JP4481778B2 - 光走査装置 - Google Patents

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Description

本発明はレーザビームプリンタ等に用いられる光走査装置、特にレーザ走査装置に関し、特にレーザ光の走査タイミングをとるための同期信号として用いるSOS(スタート・オブ・スキャン)信号を検出するための回路に関する。
レーザ走査装置ではレーザ光を像面上で走査する際のタイミング信号として用いられるSOS信号を得るために、走査されるレーザ光をフォトダイオード(以下、PDと称する)で受光し、これから得られる受光信号に基づいてSOS信号を生成することが行われている。例えば、図1はその一例を模式的に示すレーザ走査装置の構成図であり、レーザダイオード(以下、LDと称する)1から出射されるレーザビーム光LBを高速回転するポリゴンミラー2によって所定角度範囲内で偏向走査し、この偏向走査されたレーザビーム光LBをfθレンズ3を通して軸回転される感光ドラム4の感光面上に主走査する。また、前記レーザビーム光LBの走査光路上にはフォトダイオード(以下、PDと称する)5が配置されており、偏向走査されるレーザビーム光LBを受光して光電変換された受光信号を出力し、これをSOS信号生成回路6において信号処理することでSOS信号を得ている。したがって、このSOS信号に基づいて制御回路7がLD駆動回路8,ポリゴンミラー駆動回路9及び感光ドラム駆動回路10を制御し、生成されたSOS信号から一定時間後にレーザビーム光による描画を開始すれば、前記感光ドラム4の特定の領域4aに描画を実行することが可能となり、走査同期のとれた描画が実現できる。
このようなSOS信号生成回路として、従来ではPDで受光したレーザビーム光LBの受光信号を基準電位と比較する技術が提案されている。例えば、図9のSOS信号生成回路では偏向走査されるレーザビーム光をPD5が受光したときに出力される受光電流IoをオペアンプOPと抵抗Rとで構成されるI−V変換回路11で受光電圧Voに変換し、この変換した受光電圧Voを比較器12において基準電圧Vrefと比較してSOS信号を出力するようになっている。したがって、図10(a)に示すように、受光電圧Voが基準電圧Vrefよりも負側に高レベルになったときに比較器12からSOS信号を出力するように構成している。
しかしながら、この技術では温度変化や経時変化によってPD5から出力される受光電流Ioのレベルが変動した場合、或いは受光電流を電圧に変換するI−V変換回路11のDCレベル(暗電流、オフセット電流)が変動した場合には比較器12から出力されるSOS信号の波形が変化され、SOS信号のタイミングずれとなって表れる。例えば、図10(b)はPD5から出力される受光電流Io(受光電圧Vo)のレベルが変動した場合であり、LD1の劣化やPD5の受光面の劣化等によってレベルが減少したときのSOS信号の信号幅は通常時に比較して小さくなる。レーザ走査装置の同期のタイミングはこのSOS信号の立ち上がりあるいは立ち下がりのタイミングを利用しているため、このようなSOS信号の信号幅の変動はそのまま同期タイミングのずれとなる。また、図10(c)はI−V変換回路11の出力DCレベルが変動した場合の例であり、DCレベルが負の方向に増大したときには、受光電流Io(受光電圧Vo)の絶対値が大きくなり、SOS信号の信号幅が大きくなる。この場合にも信号幅の変動はそのまま同期タイミングのずれとなる。
このような同期タイミングのうち、PDの出力変動に伴う同期タイミングのずれを解消する技術として、例えば、特許文献1では、画像濃度を薄くしたり濃くしたときの同期センサ、すなわちPDから出力される受光信号のレベルの変動によってSOS信号による同期タイミングのずれを補正するために、画像濃度を薄くしたり濃くするためにレーザダイオードを制御するCPUによって比較器の基準電圧を変化制御させている。これにより、PDの出力変動に追従して基準電圧を変化させ、SOS信号による同期タイミングのずれを補正している。
特開平11−160636号公報
特許文献1の技術は、画像濃度を薄くしたり濃くしたときのPDから出力される受光信号のレベルの変動に応じて比較器での基準電圧を変化させるものであり、予めPDの受光信号のレベルが低下し、あるいは上昇することが判っている場合における同期タイミングのずれを補正するものである。そのため、温度変化や経時変化に伴うPDの出力レベル変動や、I−V変換回路でのDCレベル変動のように不確定要素によるレベル変動が要因とされる同期タイミングのずれに対応することはできず、前述した問題を解消することは困難である。
本発明の目的は、PDから出力される受光信号のレベル変動や、電源電圧や温度の変化に起因するDCレベル変動にかかわらず、同期タイミングのずれが発生しにくい同期信号生成回路を備える光走査装置を提供することにある。
本発明は、光源と、光源から出射されるビーム光を偏向して感光面に走査する光走査手段と、走査されるビーム光を受光して受光信号を出力する受光手段と、受光手段からの受光信号に基づいて光走査手段における走査の同期をとるための同期信号を生成する同期信号生成回路とを備える光走査装置において、同期信号生成回路は、受光信号を2つに分けて一方に第1のバイアス信号を重畳して第1の受光信号を作る第1のバイアス重畳手段と、他方に第1のバイアス信号とは異なるレベルの第2のバイアス信号を重畳して第2の受光信号を作る第2のバイアス重畳手段と、第2の受光信号を波形整形する波形整形手段と、第1の受光信号と、波形整形された第2の受光信号を比較して、同期信号を出力する比較手段とを備え、第1と第2のバイアス重畳手段は、それぞれに通流されるバイアス電流を相違させることによって異なるレベルの第1と第2のバイアス信号を生成し、当該バイアス信号にそれぞれ受光信号を重畳して第1と第2の受光信号を生成する構成であることを特徴とする。
あるいは、同期信号生成回路は、受光信号を2つに分けて一方を波形整形する波形整形手段と、他方の波形整形手段を通さない受光信号に第1のバイアス信号を重畳して第1の受光信号を作る第1のバイアス重畳手段と、波形整形手段の出力に前記第1のバイアス信号とは異なるレベルの第2のバイアス信号を重畳して第2の受光信号を作る第2のバイアス重畳手段と、第1の受光信号と、第2の受光信号を比較して、前記同期信号を出力する比較手段とを備え、第1と第2のバイアス重畳手段は、それぞれに通流されるバイアス電流を相違させることによって異なるレベルの第1と第2のバイアス信号を生成し、当該バイアス信号にそれぞれ受光信号を重畳して第1と第2の受光信号を生成する構成であることを特徴とする。
本発明の光走査装置によれば、SOS信号生成回路は、受光信号に微少な一定のバイアス差のある第1及び第2の各バイアス信号を、それぞれ同一種類の素子を使用した第1と第2のバイアス重畳手段によってそれぞれ重畳するとともに、一方の受光信号の波形を整形して他方の受光信号と交差するように構成しており、このとき第1と第2のバイアス重畳手段は、それぞれに通流されるバイアス電流を相違させることによって異なるレベルの第1と第2のバイアス信号を生成し、当該バイアス信号にそれぞれ受光信号を重畳して両受光信号を得ており、その上で両受光信号を比較してSOS信号を得ているので、受光手段の出力レベルが変動した場合、あるいは受光回路におけるDCレベルが変動したような場合のいずれの場合でもSOS信号を一定のタイミング信号として得ることができ、同期タイミングずれのない同期信号を生成することが可能になる。
波形整形回路はビーム受光時に発生する信号ピークを低減する回路、またはローパスフィルタ回路で構成する。ここで、この信号ピークを低減する回路は、信号ピークを限りなく0に近い値まで低減するが、信号ピークを0にする回路をも含むものとする。
また、第1と第2のバイアス重畳手段はバイアス電流が通流される素子と抵抗との直列回路として構成され、第1と第2のバイアス信号の重畳は、抵抗の抵抗値を相違させてそれぞれのバイアス電流を相違させ、各バイアス重畳手段の出力バイアス電圧に微少な一定の差を持たせる構成とする。または、第1と第2のバイアス信号を重畳するために、素子とバイアス定電流源との直列回路として構成し、各バイアス定電流源の電流値を個々に制御可能にし、各バイアス重畳手段の出力バイアス電圧をそれぞれ調整出来る構成もとる事が出来る。各素子はダイオード又はトランジスタであり、これらの素子は同一回路基板上の近傍に実装着されか、または同一パッケージ内に形成され実装される。
次に、本発明の実施例1を図面を参照して説明する。この実施例1では、図1に示したレーザ走査装置に本発明を適用しており、このレーザ走査装置では、PD5で受光した受光信号に基づいてSOS信号生成回路6でSOS信号を生成し、制御回路7に入力する。制御回路7は、入力されたSOS信号に基づいてLD駆動回路8を制御してLD1の発光を制御するとともに、ポリゴンミラー駆動回路9及び感光ドラム駆動回路10をそれぞれ制御する。これにより、感光ドラム4の所定領域4aに、SOS信号に同期してレーザビーム光が走査され、所要のパターンを描画する。
図2は前記SOS信号生成回路6の回路図である。前記SOS信号生成回路6は、前記PD5から出力される受光電流Ioを受光電圧Voに変換するI−V変換回路11と、変換された受光電圧に基づいてSOS信号を出力するSOS信号検出部20とで構成されている。
前記I−V変換回路11は、オペアンプOPと抵抗Rとで構成されており、オペアンプOPの反転入力端に入力されるPD5の受光電流Ioを抵抗Rの両端に生じる電圧に変換して受光電圧Voとして出力するように構成される。なお、この種のI−V変換回路は既に広く知られている回路であるので、電流−電圧変換動作についての説明は省略する。
前記SOS信号検出部20は、前記I−V変換回路11から出力される受光電圧Voに異なるレベルのバイアス信号を重畳する第1のバイアス重畳部21A及び第2のバイアス重畳部21Bと、前記第2のバイアス重畳部21Bでバイアスが重畳された受光電圧Voの信号波形を整形する波形整形部22と、前記波形整形部22を通した信号と通さない信号とを比較する比較器23とを備え、この比較器23からSOS信号を出力するように構成されている。前記第1と第2のバイアス重畳部21A,21Bは共通回路として前記受光電圧Voをベース入力とするNPNトランジスタTRを備えており、第1のバイアス重畳部21Aは前記NPNトランジスタTRのエミッタに接続した第1ダイオードD1と、この第1ダイオードD1に直列に接続した第1エミッタ抵抗Re1とで構成され、前記第2のバイアス重畳部21Bは前記NPNトランジスタTRのエミッタに接続した第2ダイオードD2と、この第2ダイオードD2に直列に接続した第2エミッタ抵抗Re2とで構成される。前記NPNトランジスタTRのコレクタは第1の所要電圧源に接続され、第1エミッタ抵抗Re1と第2エミッタ抵抗Re2の他端は第2の所要電源に接続されている。また、前記した第1ダイオードD1と第2ダイオードD2は同一規格に形成され、第1エミッタ抵抗Re1と第2エミッタ抵抗Re2とは異なる抵抗値のもので構成されている。ここでは第2エミッタ抵抗Re2の抵抗値を第1エミッタ抵抗Re1の抵抗値よりも小さくしている。
前記波形整形部22は、前記第2のバイアス重畳回路21Bを構成している第2ダイオードD2と第2エミッタ抵抗Re2の接続点に出力される第2電圧信号V2を低域ろ波するローパスフィルタ(LPF)回路で構成されており、第2入力抵抗Ri2とコンデンサCとで構成される。前記比較器23は負入力端に前記第1ダイオードD1と第1エミッタ抵抗Re1の接続点に出力される第1電圧信号V1を第1入力抵抗Ri1を通して入力させ、正入力端に前記LPF回路22を通した信号を入力させ、これら第1電圧信号V1と第2電圧信号V2を比較して前記SOS信号を出力するように構成されている。第1入力抵抗Ri1と第2入力抵抗Ri2は同じ抵抗値のもので構成される。
この実施例におけるSOS信号生成回路6では、PD5でレーザビーム光を受光していないとき、PD5の暗電流を非常に小さいと仮定すると、NPNトランジスタTRのベースに印加されるベースバイアス電圧は概ねGNDレベルという事が出来る。NPNトランジスタTRは第1ダイオードD1と第1エミッタ抵抗Re1、及び第2ダイオードD2と第2エミッタ抵抗Re2をエミッター負荷と見なしたエミッターフォロワーとして働き、バイアス条件に応じたバイアス電流Ib1,Ib2をそれぞれ第1ダイオードD1と第1エミッタ抵抗Re1側、及び第2ダイオードD2と第2エミッタ抵抗Re2側に流す。このとき、第1ダイオードD1と第2ダイオードD2は特性が等しいが、第1エミッタ抵抗Re1と第2エミッタ抵抗Re2とは抵抗値が異なるため、それぞれのバイアス電流Ib1,Ib2が相違することになり、第1ダイオードD1に発生する順方向電圧Vbe1と第2ダイオードD2に発生する順方向電圧Vbe2は図11(a)に示すように異なる事になる。従って、第1のバイアス重畳部21Aの出力電圧と第2のバイアス重量部21Bの出力電圧、すなわち、第1ダイオードD1と第1エミッタ抵抗Re1の接続点の第1電圧信号V1と第2ダイオードD2と第2エミッタ抵抗Re2の接続点の第2電圧信号V2は異なる値となり、その差はΔVbeとなる。ここで第2電圧信号V2を第1電圧信号V1よりも負側に高くなるように設定しておく。
この初期状態からPD5がレーザビーム光を受光すると、PD5からはパルス状の受光電流Ioが出力され、I−V変換回路11で受光電圧VoとなってNPNトランジスタTRのベースに加えられる。これにより当該NPNトランジスタTRのコレクタ・エミッタ電流が増加し、第1電圧信号V1は図3(a)に示すように所定のピーク値Lp1単一のパルス状の波形になる。一方、第2電圧信号V2も同様なパルス状の波形となるが、第2電圧信号V2の経路にはLPF回路22が接続されているため、第2電圧信号V2の高周波成分が遮断され、第2電圧信号V2は図3(b)に示すようにピーク値Lp2が低い波形に整形される。そして、ピーク値の高い波形の第1電圧信号V1は、バイアス電流Ib1に対応する電圧が重畳され、ピーク値の低い波形の第2電圧信号V2はバイアス電流Ib2に対応する電圧が重畳されるため、その結果として図3(c)に示すように第2電圧信号V2は第1電圧信号V1に対しては前記ΔVbeだけ負側に高い電圧が重畳されることになる。これにより、PD5がレーザービームを受光した領域に置いては、第1電圧信号V1と第2電圧信号V2とが交差する状態が発生する。
したがって、PD5が通常の状態において、PD5でレーザビーム光LBを受光して得られる受光信号に基づいて前述のような第1電圧信号V1と第2電圧信号V2が比較器23に入力されると、図4(a)に示すように、比較器23は第1電圧信号V1が第2電圧信号V2よりも絶対電圧が低い場合にSOS信号を出力する。すなわち、SOS信号の信号幅は第1電圧信号V1と第2電圧信号V2とのレベルが反転している間となる。
そして、SOS信号を得ている通常状態から、例えばLD1の劣化により図4(b)に示すようにPD5の受光信号のレベルが低下すると、第1電圧信号V1と第2電圧信号V2はそれぞれピーク値がΔLp1,ΔLp2だけ低減する。しかし、両電圧信号V1,V2のバイアス差ΔVbeは微少な一定に設定されており、さらに両電圧信号V1,V2は時間軸上では同じ比率でレベルが低減されることになるため、両電圧信号V1,V2の交差点が変動することはほとんどない。したがって、比較器23から出力されるSOS信号は受光信号のレベルが低下する前とほとんど同じタイミングで検出される事になり、SOS信号により得られる同期タイミングにずれが生じることはない。
一方、SOS信号を得ている通常状態から、例えばPD5の暗電流の変化によってI−V変換回路11の出力DCレベルが負の方向に増大すると、第1電圧信号V1と第2電圧信号V2は、図5(a)の通常状態から図5(b)のように、それぞれ負側にΔDCだけレベルが増大する。しかしこの場合でも、第1ダイオードD1と第2ダイオードD2に流れるバイアス電流Ib1,Ib2がほとんど流れなくなる等の大きな変化でなければ、両電圧信号V1,V2のバイアス差ΔVbeにほとんど変化は発生せず一定であるため、両電圧信号V1,V2の交差点が変動することはほとんど無い。従って、比較器23から出力されるSOS信号検出タイミングはDCレベルの増大前と同じになり、SOS信号により得られる同期タイミングにずれが生じることはない。また、第1ダイオードD1と第2ダイオードD2は特性が同等であり、ダイオードの環境温度が変化した場合でも図11(b)に示すようにバイアス差ΔVbeにほとんど変化は発生せず一定であるため、両電圧信号V1,V2の交差点が変動することはほとんど無い。従って、この場合においても比較器23から出力されるSOS信号検出タイミングにずれが生じることはない。
以上のように、SOS信号生成回路6では、第1のバイアス重畳部21Aと第2のバイアス重畳部21Bにおいて受光電圧Voに微少な一定のバイアス差ΔVbeをもつバイアス電圧をそれぞれ重畳するとともに、第1電圧信号V1と波形を整形した第2電圧信号V2を得ており、これら電圧信号を比較してSOS信号を得ているので、LD1の出力が変動した場合、PD5の出力レベルが変動した場合、あるいはI−V変換回路11出力のDCレベルが変動したり、バイアス電圧差ΔVbeを作り出しているダイオードの環境温度が変化したような場合でも、SOS信号を一定のタイミング信号として得ることができ、同期タイミングずれのない同期信号を生成することが可能になる。
図6は実施例2のSOS信号生成回路の回路図であり、実施例1と等価な部分には同一符号を付してある。実施例2はSOS信号検出部20の構成のうち、第1と第2のバイアス重畳部21A,21Bの構成が実施例1とは相違する。これら第1と第2のバイアス重畳部21A,21Bは、同じ規格の一対のNPNトランジスタTR1,TR2で構成されており、第1のバイアス重畳部21AはI−V変換回路11からの受光電圧を第1ベース抵抗Rb1を介して第1NPNトランジスタTR1のベースに印加し、第2のバイアス重畳部21Bは抵抗Rb1と同じ抵抗値の第2ベース抵抗Rb2を介して第2NPNトランジスタTR2のベースに印加している。基本的に本実施例は、実施例1でダイオードD1、D2が行っていた事を、トランジスタTR1、TR2のベース・エミッタ間を使って行おうとしているのであって、つまり第1及び第2の各NPNトランジスタTR1,TR2のエミッタにはそれぞれ第1エミッタ抵抗Re1、第2エミッタ抵抗Re2が接続されており、各トランジスタTR1,TR2はそれぞれのエミッタ電圧、すなわち抵抗Re1,Re2との接続点の第1電圧信号V1と第2電圧信号V2を出力し、比較器23に入力するように構成されている。ここで、第1エミッタ抵抗Re1と第2エミッタ抵抗Re2は抵抗値が相違し、第2エミッタ抵抗Re2の抵抗値を第1エミッタ抵抗Re2の抵抗値よりも小さくしている。波形整形回路としてのLPF回路22の構成と比較器23は実施例1と同じである。
実施例2においても実施例1と同様に、PD5の受光信号のレベルが低下したときには図4に示したように、またI−V変換回路11等のDCレベルが増大したときには図5に示したように、そしてバイアス電圧差ΔVbeを作り出しているトランジスタTR1、2の環境温度が変化したような場合は図11(b)に示した内容と同様のメカニズムで、結果的には図5に示したように、それぞれ同期タイミングずれが生じることがないSOS信号を得ることができる。また、実施例2では第1と第2のバイアス重畳部21A,21Bを構成するためには2つのトランジスタのみで構成できるので、実施例1よりも素子数を低減でき、回路構成を簡略化することができる。
図7は実施例3のSOS信号生成回路の回路図である。実施例3は第1と第2のバイアス重畳部21A,21Bの構成は実施例2とは同じである。すなわち、同じ規格の一対のNPNトランジスタTR1,TR2で構成されており、第1のバイアス重畳部21AはI−V変換回路11からの受光電圧Voを第1ベース抵抗Rb1を介して第1NPNトランジスタTRのベースに印加し、第2のバイアス重畳部21Bは抵抗Rb1と同じ抵抗値の第2ベース抵抗Rb2を介して第2NPNトランジスタTRのベースに印加している。第1及び第2の各NPNトランジスタTR1,TR2のエミッタにはそれぞれ第1エミッタ抵抗Re1、第2エミッタ抵抗Re2が接続されており、各トランジスタのエミッタ電圧を第1電圧信号V1と第2電圧信号V2として出力し、比較器23に入力するように構成されている。ここで、第1エミッタ抵抗Re1と第2エミッタ抵抗Re2は抵抗値が相違され、第2エミッタ抵抗Re2の抵抗値を第1エミッタ抵抗Re1の抵抗値よりも小さくしている。その一方で、波形整形回路としてのLPF回路22を第2NPNトランジスタTR2のベースに接続した構成としている点が実施例2とは相違している。すなわち、第2ベース抵抗Rb2にコンデンサCを接続してLPF回路22を構成している。
実施例3においても実施例1,2と同様にLDの出力の変動及びPDの出力レベルの変動にかかわらず、あるいはDCレベルの変動にかかわらずSOS信号を得ることができる。
図8は実施例4のSOS信号生成回路の回路図であり、実施例1の変形例に相当する実施例である。ここでは第1と第2の各バイアス重畳部21A,21Bにおいて、第1ダイオードD1及び第2ダイオードD2にそれぞれ接続していた第1及び第2のエミッタ抵抗に代えて第1定電流回路31、第2定電流回路32を接続し、これらの定電流回路31,32を外部信号により制御して電流値を変化調整可能にしたものである。ここでは、外部信号はPDから出力される受光電圧Voを検出する受光電圧検出回路33と、この受光電圧検出回路33で検出した受光電圧のレベルに応じて前記各定電流回路を制御する電流制御回路34からの制御信号が用いられているが、受光電圧Voと直接的に関連のない制御信号を用いる事も出来る。。
この実施例では、PD5からの受光信号のレベルが低減したときには、これに対応して第2定電流回路32の電流値を増大してバイアス電流を増大し、あるいは第1定電流回路31の電流値を低減する。反対に受光信号のレベルが増大したときには第1定電流回路31の電流値を増大し、第2定電流回路32の電流値を低減する。このようにすることで、第1電圧信号V1と第2電圧信号V2との間にバイアス差ΔVbeを生じさせることができ、波形整形回路22により波形整形される第2電圧信号V2に対して第1電圧信号V1を交差する状態とし、実施例1〜3と同様に適正なSOS信号を得ることができる。
前記実施例1〜4において、実施例1,4の第1及び第2ダイオードD1,D2は同一特性であることが好ましい。また、実施例2,3の第1及び第2のNPNトランジスタTR1,TR2も同一特性であることが好ましい。そのため、SOS信号生成回路を構成する場合に、これら第1及び第2のダイオードやNPNトランジスタは、同一工程によって製造された同一機種のダイオードやトランジスタで構成することが好ましく、同一回路基板上の近傍に実装着される事が好ましい。さらには同一ロット、または同一半導体基板上に製造されて同一パッケージに実装された形態の部品を使用することが最も好ましい。なお、前記各実施例においてトランジスタはNPNトランジスタに限られるものではなく、PNPトランジスタであってもよく、あるいは電界効果トランジスタであってもよい。また、実施例1〜3においては第1エミッタ抵抗と第2エミッタ抵抗は少なくとも一方を可変抵抗器で構成し、バイアス電流を微調整できるように構成することも可能である。さらには、第1及び第2の信号重畳回路を構成する素子としてのトランジスタやダイオードの規格を相違することでバイアス電流を相違させるように構成してもよい。
本発明にかかるレーザ走査装置の概略構成図である。 実施例1のSOS信号生成回路の回路図である。 第1及び第2電圧信号の波形図である。 PDの受信信号のレベル変動によるSOS信号を説明する図である。 DCレベル変動によるSOS信号を説明する図である。 実施例2のSOS信号生成回路の回路図である。 実施例3のSOS信号生成回路の回路図である。 実施例4のSOS信号生成回路の回路図である。 従来のSOS信号生成回路の回路図である。 従来の問題点を説明するための図である。 素子の順方向電圧特性を説明するための図である。
符号の説明
1 レーザダイオード
2 ポリゴンミラー
3 fθレンズ
4 感光ドラム
5 フォトダイオード
6 SOS信号生成回路
7 制御回路
8,9,10 駆動回路
11 I−V変換回路
20 SOS信号検出部
21A 第1のバイアス重畳部
21B 第2のバイアス重畳部
22 波形整形部
23 比較器
31,32 定電流回路
33 受光電圧検出回路
34 電流制御回路

Claims (7)

  1. 光源と、前記光源から出射されるビーム光を偏向して感光面に走査する光走査手段と、前記走査されるビーム光を受光して受光信号を出力する受光手段と、前記受光手段からの受光信号に基づいて前記光走査手段における走査の同期をとるための同期信号を生成する同期信号生成回路とを備える光走査装置において、前記同期信号生成回路は、前記受光信号を2つに分けて一方に第1のバイアス信号を重畳して第1の受光信号を作る第1のバイアス重畳手段と、他方に前記第1のバイアス信号とは異なるレベルの第2のバイアス信号を重畳して第2の受光信号を作る第2のバイアス重畳手段と、前記第2の受光信号を波形整形する波形整形手段と、前記第1の受光信号と前記波形整形された第2の受光信号を比較して前記同期信号を出力する比較手段とを備え、前記第1と第2のバイアス重畳手段は、それぞれに通流されるバイアス電流を相違させることによって異なるレベルの前記第1と第2のバイアス信号を生成し、当該バイアス信号にそれぞれ前記受光信号を重畳して前記第1と第2の受光信号を生成する構成であることを特徴とする光走査装置。
  2. 光源と、前記光源から出射されるビーム光を偏向して感光面に走査する光走査手段と、前記走査されるビーム光を受光して受光信号を出力する受光手段と、前記受光手段からの受光信号に基づいて前記光走査手段における走査の同期をとるための同期信号を生成する同期信号生成回路とを備える光走査装置において、前記同期信号生成回路は、前記受光信号を2つに分けて一方を波形整形する波形整形手段と、他方の前記波形整形手段を通さない受光信号に第1のバイアス信号を重畳して第1の受光信号を作る第1のバイアス重畳手段と、前記波形整形手段で整形された受光信号に前記第1のバイアス信号とは異なるレベルの第2のバイアス信号を重畳して第2の受光信号を作る第2のバイアス重畳手段と、前記第1の受光信号と前記第2の受光信号を比較して前記同期信号を出力する比較手段とを備え、前記第1と第2のバイアス重畳手段は、それぞれに通流されるバイアス電流を相違させることによって異なるレベルの前記第1と第2のバイアス信号を生成し、当該バイアス信号にそれぞれ前記受光信号を重畳して前記第1と第2の受光信号を生成する構成であることを特徴とする光走査装置。
  3. 前記第1と第2のバイアス重畳手段は、それぞれにバイアス電流が通流される同一種類の素子と抵抗との直列回路として構成され、前記第1と第2のバイアス信号は前記抵抗の抵抗値を相違させてそれぞれのバイアス電流を相違させることにより生成されることを特徴とする請求項1または2に記載の光走査装置。
  4. 前記第1と第2のバイアス重畳手段は、それぞれにバイアス電流が通流される同一種類の素子と定電流源との直列回路として構成され、前記第1と第2のバイアス信号は前記各定電流源の電流値を個々に制御することによって生成されることを特徴とする請求項1または2に記載の光走査装置。
  5. 前記第1と第2のバイアス重畳手段でバイアス電流が通流される素子はダイオード、またはトランジスタで構成され、これらの素子は同一回路基板上の近傍に実装着され、または同一パッケージ内に形成され実装されていることを特徴とする請求項3または4に記載の光走査装置。
  6. 前記波形整形手段は、ビーム受光時に発生する信号ピークを低減する回路であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光走査装置。
  7. 前記波形整形手段はローパスフィルタ回路であることを特徴とする請求項に記載の光走査装置。
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