JP4309560B2 - Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor wafer - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、本発明は、半導体装置におけるリダンダンシー(Redundancy)工程で使用される位置合わせマークに関し、特に金属構造の位置合わせマークを有する半導体装置及びその製造方法並びに半導体ウエーハに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
年々、高集積化の進む半導体装置に於いては、微細化への要求として回路設計ルールの縮小化が取り入れられている。特に大規模集積化が進むDRAMなどの半導体記憶装置では、その傾向が顕著である。また、微細化に伴い、冗長回路を予め設けておき、不良部分と置き換えを行うことで、不良部分を救済するリダンダンシー技術が広く採用されている。現実的にまったく不良メモリセルが存在しない製品、すなわち、すべてのビットについて良品を製造することは困難であり、通常の半導体記憶装置では、ダイソート検査によりメモリセルの不良部分を特定して、不良部分を冗長部分と置き換えて、動作的に良品として保証された半導体記憶装置として出荷される。
【0003】
ところで、不良部分と冗長回路とを置き換えるためには、配線の接続を変更する必要がある。配線接続の変更方法として、フューズ回路を用意して、接続不要な回路に接続されたフューズを切断する必要がある。フューズを切断するには、レーザを切断必要な特定フューズに照射して、特定フューズのみ切断する必要がある。その場合、特定フューズの位置を特定することが不可欠であり、その位置特定手法として、リダンダンシー合わせマークが用いられている。
【0004】
ここで、従来技術を用いた場合のリダンダンシー位置合わせマークの断面構造を図13及び図14に示す。図13に示されるように、TEOS膜50の一部分に縦約55μm、横100μmの溝51が設けられている。その溝51の中央部分に幅約10μm、長さ約72μmの位置合わせマーク52が設けられていて、その長さ方向の両端部はTEOS膜50中に埋め込まれている。図13のF−F´線上の断面図は図14に示される通りである。半導体基板53上に形成されたTEOS膜50の溝51の深さは約1.55μmであり、位置合わせマーク52は2層構造であり、下層はTiN層54が厚さ約0.05μmで形成されていて、下層の上には上層としてAlCu層55が厚さ約0.5μmで形成されている。
【0005】
アライメント時、この真上(図13参照)からレーザをスキャニングし、位置合わせマークの上表面とそれ以外の部分の、反射の違いによってアライメントを行う。この位置合わせマークは半導体ウエーハ上の数百個に及ぶ全半導体チップそれぞれに対応して設けられていて、各半導体チップに位置合わせを行い、不良部分と冗長部分との置き換えを行っている。
【0006】
なお、特開平4−61218号公報には、その第1図などに絶縁膜中にコンタクトホールを設け、コンタクトホール内に導電材を堆積し、開口部内に段差を設けて、アライメントマークとして利用する技術が記載されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の半導体装置では、以下の課題が生じる。
【0008】
アライメント時には、図13に示される位置合わせマークの真上からレーザをスキャニングし、金属部とそれ以外の部分の、反射の違いによって位置合わせを行う。しかしながら、もしも位置合わせマークが正常に形成されていなかった場合、正しい位置合わせがとれず、本来とは違う位置にあるフューズを切ってしまう可能性がある。例えば、図14に示されたように位置合わせマークをTiN層54とその上に設けられたAlCu層55で形成する場合、TiN層54及びAlCu層55共に剥き出しの状態である。
【0009】
位置合わせマークを形成の後、表面上にポリイミド膜を付ける工程があるが、この工程で塗布ムラ等の理由でやり直しになった場合、ポリイミド剥離後、再処理されることになる。問題となるのはポリイミド剥離の際に用いられるガスである。そのガスの中にCF4が含まれており、それがTiN層にダメージを与えることが分かっている。
【0010】
すなわち、図14に示すところのAlCu層55の下に配置されているTiN層54が破壊されることになり、真上から見た場合、リダンダンシー用の位置合わせマークが本来通りの色で再現されなくなる。例えば、本来の色が白色である場合には、黒色として認識される場合がある。このため、リダンダンシーの整合性が取れなくなるという事態を招く。特にポリイミド膜を成膜後の検査工程で、成膜状態が適切でない場合にその成膜、剥離を何度も繰り返す場合には、TiN層へのダメージの程度が大きくなり、位置合わせの機能を果たせなくなる可能性があった。
【0011】
本発明の目的は以上のような従来技術の課題を解決することにある。
【0012】
特に、本発明の目的は、位置合わせマークの形状を設計通りに確保して、抽出された不良回路に対して、対応する冗長回路が置き換えられた半導体装置を提供することにある。
【0013】
本発明の他の目的は高精度の位置合わせを可能とし、さらなる微細化が進んだ場合においても、必要なリダンダンシー処理が可能な半導体ウエーハを提供することにある。
【0014】
本発明の他の目的は、侵食性の高いガスを使用した場合でも、位置合わせマークの形状を設計通りに保持して、高精度の位置合わせを可能とした半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、回路素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層中に設けられた第1のTiN層と、前記第1のTiN層上に形成され、前記開口部にその上面が露出し、上面以外は前記絶縁層で被覆された金属層と、前記金属層上に形成され、前記開口部直下に同一形状の開口部を有する第2のTiN層とを有する半導体装置を提供することが可能である。
【0016】
また、本発明の第2の特徴である半導体基板中に回路素子を形成する工程と、前記半導体基板上に第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層上に所定形状の第1の金属層を形成する工程と、前記第1の金属層と同一平面形状の第2の金属層を形成する工程と、前記第2の金属層上にこの第2の金属層と同一平面形状の第3の金属層を形成する工程と、前記第1の絶縁膜、前記第3の金属層上に第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2の絶縁層及び前記第3の金属層を前記第2の金属層表面が一部露出するように除去する工程と、前記第2の絶縁層及び前記第2の金属層上にポリイミド層を堆積する工程と、前記ポリイミド層を前記開口部分でCF4ガスを用いて除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法としたことで、侵食性の高いガスを使用した場合でも、位置合わせマークの形状を設計通りに保持して、高精度の位置合わせを可能とした半導体装置の製造方法を提供することが可能である。
【0018】
【発明の実施の形態】
次に,図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり,厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なる。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
(第1の実施の形態)
本発明にかかる第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を、図1乃至図9を用いて説明する。
【0019】
図1に示される通り、TEOS膜1上に開口部2が設けられている。この開口部中にAlCu層3などからなる金属層が露出している。この開口部2はこの例では例えば、深さ約1μm、縦約40μm、横約10μmとなっている。この開口部2には、TEOS膜1及びAlCu層3などからなる金属層の上表面のみが露出している。なお、点線で示した部分にはAlCu層3がTEOS膜1下に埋め込まれて形成されている。図1で、示されるA−A´線での断面図は図2に示される。
【0020】
この図2に示される通り、半導体基板4上にTEOS膜1などからなる絶縁層が設けられている。ここでは、TEOS膜1は例として示したのみで他の絶縁膜であっても構わないし、1層構造に限らず、2層以上の多層構造でも構わない。なお、金属層を構成するAlCu層3は類似する物理化学的性質を有する材料であれば、他の材料を適宜AlCu層3に替えて使用できるし、組み合わせて積層構造とすることもできる。半導体基板4上には図示しない部分において、トランジスタやキャパシタなどの回路素子が形成されている。TEOS膜1中には、TiN層5が膜厚約0.05μm、横約100μm、縦約55μmで形成され、その上に膜厚約0.5μm、横約100μm、縦約55μmのAlCu層3が形成されている。
【0021】
このようにAlCu層3及びTiN層5からなる位置合わせマークとして用いられる金属層の大きさを十分に取りながら、実際に位置合わせマークとして機能する開口部の大きさを小さくすることで、TiN層5側面を囲う構造にすることができる。
【0022】
このようにポリイミド膜を堆積後、成膜状態が好ましくない場合に、ポリイミド膜を剥離し、再度、ポリイミド膜を堆積する工程を何度も繰り返した場合であっても、再処理による剥離工程におけるTiN層5へのガスのダメージを回避でき、高精度の位置合わせマークを維持できる。さらに、リダンダンシー工程で正確な位置合わせを可能として、不良部分を冗長部分に置き換えるフューズブローを的確に行うことが可能となる。なお、位置合わせマーク部分上に形成されたポリイミド膜は透光性を有するため、リダンダンシー工程での、真上からの位置測定に際して障害とはならない。
【0023】
上記の位置合わせマークは各半導体チップ上に設けてもよいし、半導体ウエーハの各半導体チップの相互の間のダイシングライン上に設けてもよい。半導体チップ上に設ける場合には、位置合わせマークはそれぞれに半導体チップに含まれたフューズの周辺に設けることで、切断すべきフューズ特定の位置精度が向上する。ダイシングライン上に設ける場合には、ダイシングラインの幅が100μm程度の場合、図1に示される金属層はその長さが短い方向である縦方向がダイシングラインの幅方向に配置され、金属層の長さが長い方向である横方向がダイシングラインに沿ったライン方向に配置される。ダイシングラインは半導体ウエーハ上で、各半導体チップの周囲の各辺に沿って4方向に設けられていて、位置合わせマークは各半導体チップ周囲の4方向のダイシングライン上に設けられる。
【0024】
なお、図1では開口部2はAlCu層3及びTiN層5からなる金属層の縦方向の長さよりも小さい長さを有しているが、場合により図3に示されるように開口部6の長さがAlCu層3及びTiN層5からなる金属層の縦方向の長さと等しいか若干小さい長さであっても金属位置合わせマークの下層のTiN層5が開口部6から露出しない形状であれば構わない。例えば55μm以下程度の縦方向の長さに開口部6を設定しても構わない。
(第2の実施の形態)
図4に示されるようにこの実施の形態では、互いに向きの異なる位置合わせマークを二つ隣接して設けている。図中左側に示された位置合わせマークは、図3に示された構成と同一となっている。図中右側に示された位置合わせマークは、左側に設けられた位置合わせマークとは形状が異なっている。すなわち、TEOS膜1上に開口部7が設けられている。この開口部中にAlCu層8などからなる金属層が露出している。
【0025】
この開口部7はこの例では例えば、深さ約1μm、縦約10μm、横約60μmとなっている。この開口部7には、TEOS膜1及びAlCu層8などからなる金属層のみが露出している。なお、点線で示した部分にはAlCu層8及びTiN層9がTEOS膜1下に埋め込まれて形成されている。ここでは、TEOS膜1は例として示したのみで他の絶縁膜であっても構わないし、1層構造に限らず、2層以上の多層構造でも構わない。なお、金属層を構成するAlCu層8は類似する物理化学的性質を有する材料であれば、他の材料を適宜AlCu層8に替えて使用できるし、組み合わせて積層構造とすることもできる。図4中で示されるC−C´線での断面図は図5に示され、D−D´線での断面図は図6に示される。
【0026】
この図5及び図6に示される通り、半導体基板4上にTEOS膜1などからなる絶縁層が設けられている。半導体基板4上には図示しない部分では、トランジスタやキャパシタなどの回路素子が形成されている。TEOS膜1中には、TiN層9が膜厚約0.05μm、横約60μm、縦約60μmで形成され、その上に膜厚約0.5μm、横約60μm、縦約60μmのAlCu層8が形成されている。
【0027】
このようにAlCu層8及びTiN層9からなる位置合わせマークとして用いられる金属層の大きさを十分にとりながら、実際に位置合わせマークとして機能する開口部7の大きさを小さくすることで、TiN層9側面を囲う構造にすることができ、ポリイミド膜を堆積後、成膜状態が好ましくない場合に、ポリイミド膜を剥離し、再度、ポリイミド膜を堆積する工程を何度も繰り返した場合であっても、再処理による剥離工程におけるTiN層9へのガスのダメージを回避でき、高精度の位置合わせマークを維持して、リダンダンシー工程で正確な位置合わせを可能として、不良部分を冗長部分に置き換えるフューズブローを的確に行うことが可能となる。
【0028】
また、この実施の形態では互いに向きが垂直になっている位置合わせマークを図4中で示すように距離D、ここでは例えば、40μm離間させている。
【0029】
このため、位置合わせマークをスキャニングする際に互いに垂直な方向でスキャニングすることで、縦横の座標値を得ることができ、高精度の位置測定、位置合わせが可能となる。
【0030】
上記の位置合わせマークは各半導体チップ上に設けてもよいし、半導体ウエーハの各半導体チップの相互の間のダイシングライン上に設けてもよい。半導体チップ上に設ける場合には、位置合わせマークはそれぞれに半導体チップに含まれたフューズの周辺に設けることで、切断すべきフューズ特定の位置精度が向上する。ダイシングライン上に設ける場合には、ダイシングラインの幅が100μm程度の場合、図4に示される金属層はその長さが短い方向である縦方向がダイシングラインの幅方向に配置され、金属層の長さが長い方向である横方向がダイシングラインに沿ったライン方向に配置される。ダイシングラインは半導体ウエーハ上で、各半導体チップの周囲の各辺に沿って4方向に設けられていて、位置合わせマークは各半導体チップ周囲の4方向のダイシングライン上に設けられる。
【0031】
なお、図4では開口部6はAlCu層3及びTiN層5からなる金属層の縦方向の長さとほぼ等しい長さを有しているが、場合によりAlCu層3及びTiN層5からなる金属層の縦方向の長さより小さい長さであっても金属位置合わせマークの下層のTiN層5が開口部6から露出しない形状であれば構わない。
【0032】
さらに図4では開口部7はAlCu層8及びTiN層9からなる金属層の横方向の長さとほぼ等しい長さを有しているが、場合によりAlCu層8及びTiN層9からなる金属層の横方向の長さより小さい長さであっても金属位置合わせマークの下層のTiN層9が開口部6から露出しない形状であれば構わない。
(第3の実施の形態)
本実施の形態では,図7に示されるように、TEOS膜1上に開口部10が設けられている。この開口部10中にAlCu層3及びTiN層11などからなる金属層が露出している。この開口部2の形状は例えば、第1の実施の形態と同様でもよい。この開口部10には、TEOS膜1、AlCu層3及びTiN層11などからなる金属層の上表面及び一部側面のみが露出している。なお、点線で示した部分にはTiN層11がTEOS膜1下に埋め込まれて形成されている。図7中に示されるE−E´線での断面図は図8に示される。この図8に示される通り、半導体基板4上にTEOS膜1などからなる絶縁層が設けられている。半導体基板4上には図示しない部分では、トランジスタやキャパシタなどの回路素子が形成されている。TEOS膜1中には、TiN層5及びAlCu層3が第一の実施の態様と同様に形成されている。
【0033】
ここでは、TEOS膜1は例として示したのみで他の絶縁膜であっても構わないし、1層構造に限らず、2層以上の多層構造でも構わない。なお、金属層を構成するAlCu層3は類似する物理化学的性質を有する材料であれば、他の材料を適宜AlCu層3に替えて使用できるし、組み合わせて積層構造とすることもできる。このAlCu層3上に開口部10以外の上面全面にさらにTiN層11が厚さ約0.04μm程度で形成されている。
【0034】
このようにAlCu層3及び2層のTiN層5、11からなる位置合わせマークとして用いられる金属層の大きさを十分に取りながら、実際に位置合わせマークとして機能する開口部の大きさを小さくすることで、下層のTiN層5側面をTEOS膜1で囲う構造にすることができ、ポリイミド膜を堆積後、成膜状態が好ましくない場合に、ポリイミド膜を剥離し、再度、ポリイミド膜を堆積する工程を何度も繰り返した場合であっても、再処理による剥離工程における下層のTiN層5へのガスのダメージを回避でき、高精度の位置合わせマークを維持して、リダンダンシー工程で正確な位置合わせを可能として、不良部分を冗長部分に置き換えるフューズブローを的確に行うことが可能となる。
【0035】
ここで、上層のTiN層11はガスによるダメージを受けるが、位置合わせマークとして認識される開口部10下にあるTiN層5はAlCu層3でその上面を被覆され、その側面もTEOS膜1で被覆されているため、ガスによるダメージを受けないので、位置合わせマークの機能は維持される。
【0036】
上記の位置合わせマークは各半導体チップ上に設けてもよいし、半導体ウエーハ内の各半導体チップの相互の間のダイシングライン上に設けてもよい。半導体チップ上に設ける場合には、位置合わせマークはそれぞれに半導体チップに含まれたフューズの周辺に設けることで、切断すべきフューズ特定の位置精度が向上する。ダイシングライン上に設ける場合には、ダイシングラインの幅が100μm程度の場合、図7に示される金属層はその長さが短い方向である縦方向がダイシングラインの幅方向に配置され、金属層の長さが長い方向である横方向がダイシングラインに沿ったライン方向に配置される。ダイシングラインは半導体ウエーハ上で、各半導体チップの周囲の各辺に沿って4方向に設けられていて、位置合わせマークは各半導体チップ周囲の4方向のダイシングライン上に設けられる。
【0037】
なお、図7では開口部10はAlCu層3及びTiN層5,11からなる金属層の縦方向の長さよりも小さい長さを有しているが、場合により図3に示されるように開口部10の長さがAlCu層3及びTiN層5,11からなる金属層の縦方向の長さと等しいか若干小さい長さであっても金属位置合わせマークの下層のTiN層5が開口部10から露出しない形状であれば構わない。例えば55μm以下程度の縦方向の長さに開口部10を設定しても構わない。
(第4の実施の形態)
本実施の形態は第3の実施の形態の半導体装置の製造方法に係り、図9乃至図12を用いて説明される。
【0038】
まず、図9に示されるようにトランジスタなどが図示されない部分に形成された半導体基板4上に第1TEOS層12が堆積され、その上に第1のTiN層5、AlCu層3、第2のTiN層11が順次堆積され、位置合わせマークとして用いられる金属層部分にレジスト13が第2のTiN層11上に形成される。
【0039】
ついで、図10に示されるようにレジスト13をマスクに用いて反応性イオンエッチングなどを使用して、位置合わせマークとして使用される金属層を所定の形状にエッチングして形成して後、レジストを除去する。図10に示されるように金属層は位置合わせマーク部分以外は除去されている。
【0040】
ついで、図11に示されるように第2TEOS層14が全面に堆積された後、CMPなどを用いて表面が平坦化される。
【0041】
ついで、図12に示されるように第2TEOS層14上に位置合わせマークとなる点線で示された開口部10形成予定領域以外の部分にレジスト15を形成する。その後、レジスト15をマスクに用いて、第2TEOS層14及び第2TiN層11を反応性イオンエッチングなどを用いて除去する。その後、レジスト15を除去することで、図7及び図8に示された第3の実施の形態の半導体装置が形成される。この後,ポリイミド膜を全面に堆積し、成膜状態を検査する。その結果、良好な成膜状態でない場合には、剥離と再成膜、検査を繰り返す。良好な成膜状態を確認後、位置合わせを行い、必要なフューズをブローして、不良回路を冗長回路と置き換えて、正常動作を保証する。
【0042】
ここで、ポリイミド膜成膜、除去の再処理において、下層のTiN層5にダメージを与えるようなガスが位置合わせマークの金属層の下層のTiN層5に回り込むことを防ぐことが出来る。本発明により、位置合わせマークにダメージが与えられることがない為、ポリイミド剥離等の再処理を何回行おうとも位置合わせマークに影響を受けず、正常なフューズブローができるようになる。
【0043】
侵食性の高いガスを使用した場合でも、位置合わせマークの形状を設計通りに保持して、高精度の位置合わせを可能とした半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0044】
なお、第1乃至第3の実施の形態では特に第1TEOS層、第2TEOS層の区別を行わずにTEOS層として扱っているが、実際にはこの第4の実施の形態の通り、少なくとも2段階の工程にてTEOS層を位置合わせマーク周辺に形成している、
ここで、位置合わせマークに用いられる金属層は半導体装置の他の部分で回路素子内の配線形成と同時に堆積、エッチングを行って同一工程で製造することができる。そのため、3層構造からなる配線層と同時に形成する場合には位置合わせマークにおける金属層も同様の3層構造とし、2層構造である他の配線層と同時に形成する場合には、2層構造として形成することが工程数削減にとって有益である。また、位置合わせマークは上面からスキャンして位置を確認するものであるため、半導体装置または、半導体ウエーハの最上層付近にあることが反射光を正しく認識する上で通常好適である。
【0045】
ここで、半導体装置または半導体ウエーハ内で位置合わせマークと垂直方向で同一位置にある配線層は通常パッド層に相当する。そのため、位置合わせマークの金属層はパッド層と同一工程で製造され、パッド層と同一金属構造であることが工程数削減の上で適切である。
【0046】
なお、この実施の形態では第3の実施の形態の半導体装置の製造方法を示したが第1又は第2の実施形態についても同様の工程を用いて適用できる。すなわち、第1の実施の形態に適用する場合には、第2TEOS層11をAlCu層3上に設ける工程は不要であり、AlCu層3上に直接、TEOS層を形成し、その後、第4の実施の形態同様に開口部2を設けることで、製造できる。
【0047】
第2の実施の形態については、単に開口部を形成する工程において、そのサイズを所望のサイズに合わせて第1の実施の形態の製造方法における開口部形成工程を修正することで、適用できる。
【0048】
位置合わせマークとして、AlCu層やTiN層との組み合わせからなる2又は3層の金属層を各実施の形態にて示したが、これに限るものではなく同様の物理化学的性質を持った材料を適宜選択して位置合わせマークを形成することも可能である。さらに各実施の形態で示した金属材料多層構造をさらに多数回繰り返して3層以上の金属層からなる位置合わせマークとして構成してもよい。
【0049】
【発明の効果】
本発明によれば、位置合わせマークの形状を設計通りに確保して、抽出された不良回路に対して、対応する冗長回路が置き換えられた半導体装置を提供できる。
【0050】
本発明によればさらに、高精度の位置合わせを可能とし、さらなる微細化が進んだ場合においても、必要なリダンダンシー処理が可能な半導体ウエーハを提供できる。
【0051】
本発明によればさらに、侵食性の高いガスを使用した場合でも、位置合わせマークの形状を設計通りに保持して、高精度の位置合わせを可能とした半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を説明する平面図である。
【図2】 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を説明する断面図である。
【図3】 本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の変形例を説明する平面図である。
【図4】 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置を説明する平面図である。
【図5】 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置を説明する断面図である。
【図6】 本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置を説明する断面図である。
【図7】 本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置を説明する平面図である。
【図8】 本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置を説明する断面図である。
【図9】 本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図10】 本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図11】 本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図12】 本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図13】 従来の半導体装置を説明する平面図である。
【図14】 従来の半導体装置を説明する断面図である。
【符号の説明】
1 TEOS層
2 開口部
3 半導体基板
4 第1レジスト
5 TiN層
6 開口部
7 開口部
8 AlCu層
9 TiN層
10 開口部
11 TiN層
12 第1TEOS層
13 レジスト
14 第2TEOS層
15 レジスト[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an alignment mark used in a redundancy process in a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device having a metal structure alignment mark, a manufacturing method thereof, and a semiconductor wafer.
[0002]
[Prior art]
In semiconductor devices that are becoming increasingly integrated year by year, circuit design rules have been reduced as a requirement for miniaturization. This tendency is particularly noticeable in semiconductor memory devices such as DRAMs that are becoming increasingly large-scale integrated. Further, along with miniaturization, a redundancy technique for relieving a defective portion by providing a redundant circuit in advance and replacing the defective portion is widely adopted. In reality, it is difficult to manufacture a good product with no defective memory cells, that is, a good product for all bits. In a normal semiconductor memory device, a defective part of a memory cell is identified by die sort inspection, and a defective part is detected. Is replaced with a redundant part and shipped as a semiconductor memory device that is guaranteed to be a good product in terms of operation.
[0003]
By the way, in order to replace the defective portion with the redundant circuit, it is necessary to change the connection of the wiring. As a method for changing the wiring connection, it is necessary to prepare a fuse circuit and cut a fuse connected to a circuit that does not require connection. In order to cut the fuse, it is necessary to irradiate the specific fuse that needs to be cut and cut only the specific fuse. In that case, it is indispensable to specify the position of the specific fuse, and the redundancy alignment mark is used as the position specifying method.
[0004]
Here, FIG. 13 and FIG. 14 show the cross-sectional structure of the redundancy alignment mark when the conventional technique is used. As shown in FIG. 13, a
[0005]
During alignment, the laser is scanned from directly above (see FIG. 13), and alignment is performed based on the difference in reflection between the upper surface of the alignment mark and the other portions. This alignment mark is provided corresponding to each of several hundred semiconductor chips on the semiconductor wafer, and alignment is performed on each semiconductor chip to replace a defective portion and a redundant portion.
[0006]
In JP-A-4-61218, a contact hole is provided in an insulating film as shown in FIG. 1 and the like, a conductive material is deposited in the contact hole, and a step is provided in the opening to be used as an alignment mark. The technology is described.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The conventional semiconductor device as described above has the following problems.
[0008]
At the time of alignment, the laser is scanned from directly above the alignment mark shown in FIG. 13, and alignment is performed by the difference in reflection between the metal portion and the other portions. However, if the alignment mark is not normally formed, correct alignment cannot be obtained, and there is a possibility that the fuse at a position different from the original is cut. For example, when the alignment mark is formed by the
[0009]
After forming the alignment mark, there is a step of applying a polyimide film on the surface. However, in this step, if processing is performed again for reasons such as coating unevenness, reprocessing is performed after the polyimide is peeled off. The problem is the gas used when the polyimide is peeled off. CF in the gas Four Has been found to damage the TiN layer.
[0010]
That is, the
[0011]
An object of the present invention is to solve the above-described problems of the prior art.
[0012]
In particular, an object of the present invention is to provide a semiconductor device in which the shape of an alignment mark is ensured as designed and a corresponding redundant circuit is replaced with an extracted defective circuit.
[0013]
Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer capable of highly accurate alignment and capable of performing necessary redundancy processing even when further miniaturization is advanced.
[0014]
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that enables highly accurate alignment by maintaining the shape of the alignment mark as designed even when highly erodible gas is used. It is in.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, a semiconductor substrate provided with a circuit element, an insulating layer provided on the semiconductor substrate and having an opening, a first TiN layer provided in the insulating layer, the first 1 is formed on the TiN layer, the upper surface thereof is exposed in the opening, and the metal layer covered with the insulating layer is formed on the metal layer except for the upper surface, and the opening having the same shape immediately below the opening. It is possible to provide a semiconductor device having a second TiN layer having a portion.
[0016]
A step of forming a circuit element in the semiconductor substrate, a step of forming a first insulating layer on the semiconductor substrate, and a predetermined shape on the first insulating layer; Forming a first metal layer; forming a second metal layer coplanar with the first metal layer; and coplanar with the second metal layer on the second metal layer. Forming a third metal layer having a shape; forming a second insulating layer on the first insulating film and the third metal layer; and the second insulating layer and the third insulating layer. Removing the metal layer so that a part of the surface of the second metal layer is exposed; depositing a polyimide layer on the second insulating layer and the second metal layer; and And a step of removing the opening portion using CF4 gas. Thus, it is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor device that enables highly accurate alignment by maintaining the shape of the alignment mark as designed even when highly erodible gas is used.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from the actual ones. Accordingly, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, the part from which the relationship and ratio of a mutual dimension differ also in between drawings is contained.
(First embodiment)
A method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0019]
As shown in FIG. 1, an
[0020]
As shown in FIG. 2, an insulating layer made of a
[0021]
Thus, the TiN layer can be obtained by reducing the size of the opening that actually functions as the alignment mark while sufficiently taking the size of the metal layer used as the alignment mark composed of the
[0022]
Thus, after depositing the polyimide film, when the film formation state is not preferable, the polyimide film is peeled off, and the process of depositing the polyimide film again is repeated many times in the peeling process by reprocessing. Gas damage to the
[0023]
The alignment mark may be provided on each semiconductor chip, or may be provided on a dicing line between the semiconductor chips of the semiconductor wafer. When provided on the semiconductor chip, the alignment marks are provided around the fuses included in the semiconductor chip, respectively, so that the positional accuracy of the fuse to be cut is improved. When provided on the dicing line, when the width of the dicing line is about 100 μm, the length of the metal layer shown in FIG. The horizontal direction, which is the direction in which the length is long, is arranged in the line direction along the dicing line. Dicing lines are provided in four directions along each side around each semiconductor chip on the semiconductor wafer, and alignment marks are provided on four dicing lines around each semiconductor chip.
[0024]
In FIG. 1, the
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 4, in this embodiment, two alignment marks having different directions are provided adjacent to each other. The alignment mark shown on the left side in the figure is the same as that shown in FIG. The alignment mark shown on the right side in the figure is different in shape from the alignment mark provided on the left side. That is, the
[0025]
In this example, the
[0026]
As shown in FIGS. 5 and 6, an insulating layer made of the
[0027]
As described above, the size of the
[0028]
In this embodiment, alignment marks whose directions are perpendicular to each other are separated by a distance D, for example, 40 μm, as shown in FIG.
[0029]
Therefore, by scanning the alignment marks in directions perpendicular to each other, vertical and horizontal coordinate values can be obtained, and highly accurate position measurement and alignment can be performed.
[0030]
The alignment mark may be provided on each semiconductor chip, or may be provided on a dicing line between the semiconductor chips of the semiconductor wafer. When provided on the semiconductor chip, the alignment marks are provided around the fuses included in the semiconductor chip, respectively, so that the positional accuracy of the fuse to be cut is improved. When provided on the dicing line, when the width of the dicing line is about 100 μm, the length of the metal layer shown in FIG. The horizontal direction, which is the direction in which the length is long, is arranged in the line direction along the dicing line. Dicing lines are provided in four directions along each side around each semiconductor chip on the semiconductor wafer, and alignment marks are provided on four dicing lines around each semiconductor chip.
[0031]
In FIG. 4, the
[0032]
Further, in FIG. 4, the
(Third embodiment)
In the present embodiment, an
[0033]
Here, the
[0034]
Thus, the size of the opening that actually functions as the alignment mark is reduced while sufficiently taking the size of the metal layer used as the alignment mark composed of the
[0035]
Here, although the
[0036]
The alignment mark may be provided on each semiconductor chip, or may be provided on a dicing line between the semiconductor chips in the semiconductor wafer. When provided on the semiconductor chip, the alignment marks are provided around the fuses included in the semiconductor chip, respectively, so that the positional accuracy of the fuse to be cut is improved. When provided on the dicing line, when the width of the dicing line is about 100 μm, the length of the metal layer shown in FIG. 7 is short in the width direction of the dicing line. The horizontal direction, which is the direction in which the length is long, is arranged in the line direction along the dicing line. Dicing lines are provided in four directions along each side around each semiconductor chip on the semiconductor wafer, and alignment marks are provided on four dicing lines around each semiconductor chip.
[0037]
In FIG. 7, the
(Fourth embodiment)
This embodiment relates to a method of manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment, and will be described with reference to FIGS.
[0038]
First, as shown in FIG. 9, a
[0039]
Next, as shown in FIG. 10, a resist layer 13 is used as a mask and reactive ion etching or the like is used to form a metal layer used as an alignment mark by etching into a predetermined shape. Remove. As shown in FIG. 10, the metal layer is removed except for the alignment mark portion.
[0040]
Next, as shown in FIG. 11, after the
[0041]
Next, as shown in FIG. 12, a resist 15 is formed on the
[0042]
Here, in the reprocessing of the polyimide film formation and removal, it is possible to prevent a gas that damages the
[0043]
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that enables highly accurate alignment by maintaining the shape of an alignment mark as designed even when highly erodible gas is used.
[0044]
In the first to third embodiments, the first TEOS layer and the second TEOS layer are handled as TEOS layers without distinction, but in actuality, as in the fourth embodiment, there are at least two stages. The TEOS layer is formed around the alignment mark in the process of
Here, the metal layer used for the alignment mark can be manufactured in the same process by depositing and etching simultaneously with the formation of the wiring in the circuit element in another part of the semiconductor device. Therefore, when forming simultaneously with a wiring layer having a three-layer structure, the metal layer in the alignment mark is also formed in the same three-layer structure, and when forming simultaneously with other wiring layers having a two-layer structure, a two-layer structure. It is beneficial to reduce the number of processes. In addition, since the alignment mark scans from the upper surface and confirms the position, it is usually preferable to be near the uppermost layer of the semiconductor device or the semiconductor wafer in order to correctly recognize the reflected light.
[0045]
Here, the wiring layer in the same position in the vertical direction as the alignment mark in the semiconductor device or the semiconductor wafer usually corresponds to a pad layer. For this reason, the metal layer of the alignment mark is manufactured in the same process as the pad layer, and it is appropriate for reducing the number of processes that the pad layer has the same metal structure.
[0046]
In this embodiment, the method for manufacturing the semiconductor device of the third embodiment has been described. However, the same process can be applied to the first or second embodiment. That is, when applied to the first embodiment, the step of providing the
[0047]
The second embodiment can be applied by simply modifying the opening forming step in the manufacturing method of the first embodiment in accordance with the desired size in the step of forming the opening.
[0048]
As the alignment mark, two or three metal layers composed of a combination with an AlCu layer or a TiN layer are shown in each embodiment. However, the present invention is not limited to this, and a material having similar physicochemical properties is used. It is also possible to select an appropriate alignment mark. Furthermore, the metal material multilayer structure shown in each embodiment may be repeated many times to constitute an alignment mark composed of three or more metal layers.
[0049]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor device in which the shape of the alignment mark is ensured as designed and the corresponding redundant circuit is replaced with the extracted defective circuit.
[0050]
Further, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor wafer capable of highly accurate alignment and capable of performing necessary redundancy processing even when further miniaturization is advanced.
[0051]
Further, according to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor device that enables highly accurate alignment by maintaining the shape of the alignment mark as designed even when highly erodible gas is used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view illustrating a semiconductor device according to a first embodiment of the invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 3 is a plan view illustrating a modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 4 is a plan view illustrating a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view illustrating a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment of the invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment of the invention.
FIG. 13 is a plan view illustrating a conventional semiconductor device.
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a conventional semiconductor device.
[Explanation of symbols]
1 TEOS layer
2 opening
3 Semiconductor substrate
4 First resist
5 TiN layer
6 opening
7 opening
8 AlCu layer
9 TiN layer
10 opening
11 TiN layer
12 First TEOS layer
13 resist
14 Second TEOS layer
15 resist
Claims (3)
前記半導体基板上に設けられ、開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層中に設けられた第1のTiN層と、
前記第1のTiN層上に形成され、前記開口部にその上面が露出し、上面以外は前記絶縁層で被覆された金属層と、
前記金属層上に形成され、前記開口部直下に同一形状の開口部を有する第2のTiN層と
を有することを特徴とする半導体装置。A semiconductor substrate provided with circuit elements;
An insulating layer provided on the semiconductor substrate and having an opening;
A first TiN layer provided in the insulating layer;
A metal layer formed on the first TiN layer, an upper surface of the opening being exposed at the opening, and the insulating layer covering the portion other than the upper surface;
A semiconductor device comprising: a second TiN layer formed on the metal layer and having an opening having the same shape immediately below the opening.
前記半導体基板上に第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層上に所定形状の第1の金属層を形成する工程と、
前記第1の金属層と同一平面形状の第2の金属層を形成する工程と、
前記第2の金属層上にこの第2の金属層と同一平面形状の第3の金属層を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜、前記第3の金属層上に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の絶縁層及び前記第3の金属層を前記第2の金属層表面が一部露出するように除去する工程と、
前記第2の絶縁層及び前記第2の金属層上にポリイミド層を堆積する工程と、
前記ポリイミド層を前記開口部分でCF4ガスを用いて除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。Forming a circuit element in a semiconductor substrate;
Forming a first insulating layer on the semiconductor substrate;
Forming a first metal layer having a predetermined shape on the first insulating layer;
Forming a second metal layer having the same planar shape as the first metal layer;
Forming a third metal layer having the same planar shape as the second metal layer on the second metal layer;
Forming a second insulating layer on the first insulating film and the third metal layer;
Removing the second insulating layer and the third metal layer so that the surface of the second metal layer is partially exposed ;
Depositing a polyimide layer on the second insulating layer and the second metal layer;
And a step of removing the polyimide layer using CF4 gas at the opening .
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