JP4390901B2 - バンプボンディング装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体部品の電極をボンディングするバンプボンディング装置、及び該バンプボンディング装置にて実行されるバンプ検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣ（半導体集積回路）の高周波化に伴ってその耐ノイズ性を高めるため、ＩＣを回路基板へ実装する際には、上記ＩＣ上に形成されている内部電極と上記回路基板上に形成されている外部電極との接続距離を短縮することができるフリップチップボンディングが行われている。このフリップチップボンディングが行われるＩＣの上記内部電極には、当該内部電極と上記外部電極とを接続するためのバンプ、すなわち突起電極が形成されている。
例えば半導体ＩＣチップの電極に上記バンプを形成するバンプボンディング装置にてバンプが上記電極上にボンディングされた後、該バンプ形状の良否又はバンプと上記電極との不着の判定は、従来、上記ボンディング装置から上記半導体ＩＣチップを検査装置へ搬送し該検査装置にて行うか、又は目視によって行われていた。一方、上記ボンディング装置内に設けた検出機構で上記良否や上記不着を検出する方法もある。該方法ではボンディングの際にワイヤーに高周波の電流を流し、その結果を上記検出機構でモニターしてバンプの良否又はバンプの不着の判定を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ボンディング後に上記検査装置によってバンプの良否又はバンプ不着の判定を行う場合、バンプボンディングした半導体ＩＣチップを所定数、連続生産した後に行うことになり、不良品の数が増大したり、該不良品のリペアが困難になるという問題が生じ、又それを検出する装置や人が必要となり、多くの労力と時間とコストがかかるという問題がある。さらに、上記検出機構による方法の場合、上記半導体ＩＣチップに必要以上の上記高周波電流が流れてしまい、不良品を作るという問題もある。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、バンプボンディング装置にて上記バンプの良否又は上記不着の検査を行う一方、不良品数の増加防止、不良品のリペアをする為の労力、時間とコストの削減が可能な、バンプボンディング装置、及び該バンプボンディング装置を使用したバンプ検査方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為、本発明では以下のように構成している。
本発明の第１態様のバンプボンディング装置は、金属ワイヤの先端部に形成された溶融ボールを半導体部品の電極に移動させ上記電極にバンプを形成するバンプ形成装置と、
上記バンプ形成装置に備わり上記溶融ボールの移動を行う駆動装置に供給される実際の電流値を検出する電流検出器と、
上記電極への上記溶融ボールの押圧開始において上記電流検出器にて検出される形成中電流値と、正常な形状にて上記バンプが上記電極に形成されているときの正常電流値とを比較し、及び、上記金属ワイヤの切断動作において上記電流検出器で検出される実際の引きちぎり電流値と、上記バンプ及び上記電極が正常に固着しているときの正常電流値とを比較し、両方の比較結果がともに正常であるときにバンプ形成正常を判断するボンディング制御部と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態であるバンプボンディング装置、及び該バンプボンディング装置にて実行されるバンプ検査方法について図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同じ構成部分については同じ符号を付している。
又、上記「課題を解決するための手段」に記載する、「駆動装置」の機能を果たす一例として本実施形態では超音波ホーン駆動部１２５を例に採り、「バンプ形成装置」の機能を果たす一例として本実施形態ではバンプ形成ヘッド１１０を例に採り、「バンプ形成情報」の機能を果たす一例として本実施形態では上記超音波ホーン駆動部１２５へ供給される電流の値、上記バンプ形成ヘッド１１０に備わる超音波ホーン１１２の先端部１１２ａの位置の情報、又は該位置の偏差の情報を例に採るが、勿論、これらの実施形態に限定されるものではない。
又、以下の実施形態に記載する「半導体部品」は、半導体チップが封止され電極のみが露出しているような素子は勿論のこと、封止前の半導体チップであってバンプ形成用の電極を有するような素子も含む。
【００１０】
図３に示す上記バンプボンディング装置１００は、大別して、搬入装置１０１と、搬出装置１０２と、半導体部品移送装置１０５と、バンプ形成ヘッド１１０と、制御装置５０１とを備える。
搬入装置１０１は、バンプを形成するための半導体部品１０３がトレイ１０４ｂに収められた状態でトレイ１０４ｂを当該バンプボンディング装置１００へ搬入する装置である。搬出装置１０２は、バンプが形成された半導体部品１０３を収納するトレイ１０４ａを当該バンプボンディング装置１００の外部へ搬出する装置である。半導体部品移送装置１０５は、平面上で互いに直交するＸ，Ｙ方向へ移動してトレイ１０４ｂ及びトレイ１０４ａ（総称して「トレイ１０４」と記す場合もある）と、バンプ形成ステージ１０６との間で半導体部品１０３を移送する。
バンプ形成ヘッド１１０は、図１に示すように、上記Ｘ，Ｙ方向に移動可能なＸ，Ｙステージ１１５上に設置されたフレーム１１６に取り付けられた超音波ホーン１１２と、上記フレーム１１６に取り付けられ該フレーム１１６における支点１１７を回転中心として超音波ホーン１１２を矢印VI方向に揺動させる可動側の磁石１１８と、該磁石１１８が取りつけられた固定側のコイル１２３と、上記超音波ホーン１１２に超音波を発生させる超音波発生器１１９と、ワイヤ処理装置１２０とを備える。尚、上記磁石１１８と上記コイル１２３にて、いわゆるボイスコイルモータを構成し、上記超音波ホーン１１２を揺動させる。又、上記ボイスコイルモータ部分を超音波ホーン駆動部１２５とする。
【００１１】
上記超音波ホーン１１２の先端部１１２ａには、該先端部１１２ａに取り付けられワイヤ１４４を保持し、かつ上記超音波ホーン１１２の揺動とともに半導体部品１０３の厚み方向に移動可能なバンプ形成部材１４６が設けられている。上記ワイヤ処理装置１２０は、上記バンプ形成部材１４６へのワイヤ１４４の供給を行うワイヤ供給装置と、バンプ形成部材１４６に保持されるワイヤ１４４の先端との間で高電圧を印加し放電させその熱でワイヤ１４４の先端を溶融してボールを形成するワイヤ溶融装置と、バンプ形成後、バンプからワイヤ１４４を引きちぎるためにワイヤ１４４を挟持するクランパとを備える。上記バンプ形成部材１４６は、図示するように、上記超音波ホーン１１２と一体的に動作するフレーム部材１２４に取り付けられている。
【００１２】
上記超音波ホーン駆動部１２５の上記コイル１２３には、電流検出器１２１が接続されている。上記電流検出器１２１は、半導体部品１０３の電極上へのバンプ形成中のみならず形成されたバンプからワイヤ１４４が引きちぎられた直後までにおいて、コイル１２３に供給される電流を検出し、検出した電流値に基づいて、形成したバンプの形状の良否判定、及び該バンプと上記電極との不着判定を行う。
又、変形例として、電流検出器１２１の代わりに、又は電流検出器１２１に加えてアクチュエータ位置検出器１２２を備えることもできる。アクチュエータ位置検出器１２２は、上記超音波ホーン１１２の先端部１１２ａ、つまりバンプ形成部材１４６の位置決めを行うための装置であり、本実施形態では例えば上記先端部１１２ａに設けたミラーに光を反射させ、その反射光を検出することで上記先端部１１２ａの変位を検出するように構成されている。該アクチュエータ位置検出器１２２にて検出された位置、又は該位置の時間的変化を示す位置偏差の情報は、アクチュエータ位置検出器１２２から制御装置５０１のボンディング制御部５１１へ送出される。該ボンディング制御部５１１は、検出された位置検出値又は位置偏差検出値に基づいて、形成したバンプ形状の良否判定、及び該バンプと上記電極との不着判定を行う。
【００１３】
制御装置５０１は、図２に示すように大別して、ボンディング制御部５１１と、装置制御部５１２とを備える。又、制御装置５０１とは別に、他設備制御部５１３が設けられている。装置制御部５１２は、上記Ｘ，Ｙステージ１１５、超音波発生器１１９、ワイヤ処理装置１２０、上記アクチュエータ位置検出器１２２、及び上記コイル１２３に接続される他、上記搬入装置１０１、搬出装置１０２、及び半導体部品移送装置１０５にも接続され、これらの動作制御を行う。他設備制御部５１３は、バンプ形成の良否の情報を格納するバンプ形成良否記憶器５１７から、バンプ形成の良否の情報を読み出す他設備の制御部である。
【００１４】
ボンディング制御部５１１は、本実施形態では、電流値比較器５１５と、電流値記憶器５１６とを備える。尚、ボンディング制御部５１１の変形例として、図７に示すボンディング制御部５３１を設けることもできる。ボンディング制御部５３１では、電流値比較器５１５及び電流値記憶器５１６に代えて、可動部位置検出値比較器５１８及び可動部位置検出値記憶器５１９を備える。さらに又、図８に示すボンディング制御部５３２のように、可動部位置偏差検出値比較器５２０と、可動部位置偏差検出値記憶器５２１とを備えることもできる。さらに又、図９に示すボンディング制御部５３３のように、電流値比較器５１５及び電流値記憶器５１６と、可動部位置検出値比較器５１８及び可動部位置検出値記憶器５１９とを備えることもできる。さらに又、図１０に示すボンディング制御部５３４のように、電流値比較器５１５及び電流値記憶器５１６と、可動部位置偏差検出値比較器５２０及び可動部位置偏差検出値記憶器５２１とを備えることもできる。
【００１５】
上記電流値比較器５１５は、上記コイル１２３に接続されている上記電流検出器１２１に接続されるとともに、上記電流値記憶器５１６に接続されている。該電流値比較器５１５は、予め電流値記憶器５１６に記憶している、正常形状のバンプを形成したときの電流値である正常電流値を上記電流値記憶器５１６から読み出し、該正常電流値と、バンプ形成中における実際の形成中電流値との比較を行うとともに、本実施形態ではさらに、バンプと上記電極とが正常にボンディングされたときにおける上記引きちぎり動作に要する引きちぎり正常電流値を上記電流値記憶器５１６から読み出し、該正常電流値と、実際の引きちぎり動作における引きちぎり電流値との比較を行う。尚、上記２つの比較動作の内、いずれか一方についてのみを上記電流値比較器５１５にて実行するようにしてもよい。
【００１６】
又、上記可動部位置検出値比較器５１８は、上記アクチュエータ位置検出器１２２に接続されるとともに、上記可動部位置検出値記憶器５１９に接続されている。該可動部位置検出値比較器５１８は、予め上記可動部位置検出値記憶器５１９に記憶している、正常形状のバンプを形成したときの可動部位置検出値である正常可動部位置検出値を上記可動部位置検出値記憶器５１９から読み出し、該正常可動部位置検出値と、バンプ形成中における実際の形成中可動部位置検出値との比較を行う。さらに、上記可動部位置検出値比較器５１８は、バンプと上記電極とが正常にボンディングされたときにおける上記引きちぎり動作に要する引きちぎり正常可動部位置検出値を上記可動部位置検出値記憶器５１９から読み出し、上記引きちぎり正常可動部位置検出値と、実際の引きちぎり動作における引きちぎり可動部位置検出値との比較を行う。尚、上記２つの比較動作の内、いずれか一方についてのみを上記可動部位置検出値比較器５１８にて実行するようにしてもよい。
【００１７】
又、上記可動部位置偏差検出値比較器５２０を設けた場合については、上述の説明において、上記可動部位置検出値比較器５１８を可動部位置偏差検出値比較器５２０に、上記可動部位置検出値記憶器５１９を可動部位置偏差検出値記憶器５２１に、上記正常可動部位置検出値を正常可動部位置偏差検出値に、上記形成中可動部位置検出値を形成中可動部位置偏差検出値に、上記引きちぎり正常可動部位置検出値を引きちぎり正常可動部位置偏差検出値に、上記引きちぎり可動部位置検出値を引きちぎり可動部位置偏差検出値に、それぞれ読み替えることで説明することができる。
【００１８】
上記電流値比較器５１５を用いた場合における比較動作について詳しく説明する。比較動作説明の前に、まず図５を参照して、バンプ形成ヘッド１１０を用いたバンプ形成動作を概説する。
バンプ形成ステージ１０６にて所定位置にセットされた半導体部品１０３に対して、昇降自在な押圧用キャピラリとしての上記バンプ形成部材１４６に保持されたワイヤ１４４の先端に形成したボール１４５を上記半導体部品１０３の電極に押圧する。即ち、先端にボール１４５が形成されたワイヤ１４４を保持しているバンプ形成部材１４６を、上記超音波ホーン駆動部１２５の動作により、図５に符号２０１にて示すように、高さＨから高さｈ₁まで下降させる。次に、符号２０２にて示すように、上記高さｈ₁から、上記ボール１４５が上記電極に押圧される高さｈ₂までさらにバンプ形成部材１４６を下降させる。そして符号２０３にて示すように、半導体部品１０３の電極にボール１４５を時間Ｔにわたり押圧しながら、超音波発生器１１９によって超音波を印加し接合する。次に、符号２０４、２０５にて示すように、上記押圧終了後、バンプ形成部材１４６を一旦上昇させた後、符号２０６にて示すようにワイヤ処理装置１２０に備わるクランパにてワイヤ１４４をはさみながらバンプ形成部材１４６を上昇させることにより、形成されたバンプとクランプされているワイヤ１４４とが切断され、上記電極にバンプが形成される。
その後、ワイヤ処理装置１２０のワイヤ溶融装置を用いてワイヤ１４４の先端部を溶融して該先端部に再びボール１４５を形成し、再度上述と同様の工程を繰り返して、半導体部品１０３におけるそれぞれの電極にバンプを順次形成していく。
【００１９】
上記符号２０２及び符合２０３にて示される、上記電極への上記ボール１４５の押圧開始時において、上記電流検出器１２１にて検出される、バンプ形成部材１４６を駆動するコイル１２３への供給電流値、つまり上述の実際の形成中電流値は、正常な形状にてバンプが上記電極に形成されているときには、図５に符号２１２にて示すような正常電流値変化を示す。一方、例えば、上記ボール１４５の上記電極への押圧に失敗したときや、何らかの問題でバンプ形成時に超音波ホーン１１２が振動したときには、バンプが形成されなかったり正常な形状でバンプは形成されない。このようなときには超音波ホーン１１２が正常時に比べて大きく振動することから、図５に符号２１３にて示すように、上記実際の形成中電流値はオーバーシュートし、その結果、異常電流値変化を示す。
【００２０】
又、上記符号２０５にて示されるワイヤ１４４の切断動作時における供給電流値、つまり上述の実際の引きちぎり電流値は、バンプと上記電極とが正常に固着しているときには符号２１４にて示すような正常電流値変化を示し、一方、バンプと上記電極との固着状態が不十分なときには符号２１５にて示すような異常電流値変化を示す。即ち、バンプと上記電極とが正常に固着している場合に比べて上記固着状態が不十分なときには、ワイヤ１４４が分断する前に上記バンプと上記電極とが外れてしまうことから、自ずとバンプ形成部材１４６を駆動する上記超音波ホーン駆動部１２５のコイル１２３への供給電流値は、上記符号２１５にて示すように、符号２１４にて示される正常の場合に比べて小さくなる。
尚、本実施形態では、図５に示すように、バンプ形成部材１４６を半導体部品１０３側へ移動させるためにコイル１２３へ供給する電流値をプラス、逆に、バンプ形成部材１４６を半導体部品１０３とは逆方向側へ移動させるためにコイル１２３へ供給する電流値をマイナスとして、グラフが描かれている。
【００２１】
ボンディング制御部５１１の電流値記憶器５１６には、一例として上記符号２１２及び符合２１４にて示されるような各正常電流値変化のデータが格納されている。よって、上記電流値比較器５１５は、バンプ形成開始時、及びワイヤ１４４の切断動作時のそれぞれにおいて、上記正常電流値変化と、実際に検出された電流値変化とを比較する。即ち、上記バンプ形成開始時にあっては、電流値比較器５１５は、例えば上記符号２１２にて示される電流値変化と、実際に検出された電流値変化とを比較し、上記ワイヤ１４４の切断動作時にあっては、電流値比較器５１５は、例えば上記符号２１４にて示される電流値変化と、実際に検出された電流値変化とを比較する。
そして、電流値比較器５１５の比較結果に基づき、ボンディング制御部５１１は、上記バンプ形成開始時及び上記切断動作時のそれぞれにおいて、上記正常電流値変化と実際の電流値変化とが一致した、又は予め設定している許容誤差範囲内の差異であれば、バンプ形状が正常であり、かつバンプと上記電極とが正常に固着されていると判断する。一方、上記許容誤差範囲外の差異であるときには、ボンディング制御部５１１は、バンプ形状が異常であり、又はバンプと上記電極との固着が不十分であると判断する。このようにして、ボンディング制御部５１１は、形成される全てのバンプについて、バンプ形状、及びバンプと上記電極との固着の正常、異常を判断する。ここで、上述の、「電流値変化」とは、単に電流値の大小の変化のみならず、電流値の変化パターンをも含む。又、上記許容誤差範囲は、例えば顧客の仕様等によって設定されるものであることから、上記仕様等に基づき、例えば実験等により決定される。
【００２２】
本実施形態では、図６に示すように、バンプ形状、及びバンプと上記電極との固着のそれぞれについて、正常又は異常を判断しているが、これに限定されるものではなく、当業者が考える変形例を適用可能である。即ち、例えば、１バンプ当たり、バンプ形状、及び上記バンプの固着の両者が正常であるときのみ正常と判断し少なくとも一方が異常であるときには当該バンプは異常であると判断してもよいし、さらには、１半導体チップについて、該半導体チップに備わるバンプの少なくとも一つに異常があれば、当該半導体チップは異常であると判断してもよい。
【００２３】
次に、上記可動部位置検出値比較器５１８又は可動部位置偏差検出値比較器５２０を用いた場合における比較動作について説明する。これらの比較動作は、比較対象が上述の電流値に代えて、上記可動部位置検出値比較器５１８の場合には上記超音波ホーン１１２の本実施形態では先端部１１２ａの位置の情報を、上記可動部位置偏差検出値比較器５２０の場合には上記先端部１１２ａの位置偏差の情報をそれぞれ用いる。よって、比較動作自体は上述の電流値の場合と基本的に同じであるので、以下には、上述の電流値の場合と相違する点の内、ポイントとなるべき点についてのみ説明する。又、上記可動部位置偏差検出値比較器５２０を用いた場合の比較動作は、可動部位置検出値比較器５１８の場合における「位置」の情報を「位置偏差」の情報に読み替えればよいことから、以下には、可動部位置検出値比較器５１８を例に採り説明し、上記可動部位置偏差検出値比較器５２０の場合については、ワイヤ１４４の切断動作時における説明を除いて、その説明を省略する。
【００２４】
可動部位置検出値記憶器５１９には、図５に符号２０１〜２０６に示すような、正常なバンプ形成時における上記先端部１１２ａの位置の情報である、正常位置変化の情報が格納されている。一方、上述のように、上記ボール１４５の上記電極への押圧に失敗した場合等にて、超音波ホーン１１２が振動したときには、超音波ホーン１１２が正常時に比べて大きく振動することから、異常位置変化を示す。
又、ワイヤ１４４の切断動作時において、バンプと上記電極とが正常に固着しているときには符号２０６にて示すような正常位置変化を示すが、一方、バンプと上記電極との固着状態が不十分なときには、符号２０６にて示すような位置の変化率、つまりグラフの傾きに比べて、例えば急峻な傾きを示す等の異常位置変化を示す。
【００２５】
よって、上記可動部位置検出値比較器５１８は、バンプ形成開始時、及びワイヤ１４４の切断動作時のそれぞれにおいて、上記正常位置変化と、実際に検出された位置変化とを比較する。そして、可動部位置検出値比較器５１８の比較結果に基づき、ボンディング制御部５１１は、上記バンプ形成開始時及び上記切断動作時のそれぞれにおいて、上記正常位置変化と実際の位置変化とが一致した、又は予め設定している許容誤差範囲内の差異であれば、バンプ形状が正常であり、かつバンプと上記電極とが正常に固着されていると判断する。一方、上記許容誤差範囲外の差異であるときには、ボンディング制御部５１１は、バンプ形状が異常であり、又はバンプと上記電極との固着が不十分であると判断する。このようにして、ボンディング制御部５１１は、形成される全てのバンプについて、バンプ形状、及びバンプと上記電極との固着の正常、異常を判断する。
【００２６】
又、検出対象として位置偏差値を用いる場合、ワイヤ１４４の切断動作時には、図５に符号２２１、２２２にて示すような、位置偏差値の変化が生じる。ここで、上記符号２２１は、正常にバンプ形成がなされたときの位置偏差値の変化を示し、上記符号２２２は、異常なバンプ形成がなされたときの位置偏差値の変化を示す。即ち、例えばバンプと電極との固着力が弱いという異常時には、上述のようにワイヤ１４４の切断が行われる前に、上記電極からバンプが外れてしまうので、正常時に比べて時間的に速く、かつ位置偏差値も小さい、位置偏差の変化が生じる。
上記可動部位置偏差検出値記憶器５２１には、上記正常な場合の位置偏差値の変化に関する情報が格納されている。
よって、上記可動部位置偏差検出値比較器５２０は、バンプ形成開始時、及びワイヤ１４４の切断動作時のそれぞれにおいて、正常位置偏差変化と、実際に検出された位置偏差変化とを比較する。そして、可動部位置偏差検出値比較器５２０の比較結果に基づき、ボンディング制御部５１１は、バンプ形状の正常又は異常、かつバンプと上記電極との固着の正常又は異常を判断する。
【００２７】
又、図９に示すボンディング制御部５３３及び図１０に示すボンディング制御部５３４の場合には、上述した、検出対象が電流値の場合の動作に加えて、検出対象が位置又は位置偏差の場合の動作が行われる。
【００２８】
このように構成されるバンプボンディング装置１００における動作を以下に説明する。尚、上述のように当該バンプボンディング装置１００の動作制御は、制御装置５０１内の装置制御部５１２にて行われ、装置制御部５１２には、予め、搬入装置１０１及び搬出装置１０２の動作や、搬入装置１０１のトレイ１０４ｂからバンプ形成ステージ１０６へ移送される半導体部品１０３の移送順や、バンプ形成にかかる基本的動作等のプログラムが格納されている。又、搬入装置１０１及び搬出装置１０２における動作や、バンプ形成にかかる基本的動作等は、従来のバンプボンディング装置にて実行される動作と同様であるので、ここでの説明は省略する。よって、以下には、バンプボンディング装置１００における動作の内、本実施形態にて特徴的な部分である、ボンディング制御部５１１によるバンプ検査方法について説明する。
【００２９】
上記バンプ検査方法、即ち、バンプ形状の良否、及びバンプ不着判別の動作を示すフローチャートを図４に示す。ボンディング動作を行う際に、装置制御部５１２は、ステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１にて、バンプ条件作成を行うか否かを判定する。操作者の指令により、又は例えば、新たにバンプボンディング動作を開始する場合等の、予め設定されたタイミングにて自動的に、ステップ１は実行される。ステップ１にて、バンプ条件作成を行うと判定したときには、装置制御部５１２は、ステップ２にて、ボンディング制御部５１１に条件作成ボンディング動作を指示するとともに、バンプ形成ヘッド１１０等の装置を動作させて半導体部品１０３の電極にバンプを形成していく。
該バンプ形成動作において、ステップ３では、バンプボンディング動作中のコイル１２３に供給される電流値が電流値検出器１２１によって検出される。ステップ４では、ステップ３にて得られた上記電流値を上記電流値記憶部５１６へ記憶するか否かが装置制御部５１２にて判定され、記憶を行うときにはステップ５にて上記電流値が正常電流値として電流値記憶部５１６に記憶される。尚、電流値記憶部５１６に既に別の正常電流値が記憶されているときには、上述の新しい正常電流値に更新される。一方、記憶しないときには上記ステップ１へ戻る。尚、該記憶を行うか否かは、例えば当該バンプボンディング装置１００以外の設備でバンプ形成が良好と判断されたとき、その指示により記憶が行われる。
【００３０】
一方、ステップ１で上記バンプ条件作成を行わないと判断した場合、例えば既に上記正常電流値が電流値記憶部５１６に既に格納されている場合、ステップ６にて、実生産におけるバンプボンディング動作が開始され、ステップ７では、バンプボンディング動作中のコイル１２３に供給される電流値が実際の電流値として電流値検出器１２１によって検出される。検出された実際の電流値は、ステップ８にて、電流値記憶部５１６に記憶されている上記正常電流値と比較される。そして該ステップ８での比較結果に基づき、ステップ９ではステップ６，７にて形成された一つのバンプについて、バンプ形状の良否、及び当該バンプと上記電極との固着状態の良否がボンディング制御部５１１にて判断される。尚、上記ステップ８，９における比較、判断動作は、図５を参照して上述した比較、判断動作である。又、ステップ９にて得られた判断結果は、装置制御部５１２へ送出され、図６に示すように、各半導体部品１０３について、それぞれの電極毎に集計されていく。
【００３１】
ステップ９での判定の結果、バンプ形状、及び当該バンプと上記電極との固着状態の少なくとも一方が正常ではないと判断され、ステップ１０にて装置制御部５１２がバンプボンディング動作停止を判断したときには、ステップ１１にてバンプボンディング動作は停止される。一方、ステップ９での判定の結果、バンプ形状、及び上記固着状態の両者が正常な場合、並びにステップ１０にてバンプボンディング動作続行を判断した場合には、ステップ６へ戻り、次のバンプ形成が行われる。以後、すべての電極について同様にバンプが形成されその良否が判定されていく。尚、ステップ１０にてバンプボンディング動作続行を判断するときとは、次のような場合がある。つまり、当該バンプボンディング装置１００以外にバンプリペア装置を備えているような場合には、当該バンプボンディング装置１００にて判断されたバンプ形成不良発生率が低いときには、取りあえず全ての半導体チップについてバンプ形成を終了し、その後、バンプ形成不良の半導体チップについて上記バンプリペア装置にて再ボンディングを行うように構成することもできる。このような場合には、ステップ１０にてバンプボンディング動作の続行が判断される。
【００３２】
又、上述したボンディング制御部５３１、５３２のいずれかを設けた場合には、図１１に示す動作が行われる。図１１に示す動作では、図４に示すステップ３に代えてステップ２３が、ステップ４に代えてステップ２４が、ステップ７に代えてステップ２７が、ステップ８に代えてステップ２８が、それぞれ実行される。さらに、上述したボンディング制御部５３３、５３４のいずれかを設けた場合には、ステップ３、４、７、８を実行し、さらにステップ２３、２４、２７、２８をも実行される。
【００３３】
上述の実施形態では、ボンディング制御部５１１には電流値記憶部５１６を備えているが、これに限定されるものではない。即ち、ボンディング制御部５１１は、例えば、当該バンプボンディング装置１００の外部から通信回線を介して上記正常電流値の供給を受けても良い。
尚、上記ボンディング制御部５３１〜５３４のいずれかを設けた場合においても、例えば、当該バンプボンディング装置１００の外部から通信回線を介して上記正常位置又は正常位置偏差値の供給を受けても良い。
【００３４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の第１態様のバンプボンディング装置によれば、バンプ形成情報検出器として電流検出器、位置検出器、及び位置偏差検出器の少なくとも一つを備えるとともにボンディング制御部を備え、半導体部品の電極へのバンプ形成時におけるバンプ形成情報としての電流値、位置、又は位置偏差の情報を上記バンプ形成情報検出器にて検出し、検出した実際のバンプ形成情報と、正常なバンプ形成情報とを比較することでバンプ形成の良否を判定する。したがって、第１に、バンプを形成している半導体部品に対して非接触にて電気的にバンプ検査が行えるので、例えばバンプボンディング装置内に機械的な検査装置を設けていないので、機構的なメンテナンスは不要である。又、従来のように半導体部品等に高周波電流等を流すことはないので、バンプを形成する半導体部品の破損の可能性がなくなる。第２に、バンプのボンディング毎に、そのバンプの形状の良否、及びバンプと電極との固着の良否を検出することから、後工程の検査に必要となる時間を削減することができ、かつバンプ形状の不良、及びバンプの不着が発生したときに、当該バンプボンディング装置を停止させることができ、そのときに、当該バンプボンディング装置の不良、ワイヤーの不良、半導体部品の不良等の確認ができる。よって不良品の生産を最小限にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態におけるバンプボンディング装置に備わるバンプ形成ヘッドを含む部分の構成を示す図である。
【図２】 図１に示す制御装置の構成を示すブロック図である。
【図３】 本発明の実施形態におけるバンプボンディング装置の斜視図である。
【図４】 図１に示すバンプ形成ヘッドを使用したバンプ検査方法の動作を示すフローチャートである。
【図５】 図１に示すバンプ形成ヘッドにてバンプ形成を行うときの超音波ホーン先端部の軌跡、及び超音波ホーン駆動部に供給される電流の変化を示すグラフである。
【図６】 図４にて示すバンプ検査方法にて得られたバンプ形状良否及びバンプ不着の判別結果を示す図である。
【図７】 図２に示すボンディング制御部の変形例を示すブロック図である。
【図８】 図２に示すボンディング制御部の別の変形例を示すブロック図である。
【図９】 図２に示すボンディング制御部のさらに別の変形例を示すブロック図である。
【図１０】 図２に示すボンディング制御部のさらに他の変形例を示すブロック図である。
【図１１】 図４に示すバンプ検査方法の動作の変形例であって、図７〜図１０に示すボンディング制御部の変形例を使用した場合におけるバンプ検査方法の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１００…バンプボンディング装置、１１０…バンプ形成ヘッド、
１１８…磁石、１２１…電流検出器、１２２…アクチュエータ位置検出器、
１２３…コイル、１２５…超音波ホーン駆動部、
５０１…制御装置、５１１…ボンディング制御部、
５１５…電流値比較器、５１６…電流値記憶器。

Claims (1)

1. 金属ワイヤの先端部に形成された溶融ボールを半導体部品の電極に移動させ上記電極にバンプを形成するバンプ形成装置と、
   上記バンプ形成装置に備わり上記溶融ボールの移動を行う駆動装置に供給される実際の電流値を検出する電流検出器と、
   上記電極への上記溶融ボールの押圧開始において上記電流検出器にて検出される形成中電流値と、正常な形状にて上記バンプが上記電極に形成されているときの正常電流値とを比較し、及び、上記金属ワイヤの切断動作において上記電流検出器で検出される実際の引きちぎり電流値と、上記バンプ及び上記電極が正常に固着しているときの正常電流値とを比較し、両方の比較結果がともに正常であるときにバンプ形成正常を判断するボンディング制御部と、
   を備えたことを特徴とするバンプボンディング装置。

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