JP4345460B2 - Radiation image conversion panel - Google Patents

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本発明は、支持体上に輝尽性蛍光体を含有する柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層が気相堆積法により形成され、該輝尽性蛍光体層が保護層で被覆されてなる放射線像変換パネルに関する。   In the present invention, a photostimulable phosphor layer made of a columnar crystal containing a photostimulable phosphor is formed on a support by a vapor deposition method, and the photostimulable phosphor layer is covered with a protective layer. The present invention relates to a radiation image conversion panel.

従来より、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。すなわち、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、その後、この輝尽性蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの輝尽性蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを輝尽性蛍光体として放射させ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線画像変換方法が知られている(特許文献1参照)。
Conventionally, so-called radiography using a silver salt is used to obtain a radiographic image, but a method for imaging a radiographic image without using a silver salt has been developed. That is, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the stimulable phosphor, and then the stimulable phosphor is excited with a certain energy to excite the radiation energy accumulated in the stimulable phosphor. A method of emitting as a fluorescent material and detecting and imaging this fluorescence is disclosed.
As a specific method, a radiation image conversion method using a panel having a photostimulable phosphor layer on a support and using one or both of visible light and infrared light as excitation energy is known (Patent Document 1). reference).

ところで、近年、高輝度、高感度、高鮮鋭性の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、CsBrなどのハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルが提案されている。特にEuを賦活剤とすることで、従来不可能であったX線変換効率の向上が可能になるとされている。   By the way, in recent years, as a radiation image conversion method using a high-luminance, high-sensitivity, high-sharp stimulable phosphor, radiation using a stimulable phosphor in which Eu is activated with an alkali halide such as CsBr as a base material. Image conversion panels have been proposed. In particular, by using Eu as an activator, X-ray conversion efficiency, which has been impossible in the past, can be improved.

一方、診断画像の解析において輝尽発光光の集光効率を向上させることにより、高感度で高画質な放射線像変換パネルが要求されており、このための手段として、例えば支持体上に形成される輝尽性蛍光体層を、柱状結晶からなる柱状構造とし、柱状結晶の端部(支持体とは反対側の頂部)を凸状とした放射線像変換パネルが提案されている(特許文献2参照)。
米国特許第3,859,527号明細書 特開2002−181997号公報
On the other hand, there is a demand for a high-sensitivity and high-quality radiation image conversion panel by improving the light collection efficiency of stimulated emission light in the analysis of diagnostic images. As a means for this purpose, for example, it is formed on a support. A radiation image conversion panel has been proposed in which the stimulable phosphor layer has a columnar structure composed of columnar crystals, and the ends of the columnar crystals (the top on the side opposite to the support) are convex (Patent Document 2). reference).
US Pat. No. 3,859,527 JP 2002-181997 A

しかしながら、上記特許文献2に記載の放射線像変換パネルのように結晶先端の形状を制御しても、ごく表層部分の発光効率が向上するだけであるので画像粒状性(ノイズ)に優れず、画質としては不十分であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、発光の均一性を増加させることにより画像粒状性に優れた放射線像変換パネルを提供することを目的としている。
However, even if the shape of the crystal tip is controlled as in the radiation image conversion panel described in Patent Document 2, only the light emission efficiency of the surface layer portion is improved, so the image granularity (noise) is not excellent, and the image quality As it was insufficient.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a radiation image conversion panel excellent in image granularity by increasing the uniformity of light emission.

上記課題を解決するために、請求項1の発明は、支持体上に輝尽性蛍光体を含有する柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層が気相堆積法により形成され、該輝尽性蛍光体層が保護層で被覆されてなる放射線像変換パネルであって、
前記輝尽性蛍光体層は、輝尽性蛍光体の母体に賦活剤を賦活させてなる1層の柱状結晶であり、
前記輝尽性蛍光体層の柱状結晶側面において、前記輝尽性蛍光体層の膜厚に対して前記保護層側から前記膜厚の5%〜15%に当たる部位における直線性は、前記支持体側から前記膜厚の0%〜10%に当たる部位における直線性より良好であることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is characterized in that a stimulable phosphor layer comprising a columnar crystal containing a stimulable phosphor is formed on a support by a vapor deposition method. A radiation image conversion panel in which a phosphor layer is covered with a protective layer,
The photostimulable phosphor layer is a single-layer columnar crystal formed by activating an activator on the matrix of the photostimulable phosphor,
On the side of the columnar crystal of the photostimulable phosphor layer, the linearity in the portion corresponding to 5% to 15% of the film thickness from the protective layer side with respect to the film thickness of the photostimulable phosphor layer is as follows: From the above, the linearity at the portion corresponding to 0% to 10% of the film thickness is better.

請求項1の発明によれば、柱状結晶側面において、保護層側の直線性が支持体側の直線性より良好であるので、光が結晶から外部に出てしまうことを防ぎ、結晶内で光を反射したり屈折させることにより、輝尽発光を容易に散乱し、各結晶の発光の均一性を増加させることによって画像粒状性に優れたパネルとすることができる。よって、放射線画像の画質を格段に向上させることができる。   According to the invention of claim 1, since the linearity on the protective layer side is better than the linearity on the support side on the columnar crystal side surface, the light is prevented from going out from the crystal, and the light is transmitted within the crystal. By reflecting or refracting the light, it is possible to easily scatter the stimulated light emission and increase the uniformity of the light emission of each crystal, thereby obtaining a panel having excellent image graininess. Therefore, the image quality of the radiation image can be significantly improved.

請求項2の発明は、請求項1に記載の放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層の膜厚に対して前記保護層側から前記膜厚の5%〜15%に当たる部位における柱状結晶の平均柱状径は、前記支持体側から前記膜厚の0%〜15%に当たる部位における柱状結晶の平均柱状径より大きいことを特徴とする。
The invention of claim 2 is the radiation image conversion panel according to claim 1,
The average columnar diameter of the columnar crystals at the portion corresponding to 5% to 15% of the film thickness from the protective layer side with respect to the film thickness of the photostimulable phosphor layer is 0% to 15% of the film thickness from the support side. It is characterized by being larger than the average columnar diameter of the columnar crystals in the portion corresponding to%.

請求項2の発明によれば、保護層側の柱状結晶の平均柱状径は支持体側の柱状結晶の平均柱状径より大きいので、保護層側に向かって柱状結晶の幅が太くなることから、光の取り出し方向の面積が大きくなり、発光効率が増加し、画像粒状性を向上させることができる。   According to the invention of claim 2, since the average columnar diameter of the columnar crystal on the protective layer side is larger than the average columnar diameter of the columnar crystal on the support side, the width of the columnar crystal increases toward the protective layer side. The area in the take-out direction is increased, the light emission efficiency is increased, and the image granularity can be improved.

請求項3の発明は、請求項1又は2に記載の放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層の膜厚が50μm以上1000μm以下であることを特徴とする。
The invention of claim 3 is the radiation image conversion panel according to claim 1 or 2,
The stimulable phosphor layer has a thickness of 50 μm or more and 1000 μm or less.

請求項3の発明によれば、輝尽性蛍光体層の膜厚が50μm以上1000μm以下であるので、必要とされる放射線吸収量を満たすことができ、画像粒状性に優れた画質を得ることができる。
ここで、輝尽性蛍光体層の膜厚を50μm以上1000μm以下としたのは、膜厚が50μm未満と薄い場合には、放射線吸収量が少なく透過量が多くなり、得られた放射線画像の画質が低下してしまうためである。一方、膜厚が1000μmより厚い場合には、輝尽発光成分の散乱が大きくなるため、画質の低下を招くこととなるためである。
According to the invention of claim 3, since the thickness of the photostimulable phosphor layer is 50 μm or more and 1000 μm or less, the required amount of radiation absorption can be satisfied, and an image quality excellent in image granularity can be obtained. Can do.
Here, the film thickness of the photostimulable phosphor layer is set to 50 μm or more and 1000 μm or less because when the film thickness is less than 50 μm, the radiation absorption amount is small and the transmission amount is large. This is because the image quality deteriorates. On the other hand, when the film thickness is thicker than 1000 μm, scattering of the photostimulable luminescent component is increased, leading to deterioration in image quality.

請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層が、CsBr:Euを蒸着することにより形成されたCsBr柱状結晶で構成されていることを特徴とする。
Invention of Claim 4 is a radiation image conversion panel as described in any one of Claims 1-3,
The stimulable phosphor layer, CsBr: characterized in that it is composed of CsBr columnar crystals formed by depositing Eu.

請求項4の発明によれば、輝尽性蛍光体層がCsBr柱状結晶で構成されているので、高感度、高精鋭性を両立する輝尽性蛍光体層とすることができ、放射線画像の画質を格段に向上させることができる。   According to the invention of claim 4, since the photostimulable phosphor layer is composed of CsBr columnar crystals, it can be a photostimulable phosphor layer having both high sensitivity and high sharpness. The image quality can be significantly improved.

以下、本発明に係る放射線像変換パネルについて詳細に説明する。
本発明の放射線像変換パネルは、図1に示すように支持体11と、該支持体11上に気相堆積法により形成され輝尽性蛍光体を含有する柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層12と、該輝尽性蛍光体層12を被覆する保護層(図示しない)とを備えている。
そして、輝尽性蛍光体層12の柱状結晶側面において、輝尽性蛍光体層12の膜厚に対して保護層側から前記膜厚の5%〜15%に当たる部位12aにおける直線性は、支持体11側から前記膜厚の0%〜10%に当たる部位12bにおける直線性より良好である。
また、上記範囲における保護層側の柱状結晶12aの平均柱状径が、上記範囲における支持体11側の柱状結晶12bの平均柱状径より大きい。
このように、本発明者等は、輝尽性蛍光体層12の保護層側の柱状結晶12a及び支持体11側の柱状結晶12bの側面形状を制御することにより、発光の均一性を増加させ、その結果、画像粒状性に優れた放射線像変換パネルを得ることができることを見いだした。
Hereinafter, the radiation image conversion panel according to the present invention will be described in detail.
As shown in FIG. 1, the radiation image conversion panel of the present invention is a stimulable phosphor comprising a support 11 and a columnar crystal formed on the support 11 by a vapor deposition method and containing a stimulable phosphor. A layer 12 and a protective layer (not shown) for covering the photostimulable phosphor layer 12 are provided.
And in the columnar crystal side surface of the photostimulable phosphor layer 12, the linearity in the portion 12a corresponding to 5% to 15% of the film thickness from the protective layer side with respect to the film thickness of the photostimulable phosphor layer 12 is supported. It is better than the linearity at the part 12b corresponding to 0% to 10% of the film thickness from the body 11 side.
Moreover, the average columnar diameter of the columnar crystal 12a on the protective layer side in the above range is larger than the average columnar diameter of the columnar crystal 12b on the support 11 side in the above range.
As described above, the present inventors increase the uniformity of light emission by controlling the side shape of the columnar crystal 12a on the protective layer side of the stimulable phosphor layer 12 and the columnar crystal 12b on the support 11 side. As a result, it has been found that a radiation image conversion panel excellent in image granularity can be obtained.

ここで、輝尽性蛍光体層12の膜厚に対して保護層側から前記膜厚の5%〜15%に当たる部位とは、輝尽性蛍光体層12はその先端部分が尖った突起状となっているので、この突起(輝尽性蛍光体層12の膜厚に対して保護層側から5%に当たる部位)を除いた部位から膜厚10%部分に当たる結晶12aのことを言う。
一方、輝尽性蛍光体層12の膜厚に対して支持体11側から前記膜厚の0%〜10%に当たる部位とは、支持体11の上面から膜厚10%部分に当たる結晶12bのことを言う。
Here, the portion corresponding to 5% to 15% of the film thickness from the protective layer side with respect to the film thickness of the photostimulable phosphor layer 12 means that the photostimulable phosphor layer 12 has a pointed tip. Therefore, it refers to the crystal 12a corresponding to the 10% film thickness from the part excluding this protrusion (the part corresponding to 5% from the protective layer side with respect to the film thickness of the stimulable phosphor layer 12).
On the other hand, the portion corresponding to 0% to 10% of the film thickness from the support 11 side with respect to the film thickness of the photostimulable phosphor layer 12 is the crystal 12b corresponding to the 10% film thickness from the upper surface of the support 11. Say.

また、直線性が良好とは、柱状結晶側面の形状が略垂直なもの程、つまり、うねりの少ないもの程良好であるという意味である。詳細には、図3に示すように柱状結晶側面のうねりのうち、外側に飛び出ている部分(最大突出部分)と内側に凹んでいる部分(最大凹み部分)との幅(うねりの幅)が短いもの程、直線性が良好となる。なお、後述する本実施例では上述のうねりの幅を計測することで直線性を評価している。
さらに、柱状結晶の柱状径とは、図1に示す各柱状結晶12a、12bの幅D、dのことを言う。
Also, “good linearity” means that the shape of the side surface of the columnar crystal is substantially vertical, that is, the shape having less undulation is better. Specifically, as shown in FIG. 3, the width (waviness width) of the undulations on the side surface of the columnar crystal is the portion protruding outward (maximum protruding portion) and the portion recessed inward (maximum dent portion). The shorter the line, the better the linearity. In this embodiment, which will be described later, the linearity is evaluated by measuring the width of the waviness described above.
Furthermore, the columnar diameter of the columnar crystals refers to the widths D and d of the columnar crystals 12a and 12b shown in FIG.

本発明で使用される支持体は、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、気相堆積法により蛍光体層を形成する際の支持体となる場合には、石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート及び炭素繊維強化シートが好ましい。
また、支持体には、その表面を平滑な面とするために樹脂層を有することが好ましい。
樹脂層は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、パラフィン、グラファイト等の化合物を含有することが好ましく、その膜厚は、約5μm〜50μmであることが好ましい。この樹脂層は、支持体の表面に設けても裏面に設けても両面に設けても良い。
また、支持体上に樹脂層を設ける手段としては、貼合法、塗設法等の手段が挙げられる。
貼合は加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件としては約80〜150℃が好ましく、加圧条件としては4.90×10〜2.94×102N/cm、搬送速度は0.1〜2.0m/秒が好ましい。
The support used in the present invention can be arbitrarily selected from known materials as a support for a conventional radiation image conversion panel. However, in the case of forming a phosphor layer by a vapor deposition method, In particular, a quartz glass sheet, a metal sheet made of aluminum, iron, tin, chromium, or the like, and a carbon fiber reinforced sheet are preferable.
The support preferably has a resin layer in order to make the surface smooth.
The resin layer preferably contains a compound such as polyimide, polyethylene terephthalate, paraffin, graphite, and the film thickness is preferably about 5 μm to 50 μm. This resin layer may be provided on the front surface, the back surface, or both surfaces of the support.
Examples of means for providing the resin layer on the support include means such as a bonding method and a coating method.
Bonding is performed using heating and a pressure roller. The heating condition is preferably about 80 to 150 ° C. The pressure condition is 4.90 × 10 to 2.94 × 10 2 N / cm, and the conveyance speed is 0. .1 to 2.0 m / sec is preferable.

本発明の輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線像像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50μm〜2000μmであり、好ましくは50μm〜1000μmであり、さらに好ましくは100μm〜800μmである。   The film thickness of the photostimulable phosphor layer of the present invention is 50 μm to 2000 μm from the viewpoint of obtaining the effects of the present invention, although it varies depending on the intended use of the radiation image conversion panel and the type of stimulable phosphor. Preferably they are 50 micrometers-1000 micrometers, More preferably, they are 100 micrometers-800 micrometers.

また、輝尽性蛍光体層は、下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を含有することが好ましい。
一般式(1)
1X・aM2X’2・bM3X”3:eA[式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、X、X’、X”はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、また、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。]
The stimulable phosphor layer preferably contains a stimulable phosphor represented by the following general formula (1).
General formula (1)
M 1 X · aM 2 X ′ 2 · bM 3 X ″ 3 : eA [wherein M 1 is at least one alkali metal atom selected from Li, Na, K, Rb and Cs atoms; 2 is at least one divalent metal atom selected from the atoms of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, and M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd. , Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, and In, at least one trivalent metal atom, and X, X ′, X ″ is at least one halogen atom selected from F, Cl, Br, and I atoms, and A is Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd , Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg It is at least one kind of metal atom, and a, b and e each represent a numerical value in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <e ≦ 0.2. ]

上記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体において、M1は、Li、Na、K、Rb及びCs等の各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子を表し、中でもRb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはCs原子である。 In the photostimulable phosphor represented by the general formula (1), M 1 represents at least one alkali metal atom selected from each atom such as Li, Na, K, Rb and Cs. At least one alkaline earth metal atom selected from each atom of Cs is preferable, and a Cs atom is more preferable.

2は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNi等の各原子から選ばれる少なくとも1種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Be、Mg、Ca、Sr及びBa等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。 M 2 represents at least one divalent metal atom selected from atoms such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, and Ni, and among these, Be, It is a divalent metal atom selected from each atom such as Mg, Ca, Sr and Ba.

3は、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びIn等の各原子から選ばれる少なくとも1種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはY、Ce、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Ga及びIn等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。 M 3 is selected from atoms such as Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, and In. At least one trivalent metal atom is represented, but among them, a trivalent metal atom selected from each atom such as Y, Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In is preferable. It is.

Aは、Eu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子である。   A is at least one selected from each atom of Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. It is a seed metal atom.

輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、X、X’及びX”はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子を表すが、F、Cl及びBrから選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が好ましく、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が更に好ましい。   From the viewpoint of improving the photostimulable emission brightness of the photostimulable phosphor, X, X ′ and X ″ represent at least one halogen atom selected from F, Cl, Br and I atoms. At least one halogen atom selected from Br is preferable, and at least one halogen atom selected from Br and I atoms is more preferable.

また、一般式(1)において、b値は0≦b<0.5であるが、好ましくは、0≦b<10-2である。 In the general formula (1), the b value is 0 ≦ b <0.5, and preferably 0 ≦ b <10 −2 .

そして、特に本発明においては、前述の一般式(1)において、原子(M1;Cs、X;Br)の組み合わせであるCsBrを母体とする輝尽性蛍光体を用いることが好適である。 In particular, in the present invention, it is preferable to use a stimulable phosphor having, as a base, CsBr which is a combination of atoms (M 1 ; Cs, X; Br) in the general formula (1).

本発明の一般式(1)で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる方法により製造される。
蛍光体原料としては、
(a)NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIから選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物が用いられる。
The photostimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention is produced, for example, by the method described below.
As a phosphor material,
(A) At least one compound selected from NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr and CsI is used.

(b)MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCI2、BaBr2、BaBr2・2H2O、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2の化合物から選ばれる少なくとも1種又は2種以上の化合物が用いられる。 (B) MgF 2, MgCl 2 , MgBr 2, MgI 2, CaF 2, CaCl 2, CaBr 2, CaI 2, SrF 2, SrCl 2, SrBr 2, SrI 2, BaF 2, BaCI 2, BaBr 2, BaBr 2 2H 2 O, BaI 2 , ZnF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , CdF 2 , CdCl 2 , CdBr 2 , CdI 2 , CuF 2 , CuCl 2 , CuBr 2 , CuI, NiF 2 , NiCl 2 , NiBr At least one or two or more compounds selected from 2 and NiI 2 compounds are used.

(c)前記一般式(1)において、Eu、Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMg等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。   (C) In the general formula (1), Eu, Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu And a compound having a metal atom selected from each atom such as Mg.

上記の数値範囲の混合組成になるように前記(a)〜(c)の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。
次に、得られた水溶液のpH値Cを0<C<7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は500〜1000℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、0.5〜6時間が好ましい。
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
The phosphor materials (a) to (c) are weighed so as to have a mixed composition in the above numerical range, and dissolved in pure water.
At this time, the mixture may be sufficiently mixed using a mortar, ball mill, mixer mill or the like.
Next, a predetermined acid is added so that the pH value C of the obtained aqueous solution is adjusted to 0 <C <7, and then water is evaporated.
Next, the obtained raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is preferably 500 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature and the like, but is preferably 0.5 to 6 hours.
The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weak oxidizing atmosphere is preferred.

なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却しても良い。   After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out from the electric furnace and pulverized, and then the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and again under the same firing conditions as described above. If the firing is performed, the luminous brightness of the photostimulable phosphor can be further increased, and when the fired product is cooled to the room temperature from the firing temperature, the fired product is taken out of the electric furnace and allowed to cool in the air. Although the desired photostimulable phosphor can be obtained, it may be cooled in the same weakly reducing atmosphere or neutral atmosphere as in the firing.

また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができ好ましい。   In addition, by moving the fired product from the heating part to the cooling part in an electric furnace and quenching in a weakly reducing atmosphere, neutral atmosphere or weakly oxidizing atmosphere, the resulting stimulable phosphor is excited. The emission luminance can be further increased, which is preferable.

また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相堆積法によって形成される。
輝尽性蛍光体の気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。
The photostimulable phosphor layer of the present invention is formed by a vapor deposition method.
As the vapor phase deposition method of the photostimulable phosphor, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, and others can be used. In the present invention, the evaporation method is particularly preferable.

以下、本発明に好適な蒸着法について説明する。なお、ここでは図2に示す蒸着装置を使用して支持体に輝尽性蛍光体を蒸着するので、蒸着装置の説明とともに説明する。
図2に示すように、蒸着装置1は、真空容器2と、該真空容器2内に設けられて支持体11に蒸気を蒸着させる蒸発源3と、支持体11を保持する支持体ホルダ4と、該支持体ホルダ4を蒸発源3に対して回転させることによって該蒸発源3からの蒸気を蒸着させる支持体回転機構5と、真空容器2内の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ6等を備えている。
Hereinafter, the vapor deposition method suitable for the present invention will be described. Here, the stimulable phosphor is vapor-deposited on the support using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 and will be described together with the explanation of the vapor deposition apparatus.
As shown in FIG. 2, the vapor deposition apparatus 1 includes a vacuum vessel 2, an evaporation source 3 that is provided in the vacuum vessel 2 and deposits vapor on the support 11, and a support holder 4 that holds the support 11. A support rotating mechanism 5 for depositing vapor from the evaporation source 3 by rotating the support holder 4 with respect to the evaporation source 3, a vacuum pump 6 for introducing the exhaust in the vacuum vessel 2 and introducing the atmosphere, etc. It has.

蒸発源3は、輝尽性蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。また、蒸発源3は分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。
支持体回転機構5は、例えば、支持体ホルダ4を支持するとともに支持体ホルダ4を回転させる回転軸5aと、真空容器2外に配置されて回転軸5aの駆動源となるモータ(図示しない)等から構成されている。
また、支持体ホルダ4には、支持体11を加熱する加熱ヒータ(図示しない)を備えることが好ましい。支持体11を加熱することによって、支持体11表面の吸着物を離脱・除去し、支持体11表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層の発生を防いだり、密着性の強化や輝尽性蛍光体層の膜質調整を行うことができる。
さらに、支持体11と蒸発源3との間に、蒸発源3から支持体11に至る空間を遮断するシャッタ(図示しない)を備えるようにしても良い。シャッタによって輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体11に付着するのを防ぐことができる。
Since the evaporation source 3 contains a stimulable phosphor and is heated by a resistance heating method, the evaporation source 3 may be composed of an alumina crucible wound with a heater, a boat, or a heater made of a refractory metal. May be. In addition to the resistance heating method, the stimulable phosphor may be heated by an electron beam or a high frequency induction method. However, in the present invention, it is easy to handle with a relatively simple structure and is inexpensive. In addition, the resistance heating method is preferable because it is applicable to a large number of substances. The evaporation source 3 may be a molecular beam source by a molecular source epitaxial method.
The support rotation mechanism 5 includes, for example, a rotation shaft 5a that supports the support holder 4 and rotates the support holder 4, and a motor (not shown) that is disposed outside the vacuum vessel 2 and serves as a drive source for the rotation shaft 5a. Etc.
The support holder 4 is preferably provided with a heater (not shown) for heating the support 11. By heating the support 11, the adsorbate on the surface of the support 11 is separated and removed, and the generation of an impurity layer between the surface of the support 11 and the photostimulable phosphor is prevented, the adhesion is enhanced and the brightness is increased. The film quality of the stimulable phosphor layer can be adjusted.
Furthermore, a shutter (not shown) that blocks a space from the evaporation source 3 to the support 11 may be provided between the support 11 and the evaporation source 3. Substances other than the target substance attached to the surface of the photostimulable phosphor by the shutter can be prevented from evaporating at the initial stage of vapor deposition and adhering to the support 11.

このように構成された蒸着装置1を使用して、支持体11に輝尽性蛍光体層を形成するには、まず、支持体ホルダ4に支持体11を取り付ける。
次いで、真空容器2内を真空排気する。その後、支持体回転機構5により支持体ホルダ4を蒸発源3に対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器2が達したら、加熱された蒸発源3から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体11表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この場合において、支持体11と蒸発源3との間隔は、100mm〜1500mmに設置するのが好ましい。
In order to form the photostimulable phosphor layer on the support 11 using the vapor deposition apparatus 1 configured as described above, first, the support 11 is attached to the support holder 4.
Next, the vacuum container 2 is evacuated. Thereafter, the support holder 4 is rotated with respect to the evaporation source 3 by the support rotating mechanism 5, and when the vacuum container 2 reaches a vacuum degree capable of vapor deposition, the stimulable phosphor is evaporated from the heated evaporation source 3. Then, a stimulable phosphor is grown on the surface of the support 11 to a desired thickness. In this case, the distance between the support 11 and the evaporation source 3 is preferably set to 100 mm to 1500 mm.

なお、この蒸着の際に、例えば蒸着速度を調整することにより、保護層側の柱状結晶側面の直線性を、支持体側の柱状結晶側面の直線性よりも良好となるように制御したり、保護層側の柱状結晶の平均柱状径を、支持体側の柱状結晶の平均柱状径よりも大きくなるように制御する。具体的に、保護層側の柱状結晶側面の直線性を良好とするには蒸着速度を徐々に遅くしていき、保護層側の柱状結晶の平均柱状径を大きくするには蒸着速度を徐々に速くすることが好ましい。
その他、蒸発源の数を増加させて複数の箇所から蒸着させることによっても、これら直線性や平均柱状径を制御することができ、これらの条件を適宜組み合わせて制御することが好ましい。
In this vapor deposition, for example, by adjusting the vapor deposition rate, the linearity of the columnar crystal side surface on the protective layer side is controlled to be better than the linearity of the columnar crystal side surface on the support side. The average columnar diameter of the columnar crystals on the layer side is controlled to be larger than the average columnar diameter of the columnar crystals on the support side. Specifically, the deposition rate is gradually decreased to improve the linearity of the columnar crystal side surface on the protective layer side, and the deposition rate is gradually increased to increase the average columnar diameter of the columnar crystal on the protective layer side. It is preferable to make it faster.
In addition, the linearity and the average columnar diameter can also be controlled by increasing the number of evaporation sources and performing deposition from a plurality of locations, and it is preferable to control these conditions in appropriate combination.

なお、蒸発源として使用する輝尽性蛍光体は、加圧圧縮によりタブレットの形状に加工しておくことが好ましい。
また、輝尽性蛍光体の代わりにその原料もしくは原料混合物を用いても構わない。
The stimulable phosphor used as the evaporation source is preferably processed into a tablet shape by pressure compression.
Further, instead of the photostimulable phosphor, a raw material or a raw material mixture may be used.

また、図1、図2では、蒸気流の入射角度が0°となるように支持体11上に輝尽性蛍光体層12が蒸着され、柱状結晶12a、12bが支持体11面に対して略垂直となるように形成されていたが、蒸発源3の位置を変えて蒸気流の入射角度を適宜設定し、形成される柱状結晶12a、12bの支持体11面の法線方向に対する角度を変えても構わない。   1 and 2, the stimulable phosphor layer 12 is deposited on the support 11 so that the incident angle of the vapor flow is 0 °, and the columnar crystals 12 a and 12 b are in contact with the surface of the support 11. Although formed so as to be substantially vertical, the incident angle of the vapor flow is appropriately set by changing the position of the evaporation source 3, and the angle of the formed columnar crystals 12a, 12b with respect to the normal direction of the surface of the support 11 is set. You can change it.

さらに、ここでは、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、柱状結晶の間に形成された間隙に結着剤等の充填物を充填しても良く、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射の物質を充填しても良い。これにより補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。   Further, here, a stimulable phosphor layer not containing a binder is formed. However, the gap formed between the columnar crystals may be filled with a filler such as a binder. In addition to reinforcing the phosphor layer, a highly light-absorbing substance or a highly reflecting substance may be filled. This provides a reinforcing effect and is effective in reducing the light diffusion in the lateral direction of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer.

また、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。さらに、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。   In the vapor deposition step, the photostimulable phosphor layer can be formed in a plurality of times. Further, in the vapor deposition step, it is possible to co-evaporate using a plurality of resistance heaters or electron beams to synthesize the desired photostimulable phosphor on the support and simultaneously form the photostimulable phosphor layer. is there.

また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体(支持体、保護層又は中間層)を冷却あるいは加熱しても良い。
さらに、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてO2、H2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。
In the vapor deposition method, the vapor deposition target (support, protective layer, or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary during vapor deposition.
Further, the stimulable phosphor layer may be heat-treated after the vapor deposition. In the vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed in which vapor deposition is performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.

上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、室温(rt)〜300℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは50〜200℃である。   In forming the photostimulable phosphor layer by the vapor deposition method, the temperature of the support on which the photostimulable phosphor layer is formed is preferably set to room temperature (rt) to 300 ° C., more preferably 50-200 ° C.

さらに、蒸着装置としては、上述したように支持体を回転させることによって蒸着させる回転式の装置に限らず、例えば、支持体と蒸発源との間にスリットを有する防着板を配置しておき、蒸発源に対して水平方向に支持体を往復移動させながらスリットを介して輝尽性蛍光体を蒸着させる搬送式の蒸着装置(図示しない)を使用しても構わない。   Furthermore, the vapor deposition apparatus is not limited to a rotary apparatus that performs vapor deposition by rotating the support as described above. For example, a deposition plate having a slit is disposed between the support and the evaporation source. A transport type vapor deposition apparatus (not shown) that deposits the stimulable phosphor through the slit while reciprocating the support in the horizontal direction with respect to the evaporation source may be used.

以上のようにして、輝尽性蛍光体層を形成した後、必要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線像変換パネルを製造する。保護層は、保護層用の塗布液を輝尽性蛍光体層の表面に直接塗布して形成もよいし、また、予め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層に接着してもよい。   After forming the photostimulable phosphor layer as described above, the radiation image conversion panel of the present invention is provided by providing a protective layer on the side opposite to the support of the photostimulable phosphor layer as necessary. To manufacture. The protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer to the surface of the photostimulable phosphor layer, or a protective layer separately formed in advance may be adhered to the photostimulable phosphor layer. .

保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。   Materials for the protective layer include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-chloride. Usual protective layer materials such as ethylene, ethylene tetrafluoride-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer are used. In addition, a transparent glass substrate can be used as the protective layer.

また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、SiC、SiO2、SiN、Al23等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は0.1μm〜2000μmが好ましい。 Further, this protective layer may be formed by laminating inorganic substances such as SiC, SiO 2 , SiN, Al 2 O 3 by vapor deposition, sputtering, or the like. The thickness of these protective layers is preferably 0.1 μm to 2000 μm.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれに限定されるものではない。
下記の方法にしたがって実施例1〜実施例5、比較例1〜比較例2の放射線像変換パネルを作製した。
[実施例1]
(放射線像変換パネルの作製)
炭素繊維強化樹脂シートからなる支持体の片面に輝尽性蛍光体(CsBr:0.0002Eu)を、図2に示す蒸着装置1を使用して蒸着させ輝尽性蛍光体層を形成した。
すなわち、まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ4に支持体11を設置し、支持体11と蒸発源3との間隔を500mmに調節した。続いて蒸着装置1内を一旦排気し、Arガスを導入して0.01Paに真空度を調整した後、10rpmの速度で支持体11を回転しながら支持体11の温度を100℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚が500μmとなったところで蒸着を終了させた。なお、この蒸着中に蒸着速度を1μm/分に調整することにより、所望の直線性及び平均粒状径となるように調整した。
次いで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層が密封された構造の放射線像変換パネルを得た。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated concretely, the embodiment of this invention is not limited to this.
Radiation image conversion panels of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 2 were prepared according to the following method.
[Example 1]
(Production of radiation image conversion panel)
A stimulable phosphor layer was formed by vapor-depositing a stimulable phosphor (CsBr: 0.0002Eu) on one side of a support made of a carbon fiber reinforced resin sheet using the vapor deposition apparatus 1 shown in FIG.
That is, first, the above-mentioned phosphor raw material was filled in a resistance heating crucible as an evaporation material, and the support 11 was placed on the rotating support holder 4, and the distance between the support 11 and the evaporation source 3 was adjusted to 500 mm. Subsequently, the inside of the vapor deposition apparatus 1 was once evacuated, Ar gas was introduced and the degree of vacuum was adjusted to 0.01 Pa, and then the temperature of the support 11 was maintained at 100 ° C. while rotating the support 11 at a speed of 10 rpm. . Next, the resistance heating crucible was heated to deposit a stimulable phosphor, and the deposition was terminated when the thickness of the stimulable phosphor layer reached 500 μm. In addition, it adjusted so that it might become desired linearity and an average particle diameter by adjusting a vapor deposition rate to 1 micrometer / min during this vapor deposition.
Next, the stimulable phosphor layer was placed in a protective layer bag in dry air to obtain a radiation image conversion panel having a structure in which the stimulable phosphor layer was sealed.

このとき得られた放射線像変換パネルについて、保護層側の上記範囲(5%〜15%)に当たる柱状結晶側面のうねりの幅と、支持体側の上記範囲(0%〜10%)に当たる柱状結晶側面のうねりの幅について測定した。
柱状結晶側面のうねりの幅の測定は、輝尽性蛍光体層断面を露出させ、走査型電子顕微鏡(SEM)にて柱状側面を観察し、柱状結晶側面の中心線に対して最大突出部分と、最大凹み部分について中心線に対して、平行に線を引き、線の間隔をうねり幅とした(図3参照)。その測定の結果、保護層側は0.1μm、支持体側は0.5μmであった。また、同様に平均柱状径についてそれぞれ計測したところ、保護層側は3μm、支持体側は2μmであった。
About the radiation image conversion panel obtained at this time, the width of the waviness of the columnar crystal side surface corresponding to the above range (5% to 15%) on the protective layer side and the columnar crystal side surface corresponding to the above range (0% to 10%) on the support side The width of the swell was measured.
The width of the waviness of the columnar crystal side surface is measured by exposing the cross section of the photostimulable phosphor layer, observing the columnar side surface with a scanning electron microscope (SEM), and measuring the maximum protruding portion with respect to the center line of the columnar crystal side surface. A line was drawn in parallel with respect to the center line for the maximum recessed portion, and the interval between the lines was defined as the undulation width (see FIG. 3). As a result of the measurement, the protective layer side was 0.1 μm, and the support side was 0.5 μm. Similarly, when the average columnar diameter was measured, the protective layer side was 3 μm and the support side was 2 μm.

[実施例2]
支持体と蒸発源との距離を400mmにした以外は実施例1と同様に作製した。このとき、得られた放射線像変換パネルのうねりの幅(直線性)については、保護層側では0.3μm、支持体側では0.5μmであった。また、平均柱状径については、保護層側で3μm、支持体側で2μmであった。
[Example 2]
It was produced in the same manner as in Example 1 except that the distance between the support and the evaporation source was 400 mm. At this time, the waviness width (linearity) of the obtained radiation image conversion panel was 0.3 μm on the protective layer side and 0.5 μm on the support side. The average columnar diameter was 3 μm on the protective layer side and 2 μm on the support side.

[実施例3]
支持体と蒸発源との距離を400mmとし、蒸着速度を初期1μm/分とし、輝尽性蛍光体層の膜厚が略半分となったところで、蒸着速度を5μm/分に変更して蒸着し、その他は実施例1と同様にして作製した。このとき、得られた放射線像変換パネルのうねりの幅(直線性)については、保護層側では0.3μm、支持体側では0.5μmであった。また、平均柱状径については、保護層側で6μm、支持体側で2μmであった。
[Example 3]
The distance between the support and the evaporation source was 400 mm, the deposition rate was initially 1 μm / min, and when the stimulable phosphor layer thickness was approximately halved, the deposition rate was changed to 5 μm / min. The others were produced in the same manner as in Example 1. At this time, the waviness width (linearity) of the obtained radiation image conversion panel was 0.3 μm on the protective layer side and 0.5 μm on the support side. The average columnar diameter was 6 μm on the protective layer side and 2 μm on the support side.

[実施例4]
支持体と蒸発源との距離を400mmとし、蒸着速度を初期5μm/分とし、輝尽性蛍光体層の膜厚が略半分となったところで、蒸着速度を1μm/分に変更して蒸着し、その他は実施例1と同様にして作製した。このとき、得られた放射線像変換パネルのうねりの幅(直線性)については、保護層側では0.3μm、支持体側では0.5μmであった。また、平均柱状径については、保護層側で2μm、支持体側で3μmであった。
[Example 4]
When the distance between the support and the evaporation source is 400 mm, the deposition rate is 5 μm / min in the initial stage, and the film thickness of the stimulable phosphor layer is almost halved, the deposition rate is changed to 1 μm / min. The others were produced in the same manner as in Example 1. At this time, the waviness width (linearity) of the obtained radiation image conversion panel was 0.3 μm on the protective layer side and 0.5 μm on the support side. The average columnar diameter was 2 μm on the protective layer side and 3 μm on the support side.

[実施例5]
蒸着速度を初期5μm/分とし、輝尽性蛍光体層の膜厚が略半分となったところで、蒸着速度を1μm/分に変更して蒸着し、その他は実施例1と同様にして作製した。このとき、得られた放射線像変換パネルのうねりの幅(直線性)については、保護層側では0.1μm、支持体側では0.5μmであった。また、平均柱状径については、保護層側で2μm、支持体側では3μmであった。
[Example 5]
The initial deposition rate was 5 μm / min. When the photostimulable phosphor layer thickness was approximately halved, the deposition rate was changed to 1 μm / min. . At this time, the waviness width (linearity) of the obtained radiation image conversion panel was 0.1 μm on the protective layer side and 0.5 μm on the support side. The average columnar diameter was 2 μm on the protective layer side and 3 μm on the support side.

[比較例1]
支持体と蒸発源との距離を200mmとした以外は実施例1と同様にして作製した。このとき、得られた放射線像変換パネルのうねりの幅(直線性)については、保護層側では1.5μm、支持体側では1μmであった。また、平均柱状径については、保護層側で3μm、支持体側では2μmであった。
[Comparative Example 1]
It was produced in the same manner as in Example 1 except that the distance between the support and the evaporation source was 200 mm. At this time, the waviness width (linearity) of the obtained radiation image conversion panel was 1.5 μm on the protective layer side and 1 μm on the support side. The average columnar diameter was 3 μm on the protective layer side and 2 μm on the support side.

[比較例2]
支持体と蒸発源との距離を300mmとした以外は実施例1と同様にして作製した。このとき、得られた放射線像変換パネルのうねりの幅(直線性)については、保護層側では1μm、支持体側では0.5μmであった。また、平均柱状径については、保護層側で3μm、支持体側では2μmであった。
[Comparative Example 2]
It was produced in the same manner as in Example 1 except that the distance between the support and the evaporation source was 300 mm. At this time, the waviness width (linearity) of the obtained radiation image conversion panel was 1 μm on the protective layer side and 0.5 μm on the support side. The average columnar diameter was 3 μm on the protective layer side and 2 μm on the support side.

そして、以上のようにして得られた放射線像変換パネルについて下記のような評価を行った。
《粒状性(ノイズ)》
粒状性は、放射線像変換パネルに管電圧80kVpのX線を照射した後、パネルをHe−Neレーザー光(633nm)で走査して励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器(分光感度S−5の光電子増倍管)で受光して電気信号に変換し、これを画像再生装置によって画像として再生しレーザーイメージャで出力し、得られた画像を目視により観察しノイズを評価した。ノイズについて下記のように1〜5までの5段階のランク評価を行った。表1にその結果を示す。
5:ほとんどノイズが認められない
4:ノイズはあるが問題ない
3:若干のノイズが認められる
2:ノイズがやや多い
1:ノイズが多く評価に耐えない
上記ランクにおいて3以上であれば、実用上問題ないと判定した。
And the following evaluation was performed about the radiation image conversion panel obtained as mentioned above.
<< Granularity (Noise) >>
The graininess is stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer by irradiating the radiation image conversion panel with X-rays having a tube voltage of 80 kVp and then exciting the panel with He-Ne laser light (633 nm). Is received by a photoreceiver (photomultiplier tube with spectral sensitivity S-5) and converted into an electrical signal, which is reproduced as an image by an image reproducing device and output by a laser imager, and the obtained image is visually observed. Noise was evaluated. The noise was evaluated in five stages from 1 to 5 as follows. Table 1 shows the results.
5: Almost no noise 4: Noise is present but no problem 3: Some noise is observed 2: There is a little noise 1: There is a lot of noise and cannot withstand the evaluation If it is 3 or more in the above rank, it is practical It was determined that there was no problem.

Figure 0004345460
表1の結果から明らかなように、保護層側の柱状結晶側面におけるうねりの幅が、支持体側の柱状結晶側面におけるうねりの幅に比べて短く、保護層側における柱状結晶側面の直線性の方が良好である実施例1〜実施例5は、支持体側における柱状結晶側面の直線性の方が良好である比較例1〜比較例2に比べて、ノイズのランクも良く粒状性に優れていた。
また、特に実施例1〜実施例3のように、保護層側における柱状結晶の平均柱状径が支持体側における柱状結晶の平均柱状径より大きい場合に、粒状性に優れることがわかる。
このように、保護層側及び支持体側の柱状結晶の側面形状を制御することにより、ノイズを実用上問題のない程度とすることができ、放射線画像の画質を格段に向上させることが可能となる。
Figure 0004345460
As is clear from the results in Table 1, the width of the undulation on the columnar crystal side surface on the protective layer side is shorter than the width of the undulation on the columnar crystal side surface on the support side, and the linearity of the columnar crystal side surface on the protective layer side is In Examples 1 to 5 in which the linearity of the columnar crystal on the support side is better, the noise rank is better and the graininess is better than Comparative Examples 1 to 2 in which the linearity of the columnar crystal side surface on the support side is better. .
Moreover, it turns out that it is excellent in granularity especially when the average columnar diameter of the columnar crystal on the protective layer side is larger than the average columnar diameter of the columnar crystal on the support side as in Examples 1 to 3.
In this way, by controlling the side surface shape of the columnar crystals on the protective layer side and the support side, noise can be reduced to a practically no problem level, and the image quality of the radiation image can be remarkably improved. .

支持体上に形成した輝尽性蛍光体層の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the photostimulable fluorescent substance layer formed on the support body. 蒸着装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of a vapor deposition apparatus. 柱状結晶側面のうねりの幅を説明するための柱状結晶の断面図である。It is sectional drawing of the columnar crystal for demonstrating the width | variety of the waviness of a columnar crystal side surface.

符号の説明Explanation of symbols

1 蒸着装置
2 真空容器
3 蒸発源
5 支持体回転機構
11 支持体
12 輝尽性蛍光体層
12a 保護層側の柱状結晶
12b 支持体側の柱状結晶
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vapor deposition apparatus 2 Vacuum vessel 3 Evaporation source 5 Support body rotation mechanism 11 Support body 12 Stimulable phosphor layer 12a Protective layer side columnar crystal 12b Support side columnar crystal

Claims (3)

支持体上に輝尽性蛍光体を含有する柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層が気相堆積法により形成され、該輝尽性蛍光体層が保護層で被覆されてなる放射線像変換パネルであって、
前記輝尽性蛍光体層は、輝尽性蛍光体の母体に賦活剤を賦活させてなる1層の柱状結晶であり、
前記輝尽性蛍光体層の柱状結晶側面において、前記輝尽性蛍光体層の膜厚に対して前記保護層側から前記膜厚の5%〜15%に当たる部位における直線性は、前記支持体側から前記膜厚の0%〜10%に当たる部位における直線性より良好であることを特徴とする放射線像変換パネル。
A radiation image conversion panel in which a photostimulable phosphor layer comprising a columnar crystal containing a photostimulable phosphor is formed on a support by a vapor deposition method, and the photostimulable phosphor layer is covered with a protective layer. Because
The photostimulable phosphor layer is a single-layer columnar crystal formed by activating an activator on the matrix of the photostimulable phosphor,
On the side of the columnar crystal of the photostimulable phosphor layer, the linearity in the portion corresponding to 5% to 15% of the film thickness from the protective layer side with respect to the film thickness of the photostimulable phosphor layer is as follows: The radiation image conversion panel characterized by being better than the linearity in the region corresponding to 0% to 10% of the film thickness.
前記輝尽性蛍光体層の膜厚に対して前記保護層側から前記膜厚の5%〜15%に当たる部位における柱状結晶の平均柱状径は、前記支持体側から前記膜厚の0%〜15%に当たる部位における柱状結晶の平均柱状径より大きいことを特徴とする請求項1に記載の放射線像変換パネル。   The average columnar diameter of the columnar crystals at the portion corresponding to 5% to 15% of the film thickness from the protective layer side with respect to the film thickness of the photostimulable phosphor layer is 0% to 15% of the film thickness from the support side. 2. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the radiation image conversion panel is larger than an average columnar diameter of columnar crystals at a portion corresponding to%. 前記輝尽性蛍光体層の膜厚が50μm以上1000μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線像変換パネル。   3. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the stimulable phosphor layer has a thickness of 50 μm or more and 1000 μm or less.
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