JP4393555B2 - Single crystal growth method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体材料として用いるシリコンの単結晶成長装置及び単結晶成長方法に関する。 The present invention relates to a single crystal growth apparatus and a single crystal growth method for silicon used as a semiconductor material.
従来から、半導体用のシリコン単結晶成長方法として、チョクラルスキー法(CZ法)が広く使用されてきた。特に、当該CZ法は、大口径結晶の成長を行なう上で優れており、広く使われてきた。しかしながら、量産が進むにつれ、更なる結晶収率向上が望まれ、また、省資源・省エネルギーという観点からも多大な電力を消費するCZ法の結晶収率向上が必要となってきた。 Conventionally, the Czochralski method (CZ method) has been widely used as a silicon single crystal growth method for semiconductors. In particular, the CZ method is excellent in growing large-diameter crystals and has been widely used. However, as mass production progresses, further improvement in crystal yield is desired, and from the viewpoint of resource saving and energy saving, it has become necessary to improve the crystal yield of the CZ method, which consumes a large amount of power.
例えば、シリコン単結晶引上装置、シリコン単結晶引上方法の特許文献1には、結晶歩留や稼働率の高い単結晶引上装置やシリコン単結晶引上方法について記載されている。
原料多結晶供給装置について記載している。
また、シリコン単結晶の製造方法の特許文献2には、磁場を印加して、石英ルツボ内表面の劣化を抑制し、ルツボの寿命を延ばし、ルツボの劣化に起因する有転位化を防止する方法が記載されている。
また、単結晶の成長方法及びその実施に使用する装置についての特許文献3には、固体層と溶融層との界面を平坦に保ち、抵抗率を均一にし、高歩留で単結晶を得る方法が記載されている。For example,
The raw material polycrystal supply apparatus is described.
Further, in
Further,
また、特許文献3には、抵抗率の成長方向分布や歩留向上方法が記載されているが、太陽電池向け結晶など、抵抗率幅の大きい製品についての対策にはならない。
このように、結晶歩留を向上する上で重要なことは、先ず、成長結晶がポリ化し、または、有転移化することに対し、対策を要する。Further,
Thus, what is important in improving the crystal yield is to take measures against the crystal growth or transition of the grown crystal first.
本発明は、例えば単結晶成長法の中で、CZ法を用いるシリコン単結晶成長の過程で成長結晶がポリ化する割合を改善することを目的としたものである。また、同時に、炉の開放時に炉内部品に水分が吸着し、その影響でカーボン部品の消耗が激しくなり、炉の経時変化の影響や、結晶中へのカーボンの混入、溶融シリコンとカーボンが反応し、SiCが生成され、これが成長中の結晶に取込まれて有転移化するなどの問題解決を果たすことを目的とする。 An object of the present invention is to improve the rate of polycrystallization of a grown crystal during the process of growing a silicon single crystal using the CZ method, for example, in the single crystal growth method. At the same time, moisture is adsorbed to the internal parts of the furnace when the furnace is opened, which causes the carbon parts to become exhausted, and the effects of changes in the furnace over time, the incorporation of carbon into the crystal, and the reaction between molten silicon and carbon. Then, the purpose is to solve problems such as the generation of SiC, which is taken into the growing crystal and transformed.
本発明は、上記目的を達成するために、高真空を保持できる炉体と、炉内部品への水分の吸着を防止し、残留吸着物を化学的に積極的に反応させ、無害化、真空排気することによって、成長中のシリコン単結晶の有転移化を防止し、高品質結晶を高い歩留で得られる単結晶成長方法を提供するものである。 In order to achieve the above object, the present invention prevents the adsorption of moisture to the furnace body capable of maintaining a high vacuum and the components in the furnace, chemically reacts the residual adsorbate, detoxifies, and vacuums by venting to prevent chromatic transition of silicon in the grown single crystal, there is provided a single crystal growth method that obtain a high-quality crystal at high yield.
本発明に係る単結晶成長方法では、炉内到達真空度を維持できる真空シール材を有し、常圧、減圧または真空雰囲気で結晶成長を行なう結晶成長炉において、前記結晶成長炉を構成する真空チャンバを水冷ジャケット構造とし、前記水冷ジャケットに室温より高い温度の温水を流して引上げ準備工程を行う。その後、0.01%から3%のモノシランガスやシランガスを混合して加熱した不活性ガスを炉内に流しながら、短時間で真空度を上げるための真空排気装置により初期真空到達度を10のマイナス四乗トール以下とし、不活性ガスによる置換が進んだ段階で、前記真空チャンバに内在する炉内部品や原料結晶を、前記炉内部品や前記原料結晶を囲む予備加熱装置によって加熱し、吸着水分を取り除く。なお、真空漏れを低減するために、フランジの精度を向上させ、真空シール材料も例えば、回転軸のシールには、磁性流体シールなどを使用することも有効であり、真空漏れの低減が図られた上で水分吸着の低減を果たすことができる。 In the single crystal growth method according to the present invention, a vacuum constituting the crystal growth furnace is provided in a crystal growth furnace having a vacuum sealing material capable of maintaining the ultimate vacuum in the furnace and performing crystal growth at normal pressure, reduced pressure, or in a vacuum atmosphere. The chamber has a water-cooled jacket structure, and warming water having a temperature higher than room temperature is passed through the water-cooled jacket to perform a pull-up preparation process. Thereafter, the initial vacuum achievement is reduced to 10 by a vacuum exhaust device for raising the degree of vacuum in a short time while flowing an inert gas mixed with 0.01% to 3% monosilane gas or silane gas into the furnace. In the stage where the replacement with the inert gas has progressed to the fourth power torr or lower, the in-furnace parts and the raw material crystals existing in the vacuum chamber are heated by a preheating device surrounding the in- furnace parts and the raw material crystals , and the adsorbed moisture Remove. In order to reduce vacuum leakage, it is effective to improve the accuracy of the flange, and for the vacuum seal material, for example, to use a magnetic fluid seal or the like for the seal of the rotary shaft, thereby reducing the vacuum leakage. In addition, moisture adsorption can be reduced.
本発明に係る単結晶成長方法では、炉の開放時にチャンバ内壁に結露や吸着を生じさせないために、炉の内壁を室温以上に保つ構造として、真空チャンバの水冷ジャケット構造を具備する。すなわち、通常、冷却水は、室温より低くなることが多く、炉を構成するチャンバ内壁に結露が生じることがある。しかし炉チャンバの水冷ジャケット内部に温水を供給し、炉の内壁を室温以上に保つことで、温度制御系により炉の解体中や、準備工程で炉の内面が大気に曝されている場合において、チャンバの内壁に結露が生じることはなく、水分の吸着を低減できる。 The single crystal growth method according to the present invention includes a water-cooled jacket structure of a vacuum chamber as a structure for keeping the inner wall of the furnace at room temperature or higher so as not to cause condensation or adsorption on the inner wall of the chamber when the furnace is opened. That is, usually, the cooling water is often lower than room temperature, and condensation may occur on the inner wall of the chamber constituting the furnace. However, by supplying warm water inside the water cooling jacket of the furnace chamber and keeping the inner wall of the furnace at room temperature or higher, when the temperature control system is dismantling the furnace or when the inner surface of the furnace is exposed to the atmosphere in the preparation process, It never occurs condensation on the inner wall of the chamber, can reduce the adsorption of moisture.
また、本発明に係る単結晶成長方法では、加熱した不活性置換ガスを炉内に流し、吸着水分を除去する。すなわち、ガスの通路の吸着水分を除去する。更に、炉内部品を予備加熱装置によって加熱し、吸着水分を取り除く。保温筒の予備過熱を行なう。 Further, in the single crystal growth method according to the present invention, heated inert substitution gas is flowed into the furnace to remove adsorbed moisture. That is, the adsorbed moisture in the gas passage is removed. Furthermore, the in-furnace parts are heated by a preheating device to remove adsorbed moisture. Perform preliminary overheating of the insulation tube .
更にまた、不活性供給時に、微量のモノシランガスやシランガスを用いた場合、下記の化学反応1式又は2式により、炉内部品やシリコン原料への吸着水分を他の物質に転換し、単結晶成長炉内雰囲気より水分を効果的に除去することができる。Furthermore, when a small amount of monosilane gas or silane gas is used during the inert supply, the moisture adsorbed on the in-furnace parts and silicon raw materials is converted into other substances by the following
SiH SiH
44
+ 2H + 2H
22
O = SiOO = SiO
22
+ 4H + 4H
22
−1 -1
SiClH SiClH
33
+ 2H + 2H
22
O = SiOO = SiO
22
+ HCl + 3H + HCl + 3H
22
−2 -2
本発明に係る単結晶成長方法では、前記真空排気装置で真空引きを行なう時、前記水冷ジャケットに流される温水の温度を上昇させ、真空引きを行なってもよい。
真空引きと同時に、炉壁を大気への暴露中よりも昇温し、吸着水分の除去を行なう。
In single crystal growth method according to the present invention, when performing vacuuming by the vacuum exhaust device, wherein increasing the temperature of the hot water flows through the water-cooling jacket, a vacuum may be I line Do.
At the same time as evacuation, the temperature of the furnace wall is raised than during exposure to the atmosphere to remove adsorbed moisture.
更に、前記不活性供給ガスの加熱制御と、前記水冷ジャケット内の温水温度制御と、前記予備加熱装置と、主加熱源のヒータをそれぞれ真空度レベルに応じて制御してもよい。主加熱ヒータも含め、昇温し、吸着水分の除去を行なう。 Further, the heating control of the inert feed gas, and hot water temperature control in the water cooling jacket, and the preliminary heating device, may be controlled in accordance with the heater main heating source vacuum level, respectively. The temperature is raised including the main heater to remove the adsorbed moisture.
本発明によれば、真空レベルの向上と、短時間に高真空度に到達できること、また、吸着物質として水分などの除去を確実に行なえるため、単結晶成長時の有転移化の防止や、多結晶化の防止が確実にできるため、結晶歩留の向上を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to improve the vacuum level, reach a high degree of vacuum in a short time, and to reliably remove moisture and the like as an adsorbent, so that prevention of transition during single crystal growth, Since it is possible to reliably prevent polycrystallization, the crystal yield can be improved.
本発明によれば、単結晶引上げの開始前に炉内に残留する空気や、水分、炭化水素化合物を除去し、シリコンの溶解工程に至る以前にシリコンとの反応し易いこれらの物質を除去することができるため、単結晶の成長を妨げるシリコンの炭化物、酸化物などの異物の生成が無くなり、これによって結晶成長の歩留を改善できる効果が得られた。また、従来、炉内のカーボン部品は、水分がある場合、ハイドロカーボン化し、形状劣化を生じる。また、残留酸素によって炭酸ガス化し、カーボン部品寿命を短縮する不具合が有ったが、本発明による残留ガスや残留水分の除去により、長寿命化が実現できる効果が得られた。また、成長中の結晶中に炭素が取込まれる量を低減できるため、その後のウエーハプロセスの熱処理時に生じる炭素起因の酸素析出の低減が可能になった。
更に、本発明によって、更に炉内部品が劣化しないため、従来プロセス条件の経時的変化を抑止することが出来たため、品質の安定化が実現できる効果が得られた。According to the present invention, air, moisture, and hydrocarbon compounds remaining in the furnace are removed before the start of pulling of the single crystal, and these substances that easily react with silicon are removed before the silicon melting step. Therefore, the generation of foreign matter such as silicon carbide and oxide that hinders the growth of the single crystal is eliminated, thereby obtaining the effect of improving the yield of crystal growth. Further, conventionally, when there is moisture, the carbon parts in the furnace are converted to hydrocarbons, resulting in shape deterioration. Further, although there was a problem that carbon dioxide gas was generated by residual oxygen and the life of carbon parts was shortened, the effect of realizing long life was obtained by removing residual gas and residual moisture according to the present invention. In addition, since the amount of carbon taken into the growing crystal can be reduced, it is possible to reduce carbon-induced oxygen precipitation that occurs during the subsequent heat treatment of the wafer process.
Furthermore, since the present invention does not further deteriorate the in-furnace parts, it has been possible to suppress the change with time of the conventional process conditions, so that the effect of stabilizing the quality was obtained.
以下に本発明を実施するための最良の形態を実施例に基づき説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below based on examples.
本発明の実施例を図1から図4によって説明する。
図1は、本発明における単結晶成長装置の模式図である。
である。
図において、真空チャンバ1は水冷ジャケット構造となっており、炉内の加熱時の熱を遮蔽しているが、水冷ジャケット内に冷却水を冷却水結合配管2によって、取り回し、冷却を行なっている。雰囲気ガスとして、アルゴンガスやヘリュームガスなどの不活性ガスが使用されている。前記不活性ガスは、ガスフローメータ3を経由し、炉内に供給される。従来、不活性ガスは略常温で供給されていたが、本発明においては、昇温熱交換器4を経由し、ガスバルブ5で供給ガスの制御を経て炉内に供給する。An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic view of a single crystal growth apparatus according to the present invention.
It is.
In the figure, the
主制御装置は単結晶引上げ工程の全ての区間を管理しており、引上げ準備工程つまりチャンバ内壁が空気に暴露されている状況下では、冷却水に代わって、温水バルブ7を経由し、昇温熱交換器9で暖められた温水が水冷ジャケット内に供給される。温度計6で、当該温水の温度が監視されており、室温に比較し5℃以上の温度になるように温水を加熱している。炉が閉じられ、完全に空気や水分が置換された後、原料多結晶を溶解する工程に入ると、冷水バルブ8を開き、冷却水槽14からポンプ21によって冷却水が揚水され、チャンバに通水される。また、一般的に複数の炉の冷却用循環水を使用する場合、炉の稼動時に温水化した炉からの冷却排水の温度の高いものを再利用しても良い。 The main controller manages all sections of the single crystal pulling process, and in the pulling preparation process, that is, when the inner wall of the chamber is exposed to air, instead of cooling water, the temperature rises through the
炉からの真空排気は、真空排気弁10を経由し、真空ポンプ11によって真空排気するが、減圧状態を保ちながら結晶成長を行なう時は、真空排気弁10を圧力調整弁として使用し、必要な減圧状態に圧力調整を行なう。バルブ12は、置換ガス源13から置換ガス供給を制御する制御弁である。例えば、不活性ガスで置換を行なう前に、乾燥窒素ガスでガス置換を行い、炉内の水分や残留酸素との置換を行なうことができる。炉の冷却を行なう冷却水経路は、冷却水槽14から冷水バルブ8を経由し、温度計6で計測された冷却水が真空チャンバ1に供給され、冷却水結合配管2で上部のチャンバからメインチャンバそして下部チャンバへと供給し、再び冷却水槽14へと戻される。冷却水槽14の水温が上昇するとチラーなどの熱交換器によって冷却され、一定範囲の温度が保たれる。 The evacuation from the furnace is evacuated by the vacuum pump 11 via the
炉が大気開放されている炉の掃除や原料チャージの工程においては、冷水バルブ8を閉じ、温水バルブ7を開き、ポンプ22から昇温熱交換器9を経由して室温より高い温度の温水をチャンバへと流し、チャンバ内壁に結露が生じないようにする。 In the process of cleaning the furnace and charging the raw material when the furnace is open to the atmosphere, the
図2は、本発明における保温筒の予備過熱機能の摸式図である。
図において、保温リング15は、ヒータからの熱を遮蔽し、炉内を高温に保つ働きで使用されている。本発明では、炉内部品予備加熱電源16からの電力で、予備加熱ヒータ18を加熱し、吸着水分の置換を促進する。絶縁材17は、保温リング15が導電性の炭素ファイバである場合、電気を通じないための絶縁材である。FIG. 2 is a schematic diagram of the preliminary overheating function of the heat insulating cylinder in the present invention.
In the figure, the heat retaining ring 15 is used to shield heat from the heater and keep the inside of the furnace at a high temperature. In the present invention, the preheater 18 is heated by the electric power from the in-furnace component preheating
図3は、本発明における単結晶成長装置のガス供給経路図である。
不活性ガスとして、ヘリュームガスやアルゴンガスが用いられるが、ここではアルゴンガス使用の例を示す。アルゴンガスは、通常液体アルゴンを気化させながら使用するが、真空チャンバ1に供給するアルゴンガスは、アルゴンガスバルブ19から供給される。供給されたアルゴンガスの露天は、マイナス80℃レベルのものであり、水分は含まれないが、炉内部品には、大気中に放置されたことによって、ある程度の水分を吸着している、そこで、供給されたアルゴンガスを先ず昇温熱交換器4に通して加熱し、ガスバルブ5から真空チャンバ1に供給する。このままの状態であっても、従来法に比較すれば、吸着水分量の置換量は大きく改善されているが、さらにモノシランガス(SiH4)をモノシランガスバルブ20から0.01%から3%程度加え、炉内部品の予備加熱装置18で加熱し、100℃以上に過熱すれば、急激に水分を排気することができる。FIG. 3 is a gas supply path diagram of the single crystal growth apparatus in the present invention.
As the inert gas, helium gas or argon gas is used. Here, an example of using argon gas is shown. The argon gas is usually used while vaporizing liquid argon. The argon gas supplied to the
図4は、本発明における単結晶成長工程フロー図である。
図において、炉の自動制御ユニットは、工程毎に環境温度を計測し、真空チャンバ1に水冷ジャケット内部に流す冷却水温度を環境温度以下にしないように制御を行なう。つまり、冷却水温度が室温より低い場合、真空チャンバ1の内壁に結露が生じる可能性がでる。そこで、炉壁の自動制御ユニットは、室温より高めに冷却水の昇温制御を実施する(STEP−1)。FIG. 4 is a flow chart of a single crystal growth process in the present invention.
In the figure, the automatic control unit of the furnace measures the environmental temperature for each process and performs control so that the temperature of the cooling water flowing into the
次に、炉を大気開放し、次の結晶成長に備え原材料を仕込む。結晶成長が完了している場合、先ず成長結晶を取り出す。その後、炉内掃除・原料チャージ作業に続く。ここで、結晶成長時に生成した粉体や堆積物を炉内から除去する。これらの作業の間、相当する時間及び原材料の組込み作業時間の間、チャンバ内壁面は、大気中に暴露することになり、チャンバ壁への水分吸着が生じる。
その後、炉の組立てを行い、真空引きを行なう時点で、前記チャンバ壁への水分吸着が所定の真空度まで素早く到達させる上で弊害となる。(STEP−2)。
そこで、炉を大気開放時に、チャンバ炉壁面の昇温を行い、水分吸着の低減を図る必要がある。Next, the furnace is opened to the atmosphere, and raw materials are charged for the next crystal growth. When the crystal growth is completed, the grown crystal is first taken out. After that, the furnace cleaning and raw material charging work are continued. Here, the powder and deposits generated during crystal growth are removed from the furnace. During these operations, during the corresponding time and raw material incorporation operation time, the chamber inner wall surface is exposed to the atmosphere, and moisture adsorption on the chamber wall occurs.
Thereafter, when the furnace is assembled and evacuation is performed, moisture adsorption on the chamber wall is a detrimental effect for quickly reaching a predetermined degree of vacuum. (STEP-2).
Therefore, when the furnace is opened to the atmosphere, it is necessary to increase the temperature of the chamber furnace wall to reduce moisture adsorption.
次に炉を組立て、炉を密閉し、真空粗引きを開始する。(STEP−3)。
更に前記チャンバ炉壁面の吸着水分を素早く取除くため、更に冷却水温を高める。また、炉内を減圧状態にした後、置換ガスを流し、また真空引きを行なう動作の繰り返しを行い、置換率を高める。
更に、高温の置換ガスを炉内に供給し、炉内部品表面の吸着水分をガス置換し、排気すると共に目標設定真空度に素早く到達するように真空引きを行なう(STEP−4)。Next, the furnace is assembled, the furnace is sealed, and vacuum roughing is started. (STEP-3).
Furthermore, in order to quickly remove the adsorbed moisture on the chamber furnace wall surface, the cooling water temperature is further increased. Further, after the inside of the furnace is depressurized, the replacement gas is supplied and the operation of evacuation is repeated to increase the replacement rate.
Further, a high-temperature replacement gas is supplied into the furnace, and the adsorbed moisture on the surface of the in-furnace parts is replaced with gas, and exhausted and evacuated so as to quickly reach the target vacuum level (STEP-4).
置換ガスが進んだ段階で炉内部品予備加熱工程に入る(STEP−5)。
例えば、炉内で多孔質の炉内保温材である保温筒の予備過熱を行なう。100℃ていどから200℃に昇温し、また、不活性ガスの供給または、昇温した不活性ガスの供給により、水分や、残留ガスの置換を行なう。At the stage where the replacement gas has advanced, the process enters the in-furnace component preheating step (STEP-5).
For example, preliminary overheating of a heat insulating cylinder, which is a porous heat insulating material in the furnace, is performed in the furnace. The temperature is increased from 100 ° C. to 200 ° C., and moisture or residual gas is replaced by supplying an inert gas or supplying a heated inert gas.
残留ガスの置換が完了した時点で、不活性ガスの供給を停止、真空引きにより、到達真空度を確認する。到達真空度が10E−4トール以下になった場合、真空漏れが無いものとして、結晶成長工プロセスに移行する(STEP−6)。 When the replacement of the residual gas is completed, the supply of the inert gas is stopped, and the ultimate vacuum is confirmed by evacuation. When the ultimate vacuum is 10E-4 Torr or less, it is assumed that there is no vacuum leakage, and the process proceeds to the crystal growth process (STEP-6).
次に炉内部品の予備加熱を停止する(STEP−7)。
予備加熱装置は、基本的に多孔質の炉内保温材の昇温による吸着物の蒸発を促進する目的であり、単結晶成長プロセスでは停止するが、場合によって、炉内の温度分布改善に流用することも可能である。Next, preheating of the in-furnace parts is stopped (STEP-7).
The preheating device is basically for the purpose of promoting the evaporation of adsorbate by raising the temperature of the porous insulation material in the furnace. It stops in the single crystal growth process, but in some cases, it is used to improve the temperature distribution in the furnace. It is also possible to do.
次に単結晶成長プロセスに移行する(STEP−8)。
単結晶成長プロセスでは、先ず、多結晶原料の溶解、種結晶の成長に続き、目的の単結晶成長工程へと進み、単結晶成長プロセスが完了すると冷却工程を経て、炉の解体、結晶取出しを行い、最初の状態からの繰り返し作業となる。Next, the process proceeds to a single crystal growth process (STEP-8).
In the single crystal growth process, first the melting of the polycrystalline raw material and the growth of the seed crystal are followed by the target single crystal growth step. When the single crystal growth process is completed, the furnace is disassembled and the crystal is taken out through the cooling step. It will be repeated work from the first state.
順調に真空工程が進まなかった場合、真空シール保守作業を行なう(STEP−9)。
真空の保持状態が悪い所謂真空炉に漏れがある場合には、真空シール材料の交換や、フランジの合わせ部分の締付けなど保守作業を行う。極微量の漏れがある場合において、不活性ガスに添加したモノシランガス(SiH4)が空気や水分と反応し、炉外に排出されるため、結晶の歩留向上に効果がある。If the vacuum process does not proceed smoothly, vacuum seal maintenance work is performed (STEP-9).
When there is a leak in the so-called vacuum furnace where the vacuum holding state is poor, maintenance work such as replacement of the vacuum seal material and tightening of the flange fitting portion is performed. When there is a very small amount of leakage, the monosilane gas (SiH 4 ) added to the inert gas reacts with air and moisture and is discharged out of the furnace, which is effective in improving the yield of crystals.
本発明において、このように単結晶歩留を改善する利点がある。
本発明の説明では、シリコン単結晶について記載しているが、本発明における水分や酸素などの吸着物を除去する手法は、シリコン多結晶やその他の無機単結晶・多結晶の製造時における品質改良、歩留改善に適用できることは言うまでもない。又結晶製造以外に、真空蒸着法、化学気相成長法、分子線エピタキシャル法などでの無機材質や有機材質薄膜の形成時にも、真空チャンバを用いて製造を行なうが、この場合にも装置内部の吸着ガスや水分除去に本発明を適用し、品質改良や歩留改善を効果的に行うことができる。In this invention, there exists an advantage which improves a single crystal yield in this way.
In the description of the present invention, a silicon single crystal is described. However, the technique for removing adsorbed substances such as moisture and oxygen in the present invention improves the quality during the production of silicon polycrystals and other inorganic single crystals / polycrystals. Needless to say, it can be applied to yield improvement. In addition to crystal manufacturing, vacuum chambers are used to manufacture inorganic and organic thin films by vacuum deposition, chemical vapor deposition, molecular beam epitaxy, etc. The present invention can be applied to the removal of adsorbed gas and moisture to improve quality and yield.
1 真空チャンバ 2 冷却水結合配管 3 ガスフローメータ
4 昇温熱交換器 5 ガスバルブ 6 温度計
7 温水バルブ 8 冷水バルブ 9 昇温熱交換器
10 真空排気弁 11 真空ポンプ 12 バルブ
13 置換ガス源 14 冷却水槽 15 保温リング
16 炉内部品予備加熱電源 17 絶縁材
18 予備加熱ヒータ 19 アルゴンガスバルブ
20 モノシランガスバルブ 21 ポンプ
22 温水ポンプDESCRIPTION OF
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