JP4448485B2 - 磁気メモリアレイ - Google Patents
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- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
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- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
Description
43 凸部
47 コンタクトビア
51、53、71、73、93、95 アステロイド曲線
91 被覆層
B1、B2、B3 ビットライン
Cdata、Cs、C12、C13、C21、C31 磁気メモリユニット
Cref、Cr 参考磁気メモリユニット
D1、D2、D3 データライン
Dr 参考データライン
Ht 縦向き磁場
H1、H0 横向き磁場
W1、W2、W3、WL ワードライン
WLa 分流経路
W1、W2 線幅
Claims (12)
- 第一固定強磁性層、第一自由強磁性層、および第一固定強磁性層と第一自由強磁性層間に設置された第一絶縁層からなる磁気メモリユニットと、
第二固定強磁性層、第二自由強磁性層、および第二固定強磁性層と第二自由強磁性層間に設置された第二絶縁層からなる参考磁気メモリユニットと、
第一書き込み磁場を、前記磁気メモリユニットに印加する第一ビットラインと、
第二書き込み磁場を、前記参考磁気メモリユニットに印加する第二ビットラインと、
第三書き込み磁場と、前記第三書き込み磁場より小さい第四書き込み磁場を、それぞれ、前記磁気メモリユニットと前記参考磁気メモリユニットに印加するワードラインと
からなる
ことを特徴とする磁気メモリアレイ。 - 前記第一書き込み磁場と前記第三書き込み磁場の第一の合成された磁場と、前記第二書き込み磁場と前記第四書き込み磁場の第二の合成された磁場の大きさは異なることを特徴とする請求項1記載の磁気メモリアレイ。
- 前記磁気メモリユニットは、前記ワードラインの第一領域に近接し、前記参考磁気メモリユニットは、前記ワードラインの第二領域に近接し、前記ワードラインの前記第一領域における線幅は、前記第二領域の線幅より小さいことを特徴とする請求項1記載の磁気メモリアレイ。
- 前記磁気メモリユニットは、前記ワードラインの第一領域に近接し、前記参考磁気メモリユニットは、前記ワードラインの第二領域に近接し、前記ワードラインは、前記第一領域において、被覆層を有することを特徴とする請求項1記載の磁気メモリアレイ。
- 前記被覆層は、前記ワードラインを包覆し、かつ、前記ワードラインと前記磁気メモリユニットは、開口を有することを特徴とする請求項4記載の磁気メモリアレイ。
- 前記被覆層は、強磁性材料であることを特徴とする請求項5記載の磁気メモリアレイ。
- 前記ワードラインと前記磁気メモリユニットは、第一距離を有し、前記ワードラインと前記参考磁気メモリユニットは、前記第一距離より大きい第二距離を有することを特徴とする請求項1記載の磁気メモリアレイ。
- 前記第一ビットラインと前記磁気メモリユニットは、第三距離を有し、前記第二ビットラインと前記参考磁気メモリユニットは、前記第三距離よりも小さい第四距離を有することを特徴とする請求項7記載の磁気メモリアレイ。
- 前記磁気メモリユニットは、前記ワードラインの第一領域に近接し、前記参考磁気メモリユニットは、前記ワードラインの第二領域に近接し、前記ワードラインは、前記第二領域において、第一電流経路および第二電流経路を有することを特徴とする請求項1記載の磁気メモリアレイ。
- 前記第一電流経路と前記参考磁気メモリユニットは、第一距離を有し、前記第二電流経路と前記参考磁気メモリユニットは、前記第一距離より大きい第二距離を有することを特徴とする請求項9記載の磁気メモリアレイ。
- 第一固定強磁性層、第一自由強磁性層、および第一固定強磁性層と第一自由強磁性層間に設置された第一絶縁層からなり、第一アスペクト比を有する第一長軸、および第一短軸を有する磁気メモリユニットと、
第二固定強磁性層、第二自由強磁性層、および第二固定強磁性層と第二自由強磁性層間に設置された第二絶縁層からなり、前記第一アスペクト比より大きい第二アスペクト比を有する第二長軸、および第二短軸を有する参考磁気メモリユニットと、
第一書き込み磁場を、前記磁気メモリユニットに印加する第一ビットラインと、
第二書き込み磁場を、前記参考磁気メモリユニットに印加する第二ビットラインと、
第三書き込み磁場と第四書き込み磁場を、それぞれ前記磁気メモリユニットと前記参考磁気メモリユニットに印加するワードラインと
からなる
ことを特徴とする磁気メモリアレイ。 - 前記磁気メモリユニットと前記参考磁気メモリユニットにデータを書き込むとき、前記第一磁場と前記第三磁場の第一の合成された磁場は、前記第二磁場と前記第四磁場の第二の合成された磁場と等しいことを特徴とする請求項11記載の磁気メモリアレイ。
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