JP4358308B2 - 電気機械開閉器 - Google Patents
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Description
電気機械開閉器の開閉状態は、開閉機構のトリップ動作を特徴とし、それ故、例えば、通常備わっている磁石接極子の操作ハンドル或いはこれに属するバイメタルのような特定の部品の位置の変化を検出することによって、また過電流或いは短絡の際の強力な磁界の発生によって検出することができる。
先願の未公開ドイツ特許出願第1960742号明細書においては、差動ホール効果(DHE)センサ、巨大磁気抵抗(GMR)センサや異方性磁気抵抗(AMR)センサのような磁気感応センサが設けられ、これにより特に回路保護遮断器の操作ハンドルの動きをこれに結合された駆動片の回転運動から検出している。
前記のDHE、GMR及びAMRセンサはそれぞれ集積化された電子部品を有し、標準化された出力信号を発生するが、この場合、GMRセンサは付加的な差動増幅器を必要とする。さらに、GMRセンサは、磁気的な過負荷に対してセンサ特性の安定性に欠陥があるという特異性を持っている。総体的に前記センサは比較的高価である。
この発明の課題は、このような事情に鑑み、磁界が通る部品の位置を監視するために堅牢でかつ安価なセンサ要素を備えた開閉器を提供することにある。
この課題は、この発明によれば、高感度の磁気センサとしてフェライト鉄心を備えた小形インダクタンス素子を設け、これにより操作ハンドル或いはこれに結合された部品の位置を監視し及び/又は開閉器に流れる電流を検出することにより解決される。
好ましいことに、それ自体公知のこのような小形インダクタンス素子は開閉器における開閉状態の認識に応用するのに適している。
この発明においては、小形インダクタンス素子のフェライト鉄心の透磁率が外部磁界の作用により変化せしめられ、特に際立った軸方向の構造の場合に明瞭な磁界方向感度がある。小形インダクタンス素子の変化するインダクタンスは、特に発振回路により測定することができる。
従来の技術において、小形インダクタンス素子は種々の構成で公知である。これらは大量生産で製造され、大量生産品として成熟しており、また好ましいことに極めて安価である。この発明における特定目的の使用のために、外部磁界の作用により透磁率を変える小形インダクタンス素子のフェライト鉄心は、本来のセンサ手段として作用する。
この発明のその他の詳細及び長所を、図面を参照した以下の実施例の説明とその余の請求項とに関連して説明する。図面において、
図1はインダクタンスセンサとこれに付属する永久磁石とを開閉器ケースの外部に備えた開閉器を、
図2は図1のセンサ配置と駆動片を、位置関係を明らかにするために分解して、
図3は図1において使用されたインダクタンスセンサのインダクタンス変化を測定する評価回路を、
図4は回路保護遮断器の手動遮断のオシログラムを、
図5は差動インダクタンスセンサのインダクタンス変化を測定するための対称的構成の評価回路を、
図6は差動インダクタンスセンサを備えた回路保護遮断器の手動遮断のオシログラムを、
図7乃至9はそれぞれ開閉挙動を明らかにするためのオシログラムを、
図10は図1に相当する開閉器で、インダクタンスセンサとこれに付属する、磁界補強鉄片を備えた永久磁石とが操作コイルにおける電流計測のために開閉器の外部に取付けられているものを、
図11は図10の要部を明らかにするための分解図を、
図12乃至14は図10による開閉器における開閉挙動のオシログラムを、
図15は角度或いは近接センサとして永久磁石を備えた小形インダクタンス素子の配置を、そして
図16は図15の作用を説明するためのオシログラムを示す。
図1は、回路保護遮断器のセンサ部分の、試験装置に選ばれた空間的配置を示し、センサ部分は開閉器ケースの外部に、このケースの側壁に対して僅かな間隔で配置され、開閉器の上に投影して示されている。開閉器1には、公知のように、接続端子2及び3、固定接点4及び可動接点5からなる接点装置、接続線7としてバイメタルを備えた接続部並びに電磁コイル8が簡略化されて示されている。固定接点4は剛性の接点支持体40の上に、可動接点5は強磁性物質からなる駆動片51及び回転ハンドル52を介して動かされる可動接点支持体50の上に設けられている。
この投影図示において、可動接点支持体50の「下」に永久磁石11が取り付けられ、これにリード61、62を備えたインダクタンスセンサ60が付設されている。永久磁石11は磁界強化鉄片12を備えている。
強磁性駆動片51の位置をインダクタンスセンサ60で捉えるために、永久磁石11は駆動片51に磁気的に結合されており、磁界強化のために鉄片12が永久磁石11の駆動片51の反対側に取り付けられている。この鉄片はインダクタンスセンサ60のほぼ真ん中まで突き出ている。
図2においてインダクタンスセンサ60は、駆動片51と鉄片12とからなるU字形の磁気回路のほぼ平行な脚の間にあり、この磁気回路の横脚は永久磁石11により形成されている。磁化方向は、この場合、磁界が図1の紙面に対して垂直に永久磁石11から出るように選ばれている。
図3の評価回路では、矩形波発生器101により、例えば±15Vの振幅、〜1MHzの周波数及び〜1mAの電流が信号回路に供給され、その出力信号は差動増幅器111を介してさらに処理される。
強磁性の駆動片51が遮断位置から投入位置に回転する際のインダクタンスセンサ60における磁束の変化により、例えばそのインダクタンス値は450μH(=Laus)から470μH(=Lein)に変化する。この比較的小さい、4%の相対インダクタンス変化を測定することができるように、測定回路は本来の測定分路の他に零差電圧を規定するための補償分路を有している。この両測定分路は、ダイオード特性に関係する出力電圧の温度ドリフトを回避するために、殆ど同一に構成されている。個々には、この測定分路においてそれぞれR1=10kΩを持つ抵抗102と、C3=100nF及びR3=10kΩを持つRC回路103、103’とが設けられている。Lはインダクタンスセンサ60の変化するインダクタンスを示す。インダクタンスセンサ60にはC1〜6.8nFを持つキャパシタンス104が接続されて一方の評価分路を形成し、他方の評価分路にはR2=4.7kΩを持つ抵抗105が接続されている。これらの信号分路においては、ダイオード106を介して整流が行われている。RC回路は信号積分の作用をする。
図4は、これに関連してセンサ信号Isの時間的経過と開閉器に流れる電流Iの磁界による影響とを示す測定オシログラムである。インダクタンスセンサ60の位置における、例えば隣接の回路保護遮断器の鉄部分による磁界の歪みを回避するために、例えば0.8mmの鉄片を備えたシールドがセンサ装置の外側に設けられる。このオシログラムから明らかなように、磁界は永久磁石の磁界に重畳され、インダクタンスセンサ60の位置信号を変調する。
図5においては図3の評価回路が、インダクタンスL1及びL2を持つ2つのインダクタンスセンサ60a及び60bの差動接続が行われるように変形されている。この場合、これらのセンサ60a及び60bのそれぞれは、C1〜6.8nFを持つキャパシタンス104を介してそれぞれ評価分路の1つに接続されている。その他の点ではこの構成は図1に示された構成に一致する。このような差動インダクタンスセンサは、開閉器に流れる電流の非常に小さい異常信号を供給する。
図6のオシログラムから個々に分かるように、図4と比較して磁界による信号変調は差動インダクタンスセンサにおいてはかなり小さい。理想的な場合には、差動評価においては位置信号が弱められず、一方両センサにおけるほぼ同じ大きさの異常信号は抑制される。
図1で説明された回路保護遮断器を約100Aで短絡トリップする場合、差動インダクタンスセンサ60’の異常信号は投入状態と遮断状態との間で約半分の信号偏差に達する。磁界の影響は、その場合、主としてトリップコイルから生じ、これは個々には図7乃至9のオシログラムから導き出される。
特に磁気的にバイアスされたインダクタンスセンサの磁界感度は、大まかな電流測定のためにも利用できる。これについて図10及び11を参照して、図1に従った開閉器の配置構成で説明する。この構成においては、磁気コイル8の影響がおよぶ範囲内にあるよう、インダクタンスセンサ60’が開閉器ケースの外壁から2mmの距離に配置されている。このインダクタンスセンサ60’にも、また磁界補強鉄片12’を備えた永久磁石11’が付設されている。特に図11から明らかなように、インダクタンスセンサ60’でもってトリップコイル8における磁界を検出することにより、大まかな電流測定が可能である。センサの磁気バイアスによって、その感度が高められているからである。
異なる電流経過が種々の出力段階を持つ220V交流電圧における電気負荷でシミュレートされ、図12乃至14に測定オシログラムとして示されている。この場合、センサ信号IISと電流計の正確な電流信号IStとには相対的に良好な比例性が得られる。測定信号経過の相対偏差は、この例では20%以下である。このための前提は、安定した発生器周波数及び発生器振幅によって、零差電圧が実際に0Vに調整されることである。
上述の小形インダクタンス素子は、センサ要素として永久磁石が利用される場合、その他に近接或いは角度センサとしての開閉器において適用可能である。これを、図15を参照して説明する。
図15は回転可能に支承された永久磁石11”に対するインダクタンスセンサ60”の配置関係を個別的に示す。センサ60”のインダクタンス信号は図3の評価回路によってさらに処理され、図16にオシログラムとして示されている。
図16はオシログラフで測定された電圧信号Wsと回転角との関係を示す。このセンサ信号はセンサ60”と永久磁石11”との間の距離に関係し、その周期は回転角の180°である。従って、90°の半周期に対して回転角及びセンサ信号は互いに一義的に関係している。
図16の測定信号の経過は、評価回路の調整により影響を受け、ほぼサイン2乗曲線を持っている。その場合、感応測定範囲は約25°の回転角範囲にわたっている。測定信号は、図16によれば、60°乃至120°の回転角の範囲でサイン2乗曲線から著しく偏倚しているが、センサのインダクタンスは、0乃至90°の回転角の範囲でL0〜185μHからL90〜90μHの間で単調に増大する経過を示す。強い永久磁石の磁界及びこれから生ずる2Vの測定信号の大きな電圧偏差により、外部磁界による異常感度は相対的に小さい。
上述の小形インダクタンス素子で構成された角度センサは、それ故、電動機保護開閉器の開閉状態の検出に使用される。この場合、開閉位置及び短絡トリップはその属する波の回転角位置によって特徴付けされている。
特に図3及び5の評価回路は、小形インダクタンス素子を上述のように適用する場合には電子部品の経費が小さく、そしてこの経費は、主として電流負担が小さい場合には、高い周波数及び振幅定数を持った矩形波発生器と、0Vに関係する出力信号を形成するための差動増幅器とに関係することを示す。従って、僅かな付加的な経費しか必要としない、位置監視機能を備えた開閉器が実現される。
Claims (8)
- 少なくとも1つの可動接点とこれに属する駆動部とを開閉器ケースの中に備え、開閉状態を無接触で識別するための手段として開閉器ケースの内部及び/又は外部の適当な位置に配置され、複数の開閉状態のそれぞれ1つに関係した磁界値を検出する少なくとも1つの磁気センサを含む手段が設けられ、さらに開閉器ケースに手動トリップのための操作ハンドルを備えかつその位置が監視される電気機械開閉器において、
高感度の磁気センサが小形インダクタンス素子であって、フェライト鉄心と共にインダクタンスセンサ(60、60a、60b、60’、60”)を形成し、該インダクタンスセンサのフェライト鉄心の透磁率が外部磁界の作用により変化され、該透磁率の変化に伴う小形インダクタンス素子のインダクタンス値の変化が評価回路により測定され、この測定結果に基づき操作ハンドル(52)或いはこれに結合された部分(51)の位置を監視し及び/又は開閉器(1)に流れる電流を検出することを特徴とする電気機械開閉器。 - 小形インダクタンス素子においてフェライト鉄心の透磁率が外部磁界の作用により変化すること及び軸方向配置において明らかな磁界方向感度が備わっていることを特徴とする請求項1に記載の開閉器。
- 小形インダクタンス素子のインダクタンス値(L、L1、L2)が発振回路(100)で評価されることを特徴とする請求項1又は2に記載の開閉器。
- 小形インダクタンス素子と、永久磁石(11)と、磁界補強のための付加的な鉄片(12)とを備えたインダクタンスセンサ(60)が操作ハンドル(52)の投入及び/又は遮断状態を検出するためにこの操作ハンドル(52)の強磁性駆動片(51)の近傍に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の開閉器。
- 評価回路(100)が方形波発生器(101)から給電され、この出力信号が差動増幅器(111)を介してさらに処理されることを特徴とする請求項3に記載の開閉器。
- 2つのインダクタンスセンサ(60a、60b)の差動接続が設けられていることを特徴とする請求項5に記載の開閉器。
- トリップ手段として磁気コイルが設けられ、インダクタンスセンサ(60”)の磁界感度がこのトリップコイル(8)における電流測定に利用されることを特徴とする上記請求項1ないし6の1つに記載の開閉器。
- センサ要素として、開閉器(1)の監視される構造部品に結合されている永久磁石(11”)が設けられて、小形インダクタンス素子が近接及び/又は角度センサとして使用されることを特徴とする請求項7に記載の開閉器。
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