JP4342872B2 - Mask blank storage method, mask blank storage body, and mask blank manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、電子デバイスの製造に使用されるフォトマスクを製造するためのレジスト膜付きマスクブランクスの収納方法等に関する。 The present invention relates to a method for storing a mask blank with a resist film for manufacturing a photomask used for manufacturing an electronic device.
近年の電子デバイス、特に半導体素子や液晶モニター用のカラーフィルター或いはTFT素子等は、IT技術の急速な発達に伴い、一層の微細化が要求されている。このような微細加工技術を支える技術の一つが、転写マスクと呼ばれるフォトマスクを用いたリソグラフィー技術である。このリソグラフィー技術においては、露光用光源の電磁波を転写マスクを通じてレジスト膜付きシリコンウエハー等に露光することにより、シリコンウエハー上に微細なパターンを形成している。この転写マスクは通常、透光性基板上に遮光性膜を形成したマスクブランクスにリソグラフィー技術を用いて原版となるパターンを形成して製造される。ところで、マスクブランクスの表面にパーティクル等の異物があると、形成されるパターンの欠陥の原因となるので、マスクブランクスの表面には異物等が付着しないように清浄に保管される必要がある。 In recent years, electronic devices, particularly color filters or TFT elements for semiconductor elements and liquid crystal monitors, are required to be further miniaturized with the rapid development of IT technology. One of the technologies that support such a fine processing technology is a lithography technology using a photomask called a transfer mask. In this lithography technique, a fine pattern is formed on a silicon wafer by exposing an electromagnetic wave of an exposure light source to a silicon wafer with a resist film through a transfer mask. This transfer mask is usually manufactured by forming a pattern to be an original using a lithography technique on a mask blank in which a light-shielding film is formed on a translucent substrate. By the way, if there is foreign matter such as particles on the surface of the mask blank, it will cause defects in the pattern to be formed. Therefore, it is necessary to keep the surface of the mask blank clean so that the foreign matter does not adhere to the surface.
このようなマスクブランクスを収納保管し運搬するための容器としては、従来では例えば下記特許文献1に記載されているようなマスク運搬用ケースが知られている。
すなわち、従来のマスクブランクスを収納保管する容器は、キャリアなどと呼ばれている内ケースにマスクブランクスを数枚乃至数十枚並べて保持させ、このマスクブランクスを保持した内ケースを外箱(ケース本体)内に収容し、さらに外箱上に蓋を被せて、マスクブランクスを収納する構造となっていた。そして、外箱と蓋との接合部上には粘着テープを貼付することにより、ケースを密封するとともに、外気や異物等の進入を防ぐようにしていた。
In other words, a conventional container for storing and storing mask blanks has an inner case called a carrier or the like that holds several to several tens of mask blanks and holds the inner case holding the mask blanks in an outer box (case body). ) And a cover on the outer box to accommodate the mask blanks. And by sticking an adhesive tape on the junction part of an outer box and a lid | cover, while sealing a case, it was trying to prevent entrance of external air, a foreign material, etc.
近年の電子デバイスの高性能化に伴って、転写マスクに形成されるパターンも一段と微細化が要求されており、このような微細化パターンを形成するためにもマスクブランクスの清浄度は極めて高いものでないと許容できなくなってきている。従って、マスクブランクスに異物等が付着するのを出来るだけ抑制することにより、特にマスクブランクスの保管中は出来るだけ高い清浄度に維持する必要がある。中でも、表面にレジスト膜を有するマスクブランクスの場合、表面に異物等が一旦付着すると取れ難く、しかもこの段階で洗浄ができないため、異物等が付着したままパターニングが行われて、パターン欠陥を生じることになる。 As electronic devices have become more sophisticated in recent years, patterns formed on transfer masks are required to be further miniaturized, and the mask blanks are extremely clean to form such miniaturized patterns. Otherwise it will be unacceptable. Accordingly, it is necessary to keep the mask blanks as clean as possible, particularly during storage of the mask blanks, by suppressing the adhesion of foreign substances or the like to the mask blanks as much as possible. Above all, in the case of mask blanks having a resist film on the surface, it is difficult to remove once the foreign matter adheres to the surface, and since cleaning cannot be performed at this stage, patterning is performed with the foreign matter attached, resulting in pattern defects. become.
ところで、最近、フォトマスク用のレジストとして化学増幅型レジストが注目されている。この化学増幅型レジストに関しては例えば特開2000−66380号公報等に記載がある。この化学増幅型レジストは、感度やコントラストなどの特性が従来のフォトレジストに比べて優れているため、微細化パターンを形成するのに有利である。化学増幅型レジストには、レジスト作用を備える高分子化合物(ポジ型)、或いは、架橋反応等により高分子化合物を生成する低分子化合物(ネガ型)と触媒性物質とが含有されている。電子線或いは電磁波などのエネルギー線を化学増幅型レジストに照射することにより、含有されている触媒性物質を感光させてレジスト中に酸性触媒物質を生成せしめることができる。この酸性触媒物質が上記高分子化合物を現像液に可溶化させる或いは高分子化合物を生成して現像液に不溶化させる化学反応(化学増幅反応)に対する触媒作用を有する。
但し、この化学増幅型レジストは、その反応メカニズム上、塩基性化学物質のコンタミによる影響を受けやすいことが指摘されている。つまり、ある種の塩基性化学物質、例えばアンモニア類やアミン類などのコンタミがあると、化学増幅反応の触媒となる酸性触媒物質の生成を阻害したり、生成した酸性触媒物質の機能を抑制乃至阻害(例えば失活)し、所望の性能が得られなくなる場合が生じる。このため、化学増幅型レジスト膜が形成されたマスクブランクスの場合は、単にパーティクル等の異物を排除するだけでは足りず、塩基性化学物質のコンタミによる影響をも排除するため特に清浄な雰囲気で保管する必要がある。
Recently, a chemically amplified resist has attracted attention as a resist for photomasks. This chemically amplified resist is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-66380. Since this chemically amplified resist is superior in characteristics such as sensitivity and contrast to conventional photoresists, it is advantageous for forming a miniaturized pattern. The chemically amplified resist contains a high molecular compound having a resist action (positive type), or a low molecular compound (negative type) that generates a high molecular compound by a crosslinking reaction or the like and a catalytic substance. By irradiating the chemically amplified resist with energy rays such as an electron beam or an electromagnetic wave, the contained catalytic substance can be exposed to produce an acidic catalyst substance in the resist. This acidic catalyst substance has a catalytic action for a chemical reaction (chemical amplification reaction) that solubilizes the polymer compound in the developer or generates a polymer compound and insolubilizes it in the developer.
However, it has been pointed out that this chemically amplified resist is easily affected by contamination of basic chemical substances due to its reaction mechanism. In other words, the presence of certain types of basic chemical substances, such as ammonia and amines, inhibits the generation of acidic catalyst substances that serve as catalysts for chemical amplification reactions and suppresses the function of the generated acidic catalyst substances. Inhibition (for example, deactivation) may occur, and desired performance may not be obtained. For this reason, in the case of mask blanks with a chemically amplified resist film, it is not necessary to simply remove foreign substances such as particles, and in order to eliminate the effects of contamination by basic chemical substances, store them in a particularly clean atmosphere. There is a need to.
ところが、本発明者の検討によると、上記塩基性化学物質による汚染を防止しても必ずしも安定したレジスト性能が得られず、所望のレジストパターンが形成できるとは限らないことを突き止めた。つまり、化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスの製造工程において、アミン類等の塩基性物質の発生原因を徹底的に究明し、またマスクブランクスの収納梱包環境にも十分に注意を払ったが、それでもなお形成されるレジストパターンの精度がばらつくという問題が発生することを突き止めた。
従って、本発明は、上記従来の問題点を解消し、特に清浄な雰囲気で保管される必要がある化学増幅型レジスト膜を形成したマスクブランクスに好適で、所望のマスクパターンを形成するための安定したレジスト性能を維持できるマスクブランクスの収納方法等を提供することを目的とする。
However, according to the study by the present inventors, it has been found that even if contamination by the basic chemical substance is prevented, a stable resist performance cannot always be obtained, and a desired resist pattern cannot always be formed. In other words, in the manufacturing process of mask blanks with chemically amplified resist film, we thoroughly investigated the cause of the generation of basic substances such as amines, and paid sufficient attention to the storage packaging environment of mask blanks. Nevertheless, it has been found that there is a problem that the accuracy of the resist pattern to be formed varies.
Therefore, the present invention solves the above-mentioned conventional problems, and is particularly suitable for a mask blank formed with a chemically amplified resist film that needs to be stored in a clean atmosphere, and is stable for forming a desired mask pattern. An object of the present invention is to provide a mask blank storage method and the like that can maintain the resist performance.
上述したように、化学増幅型レジストの汚染物質は、アミン類などの塩基性化学物質であると従来は考えられていたが、本発明者の検討によれば、このような塩基性化学物質を排除した環境下でマスクブランクスを保管しても、安定したレジスト性能が得られないことがあり、マスク製造時に所望の微細パターンを形成できない場合があることを突き止めた。
そこで、本発明者は、前記課題を解決するため鋭意検討した結果、化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスは、意外にも、塩基性物質だけでなく、酸性物質の付着によっても汚染され、安定した微細パターン形成が阻害される場合があることを見い出した。そして、この酸性物質は、主に化学増幅型レジストの感度に影響を与えるもので、化学増幅効果を所望以上に増進させてしまう作用があることも見い出した。本発明は、これら得られた一連の知見に基づいて完成するに至ったものである。
As described above, the contaminants of the chemically amplified resist were conventionally considered to be basic chemical substances such as amines, but according to the study of the present inventors, such basic chemical substances are It has been found that even if mask blanks are stored in an excluded environment, stable resist performance may not be obtained, and a desired fine pattern may not be formed during mask manufacturing.
Accordingly, as a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have unexpectedly found that mask blanks having chemically amplified resist films are contaminated not only by basic substances but also by adhesion of acidic substances, and are stable. It has been found that the fine pattern formation may be hindered. The acidic substance mainly affects the sensitivity of the chemically amplified resist, and has also been found to have an effect of enhancing the chemical amplification effect more than desired. The present invention has been completed based on a series of these findings.
すなわち、本発明は以下の構成を有するものである。
(構成1)化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスを収納容器内に収納する方法であって、前記マスクブランクスを少なくとも酸性物質が除去された雰囲気とともに収納容器内に収納することを特徴とするマスクブランクスの収納方法。
(構成2)化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスを収納容器内に収納する方法であって、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気下で前記マスクブランクスを収納容器内に収納することを特徴とするマスクブランクスの収納方法。
(構成3)前記収納容器は酸性物質を吸収或いは吸着する手段を有することを特徴とする構成1又は2に記載のマスクブランクスの収納方法。
(構成4)少なくとも酸性物質を含まない雰囲気を有する収納容器内に化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスを収納していることを特徴とするマスクブランクス収納体。
(構成5)基板上にマスクパターンを形成するための薄膜を成膜した後、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気下で、上記薄膜上に化学増幅型レジスト膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
(構成6)基板上にマスクパターンを形成するための薄膜を成膜して得られるマスクブランクス上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、必要に応じて実施する後処理工程と、必要に応じて実施する前記レジスト膜付きマスクブランクスの検査工程と、前記レジスト膜付きマスクブランクスを収納容器内に収納、梱包する工程とを含むマスクブランクスの製造方法であって、前記各工程のうちの少なくとも一の工程は、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気下で実施することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
That is, the present invention has the following configuration.
(Configuration 1) A method of storing mask blanks having a chemically amplified resist film in a storage container, wherein the mask blanks are stored in a storage container together with an atmosphere from which at least an acidic substance has been removed. How to store blanks.
(Configuration 2) A method of storing mask blanks having a chemically amplified resist film in a storage container, wherein the mask blanks are stored in a storage container in an atmosphere from which at least an acidic substance has been removed. How to store mask blanks.
(Configuration 3) The mask blank storage method according to
(Configuration 4) A mask blank storage body in which mask blanks having a chemically amplified resist film are stored in a storage container having an atmosphere not containing at least an acidic substance.
(Structure 5) A mask characterized in that after a thin film for forming a mask pattern is formed on a substrate, a chemically amplified resist film is formed on the thin film in an atmosphere from which at least an acidic substance has been removed. Blanks manufacturing method.
(Configuration 6) A step of forming a chemically amplified resist film on a mask blank obtained by forming a thin film for forming a mask pattern on a substrate, a post-processing step to be performed as necessary, and A mask blank manufacturing method comprising: a step of inspecting the mask blank with resist film, and a step of storing and packing the mask blank with resist film in a storage container, wherein at least one of the above steps is performed. One process is implemented in the atmosphere from which the acidic substance was removed at least, The manufacturing method of the mask blanks characterized by the above-mentioned.
本発明において、除去すべき酸性物質としては、化学増幅型レジスト膜に付着等して、化学増幅型レジストの化学増幅作用に影響を及ぼす酸性汚染物質が特に挙げられる。このような酸性物質としては、例えば、塩素イオンを含む物質、硫酸イオンを含む物質、リン酸イオンを含む物質、硝酸イオンを含む物質等を挙げることが出来る。これらの酸性物質は、主に化学増幅型レジストの感度に影響を与えるもので、化学増幅効果を所望以上に増進させてしまう作用があり、安定したレジスト性能が得られなくなり、その結果、安定したレジストパターンの形成が阻害され、マスク製造時に所望の微細パターンを形成できない場合がある。
これら酸性物質の除去の程度は、必ずしも100%である必要はなく、雰囲気中に存在しても化学増幅型レジスト膜を汚染しない程度に除去されていればよい。勿論、酸性物質の除去の程度が高ければ高いほど清浄度が良くなるので品質上好ましいが、製造コストを圧迫する場合があるので、採算ラインの範囲内で且つ製品障害が発生しない程度に酸性物質が雰囲気中から除去されるようにしてもよい。具体的な数値を一例として挙げると、雰囲気1立方メートル当り、例えば塩素イオンを含む物質の場合であれば塩素イオンが0.05μg以下、硫酸イオンを含む物質の場合であれば硫酸イオンが0.1μg以下、硝酸イオンを含む物質の場合であれば硝酸イオンが0.7μg以下とするのが好ましい。
In the present invention, the acidic substance to be removed particularly includes an acidic contaminant that adheres to the chemically amplified resist film and affects the chemical amplification effect of the chemically amplified resist. Examples of such an acidic substance include a substance containing chlorine ions, a substance containing sulfate ions, a substance containing phosphate ions, and a substance containing nitrate ions. These acidic substances mainly affect the sensitivity of chemically amplified resists, have the effect of increasing the chemical amplification effect more than desired, and stable resist performance cannot be obtained, resulting in stable Formation of the resist pattern is hindered, and a desired fine pattern may not be formed during mask manufacturing.
The degree of removal of these acidic substances is not necessarily 100%, as long as they are removed to the extent that they do not contaminate the chemically amplified resist film even if they exist in the atmosphere. Of course, the higher the degree of removal of acidic substances, the better the quality because the cleanliness will be better. However, the production cost may be reduced, so the acidic substances are within the profit line and do not cause product failure. May be removed from the atmosphere. As a specific example, for example, in the case of a substance containing chlorine ion, 0.05 μg or less of chlorine ion per 1 cubic meter of atmosphere, and 0.1 μg of sulfate ion in the case of a substance containing sulfate ion. Hereinafter, in the case of a substance containing nitrate ions, the nitrate ions are preferably 0.7 μg or less.
酸性物質を雰囲気中から除去する方法としては、化学物質を吸着させるフィルター(ケミカルフィルター)を用いることが挙げられる。酸性物質を除去するためのケミカルフィルターとしては、酸中和物質を混合したケミカルフィルターを用いることが好ましい。酸中和物質としては、炭酸塩物質を好ましく挙げることが出来る。このような炭酸塩物質としては、炭酸カリウムを好ましく挙げることが出来る。なお、このようなケミカルフィルターとしては、活性炭等の吸着材を含有する活性炭フィルターを好ましく用いることができ、この活性炭等の吸着材に上記酸中和物質を含有させたフィルターを好ましく用いることができる。
本発明においては、構成1にあるように、化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスを少なくとも酸性物質が除去された雰囲気とともに収納容器内に収納することを特徴とする。すなわち、上記マスクブランクスを収納容器内に収納するにあたり、少なくとも酸性物質を除去した雰囲気を供給することにより、この雰囲気とともにマスクブランクスを収納して保管する。これにより、マスクブランクスへの酸性汚染物質の付着を実用上最も好ましく防止することが出来る。
As a method for removing an acidic substance from the atmosphere, a filter that adsorbs a chemical substance (chemical filter) can be used. As a chemical filter for removing an acidic substance, it is preferable to use a chemical filter in which an acid neutralizing substance is mixed. Preferred examples of the acid neutralizing substance include carbonate substances. As such a carbonate substance, potassium carbonate can be preferably mentioned. As such a chemical filter, an activated carbon filter containing an adsorbent such as activated carbon can be preferably used, and a filter containing the adsorbent such as activated carbon containing the acid neutralizing substance can be preferably used. .
In the present invention, as in
酸性物質を除去した雰囲気を供給する方法としては、上述のケミカルフィルターを用いて酸性物質を除去した雰囲気をマスクブランクスの収納作業の環境に供給する方法や、収納容器に上記雰囲気を供給して収納容器内部を置換する方法、或いは、上記雰囲気で収納容器をパージする方法などを挙げることができる。
たとえば構成2にあるように、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気下で化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスを収納容器内に収納することが好適である。通常、マスクブランクスの収納作業は、クリーンルームなどで行われるため、このマスクブランクスの収納作業の環境に、更にケミカルフィルター等を用いて酸性物質を除去した雰囲気を供給することが容易だからである。
また、上記酸性物質とともに、化学増幅型レジストの所望の化学増幅効果を阻害する塩基性化学物質、例えばアンモニア類、アミン類等の物質も除去することが好ましい。このような塩基性化学物質を除去する方法としては、リン酸などのアルカリ中和物質を混合したケミカルフィルターを用いる方法が挙げられる。ケミカルフィルターとしては、活性炭等の吸着材を含有する活性炭フィルターを好ましく用いることができ、この活性炭等の吸着材に上記アルカリ中和物質を含有させたフィルターを好ましく用いることができる。
As a method for supplying an atmosphere from which acidic substances have been removed, a method for supplying the atmosphere from which acidic substances have been removed using the above-described chemical filter to the environment for storing mask blanks, or supplying the atmosphere to a storage container for storage. Examples include a method of replacing the inside of the container, or a method of purging the storage container in the above atmosphere.
For example, as in
In addition to the acidic substance, it is also preferable to remove basic chemical substances that inhibit the desired chemical amplification effect of the chemically amplified resist, such as ammonia and amines. As a method for removing such a basic chemical substance, a method using a chemical filter in which an alkali neutralizing substance such as phosphoric acid is mixed may be used. As the chemical filter, an activated carbon filter containing an adsorbent such as activated carbon can be preferably used, and a filter containing the alkali neutralizing substance in an adsorbent such as activated carbon can be preferably used.
また、上記酸性物質や塩基性物質を除去するためのケミカルフィルターにエアーフィルターを併用することが好ましい。このようなエアーフィルターとしては、HEPAフィルター(high efficiency particulate air filter)やULPAフィルター(ultra low penetration particulate air filter)を好ましく挙げることができる。HEPAフィルターは、高効率のエアーフィルターで、材質は主にガラス繊維製である。また、ULPAフィルターは、超々高性能フィルターで、材質はガラス繊維製、フッ素系樹脂製が主である。フィルターの能力は、0.05μm以上のパーティクルを捕捉できるフィルターであることが好ましい。HEPAフィルターやULPAフィルター等のエアーフィルターの選択は費用対効果などを勘案して適宜選択することができる。 Moreover, it is preferable to use an air filter in combination with a chemical filter for removing the acidic substance and the basic substance. Preferred examples of such an air filter include a HEPA filter (high efficiency particulate air filter) and a ULPA filter (ultra low penetration particulate air filter). The HEPA filter is a highly efficient air filter, and the material is mainly made of glass fiber. The ULPA filter is an ultra-high performance filter mainly made of glass fiber or fluorine resin. The filter is preferably a filter that can capture particles of 0.05 μm or more. The selection of an air filter such as a HEPA filter or ULPA filter can be appropriately selected in consideration of cost effectiveness.
また、本発明で使用するマスクブランクスを収納するための収納容器は特に制約はない。図1乃至図4はマスクブランクスの収納容器の一例を示すもので、図1は収納容器の蓋を示す斜視図、図2はマスクブランクスを中ケースに収納する状態を示す斜視図、図3は収納容器の容器本体(外ケース)を示す斜視図、図4は収納容器にマスクブランクスを収納した状態の縦方向の断面図である。
本例の収納容器は、主表面が正方形のガラス基板の一主表面上に例えばクロム膜等の遮光性薄膜を成膜し、その上に前述の化学増幅型レジスト膜を形成したマスクブランクス1を中ケース2に収納し、この中ケース2を容器本体3に収納し、この容器本体3の開口部側に蓋4を被せる構造である(図4)。
なお、上記中ケース2を使用せずに、マスクブランクス1を容器本体3に直接溝等を設けて収納する形態とすることもできる。但し、本例のように中ケース2を使用すると、数枚乃至数十枚のマスクブランクスをまとめて中ケース2に入れた状態で取り扱えるので便利である。
Moreover, there is no restriction | limiting in particular in the storage container for accommodating the mask blanks used by this invention. 1 to 4 show an example of a mask blank storage container, FIG. 1 is a perspective view showing a cover of the storage container, FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the mask blank is stored in an inner case, and FIG. FIG. 4 is a perspective view showing the container main body (outer case) of the storage container, and FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the storage container with mask blanks stored therein.
The storage container of this example has a mask blank 1 in which a light-shielding thin film such as a chrome film is formed on one main surface of a glass substrate having a square main surface, and the above-mentioned chemically amplified resist film is formed thereon. The container is housed in the
Note that the
上記中ケース2は、開口部側(上方)から底面側(下方)に向けて複数の溝21,22を一方の互いに対向する内側面に所定間隔をおいて一対をなして形成し、その溝21,22の底面側の底部と中ケース底面にはそれぞれ開口窓23,24と開口部27が設けられ、さらに中ケース底面側には基板支持部26が形成され、この基板支持部26でマスクブランクス1の下方端面を支持している(図2、図4)。そして、この中ケース2を容器本体3に収納して固定するための凹面部28,29がそれぞれ中ケースの他方の互いに対向する外側面に底面側から開口部側の途中まで形成されている(図2)。なお、中ケース2の開口部側の上端面25から前記基板支持部26までの高さ寸法は、収納するマスクブランクス1の高さ寸法の主要部分に相当し、マスクブランクス1を中ケース2に収納したとき、マスクブランクス1の上方部分が中ケース2の上端面25からとび出る構造となっている(図4)。数枚のマスクブランクス1を中ケース2の一対の溝21,22に沿って入れると、これらのマスクブランクスは所定間隔をおいて互いに平行に林立する。本例の形態では垂直方向に林立するが、傾斜方向にしてもよい。
The
上記容器本体3は、前述した中ケース2の凹面部28,29と当接するに適合した突出部31,32を、互いに対向する内側面に形成し、その突出部31,32の底部は容器本体3底面とも接合している(図3)。また、一方の対向する外側面の開口部側には凸部33,34が形成されている。そして、容器本体3の開口縁35のやや下方の位置に続く外周面36と上記凸部33,34の凸面とは略同一面に形成されている。
上記蓋4は、その一方の対向する下方縁(容器本体へ差し込む開口部側の縁であって、図1では上方へ向いている)47から延びた係合片41,42に凹部43,44を形成している。これにより、蓋4を容器本体3に被せたときに、上記凹部43,44が前記容器本体3の凸部33,34とそれぞれ係合することで、蓋4と容器本体3とが固定される(図4)。また、中ケース2の開口部側上端面25と当接して中ケース2を垂直方向において支持固定するストッパー45,46を一方の内側面に互いに対向させて形成している(図1)。なお、蓋4の凹部43,44と容器本体3の凸部33,34を設けないで、蓋4を容器本体3にそのまま被せる構成としてもよい。また、蓋4の凹部と容器本体3の凸部とを係合させる構成とする場合においても、対向する一方の側だけでなく、四方にそれぞれこのような係合手段を形成してもよい。
The
The
以上の中ケース2、容器本体3及び蓋4の材質は、例えばポリプロピレン、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチルサルファイト等の樹脂から適宜選択される。これらの中でも、ポリカーボネート或いはポリエステルが好ましい。また、容器本体3及び蓋4の材質としてはポリカーボネートが好ましく、中ケース2の材質としてはポリエステルが好ましい。このポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリブチレンテレフタレート(PBT)等が好ましい。なお、マスクブランクスの保管中にチャージが溜まると、マスク製造過程において放電破壊を起こし、パターン欠陥となる場合があるので、たとえば容器本体3の構成樹脂にカーボン等を混ぜ込んで導電性を付与することが好ましい。
容器本体3の上から蓋4を被せて、蓋4の凹部43,44を容器本体3の凸部33,34と係合させて蓋4と容器本体3とを固定すると、蓋4の下方縁に続く外周面48と容器本体3の開口縁に続く外周面36とが前後に重なり合って接合される。
The material of the above
When the
なお、構成3のように、上記収納容器は酸性物質を吸収或いは吸着する手段を有することが好ましい。マスクブランクスを酸性物質が除去された雰囲気とともに収納容器に収納しても、そのマスクブランクス収納体の輸送、保管中に、例えば収納容器の蓋と容器本体との接合部より、外気とともに酸性物質が進入する場合が考えられるが、このような場合であっても、収納容器が酸性物質を吸収或いは吸着する手段を有することにより、外気に含まれる酸性物質を取り除き、収納容器内部を清浄な雰囲気に保つことが出来るからである。酸性物質を吸収或いは吸着する手段としては、例えば、酸性物質を吸収或いは吸着する材料(酸性物質の吸収或いは吸着剤)を収納容器内に設置するのが簡易な方法である。酸性物質を吸収或いは吸着する材料としては、例えば炭酸カリウムなどの炭酸塩物質を含む材料を用いることが出来る。また、収納容器を構成する材料中に、酸性物質を吸収或いは吸着する材料を含有させてもよい。また、活性炭等の吸着材を併用してもよい。
また、構成4にあるように、本発明によるマスクブランクス収納体は、少なくとも酸性物質を含まない雰囲気を有する収納容器内に化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスを収納している。なお、酸性物質を含まないとは、必ずしも雰囲気中に全く存在しない場合に限られるわけではなく、化学増幅型レジスト膜を汚染しない程度であれば雰囲気中に若干含まれていてもよい。雰囲気中に酸性物質が含まれる場合の具体的な許容値は、前述の酸性物質の除去の程度と同様である。
In addition, like the
Further, as in
以上のようにマスクブランクスを収納する際に酸性物質を除去した雰囲気を用いてもよいが、マスクブランクスの製造工程においても上記雰囲気を用いることが好ましい。すなわち、構成5にあるように、ガラス基板等の基板上にマスクパターンを形成するための薄膜を成膜した後、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気下で、上記薄膜上に化学増幅型レジスト膜を形成することにより、レジスト膜付きマスクブランクスの製造段階で酸性物質の付着等を防止することができる。
また、マスクブランクスの製造から収納梱包までの一連の工程において、上記雰囲気を用いることが好適である。すなわち、構成6にあるように、基板上にマスクパターンを形成するための薄膜を成膜して得られるマスクブランクス上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、必要に応じて実施する後処理工程と、必要に応じて実施する前記レジスト膜付きマスクブランクスの検査工程と、前記レジスト膜付きマスクブランクスを収納容器内に収納梱包する工程とを含む一連の工程において、各工程のうちの少なくとも一の工程は、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気下で実施することが好ましい。必要に応じて実施する後処理工程とは、例えば前記レジスト膜の密着性を向上させるための加熱(ベーク)工程、乾式の洗浄工程などが挙げられる。
特に、上記マスクブランクス上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程からレジスト膜付きマスクブランクスを収納梱包する工程まで一貫して、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気下で実施することが好適である。
また、本発明が適用されるマスクブランクスは、ガラス基板などの透光性基板上にCr等の遮光性膜を形成したマスクブランクス、基板上にハーフトーン(半透光性)膜を形成した位相シフト型マスク用のマスクブランクス、基板上に、露光光を反射する例えばMo/Si多層反射膜と露光光を吸収する例えばTa系吸収体膜を形成した反射型マスク用のマスクブランクス等が含まれる。
As described above, an atmosphere from which an acidic substance has been removed may be used when storing the mask blanks, but it is preferable to use the above atmosphere also in the mask blank manufacturing process. That is, as in Configuration 5, after a thin film for forming a mask pattern is formed on a substrate such as a glass substrate, a chemically amplified resist film is formed on the thin film in an atmosphere from which at least an acidic substance has been removed. By forming the film, it is possible to prevent adhesion of an acidic substance or the like at the manufacturing stage of the mask blank with a resist film.
Moreover, it is suitable to use the said atmosphere in a series of processes from manufacture of mask blanks to storage packaging. That is, as in Configuration 6, a step of forming a chemically amplified resist film on a mask blank obtained by forming a thin film for forming a mask pattern on a substrate, and post-processing to be performed as necessary In a series of steps including a step, a step of inspecting the mask blanks with resist film performed as necessary, and a step of storing and packing the mask blanks with resist film in a storage container, at least one of the steps This step is preferably performed in an atmosphere from which at least an acidic substance has been removed. Examples of the post-processing step performed as necessary include a heating (baking) step for improving the adhesion of the resist film and a dry cleaning step.
In particular, it is preferable to carry out in an atmosphere from which at least an acidic substance has been removed, from the step of forming a chemically amplified resist film on the mask blank to the step of storing and packing the mask blank with resist film.
The mask blank to which the present invention is applied is a mask blank in which a light-shielding film such as Cr is formed on a light-transmitting substrate such as a glass substrate, and a phase in which a halftone (semi-transparent) film is formed on the substrate. Includes mask blanks for shift masks, and mask blanks for reflective masks in which, for example, a Mo / Si multilayer reflective film that reflects exposure light and a Ta-based absorber film that absorbs exposure light are formed on the substrate. .
本発明によれば、化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスを収納容器に収納する際に、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気を用いたことにより、化学増幅型レジスト膜の所望の化学増幅効果に影響を及ぼし化学増幅効果を所望以上に増進させてしまうような酸性物質の付着による汚染を防止することが出来る。従って、マスクブランクス保管後に安定したレジスト性能が得られ、その結果、マスク製造時に安定したレジストパターンが形成され、所望のマスクパターンを形成した高品位の転写マスクを得ることができる。
また、本発明によれば、化学増幅型レジスト膜を有するマスクブランクスが収納容器に収納されたマスクブランクス収納体を交通手段を利用して遠隔地等に輸送しても、収納されたマスクブランクスのレジスト膜の汚染を抑制できるので、遠隔地等へのマスクブランクスの輸送に対する高い信頼性を保障することが出来る。
また、本発明によれば、基板上にマスクパターンを形成するための薄膜を成膜した後、少なくとも酸性物質が除去された雰囲気下で、化学増幅型レジスト膜を形成することにより、レジスト膜付きマスクブランクスの製造段階での酸性物質の付着等を防止することができる。
また、マスクブランクスの製造から収納梱包までの一連の工程において、上記酸性物質が除去された雰囲気を用いることにより、酸性物質による汚染を好適に防止することが出来る。
According to the present invention, when mask blanks having a chemically amplified resist film are stored in a storage container, an atmosphere from which at least an acidic substance has been removed is used to achieve a desired chemical amplification effect of the chemically amplified resist film. It is possible to prevent contamination due to the adhesion of acidic substances that have an influence and increase the chemical amplification effect more than desired. Therefore, stable resist performance can be obtained after storing the mask blanks. As a result, a stable resist pattern is formed during mask manufacturing, and a high-quality transfer mask having a desired mask pattern can be obtained.
In addition, according to the present invention, even if a mask blank containing a mask blank having a chemically amplified resist film is stored in a storage container, the mask blank stored in the storage container is transported to a remote place or the like using a transportation means. Since contamination of the resist film can be suppressed, high reliability for transporting the mask blanks to a remote place or the like can be ensured.
In addition, according to the present invention, a thin film for forming a mask pattern on a substrate is formed, and then a chemically amplified resist film is formed in an atmosphere from which at least an acidic substance has been removed. It is possible to prevent adhesion of an acidic substance or the like in the mask blank manufacturing stage.
Further, in the series of steps from the manufacture of mask blanks to the storage packaging, contamination by acidic substances can be suitably prevented by using the atmosphere from which the acidic substances have been removed.
以下、具体的な実施例により本発明を説明する。
(実施例)
石英基板(6インチ×6インチ)上にスパッタ法でハーフトーン膜を形成し、その上にスピンコート法でレジスト膜を形成してレジスト膜付きマスクブランクスを製造した。このとき、ハーフトーン膜としてMoSi系金属膜を用い、レジスト膜としてはポジ型の化学増幅型レジスト膜を用いた。なお、レジスト膜の形成は、炭酸カリウムを含有させた活性炭フィルター及びULPAフィルターで清浄化されたクリーンルーム内で行った。
このようにして製造した100枚のマスクブランクスを前述の図1乃至図4に示す形態の収納容器10箱に分けて収納した。なお、蓋と容器本体の材質はポリカーボネート、中ケースの材質はポリブチレンテレフタレートを用いた。収納作業は活性炭フィルター及びULPAフィルターで清浄化されたクリーンルーム内で行い、活性炭フィルターとしては、炭酸カリウムを含有させた活性炭フィルターとリン酸を含有させた活性炭フィルターを組み合わせて使用した。
この収納容器を更に梱包袋に梱包して、航空機でカーゴ輸送を行った。そして、輸送された収納容器を上記と同様のクリーンルーム内で開封し、取り出したマスクブランクスに所定の電子線描画を行い、続いて所定の現像、エッチングを行って、位相シフト型転写マスクを製造した。製造した位相シフト型マスクの品質を走査型電子顕微鏡で詳細に検査したところ、100枚の何れからも特に問題となる欠陥は発見されなかった。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to specific examples.
(Example)
A halftone film was formed on a quartz substrate (6 inches × 6 inches) by a sputtering method, and a resist film was formed thereon by a spin coating method to produce a mask blank with a resist film. At this time, a MoSi-based metal film was used as the halftone film, and a positive chemically amplified resist film was used as the resist film. The resist film was formed in a clean room cleaned with an activated carbon filter and a ULPA filter containing potassium carbonate.
The 100 mask blanks manufactured in this way were stored separately in 10 storage containers of the form shown in FIGS. The lid and container body were made of polycarbonate, and the middle case was made of polybutylene terephthalate. The storing operation was performed in a clean room cleaned with an activated carbon filter and a ULPA filter. As the activated carbon filter, an activated carbon filter containing potassium carbonate and an activated carbon filter containing phosphoric acid were used in combination.
This storage container was further packed in a packing bag, and cargo was transported by aircraft. Then, the transported storage container was opened in a clean room similar to the above, and a predetermined electron beam was drawn on the taken-out mask blanks, followed by predetermined development and etching to produce a phase shift type transfer mask. . When the quality of the manufactured phase shift mask was examined in detail with a scanning electron microscope, no particularly problematic defect was found from any of the 100 sheets.
(比較例)
上述の実施例において、クリーンルームにおける炭酸カリウムを含有させた活性炭フィルターを使用しなかった点以外は、実施例と同様にしてマスクブランクスを製造し、収納し、輸送を行った。
輸送後のマスクブランクスを用いて実施例と同様にして製造された位相シフト型マスクの品質を走査型電子顕微鏡で詳細に検査したところ、100枚の何れからもパターンの線幅に乱れが生じていることが発見された。これは、何らかの酸性物質がクリーンルーム内の雰囲気中に存在し、収納容器内に取り込まれたまま梱包され、輸送中にマスクブランクスの化学増幅型レジスト膜がこの酸性物質によって化学的に汚染されたことに起因しているものと考えられる。
(Comparative example)
In the above-mentioned Example, except that the activated carbon filter containing potassium carbonate in a clean room was not used, mask blanks were produced, stored and transported in the same manner as in the Example.
When the quality of the phase shift mask manufactured using the mask blanks after transport in the same manner as in the example was inspected in detail with a scanning electron microscope, the line width of the pattern was disturbed from any of the 100 sheets. It was discovered that This is because some acidic substances exist in the atmosphere of the clean room and are packed in the storage container, and the mask blanks chemically amplified resist film is chemically contaminated by these acidic substances during transportation. It is thought to be caused by
1 マスクブランクス
2 中ケース
3 容器本体
4 蓋
1
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