JP4342639B2 - Sputtering target and electrode film manufacturing method - Google Patents
Sputtering target and electrode film manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4342639B2 JP4342639B2 JP15543999A JP15543999A JP4342639B2 JP 4342639 B2 JP4342639 B2 JP 4342639B2 JP 15543999 A JP15543999 A JP 15543999A JP 15543999 A JP15543999 A JP 15543999A JP 4342639 B2 JP4342639 B2 JP 4342639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- target
- sputtering
- sputtering target
- grain size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体メモリなどに用いられる薄膜キャパシタの電極形成に好適なスパッタリングターゲット、およびそれを用いた電極膜と電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報処理装置の高速化、大容量化に伴い、大容量のＤＲＡＭや不揮発性の強誘電体メモリ（ＦＲＡＭ）が用いられるようになってきている。これらＤＲＡＭやＦＲＡＭには薄膜キャパシタが搭載されており、さらなる大容量化、小型化のために高誘電性材料や強誘電性材料の研究、またこれら高誘電性材料や強誘電性材料に適した電極の開発などが進められている。
【０００３】
例えば、高誘電性材料もしくは強誘電性材料としては、ＳｒＴｉＯ3 やＢａ1- x Ｓｒx ＴｉＯ3 などのペロブスカイト型酸化物が用いられている。
【０００４】
このようなペロブスカイト型酸化物からなる誘電体膜を有する薄膜キャパシタにおいては、高純度ＲｕやＲｕ合金、あるいはこれらの酸化物を電極として使用することが記載されている。このようなＲｕ系電極膜の形成には主としてスパッタ法が利用されており、例えばＡｒ＋Ｏ2 の混合ガスを用いた反応性スパッタによりＲｕ系の電極膜を形成することが行われている。このようなスパッタ法を適用したＲｕ系電極膜の形成には、高純度ＲｕターゲットやＲｕ合金ターゲットが用いられる。
【０００５】
ところで、近年、半導体ウエハのサイズは８インチから１２インチへと大型化されつつあり、また例えばＤＲＡＭに関しては６４Ｍから２５６Ｍ、さらには１Ｇと大容量化が進められている。半導体素子の容量はさらに増大する一方で、素子面積は減少させることが求められていることから、電極や配線の微細化などが積極的に進められている。このような電極膜に用いられるスパッタ膜には、膜質や膜厚分布が均一で、かつ下地に対して付着力に優れるなどの特性が要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットでは、ウエハ面内の膜厚分布やシート抵抗などが均一になりやすく、安定した特性を有する電極膜を得ることが難しいという問題がある。特に、Ａｒ＋Ｏ2 の混合ガス雰囲気を用いた反応性スパッタを適用した場合に、膜厚分布やシート抵抗のばらつきが問題となっている。
【０００７】
ＲｕやＲｕ合金などからなる電極膜の膜質や膜厚分布のばらつきについては、ターゲットの表面および内部の結晶方位がスパッタ放射角度に影響を及ぼしていることが考えられる。そこで、従来のＲｕ基のスパッタリングターゲットでは、結晶組織の微細化やある程度の結晶面の制御などにより膜質や膜厚分布を均一化することが試みられているが、十分な結果を得るまでには至っていない。
【０００８】
さらに、従来のスパッタリングターゲットを用いたＲｕ系電極膜は、下地に対する付着力が不十分であり、例えばペロブスカイト型酸化物からなる誘電体膜を用いたＤＲＡＭやＦＲＡＭなどの信頼性を低下させる原因となっている。また、従来のスパッタリングターゲットを用いた場合には、スパッタ時にパーティクルが発生しやすく、回路の断線や短絡の原因となっている。
【０００９】
ここで、上述したＡｒ＋Ｏ2 の混合ガスをスパッタガスとして用いる理由は、下地としてのＳｉ酸化膜やＳｉ窒化膜などに対するＲｕ系電極膜の付着力を向上させることにあるが、従来のスパッタリングターゲットでは付着力の十分な向上が実現されておらず、Ｒｕ系電極膜の膜剥がれなどを招いている。
【００１０】
本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、ＲｕやＲｕ合金あるいはこれらの酸化物を用いて、例えば誘電体膜としてペロブスカイト型酸化物を有する薄膜キャパシタの電極などをスパッタ法で形成する際に、電極膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めるとともに、下地に対する付着力を向上させたスパッタリングターゲット、さらにはパーティクルの発生を低減させることを可能にしたスパッタリングターゲットを提供することを目的としており、またそのようなスパッタリングターゲットを用いることによって、特性や付着力などを向上させた電極膜およびそれを用いた電子部品を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、スパッタリングを用いて形成されるＲｕ系電極膜の膜厚分布や膜質の均一性、および下地に対する付着力を改善するために、ＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットの結晶方位やその配向性などについて検討を行った。
【００１２】
ここで、通常のＲｕ系電極膜のＸ線回折法による主ピークは（１１０）面であることが知られているが、上述した目的に対してはＲｕの（００２）面と（１０１）面が重要であり、これらの結晶面の配向性を制御することによって、熱的に安定なターゲット結晶組織が得られることを見出した。
【００１３】
本発明はこのような知見に基づいてなされたものであって、請求項１に記載したように、ＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値における（００２）面の結晶方位含有比が０．０５以上、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比が３．０以上、ターゲットの各部位における前記{I(002)/35}/{I(101)/100}の比のばらつきが±３０％以内、ターゲット全体としての平均結晶粒径が１００μｍ以下、前記ターゲット全体の平均結晶粒径に対するターゲットの各部位における平均結晶粒径のばらつきが±２５％以内であることを特長とする。
【００１４】
このように、ターゲット表面の（００２）面の結晶方位含有比を０．０５以上とすることによって、Ｒｕ系電極膜の下地に対する付着力を向上させることができ、また膜厚分布や膜質の均一性も高めることが可能となる。さらに、パーティクルの発生も抑制することができる。
【００１５】
本発明のスパッタリングターゲットは、さらにターゲット表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比が３．０以上であり、ターゲットの各部位における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比のばらつきが±３０％以内である。
【００１６】
このように、ターゲット表面における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比を３．０以上とすることによって、スパッタ時のターゲット組織を安定化させることができ、これに基づいてＲｕ系電極膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めることができ、また下地に対する付着力も向上する。さらに、パーティクルの発生も抑制することができる。
【００１７】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、ターゲット全体としての平均結晶粒径が１００μｍ以下であり、ターゲット全体の平均結晶粒径に対するターゲットの各部位における平均結晶粒径のばらつきが±２５％以内である。さらに、本発明のスパッタリングターゲットは、請求項２に記載したように、結晶組織として再結晶組織を有することが好ましい。
【００１８】
本発明の電極膜の製造方法は、請求項４に記載したように、スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより電極膜を製造する方法であって、このスパッタリングターゲットとして上記した本発明のスパッタリングターゲットを用いることを特長とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２１】
本発明のスパッタリングターゲットは、ＲｕまたはＲｕ合金からなるものである。
【００２２】
ターゲットをＲｕで構成する場合、その純度は例えば９９．９９％以上というように高純度であることが好ましい。
【００２３】
また、ターゲットを構成するＲｕ合金には、Ｒｕに各種金属元素（合金化元素）を１種または２種以上含有させたものを用いることができる。例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂなどの金属元素を０．０１〜２０重量％の範囲で含有させたＲｕ合金を用いることができる。これら合金化元素は耐熱性、耐腐食性などに寄与するものである。
【００２４】
本発明のスパッタリングターゲットは、上述したようなＲｕまたはＲｕ合金からなるターゲットの表面において、Ｘ線回折法で測定された積分強度値における（００２）面の結晶方位含有比を０．０５以上としている。（００２）面の結晶方位含有比は図１に示す式により計算される値を示すものである。
【００２５】
ここで、例えばＩ（００２）は（００２）面の測定強度であり、Ｒ（００２）は（００２）面の相対強度比（補正値）である。本発明で規定するＸ線回折法による各結晶面の強度値は、たとえば以下のようにして測定する。まず、Ｘ線としてＣｕ−Ｋα線を使用し、測定試料の表面層を研磨などで処理した後、Ｘ線回折装置を用いて表面の各結晶方位の積分強度値（測定強度値）を求める。
【００２６】
本発明における各結晶面の積分強度値は、各結晶面からの回折強度が完全にランダムに配向している粉末の回折強度で正規化した補正強度値を用いる。すなわち、ＪＣＰＤＳ ＣＡＲＤなどの値で測定強度値を補正して積分強度値を求め、これらから各結晶面の結晶方位含有比を算出する。なお、（００２）面及び（１０１）面の積分強度値（補正強度）の算出方法を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】
本発明のスパッタリングターゲットは、さらにターゲット表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比を３．０以上としている。この際、ターゲットの各部位における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比のばらつきは±３０％以内とすることが好ましい。
【００２９】
ここで、Ｉ（００２）は（００２）面の測定強度値、３５は（００２）面の相対強度比（補正値）、Ｉ（１０１）は（１０１）面の測定強度値、１００は（１０１）面の相対強度比（補正値）である。これらから求められる{I(002)/35}/{I(101)/100}の比は、（００２）面と（１０１）面との結晶方位含有比を表すものである。
【００３０】
ＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットの表面において、Ｘ線回折法で測定される結晶面は多数挙げられているが、特に（００２）面と（１０１）面が熱的に安定なターゲット組織を得るための指標として重要である。そこで、本発明では上記したように｛I(002)/35}/{I(101)/100} の比を３．０以上としている。このような条件を満足させることによって、ターゲット組織の熱的安定性を高めることができるため、得られるスパッタ膜（Ｒｕ系電極膜）の膜厚分布や膜質の均一性を向上させることが可能となり、さらにはパーティクルの発生を抑制することができる。
【００３１】
すなわち、上記した｛I(002)/35}/{I(101)/100} の比が３．０％未満であるということは、スパッタリングターゲットの結晶組織が加工組織や部分的な再結晶組織であることを意味しスパッタリングターゲットの温度上昇に伴って再結晶組織が回復、あるいは部分的に再結晶化するおそれが大きい。このようなスパッタリングターゲットの結晶組織の変質に伴って、得られるスパッタ膜の膜質や膜厚分布などが変化する。また、異常放電などの突発的な現象が生じ、パーティクルの発生量も増加する。
【００３２】
言い換えると、上記した｛I(002)/35}/{I(101)/100} の比を３．０以上とすることによって、ターゲット組織の回復や部分的な再結晶化を防ぐことができる。このように、ターゲット結晶組織の熱的安定性を高めることによって、得られるスパッタ膜（Ｒｕ系電極膜）の膜厚分布や膜質の均一性を向上させることが可能となり、さらにはパーティクルの発生を抑制することができる。スパッタリングターゲットの｛I(002)/35}/{I(101)/100} の比は４．５以上とすることがさらに好ましい。
【００３３】
さらに、スパッタリングターゲットの各部位において、｛I(002)/35}/{I(101)/100} の比のバラツキを±３０％以内とすることによって、各部位で均一なスパッタリング効果が得られ、より一層スパッタ膜（Ｒｕ系電極膜）の膜厚分布や膜質の均一性を向上させることができる。スパッタリングターゲットの各部位における結晶方位含有比のバラツキが±３０％を超えると、各部位における熱的安定性が異なることになり、スパッタ粒子の放出特性が変化してしまう。これは膜厚分布や膜質の変動要因となる。｛I(002)/35}/{I(101)/100} の比のばらつきは±１５％以内とすることがさらに好ましい。
【００３４】
本発明のスパッタリングターゲットは、上述したように結晶組織として再結晶組織を有することが好ましい。加工組織ではスパッタリングターゲットの温度上昇により結晶組織が回復あるいは部分再結晶化することがあり、このスパッタリングターゲットの結晶組織の変質に伴い膜質などが変動したり、異常放電などが起こりパーティクルが増発するおそれがある。一方、スパッタリングターゲットが再結晶組織を有する場合には、結晶組織の回復や部分再結晶化、また異常放電などを防ぐことができ、安定した膜質を再現性よく得ることができる。
【００３５】
また、本発明のスパッタリングターゲットにおいては、ターゲット全体としての平均結晶粒径が１００μｍ以下であり、さらに各部位での平均結晶粒径のばらつきがターゲット全体での平均結晶粒径の±２５％以内である。ターゲット全体としての平均結晶粒径は５０μｍ以下とすることがより好ましく、さらには１０μｍ以下とすることが望ましい。
【００３６】
ターゲットの平均結晶粒径が１００μｍより大きいと、スパッタ時に各結晶粒からの原子の放出特性の違いが顕著になり、膜厚分布が不均一になるおそれがある。さらに、平均結晶粒径が１００μｍより大きいとスパッタ時にターゲット表面付近の電界が局部的に乱れ、異常放電が起こりやすくなる。このような領域のターゲット物質は液状もしくはクラスター状となってターゲットから飛散し、これらの物質が核となってダストが発生する。
【００３７】
同様に、各部位での平均結晶粒径のばらつきがターゲット全体としての平均結晶粒径の±２５％の範囲を超えると、各部位での原子などの放出特性の違いが顕著になり、膜質が不安定となるおそれがある。各部位での平均結晶粒径のばらつきはターゲット全体としての平均結晶粒径の±１５％以内とすることがさらに好ましい。なお、各部位での平均結晶粒径の測定は、ＪＩＳ Ｈ０５０１に記載されている切断法を適用して実施するものとする。
【００３８】
本発明のスパッタリングターゲットは、粉末冶金法、溶解法、急冷凝固法などの公知の方法によって作製することができる。例えば、Ｒｕ粉末単体、もしくはＲｕ粉末に例えばＴｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂなどの粉末を所定量混合した粉末や合金粉末を、ホットプレス法やＨＩＰ法で燒結することにより作製される。この際、ホットプレスやＨＩＰは再結晶温度以上の温度で実施する。ホットプレスやＨＩＰ時の温度が再結晶温度未満であると、本発明で規定するＲｕの（００２）面の結晶方位含有比、あるいは（００２）面と（１０１）面との結晶方位含有比を満足させることができない。
【００３９】
また、ホットプレスやＨＩＰを施す原料粉末すなわちＲｕ粉末、Ｒｕ合金粉末Ｒｕと合金化元素との混合粉末などとしては、所定の粉末粒径のものを使用する。具体的には３０μｍ以下の粒径を有する原料粉末を用いることが好ましい。このような原料粉末を用いることによって、ターゲット全体としての平均結晶粒径、さらには各部位での平均結晶粒径のばらつきを所望範囲に制御することができる。ターゲット素材に塑性加工および熱処理を施す場合には、その際の条件によっても結晶粒径を制御することができる。
【００４０】
ここで、ホットプレス法やＨＩＰ法でターゲット素材を作製した後に、塑性加工を施す場合には、その際の処理温度を再結晶温度以上とすることによっても、本発明で規定する（００２）面の結晶方位含有比、あるいは（００２）面と（１０１）面との結晶方位含有比を満足させることができる。また、塑性加工後に施す熱処理温度を再結晶温度以上とすることによっても同様である。溶解法や急冷凝固法などでターゲット素材を作製した場合についても同様である。
【００４１】
ＲｕもしくはＲｕ合金の具体的な再結晶温度はおおよそ１０００〜１６００℃程度であるため、上記したホットプレスやＨＩＰ時の温度、あるいは塑性加工やその後の熱処理温度は１２００℃以上とすることが好ましい。特に、これらの処理温度を１３００℃以上とすることによって、（００２）面の結晶方位含有比や（００２）面と（１０１）面との結晶方位含有比をより一層高めることができる。 上述したような方法により得られたターゲット素材を所望形状に機械加工した後、バッキングプレートと接合することによって、本発明のスパッタリングターゲットが得られる。
【００４２】
本発明の電極膜は、上述したような本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜することにより得られるＲｕ膜またはＲｕ合金膜を有する。本発明のスパッタリングターゲットを用いた成膜は、通常のＡｒガスを用いて実施してもよいし、またＡｒ＋Ｏ2 の混合ガスをスパッタガスとして用いた反応性スパッタにより実施してもよい。
【００４３】
本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜したＲｕ系電極膜は、膜質、シート抵抗、膜厚分布などが均一で、かつＳｉ基板、その表面に形成されるＳｉ酸化膜やＳｉ窒化膜などの下地に対して良好な付着力を示し、剥がれなどが生じにくいため、それを用いた各種電子部品の特性、信頼性、耐久性などを向上させることができる。また、スパッタ時のパーティクル発生を抑制することができるため、回路の断線や短絡を防ぐことができると共に、配線の微細化などに対しても大きく貢献する。
【００４４】
さらに、上述した反応性スパッタを適用した成膜によれば、酸素を含むＲｕ膜またはＲｕ合金膜が得られる。このような酸素を含むＲｕ膜やＲｕ合金膜は、特に下地に対して優れた密着性を示す。本発明においては、このような酸素を含むＲｕ膜またはＲｕ合金膜と、通常のスパッタ法により成膜したＲｕ膜またはＲｕ合金膜との積層膜を電極膜として用いてもよい。この際、酸素を含むＲｕ膜またはＲｕ合金膜は、下地に対する密着性の向上に寄与すると共に、下地の拡散を防ぐバリア材としても機能する。
【００４５】
本発明の電極膜は各種電子部品の電極に適用可能であるが、特にＳｒＴｉＯ3 やＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 などのペロブスカイト型酸化物からなる誘電体膜を有する薄膜キャパシタの電極として好適である。薄膜キャパシタの具体的な構造としては、Ｓｉ基板などの上に下部電極を形成し、下部電極上に誘電体膜および上部電極を順に形成した構造が挙げられ、このような下部電極または上部電極の少なくとも一方に本発明の電極膜が用いられる。このような薄膜キャパシタは、例えば大容量ＤＲＡＭやＦＲＡＭなどの半導体記憶素子に適用される。
【００４６】
【実施例】
次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述ぺる。
【００４７】
実施例１
原料粉末としてＲｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔａの各粉末を用意し、これら粉末をＲｕ単体、Ｒｕ−１０ａｔ％Ｗ、Ｒｕ−１２ａｔ％Ｍｏ、Ｒｕ−５ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−２０ａｔ％Ｔａとなるように調合した。
【００４８】
これらの粉末を温度１３００〜１４００℃、保持時間 ４時間、加圧加重２５００Ｐａ、１０Ｐａ以下の真空雰囲気の条件下でホットプレスし、直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍの寸法を有するＲｕターゲットおよびＲｕ合金ターゲットをそれぞれ１０枚ずつ作製した。これらのうち、それぞれ５枚のターゲットについては、ホットプレス後に１８００〜２０００℃で３〜５時間保持し、結晶粒径の調節を行った。
【００４９】
上述した方法により各組成について、それぞれ平均結晶粒径が１００μｍ以下のスパッタリングターゲットを５枚と、１００μｍを超えるスパッタリングターゲットを５枚作製した。なお、表２の試料Ｎｏ１〜Ｎｏ５のスパッタリングターゲットは平均結晶粒径が１００μｍ以下のものであり、試料Ｎｏ６〜Ｎｏ１０のスパッタリングターゲットは平均結晶粒径が１００μｍを超えるものである。
【００５０】
これら各ターゲット表面の（００２）面の結晶方位含有比をＸ線回折法により測定した。結晶方位含有比は、試料表面の変質層を研磨して除去した後、Ｘ線回折計で各結晶方位に対応する回折線の積分強度を測定し、得られた強度値を相対強度値（ＪＣＰＤＳ ＣＡＲＤ参照）で補正した後、図１の式を用いて算出した。表２に各ターゲットの（００２）結晶方位含有比、平均結晶粒径のばらつき、（００２）／（１０１）結晶方位含有比およびそのばらつきを示す。
【００５１】
【表２】
【００５２】
さらに、Ｎｏ１〜Ｎｏ５の各ターゲットの（００２）／（１０１）結晶方位含有比は３以上であり、そのばらつきは±３０％以内であった。
【００５３】
次に、上述した各スパッタリングターゲットを用いて、温度: ２０℃（室温）、ＤＣ出力：０．５ｋＷ、スパッタガス：ＡｒとＯ2 の混合ガス( Ａｒ：Ｏ2 ＝１６：４）、圧力：ｌ．３×１０-3Ｐａ以下、スパッタ時間：ｌ分、の条件で、それぞれスパッタリングを行い、Ｓｉウェーハ上にＲｕ膜またはＲｕ合金膜を成膜した。
【００５４】
このようにして得たＲｕ膜およびＲｕ合金膜の膜厚分布およびダスト数を測定した。さらに、得られた薄膜の密着性をピール試験により評価した。膜厚分布の測定は膜厚測定機（ａｌｐｈａ−ｓｔｅｐ２００）を用いて行い、図２に示すＳｉウェーハの各部位について実施した。膜中のダスト数はダストカウンタ装置（ＶＭ−３）を用いて測定した。ピール試験においては、図２に示すＳｉウェーハの各部分から５ｍｍ角のサンプルを１０個採取した後、ピール試験用のテープを薄膜に接着し、このテープを剥がした際に薄膜がテープにつくかつかないかで密着性の度合いを評価した。
【００５５】
上記した試料Ｎｏｌ〜Ｎｏ１０の各スパッタリングターゲットを用いた薄膜の膜厚分布を表３に示す。平均結晶粒径が１００μｍ以下で（００２）結晶方位含有比が０．０５以上の試料Ｎｏｌ〜Ｎｏ５の各スパッタリングターゲットを用いた場合には、膜厚のばらつきをその平均膜厚の±５％以内に収めることができることが分かる。一方、結晶粒径が１００μｍ以上で（００２）結晶方位含有比が０．０５未満の試料Ｎｏ６〜Ｎｏ１０の各スパッタリングターゲットを用いた場合には、膜厚のばらつきがその平均膜厚の±５％を超えていることが分かる。
【００５６】
【表３】
【００５７】
【表４】
【００５８】
【表５】
【００５９】
実施例２
Ｒｕおよび各種添加元素の原料粉末として純度３Ｎ以上の粉末を用意し、これら各粉末を表６に示す各組成となるように調合した。これら各粉末を１０Ｐａ以下の真空雰囲気下で表６に示す条件でホットプレスし、さらに直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートに接合することによって、平均結晶粒径および結晶方位含有比の異なる１０種類のＲｕターゲットおよびＲｕ合金ターゲットを作製した。
【００６０】
これら各ターゲットの平均結晶粒径とそのばらつき、およびターゲット表面の（００２）／（１０１）結晶方位含有比とそのばらつきを測定した。これらの結果を併せて表６に示す。
【００６１】
【表６】
【００６２】
その結果を表７に示す。
【００６３】
【表７】
【００６４】
さらに、上述したＲｕ膜およびＲｕ合金膜をそれぞれ下部電極膜と上部電極膜として薄膜キャパシタを構成した。誘電体膜にはＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 膜を用いた。このような薄膜キャパシタは、いずれも信頼性および特性に優れるものであった。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のスパッタリングターゲットによれば、膜厚分布や膜質が均一で、かつ下地に対して優れた付着力を示すＲｕ膜やＲｕ合金膜を再現性よく得ることができる。このようなＲｕ膜やＲｕ合金膜は各種電子部品の電極膜として有用であるが、特に誘電体膜としてペロプスカイト型酸化物を有する薄膜キャパシタの電極に好適である。このような本発明の電極膜およびそれを用いた電子部品によれば、その信頼性や特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のスパッタリングターゲットの結晶方位含有比の計算方法を示す図である。
【図２】 本発明のスパッタリングターゲットの平均結晶粒径および付着力を測定した各部位を示す図である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a sputtering target suitable for forming an electrode of a thin film capacitor used in a semiconductor memory or the like, and an electrode film and an electronic component using the sputtering target.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the increase in speed and capacity of information processing apparatuses, large capacity DRAMs and non-volatile ferroelectric memories (FRAMs) have come to be used. These DRAMs and FRAMs are equipped with thin-film capacitors, which are suitable for research on high-dielectric materials and ferroelectric materials for higher capacity and smaller size, and suitable for these high-dielectric materials and ferroelectric materials. Development of electrodes is underway.
[0003]
For example, as a high dielectric material or a ferroelectric material, SrTiOThreeAnd Ba1- xSrxTiOThreePerovskite oxides such as are used.
[0004]
In a thin film capacitor having a dielectric film made of such a perovskite oxide, it is described that high-purity Ru or Ru alloy, or these oxides are used as electrodes. Sputtering is mainly used to form such a Ru-based electrode film. For example, Ar + O2A Ru-based electrode film is formed by reactive sputtering using a mixed gas of A high-purity Ru target or Ru alloy target is used to form a Ru-based electrode film to which such a sputtering method is applied.
[0005]
By the way, in recent years, the size of semiconductor wafers has been increased from 8 inches to 12 inches. For example, DRAMs have been increased in capacity from 64 M to 256 M and further to 1 G. While the capacity of a semiconductor element is further increased, the area of the element is required to be reduced. Therefore, miniaturization of electrodes and wiring is being actively promoted. The sputtered film used for such an electrode film is required to have characteristics such as uniform film quality and film thickness distribution and excellent adhesion to the substrate.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional sputtering target made of Ru or Ru alloy has a problem that it is difficult to obtain an electrode film having stable characteristics because the film thickness distribution and sheet resistance in the wafer surface are likely to be uniform. In particular, Ar + O2When reactive sputtering using a mixed gas atmosphere is applied, variations in film thickness distribution and sheet resistance are problematic.
[0007]
Regarding variations in film quality and film thickness distribution of an electrode film made of Ru, Ru alloy, or the like, it is considered that the surface of the target and the crystal orientation in the inside influence the sputtering radiation angle. Therefore, in conventional Ru-based sputtering targets, attempts have been made to uniformize the film quality and film thickness distribution by refining the crystal structure and controlling the crystal plane to some extent. Not reached.
[0008]
Furthermore, the Ru-based electrode film using the conventional sputtering target has insufficient adhesion to the underlayer, which causes a decrease in the reliability of DRAMs, FRAMs and the like using a dielectric film made of a perovskite oxide, for example. It has become. In addition, when a conventional sputtering target is used, particles are likely to be generated during sputtering, causing circuit disconnection or short circuit.
[0009]
Here, Ar + O described above2The reason why the mixed gas is used as the sputtering gas is to improve the adhesion of the Ru-based electrode film to the Si oxide film or the Si nitride film as a base, but the conventional sputtering target can sufficiently improve the adhesion. This has not been realized, and the Ru-based electrode film has been peeled off.
[0010]
The present invention has been made in order to cope with such problems. For example, an electrode of a thin film capacitor having a perovskite oxide as a dielectric film is formed by sputtering using Ru, a Ru alloy, or an oxide thereof. To provide a sputtering target that improves the film thickness distribution and uniformity of the electrode film, improves the adhesion to the substrate, and further reduces the generation of particles during formation. It is also an object of the present invention to provide an electrode film having improved characteristics and adhesion by using such a sputtering target, and an electronic component using the electrode film.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to improve the film thickness distribution and uniformity of the Ru-based electrode film formed by sputtering, and the adhesion to the underlying layer, the inventors have investigated the crystal orientation of the sputtering target made of Ru or Ru alloy, The orientation was examined.
[0012]
Here, it is known that the main peak of the normal Ru-based electrode film by the X-ray diffraction method is the (110) plane, but for the above-mentioned purpose, the Ru (002) plane and the (101) plane. It was found that a thermally stable target crystal structure can be obtained by controlling the orientation of these crystal planes.
[0013]
The present invention has been made based on such findings., ContractAs described in
[0014]
Thus, by setting the crystal orientation content ratio of the (002) plane of the target surface to 0.05 or more, the adhesion of the Ru-based electrode film to the underlayer can be improved, and the film thickness distribution and film quality are uniform. It is also possible to increase the property. Furthermore, the generation of particles can be suppressed.
[0015]
The sputtering target of the present invention further comprisesToThe ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} in the integrated intensity value measured by X-ray diffraction on the target surface is 3.0 or moreTheVariation in the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} in each part of the targetButWithin ± 30%It is.
[0016]
Thus, by setting the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} on the target surface to 3.0 or more, the target structure at the time of sputtering can be stabilized. Based on the above, it is possible to improve the film thickness distribution and film quality uniformity of the Ru-based electrode film, and also improve the adhesion to the substrate. Furthermore, the generation of particles can be suppressed.
[0017]
Further, the sputtering target of the present invention has an average crystal grain size of 100 μm or less as a whole target, and the variation of the average crystal grain size in each part of the target with respect to the average crystal grain size of the entire target is within ± 25%. Furthermore, as described in claim 2, the sputtering target of the present invention preferably has a recrystallized structure as a crystal structure.
[0018]
Electrode film of the present inventionAs described in claim 4, the manufacturing method is a method of manufacturing an electrode film by performing sputtering film formation using a sputtering target, and the sputtering target of the present invention described above is used as the sputtering target. Features.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described.
[0021]
The sputtering target of the present invention is made of Ru or a Ru alloy.
[0022]
When the target is made of Ru, the purity is preferably high, for example, 99.99% or more.
[0023]
In addition, as the Ru alloy constituting the target, Ru containing one or more kinds of various metal elements (alloying elements) can be used. For example, a Ru alloy containing 0.01 to 20% by weight of a metal element such as Ti, Zr, Ta, Pt, Ir, Ni, Cr, Mo, W, and Nb can be used. These alloying elements contribute to heat resistance and corrosion resistance.
[0024]
In the sputtering target of the present invention, the crystal orientation content ratio of the (002) plane in the integrated intensity value measured by the X-ray diffraction method is 0.05 or more on the surface of the target made of Ru or Ru alloy as described above. . The crystal orientation content ratio of the (002) plane indicates a value calculated by the formula shown in FIG.
[0025]
Here, for example, I (002) is the measured intensity of the (002) plane, and R (002) is the relative intensity ratio (correction value) of the (002) plane. The intensity value of each crystal plane by the X-ray diffraction method defined in the present invention is measured, for example, as follows. First, Cu-Kα rays are used as X-rays, and after processing the surface layer of the measurement sample by polishing or the like, an integrated intensity value (measurement intensity value) of each crystal orientation on the surface is obtained using an X-ray diffractometer.
[0026]
As the integrated intensity value of each crystal plane in the present invention, a corrected intensity value normalized by the diffraction intensity of the powder in which the diffraction intensity from each crystal plane is completely randomly oriented is used. That is, the measured intensity value is corrected with a value such as JCPDS CARD to obtain the integrated intensity value, and the crystal orientation content ratio of each crystal plane is calculated therefrom. Table 1 shows a method of calculating the integrated intensity value (corrected intensity) of the (002) plane and the (101) plane.
[0027]
[Table 1]
[0028]
In the sputtering target of the present invention, the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} in the integrated intensity value measured by the X-ray diffraction method on the target surface is 3.0 or more. At this time, the variation in the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} in each part of the target is preferably within ± 30%.
[0029]
Here, I (002) is a measured intensity value of the (002) plane, 35 is a relative intensity ratio (correction value) of the (002) plane, I (101) is a measured intensity value of the (101) plane, and 100 is (101 ) Surface relative intensity ratio (correction value). The ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} obtained from these represents the crystal orientation content ratio between the (002) plane and the (101) plane.
[0030]
There are many crystal planes measured by the X-ray diffraction method on the surface of a sputtering target made of Ru or Ru alloy. In particular, a target structure in which the (002) plane and the (101) plane are thermally stable is obtained. Is an important indicator. Therefore, in the present invention, as described above, the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} is set to 3.0 or more. By satisfying such conditions, the thermal stability of the target structure can be improved, so that it is possible to improve the film thickness distribution and uniformity of the film quality of the resulting sputtered film (Ru-based electrode film). Furthermore, the generation of particles can be suppressed.
[0031]
That is, the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} described above is less than 3.0%, which means that the crystal structure of the sputtering target is processed or partially recrystallized. This means that the recrystallization structure is recovered or partially recrystallized as the temperature of the sputtering target rises. With such alteration of the crystal structure of the sputtering target, the film quality and film thickness distribution of the resulting sputtered film change. In addition, sudden phenomena such as abnormal discharge occur, and the amount of generated particles increases.
[0032]
In other words, recovery of the target structure and partial recrystallization can be prevented by setting the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} to 3.0 or more. . As described above, by improving the thermal stability of the target crystal structure, it becomes possible to improve the film thickness distribution and the uniformity of the film quality of the obtained sputtered film (Ru-based electrode film), and further to generate particles. Can be suppressed. The ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} of the sputtering target is more preferably 4.5 or more.
[0033]
Furthermore, by making the variation of the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} within ± 30% at each part of the sputtering target, a uniform sputtering effect can be obtained at each part. Further, the film thickness distribution and film quality uniformity of the sputtered film (Ru-based electrode film) can be further improved. If the variation in the crystal orientation content ratio in each part of the sputtering target exceeds ± 30%, the thermal stability in each part will be different, and the emission characteristics of the sputtered particles will change. This becomes a variation factor of film thickness distribution and film quality. The variation in the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} is more preferably within ± 15%.
[0034]
As described above, the sputtering target of the present invention preferably has a recrystallized structure as a crystal structure. In the processed structure, the crystal structure may recover or partially recrystallize due to the temperature rise of the sputtering target, and the quality of the film may change due to the change in the crystal structure of the sputtering target, or abnormal discharge may occur and particles may increase. There is. On the other hand, when the sputtering target has a recrystallized structure, recovery of the crystal structure, partial recrystallization, abnormal discharge, and the like can be prevented, and a stable film quality can be obtained with good reproducibility.
[0035]
In the sputtering target of the present invention, the average crystal grain size of the target as a whole is 100 μm or less.TheFurthermore, the variation of the average crystal grain size in each part is within ± 25% of the average crystal grain size of the entire target.TheThe average crystal grain size of the entire target is more preferably 50 μm or less, and further preferably 10 μm or less.
[0036]
If the average crystal grain size of the target is larger than 100 μm, the difference in the emission characteristics of atoms from each crystal grain becomes significant during sputtering, and the film thickness distribution may become non-uniform. Further, if the average crystal grain size is larger than 100 μm, the electric field near the target surface is locally disturbed during sputtering, and abnormal discharge is likely to occur. The target material in such a region is in the form of liquid or cluster and is scattered from the target, and these materials serve as nuclei to generate dust.
[0037]
Similarly, when the variation of the average crystal grain size in each part exceeds the range of ± 25% of the average crystal grain size of the target as a whole, the difference in emission characteristics such as atoms in each part becomes remarkable, and the film quality is improved. May become unstable. It is more preferable that the variation of the average crystal grain size in each part is within ± 15% of the average crystal grain size of the entire target. In addition, the measurement of the average crystal grain diameter in each part shall be implemented by applying the cutting method described in JIS H0501.
[0038]
The sputtering target of the present invention can be produced by a known method such as powder metallurgy, dissolution, or rapid solidification. For example, Ru powder alone, or powder or alloy powder in which a predetermined amount of powder such as Ti, Ta, Zr, Pt, Ir, Ni, Cr, Mo, W, Nb is mixed with Ru powder, hot press method or HIP method It is made by sintering with. At this time, hot pressing or HIP is performed at a temperature higher than the recrystallization temperature. If the temperature at the time of hot pressing or HIP is lower than the recrystallization temperature, the crystal orientation content ratio of the (002) plane of Ru or the crystal orientation content ratio of the (002) plane to the (101) plane specified in the present invention I can't be satisfied.
[0039]
Further, as a raw material powder subjected to hot pressing or HIP, that is, a Ru powder, a mixed powder of a Ru alloy powder Ru and an alloying element, a powder having a predetermined powder particle diameter is used. Specifically, it is preferable to use a raw material powder having a particle size of 30 μm or less. By using such raw material powder, it is possible to control the average crystal grain size of the target as a whole, and further the variation of the average crystal grain size in each part within a desired range. When plastic working and heat treatment are performed on the target material, the crystal grain size can be controlled by the conditions at that time.
[0040]
Here, when plastic working is performed after the target material is produced by the hot press method or the HIP method, the (002) plane defined by the present invention is also obtained by setting the processing temperature at that time to be equal to or higher than the recrystallization temperature. Or the crystal orientation content ratio between the (002) plane and the (101) plane can be satisfied. The same can be said by setting the heat treatment temperature applied after plastic working to the recrystallization temperature or higher. The same applies to the case where the target material is produced by a melting method or a rapid solidification method.
[0041]
Since the specific recrystallization temperature of Ru or Ru alloy is about 1000 to 1600 ° C., it is preferable that the temperature during hot pressing or HIP, or the plastic working and subsequent heat treatment temperature is 1200 ° C. or higher. In particular, by setting these treatment temperatures to 1300 ° C. or higher, the crystal orientation content ratio of the (002) plane and the crystal orientation content ratio of the (002) plane and the (101) plane can be further increased. After the target material obtained by the method as described above is machined into a desired shape, the sputtering target of the present invention is obtained by joining with a backing plate.
[0042]
The electrode film of the present invention has a Ru film or a Ru alloy film obtained by sputtering using the sputtering target of the present invention as described above. Film formation using the sputtering target of the present invention may be performed using ordinary Ar gas, or Ar + O.2Alternatively, the reactive sputtering using the mixed gas as a sputtering gas may be performed.
[0043]
The Ru-based electrode film formed using the sputtering target of the present invention has a uniform film quality, sheet resistance, film thickness distribution, and the like, and is a substrate such as a Si substrate, a Si oxide film or a Si nitride film formed on the surface thereof. Therefore, it is possible to improve the characteristics, reliability, durability and the like of various electronic components using the same. In addition, since generation of particles during sputtering can be suppressed, circuit disconnection and short circuit can be prevented, and the circuit contributes greatly to miniaturization of wiring.
[0044]
Furthermore, according to the film formation using the reactive sputtering described above, a Ru film or Ru alloy film containing oxygen can be obtained. Such a Ru film or Ru alloy film containing oxygen exhibits particularly excellent adhesion to the base. In the present invention, a laminated film of such a Ru film or Ru alloy film containing oxygen and a Ru film or Ru alloy film formed by a normal sputtering method may be used as the electrode film. At this time, the Ru film or Ru alloy film containing oxygen contributes to improvement in adhesion to the base and also functions as a barrier material that prevents the base from diffusing.
[0045]
The electrode film of the present invention can be applied to electrodes of various electronic components, and in particular, SrTiO.ThreeAnd Ba1-xSrxTiOThreeIt is suitable as an electrode of a thin film capacitor having a dielectric film made of a perovskite oxide. As a specific structure of the thin film capacitor, there is a structure in which a lower electrode is formed on a Si substrate or the like, and a dielectric film and an upper electrode are sequentially formed on the lower electrode. At least one of the electrode films of the present invention is used. Such a thin film capacitor is applied to a semiconductor memory element such as a large capacity DRAM or FRAM.
[0046]
【Example】
Next, specific examples of the present invention and evaluation results thereof will be described.
[0047]
Example 1
Ru, W, Mo, Pt, and Ta powders are prepared as raw powders, and these powders become Ru alone, Ru-10 at% W, Ru-12 at% Mo, Ru-5 at% Pt, Ru-20 at% Ta. Was formulated as follows.
[0048]
These powders were hot-pressed under conditions of a vacuum atmosphere of a temperature of 1300 to 1400 ° C., a holding time of 4 hours, a pressure load of 2500 Pa, and 10 Pa or less to obtain a Ru target and a Ru alloy target having dimensions of 127 mm in diameter and 5 mm in thickness. Ten sheets were prepared for each. Of these, five targets were each held at 1800-2000 ° C. for 3-5 hours after hot pressing to adjust the crystal grain size.
[0049]
For each composition, five sputtering targets each having an average crystal grain size of 100 μm or less and five sputtering targets exceeding 100 μm were prepared by the above-described method. The sputtering targets of samples No. 1 to No. 5 in Table 2 have an average crystal grain size of 100 μm or less, and the sputtering targets of Samples No. 6 to No. 10 have an average crystal grain size exceeding 100 μm.
[0050]
The crystal orientation content ratio of the (002) plane of each target surface was measured by the X-ray diffraction method. The crystal orientation content ratio is determined by measuring the integrated intensity of diffraction lines corresponding to each crystal orientation with an X-ray diffractometer after polishing and removing the altered layer on the surface of the sample, and calculating the obtained intensity value as a relative intensity value (JCPDS). After correction by CARD), the calculation was performed using the equation of FIG. Table 2 shows the (002) crystal orientation content ratio, the average crystal grain size variation, the (002) / (101) crystal orientation content ratio and the variation of each target.
[0051]
[Table 2]
[0052]
Furthermore, the (002) / (101) crystal orientation content ratio of each of No. 1 to No. 5 was 3 or more, and the variation was within ± 30%.
[0053]
Next, using each sputtering target described above, temperature: 20 ° C. (room temperature), DC output: 0.5 kW, sputtering gas: Ar and O2Gas mixture (Ar: O2= 16: 4), pressure: l. 3 × 10-3Sputtering was performed under the conditions of Pa or less and sputtering time: 1 minute, and a Ru film or a Ru alloy film was formed on the Si wafer.
[0054]
The film thickness distribution and the number of dusts of the Ru film and the Ru alloy film thus obtained were measured. Furthermore, the adhesion of the obtained thin film was evaluated by a peel test. The film thickness distribution was measured using a film thickness measuring machine (alpha-step 200), and was performed for each part of the Si wafer shown in FIG. The number of dust in the film was measured using a dust counter device (VM-3). In the peel test, 10 samples of 5 mm square were taken from each part of the Si wafer shown in FIG. 2, and then the peel test tape was adhered to the thin film. When the tape was peeled off, the thin film adhered to the tape. The degree of adhesion was evaluated based on whether or not
[0055]
Table 3 shows the film thickness distribution of the thin film using each of the above-described sputtering targets of the samples Nol to No10. When using each sputtering target of samples Nol to No5 having an average crystal grain size of 100 μm or less and a (002) crystal orientation content ratio of 0.05 or more, the variation in film thickness is within ± 5% of the average film thickness. It can be seen that On the other hand, when using each sputtering target of sample No. 6 to No. 10 having a crystal grain size of 100 μm or more and a (002) crystal orientation content ratio of less than 0.05, the film thickness variation is ± 5% of the average film thickness. You can see that
[0056]
[Table 3]
[0057]
[Table 4]
[0058]
[Table 5]
[0059]
Example 2
As raw material powders of Ru and various additive elements, powders having a purity of 3N or more were prepared, and these powders were prepared so as to have respective compositions shown in Table 6. These powders were hot-pressed under the conditions shown in Table 6 under a vacuum atmosphere of 10 Pa or less, further machined to 127 mm in diameter and 5 mm in thickness, and then bonded to a Cu backing plate to obtain an average crystal grain size and crystal Ten types of Ru targets and Ru alloy targets having different orientation content ratios were produced.
[0060]
The average crystal grain size of each target and its variation, and the (002) / (101) crystal orientation content ratio and its variation on the target surface were measured. These results are shown together in Table 6.
[0061]
[Table 6]
[0062]
The results are shown in Table 7.
[0063]
[Table 7]
[0064]
Further, a thin film capacitor was constructed using the Ru film and the Ru alloy film described above as the lower electrode film and the upper electrode film, respectively. Ba is a dielectric film.1-xSrxTiOThreeA membrane was used. Such thin film capacitors were all excellent in reliability and characteristics.
[0065]
【The invention's effect】
As described above, according to the sputtering target of the present invention, it is possible to obtain a Ru film or Ru alloy film having a uniform film thickness distribution and film quality and exhibiting excellent adhesion to the substrate with good reproducibility. Such a Ru film or Ru alloy film is useful as an electrode film for various electronic components, but is particularly suitable for an electrode of a thin film capacitor having a perovskite oxide as a dielectric film. According to the electrode film of the present invention and the electronic component using the electrode film, the reliability and characteristics can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a calculation method of a crystal orientation content ratio of a sputtering target of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing each part where the average crystal grain size and adhesion of the sputtering target of the present invention were measured.
Claims (4)
ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値における（００２）面の結晶方位含有比が０．０５以上、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値における{I(002)/35}/{I(101)/100}の比が３．０以上、ターゲットの各部位における前記{I(002)/35}/{I(101)/100}の比のばらつきが±３０％以内、ターゲット全体としての平均結晶粒径が１００μｍ以下、前記ターゲット全体の平均結晶粒径に対するターゲットの各部位における平均結晶粒径のばらつきが±２５％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。A sputtering target made of Ru or Ru alloy,
The (002) plane crystal orientation content ratio in the integrated intensity value measured by the X-ray diffraction method on the target surface is 0.05 or more , and {I (002) in the integrated intensity value measured by the X-ray diffraction method on the target surface. / 35} / {I (101) / 100} ratio is 3.0 or more, and variation in the ratio of {I (002) / 35} / {I (101) / 100} in each part of the target is ± 30 %, The average crystal grain size of the target as a whole is 100 μm or less, and the variation of the average crystal grain size in each part of the target with respect to the average crystal grain size of the target as a whole is within ± 25% .
結晶組織が再結晶組織であることを特徴とするスパッタリングターゲット。The sputtering target according to claim 1 , wherein
A sputtering target, wherein the crystal structure is a recrystallized structure.
前記Ｒｕ合金は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＮｂから選ばれる少なくとも１種の元素を０．０１〜２０重量％の範囲で含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。The sputtering target according to claim 1 or 2 ,
The Ru alloy contains at least one element selected from Ti, Zr, Ta, Pt, Ir, Ni, Cr, Mo, W and Nb in a range of 0.01 to 20% by weight. target.
前記スパッタリングターゲットとして請求項１ないし３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いることを特徴とする電極膜の製造方法。A method for producing an electrode film, comprising using the sputtering target according to claim 1 as the sputtering target.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15543999A JP4342639B2 (en) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | Sputtering target and electrode film manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15543999A JP4342639B2 (en) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | Sputtering target and electrode film manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000345327A JP2000345327A (en) | 2000-12-12 |
| JP4342639B2 true JP4342639B2 (en) | 2009-10-14 |
Family
ID=15606067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15543999A Expired - Lifetime JP4342639B2 (en) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | Sputtering target and electrode film manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4342639B2 (en) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4503817B2 (en) * | 2000-11-30 | 2010-07-14 | 株式会社東芝 | Sputtering target and thin film |
| JP4384453B2 (en) | 2003-07-16 | 2009-12-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Ag-based sputtering target and manufacturing method thereof |
| JP2005336583A (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hitachi Metals Ltd | SINTERED Ru TARGET MATERIAL |
| JP2006283054A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hoya Corp | Sputtering target, manufacturing method for substrate with multi-layered reflecting film, manufacturing method for reflection type mask blank, and manufacturing method for reflection type mask |
| JP2008538591A (en) * | 2005-04-21 | 2008-10-30 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | Ruthenium-based materials and ruthenium alloys |
| JP5234735B2 (en) * | 2005-06-16 | 2013-07-10 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Tantalum-ruthenium alloy sputtering target |
| JP2007113032A (en) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Hitachi Metals Ltd | TARGET MATERIAL FOR Ru SPUTTERING |
| WO2007097396A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sintered sputtering target made of high-melting metals |
| JP5069051B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-11-07 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Nickel alloy sputtering target |
| US9347130B2 (en) | 2009-03-27 | 2016-05-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Lanthanum target for sputtering |
| KR101376453B1 (en) * | 2009-03-31 | 2014-03-19 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | Lanthanum target for sputtering |
| JP5706035B2 (en) * | 2012-07-30 | 2015-04-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ruthenium sputtering target and ruthenium alloy sputtering target |
-
1999
- 1999-06-02 JP JP15543999A patent/JP4342639B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000345327A (en) | 2000-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11753702B2 (en) | Molybdenum containing targets | |
| JP5487182B2 (en) | Sputter target | |
| US20200013598A1 (en) | Molybdenum containing targets | |
| JP4342639B2 (en) | Sputtering target and electrode film manufacturing method | |
| JPH09316630A (en) | High strength dielectric sputtering target and its production | |
| US20090186230A1 (en) | Refractory metal-doped sputtering targets, thin films prepared therewith and electronic device elements containing such films | |
| WO2007007704A1 (en) | Sputtering target for the formation of phase-change films and process for the production of the target | |
| JP4559553B2 (en) | Sputtering, electron beam, sintered body for ion plating, transparent conductive glass and transparent conductive film | |
| JP3215392B2 (en) | Metal oxide sintered body and its use | |
| WO2019187329A1 (en) | Tungsten silicide target member and method for manufacturing same, and method for manufacturing tungsten silicide film | |
| JPH03274607A (en) | Dielectric composite | |
| JP5526072B2 (en) | Sputtering target and Ti-Al-N film and electronic component manufacturing method using the same | |
| JP2000355760A (en) | Sputtering target, barrier film and electronic parts | |
| JP2000169220A (en) | Metal oxide sintered compact and its use | |
| JP4820507B2 (en) | Sputtering target and manufacturing method thereof, and Ti-Al-N film and electronic component manufacturing method using the same | |
| JP5622914B2 (en) | Sputtering target manufacturing method, Ti-Al-N film manufacturing method, and electronic component manufacturing method | |
| JP2000169219A (en) | Metal oxide sintered compact and its use | |
| JP2005097657A (en) | Sputtering target for forming magnetic layer having reduced production of particle | |
| JP5389093B2 (en) | Sputtering target and Ti-Al-N film and electronic component manufacturing method using the same | |
| JP3428432B2 (en) | Sputtering target material for forming a Bi-Sr-Ta-O-based ferroelectric thin film and a film forming method using the same | |
| JPH1192922A (en) | Sputtering target for formation of dielectric film, its production and production of ferroelectric memory | |
| JP2000185968A (en) | Electroconductive metal oxide sintered compact and its use | |
| WO2000031316A1 (en) | Co-Ti ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
| JPH10226572A (en) | Bismuth-containing laminar perovskite sintered compact, its production and its use | |
| JP3465567B2 (en) | Sputtering target material for forming tantalum silicon nitride thin film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060529 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081202 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090616 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090708 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4342639 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130717 Year of fee payment: 4 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |