JP4431287B2 - Manufacturing method of optical disk - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、CD(Compact Disk)やDVD(Digital Versatile Disk)等の光ディスクを、スタンパと呼ばれる原盤を用いて製造する光ディスクの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えばCD等といった光ディスクを製造する場合には、まず、図3(a)に示すように、その表面を研磨して平滑にしたガラス製の原板101の表面にスピンコート等によりレジスト膜102を形成する。次いで、このレジスト膜102に対してパターニング処理が施される。パターニング処理は、図3(b)に示すように、レジスト膜102をレーザビームで露光し、潜像102aを形成した後、現像することにより行われる。すると、図3(c)に示すように、レジスト膜102の表面には複数の溝部よりなる凹パターン102bが形成される。
【0003】
パターニング処理が行われた後、図3(d)に示すように、レジスト膜102上には凹パターン102bの全体を被覆するように、金属材料よりなる電極膜103がスパッタリング法、蒸着法等により形成される。この電極膜103の金属材料には導電率が高く、膜形成後に組成変化しづらいことから、ニッケル(Ni)元素が単体で使用されており、その膜厚は均一なものとなっている。その後、図3(e)に示すように、この電極膜103を電極として用いる電鋳法により、電極膜103の表面にはNi製の金属層104が積層される。
【0004】
この後、図3(f)に示すように、電極膜103とともに金属層104をレジスト膜102の表面から剥離させると、電極膜103及び金属層104が一体となったスタンパ104aが得られる。このスタンパ104aの表面には前記凹パターン102bとは逆転した形状となるように、複数の突部よりなる凸パターン104bが転写されている。そして、スタンパ104aを成形型として使用し、凸パターン104b側に合成樹脂材料を射出することにより、その表面に前記凹パターン102bと同一の凹パターンが複写された基板が形成され、この凹パターンを覆うように基板上に反射膜、保護層等を積層することにより光ディスクが製造される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近年の光ディスクには、例えばCDに対するDVD等のように、サイズを大きくすることなく記憶容量を増大させるため、単位面積当たりの記録密度をさらに高度化させることが課題となっている。このため、前述したパターニング処理においては、レーザビームと比較して溝部をより幅狭とすることができ、高精細な凹パターン102bを形成可能な電子ビームが使用されるようになっている。そして、電子ビームで露光を行う際には、レジスト膜102を形成するレジスト材料に塩素、硫黄、あるいはフッ素等の電子吸引性の元素又は電子吸引機能を有する基(これ以降、電子吸引基として記載する)等が添加されることにより、レジスト膜102の電子吸収感度が向上されている。
【0006】
ところが、上記のように電子吸収感度を向上させたレジスト膜102を使用すると、電鋳法で電極膜103上に金属層104を積層する際、電極膜103は、その材料であるNi元素が電子吸引性の元素又は電子吸引基に対して反応し、変質する等して損傷するおそれがある。すると、スタンパ104aは、この電極膜103により凸パターン104bの表面部分が形成されていることから、損傷した電極膜103により凸パターン104bの表面が荒れるという不具合を生じてしまう。そして、このようなスタンパ104aを使用して形成された基板には前記凹パターン102bが正確に複写されず、データ読取り時のノイズが大きくなり、S/N比(Signal−to−Noise ratio)が低く、品質の低下した光ディスクが製造されてしまうという問題があった。
【0007】
この発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、電極膜の耐腐食性を向上させ、その損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることにより、S/N比の向上が図られて品質を高度に維持した光ディスクを製造することができる光ディスクの製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の光ディスクの製造方法の発明は、原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成するパターニング処理を施す工程と、前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程と、前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディスクを製造する工程とを備え、前記電極膜の金属材料は、銀(Ag)元素を主成分とするとともに、この銀(Ag)元素に他の元素として金(Au)元素及び銅(Cu)元素を添加し、前記銀(Ag)元素及び前記他の元素とから固溶体を形成したものであることを特徴とするものである。
【0010】
請求項に記載の光ディスクの製造方法の発明は、請求項1に記載の発明において、前記銀(Ag)元素を90重量パーセント以上含有することを特徴とするものである。
【0011】
請求項に記載の光ディスクの製造方法の発明は、原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成するパターニング処理を施す工程と、前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程と、前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディスクを製造する工程とを備え、前記電極膜の金属材料は、銀(Ag)元素を主成分として含有するとともに、金(Au)及び銅(Cu)の他の元素を含有し、かつ、前記金(Au)元素及び銅(Cu)元素の含有率をそれぞれ5.0重量パーセント以下に設定したことを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
図2(b)に示すように、光ディスクを構成する基板21は、合成樹脂である透明なポリカーボネートにより円板状に形成され、その上面には複数の微細な溝部よりなる凹パターン21aを有している。基板21の上部には、この凹パターン21aの各溝部を被覆するようにアルミニウム製の薄膜よりなる反射膜22が積層されている。さらに、反射膜22の上部には、紫外線硬化樹脂よりなる保護層23が凹パターン21aの各溝部を埋めつつ、さらに基板21をその全面に渡って被覆するように積層されており、この保護層23により凹パターン21a及び反射膜22の損傷が防止されている。
【0013】
図2(a)に示すように、前記基板21は、後述する製造方法により成形された金属製のスタンパ15を使用して形成される。このスタンパ15は、ニッケル(Ni)製の金属層14と、金属層14の下面に積層された金属材料よりなる電極膜13とにより形成されている。スタンパ15の下面には基板21の凹パターン21aとは逆転した形状をなし、複数の突部よりなる凸パターン16を有している。そして、前記基板21を射出成形する工程は、スタンパ15を成形型として用い、凸パターン16を有する下面側にポリカーボネート材料を射出して、ポリカーボネート材料が硬化した後、スタンパ15から離型させることにより行われる。また、光ディスクを製造する工程は、射出成形された基板21にスパッタリング法、蒸着法等の方法により反射膜22を形成した後、反射膜22上に保護層23が形成される。
【0014】
次に、上記スタンパ15を成形するための製造方法について説明する。
さて、スタンパ15を成形するための製造方法として、まず、図1(a)に示すように、原板11上にレジスト膜12を形成する工程について説明する。この工程は、その表面が研磨、洗浄されて平滑面とされたガラス板又はシリコンウェハからなる原板11上にスピンコート法等により液状のレジスト材料を均一な厚さとなるように塗布し、その後、プリベークすることにより行われる。すると、レジスト材料が加熱乾燥されてレジスト膜12が形成される。このレジスト材料には、例えば塩素、硫黄、フッ素等のような電子吸引性の元素又は電子吸引機能を有する基(これ以降、電子吸引基として記載する)等が添加されているため、形成されるレジスト膜12は、その電子吸収感度が向上されている。
【0015】
次いで、レジスト膜12に対し、パターニング処理を施す工程について説明する。この工程では、まず、図1(b)に示すように、レジスト膜12に対し、その上面側から電子ビームが照射され、レジスト膜12が露光されることにより、レジスト膜12の表面に潜像12aが形成されて、データ信号の記録が行われる。この後、図1(c)に示すように、レジスト膜12が現像され、ポストベークされることにより潜像12a部分が除去されて、レジスト膜12の上面に複数の溝部よりなる凹パターン12bが形成されることにより、レジスト膜12に対してパターニング処理が施される。
【0016】
続いて、図1(d)に示すように、電極膜13を形成する工程について説明する。この工程は、スパッタリング法、蒸着法、無電界メッキ法等の方法により、レジスト膜12の上面に金属材料よりなる電極膜13が均一な膜厚となるように形成されることにより行われる。この状態で電極膜13には凹パターン12bの形状が正確に転写されている。
【0017】
最後に、スタンパ15を形成する工程について説明する。この工程では、まず、図1(e)に示すように、前記電極膜13を電極として使用し、電鋳法を施すことにより、電極膜13の上面にNi元素が堆積され、金属層14が積層される。そして、金属層14を電極膜13とともに、原板11及びレジスト膜12の表面から剥離させることにより、図1(f)に示すように、金属層14及び電極膜13が一体となったスタンパ15が形成される。このスタンパ15の下面には、凹パターン12bの形状が正確に転写された電極膜13により、前記凹パターン12bとは逆転した形状をなす複数の突部より構成された凸パターン16が形成されている。そして、このスタンパ15を利用することにより、上述したように光ディスクの基板21が射出形成される。
【0018】
なお、スタンパ15を形成した以降の工程として、上記の工程で得られるスタンパ15をマスタスタンパとし、凸パターン16が形成された面上に電鋳法を施すことにより、凹パターンを有するサブマスタスタンパの形成を行ってもよい。この後、サブマスタスタンパを利用してマスタスタンパと同一形状の複数のベビースタンパを形成し、これらベビースタンパを使用して光ディスクの基板21を射出形成してもよい。
【0019】
上記電極膜13に使用する金属材料には、導電率が高く、レジスト材料中の電子吸引性の元素又は電子吸引基に対して化学反応を起こしにくいことから、銀(Ag)を主成分とし、これに少なくとも1種の他の元素を添加したものが使用される。なお、この明細書中で主成分とは、金属材料のなかで含有量の最も多いものを指すものとする。前記他の元素には、電極膜13の耐腐食性を向上させるために、金(Au)及び銅(Cu)の少なくともいずれか1種を選択することが好ましい。また、金(Au)及び銅(Cu)以外に、他の元素としてアルミニウム(Al)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)、バナジウム(V)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ルテニウム(Ru)、マグネシウム(Mg)の少なくともいずれか1種を選択することも可能である。
【0020】
この実施形態の金属材料には、Agを主成分とし、前に挙げた金属元素のうち、Au及びCuが添加されたものが使用されている。このように材料にAu及びCuを添加した場合、電極膜13の導電性を維持しつつ、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又は電子吸引基に対する耐腐食性の向上を図ることができる。
【0021】
Auを添加する場合、材料中におけるAuの含有率は、5.0重量パーセント以下とすることが好ましく、より好ましくは3.0重量パーセント以下であり、さらに好ましくは1.5重量パーセント以下である。Auを5.0重量パーセントより多く含有すると、その組成によってはAg及びCuのそれぞれと固溶体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがある。また、材料中におけるCuの含有率は、5.0重量パーセント以下とすることが好ましく、より好ましくは3.0重量パーセント以下であり、さらに好ましくは1.5重量パーセント以下である。Cuを5.0重量パーセントより多く含有すると、その組成によってはAg及びAuと固溶体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがある。
【0022】
前記の実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
・ 電極膜13には、Ag、Au及びCuからなる金属材料が用いられている。Ag、Au及びCuからなる金属材料は、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又は電子吸引基に対する耐腐食性が高いことから、電鋳法によりNi製の金属層14を形成する際の電極膜13の変質等といった損傷を防止することができる。この電極膜13により凸パターン16の表面が形成されたスタンパ15は、レジスト膜12の凹パターン12bが正確に転写されたままの状態で、その表面を平滑面として維持することができる。従って、このようなスタンパ15を使用して形成された光ディスクの基板21は、レジスト膜12の凹パターン12bが正確に複写された凹パターン21aを有するとともに、凹パターン21aを構成する各溝部の内面が平滑面となる。そして、光ディスクに記録されたデータを読み取るための光学ピックアップから照射されるレーザの乱反射が抑制されることから、S/N比(Signal−to−Noise ratio)が向上し、光ディスクの品質を高度に維持することができる。
【0023】
・ さらに、合金材料中におけるAuの含有率を5.0重量パーセント以下に、Cuの含有率を5.0重量パーセント以下に設定することにより、電極膜13の耐腐食性のさらなる向上を図ることができる。
【0024】
【実施例】
以下、実施例を挙げ、前記実施形態をさらに具体的に説明する。なお、この発明はそれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1〜6)
石英基板上に、RFスパッタ装置を使用してAg、Au及びCuからなる電極膜13を形成した。すなわち、Ag、Au及びCuの3種類のスパッタリングターゲットを用意し、RFスパッタ装置に装着してスパッタリングを行い、各金属を同時に基板上に堆積させて電極膜13を形成した。このとき、スパッタリングターゲットのサイズは、直径7.62cm(3inch)、厚さ5mmであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約90cmとした。成膜条件は、到達真空度を3×10-5Pa、成膜時のガス圧を0.7〜1.0Paとした。また、RF投入電力は100〜500Wとした。
【0025】
そして、Cuの含有率を0.1重量パーセント(これ以降、wt%として記載する)で一定とし、これに対してAuの含有率を各実施例でそれぞれ変えて、電極膜13を形成した。なお、含有率は、各金属原子の放出量を制御することにより調整し、この金属原子の放出量の制御は、各スパッタリングターゲットへのRF投入電力により行った。
(比較例1)
石英基板上に、RFスパッタ装置を使用してAgのみからなる電極膜13を形成した。すなわち、Agのスパッタリングターゲットを用意し、RFスパッタ装置に装着し、スパッタリングを行って電極膜13を形成した。スパッタリングターゲットのサイズは、直径7.62cm(3inch)、厚さ5mmであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約90cmとした。成膜条件は、到達真空度を3×10-5Pa、成膜時のガス圧を0.7〜1.0Paとした。また、RF投入電力は100〜500Wとした。
(耐腐食性の評価)
実施例1〜6及び比較例1で得られた電極膜13を石英基板とともに、その濃度が5体積パーセント(これ以降、vol%として記載する)の塩化ナトリウム水溶液中に常温で浸し、所定時間放置した後、経時変化の有無を評価した。測定結果を表1に示した。なお、金属材料中における組成、つまり各金属元素の含有率は、wt%で示した。経時変化の有無の評価は測定者の目視により行い、測定時に電極膜13の表面が全く変質しなかったものを○、表面が若干変質したものを△、表面が変質したものを×として評価した。また、塩化ナトリウム水溶液を使用した理由は、任意で選択したレジスト材に塩素およびナトリウム含有による腐食作用が懸念されたためである。
【0026】
【表1】

Figure 0004431287
表1の結果より、比較例1は、塩化ナトリウム水溶液に浸漬すると、電極膜13の表面において、その端部全体が黄色となるように変質した。これは、合金材料中のいずれかの金属元素が塩素と反応したことを示すものである。また、実施例6においては、電極膜13の表面において、その端部の一部が若干黄色となるように変質した。一方、実施例1〜5においては、塩化ナトリウム水溶液に浸漬しても、電極膜13の表面は変質しなかった。このため、Agを主成分とする合金材料にAu及びCuを添加することにより、耐腐食性が向上することが示された。
【0027】
また、Cuの含有率が一定であり、Auの含有率を0.1〜6.0wt%の範囲内で変えた結果、実施例1〜5では電極膜13の表面に変質はなく、実施例6では電極膜13の表面が若干変質したことから、Auの含有率は5.0wt%以下に設定することが好ましいことが示された。さらに、Agの含有率が94〜99.9wt%の場合、Auの含有率をCuの含有率と比較して1〜50倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。そこで、以下に示す実施例では、電極膜13を作製するためのCuの含有率の最適な条件を求めた。
(実施例7〜11)
実施例1〜6と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、Auの含有率を5.0wt%で一定とし、これに対してCuの含有率を実施例7〜11でそれぞれ変えて、電極膜13を形成した。そして、各実施例で得られた電極膜13を前に挙げた耐腐食性の評価と同様に評価した。測定結果を表2に示した。
【0028】
【表2】
Figure 0004431287
表2の結果より、実施例7〜10においては、塩化ナトリウム水溶液に浸漬しても、電極膜13の表面は変質しなかった。実施例11は、塩化ナトリウム水溶液に浸漬すると、電極膜13の表面において、その端部の一部が若干黄色となるように変質した。Auの含有率が一定であり、Cuの含有率を0.7〜6.0wt%の範囲内で変えた結果、実施例7〜10では電極膜13の表面が変質せず、実施例11では電極膜13の表面が若干変質したことから、Cuの含有率は5.0wt%以下に設定することが好ましいことが示された。さらに、Agの含有率が90〜95.0wt%の場合、Auの含有率をCuの含有率と比較して1.0〜7.5倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。
【0029】
この結果を基にして、以下に示す実施例では、電極膜13を作製するためのさらに最適な条件を求めた。
(実施例12〜18)
実施例1〜6と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、実施例12〜16においては、Auの含有率を0.5wt%で一定とし、これに対してCuの含有率をそれぞれ変え、実施例17及び実施例18においては、Cuの含有率を0.5wt%で一定とし、これに対してAuの含有率をそれぞれ変えて電極膜13を形成した。そして、各実施例で得られた電極膜13を上記の耐腐食性の評価と同じく、濃度が5vol%の塩化ナトリウム水溶液中に常温で浸し、5時間(これ以降、hrとして記載する)、10hr、24hr後の変化の有無を評価した。測定結果を表3に示した。なお、変化の有無の評価は測定者の目視により行い、測定時に電極膜13の表面が変質しなかったものを○、表面が変質したものを×として評価した。
【0030】
【表3】
Figure 0004431287
表3の結果より、実施例12においては、5hrの浸漬では電極膜13の表面に変質が見られず、10hrの浸漬で変質が見られた。実施例13及び実施例14においては、5〜10hrの浸漬では電極膜13の表面に変質が見られず、24hrの浸漬で変質が見られた。実施例15〜18においては、24hrの浸漬でも電極膜13の表面に変質が見られなかった。
【0031】
実施例12及び実施例13を比較すると、Auの含有率が同じく0.5wt%であるにも係わらず、実施例12よりも実施例13の耐腐食性が高いことが示された。このため、Auの含有率を0.5wt%とした場合には、Cuの含有率は3.5wt%以下に設定することがより好ましいと考えられる。加えて、実施例14及び実施例15を比較すると、Auの含有率が同じく0.5wt%であるにも係わらず、実施例14よりも実施例15の耐腐食性が高いことが示された。このため、Auの含有率を0.5wt%とした場合には、Cuの含有率は1.5wt%以下に設定することがさらに好ましいと考えられる。さらに、Agの含有率が98〜99wt%の場合、Cuの含有率をAuの含有率と比較して1〜3倍の範囲内に設定することがより好ましいことが示された。
【0032】
一方、Cuの含有率を0.5wt%で一定とした実施例17及び実施例18においては、両実施例ともに耐腐食性が非常に高いことが示された。この結果、Cuの含有率を0.5wt%以下に設定するとともに、Agの含有率を5.0wt%以下に設定することで最も良好な耐食性を付与することができると考えられる。さらに、Agの含有率が94〜97wt%の場合、Auの含有率をCuの含有率と比較して6〜10倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。
【0033】
なお、本実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・ 上記実施形態の光ディスクは、基板21、反射膜22及び保護層23をそれぞれ1層ずつ有するものであったが、これに限定されず、例えば基板21、反射膜22及び保護層23をそれぞれ2層づつ有する光ディスクとしてもよい。
【0034】
さらに、前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
・ 前記他の元素は、金(Au)及び銅(Cu)から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の光ディスクの製造方法。このように構成した場合、電極に良好な耐腐食性を付与することができる。
【0035】
・ 前記合金材料は、銀(Ag)元素、金(Au)元素及び銅(Cu)元素を含有し、合金材料中における銀(Ag)元素の含有率を94〜99.9重量パーセントにするとともに、金(Au)元素の含有率が銅(Cu)元素の含有率と比較して1.0〜50.0倍となるように設定したことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。このように構成した場合、スタンパを形成する電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【0036】
・ 前記合金材料は、銀(Ag)元素、金(Au)元素及び銅(Cu)元素を含有し、合金材料中における銀(Ag)元素の含有率を98〜99重量パーセントにするとともに、銅(Cu)元素の含有率が金(Au)元素の含有率と比較して1〜3倍となるように設定したことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。このように構成した場合、スタンパを形成する電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【0037】
・ 前記合金材料は、銀(Ag)元素、金(Au)元素及び銅(Cu)元素を含有し、合金材料中における銀(Ag)元素の含有率を94〜97重量パーセントにするとともに、金(Au)元素の含有率が銅(Cu)元素の含有率と比較して6〜10倍となるように設定したことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。このように構成した場合、スタンパを形成する電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【0038】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、次のような効果を奏する。
請求項1に記載の発明によれば、電極膜の耐腐食性を向上させ、その損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることにより、S/N比の向上が図られて品質を高度に維持した光ディスクを製造することができる。
【0039】
請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明の効果に加えて、電極膜により良好な耐腐食性を付与することができる。
【0040】
請求項に記載の発明によれば、電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができ、その損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることにより、S/N比の向上が図られて品質を高度に維持した光ディスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)は実施形態の光ディスクの製造方法において、基材板上にレジスト膜を形成する工程を示す断面図、(b)はレジスト膜に潜像を形成する工程を示す断面図、(c)は潜像を現像する工程を示す断面図、(d)はレジスト膜上に薄膜を形成する工程を示す断面図、(e)は電鋳法により薄膜上に基材層を形成する工程を示す断面図、(f)はスタンパを示す断面図。
【図2】 (a)はスタンパを使用して基板を形成する工程を示す断面図、(b)は光ディスクを示す断面図。
【図3】 (a)は従来の光ディスクの製造方法において、基材板上にレジスト膜を形成する工程を示す断面図、(b)はレジスト膜に潜像を形成する工程を示す断面図、(c)は潜像を現像する工程を示す断面図、(d)はレジスト膜上に薄膜を形成する工程を示す断面図、(e)は電鋳法により薄膜上に基材層を形成する工程を示す断面図、(f)はスタンパを示す断面図。
【符号の説明】
11…原板、12…レジスト膜、13…電極膜、14…金属層、15…スタンパ、21…基板、22…反射膜、23…保護層。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical disk manufacturing method for manufacturing an optical disk such as a CD (Compact Disk) or a DVD (Digital Versatile Disk) using a master called a stamper.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, when manufacturing an optical disc such as a CD, for example, first, as shown in FIG. 3A, a resist film 102 is spin coated on the surface of a glass original plate 101 whose surface has been polished and smoothed. Form. Next, the resist film 102 is subjected to patterning processing. As shown in FIG. 3B, the patterning process is performed by exposing the resist film 102 with a laser beam to form a latent image 102a and developing the latent image 102a. Then, as shown in FIG. 3C, a concave pattern 102b composed of a plurality of grooves is formed on the surface of the resist film 102.
[0003]
After the patterning process is performed, as shown in FIG. 3D, an electrode film 103 made of a metal material is formed on the resist film 102 by sputtering, vapor deposition, or the like so as to cover the entire concave pattern 102b. It is formed. Since the metal material of the electrode film 103 has high conductivity and is difficult to change in composition after the film is formed, a nickel (Ni) element is used alone, and the film thickness is uniform. Thereafter, as shown in FIG. 3E, a Ni metal layer 104 is laminated on the surface of the electrode film 103 by electroforming using the electrode film 103 as an electrode.
[0004]
Thereafter, as shown in FIG. 3F, when the metal layer 104 is peeled from the surface of the resist film 102 together with the electrode film 103, a stamper 104a in which the electrode film 103 and the metal layer 104 are integrated is obtained. On the surface of the stamper 104a, a convex pattern 104b composed of a plurality of protrusions is transferred so as to have a shape reverse to the concave pattern 102b. Then, by using the stamper 104a as a mold and injecting a synthetic resin material on the convex pattern 104b side, a substrate on which the concave pattern identical to the concave pattern 102b is copied is formed. An optical disk is manufactured by laminating a reflective film, a protective layer, etc. on the substrate so as to cover it.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In recent optical discs, for example, DVD for CD, etc., in order to increase the storage capacity without increasing the size, it is a problem to further increase the recording density per unit area. For this reason, in the above-described patterning process, the groove can be made narrower than the laser beam, and an electron beam capable of forming a high-definition concave pattern 102b is used. When exposure is performed with an electron beam, the resist material for forming the resist film 102 has an electron-withdrawing element such as chlorine, sulfur, or fluorine, or a group having an electron-withdrawing function (hereinafter referred to as an electron-withdrawing group). The electron absorption sensitivity of the resist film 102 is improved.
[0006]
However, when the resist film 102 with improved electron absorption sensitivity is used as described above, when the metal layer 104 is laminated on the electrode film 103 by electroforming, the electrode film 103 has an Ni element as an electron. There is a risk of damage by reacting with an absorptive element or electron withdrawing group. Then, the stamper 104a has a problem that the surface of the convex pattern 104b is roughened by the damaged electrode film 103 because the surface portion of the convex pattern 104b is formed by the electrode film 103. Further, the concave pattern 102b is not accurately copied on the substrate formed using such a stamper 104a, noise during data reading increases, and an S / N ratio (Signal-to-Noise ratio) is increased. There is a problem in that an optical disc with a low quality is produced.
[0007]
The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. The purpose is to improve the corrosion resistance of the electrode film, to suppress the damage, and to improve the quality by improving the S / N ratio by making the formed stamper high quality. It is an object of the present invention to provide an optical disc manufacturing method capable of manufacturing an optical disc maintained in the above manner.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an optical disk manufacturing method according to claim 1 includes a step of forming a resist film on a surface of an original plate, and forming a predetermined pattern by irradiating the resist film with an electron beam. A step of performing a patterning process, a step of forming an electrode film made of a metal material on the surface of the resist film after the patterning process, and an electroforming method using the electrode film as an electrode. A step of forming a stamper by laminating the metal layer from the resist film together with the electrode film, and a step of injection molding a synthetic resin substrate using the stamper as a mold for molding. And a step of laminating a reflective film and a protective layer on the surface of the substrate to manufacture an optical disk. The metal material of the electrode film is mainly composed of silver (Ag) element, and the silver In which gold (Au) element and copper (Cu) element is added as the other elements Ag) elements, characterized in that is obtained by forming a solid solution of said silver (Ag) element and the other element is there.
[0010]
An optical disk manufacturing method according to a second aspect of the present invention is the optical disk manufacturing method according to the first aspect , wherein the silver (Ag) element is contained in an amount of 90 weight percent or more.
[0011]
Invention of the method for manufacturing the optical disc according to claim 3, the step of applying and forming a resist film on the surface of the original plate, the patterning process of the resist film by irradiating an electron beam to form a predetermined pattern, A step of forming an electrode film made of a metal material on the surface of the resist film after the patterning treatment, and an electroforming method using the electrode film as an electrode, a metal layer is laminated on the surface of the electrode film, Peeling the metal layer from the resist film together with the electrode film to form a stamper; using the stamper as a mold for molding; injection molding a synthetic resin substrate; and reflecting film on the surface of the substrate And a step of manufacturing an optical disc, wherein the metal material of the electrode film contains silver (Ag) as a main component, and is made of gold (Au) and copper (Cu). Containing elements, and is characterized in that setting the content of the gold (Au) element and copper (Cu) elements below each 5.0% by weight.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIG. 2B, the substrate 21 constituting the optical disk is formed in a disk shape from transparent polycarbonate, which is a synthetic resin, and has a concave pattern 21a composed of a plurality of fine grooves on its upper surface. ing. A reflective film 22 made of an aluminum thin film is laminated on the top of the substrate 21 so as to cover each groove of the concave pattern 21a. Further, a protective layer 23 made of an ultraviolet curable resin is laminated on the reflective film 22 so as to cover the entire surface of the substrate 21 while filling the grooves of the concave pattern 21a. 23 prevents the concave pattern 21a and the reflection film 22 from being damaged.
[0013]
As shown in FIG. 2A, the substrate 21 is formed using a metal stamper 15 formed by a manufacturing method described later. The stamper 15 is formed of a nickel (Ni) metal layer 14 and an electrode film 13 made of a metal material laminated on the lower surface of the metal layer 14. On the lower surface of the stamper 15, a shape reverse to the concave pattern 21 a of the substrate 21 is formed, and a convex pattern 16 composed of a plurality of protrusions is provided. The step of injection molding the substrate 21 is performed by using the stamper 15 as a molding die, injecting a polycarbonate material onto the lower surface side having the convex pattern 16, and releasing the mold from the stamper 15 after the polycarbonate material is cured. Done. Further, in the process of manufacturing the optical disk, after forming the reflective film 22 on the injection-molded substrate 21 by a method such as sputtering or vapor deposition, the protective layer 23 is formed on the reflective film 22.
[0014]
Next, a manufacturing method for forming the stamper 15 will be described.
Now, as a manufacturing method for forming the stamper 15, first, a process of forming a resist film 12 on the original plate 11 as shown in FIG. In this step, a liquid resist material is applied so as to have a uniform thickness by spin coating or the like on a glass plate or a silicon wafer 11 made of a glass plate or silicon wafer whose surface has been polished and cleaned, and then, This is done by pre-baking. Then, the resist material is heated and dried to form the resist film 12. This resist material is formed because an electron-withdrawing element such as chlorine, sulfur, fluorine or the like or a group having an electron-withdrawing function (hereinafter referred to as an electron-withdrawing group) is added to this resist material. The resist film 12 has improved electron absorption sensitivity.
[0015]
Next, a process for patterning the resist film 12 will be described. In this step, first, as shown in FIG. 1B, the resist film 12 is irradiated with an electron beam from the upper surface side, and the resist film 12 is exposed, whereby a latent image is formed on the surface of the resist film 12. 12a is formed, and a data signal is recorded. Thereafter, as shown in FIG. 1C, the resist film 12 is developed and post-baked to remove the latent image 12a portion, and a concave pattern 12b composed of a plurality of grooves is formed on the upper surface of the resist film 12. By being formed, the resist film 12 is subjected to a patterning process.
[0016]
Subsequently, as shown in FIG. 1D, a process of forming the electrode film 13 will be described. This step is performed by forming the electrode film 13 made of a metal material on the upper surface of the resist film 12 so as to have a uniform film thickness by a method such as sputtering, vapor deposition, or electroless plating. In this state, the shape of the concave pattern 12b is accurately transferred to the electrode film 13.
[0017]
Finally, a process for forming the stamper 15 will be described. In this step, first, as shown in FIG. 1 (e), the electrode film 13 is used as an electrode and electroforming is performed, whereby Ni element is deposited on the upper surface of the electrode film 13, and the metal layer 14 is formed. Laminated. Then, by peeling the metal layer 14 together with the electrode film 13 from the surfaces of the original plate 11 and the resist film 12, as shown in FIG. 1F, the stamper 15 in which the metal layer 14 and the electrode film 13 are integrated is obtained. It is formed. On the lower surface of the stamper 15, a convex pattern 16 composed of a plurality of protrusions having a shape reversed to the concave pattern 12b is formed by the electrode film 13 in which the shape of the concave pattern 12b is accurately transferred. Yes. By using this stamper 15, the substrate 21 of the optical disk is injection-formed as described above.
[0018]
In addition, as a process after the stamper 15 is formed, the stamper 15 obtained in the above process is used as a master stamper, and a sub master stamper having a concave pattern is formed by electroforming the surface on which the convex pattern 16 is formed. May be formed. Thereafter, a plurality of baby stampers having the same shape as the master stamper may be formed using the sub master stamper, and the optical disk substrate 21 may be formed by injection using these baby stampers.
[0019]
The metal material used for the electrode film 13 has high conductivity and is less likely to cause a chemical reaction with an electron-withdrawing element or electron-withdrawing group in the resist material. Therefore, silver (Ag) is a main component, What added at least 1 type of other element to this is used. In this specification, the main component refers to a metal material having the largest content. In order to improve the corrosion resistance of the electrode film 13, it is preferable to select at least one of gold (Au) and copper (Cu) as the other element. In addition to gold (Au) and copper (Cu), other elements include aluminum (Al), palladium (Pd), nickel (Ni), vanadium (V), tantalum (Ta), tungsten (W), molybdenum ( It is also possible to select at least one of Mo), chromium (Cr), ruthenium (Ru), and magnesium (Mg).
[0020]
As the metal material of this embodiment, a material containing Ag as a main component and added with Au and Cu among the metal elements listed above is used. When Au and Cu are added to the material in this way, it is possible to improve the corrosion resistance against electron-withdrawing elements or electron-withdrawing groups such as chlorine, sulfur, and fluorine while maintaining the conductivity of the electrode film 13. it can.
[0021]
When Au is added, the Au content in the material is preferably 5.0 weight percent or less, more preferably 3.0 weight percent or less, and even more preferably 1.5 weight percent or less. . If more than 5.0 weight percent of Au is contained, depending on the composition, it becomes difficult to form a solid solution with each of Ag and Cu, the properties of the resulting metal material are not stable, and the desired corrosion resistance is obtained. There is a risk of not doing it. The Cu content in the material is preferably 5.0 weight percent or less, more preferably 3.0 weight percent or less, and even more preferably 1.5 weight percent or less. If Cu is contained in an amount of more than 5.0 weight percent, depending on the composition, it becomes difficult to form a solid solution with Ag and Au, the properties of the metal material to be produced are not stable, and the desired corrosion resistance is obtained. There is a risk of not.
[0022]
The effects exhibited by the above embodiment will be described below.
A metal material made of Ag, Au, and Cu is used for the electrode film 13. Since the metal material composed of Ag, Au, and Cu has high corrosion resistance against electron-withdrawing elements or electron-withdrawing groups such as chlorine, sulfur, and fluorine, when forming the Ni metal layer 14 by electroforming Damage such as alteration of the electrode film 13 can be prevented. The stamper 15 on which the surface of the convex pattern 16 is formed by the electrode film 13 can maintain the surface as a smooth surface while the concave pattern 12b of the resist film 12 is accurately transferred. Therefore, the substrate 21 of the optical disk formed using such a stamper 15 has the concave pattern 21a in which the concave pattern 12b of the resist film 12 is accurately copied, and the inner surface of each groove part constituting the concave pattern 21a. Becomes a smooth surface. And since the irregular reflection of the laser irradiated from the optical pickup for reading the data recorded on the optical disc is suppressed, the S / N ratio (Signal-to-Noise ratio) is improved and the quality of the optical disc is enhanced. Can be maintained.
[0023]
Furthermore, the corrosion resistance of the electrode film 13 is further improved by setting the Au content in the alloy material to 5.0 weight percent or less and the Cu content to 5.0 weight percent or less. Can do.
[0024]
【Example】
Hereinafter, the embodiment will be described more specifically with reference to examples. In addition, this invention is not limited to those Examples.
(Examples 1-6)
An electrode film 13 made of Ag, Au, and Cu was formed on a quartz substrate using an RF sputtering apparatus. That is, three types of sputtering targets of Ag, Au, and Cu were prepared, mounted on an RF sputtering apparatus, sputtering was performed, and each metal was deposited on the substrate at the same time to form the electrode film 13. At this time, the size of the sputtering target was 7.62 cm (3 inches) in diameter and 5 mm in thickness, and the distance from the sputtering target to the substrate was about 90 cm. The film formation conditions were an ultimate vacuum of 3 × 10 −5 Pa and a gas pressure during film formation of 0.7 to 1.0 Pa. The RF input power was 100 to 500W.
[0025]
Then, the electrode film 13 was formed by making the Cu content constant at 0.1 weight percent (hereinafter referred to as wt%), while changing the Au content in each example. The content rate was adjusted by controlling the emission amount of each metal atom, and the emission amount of the metal atom was controlled by the RF input power to each sputtering target.
(Comparative Example 1)
An electrode film 13 made of only Ag was formed on a quartz substrate using an RF sputtering apparatus. That is, an Ag sputtering target was prepared, mounted on an RF sputtering apparatus, and sputtering was performed to form the electrode film 13. The size of the sputtering target was 7.62 cm (3 inches) in diameter and 5 mm in thickness, and the distance from the sputtering target to the substrate was about 90 cm. The film formation conditions were an ultimate vacuum of 3 × 10 −5 Pa and a gas pressure during film formation of 0.7 to 1.0 Pa. The RF input power was 100 to 500W.
(Evaluation of corrosion resistance)
The electrode films 13 obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 were immersed together with a quartz substrate in a sodium chloride aqueous solution having a concentration of 5 volume percent (hereinafter referred to as vol%) and left for a predetermined time. Then, the presence or absence of change with time was evaluated. The measurement results are shown in Table 1. In addition, the composition in the metal material, that is, the content of each metal element is expressed by wt%. The evaluation of the presence or absence of the change with time was performed visually by the measurer, and the case where the surface of the electrode film 13 was not altered at the time of measurement was evaluated as ◯, the case where the surface was slightly altered was evaluated as Δ, and the case where the surface was altered was evaluated as x. . The reason why the sodium chloride aqueous solution is used is that there is a concern about the corrosive action caused by containing chlorine and sodium in the resist material selected arbitrarily.
[0026]
[Table 1]
Figure 0004431287
From the results shown in Table 1, when the comparative example 1 was immersed in an aqueous sodium chloride solution, the entire end of the electrode film 13 was denatured so as to turn yellow. This indicates that any metal element in the alloy material has reacted with chlorine. Further, in Example 6, the surface of the electrode film 13 was denatured so that a part of the end thereof was slightly yellow. On the other hand, in Examples 1-5, even if it immersed in sodium chloride aqueous solution, the surface of the electrode film 13 did not change. For this reason, it was shown that corrosion resistance improves by adding Au and Cu to the alloy material which has Ag as a main component.
[0027]
In addition, as a result of changing the content ratio of Au within a range of 0.1 to 6.0 wt% with a constant Cu content ratio, in Examples 1 to 5, the surface of the electrode film 13 was not deteriorated. 6 showed that the surface of the electrode film 13 was slightly altered, so that the Au content is preferably set to 5.0 wt% or less. Furthermore, when the content rate of Ag is 94-99.9 wt%, it was shown that it is preferable to set the content rate of Au within the range of 1 to 50 times compared with the content rate of Cu. Therefore, in the examples shown below, the optimum conditions for the Cu content for producing the electrode film 13 were determined.
(Examples 7 to 11)
Sputtering was performed while controlling the release amount of each metal atom in the same manner as in Examples 1 to 6, and the Au content was kept constant at 5.0 wt%, whereas the Cu content was changed to that in Examples 7 to 11. The electrode film 13 was formed by changing each. Then, the electrode film 13 obtained in each example was evaluated in the same manner as the corrosion resistance evaluation described above. The measurement results are shown in Table 2.
[0028]
[Table 2]
Figure 0004431287
From the results of Table 2, in Examples 7 to 10, the surface of the electrode film 13 did not change even when immersed in a sodium chloride aqueous solution. In Example 11, when immersed in an aqueous sodium chloride solution, the surface of the electrode film 13 was denatured so that a part of the end thereof was slightly yellow. As a result of changing the content ratio of Cu within a range of 0.7 to 6.0 wt%, the surface of the electrode film 13 was not altered in Examples 7 to 10, and in Example 11, the content ratio of Au was constant. Since the surface of the electrode film 13 was slightly altered, it was shown that the Cu content is preferably set to 5.0 wt% or less. Furthermore, when the Ag content is 90 to 95.0 wt%, it is shown that it is preferable to set the Au content within a range of 1.0 to 7.5 times compared to the Cu content. It was.
[0029]
Based on this result, in the examples shown below, further optimum conditions for producing the electrode film 13 were obtained.
(Examples 12 to 18)
Sputtering was performed while controlling the release amount of each metal atom in the same manner as in Examples 1 to 6. In Examples 12 to 16, the Au content was kept constant at 0.5 wt%, whereas the Cu content was In Examples 17 and 18, the electrode film 13 was formed by changing the Cu content rate to be constant at 0.5 wt% and changing the Au content rate. Then, the electrode film 13 obtained in each example was immersed in an aqueous sodium chloride solution having a concentration of 5 vol% at room temperature, as in the above-described evaluation of corrosion resistance, for 5 hours (hereinafter referred to as hr), 10 hr. The presence or absence of changes after 24 hours was evaluated. The measurement results are shown in Table 3. In addition, evaluation of the presence or absence of a change was performed by a measurer's visual observation, and the case where the surface of the electrode film 13 did not change during the measurement was evaluated as ◯, and the case where the surface was changed was evaluated as ×.
[0030]
[Table 3]
Figure 0004431287
From the results of Table 3, in Example 12, no alteration was observed on the surface of the electrode film 13 when immersed for 5 hr, and alteration was observed when immersed for 10 hr. In Example 13 and Example 14, no alteration was observed on the surface of the electrode film 13 when immersed for 5 to 10 hours, and alteration was observed when immersed for 24 hours. In Examples 15 to 18, no alteration was observed on the surface of the electrode film 13 even after immersion for 24 hours.
[0031]
When Example 12 and Example 13 were compared, it was shown that the corrosion resistance of Example 13 was higher than that of Example 12 even though the Au content was also 0.5 wt%. For this reason, when the Au content is set to 0.5 wt%, it is considered that the Cu content is preferably set to 3.5 wt% or less. In addition, comparing Example 14 and Example 15, it was shown that the corrosion resistance of Example 15 is higher than that of Example 14 even though the Au content is also 0.5 wt%. . For this reason, when the content rate of Au is 0.5 wt%, it is considered that the Cu content rate is more preferably set to 1.5 wt% or less. Furthermore, when the content rate of Ag is 98-99 wt%, it was shown that it is more preferable to set the Cu content rate within a range of 1 to 3 times as compared with the Au content rate.
[0032]
On the other hand, in Example 17 and Example 18 in which the Cu content was kept constant at 0.5 wt%, both examples showed very high corrosion resistance. As a result, it is considered that the best corrosion resistance can be imparted by setting the Cu content to 0.5 wt% or less and the Ag content to 5.0 wt% or less. Furthermore, it was shown that when the Ag content is 94 to 97 wt%, the Au content is preferably set within a range of 6 to 10 times compared to the Cu content.
[0033]
In addition, this embodiment can also be changed and embodied as follows.
-Although the optical disk of the said embodiment has one each of the board | substrate 21, the reflective film 22, and the protective layer 23, it is not limited to this, For example, the board | substrate 21, the reflective film 22, and the protective layer 23 are each 2 An optical disc having layers may be used.
[0034]
Further, the technical idea that can be grasped from the embodiment will be described below.
2. The method of manufacturing an optical disk according to claim 1, wherein the other element is at least one selected from gold (Au) and copper (Cu). When comprised in this way, favorable corrosion resistance can be provided to an electrode.
[0035]
The alloy material contains a silver (Ag) element, a gold (Au) element, and a copper (Cu) element, and the content ratio of the silver (Ag) element in the alloy material is 94 to 99.9 weight percent. The content of gold (Au) element is set to be 1.0 to 50.0 times as compared with the content of copper (Cu) element. A method of manufacturing the optical disk according to claim 1. When comprised in this way, the further favorable corrosion resistance can be provided to the electrode film which forms a stamper.
[0036]
The alloy material contains a silver (Ag) element, a gold (Au) element, and a copper (Cu) element, and the content of the silver (Ag) element in the alloy material is 98 to 99 weight percent, and copper 5. The optical disk according to claim 1, wherein the content ratio of the (Cu) element is set to be 1 to 3 times that of the gold (Au) element. Production method. When comprised in this way, the further favorable corrosion resistance can be provided to the electrode film which forms a stamper.
[0037]
The alloy material contains a silver (Ag) element, a gold (Au) element, and a copper (Cu) element, and the content of the silver (Ag) element in the alloy material is 94 to 97 weight percent. 5. The optical disk according to claim 1, wherein the content ratio of the (Au) element is set to be 6 to 10 times that of the copper (Cu) element. Production method. When comprised in this way, the further favorable corrosion resistance can be provided to the electrode film which forms a stamper.
[0038]
【The invention's effect】
As described in detail above, the present invention has the following effects.
According to the first aspect of the present invention, the S / N ratio can be improved by improving the corrosion resistance of the electrode film, suppressing the damage, and improving the quality of the formed stamper. Thus, it is possible to manufacture an optical disc with high quality maintained.
[0039]
According to inventions set forth in claim 2, in addition to the effect of the invention according to claim 1, it is possible to impart good corrosion resistance by electrodeposition electrode membrane.
[0040]
According to inventions set forth in claim 3, it is possible to impart a better corrosion resistance in the electrode film, by suppressing the damage, a stamper is formed a high-quality ones, S / It is possible to manufacture an optical disc in which the N ratio is improved and the quality is maintained at a high level.
[Brief description of the drawings]
1A is a cross-sectional view showing a step of forming a resist film on a base plate in the method of manufacturing an optical disc of the embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view showing a step of forming a latent image on the resist film. (C) is sectional drawing which shows the process of developing a latent image, (d) is sectional drawing which shows the process of forming a thin film on a resist film, (e) forms a base material layer on a thin film by an electroforming method Sectional drawing which shows the process to perform, (f) is sectional drawing which shows a stamper.
2A is a cross-sectional view showing a step of forming a substrate using a stamper, and FIG. 2B is a cross-sectional view showing an optical disc.
3A is a cross-sectional view showing a step of forming a resist film on a base plate in a conventional method of manufacturing an optical disc, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing a step of forming a latent image on the resist film. (C) is a cross-sectional view showing a step of developing a latent image, (d) is a cross-sectional view showing a step of forming a thin film on the resist film, and (e) is for forming a base material layer on the thin film by electroforming. Sectional drawing which shows a process, (f) is sectional drawing which shows a stamper.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Original plate, 12 ... Resist film, 13 ... Electrode film, 14 ... Metal layer, 15 ... Stamper, 21 ... Substrate, 22 ... Reflective film, 23 ... Protective layer

Claims (3)

原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成するパターニング処理を施す工程と、
前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、
前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、
前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程と、
前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディスクを製造する工程とを備え、
前記電極膜の金属材料は、銀(Ag)元素を主成分とするとともに、この銀(Ag)元素に他の元素として金(Au)元素及び銅(Cu)元素を添加し、前記銀(Ag)元素及び前記他の元素とから固溶体を形成したものであることを特徴とする光ディスクの製造方法。
Forming a resist film on the surface of the original plate;
Applying a patterning process to form a predetermined pattern by irradiating the resist film with an electron beam;
Forming an electrode film made of a metal material on the surface of the resist film after the patterning process;
A step of laminating a metal layer on the surface of the electrode film by electroforming using the electrode film as an electrode, peeling the metal layer from the resist film together with the electrode film, and forming a stamper;
Using the stamper as a mold for molding, injection molding a synthetic resin substrate;
A step of laminating a reflective film and a protective layer on the surface of the substrate to produce an optical disc,
The metal material of the electrode film contains a silver (Ag) element as a main component, and a gold (Au) element and a copper (Cu) element as other elements are added to the silver (Ag ) element , and the silver (Ag ) element is added. ) A method for producing an optical disk, wherein a solid solution is formed from an element and the other element.
前記銀(Ag)元素を90重量パーセント以上含有することを特徴とする請求項1に記載の光ディスクの製造方法。 2. The method of manufacturing an optical disk according to claim 1, wherein the silver (Ag) element is contained by 90 weight percent or more . 原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、Forming a resist film on the surface of the original plate;
前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成するパターニング処理を施す工程と、Performing a patterning process of irradiating the resist film with an electron beam to form a predetermined pattern;
前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、Forming an electrode film made of a metal material on the surface of the resist film after the patterning process;
前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、A step of laminating a metal layer on the surface of the electrode film by electroforming using the electrode film as an electrode, peeling the metal layer from the resist film together with the electrode film, and forming a stamper;
前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程と、Using the stamper as a mold for molding, injection molding a synthetic resin substrate;
前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディスクを製造する工程とを備え、Laminating a reflective film and a protective layer on the surface of the substrate, and producing an optical disc,
前記電極膜の金属材料は、銀(Ag)元素を主成分として含有するとともに、金(Au)及び銅(Cu)の他の元素を含有し、かつ、前記金(Au)元素及び銅(Cu)元素の含有率をそれぞれ5.0重量パーセント以下に設定したことを特徴とする光ディスクの製造方法。The metal material of the electrode film contains a silver (Ag) element as a main component and other elements of gold (Au) and copper (Cu), and the gold (Au) element and copper (Cu). ) A method for producing an optical disc, wherein the element content is set to 5.0% by weight or less.
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