JP4412597B2 - Manufacturing method of semiconductor device, heat resistant adhesive tape and heat resistant adhesive composition used therefor - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor device, heat resistant adhesive tape and heat resistant adhesive composition used therefor Download PDF

Info

Publication number
JP4412597B2
JP4412597B2 JP2004186689A JP2004186689A JP4412597B2 JP 4412597 B2 JP4412597 B2 JP 4412597B2 JP 2004186689 A JP2004186689 A JP 2004186689A JP 2004186689 A JP2004186689 A JP 2004186689A JP 4412597 B2 JP4412597 B2 JP 4412597B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
sensitive adhesive
adhesive tape
pressure
resistant adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004186689A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006013062A (en
Inventor
光義 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2004186689A priority Critical patent/JP4412597B2/en
Publication of JP2006013062A publication Critical patent/JP2006013062A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4412597B2 publication Critical patent/JP4412597B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207Thermosonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/157Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor device which preferably prevents a resin leakage in a sealing process, and is hard to be a hindrance to an adhered tape in a series of processes or a process of separating the tape. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the semiconductor device includes at least: the mounting step of bonding a plurality of semiconductor chips 15 on the die pad 11c of a lead frame 10 made of a metal obtained by adhering a heat-resistant adhesive tape 20 to an outer pad side; the wire connecting step of electrically connecting the pointed end of the terminal of the lead frame 10 to an electrode pad 15a on the semiconductor chip 15 by a bonding wire; the sealing step of one-face sealing the side of the semiconductor chip 15 by a sealing resin 17; and the cutting step of cutting a sealed structure to a semiconductor device 21a individually. As the heat-resistant adhesive tape 20, a tape is used which comprises at least a substrate layer 20a having a heat resistance, and an adhesive layer 20b which is configured to contain acrylic system adhesives and to have a weight average molecular amount of soluble components of 500,000 or more. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&amp;NCIPI

Description

本発明は、耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームを用いる半導体装置の製造方法、及びこれに用いる耐熱性粘着テープに関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device using a metal lead frame bonded with a heat resistant adhesive tape, and a heat resistant adhesive tape used therefor.

近年、LSIの実装技術において、CSP(Chip Size/Scale Package)技術が注目されている。この技術のうち、QFN(QuadFlat Non−leaded package)に代表されるリード端子がパッケージ内部に取り込まれた形態のパッケージについては、小型化と高集積の面で特に注目されるパッケージ形態のひとつである。このようなQFNの製造方法のなかでも、近年では複数のQFN用チップをノードフレームのパッケージパターン領域のダイパッド上に整然と配列し、金型のキャビティ内で、封止樹脂にて一括封止したのち、切断によって個別のQFN構造物に切り分けることにより、リードフレーム面積あたりの生産性を飛躍的に向上させる製造方法が特に注目されている。   In recent years, CSP (Chip Size / Scale Package) technology has attracted attention in LSI mounting technology. Among these technologies, a package in which a lead terminal represented by a QFN (QuadFlat Non-Leaded package) is incorporated in the package is one of the package forms that are particularly noted in terms of miniaturization and high integration. . Among such QFN manufacturing methods, in recent years, a plurality of QFN chips are regularly arranged on a die pad in a package pattern region of a node frame, and then collectively sealed with a sealing resin in a mold cavity. In particular, a manufacturing method in which productivity per lead frame area is dramatically improved by cutting into individual QFN structures by cutting has attracted particular attention.

このような、複数の半導体チップを一括封止するQFNの製造方法においては、樹脂封止時のモールド金型によってクランプされる領域はパッケージパターン領域より更に外側に広がった樹脂封止領域の外側だけである。従って、パッケージパターン領域、特にその中央部においては、アウターリード面をモールド金型に十分な圧力で押さえることができず、封止樹脂がアウターリード側に漏れ出すことを抑えることが非常に難しく、QFNの端子等が樹脂で被覆されるという問題が生じ易い。   In such a QFN manufacturing method that collectively seals a plurality of semiconductor chips, the region clamped by the molding die at the time of resin sealing is only outside the resin sealing region that spreads further outside the package pattern region. It is. Therefore, in the package pattern region, particularly in the center thereof, the outer lead surface cannot be pressed against the mold with sufficient pressure, and it is very difficult to suppress the sealing resin from leaking to the outer lead side. The problem of QFN terminals and the like being covered with resin is likely to occur.

このため、上記のQFNの製造方法に対しては、リードフレームのアウターリード側に粘着テープを貼り付け、この粘着テープの自着力(マスキング)を利用したシール効果により、樹脂封止時のアウターリード側への樹脂漏れを防ぐ製造方法が特に効果的と考えられる。   For this reason, for the above QFN manufacturing method, an adhesive tape is attached to the outer lead side of the lead frame, and the outer lead at the time of resin sealing is obtained by a sealing effect using the self-adhesive force (masking) of the adhesive tape. A manufacturing method that prevents resin leakage to the side is considered to be particularly effective.

このような製造方法において、リードフレーム上に半導体チップを搭載した後、あるいはワイヤーボンディングを実施した後から耐熱性粘着テープの貼り合せを行うことは、ハンドリングの面で実質的に困難である。この為、耐熱性粘着テープを当初の段階でリードフレームのアウターパッド面に貼り合わせ、その後、半導体チップの搭載工程やワイヤーボンディングの工程を経て、封止樹脂による封止工程まで貼り合わせた状態にしておくのが望ましい。したがって、耐熱性粘着テープとしては、単に封止樹脂の漏れ出しを防止するだけでなく、半導体チップの搭載工程に耐える高度な耐熱性や、ワイヤボンデインヴ工程における繊細な操作性に支障をきたさないなど、これらのすべての工程を満足する特性が要求される。この要求を満足するテープとして耐熱性粘着テープが開発されている。   In such a manufacturing method, it is substantially difficult to handle the heat-resistant adhesive tape after the semiconductor chip is mounted on the lead frame or after wire bonding is performed. For this reason, heat-resistant adhesive tape is bonded to the outer pad surface of the lead frame at the initial stage, and after that, through the semiconductor chip mounting process and wire bonding process, it is also bonded to the sealing process with the sealing resin. It is desirable to keep it. Therefore, the heat-resistant adhesive tape not only prevents leakage of the sealing resin, but also does not hinder the high heat resistance that can withstand the mounting process of the semiconductor chip and the delicate operability in the wire bond process. The characteristics satisfying all these processes are required. A heat-resistant adhesive tape has been developed as a tape that satisfies this requirement.

しかしながら、樹脂漏れを防ぐ目的の為に高度な粘着性を重要視するあまり一般の溶剤型アクリル系粘着剤を使用した耐熱性粘着テープを利用すると、粘着テープの剥離工程で剥離力が大きくなり、また糊残りが生じるなどの問題点がある。
特開2004−14930号公報
However, if you use a heat-resistant adhesive tape that uses a very general solvent-based acrylic adhesive that emphasizes high-adhesion for the purpose of preventing resin leakage, the peeling force increases in the peeling process of the adhesive tape, There are also problems such as adhesive residue.
JP 2004-14930 A

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、近年の細密なQFNの中でも、とくに多数のパッケージを同時に封止する大型のマトリックスパターンタイプに対しても、耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも貼着したテープが一連の工程やテープの剥離工程で支障を来たしにくい半導体装置の製造方法、及びこれに用いる耐熱性粘着テープを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and the purpose of the present invention is to use a heat-resistant adhesive tape, particularly for a large matrix pattern type that seals a large number of packages at the same time among recent fine QFNs. Provided are a semiconductor device manufacturing method and a heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape used therefor, which suitably prevent a resin leak in a sealing process, and is less likely to cause trouble in a series of processes and a tape peeling process. There is.

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、耐熱性粘着テープの物性、材料、厚み等について鋭意検討した。その結果、水分散型アクリル系粘着剤層によって構成される耐熱性粘着テープを用いることにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。   In order to solve the above-mentioned conventional problems, the inventors of the present application have made extensive studies on the physical properties, material, thickness, and the like of the heat-resistant adhesive tape. As a result, the inventors have found that the object can be achieved by using a heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape constituted by a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive layer, and have completed the present invention.

即ち、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に複数の半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記耐熱性粘着テープとして、耐熱性を有する基材層と、アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する水分散型アクリル系粘着剤を含み構成され、かつ前記水分散型アクリル系粘着剤を130℃、1時間の条件下で乾燥させた後、酢酸エチル中に25℃で7日間浸漬して抽出されたゾル分である可溶性成分の重量平均分子量が50万以上の粘着剤層とから少なくとも構成されるものを使用することを特徴とする。 That is, in order to solve the above-described problems, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention bonds a plurality of semiconductor chips on a die pad of a metal lead frame in which a heat-resistant adhesive tape is bonded to the outer pad side. A mounting step, a wiring step of electrically connecting the terminal portion tip of the lead frame and an electrode pad on the semiconductor chip with a bonding wire, a sealing step of sealing one side of the semiconductor chip with a sealing resin, A semiconductor device manufacturing method including at least a cutting step of cutting a sealed structure into individual semiconductor devices, wherein the heat-resistant adhesive tape includes a heat-resistant base material layer and an alkyl group carbon. A monomer comprising a (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 as a main component and a carboxyl group-containing monomer is used as an emulsifier. It is constituted by containing the aqueous dispersion type acrylic pressure-sensitive adhesive containing a copolymer emulsion obtained by emulsion polymerization under, and 130 ° C. the water-dispersible acrylic pressure-sensitive adhesive, dried under the conditions of 1 hour Thereafter, a soluble component, which is a sol component extracted by immersion in ethyl acetate at 25 ° C. for 7 days, is used which is composed of at least a pressure-sensitive adhesive layer having a weight average molecular weight of 500,000 or more. .

前記の方法によれば、耐熱性粘着テープとして耐熱性を有する基材層を備えたものを使用している。この為、結線工程等で加熱されても、耐熱性粘着テープは熱膨張による反りやリードフレームからの剥離を生じ難い。また、耐熱性粘着テープは、高いシール効果を発揮することができる。よって、その様な耐熱性粘着テープがリードフレームのアウターパッド側に貼り付けられると、リードフレームの開口している部分も確実に塞ぐことができる。その結果、封止工程に於いて使用する封止樹脂が当該開口部分などから漏れるのを防止できる。よって前記の方法であると、歩留まりを向上して半導体装置を製造することができる。また前記方法では、耐熱性粘着テープに於ける粘着剤層の可溶性成分の重量平均分子量は50万以上であるので、粘着剤中に含有するモノマーや低分子量成分が少なく、よってこれらが揮発して発生するガス量を減少させる。また、たとえ製造プロセスを高温化し、これにより重量平均分子量50万以上のポリマーが熱的に切断を受けても、切断したポリマーの分子量が本来的に大きいため揮発量を低減させる。よって、この場合もガスの発生量を少なくする。その結果、発生するガスによる半導体チップの汚染を低減することができる。尚、前記「可溶性成分」とは、粘着剤層を酢酸エチル中に浸漬したときに抽出されるゾル分、即ち低分子量ポリマーを意味する。   According to the said method, the thing provided with the base material layer which has heat resistance as a heat resistant adhesive tape is used. For this reason, even when heated in the connection process or the like, the heat-resistant adhesive tape is unlikely to cause warpage due to thermal expansion or peeling from the lead frame. Moreover, the heat resistant adhesive tape can exhibit a high sealing effect. Therefore, when such a heat-resistant adhesive tape is affixed to the outer pad side of the lead frame, the open portion of the lead frame can be reliably closed. As a result, the sealing resin used in the sealing process can be prevented from leaking from the opening. Therefore, with the above method, a semiconductor device can be manufactured with improved yield. Further, in the above method, since the weight average molecular weight of the soluble component of the pressure-sensitive adhesive layer in the heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape is 500,000 or more, there are few monomers and low molecular weight components contained in the pressure-sensitive adhesive, and therefore these are volatilized. Reduce the amount of gas generated. Even if the manufacturing process is heated to a high temperature and a polymer having a weight average molecular weight of 500,000 or more is thermally cut, the amount of volatilization is reduced because the molecular weight of the cut polymer is inherently large. Therefore, in this case as well, the amount of gas generated is reduced. As a result, the contamination of the semiconductor chip by the generated gas can be reduced. The “soluble component” means a sol component extracted when the pressure-sensitive adhesive layer is immersed in ethyl acetate, that is, a low molecular weight polymer.

前記粘着剤層は、アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する水分散型アクリル系粘着剤により形成されたものである。 In the presence of an emulsifier, the pressure-sensitive adhesive layer comprises a monomer comprising a (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms in the alkyl group as a main component and a carboxyl group-containing monomer. Ru der those formed by the water-dispersible acrylic pressure-sensitive adhesive containing a copolymer emulsion obtained by emulsion polymerization.

水分散型アクリル系粘着剤は、溶剤型アクリル系粘着剤と比較して、可溶性成分の重量平均分子量やゲル分率を大きくすることができることから、粘着剤の凝集力を大きくすることができる。このために、接着剥離力を小さくすることができ、かつ被着体に対して糊残りをすることなく剥離することができる。耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも貼着した粘着テープが一連の工程やテープの剥離工程で、支障を来たしにくい半導体装置の製造方法を提供できる。   Since the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive can increase the weight average molecular weight and gel fraction of the soluble component as compared with the solvent-type acrylic pressure-sensitive adhesive, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive can be increased. For this reason, adhesive peeling force can be made small and it can peel without leaving adhesive residue with respect to a to-be-adhered body. It is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a sticking adhesive tape is less likely to cause trouble in a series of processes and a tape peeling process while suitably preventing resin leakage in a sealing process with a heat-resistant adhesive tape.

前記の課題を解決する為に、本発明に係る耐熱性粘着テープは、少なくとも、アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に複数の半導体チップをボンディングし、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続し、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止し、封止された構造物を固別の半導体装置に切断することにより該半導体装置を製造する際に用いられる耐熱性粘着テープであって、前記耐熱性粘着テープは、耐熱性を有する基材層と、アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する水分散型アクリル系粘着剤を含み構成され、かつ前記水分散型アクリル系粘着剤を130℃、1時間の条件下で乾燥させた後、酢酸エチル中に25℃で7日間浸漬して抽出されたゾル分である可溶性成分の重量平均分子量が50万以上の粘着剤層とから少なくとも構成されるものであることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the heat-resistant adhesive tape according to the present invention is bonded at least to a die pad of a metal lead frame in which a heat-resistant adhesive tape is bonded to the outer pad side , wherein electrically connecting the terminal tip of the lead frame and the electrode pads on the semiconductor chip by a bonding wire, a semiconductor chip side to one side sealed by a sealing resin, the solid-specific semiconductor a sealed structure A heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape used in manufacturing the semiconductor device by cutting into a device, wherein the heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape has a heat-resistant base material layer and an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms. It is obtained by emulsion polymerization of a monomer comprising a (meth) acrylic acid alkyl ester as a main component and a carboxyl group-containing monomer in the presence of an emulsifier. It is constituted by containing the aqueous dispersion type acrylic pressure-sensitive adhesive containing a copolymer emulsion, and 130 ° C. the water-dispersible acrylic pressure-sensitive adhesive, dried under the conditions of 1 hour at 25 ° C. in ethyl acetate It is characterized by comprising at least a pressure-sensitive adhesive layer having a weight-average molecular weight of a soluble component, which is a sol component extracted by immersion for 7 days, of 500,000 or more.

前記の構成によれば、耐熱性粘着テープの基材層は耐熱性を有するため、熱膨張による反りやリードフレームからの剥離が生じ難い。この為、高いシール効果を発揮し、前記封止工程に於いて封止樹脂の漏れを防止することができる。また、粘着剤層の可溶性成分の重量平均分子量を50万以上とすることにより、粘着剤中に含有するモノマーや低分子量成分が少なくなり、発生ガス量を減少させる。また、たとえ製造プロセスを高温化し、これによりポリマーが熱的に切断を受けても、切断したポリマーの分子量が大きいため揮発量を低減する。よって、この場合もガスの発生量を少なくすることができる。発生ガス量の低減は、半導体チップの汚染を抑制し、また剥離力を低減できるので剥離性にも優れており、被着体への糊残りも生じない。   According to the above configuration, since the base material layer of the heat resistant adhesive tape has heat resistance, warpage due to thermal expansion and peeling from the lead frame hardly occur. For this reason, a high sealing effect is exhibited, and leakage of the sealing resin can be prevented in the sealing step. Moreover, by setting the weight average molecular weight of the soluble component of the pressure-sensitive adhesive layer to 500,000 or more, monomers and low molecular weight components contained in the pressure-sensitive adhesive are reduced, and the amount of generated gas is reduced. Moreover, even if the manufacturing process is heated to a high temperature, and the polymer is thermally cut, the amount of volatilization is reduced because the molecular weight of the cut polymer is large. Therefore, in this case as well, the amount of gas generated can be reduced. The reduction in the amount of generated gas suppresses the contamination of the semiconductor chip and can reduce the peeling force, so that the peelability is excellent and no adhesive remains on the adherend.

前記粘着剤層は、アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する水分散型アクリル系粘着剤により形成されたものである。 In the presence of an emulsifier, the pressure-sensitive adhesive layer comprises a monomer comprising a (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms in the alkyl group as a main component and a carboxyl group-containing monomer. Ru der those formed by the water-dispersible acrylic pressure-sensitive adhesive containing a copolymer emulsion obtained by emulsion polymerization.

前記構成であると、粘着剤層を水分散型アクリル系粘着剤により形成されたものとすることにより、該粘着剤層の可溶性成分の重量平均分子量を50万以上にすることができる。水分散型アクリル系粘着剤は、溶剤型アクリル系粘着剤と比較して、可溶性成分の重量平均分子量を大きくすることができるからである。   By setting the pressure-sensitive adhesive layer to be formed of a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive, the weight-average molecular weight of the soluble component of the pressure-sensitive adhesive layer can be 500,000 or more. This is because the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive can increase the weight average molecular weight of the soluble component as compared with the solvent-type acrylic pressure-sensitive adhesive.

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る耐熱性粘着剤組成物は、少なくとも、アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に複数の半導体チップをボンディングし、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続し、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止し、封止された構造物を固別の半導体装置に切断する半導体装置の製造方法に用いられる耐熱性粘着テープを構成する耐熱性粘着剤組成物であって、前記耐熱性粘着剤組成物は、アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する前記水分散型アクリル系粘着剤であり、前記水分散型アクリル系粘着剤を130℃、1時間の条件下で乾燥させた後、酢酸エチル中に25℃で7日間浸漬して抽出されたゾル分であって、重量平均分子量が50万以上の可溶性成分を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the heat-resistant adhesive composition according to the present invention includes at least a plurality of semiconductor chips on a die pad of a metal lead frame in which a heat-resistant adhesive tape is bonded to the outer pad side. Bonding, electrically connecting the tip of the lead frame terminal portion and the electrode pad on the semiconductor chip with a bonding wire, sealing the semiconductor chip side with a sealing resin, and sealing the structure A heat-resistant pressure-sensitive adhesive composition constituting a heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape used in a method for producing a semiconductor device that is cut into separate semiconductor devices, wherein the heat-resistant pressure-sensitive adhesive composition has an alkyl group having 4 to 4 carbon atoms. It is obtained by emulsion polymerization of a monomer comprising 12 (meth) acrylic acid alkyl ester as a main component and a carboxyl group-containing monomer in the presence of an emulsifier. The water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive containing a copolymer emulsion, wherein the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive is dried at 130 ° C. for 1 hour and then in ethyl acetate at 25 ° C. for 7 days. It is a sol component extracted by immersion, and includes a soluble component having a weight average molecular weight of 500,000 or more.

前記の構成によれば、耐熱性粘着剤組成物は重量平均分子量が50万以上の可溶性成分を含むので、例えばボンディングや片面封止の際になされる加熱によっても、ガスの発生量を低減することができる。その結果、該ガスによる半導体チップの汚染を低減することができる。また前記構成の耐熱性粘着剤組成物であると、該組成物を含み構成される粘着剤層を備えた耐熱性粘着テープの剥離力を低減できるので、これを剥離する際にはリードフレームに対して糊残りが生じない。   According to the above configuration, the heat-resistant pressure-sensitive adhesive composition contains a soluble component having a weight average molecular weight of 500,000 or more, and thus reduces the amount of gas generated even by heating performed during bonding or single-side sealing, for example. be able to. As a result, contamination of the semiconductor chip by the gas can be reduced. Moreover, since the peeling force of the heat resistant pressure-sensitive adhesive tape provided with the pressure-sensitive adhesive layer comprising the composition can be reduced when the heat-resistant pressure-sensitive adhesive composition is configured as described above, when peeling this, the lead frame On the other hand, no adhesive residue occurs.

前記耐熱性粘着剤組成物は、アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する水分散型アクリル系粘着剤組成物であることを特徴とする。   The heat-resistant pressure-sensitive adhesive composition comprises a monomer comprising an alkyl group (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms as a main component and a carboxyl group-containing monomer as an emulsifier. It is a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive composition containing a copolymer emulsion obtained by emulsion polymerization in the presence thereof.

前記構成であると、耐熱性粘着剤組成物を前記水分散型アクリル系粘着剤組成物とすることにより、該耐熱性粘着剤組成物に含まれる可溶性成分の重量平均分子量を50万以上にすることができる。水分散型アクリル系粘着剤組成物は、溶剤型アクリル系粘着剤組成物と比較して、可溶性成分の重量平均分子量を大きくすることができるからである。   When it is the said structure, the weight average molecular weight of the soluble component contained in this heat resistant adhesive composition shall be 500,000 or more by making a heat resistant adhesive composition into the said water dispersion type acrylic adhesive composition. be able to. This is because the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive composition can increase the weight average molecular weight of the soluble component as compared with the solvent-type acrylic pressure-sensitive adhesive composition.

本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, parts that are not necessary for the description are omitted, and some parts are illustrated by being enlarged or reduced for easy explanation.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図1(a)〜1(e)は、本発明の半導体装置の製造方法の一例の工程図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A to 1E are process diagrams illustrating an example of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

本発明の半導体装置の製造方法は、図1(a)〜1(e)に示すように、半導体チップ15の搭載工程と、ボンディングワイヤー16による結線工程と、封止樹脂17による封止工程と、封止された構造物21を切断する切断工程とを少なくとも含むものである。   As shown in FIGS. 1A to 1E, the semiconductor device manufacturing method of the present invention includes a semiconductor chip 15 mounting step, a bonding step using a bonding wire 16, and a sealing step using a sealing resin 17. And at least a cutting step of cutting the sealed structure 21.

搭載工程は、図1(a)及び1(b)に示すように、アウターパッド側(図の下側)に耐熱性粘着テープ20を貼り合わせた金属製のリードフレーム10のダイパッド11c上に半導体チップ15をボンディングする工程である。   As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the mounting process is performed on a die pad 11c of a metal lead frame 10 in which a heat-resistant adhesive tape 20 is bonded to the outer pad side (the lower side of the figure). This is a step of bonding the chip 15.

リードフレーム10とは、例えば銅などの金属を素材としてQFNの端子パターンが刻まれたものであり、その電気接点部分には、銀、ニッケル、パラジウム、金などの素材で被覆(めっき)されている場合もある。リードフレーム10の厚みは、100〜300μmが一般的である。なお、部分的にエッチングなどで薄く加工されている部分は、この限りではない。   The lead frame 10 is formed by engraving a terminal pattern of QFN using, for example, a metal such as copper, and the electrical contact portion is coated (plated) with a material such as silver, nickel, palladium, or gold. There may be. The thickness of the lead frame 10 is generally 100 to 300 μm. Note that this does not apply to portions that are partially thinned by etching or the like.

リードフレーム10は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のQFNが整然と配置された配置パターンであることが好ましい。例えば図2に示すように、リードフレーム10上に縦横のマトリックス状に配列された配置パターン等は、マトリックスQFNあるいはMAP−QFNなどと呼ばれ、最も好ましいリードフレーム形状の一態様である。とくに近年では、生産性の観点から1枚のリードフレーム中に配列されるパッケージ数を多くするため、これらの個々のパッケージが細密化されるばかりでなく、一つの封止部分で多数のパッケージを封止できるよう、これらの配列数も大きく拡大してきている。   The lead frame 10 preferably has an arrangement pattern in which individual QFNs are arranged in an orderly manner so that the lead frame 10 can be easily separated in a subsequent cutting step. For example, as shown in FIG. 2, an arrangement pattern or the like arranged in a vertical and horizontal matrix on the lead frame 10 is called a matrix QFN or MAP-QFN, and is one aspect of the most preferable lead frame shape. In particular, in recent years, in order to increase the number of packages arranged in one lead frame from the viewpoint of productivity, not only these individual packages are miniaturized, but a large number of packages can be formed by one sealing portion. The number of these arrays has been greatly expanded so that sealing can be performed.

図2(a)及び2(b)に示すように、リードフレーム10のパッケージパターン領域11には、隣接した複数の開口11aに端子部11bを複数配列した、QFNの基板デザインが整然と配列されている。一般的なQFNの場合、各々の基板デザイン(図2(a)の格子で区分された領域)は、開口11aの周囲に配列された、アウターリード面を下側に有する端子部11bと、開口11aの中央に配置されるダイパッド11cと、ダイパッド11cを開口11aの四隅に支持させるダイバー11dとで構成される。   As shown in FIGS. 2A and 2B, in the package pattern region 11 of the lead frame 10, a QFN substrate design in which a plurality of terminal portions 11b are arranged in a plurality of adjacent openings 11a is arranged in an orderly manner. Yes. In the case of a general QFN, each board design (region divided by the lattice in FIG. 2A) is arranged around the opening 11a, the terminal portion 11b having the outer lead surface on the lower side, and the opening A die pad 11c disposed in the center of 11a and a diver 11d that supports the die pad 11c at the four corners of the opening 11a.

耐熱性粘着テープ20は、少なくともパッケージパターン領域11より外側に貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレーム10は通常、樹脂封止時の位置決めを行うための、ガイドピン用孔13を端辺近傍に有しており、それを塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封止領域はリードフレーム10の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域を渡るように連続して耐熱性粘着テープ20を貼着するのが好ましい。   It is preferable that the heat-resistant adhesive tape 20 is attached at least outside the package pattern region 11 and attached to a region including the entire circumference outside the resin-sealed region to be resin-sealed. In general, the lead frame 10 has guide pin holes 13 in the vicinity of the end sides for positioning at the time of resin sealing, and it is preferable that the lead frame 10 is attached to a region where it is not blocked. Further, since a plurality of resin sealing regions are arranged in the longitudinal direction of the lead frame 10, it is preferable that the heat-resistant adhesive tape 20 is continuously attached so as to cross the plurality of regions.

上記のようなリードフレーム10上に、半導体チップ15、すなわち半導体集積回路部分であるシリコンウエハ・チップが搭載される。リードフレーム10上にはこの半導体チップ15を固定するためダイパッド11cと呼ばれる固定エリアが設けられている。ダイパッド11cへのボンディング(固定)は、導電性ペースト19を用いて行う。但し、本発明は、当該方法に限定されるものではなく、接着テープや接着剤などを用いた各種の方法を採用することもできる。導電性ペースト19や熱硬化性の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に150〜200℃程度の温度で30分〜90分程度加熱キュアする。   On the lead frame 10 as described above, a semiconductor chip 15, that is, a silicon wafer chip which is a semiconductor integrated circuit portion is mounted. A fixing area called a die pad 11c is provided on the lead frame 10 to fix the semiconductor chip 15. Bonding (fixing) to the die pad 11 c is performed using the conductive paste 19. However, the present invention is not limited to this method, and various methods using an adhesive tape or an adhesive can also be employed. When die bonding is performed using the conductive paste 19, a thermosetting adhesive, or the like, generally heat curing is performed at a temperature of about 150 to 200 ° C. for about 30 to 90 minutes.

結線工程は、図1(c)に示す様に、リードフレーム10の端子部11b(インナーリード)の先端と半導体チップ15上の電極パッド15aとをボンディングワイヤー16で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤー16としては、例えば金線またはアルミニウム線などが用いられる。本工程は、一般的には120〜250℃に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギ−の併用により結線される。その際、リードフレーム10に貼着した耐熱性粘着テープ20面を真空吸引することで、ヒートブロックに確実に固定することができる。   As shown in FIG. 1C, the connection process is a process of electrically connecting the tip of the terminal portion 11 b (inner lead) of the lead frame 10 and the electrode pad 15 a on the semiconductor chip 15 with a bonding wire 16. . For example, a gold wire or an aluminum wire is used as the bonding wire 16. In this step, generally, the wire is connected by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and pressure bonding energy by applying pressure while being heated to 120 to 250 ° C. At that time, the surface of the heat-resistant adhesive tape 20 adhered to the lead frame 10 can be securely fixed to the heat block by vacuum suction.

封止工程は、図1(d)に示すように、封止樹脂17により半導体チップ側を片面封止する工程である。封止工程は、リードフレーム10に搭載された半導体チップ15やボンディングワイヤー16を保護するために行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封止樹脂17を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、図3に示すように、複数のキャビティ12を有する上金型18aと下金型18bからなる金型18を用いて、複数の封止樹脂17にて同時に封止工程が行われるのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の加熱温度は170〜180℃であり、この温度で数分間キュアされた後、更にポストモールドキュアが数時間行われる。なお、耐熱性粘着テープ20はポストモールドキュアの前に剥離するのが好ましい。   The sealing step is a step of sealing one side of the semiconductor chip side with a sealing resin 17 as shown in FIG. The sealing process is performed to protect the semiconductor chip 15 and the bonding wire 16 mounted on the lead frame 10 and is molded in a mold using a sealing resin 17 including an epoxy resin. Is typical. At that time, as shown in FIG. 3, a sealing process is simultaneously performed with a plurality of sealing resins 17 using a mold 18 including an upper mold 18a having a plurality of cavities 12 and a lower mold 18b. Is common. Specifically, for example, the heating temperature at the time of resin sealing is 170 to 180 ° C. After curing at this temperature for several minutes, post mold curing is further performed for several hours. The heat resistant adhesive tape 20 is preferably peeled before post mold curing.

切断工程は、図1(e)に示すように、封止された構造物21を個々の半導体装置21aに切断する工程である。一般的にはダイサーなどの回転切断刃を用いて封止樹脂17の切断部17aをカットする方法が挙げられる。   The cutting step is a step of cutting the sealed structure 21 into individual semiconductor devices 21a as shown in FIG. Generally, there is a method of cutting the cutting portion 17a of the sealing resin 17 using a rotary cutting blade such as a dicer.

本発明では、上述のような製造工程に用いられる耐熱性粘着テープ20が、図4に示すように、耐熱性を有する基材層20aと、水分散型アクリル系の粘着剤層20bとから少なくとも構成されていることを特徴とする。耐熱性粘着テープ20は、あらかじめリードフレーム10に貼着されていることから、前述の製造工程において加熱されることになる。例えば、半導体チップ15をダイボンドする場合、一般的に150〜200℃程度の温度で30分〜90分程度加熱キュアする。ワイヤーボンディングを行う場合は、例えば120〜250℃程度の温度で行われる。また、ワイヤーボンディングに要する時間としては、例えば一枚のリードフレームから複数の半導体装置を製造する場合は、すべての半導体チップ15に対するボンディングが終了するまでリードフレーム1枚あたり1時間以上を要する場合がある。更に、樹脂封止する場合も、封止樹脂が十分に溶融している温度である必要性から175℃程度の温度をかけることになる。したがって、こういった加熟条件に対して、耐熱性粘着テープ20は耐熱性を有することが必要である。   In the present invention, as shown in FIG. 4, the heat-resistant adhesive tape 20 used in the manufacturing process as described above includes at least a heat-resistant base material layer 20a and a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive layer 20b. It is configured. Since the heat-resistant adhesive tape 20 is attached to the lead frame 10 in advance, it is heated in the manufacturing process described above. For example, when the semiconductor chip 15 is die-bonded, it is generally heated and cured at a temperature of about 150 to 200 ° C. for about 30 to 90 minutes. When performing wire bonding, it is performed at a temperature of about 120 to 250 ° C., for example. As the time required for wire bonding, for example, when manufacturing a plurality of semiconductor devices from one lead frame, it may take one hour or more per lead frame until bonding to all the semiconductor chips 15 is completed. is there. Further, in the case of resin sealing, a temperature of about 175 ° C. is applied because it is necessary that the sealing resin is sufficiently melted. Therefore, the heat-resistant adhesive tape 20 needs to have heat resistance against such ripening conditions.

耐熱性粘着テープ20が貼り合わされるリードフレーム10は、前述のように銅を始めとした金属素材である。よって、リードフレーム10の線熱膨張係数は、1.8×10−5〜1.9×10−5/K程度であることが一般的である。ここで、耐熱性粘着テープ20の線熱膨張係数が、リードフレーム10の線熱膨張係数と大きく異なる場合は、両者を貼り合わせた状態で加熱したときに、双方の熱膨張の差に起因して歪みを生じる。その結果、耐熱性粘着テープ20にシワや剥がれが生じる場合がある。よって、耐熱性粘着テープ20の基材層20aとしては、リードフレーム10と線熱膨張係数の値が近接する素材からなるものを採用するのが好ましい。 The lead frame 10 to which the heat-resistant adhesive tape 20 is bonded is a metal material such as copper as described above. Therefore, the linear thermal expansion coefficient of the lead frame 10 is generally about 1.8 × 10 −5 to 1.9 × 10 −5 / K. Here, when the linear thermal expansion coefficient of the heat resistant adhesive tape 20 is significantly different from the linear thermal expansion coefficient of the lead frame 10, it is caused by the difference in thermal expansion between the two when heated in a state where they are bonded together. Cause distortion. As a result, the heat-resistant adhesive tape 20 may be wrinkled or peeled off. Therefore, as the base material layer 20a of the heat resistant adhesive tape 20, it is preferable to employ a material made of a material having a linear thermal expansion coefficient close to that of the lead frame 10.

前記基材層20aとしては、耐熱性を有する材料からなるものが好ましい。具体的には、例えばポリエステル(PET、PEN)、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などが挙げられる。これらの材料のうち、ポリエステル、ポリイミドフィルムが特に好ましく用いられる。基材層20aは、各フィルム層の二層または三層以上を積層しても良い。また積層する方法は特に限定されないが、例えばウレタン系またはイソシアネート系の接着剤により貼り合わせることができる。基材層20aとして特に好ましいのは、線熱膨張係数が15×10−5〜2.8×10−5/K程度のポリイミド材料からなるものである。ポリイミド材料からなる基材層20aであると、加工性及びハンドリング性が向上するからである。ここで、線熱膨張係数は、ASTM D696に準拠して、TMA(サーモ・メカニカル・アナリシス)により測定される値である。 The base layer 20a is preferably made of a heat resistant material. Specific examples include fluorine resins such as polyester (PET, PEN), polyamide, polyphenylene sulfide, polyimide, polycarbonate, polysulfone, polyether ether ketone, and polytetrafluoroethylene. Of these materials, polyester and polyimide films are particularly preferably used. The base material layer 20a may be a laminate of two or more layers of each film layer. The method for laminating is not particularly limited, but for example, it can be bonded with a urethane-based or isocyanate-based adhesive. The base material layer 20a is particularly preferably made of a polyimide material having a linear thermal expansion coefficient of about 15 × 10 −5 to 2.8 × 10 −5 / K. It is because workability and handling properties are improved when the base material layer 20a is made of a polyimide material. Here, the linear thermal expansion coefficient is a value measured by TMA (thermo-mechanical analysis) in accordance with ASTM D696.

前記ポリイミド材料からなる基材層20aとしては、東レデュポン社製カプトン、宇部興産(株)製コーピレックス、または鐘淵化学(株)製アピカル(何れも商品名)等が挙げられる。   Examples of the base material layer 20a made of the polyimide material include Kapton manufactured by Toray DuPont, Corpilex manufactured by Ube Industries, Ltd., and Apical manufactured by Kaneka Chemical Co., Ltd. (both are trade names).

耐熱性粘着テープ20の基材層20aの厚みは、折れや裂けを防止し、好適なハンドリング性に鑑みて10〜100μmが好ましい。   The thickness of the base material layer 20a of the heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape 20 is preferably 10 to 100 μm in view of suitable handling properties, preventing breakage and tearing.

また、耐熱性粘着テープ20を構成する粘着剤層20bは、重量平均分子量が50万以上の可溶性成分を含む。これにより、結線工程や封止工程に於いて加熱された際にも発生するガスの量を少なくすることができる。また、剥離力も低減できるので剥離性にも優れており、被着体への糊残りも生じない。前記可溶性成分とは、後述する粘着剤を酢酸エチル中に浸漬したときに抽出されるゲル分、即ち低分子量ポリマーを意味する。可溶性成分の重量平均分子量の制御は、後述の重合温度、または重合開始剤や架橋剤の添加量を変更することにより可能である。例えば、該重量平均分子量を減少させる場合は、重合温度を高くしたり、重合開始剤や架橋剤の添加量を多くすることにより可能となる。尚、前記重量平均分子量の上限値としては、粘着力の低下を考慮すると、100万以下であることが好ましい。   Moreover, the adhesive layer 20b which comprises the heat resistant adhesive tape 20 contains the soluble component whose weight average molecular weight is 500,000 or more. Thereby, the amount of gas generated even when heated in the connection process or the sealing process can be reduced. Moreover, since the peel force can be reduced, the peelability is excellent, and no adhesive residue is left on the adherend. The soluble component means a gel component extracted when a pressure sensitive adhesive described later is immersed in ethyl acetate, that is, a low molecular weight polymer. The weight average molecular weight of the soluble component can be controlled by changing the polymerization temperature described later or the addition amount of a polymerization initiator or a crosslinking agent. For example, the weight average molecular weight can be decreased by increasing the polymerization temperature or increasing the amount of polymerization initiator or crosslinking agent added. The upper limit value of the weight average molecular weight is preferably 1,000,000 or less in consideration of a decrease in adhesive strength.

粘着剤層20bは、その粘着機能の観点からある程度の弾性が必要である。しかしながら、粘着剤層20b全体が過度に弾性を有する場合は、ワイヤーボンディングの際にボンディングワイヤーを接続しようとしても、耐熱性粘着テープ20を貼りあわせたリードフレーム10を十分に固定することが困難となりボンディング不良が発生する。粘着剤層20bの弾性力によって、加圧による圧着エネルギーが緩和されてしまうからである。   The pressure-sensitive adhesive layer 20b needs a certain degree of elasticity from the viewpoint of the pressure-sensitive adhesive function. However, when the entire pressure-sensitive adhesive layer 20b is excessively elastic, it is difficult to sufficiently fix the lead frame 10 to which the heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape 20 is bonded even if a bonding wire is to be connected during wire bonding. Bonding failure occurs. This is because the pressure-bonding energy due to pressurization is alleviated by the elastic force of the pressure-sensitive adhesive layer 20b.

このようなボンディング不良を引き起こさず、かつ封止工程では樹脂漏れを防止できる十分な粘着力を確保する、いわば相反する性能を確保するために、本発明では粘着剤層20bの厚みを好ましくは1〜20μm、より好ましくは5〜15μmとする。これにより、粘着剤層20b全体としてのクッション性を適切な範囲に維持でき、より確実に良好なワイヤーボンディングが可能となる。また、封止工程に於いても十分なシール性を得ることができる。   In the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 20b is preferably 1 in order to ensure sufficient adhesive strength that does not cause such bonding failure and can prevent resin leakage in the sealing process, that is, in order to ensure contradictory performance. -20 μm, more preferably 5-15 μm. Thereby, the cushioning property as the whole adhesive layer 20b can be maintained in an appropriate range, and good wire bonding can be performed more reliably. Moreover, sufficient sealing performance can be obtained in the sealing step.

一方、耐熱性粘着テープ20は、封止工程後の任意の段階で剥離される。しかし、強粘着力の粘着テープであると、剥離が困難となるだけでなく、糊残りが生じたり、場合によっては剥離のための応力によってモールドした樹脂に対しても剥離や破損を招く恐れがある。したがって、耐熱性粘着テープ20は、封止樹脂17のはみ出しを抑える粘着力以上に強粘着であることはむしろ好ましくない。耐熱性粘着テープ20の粘着力としては、ステンレス板に貼り合わせた状態で200℃にて1時間加熱後、JIS Z0237に準じて測定された値が50N/19mm幅以下であることが好ましく、2.0N/19mm幅以下であることがより好ましい。   On the other hand, the heat resistant adhesive tape 20 is peeled off at an arbitrary stage after the sealing step. However, if it is a strong adhesive tape, not only will it be difficult to peel off, but adhesive residue may be generated, and in some cases, it may cause peeling or damage to the molded resin due to the stress for peeling. is there. Therefore, it is rather undesirable that the heat-resistant adhesive tape 20 is stronger than the adhesive force that suppresses the protrusion of the sealing resin 17. The adhesive strength of the heat-resistant adhesive tape 20 is preferably a value measured according to JIS Z0237 after heating for 1 hour at 200 ° C. in a state of being bonded to a stainless steel plate, being 50 N / 19 mm width or less. More preferably, it is 0.0 N / 19 mm width or less.

上記のような各物性を有する粘着剤としては、例えば水分散型アクリル系粘着剤が好ましい。水分散型アクリル系粘着剤は、アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合することにより得られる共重合体エマルションを含有する。アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、アクリル酸またはメタクリル酸と炭素数が4〜12のアルコールとのエステルである。より具体的には、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸ラウリル、(メタ)アクリル酸シクロベンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸インポロニル等である。本発明に於いては、これらの中からその1種または2種以上が用いられる。これら(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、単量体の主成分として、単量体中、50重量%以上、好ましくは80重量%以上、更に好ましくは90〜99.5重量%の割合で用いられる。前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルの割合が少ないと、接着性の良好な粘着剤が得られ難い。   As the pressure-sensitive adhesive having the above physical properties, for example, a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable. The water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive is a monomer composed mainly of a (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms in the alkyl group and a carboxyl group-containing monomer. It contains a copolymer emulsion obtained by emulsion polymerization in the presence. The (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms in the alkyl group is an ester of acrylic acid or methacrylic acid and an alcohol having 4 to 12 carbon atoms. More specifically, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cycloventyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, And (meth) acrylic acid implonyl. In the present invention, one or more of them are used. These (meth) acrylic acid alkyl esters are used as a main component of the monomer in a proportion of 50% by weight or more, preferably 80% by weight or more, more preferably 90 to 99.5% by weight in the monomer. . When the ratio of the (meth) acrylic acid alkyl ester is small, it is difficult to obtain a pressure-sensitive adhesive having good adhesion.

前記単量体中には、上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルの他に、これと共重合可能な官能基含有単量体としてのカルボキシル基含有単量体が含まれている。これは、被着体への粘着力を向上させるため、得られる共重合体に後架橋するための架橋点を導入するため、粘着剤の凝集力を高めるため、及び中和によって機械的安定性を向上させるためである。前記カルボキシル基含有単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、クロトン酸などが挙げられる。カルボキシル基含有単量体は、前記アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルとの合計で単量体混合物として合計100重量%になるように、通常用いられる。更にカルボキシル基含有単量体は、好ましくは50重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは0.5〜10重量%の割合で用いられる。また、被着体への粘着力を向上させるために、または得られる共重合体を後架橋するための架橋点を導入するために、更には粘着剤の凝集力を高めるために、上記成分と共重合可能な前記以外の他の官能基含有単量体や改質用単量体を適量使用してもよい。なお、これらの他の官能基含有単量体等は、前記アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルと、前記カルボキシル基含有単量体が前記割合を満足し、かつこれら単量体との合計で単量体混合物として合計100重量%になるように用いられる。更にこれらの他の官能基含有単量体等は、好ましくは50重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは0.5〜10重量%の割合で用いられる。   In addition to the above (meth) acrylic acid alkyl ester, the monomer contains a carboxyl group-containing monomer as a functional group-containing monomer copolymerizable therewith. This is to improve the adhesion to the adherend, to introduce a crosslinking point for post-crosslinking to the resulting copolymer, to increase the cohesive strength of the adhesive, and to provide mechanical stability by neutralization. It is for improving. Examples of the carboxyl group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid, and crotonic acid. The carboxyl group-containing monomer is usually used so that the total of the alkyl group and the (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms is 100% by weight as a monomer mixture. Furthermore, the carboxyl group-containing monomer is preferably used in a proportion of 50% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, and still more preferably 0.5 to 10% by weight. In order to improve the adhesive force to the adherend, or to introduce a crosslinking point for post-crosslinking the resulting copolymer, and further to increase the cohesive force of the adhesive, An appropriate amount of other functional group-containing monomer or modifying monomer other than those described above may be used. These other functional group-containing monomers include (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms in the alkyl group and the carboxyl group-containing monomer satisfying the above ratio, and The total of these monomers is used so that the total amount of the monomer mixture is 100% by weight. Furthermore, these other functional group-containing monomers are preferably used in a proportion of 50% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, and still more preferably 0.5 to 10% by weight.

他の官能基含有単量体としては、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシブチルなどの水酸基含有単量体、(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド、N−メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブトキシメチル(メタ)アクリルアミドなどのアミド基含有単量体、(メタ)アクリル酸2−(N,N−ジメチルアミノ)エチルなどのアミノ基含有単量体、(メタ)アクリル酸グリシジルなどのグリシジル基含有単量体、(メタ)アクリル酸プロピルトリメトキシシラン、(メタ)アクリル酸プロピルジメトキシシラン、(メタ)アクリル酸プロピルトリエトキシシランなどの多官能アルコキシシラン、(メタ)アクリロニトリル、N−(メタ)アクリロイルモルホリン、N−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられる。これらの他の官能基含有単量体は、単独でまたは2種以上を混合して使用できる。   Other functional group-containing monomers include hydroxyl-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, (meth ) Amide group-containing monomers such as acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-methylol (meth) acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) acrylamide, (meth) Amino group-containing monomers such as 2- (N, N-dimethylamino) ethyl acrylate, glycidyl group-containing monomers such as glycidyl (meth) acrylate, propyltrimethoxysilane (meth) acrylate, (meth) Various governments such as propyldimethoxysilane acrylate, propyltriethoxysilane (meth) acrylate Alkoxysilane, (meth) acrylonitrile, N- (meth) acryloyl morpholine, N- vinyl-2-pyrrolidone. These other functional group-containing monomers can be used alone or in admixture of two or more.

その他の改質用単量体としては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸イソプロピルなどのアルキル基の炭素数が1〜3の(メタ)アクリル酸アルキルエステル(メタ)アクリル酸トリデシル;(メタ)アクリル酸ステアリルなどのアルキル基の炭素数が13〜18の(メタ)アクリル酸アルキルエステル;酢酸ビニル、スチレン、ビニルトルエンなどが挙げられる。また、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メ夕)アクリレート等の2つ以上の重合性官能基を有するものが挙げられる。これらの改質単量体は、単独でまたは2種以上を混合して使用できる。また、耐熱性を有する単量体として、イミド基含有(メタ)アクリレートを共重合してもよい。   Other modifying monomers include (meth) acrylic acid alkyl esters having 1 to 3 carbon atoms in the alkyl group, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, and isopropyl (meth) acrylate. Examples include (meth) acrylic acid tridecyl; (meth) acrylic acid alkyl ester having 13 to 18 carbon atoms of alkyl group such as stearyl (meth) acrylate; vinyl acetate, styrene, vinyltoluene and the like. Also, neopentyl glycol di (meth) acrylate, hexanediol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa ( E) those having two or more polymerizable functional groups such as acrylate. These modifying monomers can be used alone or in admixture of two or more. Moreover, you may copolymerize imide group containing (meth) acrylate as a monomer which has heat resistance.

乳化剤としては、乳化重合において用いられるアニオン系乳化剤やノニオン系乳化剤を特に制限なく使用できる。例えば、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルニーテル硫酸ナトリウムなどのアニオン系乳化剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルなどのノニオン系乳化剤などが挙げられる。   As the emulsifier, anionic emulsifiers and nonionic emulsifiers used in emulsion polymerization can be used without particular limitation. For example, anionic emulsifiers such as sodium lauryl sulfate, ammonium lauryl sulfate, sodium dodecylbenzene sulfonate, sodium polyoxyethylene alkyl ether sulfate, sodium polyoxyethylene alkyl phenyl knee sulfate, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether And nonionic emulsifiers.

前記乳化剤の使用量は特に制限されないが、イオン性乳化剤を含有することによる絶縁特性の低下を抑えるため、前記単量体(合計)100重量部に対して、0.3〜5重量部程度とするのが好ましい。乳化剤の使用量が多くなると、粘着剤層に含まれる水溶性成分量が多くなり、絶縁特性が低下する傾向にある。この為、乳化剤の使用量は、3重量部以下、更には2重量部以下とするのが好ましい。乳化剤の使用量は、好ましくは0.5〜3重量部、より好ましくは0.7〜2重量部である。前記単量体の乳化重合は、前記乳化剤の存在下で適宜の重合開始剤を用いて常法により行い、アクリル系重合体の水分散を調製する。乳化重合は、一般的な一括重合、連続滴下重合、分割滴下重合などにより行う。また重合温度は、30℃〜90℃程度で行うことができる。   The amount of the emulsifier used is not particularly limited, but is about 0.3 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the monomer (total) in order to suppress a decrease in insulating properties due to containing the ionic emulsifier. It is preferable to do this. When the amount of the emulsifier used is increased, the amount of water-soluble components contained in the pressure-sensitive adhesive layer is increased, and the insulating properties tend to be lowered. For this reason, the amount of emulsifier used is preferably 3 parts by weight or less, and more preferably 2 parts by weight or less. The amount of the emulsifier used is preferably 0.5 to 3 parts by weight, more preferably 0.7 to 2 parts by weight. Emulsion polymerization of the monomer is performed by a conventional method using an appropriate polymerization initiator in the presence of the emulsifier to prepare an aqueous dispersion of an acrylic polymer. Emulsion polymerization is performed by general batch polymerization, continuous dropping polymerization, divided dropping polymerization, or the like. The polymerization temperature can be about 30 ° C to 90 ° C.

重合開始剤としては、例えば2,2′−アゾビスイソブチロニトリル、2,2−アゾビス(2−アミジノプロペン)ジヒドロクロライド、2,2′−アゾビス(N,N′−ジメチレンイソブチルアミジン)などのアゾ系、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩、ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルハイドロパーオキサイドなどの過酸化物系や、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムなどのレドックス系開始剤などが挙げられる。また、乳化重合を行う際には、得られる共重合体の分子量の調整のために、必要に応じてメルカプタン類などに代表される適宜の連鎖移動剤を使用してもよい。   Examples of the polymerization initiator include 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2-azobis (2-amidinopropene) dihydrochloride, 2,2'-azobis (N, N'-dimethyleneisobutylamidine). Peroxides such as azo, potassium persulfate and ammonium persulfate, peroxides such as benzoyl peroxide and t-butyl hydroperoxide, and redox initiators such as persulfate and sodium bisulfite Can be mentioned. Moreover, when performing emulsion polymerization, you may use the appropriate chain transfer agent represented by mercaptans etc. as needed for adjustment of the molecular weight of the copolymer obtained.

本発明の水分散型アクリル系粘着剤は上記重合体エマルションを主剤成分とし、これに必要により架橋剤を含有させることができる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート、系架橋剤などの一般に用いられているものを使用できる。これらの架橋剤は、官能基含有単量体を用いることにより重合体中に導入した官能基と反応して架橋する以外に、重合体エマルションまたは共重合体エマルションに含まれるホモポリマー等(例えば、官能基含有単量体としてカルボキシル基含有単量体を用いた場合には、乳化重合時に、乳化剤のミセル中でカルボキシル基含有単量体が共重合し難く、水中で力ルボキシル基含有単量体のホモポリマーまたはホモポリマーに近い共重合ポリマーが得られる)と反応することで耐熱性が向上する。架橋剤の使用量は特に制限されないが、通常共重合体中に導入した官能基:架橋剤の官能基の当量比で、1:0.5程度、好ましくは1:0.001〜0.3の範囲になるようにするのが好ましい。   The water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive of the present invention contains the above polymer emulsion as a main ingredient component, and can contain a crosslinking agent if necessary. As the crosslinking agent, generally used ones such as an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, an oxazoline crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, a metal chelate, and a crosslinking agent can be used. These cross-linking agents include a homopolymer contained in a polymer emulsion or a copolymer emulsion other than reacting with a functional group introduced into a polymer by using a functional group-containing monomer and crosslinking (for example, When a carboxyl group-containing monomer is used as the functional group-containing monomer, it is difficult for the carboxyl group-containing monomer to copolymerize in the micelles of the emulsifier during emulsion polymerization. To obtain a homopolymer or a copolymer close to a homopolymer), the heat resistance is improved. The amount of the crosslinking agent used is not particularly limited, but is usually about 1: 0.5, preferably 1: 0.001 to 0.3, in an equivalent ratio of the functional group introduced into the copolymer: the functional group of the crosslinking agent. It is preferable to be in the range.

更に、本発明の水分散型アクリル系粘着剤には、粘着付与成分やその他の各種の添加剤を配合できる。粘着付与成分としては、ロジン系樹脂、テルベン系樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、共重合系石油樹脂、脂環族系石油樹脂、キシレン系樹脂、エラストマーなどが挙げられる。下塗り剤を用いて、前記基材層20aの片面または両面に直接塗布し、乾燥させることにより下塗り層を形成してもよい。下塗り層を形成するために用いられる下塗り剤は、水溶性ポリマー又は水系エマルションからなるものである。前記ポリマーとしては、オキサゾリン基若しくはカルボジイミド基を含有する水溶性ポリマー若しくはエマルション、水系ウレタン樹脂、アミノ基を含有する水溶性ポリマー又はエマルションを初めとする公知のものを制限なく用いることができる。前記ポリマーとして好ましくは、オキサゾリン基を側鎖に含有するアクリルポリマー、オキサゾリン基を側鎖に含有するポリスチレン−アクリルニトリル共重合体などのアクリル系ポリマー、またはカルボジイミド基を含有する水溶性ポリマー、または水系ウレタン樹脂を初めとする公知のものを制限なく用いることができる。   Further, the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive of the present invention can contain a tackifier component and other various additives. Examples of the tackifier component include rosin resins, terbene resins, aliphatic petroleum resins, aromatic petroleum resins, copolymer petroleum resins, alicyclic petroleum resins, xylene resins, and elastomers. An undercoat layer may be formed by directly applying to one or both sides of the base material layer 20a using an undercoat agent and drying. The undercoat used for forming the undercoat layer is composed of a water-soluble polymer or an aqueous emulsion. As said polymer, the well-known thing including the water-soluble polymer or emulsion containing an oxazoline group or a carbodiimide group, a water-based urethane resin, a water-soluble polymer containing an amino group, or an emulsion can be used without a restriction | limiting. The polymer is preferably an acrylic polymer containing an oxazoline group in the side chain, an acrylic polymer such as a polystyrene-acrylonitrile copolymer containing an oxazoline group in the side chain, a water-soluble polymer containing a carbodiimide group, or an aqueous system. A well-known thing including a urethane resin can be used without a restriction | limiting.

前記ポリマーとしては、オキサゾリン基を側鎖に含有するアクリルポリマー、オキサゾリン基を側鎖に含有するポリスチレン−アクリルニトリル共重合体などのアクリル系ポリマーを初めとする公知のものを制限なく用いることができる。かかるポリマーの水溶性タイプ、または水系エマルションタイプは市販されている。市販されている水溶性ポリマーとしては、日本触媒社製の商品名「エポクロスWS−500」、「エポクロスWS−700」が挙げられる。また、市販されている水系エマルションとしては、日本触媒社製の商品名「エポクロスK−1000」シリーズ、「エポクロスK−2000」シリーズが挙げられる。なかでも、下塗りして乾燥させた後の下塗り層の耐水性を向上させる点で、水系エマルションタイプが好ましい。下塗り層の耐水性が良好であると、水分散型アクリル系粘着剤の粘着特性が更に向上するからである。カルボジイミド基を含有する水溶性ポリマーとしては、日清紡社製の商品名「カルボジライトV−02」、「カルボジライトV−02−L2」、「カルボジライトV−04」、「カルボジライトV−06」が挙げられる。また、カルボジイミド基を含有する水系エマルションとしては、日清紡社製の商品名「カルボジライトE−01」、「カルボジライトE−02」が挙げられる。また、水系ウレタン樹脂としては、例えば第一工業製薬社製のスーパーフレックスシリーズが挙げられる。乾燥後の下塗り剤の厚みは、通常0.001〜30μmが好ましく、0.01〜20μmがより好ましく、0.03〜10μmが特に好ましい。かかる範囲の厚みであればプライマーとしての機能を十分に発揮することができる。   As the polymer, known polymers such as an acrylic polymer containing an oxazoline group in the side chain and an acrylic polymer such as a polystyrene-acrylonitrile copolymer containing an oxazoline group in the side chain can be used without limitation. . A water-soluble type or an aqueous emulsion type of such a polymer is commercially available. Examples of commercially available water-soluble polymers include “Epocross WS-500” and “Epocross WS-700” manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd. Examples of commercially available aqueous emulsions include “Epocross K-1000” series and “Epocross K-2000” series manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd. Among these, an aqueous emulsion type is preferable in terms of improving the water resistance of the undercoat layer after undercoating and drying. This is because if the water resistance of the undercoat layer is good, the adhesive property of the water-dispersed acrylic adhesive is further improved. Examples of the water-soluble polymer containing a carbodiimide group include “Carbodilite V-02”, “Carbodilite V-02-L2”, “Carbodilite V-04”, and “Carbodilite V-06” manufactured by Nisshinbo Co., Ltd. Examples of the water-based emulsion containing a carbodiimide group include “Carbodilite E-01” and “Carbodilite E-02” manufactured by Nisshinbo Co., Ltd. Examples of the water-based urethane resin include Superflex series manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku. The thickness of the primer after drying is usually preferably 0.001 to 30 μm, more preferably 0.01 to 20 μm, and particularly preferably 0.03 to 10 μm. If it is the thickness of this range, the function as a primer can fully be exhibited.

その他の任意成分として、可塑剤、充填材、顔料、染料、老化防止剤、帯電防止剤などの各種添加剤を添加することもできる。前記粘着剤層20bの形成は、前記水分散型アクリル系粘着剤を、基材層20aの表面に直接塗布し乾燥させることにより行うことができる。また、セパレータ上に前記と同様に形成した粘着剤層20bを、前記基材層20a上に転写してもよい。更に、必要に応じて前記下塗り剤を予め基材層20a表面に塗布処理したり、基材層20aの背面側に背面処理剤を塗布処理してもよい。   As other optional components, various additives such as a plasticizer, a filler, a pigment, a dye, an anti-aging agent, and an antistatic agent can be added. The pressure-sensitive adhesive layer 20b can be formed by directly applying and drying the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive on the surface of the base material layer 20a. Further, the pressure-sensitive adhesive layer 20b formed on the separator in the same manner as described above may be transferred onto the base material layer 20a. Furthermore, if necessary, the primer may be applied to the surface of the base material layer 20a in advance, or a back treatment agent may be applied to the back side of the base material layer 20a.

本発明の耐熱性粘着テープ20は、本発明の半導体装置の製造方法に用いられる粘着テープであって、以上のような基材層20a及び水分散型アクリル系の粘着剤層20bを備えるものであるが、耐熱性粘着テープ20をリードフレーム10に貼り合わせる際の条件等は、特に制限されない。耐熱性粘着テープ20は、熱ラミネータ、ハンドローラ貼付、プレス圧着などの各種手段によって貼り合わせることができるが、一般にはリードフレーム10に対して加圧ローラを用いて耐熱性粘着テープ20を貼り合わせる方法が広く用いられる。   The heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape 20 of the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape used in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, and includes the base material layer 20a and the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive layer 20b as described above. However, there are no particular restrictions on the conditions for attaching the heat-resistant adhesive tape 20 to the lead frame 10. The heat-resistant adhesive tape 20 can be bonded by various means such as a thermal laminator, hand roller bonding, and press-bonding. Generally, the heat-resistant adhesive tape 20 is bonded to the lead frame 10 using a pressure roller. The method is widely used.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, but are merely illustrative examples, unless otherwise specified. In each example, all parts are based on weight unless otherwise specified.

[重量平均分子量の測定方法]
可溶性成分の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の重量平均分子量である。該重量平均分子量の測定は、次の通りにした。先ず、粘着剤を130°で1時間の条件下で乾燥させる。これを無数の孔(直径約0.2μm)を有するフッ素樹脂で包んだ後、酢酸エチル中に25℃で7日間浸漬し、ゾル分を抽出する。ゾル分の酢酸エチル溶液を乾燥させた後、この中に所定量のテトラヒドロフラン(溶離液)を添加しゾル分を溶解させ、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した。
[Measurement method of weight average molecular weight]
The weight average molecular weight of the soluble component is a weight average molecular weight in terms of polystyrene by gel permeation chromatography. The weight average molecular weight was measured as follows. First, the pressure-sensitive adhesive is dried at 130 ° for 1 hour. This is wrapped with a fluororesin having countless pores (diameter of about 0.2 μm) and then immersed in ethyl acetate at 25 ° C. for 7 days to extract the sol. After drying the ethyl acetate solution of the sol, a predetermined amount of tetrahydrofuran (eluent) was added thereto to dissolve the sol, and measurement was performed by gel permeation chromatography.

ゲルパーミエーションクロマトグラフィーは、TSK gelG2000H HR、G3000H HR、G4000H HR、及びGMH−H HRの4本のカラム(いずれも東ソー株式会社製)を直列に接続して使用し、流速1ml/分、温度40℃、サンプル濃度0.1重量%テトラヒドロフラン溶液、サンプル注入量500μlの条件で行い、検出器には示差屈折計を用いた。   Gel permeation chromatography uses four columns of TSK gel G2000H HR, G3000H HR, G4000H HR, and GMH-H HR (all manufactured by Tosoh Corporation) in series, with a flow rate of 1 ml / min, temperature The measurement was performed under the conditions of 40 ° C., a sample concentration of 0.1 wt% tetrahydrofuran solution, and a sample injection amount of 500 μl, and a differential refractometer was used as a detector.

(実施例1)
先ず、冷却管、窒素導入管、温度計、および撹枠装置を備えた反応容器を用意した。この反応容器に、水30部および過硫酸アンモニウム0.1部を仕込み、窒素ガスを導入しながら1時間撹拌した。その一方、アクリル酸n−ブチル95部、アクリル酸5部、および乳化剤としてのポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸アンモニウム(商品名;ハイテノール18E、第一工業製薬(株)製)10部(固形分換算)を、水70部で乳化させた。この乳化させたものを、反応容器内に70℃で4時間かけて滴下し、更に70℃の状態で2時間熟成を行った。その後、室温まで冷却し、10重量%アンモニア水によりpH値を8に調整して、共重合体エマルションを得た。この共重合体エマルションに、その固形分(水分散系共重合体)100部に対し、オキサゾリン基を含有する水溶性架橋剤としてエポクロスWS−700(商品名、(株)日本触媒製、オキサゾリン基当量220g・solid/eq.)0.1部(固形分換算)を混合して、水分散型アクリル系粘着剤を作成した。この水分散型アクリル系粘着剤に於ける可溶性成分の重量平均分子量を、前記方法に従い測定したところ、60万であった。
Example 1
First, a reaction vessel equipped with a cooling pipe, a nitrogen introduction pipe, a thermometer, and a stirring frame device was prepared. In this reaction vessel, 30 parts of water and 0.1 part of ammonium persulfate were charged and stirred for 1 hour while introducing nitrogen gas. On the other hand, 95 parts of n-butyl acrylate, 5 parts of acrylic acid, and 10 parts of polyoxyethylene lauryl ether ammonium sulfate (trade name; Hightenol 18E, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as an emulsifier (solid content conversion) Was emulsified with 70 parts of water. This emulsified product was dropped into the reaction vessel at 70 ° C. over 4 hours, and further aged at 70 ° C. for 2 hours. Then, it cooled to room temperature and adjusted pH value to 8 with 10 weight% ammonia water, and obtained the copolymer emulsion. Epocross WS-700 (trade name, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., oxazoline group) as a water-soluble crosslinking agent containing an oxazoline group with respect to 100 parts of the solid content (water-dispersed copolymer) of this copolymer emulsion. Equivalent 220 g · solid / eq.) 0.1 part (in terms of solid content) was mixed to prepare a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive. The weight average molecular weight of the soluble component in this water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive was measured according to the above method and found to be 600,000.

次に、25μm厚のポリイミドフィルム(商品名;カプトン100H、東レデュポン製、線熱膨張係数2.6〜2.8×10−5/K、昇温速度10℃/min、温度100〜200℃で測定)を基材層として、上記水分散型アクリル系粘着剤により厚さ10μmの粘着剤層を設けた耐熱性粘着テープを作製した。   Next, a polyimide film having a thickness of 25 μm (trade name: Kapton 100H, manufactured by Toray DuPont, linear thermal expansion coefficient 2.6 to 2.8 × 10 −5 / K, temperature rising rate 10 ° C./min, temperature 100 to 200 ° C. ) Was used as a base material layer, and a heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape provided with a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm was prepared using the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive.

この耐熱性粘着テープを、端子部に銀メッキが施された一辺16PinタイプのQFNが4個×4個に配列された銅製のリードフレームのアウターパッド側に貼り合わせた。このリードフレームのダイパッド部分に半導体チップをエポキシフェノール系の銀ペーストを用いて接着し、200℃にて90分間ほどキュアすることで固定した。   This heat-resistant adhesive tape was bonded to the outer pad side of a copper lead frame in which 4 × 4 16-pin QFNs each having a silver plating on the terminal portion were arranged. The semiconductor chip was bonded to the die pad portion of the lead frame using an epoxy phenol-based silver paste and fixed by curing at 200 ° C. for about 90 minutes.

次に、リードフレームを耐熱性粘着テープ側から真空吸引する形で230℃に加熱したヒートブロックに固定し、更にリードフレームの周辺部分をウインドクランパにて押さえて固定した。これらを、115KHワイヤボンダー(新川製:UTC−300BIsuper)を用いて、25μmの金線(田中貴金属製GMG−25)にて下記の条件でワイヤーボンディングを行った。尚、全てのボンディングを完了するのに約1時間を要した。   Next, the lead frame was fixed to a heat block heated to 230 ° C. by vacuum suction from the heat resistant adhesive tape side, and further, the periphery of the lead frame was fixed by pressing with a wind clamper. Using a 115KH wire bonder (manufactured by Shinkawa: UTC-300BIsuper), these were wire-bonded under the following conditions using a 25 μm gold wire (Tanaka Kikinzoku GMG-25). It took about 1 hour to complete all bonding.

ファーストボンディング加圧:80g
ファーストボンディング超音波強度:550mW
ファーストボンディング印加時間:10msec
セカンドボンディング加圧:80g
セカンドボンディング超音波強度:500mW
セカンドボンディング印加時間:8msec
更に、エポキシ系封止樹脂(日東電工製HC−300)により、これらをモールドマシン(TOWA製Model−Y−serise)を用いて、175℃で、プレヒート設定20秒、インジェクション時間12秒、キュア時間120秒にてモールドした後、耐熱性テープを剥離した。なお、更に175℃にて3時間ほどポストモールドキュアを行って封止樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々のQFNタイプの半導体装置を得た。
First bonding pressure: 80g
First bonding ultrasonic intensity: 550mW
First bonding application time: 10 msec
Second bonding pressure: 80g
Second bonding ultrasonic intensity: 500mW
Second bonding application time: 8 msec
Furthermore, with an epoxy-based sealing resin (HC-300 manufactured by Nitto Denko), these were used at 175 ° C. using a mold machine (Model-Y-series manufactured by TOWA), preheating setting 20 seconds, injection time 12 seconds, cure time After molding in 120 seconds, the heat-resistant tape was peeled off. Further, post mold curing was performed at 175 ° C. for about 3 hours to sufficiently cure the sealing resin, and then cut with a dicer to obtain individual QFN type semiconductor devices.

このようにして得られたQFNタイプの半導体装置は、樹脂のはみ出しがなく、またワイヤーボンディングなどの各工程も阻害なく実施することができた。更に、耐熱性粘着テープの剥離は、糊残りも生じず容易に行うことができた。   The QFN type semiconductor device obtained in this way had no protrusion of resin, and could perform each process such as wire bonding without hindrance. Furthermore, the heat-resistant adhesive tape was easily peeled off without causing adhesive residue.

(実施例2)
冷却管、窒素導入管、温度計、および撹拌装置を備えた反応容器に、水30部および過硫酸アンモニウム0.1部を仕込み、窒素ガスを導入しながら1時間撹拌した。ここに、アクリル酸n−ブチル95部、メタクリル酸5部、および乳化剤としてのポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸アンモニウム(商品名;ハイテノールLA−16、第一工業製薬(株)製)1.0部(固形分換算)を、水70部で乳化したものを70℃で4時間かけて滴下し、70℃で2時間熟成を行った。その後、室温まで冷却し、10重量%アンモニア水によりpH値を8に調整して、共重合体エマルションを得た。この共重合体エマルションに、その固形分(水分散系共重合体)100部に対し、オキサゾリン基を含有する水溶性架橋剤としてエポクロスWS−700(商品名、(株)日本触媒製、オキサゾリン基当量:220g・solid/eq.)0.2部(固形分換算)を混合して、水分散型アクリル系粘着剤を作成した。この水分散型アクリル系粘着剤に於ける可溶性成分の重量平均分子量を、前記方法に従い測定したところ、55万であった。
(Example 2)
A reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device was charged with 30 parts of water and 0.1 part of ammonium persulfate and stirred for 1 hour while introducing nitrogen gas. Here, 95 parts of n-butyl acrylate, 5 parts of methacrylic acid, and 1.0 part of polyoxyethylene lauryl ether ammonium sulfate (trade name; Hightenol LA-16, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) as an emulsifier ( What was emulsified with 70 parts of water was added dropwise at 70 ° C. over 4 hours and aged at 70 ° C. for 2 hours. Then, it cooled to room temperature and adjusted pH value to 8 with 10 weight% ammonia water, and obtained the copolymer emulsion. Epocross WS-700 (trade name, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., oxazoline group) as a water-soluble crosslinking agent containing an oxazoline group with respect to 100 parts of the solid content (water-dispersed copolymer) of this copolymer emulsion. Equivalent: 220 g · solid / eq.) 0.2 part (in terms of solid content) was mixed to prepare a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive. The weight average molecular weight of the soluble component in this water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive was measured according to the above method and found to be 550,000.

次に、前記実施例1と同様にして、水分散型アクリル系粘着剤からなる粘着剤層を基材層としてのポリイミドフィルム上に形成して、本実施例2に係る耐熱性粘着テープを作製した。但し、粘着剤層の厚さは15μmとした。   Next, in the same manner as in Example 1, a pressure-sensitive adhesive layer made of a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive was formed on a polyimide film as a base material layer, and a heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape according to Example 2 was produced. did. However, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 15 μm.

更に、本実施例2に係る耐熱性粘着テープを用いて、前記実施例1と同様にQFNタイプの半導体装置を製造した。このようにして得られたQFNタイプの半導体装置は、樹脂のはみ出しがなく、またワイヤーボンディングなどの各工程も阻害なく実施することができた。更に、耐熱性粘着テープの剥離は、糊残りも生じず容易に行うことができた。   Further, a QFN type semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1 using the heat resistant adhesive tape according to Example 2. The QFN type semiconductor device obtained in this way had no protrusion of resin, and could perform each process such as wire bonding without hindrance. Furthermore, the heat-resistant adhesive tape was easily peeled off without causing adhesive residue.

(実施例3)
冷却管、窒素導入管、温度計、および撹拌装置を備えた反応容器に、水30部および2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)ジヒドロクロライド0.1部を仕込み、窒素ガスを導入しながら1時間撹拌した。ここに、アクリル酸n−ブチル73部、アクリル酸2−エチルヘキシル20部、アクリル酸7部、および乳化剤としてのポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルサルフェートアンモニウム塩のフェニル基にプロベニル基を付加した反応性乳化剤(商品名;アクアロンBC2020、第一工業製薬(株))15部(固形分換算)を、水70部で乳化したものを60℃で4時間かけて滴下し、更に60℃で2時間熟成を行った。その後、室温まで冷却し、10重量%アンモニア水によりpH値を8に調整して共重合体エマルションを得た。この共重合体エマルションに、その固形分(水分散系共重合体)100部に対し、オキサゾリン基を含有する水溶性架橋剤としてエボクロスWS−700(商品名、(株)日本触媒製、オキサゾリン基当量:220g・solid/eq.)0.4部(固形分換算)を混合して、水分散型アクリル系粘着剤とした。この水分散型アクリル系粘着剤に於ける可溶性成分の重量平均分子量を、前記方法に従い測定したところ、70万であった。
(Example 3)
Into a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introducing tube, a thermometer, and a stirring device, 30 parts of water and 0.1 part of 2,2′-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride were charged, and nitrogen gas was introduced. The mixture was stirred for 1 hour. Here, a reactive emulsifier in which a probenyl group is added to a phenyl group of polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfate ammonium salt as an emulsifier (73 parts of n-butyl acrylate, 20 parts of 2-ethylhexyl acrylate, 7 parts of acrylic acid) Product name: Aqualon BC2020, Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) 15 parts (in terms of solid content) emulsified with 70 parts of water was added dropwise at 60 ° C. over 4 hours, and further aged at 60 ° C. for 2 hours. It was. Then, it cooled to room temperature and adjusted pH value to 8 with 10 weight% ammonia water, and obtained the copolymer emulsion. Evocross WS-700 (trade name, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., oxazoline group) as a water-soluble crosslinking agent containing an oxazoline group with respect to 100 parts of the solid content (water-dispersed copolymer) of this copolymer emulsion. Equivalent: 220 g · solid / eq.) 0.4 part (in terms of solid content) was mixed to obtain a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive. The weight average molecular weight of the soluble component in this water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive was measured according to the above method and found to be 700,000.

次に、前記実施例1と同様にして、水分散型アクリル系粘着剤からなる粘着剤層を基材層としてのポリイミドフィルム上に形成して、本実施例3に係る耐熱性粘着テープを作製した。但し、粘着剤層の厚さは5μmとした。   Next, in the same manner as in Example 1, a pressure-sensitive adhesive layer made of a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive was formed on a polyimide film as a base material layer to produce a heat resistant pressure-sensitive adhesive tape according to Example 3. did. However, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 5 μm.

この耐熱性粘着テープを、実施例1と同じ銅製のリードフレームに於けるアウターパッド側に貼り合わせ、同じ条件で半導体チップをボンディングした。次に、リードフレームは耐熱性粘着テープ側から真空吸引する形で240℃に加熱したヒートブロックに固定し、更にリードフレームの周辺部分をウインドクランパ−にて押さえて固定した。これらを、60KHzワイヤボンダー(日本アビオニクス製、MB−2200)を用いて、25μmの金線(田中貴金属製GLD−25)にて下記の条件でワイヤーボンディングを行った。尚、全てのボンディングを完了するのに約1時間を要した。   This heat-resistant adhesive tape was bonded to the outer pad side of the same copper lead frame as in Example 1, and the semiconductor chip was bonded under the same conditions. Next, the lead frame was fixed to a heat block heated to 240 ° C. by vacuum suction from the heat-resistant adhesive tape side, and further, the peripheral portion of the lead frame was pressed and fixed by a wind clamper. These were wire-bonded using a 60 KHz wire bonder (manufactured by Nippon Avionics, MB-2200) with a 25 μm gold wire (GLD-25 manufactured by Tanaka Kikinzoku) under the following conditions. It took about 1 hour to complete all bonding.

ファーストボンディング加圧:30g
ファーストボンディング超音波強度:25mW
ファーストボンディング印加時間:100msec
セカンドボンディング加圧:200g
セカンドボンディング超音波強度:50mW
セカンドボンディング印加時間:50msec
更に、エポキシ系封止樹脂(日東電工製HC−300)により、これらをモールドマシン(TOWA製Model−Y−serise)を用いて、175℃で、プレヒート設定60秒、インジェクション時間12秒、キュア時間120秒にてモールドした後、耐熱性テープを剥離した。なお、更に175℃にて3時間ほどポストモールドキュアを行って封止樹脂を十分に硬化させた後、ダイサーによって切断して、個々のQFNタイプの半導体装置を得た。
First bonding pressure: 30g
First bonding ultrasonic intensity: 25mW
First bonding application time: 100 msec
Second bonding pressure: 200g
Second bonding ultrasonic intensity: 50mW
Second bonding application time: 50 msec
Furthermore, with an epoxy-based sealing resin (HC-300 manufactured by Nitto Denko), these were molded at 175 ° C. using a mold machine (Model-Y-series manufactured by TOWA), preheating setting 60 seconds, injection time 12 seconds, and curing time. After molding in 120 seconds, the heat-resistant tape was peeled off. Further, post mold curing was performed at 175 ° C. for about 3 hours to sufficiently cure the sealing resin, and then cut with a dicer to obtain individual QFN type semiconductor devices.

このようにして得られたQFNタイプの半導体装置は、樹脂のはみ出しがなく、またワイヤーボンディングなどの各工程も阻害なく実施することができた。更に、耐熱性粘着テープの剥離は、糊残りも生じず容易に行うことができた。   The QFN type semiconductor device obtained in this way had no protrusion of resin, and could perform each process such as wire bonding without hindrance. Furthermore, the heat-resistant adhesive tape was easily peeled off without causing adhesive residue.

(比較例1)
冷却管、窒素導入管、温度計、および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸n−ブチル95部、アクリル酸5部および重合溶媒としてのトルエン150部を仕込み、窒素ガスを導入しながら2時間撹拌した。このようにして反応容器内の酸素を除去したのち、ペンゾイルパーオキシド0.2部を仕込み、反応容器内部を60℃に昇温させた。60℃で6時間重合反応をさせた後、更に65℃で2時間熟成させた。その後、室温まで冷却し、他官能イソシアネート化合物(商品名;コロネートHL、日本ポリウレタン(株)製)2部(固形分換算)を混合して、アクリル系粘着剤(可溶性成分の重量平均分子量:30万)を作成した。
(Comparative Example 1)
A reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device was charged with 95 parts of n-butyl acrylate, 5 parts of acrylic acid, and 150 parts of toluene as a polymerization solvent, while introducing nitrogen gas. Stir for hours. After removing oxygen in the reaction vessel in this way, 0.2 part of benzoyl peroxide was charged, and the temperature inside the reaction vessel was raised to 60 ° C. After the polymerization reaction at 60 ° C. for 6 hours, the mixture was further aged at 65 ° C. for 2 hours. Then, it cools to room temperature, 2 parts (solid content conversion) of other functional isocyanate compounds (brand name; Coronate HL, Nippon Polyurethane Co., Ltd.) are mixed, and acrylic adhesive (weight average molecular weight of a soluble component: 30) Million).

溶剤型粘着剤を使用した以外は、実施例1と同様に検討を行った。このようにして得られたQFNタイプの半導体装置は樹脂のはみ出しがなく、またワイヤーボンディングなどの各工程も阻害なく実施できた。しかしながら、粘着テープの剥離は、粘着力が大きく容易ではなかった。また被着面には糊残りが存在していた。   The examination was performed in the same manner as in Example 1 except that a solvent-type adhesive was used. The QFN type semiconductor device thus obtained did not protrude from the resin, and each process such as wire bonding could be carried out without hindrance. However, peeling of the adhesive tape is not easy because of its large adhesive force. In addition, adhesive residue was present on the adherend surface.

(比較例2)
前記比較例1の溶剤型粘着剤を使用した以外は、実施例3と同様にして粘着テープを作成した。このようにして得られたQFNは、樹脂のはみ出しもなく、またワイヤーボンディングなどの各工程も阻害なく実施できた。しかしながら、粘着テープの剥離は、粘着力が大きく容易ではなかった。また、被着面には糊残りが存在していた。
(Comparative Example 2)
An adhesive tape was prepared in the same manner as in Example 3 except that the solvent-type adhesive of Comparative Example 1 was used. The QFN obtained in this way could be carried out without hindering the resin and without interfering with each step such as wire bonding. However, peeling of the adhesive tape is not easy because of its large adhesive force. In addition, adhesive residue was present on the adherend surface.

本発明の実施の一形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of this invention. 前記半導体装置の製造方法を説明する為の説明図であって、同図(a)は平面視に於けるリードフレームを示し、同図(b)は拡大したパッケージパターン領域を示し、同図(c)はリードフレームの断面形状の一部を示す。4A and 4B are explanatory views for explaining a manufacturing method of the semiconductor device, in which FIG. 1A shows a lead frame in plan view, FIG. 2B shows an enlarged package pattern region, and FIG. c) shows a part of the cross-sectional shape of the lead frame. 前記半導体装置の製造方法に於ける樹脂封止工程を説明する為の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the resin sealing process in the manufacturing method of the said semiconductor device. 前記半導体装置の製造方法に用いる耐熱性粘着テープの概略を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the outline of the heat resistant adhesive tape used for the manufacturing method of the said semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

10 リードフレーム
11 パッケージパターン領域
11a 開口
11b 端子部
11c ダイパッド
11d ダイバー
12 キャビティ
13 ガイドピン用孔
15 半導体チップ
15a 電極パッド
16 ボンディングワイヤー
17 封止樹脂
17a 切断部
18 金型
18a 上金型
18b 下金型
19 導電性ペースト
20 耐熱性粘着テープ
20a 基材層
20b 粘着剤層
21 構造物
21a 半導体装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 11 Package pattern area 11a Opening 11b Terminal part 11c Die pad 11d Diver 12 Cavity 13 Guide pin hole 15 Semiconductor chip 15a Electrode pad 16 Bonding wire 17 Sealing resin 17a Cutting part 18 Mold 18a Upper mold 18b Lower mold 19 conductive paste 20 heat resistant adhesive tape 20a base material layer 20b adhesive layer 21 structure 21a semiconductor device

Claims (3)

アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に複数の半導体チップをボンディングする搭載工程と、
前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続する結線工程と、
封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程と、
封止された構造物を個別の半導体装置に切断する切断工程とを、少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
前記耐熱性粘着テープとして、
耐熱性を有する基材層と、
アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する水分散型アクリル系粘着剤を含み構成され、かつ前記水分散型アクリル系粘着剤を130℃、1時間の条件下で乾燥させた後、酢酸エチル中に25℃で7日間浸漬して抽出されたゾル分である可溶性成分の重量平均分子量が50万以上の粘着剤層とから少なくとも構成されるものを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
A mounting step of bonding a plurality of semiconductor chips on a die pad of a metal lead frame in which a heat-resistant adhesive tape is bonded to the outer pad side;
A wire connection step for electrically connecting a terminal portion tip of the lead frame and an electrode pad on the semiconductor chip with a bonding wire;
A sealing step of sealing one side of the semiconductor chip side with a sealing resin;
A semiconductor device manufacturing method including at least a cutting step of cutting the sealed structure into individual semiconductor devices,
As the heat-resistant adhesive tape,
A base material layer having heat resistance;
It is obtained by emulsion polymerization of a monomer comprising a (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms and a carboxyl group-containing monomer in the presence of an emulsifier. And a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive containing a copolymer emulsion , and the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive is dried at 130 ° C. for 1 hour, and then 25 ° C. in ethyl acetate. A method for producing a semiconductor device comprising using at least a pressure-sensitive adhesive layer having a weight-average molecular weight of a soluble component, which is a sol component extracted by immersion for 7 days, at 500,000 or more.
少なくとも、アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に複数の半導体チップをボンディングし、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続し、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止し、封止された構造物を固別の半導体装置に切断することにより該半導体装置を製造する際に用いられる耐熱性粘着テープであって、
前記耐熱性粘着テープは、
耐熱性を有する基材層と、
アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する水分散型アクリル系粘着剤を含み構成され、かつ前記水分散型アクリル系粘着剤を130℃、1時間の条件下で乾燥させた後、酢酸エチル中に25℃で7日間浸漬して抽出されたゾル分である可溶性成分の重量平均分子量が50万以上の粘着剤層とから少なくとも構成されるものであることを特徴とする耐熱性粘着テープ。
At least a plurality of semiconductor chips are bonded onto a die pad of a metal lead frame in which a heat-resistant adhesive tape is bonded to the outer pad side, and a terminal wire tip and the electrode pad on the semiconductor chip are bonded to a bonding wire. Heat-resistant adhesive used in manufacturing the semiconductor device by electrically connecting the semiconductor chip side with a sealing resin and sealing the sealed structure into separate semiconductor devices. A tape,
The heat-resistant adhesive tape is
A base material layer having heat resistance;
It is obtained by emulsion polymerization of a monomer comprising a (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms and a carboxyl group-containing monomer in the presence of an emulsifier. And a water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive containing a copolymer emulsion , and the water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive is dried at 130 ° C. for 1 hour, and then 25 ° C. in ethyl acetate. A heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape comprising a pressure-sensitive adhesive layer having a weight-average molecular weight of a soluble component, which is a sol extracted by dipping for 7 days, at 500,000 or more.
少なくとも、アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に複数の半導体チップをボンディングし、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続し、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止し、封止された構造物を固別の半導体装置に切断する半導体装置の製造方法に用いられる耐熱性粘着テープを構成する耐熱性粘着剤組成物であって、
前記耐熱性粘着剤組成物は、アルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とし、かつカルボキシル基含有単量体を含有してなる単量体を、乳化剤の存在下で乳化重合して得られた共重合体エマルションを含有する前記水分散型アクリル系粘着剤であり、
前記水分散型アクリル系粘着剤を130℃、1時間の条件下で乾燥させた後、酢酸エチル中に25℃で7日間浸漬して抽出されたゾル分であって、重量平均分子量が50万以上の可溶性成分を含むことを特徴とする耐熱性粘着剤組成物。
At least a plurality of semiconductor chips are bonded onto a die pad of a metal lead frame in which a heat-resistant adhesive tape is bonded to the outer pad side, and a lead wire terminal portion and an electrode pad on the semiconductor chip are bonded to a bonding wire The heat-resistant adhesive tape used for the manufacturing method of the semiconductor device which is electrically connected by the method, the semiconductor chip side is sealed on one side with a sealing resin, and the sealed structure is cut into separate semiconductor devices. A heat-resistant adhesive composition,
The heat-resistant pressure-sensitive adhesive composition comprises a monomer comprising an alkyl group (meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms as a main component and a carboxyl group-containing monomer as an emulsifier. The water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive containing a copolymer emulsion obtained by emulsion polymerization in the presence thereof,
The water-dispersed acrylic pressure-sensitive adhesive was dried at 130 ° C. for 1 hour and then immersed in ethyl acetate at 25 ° C. for 7 days. The sol was extracted and had a weight average molecular weight of 500,000. A heat-resistant adhesive composition comprising the above-described soluble component.
JP2004186689A 2004-06-24 2004-06-24 Manufacturing method of semiconductor device, heat resistant adhesive tape and heat resistant adhesive composition used therefor Expired - Fee Related JP4412597B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004186689A JP4412597B2 (en) 2004-06-24 2004-06-24 Manufacturing method of semiconductor device, heat resistant adhesive tape and heat resistant adhesive composition used therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004186689A JP4412597B2 (en) 2004-06-24 2004-06-24 Manufacturing method of semiconductor device, heat resistant adhesive tape and heat resistant adhesive composition used therefor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006013062A JP2006013062A (en) 2006-01-12
JP4412597B2 true JP4412597B2 (en) 2010-02-10

Family

ID=35779942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004186689A Expired - Fee Related JP4412597B2 (en) 2004-06-24 2004-06-24 Manufacturing method of semiconductor device, heat resistant adhesive tape and heat resistant adhesive composition used therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4412597B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4343943B2 (en) * 2006-11-24 2009-10-14 日東電工株式会社 Heat-resistant adhesive tape for semiconductor device manufacturing
KR101638676B1 (en) 2011-05-18 2016-07-11 샌디스크 세미컨덕터 (상하이) 컴퍼니, 리미티드 Waterfall wire bonding
CN106158778B (en) * 2015-03-12 2020-07-17 恩智浦美国有限公司 Integrated circuit package with side contact pads and bottom contact pads
JP2023177988A (en) * 2022-06-03 2023-12-14 株式会社レゾナック Temporary protective film for semiconductor device manufacturing and semiconductor device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006013062A (en) 2006-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5519971B2 (en) Dicing die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device
JP4810565B2 (en) Dicing die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device
JP5551568B2 (en) Resin-sealing adhesive tape and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device using the same
JP4728380B2 (en) Dicing die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device
JP3849978B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and heat-resistant adhesive tape used therefor
JP2010129700A (en) Dicing die-bonding film and method for producing semiconductor device
JP2010129699A (en) Dicing die-bonding film, and process for producing semiconductor device
JP4343943B2 (en) Heat-resistant adhesive tape for semiconductor device manufacturing
JP2009170787A (en) Dicing/die-bond film
JPWO2004065510A1 (en) Adhesive sheet, semiconductor wafer surface protection method and workpiece processing method
JP2010056544A (en) Dicing die-bonding film
JP2010062540A (en) Dicing/die-bonding film
JP2010062541A (en) Dicing/die-bonding film
KR20050076771A (en) Process for producing semiconductor devices, and heat resistant adhesive tape used in this process
WO2018055889A1 (en) Heat bonding sheet, and heat bonding sheet with dicing tape
JP2018037548A (en) Heat bonding sheet, and dicing tape-attached heat bonding sheet
JP2013038408A (en) Adhesive tape for fixing semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape with adhesive film
KR20060056362A (en) Heat resistant masking tape
JP5612403B2 (en) Resin-sealing adhesive tape and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device
WO2018042771A1 (en) Sheet for heat bonding, and sheet for heat bonding having dicing tape
JP5548077B2 (en) Resin-sealing adhesive tape and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device
WO2016104188A1 (en) Sheet for thermal bonding and sheet for thermal bonding with affixed dicing tape
JP5366781B2 (en) Resin-sealing heat-resistant adhesive tape and method for producing resin-sealed semiconductor device using the same
JP4412597B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device, heat resistant adhesive tape and heat resistant adhesive composition used therefor
JP2004186323A (en) Method of manufacturing semiconductor device and heat-resistant adhesive tape used therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090827

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091021

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20091021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091111

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091112

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151127

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees