JP4385885B2 - Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same - Google Patents

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same Download PDF

Info

Publication number
JP4385885B2
JP4385885B2 JP2004219354A JP2004219354A JP4385885B2 JP 4385885 B2 JP4385885 B2 JP 4385885B2 JP 2004219354 A JP2004219354 A JP 2004219354A JP 2004219354 A JP2004219354 A JP 2004219354A JP 4385885 B2 JP4385885 B2 JP 4385885B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
semiconductor
semiconductor device
encapsulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2004219354A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006036940A (en
Inventor
辰佳 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2004219354A priority Critical patent/JP4385885B2/en
Publication of JP2006036940A publication Critical patent/JP2006036940A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4385885B2 publication Critical patent/JP4385885B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Active legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本願発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。さらに詳しくは、本願発明は、ブラックライトの照射により蛍光発光する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。   The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. More specifically, the present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation that emits fluorescence when irradiated with black light.

エポキシ樹脂は、接着性や低吸収性に優れ安価なことから、電気、電子部品や半導体装置などの封止において、従来のガラス、金属、セラミック等を用いたハーメチックシール法に代わる封止剤として主流となっている。このようなエポキシ樹脂による封止剤としては、主に、樹脂成分としてo−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を、硬化剤成分としてフェノールノボラック樹脂を配合したエポキシ樹脂組成物が使用されている。   Epoxy resin has excellent adhesiveness and low absorbency and is inexpensive, so it can be used as a sealing agent in place of hermetic sealing methods using conventional glass, metal, ceramics, etc., for sealing electrical and electronic parts and semiconductor devices. It has become mainstream. As a sealing agent using such an epoxy resin, an epoxy resin composition in which an o-cresol novolak type epoxy resin is blended as a resin component and a phenol novolak resin is blended as a curing agent component is mainly used.

一方、このようなエポキシ樹脂組成物により封止された半導体装置の製品表面には、通常、製品名や製造者名等がマーキングされているが、従来、このようなマーキングには、熱硬化性樹脂インクを捺印する方法が一般的であった。しかし、インクによるマークは、有機溶剤や摩擦により消えやすいという問題があったことから、近年、半導体装置の表面に、CO2レーザー等を照射することにより文字や記号を書き込むレーザーマーキングが行われるようになっている。 On the other hand, the product surface of a semiconductor device sealed with such an epoxy resin composition is usually marked with a product name, a manufacturer name, etc. A method of imprinting resin ink has been common. However, since the ink mark has a problem that it easily disappears due to an organic solvent or friction, in recent years, laser marking that writes characters and symbols by irradiating the surface of a semiconductor device with a CO 2 laser or the like has been performed. It has become.

しかしながら、レーザーマーキングではマーキング不良によりマークが不鮮明となる場合が多いという問題があり、集積回路(IC)、大規模集積回路(LSI)、超大規模集積回路(VLSI)などでは、高密度化、高集積化に伴い、封止剤の薄肉化が進んでおり、このような半導体装置においては、レーザーマーキングが施された半導体装置の封止効果が不十分となり、可視光や赤外光の透過による不具合が生じる場合があった。   However, in laser marking, there is a problem that the mark is often unclear due to defective marking. In an integrated circuit (IC), a large scale integrated circuit (LSI), a very large scale integrated circuit (VLSI), etc. With the integration, the sealing agent is becoming thinner, and in such a semiconductor device, the sealing effect of the semiconductor device to which laser marking is applied becomes insufficient, and transmission of visible light or infrared light is caused. There was a case where trouble occurred.

このような問題を解消するものとして、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材を主成分とし、カーボンブラックとアゾ系有機染料を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体を封止し、レーザーマーキングを行うことにより、半導体装置における可視光や赤外光の透過を防止する方法が提案されている(特許文献1)。しかし、このようなレーザーマーキングにおいてもマーキング不良の低減は容易ではなかった。しかもまた、レーザーマーキングについての工夫が検討されてきているものの、従来、半導体装置の封止パッケージはほとんどが黒色を呈していることから、半導体装置の種別や製造者の識別が難しいという問題があった。
特開平11−060904
In order to solve such problems, the semiconductor is encapsulated with an epoxy resin composition that contains an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator and an inorganic filler as the main components and contains carbon black and an azo organic dye. A method for preventing transmission of visible light or infrared light in a semiconductor device by performing laser marking has been proposed (Patent Document 1). However, even in such laser marking, it is not easy to reduce marking defects. In addition, although contrivances for laser marking have been studied, conventionally, most of the sealed packages for semiconductor devices have been black, which has made it difficult to identify the type of semiconductor device and the manufacturer. It was.
JP-A-11-060904

そこで、本願発明は、以上のとおりの事情に鑑みてなされたものであり、従来技術の問題点を解消し、良好なレーザーマーキング性において、半導体装置等の種別や製造者等の明確な識別を可能とする新たな半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを課題としている。   Therefore, the present invention has been made in view of the circumstances as described above, solves the problems of the prior art, and clearly identifies the type of the semiconductor device, the manufacturer, etc. in good laser marking properties. It is an object of the present invention to provide a new epoxy resin composition for semiconductor encapsulation that can be used.

本願発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記の課題を解決するものとして、第1には、ブラックライトの照射により蛍光発光する半導体封止用樹脂組成物であって、少なくともエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材および硬化促進剤とともに、蛍光剤を含有し、蛍光剤は、次式(I)

Figure 0004385885
(ただし、XおよびYは同一又は別異にヒドロキシル基またはフェニルアミノ基を表し、Rは水素原子またはアルカリ金属原子を表す)
で表されるものであることを特徴としている。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is a resin composition for semiconductor encapsulation that emits fluorescence upon irradiation with black light, and solves the above problems. A fluorescent agent is contained together with a curing agent, an inorganic filler and a curing accelerator , and the fluorescent agent has the following formula (I)
Figure 0004385885
(However, X and Y are the same or different and each represents a hydroxyl group or a phenylamino group, and R represents a hydrogen atom or an alkali metal atom.)
It is characterized by being expressed by .

さらに、本願発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、第には、硬化物表面の色差計測定により得られるWB値(白度)が5〜30であることを特徴とし、第には、硬化物表面の色差計測定により得られるL値(明度)が10〜50であることを特徴としている。 Further, the semiconductor encapsulating epoxy resin composition of the present invention, the first 2, WB value obtained by the color difference meter measurements of the cured product surface (whiteness) is characterized in that 5 to 30, the third the color difference meter L value obtained by measurement of the cured product surface (brightness) is characterized in that 10 to 50.

そして、第には、前記いずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって封止されてなることを特徴とする半導体装置をも提供する。 Then, in the fourth, also provides a semiconductor device characterized by comprising sealed by the one of the semiconductor encapsulating epoxy resin composition.

上記第1の発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、少なくともエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材および硬化促進剤とともに、蛍光剤を含有することから、ブラックライトを照射した場合に蛍光発光する。したがって、このような半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止された半導体装置では、半導体装置の性能や作動に影響を与えることなく、ブラックライト(近紫外光)の照射によって簡便かつ確実な識別が可能となる。しかも、蛍光剤として、式(I)の化合物を使用することから、通常は無色であるが、ブラックライトを照射した場合には、青紫色または青緑色に蛍光発光し、明確な識別が可能となる。
また、カーボンブラックを含有する場合には、このような半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止された半導体装置は、通常は従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物と同等の色調を示し、ブラックライトを照射した場合に蛍光発光して識別が可能となる。
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the first invention contains a fluorescent agent together with at least an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler, and a curing accelerator, and thus emits fluorescence when irradiated with black light. . Therefore, in a semiconductor device encapsulated with such an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, it is simple and reliable by irradiation with black light (near ultraviolet light) without affecting the performance and operation of the semiconductor device. Identification is possible. Moreover, since the compound of formula (I) is used as a fluorescent agent, it is usually colorless, but when irradiated with black light, it emits fluorescence in blue-violet or blue-green, and can be clearly identified. Become.
When carbon black is contained, a semiconductor device encapsulated using such an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor usually has a color tone equivalent to that of a conventional epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor. In the case of irradiating with black light, it is possible to identify by emitting fluorescence.

さらに、上記第の発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、硬化物表面の色差計測定により得られるWB値(白度)が5〜30であることから、発光性が良好となる。 Furthermore, in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the second aspect of the present invention, the WB value (whiteness) obtained by color difference measurement on the surface of the cured product is 5 to 30, so that the light emission is good.

また、上記第の発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、硬化物表面の色差計測定により得られるL値(明度)が10〜50であることから、発光性が良好となる。 Moreover, in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of said 3rd invention, since L value (lightness) obtained by the color difference meter measurement of hardened | cured material surface is 10-50, luminescent property becomes favorable.

そして、上記第の発明の半導体装置では、前記の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止された半導体装置では、ブラックライト等のブラックライトの照射により簡単に識別することが可能となる。 In the semiconductor device according to the fourth aspect of the invention, the semiconductor device encapsulated with the epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor can be easily identified by irradiation with black light such as black light. Become.

本願発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記のとおり、少なくともエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材および硬化促進剤とともに、蛍光剤を含有することを特徴とする。   As described above, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention contains a fluorescent agent together with at least an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler, and a curing accelerator.

本願発明の半導体封止用樹脂組成物において、エポキシ樹脂は、一般的に半導体封止用として使用される各種のエポキシ樹脂であってよく、とくに限定されない。例えば、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ブロム含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂等を挙げることができる。これらは1種に限定されず、複数種を組み合わせて使用してもよい。   In the semiconductor sealing resin composition of the present invention, the epoxy resin may be various epoxy resins generally used for semiconductor sealing, and is not particularly limited. For example, o-cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, triphenylmethane type epoxy resin, bromine-containing epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy Examples thereof include resins and naphthalene ring-containing epoxy resins. These are not limited to one type, and a plurality of types may be used in combination.

また、硬化剤としては、一般的に半導体封止用として使用される各種のものを適用できる。具体的には、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のナフタレン骨格含有フェノール樹脂、多価フェノール化合物、トリフェニルメタン骨格を有するもの、ジシクロ骨格を有するもの等が例示される。これらは1種に限定されず、複数種を組み合わせて使用してもよい。このとき、エポキシ樹脂と硬化剤の含有量はとくに限定されないが、例えば、エポキシ樹脂と硬化剤との当量比が0.5〜1.5となるように配合することができる。   Moreover, as a hardening | curing agent, the various things generally used for semiconductor sealing can be applied. Specifically, phenol novolac resins, dicyclopentadiene type phenol resins, phenol aralkyl resins, cresol novolac resins, naphthol aralkyl resins and other naphthalene skeleton-containing phenol resins, polyphenol compounds, those having a triphenylmethane skeleton, dicyclo skeletons The thing etc. which have are illustrated. These are not limited to one type, and a plurality of types may be used in combination. At this time, although content of an epoxy resin and a hardening | curing agent is not specifically limited, For example, it can mix | blend so that the equivalent ratio of an epoxy resin and a hardening | curing agent may be 0.5-1.5.

さらに、無機充填材としては、一般的に半導体封止用として使用されるものであればよく、その種類は特に限定されない。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。無機充填材の含有量もとくに限定されないが、例えば、半導体封止用樹脂組成物全量に対して60〜93重量%とすることができる。無機充填材の含有量は、特に半導体封止用樹脂組成物全量に対して65〜85重量%とすることが好ましい。   Furthermore, the inorganic filler is not particularly limited as long as it is generally used for semiconductor sealing. Examples thereof include fused silica, crystalline silica, alumina, silicon nitride, and aluminum nitride. Although content of an inorganic filler is not specifically limited, For example, it can be 60 to 93 weight% with respect to the resin composition for semiconductor sealing. The content of the inorganic filler is particularly preferably 65 to 85% by weight with respect to the total amount of the semiconductor sealing resin composition.

さらに、本願発明の半導体封止用樹脂組成物において必須成分として含有される蛍光剤は、ブラックライトからの近紫外光を照射した際に蛍光発光するものであり、このような蛍光剤としては、分子中に連続した共役二重結合鎖を有するもの、とくに、芳香族基、複素環基、縮合環基を有するものが例示され、さらに具体的には、次式(I) Further, fluorescent agent contained as an essential component in the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is state, and are not fluoresce when irradiated with near-ultraviolet light from black light, as such a fluorescent agent And those having a continuous conjugated double bond chain in the molecule, particularly those having an aromatic group, a heterocyclic group, and a condensed ring group . More specifically , the following formula (I)

Figure 0004385885
(ただし、XおよびYは同一又は別異にヒドロキシル基またはフェニルアミノ基を表し、Rは水素原子またはアルカリ金属原子を表す)
で表されるスチルベン誘導体である
Figure 0004385885
(However, X and Y are the same or different and each represents a hydroxyl group or a phenylamino group, and R represents a hydrogen atom or an alkali metal atom.)
In a stilbene derivative represented.

以上のとおりの半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、硬化物表面の色差計測定により得られるWB値が、5〜30であることを特徴とする。本願発明において、WB値が5未満の場合には、発光性が十分でなく30より大きい場合には発光性の増大にはあまり寄与しない。また、本願発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、硬化物表面の色差計測定により得られるL値が、10〜50であることを特徴とする。L値は、明度を表し、色の明暗、つまり「明るさ」を表す。明度が最大(100%)の場合には白、最低(0%)の場合には黒となるが、半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、L値が10〜50である場合に、もっとも識別が容易となり、好ましい。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation as described above has a WB value obtained by color difference measurement on the surface of the cured product of 5 to 30. In the present invention, when the WB value is less than 5, the light emission is not sufficient, and when it is greater than 30, the light emission does not contribute much. Moreover, the L value obtained by the color difference meter measurement of the hardened | cured material surface is 10-50 for the epoxy resin composition for semiconductor sealing of this invention. The L value represents lightness, and represents the brightness of the color, that is, “brightness”. When the brightness is the maximum (100%), the color is white. When the brightness is the minimum (0%), the color is black. However, in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, when the L value is 10 to 50, Identification is easy and preferable.

なお、このような半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置を識別する際には、水銀ランプやハフニウム蛍光ランプ等から発生する近紫外線(300〜450 nm)を特殊な紫外線フィルターで取り出した照明、すなわちブラックライトを使用する。   When identifying semiconductor devices using such an epoxy resin composition for encapsulating semiconductors, near ultraviolet rays (300 to 450 nm) generated from mercury lamps, hafnium fluorescent lamps, etc. are extracted with a special ultraviolet filter. Lighting, ie black light.

本願発明の半導体封止用樹脂組成物において、蛍光剤の含有量は、好適には、樹脂組成物の全体量に対して0.02〜2.0重量%とする。蛍光剤の含有量が0.02重量%未満の場合、そして2.0重量%より多い場合には、発光性、レーザーマーキング性が十分に得られにくく、2.0重量%を超えるとエポキシ樹脂の硬化性に好ましくない影響を及ぼす傾向が強まることになる。   In the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the content of the fluorescent agent is preferably 0.02 to 2.0% by weight with respect to the total amount of the resin composition. When the content of the fluorescent agent is less than 0.02% by weight and more than 2.0% by weight, it is difficult to obtain sufficient light-emitting properties and laser marking properties. The tendency to influence will become stronger.

本願発明の半導体封止用樹脂組成物は、以上のとおり、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、硬化促進剤、および蛍光剤を必須成分として含有するものであるが、これら以外にも、一般的に半導体封止用として使用される各種の添加剤を含有していてもよい。   As described above, the resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler, a curing accelerator, and a fluorescent agent as essential components. In addition, various additives used for semiconductor sealing may be contained.

具体的には、カルナバワックス、ポリエチレンワックス、ステアリン酸、モンタン酸、カルボキシル基含有ポリオレフィン等の離型剤、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤、トリフェニルホスフィン(TPP)、トリメチルホスフィン等の有機リン化合物類、2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類や、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の三級アミン類等の硬化促進剤、リン系難燃剤、ブロム化合物、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、有機染料等の着色剤や、表面がシリコーンレジンによって被覆されたシリコーンゴムパウダー等の改質剤を挙げることができる。   Specifically, mold release agents such as carnauba wax, polyethylene wax, stearic acid, montanic acid, carboxyl group-containing polyolefin, silane coupling agents such as γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, triphenylphosphine (TPP), Organophosphorus compounds such as trimethylphosphine, imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, tri Curing accelerators such as tertiary amines such as ethanolamine and benzyldimethylamine, phosphorus flame retardants, flame retardants such as bromine compounds and antimony trioxide, colorants such as carbon black and organic dyes, and the surface is made of silicone resin Modifiers such as coated silicone rubber powder It can be mentioned.

以上のとおりの本願発明の半導体封止用樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、硬化促進剤、蛍光剤、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合し、これをミキサーやブレンダーで均一に混合した後に、加熱ロールやニーダー等で混練することによって調製できるものである。ここで、上記の各成分の配合順序は特に限定されるものではなく、また混練物を必要に応じて冷却固化させ、粉砕してペレットやパウダーにしたり、あるいはタブレット化したりして使用することができる。   The resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention as described above is blended with the above epoxy resin, curing agent, inorganic filler, curing accelerator, fluorescent agent, and various additives as necessary. It can be prepared by uniformly mixing with a mixer or blender and then kneading with a heating roll or kneader. Here, the blending order of the above components is not particularly limited, and the kneaded product can be cooled and solidified as necessary, pulverized into pellets or powder, or used as a tablet. it can.

そして、このようにして調製した半導体封止用樹脂組成物を用いて封止成形することによって、半導体装置を作製することができる。例えば、IC等の半導体素子を搭載したリードフレームをトランスファー成形金型にセットし、トランスファー成形を行うことによって、半導体素子を封止用樹脂組成物で封止した半導体装置を作製することができるものである。   And a semiconductor device can be produced by carrying out sealing molding using the resin composition for semiconductor sealing prepared in this way. For example, a semiconductor device in which a semiconductor element is sealed with a sealing resin composition can be manufactured by setting a lead frame on which a semiconductor element such as an IC is mounted in a transfer molding die and performing transfer molding. It is.

このようにして得られる半導体装置では、封止材が前記の蛍光剤を含有する半導体封止用樹脂組成物であることから、高い接着強度を有しながら、ブラックライトの照射により蛍光発光する。したがって、半導体装置表面をインクやレーザーでマーキングすることなく、簡便かつ明確に識別が可能となる。   In the semiconductor device thus obtained, the encapsulant is the resin composition for encapsulating a semiconductor containing the above-mentioned fluorescent agent, and therefore emits fluorescence by irradiation with black light while having high adhesive strength. Therefore, the semiconductor device surface can be easily and clearly identified without marking it with ink or laser.

以下、実施例を示し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、この発明は以下の例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることは言うまでもない。   Hereinafter, examples will be shown, and the embodiments of the present invention will be described in more detail. Of course, the present invention is not limited to the following examples, and it goes without saying that various aspects are possible in detail.

<実施例1〜5、比較例1>
(1)半導体封止用樹脂組成物の調製
表1に示す配合量で各成分を配合し、ブレンダーで30分間混合して均一化した後、80℃に加熱したニーダーで混練溶融させて押し出し、冷却した後、粉砕機で所定の粒度に粉砕して粉粒状の半導体封止用樹脂組成物を得た。
<Examples 1 to 5, Comparative Example 1>
(1) Preparation of resin composition for semiconductor encapsulation After blending each component in the blending amounts shown in Table 1, mixing with a blender for 30 minutes and homogenizing, kneading and melting with a kneader heated to 80 ° C, extrusion, After cooling, the mixture was pulverized to a predetermined particle size with a pulverizer to obtain a granular semiconductor sealing resin composition.

なお、エポキシ樹脂としては、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(住友化学工業(株)製「ESCN-195XL-3」エポキシ当量195)を使用した。   As an epoxy resin, an o-cresol novolac type epoxy resin (“ESCN-195XL-3” epoxy equivalent 195 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was used.

また、硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂(荒川化学工業(株)製「タマノル752」水酸基当量104)を、硬化促進剤としては、2−フェニルイミダゾール(メーカー名「型番等」)を使用した。   In addition, a phenol novolac resin (“Tamanol 752” hydroxyl group equivalent 104 manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) was used as a curing agent, and 2-phenylimidazole (manufacturer name “model number etc.”) was used as a curing accelerator.

さらに、無機充填材として溶融シリカ(平均粒径20μm)を、蛍光剤として、前記の式(I)で表されるものを使用した。   Further, fused silica (average particle size 20 μm) was used as the inorganic filler, and a fluorescent agent represented by the above formula (I) was used.

さらに、シランカップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)「KBM403」)を、難燃剤としてブロム化エポキシ樹脂(住友化学工業(株)製「ESB400T」エポキシ当量400)を、難燃助剤として三酸化アンチモンを、離型剤として天然カルナバワックスを、そして着色剤としてカーボンブラックを用いた。   Furthermore, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM403”) is used as a silane coupling agent, and brominated epoxy resin (“ESB400T” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. “epoxy equivalent 400” as a flame retardant. ), Antimony trioxide as a flame retardant aid, natural carnauba wax as a release agent, and carbon black as a colorant.

(2)色差計評価
日本電色工業(株)製分光式色彩計を用いて、標準物質との比較にてチップ表面の色差を測定した。次いで、成形品を125℃で24時間キュアした後、同様の測定を行った。
(2) Color difference meter evaluation Using a spectroscopic color meter manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., the color difference of the chip surface was measured by comparison with a standard substance. Next, the molded product was cured at 125 ° C. for 24 hours, and then the same measurement was performed.

結果を表1に示した。   The results are shown in Table 1.

(3)発光性評価
得られた評価用成形品に暗室にてブラックライトを照射し、発光の有無を目視により確認した。
(3) Luminescent evaluation The obtained molded article for evaluation was irradiated with black light in a dark room, and the presence or absence of light emission was confirmed visually.

結果を表1に示した。   The results are shown in Table 1.

Figure 0004385885
表1にみられるように、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、硬化促進剤および蛍光剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、ブラックライトの照射により蛍光発光することが確認された。
Figure 0004385885
As seen in Table 1, it was confirmed that the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler, a curing accelerator and a fluorescent agent emits fluorescence when irradiated with black light. .

一方、蛍光剤を含有しないエポキシ樹脂組成物では、蛍光発光は見られなかった。   On the other hand, fluorescence emission was not seen in the epoxy resin composition containing no fluorescent agent.

以上より、この発明によって、容易かつ明確な識別を可能とする新たなマーキング方法のための半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供されることが確認された。   From the above, it was confirmed that the present invention provides an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation for a new marking method that enables easy and clear identification.

Claims (4)

ブラックライトの照射により蛍光発光する半導体封止用樹脂組成物であって、少なくともエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材および硬化促進剤とともに、蛍光剤を含有し、蛍光剤は、次式(I)
Figure 0004385885
(ただし、XおよびYは同一又は別異にヒドロキシル基またはフェニルアミノ基を表し、Rは水素原子またはアルカリ金属原子を表す)
で表されるものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
A resin composition for encapsulating a semiconductor that emits fluorescence upon irradiation with black light, and contains at least an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler, and a curing accelerator, and contains a fluorescent agent, and the fluorescent agent has the following formula (I)
Figure 0004385885
(However, X and Y are the same or different and each represents a hydroxyl group or a phenylamino group, and R represents a hydrogen atom or an alkali metal atom.)
An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, characterized in that:
硬化物表面の色差計測定により得られるWB値(白度)が、5〜30であることを特徴とする請求項1の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Cured color difference meter WB value obtained by measurement of surface (whiteness) is a semiconductor encapsulating epoxy resin composition according to claim 1, wherein 5-30 der Rukoto. 硬化物表面の色差計測定により得られるL値(明度)が、10〜50であることを特徴とする請求項1の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the L value (brightness) obtained by color difference measurement on the surface of the cured product is 10 to 50 . 請求項1ないしのいずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって封止されてなることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device characterized by comprising sealed with claims 1 to one of the semiconductor encapsulating epoxy resin composition 3.
JP2004219354A 2004-07-27 2004-07-27 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same Active JP4385885B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004219354A JP4385885B2 (en) 2004-07-27 2004-07-27 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004219354A JP4385885B2 (en) 2004-07-27 2004-07-27 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006036940A JP2006036940A (en) 2006-02-09
JP4385885B2 true JP4385885B2 (en) 2009-12-16

Family

ID=35902282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004219354A Active JP4385885B2 (en) 2004-07-27 2004-07-27 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4385885B2 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007260073A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Olympia:Kk Game machine
JP2008035897A (en) * 2006-08-01 2008-02-21 Olympia:Kk Game machine
JP2008186886A (en) * 2007-01-29 2008-08-14 Kyocera Chemical Corp Resin-sealed semiconductor device having anti-imitation function
KR101898571B1 (en) * 2017-03-21 2018-09-14 크루셜텍 (주) Sensor package
JP7446156B2 (en) 2020-05-21 2024-03-08 三菱電機株式会社 Semiconductor devices, power conversion devices, semiconductor device testing methods, semiconductor device manufacturing methods, learning devices, and inference devices
WO2022030236A1 (en) 2020-08-03 2022-02-10 ナミックス株式会社 Semiconductor-sealing epoxy resin composition

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH032258A (en) * 1989-05-30 1991-01-08 Matsushita Electric Works Ltd Resin composition, prepreg and laminated board
JP2000191884A (en) * 1998-12-28 2000-07-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition and semiconductor device
BR0013876A (en) * 1999-09-10 2002-05-07 Ciba Sc Holding Ag Triazinyl aminostilbene derivative as fluorescent bleaching agents
JP4689055B2 (en) * 2001-01-30 2011-05-25 日東電工株式会社 Semiconductor device for preventing tampering of pachinko machines
JP2002309297A (en) * 2001-04-17 2002-10-23 Lion Corp High bulk density granulated detergent composition
US7270771B2 (en) * 2002-07-05 2007-09-18 Ciba Specialty Chemicals Corporation Triazinylaminostilbene disulphonic acid mixtures
PL377038A1 (en) * 2002-11-19 2006-01-23 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Amphoteric fluorescent whitening agents

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006036940A (en) 2006-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4385885B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same
JP5363704B2 (en) Epoxy resin for sealing and its use
JP2007154064A (en) Method for producing resin composition for sealing photosemiconductor element, resin composition for sealing photosemiconductor element obtained thereby and photosemiconductor device
JP2008143950A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the same
JP2005200533A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor and resin-sealed semiconductor device
JP2003277477A (en) Epoxy resin composition and resin-sealing type semiconductor device
JP5346463B2 (en) Semiconductor device using epoxy resin composition for sealing
JP2004099837A (en) Sealing resin composition and resin-sealed semiconductor device
JP5009835B2 (en) Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device
JPH09143345A (en) Epoxy resin composition
JP4017478B2 (en) Electronic component equipment
JP2003327792A (en) Sealing resin composition and sealed semiconductor device
JP2003261646A (en) Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device
JPH1160904A (en) Epoxy resin composition for sealing and semiconductor device
JP2006241291A (en) Epoxy resin composition and electronic part-sealed device
JPH11158354A (en) Resin composition for sealing and resin-sealed semiconductor device
JP2000191884A (en) Resin composition and semiconductor device
JPH05206330A (en) Epoxy resin composition
JP3397024B2 (en) Epoxy resin composition for sealing and semiconductor device
JP2003213088A (en) Resin composition for optical semiconductor sealing use and optical semiconductor device
JP2006241284A (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device
JP2006036941A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device obtained using the same
JP3471895B2 (en) Epoxy resin composition and resin-encapsulated semiconductor device
JP2008133325A (en) Semiconductor-sealing epoxy resin composition and semiconductor device
WO2022030236A1 (en) Semiconductor-sealing epoxy resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080617

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090217

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090417

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090908

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090921

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4385885

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 4