JP4314921B2 - 放射線検出器 - Google Patents
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Description
a)検出対象である放射線を吸収する放射線吸収体と、
b)前記放射線吸収体の温度変化を測定して、該温度変化に対応した信号を出力する温度センサと、
c)前記温度センサからの信号を受け、前記放射線吸収体の温度がピークに達した時に冷却開始信号を出力し、前記放射線吸収体の温度が所定の温度に下がった時又は放射線吸収体の温度がピークに達してから所定の時間が経過した時に冷却終了信号を出力する制御手段と、
d)前記放射線吸収体に発生する熱を吸収するヒートシンクと、
e)前記放射線吸収体とヒートシンクとを熱的に接続し、前記冷却開始信号に応じて放射線吸収体からヒートシンクへの熱流量を増加させ、前記冷却終了信号に応じて放射線吸収体からヒートシンクへの熱流量を減少させることが可能な熱伝達手段と、
を備え、前記熱伝達手段の少なくとも一部が放射線検出器の動作温度において超伝導状態となる超伝導体を有し、更に該超伝導体の超伝導状態を常伝導状態に転移させる磁場を該超伝導体に印加する磁場生成手段を備えることを特徴とする。
この放射線検出器の概念図を図5に示す。この放射線検出器では、ヒートシンク14と熱伝達手段17から冷却手段を構成している。放射線吸収体11、温度センサ12及び制御手段15については、前記と同様の構成とすることができる。また、ヒートシンク14には、CuやSi(ケイ素)等から成るものを用いることができる。
第1の構成例は、熱伝達手段として、放射線検出器の動作温度において超伝導状態となる超伝導体を用いたものである。そして、この超伝導体の超伝導状態を常伝導状態に転移させる磁場を印加する磁場生成手段を設ける。磁場生成手段は、例えば、コイルと該コイルに電流を供給する電流供給手段から構成される。
第2の構成例は熱伝達手段としてNIS接合冷却素子を設けたものである。NIS接合冷却素子は、常伝導体から成る常伝導端子と、放射線検出器の動作温度において超伝導状態となる超伝導端子との間に絶縁体薄膜を挟んだ構造を有する。このNIS接合冷却素子については、Nahumらにより報告されている(N. Nahum et al., "Electronic Micro-Refrigerator Based on a Normal-Insulator-Superconductor Tunnel Junction" , Applied Physics Letters, (US), American Institute of Physics, 1994, vol. 65, p. 3123)。このNIS素子の常伝導端子を放射線吸収体に、超伝導端子をヒートシンクに、それぞれ熱的に接続する。更に、常伝導端子と超伝導端子との間にバイアス電圧を印加するための電圧印加手段を接続する。
12、22、32、42、52…温度センサ
13…熱伝導体
14、24、34、44…ヒートシンク
23…超伝導体
241…凹部
25、35…コイル
26、36、46…制御部
27、37…電流供給部
33…超伝導体薄膜
341、441…貫通孔
39…絶縁体薄膜
43…NIS接合冷却素子
431…常伝導端子
432…絶縁体薄膜
433…超伝導端子
47…バイアス電圧印加部
48…電極
49…低熱コンダクタンス層
521…常伝導体
522、523…超伝導体
Claims (3)
- a)検出対象である放射線を吸収する放射線吸収体と、
b)前記放射線吸収体の温度変化を測定して、該温度変化に対応した信号を出力する温度センサと、
c)前記温度センサからの信号を受け、前記放射線吸収体の温度がピークに達した時に冷却開始信号を出力し、前記放射線吸収体の温度が所定の温度に下がった時又は放射線吸収体の温度がピークに達してから所定の時間が経過した時に冷却終了信号を出力する制御手段と、
d)前記放射線吸収体に発生する熱を吸収するヒートシンクと、
e)前記放射線吸収体とヒートシンクとを熱的に接続し、前記冷却開始信号に応じて放射線吸収体からヒートシンクへの熱流量を増加させ、前記冷却終了信号に応じて放射線吸収体からヒートシンクへの熱流量を減少させることが可能な熱伝達手段と、
を備え、前記熱伝達手段の少なくとも一部が放射線検出器の動作温度において超伝導状態となる超伝導体を有し、更に該超伝導体の超伝導状態を常伝導状態に転移させる磁場を該超伝導体に印加する磁場生成手段を備えることを特徴とする放射線検出器。 - 前記磁場生成手段が、コイルと、該コイルに電流を供給する電流供給手段とを備えることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
- 前記超伝導体が前記温度センサから信号を取り出すリード線を兼ねることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出器。
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