JP4369066B2 - Method for manufacturing organic electroluminescent display - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセント(以下、有機ELと言う)ディスプレイに係り、特に、フルカラー表示可能な有機ELディスプレイの製造方法およびその製造方法によって製造された有機ELディスプレイに関する。
【0002】
【従来の技術】
発光層が有機化合物で構成される有機EL素子は、低電圧駆動の表示素子を実現するものとして大変注目されている。有機EL素子には、真空蒸着で成膜する低分子材料を用いるものと塗布により成膜する高分子材料を用いるものとがあり、特に、高分子材料を用いるものは、真空プロセスが不要なため産業的観点からも大いに期待されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
また、フルカラー表示の有機ELディスプレイを製造するには、赤・緑・青色の有機EL素子をパターニングして平面配列する必要がある。低分子材料を用いた有機EL素子においては、真空蒸着に際して、シャドウマスクのアライメントを行う必要があるが、アライメント精度に限界があるため、この方法で超高精細なフルカラー有機ELディスプレイを製造することは困難である。
【0004】
一方、有機EL素子のパターニングを半導体の製造で広く用いられているフォトリソグラフイーによって行うものとすると、有機EL素子がフォトリソグラフイーのパターニング工程に対して耐性がないため、この方法によって有機EL素を赤・緑・青に塗り分けることは非常に困難である。
【0005】
このため、従来の有機EL素子をパターニングする方法としては、インクジェット法(特開平10−12377号参照)、フォトブリーチング法(1997年春季、第44回応用物理学関係連合講演会講演予稿集、29p-NK-14 ,pp.1156)、および熱拡散法( Jpn. J. Appl. Phys. 38,(1999) pp.L1143-L1145 )などが発表されている。
【0006】
上記において、インクジェット法はカラープリンタなどでよく用いられている技術であるが、ノズルからのインク吐出量のばらつきに起因して画素の輝度むらが生じるという問題点がある。また、フォトブリーチング法は紫外線照射による光酸化作用を利用して発光色を変化させるものであるが、この方法によりフルカラー化のための色純度のよい赤・緑・青色を発光する発光素子を得ることはきわめて困難である。
【0007】
また、熱拡散法は、熱により色素を高分子に添加して発光色を調整するものであるが、1分30秒程度の長い加熱時間での熱の拡散によって生じる色素のにじみがあるために、この方法で高精細なパターニングを行うことは難しい。従って、以上説明した従来のいずれの方法も、それらを用いて輝度むらなく、かつ色純度の優れた高精細な有機ELディスプレイを製造することは困難である。
【0008】
本発明の目的は、赤・緑・青色の有機EL素子を高精度にパターニングして平面配列し、超高精細なフルカラー有機ELディスプレイの製造を可能にする有機ELディスプレイの製造方法およびその製造方法によって製造された有機ELディスプレイを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明による有機エレクトロルミネッセントディスプレイの製造方法は、(a)ガラス基板又はプラスチック基板上に透明電極及び第1のホスト有機材料を順に成膜した第1の媒体を生成するステップと、(b)前記基板上に第1の保護層、光吸収体及び第2の保護層を順に成膜し、さらに該第2の保護層上に色素をモル濃度で50%以上の高濃度に添加した第2のホスト有機材料を成膜した第2の媒体を生成するステップと、(c)前記第1のホスト有機材料と前記第2のホスト有機材料とを接触するように配置するステップと、(d)前記第2の媒体の上方に、所定のサイズの窓を有するフォトマスクを配置するステップと、(e)可視域のレーザ光を、前記フォトマスクの上方から前記フォトマスクの窓を通して前記第2の媒体に1秒程度の時間照射し、前記光吸収体を温度上昇させることにより、前記第2のホスト有機材料に添加されている色素を前記第1のホスト有機材料に分散させてドープするステップとを含み、前記レーザ光は可視光であり、前記光吸収体は該可視光を吸収し発熱し、前記フォトマスクは、前記基板に対して保護する前記第1の保護層、及び前記第2の媒体に対して保護する前記第2の保護層により挟み込まれた前記光吸収体について、前記可視域のレーザ光照射による平面方向の温度上昇エリアを制限することを特徴とするものである。
【0010】
また、本発明による有機エレクトロルミネッセントディスプレイの製造方法において、前記レーザ光の波長は532nmであり、前記光吸収体はガーネット系酸化物、フェライト、シリコン(Si)又はアルミニウムガリウム批素(Al x Ga 1-x As)からなることを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明による有機エレクトロルミネッセントディスプレイの製造方法において、前記レーザ光の波長は670nmであり、前記光吸収体は希土類−遷移金属アモルファス膜又は貴金属/コバルト多層膜・合金からなることを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照し、発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
図1は、本発明による有機ELディスプレイの製造方法により有機ELディスプレイを作製する第1の実施形態を示している。
図1において、まず、ガラス基板1上にスパッタ法を用い、電場発光に際して一方の電極となるITO透明電極2を成膜して被着し、さらに、その被着したITO透明電極2上に、ホスト有機材料(ここで、ホストとは、以下に説明するように、この有機材料が色素(ゲスト)を受け入れるとの意味である)として高分子のポリビニルカルバゾール(PVK)ポリマー3をスピンコーティング法により成膜して(以下、成膜された膜をPVK膜と言う)媒体Aを作製する。なお、上記ガラス基板1はプラスチック基板に代えてもよい。なお、これらガラス基板乃至プラスチック基板は、有機ELディスプレイが完成したとき、ディスプレイの表面板となるものである。
【0014】
次に、ガラス基板4上に窒化シリコン(SiN)保護層5、ディスプロシウムビスマスガリウム鉄ガーネット(DyBi2 GaFe412)層からなる光吸収体6、およびSiN保護層7を順次スパッタ法により成膜し、その最上層であるSiN保護層7上に、赤色発光を示す色素であるナイルレッドをモル濃度で50%以上の高濃度に添加したホスト有機材料(PVKポリマー)8をスピンコーティング法により成膜して媒体Bを作製する。
【0015】
以上により作製した媒体AとBを、それぞれPVK膜3と8が接触するように配置するとともに、媒体Bの上方には、0.5mm角の窓の空いたフォトマスク9を配置する。このような配置のもとに、フォトマスク9の上方から、レーザ源10で発生させた半導体励起のネオジウム添加イットリウムバナデイト(Nd:YVO4 )レーザの第2高調波の光(波長:532nm、強度:4W)を、例えば、1秒間照射することにより、光吸収体6を温度上昇させてPVK膜3と8を加熱し、媒体BのPVK膜8に高濃度に添加されているナイルレッドを媒体AのPVK膜3にドープする。なお、フォトマスク9は、光吸収体6のレーザ光照射による平面方向の温度上昇エリアを制限するためのものである。
【0016】
また、レーザ光の照射にあたっては、図1に示すように、スペイシャルフィルタ11と平凸レンズ12を用いてビーム径をわずかに拡げ、さらに、アパチヤ13を用いてフォトマスク9に入射するレーザー光の強度分布が一様になるように整形する。
なお、ドープする素子のサイズによっては、上記の光学系、照射時間等を変え、光吸収体の温度を任意に設定することができる。
【0017】
図2は、本発明の第1の実施形態で作製した媒体AのPVK膜と、レーザ光照射以前の、すなわち、媒体Aとして用意したPVK膜そのものと、従来のスピンコーティング法で作製したPVK膜の紫外線励起の発光特性の測定結果を、それぞれ曲線(a),(b),(c)にて示している。
図2の曲線(a)によって示されるように、本発明により、レーザ光を用いてナイルレッドをドープ(光ドーピング法)して得られたナイルレッド添加PVK膜は600nm近傍の赤色発光を示している。
【0018】
また、図2の曲線(b),(c)によってそれぞれ示されるように、ナイルレッドをドープする以前の媒体AのPVK膜は410nm付近の青色発光を示し、PVKとナイルレッドを溶液に溶かしてスピンコーティング法で作製(従来のPVK膜の作製方法)した色素濃度が1%程度の膜は、本発明によるナイルレッド添加PVK膜と同様、600nm近傍の赤色発光を示している。
【0019】
以上のことから、本発明によりナイルレッドをドープして得られたナイルレッド添加PVK膜は、ナイルレッドがPVK膜中にドープされて分散していることが裏付けられる。このとき、ドーピング濃度は、レーザパワー、レーザ光の照射時間、媒体Bの色素濃度、および光吸収を決定する媒体Bの光吸収体の組成、膜厚などによって制御することが可能である。以上の処理の後、ナイルレッドをドープした部分の表面に電場発光に際して他方の電極となるアルミニウム−リチウム(Al−Li)合金の金属電極を蒸着して、赤色発光の有機ELディスプレイを完成する。
【0020】
以上、赤色発光の有機ELディスプレイの作製について説明したが、媒体BのPVK膜8(図1参照)をナイルレッドに代えてクマリン6が高濃度に添加されたものとし、その添加されたクマリン6を媒体AのPVK膜3(図1参照)にドープすることにより緑色発光の有機ELディスプレイが得られる。
【0021】
同様に、媒体BのPVK膜8(図1参照)をナイルレッドに代えてテトラフェニルブタジエン(TPB)が高濃度に添加されたものとし、その添加されたTPBを媒体AのPVK膜3(図1参照)にドープすることにより青色発光の有機ELディスプレイが得られる。
【0022】
図3は、本発明の第1の実施形態で作製したフルカラー表示可能な有機ELディスプレイの構造を示している。
図3に示した有機ELディスプレイにおいては、図1に示すフォトマスク9の窓の、例えば、左端、左端から2番目および左端から3番目の各位置に対応して、それぞれナイルレッド、クマリン6およびTPBの各色素を媒体AのPVK膜にドープし、それらドープした表面にアルミニウム−リチウム(Al−Li)合金の金属電極を蒸着してフルカラー有機ELディスプレイを完成させている。なお、図3中の符号1,2および3は、図1中のガラス基板、ITO透明電極、PVK膜(ポリマー)にそれぞれ対応している。
【0023】
図4は、作製したフルカラー有機ELディスプレイのELスペクトルを示している。
同図から、作製したフルカラー有機ELディスプレイは、赤・緑・青それぞれの色の発光が可能であることが分かる。
【0024】
以上のように、本発明の第1の実施形態にによれば、フルカラー有機ELディスプレイを作製するにあたって、媒体Bの色素高濃度添加PVKポリマー8を異なる色素が添加されたものに交換し、レーザ光を用いてそれら色素を媒体AのPVK膜(PVKポリマー)3にドープすることにより、容易に赤・緑・青色発光の有機EL素子をパターニングすることができる。
【0025】
また、本発明の第1の実施形態にによれば、レーザ光照射時間が1秒程度であり、従来の熱拡散法で報告されているヒーティング時間(1分30秒程度)に比べてはるかに短いため、にじみによる平面方向の素子エリアの広がりを防ぐことができ、従って、高精細フルカラー有機ELディスプレイを作製することが可能となる。さらに、ドープする色素を変えることにより、色度の調整が可能となるという利点を有している。
【0026】
本発明の第1の実施形態の変形として、上記媒体Bに対して、ディスプロシウムビスマスガリウム鉄ガーネット以外の他の組成のガーネット系酸化物やフエライトを光吸収体として用い、波長が532nmの半導体レーザを用いても、高精細な画像表示を行うことのできるディスプレイを作製することができる。
【0027】
次に、本発明の第2の実施形態を説明する。
ここでは、上述した本発明の第1の実施形態の媒体Bに対して、光吸収体(図1に符号6で示す)に、テルビウム鉄コバルト(TbFeCo)やガドリウム鉄コバルト(GdFeCo)などの希土類一遷移金属アモルファス膜を用い、これを温度上昇させるためのレーザ光として、発振波長が670nmの半導体レーザを用いて光ドープを行うことが可能である。
【0028】
次に、本発明の第3の実施形態を説明する。
ここでは、上述した本発明の第1の実施形態の媒体Bに対して、光吸収体(図1に符号6で示す)に、白金/コバルト(Pt/Co)やバラジウム/コバルト(Pd/Co)などの貴金属/Co多層膜・合金を用い、これを温度上昇させるためのレーザ光として、発振波長が670nmの半導体レーザを用いて光ドープを行うことが可能である
【0029】
次に、本発明の第4の実施形態を説明する。
ここでは、上述した本発明の第1の実施形態の媒体Bに対して、光吸収体(図1に符号6で示す)に、シリコン(Si)やアルミニウムガリウム批素(AlxGa1-x As)などの半導体材料を用い、これを温度上昇させるためのレーザ光として、発振波長が532nmの半導体レーザを用いて光ドープを行うことが可能である。
【0030】
上述した実施形態1乃至4の実施形態において使用した各光吸収体(図1に符号6で示す)を用い、真空チヤンバ内でドライプロセスで成膜を行う低分子系の有機EL素子においても、光ドーピング法を用いてパターニングを行うことが可能である。これを、本発明の第5の実施形態として説明する。
本実施形態においいては、ITO付きガラス基板2,1(図1参照)上に正孔輸送性の材料であるトリフェニルアミン誘導体(TPD)を真空蒸着により成膜して媒体Aを作製する。また、色素としてナイルレッドを高濃度に添加したトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)錯体(Alq)をSiN保護層5,7(図1参照)で挟んだ光吸収体6(図1参照)上に真空蒸着して媒体Bを作製する。
【0031】
次いで、真空中で、媒体Aと媒体Bの各膜面どうしを接触させ、媒体Bの膜面から媒体Aの膜面にナイルレッドのドープを行い、ドープした媒体Aに電子輸送層となるAlqを真空蒸着により成膜し、さらに、アルミニウム−リチウム(Al−Li)合金の金属電極を蒸着して赤色発光EL素子を作製する。この方法で、同様に、青、緑色発光の有機EL素子を作製することができ、従って、本実施形態(第5の実施形態)によれば、低分子系の有機EL素子に対しても、高精細にパターニングすることが可能である。
【0032】
最後に、レーザ光を用いて色素のドープを行うにあたって、表面に凹凸状に溝を形成したガラス基板(図1のガラス基板4に相当する)を媒体Bに用いて、フォトマスクを使用せずに有機ELディスプレイを製造する実施形態を本発明の第6の実施形態として説明する。
図5は、本実施形態による有機ELディスプレイの製造方法を示している。
【0033】
図5において、凹凸状に溝を形成したガラス基板14上に保護層15,17で挟まれた光吸収体層16をスパッタ法で成膜し、さらに、その上にナイルレッド等の色素を高濃度に添加したPVK18をスピンコーターあるいは真空蒸着の手段を用いて製膜することにより、製膜された膜面がガラス基板14の凹凸に習って凹凸になっている媒体Bを作製する。
【0034】
以後は、図1に示すのと全く同じ媒体Aを用い、それら両媒体の膜面どうしを接触させることにより色素の光ドープを行う。この場合、ガラス基板の凸の部分に相当する膜面しか接触しないから、接触しない部分についての光ドープは行われず、従って、図1に示すフォトマスク9が不要であることは明らかであろう。
また、本実施形態によっても、上述した第1から第5までの実施形態と同様、高精細なパターニングが可能である。
【0035】
【発明の効果】
本発明による有機ELディスプレイの製造方法を用い、赤・緑・青色発光の有機EL素子を製造することで、高精度なパターニングが可能となり、従って、本発明製造方法は、フルカラー表示可能な有機ELディスプレイを製造するのに特に適している。
また、本発明製造方法によって製造された有機ELディスプレイは色のにじみなどもなく、極めて高精細な画像を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による有機ELディスプレイの製造方法により有機ELディスプレイを作製する第1の実施形態を示している。
【図2】 本発明の第1の実施形態で作製した媒体AのPVK膜と、レーザ光照射以前の、すなわち、媒体Aとして用意したPVK膜そのものと、従来のスピンコーティング法で作製したPVK膜の紫外線励起の発光特性の測定結果を、それぞれ曲線(a),(b),(c)にて示している。
【図3】 本発明の第1の実施形態で作製したフルカラー表示可能な有機ELディスプレイの構造を示している。
【図4】 作製したフルカラー有機ELディスプレイのELスペクトルを示している。
【図5】 本発明の第6の実施形態による有機ELディスプレイの製造方法を示している。
【符号の説明】
1,4ガラス基板
2 ITO透明電極
3 ポリビニルカルバゾール(PVK)
5,7 SiN保護層
6 光吸収体
8 ナイルレッドを高濃度に添加したPVK
9 フォトマスク
10 レーザ源
11 スペイシャルフィルタ
12 平凸レンズ
13 アパーチャ
14 ガラス基板
15,17 保護層
16 光吸収体層
18 色素を高濃度に添加したPVK
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic electroluminescent (hereinafter referred to as organic EL) display, and more particularly to a method for manufacturing an organic EL display capable of full color display and an organic EL display manufactured by the manufacturing method.
[0002]
[Prior art]
An organic EL element in which a light emitting layer is composed of an organic compound has attracted a great deal of attention as a display element that can be driven at a low voltage. Some organic EL elements use low molecular materials that are formed by vacuum deposition and others that use high molecular materials that are formed by coating. Particularly, those using high molecular materials do not require a vacuum process. It is highly expected from an industrial point of view.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In order to manufacture a full-color display organic EL display, it is necessary to pattern the red, green, and blue organic EL elements and arrange them in a plane. In organic EL devices using low molecular weight materials, it is necessary to align the shadow mask during vacuum deposition. However, since alignment accuracy is limited, an ultrahigh-definition full-color organic EL display must be manufactured using this method. It is difficult.
[0004]
On the other hand, if the patterning of the organic EL element is performed by photolithography widely used in semiconductor manufacturing, the organic EL element is not resistant to the photolithography patterning process. It is very difficult to paint red, green and blue.
[0005]
For this reason, as a conventional method for patterning an organic EL element, an inkjet method (refer to Japanese Patent Laid-Open No. 10-12377), a photo bleaching method (Spring of 1997, 44th Applied Physics Related Conference Lecture Proceedings, 29p-NK-14, pp. 1156) and thermal diffusion method (Jpn. J. Appl. Phys. 38, (1999) pp. L1143-L1145).
[0006]
In the above, the ink jet method is a technique often used in a color printer or the like, but there is a problem that uneven luminance of pixels occurs due to variations in the amount of ink discharged from the nozzles. The photobleaching method uses the photo-oxidation effect of ultraviolet irradiation to change the emission color. By this method, a light emitting element that emits red, green, and blue light with high color purity for full colorization is used. It is extremely difficult to obtain.
[0007]
The thermal diffusion method is to adjust the emission color by adding a dye to a polymer by heat, but there is a bleeding of the dye caused by the diffusion of heat in a long heating time of about 1 minute 30 seconds. It is difficult to perform high-definition patterning by this method. Therefore, any of the conventional methods described above is difficult to produce a high-definition organic EL display having uniform brightness and excellent color purity using them.
[0008]
An object of the present invention is to provide an organic EL display manufacturing method and a manufacturing method thereof capable of manufacturing an ultra-high-definition full-color organic EL display by patterning red, green, and blue organic EL elements with high precision and planar arrangement. It is to provide an organic EL display manufactured by.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an organic electroluminescent display according to the present invention includes: (a) a first medium in which a transparent electrode and a first host organic material are sequentially formed on a glass substrate or a plastic substrate. and generating, (b) the first protective layer on a substrate, a light absorber and a second protective layer sequentially deposited, further dye molar concentration of 50% or more to the second protective layer Generating a second medium on which the second host organic material added at a high concentration is formed, and (c) contacting the first host organic material and the second host organic material. (D) a step of disposing a photomask having a window of a predetermined size above the second medium; and (e) a laser beam in a visible range from above the photomask. Through the mask window Irradiating time about one second to the second medium Te, by temperature increase the light absorber, to disperse the dye is added to the second host organic material into the first host organic material and a step of doping Te, the laser light is visible light, the light absorber generates heat by absorbing the visible light, said photomask, said first protective layer to protect against the substrate In addition, with respect to the light absorber sandwiched by the second protective layer that protects against the second medium, a temperature rise area in a planar direction due to irradiation of the visible laser beam is limited. Is.
[0010]
In the method of manufacturing an organic electroluminescent display according to the present invention, the wavelength of the laser beam is 532 nm, and the light absorber is garnet oxide, ferrite, silicon (Si), or aluminum gallium arsenide (Al x (Ga 1 -x As)) .
[0011]
In the method of manufacturing an organic electroluminescent display according to the present invention, the wavelength of the laser beam is 670 nm, and the light absorber is made of a rare earth-transition metal amorphous film or a noble metal / cobalt multilayer film / alloy. It is what.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an embodiment of the invention with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows a first embodiment for producing an organic EL display by the method for producing an organic EL display according to the present invention.
In FIG. 1, first, a sputtering method is used on a glass substrate 1 to deposit and deposit an ITO transparent electrode 2 that becomes one electrode in the case of electroluminescence. Further, on the deposited ITO transparent electrode 2, As a host organic material (here, the host means that the organic material accepts a dye (guest) as described below), a high molecular weight polyvinyl carbazole (PVK) polymer 3 is applied by a spin coating method. The medium A is formed by forming a film (hereinafter, the formed film is referred to as a PVK film). The glass substrate 1 may be replaced with a plastic substrate. The glass substrate or plastic substrate is a surface plate of the display when the organic EL display is completed.
[0014]
Next, a silicon nitride (SiN) protective layer 5, a light absorber 6 composed of a dysprosium bismuth gallium iron garnet (DyBi 2 GaFe 4 O 12 ) layer, and a SiN protective layer 7 are sequentially formed on the glass substrate 4 by sputtering. A host organic material (PVK polymer) 8 in which Nile red, which is a pigment that emits red light, is added at a high concentration of 50% or more in terms of molar concentration is formed on the uppermost SiN protective layer 7 by spin coating. To form a medium B.
[0015]
The media A and B produced as described above are arranged so that the PVK films 3 and 8 are in contact with each other, and a photomask 9 having a 0.5 mm square window is arranged above the medium B. Under such an arrangement, the second harmonic light (wavelength: 532 nm, wavelength: 532 nm, semiconductor-excited neodymium-doped yttrium vanadate (Nd: YVO 4 ) laser generated by the laser source 10 from above the photomask 9. Intensity: 4 W), for example, is applied for 1 second to raise the temperature of the light absorber 6 and heat the PVK films 3 and 8, and the Nile Red added to the PVK film 8 of the medium B at a high concentration. The PVK film 3 of the medium A is doped. Note that the photomask 9 is for limiting the temperature rise area in the planar direction due to the laser beam irradiation of the light absorber 6.
[0016]
Further, in the laser light irradiation, as shown in FIG. 1, the beam diameter is slightly expanded using the spatial filter 11 and the plano-convex lens 12, and further, the laser light incident on the photomask 9 using the aperture 13 is irradiated. Shape the intensity distribution to be uniform.
In addition, depending on the size of the element to dope, said optical system, irradiation time, etc. can be changed and the temperature of a light absorber can be set arbitrarily.
[0017]
FIG. 2 shows the PVK film of the medium A manufactured in the first embodiment of the present invention, the PVK film itself prepared as the medium A before laser light irradiation, and the PVK film manufactured by the conventional spin coating method. The measurement results of the emission characteristics of the ultraviolet excitation are shown by curves (a), (b), and (c), respectively.
As shown by the curve (a) in FIG. 2, according to the present invention, the Nile Red-added PVK film obtained by doping (photodoping) Nile Red with a laser beam exhibits a red emission near 600 nm. Yes.
[0018]
In addition, as shown by curves (b) and (c) in FIG. 2, the PVK film of the medium A before doping with Nile red showed blue light emission around 410 nm, and the PVK and Nile red were dissolved in the solution. A film having a dye concentration of about 1% produced by a spin coating method (conventional method for producing a PVK film) exhibits red light emission in the vicinity of 600 nm, like the Nile red-added PVK film according to the present invention.
[0019]
From the above, the Nile Red-added PVK film obtained by doping Nile Red according to the present invention confirms that Nile Red is doped and dispersed in the PVK film. At this time, the doping concentration can be controlled by the laser power, the laser beam irradiation time, the dye concentration of the medium B, the composition of the light absorber of the medium B that determines the light absorption, the film thickness, and the like. After the above treatment, a metal electrode of an aluminum-lithium (Al-Li) alloy, which becomes the other electrode during electroluminescence, is vapor-deposited on the surface of the portion doped with Nile red to complete a red light-emitting organic EL display.
[0020]
The production of the red light-emitting organic EL display has been described above. However, it is assumed that the coumarin 6 is added at a high concentration by replacing the PVK film 8 (see FIG. 1) of the medium B with Nile red, and the added coumarin 6 is used. Is doped into the PVK film 3 of the medium A (see FIG. 1) to obtain a green light emitting organic EL display.
[0021]
Similarly, it is assumed that the PVK film 8 of the medium B (see FIG. 1) is replaced with Nile Red and tetraphenylbutadiene (TPB) is added at a high concentration, and the added TPB is used as the PVK film 3 of the medium A (see FIG. 1). 1)), an organic EL display emitting blue light is obtained.
[0022]
FIG. 3 shows the structure of an organic EL display capable of full color display manufactured in the first embodiment of the present invention.
In the organic EL display shown in FIG. 3, Nile Red, Coumarin 6 and the window corresponding to, for example, the left end, the second position from the left end, and the third position from the left end of the window of the photomask 9 shown in FIG. Each colorant of TPB is doped into the PVK film of medium A, and a metal electrode of an aluminum-lithium (Al-Li) alloy is deposited on the doped surface to complete a full color organic EL display. 3 respectively correspond to the glass substrate, ITO transparent electrode, and PVK film (polymer) in FIG.
[0023]
FIG. 4 shows an EL spectrum of the produced full-color organic EL display.
From the figure, it can be seen that the produced full-color organic EL display can emit red, green, and blue colors.
[0024]
As described above, according to the first embodiment of the present invention, when producing a full-color organic EL display, the high-concentration dye-added PVK polymer 8 of the medium B is replaced with one added with a different dye. By doping these pigments into the PVK film (PVK polymer) 3 of the medium A using light, it is possible to easily pattern red, green, and blue light emitting organic EL elements.
[0025]
In addition, according to the first embodiment of the present invention, the laser beam irradiation time is about 1 second, which is much longer than the heating time (about 1 minute 30 seconds) reported in the conventional thermal diffusion method. Therefore, the spread of the element area in the planar direction due to bleeding can be prevented, and thus a high-definition full-color organic EL display can be manufactured. Furthermore, there is an advantage that the chromaticity can be adjusted by changing the dye to be doped.
[0026]
As a modification of the first embodiment of the present invention, a garnet-based oxide or ferrite having a composition other than dysprosium bismuth gallium iron garnet is used as a light absorber for the medium B, and the semiconductor has a wavelength of 532 nm. Even when a laser is used, a display capable of displaying a high-definition image can be manufactured.
[0027]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
Here, with respect to the medium B of the first embodiment of the present invention described above, a rare earth element such as terbium iron cobalt (TbFeCo) or gadolinium iron cobalt (GdFeCo) is used as a light absorber (indicated by reference numeral 6 in FIG. 1). It is possible to dope light by using a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 670 nm as a laser beam for raising the temperature of a single transition metal amorphous film.
[0028]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
Here, with respect to the medium B of the first embodiment of the present invention described above, platinum / cobalt (Pt / Co) or palladium / cobalt (Pd / Co) is used as a light absorber (indicated by reference numeral 6 in FIG. 1). It is possible to perform optical doping using a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 670 nm as a laser beam for raising the temperature of a noble metal / Co multilayer film / alloy such as
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
Here, with respect to the medium B of the first embodiment of the present invention described above, silicon (Si) or aluminum gallium arsenide (Al x Ga 1-x ) is used as a light absorber (indicated by reference numeral 6 in FIG. 1). It is possible to dope light by using a semiconductor material such as As) and using a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 532 nm as a laser beam for raising the temperature of the semiconductor material.
[0030]
In each of the low molecular weight organic EL elements that form a film by a dry process in a vacuum chamber using each of the light absorbers (indicated by reference numeral 6 in FIG. 1) used in the first to fourth embodiments described above, Patterning can be performed using a light doping method. This will be described as a fifth embodiment of the present invention.
In this embodiment, a medium A is produced by forming a film of triphenylamine derivative (TPD), which is a hole transporting material, on the glass substrate with ITO 2, 1 (see FIG. 1) by vacuum deposition. Further, a light absorber 6 (see FIG. 1) in which a tris (8-quinolinolato) aluminum (III) complex (Alq) added with Nile red as a pigment at a high concentration is sandwiched between SiN protective layers 5 and 7 (see FIG. 1). The medium B is produced by vacuum deposition on the top.
[0031]
Next, the film surfaces of the medium A and the medium B are brought into contact with each other in a vacuum, Nile red doping is performed from the film surface of the medium B to the film surface of the medium A, and the doped medium A is an Alq serving as an electron transport layer. Is formed by vacuum vapor deposition, and a metal electrode of an aluminum-lithium (Al-Li) alloy is vapor-deposited to produce a red light emitting EL element. Similarly, blue and green light-emitting organic EL elements can be produced by this method. Therefore, according to this embodiment (fifth embodiment), even for a low molecular weight organic EL element, It is possible to pattern with high definition.
[0032]
Finally, when the dye is doped with laser light, a glass substrate (corresponding to the glass substrate 4 in FIG. 1) having grooves formed on the surface is used as the medium B, and a photomask is not used. An embodiment for manufacturing an organic EL display will be described as a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 5 shows a method for manufacturing the organic EL display according to the present embodiment.
[0033]
In FIG. 5, a light absorber layer 16 sandwiched between protective layers 15 and 17 is formed on a glass substrate 14 having grooves formed in a concavo-convex shape by a sputtering method, and a dye such as Nile Red is further formed thereon. The PVK 18 added to the concentration is formed using a spin coater or vacuum vapor deposition means, thereby producing a medium B in which the formed film surface is uneven according to the unevenness of the glass substrate 14.
[0034]
Thereafter, the same medium A as shown in FIG. 1 is used, and the film surfaces of these two media are brought into contact with each other to perform photodoping of the dye. In this case, since only the film surface corresponding to the convex part of the glass substrate is in contact, it is obvious that the light dope is not performed on the non-contact part, and therefore the photomask 9 shown in FIG. 1 is unnecessary.
Also according to the present embodiment, high-definition patterning is possible as in the first to fifth embodiments described above.
[0035]
【The invention's effect】
By using the organic EL display manufacturing method according to the present invention to produce organic EL elements that emit red, green, and blue light, high-precision patterning is possible. Accordingly, the manufacturing method of the present invention is an organic EL capable of full color display. Particularly suitable for manufacturing displays.
In addition, the organic EL display manufactured by the manufacturing method of the present invention can display an extremely high-definition image without color blur.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a first embodiment in which an organic EL display is manufactured by an organic EL display manufacturing method according to the present invention.
FIG. 2 shows a PVK film of medium A manufactured in the first embodiment of the present invention, a PVK film itself prepared as laser medium before laser light irradiation, and a PVK film manufactured by a conventional spin coating method. The measurement results of the emission characteristics of the ultraviolet excitation are shown by curves (a), (b), and (c), respectively.
FIG. 3 shows the structure of an organic EL display capable of full color display manufactured in the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 shows an EL spectrum of the produced full-color organic EL display.
FIG. 5 shows a method for manufacturing an organic EL display according to a sixth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1, 4 glass substrate 2 ITO transparent electrode 3 Polyvinylcarbazole (PVK)
5,7 SiN protective layer 6 Light absorber 8 PVK with high concentration of Nile Red
9 Photomask 10 Laser source 11 Spatial filter 12 Plano-convex lens 13 Aperture 14 Glass substrate 15, 17 Protective layer 16 Light absorber layer 18 PVK with a high concentration of dye added

Claims (3)

有機エレクトロルミネッセントディスプレイの製造方法であって、
(a)ガラス基板又はプラスチック基板上に透明電極及び第1のホスト有機材料を順に成膜した第1の媒体を生成するステップと、
(b)前記基板上に第1の保護層、光吸収体及び第2の保護層を順に成膜し、さらに該第2の保護層上に色素をモル濃度で50%以上の高濃度に添加した第2のホスト有機材料を成膜した第2の媒体を生成するステップと、
(c)前記第1のホスト有機材料と前記第2のホスト有機材料とを接触するように配置するステップと、
(d)前記第2の媒体の上方に、所定のサイズの窓を有するフォトマスクを配置するステップと、
(e)可視域のレーザ光を、前記フォトマスクの上方から前記フォトマスクの窓を通して前記第2の媒体に1秒程度の時間照射し、前記光吸収体を温度上昇させることにより、前記第2のホスト有機材料に添加されている色素を前記第1のホスト有機材料に分散させてドープするステップとを含み、
前記レーザ光は可視光であり、前記光吸収体は該可視光を吸収し発熱し、
前記フォトマスクは、前記基板に対して保護する前記第1の保護層、及び前記第2の媒体に対して保護する前記第2の保護層により挟み込まれた前記光吸収体について、前記可視域のレーザ光照射による平面方向の温度上昇エリアを制限することを特徴とする有機エレクトロルミネッセントディスプレイの製造方法。
A method for producing an organic electroluminescent display comprising:
(A) generating a first medium in which a transparent electrode and a first host organic material are sequentially formed on a glass substrate or a plastic substrate;
(B) a first protective layer on the substrate, the light absorbing material and sequentially forming a second protective layer, further adding to the high concentration of 50% or more of the dye at a molar concentration on the second protective layer Generating a second medium on which the second host organic material is deposited;
(C) disposing the first host organic material and the second host organic material in contact with each other;
(D) disposing a photomask having a window of a predetermined size above the second medium;
(E) The second medium is irradiated with laser light in the visible range from above the photomask through the window of the photomask for about 1 second to raise the temperature of the light absorber, thereby And dispersing the pigment added to the host organic material in the first host organic material,
The laser light is visible light, the light absorber generates heat by absorbing the visible light,
The photomask includes the first protective layer protecting the substrate and the light absorber sandwiched by the second protective layer protecting the second medium, in the visible region. A method for manufacturing an organic electroluminescent display, characterized by limiting a temperature rise area in a planar direction by laser light irradiation .
前記レーザ光の波長は532nmであり、前記光吸収体はガーネット系酸化物、フェライト、シリコン(Si)又はアルミニウムガリウム批素(AlGa1−xAs)からなることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイの製造方法。The wavelength of the laser beam is 532 nm, and the light absorber is made of garnet-based oxide, ferrite, silicon (Si), or aluminum gallium arsenide (Al x Ga 1-x As). 2. A method for producing an organic electroluminescent display according to 1. 前記レーザ光の波長は670nmであり、前記光吸収体は希土類−遷移金属アモルファス膜又は貴金属/コバルト多層膜・合金からなることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイの製造方法。  2. The organic electroluminescent display according to claim 1, wherein the wavelength of the laser beam is 670 nm, and the light absorber is made of a rare earth-transition metal amorphous film or a noble metal / cobalt multilayer film / alloy. Production method.
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