JP3513409B2 - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents
Liquid crystal display device and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ワードプロセッサ
やパーソナルコンピューターなどのＯＡ機器や、電子手
帳などの携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えた
カメラ一体型ＶＴＲなどに用いられる液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device used for OA devices such as word processors and personal computers, portable information devices such as electronic notebooks, and camera-integrated VTRs equipped with a liquid crystal monitor, and a manufacturing method thereof. Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、薄型で低消費電
力であるという特徴を生かして、ワードプロセッサやパ
ーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、スチル
カメラ、車載モニター、携帯ＯＡ機器、携帯ゲーム機な
どに広く用いられている。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been utilized in word processors, personal computers, televisions, video cameras, still cameras, in-vehicle monitors, portable office automation equipment, portable game consoles, etc., by taking advantage of their thinness and low power consumption. Widely used.
【０００３】このような液晶表示装置には、画素電極に
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透
明電極を用いた透過型の液晶表示装置と、画素電極に金
属などの反射電極を用いた反射型の液晶表示装置とがあ
る。In such a liquid crystal display device, a transmissive liquid crystal display device in which a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is used for a pixel electrode, and a reflective type liquid crystal display device in which a reflective electrode such as a metal is used for the pixel electrode. There are liquid crystal display devices.
【０００４】本来、液晶表示装置はＣＲＴ（ブラウン
管）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などとは異な
り、自ら発光する自発光型の表示装置ではないため、透
過型の液晶表示装置の場合には、液晶表示装置の背後に
蛍光管などの照明装置、所謂バックライトを配置して、
そこから入射される光によって表示を行っている。ま
た、反射型の液晶表示装置の場合には、外部からの入射
光を反射電極によって反射させることによって表示を行
っている。Originally, a liquid crystal display device is not a self-luminous display device which emits light by itself unlike a CRT (CRT) or EL (electroluminescence). Therefore, in the case of a transmissive liquid crystal display device, a liquid crystal display device is used. Arrange a lighting device such as a fluorescent tube, a so-called backlight, behind the device,
Display is performed by the light incident from there. Further, in the case of a reflective liquid crystal display device, display is performed by reflecting incident light from the outside with a reflective electrode.
【０００５】ここで、透過型の液晶表示装置の場合は、
上述のようにバックライトを用いて表示を行うために、
周囲の明るさにさほど影響されることなく、明るくて高
コントラストを有する表示を行うことができるという利
点を有しているものの、通常バックライトは液晶表示装
置の全消費電力のうち５０％以上を消費することから、
消費電力が大きくなってしまうという問題も有してい
る。Here, in the case of a transmissive liquid crystal display device,
In order to display using the backlight as described above,
Although it has the advantage of being able to perform a bright and high-contrast display without being significantly affected by the ambient brightness, a backlight normally consumes 50% or more of the total power consumption of a liquid crystal display device. From consuming,
There is also a problem that power consumption increases.
【０００６】また、反射型の液晶表示装置の場合は、上
述のようにバックライトを使用しないために、消費電力
を極めて小さくすることができるという利点を有してい
るものの、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条
件によって表示の明るさやコントラストが左右されてし
まうという問題も有している。Further, in the case of the reflection type liquid crystal display device, since the backlight is not used as described above, there is an advantage that the power consumption can be made extremely small, but the ambient brightness etc. There is also a problem that the brightness and contrast of the display are affected by the usage environment or usage conditions.
【０００７】このように、反射型の液晶表示装置におい
ては、周囲の明るさなどの使用環境、特に外光が暗い場
合には視認性が極端に低下するという欠点を有してお
り、また、一方の透過型の液晶表示装置においても、こ
れとは逆に外光が非常に明るい場合、例えば晴天下など
での視認性が低下してしまうというような問題を有して
いた。As described above, the reflection type liquid crystal display device has a drawback that the visibility is extremely deteriorated in a use environment such as ambient brightness, especially when the external light is dark. On the other hand, the transmissive liquid crystal display device, on the other hand, has a problem in that when external light is extremely bright, the visibility is deteriorated, for example, in fine weather.
【０００８】こうした問題点を解決するための手段とし
て、反射型と透過型との両方の機能を合わせ持った液晶
表示装置が、例えば特願平９−２０１１７６号などによ
り提案されている。この特許出願により提案された液晶
表示装置は、１つの表示画素に外光を反射する反射部と
バックライトからの光を透過する透過部とを作り込むこ
とにより、周囲が真っ暗の場合には、バックライトから
の透過部を透過する光を利用して表示を行なう透過型液
晶表示装置として、また、外光が暗い場合には、バック
ライトからの透過部を透過する光と光反射率の比較的高
い膜により形成した反射部により反射する光との両方を
利用して表示を行う両用型液晶表示装置として、さら
に、外光が明るい場合には、光反射率の比較的高い膜に
より形成した反射部により反射する光を利用して表示を
行う反射型液晶表示装置として用いることができるとい
うような構成の反射透過両用型の液晶表示装置である。As a means for solving these problems, a liquid crystal display device having both reflective and transmissive functions has been proposed, for example, in Japanese Patent Application No. 9-201176. The liquid crystal display device proposed by this patent application has a structure in which one display pixel is provided with a reflection portion that reflects external light and a transmission portion that transmits light from the backlight. As a transmissive liquid crystal display device that uses the light transmitted through the transmissive part from the backlight for display, and when external light is dark, compares the light transmitted through the transmissive part from the backlight with the light reflectance. As a dual-purpose liquid crystal display device that performs display by using both light reflected by a reflecting portion formed by a relatively high film, and further formed by a film having a relatively high light reflectance when external light is bright. A reflective / transmissive liquid crystal display device having a configuration such that it can be used as a reflective liquid crystal display device that performs display using light reflected by a reflecting portion.
【０００９】このような構成の液晶表示装置は、外光の
明るさに関わらず、常に視認性が優れた液晶表示装置の
提供を可能にしたものであるが、透過型と反射型との両
方で明るく色純度の高いカラー表示を実現するために
は、あらゆる角度からの入射光に対し、表示画面に垂直
な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。そ
のためには、最適な反射特性を有する反射板を作製する
ことが必要であり、ガラスなどからなる基板の表面に、
最適な反射特性を有するために制御された凹凸を形成
し、その上に、金属膜などからなる薄膜を形成した反射
板を形成する必要がある。The liquid crystal display device having such a structure makes it possible to provide a liquid crystal display device which is always excellent in visibility regardless of the brightness of external light. In order to realize a bright, high-purity color display, it is necessary to increase the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles. For that purpose, it is necessary to produce a reflector having optimum reflection characteristics, and on the surface of the substrate made of glass,
It is necessary to form controlled unevenness to have an optimum reflection characteristic, and to form a reflection plate on which a thin film made of a metal film or the like is formed.
【００１０】実施されている方法としては、例えば、基
板上に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列され
た遮光手段を介して感光性樹脂を露光および現像した後
に熱処理を行うことにより、複数の凸部を形成する。そ
して、この凸部の上に凸部の形状に沿って絶縁体保護膜
を形成し、その絶縁体保護膜上に金属薄膜からなる反射
板を形成する方法である。As a practiced method, for example, by applying a photosensitive resin on a substrate, exposing and developing the photosensitive resin through a light-shielding means in which circular light-shielding regions are arranged, and then performing heat treatment. , Forming a plurality of convex portions. Then, an insulator protection film is formed on the protrusion along the shape of the protrusion, and a reflector made of a metal thin film is formed on the insulator protection film.
【００１１】また、反射板を基板の外側（液晶層とは反
対側）に形成することで問題となるガラス厚みの影響に
よる二重映りの発生は、反射板を基板の内部に形成して
画素電極と兼ねる構造、つまり反射電極とすることで解
決している。The double reflection due to the influence of the glass thickness, which is a problem when the reflector is formed outside the substrate (on the side opposite to the liquid crystal layer), is caused by forming the reflector inside the substrate. The problem is solved by using a structure that doubles as an electrode, that is, a reflective electrode.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
反射光を利用して表示を行う液晶表示装置においては、
反射電極としては反射率が高い材料で構成することが好
ましいのは勿論であり、その意味からはＡｇが最適であ
るが、ＡｇはＳｉ層への拡散率が高い材料であるため、
下地への拡散および反応の問題が大きい。In the liquid crystal display device for displaying by utilizing the conventional reflected light as described above,
Of course, it is preferable that the reflective electrode is made of a material having a high reflectance, and Ag is optimal in that sense, but since Ag has a high diffusivity into the Si layer,
The problems of diffusion and reaction to the base are large.
【００１３】これに対して、Ａｌは下地への拡散および
反応の可能性が小さく、また、集積回路におけるメタラ
イゼーションに広く用いられ、エッチング条件などの特
性も良いことから反射電極にはＡｌが用いられることが
多い。そして、この様なＡｌによる反射電極膜をエッチ
ングして反射電極を形成する場合には、硝酸＋酢酸＋リ
ン酸＋水からなるエッチング液をエッチャントとするウ
ェットエッチング法が適用されている。On the other hand, Al has little possibility of diffusion and reaction to the underlayer, is widely used for metallization in integrated circuits, and has good characteristics such as etching conditions. Therefore, Al is used for the reflective electrode. It is often done. When the reflective electrode film made of such Al is etched to form the reflective electrode, a wet etching method using an etchant composed of nitric acid + acetic acid + phosphoric acid + water as an etchant is applied.
【００１４】また、上述した従来の技術における透明な
電極部分などにはＩＴＯが多く用いられており、このと
きのフォトリソグラフィー技術で使用されるフォトレジ
スト（レジスト）を除去するためには、アミン系の剥離
液が使用されている。Further, ITO is often used for the transparent electrode portion and the like in the above-mentioned conventional technique, and in order to remove the photoresist (resist) used in the photolithography technique at this time, an amine type is used. Stripper is used.
【００１５】ここで、上述したような反射透過両用型の
液晶表示装置における透明電極と反射電極との境界領域
について、図面を用いて簡単に説明する。図９および図
１０は、従来の液晶表示装置の画素部分における透明電
極と反射電極との境界領域を示した断面図である。Here, the boundary area between the transparent electrode and the reflective electrode in the reflective / transmissive liquid crystal display device as described above will be briefly described with reference to the drawings. 9 and 10 are cross-sectional views showing a boundary region between a transparent electrode and a reflective electrode in a pixel portion of a conventional liquid crystal display device.
【００１６】この従来の液晶表示装置の画素部分におけ
る透明電極と反射電極との境界領域は、図９に示すよう
に、基板１上に形成された透明電極であるＩＴＯ２と反
射電極であるＡｌ４とが電気的に接触した状態となって
いるか、または、図１０に示すように、透明電極である
ＩＴＯ２と反射電極であるＡｌ４とがさらに他の金属膜
５（例えば、Ｍｏ：モリブデンなど）を介して電気的に
接触した状態となっているのが一般的である。As shown in FIG. 9, the boundary area between the transparent electrode and the reflective electrode in the pixel portion of this conventional liquid crystal display device is composed of the transparent electrode ITO2 and the reflective electrode Al4 formed on the substrate 1, as shown in FIG. Are in electrical contact with each other, or, as shown in FIG. 10, ITO2, which is a transparent electrode, and Al4, which is a reflective electrode, further interpose another metal film 5 (for example, Mo: molybdenum). In general, they are in electrical contact with each other.
【００１７】しかしながら、上述したようにＩＴＯとＡ
ｌとが電気的に接続してしまうと、以下に示すような問
題が生じてしまうことが分かった。However, as described above, ITO and A
It has been found that the following problems will occur when electrically connected to l.
【００１８】それは、反射電極を形成する際のレジスト
を除去するためのアミン系剥離液→水洗という処理工程
の水洗工程において、ＩＴＯとＡｌとの間に生じる電食
反応である。この電食反応は、剥離槽において基板に付
着したアミン系の剥離液が、水洗槽で水と混ざることに
よってアルカリ性が強くなるために生じる反応である。
すなわち、ＩＴＯとＡｌとが隣接または接触した状態で
アルカリ性溶液の中に浸けられた状態になるためであ
り、その結果、反射電極であるＡｌや透明電極であるＩ
ＴＯ２の表面が腐食されたり（電食）、透明電極である
ＩＴＯ２が還元されて黒化してしまうという問題が生じ
てしまう。It is an electrolytic corrosion reaction that occurs between ITO and Al in the washing step of the amine-based stripping solution for removing the resist when forming the reflective electrode and the washing step. This electrolytic corrosion reaction is a reaction that occurs because the amine-based stripping solution that has adhered to the substrate in the stripping tank becomes more alkaline as it mixes with water in the washing bath.
That is, it is because the ITO and Al are soaked in the alkaline solution that they are adjacent to or in contact with each other, and as a result, Al that is the reflective electrode and I that is the transparent electrode.
There arises a problem that the surface of TO2 is corroded (electrolytic corrosion) or ITO2, which is a transparent electrode, is reduced and blackened.
【００１９】このように、従来の液晶表示装置では、画
素部分における透明電極と反射電極との境界領域におい
てＩＴＯとＡｌとが腐食、溶解されてしまい、この電食
反応により液晶表示装置の製造歩留まりを大幅に低下さ
せてしまうという問題を有していた。As described above, in the conventional liquid crystal display device, ITO and Al are corroded and dissolved in the boundary region between the transparent electrode and the reflective electrode in the pixel portion, and this electrolytic corrosion reaction causes the manufacturing yield of the liquid crystal display device. It has a problem that it significantly decreases.
【００２０】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、その目的とするところは、反
射透過両用型の液晶表示装置の画素部分における透明電
極と反射電極との電食反応を防止することにより製造歩
留まりを容易に向上させることができる反射透過両用型
の液晶表示装置およびその製造方法を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above conventional problems, and an object thereof is to provide a transparent electrode and a reflective electrode in a pixel portion of a reflective / transmissive liquid crystal display device. It is an object of the present invention to provide a reflective / transmissive liquid crystal display device capable of easily improving the manufacturing yield by preventing an electrolytic corrosion reaction, and a manufacturing method thereof.
【００２１】[0021]
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ための本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟んで互いに
対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上
に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過す
る透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されて
なる液晶表示装置において、前記反射部と透過部とはそ
れぞれ電極材料により構成されてなり、これらの電極材
料は互いの境界領域において層間膜を介して一部または
全部を重畳して形成されていることを特徴としている。A liquid crystal display device of the present invention for achieving the above-mentioned object comprises a substrate on one side of a pair of substrates arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. In a liquid crystal display device in which a pixel electrode is formed in which a reflective portion that reflects external light and a transmissive portion that transmits light from a back light source are formed in one pixel, the reflective portion and the transmissive portion are made of an electrode material. It is characterized in that these electrode materials are formed so as to partially or entirely overlap with each other in the boundary region with the interlayer film interposed therebetween.
【００２２】即ち、本発明の液晶表示装置によれば、透
過部と反射部との境界領域において、透過部を構成する
電極材料と反射部を構成する電極材料とが互いに接触し
た状態または他の金属膜等を介して電気的に接続した状
態とならないように、それらの間に層間膜を介した構造
としていることにより、電極材料の電食による腐食や還
元による黒化の問題を解決している。これは、層間膜を
介した構造としていることで透過部を構成する電極材料
と反射部を構成する電極材料との間の電気抵抗が高くな
り、電解溶液中に浸した場合においても電食や還元を起
こりにくくすることが可能となっている。That is, according to the liquid crystal display device of the present invention, in the boundary region between the transmissive part and the reflective part, the electrode material forming the transmissive part and the electrode material forming the reflective part are in contact with each other or other The structure that an interlayer film is interposed between them so that they are not electrically connected via a metal film, etc., solves the problems of corrosion due to electrolytic corrosion of electrode materials and blackening due to reduction. There is. This is because the structure through the interlayer film increases the electrical resistance between the electrode material forming the transmissive part and the electrode material forming the reflective part, and even when immersed in an electrolytic solution, electrolytic corrosion or It is possible to make reduction less likely to occur.
【００２３】また、上述した目的を達成するための本発
明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに
対向して配置される一対の基板のうちの一方側の基板上
に、外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過す
る透過部とを１画素内に構成する画素電極が形成されて
なる液晶表示装置の製造方法において、前記少なくとも
透過部を構成する領域を含む一方側の基板上に、透明電
極材料をパターニングして形成する工程と、前記少なく
とも反射部を構成する領域を含む前記透明電極上に、層
間膜をパターニングして形成する工程と、前記層間膜上
の反射部を構成する領域に、反射電極材料をパターニン
グして形成する工程と、を有することを特徴としてい
る。Further, in the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention for achieving the above-mentioned object, the method for manufacturing a liquid crystal display device comprises: A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a pixel electrode having a reflecting portion for reflecting light and a transmitting portion for transmitting light from a back light source in one pixel; A step of patterning and forming a transparent electrode material on one side of the substrate; a step of patterning and forming an interlayer film on the transparent electrode including at least the region forming the reflection part; And a step of forming a reflective electrode material by patterning the reflective electrode material in a region constituting the reflective portion.
【００２４】即ち、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よれば、透過部と反射部との境界領域において、層間膜
や電極材料のパターニングの際にフォトマスクなどの位
置合わせずれが発生しても、層間膜上に反射電極材料を
形成していることにより、透過部を構成する電極材料と
反射部を構成する電極材料とが層間膜を介した状態で、
アミン系剥離液→水洗などのレジストを除去する工程を
経ることになるので、電解溶液中に浸した場合において
も電食や還元による問題を起こりにくくすることが可能
となっている。That is, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, in the boundary region between the transmissive portion and the reflective portion, misalignment of the photomask or the like occurs when patterning the interlayer film or the electrode material. Also, since the reflective electrode material is formed on the interlayer film, the electrode material forming the transmissive part and the electrode material forming the reflective part are in a state of interposing the interlayer film,
Since a step of removing the resist such as amine-based stripping solution → water washing is performed, it is possible to prevent problems due to electrolytic corrosion and reduction even when immersed in an electrolytic solution.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明に
おける実施の形態１について図面に基づいて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (Embodiment 1) Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２６】図１は、本実施の形態１における液晶表示
装置の画素部分の構成を示した断面図であり、図２
（ａ）〜（ｄ）および図３（ｅ）〜（ｈ）は、本実施の
形態１における液晶表示装置の画素部分における透過部
と反射部とのプロセスを示した断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a pixel portion of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
FIGS. 3A to 3D and FIGS. 3E to 3H are cross-sectional views showing processes of the transmissive portion and the reflective portion in the pixel portion of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
【００２７】本実施の形態１における液晶表示装置の画
素部分を構成する透過部および反射部においては、ま
ず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板１上にベース
コート膜としてＴａ2Ｏ5、Ｓｉ０2などの絶縁膜を形成
し（図示せず）、その後、絶縁性基板１に、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｔａなどからなる金属薄膜をスパッタリング法にて
作成し、パターニングしてゲート電極８を形成する。In the transmissive portion and the reflective portion which constitute the pixel portion of the liquid crystal display device according to the first embodiment, first, as shown in FIG. 2A, Ta 2 O as a base coat film is formed on the insulating substrate 1. 5 , an insulating film such as SiO 2 is formed (not shown), and then Al, M is formed on the insulating substrate 1.
A metal thin film made of o, Ta or the like is formed by a sputtering method and patterned to form the gate electrode 8.
【００２８】次に、上述したゲート電極８を覆って絶縁
性基板１上にゲート絶縁膜１０を積層する。本実施の形
態１では、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ膜を３０００
Å積層してゲート絶縁膜１０とした。なお、絶縁性を高
めるために、ゲート電極８を陽極酸化して、この陽極酸
化膜を第１のゲート絶縁膜９とし、ＳｉＮなどの絶縁膜
１０をＣＶＤ法により形成して、第２の絶縁膜１０とし
てもよい。Next, a gate insulating film 10 is laminated on the insulating substrate 1 so as to cover the gate electrode 8 described above. In the first embodiment, the SiNx film is formed in 3000 by the P-CVD method.
Å The layers were laminated to form the gate insulating film 10. In order to improve the insulating property, the gate electrode 8 is anodized, the anodized film is used as the first gate insulating film 9, and the insulating film 10 such as SiN is formed by the CVD method to form the second insulating film. The film 10 may be used.
【００２９】次に、チャネル層１１（アモルファスＳ
ｉ）と電極コンタクト層１２（リン等の不純物をドーピ
ングしたアモルファスＳｉまたは微結晶Ｓｉ）とをゲー
ト絶縁膜１０上に連続してＣＶＤ法により、それぞれ１
５００Åと５００Å積層し、電極コンタクト層１２とチ
ャネル層１１との両Ｓｉ膜をＨＣｌ＋ＳＦ6混合ガスに
よるドライエッチング法などによりパターニングして形
成する。Next, the channel layer 11 (amorphous S
i) and the electrode contact layer 12 (amorphous Si or microcrystalline Si doped with impurities such as phosphorus) are continuously formed on the gate insulating film 10 by the CVD method to form 1
500 Å and 500 Å are laminated, and both Si films of the electrode contact layer 12 and the channel layer 11 are formed by patterning by a dry etching method using HCl + SF 6 mixed gas.
【００３０】その後、図２（ｂ）に示すように、スパッ
タリング法により透過部を構成する電極材料として透明
導電膜（ＩＴＯ）２、１３を１５００Å積層し、続い
て、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ膜等の金属薄膜１４、１５を積層
する。そして、これらをパターニングすることにより、
ソース電極１３、１４並びにドレイン電極２、１５を形
成する。After that, as shown in FIG. 2B, 1500 Å of transparent conductive films (ITO) 2 and 13 are laminated as an electrode material for forming the transmission part by a sputtering method, and subsequently, Al, Mo, Ta films, etc. are laminated. The metal thin films 14 and 15 are laminated. And by patterning these,
The source electrodes 13 and 14 and the drain electrodes 2 and 15 are formed.
【００３１】次に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＮな
どの絶縁膜をＣＶＤ法にて３０００Å積層した後、パタ
ーニングして層間膜７を形成する。Next, as shown in FIG. 2C, an insulating film of SiN or the like is laminated by a CVD method for 3000 Å and then patterned to form an interlayer film 7.
【００３２】次に、図２（ｄ）に示すように、この層間
膜７上に感光性樹脂膜３を塗布し、この感光性樹脂３を
露光および現像した後に熱処理を行なうことにより、複
数の凹凸部、コンタクト部、透過部を形成する。Next, as shown in FIG. 2D, a photosensitive resin film 3 is applied on the interlayer film 7, the photosensitive resin 3 is exposed and developed, and then heat treatment is performed to obtain a plurality of layers. The uneven portion, the contact portion, and the transmission portion are formed.
【００３３】次に、図３（ｅ）に示すように、層間膜７
および感光性樹脂３を含む基板１上に、反射部を構成す
る電極材料としてＡｌ／Ｍｏ膜４、５をスパッタリング
法により１０００／５００Åの膜厚により成膜する。Next, as shown in FIG. 3E, the interlayer film 7
On the substrate 1 containing the photosensitive resin 3 and the Al / Mo films 4 and 5 as electrode materials forming the reflection portion, a film thickness of 1000 / 500Å is formed by a sputtering method.
【００３４】そして、図３（ｆ）に示すように、反射部
を構成する電極材料上に、フォトリソグラフィー工程を
用いて所定の形状にフォトレジスト１６を形成する。こ
のとき、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反
射部を構成する電極材料であるＡｌ４との間にはＭｏ５
が存在しているので、フォトレジスト１６の現像時にＡ
ｌ４の膜欠陥部から電解質溶液がしみ込んでも、このＭ
ｏ５がバリアメタルとして機能するため電食反応が起こ
ることはない。Then, as shown in FIG. 3F, a photoresist 16 having a predetermined shape is formed on the electrode material forming the reflection portion by using a photolithography process. At this time, Mo5 is provided between ITO2, which is the electrode material forming the transmissive portion, and Al4, which is the electrode material forming the reflecting portion.
Is present in the photoresist 16 during development of the photoresist 16.
Even if the electrolyte solution permeates from the membrane defect part of 14
Since o5 functions as a barrier metal, no electrolytic corrosion reaction occurs.
【００３５】また、このとき、次の工程で反射部を構成
する電極材料をパターニングする際に、透過部と反射部
との境界領域におけるＩＴＯ２とＡｌ４／Ｍｏ５とが直
接接触しないようにする必要がある。すなわち、図１の
断面図に示すように、層間膜７と反射電極４との位置合
わせずれを考慮して、透過部を構成する電極材料と反射
部を構成する電極材料との境界領域における前記フォト
レジスト１６の端部が、前記層間膜７の端部よりも反射
部側になるよう前記フォトレジスト１６を露光現像す
る。At this time, it is necessary to prevent the ITO2 and Al4 / Mo5 in the boundary region between the transmissive part and the reflective part from directly contacting each other when patterning the electrode material forming the reflective part in the next step. is there. That is, as shown in the cross-sectional view of FIG. 1, in consideration of the misalignment between the interlayer film 7 and the reflective electrode 4, in the boundary region between the electrode material forming the transmissive part and the electrode material forming the reflective part, The photoresist 16 is exposed and developed so that the end portion of the photoresist 16 is closer to the reflection portion side than the end portion of the interlayer film 7.
【００３６】次に、図３（ｇ）に示すように、硝酸＋酢
酸＋リン酸＋水からなるエッチャントを使用して、反射
部を構成する電極材料であるＡｌ／Ｍｏを同時にエッチ
ングして反射電極を形成する。Next, as shown in FIG. 3G, an etchant composed of nitric acid + acetic acid + phosphoric acid + water was used to simultaneously etch Al / Mo, which is an electrode material forming the reflecting portion, to reflect the same. Form electrodes.
【００３７】最後に、図３（ｈ）に示すように、フォト
リソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を
バッチ式の剥離装置を用いて除去することで、本実施の
形態１における液晶表示装置の画素部分は完成する。Finally, as shown in FIG. 3 (h), the photoresist 16 formed by photolithography is removed by using a batch type peeling device, whereby the pixel of the liquid crystal display device according to the first embodiment is removed. The part is completed.
【００３８】ここで、前記フォトリソグラフィーにより
形成されたフォトレジスト１６を除去するために用いた
バッチ式の剥離装置について図４を用いて説明する。図
４（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態１におけるバッチ式
のフォトレジスト１６の剥離工程を示した概略図であ
る。Here, a batch type peeling apparatus used for removing the photoresist 16 formed by the photolithography will be described with reference to FIG. 4A to 4C are schematic diagrams showing the stripping process of the batch type photoresist 16 in the first embodiment.
【００３９】図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、上述し
たような工程を経た基板２０は、アミンとしてＭＥＡ
（モノエタノールアミン）を６０ｗｔ％含有する剥離液
２１に浸けられ、その後、基板２０表面の剥離液２１を
取り除くために水２２に浸けられて水洗される。この
時、図４（ｂ）に示すような基板２０が剥離槽から水洗
槽へ搬送される過程においては、基板２０表面には剥離
液２１が付着した状態となっており、この基板２０を水
洗槽に浸けることにより、基板２０表面でＭＥＡ２１と
水２２とが混ざりアルカリ性が強くなる。As shown in FIGS. 4 (a) to 4 (c), the substrate 20 that has undergone the above-mentioned steps is treated with MEA as an amine.
It is dipped in a stripping solution 21 containing 60 wt% of (monoethanolamine), and thereafter, is dipped in water 22 to remove the stripping solution 21 on the surface of the substrate 20 and washed with water. At this time, in the process in which the substrate 20 as shown in FIG. 4B is transferred from the peeling tank to the washing tank, the peeling liquid 21 is attached to the surface of the substrate 20, and the substrate 20 is washed with water. By being immersed in the bath, the MEA 21 and the water 22 are mixed on the surface of the substrate 20 and the alkalinity becomes stronger.
【００４０】したがって、従来のような構成の液晶表示
装置においては、フォトレジスト１６を除去する際に、
透過部と反射部との境界領域において透過部を構成する
電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料で
あるＡｌ４／Ｍｏ５とが隣接して構成されているため電
食が生じてしまう。Therefore, in the conventional liquid crystal display device, when the photoresist 16 is removed,
In the boundary area between the transmissive part and the reflective part, the electrode material ITO2 forming the transmissive part and the electrode material Al4 / Mo5 forming the reflective part are adjacent to each other, so that electrolytic corrosion occurs.
【００４１】しかしながら、本実施の形態１では、上述
したように透過部と反射部との境界領域において、図１
の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であ
るＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／
Ｍｏ５とが直接接触しないように、層間膜７と反射電極
材料４、７とがパターニングされているので、透明電極
材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電
食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去すること
ができる。However, in the first embodiment, as described above, in the boundary region between the transmissive portion and the reflective portion, as shown in FIG.
As shown in the cross-sectional view of FIG. 1, ITO2 which is an electrode material which constitutes a transmission part and Al4 which is an electrode material which constitutes a reflection part
The interlayer film 7 and the reflective electrode materials 4 and 7 are patterned so as not to come into direct contact with Mo5, so that electrolytic corrosion does not occur between the transparent electrode material ITO and the reflective electrode material Al. The photoresist 16 can be removed.
【００４２】なお、透過部において液晶層にかかる電荷
が多少減少しても支障が無い場合には、層間膜７を透過
部を構成する電極材料であるＩＴＯ上全面に形成しても
構わない。このような構成の場合には、層間膜７の膜厚
を制御することにより透過部と反射部とのリタデーショ
ンを最適値に設定することが可能になるという利点を有
することになる。If there is no problem even if the charge applied to the liquid crystal layer in the transmissive portion is slightly reduced, the interlayer film 7 may be formed on the entire surface of ITO, which is the electrode material forming the transmissive portion. In the case of such a configuration, there is an advantage that the retardation of the transmissive portion and the reflective portion can be set to an optimum value by controlling the film thickness of the interlayer film 7.
【００４３】以上のようにして製造された画素部分を有
するＴＦＴ基板と、透明電極が形成された透明な対向基
板（図示せず）とのそれぞれに配向膜を塗布して焼成す
る。そして、この配向膜にラビング処理を施し、スペー
サーを散布してからシール樹脂でこれらの両基板を貼り
合せ、真空注入法により液晶を注入して、液晶表示素子
を作成する。なお、本実施の形態１では、水平配向の液
晶モードで動作させるために、それぞれのラビング方向
が平行となるように設定し、誘電率異方性が正のネマチ
ック液晶を注入した。最後に、偏光板と位相差板とをそ
れぞれ液晶表示素子の両側に１枚ずつ設置し、背面にバ
ックライトを設置して本実施の形態１における反射透過
両用型の液晶表示装置は完成する。An alignment film is applied to each of the TFT substrate having a pixel portion manufactured as described above and a transparent counter substrate (not shown) on which a transparent electrode is formed and baked. Then, the alignment film is subjected to a rubbing treatment, spacers are dispersed, the both substrates are bonded together with a seal resin, and liquid crystal is injected by a vacuum injection method to form a liquid crystal display element. In the first embodiment, in order to operate in the liquid crystal mode of horizontal alignment, the rubbing directions are set to be parallel, and nematic liquid crystal having a positive dielectric anisotropy is injected. Finally, one polarizing plate and one retardation plate are installed on each side of the liquid crystal display element, and a backlight is installed on the back surface to complete the reflective / transmissive liquid crystal display device according to the first embodiment.
【００４４】（実施の形態２）上述した実施の形態１で
は、フォトリソグラフィーにより形成されたフォトレジ
スト１６をバッチ式の剥離装置を用いて除去する方法に
ついて説明したが、本実施の形態２では、フォトリソグ
ラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を枚葉式
の剥離装置を用いて除去する方法について説明する。(Embodiment 2) In Embodiment 1 described above, a method of removing the photoresist 16 formed by photolithography using a batch type peeling apparatus has been described, but in Embodiment 2, A method of removing the photoresist 16 formed by photolithography using a single-wafer peeling device will be described.
【００４５】図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態２に
おけるフォトレジスト１６の剥離工程を示した概略図で
ある。なお、本実施の形態２における液晶表示装置の製
造工程は、フォトレジスト１６の剥離工程以外は、上述
した実施の形態１と同様のフローにより行うことにな
る。5 (a) to 5 (d) are schematic views showing a step of removing the photoresist 16 in the second embodiment. The manufacturing process of the liquid crystal display device according to the second embodiment is the same as that of the above-described first embodiment, except for the step of removing the photoresist 16.
【００４６】図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、実施の
形態１における図２および図３の工程を経た基板２０
は、アミンとしてＭＥＡ（モノエタノールアミン）を６
０ｗｔ％含有する剥離液２１に浸けられ、その後、基板
２０表面の剥離液２１を取り除くために水２２に浸けら
れて水洗される。この時、図５（ｃ）に示すような基板
２０が剥離槽から水洗槽へ搬送される過程においては、
基板２０表面には剥離液２１が付着した状態となってお
り、この基板２０を水洗槽に浸けことにより、基板２０
表面でＭＥＡ２１と水２２とが混ざるりアルカリ性が強
くなる。As shown in FIGS. 5A to 5D, the substrate 20 that has undergone the steps of FIGS. 2 and 3 in the first embodiment.
Is MEA (monoethanolamine) 6 as amine
The substrate is dipped in a stripping solution 21 containing 0 wt%, and then rinsed in water 22 to remove the stripping solution 21 on the surface of the substrate 20. At this time, in the process in which the substrate 20 as shown in FIG. 5C is transferred from the peeling tank to the washing tank,
The peeling liquid 21 is adhered to the surface of the substrate 20. By immersing the substrate 20 in a washing tank, the substrate 20
MEA 21 and water 22 are mixed on the surface, and alkalinity becomes strong.
【００４７】したがって、従来のような構成の液晶表示
装置においては、フォトレジスト１６を除去する際に、
透過部と反射部との境界領域において透過部を構成する
電極材料であるＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料で
あるＡｌ４／Ｍｏ５とが隣接して構成されているため電
食が生じてしまうが、本実施の形態２においても、上述
したように透過部と反射部との境界領域において、図１
の断面図に示すように、透過部を構成する電極材料であ
るＩＴＯ２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／
Ｍｏ５とが直接接触しないように、層間膜７と反射電極
材料４、７とがパターニングされているので、透明電極
材料であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電
食を起こすことなくフォトレジスト１６を除去すること
ができる。Therefore, in the conventional liquid crystal display device, when the photoresist 16 is removed,
In the boundary region between the transmissive part and the reflective part, the electrode material ITO2 forming the transmissive part and the electrode material Al4 / Mo5 forming the reflective part are adjacent to each other, so that electrolytic corrosion occurs. Also in the second embodiment, as described above, in the boundary region between the transmissive portion and the reflective portion,
As shown in the cross-sectional view of FIG. 1, ITO2 which is an electrode material which constitutes a transmission part and Al4 which is an electrode material which constitutes a reflection part
The interlayer film 7 and the reflective electrode materials 4 and 7 are patterned so as not to come into direct contact with Mo5, so that electrolytic corrosion does not occur between the transparent electrode material ITO and the reflective electrode material Al. The photoresist 16 can be removed.
【００４８】（実施の形態３）以下、本発明における実
施の形態３について図面に基づいて説明する。(Third Embodiment) A third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００４９】図６は、本実施の形態３における液晶表示
装置の画素部分の構成を示した断面図であり、図７
（ａ）〜（ｄ）および図８（ｅ）〜（ｇ）は、本実施の
形態３における液晶表示装置の画素部分における透過部
と反射部とのプロセスを示した断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing the structure of a pixel portion of the liquid crystal display device according to the third embodiment, and FIG.
FIGS. 8A to 8D and FIGS. 8E to 8G are cross-sectional views showing processes of the transmissive portion and the reflective portion in the pixel portion of the liquid crystal display device according to the third embodiment.
【００５０】本実施の形態３における液晶表示装置の画
素部分を構成する透過部および反射部においては、ま
ず、図７（ａ）に示すように、絶縁性基板１上にベース
コート膜としてＴａ2Ｏ5、Ｓｉ０2などの絶縁膜を形成
し（図示せず）、その後、絶縁性基板１に、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｔａなどからなる金属薄膜をスパッタリング法にて
作成し、パターニングしてゲート電極８を形成する。In the transmissive portion and the reflective portion which constitute the pixel portion of the liquid crystal display device according to the third embodiment, first, as shown in FIG. 7A, Ta 2 O as a base coat film is formed on the insulating substrate 1. 5 , an insulating film such as SiO 2 is formed (not shown), and then Al, M is formed on the insulating substrate 1.
A metal thin film made of o, Ta or the like is formed by a sputtering method and patterned to form the gate electrode 8.
【００５１】次に、上述したゲート電極８を覆って絶縁
性基板１上にゲート絶縁膜１０を積層する。本実施の形
態３では、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＮｘ膜を３０００
Å積層してゲート絶縁膜１０とした。なお、絶縁性を高
めるために、ゲート電極８を陽極酸化して、この陽極酸
化膜を第１のゲート絶縁膜９とし、ＳｉＮなどの絶縁膜
１０をＣＶＤ法により形成して、第２の絶縁膜１０とし
てもよい。Next, the gate insulating film 10 is laminated on the insulating substrate 1 so as to cover the gate electrode 8 described above. In the third embodiment, the SiNx film is formed into 3000 by the P-CVD method.
Å The layers were laminated to form the gate insulating film 10. In order to improve the insulating property, the gate electrode 8 is anodized, the anodized film is used as the first gate insulating film 9, and the insulating film 10 such as SiN is formed by the CVD method to form the second insulating film. The film 10 may be used.
【００５２】次に、チャネル層１１（アモルファスＳ
ｉ）と電極コンタクト層１２（リン等の不純物をドーピ
ングしたアモルファスＳｉまたは微結晶Ｓｉ）とをゲー
ト絶縁膜１０上に連続してＣＶＤ法により、それぞれ１
５００Åと５００Å積層し、電極コンタクト層１２とチ
ャネル層１１との両Ｓｉ膜をＨＣｌ＋ＳＦ6混合ガスに
よるドライエッチング法などによりパターニングして形
成する。Next, the channel layer 11 (amorphous S
i) and the electrode contact layer 12 (amorphous Si or microcrystalline Si doped with impurities such as phosphorus) are continuously formed on the gate insulating film 10 by the CVD method to form 1
500 Å and 500 Å are laminated, and both Si films of the electrode contact layer 12 and the channel layer 11 are formed by patterning by a dry etching method using HCl + SF 6 mixed gas.
【００５３】その後、図７（ｂ）に示すように、スパッ
タリング法により透過部を構成する電極材料として透明
導電膜（ＩＴＯ）２、１３を１５００Å積層し、続い
て、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ膜等の金属薄膜１４、１５を積層
する。そして、これらをパターニングすることにより、
ソース電極１３、１４並びにドレイン電極２、１５を形
成する。After that, as shown in FIG. 7B, 1500 Å of transparent conductive films (ITO) 2 and 13 are laminated as an electrode material for forming the transmission part by a sputtering method, and subsequently, Al, Mo, Ta films, etc. are laminated. The metal thin films 14 and 15 are laminated. And by patterning these,
The source electrodes 13 and 14 and the drain electrodes 2 and 15 are formed.
【００５４】次に、図７（ｃ）に示すように、このＩＴ
Ｏ２上に感光性樹脂膜３を塗布し、この感光性樹脂３を
露光および現像した後に熱処理を行なうことにより、複
数の凹凸部、コンタクト部、透過部を形成する。Next, as shown in FIG. 7C, this IT
By coating the photosensitive resin film 3 on O2, exposing and developing the photosensitive resin 3, and then performing heat treatment, a plurality of uneven portions, contact portions, and transmissive portions are formed.
【００５５】次に、図７（ｄ）に示すように、この感光
性樹脂３を含む基板１上に、反射部を構成する電極材料
としてＡｌ／Ｍｏ膜４、５をスパッタリング法により１
０００／５００Åの膜厚により成膜する。Next, as shown in FIG. 7 (d), Al / Mo films 4 and 5 are formed on the substrate 1 containing the photosensitive resin 3 as a material for electrodes constituting the reflection portion by sputtering.
The film is formed with a film thickness of 000 / 500Å.
【００５６】そして、図８（ｅ）に示すように、反射部
を構成する電極材料上に、フォトリソグラフィー工程を
用いて所定の形状にフォトレジスト１６を形成する。こ
のとき、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ２と反
射部を構成する電極材料であるＡｌ４との間にはＭｏ５
が存在しているので、フォトレジスト１６の現像時にＡ
ｌ４の膜欠陥部から電解質溶液がしみ込んでも、このＭ
ｏ５がバリアメタルとして機能するため電食反応が起こ
ることはない。Then, as shown in FIG. 8E, a photoresist 16 having a predetermined shape is formed on the electrode material forming the reflection portion by a photolithography process. At this time, Mo5 is provided between ITO2, which is the electrode material forming the transmissive portion, and Al4, which is the electrode material forming the reflecting portion.
Is present in the photoresist 16 during development of the photoresist 16.
Even if the electrolyte solution permeates from the membrane defect part of 14
Since o5 functions as a barrier metal, no electrolytic corrosion reaction occurs.
【００５７】また、このとき、次の工程で反射部を構成
する電極材料をパターニングする際に、透過部と反射部
との境界領域におけるＩＴＯ２とＡｌ４／Ｍｏ５とが直
接接触しないようにする必要がある。すなわち、図６の
断面図に示すように、感光性樹脂３と反射電極４との位
置合わせずれを考慮して、透過部を構成する電極材料と
反射部を構成する電極材料との境界領域における前記フ
ォトレジスト１６の端部が、前記感光性樹脂３の端部よ
りも反射部側になるよう前記フォトレジスト１６を露光
現像する。At this time, it is necessary to prevent the ITO2 and Al4 / Mo5 in the boundary region between the transmissive part and the reflective part from directly contacting each other when patterning the electrode material forming the reflective part in the next step. is there. That is, as shown in the cross-sectional view of FIG. 6, in consideration of the misalignment between the photosensitive resin 3 and the reflective electrode 4, in the boundary region between the electrode material forming the transmissive part and the electrode material forming the reflective part. The photoresist 16 is exposed and developed so that the end portion of the photoresist 16 is closer to the reflection portion side than the end portion of the photosensitive resin 3.
【００５８】次に、図８（ｆ）に示すように、硝酸＋酢
酸＋リン酸＋水からなるエッチャントを使用して、反射
部を構成する電極材料であるＡｌ／Ｍｏを同時にエッチ
ングして反射電極を形成する。Next, as shown in FIG. 8F, using an etchant composed of nitric acid + acetic acid + phosphoric acid + water, Al / Mo, which is an electrode material forming the reflecting portion, is simultaneously etched and reflected. Form electrodes.
【００５９】最後に、図８（ｇ）に示すように、フォト
リソグラフィーにより形成されたフォトレジスト１６を
バッチ式の剥離装置を用いて除去することで、本実施の
形態３における液晶表示装置の画素部分は完成する。Finally, as shown in FIG. 8 (g), the photoresist 16 formed by photolithography is removed by using a batch type peeling device, so that the pixel of the liquid crystal display device according to the third embodiment is removed. The part is completed.
【００６０】本実施の形態３においても、上述したよう
に透過部と反射部との境界領域において、図６の断面図
に示すように、透過部を構成する電極材料であるＩＴＯ
２と反射部を構成する電極材料であるＡｌ４／Ｍｏ５と
が直接接触しないように、感光性樹脂３と反射電極材料
４、７とがパターニングされているので、透明電極材料
であるＩＴＯと反射電極材料であるＡｌとの間に電食を
起こすことなくフォトレジスト１６を除去することがで
きる。Also in the third embodiment, as described above, in the boundary region between the transmissive portion and the reflective portion, as shown in the sectional view of FIG. 6, ITO which is the electrode material forming the transmissive portion is used.
Since the photosensitive resin 3 and the reflective electrode materials 4 and 7 are patterned so that 2 and Al4 / Mo5, which is the electrode material forming the reflective portion, do not come into direct contact with each other, the transparent electrode material ITO and the reflective electrode The photoresist 16 can be removed without causing electrolytic corrosion between the material and Al.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置およびその製造方法によれば、透過部と反射部との
境界領域において、透過部を構成する電極材料と反射部
を構成する電極材料とが互いに接触した状態または他の
金属膜等を介して電気的に接続した状態とならないよう
に、それらの間に層間膜を介した構造としていることに
より、電極材料の電食による腐食や還元による黒化の問
題を解決している。これは、層間膜を介した構造として
いることで透過部を構成する電極材料と反射部を構成す
る電極材料との間の電気抵抗が高くなり、電解溶液中に
浸した場合においても電食や還元を起こりにくくするこ
とが可能となっている。As described above, according to the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same of the present invention, the electrode material and the reflection portion which form the transmission portion are formed in the boundary region between the transmission portion and the reflection portion. Corrosion of the electrode material due to electrolytic corrosion is achieved by the structure that an interlayer film is interposed between them so that the electrode material does not come into contact with each other or are electrically connected via another metal film, etc. And the problem of blackening due to reduction are solved. This is because the structure through the interlayer film increases the electrical resistance between the electrode material forming the transmissive part and the electrode material forming the reflective part, and even when immersed in an electrolytic solution, electrolytic corrosion or It is possible to make reduction less likely to occur.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】図１は、本発明の実施の形態１における液晶表
示装置の画素部分の構成を示した拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration of a pixel portion of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。2 (a) to 2 (d) are the first embodiment of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view showing a process of a pixel portion of the liquid crystal display device in FIG.
【図３】図３（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。3 (e) to 3 (h) are the first embodiment of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view showing a process of a pixel portion of the liquid crystal display device in FIG.
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１
におけるバッチ式のフォトレジストの剥離工程を示した
概略図である。4 (a) to (c) are the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic view showing a batch type photoresist stripping process in FIG.
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２
における枚葉式のフォトレジスト剥離工程を示した概略
図である。5 (a) to (d) is a second embodiment of the present invention.
3 is a schematic view showing a single-wafer photoresist stripping process in FIG.
【図６】図６は、本発明の実施の形態３における液晶表
示装置の画素部分の構成を示した拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a configuration of a pixel portion of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態３
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。7A to 7D are views showing a third embodiment of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view showing a process of a pixel portion of the liquid crystal display device in FIG.
【図８】図８（ｅ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態３
における液晶表示装置の画素部分のプロセスを示した拡
大断面図である。8 (e) to 8 (g) show Embodiment 3 of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view showing a process of a pixel portion of the liquid crystal display device in FIG.
【図９】図９は、従来の液晶表示装置の画素部分におけ
る透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図であ
る。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a boundary region between a transparent electrode and a reflective electrode in a pixel portion of a conventional liquid crystal display device.
【図１０】図１０は、従来の液晶表示装置の画素部分に
おける透明電極と反射電極との境界領域を示した断面図
である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a boundary region between a transparent electrode and a reflective electrode in a pixel portion of a conventional liquid crystal display device.
１ ガラス基板 ２ 透明電極材料（ＩＴＯ） ３ 感光性樹脂膜 ４ 反射電極材料（Ａｌ） ５ 反射電極材料（Ｍｏ） ６ 透過部 ７ 絶縁膜 ８ ゲート電極 ９ 陽極酸化膜 １０ ゲート絶縁膜 １１ チャネル層 １２ 電極コンタクト層 １３ ソース電極（ＩＴＯ） １４ ソース電極（Ｔａ） １５ ドレイン電極（Ｔａ） １６ フォトレジスト ２０ 基板 ２１ 剥離液 ２２ 水 1 glass substrate 2 Transparent electrode material (ITO) 3 Photosensitive resin film 4 Reflective electrode material (Al) 5 Reflective electrode material (Mo) 6 Transmission part 7 Insulating film 8 gate electrode 9 Anodized film 10 Gate insulating film 11 channel layer 12 electrode contact layer 13 Source electrode (ITO) 14 Source electrode (Ta) 15 Drain electrode (Ta) 16 photoresist 20 substrates 21 Stripper 22 water
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1335 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1343 G02F 1/1335
Claims (2)
る一対の基板のうちの一方側の基板上に、外光を反射す
る反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画
素内に構成する画素電極が形成されてなる液晶表示装置
において、 前記反射部はＡｌによって構成され、前記透過部はＩＴ
Ｏにより構成されてなり、前記Ａｌと前記ＩＴＯとは層
間膜を介して前記ＩＴＯが前記一方側の基板側に形成さ
れ、前記層間膜は前記透過部には形成されておらず、前
記Ａｌと前記ＩＴＯとは前記反射部と前記透過部との境
界領域において前記層間膜を介して一部または全部を重
畳して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。1. A reflecting portion for reflecting external light and a transmitting portion for transmitting light from a back light source are provided on one substrate of a pair of substrates arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. In a liquid crystal display device in which a pixel electrode configured in one pixel is formed, the reflective portion is made of Al and the transmissive portion is IT.
O and is a layer of Al and ITO.
The ITO is formed on the one substrate side through the interlayer film.
The inter-layer film is not formed in the transmission part,
The liquid crystal display device is serial Al and the ITO, characterized in that it is formed by superimposing a part or all over the interlayer film in the boundary region between the transmissive portion and the reflective portion.
る一対の基板のうちの一方側の基板上に、外光を反射す
る反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画
素内に構成する画素電極が形成されてなる液晶表示装置
の製造方法において、 前記透過部を構成する領域及び前記反射部と前記透過部
との境界領域を含む一方側の基板上に、ＩＴＯをパター
ニングして形成する工程と、 前記反射部を構成する領域及び前記反射部と前記透過部
との境界領域を含む領域に形成し、前記透過部を構成す
る領域には形成しないように、層間膜をパターニングし
て形成する工程と、 前記層間膜上の反射部を構成する領域及び前記反射部と
前記透過部との境界領域に、Ａｌをパターニングして形
成する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。2. A reflecting section for reflecting external light and a transmitting section for transmitting light from a back light source are provided on one of a pair of substrates arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. the manufacturing method of the liquid crystal display device having a pixel electrode formed by formed constituting in one pixel, the transmissive portion and the front KiToru over parts constituting region and the reflective portion
On a substrate of one side including a boundary region between the steps of forming and patterning the ITO, the transmissive portion and the area and the reflection portion constituting the front Kihan morphism portion
To form the transparent portion by forming in a region including a boundary region with
Patterning the interlayer film so that it is not formed in the region, and a region forming the reflection part on the interlayer film and the reflection part.
And a step of forming Al by patterning in a boundary region with the transmissive portion .
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