JP4385434B2

JP4385434B2 - Thick film circuit board and manufacturing method thereof

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Publication number: JP4385434B2
Application number: JP10528799A
Authority: JP
Inventors: 真治太田; 浅井　　康富; 賢吾岡; 長坂　　崇
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1999-04-13
Filing date: 1999-04-13
Publication date: 2009-12-16
Anticipated expiration: 2019-04-13
Also published as: JP2000299202A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック基板等の基板の導体上にめっき電極を設け、そのめっき電極の接続端部の上面に接続するように厚膜抵抗体を設けるようにした厚膜回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
例えばハイブリッドＩＣ等に用いられる厚膜回路基板においては、回路規模が大きなものや高集積化が必要なものでは、積層基板が用いられている。なかでも、銅めっきを電極として形成したアルミナ積層基板は、低コストとなると共に、厚膜抵抗体の形成性やはんだとの接合性に優れる特長を有している。このようなアルミナ積層基板上に厚膜抵抗体を形成する構造としては、特開昭６３−１０７０８７号公報に示されたものがある。
【０００３】
この構造では、アルミナ積層基板の表面に、タングステン又はモリブデンを主成分とした導体パターンが形成され、その導体パターン上に銅めっきが施されて銅めっき電極が形成され、その銅めっき電極を覆うように銅の厚膜導体が形成され、その厚膜導体に接続されるように厚膜抵抗体が形成されるようになっている。この構成では、厚膜抵抗体と導体パターンとの間に厚膜導体を介在させているので、接触抵抗や接合強度の面で優れたものとなる。ところが、厚膜導体は厚膜抵抗体との接続のためにのみ形成されるので、印刷や焼成の工程が増えてコストがかかる傾向にあった。
【０００４】
そこで、別の従来例として、特開昭５６−１４６２０１号公報や特開平４−３０１９９号公報に示されたものがある。このものは、図７に示すように、アルミナ積層基板１の表面に導体パターン２を設け（ａ）、その導体パターン２の上に銅めっき電極３を形成し（ｂ）、その銅めっき電極３に直接的に接続するように厚膜抵抗体４を形成する（ｃ）ようになっている。尚、この場合、配線抵抗値を小さくするため、銅めっき（銅めっき電極３）はある程度大きな膜厚で形成されている。
【０００５】
しかしながら、上記図７に示す構造では、コスト的に有利となるものの、次のような欠点を有していた。即ち、銅めっき電極３の縁部は、基板１表面から比較的大きな角度で急峻に立上がって比較的大きな段差を呈する形態とされ、厚膜抵抗体４の端部がその段差に倣うように盛上がった（上方に大きく折曲がった）如き形態に形成されることになる。
【０００６】
このため、厚膜抵抗体４に熱サイクルが繰返し加えられることにより、図７でＡで示す部分に応力が集中し、ひいては経時的にクラックの発生等を招く虞がある。また、銅めっき電極３は、導体パターン２の縁部から外側にはみ出した形態で形成されるようになり、この銅めっき電極３の縁部と下地（基板１）との接合が極めて弱くなり、熱サイクルにより図７にＢで示す部分の変形が生ずる虞もある。このように、厚膜抵抗体４に経時的にクラックや変形が生ずると、抵抗値が不安定になるなど、信頼性に劣るものとなる。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、基板上に厚膜抵抗体を設けるものにあって、厚膜抵抗体における応力集中を極力防止することができ、耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜回路基板及びその製造方法を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、厚膜抵抗体の抵抗値が経時的に不安定になる要因は、めっき電極の接続端部が基板の表面から比較的大きな角度で急峻に立上がるため、厚膜抵抗体の界面に生ずる応力集中にあることに着目し、めっき電極の接続端部の縁部の基板からの立上がり角を小さくすれば、厚膜抵抗体の応力集中を低減することができることを確認し、本発明を成し遂げたのである。
【０００９】
即ち、本発明の請求項１の厚膜回路基板は、めっき電極のめっき厚みを、厚膜抵抗体が接続される接続端部が他の部分に比べて薄くなるように構成したところに特徴を有する。これによれば、めっき電極の接続端部を薄膜化したことにより、その電極の接続端部の縁部の基板からの立上がり角を小さく抑えることができ、形成される厚膜抵抗体を平坦に近い形状とすることができる。また、めっき電極の接続端部以外の他の部分では、所要のめっき厚みとすることができ、例えば所望の配線抵抗値を確保することができる。
【００１０】
この結果、請求項１の発明によれば、厚膜抵抗体の応力集中を低減し経時的にクラックや変形が生ずることを抑制することができ、ひいては耐久性，信頼性を向上させることができるものである。また、この場合、本発明者の研究によれば、前記接続端部のめっき厚みを、８μｍ以下とすることがより一層好ましく（請求項２の発明）、これにより、厚膜抵抗体の応力集中の防止効果に極めて優れたものとすることができる。
【００１１】
そして、上記した厚膜回路基板を製造する方法としては、以下の工程を含むものとすることができる。即ち、基板の導体上のうち接続端部に対応する部分にマスクを形成した状態でめっきを形成する第１のめっき工程と、前記マスクを除去した状態で引続きめっきを形成する第２のめっき工程と、基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むものとすることができる（請求項３の発明）。
【００１２】
あるいは、基板の導体上に薄い膜厚でめっきを形成する第１のめっき工程と、この第１のめっき工程で形成されためっきのうち接続端部に対応する部分にマスクを形成した状態で引続きめっきを形成する第２のめっき工程と、前記マスクを除去した上で基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むものとすることもできる（請求項４の発明）。
【００１３】
これらによれば、２回に分けてめっきの工程が行なわれることにより、めっき電極の所望のめっき厚みが得られるのであるが、そのうちどちらか１回のめっき工程については、接続端部に対応する部分にマスクを形成した状態でめっきが行なわれるので、接続端部のめっき厚みを他の部分に比べて薄くすることができる。この結果、上記した厚膜抵抗体における応力集中を極力防止することができ、耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造することができる。
【００１４】
また、基板の導体上にめっきを形成する工程と、このめっき工程で形成されためっきのうち接続端部に対応する部分をエッチングにより薄膜化する工程と、基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むものとすることもできる（請求項５の発明）。これによっても、接続端部のめっき厚みを他の部分に比べて薄くすることができ、厚膜抵抗体における応力集中を極力防止することができ、耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造することができる。
【００１５】
さらには、基板上に、接続端部に対応する部分が他の部分よりもガラス成分が多く含まれるように導体を形成する工程と、この導体上にめっきを形成する工程と、基板上に厚膜抵抗体を形成する工程とを含むものとすることができる（請求項６の発明）。これによれば、導体のうち、ガラス成分が多く含まれる部分については、めっきが形成されにくい（金属が析出されにくい）ため、接続端部のめっき厚みを他の部分に比べて薄くすることができ、厚膜抵抗体における応力集中を極力防止することができ、耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化したいくつかの実施例について、図１ないし図６を参照しながら説明する。
（１）第１の実施例
まず、図１ないし図３を参照して、本発明の第１の実施例（請求項１，２，３に対応）について述べる。
【００１７】
図１（ｆ）及び図３は、本実施例に係る厚膜回路基板の要部（厚膜抵抗体の形成部分）の構成を示している。ここで、セラミック基板であるアルミナ積層基板１１は、アルミナ材料から多層状に構成され、その表面部には、部品接続用のランドやそれらをつなぐ配線等からなる導体パターン１２が形成されている。この場合、図２（ｅ）に示すように、アルミナ積層基板１１は、例えば３層の絶縁基材層１３を有し、表面及び層間に導体パターン１２を有すると共にそれらの一部がスルーホール１１ａを介して接続された形態に構成されている。尚、前記導体パターン１２は、例えばタングステン又はモリブデン等の高融点金属材料を主成分として構成されている。
【００１８】
そして、このアルミナ積層基板１１の表面の導体パターン１２上には、その表面全体を覆うように例えば銅めっきが施され、銅めっき電極１４とされるようになっている。さらに、アルミナ積層基板１１の表面部には、厚膜抵抗体１５が設けられる。この厚膜抵抗体１５は、例えばＬａＢ6 抵抗体からなり、その両端部が、一対の銅めっき電極１４の端部（接続端部１４ａ）の上面に夫々重なって接続されるように設けられている。
【００１９】
このとき、前記銅めっき電極１４のめっき厚みは、前記厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａが、他の部分に比べて薄い薄膜状に設けられている。また、この接続端部１４ａは、厚膜抵抗体１５の接続部よりも平面的にやや大きく形成されている。ちなみに、この接続端部１４ａのめっき厚み寸法は、８μｍ以下とされている。尚、アルミナ積層基板１１の表面部には、前記銅めっき電極１４及び厚膜抵抗体１５の全体を覆うように、保護用のオーバーコートガラス１６（図３に想像線で示す）が形成されるようになっている。また、図示はしないが、他の銅めっき電極１４には、例えばチップ部品や半導体ベアチップ等が接続されるようになっている。
【００２０】
次に、上記構成の厚膜回路基板を製造する手順について、図２も参照して述べる。図２は、アルミナ積層基板１１の形成の工程を概略的に示しており、また、図１は、厚膜回路基板の製造工程における要部（厚膜抵抗体１５の形成部分）の様子を示している。ここで、図２に示すように、アルミナ積層基板１１を形成するにあたっては、絶縁基材層１３の材料として、図２（ａ）に示すように、例えば厚み０．０５〜０．５mm程度の３枚の周知のアルミナグリーンシート１７が用いられ、まず、図２（ｂ）に示すように、これらグリーンシート１７の所要位置に、スルーホール１１ａとなる穴１７ａが金型プレス等により形成される。
【００２１】
次いで、図２（ｃ）に示すように、前記各グリーンシート１７の穴１７ａ内が高融点金属ペースト（タングステンペースト）１８により埋められると共に、各グリーンシート１７の表面に導体パターン１２となる高融点金属ペースト１９が、例えば１０μｍ程度の厚みでスクリーン印刷により印刷塗布される。そして、図２（ｄ）に示すように、３枚のグリーンシート１７が積層、加圧されて一体化された状態で、その積層体が還元雰囲気にて例えば１６００℃で焼成される。これにより、図２（ｅ）及び図１（ａ）に示すように、導体パターン１２が形成されたアルミナ積層基板１１が得られるのである。
【００２２】
さて、このように導体パターン１２が形成されたアルミナ積層基板１１に対し、導体パターン１２の表面に銅めっきを施して銅めっき電極１４を形成する工程、及び厚膜抵抗体１５を形成する工程が順に実行されるのであるが、本実施例では、図１に示す手順にて、第１及び第２の２回のめっき工程が実行されるようになっている。
【００２３】
即ち、図１（ａ）に示すアルミナ積層基板１１に対し、まず、図１（ｂ）に示すように、導体パターン１２上のうち前記接続端部１４ａに対応する部分に、マスク２０が形成される。このマスク２０の材質としては、銅めっきの工程で剥離や溶解することなく、後に除去可能なものであれば様々なものを使用できるが、アクリルやビニール等の合成樹脂材料を用いることが望ましい。また、マスク２０の形成方法としては、液状の樹脂を印刷やディスペンスにより塗布した後、硬化させる方法や、前面にフォトレジスト等を塗布しその後エッチングにより不要部分を除去するといった方法が採用できる。また、マスク２０の厚みとしては、１０μｍ〜１mm程度で良い。
【００２４】
このようにマスク２０が形成されたアルミナ積層基板１１に対し、第１のめっき工程が実行される。このめっき工程は、周知の無電解めっき（あるいは電解めっきでも良い）により行なわれ、これにて、図１（ｃ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面の導体パターン１２の表面に、前記マスク２０で覆われた部分を除いて、中間銅めっき層２１が形成されるようになる。また、この第１のめっき工程では、中間銅めっき層２１は、必要なめっき厚みから、接続端部１４ａのめっき厚み（例えば８μｍ）分だけ不足した厚み（２回のめっき工程により所望のめっき厚が得られる厚み）まで形成される。
【００２５】
次に、図１（ｄ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面から前記マスク２０を除去することが行なわれる。このマスク２０を除去するにあたっては、有機溶剤を使用する化学的な方法や、機械的に引剥がす方法等を採用することができる。これにて、導体パターン１２の表面のうち、接続端部１４ａに対応した部分が露出するようになる。次いで、アルミナ積層基板１１に対する第２のめっき工程が実行される。この第２のめっき工程も、上記第１のめっき工程と同様の方法が用いられ、例えば８μｍの厚みで銅めっきが形成される。
【００２６】
これにて、図１（ｅ）に示すように、前記中間銅めっき層２１の表面に更に銅めっきが堆積状に形成されると共に、導体パターン１２の表面のうち接続端部１４ａに対応した部分に銅めっきが形成され、銅めっき電極１４が形成されるのである。この銅めっき電極１４は、上述のように、厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａについて、厚みが例えば８μｍの薄膜状に形成され、その他の部分については、例えば配線抵抗値を十分小さくできるような所要の厚みとされている。
【００２７】
この後、図１（ｆ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面に厚膜抵抗体１５を形成する工程が実行される。この厚膜抵抗体１５の形成工程は、アルミナ積層基板１１の表面に、抵抗体ペーストを例えばスクリーン印刷により所定形状に塗布し、乾燥後、窒素雰囲気にて例えば９００℃で焼成することにより行なわれる。これにて、端部が銅めっき電極１４の接続端部１４ａに接続された厚膜抵抗体１５が得られるのである。しかる後、アルミナ積層基板１１の表面に、オーバーコートガラス１６が形成される。
【００２８】
このようにして形成される厚膜回路基板においては、銅めっき電極１４のめっき厚みを、厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａについては他の部分に比べて薄くなるように形成したので、接続端部１４ａの縁部のアルミナ積層基板１１表面からの立上がり角を小さく抑えることができ、図７（ｃ）に示した従来のものと比べて、厚膜抵抗体１５を平坦に近い形状に形成することができた。また、接続端部１４ａが、導体パターン１２の縁部から大きくはみ出すこともないので、アルミナ積層基板１１との接合性も良好となる。銅めっき電極１４の接続端部１４ａ以外の他の部分では、所要のめっき厚みとすることができるので、例えば所望の配線抵抗値を得ることができることは勿論である。
【００２９】
従って、本実施例によれば、厚膜抵抗体１５に熱サイクルが繰返し作用しても、局所的に応力が集中することを防止することができ、ひいてはクラックや変形の発生等を効果的に抑制することができる。この結果、経時的に抵抗値が不安定になることを未然に防止することができ、耐久性，信頼性を向上させることができるという優れた効果を得ることができる。この場合、接続端部１４ａのめっき厚みを８μｍ以下としたことにより、厚膜抵抗体１５の応力集中の防止効果に極めて優れたものとなる。
【００３０】
また、本実施例の製造方法によれば、マスク２０の形成及び除去の工程が必要となると共に、めっきの工程を２回に分けるものの、焼成の工程が１回増えるといった場合と比べて、さほど手間や時間が増加することもないので、上記したような厚膜抵抗体１５における応力集中を極力防止することができ、耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造することができるものである。
【００３１】
（２）第２の実施例
次に、図４を参照して本発明の第２の実施例（請求項４に対応）について述べる。尚、以下に述べる第２〜第４の実施例は、上記した第１の実施例の厚膜回路基板と同様の厚膜回路基板を製造するための別の方法を示す実施例であるため、厚膜回路基板の構成など上記した第１の実施例と共通する部分については、新たな図示や詳しい説明を省略すると共に、符号も共通して使用し、以下異なる点を中心に述べることとする。
【００３２】
この実施例では、図４（ａ）に示すアルミナ積層基板１１に対し、まず、その導体パターン１２上に、周知の無電解めっきにより薄い膜厚（８μｍ以下）でめっきを形成する第１のめっき工程が実行される。これにより、図４（ｂ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面の導体パターン１２上全体に、中間銅めっき層２２が均一厚みで形成される。そして、図４（ｃ）に示すように、形成された中間銅めっき層２２のうち接続端部１４ａに対応する部分に、上記第１の実施例と同様な方法でマスク２３が形成される。
【００３３】
次いで、マスク２３が形成されたアルミナ積層基板１１に対し、同様に第２のめっき工程が実行される。これにて、図４（ｄ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面の中間銅めっき層２２の表面に、前記マスク２３で覆われた部分を除いて更に銅めっきが形成されるようになる。この第２のめっき工程では、接続端部１４ａ以外の部分が所要のめっき厚みとなるまでめっきが形成され、その後、図４（ｅ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面から前記マスク２３が除去されることにより、銅めっき電極１４が形成されるのである。
【００３４】
この銅めっき電極１４は、上述のように、厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａについて、厚みが例えば８μｍの薄膜状に形成され、その他の部分については、例えば配線抵抗値を十分小さくできるような所要の厚みとされている。この後、図４（ｆ）に示すように、上記第１の実施例と同様の方法で、アルミナ積層基板１１の表面に厚膜抵抗体１５を形成する工程が実行される。
【００３５】
このような実施例によっても、上記第１の実施例と同様に、銅めっき電極１４のめっき厚みを、厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａについては他の部分に比べて薄くなるように形成することができ、厚膜抵抗体１５を平坦に近い形状に形成することができる。従って、厚膜抵抗体１５に熱サイクルが繰返し作用しても、局所的に応力が集中することを防止することができ、ひいては経時的に抵抗値が不安定になることを未然に防止して耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造することができるものである。
【００３６】
（３）第３の実施例
図５は、本発明の第３の実施例（請求項５に対応）を示している。この実施例では、図５（ａ）に示すアルミナ積層基板１１に対し、まず、その導体パターン１２上に、例えば銅めっきを形成するめっき工程が実行される。これにより、図５（ｂ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面の導体パターン１２上全体に、銅めっき層２４が所要の厚み（所要の配線抵抗値を得ることができる厚み）で形成される。
【００３７】
次に、図５（ｃ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面に、銅めっき層２４の接続端部１４ａに対応する部分を除いてマスク２５が形成される。このマスク２５の材質としては、次のエッチングの工程において溶解したり剥離したりすることのない、例えばアクリルやビニール等の合成樹脂材料を用いることができる。
【００３８】
そして、このマスク２５を形成した状態で、前記銅めっき層２４のうち接続端部１４ａに対応する部分をエッチングにより薄膜化する工程が実行される。このエッチングの工程は、例えば硝酸や過硫酸アンモニウム水溶液等を用いた化学エッチングを用いることができ、これにて、図５（ｄ）に示すように、銅めっき層２４のうち接続端部１４ａに対応する部分のみが、例えば厚み８μｍ以下に薄膜化されるのである。次いで、アルミナ積層基板１１の表面から前記マスク２５が除去されることにより、図５（ｅ）に示すように、接続端部１４ａが薄膜化した銅めっき電極１４が形成される。この後、図５（ｆ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面に厚膜抵抗体１５を形成する工程が実行される。
【００３９】
このような実施例においても、銅めっき電極１４のめっき厚みを、厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａについては他の部分に比べて薄くなるように形成することができ、従って、厚膜抵抗体１５における応力集中を極力防止することができ、ひいては経時的に抵抗値が不安定になることを未然に防止して耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造することができるものである。
【００４０】
（４）第４の実施例
図６は、本発明の第４の実施例（請求項６に対応）を示している。この実施例では、アルミナ積層基板１１の形成工程において、その表面の導体パターン２６を２種類の異なる材料（高融点金属ペースト）を用いて形成するようにしている。即ち、上記第１の実施例で述べたように、アルミナ積層基板１１の材料として、図６（ａ）に示すアルミナグリーンシート１７が用いられ、このグリーンシート１７に対してスルーホール１１ａとなる穴加工が行なわれる。
【００４１】
次いで、前記各グリーンシート１７の穴１７ａ内が高融点金属ペースト（タングステンペースト）１８により埋められると共に、グリーンシート１７の表面に、導体パターン２６となる高融点金属ペーストが、例えばスクリーン印刷により印刷塗布されるのであるが、ここでは、高融点金属ペーストの印刷塗布の工程が２回に分けて行なわれる。１回目の工程では、図６（ｂ）に示すように、高融点金属ペースト２７が、アルミナ積層基板１１の銅めっき電極１４の接続端部１４ａの下地となる部分を除いて印刷塗布される。
【００４２】
このとき、この高融点金属ペースト２７は、例えばタングステン又はモリブデン等の高融点金属の粉末を主成分とし、それに接合性を高めるためのガラス成分（ガラスフリット）を添加し、さらにバインダや有機溶剤を加えて混合し、ペースト状としたものであり、前記ガラス成分は０〜２０％の割合で配合されている。尚、前記バインダや有機溶剤は、後の焼成の工程において、分解，蒸発されるようになっている。
【００４３】
引続き、２回目の工程では、図６（ｃ）に示すように、高融点金属ペースト２８が、銅めっき電極１４の接続端部１４ａの下地となる部分に、前記高融点金属ペースト２７に連続するように印刷塗布される。このとき、この高融点金属ペースト２８として、前記高融点金属ペースト２７に比べてガラス成分を多く（例えば３〜３０％）したものが用いられる。
【００４４】
そして、グリーンシート１７が積層、加圧されて一体化された状態で、その積層体が還元雰囲気にて例えば１６００℃で焼成されることにより、アルミナ積層基板１１が形成されるのであるが、このとき、図６（ｄ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面に形成される導体パターン２６は、接続端部１４ａに対応する接続部２６ａが他の部分よりもガラス成分が多く含まれるものとなるのである。
【００４５】
次に、上記アルミナ積層基板１１に対し、その導体パターン２６上に、銅めっきを形成するめっき工程が実行される。このめっき工程では、導体パターン２６中の金属がいわば核となる様な形で銅が析出（電着）されるのであるが、導体パターン２６のうち接続部２６ａでは、ガラス成分が多く（金属成分が少なく）、めっきが形成されにくい（銅が析出されにくい）ので、図６（ｅ）に示すように、形成される銅めっき（銅めっき電極１４）は、接続端部１４ａのめっき厚みが他の部分に比べて薄くなるのである。この後、図６（ｆ）に示すように、アルミナ積層基板１１の表面に厚膜抵抗体１５を形成する工程が実行される。
【００４６】
このような実施例においても、銅めっきの下地となる導体パターン２６の材料の工夫によって、銅めっき電極１４のめっき厚みを制御でき、厚膜抵抗体１５が接続される接続端部１４ａについては他の部分に比べて薄くなるように形成することができた。従って、厚膜抵抗体１５における応力集中を極力防止することができ、ひいては経時的に抵抗値が不安定になることを未然に防止して耐久性，信頼性を向上させることができる厚膜回路基板を、比較的簡単な工程で容易に製造することができるものである。
【００４７】
尚、本発明は上記した各実施例に限定されるものではなく、例えば基板としてはアルミナ積層基板に限らず、他のセラミック基板やガラス基板、ガラスセラミック基板等であっても良く、また、めっきの材質やマスクの材質、さらには厚膜抵抗体の材質や形状などについても種々の変形が可能である等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示すもので、厚膜回路基板の製造工程における厚膜抵抗体の形成部分の概略的な様子を順に示す縦断面図
【図２】アルミナ積層基板の形成の工程を概略的に示す図
【図３】厚膜回路基板の厚膜抵抗体形成部分の平面図
【図４】本発明の第２の実施例を示す図１相当図
【図５】本発明の第３の実施例を示す図１相当図
【図６】本発明の第４の実施例を示す図１相当図
【図７】従来例を示す図１相当図
【符号の説明】
図面中、１１はアルミナ積層基板（基板）、１２は導体パターン（導体）、１４は銅めっき電極（めっき電極）、１４ａは接続端部、１５は厚膜抵抗体、１７はアルミナグリーンシート、２０，２３，２５はマスク、２１，２２は中間銅めっき層、２４は銅めっき層、２６は導体パターン（導体）、２６ａは接続部、２７，２８は高融点金属ペーストを示す。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a thick film circuit board in which a plating electrode is provided on a conductor of a substrate such as a ceramic substrate and a thick film resistor is provided so as to be connected to an upper surface of a connection end of the plating electrode, and a method for manufacturing the same. .
[0002]
[Problems to be solved by the invention]
For example, in a thick film circuit board used for a hybrid IC or the like, a laminated board is used for a circuit with a large circuit scale or a high integration requirement. Among these, an alumina laminated substrate formed by using copper plating as an electrode has advantages that it is low in cost and excellent in formability of a thick film resistor and bondability with solder. As a structure for forming a thick film resistor on such an alumina laminated substrate, there is one disclosed in JP-A 63-107087.
[0003]
In this structure, a conductor pattern mainly composed of tungsten or molybdenum is formed on the surface of the alumina laminated substrate, and a copper plating electrode is formed on the conductor pattern so as to cover the copper plating electrode. A thick film conductor of copper is formed on the thick film conductor, and a thick film resistor is formed so as to be connected to the thick film conductor. In this configuration, since the thick film conductor is interposed between the thick film resistor and the conductor pattern, the contact resistance and the bonding strength are excellent. However, since the thick film conductor is formed only for connection with the thick film resistor, there has been a tendency to increase the number of printing and baking processes and increase the cost.
[0004]
Therefore, as another conventional example, there are those shown in Japanese Patent Laid-Open Nos. 56-146201 and 4-30199. As shown in FIG. 7, a conductor pattern 2 is provided on the surface of an alumina laminated substrate 1 (a), a copper plating electrode 3 is formed on the conductor pattern 2 (b), and the copper plating electrode 3 is formed. The thick film resistor 4 is formed so as to be directly connected to (c). In this case, in order to reduce the wiring resistance value, the copper plating (copper plating electrode 3) is formed to a certain extent.
[0005]
However, although the structure shown in FIG. 7 is advantageous in terms of cost, it has the following drawbacks. That is, the edge of the copper plating electrode 3 is steeply raised at a relatively large angle from the surface of the substrate 1 to form a relatively large step, and the end of the thick film resistor 4 follows the step. It will be formed in a form that rises up (bent largely upward).
[0006]
For this reason, when the thermal cycle is repeatedly applied to the thick film resistor 4, stress concentrates on the portion indicated by A in FIG. 7, and as a result, cracks may occur over time. Further, the copper plating electrode 3 is formed in a form protruding outward from the edge of the conductor pattern 2, and the bonding between the edge of the copper plating electrode 3 and the base (substrate 1) becomes extremely weak, There is a possibility that the portion indicated by B in FIG. Thus, when cracks and deformations occur in the thick film resistor 4 over time, the resistance value becomes unstable and the reliability is inferior.
[0007]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a thick film resistor on a substrate, which can prevent stress concentration in the thick film resistor as much as possible, and is durable and reliable. It is in providing the thick film circuit board which can improve a property, and its manufacturing method.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The inventor has found that the reason why the resistance value of the thick film resistor becomes unstable with time is that the connection end of the plating electrode rises steeply at a relatively large angle from the surface of the substrate. Focusing on the stress concentration occurring at the interface, we confirmed that the stress concentration of the thick film resistor can be reduced by reducing the rising angle of the edge of the connection end of the plating electrode from the substrate. The invention was accomplished.
[0009]
That is, the thick film circuit board according to claim 1 of the present invention is characterized in that the plating thickness of the plating electrode is configured so that the connection end portion to which the thick film resistor is connected is thinner than other portions. Have. According to this, by thinning the connection end portion of the plating electrode, the rising angle from the substrate of the edge portion of the connection end portion of the electrode can be suppressed, and the formed thick film resistor is made flat. The shape can be close. Moreover, in parts other than the connection edge part of a plating electrode, it can be set as required plating thickness, for example, a desired wiring resistance value can be ensured.
[0010]
As a result, according to the invention of claim 1, it is possible to reduce the stress concentration of the thick film resistor and to suppress the occurrence of cracks and deformation over time, thereby improving the durability and reliability. Is. Further, in this case, according to the research of the present inventors, it is more preferable that the plating thickness of the connection end portion is 8 μm or less (the invention of claim 2), and thereby the stress concentration of the thick film resistor. It can be made extremely excellent in the prevention effect.
[0011]
And as a method of manufacturing the above-mentioned thick film circuit board, the following processes can be included. That is, a first plating step in which plating is performed in a state where a mask is formed on a portion corresponding to a connection end portion on a conductor of a substrate, and a second plating step in which plating is subsequently formed in a state where the mask is removed. And a step of forming a thick film resistor on the substrate (invention of claim 3).
[0012]
Alternatively, the first plating step of forming a thin film on the conductor of the substrate and the mask formed in the portion corresponding to the connection end portion of the plating formed in the first plating step. A second plating step for forming plating and a step of forming a thick film resistor on the substrate after removing the mask may be included (invention of claim 4).
[0013]
According to these, by performing the plating process in two steps, a desired plating thickness of the plating electrode can be obtained, and one of the plating processes corresponds to the connection end. Since plating is performed in a state where a mask is formed on the part, the plating thickness at the connection end can be made thinner than other parts. As a result, a thick film circuit board capable of preventing stress concentration in the thick film resistor described above as much as possible and improving durability and reliability can be easily manufactured in a relatively simple process. .
[0014]
Also, a step of forming plating on the conductor of the substrate, a step of thinning a portion corresponding to the connecting end portion of the plating formed in this plating step by etching, and forming a thick film resistor on the substrate It is also possible to include a process (invention of claim 5). This also makes it possible to reduce the plating thickness at the connection end compared to other parts, prevent stress concentration in the thick film resistor as much as possible, and improve durability and reliability. The membrane circuit board can be easily manufactured by a relatively simple process.
[0015]
Furthermore, a step of forming a conductor on the substrate so that the portion corresponding to the connection end portion contains more glass components than the other portion, a step of forming plating on this conductor, and a thickness on the substrate A step of forming a film resistor (invention of claim 6). According to this, in the portion of the conductor containing a large amount of the glass component, plating is difficult to be formed (metal is not easily deposited), so the plating thickness of the connection end can be made thinner than other portions. Thus, a thick film circuit board capable of preventing stress concentration in the thick film resistor as much as possible and improving durability and reliability can be easily manufactured by a relatively simple process.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, several embodiments embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
(1) First embodiment
First, a first embodiment of the present invention (corresponding to claims 1, 2 and 3) will be described with reference to FIGS.
[0017]
FIG. 1F and FIG. 3 show the configuration of the main part (the part where the thick film resistor is formed) of the thick film circuit board according to this example. Here, the alumina laminated substrate 11 which is a ceramic substrate is formed in a multilayer form from an alumina material, and a conductor pattern 12 made up of lands for connecting components and wirings connecting them is formed on the surface portion. In this case, as shown in FIG. 2 (e), the alumina laminated substrate 11 has, for example, three insulating base layers 13, and has a conductor pattern 12 between the surface and the interlayer, and part of them has through holes 11a. It is comprised in the form connected via. The conductor pattern 12 is composed mainly of a refractory metal material such as tungsten or molybdenum.
[0018]
Then, on the conductor pattern 12 on the surface of the alumina laminated substrate 11, for example, copper plating is performed so as to cover the entire surface, thereby forming a copper plating electrode 14. Further, a thick film resistor 15 is provided on the surface portion of the alumina laminated substrate 11. The thick film resistor 15 is made of, for example, a LaB6 resistor, and is provided so that both end portions thereof are connected to the upper surfaces of the end portions (connection end portions 14a) of the pair of copper plating electrodes 14, respectively. .
[0019]
At this time, the plating thickness of the copper plating electrode 14 is such that the connection end 14a to which the thick film resistor 15 is connected is provided in a thin film shape as compared with other portions. Further, the connection end portion 14 a is formed slightly larger in plan than the connection portion of the thick film resistor 15. Incidentally, the plating thickness dimension of the connection end portion 14a is 8 μm or less. A protective overcoat glass 16 (shown by imaginary lines in FIG. 3) is formed on the surface of the alumina laminated substrate 11 so as to cover the entire copper plating electrode 14 and the thick film resistor 15. It is like that. Although not shown, the other copper plating electrode 14 is connected to, for example, a chip component or a semiconductor bare chip.
[0020]
Next, a procedure for manufacturing the thick film circuit board having the above configuration will be described with reference to FIG. FIG. 2 schematically shows a process of forming the alumina laminated substrate 11, and FIG. 1 shows a state of a main part (formation part of the thick film resistor 15) in the manufacturing process of the thick film circuit board. ing. Here, as shown in FIG. 2, in forming the alumina laminated substrate 11, as a material of the insulating base material layer 13, as shown in FIG. 2A, for example, a thickness of about 0.05 to 0.5 mm. Three known alumina green sheets 17 are used. First, as shown in FIG. 2 (b), holes 17a to be through holes 11a are formed at a required position of these green sheets 17 by a die press or the like. .
[0021]
Next, as shown in FIG. 2 (c), the hole 17 a of each green sheet 17 is filled with a refractory metal paste (tungsten paste) 18, and the high melting point that becomes the conductor pattern 12 on the surface of each green sheet 17. The metal paste 19 is printed and applied by screen printing with a thickness of about 10 μm, for example. Then, as shown in FIG. 2D, in a state where the three green sheets 17 are laminated, pressed and integrated, the laminated body is baked at, for example, 1600 ° C. in a reducing atmosphere. As a result, as shown in FIGS. 2E and 1A, the alumina laminated substrate 11 on which the conductor pattern 12 is formed is obtained.
[0022]
Now, with respect to the alumina laminated substrate 11 on which the conductor pattern 12 is formed in this way, there are a step of performing copper plating on the surface of the conductor pattern 12 to form a copper plating electrode 14 and a step of forming the thick film resistor 15. In this embodiment, the first and second plating steps are performed in the procedure shown in FIG. 1.
[0023]
That is, with respect to the alumina laminated substrate 11 shown in FIG. 1A, first, as shown in FIG. 1B, a mask 20 is formed on a portion of the conductor pattern 12 corresponding to the connection end portion 14a. The As the material of the mask 20, various materials can be used as long as they can be removed later without peeling or dissolving in the copper plating process, but it is desirable to use a synthetic resin material such as acrylic or vinyl. Further, as a method for forming the mask 20, a method in which a liquid resin is applied by printing or dispensing and then cured, or a method in which a photoresist or the like is applied to the front surface and then unnecessary portions are removed by etching can be employed. The thickness of the mask 20 may be about 10 μm to 1 mm.
[0024]
A first plating step is performed on the alumina laminated substrate 11 on which the mask 20 is thus formed. This plating step is performed by well-known electroless plating (or may be electrolytic plating), and as shown in FIG. 1C, the surface of the conductor pattern 12 on the surface of the alumina laminated substrate 11 The intermediate copper plating layer 21 is formed except for the portion covered with the mask 20. In the first plating step, the intermediate copper plating layer 21 has a thickness that is insufficient from the required plating thickness by the plating thickness (for example, 8 μm) of the connection end 14a (the desired plating thickness is obtained by two plating steps). Is obtained).
[0025]
Next, as shown in FIG. 1 (d), the mask 20 is removed from the surface of the alumina laminated substrate 11. In removing the mask 20, a chemical method using an organic solvent, a mechanical peeling method, or the like can be employed. As a result, a portion of the surface of the conductor pattern 12 corresponding to the connection end portion 14a is exposed. Next, a second plating process for the alumina laminated substrate 11 is performed. In the second plating step, the same method as in the first plating step is used, and copper plating is formed with a thickness of, for example, 8 μm.
[0026]
Thus, as shown in FIG. 1 (e), copper plating is further formed on the surface of the intermediate copper plating layer 21, and the portion of the surface of the conductor pattern 12 corresponding to the connection end 14a. The copper plating is formed on the copper plating electrode 14 is formed. As described above, the copper plating electrode 14 is formed in a thin film shape with a thickness of, for example, 8 μm at the connection end portion 14a to which the thick film resistor 15 is connected, and the wiring resistance value is sufficient for other portions, for example. The required thickness can be reduced.
[0027]
Thereafter, as shown in FIG. 1F, a step of forming the thick film resistor 15 on the surface of the alumina laminated substrate 11 is performed. The step of forming the thick film resistor 15 is performed by applying a resistor paste to the surface of the alumina laminated substrate 11 in a predetermined shape by, for example, screen printing, drying, and firing in a nitrogen atmosphere at, for example, 900 ° C. . As a result, the thick film resistor 15 whose end is connected to the connection end 14a of the copper plating electrode 14 is obtained. Thereafter, an overcoat glass 16 is formed on the surface of the alumina laminated substrate 11.
[0028]
In the thick film circuit board formed in this way, the plating thickness of the copper plating electrode 14 was formed so that the connection end portion 14a to which the thick film resistor 15 was connected was thinner than other portions. Therefore, the rising angle of the edge of the connection end 14a from the surface of the alumina laminated substrate 11 can be suppressed small, and the thick film resistor 15 is almost flat compared to the conventional one shown in FIG. It could be formed into a shape. Further, since the connection end portion 14a does not protrude greatly from the edge portion of the conductor pattern 12, the bondability with the alumina laminated substrate 11 is also improved. Since it can be set as required plating thickness in parts other than the connection end part 14a of the copper plating electrode 14, of course, for example, a desired wiring resistance value can be obtained.
[0029]
Therefore, according to this embodiment, even if the thermal cycle repeatedly acts on the thick film resistor 15, it is possible to prevent local concentration of stress, and effectively generate cracks and deformation. Can be suppressed. As a result, it is possible to prevent the resistance value from becoming unstable over time, and to obtain an excellent effect that durability and reliability can be improved. In this case, by setting the plating thickness of the connection end portion 14a to 8 μm or less, the effect of preventing stress concentration of the thick film resistor 15 becomes extremely excellent.
[0030]
Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, the process of forming and removing the mask 20 is required, and the plating process is divided into two times, but compared with the case where the baking process is increased once. Since there is no increase in labor and time, a thick film circuit board that can prevent stress concentration in the thick film resistor 15 as described above as much as possible and improve durability and reliability is relatively It can be easily manufactured by a simple process.
[0031]
(2) Second embodiment
Next, a second embodiment of the present invention (corresponding to claim 4) will be described with reference to FIG. In addition, since the 2nd-4th Example described below is an Example which shows another method for manufacturing the thick film circuit board similar to the thick film circuit board of the above-mentioned 1st Example, For the parts common to the first embodiment described above, such as the structure of the thick film circuit board, new illustrations and detailed explanations are omitted, the reference numerals are also used in common, and the differences will be mainly described below. .
[0032]
In this embodiment, a first plating for forming a thin film (less than 8 μm) on the conductor pattern 12 by a known electroless plating is first applied to the alumina laminated substrate 11 shown in FIG. The process is executed. As a result, as shown in FIG. 4B, the intermediate copper plating layer 22 is formed with a uniform thickness over the entire conductor pattern 12 on the surface of the alumina laminated substrate 11. Then, as shown in FIG. 4C, a mask 23 is formed in the portion corresponding to the connection end 14a in the formed intermediate copper plating layer 22 by the same method as in the first embodiment.
[0033]
Next, the second plating step is similarly performed on the alumina laminated substrate 11 on which the mask 23 is formed. Thus, as shown in FIG. 4 (d), copper plating is further formed on the surface of the intermediate copper plating layer 22 on the surface of the alumina laminated substrate 11 except for the portion covered with the mask 23. Become. In the second plating step, plating is formed until a portion other than the connection end portion 14a has a required plating thickness, and then, as shown in FIG. 4E, the mask 23 is formed from the surface of the alumina laminated substrate 11. The copper plating electrode 14 is formed by removing.
[0034]
As described above, the copper plating electrode 14 is formed in a thin film shape with a thickness of, for example, 8 μm at the connection end portion 14a to which the thick film resistor 15 is connected, and the wiring resistance value is sufficient for other portions, for example. The required thickness can be reduced. Thereafter, as shown in FIG. 4 (f), the step of forming the thick film resistor 15 on the surface of the alumina laminated substrate 11 is executed by the same method as in the first embodiment.
[0035]
Also in such an embodiment, as in the first embodiment, the plating thickness of the copper plating electrode 14 is thinner than the other portions at the connection end 14a to which the thick film resistor 15 is connected. The thick film resistor 15 can be formed in a nearly flat shape. Therefore, even if the thermal cycle repeatedly acts on the thick film resistor 15, it is possible to prevent the stress from being concentrated locally, and to prevent the resistance value from becoming unstable over time. A thick film circuit board capable of improving durability and reliability can be easily manufactured by a relatively simple process.
[0036]
(3) Third embodiment
FIG. 5 shows a third embodiment (corresponding to claim 5) of the present invention. In this embodiment, a plating process for forming, for example, copper plating on the conductor pattern 12 is first performed on the alumina laminated substrate 11 shown in FIG. As a result, as shown in FIG. 5B, the copper plating layer 24 is formed on the entire surface of the conductor pattern 12 on the surface of the alumina laminated substrate 11 with a required thickness (a thickness capable of obtaining a required wiring resistance value). Is done.
[0037]
Next, as shown in FIG. 5C, a mask 25 is formed on the surface of the alumina laminated substrate 11 except for portions corresponding to the connection end portions 14 a of the copper plating layer 24. As the material of the mask 25, for example, a synthetic resin material such as acrylic or vinyl that does not melt or peel off in the next etching process can be used.
[0038]
Then, in a state where the mask 25 is formed, a step of thinning the portion of the copper plating layer 24 corresponding to the connection end portion 14a by etching is performed. For this etching process, for example, chemical etching using nitric acid, ammonium persulfate aqueous solution, or the like can be used, and this corresponds to the connection end 14a in the copper plating layer 24 as shown in FIG. Only the portion to be formed is thinned to a thickness of 8 μm or less, for example. Next, the mask 25 is removed from the surface of the alumina laminated substrate 11, thereby forming the copper plating electrode 14 with the connection end portion 14a being thinned as shown in FIG. 5 (e). Thereafter, as shown in FIG. 5F, a step of forming the thick film resistor 15 on the surface of the alumina laminated substrate 11 is performed.
[0039]
Also in such an embodiment, the plating thickness of the copper plating electrode 14 can be formed so that the connection end 14a to which the thick film resistor 15 is connected is thinner than other portions. A thick film circuit board capable of preventing stress concentration in the thick film resistor 15 as much as possible, and thus preventing the resistance value from becoming unstable over time and improving durability and reliability. It can be easily manufactured by a relatively simple process.
[0040]
(4) Fourth embodiment
FIG. 6 shows a fourth embodiment of the present invention (corresponding to claim 6). In this embodiment, in the step of forming the alumina laminated substrate 11, the conductor pattern 26 on the surface is formed using two different materials (refractory metal paste). That is, as described in the first embodiment, the alumina green sheet 17 shown in FIG. 6A is used as the material of the alumina laminated substrate 11, and a hole that becomes the through hole 11 a with respect to the green sheet 17. Processing is performed.
[0041]
Next, the hole 17a of each green sheet 17 is filled with a refractory metal paste (tungsten paste) 18, and a refractory metal paste to be a conductor pattern 26 is printed on the surface of the green sheet 17 by, for example, screen printing. Here, however, the process of printing and applying the high melting point metal paste is performed in two steps. In the first step, as shown in FIG. 6B, the refractory metal paste 27 is printed and applied except for the portion that becomes the base of the connection end portion 14 a of the copper plating electrode 14 of the alumina laminated substrate 11.
[0042]
At this time, the refractory metal paste 27 is mainly composed of a powder of a refractory metal such as tungsten or molybdenum, added with a glass component (glass frit) for improving the bonding property, and further contains a binder or an organic solvent. In addition, they are mixed to form a paste, and the glass component is blended at a rate of 0 to 20%. The binder and the organic solvent are decomposed and evaporated in the subsequent firing step.
[0043]
Subsequently, in the second step, as shown in FIG. 6C, the refractory metal paste 28 continues to the refractory metal paste 27 on the portion that becomes the base of the connection end portion 14a of the copper plating electrode 14. Is applied by printing. At this time, as the refractory metal paste 28, a material having a larger amount of glass component (for example, 3 to 30%) than the refractory metal paste 27 is used.
[0044]
Then, in a state where the green sheets 17 are laminated and pressed and integrated, the laminate is fired at, for example, 1600 ° C. in a reducing atmosphere, whereby the alumina laminated substrate 11 is formed. When the conductor pattern 26 formed on the surface of the alumina laminated substrate 11 is, as shown in FIG. 6 (d), the connection portion 26a corresponding to the connection end portion 14a contains more glass components than the other portions. It becomes.
[0045]
Next, a plating process for forming copper plating on the conductor pattern 26 is performed on the alumina laminated substrate 11. In this plating process, copper is deposited (electrodeposited) in such a way that the metal in the conductor pattern 26 becomes a nucleus, but there are many glass components (metal components) in the connection portion 26a of the conductor pattern 26. 6), the plating is difficult to be formed (copper is difficult to be deposited). As shown in FIG. 6E, the formed copper plating (copper plating electrode 14) has a different plating thickness at the connection end 14a. It is thinner than this part. Thereafter, as shown in FIG. 6F, a step of forming the thick film resistor 15 on the surface of the alumina laminated substrate 11 is performed.
[0046]
Also in such an embodiment, the plating thickness of the copper plating electrode 14 can be controlled by devising the material of the conductor pattern 26 which is the base of the copper plating, and the connection end 14a to which the thick film resistor 15 is connected is different. It was able to be formed to be thinner than the part. Therefore, a thick film circuit that can prevent stress concentration in the thick film resistor 15 as much as possible, and can prevent the resistance value from becoming unstable with time and improve durability and reliability. The substrate can be easily manufactured by a relatively simple process.
[0047]
The present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, the substrate is not limited to an alumina laminated substrate, and may be another ceramic substrate, a glass substrate, a glass ceramic substrate, or the like. The material of the mask, the material of the mask, the material and the shape of the thick film resistor, and the like can be variously modified without departing from the spirit of the invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention, and is a longitudinal sectional view sequentially showing a schematic state of a thick film resistor forming portion in a manufacturing process of a thick film circuit board
FIG. 2 is a diagram schematically showing a process for forming an alumina laminated substrate.
FIG. 3 is a plan view of a thick film resistor forming portion of a thick film circuit board.
FIG. 4 is a view corresponding to FIG. 1 showing a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view corresponding to FIG. 1 showing a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view corresponding to FIG. 1 showing a fourth embodiment of the present invention.
7 is a view corresponding to FIG. 1 showing a conventional example.
[Explanation of symbols]
In the drawing, 11 is an alumina laminated substrate (substrate), 12 is a conductor pattern (conductor), 14 is a copper plating electrode (plating electrode), 14a is a connection end, 15 is a thick film resistor, 17 is an alumina green sheet, 20 , 23 and 25 are masks, 21 and 22 are intermediate copper plating layers, 24 is a copper plating layer, 26 is a conductor pattern (conductor), 26a is a connection portion, and 27 and 28 are refractory metal pastes.

Claims

A plating electrode is formed on a conductor of a substrate such as a ceramic substrate so as to cover the entire surface of the conductor, and both ends overlap each other on the upper surfaces of the connection ends of the pair of plating electrodes on the substrate. It is formed by forming a thick film resistor,
Plating thickness, a thick film circuit board, wherein the connecting end portion to which the thick film resistor is connected is provided in a thin film has a thin compared to other portions of the plated electrode.

The thick film circuit board according to claim 1, wherein a plating thickness of the connection end portion is 8 μm or less.

This is a method for manufacturing a thick film circuit board in which a plating electrode is provided on a conductor of a substrate such as a ceramic substrate and a thick film resistor is provided so as to be connected to the upper surface of the connection end of the plating electrode. And
A first plating step of forming plating in a state where a mask is formed on a portion corresponding to the connection end portion on the conductor of the substrate;
A second plating step of continuously forming a plating with the mask removed;
Forming a thick film resistor on the substrate. A method for manufacturing a thick film circuit substrate.

This is a method for manufacturing a thick film circuit board in which a plating electrode is provided on a conductor of a substrate such as a ceramic substrate and a thick film resistor is provided so as to be connected to the upper surface of the connection end of the plating electrode. And
A first plating step of forming a thin film on the conductor of the substrate;
A second plating step of continuously forming plating in a state where a mask is formed in a portion corresponding to the connection end portion of the plating formed in the first plating step;
And a step of forming a thick film resistor on the substrate after removing the mask.

This is a method for manufacturing a thick film circuit board in which a plating electrode is provided on a conductor of a substrate such as a ceramic substrate and a thick film resistor is provided so as to be connected to the upper surface of the connection end of the plating electrode. And
Forming a plating on a conductor of the substrate;
Of the plating formed in this plating step, the step of thinning the portion corresponding to the connection end by etching,
Forming a thick film resistor on the substrate. A method for manufacturing a thick film circuit substrate.

This is a method for manufacturing a thick film circuit board in which a plating electrode is provided on a conductor of a substrate such as a ceramic substrate and a thick film resistor is provided so as to be connected to the upper surface of the connection end of the plating electrode. And
Forming a conductor on the substrate such that a portion corresponding to the connection end includes a glass component more than other portions; and
Forming a plating on the conductor;
Forming a thick film resistor on the substrate. A method for manufacturing a thick film circuit substrate.