JP4423471B2 - Switching power supply - Google Patents

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Description

本発明は、トランスを介して直流電源から負荷に電力を供給するスイッチング電源装置に関し、とくにソフトスイッチング(零電圧スイッチング)方式によってシンプルな構成でスイッチング損失を抑制できるスイッチング電源装置に関する。   The present invention relates to a switching power supply that supplies power from a DC power supply to a load via a transformer, and more particularly to a switching power supply that can suppress switching loss with a simple configuration by a soft switching (zero voltage switching) system.

従来から、トランスを介して直流電源から負荷に電力を供給するスイッチング電源装置では、その力率改善と波形改善を行うために種々の工夫がなされている(特許文献1参照)。   Conventionally, in a switching power supply device that supplies power from a DC power supply to a load via a transformer, various devices have been made to improve the power factor and the waveform (see Patent Document 1).

図18は、従来のスイッチング電源装置の構成を示す回路図である。
図18において、交流電源が入力する入力端子10,11にはダイオードブリッジD1〜D6からなる整流回路12が接続されている。スイッチング電源装置の変圧器13には、第一巻線N1、第三巻線N3、および第四巻線N4が共通する鉄心の一次側に設けられ、負荷が接続される二次側には第二巻線N2が設けられている。また、整流回路12の出力端子となるダイオードD1,D2のカソードと接地点との間には、変圧器13の第三巻線N3、第一巻線N1、主半導体スイッチQ1、および抵抗R1が順次直列に接続されており、主半導体スイッチQ1にはダイオードD11が逆並列に接続されている。また、変圧器13の第四巻線N4と第一巻線N1との接続点には、平滑用のコンデンサC1の一端が接続され、その他端が接地されている。さらに、入力端子10,11には、ダイオードD3,D4を介してインダクタンスL1の一端が接続され、その他端が変圧器13の第一巻線N1と主半導体スイッチQ1との接続点に接続されている。
FIG. 18 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional switching power supply device.
In FIG. 18, a rectifier circuit 12 including diode bridges D1 to D6 is connected to input terminals 10 and 11 to which an AC power supply is input. In the transformer 13 of the switching power supply device, the first winding N1, the third winding N3, and the fourth winding N4 are provided on the primary side of the common iron core, and the secondary side to which the load is connected is the second side. Two windings N2 are provided. A third winding N3, a first winding N1, a main semiconductor switch Q1, and a resistor R1 of the transformer 13 are disposed between the cathodes of the diodes D1 and D2 serving as output terminals of the rectifier circuit 12 and the ground point. They are sequentially connected in series, and a diode D11 is connected in antiparallel to the main semiconductor switch Q1. Further, one end of a smoothing capacitor C1 is connected to the connection point between the fourth winding N4 and the first winding N1 of the transformer 13, and the other end is grounded. Furthermore, one end of the inductance L1 is connected to the input terminals 10 and 11 via diodes D3 and D4, and the other end is connected to a connection point between the first winding N1 of the transformer 13 and the main semiconductor switch Q1. Yes.

この主半導体スイッチQ1には、変圧器13の第四巻線N4、ダイオードD8、および補助半導体スイッチQ2の直列回路が並列に接続されている。また、ダイオードD11のアノードと主半導体スイッチQ1のドレインとの間にはスナバコンデンサCsの一端が接続され、スナバコンデンサCsの他端は主半導体スイッチQ1のソースとダイオードD11のカソードおよび抵抗R1との接続点に接続されている。一方、変圧器13の第二巻線N2にはダイオードD7とコンデンサC2との直列回路が接続されている。コンデンサC2の両端からは、変圧器13の第二巻線N2側に発生する電圧を整流・平滑して得られる直流電圧が、出力端子14,15を介して図示しない負荷に供給される。   A series circuit of the fourth winding N4 of the transformer 13, the diode D8, and the auxiliary semiconductor switch Q2 is connected in parallel to the main semiconductor switch Q1. One end of a snubber capacitor Cs is connected between the anode of the diode D11 and the drain of the main semiconductor switch Q1, and the other end of the snubber capacitor Cs is connected to the source of the main semiconductor switch Q1, the cathode of the diode D11, and the resistor R1. Connected to the connection point. On the other hand, a series circuit of a diode D7 and a capacitor C2 is connected to the second winding N2 of the transformer 13. From both ends of the capacitor C2, a DC voltage obtained by rectifying and smoothing a voltage generated on the second winding N2 side of the transformer 13 is supplied to a load (not shown) via output terminals 14 and 15.

制御回路16は、負荷に供給される直流電圧値(フィードバック電圧Vcomp)に基づいて2つの半導体スイッチQ1,Q2をオン・オフ制御することにより、負荷へ供給する直流電圧値を所望する大きさに制御するようにしたものである。この制御回路16は、負荷状態に応じて半導体スイッチQ1,Q2のオン幅を制限するパルスバイパルス信号Dppを生成するパルスバイパルス動作ブロックB1と、半導体スイッチQ1,Q2のオンオフタイミングを決めるドライブタイミングブロックB2と、継続した過電流に対して動作を規制し、さらにその規制猶予期間tdlaを設定する過電流検知ブロックB3と、ラッチ停止するためのラッチブロックB4と、半導体スイッチQ1,Q2のゲート信号を生成するドライバブロックB5と、ドライブタイミングブロックB2とラッチブロックB4をドライバブロックB5に接続する2つのオアゲートOR1,OR2とから構成されている。   The control circuit 16 performs on / off control of the two semiconductor switches Q1 and Q2 based on the DC voltage value (feedback voltage Vcomp) supplied to the load, thereby setting the DC voltage value supplied to the load to a desired magnitude. It is intended to be controlled. The control circuit 16 includes a pulse-by-pulse operation block B1 that generates a pulse-by-pulse signal Dpp that limits the on-width of the semiconductor switches Q1 and Q2 according to the load state, and a drive timing that determines the on-off timing of the semiconductor switches Q1 and Q2. Block B2, an overcurrent detection block B3 that regulates the operation against continued overcurrent, and further sets the regulation grace period tdla, a latch block B4 for latch stop, and gate signals of the semiconductor switches Q1 and Q2 Driver block B5, and two OR gates OR1 and OR2 that connect the drive timing block B2 and the latch block B4 to the driver block B5.

図19は、従来のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。
この図19に示すように、クロック信号Clkが制御回路16のドライブタイミングブロックB2に入力されると、時刻Taでクロック信号ClkがHになり、同図(b)に示すように補助半導体スイッチQ2がターンオンする。つぎに、一定時間t1が経過した時刻Tbで、同図(a)に示すように主半導体スイッチQ1がターンオンする。つぎに、一定時間t2が経過した時刻Tcになると、補助半導体スイッチQ2がターンオフし、その後、時刻Tdにはクロック信号ClkがLになって、主半導体スイッチQ1もターンオフする。
FIG. 19 is a timing chart showing operation waveforms of a conventional switching power supply device.
As shown in FIG. 19, when the clock signal Clk is input to the drive timing block B2 of the control circuit 16, the clock signal Clk becomes H at time Ta, and as shown in FIG. 19B, the auxiliary semiconductor switch Q2 Turns on. Next, at the time Tb when the fixed time t1 has elapsed, the main semiconductor switch Q1 is turned on as shown in FIG. Next, at time Tc when the predetermined time t2 has elapsed, the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off. Thereafter, at time Td, the clock signal Clk becomes L, and the main semiconductor switch Q1 is also turned off.

2つの半導体スイッチQ1,Q2は、それぞれ抵抗R1を介して接地されているので、これらの半導体スイッチQ1,Q2がオンすると、抵抗R1には所定の電流が流れる。そのとき発生する抵抗R1の両端電圧Vr1は、制御回路16のパルスバイパルス動作ブロックB1に入力される。   Since the two semiconductor switches Q1 and Q2 are grounded via the resistor R1, respectively, when these semiconductor switches Q1 and Q2 are turned on, a predetermined current flows through the resistor R1. The voltage Vr1 across the resistor R1 generated at that time is input to the pulse-by-pulse operation block B1 of the control circuit 16.

このとき、パルスバイパルス動作ブロックB1では、基準値として設定されている所定の電圧Vppを越えるか、変圧器13の二次側からのフィードバック電圧Vcompに基づく比較電圧を越えたときに、負荷状態に応じた半導体スイッチQ1,Q2のオン幅が制限される(パルスバイパルス動作)。すなわち、両端電圧Vr1が所定の電圧Vpp、またはフィードバック電圧Vcompのいずれか小さい電圧値より大きくなると、図19(c)に示すパルスバイパルス信号DppがドライブタイミングブロックB2に出力される。ドライブタイミングブロックB2では、通常であれば遅延要素T1,T2によって設定されるタイミングで半導体スイッチQ1,Q2がオンし、それぞれドライブ信号GD1,GD2がオアゲートOR1,OR2とドライバブロックB5とを介して半導体スイッチQ1,Q2のゲートに供給される。しかし、ここでパルスバイパルス信号Dppが検出されると、2つの半導体スイッチQ1,Q2へのドライブ信号GD1,GD2がともに停止される。   At this time, in the pulse-by-pulse operation block B1, when the predetermined voltage Vpp set as the reference value is exceeded or the comparison voltage based on the feedback voltage Vcomp from the secondary side of the transformer 13 is exceeded, the load state The on widths of the semiconductor switches Q1 and Q2 corresponding to the above are limited (pulse-by-pulse operation). That is, when the both-end voltage Vr1 becomes larger than the predetermined voltage Vpp or the feedback voltage Vcomp, whichever is smaller, the pulse-by-pulse signal Dpp shown in FIG. 19C is output to the drive timing block B2. In the drive timing block B2, normally, the semiconductor switches Q1 and Q2 are turned on at the timing set by the delay elements T1 and T2, and the drive signals GD1 and GD2 are transmitted through the OR gates OR1 and OR2 and the driver block B5, respectively. It is supplied to the gates of the switches Q1 and Q2. However, when the pulse-by-pulse signal Dpp is detected here, the drive signals GD1, GD2 to the two semiconductor switches Q1, Q2 are both stopped.

また、抵抗R1の両端電圧Vr1は過電流検知ブロックB3にも入力され、この過電流検知ブロックB3では過電流検知レベルとして設定した所定の電圧Voc(ただし、Voc≦Vpp)以上の入力があると、図19(d)に示す過電流検知信号Docが生成される。そして、一定の動作規制時間toc以内に過電流検知信号Docが繰り返し生成され、それが一定の規制猶予期間tdla以上継続したときに、ラッチ信号DlatがラッチブロックB4にセット信号Sとして供給される。ラッチブロックB4では出力信号Qが駆動停止継続信号Dfltとして出力されると、この駆動停止継続信号Dfltによってドライブ信号GD1,GD2がともに停止され、ドライバブロックB5では半導体スイッチQ1,Q2がオンしない動作停止状態を保持できる。   Further, the voltage Vr1 across the resistor R1 is also input to the overcurrent detection block B3, and if there is an input exceeding the predetermined voltage Voc (where Voc ≦ Vpp) set as the overcurrent detection level in this overcurrent detection block B3. The overcurrent detection signal Doc shown in FIG. 19 (d) is generated. Then, the overcurrent detection signal Doc is repeatedly generated within a certain operation regulation time toc, and the latch signal Dlat is supplied as the set signal S to the latch block B4 when the overcurrent detection signal Doc continues for a certain regulation grace period tdla. When the output signal Q is output as the drive stop continuation signal Dflt in the latch block B4, the drive signals GD1 and GD2 are both stopped by the drive stop continuation signal Dflt, and the semiconductor block Q1 and Q2 are not turned off in the driver block B5. Can hold state.

このラッチブロックB4へ入力する信号が、過電流検知信号Docではなくラッチ信号Dlatとなっているのは、過電流検知信号Docが一定の規制猶予期間tdlaの間、継続してHレベルであったとき初めて、ラッチブロックB4をラッチするためである。すなわち、ラッチブロックB4へのセット信号Sのタイミングを規制猶予期間tdlaだけ遅らせて、ラッチブロックB4をラッチするためである。ここでは、そもそも規制猶予期間tdlaを設定している目的は、連続して、あるいは間欠的に抵抗R1の両端電圧Vr1が一定時間以上にわたって過電流検知レベル(所定の電圧Voc)を越えている過電流動作状態の場合に、スイッチング電源装置の出力を停止保持することによって電源を保護することにある。なお、単発の過電流動作時にはパルスバイパルス動作によって、出力の制限が行われる。ただし、負荷短絡のような非常に大きな過電流に対して出力を停止保持するために、別個の短絡検知ブロックを設ける場合もある。   The signal input to the latch block B4 is not the overcurrent detection signal Doc but the latch signal Dlat. The overcurrent detection signal Doc is continuously at the H level during the fixed regulation grace period tdla. For the first time, the latch block B4 is latched. That is, the timing of the set signal S to the latch block B4 is delayed by the regulation grace period tdla to latch the latch block B4. Here, the purpose of setting the regulation grace period tdla in the first place is that the voltage Vr1 across the resistor R1 exceeds the overcurrent detection level (predetermined voltage Voc) over a certain time continuously or intermittently. In the current operation state, the power supply is protected by stopping and holding the output of the switching power supply device. In the single overcurrent operation, the output is limited by the pulse-by-pulse operation. However, a separate short-circuit detection block may be provided in order to stop and hold the output against a very large overcurrent such as a load short circuit.

図20は、従来のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。ここでは、従来のスイッチング電源装置のスイッチング制御動作について、同図(a)に示すクロック信号Clkの1サイクルを期間I〜IVに区分して説明する。   FIG. 20 is a timing chart showing operation waveforms of the entire conventional switching power supply device. Here, the switching control operation of the conventional switching power supply device will be described by dividing one cycle of the clock signal Clk shown in FIG.

期間Iでは、同図(b),(c)のQ1オン信号GD1、Q2オン信号GD2に示すように、主半導体スイッチQ1がオフであって、補助半導体スイッチQ2がオンするから、スイッチング電源装置には図21に示すような電流経路が形成される。主半導体スイッチQ1をオンする前に補助半導体スイッチQ2をオンし、スナバコンデンサCsの電荷が変圧器13の第四巻線N4を介して放電される(図20(f))。この第四巻線N4は、ここではスナバコンデンサCsを電源とするため、図21に示されている矢印の極性に励磁される。   In the period I, as indicated by the Q1 on signal GD1 and the Q2 on signal GD2 in FIGS. 2B and 2C, the main semiconductor switch Q1 is off and the auxiliary semiconductor switch Q2 is on. A current path as shown in FIG. 21 is formed. Before turning on the main semiconductor switch Q1, the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on, and the electric charge of the snubber capacitor Cs is discharged through the fourth winding N4 of the transformer 13 (FIG. 20 (f)). The fourth winding N4 is excited with the polarity of the arrow shown in FIG. 21 because the snubber capacitor Cs is used as the power source here.

このとき、変圧器13の第一巻線N1と第四巻線N4は、一つの変圧器13の巻線を構成しているため、第一巻線N1にも図21に示す極性で逆起電圧Vn1が発生して、励磁電流In1が流れ、スナバコンデンサCsの電荷は第一巻線N1を介して電解コンデンサC1に回生される。この励磁電流(回生電流)In4については、
(N4の巻数)×In4=(N1巻数)×In1
の関係が成り立つ。また、励磁電流In4が流れる期間は、第四巻線N4と第一巻線N1の漏れインダクタンスとスナバコンデンサCsにより決定される。
At this time, since the first winding N1 and the fourth winding N4 of the transformer 13 constitute one winding of the transformer 13, the first winding N1 also has a back electromotive force with the polarity shown in FIG. The voltage Vn1 is generated, the exciting current In1 flows, and the electric charge of the snubber capacitor Cs is regenerated to the electrolytic capacitor C1 through the first winding N1. About this excitation current (regenerative current) In4,
(Number of turns of N4) × In4 = (Number of turns of N1) × In1
The relationship holds. The period during which the exciting current In4 flows is determined by the leakage inductance of the fourth winding N4 and the first winding N1 and the snubber capacitor Cs.

期間IIでは、スイッチング電源装置には図22に示すような電流経路が形成される。スナバコンデンサCsの電圧が零電圧になったところで主半導体スイッチQ1がオンし、主半導体スイッチQ1は零電圧、零電流スイッチング状態となる。このとき、第一巻線N1には電解コンデンサC1の電圧が印加され、変圧器13の第二巻線N2、第三巻線N3、および第四巻線N4には、それぞれ図22に示されている矢印の極性に逆起電圧Vn2,Vn3,Vn4が発生する。そのため、補助半導体スイッチQ2の励磁電流In4は、逆起電圧Vn4のために減少する。そして、励磁電流In4が零となった時点で補助半導体スイッチQ2がオフし、補助半導体スイッチQ2は零電圧、零電流スイッチング状態となる。なお、期間Iにおいて励磁電流In4は、変圧器13の励磁エネルギーとして蓄えられているため、主半導体スイッチQ1がオンしたとき、励磁電流In1は励磁エネルギー分の初期値をもって流れる。   In the period II, a current path as shown in FIG. 22 is formed in the switching power supply device. When the voltage of the snubber capacitor Cs becomes zero, the main semiconductor switch Q1 is turned on, and the main semiconductor switch Q1 enters a zero voltage / zero current switching state. At this time, the voltage of the electrolytic capacitor C1 is applied to the first winding N1, and the second winding N2, the third winding N3, and the fourth winding N4 of the transformer 13 are respectively shown in FIG. Back electromotive voltages Vn2, Vn3, and Vn4 are generated at the polarities of the arrows. Therefore, the excitation current In4 of the auxiliary semiconductor switch Q2 decreases due to the back electromotive voltage Vn4. When the exciting current In4 becomes zero, the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off, and the auxiliary semiconductor switch Q2 enters a zero voltage / zero current switching state. Since the excitation current In4 is stored as the excitation energy of the transformer 13 in the period I, when the main semiconductor switch Q1 is turned on, the excitation current In1 flows with an initial value corresponding to the excitation energy.

期間IIIでは、スイッチング電源装置には図23に示すような電流経路が形成される。主半導体スイッチQ1がオフすると励磁電流In1はスナバコンデンサCsに流れ込むため、主半導体スイッチQ1は零電圧スイッチングとなり、また、変圧器13に蓄えられた励磁エネルギーは第二巻線N2から放出する。第三巻線N3に発生する電圧Vn3と入力端子10,11間に加わる電圧との和が、電解コンデンサC1の両端電圧Vc1より大きくなったとき(入力電圧+Vn3>Vc1)、第三巻線N3に電流が流れる。このとき、主半導体スイッチQ1には、電圧(Vc1+Vn1)が加わり、補助半導体スイッチQ2には、電圧(Vc1+Vn1+Vn4)が加わる。   In the period III, a current path as shown in FIG. 23 is formed in the switching power supply device. When the main semiconductor switch Q1 is turned off, the excitation current In1 flows into the snubber capacitor Cs, so that the main semiconductor switch Q1 is switched to zero voltage, and the excitation energy stored in the transformer 13 is released from the second winding N2. When the sum of the voltage Vn3 generated in the third winding N3 and the voltage applied between the input terminals 10 and 11 becomes larger than the voltage Vc1 across the electrolytic capacitor C1 (input voltage + Vn3> Vc1), the third winding N3 Current flows through At this time, a voltage (Vc1 + Vn1) is applied to the main semiconductor switch Q1, and a voltage (Vc1 + Vn1 + Vn4) is applied to the auxiliary semiconductor switch Q2.

この期間IIIには、スナバコンデンサCsと第一巻線N1の漏れインダクタンスにより振動が発生し、第一巻線N1には振動電流In1が流れる。このため、変圧器13の第二巻線N2と第三巻線N3にも、振動電流In1の影響を受けて振動電流In2,In3が流れる。また、インダクタンスL1には電解コンデンサC1の両端電圧Vc1に関係なく電流を流せる。図中Q2耐圧とあるのは、補助半導体スイッチQ2の耐圧(ブレークダウン電圧)である。   During this period III, vibration is generated by the leakage inductance of the snubber capacitor Cs and the first winding N1, and the oscillating current In1 flows through the first winding N1. For this reason, the oscillating currents In2 and In3 also flow through the second winding N2 and the third winding N3 of the transformer 13 due to the influence of the oscillating current In1. In addition, a current can flow through the inductance L1 regardless of the voltage Vc1 across the electrolytic capacitor C1. In the figure, Q2 breakdown voltage is the breakdown voltage (breakdown voltage) of the auxiliary semiconductor switch Q2.

期間IVでは、スイッチング電源装置には図24に示すような電流経路が形成される。変圧器13の第二巻線N2と第三巻線N3より変圧器13に蓄えられた励磁エネルギーの放電が終了すると、スナバコンデンサCsと第一巻線N1の励磁リアクトルとで共振を開始する。
特開2003−70249号公報(段落番号〔0010〕〜〔0037〕)
In the period IV, a current path as shown in FIG. 24 is formed in the switching power supply device. When the discharge of the excitation energy stored in the transformer 13 from the second winding N2 and the third winding N3 of the transformer 13 is completed, resonance starts with the snubber capacitor Cs and the excitation reactor of the first winding N1.
JP 2003-70249 A (paragraph numbers [0010] to [0037])

図25は、従来のスイッチング電源装置におけるアバランシェ突入時の動作波形を示すタイミング図である。
上述したスイッチング電源装置では、図20に示す通常動作時には、補助半導体スイッチQ2がオンした直後に、変圧器13の第四巻線N4、ダイオードD8、および補助半導体スイッチQ2の直列回路からなる閉ループ内で電流消費してから、主半導体スイッチQ1がオンされる。
FIG. 25 is a timing chart showing operation waveforms at the time of avalanche rush in the conventional switching power supply device.
In the above-described switching power supply device, in the normal operation shown in FIG. 20, immediately after the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on, the closed loop formed of the series circuit of the fourth winding N4 of the transformer 13, the diode D8, and the auxiliary semiconductor switch Q2 is used. After the current is consumed, the main semiconductor switch Q1 is turned on.

しかし、負荷が非常に低インピーダンスとなる負荷短絡時などには、負荷に短絡電流が流れる。すなわち、補助半導体スイッチQ2がオンして、閉ループ内を電流が流れている途中で、図25に示すように励磁電流In4が正の時に主半導体スイッチQ1がオンすると、その直後にパルスバイパルス動作により主半導体スイッチQ1と補助半導体スイッチQ2が同時にオフとなり、その瞬間、補助半導体スイッチQ2には第四巻線N4に発生する逆起電圧Vn4によって跳ね上がり電圧が印加される。   However, when the load has a very low impedance, a short-circuit current flows through the load. That is, when the main semiconductor switch Q1 is turned on when the excitation current In4 is positive as shown in FIG. 25 while the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on and the current is flowing in the closed loop, the pulse-by-pulse operation is performed immediately thereafter. Thus, the main semiconductor switch Q1 and the auxiliary semiconductor switch Q2 are simultaneously turned off, and at that moment, a jumping voltage is applied to the auxiliary semiconductor switch Q2 by the back electromotive voltage Vn4 generated in the fourth winding N4.

したがって、補助半導体スイッチQ2のドレイン・ソース間電圧Vds2がブレークダウン電圧を越えて、最悪の場合には半導体スイッチがアバランシェ動作となるという問題があった。   Therefore, the drain-source voltage Vds2 of the auxiliary semiconductor switch Q2 exceeds the breakdown voltage, and in the worst case, the semiconductor switch has an avalanche operation.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、補助半導体スイッチに印加される電圧が突発的に上昇する動作となり得るような、負荷が非常に低インピーダンスの時でも、過電流検出により補助半導体スイッチをオフ状態に保持することによって、補助半導体スイッチに印加される電圧を抑制でき、半導体スイッチのドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でも補助半導体スイッチのドレイン・ソース間電圧がブレークダウン電圧を越えてアバランシェ動作に到ることがないようにしたスイッチング電源装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a point, and even when the load is very low impedance so that the voltage applied to the auxiliary semiconductor switch may suddenly rise, the overcurrent detection is performed. By holding the auxiliary semiconductor switch in the OFF state, the voltage applied to the auxiliary semiconductor switch can be suppressed, and even if the drain-source voltage of the semiconductor switch is the highest, the drain-source voltage of the auxiliary semiconductor switch is broken down. It is an object of the present invention to provide a switching power supply device that does not reach an avalanche operation beyond a voltage.

本発明では、上記問題を解決するために、トランスを介して直流電源から負荷に電力を供給するスイッチング電源装置において、前記トランスの第一巻線に直列に接続された主半導体スイッチと、前記主半導体スイッチに並列に接続されたスナバコンデンサと、前記主半導体スイッチがオンする前にオンすることによって、前記スナバコンデンサの電荷を放電する補助半導体スイッチと、前記負荷に流れる過電流が検知されると前記主半導体スイッチおよび補助半導体スイッチをオフ状態に切り換えるとともに、前記過電流が所定の規制猶予期間を越えて継続して検知されると前記負荷への電力供給を停止するように制御する制御回路と、を備え、前記制御回路では、前記過電流を検知したとき過電流検知信号を生成することによって、所定の動作規制時間だけ前記補助半導体スイッチのオフ状態を保持するようにしたことを特徴とするスイッチング電源装置が提供される。   In the present invention, in order to solve the above problem, in a switching power supply that supplies power from a DC power supply to a load via a transformer, a main semiconductor switch connected in series to the first winding of the transformer; A snubber capacitor connected in parallel to the semiconductor switch, an auxiliary semiconductor switch that discharges the charge of the snubber capacitor by turning on before the main semiconductor switch is turned on, and an overcurrent flowing through the load is detected A control circuit for switching the main semiconductor switch and the auxiliary semiconductor switch to an OFF state and controlling the supply of power to the load to be stopped when the overcurrent is continuously detected beyond a predetermined regulation grace period; The control circuit generates an overcurrent detection signal when the overcurrent is detected, thereby generating a predetermined value. Switching power supply apparatus is provided, characterized in that only the movement limiting time so as to hold the off-state of the auxiliary semiconductor switch.

本発明によれば、負荷短絡時や起動時のように、負荷が非常に低インピーダンスの時に補助半導体スイッチに印加される電圧を抑制できる。そのため、スイッチング電源装置で半導体スイッチとして使用するMOSFETの選択幅が広がり、例えば耐圧の低いMOSFETを使用することもできる。また、オン抵抗が下がるので損失改善が図れる。さらに、半導体スイッチのドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でも補助半導体スイッチがアバランシェ動作に到ることを防止できるため、保護素子を追加することなしにシンプルな電源回路を構成でき、実装面積を低減するなどの効果もある。   According to the present invention, it is possible to suppress the voltage applied to the auxiliary semiconductor switch when the load has a very low impedance, such as when the load is short-circuited or started. Therefore, the selection range of MOSFETs used as semiconductor switches in the switching power supply device is widened. For example, MOSFETs with low breakdown voltage can be used. Further, since the on-resistance is lowered, the loss can be improved. In addition, even if the drain-source voltage of the semiconductor switch is the highest, the auxiliary semiconductor switch can be prevented from reaching avalanche operation, so a simple power supply circuit can be configured without adding a protective element, and the mounting area can be reduced. There are also effects such as reduction.

以下、図面を参照してこの発明の実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るスイッチング電源装置の構成を示す回路図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a switching power supply device according to the first embodiment of the present invention.

図1において、図18のスイッチング電源装置と同様に、交流電源が入力する入力端子10,11にはダイオードブリッジD1〜D6からなる整流回路12が接続されている。整流回路12の出力端子(ダイオードD1,D2のカソード)と接地点との間には、変圧器13の第三巻線N3、第一巻線N1、主半導体スイッチQ1、および抵抗R1が順次直列に接続されており、主半導体スイッチQ1にはダイオードD11が逆並列に、スナバコンデンサCsが並列にそれぞれ接続され、変圧器13の第四巻線N4、ダイオードD8、および補助半導体スイッチQ2の直列回路が並列に接続されている。変圧器13の第四巻線N4と第一巻線N1との接続点には、平滑用のコンデンサC1の一端が接続され、その他端が接地されている。また、入力端子10,11には、ダイオードD3,D4を介してインダクタンスL1の一端が接続され、その他端が変圧器13の第一巻線N1と主半導体スイッチQ1との接続点に接続されている。   In FIG. 1, a rectifier circuit 12 including diode bridges D1 to D6 is connected to input terminals 10 and 11 to which AC power is input, as in the switching power supply device of FIG. Between the output terminal of the rectifier circuit 12 (the cathodes of the diodes D1 and D2) and the ground point, the third winding N3, the first winding N1, the main semiconductor switch Q1, and the resistor R1 of the transformer 13 are sequentially connected in series. The diode D11 is connected in antiparallel to the main semiconductor switch Q1, and the snubber capacitor Cs is connected in parallel. The fourth circuit N4 of the transformer 13, the diode D8, and the auxiliary semiconductor switch Q2 are connected in series. Are connected in parallel. One end of a smoothing capacitor C1 is connected to the connection point between the fourth winding N4 and the first winding N1 of the transformer 13, and the other end is grounded. In addition, one end of an inductance L1 is connected to the input terminals 10 and 11 via diodes D3 and D4, and the other end is connected to a connection point between the first winding N1 of the transformer 13 and the main semiconductor switch Q1. Yes.

また、図18で説明した従来装置と同様に、主半導体スイッチQ1のソースと補助半導体スイッチQ2のソースには、抵抗R1の一端と、制御回路16のパルスバイパルス動作ブロックB1、および過電流検知ブロックB3が接続されている。図18の従来装置と異なるのは、制御回路16において過電流検知ブロックB3がラッチブロックB4だけでなく、ドライブタイミングブロックB2にも接続されている点である。   Similarly to the conventional device described with reference to FIG. 18, the source of the main semiconductor switch Q1 and the source of the auxiliary semiconductor switch Q2 include one end of the resistor R1, the pulse-by-pulse operation block B1 of the control circuit 16, and the overcurrent detection. Block B3 is connected. The difference from the conventional apparatus of FIG. 18 is that in the control circuit 16, the overcurrent detection block B3 is connected not only to the latch block B4 but also to the drive timing block B2.

すなわち、ドライブタイミングブロックB2の入力側にはアンドゲートG1が設けられ、そこにパルスバイパルス動作ブロックB1からのパルスバイパルス信号Dppとクロック信号Clkが入力されている。アンドゲートG1の出力は、アンドゲートG2,G3と遅延要素T1,T2にそれぞれ入力され、遅延要素T1からの遅延信号Dt1は、アンドゲートG2と遅延要素T2にそれぞれ入力されている。また、遅延要素T2からの遅延信号Dt2は、反転されてアンドゲートG3に入力されている。アンドゲートG3には、さらに過電流検知ブロックB3の過電流検知信号Docが反転されて入力されている。そして、これらアンドゲートG2,G3の反転出力であるドライブ信号GD1,GD2が、それぞれオアゲートOR1,OR2を介してドライバブロックB5に供給されている。   That is, an AND gate G1 is provided on the input side of the drive timing block B2, and the pulse-by-pulse signal Dpp and the clock signal Clk from the pulse-by-pulse operation block B1 are input thereto. The output of the AND gate G1 is input to the AND gates G2 and G3 and the delay elements T1 and T2, respectively, and the delay signal Dt1 from the delay element T1 is input to the AND gate G2 and the delay element T2, respectively. The delay signal Dt2 from the delay element T2 is inverted and input to the AND gate G3. The overcurrent detection signal Doc of the overcurrent detection block B3 is further inverted and input to the AND gate G3. Drive signals GD1 and GD2 which are inverted outputs of the AND gates G2 and G3 are supplied to the driver block B5 via the OR gates OR1 and OR2, respectively.

制御回路16のドライバブロックB5は、それぞれ相異なる導電型のMOSFETの半導体スイッチQ11,Q12およびQ13,Q14(CMOSインバータ)からなり、主半導体スイッチQ1と補助半導体スイッチQ2を駆動するように、ドライバブロックB5とドライブタイミングブロックB2とが接続されている。なお、これらの主半導体スイッチQ1、補助半導体スイッチQ2には、いずれもMOSFETが使用される。   The driver block B5 of the control circuit 16 comprises semiconductor switches Q11, Q12 and Q13, Q14 (CMOS inverters) of different conductivity type MOSFETs, and the driver block B5 drives the main semiconductor switch Q1 and the auxiliary semiconductor switch Q2. B5 and drive timing block B2 are connected. Note that MOSFETs are used for the main semiconductor switch Q1 and the auxiliary semiconductor switch Q2.

図2は、パルスバイパルス動作ブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。
同図(a)には、パルスバイパルス動作ブロックB1に入力されるフィードバック電圧Vcompを示しており、同図(b)には、パルスバイパルス動作ブロックB1で設定された所定電圧Vppを示す。このパルスバイパルス動作ブロックB1では、抵抗R1の両端電圧Vr1に対してVcompが第1の比較電圧、所定電圧Vppが第2の比較電圧として、パルスバイパルス動作が実行される。すなわち、パルスバイパルス動作ブロックB1に入力される両端電圧Vr1が第1の比較電圧Vcompより大きくなるか、あるいは第2の比較電圧である所定電圧Vppより大きくなるタイミングで、パルスバイパルス信号Dppを出力している。
FIG. 2 is a timing diagram showing signal waveforms in the pulse-by-pulse operation block.
FIG. 4A shows the feedback voltage Vcomp input to the pulse-by-pulse operation block B1, and FIG. 4B shows the predetermined voltage Vpp set in the pulse-by-pulse operation block B1. In this pulse-by-pulse operation block B1, the pulse-by-pulse operation is executed with the voltage Vcomp being the first comparison voltage and the predetermined voltage Vpp being the second comparison voltage with respect to the voltage Vr1 across the resistor R1. That is, at the timing when the both-end voltage Vr1 input to the pulse-by-pulse operation block B1 becomes larger than the first comparison voltage Vcomp or becomes larger than the predetermined voltage Vpp as the second comparison voltage, the pulse-by-pulse signal Dpp is Output.

図3は、ドライブタイミングブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。
同図(a)には、一定周期、かつ一定デューティのクロック信号Clkを示している。ここで、同図(b)に示すパルスバイパルス信号Dppが生成されていないタイミングでは、同図(c),(d)に示すタイミングで遅延信号Dt1,Dt2が出力されるため、クロック信号ClkがHレベルになるタイミングでドライブ信号GD2が立ち上がり(同図(f))、t1経過後にドライブ信号GD1が立ち上がる(同図(e))。そして、さらにt2経過後にドライブ信号GD2がLレベルになり、クロック信号ClkがLレベルになるタイミングでドライブ信号GD1もLレベルになる。
FIG. 3 is a timing diagram showing signal waveforms in the drive timing block.
FIG. 2A shows a clock signal Clk having a constant period and a constant duty. Here, since the delay signals Dt1 and Dt2 are output at the timings shown in (c) and (d) at the timing when the pulse-by-pulse signal Dpp shown in (b) is not generated, the clock signal Clk The drive signal GD2 rises at the timing when becomes H level ((f) in the figure), and the drive signal GD1 rises after t1 ((e) in the figure). Further, after the elapse of t2, the drive signal GD2 becomes L level, and the drive signal GD1 also becomes L level at the timing when the clock signal Clk becomes L level.

なお、図3(b)に示すようなタイミングでパルスバイパルス信号Dppが生成されたときには、ドライブタイミングブロックB2はドライブ信号GD1,GD2をオフ状態に切り換えるように動作する。   When the pulse-by-pulse signal Dpp is generated at the timing shown in FIG. 3B, the drive timing block B2 operates to switch the drive signals GD1 and GD2 to the off state.

図4は、過電流検知ブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。
同図(a)には、過電流検知ブロックB3に入力する抵抗R1の両端電圧Vr1を示しており、同図(b)には、この両端電圧Vr1に同期して生成される過電流検知信号Docを示す。この過電流検知ブロックB3には、所定の動作規制時間tocが設定されており、この動作規制時間toc以内に両端電圧Vr1の再入力が検出されないときは、過電流検知信号DocがLレベルに復帰し、動作規制時間tocで繰り返し再入力があれば、一定の規制猶予期間tdla以上継続したときには、同図(c)に示すようにラッチ信号Dlatが出力される。このラッチ信号Dlatにより、つぎに説明するラッチブロックB4で駆動停止継続信号Dfltを形成することによって、半導体スイッチQ1,Q2がオンしない動作停止状態が保持できる。
FIG. 4 is a timing chart showing signal waveforms in the overcurrent detection block.
FIG. 5A shows the voltage Vr1 across the resistor R1 input to the overcurrent detection block B3. FIG. 4B shows an overcurrent detection signal generated in synchronization with the voltage Vr1 across the resistor R1. Doc is shown. In this overcurrent detection block B3, a predetermined operation restriction time toc is set, and when the re-input of the both-end voltage Vr1 is not detected within this operation restriction time toc, the overcurrent detection signal Doc returns to the L level. If the re-input is repeated at the operation restriction time toc, the latch signal Dlat is output as shown in FIG. With this latch signal Dlat, the operation stop state in which the semiconductor switches Q1 and Q2 are not turned on can be held by forming the drive stop continuation signal Dflt in the latch block B4 described next.

図5は、ラッチブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。
同図(a)には、ラッチブロックB4にセット信号Sとして供給されるラッチ信号Dlatを示しており、同図(b)には、Hレベルに保持されたリセット信号Rを示す。ここでは、同図(c)に示すように、一度、セット信号SとしてHレベルのラッチ信号Dlatがあると、その出力信号Qである駆動停止継続信号DfltはHレベルに固定される。なお、Hレベルに固定された駆動停止継続信号Dfltは、その後にリセット信号RとしてLレベルが入力されたとき、もしくはラッチブロックB4の電源がラッチ保持電圧(Vlat)を下回ったとき、Lレベルに復帰する。スイッチング電源装置では、その電源機能の目的とするところに応じて、いずれかの手順が選択される。
FIG. 5 is a timing chart showing signal waveforms in the latch block.
FIG. 4A shows the latch signal Dlat supplied as the set signal S to the latch block B4, and FIG. 4B shows the reset signal R held at the H level. Here, as shown in FIG. 6C, once the set signal S has the H level latch signal Dlat, the drive stop continuation signal Dflt, which is the output signal Q, is fixed at the H level. The drive stop continuation signal Dflt fixed at the H level is set to the L level when the L level is subsequently input as the reset signal R or when the power supply of the latch block B4 falls below the latch holding voltage (Vlat). Return. In the switching power supply device, one of the procedures is selected according to the purpose of the power supply function.

つぎに、上記のように構成したスイッチング電源装置の動作について説明する。
図6は、図1のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。
定常動作の間は、図20の従来装置においてすでに説明したように、補助半導体スイッチQ2ターンオン→(t1経過)→主半導体スイッチQ1ターンオン→(t2経過)→補助半導体スイッチQ2ターンオフ→主半導体スイッチQ1ターンオフの手順が実行される。
Next, the operation of the switching power supply device configured as described above will be described.
FIG. 6 is a timing chart showing operation waveforms of the switching power supply device of FIG.
During the steady operation, as already described in the conventional device of FIG. 20, the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on → (t1 elapsed) → main semiconductor switch Q1 is turned on → (t2 elapsed) → auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off → main semiconductor switch Q1. A turn-off procedure is performed.

また、パルスバイパルス動作ブロックB1では、図2の信号波形図に示すように抵抗R1の両端電圧Vr1が所定の電圧Vppまたはフィードバック電圧Vcompのいずれか小さい値以上の大きさとなったとき、図6(c)に示すパルスバイパルス信号Dppが出力される。その時点で、主半導体スイッチQ1と補助半導体スイッチQ2のいずれか一方のゲート信号がオン(Hレベル)となっていた場合は、図6(a),(b)に示すように、ドライブ信号GD1,GD2を強制的にLレベルにして、主半導体スイッチQ1と補助半導体スイッチQ2をターンオフする。また、同図(d)に示す過電流検知信号Docは、過電流の検知後、設定された動作規制時間tocだけ継続されるため、補助半導体スイッチQ2に印加される電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でも補助半導体スイッチQ2がアバランシェ動作に到ることを防止できる。   Further, in the pulse-by-pulse operation block B1, as shown in the signal waveform diagram of FIG. 2, when the voltage Vr1 across the resistor R1 becomes greater than or equal to the predetermined voltage Vpp or the feedback voltage Vcomp, the value shown in FIG. A pulse-by-pulse signal Dpp shown in (c) is output. At that time, if the gate signal of either the main semiconductor switch Q1 or the auxiliary semiconductor switch Q2 is on (H level), as shown in FIGS. 6A and 6B, the drive signal GD1 , GD2 are forcibly set to L level to turn off the main semiconductor switch Q1 and the auxiliary semiconductor switch Q2. In addition, since the overcurrent detection signal Doc shown in FIG. 6D is continued for the set operation regulation time toc after the overcurrent is detected, the voltage applied to the auxiliary semiconductor switch Q2 can be suppressed, Even when the source-to-source voltage increases most, the auxiliary semiconductor switch Q2 can be prevented from reaching an avalanche operation.

図7は、図1のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。
ここでは、同図(g)に示すように両端電圧Vr1が過電流検知レベルである所定の電圧Voc以上で過電流を検知して、設定された動作規制時間tocだけ過電流検知信号Docが出力される。すなわち、その期間だけ補助半導体スイッチQ2がターンオンしない。これによって、補助半導体スイッチQ2のドレイン・ソース間に印加される電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でも補助半導体スイッチQ2がアバランシェ動作に到ることを防止できる。
FIG. 7 is a timing chart showing operation waveforms of the entire switching power supply device of FIG.
Here, as shown in FIG. 5G, an overcurrent is detected when the both-end voltage Vr1 is equal to or higher than a predetermined voltage Voc that is an overcurrent detection level, and an overcurrent detection signal Doc is output for a set operation regulation time toc. Is done. That is, the auxiliary semiconductor switch Q2 is not turned on only during that period. As a result, the voltage applied between the drain and source of the auxiliary semiconductor switch Q2 can be suppressed, and even when the drain-source voltage rises most, the auxiliary semiconductor switch Q2 can be prevented from reaching an avalanche operation.

以上説明したように、第1の実施形態に係るスイッチング電源装置では、制御回路16において過電流を検知したとき過電流検知信号Docを生成することによって、所定の動作規制時間tocだけ補助半導体スイッチQ2のオフ状態を保持するようにした。したがって、補助半導体スイッチQ2のドレイン・ソース間に印加される電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でもアバランシェ動作に到ることを防止できる。   As described above, in the switching power supply according to the first embodiment, when the overcurrent is detected in the control circuit 16, the overcurrent detection signal Doc is generated, so that the auxiliary semiconductor switch Q2 is operated for the predetermined operation regulation time toc. Was kept off. Therefore, the voltage applied between the drain and source of the auxiliary semiconductor switch Q2 can be suppressed, and even when the drain-source voltage rises most, it can be prevented that the avalanche operation is reached.

(第2の実施形態)
図8は、本発明の第2の実施形態に係るスイッチング電源装置における制御回路の構成を示す回路図である。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a control circuit in the switching power supply device according to the second embodiment of the present invention.

ここでは図示しないが、第1の実施形態におけるスイッチング電源装置と同様に、交流電源が入力する入力端子10,11にはダイオードブリッジD1〜D6からなる整流回路12が接続されている。整流回路12の出力端子(ダイオードD1,D2のカソード)と接地点との間には、変圧器13の第三巻線N3、第一巻線N1、主半導体スイッチQ1、および抵抗R1が順次直列に接続されており、主半導体スイッチQ1にはダイオードD11が逆並列に接続されている。変圧器13の第四巻線N4と第一巻線N1との接続点には、平滑用のコンデンサC1の一端が接続され、その他端が接地されている。また、入力端子10,11には、ダイオードD3,D4を介してインダクタンスL1の一端が接続され、その他端が変圧器13の第一巻線N1と主半導体スイッチQ1との接続点に接続されている。   Although not shown here, the rectifier circuit 12 including the diode bridges D1 to D6 is connected to the input terminals 10 and 11 to which the AC power is input, similarly to the switching power supply device in the first embodiment. Between the output terminal of the rectifier circuit 12 (the cathodes of the diodes D1 and D2) and the ground point, the third winding N3, the first winding N1, the main semiconductor switch Q1, and the resistor R1 of the transformer 13 are sequentially connected in series. The diode D11 is connected in antiparallel to the main semiconductor switch Q1. One end of a smoothing capacitor C1 is connected to the connection point between the fourth winding N4 and the first winding N1 of the transformer 13, and the other end is grounded. In addition, one end of an inductance L1 is connected to the input terminals 10 and 11 via diodes D3 and D4, and the other end is connected to a connection point between the first winding N1 of the transformer 13 and the main semiconductor switch Q1. Yes.

図8の制御回路16が第1の実施形態と異なるのは、図18で説明した従来装置に加え、起動時停止ブロックB6がドライブタイミングブロックB2に接続されている点である。すなわち、起動時停止ブロックB6には、出力端子14,15に接続された負荷への出力電圧Voutがフィードバックされ、ここで検出された起動時停止信号DstがドライブタイミングブロックB2の出力側に設けられたアンドゲートG3に反転して入力されている。   The control circuit 16 of FIG. 8 is different from the first embodiment in that a start-time stop block B6 is connected to the drive timing block B2 in addition to the conventional device described in FIG. That is, an output voltage Vout to a load connected to the output terminals 14 and 15 is fed back to the start stop block B6, and the start stop signal Dst detected here is provided on the output side of the drive timing block B2. Inverted and input to the AND gate G3.

図9は、起動時停止ブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。
起動時停止ブロックB6は、出力電圧Voutが零から徐々に立ち上がっていく起動時において、その定格電圧に到達するまでの間、同図(b)に示す起動時停止信号Dstを生成するように構成されている。
FIG. 9 is a timing chart showing signal waveforms in the stop block at startup.
The startup stop block B6 is configured to generate the startup stop signal Dst shown in FIG. 5B until the rated voltage is reached during startup when the output voltage Vout gradually rises from zero. Has been.

図10は、図8のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。また、図11は、図8のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。
定常動作の間は、従来装置において図20で説明したように、補助半導体スイッチQ2ターンオン→(t1経過)→主半導体スイッチQ1ターンオン→(t2経過)→補助半導体スイッチQ2ターンオフ→主半導体スイッチQ1ターンオフの手順が実行される。また、パルスバイパルス動作ブロックB1におけるパルスバイパルス動作や、過電流検知ブロックB3での過電流検知も従来通りである。
FIG. 10 is a timing chart showing operation waveforms of the switching power supply device of FIG. FIG. 11 is a timing chart showing operation waveforms of the entire switching power supply device of FIG.
During the steady operation, as described with reference to FIG. 20 in the conventional apparatus, the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on → (t1 elapsed) → main semiconductor switch Q1 is turned on → (t2 elapsed) → auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off → main semiconductor switch Q1 is turned off. The procedure is executed. Further, the pulse-by-pulse operation in the pulse-by-pulse operation block B1 and the overcurrent detection in the overcurrent detection block B3 are also conventional.

図10、図11にその概略波形を示すように、起動時停止信号Dstが出力されている期間、補助半導体スイッチQ2はターンオンしない。スイッチング電源全体動作としては、図11に示されるように、起動時の負荷が非常に低インピーダンスの際に、補助半導体スイッチQ2のドレイン・ソース間に印加される電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でも補助半導体スイッチQ2がアバランシェ動作に到ることを防止している。   As shown in FIG. 10 and FIG. 11, the auxiliary semiconductor switch Q2 is not turned on during the period when the startup stop signal Dst is output. As shown in FIG. 11, the switching power supply as a whole can suppress the voltage applied between the drain and source of the auxiliary semiconductor switch Q2 when the load at the time of startup is very low impedance. Even when the voltage rises most, the auxiliary semiconductor switch Q2 is prevented from reaching an avalanche operation.

以上説明したように、第2の実施形態に係るスイッチング電源装置では、負荷が非常に低インピーダンスである起動時に補助半導体スイッチQ2をオフ状態に保持し続けることができるから、起動時にも補助半導体スイッチQ2のドレイン・ソース間に印加される過渡電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でもアバランシェ動作に到ることを防止できる。   As described above, in the switching power supply according to the second embodiment, the auxiliary semiconductor switch Q2 can be kept in the off state at the start-up time when the load has a very low impedance. The transient voltage applied between the drain and source of Q2 can be suppressed, and even when the drain-source voltage rises most, the avalanche operation can be prevented.

(第3の実施形態)
図12は、本発明の第3の実施形態に係るスイッチング電源装置における制御回路の構成を示す回路図である。
(Third embodiment)
FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of a control circuit in the switching power supply device according to the third embodiment of the present invention.

図12に示す制御回路16では、第1の実施形態に示すスイッチング電源装置の制御回路16において、さらに起動時停止ブロックB6がドライブタイミングブロックB2に接続されている。すなわち、起動時停止ブロックB6の起動時停止信号Dstと過電流検知ブロックB3の過電流検知信号Docが、それぞれドライブタイミングブロックB2のアンドゲートG4に入力され、さらにその反転した論理出力がアンドゲートG3に入力されている。   In the control circuit 16 shown in FIG. 12, in the control circuit 16 of the switching power supply device shown in the first embodiment, a startup stop block B6 is further connected to the drive timing block B2. That is, the start-time stop signal Dst of the start-time stop block B6 and the overcurrent detection signal Doc of the overcurrent detection block B3 are respectively input to the AND gate G4 of the drive timing block B2, and the inverted logic output thereof is the AND gate G3. Has been entered.

図13は、図12のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。また、図14は、図12のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。
定常動作の間は、従来装置において図20で説明したように、補助半導体スイッチQ2ターンオン→(t1経過)→主半導体スイッチQ1ターンオン→(t2経過)→補助半導体スイッチQ2ターンオフ→主半導体スイッチQ1ターンオフの手順が実行される。また、パルスバイパルス動作ブロックB1におけるパルスバイパルス動作や、過電流検知ブロックB3での過電流検知も従来通りである。
FIG. 13 is a timing chart showing operation waveforms of the switching power supply device of FIG. FIG. 14 is a timing chart showing operation waveforms of the entire switching power supply device of FIG.
During the steady operation, as described in FIG. 20 in the conventional apparatus, the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on → (t1 elapsed) → the main semiconductor switch Q1 is turned on → (t2 elapsed) → the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off → the main semiconductor switch Q1 is turned off. The procedure is executed. Further, the pulse-by-pulse operation in the pulse-by-pulse operation block B1 and the overcurrent detection in the overcurrent detection block B3 are also conventional.

図13にその概略波形を示すように、起動時停止信号が出力されていて、かつ過電流検知信号が出力されている期間補助半導体スイッチQ2はターンオンしない。スイッチング電源全体動作としては、図14に示されるように、起動時停止信号Dstが出力されている期間であって、両端電圧Vr1が過電流検知レベルである所定の電圧Voc以上であるとき、負荷の過電流を検知して、設定された動作規制時間tocだけ過電流検知信号Docが出力される。すなわち、その期間だけ補助半導体スイッチQ2はターンオンしない。これによって、補助半導体スイッチQ2のドレイン・ソース間に印加される電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でも補助半導体スイッチQ2がアバランシェ動作に到ることを防止できる。   As shown in the schematic waveform in FIG. 13, the auxiliary semiconductor switch Q2 is not turned on during the period when the start-time stop signal is output and the overcurrent detection signal is output. As shown in FIG. 14, the entire switching power supply operation is a period during which the start-time stop signal Dst is output, and when the both-end voltage Vr1 is equal to or higher than a predetermined voltage Voc that is an overcurrent detection level, The overcurrent detection signal Doc is output for the set operation regulation time toc. That is, the auxiliary semiconductor switch Q2 is not turned on only during that period. As a result, the voltage applied between the drain and source of the auxiliary semiconductor switch Q2 can be suppressed, and even when the drain-source voltage rises most, the auxiliary semiconductor switch Q2 can be prevented from reaching an avalanche operation.

以上説明したように、第3の実施形態に係るスイッチング電源装置では、負荷が非常に低インピーダンスである起動時に、補助半導体スイッチQ2をオフ状態に保持し続けることができ、しかも制御回路16において過電流を検知したとき過電流検知信号Docを生成することによって、所定の動作規制時間tocだけ補助半導体スイッチQ2のオフ状態を保持するようにした。したがって、補助半導体スイッチQ2をオフすることで、そこに印加される電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でもアバランシェ動作に到ることを防止できる。   As described above, in the switching power supply according to the third embodiment, the auxiliary semiconductor switch Q2 can be kept in the OFF state at the start-up time when the load has a very low impedance. By generating an overcurrent detection signal Doc when a current is detected, the auxiliary semiconductor switch Q2 is kept off for a predetermined operation regulation time toc. Therefore, by turning off the auxiliary semiconductor switch Q2, the voltage applied thereto can be suppressed, and even when the drain-source voltage rises most, the avalanche operation can be prevented.

(第4の実施形態)
図15は、本発明の第4の実施形態に係るスイッチング電源装置における制御回路の構成を示す回路図である。
(Fourth embodiment)
FIG. 15 is a circuit diagram showing a configuration of a control circuit in the switching power supply device according to the fourth embodiment of the present invention.

同図に示す制御回路16では、パルスバイパルス動作ブロックB1のパルスバイパルス信号Dppが、ドライブタイミングブロックB2のアンドゲートG1に供給されるだけでなく、遅延要素T2にも供給される。   In the control circuit 16 shown in the figure, the pulse-by-pulse signal Dpp of the pulse-by-pulse operation block B1 is supplied not only to the AND gate G1 of the drive timing block B2, but also to the delay element T2.

図16は、図15のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。
定常動作の間は、従来装置において図20で説明したように、補助半導体スイッチQ2ターンオン→(t1経過)→主半導体スイッチQ1ターンオン→(t2経過)→補助半導体スイッチQ2ターンオフ→主半導体スイッチQ1ターンオフの手順が実行される。また、過電流検知ブロックB3での過電流検知動作も従来通りである。
FIG. 16 is a timing chart showing operation waveforms of the switching power supply device of FIG.
During the steady operation, as described with reference to FIG. 20 in the conventional apparatus, the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on → (t1 elapsed) → main semiconductor switch Q1 is turned on → (t2 elapsed) → auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off → main semiconductor switch Q1 is turned off. The procedure is executed. Further, the overcurrent detection operation in the overcurrent detection block B3 is the same as the conventional one.

パルスバイパルス動作ブロックB1におけるパルスバイパルス動作は、抵抗R1の両端電圧Vr1が基準値として設定されている所定の電圧Vppを越えるか、変圧器13の二次側からのフィードバック電圧Vcompに基づく比較電圧を越えたとき、パルスバイパルス信号Dppが出力され、主半導体スイッチQ1と補助半導体スイッチQ2のいずれかのゲート信号がオン(Hレベル)となっていた場合、強制的にオフ(Lレベル)となり、主半導体スイッチQ1、または補助半導体スイッチQ2がターンオフする。このパルスバイパルス動作は従来装置において説明した通りである。しかし、図16に概略波形を示すように、補助半導体スイッチQ2がターンオフする前にパルスバイパルス信号Dppが出力され、主半導体スイッチQ1のオン時間がt2未満となった場合には、その時点で主半導体スイッチQ1と補助半導体スイッチQ2へのドライブ信号GD1,GD2はオフ(Lレベル)となるから、主半導体スイッチQ1と補助半導体スイッチQ2はターンオフし、さらに所望の期間だけ補助半導体スイッチQ2はオフ状態を保持し続ける。   In the pulse-by-pulse operation in the pulse-by-pulse operation block B1, the voltage Vr1 across the resistor R1 exceeds a predetermined voltage Vpp set as a reference value, or a comparison based on the feedback voltage Vcomp from the secondary side of the transformer 13 When the voltage is exceeded, a pulse-by-pulse signal Dpp is output, and if either the main semiconductor switch Q1 or the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on (H level), it is forcibly turned off (L level). Thus, the main semiconductor switch Q1 or the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off. This pulse-by-pulse operation is as described in the conventional apparatus. However, as shown in the schematic waveform in FIG. 16, when the pulse-by-pulse signal Dpp is output before the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off and the on-time of the main semiconductor switch Q1 becomes less than t2, at that time Since the drive signals GD1 and GD2 to the main semiconductor switch Q1 and the auxiliary semiconductor switch Q2 are turned off (L level), the main semiconductor switch Q1 and the auxiliary semiconductor switch Q2 are turned off, and the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned off only for a desired period. Continue to maintain state.

図17は、図15のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。
スイッチング電源装置全体の動作としては、同図(g)に示されるように、抵抗R1の両端電圧Vr1が第1の比較電圧Vcompより大きくなるか、あるいは第2の比較電圧である所定の電圧Vpp以上となれば、パルスバイパルス信号Dppが出力され、また、主半導体スイッチQ1のオン時間がt2未満となったとき、つぎに補助半導体スイッチQ2がオンに切り換わる期間まで、補助半導体スイッチQ2はオフ状態に保持されている。これによって補助半導体スイッチQ2のドレイン・ソース間に印加される電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でも補助半導体スイッチQ2がアバランシェ動作に到ることを防止できる。
FIG. 17 is a timing chart showing operation waveforms of the entire switching power supply device of FIG.
As the operation of the entire switching power supply device, as shown in FIG. 5G, the voltage Vr1 across the resistor R1 becomes larger than the first comparison voltage Vcomp or a predetermined voltage Vpp which is the second comparison voltage. If the above is satisfied, the pulse-by-pulse signal Dpp is output, and when the on-time of the main semiconductor switch Q1 becomes less than t2, the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on until the auxiliary semiconductor switch Q2 is turned on next. Held off. As a result, the voltage applied between the drain and source of the auxiliary semiconductor switch Q2 can be suppressed, and even when the drain-source voltage rises most, the auxiliary semiconductor switch Q2 can be prevented from reaching an avalanche operation.

以上説明したように、第4の実施形態に係るスイッチング電源装置では、過電流を検知することで主半導体スイッチQ1が所定のオン期間未満で補助半導体スイッチQ2と同時にオフ状態に切り換えられたとき、つぎに主半導体スイッチQ1がオフするまでの所定期間だけ補助半導体スイッチQ2のオフ状態を保持するようにした。   As described above, in the switching power supply according to the fourth embodiment, when the main semiconductor switch Q1 is switched to the off state at the same time as the auxiliary semiconductor switch Q2 in less than a predetermined on period by detecting an overcurrent, Next, the auxiliary semiconductor switch Q2 is kept off for a predetermined period until the main semiconductor switch Q1 is turned off.

したがって、定常動作の補助半導体スイッチQ2がオフする前にパルスバイパルス信号Dppで主半導体スイッチQ1と補助半導体スイッチQ2とがオフとなった際、所望の期間だけ補助半導体スイッチQ2のオフ状態を保持することで、補助半導体スイッチQ2のドレイン・ソース間に印加される電圧を抑制でき、ドレイン・ソース間電圧が最も上昇した場合でもアバランシェ動作に到ることを防止できる。   Therefore, when the main semiconductor switch Q1 and the auxiliary semiconductor switch Q2 are turned off by the pulse-by-pulse signal Dpp before the auxiliary semiconductor switch Q2 in steady operation is turned off, the off state of the auxiliary semiconductor switch Q2 is maintained for a desired period. As a result, the voltage applied between the drain and source of the auxiliary semiconductor switch Q2 can be suppressed, and even when the drain-source voltage rises most, the avalanche operation can be prevented.

本発明の第1の実施形態に係るスイッチング電源装置の構成を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a configuration of a switching power supply device according to a first embodiment of the present invention. パルスバイパルス動作ブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the signal waveform in a pulse-by-pulse operation block. ドライブタイミングブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the signal waveform in a drive timing block. 過電流検知ブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the signal waveform in an overcurrent detection block. ラッチブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the signal waveform in a latch block. 図1のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。FIG. 2 is a timing chart showing operation waveforms of the switching power supply device of FIG. 1. 図1のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。FIG. 2 is a timing chart showing operation waveforms of the entire switching power supply device of FIG. 1. 本発明の第2の実施形態に係るスイッチング電源装置における制御回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the control circuit in the switching power supply apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 起動時停止ブロックにおける信号波形を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the signal waveform in the stop block at the time of starting. 図8のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。FIG. 9 is a timing chart showing operation waveforms of the switching power supply device of FIG. 8. 図8のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。FIG. 9 is a timing chart showing operation waveforms of the entire switching power supply device of FIG. 8. 本発明の第3の実施形態に係るスイッチング電源装置における制御回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the control circuit in the switching power supply device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図12のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。FIG. 13 is a timing chart showing operation waveforms of the switching power supply device of FIG. 12. 図12のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。FIG. 13 is a timing chart showing operation waveforms of the entire switching power supply device of FIG. 12. 本発明の第4の実施形態に係るスイッチング電源装置における制御回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the control circuit in the switching power supply apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 図15のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。FIG. 16 is a timing chart showing operation waveforms of the switching power supply device of FIG. 15. 図15のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。FIG. 16 is a timing chart showing operation waveforms of the entire switching power supply device of FIG. 15. 従来のスイッチング電源装置の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the conventional switching power supply apparatus. 従来のスイッチング電源装置の動作波形を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the operation | movement waveform of the conventional switching power supply device. 従来のスイッチング電源装置全体の動作波形を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the operation | movement waveform of the whole conventional switching power supply device. 従来のスイッチング電源装置における期間Iでの動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing in the period I in the conventional switching power supply apparatus. 従来のスイッチング電源装置における期間IIでの動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing in the period II in the conventional switching power supply device. 従来のスイッチング電源装置における期間IIIでの動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing in the period III in the conventional switching power supply apparatus. 従来のスイッチング電源装置における期間IVでの動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing in the period IV in the conventional switching power supply apparatus. 従来のスイッチング電源装置におけるアバランシェ突入時の動作波形を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the operation | movement waveform at the time of avalanche rush in the conventional switching power supply device.

符号の説明Explanation of symbols

10,11 入力端子
12 整流回路
13 変圧器
14,15 出力端子
16 制御回路
B1 パルスバイパルス動作ブロック
B2 ドライブタイミングブロック
B3 過電流検知ブロック
B4 ラッチブロック
B5 ドライバブロック
B6 起動時停止ブロック
C1,C2 コンデンサ
Cs スナバコンデンサ
D1〜D8,D11,D12 ダイオード
L1 インダクタンス
N1〜N4 巻線(第一巻線〜第四巻線)
Q1 主半導体スイッチ
Q2 補助半導体スイッチ
Q11〜Q14 半導体スイッチ
R1 抵抗
10, 11 Input terminal 12 Rectifier circuit 13 Transformer 14, 15 Output terminal 16 Control circuit B1 Pulse-by-pulse operation block B2 Drive timing block B3 Overcurrent detection block B4 Latch block B5 Driver block B6 Stop block at startup C1, C2 Capacitor Cs Snubber capacitor D1 to D8, D11, D12 Diode L1 Inductance N1 to N4 Winding (1st winding to 4th winding)
Q1 Main semiconductor switch Q2 Auxiliary semiconductor switch Q11 to Q14 Semiconductor switch R1 Resistance

Claims (4)

トランスを介して直流電源から負荷に電力を供給するスイッチング電源装置において、
前記トランスの第一巻線に直列に接続された主半導体スイッチと、
前記主半導体スイッチに並列に接続されたスナバコンデンサと、
前記主半導体スイッチがオンする前にオンすることによって、前記スナバコンデンサの電荷を放電する補助半導体スイッチと、
前記負荷に流れる過電流が検知されると前記主半導体スイッチおよび補助半導体スイッチをオフ状態に切り換えるとともに、前記過電流が所定の規制猶予期間を越えて継続して検知されると前記負荷への電力供給を停止するように制御する制御回路と、
を備え、
前記制御回路では、前記過電流を検知したとき過電流検知信号を生成することによって、所定の動作規制時間だけ前記補助半導体スイッチのオフ状態を保持するようにしたことを特徴とするスイッチング電源装置。
In a switching power supply that supplies power from a DC power supply to a load via a transformer,
A main semiconductor switch connected in series to the first winding of the transformer;
A snubber capacitor connected in parallel to the main semiconductor switch;
An auxiliary semiconductor switch that discharges the electric charge of the snubber capacitor by turning on the main semiconductor switch before turning on;
When an overcurrent flowing through the load is detected, the main semiconductor switch and the auxiliary semiconductor switch are switched to an off state, and when the overcurrent is continuously detected beyond a predetermined regulation grace period, power to the load is switched to A control circuit for controlling the supply to stop;
With
The switching power supply device according to claim 1, wherein the control circuit maintains an off state of the auxiliary semiconductor switch for a predetermined operation regulation time by generating an overcurrent detection signal when the overcurrent is detected.
トランスを介して直流電源から負荷に電力を供給するスイッチング電源装置において、
前記トランスの第一巻線に直列に接続された主半導体スイッチと、
前記主半導体スイッチに並列に接続されたスナバコンデンサと、
前記主半導体スイッチがオンする前にオンすることによって、前記スナバコンデンサの電荷を放電する補助半導体スイッチと、
前記負荷に流れる過電流が検知されると前記主半導体スイッチおよび補助半導体スイッチをオフ状態に切り換えるとともに、前記過電流が所定の規制猶予期間を越えて継続して検知されると前記負荷への電力供給を停止するように制御する制御回路と、
を備え、
前記制御回路では、電力供給の開始に際して、前記負荷の電圧が所定の大きさになるまでの間、前記補助半導体スイッチのオフ状態を保持するようにしたことを特徴とするスイッチング電源装置。
In a switching power supply that supplies power from a DC power supply to a load via a transformer,
A main semiconductor switch connected in series to the first winding of the transformer;
A snubber capacitor connected in parallel to the main semiconductor switch;
An auxiliary semiconductor switch that discharges the charge of the snubber capacitor by turning on the main semiconductor switch before turning on;
When an overcurrent flowing through the load is detected, the main semiconductor switch and the auxiliary semiconductor switch are switched to an OFF state, and when the overcurrent is continuously detected over a predetermined regulation grace period, power to the load is switched to A control circuit for controlling the supply to stop;
With
The switching power supply device according to claim 1, wherein the control circuit maintains the off state of the auxiliary semiconductor switch until the voltage of the load reaches a predetermined level at the start of power supply.
前記制御回路では、さらに前記過電流を検知したとき過電流検知信号を生成することによって、所定の動作規制時間だけ前記補助半導体スイッチのオフ状態を保持するようにしたことを特徴とする請求項2記載のスイッチング電源装置。   3. The control circuit according to claim 2, further comprising: generating an overcurrent detection signal when the overcurrent is detected, thereby maintaining the off state of the auxiliary semiconductor switch for a predetermined operation regulation time. The switching power supply device described. トランスを介して直流電源から負荷に電力を供給するスイッチング電源装置において、
前記トランスの第一巻線に直列に接続された主半導体スイッチと、
前記主半導体スイッチに並列に接続されたスナバコンデンサと、
前記主半導体スイッチがオンする前にオンすることによって、前記スナバコンデンサの電荷を放電する補助半導体スイッチと、
前記負荷に流れる過電流が検知されると前記主半導体スイッチおよび補助半導体スイッチをオフ状態に切り換えるとともに、前記過電流が所定の規制猶予期間を越えて継続して検知されると前記負荷への電力供給を停止するように制御する制御回路と、
を備え、
前記制御回路では、前記過電流を検知したことで前記主半導体スイッチが所定のオン期間未満で前記補助半導体スイッチと同時にオフ状態に切り換えられたとき、前記主半導体スイッチがつぎにオフするまでの所定期間だけ前記補助半導体スイッチのオフ状態を保持するようにしたことを特徴とするスイッチング電源装置。
In a switching power supply that supplies power from a DC power supply to a load via a transformer,
A main semiconductor switch connected in series to the first winding of the transformer;
A snubber capacitor connected in parallel to the main semiconductor switch;
An auxiliary semiconductor switch that discharges the charge of the snubber capacitor by turning on the main semiconductor switch before turning on;
When an overcurrent flowing through the load is detected, the main semiconductor switch and the auxiliary semiconductor switch are switched to an OFF state, and when the overcurrent is continuously detected over a predetermined regulation grace period, power to the load is switched to A control circuit for controlling the supply to stop;
With
In the control circuit, when the main semiconductor switch is switched to an OFF state simultaneously with the auxiliary semiconductor switch in less than a predetermined ON period due to the detection of the overcurrent, a predetermined period until the main semiconductor switch is turned OFF next A switching power supply device characterized in that the off state of the auxiliary semiconductor switch is maintained only for a period.
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