JP4385899B2 - MICRO LENS ARRAY PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE - Google Patents

MICRO LENS ARRAY PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE Download PDF

Info

Publication number
JP4385899B2
JP4385899B2 JP2004262681A JP2004262681A JP4385899B2 JP 4385899 B2 JP4385899 B2 JP 4385899B2 JP 2004262681 A JP2004262681 A JP 2004262681A JP 2004262681 A JP2004262681 A JP 2004262681A JP 4385899 B2 JP4385899 B2 JP 4385899B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
microlens array
array plate
microlenses
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004262681A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006078782A (en
Inventor
貢世 岡山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004262681A priority Critical patent/JP4385899B2/en
Publication of JP2006078782A publication Critical patent/JP2006078782A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4385899B2 publication Critical patent/JP4385899B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、液晶装置等の電気光学装置に好適に用いられるマイクロレンズアレイ板の製造方法の技術分野に関する。本発明は更に、該製造方法により製造されるマイクロレンズアレイ板、該マイクロレンズアレイ板を備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of a manufacturing method of a microlens array plate that is preferably used in an electro-optical device such as a liquid crystal device. The present invention further relates to a technical field of a microlens array plate manufactured by the manufacturing method, an electro-optical device including the microlens array plate, and an electronic apparatus including the electro-optical device.

液晶装置等の電気光学装置では、その画像表示領域内に、データ線、走査線、容量線等の各種配線や、薄膜トランジスタ(以下適宜、TFT(Thin Film Transistor)と称す)等の各種電子素子が作り込まれる。このため、電気光学装置に平行光を入射した場合、そのままでは、全光量のうち各画素の開口率に応じた光量しか利用できない。   In an electro-optical device such as a liquid crystal device, various wiring elements such as data lines, scanning lines, and capacitance lines, and various electronic elements such as thin film transistors (hereinafter referred to as TFT (Thin Film Transistor) as appropriate) are included in the image display area. Built. For this reason, when parallel light is incident on the electro-optical device, only the amount of light corresponding to the aperture ratio of each pixel can be used as it is.

そこで従来は、各画素に対応するマイクロレンズを含んでなるマイクロレンズアレイを対向基板に作り込んだり、マイクロレンズアレイ板を対向基板に貼り付けたりしている。係るマイクロレンズによって、そのままでは各画素における開口領域を除いた非開口領域に向かって進行する筈の光を、画素単位で集光して、電気光学物質層を透過する際には、各画素の開口領域内に導かれるようにしている。この結果、電気光学装置において明るい表示が可能となる。   Therefore, conventionally, a microlens array including a microlens corresponding to each pixel is formed on the counter substrate, or a microlens array plate is attached to the counter substrate. With such a microlens, the light that travels toward the non-opening area excluding the opening area in each pixel as it is is condensed in units of pixels and transmitted through the electro-optic material layer. It is guided in the opening area. As a result, bright display is possible in the electro-optical device.

この種のマイクロレンズは、基本的な要請として、レンズ効率を向上させることが重要である。そこで、非球面形状のマイクロレンズが提案されている。但し、非球面レンズの製造においては、レンズ形状を制御すること自体、技術的に非常に困難である。例えば、特許文献1及び2には、基板上に、基板よりエッチングレートが高い第1膜を形成し、基板と第1膜のエッチングレート差を利用してレンズ面をエッチング形成する非球面レンズの製造方法について開示されている。   For this type of microlens, it is important to improve the lens efficiency as a basic requirement. Therefore, aspherical microlenses have been proposed. However, in the manufacture of an aspheric lens, it is technically very difficult to control the lens shape itself. For example, Patent Documents 1 and 2 disclose an aspheric lens in which a first film having an etching rate higher than that of a substrate is formed on a substrate, and a lens surface is formed by etching using a difference in etching rate between the substrate and the first film. A manufacturing method is disclosed.

特開2004−70282号公報JP 2004-70282 A 特開2004−70283号公報JP 2004-70283 A

しかしながら、このような製造方法では、非球面形状にレンズを形成することはできても、その周縁の形状にばらつきが生じることがある。特に、マイクロレンズアレイを構成する複数のマイクロレンズのうち対角方向に隣接する4つのマイクロレンズの境界部分(即ち、レンズピッチ対角100%近傍)は、楔形状に突出するが、その先端が欠損したように形成されることがある。非球面レンズの特徴として周縁の曲率による高い集光能が挙げられるが、このように周縁の形状がばらつくと、レンズ効率の低下やばらつきが生じるという問題がある。   However, in such a manufacturing method, even if a lens can be formed in an aspherical shape, the peripheral shape of the lens may vary. In particular, among the microlenses constituting the microlens array, the boundary portion of four microlenses that are diagonally adjacent (that is, near the lens pitch diagonal of 100%) protrudes in a wedge shape, but the tip thereof is May be formed as missing. A feature of the aspherical lens is high light collecting ability due to the curvature of the peripheral edge. However, when the shape of the peripheral edge varies in this way, there is a problem in that the lens efficiency is reduced and variations occur.

本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、非球面のマイクロレンズを均一な形状に製造可能なマイクロレンズアレイ板の製造方法及び該マイクロレンズアレイ板、並びに、該マイクロレンズアレイ板を備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and includes a manufacturing method of a microlens array plate capable of manufacturing an aspherical microlens into a uniform shape, the microlens array plate, and the microlens array plate. Another object is to provide an electro-optical device and an electronic apparatus including the electro-optical device.

本発明のマイクロレンズアレイ板の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に、所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板より高い第1膜を形成する工程と、前記第1膜上に、前記エッチングレートが前記第1膜より低い第2膜を形成する工程と、前記第2膜上に、形成すべき複数のマイクロレンズ各々のレンズ中心に対応する個所に開口部を有するマスクを形成する工程と、前記マスクを介して前記エッチャントによるウエットエッチングを施すことにより、前記複数のマイクロレンズのうち相近接するマイクロレンズの境界において前記基板の法線方向に突出した楔形状をなすように、前記第2膜、前記第1膜及び前記基板からなる積層体に、前記複数のマイクロレンズ各々のレンズ曲面を規定する複数の凹部を掘る工程とを含む。   In order to solve the above problems, a method of manufacturing a microlens array plate according to the present invention includes a step of forming a first film having a higher etching rate with respect to a predetermined type of etchant on the substrate than the substrate, and on the first film. And forming a second film having a lower etching rate than the first film, and a mask having an opening on the second film at a position corresponding to the lens center of each of the plurality of microlenses to be formed. Forming a wedge shape that protrudes in the normal direction of the substrate at the boundary of the adjacent microlenses among the plurality of microlenses by performing wet etching with the etchant through the mask and the forming step. A plurality of concaves defining a lens curved surface of each of the plurality of microlenses is formed in the laminate including the second film, the first film, and the substrate. And a step to dig.

本発明のマイクロレンズの製造方法によれば、先ず、例えば石英基板、ガラス基板等の基板上に、例えばフッ酸系などの所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが基板よりも高い第1膜を形成する。次に、第1膜上に、エッチングレートが第1膜よりも低い第2膜を形成する。ここで第1膜及び第2膜は夫々、後述の凹部として形成されるマイクロレンズの周縁形状及び全体の非球面形状を制御するために基板に設けられる。これら第1及び第2膜は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)、スパッタリング等により形成する。   According to the method for manufacturing a microlens of the present invention, first, on a substrate such as a quartz substrate or a glass substrate, a first film having an etching rate higher than that of a predetermined type of etchant such as hydrofluoric acid is formed. . Next, a second film having an etching rate lower than that of the first film is formed on the first film. Here, the first film and the second film are provided on the substrate in order to control the peripheral shape of the microlens formed as a concave portion described later and the entire aspherical shape, respectively. These first and second films are formed by, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition), sputtering, or the like.

次に、形成すべき複数のマイクロレンズの各々の中心に対応する個所に穴が開けられたマスクを、第2膜上に形成する。マスクは、例えば第2膜上における穴を除く領域に直接形成してもよい。   Next, a mask having a hole formed at a location corresponding to the center of each of the plurality of microlenses to be formed is formed on the second film. For example, the mask may be directly formed in a region excluding holes on the second film.

次に、このようなマスクを介して、第1及び第2膜が形成された基板に、基板まで達するウエットエッチングを施す。ここで用いられるエッチャントに対するエッチングレートは、第1膜の方が基板よりも高い。そのため、側縁にテーパがついた凹部が、広く浅い形状に掘られることになる。その際には、エッチングの進行に伴って、掘られてゆく複数の凹部のうち隣接するもの同士が相近接し、その境界が基板の法線方向に突出した楔形状をなす。例えば複数の凹部がマトリクス状に形成される場合、最近接する4つの凹部が夫々の対角方向において互いに交接することによって、楔形状の境界部分が形成される。即ち、ここで凹部同士が「近接する」とは、凹部が互いに交接して境界を共有することを意味する。   Next, wet etching reaching the substrate is performed on the substrate on which the first and second films are formed through such a mask. The etching rate for the etchant used here is higher in the first film than in the substrate. Therefore, the concave part with the tapered side edge is dug into a wide and shallow shape. At that time, with the progress of etching, adjacent ones of the plurality of recessed portions to be dug are adjacent to each other, and the boundary forms a wedge shape protruding in the normal direction of the substrate. For example, when a plurality of recesses are formed in a matrix, the four closest recesses intersect with each other in the respective diagonal directions to form a wedge-shaped boundary portion. That is, here, the recesses are “close to each other” means that the recesses meet each other and share a boundary.

また、ここで用いられるエッチャントに対するエッチングレートは、第2膜の方が第1膜よりも低い。そのため、凹部は、特に対角方向の周縁部分において欠損が殆ど又は実践上全く生じていない、概ね均一な形状で形成される。尚、このとき、凹部の対角方向の周縁部分には、第2膜が残っていてもよいし、第2膜が完全にエッチングにより除去されていてもよい。   The etching rate for the etchant used here is lower in the second film than in the first film. Therefore, the concave portion is formed in a substantially uniform shape with little or no defect in practice, particularly in the peripheral edge portion in the diagonal direction. At this time, the second film may remain on the diagonal peripheral portion of the recess, or the second film may be completely removed by etching.

このように、基板、第1膜及び第2膜の各々におけるエッチングレートの具体的な値や、これらのエッチングレートの相違を変更することで、各種曲率或いは各種曲面形状を有する非球面のレンズを製造できる。実際のエッチングレートの設定や開口径の設定は、実験的、経験的、数学的又は理論的に若しくはシミュレーション等によって、所望の非球面に応じて個別具体的に決定すればよい。   In this way, by changing the specific values of the etching rate in each of the substrate, the first film and the second film and the difference in these etching rates, an aspherical lens having various curvatures or various curved surfaces can be obtained. Can be manufactured. The setting of the actual etching rate and the setting of the aperture diameter may be determined individually and specifically according to the desired aspherical surface, experimentally, empirically, mathematically, theoretically, or by simulation.

また、ここでは、エッチングレートの大小関係を規定しているが、エッチャントの種類まで規定するものではない。よって、第2膜、第1膜及び基板を夫々異なるエッチャントでエッチングするなど、複数のエッチャントを用いることもできる。但し、一貫して同種のエッチャントを用いると、エッチングレートの設定が容易であり、製造効率が高くなるという利点がある。   Here, the magnitude relationship between the etching rates is specified, but the type of etchant is not specified. Therefore, a plurality of etchants can be used, such as etching the second film, the first film, and the substrate with different etchants. However, using the same type of etchant consistently has the advantage that the etching rate can be easily set and the production efficiency is increased.

その後、凹部が規定する曲面を利用することにより、比較的容易に非球面のマイクロレンズアレイを製造できる。具体的には、基板を透明基板として、凹部内に透明媒質を充填すればよい。或いは、凹部を型に用いて製造することもできる。更に、このようなマイクロレンズアレイが形成された基板を2枚用意して、相互に貼り合わせることにより、両凸レンズのマイクロレンズアレイ板を製造することもできる。   Thereafter, an aspherical microlens array can be manufactured relatively easily by using the curved surface defined by the recess. Specifically, the substrate may be a transparent substrate and the concave medium may be filled with the transparent medium. Or it can also manufacture using a recessed part for a type | mold. Furthermore, a microlens array plate of a biconvex lens can be manufactured by preparing two substrates on which such a microlens array is formed and bonding them together.

以上の結果、本発明のマイクロレンズアレイ板の製造方法によれば、非球面のマイクロレンズを比較的容易に製造でき、また、製造される複数のマイクロレンズの形状を均一化することが可能である。このようにして製造されるマイクロレンズアレイ板は、例えばアレイ状或いはマトリクス状に画素が配列された電気光学装置に好適に用いることができ、画素毎の表示輝度を均一化することができる。   As a result, according to the method for manufacturing a microlens array plate of the present invention, an aspherical microlens can be manufactured relatively easily, and the shape of a plurality of manufactured microlenses can be made uniform. is there. The microlens array plate manufactured in this way can be suitably used for, for example, an electro-optical device in which pixels are arranged in an array or a matrix, and the display luminance for each pixel can be made uniform.

本発明のマイクロレンズアレイ板の製造方法の一態様では、前記第1膜、前記基板及び前記第2膜は、前記エッチャントに対するエッチングレートがこの順に低くなる。   In one aspect of the method for manufacturing a microlens array plate of the present invention, the etching rate for the etchant of the first film, the substrate, and the second film decreases in this order.

この態様によれば、第1膜、基板及び第2膜の各エッチングレート(R1、Rs、R2)は、第1膜のエッチングレートR1が最も高く、基板、第2膜の順にエッチングレートが下がってくるように設定されている(R1>Rs>R2)。即ち、第2膜は、エッチングレートが基板よりも低くなる。   According to this aspect, the etching rate (R1, Rs, R2) of the first film, the substrate, and the second film is the highest, and the etching rate decreases in the order of the substrate and the second film. (R1> Rs> R2). That is, the second film has an etching rate lower than that of the substrate.

このように第2膜のエッチングレートを十分低く設定することで、全体に非球面形状であって、なおかつ周縁部分の欠損が十分に低減された凹部が得られる。   Thus, by setting the etching rate of the second film sufficiently low, a recess having an aspherical shape as a whole and having a sufficiently reduced defect in the peripheral portion can be obtained.

本発明のマイクロレンズアレイ板の製造方法の他の態様では、前記マスクを、前記第2膜と密着するように形成する。   In another aspect of the method for manufacturing a microlens array plate of the present invention, the mask is formed in close contact with the second film.

この態様によれば、マスクと第2膜とが密着しているので、エッチングの際にその界面にエッチャントが滲入することが防止され、第2膜のエッチングの進行をより確実に制御することができる。このことは、凹部の周縁部分の形状を均一化するのに寄与する。   According to this aspect, since the mask and the second film are in close contact with each other, it is possible to prevent the etchant from penetrating into the interface during etching and to more reliably control the progress of the etching of the second film. it can. This contributes to making the shape of the peripheral portion of the recess uniform.

尚、ここで「密着」するとは、単に接触している状態ではなく、両者間に作用する力によって接合されている状態を指す。この密着力は、第2膜の構成原子又は分子とマスクの構成原子又は分子との間に働く各種の相互作用などであり、少なくとも、第2膜とマスクとの界面にエッチャントが滲入することを防止することができる程度に作用する。   Here, “adherent” refers not to a state of being simply in contact but to a state of being joined by a force acting between them. This adhesion force is various interactions acting between the constituent atoms or molecules of the second film and the constituent atoms or molecules of the mask, and at least the etchant permeates the interface between the second film and the mask. It works to the extent that it can be prevented.

本発明のマイクロレンズアレイ板の製造方法の他の態様では、前記第2膜を、前記凹部のうち前記第2膜と対応する部分の形状ばらつきが無視できる程度に薄く形成する。   In another aspect of the method for manufacturing a microlens array plate of the present invention, the second film is formed thin enough to disregard the shape variation of the concave portion corresponding to the second film.

この態様によれば、凹部の周縁部分の形状を規定する第2膜が薄く形成される。そのため、仮に、凹部のうち第2膜に対応する部分(即ち、周縁部分)に形状ばらつきが生じていても、そのばらつきは凹部全体のサイズに対して無視できる。よって、マイクロレンズの周縁部分における形状均一性を担保することができる。   According to this aspect, the second film that defines the shape of the peripheral portion of the recess is formed thin. Therefore, even if the shape variation occurs in the portion corresponding to the second film (that is, the peripheral portion) in the recess, the variation can be ignored with respect to the size of the entire recess. Therefore, the shape uniformity in the peripheral part of the microlens can be ensured.

尚、第2膜の厚みの具体的数値は、製造されるマイクロレンズのサイズに応じて適宜に設定してよい。   In addition, you may set the specific numerical value of the thickness of a 2nd film | membrane suitably according to the size of the micro lens manufactured.

この態様では、前記第2膜の厚みは、3nm以上且つ10nm以下の範囲内に設定されるようにしてもよい。   In this aspect, the thickness of the second film may be set within a range of 3 nm or more and 10 nm or less.

この場合、第2膜の厚みは3nm以上且つ10nm以下の範囲内、例えば5nm(50Å)に設定される。ここで、3nmとは、寸法制御が可能な下限値であり、10nmとは、第2膜の厚みがマイクロレンズのサイズに対して相対的に無視できる上限値である。例えば、第1膜の厚みは、100nm(1000Å)程度と、第2膜の十倍以上に設定される。そのため、レンズ形状における第2膜の厚み分のばらつきは十分無視できる。   In this case, the thickness of the second film is set in the range of 3 nm to 10 nm, for example, 5 nm (50 mm). Here, 3 nm is a lower limit value that allows dimensional control, and 10 nm is an upper limit value that allows the thickness of the second film to be relatively ignored with respect to the size of the microlens. For example, the thickness of the first film is set to about 100 nm (1000 mm), which is ten times as large as that of the second film. For this reason, variations in the thickness of the second film in the lens shape can be sufficiently ignored.

本発明のマイクロレンズアレイ板の製造方法の他の態様では、前記エッチングレートの制御を、前記第1膜又は前記第2膜の膜種、形成方法、形成条件及び形成後に施される熱処理の温度のうち、少なくとも一つに係る条件設定により行う。   In another aspect of the method for producing a microlens array plate of the present invention, the etching rate is controlled by controlling the film type of the first film or the second film, the forming method, the forming conditions, and the temperature of the heat treatment performed after the forming. Of these, it is performed by setting conditions related to at least one of them.

この態様によれば、第1膜又は第2膜における、例えば材質、密度、孔隙率等の種類、例えばCVD、スパッタリング等の形成方法、例えば400℃以下程度或いは400〜1000℃程度等の形成温度、及び第1膜又は第2膜の形成後に施される熱処理の温度、のうち少なくとも一つに係る条件設定により、エッチングレートの制御を行う。そして、係るエッチングレートの制御によって、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布、ないし凹部の周縁形状を比較的容易に制御できる。尚、第1膜又は第2膜の膜厚によっても、最終的に得られる凹部が規定する非球面における曲率或いは曲率分布、ないし凹部の周縁形状を制御することができる。   According to this aspect, in the first film or the second film, for example, the type of material, density, porosity and the like, for example, a formation method such as CVD, sputtering, etc., the formation temperature such as about 400 ° C. or less or about 400 to 1000 ° C. And the etching rate is controlled by setting conditions according to at least one of the temperatures of the heat treatment performed after the formation of the first film or the second film. By controlling the etching rate, the curvature or curvature distribution on the aspherical surface defined by the finally obtained recess, or the peripheral shape of the recess can be controlled relatively easily. The curvature or curvature distribution on the aspheric surface defined by the finally obtained recess or the peripheral shape of the recess can also be controlled by the film thickness of the first film or the second film.

本発明のマイクロレンズアレイ板の製造方法の他の態様では、前記基板は、透明基板からなり、前記複数の凹部内に、前記透明基板より屈折率が大きい透明媒質を充填する工程を更に備えている。   In another aspect of the method for producing a microlens array plate of the present invention, the substrate is made of a transparent substrate, and further includes a step of filling the plurality of recesses with a transparent medium having a higher refractive index than the transparent substrate. Yes.

この態様によれば、透明基板からなる基板に掘られた複数の凹部内に、これより屈折率が大きい透明媒質を入れるので、透明基板上に、非球面の凸レンズとして複数のマイクロレンズを製造可能となる。この際、透明媒質は、透明樹脂等からなり、接着剤を兼ねてもよい。例えば、カバーガラスを透明基板に貼り合わせる際の接着剤を兼ねてもよい。   According to this aspect, since a transparent medium having a higher refractive index is placed in a plurality of concave portions dug in a substrate made of a transparent substrate, a plurality of microlenses can be manufactured as aspherical convex lenses on the transparent substrate. It becomes. At this time, the transparent medium is made of a transparent resin or the like and may also serve as an adhesive. For example, you may serve as the adhesive agent at the time of bonding a cover glass to a transparent substrate.

また、透明基板としては、例えば石英がある。この場合、第1膜或いは第2膜を形成する際に、高温に曝されても基板が破壊されることはないので有利である。但し、第1膜や第2膜を低温で形成する場合には、透明基板に耐熱性は要求されない。例えば、ガラス板、プラスチック或いは樹脂板等でもよい。いずれにせよ、透明基板は、第1膜又は第2膜と共に所定種類のエッチャントによってエッチング可能な材質であれば問題は生じない。   An example of the transparent substrate is quartz. In this case, when the first film or the second film is formed, the substrate is not destroyed even if it is exposed to a high temperature. However, when the first film or the second film is formed at a low temperature, the transparent substrate is not required to have heat resistance. For example, a glass plate, a plastic or a resin plate may be used. In any case, there is no problem as long as the transparent substrate is a material that can be etched with a predetermined type of etchant together with the first film or the second film.

尚、基板に掘られた凹部をマイクロレンズの型として用いる場合には、基板は透明である必要はない。   In addition, when using the recessed part dug in the board | substrate as a type | mold of a microlens, a board | substrate does not need to be transparent.

本発明のマイクロレンズアレイ板は、上記課題を解決するために、基板、所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板より高い第1膜、及び前記エッチングレートが前記第1膜より低い第2膜が積層されてなる積層体を備え、前記積層体に、相近接するマイクロレンズの境界において前記基板の法線方向に突出した楔形状をなすように掘られた複数の凹部によって夫々のレンズ曲面が規定された複数のマイクロレンズが形成されている。   In order to solve the above problems, the microlens array plate of the present invention includes a substrate, a first film having an etching rate higher than that of the substrate, and a second film having an etching rate lower than that of the first film. Each of the curved surfaces of the laminated body is defined by a plurality of concave portions that are dug so as to form a wedge shape protruding in the normal direction of the substrate at the boundary between adjacent microlenses. A plurality of microlenses are formed.

本発明のマイクロレンズアレイ板によれば、上述した本発明のマイクロレンズアレイ板の製造方法により製造することができるので、光源光、外光等を効率良く集光することができ、しかも製造が比較的容易であり品質の安定したマイクロレンズアレイ板を実現できる。   According to the microlens array plate of the present invention, since it can be manufactured by the above-described manufacturing method of the microlens array plate of the present invention, it is possible to efficiently collect light source light, outside light, etc. A relatively easy and stable quality microlens array plate can be realized.

尚、このマイクロレンズアレイの製造過程において、凹部を形成する際に、第1膜又は第2膜が、凹部の周縁部分又は側面部分に残存していてもよい。これらは当該マイクロレンズで集光する光の光路の縁に位置しているため、仮に第1膜や第2膜を半透明膜或いは不透明膜から形成したとしても、マイクロレンズに係る光学性能に及ぼす悪影響は限定的である。   In the manufacturing process of the microlens array, when the recess is formed, the first film or the second film may remain on the peripheral portion or the side surface portion of the recess. Since these are located at the edge of the optical path of the light collected by the microlens, even if the first film and the second film are formed from a semi-transparent film or an opaque film, they affect the optical performance of the microlens. Adverse effects are limited.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明のマイクロレンズアレイ板と、前記複数のマイクロレンズの夫々に対向する複数の表示用電極と、該複数の表示用電極の夫々に接続された配線又は電子素子とを備える。   In order to solve the above problems, an electro-optical device of the present invention includes the above-described microlens array plate of the present invention, a plurality of display electrodes opposed to each of the plurality of microlenses, and the plurality of display electrodes. Wirings or electronic elements connected to each other.

本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明のマイクロレンズアレイ板を備えるので、複数形成された非球面のマイクロレンズにより、画素毎に光源光、外光等を効率良く集光でき、明るく鮮明な画像表示が可能な電気光学装置を実現できる。同時に、これら非球面のマイクロレンズは均一な形状に形成されているので、各画素の開口領域において均一に光を射出することができ、良好な表示品質の電気光学装置を実現できる。   According to the electro-optical device of the present invention, since the microlens array plate of the present invention described above is provided, a plurality of aspherical microlenses can efficiently collect light source light, external light, etc. for each pixel, An electro-optical device capable of displaying a bright and clear image can be realized. At the same time, since these aspherical microlenses are formed in a uniform shape, light can be emitted uniformly in the aperture region of each pixel, and an electro-optical device with good display quality can be realized.

尚、このような電気光学装置は、島状の画素電極或いはストライプ状電極等の表示用電極に、走査線、データ線等の配線やTFT等の電子素子が接続されてなるアクティブマトリクス駆動型液晶装置等の電気光学装置として構築される。   Note that such an electro-optical device is an active matrix driving type liquid crystal in which scanning electrodes, data lines, and other electronic elements such as TFTs are connected to display electrodes such as island-shaped pixel electrodes or stripe-shaped electrodes. It is constructed as an electro-optical device such as a device.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備する。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention.

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備して構成されているので、明るく、優れた表示品質が維持されたプロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。   According to the electronic apparatus of the present invention, since it is configured to include the above-described electro-optical device of the present invention, a projector, a liquid crystal television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, which is bright and maintains excellent display quality, Various electronic devices such as a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized.

本発明のこのような作用及び他の利得は、次に説明する実施形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(マイクロレンズアレイ板)
先ず、本実施形態に係るマイクロレンズ板について、図1から図5を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ板の概略構成を表している。図2は、そのうち4つのマイクロレンズに係る部分を拡大して表している。図3は、本実施形態のマイクロレンズアレイ板の部分断面を拡大して表しており、図4は、4つの最近接マイクロレンズにより構成される境界部を拡大して表している。図5は、本実施形態のマイクロレンズアレイ板の変形例を表している。
(Micro lens array plate)
First, the microlens plate according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a schematic configuration of a microlens array plate according to the present embodiment. FIG. 2 is an enlarged view of a portion related to four microlenses. FIG. 3 is an enlarged view of a partial cross section of the microlens array plate of the present embodiment, and FIG. 4 is an enlarged view of a boundary portion constituted by four closest microlenses. FIG. 5 shows a modification of the microlens array plate of the present embodiment.

図1に示すように、本実施形態のマイクロレンズアレイ板20は、カバーガラス200で覆われた、例えば石英板等からなる透明板部材210を備える。透明板部材210には、マトリクス状に多数の凹状の窪みが掘られている。そして、この凹状の窪みの中に、カバーガラス200と透明板部材210とを相互に接着する、例えば感光性樹脂材料からなる接着剤が硬化してなる、透明板部材210よりも高屈折率の透明な接着層230が充填されている。これらにより、マトリクス状に平面配列された多数のマイクロレンズ500が構築されている。   As shown in FIG. 1, the microlens array plate 20 of this embodiment includes a transparent plate member 210 made of, for example, a quartz plate and covered with a cover glass 200. In the transparent plate member 210, a large number of concave depressions are dug in a matrix. And, in this concave recess, the cover glass 200 and the transparent plate member 210 are bonded to each other, for example, an adhesive made of a photosensitive resin material is cured, and has a higher refractive index than the transparent plate member 210. A transparent adhesive layer 230 is filled. As a result, a large number of microlenses 500 arranged in a matrix on a plane are constructed.

このように本実施形態では、透明板部材210から本発明に係る「基板」の一例が構成されており、接着層230から本発明に係る「透明媒質」の一例が構成されている。   As described above, in the present embodiment, an example of the “substrate” according to the present invention is configured from the transparent plate member 210, and an example of the “transparent medium” according to the present invention is configured from the adhesive layer 230.

図2及び図3に示すように、各マイクロレンズ500の曲面は、相互に屈折率が異なる透明板部材210と接着層230とによって規定されている。そして、各マイクロレンズ500は、図3中で下側に凸状に突出した凸レンズとして構築されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the curved surface of each microlens 500 is defined by a transparent plate member 210 and an adhesive layer 230 having different refractive indexes. Each microlens 500 is constructed as a convex lens that protrudes downward in FIG.

マイクロレンズ500のレンズ面は、曲率が相異なる周縁部500Aと中央部500Bとで構成されている。周縁部500Aは、主に第1膜221によりマイクロレンズ500の周縁側に構成され、その内側の中央部500Bは透明板部材210により構成されている。第1膜221は、透明板部材210よりエッチングレートが高い材料、例えばHTO(High Temperature Oxide)等のシリコン酸化膜からなる。このような非球面のマイクロレンズ500は、球面レンズの場合と比較して外周付近の曲率半径が大きく、非球面の度合いに応じてレンズ効率が向上している。   The lens surface of the microlens 500 includes a peripheral portion 500A and a central portion 500B having different curvatures. The peripheral portion 500A is mainly configured by the first film 221 on the peripheral side of the microlens 500, and the inner central portion 500B is configured by the transparent plate member 210. The first film 221 is made of a material having an etching rate higher than that of the transparent plate member 210, for example, a silicon oxide film such as HTO (High Temperature Oxide). Such an aspherical microlens 500 has a larger radius of curvature near the outer periphery than a spherical lens, and the lens efficiency is improved in accordance with the degree of aspherical surface.

また、本実施形態では、後述するように本発明独自の製造方法により製造されるため、対角方向に相隣接するマイクロレンズ500の境目(即ち、レンズピッチ対角100%となる位置)及びその近傍の境界部510に、第2膜222がわずかに存在している。   Further, in the present embodiment, as described later, since it is manufactured by the manufacturing method unique to the present invention, the boundary between the microlenses 500 that are adjacent to each other in the diagonal direction (that is, the position where the lens pitch diagonal is 100%) and its A slight amount of the second film 222 exists at the boundary portion 510 in the vicinity.

図4に示したように、境界部510は、4つの最近接するマイクロレンズ500のレンズ面が互いに交接してなり、4本の稜線をもつ楔状に形成されている。そして、そのまさに先端部分が、第2膜222で構成されている。この第2膜は、製造時に、複数存在する境界部510の夫々を欠損させることなく均一な形状で形成するために設けられている。第2膜222は、透明板部材210よりエッチングレートが低い材料、例えば高温CVDにより成膜されるシリコン窒化膜ないしシリコン酸化膜等からなる。   As shown in FIG. 4, the boundary portion 510 is formed in a wedge shape having four ridgelines, with the lens surfaces of the four closest microlenses 500 intersecting each other. And the very tip part is comprised with the 2nd film | membrane 222. FIG. The second film is provided in order to form a uniform shape without losing each of the plurality of boundary portions 510 at the time of manufacture. The second film 222 is made of a material having an etching rate lower than that of the transparent plate member 210, for example, a silicon nitride film or a silicon oxide film formed by high-temperature CVD.

後述するように、ここでは、第2膜222は、先端部分の形状ばらつきを誤差範囲内に留めるために、第1膜に比べて極めて薄く形成されている。第2膜222の厚みは3nm以上且つ10nm以下の範囲内、例えば5nm(50Å)に設定されている。   As will be described later, here, the second film 222 is formed to be extremely thinner than the first film in order to keep the shape variation of the tip portion within the error range. The thickness of the second film 222 is set within a range of 3 nm to 10 nm, for example, 5 nm (50 mm).

マイクロレンズアレイ板20は、その使用時には、各マイクロレンズ500が、後述する液晶装置等の電気光学装置の各画素に対応するように配置される。従って、各マイクロレンズ500に入射する入射光は、マイクロレンズ500の屈折作用により、電気光学装置における各画素の中央に向けて集光される。周縁部500Aの上縁に対する接線が水平面となす角度は、例えば50〜60度とされる。その場合には、角度を30〜40度程度とした場合や、逆に70〜80度程度とした場合と比べて、非常に良好なレンズ効率が得られると共に、乱反射光等の発生を効果的に防止できる。尚、この角度を電気光学装置の仕様に応じて適宜設定することによって、各マイクロレンズ500の中央付近のみならず縁付近を通して集光される入射光が、この電気光学装置内部の液晶層等を透過する際に、対応する画素の開口領域を通過するようにできる。   When the microlens array plate 20 is used, each microlens 500 is arranged so as to correspond to each pixel of an electro-optical device such as a liquid crystal device described later. Accordingly, the incident light incident on each microlens 500 is condensed toward the center of each pixel in the electro-optical device by the refraction action of the microlens 500. The angle formed by the tangent to the upper edge of the peripheral edge 500A and the horizontal plane is, for example, 50 to 60 degrees. In that case, compared with the case where the angle is about 30 to 40 degrees, or conversely about 70 to 80 degrees, very good lens efficiency is obtained, and the generation of irregular reflection light and the like is effective. Can be prevented. By appropriately setting this angle in accordance with the specifications of the electro-optical device, incident light condensed through not only the vicinity of the center of each microlens 500 but also the vicinity of the edge of the liquid crystal layer and the like inside the electro-optical device When transmitting, it can pass through the aperture region of the corresponding pixel.

このような非球面のマイクロレンズ500の集光作用によって、図3において上側から入射する入射光を、効率的に表示に寄与する光として利用できる。しかも、後述する本発明の製造方法により製造されるので、マイクロレンズ500の形状均一性は極めて高く、レンズ効率を揃えることができる。従って、マイクロレンズアレイ板20を用いた電気光学装置において、明るく鮮明で、輝度むらが極めて少ない画像表示が可能となる。   By such a condensing function of the aspherical microlens 500, the incident light incident from the upper side in FIG. 3 can be used as light that efficiently contributes to display. In addition, since the microlens 500 is manufactured by the manufacturing method of the present invention described later, the shape uniformity of the microlens 500 is extremely high, and the lens efficiency can be made uniform. Therefore, in the electro-optical device using the microlens array plate 20, it is possible to display an image that is bright and clear and has very little luminance unevenness.

また、このように優れたレンズ特性を有する本発明のマイクロレンズアレイ板500は、後述する本発明の製造方法により製造されるので、製造が容易であり、安定した品質が得られる。
<変形例>
図5に示すように、本実施形態の一変形形態として、マイクロレンズアレイ板に、マイクロレンズアレイ板が取り付けられる電気光学装置における非開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜240を設けてもよい。より具体的には、格子状の非開口領域を単独で規定するように、格子状の平面パターンを有する遮光膜240を構成してもよい。或いは、格子状の非開口領域を、他の遮光膜と協働して規定するように、ストライプ状の平面パターンを有する遮光膜240を構成してもよい。
Moreover, since the microlens array plate 500 of the present invention having such excellent lens characteristics is manufactured by the manufacturing method of the present invention described later, it is easy to manufacture and stable quality can be obtained.
<Modification>
As shown in FIG. 5, as a modification of the present embodiment, the microlens array plate may be provided with a light shielding film 240 that at least partially defines a non-opening region in the electro-optical device to which the microlens array plate is attached. Good. More specifically, the light shielding film 240 having a grid-like planar pattern may be configured so as to define a grid-like non-opening region independently. Or you may comprise the light shielding film 240 which has a striped planar pattern so that a grid | lattice-like non-opening area | region may be prescribed | regulated in cooperation with another light shielding film.

図5のように構成すれば、より確実に各画素の非開口領域を規定でき、各画素間における光り抜け等を防止できる。更に、電気光学装置の非開口領域に作り込まれる、光が入射すると光電効果による光リーク電流が発生して特性が変化してしまうTFT等の電子素子に、光が入射するのを確実に防ぐことも可能となる。   If configured as shown in FIG. 5, the non-opening region of each pixel can be more reliably defined, and light leakage between the pixels can be prevented. Furthermore, light is reliably prevented from being incident on an electronic element such as a TFT that is formed in a non-opening region of the electro-optical device and changes its characteristics when a light leaks due to photoelectric effect. It is also possible.

尚、図5では、遮光膜240上に保護膜241が形成されており、更に、この保護膜241に代えて又は加えて、後述の如き対向電極や配向膜が形成されてもよい。加えて、図5に示した如きマイクロレンズアレイ板に対して、遮光膜240により区切られた各画素の開口領域にR(赤)、G(緑)又はB(青)のカラーフィルタを作り込むことも可能である。   In FIG. 5, a protective film 241 is formed on the light shielding film 240. Further, instead of or in addition to the protective film 241, a counter electrode and an alignment film as described later may be formed. In addition, an R (red), G (green), or B (blue) color filter is formed in the opening region of each pixel partitioned by the light shielding film 240 with respect to the microlens array plate as shown in FIG. It is also possible.

(電気光学装置)
次に、本実施形態に係る電気光学装置について、図6及び図7を参照して説明する。ここでは、本発明の電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置について説明する。
(Electro-optical device)
Next, the electro-optical device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. Here, as an example of the electro-optical device of the present invention, a TFT active matrix driving type liquid crystal device with a built-in driving circuit will be described.

図6は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板として用いられる上述のマイクロレンズアレイ板側から見た平面図であり、図7は、図6のH−H’断面図である。   6 is a plan view of the TFT array substrate together with the components formed thereon, as viewed from the above-described microlens array plate used as a counter substrate, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG. It is sectional drawing.

図6及び図7において、本実施形態に係る電気光学装置では、TFTアレイ基板10と、対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10とマイクロレンズアレイ板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10とマイクロレンズアレイ板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。   6 and 7, in the electro-optical device according to the present embodiment, a TFT array substrate 10 and a microlens array plate 20 used as a counter substrate are disposed to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the microlens array plate 20, and the TFT array substrate 10 and the microlens array plate 20 are provided in a seal region positioned around the image display region 10a. They are bonded to each other by a sealing material 52.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなる。また、シール材52中には、TFTアレイ基板10とマイクロレンズアレイ板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。こうした構成は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適しているが、当該電気光学装置が大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は液晶層50中に含まれていてもよい。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates together. Further, a gap material such as glass fiber or glass bead is dispersed in the sealing material 52 to set the distance between the TFT array substrate 10 and the microlens array plate 20 (inter-substrate gap) to a predetermined value. Such a structure is suitable for a small and enlarged display for a projector light valve. However, if the electro-optical device is a large-sized liquid crystal device that displays an equal magnification, such a gap material may be used for the liquid crystal layer 50. It may be included.

マイクロレンズアレイ板20上における、シール材52の内側には、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が設けられている。但し、このような額縁遮光膜の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられていてもよい。   On the inside of the sealing material 52 on the microlens array plate 20, a light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display region 10a is provided. However, a part or all of such a frame light shielding film may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

TFTアレイ基板10上における、画像表示領域10aの周辺領域には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104及び外部回路接続端子102が設けられており、これらは複数の配線105によって相互に接続されている。その他、TFTアレイ基板10には、画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行してデータ線に供給するプリチャージ回路、或いは製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査する検査回路等を形成してもよい。また、マイクロレンズアレイ板20には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。   A data line driving circuit 101, a scanning line driving circuit 104, and an external circuit connection terminal 102 are provided in the peripheral area of the image display area 10 a on the TFT array substrate 10, and these are connected to each other by a plurality of wirings 105. Has been. In addition, the TFT array substrate 10 includes a sampling circuit that samples an image signal and supplies the data line to a data line, a precharge circuit that supplies a precharge signal having a predetermined voltage level to the data line prior to the image signal, You may form the inspection circuit etc. which test | inspect the quality of the said electro-optical apparatus at the time of shipment, a defect, etc. The microlens array plate 20 is provided with a vertical conduction member 106 that functions as a vertical conduction terminal between the two substrates.

図7において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向膜が形成されている。他方、マイクロレンズアレイ板20上には、前述したカバーガラス200、透明板部材210及びマイクロレンズ500の他、対向電極21が形成され、最上層部分(図7では、マイクロレンズアレイ板20の下側表面)に配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。   In FIG. 7, on the TFT array substrate 10, an alignment film is formed on the pixel electrode 9a after the pixel switching TFT, the scanning line, the data line and the like are formed. On the other hand, on the microlens array plate 20, the counter electrode 21 is formed in addition to the cover glass 200, the transparent plate member 210, and the microlens 500 described above, and the uppermost layer portion (under the microlens array plate 20 in FIG. 7). An alignment film is formed on the side surface. Further, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.

次に、この電気光学装置の回路構成と動作について、図8を参照して説明する。図8は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を表している。   Next, the circuit configuration and operation of the electro-optical device will be described with reference to FIG. FIG. 8 illustrates an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix that forms an image display area of the electro-optical device.

図8において、画像表示領域10aにマトリクス状に配列した複数の画素には夫々、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されている。そして、TFT30のソースにはデータ線6aが電気的に接続されている。画素列に対応して複数配列されたデータ線6aには、画像信号S1、S2、…Snが夫々供給される。画像信号S1、S2、…Snは、この順に線順次に供給されても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給されてもよい。   In FIG. 8, a pixel electrode 9a and a TFT 30 for switching control of the pixel electrode 9a are formed in a plurality of pixels arranged in a matrix in the image display region 10a. The data line 6 a is electrically connected to the source of the TFT 30. Image signals S1, S2,... Sn are respectively supplied to a plurality of data lines 6a arranged corresponding to the pixel columns. The image signals S1, S2,... Sn may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a.

TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、水平走査に応じて走査線3aに走査信号G1、G2、…Gmを線順次に供給するように構成されている。即ち、走査信号G1、G2、…Gmの入力タイミングに応じてTFT30が開閉する。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、TFT30を所定タイミングで開閉させることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…Snが書き込まれ、対向電極21との間で一定期間保持される。液晶は、画素電極9aと対向電極21との間の電位レベルに応じて分子集合の配向や秩序が変化して光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。   A scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and is configured to supply scanning signals G1, G2,... Gm to the scanning line 3a line-sequentially in accordance with horizontal scanning. That is, the TFT 30 opens and closes according to the input timing of the scanning signals G1, G2,. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and by opening and closing the TFT 30 at a predetermined timing, the image signals S1, S2,... Sn supplied from the data line 6a are written, Is held for a certain period of time. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly in accordance with the potential level between the pixel electrode 9a and the counter electrode 21, thereby enabling gradation display. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode.

次に、この電気光学装置の画像表示領域10aの具体的構成について、図9及び図10を参照して説明する。図9は、TFTアレイ基板10上の平面構成を表している。図10は、図9のA−A’断面図である。尚、図9においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。   Next, a specific configuration of the image display region 10a of the electro-optical device will be described with reference to FIGS. FIG. 9 shows a planar configuration on the TFT array substrate 10. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 9. In FIG. 9, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.

図9において、X方向及びY方向にマトリクス状に配置された各画素の開口領域には、夫々画素電極9a(点線部9a’により輪郭が示されている)が設けられている。また、画素の非開口領域は、データ線6aや走査線3a、容量線300等の、画素電極9aの縦横の境界に沿って延在する配線によって規定されている。また、半導体層1aにおけるチャネル領域1a’に対向するように走査線3aが配置されており、走査線3aはゲート電極として機能する。このように、走査線3aとデータ線6aとの交差する個所には夫々、画素スイッチング用のTFT30が設けられている。   In FIG. 9, pixel electrodes 9 a (outlined by dotted line portions 9 a ′) are provided in the opening regions of the respective pixels arranged in a matrix in the X direction and the Y direction. The non-opening region of the pixel is defined by wiring extending along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9a, such as the data line 6a, the scanning line 3a, and the capacitor line 300. In addition, the scanning line 3a is arranged so as to face the channel region 1a 'in the semiconductor layer 1a, and the scanning line 3a functions as a gate electrode. As described above, the pixel switching TFT 30 is provided at each of the intersections between the scanning line 3a and the data line 6a.

図9及び図10において、TFTアレイ基板10上には、上述した画素部の各回路要素が、導電膜としてパターン化され、積層されている。各回路要素は、下から順に、下側遮光膜11aを含む第1層、ゲート電極3a等を含む第2層、蓄積容量70を含む第3層、データ線6a等を含む第4層、画素電極9a等を含む第5層からなる。また、第1層−第2層間には下地絶縁膜12、第2層−第3層間には第1層間絶縁膜41、第3層−第4層間には第2層間絶縁膜42、第4層−第5層間には第3層間絶縁膜43が夫々設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。   9 and 10, each circuit element of the pixel portion described above is patterned and stacked as a conductive film on the TFT array substrate 10. Each circuit element includes, in order from the bottom, the first layer including the lower light-shielding film 11a, the second layer including the gate electrode 3a, the third layer including the storage capacitor 70, the fourth layer including the data line 6a, and the like. It consists of a fifth layer including the electrode 9a and the like. Further, the base insulating film 12 is provided between the first layer and the second layer, the first interlayer insulating film 41 is provided between the second layer and the third layer, the second interlayer insulating film 42 is provided between the third layer and the fourth layer, and the fourth layer. A third interlayer insulating film 43 is provided between each of the layers and the fifth layers to prevent the above-described elements from being short-circuited.

TFTアレイ基板10は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなる。TFTアレイ基板10上におけるTFT30の下層側には、下側遮光膜11aが格子状に設けられている。下側遮光膜11aは、例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。   The TFT array substrate 10 is made of, for example, a quartz substrate, a glass substrate, or a silicon substrate. On the lower layer side of the TFT 30 on the TFT array substrate 10, a lower light shielding film 11 a is provided in a lattice shape. The lower light-shielding film 11a is made of, for example, a simple metal, an alloy containing at least one of refractory metals such as Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum). It is made of metal silicide, polysilicide, or a laminate of these.

TFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線3a、当該走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜2、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d並びに高濃度ドレイン領域1eを備えている。尚、高濃度ソース領域1dは、コンタクトホール81により、データ線6aに接続され、高濃度ドレイン領域1eは、コンタクトホール83により、蓄積容量70の中継層71に接続されている。   The TFT 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure. The TFT 30 has a scanning line 3a, a channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 3a, the scanning line 3a and the semiconductor layer 1a. Insulating film 2 including a gate insulating film that insulates, low concentration source region 1b and low concentration drain region 1c of semiconductor layer 1a, high concentration source region 1d and high concentration drain region 1e of semiconductor layer 1a. The high concentration source region 1 d is connected to the data line 6 a through the contact hole 81, and the high concentration drain region 1 e is connected to the relay layer 71 of the storage capacitor 70 through the contact hole 83.

TFT30の上層には、蓄積容量70が設けられている。蓄積容量70は、TFT30の高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9aに接続された画素電位側容量電極としての中継層71と、固定電位側容量電極としての容量線300の一部とが、誘電体膜75を介して対向配置されることにより形成されている。容量線300は、定電位源と電気的に接続されて固定電位とされる。容量線300は、平面的に見て、走査線3aに沿ってストライプ状に形成され、TFT30に重なる個所では図9中上下に突出している。このような容量線300は、例えば金属を含む遮光性の導電膜からなり、固定電位側容量電極としての機能の他、TFT30の上側において入射光からTFT30を遮光する遮光膜としての機能を併せ持つ。そして、図9中、格子状に形成された下側遮光膜11aと、縦方向に延在するデータ線6aと横方向に延在する容量線300とが交差してなす格子状の遮光膜により、各画素の開口領域が規定されている。   A storage capacitor 70 is provided above the TFT 30. The storage capacitor 70 includes a relay layer 71 as a pixel potential side capacitor electrode connected to the high concentration drain region 1e of the TFT 30 and the pixel electrode 9a and a part of the capacitor line 300 as a fixed potential side capacitor electrode. It is formed by being opposed to each other through the film 75. The capacitor line 300 is electrically connected to a constant potential source to have a fixed potential. The capacitor line 300 is formed in a stripe shape along the scanning line 3a in plan view, and protrudes up and down in FIG. Such a capacitor line 300 is made of a light-shielding conductive film containing metal, for example, and has a function as a light-shielding film that shields the TFT 30 from incident light on the upper side of the TFT 30 in addition to a function as a fixed potential side capacitor electrode. In FIG. 9, the lower light-shielding film 11 a formed in a lattice shape, and the lattice-shaped light-shielding film formed by intersecting the data lines 6 a extending in the vertical direction and the capacitor lines 300 extending in the horizontal direction. The opening area of each pixel is defined.

データ線6aは、コンタクトホール81を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層1aのうち高濃度ソース領域1dに電気的に接続されている。尚、上述した中継層71と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び2つのコンタクトホールを介してデータ線6aと高濃度ソース領域1dとを電気的に接続してもよい。   The data line 6a is electrically connected to the high-concentration source region 1d in the semiconductor layer 1a made of, for example, a polysilicon film via the contact hole 81. Note that a relay layer made of the same film as the relay layer 71 described above may be formed, and the data line 6a and the high-concentration source region 1d may be electrically connected through the relay layer and the two contact holes.

画素電極9aは、中継層71を中継することにより、コンタクトホール83及び85を介して半導体層1aのうち高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続されている。画素電極9aの上層側には、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜16が設けられている。画素電極9aは、ITO膜等の透明導電性膜からなる。配向膜16は、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。   The pixel electrode 9a is electrically connected to the high-concentration drain region 1e in the semiconductor layer 1a through the contact holes 83 and 85 by relaying the relay layer 71. An alignment film 16 that has been subjected to an alignment process such as a rubbing process is provided on the upper layer side of the pixel electrode 9a. The pixel electrode 9a is made of a transparent conductive film such as an ITO film. The alignment film 16 is made of a transparent organic film such as a polyimide film.

他方、マイクロレンズアレイ板20には、その全面に対向電極21が設けられており、その上層に、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設けられている。対向電極21は、ITO膜等の透明導電性膜からなる。また配向膜22は、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。マイクロレンズアレイ板20には、図5に示した如く、各画素の非開口領域に対応して格子状又はストライプ状の遮光膜240を設けるようにしてもよい。遮光膜240もまた、マイクロレンズアレイ板20側から入射する光がチャネル領域1a’に侵入するのを阻止するのに寄与する。そして、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置された、TFTアレイ基板10とマイクロレンズアレイ板20との間には液晶が封入され、液晶層50が形成される。   On the other hand, a counter electrode 21 is provided on the entire surface of the microlens array plate 20, and an alignment film 22 that has been subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided thereon. The counter electrode 21 is made of a transparent conductive film such as an ITO film. The alignment film 22 is made of a transparent organic film such as a polyimide film. As shown in FIG. 5, the microlens array plate 20 may be provided with a light shielding film 240 in a lattice shape or a stripe shape corresponding to the non-opening region of each pixel. The light shielding film 240 also contributes to preventing light incident from the microlens array plate 20 side from entering the channel region 1a '. Then, liquid crystal is sealed between the TFT array substrate 10 and the microlens array plate 20 arranged so that the pixel electrode 9a and the counter electrode 21 face each other, and a liquid crystal layer 50 is formed.

ここで図11を参照して、電気光学装置におけるマイクロレンズアレイ板20の集光機能について説明する。図11は、マイクロレンズアレイ板20における各マイクロレンズ500により入射光が集光される様子を表している。尚、図11では、各マイクロレンズ500は、そのレンズ中心が、各画素中心に一致するように配置されている。   Here, the light collecting function of the microlens array plate 20 in the electro-optical device will be described with reference to FIG. FIG. 11 shows how incident light is collected by each microlens 500 in the microlens array plate 20. In FIG. 11, each microlens 500 is arranged so that the center of the lens coincides with the center of each pixel.

図11において、マイクロレンズアレイ板20は、上方から入射される入射光を画素の開口領域に夫々集光する、マトリクス状に配置された複数のマイクロレンズ500と、そのレンズ縁部に形成された第1膜221とを備える。そして、透明板部材210の上に(図中下側に)、対向電極21及び配向膜22が形成されている。   In FIG. 11, the microlens array plate 20 is formed at a plurality of microlenses 500 arranged in a matrix shape for condensing incident light incident from above into the aperture region of the pixel and the lens edge thereof. A first film 221. A counter electrode 21 and an alignment film 22 are formed on the transparent plate member 210 (on the lower side in the figure).

このような構成の電気光学装置では、駆動時に、マイクロレンズアレイ板20側から入射される入射光は、複数のマイクロレンズ500が、夫々対応する画素の開口領域に集光する。そのため、マイクロレンズ500が無い場合と比べ、各画素における実効開口率が高められている。   In the electro-optical device having such a configuration, incident light that is incident from the microlens array plate 20 side during driving is condensed by the plurality of microlenses 500 in the corresponding pixel aperture regions. Therefore, the effective aperture ratio in each pixel is increased as compared with the case without the microlens 500.

また、マイクロレンズ500は、レンズ面の形状が非球面に規定されているためにレンズ効率に優れ、特に周縁部500Aにおける入射光の利用効率が極めて高いことから、コントラスト比の良好な表示が可能である。しかも、各マイクロレンズ500の形状、特に境界部の形状が概ね均一であるために、各マイクロレンズ500のレンズ効率は均一化されており、画素毎の輝度斑がなく良好な表示が可能である。   In addition, the microlens 500 is excellent in lens efficiency because the shape of the lens surface is defined as an aspheric surface. Particularly, since the use efficiency of incident light at the peripheral portion 500A is extremely high, a display with a good contrast ratio is possible. It is. In addition, since the shape of each microlens 500, in particular, the shape of the boundary portion is substantially uniform, the lens efficiency of each microlens 500 is uniform, and there is no luminance unevenness for each pixel, and a good display is possible. .

尚、このような電気光学装置においては、マイクロレンズアレイ板20の投射光が入射する側及びTFTアレイ基板10の出射光が出射する側には各々、例えばTN(Twisted Nematic)モード、VA(Vertically Aligned)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。   In such an electro-optical device, for example, the TN (Twisted Nematic) mode, VA (Vertically) are respectively provided on the side on which the projection light of the microlens array plate 20 enters and the side on which the emission light of the TFT array substrate 10 exits. Aligned) mode, PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal) mode, and other modes, and normally white mode / normally black mode, polarizing films, retardation films, polarizing plates, etc. are arranged in a predetermined direction. .

また、本実施形態では、対向基板としてマイクロレンズアレイ板20を用いているが、マイクロレンズアレイ板20をTFTアレイ基板として利用し、その上に回路を構築することも可能である。   In this embodiment, the microlens array plate 20 is used as the counter substrate. However, the microlens array plate 20 can be used as a TFT array substrate and a circuit can be constructed thereon.

(マイクロレンズアレイ板の製造方法)
次に、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ板20の製造方法について、図12及び図を参照して説明する。図12及び図13は、マイクロレンズアレイ板20の製造工程を表している。図15は、マイクロレンズアレイ板20の比較例を、図16は変形例を夫々表している。
(Manufacturing method of micro lens array plate)
Next, a method for manufacturing the microlens array plate 20 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13 show the manufacturing process of the microlens array plate 20. FIG. 15 shows a comparative example of the microlens array plate 20, and FIG. 16 shows a modification.

先ず、図12(a)の工程において、石英等からなる透明板部材210a上に、例えばフッ酸系などの所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが透明板部材210aより高い第1膜221aを形成する。このような第1膜221aは、例えばCVD、スパッタリング等により、シリコン酸化膜として形成される。その後、第1膜221aに例えば800〜900℃程度である所定温度による熱処理或いはアニール処理を施し、第1膜221aのエッチングレートを制御する。その際、透明板部材210aは、例えば石英からなるので、このような比較的高温の熱処理を施しても、透明板部材210aが破壊する等の問題は特に生じない。尚、ここでは、第1膜221aの厚みを100nm(1000Å)とする。   First, in the process of FIG. 12A, a first film 221a having an etching rate higher than that of the transparent plate member 210a for a predetermined type of etchant such as hydrofluoric acid is formed on the transparent plate member 210a made of quartz or the like. Such a first film 221a is formed as a silicon oxide film by, for example, CVD or sputtering. Thereafter, the first film 221a is subjected to heat treatment or annealing at a predetermined temperature of, for example, about 800 to 900 ° C. to control the etching rate of the first film 221a. At this time, since the transparent plate member 210a is made of, for example, quartz, there is no particular problem that the transparent plate member 210a is broken even if such a relatively high temperature heat treatment is performed. Here, the thickness of the first film 221a is 100 nm (1000 mm).

更に、第1膜221aの上に、エッチングレートが透明板部材210aより低い第2膜222aを形成する。第2膜222aは、後述のマスク層612との密着性が良好かつ、前述のエッチャントに対するエッチングレートが低くなるように形成される。従って、ここでは、所定のエッチャントに対するエッチングレートは、第1膜221a、透明板部材210a、第2膜222aの順に高くなっている。例えば、そのような第2膜222aの材質は特に制限されないが、例えば、高温CVD等によりシリコン窒化膜或いはシリコン酸化膜として形成される。尚、ここでは、第2膜222aの厚みを3nm以上10nm以下の範囲内、具体的には5nm(50Å)に設定する。   Further, a second film 222a having an etching rate lower than that of the transparent plate member 210a is formed on the first film 221a. The second film 222a is formed so as to have good adhesion to a mask layer 612, which will be described later, and to have a low etching rate with respect to the above-described etchant. Accordingly, here, the etching rate for a predetermined etchant increases in the order of the first film 221a, the transparent plate member 210a, and the second film 222a. For example, the material of the second film 222a is not particularly limited. For example, the second film 222a is formed as a silicon nitride film or a silicon oxide film by high-temperature CVD or the like. Here, the thickness of the second film 222a is set within a range of 3 nm to 10 nm, specifically 5 nm (50 mm).

次に、図12(b)の工程において、第1膜221aの上に、例えばCVD、スパッタリング等によりポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜からマスク層612を形成する。このマスク層612は、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いたパターニングにより、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所に穴612aが形成される。穴612aの径は、形成すべきマイクロレンズ500の径と比べると小さくなるように開けておく。   Next, in the step of FIG. 12B, a mask layer 612 is formed on the first film 221a from a polysilicon film or an amorphous silicon film, for example, by CVD, sputtering, or the like. In the mask layer 612, a hole 612a is formed at a position corresponding to the center of the microlens to be formed by patterning using photolithography and etching. The diameter of the hole 612a is set to be smaller than the diameter of the microlens 500 to be formed.

次に、図12(c)の工程において、このような穴612aが開けられたマスク612を介して、第2膜222a、第1膜221a及び透明板部材210aを、フッ酸系などのエッチャントにより、ウエットエッチングする。すると、第1膜221aのエッチャントに対するエッチングレートは、透明板部材210aより高いので、第1膜221aは、より早くエッチングされる。即ち、サイドエッチが相対的に大きく入り、テーパの付いた、底の浅い凹部が掘られることになる。   Next, in the process of FIG. 12C, the second film 222a, the first film 221a, and the transparent plate member 210a are made to pass through the mask 612 having such holes 612a by an etchant such as hydrofluoric acid. , Wet etching. Then, since the etching rate with respect to the etchant of the first film 221a is higher than that of the transparent plate member 210a, the first film 221a is etched faster. That is, side etching is relatively large, and a concave portion having a taper and a shallow bottom is dug.

このときのエッチングの進行の様子を、図13を参照して段階的に説明する。   The state of progress of etching at this time will be described step by step with reference to FIG.

図13(a)において、エッチングが開始されると、第2膜222a、第1膜221a及び透明板部材210aの順に掘り進められる。   In FIG. 13A, when etching is started, the second film 222a, the first film 221a, and the transparent plate member 210a are dug in order.

続いて、図13(b)、更に図13(c)において、第2膜222a、第1膜221a及び透明板部材210aのエッチングレートの大小関係から、本発明に特徴的な態様でエッチングが進行する。即ち、第1膜221aは、透明板部材210aより速くエッチングされることで、図示のようなテーパ面が形成される一方で、その上面に接する第2膜222aのエッチングが第1膜221aより格段に遅いために、上面側のエッチングはむやみと進行することがない。このような第2膜222aのエッチングを制御する作用には、第2膜222aとマスク612との密着性が高いことも寄与している。その結果、エッチングの進行に伴って、最近接する4つの凹部250が互いに交接しても、その境界部を欠損させることなく形成することができる。   Subsequently, in FIG. 13B and further in FIG. 13C, the etching proceeds in a manner characteristic of the present invention from the magnitude relationship among the etching rates of the second film 222a, the first film 221a, and the transparent plate member 210a. To do. That is, the first film 221a is etched faster than the transparent plate member 210a, thereby forming a tapered surface as shown in the figure. On the other hand, the etching of the second film 222a in contact with the upper surface of the first film 221a is more marked than the first film 221a. Therefore, the etching on the upper surface side does not proceed unnecessarily. The effect of controlling the etching of the second film 222a also contributes to the high adhesion between the second film 222a and the mask 612. As a result, even when the four recesses 250 that are closest to each other come into contact with each other as etching progresses, the boundary portions can be formed without being lost.

その後、図13(d)において、所定の大きさに凹部250が掘られた段階でエッチングを終了する。こうして、形成すべきマイクロレンズの中心に対応する個所の夫々に、凹部250が掘られた透明板部材210が形成される。   Thereafter, in FIG. 13D, the etching is finished when the recess 250 is dug to a predetermined size. Thus, the transparent plate member 210 in which the concave portion 250 is dug is formed at each of the locations corresponding to the center of the microlens to be formed.

ここで、凹部250が構成する面は、周縁部が第1膜221のテーパ形状に由来した、平面的な断面形状となるのに対し、周縁部の内側の透明板部材210を下地とする中心部は、上記のエッチングレートの違いによって底の浅いすり鉢状の曲面となる。即ち、凹部250の曲面は、レンズ面としての非球面を構成する。また、このときのエッチングの進行度合いに応じて、第1膜221や第2膜222が、この凹部250の周縁部に残された本発明独自の構造が得られる。   Here, the surface formed by the recess 250 has a planar sectional shape derived from the tapered shape of the first film 221 in the peripheral portion, whereas the center with the transparent plate member 210 inside the peripheral portion as a base. The part becomes a mortar-shaped curved surface having a shallow bottom due to the difference in the etching rate. That is, the curved surface of the recess 250 constitutes an aspheric surface as a lens surface. Further, according to the progress of the etching at this time, a unique structure of the present invention is obtained in which the first film 221 and the second film 222 are left on the peripheral edge of the recess 250.

図14において、第2膜222aを形成しない比較例では、第2膜222aの形成以外は本実施形態と同様の工程で凹部250’が形成される。凹部250’の境界部510’は、第1膜221’がエッチングされることで形成され、例えば凹部250’同士が交接して形成される稜線511上に欠損部512が生じている。これに対し、本実施形態では、第2膜222の存在により、境界部510における欠損の発生が抑制される。   In FIG. 14, in the comparative example in which the second film 222a is not formed, the recess 250 'is formed by the same process as in the present embodiment except for the formation of the second film 222a. The boundary portion 510 ′ of the concave portion 250 ′ is formed by etching the first film 221 ′. For example, a defective portion 512 is generated on a ridge line 511 formed by intersecting the concave portions 250 ′. On the other hand, in the present embodiment, the presence of the second film 222 suppresses the occurrence of defects at the boundary portion 510.

尚、上記エッチング工程による第2膜222の最終的形状(即ち、境界部510の先端部分の形状)は、エッチング条件によって左右されることがある。しかし、ここでは、前述のように第2膜222を第1膜に比べて極めて薄く形成するようにしたので、仮に、この先端部分に形状ばらつきが生じたとしても、誤差範囲内に留めることができる。   Note that the final shape of the second film 222 by the etching process (that is, the shape of the tip of the boundary portion 510) may depend on the etching conditions. However, since the second film 222 is formed to be extremely thin as compared with the first film as described above, even if a shape variation occurs in the tip portion, it may remain within the error range. it can.

以上の結果、本実施形態では、凹部250を、特に境界部510において均一な形状で形成することが可能である。   As a result, in the present embodiment, it is possible to form the recess 250 in a uniform shape, particularly in the boundary portion 510.

また、ここでは、例えば材質、密度、孔隙率等の第1膜221a及び第2膜222aの種類、例えばCVD、スパッタリング等の第1膜221a及び第2膜222aの形成方法、例えば400℃以下程度或いは400〜1000℃程度等の第1膜221a及び第2膜222aの形成温度、第1膜221a及び第2膜222aの形成後における熱処理或いはアニール処理における温度のうち、少なくとも一つに係る条件設定により、エッチングレートの制御を行う。例えば、CVDとスパッタリングとでは、後者の方が、第1膜221a又は第2膜222aの膜質がより緻密となり、そのエッチングレートを高くできる。また、例えば、第1膜221a又は第2膜222a形成後の熱処理については、温度を高くすると膜質がより緻密となり、そのエッチングレートを低くでき、逆に温度を低くするとそのエッチングレートを高くできる。そして、係るエッチングレートの制御によって、最終的に得られる凹部250が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を比較的容易に制御できる。尚、第1膜221a又は第2膜222aの膜厚によっても、最終的に得られる凹部250が規定する非球面における曲率或いは曲率分布を制御できる。   Also, here, for example, the method of forming the first film 221a and the second film 222a, such as CVD, sputtering, etc., for example, about 400 ° C. or less, such as the material, density, porosity, etc. Alternatively, the condition setting relating to at least one of the formation temperature of the first film 221a and the second film 222a, such as about 400 to 1000 ° C., and the temperature in the heat treatment or annealing after the formation of the first film 221a and the second film 222a. Thus, the etching rate is controlled. For example, in CVD and sputtering, the film quality of the first film 221a or the second film 222a becomes denser, and the etching rate can be increased. Further, for example, with respect to the heat treatment after the formation of the first film 221a or the second film 222a, the film quality becomes denser and the etching rate can be lowered when the temperature is raised, and conversely, the etching rate can be raised when the temperature is lowered. By controlling the etching rate, the curvature or curvature distribution on the aspheric surface defined by the finally obtained recess 250 can be controlled relatively easily. The curvature or curvature distribution on the aspherical surface defined by the finally obtained recess 250 can also be controlled by the film thickness of the first film 221a or the second film 222a.

このようなエッチングレート制御用の各種条件設定や、第1膜221aないし第2膜222aの膜厚設定は、実験的、経験的、理論的に、或いはシミュレーション等によって、実際に用いられるマイクロレンズ500のサイズ及びマイクロレンズ500として要求される性能や装置仕様等に応じて、個別具体的に設定すればよい。   The various conditions for etching rate control and the film thickness settings of the first film 221a and the second film 222a are actually used by experimental, empirical, theoretical, or simulation. It may be set individually and specifically according to the size and performance required for the microlens 500, device specifications, and the like.

更に、図12(d)の工程において、マイクロレンズ500の表面に熱硬化性の透明な接着剤を塗布してネオセラム・石英等からなるカバーガラス200を押し付けて硬化させる。これにより、透明板部材210に掘られた各凹部250内に、接着層230が充填されてなるマイクロレンズ500が完成する。この際、透明板部材210よりも高屈折率の接着層230を形成することで、各々が凸レンズからなる非球面のマイクロレンズ500を比較的簡単に作成できる。尚、この工程では、カバーガラス200を研磨して、所望の厚みを有するカバーガラス200としてもよい。   Further, in the step of FIG. 12D, a thermosetting transparent adhesive is applied to the surface of the microlens 500, and the cover glass 200 made of neoceram / quartz or the like is pressed and cured. Thereby, the microlens 500 in which the adhesive layer 230 is filled in each concave portion 250 dug in the transparent plate member 210 is completed. At this time, by forming the adhesive layer 230 having a higher refractive index than that of the transparent plate member 210, the aspherical microlenses 500 each formed of a convex lens can be formed relatively easily. In this step, the cover glass 200 may be polished to obtain a cover glass 200 having a desired thickness.

以上説明したように本実施形態の製造方法によれば、図1から図4に示した如き非球面のマイクロレンズ500がアレイ状に形成されたマイクロレンズアレイ板20を比較的効率良く、また均一な形状で製造することができる。   As described above, according to the manufacturing method of the present embodiment, the microlens array plate 20 in which the aspherical microlenses 500 as shown in FIGS. 1 to 4 are formed in an array is relatively efficient and uniform. Can be manufactured in various shapes.

尚、ここでは、本発明独自の構造として境界部510に第1膜221及び第2膜222が残された場合について説明したが、このような製造方法においては、エッチングの進行度合いに応じて、異なる形態の凹部が出来得る。例えば、エッチングの進行度合いが深ければ、図15に示したように、境界部520に第1膜221だけが残された凹部260が形成されることになる。このような形態のマイクロレンズアレイ板もまた、本発明の技術的範囲に含まれる。   Here, the case where the first film 221 and the second film 222 are left in the boundary portion 510 as a structure unique to the present invention has been described, but in such a manufacturing method, depending on the progress of etching, Different forms of recesses can be made. For example, if the degree of progress of etching is deep, as shown in FIG. 15, a recess 260 in which only the first film 221 is left is formed at the boundary portion 520. Such a microlens array plate is also included in the technical scope of the present invention.

更に、凹部250が完成した段階にある透明板部材210を2枚用意して、これらを相互に貼り合わせることにより両凸レンズのマイクロレンズを製造することも可能である。或いは、凹部250を、2P法等における型として利用することにより、非球面のマイクロレンズを製造することも可能である。   Furthermore, it is also possible to manufacture a microlens of a biconvex lens by preparing two transparent plate members 210 at the stage where the concave portion 250 is completed and bonding them together. Alternatively, an aspherical microlens can be manufactured by using the recess 250 as a mold in the 2P method or the like.

加えて、図5に示した変形形態におけるマイクロレンズアレイ板を製造する場合には、上述した図14(d)の工程に続いて、遮光膜240及び保護膜241などを、スパッタリング、コーティング等によりこの順に成膜すればよい。   In addition, in the case of manufacturing the microlens array plate in the modified embodiment shown in FIG. 5, the light shielding film 240, the protective film 241 and the like are formed by sputtering, coating, etc. following the process of FIG. Films may be formed in this order.

また、上記実施形態では、TFTマトリクス駆動方式の液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置は、TFTの代わりに薄膜ダイオード(TFD:Thin Film Diode)により各画素が駆動される装置であってもよい。   In the above embodiment, the TFT matrix driving type liquid crystal device has been described. However, the electro-optical device of the present invention is a device in which each pixel is driven by a thin film diode (TFD) instead of the TFT. May be.

(電子機器)
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の具体例として、複板式カラープロジェクタの実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図16は、複板式カラープロジェクタの図式的断面図である。
(Electronics)
Next, as a specific example of an electronic apparatus using the electro-optical device described above in detail as a light valve, an overall configuration, particularly an optical configuration, of an embodiment of a double-plate color projector will be described. FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of a multi-plate color projector.

図16において、本実施形態における複板式カラープロジェクタの一例たる、液晶プロジェクタ1100は、駆動回路がTFTアレイ基板上に搭載された電気光学装置を含む液晶モジュールを3個用意し、夫々RGB用のライトバルブ100R、100G及び100Bとして用いたプロジェクタとして構成されている。   In FIG. 16, a liquid crystal projector 1100, which is an example of a double-plate type color projector in the present embodiment, prepares three liquid crystal modules including an electro-optical device having a drive circuit mounted on a TFT array substrate, and each of them is an RGB light. It is configured as a projector used as the valves 100R, 100G, and 100B.

液晶プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投射光が発せられると、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によって、RGBの3原色に対応する光成分R、G、Bに分けられ、各色に対応するライトバルブ100R、100G及び100Bに夫々導かれる。この際特にB光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。そして、ライトバルブ100R、100G及び100Bにより夫々変調された3原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム1112により再度合成された後、投射レンズ1114を介してスクリーン1120にカラー画像として投射される。   In the liquid crystal projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. B is divided into the light valves 100R, 100G and 100B corresponding to the respective colors. At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are synthesized again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うマイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and the manufacture of microlenses with such changes A method, a microlens, an electro-optical device, and an electronic apparatus are also included in the technical scope of the present invention.

本発明のマイクロレンズアレイ板に係る実施形態の概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of an embodiment according to a microlens array plate of the present invention. マイクロレンズアレイ板に係る実施形態のうち、4つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図である。It is a partial expanded plan view which expands and shows the part which concerns on four microlenses among embodiment which concerns on a microlens array board. マイクロレンズアレイ板に係る実施形態の部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of an embodiment concerning a micro lens array board. マイクロレンズアレイ板に係る実施形態におけるマイクロレンズの境界部を拡大して示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which expand and show the boundary part of the micro lens in the embodiment concerning a micro lens array board. 本発明のマイクロレンズアレイ板の変形形態における部分拡大断面図である。It is the elements on larger scale in the deformation | transformation form of the micro lens array board of this invention. 本発明の電気光学装置に係る実施形態おけるTFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。It is the top view which looked at the TFT array board | substrate in embodiment which concerns on the electro-optical apparatus of this invention from the opposing board | substrate side with each component formed on it. 図6のH−H’断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line H-H ′ of FIG. 6. 電気光学装置に係る実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like provided in a plurality of pixels in a matrix that form an image display area in an embodiment related to an electro-optical device. 電気光学装置に係る実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。4 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed in an embodiment related to an electro-optical device. FIG. 図9のA−A’断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 9. 電気光学装置に係る実施形態において、対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板の各マイクロレンズにより入射光が集光される様子を概略的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which incident light is collected by each microlens of a microlens array plate used as a counter substrate in the embodiment according to the electro-optical device. マイクロレンズアレイ板の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of a micro lens array board. 図12(c)の工程におけるエッチング進行過程を順に示す過程図である。FIG. 13 is a process diagram sequentially illustrating an etching progress process in the process of FIG. マイクロレンズアレイ板の比較例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the comparative example of a micro lens array board. マイクロレンズアレイ板の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of a micro lens array board. 本発明の電子機器の実施形態である複板式カラープロジェクタの一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a color liquid crystal projector as an example of a double-plate color projector that is an embodiment of an electronic apparatus of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…TFTアレイ基板、20…マイクロレンズアレイ板、200…カバーガラス、210…透明板部材、221…第1膜、222…第2膜、230…接着層、240…遮光膜、500…マイクロレンズ、500A…周縁部、500B…中央部、510…境界部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT array substrate, 20 ... Microlens array plate, 200 ... Cover glass, 210 ... Transparent plate member, 221 ... First film, 222 ... Second film, 230 ... Adhesive layer, 240 ... Light shielding film, 500 ... Microlens , 500A ... peripheral edge, 500B ... central part, 510 ... boundary part.

Claims (10)

基板上に、所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板より高い第1膜を形成する工程と、
前記第1膜上に、前記エッチングレートが前記第1膜より低い且つ厚みが前記第1膜より薄い第2膜を形成する工程と、
前記第2膜上に、形成すべき複数のマイクロレンズ各々のレンズ中心に対応する個所に開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクを介して前記エッチャントによるウエットエッチングを施すことにより、前記複数のマイクロレンズのうち相近接するマイクロレンズの境界において前記基板の法線方向に突出した楔形状をなすように、前記第2膜、前記第1膜及び前記基板からなる積層体に、前記複数のマイクロレンズ各々のレンズ曲面を規定する複数の凹部を掘る工程と
を含むことを特徴とするマイクロレンズアレイ板の製造方法。
Forming a first film having an etching rate higher than that of the substrate on the substrate with a predetermined type of etchant;
Forming a second film having a lower etching rate than the first film and a thickness thinner than the first film on the first film ;
Forming a mask having an opening on the second film at a location corresponding to the center of each of the plurality of microlenses to be formed;
By performing wet etching with the etchant through the mask, the second film so as to form a wedge shape projecting in the normal direction of the substrate at the boundary between adjacent microlenses among the plurality of microlenses, A method of manufacturing a microlens array plate, comprising: a step of digging a plurality of recesses defining a lens curved surface of each of the plurality of microlenses in a laminate including the first film and the substrate.
前記第1膜、前記基板及び前記第2膜は、前記エッチャントに対するエッチングレートがこの順に低くなることを特徴とする請求項1に記載のマイクロレンズアレイ板の製造方法。   2. The method of manufacturing a microlens array plate according to claim 1, wherein the first film, the substrate, and the second film have an etch rate with respect to the etchant that decreases in this order. 前記マスクを、前記第2膜と密着するように形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のマイクロレンズアレイ板の製造方法。   The method for manufacturing a microlens array plate according to claim 1, wherein the mask is formed so as to be in close contact with the second film. 前記第2膜を、前記凹部のうち前記第2膜と対応する部分の形状ばらつきが無視できる程度に薄く形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ板の製造方法。   4. The microlens array according to claim 1, wherein the second film is formed so thin that a variation in the shape of the concave portion corresponding to the second film is negligible. 5. A manufacturing method of a board. 前記第2膜の厚みは、3nm以上且つ10nm以下の範囲内に設定されることを特徴とする請求項4に記載のマイクロレンズアレイ板の製造方法。   5. The method of manufacturing a microlens array plate according to claim 4, wherein the thickness of the second film is set in a range of 3 nm or more and 10 nm or less. 前記エッチングレートの制御を、前記第1膜又は前記第2膜の膜種、形成方法、形成条件及び形成後に施される熱処理の温度のうち、少なくとも一つに係る条件設定により行うことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ板の製造方法。   The etching rate is controlled by setting conditions relating to at least one of a film type of the first film or the second film, a forming method, forming conditions, and a temperature of heat treatment performed after the forming. The method for producing a microlens array plate according to any one of claims 1 to 5. 前記基板は、透明基板からなり、
前記複数の凹部内に、前記透明基板より屈折率が大きい透明媒質を充填する工程を更に備えたことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ板の製造方法。
The substrate is a transparent substrate,
The method for manufacturing a microlens array plate according to any one of claims 1 to 6, further comprising a step of filling the plurality of concave portions with a transparent medium having a refractive index larger than that of the transparent substrate. .
基板、所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板より高い第1膜、及び前記エッチングレートが前記第1膜より低い且つ厚みが前記第1膜より薄い第2膜が積層されてなる積層体を備え、
前記積層体に、相近接するマイクロレンズの境界において前記基板の法線方向に突出した楔形状をなすように掘られた複数の凹部によって夫々のレンズ曲面が規定された複数のマイクロレンズが形成されていることを特徴とするマイクロレンズアレイ板。
A laminate comprising a substrate, a first film having an etching rate higher than that of the substrate, and a second film having a lower etching rate than the first film and a thickness smaller than that of the first film. ,
A plurality of microlenses each having a curved lens surface defined by a plurality of concave portions dug in a wedge shape projecting in the normal direction of the substrate at a boundary between adjacent microlenses is formed on the laminate. A microlens array plate characterized by comprising:
請求項8に記載のマイクロレンズアレイ板と、前記複数のマイクロレンズの夫々に対向する複数の表示用電極と、該複数の表示用電極の夫々に接続された配線又は電子素子とを備えたことを特徴とする電気光学装置。   9. The microlens array plate according to claim 8, a plurality of display electrodes facing each of the plurality of microlenses, and a wiring or an electronic element connected to each of the plurality of display electrodes. An electro-optical device. 請求項9に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 9.
JP2004262681A 2004-09-09 2004-09-09 MICRO LENS ARRAY PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE Expired - Fee Related JP4385899B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004262681A JP4385899B2 (en) 2004-09-09 2004-09-09 MICRO LENS ARRAY PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004262681A JP4385899B2 (en) 2004-09-09 2004-09-09 MICRO LENS ARRAY PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006078782A JP2006078782A (en) 2006-03-23
JP4385899B2 true JP4385899B2 (en) 2009-12-16

Family

ID=36158285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004262681A Expired - Fee Related JP4385899B2 (en) 2004-09-09 2004-09-09 MICRO LENS ARRAY PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4385899B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4705499B2 (en) * 2006-03-27 2011-06-22 パナソニック株式会社 Method for forming on-chip lens and method for manufacturing solid-state imaging device
JP6003214B2 (en) 2012-05-18 2016-10-05 セイコーエプソン株式会社 Microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device
JP2021033110A (en) 2019-08-27 2021-03-01 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus
JP7040555B2 (en) * 2020-04-15 2022-03-23 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of optical substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006078782A (en) 2006-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3938099B2 (en) Microlens manufacturing method, microlens, microlens array plate, electro-optical device, and electronic apparatus
US7209198B2 (en) Color filter array substrate and fabricating method thereof
JP6337604B2 (en) Electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus
US7463327B2 (en) Liquid crystal display
US20080291384A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
JP2016151735A (en) Lens array substrate, electro-optic device, electronic apparatus, and method for manufacturing lens array substrate
JP4036081B2 (en) Electro-optical panel and manufacturing method thereof
JP2007248494A (en) Microlens substrate and method of manufacturing same, electrooptical device and electronic apparatus
JP2007171858A (en) Method for manufacturing microlens, microlens substrate, method for manufacturing electrooptical device, electrooptial device, and electronic equipment
JP2004094217A (en) Manufacturing method for self-aligned pixel electrode for liquid crystal display device
JP4270061B2 (en) MICRO LENS, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
JP4385899B2 (en) MICRO LENS ARRAY PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
JP4161582B2 (en) Microlens array plate, electro-optical device, and electronic device
JP4956903B2 (en) Microlens substrate and manufacturing method thereof, electro-optical device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP4315084B2 (en) Microlens array plate and manufacturing method thereof, and electro-optical device and electronic apparatus including the same
JP2004070283A (en) Method for manufacturing microlens, microlens, microlens array plate, electrooptical device, and electronic equipment
JP2006039263A (en) Microlens array plate, electrooptical device, and electronic equipment
JP4333373B2 (en) Microlens manufacturing method, microlens, and electro-optical device and electronic apparatus including the same
JP2003140127A (en) Optoelectronic device, manufacturing method therefor and electronic instrument
JP2005215624A (en) Method for manufacturing microlens, microlens, electrooptical device equipped with same, and electronic equipment
JPH11202313A (en) Liquid crystal display element
JP2006039265A (en) Microlens array plate, its manufacturing method, electrooptical device, and electronic equipment
JP4710935B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2006133261A (en) Method of manufacturing optical device, microlens plate, electrooptical device and electronic equipment
JP4670468B2 (en) Microlens array plate and manufacturing method thereof, substrate etching method, electro-optical device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060920

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090630

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090812

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090908

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090921

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees