configuration of an organic EL display device which is an example of the display device of the present invention, FIG. 2 is a circuit configuration diagram of one pixel provided in the device, and FIG. FIG. The organic EL display device of this embodiment is a top emission type organic EL display device that extracts display light from the upper surface side of the light emitting elements arrayed on the substrate, and a switching element is provided for each light emitting element. This is an active matrix type display device.

まず、図1に基づいて、本実施の形態の有機EL表示装置の全体構成について説明する。
本例の有機EL表示装置101は、電気絶縁性および透光性を有する基板20上に、スイッチング用TFT(図示せず)に接続された画素電極が基板20上にマトリクス状に配置されてなる画素形成領域33(図1中の一点鎖線枠内)を具備して構成されている。画素形成領域33は、中央部分の表示領域4(図1中の二点鎖線枠内)と、表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線枠と二点鎖線枠との間の領域)とに区画されている。表示領域4には、それぞれ画素電極を有する3色(R,G,B)の画素3…が、紙面の縦方向および横方向にそれぞれ離間してマトリクス状に配置されている。また、図1における表示領域4の左右には走査線駆動回路80が配置される一方、図1における表示領域4の上下にはデータ線駆動回路93が配置されている。これら走査線駆動回路80、データ線駆動回路93はダミー領域5の周縁部に配置されている。なお、図1においては、走査線およびデータ線の図示は省略している。
First, the overall configuration of the organic EL display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
The organic EL display device 101 of this example is formed by arranging pixel electrodes connected to switching TFTs (not shown) in a matrix on a substrate 20 on an electrically insulating and translucent substrate 20. The pixel forming region 33 (within the one-dot chain line frame in FIG. 1) is provided. The pixel formation area 33 includes a display area 4 at the center (inside the two-dot chain line frame in FIG. 1) and a dummy area 5 (around the one-dot chain line frame and the two-dot chain line frame) arranged around the display area 4. Area). In the display area 4, pixels 3 of three colors (R, G, B) each having a pixel electrode are arranged in a matrix in such a manner as to be spaced apart from each other in the vertical direction and the horizontal direction on the paper surface. Further, scanning line driving circuits 80 are arranged on the left and right sides of the display area 4 in FIG. 1, while data line driving circuits 93 are arranged on the upper and lower sides of the display area 4 in FIG. The scanning line driving circuit 80 and the data line driving circuit 93 are arranged at the peripheral edge of the dummy region 5. In FIG. 1, the scanning lines and the data lines are not shown.

さらに、図1におけるデータ線駆動回路93の上側には、検査回路90が配置されている。この検査回路90は、有機EL表示装置1の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段(図示せず)を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥を検査できるようになっている。なお、この検査回路90も、ダミー領域5の下側に配置されている。また、基板20には駆動用外部基板95が接続され、駆動用外部基板95上に外部駆動回路100が搭載されている。   Further, an inspection circuit 90 is arranged above the data line driving circuit 93 in FIG. The inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the organic EL display device 1, and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting the inspection result to the outside. The quality and defects of the display device can be inspected. The inspection circuit 90 is also arranged below the dummy area 5. Further, a driving external substrate 95 is connected to the substrate 20, and the external driving circuit 100 is mounted on the driving external substrate 95.

次に、図2を参照して画素3の回路構成について説明する。図2に示す回路構成図をみると、本実施形態に係る画素3は、縦横に延びる複数の配線群により区画された領域内に形成されており、当該領域内に設けられた発光素子50と、これに接続された電位制御部51とを備えている。
発光素子50は、発光層を含んで発光部を成すEL層27と、これに接続された2個のトランジスタ(画素駆動用TFT12及び画素選択用TFT43と、前記画素駆動用TFT12と画素選択用TFT43と接続された蓄積容量70とを備えている。EL層27の陽極側に画素駆動用TFT12のドレインが接続され、陰極側に共通電極28が接続されている。EL層27に駆動電流を供給する画素駆動用TFT12のソースには電源線45が接続され、ゲートには、画素選択用TFT43のドレイン及び蓄積容量70の一方の電極が接続されている。画素選択用TFT43のソースに陽極走査線46が接続され、ゲートには信号線44が接続されている。蓄積容量70の他方の電極には、信号線44に沿って延びる容量線71が接続されている。
Next, the circuit configuration of the pixel 3 will be described with reference to FIG. Referring to the circuit configuration diagram shown in FIG. 2, the pixel 3 according to the present embodiment is formed in a region partitioned by a plurality of wiring groups extending vertically and horizontally, and the light emitting element 50 provided in the region. , And a potential control unit 51 connected thereto.
The light emitting element 50 includes an EL layer 27 that includes a light emitting layer and forms a light emitting portion, and two transistors (the pixel driving TFT 12 and the pixel selecting TFT 43, and the pixel driving TFT 12 and the pixel selecting TFT 43 that are connected to the EL layer 27. The drain of the pixel driving TFT 12 is connected to the anode side of the EL layer 27, and the common electrode 28 is connected to the cathode side of the EL layer 27. A driving current is supplied to the EL layer 27. The power source line 45 is connected to the source of the pixel driving TFT 12 and the gate is connected to the drain of the pixel selecting TFT 43 and one electrode of the storage capacitor 70. The anode scanning line is connected to the source of the pixel selecting TFT 43. 46, and the gate is connected to the signal line 44. The other electrode of the storage capacitor 70 is connected to the capacitor line 71 extending along the signal line 44. There.

電位制御部51は、電位制御用TFT(電位制御素子)32と、キャパシタ49とを備えており、電位制御用TFT32は、電圧供給線47とキャパシタ49との間に介挿され、そのゲートには陰極走査線34が接続されている。そして、これらの発光素子50と電位制御部51とは、共通電極28を共有して互いに接続されている。   The potential control unit 51 includes a potential control TFT (potential control element) 32 and a capacitor 49. The potential control TFT 32 is interposed between the voltage supply line 47 and the capacitor 49 and is connected to the gate thereof. Is connected to a cathode scanning line 34. The light emitting element 50 and the potential control unit 51 are connected to each other by sharing the common electrode 28.

上記構成のもと、本実施形態の有機EL表示装置101は、信号線44及び陽極走査線46に信号入力することで画素選択用TFT43を駆動して発光素子50を選択状態とし、電源線45に接続された画素駆動用TFT12を駆動してEL層27に所定量の電流を供給することで発光素子50を所定輝度にて発光させるようになっている。画素駆動用TFT12に接続された蓄積容量70は、画素選択用TFT43の出力を保持し、非選択状態における画素駆動用TFT12の駆動状態を維持する機能を奏する。
また、本実施形態に係る画素3では、上記発光素子50の動作と合わせて、共通電極28に電圧を印加可能になっている。すなわち、電位制御用TFT32のゲートに陰極走査線34を介して走査信号を入力して電位制御部51を選択状態とするとともに、電圧供給線47を介して印加電圧を入力することで、キャパシタ49の容量カップリングにより共通電極28の電位を制御するようになっている。
Based on the above configuration, the organic EL display device 101 of this embodiment drives the pixel selection TFT 43 by inputting a signal to the signal line 44 and the anode scanning line 46 to select the light emitting element 50, and the power supply line 45. By driving the pixel driving TFT 12 connected to, and supplying a predetermined amount of current to the EL layer 27, the light emitting element 50 emits light with a predetermined luminance. The storage capacitor 70 connected to the pixel driving TFT 12 has a function of holding the output of the pixel selecting TFT 43 and maintaining the driving state of the pixel driving TFT 12 in the non-selected state.
In the pixel 3 according to this embodiment, a voltage can be applied to the common electrode 28 in conjunction with the operation of the light emitting element 50. That is, a scanning signal is input to the gate of the potential control TFT 32 via the cathode scanning line 34 to set the potential control unit 51 in a selected state, and an applied voltage is input via the voltage supply line 47, whereby the capacitor 49. The potential of the common electrode 28 is controlled by capacitive coupling.

このように、本実施形態の有機EL表示装置101は、各画素3に、発光素子50と、発光素子50の共通電極28の電位を制御する電位制御部51とが備えられた構成とされていることで、最小の表示単位である画素3毎にEL層27に印加される電圧を制御することが可能になっている。これにより発光素子50の駆動部を成す画素駆動用TFT12等の特性ばらつきに起因する電流量のばらつきを補正することができ、もって発光素子50を目的とする発光輝度にて発光させることが可能である。従って本実施形態の有機EL表示装置101によれば、表示領域4の全面で均一な表示輝度を得ることができ、高画質の表示を得ることができる。
尚、本実施形態の場合、EL層27の上下に配置される画素電極19及び共通電極28は、画素3毎に区画されているため、電極自体の抵抗による電圧降下はほとんど生じない。
As described above, the organic EL display device 101 according to the present embodiment is configured such that each pixel 3 includes the light emitting element 50 and the potential control unit 51 that controls the potential of the common electrode 28 of the light emitting element 50. Therefore, it is possible to control the voltage applied to the EL layer 27 for each pixel 3 which is the minimum display unit. This makes it possible to correct variations in the amount of current caused by variations in the characteristics of the pixel driving TFTs 12 that form the drive unit of the light emitting element 50, thereby enabling the light emitting element 50 to emit light with a target light emission luminance. is there. Therefore, according to the organic EL display device 101 of the present embodiment, uniform display luminance can be obtained over the entire surface of the display region 4, and high-quality display can be obtained.
In the case of the present embodiment, the pixel electrode 19 and the common electrode 28 arranged above and below the EL layer 27 are partitioned for each pixel 3, so that a voltage drop due to the resistance of the electrode itself hardly occurs.

上記共通電極28の電位制御の形態としては、発光素子50に電源線45を介して接続される図示略の電圧供給部(又は定電流源)において、発光素子50に供給された電圧値を観測し、観測された電圧値に基づき設定した電圧を、各画素3の共通電極28に印加する方法(第1の方法)や、表示領域4における表示輝度のばらつきを測定し、この輝度ばらつきに基づき設定した電圧を、各画素3の共通電極28に印加する方法(第2の方法)を例示することができる。   As a mode of controlling the potential of the common electrode 28, a voltage value supplied to the light emitting element 50 is observed in a voltage supply unit (or a constant current source) (not shown) connected to the light emitting element 50 via a power line 45. Then, a method of applying a voltage set based on the observed voltage value to the common electrode 28 of each pixel 3 (first method) and a variation in display luminance in the display region 4 are measured, and based on this luminance variation A method (second method) in which the set voltage is applied to the common electrode 28 of each pixel 3 can be exemplified.

上記第1の方法により共通電極28の電位制御を行うための構成としては、前記発光素子50への印加電圧を観測、保持する電圧値保持手段と、電位制御部51から共通電極28に印加する電圧を補正するための電圧補正情報を、前記保持された電圧値に基づき算出する補正情報算出手段とを備えた構成を例示できる。つまり、発光素子50の電圧/電流特性から発光素子50における輝度ばらつきを見積もり、係る見積もりに基づき共通電極28に印加する電圧を変化させることで複数の発光素子50間での輝度ばらつきを低減する方法である。
この場合、補正情報算出手段では、保持された電圧値を用いた演算を行い電圧補正情報を算出しても良く、予め用意された演算結果(ルックアップテーブル)を参照することにより電圧補正情報を取得し、電位制御部51に出力する構成であっても良い。ルックアップテーブルを参照する方式では、演算回路を簡素化できるため、回路等の高速動作、また発熱量の低減効果が期待できる。
As a configuration for controlling the potential of the common electrode 28 by the first method, voltage value holding means for observing and holding the applied voltage to the light emitting element 50, and applying the voltage from the potential control unit 51 to the common electrode 28. A configuration including correction information calculation means for calculating voltage correction information for correcting a voltage based on the held voltage value can be exemplified. That is, a method for estimating the luminance variation in the light emitting element 50 from the voltage / current characteristics of the light emitting element 50 and reducing the luminance variation among the plurality of light emitting elements 50 by changing the voltage applied to the common electrode 28 based on the estimation. It is.
In this case, the correction information calculation means may calculate the voltage correction information by performing a calculation using the held voltage value, and the voltage correction information is obtained by referring to a calculation result (lookup table) prepared in advance. The configuration may be such that it is acquired and output to the potential control unit 51. In the method of referring to the lookup table, the arithmetic circuit can be simplified, so that a high-speed operation of the circuit or the like and an effect of reducing the heat generation amount can be expected.

次に、上記第2の方法は、実際に発光素子50にて得られる発光輝度から発光素子50の発光特性のばらつきを見積もり、係る見積もりに基づき共通電極28に印加する電圧を変化させることで複数の発光素子50間の輝度ばらつきを低減する方法である。この場合、表示領域4における輝度分布を測定することで、発光素子50を構成する画素駆動用TFT12や画素選択用TFT43の閾値又は易導度のばらつきを取得することができるので、これらに基づく電圧補正情報を算出するとともに電位制御部51に供給する補正情報算出手段を備えた構成とすればよい。上記補正情報算出手段としては、外部から入力されたばらつき情報に基づいて演算処理を行い、演算結果を電位制御部51に供給するものであってもよく、予め用意された演算結果(輝度ばらつきから電圧補正情報を算出した結果を保持したルックアップテーブル)を参照することにより取得した電圧補正情報を出力するものであっても良い。あるいは、表示領域4の1箇所以上に、表示輝度を測定するための輝度測定手段(例えば、フォトダイオードやフォトトランジスタ等の光学センサ)を設け、係る輝度測定手段から出力される輝度情報に基づき電圧補正情報を算出するものであってもよい。   Next, in the second method, the variation in the light emission characteristics of the light emitting element 50 is estimated from the light emission luminance actually obtained by the light emitting element 50, and a plurality of voltages are applied by changing the voltage applied to the common electrode 28 based on such estimation. This is a method of reducing the luminance variation between the light emitting elements 50. In this case, by measuring the luminance distribution in the display region 4, it is possible to obtain variations in threshold values or easy conductivities of the pixel driving TFTs 12 and the pixel selecting TFTs 43 that constitute the light emitting element 50, and voltage based on these can be obtained. What is necessary is just to comprise the correction information calculation means which calculates correction information and supplies it to the electric potential control part 51. As the correction information calculation means, calculation processing may be performed based on variation information input from the outside, and a calculation result may be supplied to the potential control unit 51. A calculation result prepared in advance (from luminance variation) may be used. The voltage correction information acquired by referring to a lookup table holding the result of calculating the voltage correction information may be output. Alternatively, a luminance measuring means (for example, an optical sensor such as a photodiode or a phototransistor) for measuring display luminance is provided at one or more places in the display area 4, and the voltage is determined based on the luminance information output from the luminance measuring means. Correction information may be calculated.

<画素回路構成の他の例>
また、上記電位制御部51としては、図3の回路構成図に示す構成も適用することができる。図3に示す画素3に備えられた電位制御部51は、電位制御用TFT(電位制御素子)53を主体として構成されている。電位制御用TFT53のゲートに電圧供給線47が接続され、ソース・ドレインには、それぞれコモン電極(com.)、共通電極28が接続されている。
電位制御用TFT53は、電圧供給線47を介して入力される信号に応じて共通電極28に印加される電圧を分圧する可変抵抗素子として機能する。このような構成とした場合にも、共通電極28に任意の電圧を印加することができ、もって発光素子50を構成するTFT12の特性ばらつきに起因する発光輝度のばらつきを抑制し、表示領域内で均一な表示輝度が得られる有機EL表示装置を提供することができる。また図3に示す電位制御部51では陰極走査線は設けられておらず、基準電位を供給するコモン電極との間で共通電極28の電位を制御するようになっているため、電位制御部51を選択駆動するための駆動回路の構成を簡素化できるという利点がある。
<Other examples of pixel circuit configuration>
As the potential control unit 51, the configuration shown in the circuit configuration diagram of FIG. 3 can be applied. The potential control unit 51 provided in the pixel 3 shown in FIG. 3 is mainly composed of a potential control TFT (potential control element) 53. A voltage supply line 47 is connected to the gate of the potential control TFT 53, and a common electrode (com.) And a common electrode 28 are connected to the source and drain, respectively.
The potential control TFT 53 functions as a variable resistance element that divides a voltage applied to the common electrode 28 in accordance with a signal input via the voltage supply line 47. Even in such a configuration, it is possible to apply an arbitrary voltage to the common electrode 28, thereby suppressing variations in light emission luminance due to variations in characteristics of the TFTs 12 constituting the light emitting element 50, and reducing the variation in the display area. An organic EL display device capable of obtaining uniform display luminance can be provided. Further, in the potential control unit 51 shown in FIG. 3, no cathode scanning line is provided, and the potential of the common electrode 28 is controlled with respect to the common electrode that supplies the reference potential. There is an advantage that the configuration of the drive circuit for selectively driving the can be simplified.

尚、図3に示す回路構成図では、発光素子50の回路構成も図2に示したものと一部異なっており、具体的には、画素選択用TFT43と画素駆動用TFT12との間に接続された蓄積容量70の一端が、画素駆動用TFT12と接続された電源線45に接続されている。この構成において、蓄積容量70は、画素選択用TFT43がオン状態とされたときの陽極走査線46の電位を保持し、蓄積容量70の状態に応じて画素駆動用TFT12のスイッチング動作が選択されるようになっている。   In the circuit configuration diagram shown in FIG. 3, the circuit configuration of the light emitting element 50 is also partially different from that shown in FIG. 2, and specifically, a connection is made between the pixel selection TFT 43 and the pixel driving TFT 12. One end of the storage capacitor 70 is connected to a power supply line 45 connected to the pixel driving TFT 12. In this configuration, the storage capacitor 70 holds the potential of the anode scanning line 46 when the pixel selection TFT 43 is turned on, and the switching operation of the pixel driving TFT 12 is selected according to the state of the storage capacitor 70. It is like that.

また、上記した各電位制御用TFT32,53に、特開2003−22049号公報の図17に記載の回路や、カレントミラー回路等の電流プログラム回路を接続することもできる。さらに、各発光素子50について設けられる画素駆動回路の一部又は全体を電位制御部51についても設けた構成とすることができる。つまり、発光素子50の画素駆動回路としては、画素駆動用TFT12のゲートに入力する電圧を、カレントミラー回路、電流プログラム回路、電圧プログラム回路により制御し、画素駆動用TFT12の抵抗値を変化させる構成が知られている。これらの電圧制御回路を電位制御部51の電位制御用TFT32,53に接続することで、電位制御部51にから共通電極28への印加電圧をより正確に制御することができ、また発光素子50と電位制御部51とで駆動回路を共通化することができる。これにより、大規模な工程の変更を伴うことなく従来の製造工程から移行することができるという利点も得られる。   Further, the circuit shown in FIG. 17 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-22049 or a current program circuit such as a current mirror circuit can be connected to each of the potential control TFTs 32 and 53 described above. Further, a part or the whole of the pixel driving circuit provided for each light emitting element 50 may be provided for the potential control unit 51. In other words, the pixel driving circuit of the light emitting element 50 is configured to change the resistance value of the pixel driving TFT 12 by controlling the voltage input to the gate of the pixel driving TFT 12 by the current mirror circuit, the current program circuit, and the voltage program circuit. It has been known. By connecting these voltage control circuits to the potential control TFTs 32 and 53 of the potential control unit 51, the voltage applied from the potential control unit 51 to the common electrode 28 can be controlled more accurately, and the light emitting element 50 can be controlled. And the potential control unit 51 can share a drive circuit. As a result, there is also an advantage that it is possible to shift from the conventional manufacturing process without accompanying a large-scale process change.

<画素の詳細構成>
次に、図4を参照して画素3の具体的な構成について説明する。図4に示す断面構成をみると、本実施形態の有機EL表示装置101は、発光素子50と、これに隣接して設けられた電位制御部51とを備えて構成されている。ガラス等の透光性を有する基板20上に、例えばシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜23が形成され、下地絶縁膜23上に、発光素子50の画素駆動用TFT12と、電位制御部51の電位制御用TFT32とが形成されている。
<Detailed configuration of pixel>
Next, a specific configuration of the pixel 3 will be described with reference to FIG. Looking at the cross-sectional configuration shown in FIG. 4, the organic EL display device 101 of this embodiment includes a light emitting element 50 and a potential control unit 51 provided adjacent thereto. A base insulating film 23 made of, for example, a silicon oxide film is formed on a light-transmitting substrate 20 such as glass. The pixel driving TFT 12 of the light emitting element 50 and the potential of the potential control unit 51 are formed on the base insulating film 23. A control TFT 32 is formed.

発光素子50に備えられた画素駆動用TFT12はLDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、半導体層13には高濃度ソース領域13a、低濃度ソース領域13b、チャネル領域13c、低濃度ドレイン領域13d、高濃度ドレイン領域13eが形成されている。そして、半導体層13上にゲート絶縁膜24が形成され、ゲート絶縁膜24を介してチャネル領域13cと対向するゲート電極14が配置されている。ゲート電極14を覆うように第1層間絶縁膜25が形成され、第1層間絶縁膜25上に電源線45および中継導電層17が形成されている。
電源線45は、第1層間絶縁膜25およびゲート絶縁膜24を貫通するコンタクトホール15を介して半導体層13の高濃度ソース領域13aに接続されている。一方、中継導電層17は、第1層間絶縁膜25およびゲート絶縁膜24を貫通するコンタクトホール16を介して半導体層13の高濃度ドレイン領域13eに接続されている。
The pixel driving TFT 12 provided in the light emitting element 50 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure. The semiconductor layer 13 includes a high concentration source region 13a, a low concentration source region 13b, a channel region 13c, and a low concentration drain region. 13d, a high concentration drain region 13e is formed. Then, a gate insulating film 24 is formed on the semiconductor layer 13, and the gate electrode 14 facing the channel region 13 c via the gate insulating film 24 is disposed. A first interlayer insulating film 25 is formed so as to cover the gate electrode 14, and a power supply line 45 and a relay conductive layer 17 are formed on the first interlayer insulating film 25.
The power supply line 45 is connected to the high concentration source region 13 a of the semiconductor layer 13 through a contact hole 15 that penetrates the first interlayer insulating film 25 and the gate insulating film 24. On the other hand, the relay conductive layer 17 is connected to the high concentration drain region 13 e of the semiconductor layer 13 through a contact hole 16 penetrating the first interlayer insulating film 25 and the gate insulating film 24.

電源線45および中継導電層17を覆うように表面が平坦化された第2層間絶縁膜26が形成され、第2層間絶縁膜26上に画素電極19が形成されている。画素電極19は、第2層間絶縁膜26に貫設されたコンタクトホール18を介して中継導電層17に接続されている。画素電極19は、後述するEL層に正孔を注入するための陽極として機能し、発光素子50を構成する第1の電極を成すものである。
トップエミッション型の発光素子50では、画素電極19はAlや銀等の反射性の金属膜や非透光性の導電膜により形成することができ、場合によっては、ボトムエミッション型の発光素子と同様に、ITO(インジウム錫酸化物)、IZO(インジウム亜鉛酸化物(登録商標))、ICO(インジウムセリウム酸化物)、GZO(ガリウム亜鉛酸化物)、ZnO(亜鉛酸化物)等の透明導電材料で形成することもできる。
A second interlayer insulating film 26 having a planarized surface is formed so as to cover the power supply line 45 and the relay conductive layer 17, and the pixel electrode 19 is formed on the second interlayer insulating film 26. The pixel electrode 19 is connected to the relay conductive layer 17 through a contact hole 18 penetrating the second interlayer insulating film 26. The pixel electrode 19 functions as an anode for injecting holes into an EL layer, which will be described later, and constitutes a first electrode constituting the light emitting element 50.
In the top emission type light emitting element 50, the pixel electrode 19 can be formed of a reflective metal film such as Al or silver or a non-light-transmitting conductive film. In some cases, the pixel electrode 19 is the same as the bottom emission type light emitting element. And transparent conductive materials such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide (registered trademark)), ICO (indium cerium oxide), GZO (gallium zinc oxide), and ZnO (zinc oxide). It can also be formed.

画素電極19の周縁部に沿って無機材料層22Aおよび有機材料層22Bが形成され、これら無機材料層22Aおよび有機材料層22Bの2層でバンク22が構成されている。発光素子50では、バンク22によって区画された画素電極19上の領域中央部にEL層27が形成されている。本実施の形態において、EL層27は、例えばチオフェン系導電性高分子からなる正孔注入(輸送)層27Aと発光ポリマー(LEP)からなる発光層27Bの2層で構成されている。EL層27の構成としては、他にも正孔(電子)注入層と輸送層を別個に設けた構成、電子注入層、正孔注入層、発光層の3層からなる構成等を適用しても良い。   An inorganic material layer 22A and an organic material layer 22B are formed along the peripheral edge of the pixel electrode 19, and a bank 22 is constituted by the two layers of the inorganic material layer 22A and the organic material layer 22B. In the light emitting element 50, the EL layer 27 is formed in the center of the region on the pixel electrode 19 partitioned by the bank 22. In the present embodiment, the EL layer 27 is composed of two layers, for example, a hole injection (transport) layer 27A made of a thiophene-based conductive polymer and a light emitting layer 27B made of a light emitting polymer (LEP). As the structure of the EL layer 27, a structure in which a hole (electron) injection layer and a transport layer are separately provided, a structure including three layers of an electron injection layer, a hole injection layer, and a light emitting layer are applied. Also good.

EL層27を覆うように、共通電極28が設けられている。共通電極28は、ITO、IZO、ICO、GZO、ZnO等の透明導電材料で形成することができ、発光素子50がボトムエミッション型である場合には、金属膜や非透光性の導電膜により形成しても良い。発光素子50において、共通電極28はEL層27に電子を注入するための陰極(第2の電極)を成している。また共通電極28は、発光素子50と電位制御部51とに跨って形成されており、これらを互いに電気的に接続する部材となっている。
さらに、EL層27への水分等の浸入を防止するため、透光性の封止層29が設けられている。
A common electrode 28 is provided so as to cover the EL layer 27. The common electrode 28 can be formed of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ICO, GZO, or ZnO. When the light emitting element 50 is of a bottom emission type, a metal film or a non-translucent conductive film is used. It may be formed. In the light emitting element 50, the common electrode 28 forms a cathode (second electrode) for injecting electrons into the EL layer 27. The common electrode 28 is formed across the light emitting element 50 and the potential control unit 51, and is a member that electrically connects them.
Further, a light-transmitting sealing layer 29 is provided to prevent moisture and the like from entering the EL layer 27.

次に、電位制御部51には、電位制御用TFT32が設けられている。電位制御用TFT32もLDD構造を備えたトランジスタであり、半導体層33には高濃度ソース領域33a、低濃度ソース領域33b、チャネル領域33c、低濃度ドレイン領域33d、高濃度ドレイン領域33eが形成されている。そして、半導体層33上にゲート絶縁膜24が形成され、ゲート絶縁膜24を介してチャネル領域33cと対向するゲート電極42が配置されている。ゲート電極42を覆うように第1層間絶縁膜25が形成され、第1層間絶縁膜25に設けられたコンタクトホール35,36を介して電圧供給線47および中継導電層37が、それぞれ半導体層33の高濃度ソース領域33a、高濃度ドレイン領域33eと電気的に接続されている。そして、上述の画素駆動用TFT12と同様、電圧供給線47、中継導電層37とを覆う第2層間絶縁膜26が形成され、この第2層間絶縁膜26に設けられたコンタクトホール38を介して、画素電極19と中継導電層37とが電気的に接続されている。   Next, the potential control unit 51 is provided with a potential control TFT 32. The potential control TFT 32 is also a transistor having an LDD structure. In the semiconductor layer 33, a high concentration source region 33a, a low concentration source region 33b, a channel region 33c, a low concentration drain region 33d, and a high concentration drain region 33e are formed. Yes. A gate insulating film 24 is formed on the semiconductor layer 33, and a gate electrode 42 facing the channel region 33c via the gate insulating film 24 is disposed. A first interlayer insulating film 25 is formed so as to cover the gate electrode 42, and the voltage supply line 47 and the relay conductive layer 37 are respectively connected to the semiconductor layer 33 through contact holes 35 and 36 provided in the first interlayer insulating film 25. The high concentration source region 33a and the high concentration drain region 33e are electrically connected. Similar to the above-described pixel driving TFT 12, the second interlayer insulating film 26 covering the voltage supply line 47 and the relay conductive layer 37 is formed, and the contact hole 38 provided in the second interlayer insulating film 26 is interposed. The pixel electrode 19 and the relay conductive layer 37 are electrically connected.

電位制御部51の画素電極19の周囲に設けられたバンク22内部には、発光素子50側から延出された共通電極28が成膜され、画素電極19と電気的に接続されている。すなわち、電位制御部51において画素電極19は、共通電極28と電位制御用TFT32とを導電接続する電極部材として機能するものであり、このような導電接続構造を採用することで、電位制御用TFT32と共通電極28とのコンタクト抵抗を低減できる。本実施形態では、電位制御部51において画素電極19と共通電極28とが直接接続された構成としているが、EL層27のうち発光層27Bを除くの導電性を有する構成層が画素電極19上に設けられていても構わない。   A common electrode 28 extending from the light emitting element 50 side is formed in the bank 22 provided around the pixel electrode 19 of the potential control unit 51 and is electrically connected to the pixel electrode 19. That is, in the potential control unit 51, the pixel electrode 19 functions as an electrode member for conductively connecting the common electrode 28 and the potential control TFT 32. By adopting such a conductive connection structure, the potential control TFT 32 is used. And the contact resistance between the common electrode 28 can be reduced. In the present embodiment, the pixel electrode 19 and the common electrode 28 are directly connected to each other in the potential control unit 51. However, the conductive layer excluding the light emitting layer 27 </ b> B is included in the EL layer 27 on the pixel electrode 19. May be provided.

上記発光素子50に備えられた画素駆動用TFT12と、電位制御部51に備えられた電位制御用TFT32とには、略同一構成の薄膜トランジスタを用いることもできる。このような構成とすれば、製造を効率化することができ、製造コストの低減、及び歩留まりの向上を達成する上で有効である。また、電位制御用TFT32は、図2及び図3に示した画素選択用TFT43と略同一構成のTFTであってもよく、発光素子50に電流プログラム回路等が実装されている場合には、係る回路に含まれるTFTと同一構成とすることもできる。   Thin film transistors having substantially the same configuration can be used for the pixel driving TFT 12 provided in the light emitting element 50 and the potential control TFT 32 provided in the potential control unit 51. With such a configuration, it is possible to increase the efficiency of manufacturing, and it is effective in achieving reduction in manufacturing cost and improvement in yield. Further, the potential control TFT 32 may be a TFT having substantially the same configuration as the pixel selection TFT 43 shown in FIGS. 2 and 3. When the current program circuit or the like is mounted on the light emitting element 50, The same configuration as the TFT included in the circuit may be employed.

<有機EL表示装置の製造方法>
以下、本実施形態の有機EL表示装置101の製造方法の一例を、図4を参照しつつ簡単に説明する。
まず、基板20の一面に、膜厚200〜500nm程度のシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜23をプラズマCVD法等により成膜した後、下地絶縁膜23上に膜厚30〜70nm程度のアモルファスシリコン膜からなる半導体層をプラズマCVD法等により成膜する。次に、半導体層に対してレーザアニール等による結晶化処理を施し、半導体層を多結晶シリコン膜とする。次に、半導体層をパターニングして島状の半導体層13,33とした後、膜厚60〜150nm程度のシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜24をプラズマCVD法等により成膜する。次に、ITO等の透光性材料をスパッタ法等により成膜した後、これをパターニングして走査線やゲート電極14,42を形成する。そして、ゲート電極14,42をマスクとしたイオン注入により、半導体層13,33に自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。
<Method for Manufacturing Organic EL Display Device>
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the organic EL display device 101 of the present embodiment will be briefly described with reference to FIG.
First, after a base insulating film 23 made of a silicon oxide film having a thickness of about 200 to 500 nm is formed on one surface of the substrate 20 by a plasma CVD method or the like, amorphous silicon having a thickness of about 30 to 70 nm is formed on the base insulating film 23. A semiconductor layer made of a film is formed by a plasma CVD method or the like. Next, the semiconductor layer is crystallized by laser annealing or the like, so that the semiconductor layer is a polycrystalline silicon film. Next, after patterning the semiconductor layer to form island-shaped semiconductor layers 13 and 33, a gate insulating film 24 made of a silicon oxide film having a thickness of about 60 to 150 nm is formed by plasma CVD or the like. Next, after forming a light-transmitting material such as ITO by sputtering or the like, this is patterned to form scanning lines and gate electrodes 14 and 42. Then, source / drain regions are formed in the semiconductor layers 13 and 33 in a self-aligned manner by ion implantation using the gate electrodes 14 and 42 as a mask.

次に、第1層間絶縁膜25を形成し、半導体層13のソース・ドレイン領域に達するコンタクトホール15,16、及び半導体層33のソース・ドレイン領域に達するコンタクトホール35,36を形成した後、ITO等の透光性材料をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして電源線45、電圧供給線47、及び中継導電層17,37を形成する。次に、第2層間絶縁膜26を形成し、中継導電層17,37に達するコンタクトホール18,38を形成した後、Al等の金属膜をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして画素電極19,19を形成する。画素電極19は、ボトムエミッション型の場合には、ITO等の透光性導電材料により形成される。トップエミッション型の場合にも上記金属膜に限られず、透光性材料や不透明な導電材料により形成しても良い。   Next, after forming the first interlayer insulating film 25 and forming the contact holes 15 and 16 reaching the source / drain regions of the semiconductor layer 13 and the contact holes 35 and 36 reaching the source / drain regions of the semiconductor layer 33, A light-transmitting material such as ITO is formed by sputtering or the like, and is patterned to form the power supply line 45, the voltage supply line 47, and the relay conductive layers 17 and 37. Next, after forming the second interlayer insulating film 26 and the contact holes 18 and 38 reaching the relay conductive layers 17 and 37, a metal film such as Al is formed by sputtering or the like, and this is patterned. Pixel electrodes 19 are formed. In the case of the bottom emission type, the pixel electrode 19 is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO. The top emission type is not limited to the above metal film, and may be formed of a light-transmitting material or an opaque conductive material.

次に、プラズマCVD法等により無機材料層22Aを形成し、これをパターニングする。その後、有機材料層22Bを所定のパターンで形成し、バンク22とする。有機材料層22Bの形成は、フォトリソグラフィー法、印刷法等を用いることができる。無機材料層22Aには、例えば酸化シリコン等を用いることができ、有機材料層22Bには、例えばアクリルやポリイミド等を用いることができる。
後続の製造工程において、液滴吐出法を用いてEL層27を形成する場合、少なくとも画素電極19の表面は親液性を有していることが好ましく、正孔注入輸送層形成材料に水系の溶液を用いる場合、親水性としておくことが望ましい。また、バンク22は画素電極19を平面的に隔離するのみならず、上記液滴吐出法による材料の選択配置を補助すべく機能する。すなわち、バンク22の表面を撥液化処理しておくことで、画素電極19上への材料の配置をより正確かつ円滑に行うことを可能にする。このバンク22の撥液化処理としては、CF、やSF、SiF、やBF等のガスによるフッ素系プラズマ処理を例示できる。このフッ素系プラズマ処理は、画素電極19及びバンク22の表面に対して一括に行っても良く、この場合にもバンク22表面が優先的に改質されるため、画素電極19表面とバンク22表面とで異なる表面特性(親液/撥液)を得ることができる。
Next, an inorganic material layer 22A is formed by plasma CVD or the like and patterned. Thereafter, the organic material layer 22 </ b> B is formed in a predetermined pattern to form the bank 22. The organic material layer 22B can be formed by a photolithography method, a printing method, or the like. For example, silicon oxide or the like can be used for the inorganic material layer 22A, and acrylic or polyimide can be used for the organic material layer 22B, for example.
In the subsequent manufacturing process, when the EL layer 27 is formed using a droplet discharge method, it is preferable that at least the surface of the pixel electrode 19 has lyophilicity, and the hole injection transport layer forming material is an aqueous type. When using a solution, it is desirable to make it hydrophilic. Further, the bank 22 functions not only to isolate the pixel electrode 19 in a plane but also to assist the selective arrangement of the material by the droplet discharge method. That is, the surface of the bank 22 is subjected to a liquid repellency treatment, so that the material can be placed on the pixel electrode 19 more accurately and smoothly. Examples of the liquid repellency treatment of the bank 22 include a fluorine plasma treatment using a gas such as CF 4 , SF 6 , SiF 4 , or BF 3 . This fluorine-based plasma treatment may be performed collectively on the surface of the pixel electrode 19 and the bank 22, and in this case as well, the surface of the bank 22 is preferentially modified. Different surface characteristics (lyophilic / liquid repellent) can be obtained.

また、プラズマ処理による表面改質を行う方法に限らず、バンク22の有機材料層22Bをフッ化物を添加した材料により形成することで、バンク22自体に撥液性を付与することもできる。上側に形成される有機材料層22Bを撥液性とし、下側の無機材料層22Aを親液性としておけば、液滴吐出法による材料は一に際してのパターニング性がさらに向上する。   Further, the method is not limited to the surface modification by plasma treatment, and the bank 22 itself can be provided with liquid repellency by forming the organic material layer 22B of the bank 22 with a material to which fluoride is added. If the organic material layer 22B formed on the upper side is made liquid repellent and the lower inorganic material layer 22A is made lyophilic, the patterning property of the material by the droplet discharge method is further improved.

次に、バンク22により区画された領域内の画素電極19上に、インクジェット法等の液滴吐出法を用いて高分子有機化合物を含む溶液を吐出し、EL層27(正孔注入輸送層27Aおよび発光層27B)を選択的に形成する。EL層27の形成に際しては、有機化合物材料を含む溶液の充填と乾燥を層毎に繰り返す。
正孔注入輸送層27Aとしては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体が好適に用いられる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、すなわち分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いることができる。
発光層27Bとしては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン(PDAF)、ポリフルオレンベンゾジアゾール(PFBT)、ポリアルキルチオフェン(PAT)、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。発光層27Bは、単色でもよく、赤、青、緑など多色を用いても良い。中間色を用いた4色以上の多色にすることもできる。
Next, a solution containing a polymer organic compound is discharged onto the pixel electrode 19 in the region partitioned by the bank 22 using a droplet discharge method such as an ink jet method, and the EL layer 27 (hole injection transport layer 27A) is discharged. And a light emitting layer 27B) are selectively formed. In forming the EL layer 27, filling and drying of the solution containing the organic compound material are repeated for each layer.
As the hole injecting and transporting layer 27A, for example, a polythiophene derivative, a polypyrrole derivative, or a doped body thereof is preferably used. Specifically, 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) dispersion, that is, polystyrene sulfonic acid as a dispersion medium is dispersed with 3,4-polyethylenedioxythiophene. A dispersion in which water is dispersed in water can be used.
As the light emitting layer 27B, a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence can be used. Specifically, (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivative, polydialkyl Polysilanes such as fluorene (PDAF), polyfluorene benzodiazole (PFBT), polyalkylthiophene (PAT), and polymethylphenylsilane (PMPS) are preferably used. In addition, these polymer materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, and quinacridone. It can also be used by doping a low molecular weight material such as. The light emitting layer 27B may be a single color or may use multiple colors such as red, blue, and green. It is also possible to make four or more colors using an intermediate color.

上記EL層27を形成したならば、複数の画素電極19の形成領域上に跨るように、ITO等の透明導電材料からなる共通電極28をスパッタ法等により形成する。ボトムエミッション型の発光素子50を作製する場合には、陰極としてAl,Mg,Li,Ca等の単体材料や、Mg−Al(10:1合金)等の合金材料からなる膜を形成しても良い。あるいは、LiO(厚さ0.5nm程度)とAlとの積層膜や、LiF(厚さ0.5nm程度)とAlとの積層膜、MgFとAlとの積層膜等を用いることもできる。
最後に、透明樹脂や薄層による封止層29を形成することで有機EL装置101が完成する。
When the EL layer 27 is formed, the common electrode 28 made of a transparent conductive material such as ITO is formed by sputtering or the like so as to straddle the formation region of the plurality of pixel electrodes 19. When the bottom emission type light emitting element 50 is manufactured, a film made of a single material such as Al, Mg, Li, or Ca or an alloy material such as Mg—Al (10: 1 alloy) may be formed as the cathode. good. Alternatively, a laminated film of Li 2 O (thickness of about 0.5 nm) and Al, a laminated film of LiF (thickness of about 0.5 nm) and Al, a laminated film of MgF 2 and Al, or the like may be used. it can.
Finally, the organic EL device 101 is completed by forming a sealing layer 29 made of a transparent resin or a thin layer.

このように、本実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法においては、発光素子50に含まれる画素駆動用TFT12と、電位制御部51に含まれる電位制御用TFT32とを同層に、同工程にて形成することが可能であり、このような電位制御部51を備えない従来の有機EL表示装置の製造方法に比しても、製造工数の増加を伴うことなく製造することが可能である。   As described above, in the method for manufacturing the organic EL display device according to the present embodiment, the pixel driving TFT 12 included in the light emitting element 50 and the potential control TFT 32 included in the potential control unit 51 are formed in the same layer. Even when compared with a conventional method of manufacturing an organic EL display device that does not include such a potential control unit 51, it can be manufactured without an increase in manufacturing steps. .

(第2の実施形態)
第1の実施形態では、各画素3毎に発光素子50と電位制御部51とが設けられている構成について説明したが、本発明に係る表示装置では、発光素子50と電位制御部51とが1:1に対応している必要はなく、複数の発光素子50が電位制御部51を共有している構成とすることもできる。以下、このような構成を備えた第2の実施形態の有機EL表示装置について、図5及び図6を参照して説明する。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the configuration in which the light emitting element 50 and the potential control unit 51 are provided for each pixel 3 has been described. However, in the display device according to the present invention, the light emitting element 50 and the potential control unit 51 have It is not necessary to correspond to 1: 1, and a plurality of light emitting elements 50 may share the potential control unit 51. Hereinafter, the organic EL display device according to the second embodiment having such a configuration will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

図5は、本実施形態の有機EL表示装置102の複数の画素を含む表示領域を示す平面構成図である。同図に示す表示領域には、複数(30個)の発光素子50が平面視マトリクス状に配列されている。図示左右方向で配列された3色(R,G,B)の発光素子50に対して1つの電位制御部51が設けられており、これら3つの発光素子50と電位制御部51とに跨って平面視矩形状の共通電極(第2の電極)28が共通の電極として設けられている。すなわち、本実施形態の表示装置では、画素を成す3色の発光素子50と、それらの近傍に設けられた電位制御部51とにより構成される画素群Psが1表示単位を成しており、基板20上で平面視マトリクス状に配列された複数の画素群Psによるカラー表示が可能になっている。   FIG. 5 is a plan configuration diagram showing a display area including a plurality of pixels of the organic EL display device 102 of the present embodiment. In the display area shown in the figure, a plurality (30) of light emitting elements 50 are arranged in a matrix in a plan view. One potential control unit 51 is provided for the light emitting elements 50 of three colors (R, G, B) arranged in the horizontal direction in the figure, and straddles the three light emitting elements 50 and the potential control unit 51. A common electrode (second electrode) 28 having a rectangular shape in plan view is provided as a common electrode. That is, in the display device of the present embodiment, a pixel group Ps composed of the three-color light emitting elements 50 constituting the pixels and the potential control unit 51 provided in the vicinity thereof constitutes one display unit. Color display by a plurality of pixel groups Ps arranged in a matrix in plan view on the substrate 20 is possible.

上記各発光素子50は、本表示装置の最小の表示単位(画素)を構成している。各発光素子50には、画素電極(第1の電極)19と、画素電極19の平面領域内に設けられたEL層(機能層)27と、このEL層27を取り囲むバンク22とが設けられている。一方、電位制御部51には、発光素子50と同様の平面形状のバンク22が設けられているが、EL層27は設けられていない。そして、画素群Psを構成する発光素子50と電位制御部51とに跨って共通電極(第2の電極)28が設けられている。   Each light emitting element 50 constitutes the minimum display unit (pixel) of the present display device. Each light emitting element 50 is provided with a pixel electrode (first electrode) 19, an EL layer (functional layer) 27 provided in a planar region of the pixel electrode 19, and a bank 22 surrounding the EL layer 27. ing. On the other hand, the bank 22 having the same planar shape as the light emitting element 50 is provided in the potential control unit 51, but the EL layer 27 is not provided. A common electrode (second electrode) 28 is provided across the light emitting element 50 and the potential control unit 51 constituting the pixel group Ps.

次に、図6は、図2のA−A’線に沿う断面構成図である。図6に示す断面構造をみると、基板20上に、後述のTFTや複数の絶縁膜を含む素子形成層21が設けられており、素子形成層21上に、3つの発光素子50と、1つの導電接続部51とからなる画素群Psが配列されている。素子形成層21には、図4に示したような画素駆動用TFT12や電位制御用TFT32が形成されている。素子形成層21上に配列形成された画素電極19の周縁部上には、バンク22が立設されており、本実施形態の場合、バンク22は、無機材料層22Aと有機材料層22Bとの積層構造を有している。
各発光素子50は、上記バンク22により区画された領域内の画素電極19上に、EL層27と、共通28とを積層した構成を備えている。電位制御部51は、3つの発光素子50と共有する共通電極28と、画素電極19とが導電接続された構成を備えている。さらに上記発光素子50…、及び電位制御部51を覆うように封止部材55が披着され、基板20と気密に接着されている。
Next, FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram taken along the line AA ′ of FIG. In the cross-sectional structure shown in FIG. 6, an element forming layer 21 including a TFT and a plurality of insulating films, which will be described later, is provided on the substrate 20. Three light emitting elements 50, 1 A pixel group Ps composed of two conductive connection portions 51 is arranged. In the element formation layer 21, the pixel driving TFT 12 and the potential control TFT 32 as shown in FIG. 4 are formed. A bank 22 is erected on the peripheral edge of the pixel electrode 19 arranged on the element formation layer 21. In the present embodiment, the bank 22 includes an inorganic material layer 22A and an organic material layer 22B. It has a laminated structure.
Each light emitting element 50 has a configuration in which an EL layer 27 and a common 28 are stacked on the pixel electrode 19 in a region defined by the bank 22. The potential control unit 51 has a configuration in which the common electrode 28 shared by the three light emitting elements 50 and the pixel electrode 19 are conductively connected. Further, a sealing member 55 is mounted so as to cover the light emitting elements 50... And the potential control unit 51, and is hermetically bonded to the substrate 20.

また本実施形態の有機EL表示装置102における回路構成としては、図5及び図6に示す画素群Psに、図2に示した回路を備えた3つの発光素子50と、1つの電位制御部51とが、共通電極28を介して互いに電気的に接続された構成となっている。すなわち、各発光素子50は、画素駆動用TFT12を介して供給される電流により駆動されるとともに、共通電極28を介して接続された電位制御部51によりEL層27への印加電圧を制御可能になっている。   Further, as a circuit configuration in the organic EL display device 102 of the present embodiment, the pixel group Ps shown in FIGS. 5 and 6 includes three light emitting elements 50 including the circuit shown in FIG. 2 and one potential control unit 51. Are electrically connected to each other through the common electrode 28. That is, each light emitting element 50 is driven by a current supplied through the pixel driving TFT 12 and can control the voltage applied to the EL layer 27 by the potential control unit 51 connected through the common electrode 28. It has become.

以上の構成を備えた本実施形態の有機EL表示装置102は、表示領域4内に配列された各発光素子50の点灯/非点灯動作により、R,G,B各色の発光素子50(画素)からなる画素群Psを1表示単位とする表示を行うようになっており、係る表示動作に際して、各画素群Psに対応して設けられた電位制御部51により共通電極28を任意の電位に保持することが可能になっている。この構成により、発光素子50の画素駆動用TFT12の特性ばらつきに起因する発光輝度のばらつきを低減するべく共通電極28に補正電圧を印加することが可能であり、表示輝度の均一性に優れた有機EL表示装置となっている。
また、共通電極28自体の抵抗により各発光素子50で電圧降下が生じたとしても、電位制御部51により補正することができ、発光素子50の発光輝度が低下するのを防止することができるため、所定輝度にて発光素子50を発光させることができる。
The organic EL display device 102 of the present embodiment having the above-described configuration is a light emitting element 50 (pixel) of each color of R, G, B by lighting / non-lighting operation of each light emitting element 50 arranged in the display region 4. The display is performed with the pixel group Ps consisting of 1 as a display unit, and during the display operation, the common electrode 28 is held at an arbitrary potential by the potential control unit 51 provided corresponding to each pixel group Ps. It is possible to do. With this configuration, it is possible to apply a correction voltage to the common electrode 28 in order to reduce variations in light emission luminance due to variations in the characteristics of the pixel driving TFTs 12 of the light emitting element 50, and an organic display with excellent display luminance uniformity. It is an EL display device.
Further, even if a voltage drop occurs in each light emitting element 50 due to the resistance of the common electrode 28 itself, it can be corrected by the potential control unit 51, and it is possible to prevent the light emission luminance of the light emitting element 50 from being lowered. The light emitting element 50 can emit light with a predetermined luminance.

有機EL表示装置102では、発光素子50に隣接して基板20上に設けられた電位制御部51は、表示画素としては機能しないため、ある頻度で表示領域内の画素が抜けている状態となるが、電位制御部51及び発光素子50は、数10μm〜数mm程度の微細な寸法であるため、上記電位制御部51が設けられた領域が目立って視認されることはない。特に、大型高精細の表示装置では、観察者は1〜数m程度離れた位置にて表示画像を鑑賞するので、全く問題にならない。   In the organic EL display device 102, the potential control unit 51 provided on the substrate 20 adjacent to the light emitting element 50 does not function as a display pixel, so that the pixels in the display region are missing at a certain frequency. However, since the potential control unit 51 and the light emitting element 50 have fine dimensions of about several tens of μm to several mm, the region where the potential control unit 51 is provided is not visually recognized. In particular, in a large-sized high-definition display device, an observer appreciates a display image at a position about 1 to several meters away, so there is no problem at all.

(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について、図7を参照して説明する。図7は、本実施形態の有機EL表示装置に備えられた表示領域の平面構成図であり、図5に示した平面構成図に相当する図である。図7に示す本実施形態の有機EL表示装置103は、先の第2実施形態の有機EL表示装置102と同様の基本構成を備えており、画素群Psに、平面構成の異なる電位制御部151が含まれている点に特徴を有している。また、図7に示すD−D’線に沿う断面構造は、図6に示した有機EL表示装置102の断面構造と同様である。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a plan configuration diagram of a display area provided in the organic EL display device of the present embodiment, and corresponds to the plan configuration diagram shown in FIG. 5. The organic EL display device 103 of the present embodiment shown in FIG. 7 has the same basic configuration as the organic EL display device 102 of the second embodiment, and the potential control unit 151 having a different planar configuration is included in the pixel group Ps. It is characterized in that is included. Further, the cross-sectional structure taken along the line DD ′ shown in FIG. 7 is the same as the cross-sectional structure of the organic EL display device 102 shown in FIG.

図7に示す電位制御部151は、平面視矩形状の電極119(電極部材)と、3つの発光素子50と共有する共通電極(第2の電極)28とが電気的に接続された構成を備えている。本実施形態に係る電位制御部151では、電極119を取り囲むバンク22の開口部形状が平面視略円形状とされている。また図示は省略しているが、電位制御部151の電極119にも、図2及び図4に示した電位制御用TFT32と同様の電位制御素子が接続されており、共通電極28の電位を自在に制御できるようになっている。   The potential controller 151 shown in FIG. 7 has a configuration in which a rectangular electrode 119 (electrode member) in plan view and a common electrode (second electrode) 28 shared by the three light emitting elements 50 are electrically connected. I have. In the potential control unit 151 according to the present embodiment, the shape of the opening of the bank 22 surrounding the electrode 119 is substantially circular in plan view. Although not shown, a potential control element similar to the potential control TFT 32 shown in FIGS. 2 and 4 is connected to the electrode 119 of the potential control unit 151, so that the potential of the common electrode 28 can be freely adjusted. Can be controlled.

上記構成の電位制御部151を備えた本実施形態の有機EL表示装置によっても、表示領域4内に設けられた複数の共通電極28の電位を良好に制御することができ、もって発光素子50の特性ばらつきに起因する発光強度のばらつきを抑え、表示輝度の均一性に優れた高画質の表示を得ることができる。そして、本実施形態では、電位制御部151の平面積が小さくなっているため、表示領域に占める発光素子50(画素)の面積率を高めることが容易になるとともに、電位制御部151がより視認され難くなる。   Also by the organic EL display device of the present embodiment including the potential control unit 151 having the above-described configuration, the potentials of the plurality of common electrodes 28 provided in the display region 4 can be favorably controlled. It is possible to suppress a variation in light emission intensity caused by a characteristic variation and obtain a high-quality display with excellent display luminance uniformity. In this embodiment, since the plane area of the potential control unit 151 is small, it is easy to increase the area ratio of the light emitting elements 50 (pixels) in the display region, and the potential control unit 151 is more visually recognized. It becomes difficult to be done.

尚、本発明の技術範囲は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることができる。例えば、上記各実施形態では、共通電極28の電位を制御するための電位制御部51が、画素3毎、あるいは画素群Ps毎に設けられている構成としたが、共通電極28の分割単位や、電位制御部51の配置頻度は任意に定めることができる。例えば共通電極28を走査ライン毎に分割して各ラインに電位制御部51を配設しても良く、その他にも、所定の画素駆動回路数毎に共通電極28を分割してもよい。
あるいは、共通電極28を表示領域4にベタ状に形成し、その平面領域内に複数の電位制御部51を設けても良い。共通電極28が分割されていない場合、典型的には表示領域4の中央部で電極の抵抗による電圧降下が生じやすくなるが、複数箇所に電位制御部51が設けられていれば、上記電圧降下分を補正するための電圧を印加できるため、表示領域内で均一な表示輝度が得られる。またこの構成においても、発光素子50の特性ばらつきに起因する輝度のばらつきをある程度抑制することが可能である。特に、共通電極28として比較的高抵抗の透明導電材料を用いるトップエミッション型の表示装置では有効な構成となる。
本発明は、有機EL表示装置のみならず、他の表示装置にも適用が可能であり、特に電流駆動型の発光素子を備えた表示装置に好適な技術である。また上記実施の形態で例示した各層の材料、膜厚、平面形状等の具体的な記載については適宜変更が可能である。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in each of the above embodiments, the potential control unit 51 for controlling the potential of the common electrode 28 is provided for each pixel 3 or each pixel group Ps. The arrangement frequency of the potential control unit 51 can be arbitrarily determined. For example, the common electrode 28 may be divided for each scanning line, and the potential control unit 51 may be provided for each line. In addition, the common electrode 28 may be divided for each predetermined number of pixel drive circuits.
Alternatively, the common electrode 28 may be formed in a solid shape in the display region 4 and a plurality of potential control units 51 may be provided in the planar region. When the common electrode 28 is not divided, a voltage drop due to the resistance of the electrode tends to occur typically in the central portion of the display region 4. However, if the potential control units 51 are provided at a plurality of locations, the voltage drop Since a voltage for correcting the minute can be applied, uniform display luminance can be obtained in the display area. Also in this configuration, it is possible to suppress the luminance variation due to the characteristic variation of the light emitting element 50 to some extent. This is particularly effective in a top emission type display device using a transparent conductive material having a relatively high resistance as the common electrode 28.
The present invention can be applied not only to an organic EL display device but also to other display devices, and is particularly suitable for a display device including a current-driven light emitting element. In addition, specific descriptions of the material, film thickness, planar shape, and the like of each layer exemplified in the above embodiment can be changed as appropriate.

(電子機器)
図8は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。同図に示す映像モニタ1200は、先の実施形態の有機EL表示装置(表示装置)を備えた表示部1201と、筐体1202と、スピーカ1203等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ1200は、先の有機EL表示装置による均一な明るさの表示が可能である。本発明は、共通電極での電圧降下が顕著となる、例えば画面サイズが対角20インチ以上の大型のEL表示装置で有効な構成となる。
(Electronics)
FIG. 8 is a perspective configuration diagram showing an example of an electronic apparatus according to the present invention. A video monitor 1200 shown in the figure includes a display unit 1201 including the organic EL display device (display device) of the previous embodiment, a housing 1202, a speaker 1203, and the like. The video monitor 1200 can display uniform brightness on the organic EL display device. The present invention is effective in a large EL display device in which the voltage drop at the common electrode becomes significant, for example, the screen size is 20 inches diagonal or more.

図1は、第1実施形態の有機EL表示装置の全体構成図。FIG. 1 is an overall configuration diagram of an organic EL display device according to a first embodiment. 図2は、同、表示領域を示す平面構成図。FIG. 2 is a plan view showing the display area. 図3は、図2のA−A’線に沿う断面構成図。FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram taken along the line A-A ′ of FIG. 2. 図4は、発光素子及び電位制御部の断面構成図。FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram of a light emitting element and a potential control unit. 図5は、発光素子と電位制御部とを含む回路構成図。FIG. 5 is a circuit configuration diagram including a light emitting element and a potential control unit. 図6は、実施形態に係る他の回路構成例を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating another circuit configuration example according to the embodiment. 図7は、第2実施形態の有機EL表示装置の平面構成図。FIG. 7 is a plan configuration diagram of the organic EL display device according to the second embodiment. 図8は、電子機器の一例を示す斜視構成図。FIG. 8 is a perspective configuration diagram illustrating an example of an electronic apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

101〜103 有機EL表示装置(表示装置)、3 画素、4 表示領域、12 画素駆動用TFT、14 ゲート電極、17 中継導電層、19 画素電極(第1の電極)、20 基板、27 EL層(機能層)、28 共通電極(第2の電極)、32,53 電位制御用TFT(電位制御素子)、34 陰極走査線、43 画素選択用TFT、45 電源線、46 陽極走査線、47 電圧供給線、49 キャパシタ、50 発光素子、51 導電接続部、70 蓄積容量、119 電極(電極部材)、Ps 画素群   101 to 103 Organic EL display device (display device), 3 pixels, 4 display area, 12 pixel driving TFT, 14 gate electrode, 17 relay conductive layer, 19 pixel electrode (first electrode), 20 substrate, 27 EL layer (Functional layer), 28 common electrode (second electrode), 32, 53 potential control TFT (potential control element), 34 cathode scanning line, 43 pixel selection TFT, 45 power supply line, 46 anode scanning line, 47 voltage Supply line, 49 capacitor, 50 light emitting element, 51 conductive connection portion, 70 storage capacitor, 119 electrode (electrode member), Ps pixel group

Claims (15)

基板上に第1の電極と、発光層を含む機能層と、第2の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置であって、
前記表示領域内に、前記第2の電極の電位を制御する電位制御部が複数設けられ
前記電位制御部は、前記第2の電極と接続されて可変抵抗素子として機能する電位制御素子と、前記複数の発光素子に対応して設けられ、前記第1の電極と導電接続された画素駆動用スイッチング素子と、を含み、
前記画素駆動用スイッチング素子と、前記電位制御素子とは、略同一の構成であることを特徴とする表示装置。
A display device comprising a display region in which a plurality of light-emitting elements each including a first electrode, a functional layer including a light-emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate,
A plurality of potential control units for controlling the potential of the second electrode are provided in the display area ,
The potential control unit is connected to the second electrode and functions as a variable resistance element, and a pixel drive provided corresponding to the plurality of light emitting elements and electrically connected to the first electrode. Switching element for
The display device, wherein the pixel driving switching element and the potential control element have substantially the same configuration .
基板上に第1の電極と、発光層を含む機能層と、第2の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置であって、
前記表示領域内に、前記第2の電極の電位を制御する電位制御部が複数設けられ、
前記電位制御部は、キャパシタを介して前記第2の電極に接続された電位制御素子と、前記複数の発光素子に対応して設けられ、前記第1の電極と導電接続された画素駆動用スイッチング素子と、を含み、
前記画素駆動用スイッチング素子と、前記電位制御素子とは、略同一の構成であることを特徴とする表示装置。
A display device comprising a display region in which a plurality of light-emitting elements each including a first electrode, a functional layer including a light-emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate,
A plurality of potential control units for controlling the potential of the second electrode are provided in the display area,
The potential control unit is provided corresponding to the potential control element connected to the second electrode through a capacitor and the plurality of light emitting elements, and is a pixel driving switching conductively connected to the first electrode. An element,
The display device, wherein the pixel driving switching element and the potential control element have substantially the same configuration .
前記電位制御素子は、前記第1の電極と同層に設けられた同一材質の電極部材を介して前記第2の電極と導電接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。 The said potential control element is electrically connected with the said 2nd electrode through the electrode member of the same material provided in the same layer as the said 1st electrode, The Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. Display device. 基板上に第1の電極と、発光層を含む機能層と、第2の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置であって、
前記表示領域内に、前記第2の電極の電位を制御する電位制御部が複数設けられ、
前記電位制御部は、前記第2の電極と接続されて可変抵抗素子として機能する電位制御素子を備え、
前記電位制御素子は、前記第1の電極と同層に設けられた同一材質の電極部材を介して前記第2の電極と導電接続されていることを特徴とする表示装置。
A display device comprising a display region in which a plurality of light-emitting elements each including a first electrode, a functional layer including a light-emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate,
A plurality of potential control units for controlling the potential of the second electrode are provided in the display area,
The potential control unit includes a potential control element connected to the second electrode and functioning as a variable resistance element,
The display device , wherein the potential control element is conductively connected to the second electrode through an electrode member of the same material provided in the same layer as the first electrode .
基板上に第1の電極と、発光層を含む機能層と、第2の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置であって、
前記表示領域内に、前記第2の電極の電位を制御する電位制御部が複数設けられ、
前記電位制御部は、キャパシタを介して前記第2の電極に接続された電位制御素子を備え、
前記電位制御素子は、前記第1の電極と同層に設けられた同一材質の電極部材を介して前記第2の電極と導電接続されていることを特徴とする表示装置。
A display device comprising a display region in which a plurality of light-emitting elements each including a first electrode, a functional layer including a light-emitting layer, and a second electrode are sequentially stacked on a substrate,
A plurality of potential control units for controlling the potential of the second electrode are provided in the display area,
The potential control unit includes a potential control element connected to the second electrode via a capacitor,
The display device , wherein the potential control element is conductively connected to the second electrode through an electrode member of the same material provided in the same layer as the first electrode .
前記表示領域内に複数の前記第2の電極が設けられるとともに、各々の前記第2の電極に対応して前記電位制御部が設けられていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の表示装置。 6. The display device according to claim 1, wherein a plurality of the second electrodes are provided in the display area, and the potential control unit is provided corresponding to each of the second electrodes . The display device according to one item. 前記第2の電極は、当該表示装置の1表示単位を構成する複数の前記発光素子に跨って形成されていることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。 The display device according to claim 6 , wherein the second electrode is formed across the plurality of light emitting elements constituting one display unit of the display device. 前記第2の電極は、前記発光素子毎に設けられており、各々の前記第2の電極に対応して前記電位制御部が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。 The display device according to claim 6 , wherein the second electrode is provided for each of the light emitting elements, and the potential control unit is provided corresponding to each of the second electrodes. . 前記複数の電位制御部に接続された電圧補正手段をさらに備え、
前記電圧補正手段は、前記複数の発光素子の発光特性に基づき算出された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の表示装置。
Voltage correction means connected to the plurality of potential controllers;
The voltage correction means is capable of supplying voltage correction information calculated based on the light emission characteristics of the plurality of light emitting elements to the potential control unit. The display device according to item.
前記電圧補正手段は、前記各第1の電極に印加された電圧値を保持する電圧値保持手段と、該電圧値保持手段に保持された電圧値に基づき電圧補正情報を算出する補正情報算出手段とを備えていることを特徴とする請求項9に記載の表示装置。   The voltage correction unit includes a voltage value holding unit that holds a voltage value applied to each first electrode, and a correction information calculation unit that calculates voltage correction information based on the voltage value held in the voltage value holding unit. The display device according to claim 9, further comprising: 前記補正情報算出手段は、前記第1の電極の電圧値と、前記電位制御部に出力する電圧補正情報と関連づけたルックアップテーブルを備えていることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the correction information calculation unit includes a lookup table that associates the voltage value of the first electrode with the voltage correction information output to the potential control unit. . 前記電圧補正手段は、前記表示領域の輝度分布に基づき設定された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされていることを特徴とする請求項9に記載の表示装置。   The display device according to claim 9, wherein the voltage correction unit is capable of supplying voltage correction information set based on a luminance distribution of the display area to the potential control unit. 前記画素駆動用スイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子であり、
前記電圧補正手段は、前記各薄膜トランジスタ素子の閾値又は移動度に基づき設定された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされていることを特徴とする請求項12に記載の表示装置。
The pixel driving switching element is a thin film transistor element,
13. The display device according to claim 12, wherein the voltage correction unit is capable of supplying voltage correction information set based on a threshold value or mobility of each thin film transistor element to the potential control unit. .
前記電圧補正手段は、前記表示領域における輝度分布と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを備えていることを特徴とする請求項12又は13に記載の表示装置。   The display device according to claim 12, wherein the voltage correction unit includes a lookup table in which a luminance distribution in the display area is associated with the voltage correction information. 請求項1ないし14のいずれか1項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the display device according to claim 1.
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