JP4354205B2

JP4354205B2 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

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Publication number: JP4354205B2
Application number: JP2003087625A
Authority: JP
Inventors: 健中嶋
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2003-03-27
Filing date: 2003-03-27
Publication date: 2009-10-28
Anticipated expiration: 2023-03-27
Also published as: JP2004294807A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は、それぞれの上面および下面に電極を備えた２枚の基板の間に液晶からなる液晶層が挟持され、さらに２枚の基板の上下に偏光板が設置され、透過型のものでは背面にバックライトが設置された構造を有している。これらの基板の電極を有する表面には、いわゆる配向処理がなされ、液晶分子の向きを平均的に表わしたダイレクタが所望の液晶には複屈折性があり、バックライトから偏光板を通して入射された光は複屈折により楕円偏光に変化し、反対側の偏光板に入射される。この状態で、上下の電極間に電圧を印加すると、ダイレクタの配列状態が変化して液晶層の複屈折率が変化し、反対側の偏光板に入射される楕円偏光状態が変化し、したがって、液晶表示装置を透過する光強度およびスペクトルが変化する電気光学効果が得られる。
【０００３】
液晶表示装置には、バックライト（背面光源）をその背面又は側方に設置して、画像表示を行う透過型液晶表示装置と、基板に反射板を設置し、周囲光を反射板表面で反射させることにより画像表示を行う反射型液晶表示装置とがある。この透過型液晶表示装置は、周囲光が非常に明るい場合には、周囲光に比べて表示光が暗いため表示を観察できないという問題がある。他方、反射型液晶表示装置は、周囲光が暗い場合には視認性が極端に低下するという欠点を有する。
【０００４】
これらの問題点を解決するために、光の一部を透過し、また光の一部を反射する半透過型反射膜を用いた液晶表示装置（以下、半透過型液晶表示装置）が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３）。また、本件の出願人も半透過型の液晶表示装置の開発を行っている（例えば、特許文献４）。
【０００５】
この半透過型液晶表示装置の製造方法について図４を用いて説明する。図４は従来の液晶表示装置に用いられているＴＦＴ基板の製造工程の一例を示す断面図である。１は第１の金属薄膜、２は第１の絶縁膜、３は半導体能動膜、４はオーミックコンタクト膜、５はソース電極、６はドレイン電極、７は第２の絶縁膜、８は有機膜、９は導電性薄膜である。１０、１１は第３の金属薄膜で金属薄膜１０は金属薄膜１１の下層に設置される。１２はコンタクトホールである。
【０００６】
まず、スパッタリング等でガラス基板上に第１の金属薄膜１を形成する。第１のフォトリソグラフィー工程によって、ゲート配線、ゲート電極及びゲート端子を形成する。第１の金属薄膜にはクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層膜が用いられる。上述の工程により図４（ａ）に示す構造が形成される。
【０００７】
つぎに、プラズマＣＶＤにより第１の絶縁膜２、半導体能動膜３、オーミックコンタクト膜４を連続で成膜する。第１の絶縁膜２は例えば、ＳｉＮｘやＳｉＯｙ等からなり、ゲート絶縁膜として用いられる。半導体能動膜３としてはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜が用いられる。オーミックコンタクト膜４としては、ａ−Ｓｉあるいはｐ−Ｓｉにリン（Ｐ）等を微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ｐ−Ｓｉ膜が用いられる。次に第２のフォトリソグラフィープロセスで半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４を少なくともＴＦＴ部が形成される部分にパターニングする。これにより、図４（ｂ）に示す構造が形成される。
【０００８】
スパッタリングなどの方法で第２の金属薄膜を成膜する。第２の金属薄膜としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層膜が用いられる。次に第３のフォトリソグラフィープロセスで第２の金属薄膜がソース電極５及びドレイン電極６を形成するようにパターニングする。次に、オーミックコンタクト膜４のエッチングを行なう。このプロセスによりＴＦＴ部のオーミックコンタクト膜４の中央部が除去され、半導体能動膜３が露出する。これにより、図４（ｃ）に示す構造が形成される。
【０００９】
さらに第２の絶縁膜７及び有機膜８を形成した後、第４のフォトリソグラフィープロセスでパターニングする。このプロセスでは、後の工程で形成される導電性薄膜をゲート端子やソース電極、ドレイン電極等に接続するためのコンタクトホール１２が形成される。
【００１０】
さらに導電性薄膜９を形成し、第５のフォトリソグラフィープロセスでパターニングする。導電性薄膜９はＩＴＯ等の透明導電膜により構成される。その後、第３の金属薄膜１０、１１を形成し、第６のフォトリソグラフィープロセスでパターニングする。この導電性薄膜９と第３の金属薄膜１０、１１が液晶を駆動するための画素電極となる。そして、導電性薄膜９が設けられている部分はバックライトからの光を透過する透過部となり、第３の金属薄膜１０、１１が設けられている部分は外光の光を反射する反射部となる。上述のように形成されたＴＦＴアレイ基板はＣＦ基板と貼り合わされ、その間に液晶が注入される。この両基板に液晶が狭持された液晶パネルは面状光源装置の発光面側に載置される。このようにして、半透過型の液晶表示装置が製造される。
【００１１】
しかし、このような工程で形成された液晶表示装置には以下のような問題点があった。上述の構成ではコンタクトホール１２において導電性薄膜９を第１の金属薄膜１又は第２の金属薄膜と直接接触させている。導電性薄膜９を第１の金属薄膜１等を直接接触させた場合、コンタクトホール１２における接触抵抗（コンタクト抵抗）が悪くなるという問題点が生じていた。特に、ドライエッチングにて有機膜８や第２の絶縁膜７を除去してコンタクトホールを形成した場合、ドライエッチングを行わない通常の接触と比べて、接触部の抵抗率が極端に悪くなるといった問題点があった。なお、ドライエッチングによるコンタクト抵抗の劣化は金属薄膜の材質がクロムの時に特に顕著に表れる。このようなコンタクト抵抗の劣化は配線、端子又は電極の抵抗を劣化させ、表示特性、表示品質の低下を招いてしまうおそれがある。
【００１２】
【特許文献１】
特開平７−３３３５９８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１９５６３号公報
【特許文献３】
特開２０００−３０５１１０号公報
【特許文献４】
特願２００２−０４８０７４号
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の液晶表示装置では、配線、端子又は電極の抵抗が劣化し、表示特性、表示品質が低下するという問題点があった。
【００１４】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、配線、端子又は電極の抵抗の劣化を防止し、表示特性、表示品質が良好な液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された一対の基板を備える液晶表示装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板上に設けられた第１の導電膜（例えば、本発明の実施の形態における第１の金属薄膜１又は第２の金属薄膜）と、前記第１の導電膜の上に設けられた絶縁膜（例えば、本発明の実施の形態における第１の絶縁膜２又は第２の絶縁膜７）と、前記絶縁膜の一部を除去することにより設けられたコンタクトホール（例えば、本発明の実施の形態における第１の絶縁膜１２）と、前記コンタクトホールを覆うように設けられ、前記第１の導電膜と電気的に接続された第２の導電膜（例えば、本発明の実施の形態における下地金属薄膜１３）と、前記第２の導電膜と電気的に接続された透明導電膜（例えば、本発明の実施の形態における導電性薄膜９）とを備えるものである。これにより、コンタクト抵抗を低減することができる。
【００１６】
上述の液晶表示装置において前記透明導電膜の上に設けられた反射電極をさらに備えることで反射型あるいは半透過型の表示装置を実現できる。
【００１７】
前記反射電極と前記第２の導電膜の大きさが略同じであることが望ましい。これにより、これにより、反射電極のエッチング時における透明導電膜の剥がれを防止できる。
【００１８】
本発明にかかる液晶表示装置は上述の液晶表示装置において前記第２の導電膜の下に形成された有機層をさらに備え、前記コンタクトホールが前記絶縁膜の一部及び前記有機膜の一部を除去することにより形成されることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明にかかる液晶表示装置は上述の液晶表示装置において前記第２の導電膜が前記コンタクトホールと略同じ大きさであることを特徴とするものである。これにより、導電性薄膜の膜剥がれを防止することができる。
上述の液晶表示装置の好適な実施例は前記第２の導電膜のパターンが前記コンタクトホールのパターンを包含し、そのオーバーラップ量が片側５μｍ以下である。
【００２０】
本発明にかかる液晶表示装置は上述の液晶表示装置において前記第２の導電膜が前記透明導電膜と略同じ大きさであることを特徴とするものである。これにより２以上のコンタクトホールを１つの透明導電膜で接続する場合の抵抗を低減することができる。
【００２１】
２つ以上のコンタクトホールを透明導電膜で接続している箇所において、前記第２の導電膜が前記透明導電膜と略同じ大きさであることを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
【００２２】
本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された一対の基板を備える液晶表示装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の基板上に第１の導電膜を形成するステップと、前記第１の導電膜の上に絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁膜の一部を除去してコンタクトホールを形成するステップと、前記コンタクトホールを覆うように第２の導電膜を形成するステップと、前記第２の導電膜と電気的に接続された透明導電膜を設けるステップとを備えるものである。これにより、コンタクト抵抗を低減することができる。
【００２３】
上述の製造方法において、前記透明導電膜の上に反射電極を形成するステップをさらに備えることで反射型あるいは半透過型の表示装置を実現できる。
【００２４】
上述の製造方法では前記反射電極を形成するステップにおいて、前記反射電極が前記第２の導電膜と略同じ大きさでパターニングすることが望ましい。これにより、反射電極のエッチング時における透明導電膜の剥がれを防止できる。
【００２５】
本発明にかかる液晶表示装置は上述の製造方法において前記絶縁膜の上に有機層を形成するステップをさらに備え、前記コンタクトホールを形成するステップでは、前記絶縁膜及び前記有機膜の一部を除去することによりコンタクトホールを形成することを特徴とするものである。
【００２６】
上述の製造方法の好適な実施例は前記コンタクトホールを形成するステップにおいて、ドライエッチングにより前記絶縁膜の一部又は前記コンタクトホールの一部が除去されるものである。
【００２７】
上述の製造方法の前記第２の導電膜を形成するステップにおいて、前記第２の導電膜を前記コンタクトホールと略同じ大きさでパターンニングすることが望ましい。これにより、透明導電膜の膜剥がれを防ぐことができる。
【００２８】
上述の製造方法の前記第２の導電膜を形成するステップにおいて、前記第２の導電膜を前記透明導電膜と略同じ大きさでパターニングしてもよい。これにより、配線等の抵抗を低減することが出来る。
【００２９】
上述の製造方法の前記第２の導電膜を形成するステップにおいて、２つ以上の前記コンタクトホールを前記透明導電膜で接続している箇所で前記第２の導電膜を前記透明導電膜と略同じ大きさでパターニングしてもよい。これにより、外部との入出力を行う端子の抵抗を低減することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態１．
図１に本発明の実施の形態１にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、７回の写真工程により半透過型ａ−ＳｉのＴＦＴアレイを製造している。１は第１の金属薄膜、２は第１の絶縁膜、３は半導体能動膜、４はオーミックコンタクト膜、５はソース電極、６はドレイン電極、７は第２の絶縁膜、８は有機膜、９は導電性薄膜、１０、１１は第３の金属薄膜、１２はコンタクトホール、１３は下地金属薄膜、１５は凹部である。図１に示したパターン形状は左から順にゲート端子部、ソース端子部、ソース配線とゲート配線の交差部、ＴＦＴ部、表示領域の反射部、表示領域の透過部を示している。ゲート端子部及びソース端子部は例えば、基板端部における表示領域以外の領域に設けられており、この端子を介して駆動回路から信号が入力される。ＴＦＴ部は表示領域の各画素に対応されて設けられている。ソース配線とゲート配線の交差部はＴＦＴ部の近傍に設けられている。反射部には各画素における反射電極が設けられ、透過部には各画素における透過電極が設けられている。この反射電極と透過電極が各画素の画素電極を構成している。
【００３１】
まず、絶縁性基板としてガラス基板を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板には、ガラス基板等の透明な絶縁性基板を用いる。また、絶縁性基板の厚さは任意でよいが、液晶表示装置の厚さを薄くするために１．１ｍｍ厚以下のものが好ましい。絶縁性基板が薄すぎる場合には各種の成膜やプロセスの熱履歴によって基板の歪みが生じるためにパターニング精度が低下するなどの不具合を生じるので、絶縁性基板の厚さは使用するプロセスを考慮して選択する必要がある。また、絶縁性基板がガラスなどの脆性破壊材料からなる場合、基板の端面は面取りを実施しておくことが、端面からのチッピングによる異物の混入を防止する上で好ましい。また、絶縁性基板の一部に切り欠きを設けて基板の向きが特定できるようにすることが、各プロセスでの基板処理の方向が特定できることでプロセス管理がしやすくなることより好ましい。
【００３２】
つぎに、スパッタリングなどの方法で第１の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金などのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例では、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金属薄膜１上には、後述の工程でドライエッチングによりコンタクトホールが形成され、その上から導電性薄膜が形成されるので、表面酸化が生じにくい金属薄膜や酸化されても導電性を有する金属薄膜を第１の金属薄膜１に用いることが好ましく、少なくとも表面がクロム、チタン、タンタル、モリブデンなどのうちのいずれかであることが好ましい。また、第１の金属薄膜１として、異種の金属薄膜を積層した金属薄膜や膜厚方向に組成の異なる金属薄膜を用いることもできる。また、第１の金属薄膜１としてアルミニウムを含む材料を用いた場合は、少なくとも表面が１０〜１０００μΩ程度の比抵抗を有する窒化アルミニウムであることが好ましい。
【００３３】
つぎに、第１のフォトリソグラフィープロセス（写真工程）で第１の金属薄膜１をパターニングし、ゲート電極およびゲート配線、補助容量電極および補助容量配線、ゲート端子等を形成する。これにより、図１（ａ）で示される構造が形成される。フォトリソグラフィープロセスはＴＦＴアレイ基板を洗浄後、感光性レジストを塗布・乾燥したのちに、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することで写真製版的にＴＦＴアレイ基板上にマスクパターンを転写したレジストを形成し、感光性レジストを加熱硬化させたのちにエッチングを行い、感光性レジストを剥離することで行われる。感光性レジストとＴＦＴアレイ基板との濡れ性が不良で、感光性レジストのはじきが生じる場合には、塗布前にＵＶ洗浄を実施したり、濡れ性改善のためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を蒸気塗布するなどの処理を行う。また、感光性レジストとＴＦＴアレイ基板との密着性が不良で、剥がれが生じる場合には加熱硬化温度を高くしたり、時間を長くしたりするなどを行う。第１の金属薄膜１のエッチングは、公知のエッチャント（たとえば、第１の金属薄膜１がクロムからなる場合には、第二硝酸セリウムアンモンおよび硝酸が混合されてなる水溶液）を用いてウェットエッチングでエッチング可能である。また、第１の金属薄膜１のエッチングはパターンエッジがテーパ形状となるようにエッチングすることが、他の配線との段差での短絡を防止する上で好ましい。ここで、テーパ形状とは断面が台形状になるようにパターンエッジがエッチングされることをいう。また、この工程でゲート電極およびゲート配線、補助容量電極および補助容量配線を形成することを示したが、その他にＴＦＴアレイ基板を製造する上で必要な各種のマーク類や配線が形成される。
【００３４】
つぎに、プラズマＣＶＤにより第１の絶縁膜２、半導体能動膜３、オーミックコンタクト膜４を連続で成膜する。ゲート絶縁膜となる第１の絶縁膜２としてはＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚＮｗ膜やこれらの積層膜が用いられる（なお、ｘ、ｙ、ｚ、ｗはそれぞれ正数である）。第１の絶縁膜２の膜厚は３００ｎｍから６００ｎｍ程度とする。膜厚が薄い場合にはゲート配線とソース配線の交差部で短絡を生じやすく、第１の金属薄膜１の厚さ程度以上とすることが好ましい。膜厚が厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなり、表示特性が低下することからなるべく薄くすることが好ましい。好ましい実施例では、３００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜した後、１００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜することにより、第１の絶縁膜２を形成する。
【００３５】
半導体能動膜３としてはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜が用いられる。半導体能動膜３の膜厚は１００ｎｍから３００ｎｍ程度とする。膜厚が薄い場合には後述するオーミックコンタクト膜４のドライエッチ時の消失が発生し、厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなることより、オーミックコンタクト膜４のドライエッチ時のエッチング深さの制御性と必要とするＴＦＴのＯＮ電流より膜厚を選択する。半導体能動膜３としてａ−Ｓｉ膜を用いる場合には第１の絶縁膜２のａ−Ｓｉ膜との界面はＳｉＮｘ膜またはＳｉＯｚＮｗ膜とすることが、ＴＦＴが導通状態となるゲート電圧であるＴＦＴのＶｔｈの制御性および信頼性上好ましい。半導体能動膜３としてｐ−Ｓｉ膜を用いる場合には第１の絶縁膜２のｐ−Ｓｉ膜との界面はＳｉＯｙ膜またはＳｉＯｚＮｗ膜とすることがＴＦＴのＶｔｈの制御性および信頼性上好ましい。また、半導体能動膜３としてａ−Ｓｉ膜を用いる場合には第１の絶縁膜２との界面付近を成膜レートの小さい条件で成膜し、上層部を成膜レートの大きい条件で成膜することが短い成膜時間で移動度の大きいＴＦＴ特性がえられることと、ＴＦＴのオフ時のリーク電流を小さくできることより好ましい。好適な実施例では、半導体能動膜３として１５０ｎｍのａ−Ｓｉ膜を成膜する。
【００３６】
オーミックコンタクト膜４としては、ａ−Ｓｉにリン（Ｐ）を微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ｐ−Ｓｉ膜が用いられる。オーミックコンタクト膜４の膜厚は、２０ｎｍから７０ｎｍ程度とすることができる。これらのＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚＮｗ膜、ａ−Ｓｉ膜、ｐ−Ｓｉ膜、ｎ−ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ｐ−Ｓｉ膜は公知のガス（ＳｉＨ_４、ＮＨ₃、Ｈ_２、ＮＯ_２、ＰＨ_３、Ｎ_２およびこれらの混合ガス）を用いて成膜することが可能である。好適な実施例では、オーミックコンタクト膜４として３０ｎｍのｎ−ａ−Ｓｉ膜を成膜する。
【００３７】
つぎに、第２のフォトリソグラフィープロセスで半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４を少なくともＴＦＴ部が形成される部分にパターニングする。これにより、図１（ｂ）に示す構造が形成される。第１の絶縁膜２は、全体に亘って残存する。半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４はＴＦＴ部が形成される部分の他に、ソース配線とゲート配線および補助容量配線とが平面的に交差する部分にもパターニングして残存させることが交差部での耐電圧が大きくなることより好ましい。また、ＴＦＴ部の半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４をソース配線の下部まで連続形状で残存させることが、ソース電極が半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４の段差を乗り越えることがなく、段差部でのソース電極の断線が発生しにくいので好ましい。
【００３８】
半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４のエッチングは、公知のガス組成（たとえば、ＳＦ₆とＯ₂の混合ガスまたはＣＦ₄とＯ₂の混合ガス）でドライエッチングが可能である。
【００３９】
つぎに、スパッタリングなどの方法で第２の金属薄膜を成膜する。第２の金属薄膜としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層膜が用いられる。もちろん、上述の材料を積層形成してもよい。好適な実施例では、２００ｎｍの膜厚を有するクロムが成膜される。
【００４０】
つぎに第３のフォトリソグラフィープロセスで第２の金属薄膜がソース配線、ソース端子、ソース電極５及びドレイン電極６を形成するようにパターニングする。これにより、図１（ｃ）に示す構造が形成される。ソース電極５は、ソース配線とゲート配線が交差する部分にまで亘って形成される。ドレイン電極６は、反射部まで亘って形成される。次に、オーミックコンタクト膜４のエッチングを行なう。このプロセスによりＴＦＴ部のオーミックコンタクト膜４の中央部が除去され、半導体能動膜３が露出する。オーミックコンタクト膜４のエッチングは、公知のガス組成（たとえば、ＳＦ₆とＯ₂の混合ガスまたはＣＦ₄とＯ₂の混合ガス）でドライエッチングが可能である。
【００４１】
つぎに、プラズマＣＶＤにより第２の絶縁膜７を形成する。その上から有機膜８を形成する。第２の絶縁膜７は第１の絶縁膜２と同様の材質により形成することができる。好適な実施例では、第２の絶縁膜７として１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられる。また、有機膜８は、公知の感光性有機膜であり、例えば、ＪＳＲ製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５が用いられる。この有機膜８は３．０〜４．０μｍ程度の厚み、望ましくは３．２〜３．９μｍ程度の厚みで形成される。もちろん、これ以外の厚みでもよい。
【００４２】
つぎに第４のフォトリソグラフィープロセスで有機膜８、第２の絶縁膜７、第１の絶縁膜２を図１（ｄ）に示す形状にパターニングする。この工程では有機膜８に露光される光量を部分的に変えて、反射部における有機膜８の表面に凸凹を設けるための凹部１５を形成する。反射部における凹部１５の形成には、露光領域が異なる２種類のマスクを用いて行われる。すなわち、コンタクトホール１２を形成するためのマスクと凹部１５を形成するマスクの２種類のマスクを用いている。それぞれのマスクでの露光量を変えることにより、有機膜８表面の凹部１５とコンタクトホール１２を形成するためのパターンを１回の現像工程で形成することが可能になる。次にドライエッチングによりコンタクトホール１２を形成する。なお、２種類のマスクの変わりにハーフトーンマスクを用いても良い。有機膜８の表面の凹凸を設けることによって、入射された外光が散乱される。これにより、外光が散乱され良好な表示特性を得ることができる。
【００４３】
ゲート端子部では、ゲート配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタクトホール１２を形成するため、有機膜８並びに第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜７の双方が除去され、第１の金属薄膜１が露出している。ソース端子部では、ソース配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタクトホール１２を形成するため有機膜８及び第２の絶縁膜７が除去され第２の金属薄膜が露出している。ＴＦＴ部と反射部の間では、有機膜８及び第２の絶縁膜７が除去されドレイン電極６が露出している。さらに透過部では、有機膜８並びに第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜７の双方が除去され、第１の絶縁性基板が露出している。なお、コンタクトホール１２の形成は前述と同様の方法を用いることができる。
【００４４】
この後、本発明ではスパッタリング等の方法で下地金属薄膜１３を形成する。ここでは下地金属薄膜１３として、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金などのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。もちろん、上述の材料を積層形成してもよい。好適な実施例では、１００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第５のフォトリソグラフィープロセスにより、この下地金属薄膜１３をパターニングする。下地金属薄膜１３は図１（ｅ）に示されるようにコンタクトホール１２の上部を覆う様に形成される。コンタクトホール１２の下に設けられている第１の金属膜１、ソース電極５やドレイン電極６等が露出していると、パターニングの際に第１の金属膜１、ソース電極５やドレイン電極６等がエッチング液に溶け出してしまうからである。なお、エッチングは前述と同様の方法を用いることができる。この下地金属薄膜１３はコンタクトホール１２の下部でゲート端子、ソース端子やドレイン電極等と接触され、電気的に接続される。
【００４５】
つぎに、スパッタリングなどの方法で導電性薄膜９を成膜する。導電性薄膜９としては、透明導電膜であるＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＩＺＯなどを用いることができ、とくに化学的安定性の点からＩＴＯが好ましい。好適な実施例では、導電性薄膜９は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いられる。なお、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ又はアモルファスＩＴＯのいずれでもよいが、アモルファスＩＴＯを用いた場合は、第３の金属薄膜成膜前に結晶化温度１８０℃以上に加熱して結晶化させる必要がある。
【００４６】
つぎに、第６のフォトリソグラフィープロセスで導電性薄膜９を図１（ｆ）に示されるように画素電極等の形状にパターニングする。導電性薄膜９のエッチングは使用する材料によって公知のウェットエッチング（たとえば、導電性薄膜９が結晶化ＩＴＯからなる場合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液）などを用いて行うことが可能である。導電性薄膜９がＩＴＯの場合、公知のガス組成（たとえば、ＨＩ、ＨＢｒ）でのドライエッチングによるエッチングも可能である。また、この工程で透過電極を形成することを示したが、その他に対向基板とＴＦＴアレイ基板間を導電性粒子を含む樹脂を用いて電気的に接続するためのトランスファー端子部の導電性薄膜９による電極などが形成される。なお、アモルファスＩＴＯの場合、パターニングは、加熱後であれば結晶化ＩＴＯと同様に、加熱前であれば公知のしゅう酸が混合されてなる水溶液で行う。好適な実施例では、アモルファスＩＴＯを成膜し、しゅう酸によりエッチングし、第３の金属薄膜成膜前に大気中で２２０〜２３０℃に加熱する。この透過部に設けられた導電性薄膜９が液晶の駆動に用いられる。またゲート端子部やソース端子部のコンタクトホール１２の上に設けられた導電性薄膜９は下地金属薄膜１３と接触しているため、ゲート端子、ソース端子、ドレイン電極等と電気的に接続されることになる。
【００４７】
つぎに、スパッタリングなどの方法で第３の金属薄膜を構成する金属薄膜１０、１１を成膜する。第３の金属薄膜１０、１１としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅、銀やこれらに他の物質を微量に添加した合金などのうちのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。もちろん、上述の材料を積層形成してもよい。金属薄膜１０は、金属薄膜１１がコンタクトホール部等の段差で段切れ生じるのを防ぐ効果を有する。この段切れが無視できる場合は、金属薄膜１０は形成しなくてもよい。この場合、工程数が減少し、コスト低減が可能となる。好適な実施例では、１００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜後、３００ｎｍの膜厚を有するアルミニウムとＣｕの合金を成膜し、さらに１００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜する。アルミニウムとＣｕの合金が露出していると、次の写真工程の現像時に、ＩＴＯ９の腐食が進むため、これを防止するために最上層にクロム（図示せず）を設けている。
【００４８】
つぎに、第７のフォトリソグラフィープロセスで第３の金属薄膜１０、１１及び最上層のクロムを反射電極の形状にパターニングおよび最上層のクロムをエッチング除去して、反射電極を形成する。なお、金属膜１０がクロムの場合、金属薄膜１１のエッチング後にレジストを剥離することで、最上層のクロムと同時にエッチングすることも可能である。反射電極は、クロムよりなる金属薄膜１０上にアルミニウムとＣｕの合金からなる金属薄膜１１が積層した状態で形成される。最上層のクロムは、ＩＴＯ９の腐食防止のため設けられたが、反射率を上げるためにこの段階で除去される。第３の金属薄膜１１は反射電極として用いられるため反射率が高い材質であることが好ましい。そのため本実施の形態では電気伝導度の高いアルミニウムに銅を添加した合金を用いている。第３の金属薄膜のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウェットエッチングで行うことが可能である。反射部に設けられた第３の金属薄膜１１は反射電極として用いられ、この反射電極及び透過電極により液晶が駆動される。最終的には、図１（ｇ）で示す構造が形成される。
【００４９】
この上から配向膜が塗布され、一定の方向にラビングすることによってＴＦＴアレイ基板が製造される。このように製造されたＴＦＴアレイ基板は対向配置されたＣＦ基板とスペーサーを介して貼り合わされ、その間に液晶が注入される。この液晶層が狭持された液晶パネルをバックライトユニットに取り付けることにより、液晶表示装置が製造される。
【００５０】
本実施の形態ではフォトリソグラフィープロセスにより有機膜８の一部を除去し、ドライエッチングにより第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜７の一部を除去することで、コンタクトホール１２を形成している。そして、コンタクトホール１２の上部を覆うように下地金属薄膜１３を設けた後でその上からＩＴＯ等の導電性薄膜９を形成している。このようにコンタクトホール１２内での第１の金属薄膜１、第２の金属薄膜と導電性薄膜９の電気的な接続を、下地金属薄膜１３を介して行うことにより、コンタクトホール１２における抵抗率の劣化を防ぐことができる。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。
【００５１】
また、一般的にクロム等の金属薄膜の比抵抗はＩＴＯ等の透明導電膜の比抵抗よりも良い。そのため、下地金属薄膜１３が設けられている部分の面積を広げることにより、配線、端子、電極等の抵抗を小さくすることが可能である。例えば、表示領域の反射部において、下地金属薄膜１３を反射電極と略同じ大きさで形成することによって、画素電極（反射電極及び透過電極）の抵抗を低減することができる。この場合、下地金属薄膜１３が反射電極と略同じ大きさのパターンであるので、透過部には光を反射する金属薄膜が設けられていない。よって、液晶表示装置の透過特性及び反射特性に影響を及ぼすことがない。このようにして画素電極の抵抗を低減することができ、表示品質を向上することができる。このような構成の液晶表示装置は半透過型液晶表示装置に好適である。なお、下地金属薄膜１３は反射電極のパターンより小さければ、表示特性に影響を及ぼすことがない。
従来の液晶表示装置ではコンタクトホール１２を大きくして、接触面積を広げコンタクト抵抗を低減しようとすると有機膜８を除去する面積が大きくなる。すると有機膜８上の凸凹部分が小さくなり、散乱特性が劣化するおそれがある。しかし本実施の形態ではコンタクトホール１２が小さい場合であっても、下地金属薄膜１３のパターンを大きく形成することによって、画素電極の抵抗を低減することができる。そのため、散乱特性の劣化を防ぐためにコンタクトホール１２を小さくした場合であっても、コンタクト抵抗及び電極の抵抗を低減することができる。
【００５２】
さらに、下地金属層１３が設けられている部分の面積を広げることにより、ゲート端子、ゲート配線、ソース端子やソース配線等の抵抗を下げることが可能である。端子や配線の抵抗を下げるための構成について図２を用いて説明する。図２は第１の金属配線と第２の金属配線を電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられている部分の構成を示す図である。図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は断面図である。図１で付した符号と同一の符号は同一の構成を示すため説明を省略する。１４は第２の金属薄膜である。
第１の金属薄膜１と第２の金属薄膜１４は表示領域以外の領域等で接続されることがある。例えば、外部の駆動回路と接続可能な場所に端子を配置するためには、第１の金属薄膜で形成され、かつ異なる信号が印加される配線同士あるいは第２の金属薄膜で形成され、かつ異なる信号が印加される配線同士をクロスさせる必要がある。あるいは、携帯電話などに用いられるＣＯＧ基板等の端子部近傍においても、配線をクロスさせる必要がある。このように同じ配線をクロスさせるためには、どちらか一方の金属配線を他の金属配線に変換する必要がある。このため、第１の金属配線１と第２の金属配線１４を接続させる必要がある。以下にその詳細を説明する。
【００５３】
図２の構成の各層は上述の製造方法と同様の製造方法によって形成されている。図２（ａ）に示すように、有機膜８上で下地金属薄膜１３のパターンは導電性薄膜９のパターンと略同程度の大きさとしている。このように第１の金属薄膜１と第２の金属薄膜１４を電気的に接続させる場合、従来は導電性薄膜９によって接続させていたが、本実施の形態では比抵抗の良いクロム等の金属薄膜で接続させている。このため、２つ以上のコンタクトホール間の抵抗を小さくできるため、配線や端子の抵抗を下げることができる。さらに、導電性薄膜９と第１の金属薄膜１又は第２の金属薄膜１４が下地金属薄膜１３を介して電気的に接続されているため、コンタクト抵抗の劣化が抑制される。このように下地金属薄膜１３のパターンと導電性薄膜９のパターンの形状を略同じ大きさとすることにより、配線や端子の抵抗を下げることが可能になる。下地金属薄膜１３による接続は第１の金属薄膜１同士を電気的に接続させる場合や、第２の金属薄膜１４同士を電気的に接続させる場合であっても利用することが可能である。なお、第３の金属薄膜１０、１１のエッチングによって、下地金属薄膜１３がエッチングされない場合は、下地金属薄膜１３の上の導電性薄膜９を形成しなくても良い。
【００５４】
このように下地金属薄膜１３のパターンと導電性薄膜９のパターンの形状を略同じ大きさとすることは、第５のフォトリソグラフィー工程によって可能である。よって、フォトリソグラフィー工程を増やすことなく、簡易な製造工程で製造することが可能である。もちろん、全ての箇所において下地金属薄膜１３のパターンと導電性薄膜９のパターンの形状を略同じ大きさとする必要はなく、例えば、ＴＦＴ部や反射部を除いた必要な箇所のみ略同じ大きさとすればよい。
【００５５】
なお、下地金属薄膜１３と第３の金属薄膜１０、１１が同じエッチング工程によりエッチングできる場合は第７のフォトリソグラフィー工程で下地金属薄膜１３を導電性薄膜９と略同じパターン形状にすることも可能である。例えば下地金属薄膜１３と第３の金属薄膜１０が同じ材質である場合、第３の金属薄膜１０をエッチングする工程において、導電性薄膜９からはみ出している部分の下地金属膜１３はエッチングされる。すなわち、第５のフォトリソグラフィー工程で下地金属薄膜１３のパターンを導電性薄膜９のパターンより大きく形成しても、第７のフォトリソグラフィー工程のエッチング工程で下地金属薄膜１３はエッチングされ、導電性薄膜９と略同じ大きさとなる。このように第７のフォトリソグラフィー工程でも下地金属薄膜１３をパターニングすることができる。
【００５６】
本実施の形態では、下地金属薄膜１３を介して第１の金属薄膜１又は第２の金属薄膜と導電性薄膜９が電気的に接続されているので、コンタクト抵抗を低減することができる。さらに、下地金属薄膜１３の面積を広げることにより、電極、端子、配線の抵抗を低減することが可能になる。このように簡易な製造方法及び簡易な構成により、抵抗が低減された液晶表示装置を得ることができ、表示品質、生産性を向上することができる。
【００５７】
発明の実施の形態２．
上述の実施の形態１では抵抗を低減するため図２に示すように、導電性薄膜９のパターンと下地金属薄膜１３のパターンを略同程度の大きさとしている。しかし、下地金属薄膜１３、第３の金属薄膜１０、１１、有機膜８及び導電性薄膜９の材料、膜質によっては、第７のフォトリソグラフィー工程のエッチング工程で下地金属薄膜１３が溶けてしまう場合があることを本件の出願人は発見した。導電性薄膜９の下に設けられた下地金属薄膜１３が溶け出してしまうと、導電性薄膜９と有機膜８との間に隙間が生じる。図２で示した構成の場合、導電性薄膜９の下に設けられている下地金属薄膜１３の面積と導電性薄膜９の面積の差がコンタクトホール１２の分しかないため、導電性薄膜９のほとんどの部分でこの隙間が生じる。そのため導電性薄膜９とその下地層との密着力の低下が生じ、膜剥がれが発生してしまう。
【００５８】
このように導電性薄膜９と略同程度の大きさで形成された下地金属薄膜１３が溶けてしまうと密着力が低下して、その上の導電性薄膜９の膜剥がれが生じるおそれがある。しかし、本件の出願人はこの膜剥がれは下地金属薄膜１３の下が有機膜８である場合に発生する可能性が高いことを発見した。この知見より膜剥がれを効果的に抑制する構成を見出した。この膜剥がれを防ぐための構成について図３を用いて説明する。
【００５９】
図３は第１の金属配線１と第２の金属配線１４を電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられている部分の構成を示す図であり、図２と同様の図である。図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は断面図である。図１、図２で付した符号と同一の符号は同一の構成を示すため説明を省略する。また製造方法も実施の形態１で説明した方法と同じであるため説明を省略する。
【００６０】
本実施の形態では、膜剥がれを回避するために下地金属薄膜１３がコンタクトホール１２の上部と略同じ大きさで設けられている。よって、有機膜８の上には下地金属薄膜１３を介さずにＩＴＯ等の導電性薄膜９が直接成膜されることになる。そのため、第３の金属薄膜１０のエッチング工程において、導電性薄膜９の大部分はエッチング液による影響を受けない。またコンタクトホール１２の上に設けられた下地金属薄膜１３は下地が有機層７でないため、溶け出しにくい。また溶け出したとしても、導電性薄膜９のパターンに占める割合が小さいので密着力の低下を抑制することができる。従って、ＩＴＯ等の導電性薄膜９の膜剥がれを防ぐことができる。
【００６１】
なお、コンタクトホール１２と略同じ大きさの下地金属薄膜１３を形成するためには、第５のフォトリソグラフィー工程でコンタクトホール１２と略同じ大きさで露光する。ただし、露光時の位置ずれやエッチング形状などを考慮する必要がある。すなわち、露光時の基板の位置ずれや下地金属薄膜１３のエッチング形状等によって露光した領域と実際のパターン形状がずれる場合がある。コンタクトホール１２と全く同じ大きさで露光してしまった場合、ずれが生じるとコンタクトホール１２及びその下の第１の金属薄膜１又は第２の金属薄膜１４が露出してしまい、エッチング液に第１の金属薄膜等が溶け出すおそれがある。
【００６２】
本実施の形態では、コンタクトホール１２より５μｍ程度大きい領域を下地金属薄膜１３のパターンが覆うように設計上露光することにしている。この５μｍは設計上の露光領域と実際のパターン形状とのプロセス上の最大ずれ量である。プロセスマージンで許される最小値５μｍ分だけコンタクトホール１２より大きい領域を設計上の下地金属薄膜１３のパターン領域とすることによって、プロセス上のずれが生じた場合であっても、コンタクトホール１２を全て覆うように下地金属薄膜１３を形成することが可能である。
このようにして、コンタクトホール１２と下地金属薄膜１３を略同じ大きさでかつ、コンタクトホール１２が下地金属薄膜１３で覆われるように形成することができる。これにより密着力の低下を抑制することができ、ＩＴＯ等の導電性薄膜の膜剥がれを防ぐことができる。なお、膜剥がれを防ぐためには下地金属薄膜１３はコンタクトホール１２を覆うように形成し、かつ下地金属薄膜１３の大きさを出来る限り小さくすることが望ましい。設計上の露光領域の大きさは上述の値に限られるものではない。膜剥がれが生じないような膜質、材料を用いている場合は、配線や端子の抵抗の点から図２で示したように導電性薄膜９と下地金属薄膜１３の大きさを略同じ大きさとすることが望ましい。
【００６３】
その他の実施の形態．
本発明は上述した実施の形態だけに限られず、様々な変更が可能である。例えば、上述の実施の形態において、第１の金属薄膜１、第２の金属薄膜、下地金属薄膜１３にはクロムを用いたが、それ以外の材料でもよい。さらには、有機膜８、第１の絶縁膜２、第２の絶縁膜７及び導電性薄膜９も同様に公知の材料を用いることができる。第１の金属薄膜１、第２の金属薄膜、下地金属薄膜１３を異なる材料で形成してもよい。さらには、実施の形態で示した膜厚などの数値は例であり、これ以外の値で製造することも可能である。本発明は携帯電話、ＰＤＡ、車載用の半透過型液晶表示装置に用いることが好適である。また、半透過型液晶表示装置に限らず、透過型液晶表示装置や反射型液晶表示装置に用いることも可能である。
【００６４】
【発明の効果】
本発明によれば、配線等の抵抗が低減された液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置の端子部の構成を示す構成図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかる液晶表示装置の端子部の構成を示す構成図である。
【図４】従来の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１第１の金属薄膜２第１の絶縁膜
３半導体能動膜４オーミックコンタクト膜
５ソース電極６ドレイン電極
７第２の絶縁膜８有機膜
９導電性薄膜１０，１１第３の金属薄膜
１２コンタクトホール、１３下地金属薄膜、
１４第２の金属薄膜、１５凹部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
In general, in a liquid crystal display device, a liquid crystal layer made of liquid crystal is sandwiched between two substrates each having an electrode on the upper surface and the lower surface, and polarizing plates are installed on the upper and lower sides of the two substrates. The thing has the structure where the backlight was installed in the back. Surfaces having electrodes on these substrates are subjected to a so-called alignment treatment, and a director that shows the orientation of liquid crystal molecules on average is birefringent in the desired liquid crystal, and light incident from the backlight through the polarizing plate. Changes to elliptically polarized light due to birefringence and is incident on the polarizing plate on the opposite side. In this state, when a voltage is applied between the upper and lower electrodes, the alignment state of the director is changed, the birefringence of the liquid crystal layer is changed, and the elliptical polarization state incident on the opposite polarizing plate is changed. An electro-optic effect that changes the intensity and spectrum of light transmitted through the liquid crystal display device can be obtained.
[0003]
In the liquid crystal display device, a backlight (back light source) is installed on the back or side, and a transmissive liquid crystal display device that displays images and a reflector on the substrate, and ambient light is reflected on the reflector surface. There is a reflective liquid crystal display device that displays an image by performing the above operation. This transmissive liquid crystal display device has a problem in that when the ambient light is very bright, the display cannot be observed because the display light is darker than the ambient light. On the other hand, the reflective liquid crystal display device has a drawback that the visibility is extremely lowered when the ambient light is dark.
[0004]
In order to solve these problems, a liquid crystal display device using a transflective film that transmits part of light and reflects part of light (hereinafter referred to as a transflective liquid crystal display device) has been proposed. (For example, Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3). The applicant of the present application has also developed a transflective liquid crystal display device (for example, Patent Document 4).
[0005]
A method of manufacturing the transflective liquid crystal display device will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a TFT substrate used in a conventional liquid crystal display device. 1 is a first metal thin film, 2 is a first insulating film, 3 is a semiconductor active film, 4 is an ohmic contact film, 5 is a source electrode, 6 is a drain electrode, 7 is a second insulating film, and 8 is an organic film , 9 are conductive thin films. Reference numerals 10 and 11 denote a third metal thin film, and the metal thin film 10 is disposed below the metal thin film 11. Reference numeral 12 denotes a contact hole.
[0006]
First, the first metal thin film 1 is formed on a glass substrate by sputtering or the like. A gate wiring, a gate electrode, and a gate terminal are formed by a first photolithography process. As the first metal thin film, chromium, molybdenum, tantalum, titanium, aluminum, copper, an alloy obtained by adding a small amount of other substances to these, or a laminated film thereof is used. The structure shown in FIG. 4A is formed by the process described above.
[0007]
Next, the first insulating film 2, the semiconductor active film 3, and the ohmic contact film 4 are continuously formed by plasma CVD. The first insulating film 2 is made of, for example, SiNx or SiOy, and is used as a gate insulating film. As the semiconductor active film 3, an amorphous silicon (a-Si) film or a polysilicon (p-Si) film is used. As the ohmic contact film 4, an na-Si film or an np-Si film obtained by doping a-Si or p-Si with a small amount of phosphorus (P) or the like is used. Next, the semiconductor active film 3 and the ohmic contact film 4 are patterned at least in a portion where the TFT portion is formed by a second photolithography process. Thereby, the structure shown in FIG. 4B is formed.
[0008]
A second metal thin film is formed by a method such as sputtering. As the second metal thin film, for example, chromium, molybdenum, tantalum, titanium, aluminum, copper, an alloy obtained by adding a small amount of other substances to these, or a laminated film thereof is used. Next, patterning is performed so that the second metal thin film forms the source electrode 5 and the drain electrode 6 in a third photolithography process. Next, the ohmic contact film 4 is etched. By this process, the central portion of the ohmic contact film 4 in the TFT portion is removed, and the semiconductor active film 3 is exposed. Thereby, the structure shown in FIG. 4C is formed.
[0009]
Further, after the second insulating film 7 and the organic film 8 are formed, patterning is performed by a fourth photolithography process. In this process, a contact hole 12 for connecting a conductive thin film formed in a later step to a gate terminal, a source electrode, a drain electrode, or the like is formed.
[0010]
Further, a conductive thin film 9 is formed and patterned by a fifth photolithography process. The conductive thin film 9 is made of a transparent conductive film such as ITO. Thereafter, third metal thin films 10 and 11 are formed and patterned by a sixth photolithography process. The conductive thin film 9 and the third metal thin films 10 and 11 serve as pixel electrodes for driving the liquid crystal. The portion where the conductive thin film 9 is provided becomes a transmission portion that transmits light from the backlight, and the portion where the third metal thin films 10 and 11 are provided is a reflection portion that reflects light of outside light. Become. The TFT array substrate formed as described above is bonded to the CF substrate, and liquid crystal is injected therebetween. The liquid crystal panel in which the liquid crystal is sandwiched between the two substrates is placed on the light emitting surface side of the planar light source device. In this way, a transflective liquid crystal display device is manufactured.
[0011]
However, the liquid crystal display device formed by such a process has the following problems. In the above-described configuration, the conductive thin film 9 is in direct contact with the first metal thin film 1 or the second metal thin film in the contact hole 12. When the conductive thin film 9 is brought into direct contact with the first metal thin film 1 or the like, there is a problem that the contact resistance (contact resistance) in the contact hole 12 is deteriorated. In particular, when the contact hole is formed by removing the organic film 8 and the second insulating film 7 by dry etching, the resistivity of the contact portion becomes extremely worse compared to normal contact without dry etching. There was a problem. Note that the contact resistance deterioration due to dry etching is particularly noticeable when the material of the metal thin film is chromium. Such deterioration of the contact resistance may deteriorate the resistance of the wiring, terminal, or electrode, leading to deterioration of display characteristics and display quality.
[0012]
[Patent Document 1]
JP 7-333598 A
[Patent Document 2]
JP 2000-19563 A
[Patent Document 3]
JP 2000-305110 A
[Patent Document 4]
Japanese Patent Application No. 2002-048074
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the conventional liquid crystal display device has a problem in that the resistance of the wiring, terminal, or electrode deteriorates and the display characteristics and display quality deteriorate.
[0014]
The present invention has been made in order to solve such problems, and provides a liquid crystal display device having good display characteristics and display quality, and a manufacturing method thereof, which prevents deterioration of the resistance of wiring, terminals or electrodes. For the purpose.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
A liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device including a pair of substrates disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and is a first one provided on one of the pair of substrates. Conductive film (for example, the first metal thin film 1 or the second metal thin film in the embodiment of the present invention) and an insulating film provided on the first conductive film (for example, implementation of the present invention) The first insulating film 2 or the second insulating film 7 in the embodiment and a contact hole provided by removing a part of the insulating film (for example, the first insulating film 12 in the embodiment of the present invention) ), A second conductive film provided to cover the contact hole and electrically connected to the first conductive film (for example, the base metal thin film 13 in the embodiment of the present invention), and the first conductive film Transparent conductive electrically connected to the conductive film 2 (E.g., a conductive thin film 9 in the embodiment of the present invention) in which and a. Thereby, contact resistance can be reduced.
[0016]
In the above liquid crystal display device, a reflective or transflective display device can be realized by further including a reflective electrode provided on the transparent conductive film.
[0017]
It is desirable that the reflective electrode and the second conductive film have substantially the same size. Thereby, peeling of the transparent conductive film at the time of etching of the reflective electrode can be prevented.
[0018]
The liquid crystal display device according to the present invention further includes an organic layer formed under the second conductive film in the liquid crystal display device described above, and the contact hole includes a part of the insulating film and a part of the organic film. It is formed by removing.
[0019]
The liquid crystal display device according to the present invention is characterized in that, in the above-described liquid crystal display device, the second conductive film is substantially the same size as the contact hole. Thereby, film peeling of the conductive thin film can be prevented.
In a preferred embodiment of the above-described liquid crystal display device, the pattern of the second conductive film includes the pattern of the contact hole, and the overlap amount is 5 μm or less on one side.
[0020]
The liquid crystal display device according to the present invention is characterized in that, in the above-described liquid crystal display device, the second conductive film is substantially the same size as the transparent conductive film. As a result, the resistance when two or more contact holes are connected by a single transparent conductive film can be reduced.
[0021]
6. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the second conductive film is approximately the same size as the transparent conductive film at a location where two or more contact holes are connected by the transparent conductive film.
[0022]
A manufacturing method of a liquid crystal display device according to the present invention is a manufacturing method of a liquid crystal display device including a pair of substrates disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, on one of the pair of substrates. Forming a first conductive film, forming an insulating film on the first conductive film, removing a portion of the insulating film to form a contact hole, and the contact hole Forming a second conductive film so as to cover the surface, and providing a transparent conductive film electrically connected to the second conductive film. Thereby, contact resistance can be reduced.
[0023]
In the manufacturing method described above, a reflective or transflective display device can be realized by further including a step of forming a reflective electrode on the transparent conductive film.
[0024]
In the manufacturing method described above, in the step of forming the reflective electrode, it is desirable that the reflective electrode is patterned with approximately the same size as the second conductive film. Thereby, peeling of the transparent conductive film during etching of the reflective electrode can be prevented.
[0025]
The liquid crystal display device according to the present invention further includes a step of forming an organic layer on the insulating film in the manufacturing method described above, and in the step of forming the contact hole, the insulating film and a part of the organic film are removed. Thus, a contact hole is formed.
[0026]
In a preferred embodiment of the above manufacturing method, in the step of forming the contact hole, a part of the insulating film or a part of the contact hole is removed by dry etching.
[0027]
In the step of forming the second conductive film in the manufacturing method described above, it is desirable that the second conductive film be patterned to have approximately the same size as the contact hole. Thereby, film peeling of a transparent conductive film can be prevented.
[0028]
In the step of forming the second conductive film of the above-described manufacturing method, the second conductive film may be patterned with substantially the same size as the transparent conductive film. Thereby, resistance of wiring etc. can be reduced.
[0029]
In the step of forming the second conductive film of the manufacturing method described above, the second conductive film is substantially the same as the transparent conductive film at a location where two or more contact holes are connected by the transparent conductive film. You may pattern by a magnitude | size. Thereby, the resistance of the terminal that performs input / output with the outside can be reduced.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiment 1 of the Invention
FIG. 1 shows a manufacturing process flow of a transflective liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. In this manufacturing process, a transflective a-Si TFT array is manufactured by seven photographic processes. 1 is a first metal thin film, 2 is a first insulating film, 3 is a semiconductor active film, 4 is an ohmic contact film, 5 is a source electrode, 6 is a drain electrode, 7 is a second insulating film, and 8 is an organic film , 9 are conductive thin films, 10 and 11 are third metal thin films, 12 are contact holes, 13 is a base metal thin film, and 15 is a recess. The pattern shape shown in FIG. 1 shows a gate terminal portion, a source terminal portion, a crossing portion of the source wiring and the gate wiring, a TFT portion, a reflection portion of the display region, and a transmission portion of the display region in order from the left. The gate terminal portion and the source terminal portion are provided, for example, in a region other than the display region at the substrate end portion, and a signal is input from the drive circuit through these terminals. The TFT portion is provided corresponding to each pixel in the display area. The intersection between the source wiring and the gate wiring is provided in the vicinity of the TFT portion. The reflection part is provided with a reflection electrode in each pixel, and the transmission part is provided with a transmission electrode in each pixel. The reflective electrode and the transmissive electrode constitute a pixel electrode of each pixel.
[0031]
First, a glass substrate is cleaned as an insulating substrate to clean the surface. As the insulating substrate, a transparent insulating substrate such as a glass substrate is used. The thickness of the insulating substrate may be arbitrary, but it is preferably 1.1 mm or less in order to reduce the thickness of the liquid crystal display device. If the insulating substrate is too thin, the substrate may be distorted due to various film formation and thermal history of the process, resulting in problems such as reduced patterning accuracy. Therefore, the thickness of the insulating substrate takes into account the process used. Need to choose. Further, when the insulating substrate is made of a brittle fracture material such as glass, it is preferable to chamfer the end surface of the substrate in order to prevent foreign matters from being mixed due to chipping from the end surface. In addition, it is preferable to provide a notch in a part of the insulating substrate so that the orientation of the substrate can be specified, because the direction of substrate processing in each process can be specified, thereby facilitating process management.
[0032]
Next, the first metal thin film 1 is formed by a method such as sputtering. As the first metal thin film 1, for example, a thin film having a thickness of about 100 nm to 500 nm made of any one of chromium, molybdenum, tantalum, titanium, aluminum, copper, and an alloy obtained by adding a trace amount of other substances to these is used. be able to. In the preferred embodiment, 200 nm thick chromium is used. A contact hole is formed on the first metal thin film 1 by dry etching in a process to be described later, and a conductive thin film is formed on the contact hole. The metal thin film is preferably used for the first metal thin film 1, and at least the surface is preferably made of chromium, titanium, tantalum, molybdenum, or the like. Further, as the first metal thin film 1, a metal thin film in which different kinds of metal thin films are laminated or a metal thin film having a different composition in the film thickness direction can also be used. Further, when a material containing aluminum is used as the first metal thin film 1, it is preferable that at least the surface is aluminum nitride having a specific resistance of about 10 to 1000 μΩ.
[0033]
Next, the first metal thin film 1 is patterned by a first photolithography process (photographic process) to form a gate electrode and a gate wiring, an auxiliary capacitance electrode and an auxiliary capacitance wiring, a gate terminal, and the like. Thereby, the structure shown in FIG. 1A is formed. In the photolithography process, after the TFT array substrate is washed, a photosensitive resist is applied and dried, then exposed through a mask pattern in which a predetermined pattern is formed, and developed to make a mask pattern on the TFT array substrate photolithography. This is performed by forming a resist to which the resist is transferred, heating and curing the photosensitive resist, etching, and peeling the photosensitive resist. If the wettability between the photosensitive resist and TFT array substrate is poor and the photosensitive resist repels, UV cleaning is performed before coating, or HMDS (hexamethyldisilazane) is used to improve wettability. Processes such as applying steam. Further, when the adhesion between the photosensitive resist and the TFT array substrate is poor and peeling occurs, the heat curing temperature is increased or the time is increased. Etching of the first metal thin film 1 is performed by wet etching using a known etchant (for example, when the first metal thin film 1 is made of chromium, an aqueous solution in which second ceric ammonium nitrate and nitric acid are mixed). It can be etched. The first metal thin film 1 is preferably etched so that the pattern edge has a tapered shape, in order to prevent a short circuit at a step with another wiring. Here, the taper shape means that the pattern edge is etched so that the cross section has a trapezoidal shape. In addition, although it has been shown that the gate electrode and the gate wiring, the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance wiring are formed in this step, various other marks and wirings necessary for manufacturing the TFT array substrate are formed.
[0034]
Next, the first insulating film 2, the semiconductor active film 3, and the ohmic contact film 4 are continuously formed by plasma CVD. As the first insulating film 2 serving as a gate insulating film, a SiNx film, a SiOy film, a SiOzNw film, or a laminated film thereof is used (x, y, z, and w are positive numbers). The film thickness of the first insulating film 2 is about 300 nm to 600 nm. When the film thickness is small, a short circuit is likely to occur at the intersection of the gate wiring and the source wiring, and it is preferable that the thickness be about the thickness of the first metal thin film 1. When the film thickness is large, the ON current of the TFT becomes small and the display characteristics are deteriorated. In a preferred embodiment, a first insulating film 2 is formed by forming a 300 nm SiN film and then forming a 100 nm SiN film.
[0035]
As the semiconductor active film 3, an amorphous silicon (a-Si) film or a polysilicon (p-Si) film is used. The film thickness of the semiconductor active film 3 is about 100 nm to 300 nm. When the film thickness is thin, the ohmic contact film 4 to be described later disappears during dry etching. When the film thickness is thick, the ON current of the TFT is reduced, so that the etching depth of the ohmic contact film 4 during dry etching is reduced. The film thickness is selected based on the controllability and the required ON current of the TFT. When an a-Si film is used as the semiconductor active film 3, the interface between the first insulating film 2 and the a-Si film is a SiNx film or a SiOzNw film. It is preferable in terms of controllability and reliability of Vth. When a p-Si film is used as the semiconductor active film 3, it is preferable that the interface between the first insulating film 2 and the p-Si film is a SiOy film or a SiOzNw film in terms of controllability and reliability of Vth of the TFT. When an a-Si film is used as the semiconductor active film 3, the vicinity of the interface with the first insulating film 2 is formed under a condition with a low film formation rate, and the upper layer is formed under a condition with a high film formation rate. It is more preferable that TFT characteristics with high mobility can be obtained in a short film formation time and that the leakage current when the TFT is turned off can be reduced. In a preferred embodiment, a 150 nm a-Si film is formed as the semiconductor active film 3.
[0036]
As the ohmic contact film 4, an na-Si film or an np-Si film obtained by doping a-Si with a small amount of phosphorus (P) is used. The thickness of the ohmic contact film 4 can be about 20 nm to 70 nm. These SiNx film, SiOy film, SiOzNw film, a-Si film, p-Si film, na-Si film, and np-Si film are formed of a known gas (SiH ₄ , NH _Three , H ₂ , NO ₂ , PH ₃ , N ₂ And a mixed gas thereof). In a preferred embodiment, a 30 nm na-Si film is deposited as the ohmic contact film 4.
[0037]
Next, the semiconductor active film 3 and the ohmic contact film 4 are patterned at least in a portion where the TFT portion is formed by a second photolithography process. As a result, the structure shown in FIG. 1B is formed. The first insulating film 2 remains throughout. The semiconductor active film 3 and the ohmic contact film 4 can be left by patterning and remaining in a portion where the source wiring, the gate wiring, and the auxiliary capacitance wiring cross in a plane in addition to the portion where the TFT portion is formed. It is more preferable that the withstand voltage becomes larger. Further, the semiconductor active film 3 and the ohmic contact film 4 in the TFT portion remain in a continuous shape up to the lower portion of the source wiring, so that the source electrode does not get over the step between the semiconductor active film 3 and the ohmic contact film 4 and the step portion This is preferable because disconnection of the source electrode is difficult to occur.
[0038]
Etching of the semiconductor active film 3 and the ohmic contact film 4 is performed by a known gas composition (for example, SF ₆ And O ₂ Mixed gas or CF _Four And O ₂ Can be dry-etched with a mixed gas).
[0039]
Next, a second metal thin film is formed by a method such as sputtering. As the second metal thin film, for example, chromium, molybdenum, tantalum, titanium, aluminum, copper, an alloy obtained by adding a small amount of other substances to these, or a laminated film thereof is used. Of course, the above-described materials may be laminated. In a preferred embodiment, chromium having a thickness of 200 nm is deposited.
[0040]
Next, patterning is performed so that the second metal thin film forms the source wiring, the source terminal, the source electrode 5 and the drain electrode 6 by a third photolithography process. Thereby, the structure shown in FIG. 1C is formed. The source electrode 5 is formed over a portion where the source wiring and the gate wiring intersect. The drain electrode 6 is formed over the reflection portion. Next, the ohmic contact film 4 is etched. By this process, the central portion of the ohmic contact film 4 in the TFT portion is removed, and the semiconductor active film 3 is exposed. The ohmic contact film 4 is etched by a known gas composition (for example, SF ₆ And O ₂ Mixed gas or CF _Four And O ₂ Can be dry-etched with a mixed gas).
[0041]
Next, the second insulating film 7 is formed by plasma CVD. An organic film 8 is formed thereon. The second insulating film 7 can be formed of the same material as that of the first insulating film 2. In a preferred embodiment, SiN having a thickness of 100 nm is used as the second insulating film 7. The organic film 8 is a known photosensitive organic film, and for example, J335 PC335 or PC405 is used. The organic film 8 is formed with a thickness of about 3.0 to 4.0 μm, preferably about 3.2 to 3.9 μm. Of course, other thicknesses may be used.
[0042]
Next, the organic film 8, the second insulating film 7, and the first insulating film 2 are patterned into the shape shown in FIG. 1D by a fourth photolithography process. In this step, the amount of light exposed to the organic film 8 is partially changed to form a recess 15 for providing a recess on the surface of the organic film 8 in the reflection portion. The concave portion 15 is formed in the reflection portion using two types of masks having different exposure areas. That is, two types of masks are used: a mask for forming the contact hole 12 and a mask for forming the recess 15. By changing the exposure amount in each mask, it is possible to form a pattern for forming the recess 15 and the contact hole 12 on the surface of the organic film 8 in one development process. Next, the contact hole 12 is formed by dry etching. A halftone mask may be used instead of the two types of masks. By providing irregularities on the surface of the organic film 8, the incident external light is scattered. Thereby, external light is scattered and a favorable display characteristic can be obtained.
[0043]
In the gate terminal portion, both the organic film 8 and the first insulating film 2 and the second insulating film 7 are removed to form the contact hole 12 that electrically connects the gate wiring and the drive signal source. 1 of the metal thin film 1 is exposed. In the source terminal portion, the organic film 8 and the second insulating film 7 are removed to form the contact hole 12 that electrically connects the source wiring and the drive signal source, and the second metal thin film is exposed. Between the TFT portion and the reflective portion, the organic film 8 and the second insulating film 7 are removed, and the drain electrode 6 is exposed. Furthermore, in the transmission part, both the organic film 8 and the first insulating film 2 and the second insulating film 7 are removed, and the first insulating substrate is exposed. The contact hole 12 can be formed by the same method as described above.
[0044]
Thereafter, in the present invention, the base metal thin film 13 is formed by a method such as sputtering. Here, as the base metal thin film 13, a thin film having a thickness of about 100 nm to 500 nm made of, for example, chromium, molybdenum, tantalum, titanium, aluminum, copper, or an alloy obtained by adding a trace amount of other substances to these is used. Can do. Of course, the above-described materials may be laminated. In the preferred embodiment, 100 nm thick chromium is used. The underlying metal thin film 13 is patterned by a fifth photolithography process. The underlying metal thin film 13 is formed so as to cover the upper part of the contact hole 12 as shown in FIG. If the first metal film 1, the source electrode 5, the drain electrode 6 and the like provided under the contact hole 12 are exposed, the first metal film 1, the source electrode 5 and the drain electrode 6 are formed during patterning. This is because they are dissolved in the etching solution. Note that the same method as described above can be used for etching. The underlying metal thin film 13 is in contact with and electrically connected to a gate terminal, a source terminal, a drain electrode, and the like below the contact hole 12.
[0045]
Next, the conductive thin film 9 is formed by a method such as sputtering. As the conductive thin film 9, ITO, SnO 2, IZO or the like which is a transparent conductive film can be used, and ITO is particularly preferable from the viewpoint of chemical stability. In a preferred embodiment, the conductive thin film 9 is made of ITO having a thickness of 80 nm. The ITO may be either crystallized ITO or amorphous ITO, but when amorphous ITO is used, it is necessary to heat and crystallize to a crystallization temperature of 180 ° C. or higher before forming the third metal thin film. .
[0046]
Next, the conductive thin film 9 is patterned into a shape of a pixel electrode or the like as shown in FIG. 1F by a sixth photolithography process. The conductive thin film 9 can be etched using known wet etching (for example, an aqueous solution in which hydrochloric acid and nitric acid are mixed when the conductive thin film 9 is made of crystallized ITO) depending on the material used. is there. When the conductive thin film 9 is ITO, etching by dry etching with a known gas composition (for example, HI, HBr) is also possible. In addition, although it has been shown that the transmissive electrode is formed in this step, the conductive thin film 9 of the transfer terminal portion for electrically connecting the counter substrate and the TFT array substrate using a resin containing conductive particles. The electrode etc. by are formed. In the case of amorphous ITO, patterning is performed with an aqueous solution in which a known oxalic acid is mixed before heating, as with crystallized ITO, after heating. In a preferred embodiment, amorphous ITO is deposited, etched with oxalic acid, and heated to 220-230 ° C. in air before the third metal thin film is deposited. The conductive thin film 9 provided in the transmission part is used for driving the liquid crystal. Further, since the conductive thin film 9 provided on the contact hole 12 in the gate terminal portion and the source terminal portion is in contact with the base metal thin film 13, it is electrically connected to the gate terminal, the source terminal, the drain electrode, and the like. It will be.
[0047]
Next, the metal thin films 10 and 11 constituting the third metal thin film are formed by a method such as sputtering. As the third metal thin films 10 and 11, for example, chromium, molybdenum, tantalum, titanium, aluminum, copper, silver, or an alloy obtained by adding a trace amount of other substances to these, or the like is about 100 nm to 500 nm. A thin film having a thickness can be used. Of course, the above-described materials may be laminated. The metal thin film 10 has an effect of preventing the metal thin film 11 from being cut off at a step such as a contact hole portion. If this step break is negligible, the metal thin film 10 may not be formed. In this case, the number of processes is reduced, and the cost can be reduced. In a preferred embodiment, after depositing chromium having a thickness of 100 nm, an alloy of aluminum and Cu having a thickness of 300 nm is deposited, and further chromium having a thickness of 100 nm is deposited. If the alloy of aluminum and Cu is exposed, corrosion of the ITO 9 proceeds during development in the next photographic process. To prevent this, chromium (not shown) is provided in the uppermost layer.
[0048]
Next, in the seventh photolithography process, the third metal thin films 10 and 11 and the uppermost chromium layer are patterned into the shape of the reflective electrode, and the uppermost chromium layer is removed by etching to form the reflective electrode. In the case where the metal film 10 is chromium, it is possible to etch simultaneously with the uppermost layer of chromium by peeling the resist after the etching of the metal thin film 11. The reflective electrode is formed in a state where a metal thin film 11 made of an alloy of aluminum and Cu is laminated on a metal thin film 10 made of chromium. The uppermost chromium layer is provided to prevent corrosion of the ITO 9, but is removed at this stage to increase the reflectivity. Since the 3rd metal thin film 11 is used as a reflective electrode, it is preferable that it is a material with a high reflectance. Therefore, in this embodiment, an alloy obtained by adding copper to aluminum having high electrical conductivity is used. The etching of the third metal thin film can be performed by wet etching using a known etchant. The third metal thin film 11 provided in the reflection part is used as a reflection electrode, and the liquid crystal is driven by the reflection electrode and the transmission electrode. Finally, the structure shown in FIG. 1G is formed.
[0049]
An alignment film is applied from above, and a TFT array substrate is manufactured by rubbing in a certain direction. The TFT array substrate manufactured in this way is bonded to the CF substrate arranged opposite to each other via a spacer, and liquid crystal is injected therebetween. A liquid crystal display device is manufactured by attaching the liquid crystal panel sandwiched between the liquid crystal layers to the backlight unit.
[0050]
In this embodiment, a part of the organic film 8 is removed by a photolithography process, and a part of the first insulating film 2 and the second insulating film 7 is removed by dry etching, whereby the contact hole 12 is formed. ing. And after providing the base metal thin film 13 so that the upper part of the contact hole 12 may be covered, the electroconductive thin films 9, such as ITO, are formed on it. As described above, the electrical connection between the first metal thin film 1 and the second metal thin film and the conductive thin film 9 in the contact hole 12 is performed through the base metal thin film 13, thereby allowing the resistivity in the contact hole 12 to be reduced. Can be prevented. Thereby, a favorable contact resistance can be obtained and the display quality of the liquid crystal display device can be improved.
[0051]
In general, the specific resistance of a metal thin film such as chromium is better than that of a transparent conductive film such as ITO. Therefore, by increasing the area of the portion where the base metal thin film 13 is provided, it is possible to reduce the resistance of wiring, terminals, electrodes, and the like. For example, the resistance of the pixel electrode (reflective electrode and transmissive electrode) can be reduced by forming the base metal thin film 13 in substantially the same size as the reflective electrode in the reflective portion of the display area. In this case, since the base metal thin film 13 has a pattern that is approximately the same size as the reflective electrode, a metal thin film that reflects light is not provided in the transmission part. Therefore, the transmission characteristics and reflection characteristics of the liquid crystal display device are not affected. In this way, the resistance of the pixel electrode can be reduced, and the display quality can be improved. The liquid crystal display device having such a configuration is suitable for a transflective liquid crystal display device. In addition, if the base metal thin film 13 is smaller than the pattern of the reflective electrode, the display characteristics are not affected.
In the conventional liquid crystal display device, when the contact hole 12 is enlarged to increase the contact area and reduce the contact resistance, the area for removing the organic film 8 increases. As a result, the convex and concave portions on the organic film 8 become small, and the scattering characteristics may be deteriorated. However, in this embodiment, even when the contact hole 12 is small, the resistance of the pixel electrode can be reduced by forming a large pattern of the base metal thin film 13. Therefore, even when the contact hole 12 is made small in order to prevent deterioration of the scattering characteristics, the contact resistance and the electrode resistance can be reduced.
[0052]
Furthermore, by increasing the area of the portion where the base metal layer 13 is provided, the resistance of the gate terminal, the gate wiring, the source terminal, the source wiring, and the like can be reduced. A structure for reducing the resistance of terminals and wirings will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a portion provided with a contact hole for electrically connecting the first metal wiring and the second metal wiring. 2A is a plan view, and FIG. 2B is a cross-sectional view. Since the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same configuration, the description thereof is omitted. Reference numeral 14 denotes a second metal thin film.
The first metal thin film 1 and the second metal thin film 14 may be connected in a region other than the display region. For example, in order to arrange the terminal at a place where it can be connected to an external drive circuit, the first metal thin film is formed and wirings to which different signals are applied are formed or the second metal thin film is different. It is necessary to cross wirings to which signals are applied. Alternatively, it is necessary to cross the wiring even in the vicinity of a terminal portion such as a COG substrate used for a mobile phone or the like. In order to cross the same wiring in this way, it is necessary to convert one of the metal wirings to another metal wiring. For this reason, it is necessary to connect the first metal wiring 1 and the second metal wiring 14. Details will be described below.
[0053]
Each layer of the configuration of FIG. 2 is formed by a manufacturing method similar to the above-described manufacturing method. As shown in FIG. 2A, the pattern of the base metal thin film 13 on the organic film 8 is approximately the same size as the pattern of the conductive thin film 9. In this way, when the first metal thin film 1 and the second metal thin film 14 are electrically connected, they are conventionally connected by the conductive thin film 9, but in this embodiment, a metal such as chromium having a high specific resistance. Connected with a thin film. For this reason, since the resistance between two or more contact holes can be reduced, the resistance of wiring and terminals can be lowered. Furthermore, since the conductive thin film 9 and the first metal thin film 1 or the second metal thin film 14 are electrically connected via the base metal thin film 13, the deterioration of the contact resistance is suppressed. Thus, by making the pattern of the base metal thin film 13 and the pattern of the conductive thin film 9 substantially the same size, it becomes possible to reduce the resistance of the wiring and terminals. The connection by the base metal thin film 13 can be used even when the first metal thin films 1 are electrically connected to each other or when the second metal thin films 14 are electrically connected to each other. In addition, when the base metal thin film 13 is not etched by the etching of the third metal thin films 10 and 11, the conductive thin film 9 on the base metal thin film 13 may not be formed.
[0054]
Thus, it is possible to make the pattern of the base metal thin film 13 and the pattern of the conductive thin film 9 substantially the same size by the fifth photolithography process. Therefore, it is possible to manufacture by a simple manufacturing process without increasing the photolithography process. Of course, the shape of the pattern of the underlying metal thin film 13 and the pattern of the conductive thin film 9 do not have to be substantially the same in all locations. For example, only the necessary locations excluding the TFT portion and the reflective portion are substantially the same size. That's fine.
[0055]
If the base metal thin film 13 and the third metal thin films 10 and 11 can be etched by the same etching process, the base metal thin film 13 can be formed in the same pattern shape as the conductive thin film 9 in the seventh photolithography process. It is. For example, when the base metal thin film 13 and the third metal thin film 10 are made of the same material, the base metal film 13 protruding from the conductive thin film 9 is etched in the step of etching the third metal thin film 10. That is, even if the pattern of the base metal thin film 13 is formed larger than the pattern of the conductive thin film 9 in the fifth photolithography process, the base metal thin film 13 is etched in the etching process of the seventh photolithography process, and the conductive thin film 9 and approximately the same size. Thus, the underlying metal thin film 13 can be patterned also in the seventh photolithography process.
[0056]
In the present embodiment, since the first metal thin film 1 or the second metal thin film and the conductive thin film 9 are electrically connected through the base metal thin film 13, the contact resistance can be reduced. Furthermore, by increasing the area of the base metal thin film 13, it is possible to reduce the resistance of the electrodes, terminals, and wiring. Thus, with a simple manufacturing method and a simple configuration, a liquid crystal display device with reduced resistance can be obtained, and display quality and productivity can be improved.
[0057]
Embodiment 2 of the Invention
In the first embodiment described above, in order to reduce the resistance, the pattern of the conductive thin film 9 and the pattern of the base metal thin film 13 are made to be approximately the same size as shown in FIG. However, depending on the material and film quality of the base metal thin film 13, the third metal thin films 10 and 11, the organic film 8 and the conductive thin film 9, the base metal thin film 13 is melted in the etching process of the seventh photolithography process. The applicant of this case has found that there is. When the base metal thin film 13 provided under the conductive thin film 9 is melted, a gap is generated between the conductive thin film 9 and the organic film 8. In the case of the configuration shown in FIG. 2, since the difference between the area of the base metal thin film 13 provided under the conductive thin film 9 and the area of the conductive thin film 9 is only the contact hole 12, This gap occurs in most parts. For this reason, the adhesion between the conductive thin film 9 and the underlying layer is reduced, and film peeling occurs.
[0058]
As described above, when the underlying metal thin film 13 formed to have approximately the same size as that of the conductive thin film 9 is melted, the adhesive force is lowered, and the conductive thin film 9 may be peeled off. However, the applicant of the present application has found that this film peeling is likely to occur when the organic metal film 8 is under the base metal thin film 13. Based on this finding, the present inventors have found a configuration that effectively suppresses film peeling. A configuration for preventing this film peeling will be described with reference to FIG.
[0059]
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a portion provided with a contact hole for electrically connecting the first metal wiring 1 and the second metal wiring 14 and is the same as FIG. FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view. The same reference numerals as those in FIG. 1 and FIG. Further, since the manufacturing method is the same as the method described in the first embodiment, the description thereof is omitted.
[0060]
In the present embodiment, the base metal thin film 13 is provided with approximately the same size as the upper part of the contact hole 12 in order to avoid film peeling. Therefore, the conductive thin film 9 such as ITO is directly formed on the organic film 8 without using the base metal thin film 13. Therefore, in the etching process of the third metal thin film 10, most of the conductive thin film 9 is not affected by the etching solution. The underlying metal thin film 13 provided on the contact hole 12 is not easily dissolved because the underlying layer is not the organic layer 7. Even if it melts, since the proportion of the conductive thin film 9 in the pattern is small, it is possible to suppress a decrease in adhesion. Therefore, film peeling of the conductive thin film 9 such as ITO can be prevented.
[0061]
In order to form the base metal thin film 13 having the same size as that of the contact hole 12, exposure is performed with the same size as that of the contact hole 12 in the fifth photolithography process. However, it is necessary to consider misalignment and etching shape during exposure. That is, there may be a case where the actual pattern shape deviates from the exposed region due to the positional deviation of the substrate at the time of exposure or the etching shape of the underlying metal thin film 13. If the exposure is performed in exactly the same size as the contact hole 12, the contact hole 12 and the first metal thin film 1 or the second metal thin film 14 under the contact hole 12 are exposed when the deviation occurs, and the etching solution contains the first 1 metal thin film or the like may be melted.
[0062]
In the present embodiment, the design exposure is performed so that the pattern of the base metal thin film 13 covers a region about 5 μm larger than the contact hole 12. This 5 μm is the maximum deviation amount in the process between the design exposure area and the actual pattern shape. Even if there is a process deviation, the contact hole 12 is completely removed even if a process deviation occurs by making the region larger than the contact hole 12 by the minimum value 5 μm allowed in the process margin as the pattern region of the base metal thin film 13 in the design. It is possible to form the base metal thin film 13 so as to cover it.
In this way, the contact hole 12 and the base metal thin film 13 can be formed to have substantially the same size and the contact hole 12 is covered with the base metal thin film 13. Thereby, the fall of adhesive force can be suppressed and film | membrane peeling of electroconductive thin films, such as ITO, can be prevented. In order to prevent film peeling, it is desirable to form the base metal thin film 13 so as to cover the contact hole 12 and to make the size of the base metal thin film 13 as small as possible. The size of the design exposure area is not limited to the above-mentioned value. In the case of using a film quality and material that does not cause film peeling, the conductive thin film 9 and the base metal thin film 13 are set to have substantially the same size as shown in FIG. It is desirable.
[0063]
Other embodiments.
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, chromium is used for the first metal thin film 1, the second metal thin film, and the base metal thin film 13, but other materials may be used. Furthermore, the organic film 8, the first insulating film 2, the second insulating film 7, and the conductive thin film 9 can be made of known materials as well. The first metal thin film 1, the second metal thin film, and the base metal thin film 13 may be formed of different materials. Furthermore, the numerical values such as the film thickness shown in the embodiment are examples, and it is possible to manufacture with other values. The present invention is preferably used for a mobile phone, a PDA, and an in-vehicle transflective liquid crystal display device. Further, the present invention is not limited to a transflective liquid crystal display device, and can be used for a transmissive liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device.
[0064]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the liquid crystal display device with which resistance, such as wiring, was reduced, and its manufacturing method can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a configuration diagram showing a configuration of a terminal portion of the liquid crystal display device according to the first exemplary embodiment of the present invention;
FIG. 3 shows an embodiment of the present invention. 2 It is a block diagram which shows the structure of the terminal part of the liquid crystal display device concerning.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a conventional method for manufacturing a liquid crystal display device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st metal thin film 2 1st insulating film
3 Semiconductor active film 4 Ohmic contact film
5 Source electrode 6 Drain electrode
7 Second insulating film 8 Organic film
9 Conductive thin film 10, 11 Third metal thin film
12 contact holes, 13 underlying metal thin film,
14 Second metal thin film, 15 recess

Claims

A liquid crystal display device comprising a pair of substrates disposed opposite to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, wherein pixels are provided in a display region,
A first conductive film provided on one of the pair of substrates;
An insulating film provided on the first conductive film;
A contact hole provided by removing a part of the insulating film;
A second conductive film provided to cover the contact hole and electrically connected to the first conductive film;
A transparent conductive film provided on the second conductive film and electrically connected to the second conductive film; and a reflective electrode provided on the transparent conductive film,
The liquid crystal display device, wherein the size of the second conductive film in the display region is substantially the same as that of the reflective electrode.

An organic layer formed under the second conductive film;
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the contact hole is formed by removing a part of the insulating film and a part of the organic film.

3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second conductive film has substantially the same size as an upper portion of the contact hole outside the display region.

3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second conductive film has substantially the same size as the transparent conductive film outside the display region.

5. The second conductive film is substantially the same size as the transparent conductive film at a location where the transparent conductive film covers two or more contact holes outside the display region. The liquid crystal display device described.

The first conductive film and a wiring of a layer different from the first conductive film are connected by the transparent conductive film at a location where the transparent conductive film covers two or more contact holes. The liquid crystal display device according to claim 5.

A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a pair of substrates disposed opposite to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, wherein pixels are provided in a display region,
Forming a first conductive film on one of the pair of substrates;
Forming an insulating film on the first conductive film;
Removing a part of the insulating film to form a contact hole;
Forming a second conductive film so as to cover the contact hole;
Providing a transparent conductive film electrically connected to the second conductive film on the second conductive film;
Forming a reflective electrode on the transparent conductive film,
In the display region, the size of the second conductive film is substantially the same as that of the reflective electrode.

Forming an organic layer on the insulating film;
8. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 7, wherein in the step of forming the contact hole, the contact hole is formed by removing a part of the insulating film and the organic film.

9. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 7, wherein a part of the insulating film or a part of the organic film is removed by dry etching in the step of forming the contact hole.

9. The step of forming the second conductive film, wherein the second conductive film is patterned to have substantially the same size as the upper part of the contact hole outside the display region. Or 9. The liquid crystal display device according to 9.

9. The step of forming the second conductive film, wherein the second conductive film is patterned with substantially the same size as the transparent conductive film outside the display region. 10. A method for producing a liquid crystal display device according to 9.

In the step of forming the second conductive film, the second conductive film is substantially the same as the transparent conductive film at a location outside the display region where the transparent conductive film covers two or more contact holes. 12. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the patterning is performed in a size.