JP4358027B2 - LD driver circuit - Google Patents
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Description
本発明は、バースト用レーザードダイオード(LD)ドライバ回路等のLDドライバ回路に関するものである。 The present invention relates to an LD driver circuit such as a laser diode (LD) driver circuit for burst.
図7は、従来例を示す図である。従来例(NEC技報VOL.55NO12/2002P36)は、トランジスタTR5〜TR8、第1の定電流源J1、第2の定電流源J2、高電位電源端子31、32から構成され、TR5はドレインが、高電位電源端子31に接続され、第1の反転入力端子11がゲートに接続され、ソースが第1の定電流源J1の一端に接続され、TR6はドレインがドライバ出力端子21に接続され、第1の入力端子12はゲートに接続され、ソースが第1の定電流源J1の一端に接続され、TR8はドレインが、高電位電源端子32に接続され、第2の反転入力端子14がゲートに接続され、ソースが第2の定電流源J2の一端に接続され、TR7はドレインがドライバ出力端子21に接続され、第2の入力端子12がゲートに接続され、ソースが第2の定電流源J2の一端に接続され、第1の定電流源J1、第2の定電流源J2の他端は低電位電源端子34に接続され構成される。
FIG. 7 is a diagram showing a conventional example. The conventional example (NEC technical report VOL.55NO12 / 2002P36) is composed of transistors TR5 to TR8, a first constant current source J1, a second constant current source J2, and high potential
従来のLDドライバ回路には高速化に間題があった。 Conventional LD driver circuits have a problem in speeding up.
本発明はより高速なLDドライバ回路を実現させることを目的とする。 An object of the present invention is to realize a higher-speed LD driver circuit.
請求項1に係わるLDドライバ回路は、第1のトランジスタのドレインと第2のトランジスタのドレインは共通に第2の抵抗の一端に接続され、前記第1のトランジスタのゲート、前記第2のトランジスタのゲート、第3のトランジスタのゲート、第4のトランジスタのゲートは共通に第1の抵抗の一端に接続され、前記第1のトランジスタのソースは第5のトランジスタのドレインに接続され、前記第2のトランジスタのドレインと前記第3のトランジスタのドレインは共通に出力部に接続され、前記第2のトランジスタのソースは第6のトランジスタのドレインに接続され、前記第3のトランジスタのソースは第7のトランジスタのドレインに接続され、前記第4のトランジスタのソースは第8のトランジスタのドレインに接続され、前記第5のトランジスタのゲートは第1の反転入力部に接続され、前記第5のトランジスタのソースと前記第6のトランジスタのソースは共通に第1の定電流源の一端に接続され、前記第6のトランジスタのゲートは第1の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのゲートは第2の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのソースと前記第8のトランジスタのソースは共通に第2の定電流源の一端に接続され、前記第8のトランジスタのゲートは第2の反転入力部に接続され、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗の他端は共通に高電位電源に接続され、前記第1の定電流源の他端と前記第2の定電流源の他端が共通に低電位電源に接続する。
In the LD driver circuit according to
請求項2に係わるLDドライバ回路は、第2の高電位電源に第1のトランジスタのゲート、第2のトランジスタのゲート、第3のトランジスタのゲート、第4のトランジスタのゲートが共通に接続され、前記第1のトランジスタのドレインと前記第4のトランジスタのドレインは共通に第1の高電圧電源に接続され、前記第2のトランジスタのドレインと前記第3のトランジスタのドレインは共通に出力部に接続され、前記第1のトランジスタのソースは第5のトランジスタのドレインに接続され、前記第2のトランジスタのソースは第6のトランジスタのドレインに接続され、前記第3のトランジスタのソースは第7のトランジスタのドレインに接続され、前記第4のトランジスタのソースは第8のトランジスタのドレインに接続され、前記第5のトランジスタのゲートは第1の反転入力部に接続され、前記第5のトランジスタのソースと前記第6のトランジスタのソースは共通に第1の定電流源の一端に接続され、前記第6のトランジスタのゲートは第1の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのゲートは第2の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのソースと前記第8のトランジスタのソースは共通に第2の定電流源の一端に接続され、前記第8のトランジスタのゲートは第2の反転入力部に接続され、前記第1の定電流源の他端と前記第2の定電流源の他端は共通に低電位電源に接続する。
In the LD driver circuit according to
請求項3に係わるLDドライバ回路は、第1の抵抗の一端に第1のトランジスタのゲート、第2のトランジスタのゲート、第3のトランジスタのゲート、第4のトランジスタのゲートが共通に接続され、前記第1の抵抗の他端は第2の高電位電源に接続され、前記第1のトランジスタのドレインと前記第4のトランジスタのドレインは共通に第2の抵抗の一端に接続され、前記第2の抵抗の他端は第1の高電圧電源に接続され、前記第2のトランジスタのドレインと前記第3のトランジスタのドレインは共通に出力部に接続され、前記第1のトランジスタのソースは第5のトランジスタのドレインに接続され、前記第2のトランジスタのソースは第6のトランジスタのドレインに接続され、前記第3のトランジスタのソースは第7のトランジスタのドレインに接続され、前記第4のトランジスタのソースは第8のトランジスタのドレインに接続され、前記第5のトランジスタのゲートは第1の反転入力部に接続され、前記第5のトランジスタのソースと前記第6のトランジスタのソースは共通に第1の定電流源の一端に接続され、前記第6のトランジスタのゲートは第1の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのゲートは第2の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのソースと前記第8のトランジスタのソースは共通に第2の定電流源の一端に接続され、前記第8のトランジスタのゲートは第2の反転入力部に接続され、前記第1の定電流源の他端と前記第2の定電流源の他端は共通に低電位電源に接続する。
In the LD driver circuit according to claim 3 , the gate of the first transistor, the gate of the second transistor, the gate of the third transistor, and the gate of the fourth transistor are commonly connected to one end of the first resistor. The other end of the first resistor is connected to a second high potential power source, the drain of the first transistor and the drain of the fourth transistor are commonly connected to one end of a second resistor, and the second resistor The other end of the resistor is connected to the first high-voltage power supply, the drain of the second transistor and the drain of the third transistor are connected in common to the output section, and the source of the first transistor is the fifth And the source of the second transistor is connected to the drain of the sixth transistor, and the source of the third transistor is the seventh transistor. And the source of the fourth transistor is connected to the drain of the eighth transistor, the gate of the fifth transistor is connected to the first inverting input, and the source of the fifth transistor And the source of the sixth transistor are commonly connected to one end of the first constant current source, the gate of the sixth transistor is connected to the first input, and the gate of the seventh transistor is the second The source of the seventh transistor and the source of the eighth transistor are commonly connected to one end of the second constant current source, and the gate of the eighth transistor is the second inverting input. The other end of the first constant current source and the other end of the second constant current source are commonly connected to a low potential power source.
請求項4に係わるLDドライバ回路は、第1の抵抗の一端に第1のトランジスタのゲート、第2のトランジスタのゲート、第3のトランジスタのゲート、第4のトランジスタのゲートとコンデンサの一端が共通に接続され、前記第1の抵抗の他端と第2の抵抗の他端が共通に高電位電源接続され、前記第1のトランジスタのドレインと前記第4のトランジスタのドレインは共通に第2の抵抗の一端に接続され、前記第2のトランジスタのドレインと前記第3のトランジスタのドレインは共通に出力部に接続され、前記第1のトランジスタのソースは第5のトランジスタのドレインに接続され、前記第2のトランジスタのソースは第6のトランジスタのドレインに接続され、前記第3のトランジスタのソースは第7のトランジスタのドレインに接続され、前記第4のトランジスタのソースは第8のトランジスタのドレインに接続され、前記第5のトランジスタのゲートは第1の反転入力部に接続され、前記第5のトランジスタのソースと前記第6のトランジスタのソースは共通に第1の定電流源の一端に接続され、前記第6のトランジスタのゲートは第1の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのゲートは第2の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのソースと前記第8のトランジスタのソースは共通に第2の定電流源の一端に接続され、前記第8のトランジスタのゲートは第2の反転入力部に接続され、前記コンデンサの他端と前記第1の定電流源の他端と前記第2の定電流源の他端は共通に低電位電源に接続する。
In the LD driver circuit according to the fourth aspect , the gate of the first transistor, the gate of the second transistor, the gate of the third transistor, the gate of the fourth transistor, and one end of the capacitor are common to one end of the first resistor. The other end of the first resistor and the other end of the second resistor are commonly connected to a high-potential power supply, and the drain of the first transistor and the drain of the fourth transistor are commonly connected to the second Connected to one end of a resistor, the drain of the second transistor and the drain of the third transistor are connected in common to the output unit, the source of the first transistor is connected to the drain of a fifth transistor, The source of the second transistor is connected to the drain of the sixth transistor, and the source of the third transistor is connected to the drain of the seventh transistor. The source of the fourth transistor is connected to the drain of the eighth transistor, the gate of the fifth transistor is connected to the first inverting input, the source of the fifth transistor and the sixth transistor The sources of the transistors are commonly connected to one end of the first constant current source, the gate of the sixth transistor is connected to the first input section, and the gate of the seventh transistor is connected to the second input section. The source of the seventh transistor and the source of the eighth transistor are connected in common to one end of the second constant current source, and the gate of the eighth transistor is connected to the second inverting input section. The other end of the capacitor, the other end of the first constant current source, and the other end of the second constant current source are commonly connected to a low potential power source.
請求項5に係わるLDドライバ回路は、第1の抵抗の一端に第1のトランジスタのゲート、第2のトランジスタのゲート、第3のトランジスタのゲート、第4のトランジスタのゲートとコンデンサの一端が共通に接続され、前記第1の抵抗の他端が第2の高電位電源に接続され、第2の抵抗の一端に前記第1のトランジスタのドレインを接続し、前記第2の抵抗の他端は第1の高電位電源に接続され、前記第2のトランジスタのドレインと前記第3のトランジスタのドレインは共通に出力部に接続され、第3の抵抗の一端に前記第4のトランジスタのドレインを接続し、前記第3の抵抗の他端は第3の高電位電源に接続され、前記第1のトランジスタのソースは第5のトランジスタのドレインに接続され、前記第2のトランジスタのソースは第6のトランジスタのドレインに接続され、前記第3のトランジスタのソースは第7のトランジスタのドレインに接続され、前記第4のトランジスタのソースは第8のトランジスタのドレインに接続され、前記第5のトランジスタのゲートは第1の反転入力部に接続され、前記第5のトランジスタのソースと前記第6のトランジスタのソースは共通に第1の定電流源の一端に接続され、前記第6のトランジスタのゲートは第1の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのゲートは第2の入力部に接続され、前記第7のトランジスタのソースと前記第8のトランジスタのソースは共通に第2の定電流源の一端に接続され、前記第8のトランジスタのゲートは第2の反転入力部に接続され、前記コンデンサの他端と前記第1の定電流源の他端と前記第2の定電流源の他端は共通に低電位電源に接続する。
In the LD driver circuit according to the fifth aspect , the gate of the first transistor, the gate of the second transistor, the gate of the third transistor, the gate of the fourth transistor, and one end of the capacitor are common to one end of the first resistor. The other end of the first resistor is connected to a second high potential power supply, the drain of the first transistor is connected to one end of the second resistor, and the other end of the second resistor is Connected to the first high-potential power supply, the drain of the second transistor and the drain of the third transistor are connected in common to the output section, and the drain of the fourth transistor is connected to one end of the third resistor The other end of the third resistor is connected to a third high potential power source, the source of the first transistor is connected to the drain of the fifth transistor, and the source of the second transistor is 6 is connected to the drain of the sixth transistor, the source of the third transistor is connected to the drain of the seventh transistor, the source of the fourth transistor is connected to the drain of the eighth transistor, and the fifth transistor Is connected to the first inverting input portion, the source of the fifth transistor and the source of the sixth transistor are commonly connected to one end of the first constant current source, and the gate of the sixth transistor. Is connected to the first input portion, the gate of the seventh transistor is connected to the second input portion, and the source of the seventh transistor and the source of the eighth transistor are commonly connected to the second constant current. Connected to one end of the source, the gate of the eighth transistor is connected to the second inverting input, the other end of the capacitor and the other end of the first constant current source The other end of the second constant current source connected in common to the low-potential power supply.
カスコード接続により、ドライバのスイッチングトランジスタの等価寄生容量が小さくでき、結果として、ドライバを従来例より約30%高速動作できる。また、カスコードバイアス電源と、LDドライバの主電源を共通化できるため、新たな電源または、電源回路を必要としないと言う効果がある。 By cascode connection, the equivalent parasitic capacitance of the switching transistor of the driver can be reduced, and as a result, the driver can be operated about 30% faster than the conventional example. Further, since the cascode bias power supply and the main power supply of the LD driver can be shared, there is an effect that a new power supply or a power supply circuit is not required.
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof is omitted.
本発明の第1の実施の形態について、図1を用いて説明する。図1は本発明の第1の実施の形態のLDドライバ回路の回路図であり、先ず、図1の構成を説明する。 A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a circuit diagram of an LD driver circuit according to a first embodiment of the present invention. First, the configuration of FIG. 1 will be described.
第1の入力端子11、第1の反転入力端子12、第2の入力端子13、第2の反転入力端子14、高電位電源端子31、低電位電源端子34、出力端子21、トランジスタTR1〜TR8、第1の定電流源J1、第2の定電流源J2から構成されている。
次に、第1の実施の形態のLDドライバ回路の接続を説明する。TR1(第1のトランジスタ)のドレイン、TR4(第4のトランジスタ)のドレイン、TR1のゲート、TR2(第2のトランジスタ)のゲート、TR3(第3のトランジスタ)のゲート、TR4のゲートは共通に高電位電源端子31に接続され、TR2のドレインとTR3のドレインは共通に出力端子(出力部)21に接続され、TR1のソースはTR5(第5のトランジスタ)のドレインに接続され、TR2のソースはTR6(第6のトランジスタ)のドレインに接続され、TR3のソースはTR7(第7のトランジスタ)のドレインに接続され、TR4のソースはTR8(第8のトランジスタ)のドレインに接続され、TR5のゲートは第1の反転入力端子(第1の反転入力部)11に接続され、TR5のソースとTR6のソースは共通にJ1の一端に接続され、TR6のゲートは第1の入力端子(第1の入力部)に接続され、TR7のゲートは第2の入力端子(第2の入力部)13に接続され、TR7のソースとTR8のソースは共通にJ2の一端に接続され、TR8のゲートは第2の反転入力端子(第2の反転入力部)14に接続され、J1の他端とJ2の他端は共通に低電位電源端子34に接続されている。
Next, connection of the LD driver circuit of the first embodiment will be described. The drain of TR1 (first transistor), the drain of TR4 (fourth transistor), the gate of TR1, the gate of TR2 (second transistor), the gate of TR3 (third transistor), and the gate of TR4 are common. Connected to the high potential
以上述べた構成により、カスコード回路のTR1〜TR4のゲートへの電源およびTR1、TR4への電源を高電位電源VDDの1電源とすることができ、回路構成が簡略化できる。またカスコード回路を採用しているため、LDドライバ回路のスイッチング回路の等価寄生容量が小さくでき、ドライバのスイッチング速度は従来構成より20〜30%高速動作ができる。 With the above-described configuration, the power supply to the gates of TR1 to TR4 and the power supply to TR1 and TR4 of the cascode circuit can be one power supply of the high potential power supply VDD, and the circuit configuration can be simplified. In addition, since the cascode circuit is employed, the equivalent parasitic capacitance of the switching circuit of the LD driver circuit can be reduced, and the switching speed of the driver can be 20 to 30% faster than the conventional configuration.
図2は、本発明の第2の実施の形態を示す図である。先ず、図2の構成を説明する。 FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. First, the configuration of FIG. 2 will be described.
第1の入力端子11、第1の反転入力端子12、第2の入力端子13、第2の反転入力端子14、高電位電源端子31、低電位電源端子34、出力端子21、トランジスタTR1〜TR8、第1の定電流源J1、第2の定電流源J2、抵抗R1、R2から構成されている。
次に、第2の実施の形態のLDドライバ回路の接続を説明する。TR1(第1のトランジスタ)のドレインとTR2(第2のトランジスタ)のドレインは共通にR2(第2の抵抗)の一端に接続され、TR1のゲート、TR2のゲート、TR3(第3のトランジスタ)のゲート、TR4(第4のトランジスタ)のゲートは共通にR1(第1の抵抗)の一端に接続され、TR1のソースはTR5(第5のトランジスタ)のドレインに接続され、TR2のドレインとTR3のドレインは共通に出力端子21(出力部)に接続され、TR2のソースはTR6(第6のトランジスタ)のドレインに接続され、TR3のソースはTR7(第7のトランジスタ)のドレインに接続され、TR4のソースはTR8(第8のトランジスタ)のドレインに接続され、TR5のゲートは第1の反転入力端子11(第1の反転入力部)に接続され、TR5のソースとTR6のソースは共通にJ1の一端に接続され、TR6のゲートは入力端子12(第1の入力部)に接続され、TR7のゲートは入力端子13(第2の入力部)に接続され、TR7のソースとTR8のソースは共通にJ2の一端に接続され、TR8のゲートは第2の反転入力端子(第2の反転に入力)14に接続され、R1(第1の抵抗)とR2(第2の抵抗)の他端は共通に高電位電源端子31に接続され、J1の他端とJ2の他端が共通に低電位電源端子34に接続する。
Next, the connection of the LD driver circuit of the second embodiment will be described. The drain of TR1 (first transistor) and the drain of TR2 (second transistor) are commonly connected to one end of R2 (second resistor). The gate of TR1, the gate of TR2, and TR3 (third transistor) And the gate of TR4 (fourth transistor) are commonly connected to one end of R1 (first resistor), the source of TR1 is connected to the drain of TR5 (fifth transistor), the drain of TR2 and TR3 Are commonly connected to the output terminal 21 (output unit), the source of TR2 is connected to the drain of TR6 (sixth transistor), the source of TR3 is connected to the drain of TR7 (seventh transistor), The source of TR4 is connected to the drain of TR8 (eighth transistor), and the gate of TR5 is the first inverting input terminal 11 (first inverting input). ), The source of TR5 and the source of TR6 are commonly connected to one end of J1, the gate of TR6 is connected to the input terminal 12 (first input section), and the gate of TR7 is connected to the input terminal 13 (second input). The source of TR7 and the source of TR8 are commonly connected to one end of J2, the gate of TR8 is connected to the second inverting input terminal (input to the second inverting) 14, and R1 ( The other ends of the first resistor) and R2 (second resistor) are commonly connected to the high potential
以上述べた構成により、LDドライバ回路のスイッチング回路の等価寄生容量を小さくし、ドライバのスイッチング速度を従来構成より20〜30%高速動作ができるというカスコード回路の特徴を損なうことなく、かつ、R1、R2を設けたことによって寄生インダクタンスによる波形の乱れを吸収する効果がある。
Thus mentioned configuration, reducing the equivalent parasitic capacitance of the switching circuit of the LD driver circuit, without impairing the characteristics of the cascode circuit that can 20-30% faster operation than the conventional structure the switching speed of the driver, and, R1, The provision of R2 has the effect of absorbing waveform disturbance due to parasitic inductance.
図3は、本発明の第3の実施の形態を示す図である。先ず、図3の構成を説明する。 FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. First, the configuration of FIG. 3 will be described.
第1の入力端子11、第1の反転入力端子12、第2の入力端子13、第2の反転入力端子14、第1の高電位電源端子31、第2の高電位電源端子32、低電位電源端子34、出力端子21、トランジスタTR1〜TR8、第1の定電流源J1、第2の定電流源J2から構成されている。
次に、第3の実施の形態のLDドライバ回路の接続を説明する。第2の高電位電源端子32にTR1(第1のトランジスタ)のゲート、TR2(第2のトランジスタ)のゲート、TR3(第3のトランジスタ)のゲート、TR4のゲートは共通に接続され、TR1(第1のトランジスタ)のドレイン、TR4(第4のトランジスタ)のドレインは共通に第1の高電位電源端子31に接続され、TR2のドレインとTR3のドレインは共通に出力端子(出力部)21に接続され、TR1のソースはTR5(第5のトランジスタ)のドレインに接続され、TR2のソースはTR6(第6のトランジスタ)のドレインに接続され、TR3のソースはTR7(第7のトランジスタ)のドレインに接続され、TR4のソースはTR8(第8のトランジスタ)のドレインに接続され、TR5のゲートは第1の反転入力端子(第1の反転入力部)11に接続され、TR5のソースとTR6のソースは共通にJ1の一端に接続され、TR6のゲートは第1の入力端子(第1の入力部)に接続され、TR7のゲートは第2の入力端子(第2の入力部)13に接続され、TR7のソースとTR8のソースは共通にJ2の一端に接続され、TR8のゲートは第2の反転入力端子(第2の反転入力部)14に接続され、J1の他端とJ2の他端は共通に低電位電源端子34に接続されている。
Next, connection of the LD driver circuit of the third embodiment will be described. The gate of TR1 (first transistor), the gate of TR2 (second transistor), the gate of TR3 (third transistor), and the gate of TR4 are connected in common to the second high-potential
この構成により、LDドライバ回路のスイッチング回路の等価寄生容量を小さくし、ドライバのスイッチング速度を従来構成より20〜30%高速動作ができるというカスコード回路の特徴を損なうことなく、かつ、VDD1とVDD2を分離することで、出力波形をより良いものにすることができる。また、VDD1とVDD2を同一とすることで、第1の実施の形態と同様の効果が得られる。
With this configuration, the equivalent parasitic capacitance of the switching circuit of the LD driver circuit can be reduced, and the switching speed of the driver can be operated by 20 to 30% faster than the conventional configuration, and the characteristics of the cascode circuit can be reduced. By separating, the output waveform can be improved. Further, by making VDD1 and VDD2 the same, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
図4は、本発明の第4の実施の形態を示す図である。先ず、図4の構成を説明する。 FIG. 4 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention. First, the configuration of FIG. 4 will be described.
第1の入力端子11、第1の反転入力端子12、第2の入力端子13、第2の反転入力端子14、第1の高電位電源端子31、第2の高電位電源端子32、低電位電源端子34、出力端子21、トランジスタTR1〜TR8、第1の定電流源J1、第2の定電流源J2、抵抗R1、R2から構成されている。
次に、第4の実施の形態のLDドライバ回路の接続を説明する。R1(第1の抵抗)の一端にTR1(第1のトランジスタ)のゲート、TR2(第2のトランジスタ)のゲート、TR3(第3のトランジスタ)のゲート、TR4(第4のトランジスタ)のゲートが共通に接続され、R1の他端は第2の高電位電源端子32に接続され、TR1のドレインとTR4のドレインは共通にR2(第2の抵抗)の一端に接続され、R2の他端は第1の高電圧電源端子31に接続され、TR2のドレインとTR3のドレインは共通に出力端子21に接続され、TR1のソースはTR5(第5のトランジスタ)のドレインに接続され、TR2のソースはTR6(第6のトランジスタ)のドレインに接続され、TR3のソースはTR7(第7のトランジスタ)のドレインに接続され、TR4のソースはTR8(第8のトランジスタ)のドレインに接続され、TR5のゲートは第1の反転入力端子11に接続され、TR5のソースとTR6のソースは共通にJ1の一端に接続され、TR6のゲートは第1の入力端子12に接続され、TR7のゲートは第2の入力端子13に接続され、TR7のソースとTR8のソースは共通にJ2の一端に接続され、TR8のゲートは第2の反転入力端子14に接続され、J1の他端とJ2の他端は共通に低電位電源端子34に接続されている。
Next, connection of the LD driver circuit of the fourth embodiment will be described. One end of R1 (first resistor) has a gate of TR1 (first transistor), a gate of TR2 (second transistor), a gate of TR3 (third transistor), and a gate of TR4 (fourth transistor). The other end of R1 is connected to the second high potential
この構成により、LDドライバ回路のスイッチング回路の等価寄生容量を小さくし、ドライバのスイッチング速度を従来構成より20〜30%高速動作ができるというカスコード回路の特徴を損なうことなく、R1、R2を設けたことによって寄生インダクタンスによる波形の乱れを吸収する効果があり、かつ、第3の実施の形態の効果も兼ね備えることができる。
With this configuration, the equivalent parasitic capacitance of the switching circuit of the LD driver circuit is reduced, and R1 and R2 are provided without impairing the characteristics of the cascode circuit that the driver switching speed can be operated 20 to 30% faster than the conventional configuration . effects have to absorb the disturbance of waveform due to the parasitic inductance by is, and can combine the effect of the third embodiment.
図5は、本発明の第5の実施の形態を示す図である。先ず、図5の構成を説明する。 FIG. 5 is a diagram showing a fifth embodiment of the present invention. First, the configuration of FIG. 5 will be described.
第1の入力端子11、第1の反転入力端子12、第2の入力端子13、第2の反転入力端子14、高電位電源端子31、低電位電源端子34、出力端子21、トランジスタTR1〜TR8、第1の定電流源J1、第2の定電流源J2、抵抗R1、R2とコンデンサCから構成されている。
次に、第5の実施の形態のLDドライバ回路の接続を説明する。R1(第1の抵抗)の一端にTR1(第1のトランジスタ)のゲート、TR2(第2のトランジスタ)のゲート、TR3(第3のトランジスタ)のゲート、TR4(第4のトランジスタ)のゲートとコンデンサCの一端が共通に接続され、R1の他端とR2(第2の抵抗)の他端が共通に高電位電源端子31接続され、TR1のドレインとTR4のドレインは共通にR2の一端に接続され、TR2のドレインとTR3のドレインは共通に出力端子21に接続され、TR1のソースはTR5(第5のトランジスタ)のドレインに接続され、TR2のソースはTR6(第6のトランジスタ)のドレインに接続され、TR3のソースはTR7(第7のトランジスタ)のドレインに接続され、TR4のソースはTR8(第8のトランジスタ)のドレインに接続され、TR5のゲートは第1の反転入力端子11に接続され、TR5のソースとTR6のソースは共通にJ1の一端に接続され、TR6のゲートは第1の入力端子12に接続され、TR7のゲートは第2の入力端子13に接続され、TR7のソースとTR8のソースは共通にJ2の一端に接続され、TR8のゲートは第2の反転入力端子14に接続され、コンデンサCの他端とJ1の他端とJ2の他端は共通に低電位電源端子34に接続されている。
Next, connection of the LD driver circuit of the fifth embodiment will be described. One end of R1 (first resistor) is connected to the gate of TR1 (first transistor), the gate of TR2 (second transistor), the gate of TR3 (third transistor), the gate of TR4 (fourth transistor), One end of the capacitor C is commonly connected, the other end of R1 and the other end of R2 (second resistor) are commonly connected to the high potential
この構成により、LDドライバ回路のスイッチング回路の等価寄生容量を小さくし、ドライバのスイッチング速度を従来構成より20〜30%高速動作ができるというカスコード回路の特徴を損なうことなく、R1、R2を設けたことによって寄生インダクタンスによる波形の乱れを吸収する効果があり、かつ、コンデンサCはTR1〜TR4のゲート電圧をより安定化させる効果がある。また第4の実施の形態と同様の効果がある。
With this configuration, the equivalent parasitic capacitance of the switching circuit of the LD driver circuit is reduced, and R1 and R2 are provided without impairing the characteristics of the cascode circuit that the driver switching speed can be operated 20 to 30% faster than the conventional configuration . Ri effect there to absorb disturbance of waveform due to the parasitic inductance by, and the capacitor C is effective to stabilize the gate voltage of TR1 to TR4. Also, there are the same effects as in the fourth embodiment.
図6は、本発明の第6の実施の形態を示す図である。先ず、図6の構成を説明する。 FIG. 6 is a diagram showing a sixth embodiment of the present invention. First, the configuration of FIG. 6 will be described.
第1の入力端子11、第1の反転入力端子12、第2の入力端子13、第2の反転入力端子14、第1の高電位電源端子31、第2の高電位電源端子32、第3の高電位電源端子33、低電位電源端子34、出力端子21、トランジスタTR1〜TR8、第1の定電流源J1、第2の定電流源J2、抵抗R1、R2、R3とコンデンサCから構成されている。
次に、第6の実施の形態のLDドライバ回路の接続を説明する。R1(第1の抵抗)の一端にTR1(第1のトランジスタ)のゲート、TR2(第2のトランジスタ)のゲート、TR3(第3のトランジスタ)のゲート、TR4(第4のトランジスタ)のゲートとコンデンサCの一端が共通に接続され、前記R1の他端が第2の高電位電源端子32に接続され、R2(第2の抵抗)の一端にTR1のドレインを接続し、R2の他端は第1の高電位電源端子31に接続され、TR2のドレインとTR3のドレインは共通に出力端子21に接続され、R3(第3の抵抗)の一端にTR4のドレインを接続し、R3の他端は第3の高電位電源端子33に接続され、TR1のソースはTR5(第5のトランジスタ)のドレインに接続され、TR2のソースはTR6(第6のトランジスタ)のドレインに接続され、TR3のソースはTR7(第7のトランジスタ)のドレインに接続され、TR4のソースはTR8(第8のトランジスタ)のドレインに接続され、第5のトランジスタのゲートは第1の反転入力端子11に接続され、TR5のソースとTR6のソースは共通にJ1の一端に接続され、TR6のゲートは第1の入力端子12に接続され、TR7のゲートは第2の入力端子13に接続され、TR7のソースとTR8のソースは共通にJ2の一端に接続され、TR8のゲートは第2の反転入力端子14に接続され、コンデンサCの他端とJ1の他端とJ2の他端は共通に低電位電源端子34に接続されている。
この構成により、LDドライバ回路のスイッチング回路の等価寄生容量を小さくし、ドライバのスイッチング速度を従来構成より20〜30%高速動作ができるというカスコード回路の特徴を損なうことなく、R1、R2、R3を設けたことにより、寄生インダクタンスによる波形の乱れを吸収する効果がある。かつ、コンデンサCはTR1〜TR4のゲート電圧をより安定化させる効果がある。同様に第2の実施の形態において、R1と低電位電源VSS間に容量を挿入すると同様の効果がある。もちろんR1、R2、R3、コンデンサCのいずれかがない場合でも、高速化の効果がある。さらにVDD1〜VDD3は同一の電源であってもよい。
Next, the connection of the LD driver circuit of the sixth embodiment will be described. One end of R1 (first resistor) is connected to the gate of TR1 (first transistor), the gate of TR2 (second transistor), the gate of TR3 (third transistor), the gate of TR4 (fourth transistor), One end of the capacitor C is connected in common, the other end of R1 is connected to the second high potential
This configuration reduces the equivalent parasitic capacitance of the switching circuit of the LD driver circuit, without impairing the characteristics of the cascode circuit that the switching speed of the driver can 20-30% faster operation than the conventional configuration, the R1, R2, R3 By providing, there is an effect of absorbing the disturbance of the waveform due to the parasitic inductance. In addition, the capacitor C has an effect of further stabilizing the gate voltages of TR1 to TR4. Similarly, in the second embodiment, the same effect can be obtained by inserting a capacitor between R1 and the low potential power supply VSS. Of course, even if any of R1, R2, R3 and capacitor C is not provided, there is an effect of speeding up. Furthermore, VDD1 to VDD3 may be the same power source.
11 第1の反転入力端子
12 第1の入力端子
13 第2の入力端子
14 第2の反転入力端子
21 出力端子
31 高電位電源端子、第1の高電位電源端子
32 第3の高電位電源端子
33 第2の高電位電源端子
34 低電位電源端子
C コンデンサ
J1 第1の定電流源
J2 第2の定電流源
R1 第1の抵抗
R2 第2の抵抗
R3 第3の抵抗
TR1 第1のトランジスタ
TR2 第2のトランジスタ
TR3 第3のトランジスタ
TR4 第4のトランジスタ
TR5 第5のトランジスタ
TR6 第6のトランジスタ
TR7 第7のトランジスタ
TR8 第8のトランジスタ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
One end of the first resistor is connected in common to the gate of the first transistor, the gate of the second transistor, the gate of the third transistor, the gate of the fourth transistor, and one end of the capacitor. The other end is connected to a second high potential power source, the drain of the first transistor is connected to one end of a second resistor, the other end of the second resistor is connected to the first high potential power source, The drain of the second transistor and the drain of the third transistor are commonly connected to the output section, the drain of the fourth transistor is connected to one end of the third resistor, and the other end of the third resistor Is connected to a third high potential power source, the source of the first transistor is connected to the drain of the fifth transistor, and the source of the second transistor is connected to the drain of the sixth transistor. The source of the third transistor is connected to the drain of the seventh transistor, the source of the fourth transistor is connected to the drain of the eighth transistor, and the gate of the fifth transistor is the first inverting input. The source of the fifth transistor and the source of the sixth transistor are commonly connected to one end of the first constant current source, and the gate of the sixth transistor is connected to the first input unit. The gate of the seventh transistor is connected to a second input portion, the source of the seventh transistor and the source of the eighth transistor are commonly connected to one end of a second constant current source, The gate of the eighth transistor is connected to the second inverting input, and the other end of the capacitor, the other end of the first constant current source, and the other end of the second constant current source are commonly low. It was connected to the position power, LD driver circuit according to claim.
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