JP4433614B2 - Etching equipment - Google Patents
Etching equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP4433614B2 JP4433614B2 JP2001009282A JP2001009282A JP4433614B2 JP 4433614 B2 JP4433614 B2 JP 4433614B2 JP 2001009282 A JP2001009282 A JP 2001009282A JP 2001009282 A JP2001009282 A JP 2001009282A JP 4433614 B2 JP4433614 B2 JP 4433614B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- wafer
- etching
- focus ring
- gas ejection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハまたはウェハの表面に形成された薄膜の全面または特定の箇所をエッチングするエッチング装置に関し、さらに詳しくは、300mm以上の大口径のウェハやウェハ周辺領域のようにエッチング特性が悪化するプロセスに対しても、均一なエッチング特性が得られるようにしたエッチング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造プロセス、特にプラズマを用いたドライエッチング装置においては、いかにしてウェハを均一に処理するかがエッチング特性の面から重要なポイントなっている。
ここで、均一なエッチングとは、エッチングレート、エッチング選択比、エッチング形状がウェハの全面に亘って可能な限り等しくなることである。
一方、均一なエッチングを実現する方法としては、エッチングされるウェハ表面の直上におけるプラズマ密度、電子温度、ラジカルの組成、電場(バイアス)、磁場及び圧力等を均一にすることが最適であるといわれている。
しかし、実現困難なものは、エッチングに使用されるガスの組成である。これはあらゆるエッチングパラメータをウェハ面内で均一にしても、ウェハ周辺領域におけるエッチングの非均一性は避けられない。すなわち、ウェハの中央領域においては、その周囲が被エッチング対象で囲まれているため、エッチャントの消費が激しく、エッチング時の生成物であるバイプロダクトの生成が増加する。これに対して、ウェハの周辺領域では、上記中央領域と逆の現象が生じるからである。
【0003】
そこで、従来のエッチング装置においては、図4に示すように、真空反応室1内の下部電極(ウェハステージ)2上に載置されたウェハ3の外周囲に位置する下部電極2上の箇所に、円環状のフォーカスリング4を設け、このフォーカスリング4により上述する現象を緩和し、エッチングの均一性を改善するようにしている。
また、上記フォーカスリング4には、ウェハ3の外側が単なる空間とならないように、図5に示す縦断面形状が矩形状を呈するもの、または図6に示す縦断面形状が階段状を呈するものなどが使用される。そして、これらのフォーカスリング4に、ウェハのようにエッチャントを積極的に消費する材料を使用したり、電気的な連続性を持たせたり、或いはフォーカスリング4を図6に示すように階段状にして、エッチングガスの流れに淀みを作ることにより、エッチングの均一性効果を持たせるようにしている。
なお、図4において、5は真空反応室1内の上部に設けた上部電極であり、6は上部電極5の下面に設けたガス噴出用のシャワープレートである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のような従来のエッチング装置においても、エッチングガスの組成の違いによる上記現象の緩和効果は小さく、しかも、図4に示すように、真空反応室1の上部からのガス導入に加えて側面箇所からエッチングガスを導入する構成にしても、希望する緩和効果の実現できない。
また、真空反応室1の側面箇所からエッチングガスを導入する構造のエッチング装置では、真空反応室の側壁部からウェハの外周領域までの距離が相当あるため、側面からのガス導入による効果にも限界がある。また、真空反応室の側壁部からウェハの外周領域までの距離が狭いと真空反応室の排気特性が劣化したり、エッチングの均一性が悪化するという問題がある。
【0005】
そこで本発明は、上述の問題を解決するためになされたもので、大口径のウェハやウェハ周辺領域部の均一性が得られるにくいエッチングプロセスに対しても均一なエッチング特性を得ることができるエッチング装置を提供することを目的とする。
【0006】
上記目的を達成するために本発明のエッチング装置は、真空反応室と、前記真空反応室内に設置され、ウェハが載置されるウェハステージと、前記ウェハステージ上のウェハに対して上方からエッチングガスを噴出する第1ガス噴出手段とを有し、前記第1ガス噴出手段から噴出されるエッチングガスを高周波電力によりプラズマ化し、このプラズマ化した活性ガスにより前記ウェハをエッチングする装置において、前記ウェハステージに載置されたウェハの外周に臨ませて設けられたフォーカスリングと、前記フォーカスリングの内部に該フォーカスリングの全長に亘りリング状に形成したガス通路と、前記フォーカスリングの円周方向に所定の間隔離して形成されるとともに一端が前記ガス通路に連通され、他端が前記フォーカスリングの内方に向け開口された複数のガス噴出孔を備え、該ウェハの外周から中央に向けエッチングガスを噴出する第2ガス噴出手段とを備えることを特徴とする。
【0007】
本発明のエッチング装置においては、第1ガス噴出手段とは独立した第2ガス噴出手段からウェハの周辺領域に対してエッチングガスを噴出することができる。これにより、大口径のウェハやウェハ周辺領域部の均一性が得られるにくいエッチングプロセスに対しても均一なエッチング特性を得ることが可能になる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の一実施の形態を示すドライエッチング装置の概略構成図、図2は本発明の一実施の形態におけるドライエッチング装置に使用されるフォーカスリングの一例を示す要部の拡大断面図、図3は本発明の一実施の形態におけるドライエッチング装置に使用されるフォーカスリングの他の例を示す要部の拡大断面図である。
【0009】
図1において、ドライエッチング装置は、ウェハ10をエッチング処理する真空反応室12と、この真空反応室12内に設置された円形状の下部電極(請求項に記載のウェハステージを構成する)14と、この下部電極14上に載置されたウェハ10の外周に臨む下部電極14の上面箇所141に設けられた円環状のフォーカスリング16と、真空反応室12内の上部に設けた上部電極18と、この上部電極18の下面に設けたガス噴出用のシャワープレート20(請求項に記載した第1ガス噴出手段に相当する)を備える。また、真空反応室12の外周には図示省略した周知の空心コイルが設置される構成になっている。
なお、下部電極14上に載置されたウェハ10は、下部電極14に設けられた静電チャックまたは機械的チャック(何れも図示省略)により保持される。また、フォーカスリング16は、下部電極14の上面箇所141に載置またはネジ止め等により保持される構成になっている。
【0010】
上記シャワープレート20には、種類の異なる複数のエッチングガス源、例えばO2、Ar、C4F8、CO等のガス源からシャワープレート20に供給されるガス流量及びガス組成を調整する各別の流量制御弁(請求項に記載した第1ガス噴出手段の流量制御手段に相当する)22−1〜22−4がガス供給路24を介して接続されている。
また、シャワープレート20を含めた上部電極18とアースとの間には、例えば27MHzの電磁波を発生するUHF電源26が接続され、さらに、下部電極14とアースとの間には、例えば800kHzの高周波バイアス電源28が接続されている。
なお、上記UHF電源26の周波数及び高周波バイアス電源28の周波数は上述した値に限定されない。
【0011】
上記フォーカスリング16は、シリコン、アルミニウム、ステンレス、酸化シリコン、酸化アルミニウム等を主体とする材料から構成されるもので、その縦断面形状は、図2に示すように矩形状を呈し、かつ下部電極14に載置されたウェハ10の上面までの高さにほぼ同じ厚さを有している。
このフォーカスリング16の下部電極14との当接面箇所には、図1及び図2に示すように、ガス通路161がフォーカスリング16の全長に亘りリング状に形成され、さらに、一端がガス通路161に連通され他端がフォーカスリング16を貫通してフォーカスリング16の中心に対して斜め上方へ向け開口されたガス噴出孔162がフォーカスリング16の円周方向に所定の間隔離して複数形成されている。
この実施の形態におけるガス噴出孔162の数は4個以上である。
【0012】
また、フォーカスリング16の縦断面形状は、図3に示すように、下部電極14に載置されたウェハ10の上面までの高さより低い部分16Aと、ウェハ10の上面までの高さより高い部分16Bとを有する階段形状を呈し、この高い部分16Bには、フォーカスリング16の中心に対して水平方向に開口されたガス噴出孔162がフォーカスリング16の円周方向に所定の間隔離して複数形成され、この各ガス噴出孔162は下部電極14との当接面箇所に形成したガス通路161に連通されている。
上記ガス通路161には、種類の異なる複数のエッチングガス源、例えばO2、Ar、C4F8、CHF3等のガス源からガス通路161及びガス噴出孔162を通してウェハ10の周辺領域に供給されるガス流量及びガス組成を調整する各別の流量制御弁(請求項に記載した第2ガス噴出手段の流量制御手段に相当する)30−1〜30−4がガス供給路32を介して接続されている。
なお、上記フォーカスリング16を含めたガス通路161及びガス噴出孔162は、請求項に記載した第2ガス噴出手段を構成する。
【0013】
上記のように構成されたエッチング装置において、真空反応室12内の下部電極14上にウェハ10を載置した状態で、O2、Ar、C4F8、CO等のガス源からウェハ10のエッチングに最適なガスを流量制御弁22−1〜22−4により選択し、かつその流量及び組成を調整した混合ガスをシャワープレート20に供給し、さらに、O2、Ar、C4F8、CHF3等のガス源からウェハ10のエッチングに最適なガスを流量制御弁30−1〜30−4により選択し、かつその流量及び組成を調整した混合ガスをガス通路161及びガス噴出孔162を通してウェハ10の周辺領域に供給する。そして、空反応室12内を図示省略した真空排気装置により真空排気し、上部電極18にUHF電源26からの電磁波を供給し、かつ図示省略した空心コイルにより印加される磁場との相互作用によって活性ガスプラズマを発生させる。
かかる状態で、下部電極14に接続された高周波バイアス電源28からウェハ10に高周波バイアス電圧を印加することにより、プラズマ中の活性ガスをウェハ表面に引き込んでエッチングを行う。
【0014】
なお、この実施の形態において、フォーカスリング16のガス噴出孔162からウェハ10の周辺領域に向け噴出されるエッチングガスの方向はガス噴出孔162の開口の向きにより決定され、そして、噴出ガスの初速はガス噴出孔162の径に依存にする。
また、ガス噴出孔162の径と初速との関係は、おおよそ次式に示すようになる。
流量制御弁30−1〜30−4で決定される流量Fは、F=k1γβ-2である。ただし、k1は定数、γは圧力、βはガス噴出孔の径である。
この式から、圧力が決まり、初速Sは、S=k2γとなる。ただし、k2は常数である。
【0015】
この実施の形態に示すエッチング装置において、ウェハ10表面のシリコン酸化膜をエッチングする場合は、上部電極18のUHF電源26の周波数を27MHz、パワーを2.5kWとし、下部電極14の高周波バイアス電源28の周波数を800kHz、パワーを2kWとし、真空反応室12の圧力を100mTorrとする。
そして、シャワープレート20に供給されるエッチングガスの種類および流量を、C4F8:20sccm、O2:50sccm、Ar:500sccmとし、また、フォーカスリング16に供給されるエッチングガスの種類および流量を、CHF3:3sccm、C4F8:2sccm、O2:10sccm、Ar:250sccmとした。
【0016】
このような実施例においては、フォーカスリング16からウェハ10の周辺領域に対して、エッチング部分の内側面のデポ性に寄与するCHF3ガスを噴出し、デポ成分の逆の働きをするO2ガスの比率をシャワープレート20側より下げ、エッチングレートへの寄与が大きいC4F8ガスの比率をシャワープレート20側より下げる。
【0017】
このようにウェハ10の中央領域および周辺領域に対して、別々のガス噴出系でエッチングガスを噴出させると共に、導入ガスの流量および組成を変えることにより、フォーカスリング16からウェハ10の周辺領域に向け流すガスについて、その組成をウェハ周辺領域で過剰となるエッチャントの比率を下げることができ、かつウェハ周辺領域で不足するバイプロダクトの影響を補正するためのデポ性のガスを増やすことが可能になる。
このような実施例によれば、30mm以上の大口径ウェハやウェハ周辺領域部の均一性が得られるにくいエッチングプロセスに対しても均一なエッチング特性を得ることができる。
【0018】
また、同一の真空反応室12を使用しながら、コンタクト及びエッチバック等のようにウェハの中央領域と周辺領域の均一性が大きく変わる異種のプロセスを処理することが可能になる。この場合、フォーカスリング16からのガスの組成を変化させる方法以外に、ガスの噴出向きや噴出初速を変えた複数種類のフォーカスリングを利用する方法もある。
さらにまた、ウェハ周辺部やフォーカスリングそのものにデポが付着し易いプロセスにおいて、ウェハ外周の近傍から未反応のバージンガスを流すことにより、ウェハ周辺部やフォーカスリングに対するデポ性を低減でき、デポによるエッチストップの防止やフォーカスリングのクリーニング頻度を低減できる。
また、ウェハ周辺近傍からウェハの中央部方向にガスを噴出させることにより、特に酸化膜エッチングで高いエッチング選択比を得る場合などに好適隣、エッチングガスの過度な解離を抑制することができる。
【0019】
また、本発明においては、図1に示すように、真空反応室12にレーザ等の光を発する共にウェハ10の処理面から反射される光を受ける光学系34を設け、この光学系34からの光信号を分光器36を通してコンピュータ等の演算処理部38に取り込んで処理することにより、ウェハ10の中央領域及び周辺領域を含む複数箇所のエッチングレート、すなわちエッチング速度及び均一性をモニタし、このモニタ結果に応じて流量制御弁30−1〜30−4を制御することにより、流量制御弁30−1〜30−4からフォーカスリング16のガス噴出孔162を通してウェハ10の周辺領域に噴出されるガス流量及び/またはガス組成を調整することができる。これにより、ウェハ10の均一はエッチングが可能になる。
【0020】
【発明の効果】
以上のように、本発明のエッチング装置によれば、30mm以上の大口径ウェハやウェハ周辺領域部の均一性が得られるにくいエッチングプロセスに対しても均一なエッチング特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示すドライエッチング装置の概略構成図である。
【図2】本発明の一実施の形態におけるドライエッチング装置に使用されるフォーカスリングの一例を示す要部の拡大断面図である。
【図3】本発明の一実施の形態におけるドライエッチング装置に使用されるフォーカスリングの他の例を示す要部の拡大断面図である。
【図4】従来におけるドライエッチング装置の概略構成図である。
【図5】従来におけるドライエッチング装置に使用されるフォーカスリングの一例を示す要部の拡大断面図である。
【図6】従来におけるドライエッチング装置に使用されるフォーカスリングの他の例を示す要部の拡大断面図である。
【符号の説明】
10……ウェハ、12……真空反応室、14……下部電極、16……フォーカスリング、161……ガス通路、162……ガス噴出孔、18……上部電極、20……シャワープレート、22−1〜22−4……流量制御弁(流量制御手段)、26……UHF電源、28……高周波バイアス電源、30−1〜30−4……流量制御弁(流量制御手段)、34……光学系、36……分光器、38……演算処理部。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an etching apparatus that etches the entire surface of a wafer or a thin film formed on the surface of a wafer or a specific portion, and more specifically, etching characteristics deteriorate like a large-diameter wafer of 300 mm or more and a wafer peripheral region. The present invention also relates to an etching apparatus capable of obtaining uniform etching characteristics for a process.
[0002]
[Prior art]
In a semiconductor manufacturing process, particularly in a dry etching apparatus using plasma, how to uniformly process a wafer is an important point from the viewpoint of etching characteristics.
Here, the uniform etching means that the etching rate, the etching selectivity, and the etching shape are as equal as possible over the entire surface of the wafer.
On the other hand, it is said that the most suitable method for achieving uniform etching is to make the plasma density, electron temperature, radical composition, electric field (bias), magnetic field, and pressure directly above the surface of the wafer to be etched uniform. ing.
However, what is difficult to realize is the composition of the gas used for etching. Even if all the etching parameters are made uniform in the wafer plane, etching non-uniformity in the peripheral area of the wafer is inevitable. That is, in the central region of the wafer, since the periphery is surrounded by the object to be etched, the consumption of the etchant is intense, and the production of a bi-product that is a product at the time of etching increases. On the other hand, in the peripheral area of the wafer, a phenomenon opposite to that in the central area occurs.
[0003]
Therefore, in the conventional etching apparatus, as shown in FIG. 4, at a place on the
Further, the focus ring 4 has a rectangular cross-sectional shape shown in FIG. 5 or a step-like vertical cross-sectional shape shown in FIG. 6 so that the outside of the wafer 3 does not become a simple space. Is used. The focus ring 4 is made of a material that actively consumes an etchant, such as a wafer, or has electrical continuity, or the focus ring 4 is stepped as shown in FIG. Thus, the etching gas flow is made to have a stagnation to provide an etching uniformity effect.
In FIG. 4, 5 is an upper electrode provided in the upper part of the vacuum reaction chamber 1, and 6 is a gas ejection shower plate provided on the lower surface of the upper electrode 5.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, even in the conventional etching apparatus as described above, the effect of mitigating the above phenomenon due to the difference in the composition of the etching gas is small, and in addition to the introduction of gas from the upper part of the vacuum reaction chamber 1 as shown in FIG. Even if the configuration is such that the etching gas is introduced from the side portion, the desired relaxation effect cannot be realized.
In addition, in the etching apparatus having a structure in which the etching gas is introduced from the side surface portion of the vacuum reaction chamber 1, the distance from the side wall portion of the vacuum reaction chamber to the outer peripheral region of the wafer is considerable, so the effect of introducing the gas from the side surface is also limited. There is. Further, when the distance from the side wall of the vacuum reaction chamber to the outer peripheral region of the wafer is narrow, there are problems that the exhaust characteristics of the vacuum reaction chamber are deteriorated and the etching uniformity is deteriorated.
[0005]
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and etching that can obtain uniform etching characteristics even for an etching process in which uniformity of a large-diameter wafer and a wafer peripheral region is difficult to be obtained. An object is to provide an apparatus.
[0006]
In order to achieve the above object, an etching apparatus according to the present invention includes a vacuum reaction chamber, a wafer stage installed in the vacuum reaction chamber, on which a wafer is placed, and an etching gas from above with respect to the wafer on the wafer stage. In the apparatus for converting the etching gas ejected from the first gas ejecting means into plasma with high-frequency power and etching the wafer with the plasma-activated active gas, the wafer stage A focus ring provided facing the outer periphery of the wafer mounted on the wafer, a gas passage formed in a ring shape over the entire length of the focus ring inside the focus ring, and a predetermined direction in the circumferential direction of the focus ring And one end communicates with the gas passage and the other end is the focus ring. Comprising a plurality of gas ejection holes which are opened inward, characterized in that it comprises a second gas ejection means for ejecting an etching gas toward the center from the outer periphery of the wafer.
[0007]
In the etching apparatus of the present invention, the etching gas can be jetted from the second gas jetting means independent of the first gas jetting means to the peripheral area of the wafer. This makes it possible to obtain uniform etching characteristics even for an etching process in which uniformity of a large-diameter wafer and a wafer peripheral region is difficult to obtain.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a dry etching apparatus showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part showing an example of a focus ring used in the dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the main part showing another example of the focus ring used in the dry etching apparatus according to the embodiment of the present invention.
[0009]
In FIG. 1, a dry etching apparatus includes a vacuum reaction chamber 12 for etching a wafer 10, a circular lower electrode (constituting a wafer stage according to the claims) 14 installed in the vacuum reaction chamber 12, and An annular focus ring 16 provided at the
The wafer 10 placed on the
[0010]
The
Further, a
The frequency of the
[0011]
The focus ring 16 is made of a material mainly composed of silicon, aluminum, stainless steel, silicon oxide, aluminum oxide or the like, and its vertical cross-sectional shape is rectangular as shown in FIG. 14 have substantially the same thickness up to the upper surface of the wafer 10 placed on the
As shown in FIGS. 1 and 2, a gas passage 161 is formed in a ring shape over the entire length of the focus ring 16, and one end of the focus ring 16 is in contact with the
In this embodiment, the number of
[0012]
Further, as shown in FIG. 3, the vertical cross-sectional shape of the focus ring 16 includes a portion 16 </ b> A lower than the height up to the upper surface of the wafer 10 placed on the
The gas passage 161 is supplied to the peripheral region of the wafer 10 from a plurality of different types of etching gas sources, for example, gas sources such as O 2 , Ar, C 4 F 8 , and CHF 3 through the gas passage 161 and the gas ejection holes 162. The flow rate control valves 30-1 to 30-4 (corresponding to the flow rate control means of the second gas ejection means described in the claims) 30-1 to 30-4 for adjusting the gas flow rate and the gas composition are provided via the
The gas passage 161 including the focus ring 16 and the
[0013]
In the etching apparatus configured as described above, the wafer 10 is removed from a gas source such as O 2 , Ar, C 4 F 8 , and CO while the wafer 10 is placed on the
In this state, a high frequency bias voltage is applied to the wafer 10 from a high frequency
[0014]
In this embodiment, the direction of the etching gas ejected from the
Further, the relationship between the diameter of the
The flow rate F determined by the flow rate control valves 30-1 to 30-4 is F = k1γβ- 2 . Here, k1 is a constant, γ is a pressure, and β is a diameter of the gas ejection hole.
From this equation, the pressure is determined, and the initial speed S is S = k2γ. However, k2 is a constant.
[0015]
In the etching apparatus shown in this embodiment, when the silicon oxide film on the surface of the wafer 10 is etched, the frequency of the
Then, the type and flow rate of the etching gas supplied to the
[0016]
In such an embodiment, CHF 3 gas that contributes to the deposition property of the inner surface of the etched portion is ejected from the focus ring 16 to the peripheral region of the wafer 10, and the O 2 gas that acts as the opposite of the deposition component. The ratio of C 4 F 8 gas that greatly contributes to the etching rate is lowered from the
[0017]
In this way, the etching gas is ejected from the central region and the peripheral region of the wafer 10 by separate gas ejection systems, and the flow rate and composition of the introduced gas are changed, so that the focus ring 16 moves toward the peripheral region of the wafer 10. With respect to the flowing gas, the ratio of the etchant whose composition is excessive in the peripheral area of the wafer can be lowered, and the deposition gas for correcting the influence of the biproduct which is insufficient in the peripheral area of the wafer can be increased. .
According to such an embodiment, uniform etching characteristics can be obtained even for an etching process in which it is difficult to obtain uniformity of a large diameter wafer of 30 mm or more and a wafer peripheral region.
[0018]
In addition, while using the same vacuum reaction chamber 12, it is possible to process different processes such as contact and etch back that greatly change the uniformity of the central region and the peripheral region of the wafer. In this case, in addition to the method of changing the composition of the gas from the focus ring 16, there is also a method of using a plurality of types of focus rings in which the gas ejection direction and the initial ejection speed are changed.
Furthermore, in a process where deposits tend to adhere to the wafer periphery and the focus ring itself, by flowing unreacted virgin gas from the vicinity of the wafer outer periphery, the deposition performance on the wafer periphery and focus ring can be reduced, and etching by the deposit is possible. Stopping can be prevented and the frequency of cleaning the focus ring can be reduced.
Further, by ejecting the gas from the vicinity of the wafer toward the center of the wafer, it is possible to suppress excessive dissociation of the etching gas, which is suitable particularly when a high etching selectivity is obtained by oxide film etching.
[0019]
In the present invention, as shown in FIG. 1, an
[0020]
【The invention's effect】
As described above, according to the etching apparatus of the present invention, uniform etching characteristics can be obtained even for an etching process in which uniformity of a large-diameter wafer of 30 mm or more and a wafer peripheral region is difficult to be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a dry etching apparatus showing an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing an example of a focus ring used in a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing another example of a focus ring used in a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a conventional dry etching apparatus.
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing an example of a focus ring used in a conventional dry etching apparatus.
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing another example of a focus ring used in a conventional dry etching apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wafer, 12 ... Vacuum reaction chamber, 14 ... Lower electrode, 16 ... Focus ring, 161 ... Gas passage, 162 ... Gas ejection hole, 18 ... Upper electrode, 20 ... Shower plate, 22 -1 to 22-4... Flow control valve (flow control means), 26... UHF power supply, 28... High frequency bias power supply, 30-1 to 30-4. ...
Claims (6)
前記ウェハステージに載置されたウェハの外周に臨ませて設けられたフォーカスリングと、
前記フォーカスリングの内部に該フォーカスリングの全長に亘りリング状に形成したガス通路と、前記フォーカスリングの円周方向に所定の間隔離して形成されるとともに一端が前記ガス通路に連通され、他端が前記フォーカスリングの内方に向け開口された複数のガス噴出孔を備え、該ウェハの外周から中央に向けエッチングガスを噴出する第2ガス噴出手段と、
を備える、ことを特徴とするエッチング装置。A vacuum reaction chamber; a wafer stage that is installed in the vacuum reaction chamber and on which a wafer is placed; and a first gas ejection unit that ejects an etching gas from above to the wafer on the wafer stage, In an apparatus that etches the etching gas ejected from the first gas ejection means with high-frequency power and etches the wafer with the plasma-activated active gas,
A focus ring provided facing the outer periphery of the wafer placed on the wafer stage;
A gas passage formed in a ring shape over the entire length of the focus ring inside the focus ring, and formed at a predetermined interval in the circumferential direction of the focus ring, with one end communicating with the gas passage and the other end Comprising a plurality of gas ejection holes opened inward of the focus ring, and a second gas ejection means for ejecting an etching gas from the outer periphery to the center of the wafer ;
The provided, etching and wherein the.
前記複数のガス噴出孔が、前記フォーカスリングの前記高い部分に開口されていることを特徴とする請求項1記載のエッチング装置。The etching apparatus according to claim 1, wherein the plurality of gas ejection holes are opened in the high portion of the focus ring.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001009282A JP4433614B2 (en) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Etching equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001009282A JP4433614B2 (en) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Etching equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002217171A JP2002217171A (en) | 2002-08-02 |
JP4433614B2 true JP4433614B2 (en) | 2010-03-17 |
Family
ID=18876790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001009282A Expired - Fee Related JP4433614B2 (en) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | Etching equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4433614B2 (en) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4224492B2 (en) | 2003-06-09 | 2009-02-12 | シーケーディ株式会社 | Pressure control system and flow rate control system |
US7723236B2 (en) * | 2005-01-18 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Gas setting method, gas setting apparatus, etching apparatus and substrate processing system |
JP4783094B2 (en) * | 2005-09-02 | 2011-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Annular parts for plasma processing, plasma processing apparatus, and outer annular member |
US8038837B2 (en) | 2005-09-02 | 2011-10-18 | Tokyo Electron Limited | Ring-shaped component for use in a plasma processing, plasma processing apparatus and outer ring-shaped member |
US8097120B2 (en) * | 2006-02-21 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Process tuning gas injection from the substrate edge |
JP5074741B2 (en) * | 2006-11-10 | 2012-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Vacuum processing equipment |
US7988813B2 (en) * | 2007-03-12 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Dynamic control of process chemistry for improved within-substrate process uniformity |
US8048226B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-11-01 | Tokyo Electron Limited | Method and system for improving deposition uniformity in a vapor deposition system |
KR101437522B1 (en) * | 2007-09-05 | 2014-09-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Cathode liner with wafer edge gas injection in a plasma reactor chamber |
JP5264238B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
JP5294669B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
JP5452133B2 (en) * | 2009-08-27 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP5323628B2 (en) * | 2009-09-17 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
JP2012049376A (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP5806095B2 (en) * | 2011-11-29 | 2015-11-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing equipment |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
JP6488150B2 (en) * | 2015-02-27 | 2019-03-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10410832B2 (en) * | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
US10655224B2 (en) * | 2016-12-20 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Conical wafer centering and holding device for semiconductor processing |
CN111968903B (en) * | 2020-08-24 | 2024-03-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Semiconductor process equipment and method for processing focusing ring |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230959A (en) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Ltd | Air flow controlling method of space around work and pressure reducing device |
US5744049A (en) * | 1994-07-18 | 1998-04-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with enhanced plasma uniformity by gas addition, and method of using same |
JPH08203694A (en) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
JP3236533B2 (en) * | 1997-07-02 | 2001-12-10 | 松下電器産業株式会社 | Electrostatic attraction electrode device |
-
2001
- 2001-01-17 JP JP2001009282A patent/JP4433614B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002217171A (en) | 2002-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4433614B2 (en) | Etching equipment | |
US9659756B2 (en) | Plasma etching apparatus and plasma cleaning method | |
US5647912A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP3122601B2 (en) | Plasma film forming method and apparatus therefor | |
EP2026374B1 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium | |
JP3174981B2 (en) | Helicon wave plasma processing equipment | |
KR101124938B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
TWI404138B (en) | Plasma etching apparatus | |
US20080236750A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2006245510A (en) | Method and device for plasma processing | |
JP2001023955A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2012069921A (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
KR20010098899A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP4093212B2 (en) | Plasma processing equipment | |
KR20160071321A (en) | Plasma etching method | |
JPH10223607A (en) | Plasma treating apparatus | |
JPH05114583A (en) | Dry etching device | |
JP3748230B2 (en) | Plasma etching apparatus and shower plate | |
JP2006344701A (en) | Etching device and etching method | |
US6815369B2 (en) | Method for monitoring deposition reaction during processing the surface of a semiconductor substrate | |
JP2022115719A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP2000332000A (en) | Plasma treating device and method for controlling the same | |
JP2000031121A (en) | Plasma discharger and plasma treating device | |
JP2004186404A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2006114933A (en) | Reactive ion etching device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071225 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091009 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091208 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091221 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |