JP4350960B2 - 4,4 ″ -di- (aryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl derivative, host material comprising the same, and electroluminescence device using the same - Google Patents

Description

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^２８およびＲ^４８〜Ｒ^５７は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、また前記Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^９とＲ^１０、Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、Ｒ^１６とＲ^１７、Ｒ^１７とＲ^１８、Ｒ^１８とＲ^１９、Ｒ^１９とＲ^２０、Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２５とＲ^２６、Ｒ^２７とＲ^２８、Ｒ^４８とＲ^４９、Ｒ^４９とＲ^５０、Ｒ^５０とＲ^５１、Ｒ^５１とＲ^５２、Ｒ^５３とＲ^５４、Ｒ^５４とＲ^５５、Ｒ^５５とＲ^５６、Ｒ^５６とＲ^５７はそれぞれ独立的に３〜８員の炭素環を形成してもよく、またＲ^５２とＲ^５７が１つの結合手であってもよいし、Ｒ^５２とＲ^５７が一体になって５〜８員の炭素環を形成することができ、これらの３〜８員の炭素環には、置換基として水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールアミノ基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群から選ばれた基をもつことができる。）
で示される４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体に関する。
本発明の第２は、請求項１記載の４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体を含有することを特徴とするホスト材料に関する。
本発明の第３は、請求項１記載の４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体を含有する層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関する。
【０００５】
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアルキル基はとくに制限はないが、通常炭素数１〜２０の直鎖または分岐アルキル基、とくに好ましくは炭素数１〜６の直鎖または分岐アルキル基である。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアルコキシ基は、酸素原子に前記アルキル基が結合した形のものである。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアルキルアミノ基は、アミノ基の水素の１部またはすべてが前記アルキル基で置換したタイプのものである。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアリール基は、ベンゼン環が１個のもの（フェニル基）または２〜８個が一体化した多環のもの（たとえばナフチル基、アンスラニル基）あるいはこれに必要に応じて、水酸基、前記アルキル基、アルコキシル基、アルキルアミノ基、アミノ基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基などを置換基として有するものであってもよい。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアラルキル基は、そのアリール部分が前記アリール基と同様であることができ、アルキレン部分は直鎖または分岐のアルキレンであればよく、通常炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜６のものである。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアルコキシカルボニル基は、そのアルキル部分が前記アルキル基と同様であることができる。
本発明におけるＲ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ におけるアリーロキシカルボニル基は、そのアリール部分は前記アリール基と同様であることができる。
前記３〜８員の炭素環は、脂肪族であってもよいが、好ましくは芳香族系のものであり、３〜８員環のなかでも５員環または６員環が好ましい。なお、Ｒ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ については水素が最も好ましいが、それについで好ましいものとしてはジメチルアミノ基があげられる。Ｒ ^１ 〜Ｒ ^２８ およびＲ ^４８ 〜Ｒ ^５７ のうち水素以外の基があることが比較的好ましい位置としてはＲ ^１ 〜Ｒ ^２０ である。
【０００６】
本発明の化合物は、下記の方法により製造することができる。すなわち、下記一般式（２）
【化３】

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^２８は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、また前記Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^９とＲ^１０、Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^１５、Ｒ^１６とＲ^１７、Ｒ^１７とＲ^１８、Ｒ^１８とＲ^１９、Ｒ^１９とＲ^２０、Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２５とＲ^２６、Ｒ^２７とＲ^２８はそれぞれ独立的に３〜８員の炭素環を形成してもよく、Ｘはハロゲンである。）
で示される４，４″−ジハロゲノ−２′，３′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体と一般式（３）
【化４】

（式中、Ｒ^４８〜Ｒ^５７は、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールアミノ基、アラルキル基、ハロゲン、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基およびアリーロキシカルボニル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、また前記Ｒ^４８とＲ^４９、Ｒ^４９とＲ^５０、Ｒ^５０とＲ^５１、Ｒ^５１とＲ^５２、Ｒ^５３とＲ^５４、Ｒ^５４とＲ^５５、Ｒ^５５とＲ^５６、Ｒ^５６とＲ^５７はそれぞれ独立的に３〜８員の炭素環を形成してもよく、またＲ^５２とＲ^５７が１つの結合手であってもよいし、Ｒ^５２とＲ^５７が一体になって５〜８員の炭素環を形成することができる。）
で示されるＮ，Ｎ′−ジアリールアミンとを反応させることにより、本発明の４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体を製造することができる。
【０００７】
また、本発明化合物の具体例としては、
４，４″−ジ−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｐ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−キリシル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−キリシル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｏ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｍ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（１−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（９−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（１−フェナントレニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（９−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−ピリジル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−キノリル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（９−アクリジニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−チオフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−〔Ｎ−（２−フラニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
などが挙げられる。
【０００８】
前記一般式（２）で示される４，４″−ジハロゲノ−２′，３′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体の具体例としては、
４，４″−ジ−クロロ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−ブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
４，４″−ジ−ヨード−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル、
３，３″−ジメチル−４，４″−ジ−クロロ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル
３，３″−ジメチル−４，４″−ジ−ブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル
３，３″−ジメチル−４，４″−ジ−ヨード−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル
などが挙げられる。
【０００９】
前記一般式（３）で示されるＮ，Ｎ−ジアリールアミンの具体例としては、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｐ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−トルイル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−キシリル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−キシリル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−ジクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｏ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｍ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（１−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（９−アントラニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（１−フェナントレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（９−フェナントレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（１−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（９−フルオレニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−ピリジル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−キノリル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（９−アクリジニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−チオフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−（２−フラニル）−Ｎ−フェニルアミン、などが挙げられる。
【００１０】
本発明化合物の製造方法に用いる反応触媒としては、一般にトリアルキルホスフィンと有機パラジウムを組み合わせて使用するが、とくにトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンと酢酸パラジウムの組み合わせが好ましい。また、反応溶媒は反応成分に対して不活性な溶剤であればとくに制限はないが、通常トルエンやキシレンのような芳香族炭化水素を使用することができる。反応温度については、室温から還流温度までの範囲が使用できるが、反応時間を考慮した場合は還流温度で反応させることが好ましい。
【００１１】
本発明の化合物を用いて、有機ＥＬ素子を作る場合には、通常、種々のゲスト色素に対して本発明化合物をホスト材料として使用する点に特徴があることになるから、この特徴点以外については格別の制限はない。
本発明においてゲスト色素として好ましく使用できるものとしては、ジスチリルアミン誘導体（ＢＣｚＶＢｉ：青）、テトラフェニルブタジエン（青）、ペリレン（青）、９，１０−ジフェニルアントラセン（青）、アゾメチン亜塩錯体（青）などがある。
【００１２】
したがって、ＥＬ素子の構造についても特別の制限はないが、ゲスト色素としてＢＣｚＶＢｉをホスト材料として参考例１で得られた４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）を用いた場合の好ましい素子構成の例３つを下記に示す。
【００１３】
陽極／α−ＮＰＤ／ＢＣｚＶＢｉ ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（発光層）／ＤＡＴＴ（電子輸送層）／ＬｉＦ（電子注入層）／陰極
陽極／α−ＮＰＤ／ＢＣｚＶＢｉ ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（発光層）／Ａｌｑ_３（電子輸送層）／ＬｉＦ（電子注入層）／陰極
陽極／α−ＮＰＤ／ＢＣｚＶＢｉ ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（発光層）／ＢＣＰ（電子輸送層）／ＬｉＦ（電子注入層）／陰極
【００１４】
【実施例】
以下に、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【００１５】
合成例１
１，３−ビス（ｐ−ブロモフェニル）−２−プロパノン〔１，３−ｂｉｓ（ｐ−ｂｒｏｍｏｐｈｅｎｙｌ）−２−ｐｒｏｐａｎｏｎｅ〕（ＢＢＰＰ）の合成
【化５】

ｐ−ブロモフェニル酢酸、酸化マグネシウムを丸底フラスコに入れ、マントルヒーターを用い、減圧下（１０〜１２ｍｍＨｇ）、２４０℃で４０分間加熱し、水を除去した。その後、さらにゆっくり昇温し、減圧下（２〜３ｍｍＨｇ）、３３５℃で３０分加熱した。反応終了後、クロロホルムで抽出し、エタノールで再結晶を行い無色の板状結晶を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲにより行った。
【００１６】
合成例２
２，５−ビス（ｐ−ブロモフェニル）−３，４−ジフェニルシクロペンタジエノン〔２，５−ｂｉｓ（ｐ−ｂｒｏｍｏｐｈｅｎｙｌ）−３，４−ｄｉｐｈｅｎｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｏｎｅ〕（ＢＢ−４ＰＫ）の合成
【化６】

ＢＢＰＰ、ベンジル、エタノールを三口フラスコに入れ、７５℃ウォーターバス中で撹拌し、溶解させた。系が均一になったところで、ＫＯＨの２０％エチルアルコール溶液をゆっくり滴下した。その後、１５分間還流し、濾別により回収した。精製は、カラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；クロロホルム）を行い、黒色の粉末状固体を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲにより行った。
【００１７】
参考例１
（１）４，４″−ジブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＴＴ）の合成
【化７】

ＢＢ−４ＰＫ、ジフェニルアセチレン、ベンゾフェノンを試験管に入れ、ガスバーナーで加熱、溶解させた。さらに加熱していき、溶液の色が褪せてきたところで加熱を止めて室温にて１０分間放置した。その後、ジフェニルエーテルを少量加え、沸騰するまで再び加熱した。反応終了後、濾過により回収した。精製は、ジフェニルエーテル（融点２８℃、沸点２５９℃）で再結晶を行い、無色の板状結晶を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲ、元素分析により行った。
【００１８】
（２）２−（９−アンスリル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ−Ａｎｔｈ）の合成
【化８】

９−ブロモアンスラセン（Ｂｒ−Ａｎｔｈ）を窒素雰囲気下、精製ＴＨＦに撹拌、溶解させた。次に、−７８℃アイスバス中で冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５６Ｍ）をゆっくりと滴下し０℃で３０分間撹拌した。その後、再び−７８℃に冷却し、３０分間撹拌したあと２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ）を加え、室温までゆっくり昇温し２４時間反応させた。反応終了後、ジエチルエーテルで抽出し、抽出液を飽和食塩水により洗浄した。精製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；トルエン）とメチルアルコールによる再結晶を行い、白色の結晶を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ（図１）、ＩＲ（図２）、ＭＡＳＳ（図３）により行った。
【００１９】
（３）４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル〔４，４″−Ｄｉ−（９−ａｎｔｈｒｙｌ）−３′，４′，５′，６′−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌ−ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ〕（ＤＡＴＴ）の合成
【化９】

ＤＴＴ、炭酸カリウム、Ｐｄ（Ｏ）〔（ＰＰｈ_３）_４〕を窒素雰囲気下室温で、ＴＨＦに撹拌、分散させた。次に、７０℃オイルバスで加熱、撹拌し、２０分後ＴＨＦに溶解させたＤＯＢ−Ａｎｔｈを加え、次に脱イオン水を加えた。その後、約２４時間反応させた。反応の進行はＴｈｉｎ Ｌａｙｅｒ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ（ＴＬＣ）（薄層クロマトグラフ）により撹拌しながら行った。精製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；ｎ−ヘキサン：トルエン＝１：１）を４回行い、淡黄色の粉末を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲ（図４）（図５）、ＩＲ（図６）、元素分析（Ｃ：９４．４８％、Ｈ：５．２３％、Ｎ：０．０２％）により行った。
【００２０】
参考例２
ゲスト色素としてジスチリルアミン誘導体（ＢＣｚＶＢｉ：青）を用いたＥＬ素子
図７（素子Ａ）、図８〔電子輸送層（ＥＴＬ）としてトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（錯体）（Ａｌｑ_３）を用いた場合の素子をＢとし、電子輸送層（ＥＴＬ）としてＢＣＰを用いた場合の素子をＣとした〕に示す３つの素子、Ａ、Ｂ、Ｃを作った。
図７の素子Ａは、ＩＴＯガラス電極の上にホール輸送層（ＨＴＬ）としてホール輸送材料のα−ＮＰＤを５００Å真空蒸着を行い、発光層（ＥＭＬ）としてＤＡＴＴを７ｗｔ％共蒸着したＢＣｚＶＢｉを２００Åの膜厚で積層し、ついで電子輸送層（ＥＬＴ）としてＤＡＴＴを３００Åの厚みで蒸着し、さらに電子注入層としてフッ化リチウムを５Åの厚みで蒸着し、最後に背面電極としてＡｌ金属を１０００Åの厚みで蒸着することにより作成したものである。
すなわち、素子Ａの構成は下記のとおりである。
〔ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（５００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（２００Å）／ＤＡＴＴ（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）〕
図８の素子ＢまたはＣは、ＩＴＯガラス電極の上にホール輸送層（ＨＴＬ）としてホール輸送材料のα−ＮＰＤを４００Å真空蒸着を行い、発光層（ＥＭＬ）としてＤＡＴＴを７ｗｔ％共蒸着をしたＢＣｚＶＢｉを４００Åの膜厚で積層し、ついで電子輸送層（ＥＴＬ）としてＡｌｑ_３あるいはＢＣＰを２００Åの厚みで蒸着し、さらに電子注入層としてフッ化リチウムを５Åの厚みで蒸着し、最後に背面電極としてＡｌ金属を１０００Åの厚みで蒸着することにより作成したものである。
すなわち、素子ＢおよびＣの構成は下記のとおりである。
素子Ｂ〔ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）〕
素子Ｃ〔ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（４００Å）／ＢＣＰ（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）〕
なお、Ａｌｑ_３、ＢＣＰ、ＢＣｚＶＢｉは下記式で示される。
【化１０】

【００２１】
前記ＤＡＴＴ、ＢＣＰおよびＢＣｚＶＢｉの電気化学的性質は下記表のとおりである。
【表１】

【００２２】
前記素子Ａ、Ｂ、ＣのＥＬスペクトルを図９に示す。これにより発光層の膜厚と電子輸送層の膜厚の変化が色と輝度にどのような影響を与えているかがわかる。参考として、ＢＣｚＶＢｉ溶液（ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ、１．０×１０^−５ｍｏｌ／Ｌ）の励起・蛍光スペクトルおよびＤＡＴＴ溶液（ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ、１．０×１０^−５ｍｏｌ／Ｌ）、薄膜の蛍光スペクトルを図１０に示す。図１０中、ＢＣｚＶＢｉ Ｅｘ．は励起スペクトルであり、ＢＣｚＶＢｉ Ｅｍ．、ＤＡＴＴ ｓｏｌ．、ＤＡＴＴ ｆｉｌｍはいずれも蛍光スペクトルである。
素子Ａ、Ｂ、Ｃのもつ輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度−電流密度、視感効率−電圧、電流効率−電圧特性を図１１〜１５に示す。
図中、素子Ａは黒丸、素子Ｂは白丸、素子Ｃは灰色丸で示す。
【００２３】
比較例１
素子構造が〔ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）〕であるノンドープ素子（イ）を比較例とし、素子Ａ、Ｂ、Ｃと同様の特性を測定し、図１１〜１５に◇印により表示した。
【００２４】
素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび前記比較例素子（イ）のＥＬ特性を下記表に示す。
【表２】

【００２５】
素子Ａ、Ｂ、Ｃから得られたＥＬ素子スペクトルは、いずれも４５０ｎｍにサブピーク、４７０ｎｍに主ピークを有するＢＣｚＶＢｉに由来する青色発光が観測された。素子Ａについては、電子輸送層にＤＡＴＴを用いているため、発光開始電圧が９Ｖと他の素子に比べて高いけれども、高電圧（１５Ｖ以上）をかけても素子が破壊されることなく、安定である。素子Ｂ、Ｃとノンドープ素子（イ）（比較例）を比較すると、ＣＩＥ色度座標において色純度が改善され、素子特性においても素子Ｂ、Ｃの方が最高輝度、最大電流効率、最大外部量子効率においていずれも３倍以上高い値を示した。
比較例１のノンドープ素子において、無放射失活過程で緩和していた再結合エネルギーが、ＢＣｚＶＢｉをドープすることにより蛍光として得ることができたためであると考えられる。
素子Ｃでは、電子輸送層をＡｌｑ_３から電子輸送性ホールブロック層として知られているＢＣＰに置き換えた素子を作製した。この素子は、ＤＡＴＴ層で生成した励起子をブロックする、またはＤＡＴＴ層にホールを閉じ込め、さらなる特性かつ色純度の向上をねらい作製した。しかし、作製した素子の特性は素子Ｂに比べ最高輝度、最大外部量子効率等は同等の値を示すものの、駆動電圧が高くなってしまった。これは、ＢＣＰに比べＡｌｑ_３の方が陰極からの電子の注入が容易であるためと考えられる。
これまでＤＡＴＴをホスト材料として素子作製してきたが、これら結果より、素子Ｂが最も優れた特性を示した。このため、さらなる特性の向上を目指し発光層の膜圧、ＢＣｚＶＢｉのドープ濃度の最適化を行った。
【００２６】
参考例３
前記特性向上のためにテストした素子（３種）の構造を図１６に示す。
１番目（素子Ｄ）は発光層の膜厚４００Å、ドープされた層の膜厚２００Å
２番目（素子Ｅ）は発光層の膜厚３００Å、ドープされた層の膜厚３００Å
３番目（素子Ｂと同一）は発光層の膜厚２００Å、ドープされた層の膜厚４００Åとした。
素子Ｄ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（２００Å）／Ａｌｑ_３（４００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｅ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（３００Å）／Ａｌｑ_３（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｂ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｄ、ＥおよびＢのＥＬスペクトルを図１７に示し、輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度−電流密度、視感効率−電圧、電流効率−電圧特性を図１８〜２２に示す。下記表にこれら特性をまとめたものを示す。
図中、白丸は素子Ｄ、黒丸は素子Ｅ、灰色の丸は素子Ｂを示す。
【表３】

【００２７】
素子ＤとＥの特性を素子Ｂ｛ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝と対比しながら、図１８〜２２および前記表３に示した。図中、素子Ｂは灰色丸で示す。
【００２８】
素子Ｄから得られたＥＬスペクトルは、４７０ｎｍに主ピークを有し、５００ｎｍ付近に大きな肩を持つ水色発光が観測された。これは、発光層（ＤＡＴＴを７ｗｔ％ドープしたＢＣｚＶＢｉ層）が２００Åと薄くなることにより、発光領域がＡｌｑ_３層にまで広がり、発光したためであると考えられる。素子Ｅから得られたＥＬスペクトルは、４５０ｎｍにサブピーク、４７０ｎｍに主ピークを有するＢＣｚＶＢｉに由来する青色発光が観測された。素子特性は、発光領域がＡｌｑ_３層まで広がった素子Ｄは素子Ｂに比べて下回るものであった。しかし、素子Ｅでは最高輝度で約４０％、最大外部量子効率においては約１５％ほど高い値を示した。これは、キャリアバランスの向上に起因するものと考えられる。この結果より、発光層の最適膜厚は３００Åであることが判る。
【００２９】
参考例４
最適のドープ濃度を求めて、図２３に示す構造の素子を作った。
ドープ濃度３ｗｔ％の素子を素子Ｆ
ドープ濃度７ｗｔ％の素子を素子Ｅ（前記素子Ｅと同一）
ドープ濃度１０ｗｔ％の素子を素子Ｇ
とした。
素子ＦとＧから得られたＥＬスペクトルを図２４に示し、輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度−電流密度、視感効率−電圧、電流効率−電圧特性を図２５〜２９に示す。下記表にこれら特性をまとめたものを示す。
【００３０】
【表４】

【００３１】
素子Ｆ、Ｇから得られたＥＬスペクトルは、いずれも４５０ｎｍにサブピーク、４７０ｎｍに主ピークを有するＢＣｚＶＢｉに由来する青色系発光が観測された。素子特性は、素子Ｆ、Ｇ両者とも素子Ｅを下回るものであった。素子Ｇでは、４５０ｎｍのサブピークが小さくなり、ややブロードになっていることから濃度消光が起きていると考えられる。この結果よりＤＡＴＴにおけるＢＣｚＶＢｉの最適ドープ濃度は７ｗｔ％であることがわかった。
つぎに、この最適化したＢＣｚＶＢｉドープ型素子：素子Ｅにおいて、青色ホスト材料として知られているＤＰＶＢｉと比較する。
【００３２】
比較例２
青色ホスト材料として公知の下記式、
【化１１】

で示される４−（２，２−ジフェニルビニル）−１−〔４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル〕ベンゼン（ＤＰＶＢｉ）５．６重量％（最適量）を用いて共蒸着した厚さ３００ÅのＢＣｚＶＢｉ層よりなる発光層をもつ図３０に示す有機ＥＬ素子（ロ）｛ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔５．６ｗｔ％ＤＰＶＢｉドープ〕（３００Å）／Ａｌｑ_３（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝を作成した。
【００３３】
前記有機ＥＬ素子（ロ）と本発明の有機ＥＬ素子Ｅ｛ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＢＣｚＶＢｉ〔７ｗｔ％ＤＡＴＴドープ〕（３００Å）／Ａｌｑ_３（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝を対比し、ＤＡＴＴとＤＰＶＢｉの電気特性を調べた結果を下記表に示す。
【００３４】
【表５】

【００３５】
素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれのＥＬスペクトルを図３１に、輝度−電圧特性を図３２に、電流密度−電圧特性を図３３に、輝度−電流密度特性を図３４に、発光効率−電圧特性を図３５に電流効率−電圧特性を図３６に示す。
【００３６】
さらに、素子Ｅと素子（ロ）のＥＬ特性を下記表に示す。
【表６】

【００３７】
これらのデータからみると、素子Ｅの方が素子（ロ）より発光効率−電圧特性、電流効率−電圧特性、最大外部量子効率の点で優れており、とくに最大外部量子効率で３０％以上優れていることが分る。これはＤＰＶＢｉのガラス転移温度が６３．６℃と低く、高電圧下において安定な膜状態を維持できないためと考えられる。
【００３８】
参考例化合物の１つであるＤＡＴＴは、従来公知のホスト材料であるＤＰＶＢｉに充分対抗できる材料であり、ホスト材料としての選択範囲を拡大することができた。図３７には、ＢＣｚＶＢｉの励起、蛍光スペクトルおよびＤＰＶＢｉ溶液のＰＬスペクトル、ＤＡＴＴ溶液のＰＬスペクトルを示す。ＢＣｚＶＢｉが発光するメカニズムは、ホストのＤＰＶＢｉあるいはＤＡＴＴがそれぞれ特有の励起波長によって蛍光を発し、その蛍光がＢＣｚＶＢｉの励起光となってＢＣｚＶＢｉが蛍光スペクトルを発する。したがってホスト材料の蛍光スペクトルの位置とゲスト材料の励起スペクトルの位置の重なりが大きい方がエネルギー移動量が大きくなり、ホスト材料とゲスト材料の組み合わせが良いということになる。この点から図３７の注目点は、ＢＣｚＶＢｉの励起スペクトル曲線とＤＡＴＴ溶液の蛍光スペクトルの重なり具合ということになる。図３８には、ＤＡＴＴフィルム（λｅｘ＝３９４ｎｍ，λｅｍ＝４４８ｎｍ）とＤＡＴＴをドープしたＢＣｚＶＢｉフィルム（λｅｘ＝３９４ｎｍ，λｅｍ＝４７４ｎｍ）のＰＬスペクトルを示し、図３９にはＤＰＶＢｉフィルム（λｅｘ＝３４８ｎｍ，λｅｍ＝４６１ｎｍ）とＤＰＶＢｉをドープしたＢＣｚＶＢｉフィルム（λｅｘ＝３４８ｎｍ，λｅｍ＝４７４ｎｍ）のＰＬスペクトルを示す、これにより素子Ｅも素子（ロ）も共にエネルギー移動が主な発光機構であることが分る。以上の点を総合すると本発明のＤＡＴＴは、熱安定性に優れ、長寿命青色発光素子の形成材料として有用であるこ。とくにＤＡＴＴはＤＰＶＢｉと比較すると、ＢＣｚＶＢｉドープ型素子において約３５％もの高効率化を達成でき、青色ホスト材料として有用であることが分る。
【００３９】
実施例１｛４，４″−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾール−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル〔４，４″−Ｎ，Ｎ′−Ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅ−３′，４′，５′，６′−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｅ−ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌｅ（ＣｚＴＴ）〕｝の合成
【化１２】

４，４″−ジブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル〔４，４″−Ｄｉｂｒｏｍｏ−３′，４′，５′，６′−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｅ−ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌｅ（ＤＴＴ）〕、カルバゾール（Ｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ＮａＯ^ｔＢｕを窒素気流下室温で、トルエンに撹拌、分散させた。次にトルエン溶解させたＰｄ（ＯＡｃ）_２、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）_３を加え、１３０℃２４時間反応させた。各成分の使用割合は下記表７に示す。反応の進行はＴＬＣにより確認しながら行った。反応終了後、飽和食塩水により洗浄しクロロホルムにより抽出した。精製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；クロロホルム）、昇華精製（高温部：３７０℃、低温部：１２０℃、窒素流量：５０［ｃｃ／ｍｉｎ］）を行い、無色の針状結晶を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図４０）、ＩＲスペクトル（図４１）、Ｍａｓｓスペクトル（図４２）により行った。
【００４０】
【表７】

ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^−１）：３５００，３４００（Ｎ−Ｈ，ｄｉｓａｐｐｅａｒｅｄ），３０５６，１５９６，１５１９（ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ），１２３２（Ｃ−Ｎ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ）：δ（ｐｐｍ）＝７．０５〜７．２０（２８Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ），７．３１〜７．３１，７．４３〜７．５０，８．１７〜８．２２（１６Ｈ，ｃａｒｂａｚｏｌｅｕｎｉｔ）
【００４１】
実施例２〔ジフェニルアミン含有 ヘキサフェニルベンゼン誘導体（ＴＡＴＴ）の合成〕
【化１３】

４，４″−ジブロモ−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル〔４，４″−Ｄｉｂｒｏｍｏ−３′，４′，５′，６′−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｅ−ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌｅ（ＤＴＴ）〕、ジフェニルアミン〔Ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ（ＤＡＭ）〕、ＮａＯ^ｔＢｕを窒素気流下室温で、トルエンに撹拌、分散させた。次にトルエン溶解させたＰｄ（ＯＡｃ）_２、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）_３を加え、１３０℃２４時間反応させた。各成分の使用割合は下記表８に示す。反応の進行はＴＬＣにより確認しながら行った。反応終了後、飽和食塩水により洗浄しクロロホルムにより抽出した。精製は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒；クロロホルム）、白色の粉末を得た。同定は、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図４３）、ＩＲスペクトル（図４４）、Ｍａｓｓスペクトル（図４５）により行った。
【００４２】
【表８】

ＩＲ（ＫＢｒ，ｃｍ^−１）：３５００，３４００（Ｎ−Ｈ，ｄｉｓａｐｐｅａｒｅｄ），３０５８，１５８９，１４９２（ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ），１２７６（Ｃ−Ｎ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ＴＭＳ）：δ（ｐｐｍ）＝６．５８〜６．７２，６．８０〜６．８６，６．８８〜７．００，７．１２〜７．２０（６Ｈ，６Ｈ，２８Ｈ，８Ｈ，ａｒｏｍａｔｉｃ ｒｉｎｇ），
【００４３】
参考例５〔ゲスト色素としてクマリン５４５Ｔ（Ｃ５４５Ｔ：緑）を用いた素子の作成〕
図４６〜４８に作成した素子Ｊ、Ｋ、Ｌの素子構造を示す。また、ＤＡＴＴおよびＣ５４５Ｔの電気化学特性を表９に示す。
【００４４】
【表９】

【００４５】
素子Ｊ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（５００Å）／Ｃ５４５Ｔ〔１ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（２００Å）／ＤＡＴＴ（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｋ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／Ｃ５４５Ｔ〔１ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
素子Ｌ：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／Ｃ５４５Ｔ〔１ｗｔ％〕ｄｏｐｅｄ Ａｌｑ_３（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝
比較として、
ノンドープ素子（ハ）：ＩＴＯ（１３００Å）／α−ＮＰＤ（４００Å）／ＤＡＴＴ（４００Å）／Ａｌｑ_３（２００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）｝より得られたＥＬスペクトルを図４９に示す。参考としてＣ５４５Ｔ溶液（クロロホルム １．０×１０^−５［ｍｏｌ／Ｌ］）の励起・蛍光スペクトルおよびＤＡＴＴ溶液（クロロホルム １．０×１０^−５［ｍｏｌ／Ｌ］）、薄膜の蛍光スペクトルを図５０に示す。輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度−電流密度、視感効率−電圧、電流効率−電圧特性を図５１〜５５に示す。表１０にこれら特性をまとめたものを示す。
図中、素子Ｌは黒丸、素子Ｊは白丸、素子Ｋは灰色丸、ノンドープ素子（ハ）は◇印で示す。
【００４６】
【表１０】

【００４７】
素子Ｊ、Ｋより得られたＥＬスペクトル（図４９）は、それぞれ５００ｎｍ、５２０ｎｍにピークを有するＣ５４５Ｔに由来する緑色発光が観測された。素子Ｊ、Ｋから得られたＥＬスペクトルは４５０ｎｍ付近に肩を有していた。これは、ホスト材料であるＤＡＴＴからの発光ではないかと推測される。Ｃ５４５Ｔドープ型素子の発光機構がエネルギー移動型と仮定すると、ホストからのエネルギー移動がゲストであるＣ５４５Ｔに十分起こらず、ホスト材料の発光も観測されたと考えられる。また素子Ｋとノンドープ素子（ハ）を比較すると、素子Ｋの方が最大外部量子効率において約２倍近い値を示した。これは、ノンドープ素子（ハ）において、無放射失活過程で緩和していた再結合エネルギーが、Ｃ５４５Ｔをドープすることにより蛍光として得ることができたためと考えられる。ここでは、素子Ｋとノンドープ素子（ハ）において発光色の違いにより、輝度、視感効率などの考察は行わない。
また、素子Ｋに比べ素子Ｌの方が視感効率、最大外部量子効率において約３倍以上高い値を示した。これはＤＡＴＴよりＡｌｑ_３の方がキャリア輸送性に優れ、かつＣ５４５Ｔにエネルギー移動しやすいためであると考えられる。
【００４８】
【発明の効果】
（１）本発明により緑色から青色にわたるいろいろの色素用ホスト材料として有用な新規化合物を提供することができた。
（２）本発明化合物は、しばしば用いられている青色色素を色どりよく発光させるとともに、耐熱性がよく、３５０℃を越える温度でも分解することがなく、安定であるため、すぐれたエレクトロルミネッセンス素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ２−（９−アンスリル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ−Ａｎｔｈ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す
【図２】 ２−（９−アンスリル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ−Ａｎｔｈ）のＩＲスペクトルを示す
【図３】 ２−（９−アンスリル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロン（ＤＯＢ−Ａｎｔｈ）のＭＡＳＳスペクトルを示す
【図４】 ４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す
【図５】 図４の部分拡大図である。
【図６】 ４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）のＩＲスペクトルを示す
【図７】 参考例２で用いたエレクトロルミネッセンス素子Ａの積層構造を示す。なお、図中、ＥＬＴは電子輸送層、ＥＭＬは電子移動層、ＨＴＬはホール輸送層を示す。
【図８】 参考例２で用いたエレクトロルミネッセンス素子Ｂの積層構造を示す。なお、図中、ＥＬＴは電子輸送層、ＥＭＬは電子移動層、ＨＴＬはホール輸送層を示す。
【図９】 素子Ａ、Ｂ、Ｃの各エレクロトロルミネッセンススペクトルを示す。
【図１０】 参考例１で得られた４，４″−ジ−（９−アンスリル）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）の溶液とフィルムおよびゲスト色素のジスチリルアミン誘導体（ＢＣｚＶＢｉ：青色色素）の溶液に関する励起・蛍光スペクトルを示す。
【図１１】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの輝度−電圧特性を示すグラフである。
【図１２】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図１３】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの輝度−電流密度特性を示すグラフである。
【図１４】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの視感効率−電圧特性を示すグラフである。
【図１５】 前記素子Ａ、Ｂ、Ｃおよび比較例の素子（イ）のそれぞれの電流効率−電圧特性を示すグラフである。
【図１６】 参考例３に用いたエレクトロルミネッセンス素子の積層構造を示す。なお、図中、ＥＬＴは電子輸送層、ＥＭＬは電子移動層、ＨＴＬはホール輸送層を示す。
【図１７】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、ＥそれぞれのＥＬスペクトルを示す。
【図１８】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの輝度−電圧特性を示す。
【図１９】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの電流密度−電圧特性を示す。
【図２０】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの輝度−電流密度特性を示す。
【図２１】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの視感効率−電圧特性を示す。
【図２２】 エレクトロルミネッセンス素子Ｂ、Ｄ、Ｅそれぞれの電流効率−電圧特性を示す。
【図２３】 参考例４のエレクトロルミネッセンス素子の積層構造を示す。なお、図中、ＥＬＴは電子輸送層、ＥＭＬは電子移動層、ＨＴＬはホール輸送層を示す。
【図２４】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇおよび本発明のＤＡＴＴをドープしなかった素子のそれぞれのＥＬスペクトルを示す。
【図２５】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの輝度−電圧特性を示す。
【図２６】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの電流密度−電圧特性を示す。
【図２７】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの輝度−電流密度特性を示す。
【図２８】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの視感効率−電圧特性を示す。
【図２９】 エレクトロルミネッセンス素子Ｅ、Ｆ、Ｇのそれぞれの電流効率−電圧特性を示す。
【図３０】 比較例２の有機ＥＬ素子（ロ）の構成を示す。
【図３１】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれのＥＬスペクトルを示す。
【図３２】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの輝度−電圧特性を示すグラフである。
【図３３】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図３４】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの輝度−電流密度特性を示すグラフである。
【図３５】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの発光効率−電圧特性を示すグラフである。
【図３６】 素子Ｅと素子（ロ）のそれぞれの電流効率−電圧特性を示すグラフである。
【図３７】 ＢＣｚＶＢｉの励起、蛍光スペクトルおよびＤＰＶＢｉ溶液のＰＬスペクトル、ＤＡＴＴ溶液のＰＬスペクトルを示す。
【図３８】 ＤＡＴＴフィルムとＤＡＴＴをドープしたＢＣｚＶＢｉフィルムのＰＬスペクトルを示す。
【図３９】 ＤＰＶＢｉフィルムとＤＰＶＢｉをドープしたＢＣｚＶＢｉフィルムのＰＬスペクトルを示す。
【図４０】 ４，４″−Ｎ−Ｎ′−ジ−カルバゾール−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＣｚＴＴ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４１】 ４，４″−Ｎ−Ｎ′−ジ−カルバゾール−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＣｚＴＴ）のＩＲスペクトルを示す。
【図４２】 ４，４″−Ｎ−Ｎ′−ジ−カルバゾール−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＣｚＴＴ）のＭＡＳＳスペクトルを示す。
【図４３】 ジフェニルアミン含有ヘキサフェニルベンゼン誘導体（ＴＡＴＴ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４４】 ジフェニルアミン含有ヘキサフェニルベンゼン誘導体（ＴＡＴＴ）のＩＲスペクトルを示す。
【図４５】 ジフェニルアミン含有ヘキサフェニルベンゼン誘導体（ＴＡＴＴ）のＭＡＳＳスペクトルを示す。
【図４６】 素子Ｊの積層構造を示す断面図である。
【図４７】 素子Ｋの積層構造を示す断面図である。
【図４８】 素子Ｌの積層構造を示す断面図である。
【図４９】 素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープをしていない素子（ハ）の規格化強度および波長との関係を示すグラフである。
【図５０】 ゲスト色素クマリン５４５Ｔの励起スペクトル（Ｅｘ）と蛍光スペクトル（Ｅｍ）および４，４″−ジ−９−アンスリル−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル（ＤＡＴＴ）の溶液とフィルムのＰＬスペクトルを示す。
【図５１】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの輝度−電圧特性を示すグラフである。
【図５２】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図５３】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの輝度−電流密度特性を示すグラフである。
【図５４】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの視感効率−電圧特性を示すグラフである。
【図５５】 前記素子Ｊ、Ｋ、Ｌおよびドープしていない素子（ハ）のそれぞれの電流効率−電圧特性を示すグラフである。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to novel 4,4 "-di- (aryl) -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl derivatives, ThatThe present invention relates to a host material comprising the same and an electroluminescence element using the host material.
[0002]
[Prior art]
  Conventionally, a host material corresponding to a blue dye has a wavelength of blue fluorescence of a guest on the short wavelength side of 440 to 450 nm, so bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinolato) -4-phenylphenoxyaluminum Complex (BAlq₂) And 4- (2,2-diphenylvinyl) -1- [4- (2,2-diphenylvinyl) phenyl] benzene (DPVBi) are limited, and development of a new blue host material is required. It was done.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
  An object of the present invention is to develop a new compound useful as a host material for various dyes ranging from green to blue, in order to measure the enrichment of the host material with respect to the blue dyes of electroluminescence devices commonly used today.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
  The first of the present invention is the following general formula (1)
[2]

(Wherein R¹~ R²⁸And R⁴⁸~ R⁵⁷Is hydrogen, hydroxyl group, alkyl group, alkoxy group, amino group, alkylamino group,Aryl group, aralkyl group,A group independently selected from the group consisting of halogen, trifluoromethyl group, cyano group, nitro group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group and aryloxycarbonyl group;¹And R², R²And R³, R³And R⁴, R⁴And R⁵, R⁶And R⁷, R⁷And R⁸, R⁸And R⁹, R⁹And R¹⁰, R¹¹And R¹², R¹²And R¹³, R¹³And R¹⁴, R¹⁴And R¹⁵, R¹⁶And R¹⁷, R¹⁷And R¹⁸, R¹⁸And R¹⁹, R¹⁹And R²⁰, R²¹And R²², R²³And R²⁴, R²⁵And R²⁶, R²⁷And R²⁸, R⁴⁸And R⁴⁹, R⁴⁹And R⁵⁰, R⁵⁰And R⁵¹, R⁵¹And R⁵², R⁵³And R⁵⁴, R⁵⁴And R⁵⁵, R⁵⁵And R⁵⁶, R⁵⁶And R⁵⁷Each independently may form a 3- to 8-membered carbocycle, and R⁵²And R⁵⁷May be one bond or R⁵²And R⁵⁷Can be combined to form a 5- to 8-membered carbocycle, and these 3- to 8-membered carbocycles have a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkylamino group, an aryl as a substituent. A group selected from the group consisting of a group, an arylamino group, an aralkyl group, a halogen, a trifluoromethyl group, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aryloxycarbonyl group. )
And 4,4 ″ -di- (aryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl derivatives represented by
  The second of the present invention isClaim 1The present invention relates to a host material containing a 4,4 ″ -di- (aryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl derivative.
  The third aspect of the present invention isClaim 1The present invention relates to an electroluminescence (EL) device having a layer containing a 4,4 ″ -di- (aryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl derivative.
[0005]
  In the present inventionR ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ The alkyl group in is not particularly limited, but is usually a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  In the present inventionR ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ The alkoxy group in is a form in which the alkyl group is bonded to an oxygen atom.
  In the present inventionR ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ The alkylamino group in is a type in which part or all of the hydrogen of the amino group is substituted with the alkyl group.
  In the present inventionR ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ The aryl group in is one having one benzene ring (phenyl group), one having 2 to 8 integrated rings (for example, naphthyl group, anthranyl group), or a hydroxyl group or the alkyl group as necessary. , An alkoxyl group, an alkylamino group, an amino group, a halogen, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group and the like may be used as a substituent.
  In the present inventionR ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ In the aralkyl group, the aryl part may be the same as the aryl group, and the alkylene part may be a linear or branched alkylene, and usually has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms. It is.
  In the present inventionR ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ The alkoxycarbonyl group in can have the same alkyl moiety as the alkyl group.
  In the present inventionR ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ The aryloxycarbonyl group in can have the aryl moiety the same as the aryl group.
  The 3- to 8-membered carbocycle may be aliphatic, but is preferably an aromatic group, and a 3-membered or 6-membered ring is preferable among the 3- to 8-membered rings. In addition,R ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ As for, hydrogen is most preferable, and a dimethylamino group is preferred as the next preferable one.R ¹ ~ R ²⁸ And R ⁴⁸ ~ R ⁵⁷ Among these, it is relatively preferable that there is a group other than hydrogen.R ¹ ~ R ²⁰ Is.
[0006]
  The compound of the present invention can be produced by the following method. That is, the following general formula (2)
[Chemical 3]

(Wherein R¹~ R²⁸Is hydrogen, hydroxyl group, alkyl group, alkoxy group, amino group, alkylamino group,Aryl group, aralkyl group,A group independently selected from the group consisting of halogen, trifluoromethyl group, cyano group, nitro group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group and aryloxycarbonyl group;¹And R², R²And R³, R³And R⁴, R⁴And R⁵, R⁶And R⁷, R⁷And R⁸, R⁸And R⁹, R⁹And R¹⁰, R¹¹And R¹², R¹²And R¹³, R¹³And R¹⁴, R¹⁴And R¹⁵, R¹⁶And R¹⁷, R¹⁷And R¹⁸, R¹⁸And R¹⁹, R¹⁹And R²⁰, R²¹And R²², R²³And R²⁴, R²⁵And R²⁶, R²⁷And R²⁸Each may independently form a 3- to 8-membered carbocycle, and X is a halogen. )
4,4 ″ -dihalogeno-2 ′, 3 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl derivatives represented by the general formula (3)
[4]

(Wherein R⁴⁸~ R⁵⁷Is hydrogen, hydroxyl group, alkyl group, alkoxy group, amino group, alkylamino group, aryl group, arylamino group, aralkyl group, halogen, trifluoromethyl group, cyano group, nitro group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group and aryl. A group independently selected from the group consisting of a roxycarbonyl group, and R⁴⁸And R⁴⁹, R⁴⁹And R⁵⁰, R⁵⁰And R⁵¹, R⁵¹And R⁵², R⁵³And R⁵⁴, R⁵⁴And R⁵⁵, R⁵⁵And R⁵⁶, R⁵⁶And R⁵⁷Each independently may form a 3- to 8-membered carbocycle, and R⁵²And R⁵⁷May be one bond or R⁵²And R⁵⁷Can be combined to form a 5- to 8-membered carbocyclic ring. )
Indicated byN, N'-Reacting with diarylamineBy the present invention4,4 "-di- (aryl) -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl derivativeCan be manufactured.
[0007]
  Also,Specific examples of the compound of the present invention include
  4,4 "-di- (N, N-diphenylamino) -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (2-naphthyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (p-toluyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (m-toluyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (o-toluyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (m-xylyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (o-xylyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (o-chlorophenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (m-chlorophenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (p-chlorophenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (o-dichlorophenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (m-dichlorophenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (o-methoxyphenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (m-methoxyphenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (p-methoxyphenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (1-anthranyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (2-anthranyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (9-anthranyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (1-phenanthrenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (2-fluorenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (9-fluorenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (2-pyridyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (2-quinolyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (9-acridinyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (2-thiophenyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di- [N- (2-furanyl) -N-phenylamino] -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
Etc.
[0008]
  General formula (2Specific examples of 4,4 ″ -dihalogeno-2 ′, 3 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl derivatives represented by
  4,4 "-di-chloro-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di-bromo-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  4,4 "-di-iodo-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl,
  3,3 "-dimethyl-4,4" -di-chloro-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl
  3,3 "-dimethyl-4,4" -di-bromo-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl
  3,3 "-dimethyl-4,4" -di-iodo-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl
Etc.
[0009]
  General formula (3Specific examples of N, N-diarylamines represented by) are N, N-diphenylamine, N- (1-naphthyl) -N-phenylamine, N- (2-naphthyl) -N-phenylamine, N— (P-toluyl) -N-phenylamine, N- (m-toluyl) -N-phenylamine, N- (o-toluyl) -N-phenylamine, N- (m-xylyl) -N-phenylamine, N- (o-xylyl) -N-phenylamine, N- (m-chlorophenyl) -N-phenylamine, N- (p-chlorophenyl) -N-phenylamine, N- (o-chlorophenyl) -N-phenyl Amine, N- (o-dichlorophenyl) -N-phenylamine, N- (m-dichlorophenyl) -N-phenylamine, N- (o-methoxyphenyl) -N-phenylamine N- (m-methoxyphenyl) -N-phenylamine, N- (p-methoxyphenyl) -N-phenylamine, N- (1-anthranyl) -N-phenylamine, N- (2-anthranyl) -N -Phenylamine, N- (9-anthranyl) -N-phenylamine, N- (1-phenanthrenyl) -N-phenylamine, N- (2-fluorenyl) -N-phenylamine, N- (9-phenanthrenyl) -N-phenylamine, N- (1-fluorenyl) -N-phenylamine, N- (2-fluorenyl) -N-phenylamine, N- (9-fluorenyl) -N-phenylamine, N- (2- Pyridyl) -N-phenylamine, N- (2-quinolyl) -N-phenylamine, N- (9-acridinyl) -N-phenylamine, N- (2-thi Phenyl) -N- phenylamine, N-(2-furanyl) -N- phenylamine, and the like.
[0010]
  Of the compound of the present inventionAs a reaction catalyst used in the production method, a trialkylphosphine and organic palladium are generally used in combination, and a combination of tri-tert-butylphosphine and palladium acetate is particularly preferable. The reaction solvent is not particularly limited as long as it is inert to the reaction components, but aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene can be usually used. Regarding the reaction temperature, a range from room temperature to the reflux temperature can be used, but the reaction is preferably carried out at the reflux temperature in consideration of the reaction time.
[0011]
  When an organic EL device is produced using the compound of the present invention, since the compound of the present invention is usually used as a host material for various guest dyes, other than this feature point There are no special restrictions.
  Examples that can be preferably used as guest dyes in the present invention include distyrylamine derivatives (BCzVBi: blue), tetraphenylbutadiene (blue), perylene (blue), 9,10-diphenylanthracene (blue), azomethine sulfite complex ( Blue).
[0012]
  Therefore, there is no particular limitation on the structure of the EL element, but BCzVBi is used as a host material as a guest dye.referencePreferred device configuration when using 4,4 ″ -di- (9-anthryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl (DATT) obtained in Example 1 Three examples are shown below.
[0013]
  Anode / α-NPD / BCzVBi doped DATT (light emitting layer) / DATT (electron transport layer) / LiF (electron injection layer) / cathode
  Anode / α-NPD / BCzVBi doped DATT (light emitting layer) / Alq₃(Electron transport layer) / LiF (electron injection layer) / cathode
  Anode / α-NPD / BCzVBi doped DATT (light emitting layer) / BCP (electron transport layer) / LiF (electron injection layer) / cathode
[0014]
【Example】
  Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
[0015]
Synthesis example 1
  Synthesis of 1,3-bis (p-bromophenyl) -2-propanone [1,3-bis (p-bromophenyl) -2-propanone] (BBPP)
[5]

  p-Bromophenylacetic acid and magnesium oxide were placed in a round bottom flask and heated at 240 ° C. for 40 minutes under reduced pressure (10 to 12 mmHg) using a mantle heater to remove water. Then, it heated up further slowly and heated at 335 degreeC under pressure reduction (2-3 mmHg) for 30 minutes. After completion of the reaction, the mixture was extracted with chloroform and recrystallized with ethanol to obtain colorless plate crystals. Identification is¹This was carried out by 1 H-NMR and IR.
[0016]
Synthesis example 2
  Synthesis of 2,5-bis (p-bromophenyl) -3,4-diphenylcyclopentadienone [2,5-bis (p-bromophenyl) -3,4-diphenylcyclopentadiene] (BB-4PK)
[6]

  BBPP, benzyl, and ethanol were placed in a three-necked flask and stirred in a 75 ° C. water bath to dissolve. When the system became uniform, a 20% ethyl alcohol solution of KOH was slowly added dropwise. Thereafter, the mixture was refluxed for 15 minutes and collected by filtration. Purification was performed by a column chromatography method (developing solvent: chloroform) to obtain a black powdery solid. Identification is¹This was carried out by 1 H-NMR and IR.
[0017]
referenceExample 1
(1) Synthesis of 4,4 ″ -dibromo-3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl (DTT)
[7]

  BB-4PK, diphenylacetylene and benzophenone were put in a test tube and heated and dissolved with a gas burner. Further heating was performed, and when the color of the solution began to fade, the heating was stopped and the solution was allowed to stand at room temperature for 10 minutes. Thereafter, a small amount of diphenyl ether was added and heated again until boiling. After completion of the reaction, it was recovered by filtration. For purification, recrystallization was performed with diphenyl ether (melting point: 28 ° C., boiling point: 259 ° C.) to obtain colorless plate crystals. Identification is¹The analysis was performed by 1 H-NMR, IR, and elemental analysis.
[0018]
(2) Synthesis of 2- (9-anthryl) -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboron (DOB-Anth)
[8]

  9-Bromoanthracene (Br-Anth) was stirred and dissolved in purified THF under a nitrogen atmosphere. Next, it cooled in -78 degreeC ice bath, n-butyllithium hexane solution (1.56M) was dripped slowly, and it stirred at 0 degreeC for 30 minutes. Then, it is cooled again to −78 ° C., stirred for 30 minutes, then 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboron (DOB) is added, and the temperature is slowly raised to room temperature. The reaction was performed for 24 hours. After completion of the reaction, the mixture was extracted with diethyl ether, and the extract was washed with saturated brine. Purification was performed by silica gel column chromatography (developing solvent: toluene) and recrystallization with methyl alcohol to obtain white crystals. Identification is¹H-NMR (FIG. 1), IR (FIG. 2), and MASS (FIG. 3) were used.
[0019]
(3) 4,4 "-di- (9-anthryl) -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl [4,4" -Di- (9-anthryl) -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl] (DATT)
[Chemical formula 9]

  DTT, potassium carbonate, Pd (O) [(PPh₃)₄] Was stirred and dispersed in THF at room temperature under a nitrogen atmosphere. Next, the mixture was heated and stirred in a 70 ° C. oil bath, and after 20 minutes, DOB-Anth dissolved in THF was added, and then deionized water was added. Then, it was made to react for about 24 hours. The progress of the reaction was carried out with stirring by Thin Layer Chromatography (TLC) (thin layer chromatograph). Purification was performed four times by silica gel column chromatography (developing solvent; n-hexane: toluene = 1: 1) to obtain a light yellow powder. Identification is¹H-NMR (FIG. 4) (FIG. 5), IR (FIG. 6), and elemental analysis (C: 94.48%, H: 5.23%, N: 0.02%).
[0020]
referenceExample 2
  EL element using distyrylamine derivative (BCzVBi: blue) as guest dye
  FIG. 7 (element A), FIG. 8 [Tris (8-hydroxyquinolinolato) aluminum (complex) (Alq as an electron transport layer (ETL))₃) Was used, and three elements A, B, and C shown in FIG. 3 were prepared. The element in the case where BCP was used as the electron transport layer (ETL) was defined as C.
  The element A in FIG. 7 is obtained by vacuum-depositing α-NPD, which is a hole transport material, as a hole transport layer (HTL) on an ITO glass electrode by 500Å and BCzVBi in which 7 wt% of DATT is co-deposited as an emission layer (EML). Then, DATT is deposited in a thickness of 300 mm as an electron transport layer (ELT), lithium fluoride is deposited in a thickness of 5 mm as an electron injection layer, and finally Al metal is deposited in a thickness of 1000 mm as a back electrode. It was created by vapor deposition with a thickness.
  That is, the configuration of the element A is as follows.
[ITO (1300Å) / α-NPD (500Å) / BCzVBi [7wt%] doped DATT (200Å) / DATT (300Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)]
  In the device B or C of FIG. 8, α-NPD as a hole transport material was vacuum-deposited as a hole transport layer (HTL) on an ITO glass electrode by 400Å vacuum, and 7 wt% of DATT was co-deposited as an emission layer (EML). BCzVBi is laminated with a thickness of 400 mm, and then Alq is used as an electron transport layer (ETL).₃Alternatively, BCP is vapor-deposited with a thickness of 200 mm, lithium fluoride is vapor-deposited with a thickness of 5 mm as an electron injection layer, and finally Al metal is vapor-deposited with a thickness of 1000 mm as a back electrode.
  That is, the configurations of the elements B and C are as follows.
Element B [ITO (1300 Å) / α-NPD (400 Å) / BCzVBi [7 wt%] doped DATT (400 Å) / Alq₃(200Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)]
Element C [ITO (1300 mm) / α-NPD (400 mm) / BCzVBi [7 wt%] doped DATT (400 mm) / BCP (200 mm) / LiF (5 mm) / Al (1000 mm)]
  Alq₃, BCP, BCzVBi are represented by the following equations.
[10]

[0021]
  The electrochemical properties of DATT, BCP and BCzVBi are as shown in the following table.
[Table 1]

[0022]
  The EL spectra of the elements A, B, and C are shown in FIG. As a result, it can be seen how changes in the thickness of the light emitting layer and the thickness of the electron transport layer affect the color and the luminance. As a reference, BCzVBi solution (chloroform, 1.0 × 10^-5mol / L) excitation / fluorescence spectrum and DATT solution (chloroform, 1.0 × 10^-5mol / L), and the fluorescence spectrum of the thin film is shown in FIG. In FIG. 10, BCzVBi Ex. Is the excitation spectrum, BCzVBi Em. , DATT sol. , DATT film are fluorescence spectra.
  The luminance-voltage, current density-voltage, luminance-current density, luminous efficiency-voltage, and current efficiency-voltage characteristics of the elements A, B, and C are shown in FIGS.
  In the figure, element A is indicated by a black circle, element B is indicated by a white circle, and element C is indicated by a gray circle.
[0023]
Comparative Example 1
  The element structure is [ITO (1300Å) / α-NPD (400Å) / DATT (400Å) / Alq.₃(200 Å) / LiF (5 Å) / Al (1000 と し)] was used as a comparative example, and the same characteristics as the devices A, B, and C were measured and displayed in FIGS. .
[0024]
  The EL characteristics of the elements A, B, C and the comparative element (A) are shown in the following table.
[Table 2]

[0025]
  In the EL element spectra obtained from the elements A, B, and C, blue emission derived from BCzVBi having a sub peak at 450 nm and a main peak at 470 nm was observed. For element A, since DATT is used for the electron transport layer, the light emission starting voltage is 9 V, which is higher than that of other elements. However, even when a high voltage (15 V or more) is applied, the element is not destroyed and stable. It is. Comparing the elements B and C with the non-doped element (a) (comparative example), the color purity is improved in the CIE chromaticity coordinates, and the element characteristics of the elements B and C are the highest luminance, the maximum current efficiency, and the maximum external quantum. All of the efficiency values were three times higher.
  In the non-doped element of Comparative Example 1, it is considered that the recombination energy relaxed in the non-radiation deactivation process could be obtained as fluorescence by doping BCzVBi.
  In device C, the electron transport layer is made of Alq.₃Thus, a device replaced with BCP known as an electron transporting hole blocking layer was produced. This device was fabricated for blocking excitons generated in the DATT layer or confining holes in the DATT layer to further improve the characteristics and color purity. However, the characteristics of the manufactured device were higher than those of the device B, but the driving voltage was high although the maximum luminance, the maximum external quantum efficiency, and the like showed the same values. This is Alq compared to BCP₃This is probably because electrons are more easily injected from the cathode.
  So far, devices have been manufactured using DATT as a host material. From these results, device B showed the most excellent characteristics. Therefore, the film pressure of the light emitting layer and the doping concentration of BCzVBi were optimized with the aim of further improving the characteristics.
[0026]
referenceExample 3
  FIG. 16 shows the structures of the elements (three types) tested for improving the characteristics.
  The first (device D) has a light emitting layer thickness of 400 mm and a doped layer thickness of 200 mm.
  The second (element E) has a light emitting layer thickness of 300 mm and a doped layer thickness of 300 mm.
  The third layer (same as the element B) has a light emitting layer thickness of 200 mm and a doped layer thickness of 400 mm.
Element D: ITO (1300Å) / α-NPD (400Å) / BCzVBi [7 wt%] doped DATT (200Å) / Alq₃(400?) / LiF (5?) / Al (1000?)}
Element E: ITO (1300 Å) / α-NPD (400 Å) / BCzVBi [7 wt%] doped DATT (300 Å) / Alq₃(300Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)}
Element B: ITO (1300 Å) / α-NPD (400 Å) / BCzVBi [7 wt%] doped DATT (400 Å) / Alq₃(200Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)}
  EL spectra of the elements D, E, and B are shown in FIG. 17, and luminance-voltage, current density-voltage, luminance-current density, luminous efficiency-voltage, and current efficiency-voltage characteristics are shown in FIGS. The following table summarizes these characteristics.
  In the figure, a white circle indicates the element D, a black circle indicates the element E, and a gray circle indicates the element B.
[Table 3]

[0027]
  The characteristics of the elements D and E are represented by element B {ITO / α-NPD (400Å) / BCzVBi [7 wt%] dopedDATT (400Å) / Alq.₃The results are shown in FIGS. 18 to 22 and Table 3 above in comparison with (200Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)}. In the figure, the element B is indicated by a gray circle.
[0028]
  In the EL spectrum obtained from the element D, light blue emission having a main peak at 470 nm and a large shoulder near 500 nm was observed. This is because the light emitting layer (BCzVBi layer doped with 7% by weight of DATT) becomes as thin as 200 mm, so that the light emitting region becomes Alq.₃This is probably because the light spreads to the layers and emits light. In the EL spectrum obtained from the device E, blue light emission derived from BCzVBi having a sub peak at 450 nm and a main peak at 470 nm was observed. The element characteristics are that the light emitting region is Alq.₃The element D extending to the layer was lower than the element B. However, the element E showed a high value of about 40% at the maximum luminance and about 15% at the maximum external quantum efficiency. This is considered due to the improvement of the carrier balance. From this result, it can be seen that the optimum film thickness of the light emitting layer is 300 mm.
[0029]
referenceExample 4
  The optimum doping concentration was obtained, and an element having the structure shown in FIG. 23 was produced.
  An element having a doping concentration of 3 wt% is element F.
  Element E with a doping concentration of 7 wt% is the same as element E
  An element having a doping concentration of 10 wt% is element G
It was.
  EL spectra obtained from the elements F and G are shown in FIG. 24, and luminance-voltage, current density-voltage, luminance-current density, luminous efficiency-voltage, and current efficiency-voltage characteristics are shown in FIGS. The following table summarizes these characteristics.
[0030]
[Table 4]

[0031]
  In the EL spectra obtained from the elements F and G, blue emission derived from BCzVBi having a sub peak at 450 nm and a main peak at 470 nm was observed. The element characteristics were lower than the element E for both the elements F and G. In the element G, the sub-peak at 450 nm is small and slightly broad, so it is considered that concentration quenching occurs. From this result, it was found that the optimum doping concentration of BCzVBi in DATT is 7 wt%.
  Next, in this optimized BCzVBi doped type element: element E, it is compared with DPVBi known as a blue host material.
[0032]
Comparative Example 2
  The following formula known as a blue host material:
[11]

Co-deposited thickness using 5.6 wt% (optimum amount) of 4- (2,2-diphenylvinyl) -1- [4- (2,2-diphenylvinyl) phenyl] benzene (DPVBi) Organic EL device shown in FIG. 30 having a light-emitting layer composed of 300 Å BCzVBi layer (b) {ITO (1300 Å) / α-NPD (400 Å) / BCzVBi [5.6 wt% DPVBi doped] (300 Å) / Alq₃(300Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)}.
[0033]
  The organic EL element (b) and the organic EL element E {ITO (1300 ／) / α-NPD (400Å) / BCzVBi [7 wt% DATT dope] (300 ／) / Alq of the present invention₃(300 表) / LiF (5Å) / Al (1000Å)} are compared, and the electrical characteristics of DATT and DPVBi are examined and the results are shown in the following table.
[0034]
[Table 5]

[0035]
  The EL spectrum of each of the element E and the element (b) is shown in FIG. 31, the luminance-voltage characteristic is shown in FIG. 32, the current density-voltage characteristic is shown in FIG. 33, the luminance-current density characteristic is shown in FIG. The characteristics are shown in FIG. 35, and the current efficiency-voltage characteristics are shown in FIG.
[0036]
  Further, EL characteristics of the element E and the element (b) are shown in the following table.
[Table 6]

[0037]
  From these data, the element E is superior to the element (b) in terms of light emission efficiency-voltage characteristics, current efficiency-voltage characteristics, and maximum external quantum efficiency, and more than 30% in terms of maximum external quantum efficiency. You can see that This is presumably because the glass transition temperature of DPVBi is as low as 63.6 ° C. and a stable film state cannot be maintained under high voltage.
[0038]
  Reference exampleOne of the compounds, DATT, is a material that can sufficiently compete with DPVBi, which is a conventionally known host material, and can expand the selection range as a host material. FIG. 37 shows the excitation of BCzVBi, the fluorescence spectrum, the PL spectrum of the DPVBi solution, and the PL spectrum of the DATT solution. The mechanism by which BCzVBi emits light is that the host DPVBi or DATT emits fluorescence at a specific excitation wavelength, and the fluorescence becomes the excitation light of BCzVBi, and BCzVBi emits a fluorescence spectrum. Therefore, the larger the overlap between the position of the fluorescence spectrum of the host material and the position of the excitation spectrum of the guest material, the larger the amount of energy transfer, and the better the combination of the host material and the guest material. From this point, the point of interest in FIG. 37 is the degree of overlap between the excitation spectrum curve of BCzVBi and the fluorescence spectrum of the DATT solution. FIG. 38 shows a PL spectrum of a DATT film (λex = 394 nm, λem = 448 nm) and a BCzVBi film (λex = 394 nm, λem = 474 nm) doped with DATT, and FIG. 39 shows a DPVBi film (λex = 348 nm, λem). = 461 nm) and a PL spectrum of a BCzVBi film doped with DPVBi (λex = 348 nm, λem = 474 nm), and it can be seen that energy transfer is the main light-emitting mechanism for both device E and device (b). In summary, the DATT of the present invention has excellent thermal stability and is useful as a material for forming a long-life blue light-emitting element. In particular, DATT can achieve a high efficiency of about 35% in a BCzVBi-doped device as compared with DPVBi, and is useful as a blue host material.
[0039]
Example1{4,4 "-N, N'-dicarbazole-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl [4,4" -N, N'-Dicarbazole-3', 4 ', 5', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl (CzTT)]}
[12]

  4,4 "-Dibromo-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl [4,4" -Dibromo-3', 4 ', 5', 6'-tetraphenyl-p- terphenyl (DTT)], carbazole, NaO^tBu was stirred and dispersed in toluene at room temperature under a nitrogen stream. Next, Pd (OAc) dissolved in toluene₂, P (t-Bu)₃And reacted at 130 ° C. for 24 hours. The use ratio of each component is shown in Table 7 below. The progress of the reaction was carried out while confirming by TLC. After completion of the reaction, the mixture was washed with saturated brine and extracted with chloroform. Purification is performed by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform), sublimation purification (high temperature part: 370 ° C., low temperature part: 120 ° C., nitrogen flow rate: 50 [cc / min]) to obtain colorless needle crystals. It was. Identification is¹It was carried out by H-NMR spectrum (FIG. 40), IR spectrum (FIG. 41), and Mass spectrum (FIG. 42).
[0040]
[Table 7]

IR (KBr, cm^-1): 3500, 3400 (N—H, disparated), 3056, 1596, 1519 (aromatic ring), 1232 (C—N)
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃, TMS): δ (ppm) = 7.05 to 7.20 (28H, aromatic rings), 7.31 to 7.31, 7.43 to 7.50, 8.17 to 8.22 (16H, carbazoleunit). )
[0041]
Example2[Synthesis of diphenylamine-containing hexaphenylbenzene derivative (TATT)]
[13]

  4,4 "-Dibromo-3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl [4,4" -Dibromo-3', 4 ', 5', 6'-tetraphenyl-p- terphenyl (DTT)], diphenylamine [Diphenylamine (DAM)], NaO^tBu was stirred and dispersed in toluene at room temperature under a nitrogen stream. Next, Pd (OAc) dissolved in toluene₂, P (t-Bu)₃And reacted at 130 ° C. for 24 hours. The proportion of each ingredient used isTable 8 belowShown in The progress of the reaction was carried out while confirming by TLC. After completion of the reaction, the mixture was washed with saturated brine and extracted with chloroform. For purification, a silica gel column chromatography method (developing solvent: chloroform), white powder was obtained. Identification is¹This was carried out by H-NMR spectrum (FIG. 43), IR spectrum (FIG. 44), and Mass spectrum (FIG. 45).
[0042]
[Table 8]

IR (KBr, cm^-1): 3500, 3400 (N—H, dispaired), 3058, 1589, 1492 (aromatic ring), 1276 (C—N)
¹H-NMR (270 MHz, CDCl₃, TMS): δ (ppm) = 6.58 to 6.72, 6.80 to 6.86, 6.88 to 7.00, 7.12 to 7.20 (6H, 6H, 28H, 8H, aromatic) ring),
[0043]
Reference Example 5[Creation of an element using coumarin 545T (C545T: green) as a guest dye]
  46 to 48 show the element structures of the elements J, K, and L created. In addition, the electrochemical properties of DATT and C545TTable 9Shown in
[0044]
[Table 9]

[0045]
Element J: ITO (1300Å) / α-NPD (500Å) / C545T [1 wt%] doped DATT (200Å) / DATT (300Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)}
Element K: ITO (1300Å) / α-NPD (400Å) / C545T [1 wt%] doped DATT (400Å) / Alq₃(200Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)}
Element L: ITO (1300Å) / α-NPD (400Å) / C545T [1 wt%] doped Alq₃(400cm) / Alq₃(200Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)}
  As a comparison,
Non-doped element (c): ITO (1300Å) / α-NPD (400Å) / DATT (400Å) / Alq₃FIG. 49 shows an EL spectrum obtained from (200Å) / LiF (5Å) / Al (1000Å)}. For reference, C545T solution (chloroform 1.0 × 10^-5[Mol / L]) excitation / fluorescence spectrum and DATT solution (chloroform 1.0 × 10^-5[Mol / L]), the fluorescence spectrum of the thin film is shown in FIG. The luminance-voltage, current density-voltage, luminance-current density, luminous efficiency-voltage, and current efficiency-voltage characteristics are shown in FIGS.Table 10Shows a summary of these characteristics.
  In the figure, the element L is indicated by a black circle, the element J is indicated by a white circle, the element K is indicated by a gray circle, and the non-doped element (c) is indicated by a ◇.
[0046]
[Table 10]

[0047]
  In the EL spectra obtained from the devices J and K (FIG. 49), green light emission derived from C545T having peaks at 500 nm and 520 nm, respectively, was observed. The EL spectra obtained from the elements J and K had a shoulder near 450 nm. This is presumed to be light emission from DATT which is a host material. Assuming that the light emission mechanism of the C545T-doped element is an energy transfer type, it is considered that the energy transfer from the host does not sufficiently occur in the C545T guest, and the light emission of the host material was also observed. Further, when comparing the element K and the non-doped element (C), the element K showed a value nearly twice as large in the maximum external quantum efficiency. This is presumably because the recombination energy relaxed in the non-radiative deactivation process in the non-doped element (c) can be obtained as fluorescence by doping C545T. Here, due to the difference in emission color between the element K and the non-doped element (C), considerations such as luminance and luminous efficiency are not performed.
  Further, the element L showed a value about three times or more higher in the luminous efficiency and the maximum external quantum efficiency than the element K. This is Alq than DATT₃This is considered to be because the carrier transportability is superior and energy transfer to C545T is easy.
[0048]
【The invention's effect】
(1) According to the present invention, a novel compound useful as a host material for various dyes ranging from green to blue can be provided.
(2) The compound of the present invention emits a blue dye often used in various colors, has good heat resistance, does not decompose even at temperatures exceeding 350 ° C., and is stable. Can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 of 2- (9-anthryl) -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboron (DOB-Anth)¹Shows H-NMR spectrum
FIG. 2 shows an IR spectrum of 2- (9-anthryl) -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboron (DOB-Anth).
FIG. 3 shows a MASS spectrum of 2- (9-anthryl) -4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaboron (DOB-Anth).
FIG. 4 of 4,4 ″ -di- (9-anthryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl (DATT)¹Shows H-NMR spectrum
FIG. 5 is a partially enlarged view of FIG. 4;
FIG. 6 shows the IR spectrum of 4,4 ″ -di- (9-anthryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl (DATT).
[Fig. 7]Reference example 2The laminated structure of the electroluminescent element A used in FIG. In the figure, ELT represents an electron transport layer, EML represents an electron transfer layer, and HTL represents a hole transport layer.
[Fig. 8]Reference example 2The laminated structure of the electroluminescent element B used in FIG. In the figure, ELT represents an electron transport layer, EML represents an electron transfer layer, and HTL represents a hole transport layer.
FIG. 9 shows each electroluminescence spectrum of elements A, B, and C.
FIG. 10Reference example 1Solution and film of 4,4 "-di- (9-anthryl) -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl (DATT) obtained in 1) and distyrylamine of guest dye The excitation and the fluorescence spectrum regarding the solution of derivative | guide_body (BCzVBi: blue pigment | dye) are shown.
FIG. 11 is a graph showing luminance-voltage characteristics of the elements A, B, C and the element (A) of the comparative example.
FIG. 12 is a graph showing current density-voltage characteristics of the elements A, B, and C and the element (A) of the comparative example.
FIG. 13 is a graph showing luminance-current density characteristics of each of the elements A, B, C and the element (A) of the comparative example.
FIG. 14 is a graph showing luminous efficiency-voltage characteristics of the elements A, B, and C and the element (A) of the comparative example.
FIG. 15 is a graph showing current efficiency-voltage characteristics of the elements A, B and C and the element (A) of the comparative example.
FIG. 16Reference example 3The laminated structure of the electroluminescent element used for is shown. In the figure, ELT represents an electron transport layer, EML represents an electron transfer layer, and HTL represents a hole transport layer.
FIG. 17 shows EL spectra of electroluminescence elements B, D, and E, respectively.
FIG. 18 shows luminance-voltage characteristics of electroluminescent elements B, D, and E, respectively.
FIG. 19 shows current density-voltage characteristics of electroluminescence elements B, D, and E, respectively.
FIG. 20 shows luminance-current density characteristics of each of electroluminescent elements B, D, and E.
FIG. 21 shows luminous efficiency-voltage characteristics of electroluminescent elements B, D, and E, respectively.
FIG. 22 shows current efficiency-voltage characteristics of electroluminescent elements B, D, and E, respectively.
FIG. 23Reference example 42 shows a laminated structure of the electroluminescence element. In the figure, ELT represents an electron transport layer, EML represents an electron transfer layer, and HTL represents a hole transport layer.
FIG. 24 shows the respective EL spectra of electroluminescent elements E, F, G and elements not doped with DATT of the present invention.
FIG. 25 shows luminance-voltage characteristics of the electroluminescence elements E, F, and G, respectively.
FIG. 26 shows current density-voltage characteristics of electroluminescence elements E, F, and G, respectively.
FIG. 27 shows luminance-current density characteristics of electroluminescent elements E, F, and G, respectively.
FIG. 28 shows luminous efficiency-voltage characteristics of electroluminescence elements E, F, and G, respectively.
FIG. 29 shows current efficiency-voltage characteristics of electroluminescence elements E, F, and G, respectively.
30 shows a configuration of an organic EL element (b) of Comparative Example 2. FIG.
FIG. 31 shows the EL spectra of element E and element (b).
FIG. 32 is a graph showing luminance-voltage characteristics of the element E and the element (b).
FIG. 33 is a graph showing current density-voltage characteristics of an element E and an element (b).
FIG. 34 is a graph showing luminance-current density characteristics of the element E and the element (b).
FIG. 35 is a graph showing luminous efficiency-voltage characteristics of the element E and the element (b).
FIG. 36 is a graph showing current efficiency-voltage characteristics of the element E and the element (b).
FIG. 37 shows excitation of BCzVBi, fluorescence spectrum, PL spectrum of DPVBi solution, and PL spectrum of DATT solution.
FIG. 38 shows PL spectra of a DATT film and a BCzVBi film doped with DATT.
FIG. 39 shows a PL spectrum of a DPVBi film and a BCzVBi film doped with DPVBi.
FIG. 40: 4,4 ″ -N—N′-di-carbazole-3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl (CzTT)¹H-NMR spectrum is shown.
FIG. 41 shows the IR spectrum of 4,4 ″ -N—N′-di-carbazole-3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl (CzTT).
FIG. 42 shows a MASS spectrum of 4,4 ″ -N—N′-di-carbazole-3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl (CzTT).
FIG. 43 shows a diphenylamine-containing hexaphenylbenzene derivative (TATT).¹H-NMR spectrum is shown.
FIG. 44 shows an IR spectrum of a diphenylamine-containing hexaphenylbenzene derivative (TATT).
FIG. 45 shows a MASS spectrum of a diphenylamine-containing hexaphenylbenzene derivative (TATT).
46 is a cross-sectional view showing a stacked structure of element J. FIG.
47 is a cross-sectional view showing a stacked structure of the element K. FIG.
48 is a cross-sectional view showing a stacked structure of an element L. FIG.
FIG. 49 is a graph showing the relationship between normalized intensity and wavelength of elements J, K, and L and an undoped element (c).
FIG. 50: Excitation spectrum (Ex) and fluorescence spectrum (Em) of guest dye coumarin 545T and 4,4 ″ -di-9-anthryl-3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-ter The PL spectrum of the solution of phenyl (DATT) and a film is shown.
FIG. 51 is a graph showing luminance-voltage characteristics of the elements J, K, and L and an undoped element (c).
FIG. 52 is a graph showing current density-voltage characteristics of the elements J, K, and L and an undoped element (C).
FIG. 53 is a graph showing luminance-current density characteristics of the elements J, K, and L and an undoped element (c).
FIG. 54 is a graph showing luminous efficiency-voltage characteristics of each of the elements J, K, and L and an undoped element (C).
FIG. 55 is a graph showing current efficiency-voltage characteristics of the elements J, K, and L and an undoped element (C).

Claims (3)

The following general formula ( 1 )

(Wherein R ^{1 to} R ²⁸ and R ^{48 to} R ⁵⁷ are hydrogen, hydroxyl group, alkyl group, alkoxy group, amino group, alkylamino group, aryl group, aralkyl group, halogen, trifluoromethyl group, cyano group, R ¹ and R ² , R ² and R ³ , R ³ and R ⁴ , R each independently selected from the group consisting of nitro group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group and aryloxycarbonyl group ⁴ and R ⁵ , R ⁶ and R ⁷ , R ⁷ and R ⁸ , R ⁸ and R ⁹ , R ⁹ and R ¹⁰ , R ¹¹ and R ¹² , R ¹² and R ¹³ , R ¹³ and R ¹⁴ , R ¹⁴ and R ¹⁵ , R ¹⁶ and R ¹⁷ , R ¹⁷ and R ¹⁸ , R ¹⁸ and R ¹⁹ , R ¹⁹ and R ²⁰ , R ²¹ and R ²² , R ²³ and R ²⁴ , R ²⁵ and R ²⁶ , R ²⁷ and R ²⁸ , ^{R 48} and ^{R 49, 49} and ^{R 50, R 50} and ^{R 51, R 51} and ^{R 52, R 53} and ^{R 54, R 54} and ^{R 55, R 55} and ^{R 56, R 56} and ^{R 57} each independently 3-8 membered of A carbocycle may be formed, and R ⁵² and R ⁵⁷ may be a single bond, or R ⁵² and R ⁵⁷ may be combined to form a 5- to 8-membered carbocycle. These 3- to 8-membered carbocycles have a hydroxyl group, alkyl group, alkoxy group, amino group, alkylamino group, aryl group, arylamino group, aralkyl group, halogen, trifluoromethyl group, cyano group as a substituent. And a group selected from the group consisting of a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aryloxycarbonyl group.
A 4,4 ″ -di- (aryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl derivative represented by the formula: A host material comprising the 4,4 ″ -di- (aryl) -3 ′, 4 ′, 5 ′, 6′-tetraphenyl-p-terphenyl derivative according to claim 1 . An electroluminescence comprising a layer containing the 4,4 "-di- (aryl) -3 ', 4', 5 ', 6'-tetraphenyl-p-terphenyl derivative according to claim 1. EL) element.

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